JP6765104B2 - 電気的中点におけるｒｆプローブシステムの校正技術 - Google Patents

Description

本発明は所定の電気的検査を実行するための高周波プローブを備えた高周波特性検査装置において試料の電気的中点を校正するための位置補正に関する。

ミリ波帯における平面回路の評価に高周波特性検査装置が利用されている。
高周波インピーダンス測定等の高周波検査において使用される高周波特性検査装置には、測定部材として、その先端に測定信号をＤＵＴ（被試験装置、被測定回路網）に入力、或いはＤＵＴから出力するシグナル端子（Ｓ）および接地されたグランド端子（Ｇ）が離間し並行して配設された高周波プローブ（Ｓ−Ｇタイプ、またはＧ−Ｓタイプ）や、その先端にシグナル端子（Ｓ）を挟むように２本のグランド端子（Ｇ，Ｇ）が各離間し並行して配設された高周波プローブ（Ｇ−Ｓ−Ｇタイプ）などが使用されている（特許文献３）。

高周波特性検査装置は、図１３に示すように、一般的にＤＵＴを載置してＸ、Ｙ、Ｚ軸に移動可能な水平面を備えた可動ステージと、その載置されたＤＵＴに接触して電気的特性を測定する対向した一対の高周波プローブ、その一対の高周波プローブを所定の間隔で装置に固定し得るプローブ取り付け部、ＤＵＴ測定のための高周波を生成する周波数拡張ユニット、およびシステムを制御してＤＵＴからの反射波・透過波を測定・解析するベクトルネットワークアナライザー（ＶＮＡ）等から構成されている（特許文献１、特許文献２）。

この高周波プローブを用いてＤＵＴの所定の電気的検査を実行する前には検査値に含まれるその機器固有の誤差等を測定評価するための校正を行うのが一般的である。
校正は検査用の所定の基準パターンを用意し、たとえば、図１４に示す基準器を用いてＺ軸方向の調整（プローブ押付け量）を行なった後、所定の基準器（例えば、ＴＨＲＵ，ＳＨＯＲＴ，ＬＯＡＤ基準器）に移動して、目視（図１２、比較例１）、或いは、ＰＣ制御等により予め決められた量プローブを平行移動させる（図１２、比較例２）事によって高周波プローブのＸＹ位置を決めてから行うのが一般的である。

Ｚ軸方向の調整は、図１４に示すように、ＧＳＧプローブの中心がＡ位置に合うように調整し、プローブ先端がＢ位置からＣ位置まで滑るようにプローブを押付けてＺ軸の位置を調整する。
次に対向する他方のプローブ先端についても同様にＺ軸の位置を調整して一対の対向する高周波プローブを用意して基準パターンによる校正を行う。

しかし、従来の方法では校正のための測定には高周波プローブとＤＵＴの検査用パターンとのコンタクト位置のばらつき、その押し付け量のばらつき、空間中に拡がる電磁界の影響があり個々の測定作業依存性が高く、従来手法により決定された位置での校正を経た高周波プローブによる測定結果の信頼性や測定の再現性には問題があった。

特開平８−２８８３４２号公報 特開平１１−２６５２６号公報 特開２００２−３５７６３０号公報

WinCalXE（商標）校正ソフトウェア（https://www.cascademicrotech.com/jp/products/wincal/wincalxe） 坂巻亮、堀部雅弘、電気情報通信学会２０１６年春季講演大会予稿集、Ｃ−２−８３

表１（非特許文献２の表１を転載）に従来手法による高周波プローブの平面回路とのコンタクト位置（平面回路の表面と接触する位置）のばらつき等の誤差要因が測定結果に与える影響度の分析結果（反射係数の不確かさ評価結果）を示す。

表１の不確かさ項目をみると明らかなように、プローブ位置（Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向）の決定が影響度において主要因であることを示している。
この表１の環境条件による不安定性項目を見ると平面回路の顕微鏡手法によるプローブ位置の制御精度は、せいぜい１０μｍ程度であり、実体顕微鏡を利用する場合の顕微鏡解像度の限界に近い。
そのため、プローブ位置決めの精度の限界を超えるプローブ位置の制御手法が望まれていた。

ＶＮＡの校正理論によれば、ＶＮＡの校正時はＶＮＡから見た、すなわち、ＶＮＡの２つのポート（ポート１とポート２）の電気的な中点にプローブを配する必要がある。
顕微鏡手法は幾何的な中点を電気的な中点をみなして実施するものであるが、実際は幾何的な中点と電気的な中点とは異なり、しかもその違いは高周波になるほど顕著となることがわかった。

現在の利用周波数帯の高周波化を鑑みると、電気的な中点を厳密に実現して校正を行なう技術が求められている。

本発明は顕微鏡手法に依らず、高周波プローブを平面回路の仮決めの位置から高周波を放出して測定したＳパラメータの測定値をフィードバックしながらＸ，Ｙ，Ｚ軸に沿って移動させて電気的測定に最適なプローブ位置を探索し基準位置を決定する手段または校正方法、校正方法を実行するプログラムおよびプログラムを記録した記憶媒体、および高周波特性検査装置、を提供できる。

本発明者の先の出願（特願２０１６−１０６１９２）では、ＴＨＲＵ基準器において好適な反射特性・透過特性の位相成分の差および積の極値から求めた電気的中点における校正方法を提供した。

本発明ではさらに、好適にはＬＯＡＤ基準器において反射特性の差および積の極値から求めた電気的中点、および、好適にはＳＨＯＲＴ基準器において反射特性の実部の差および積の極値、から求めた電気的中点における校正方法を提供する。

図１（ａ）は本発明の校正方法におけるプローブの基準位置合わせのコンセプト図であり、ＬＯＡＤ基準器の例である。
またこの基準位置合わせによる解析手法は図５に示したようにそれぞれ他の基準器においても適用可能であることは言うまでもない。
図１（ｂ）に示すように、各基準器でプローブ位置決めを行なった後、速やかにその位置で校正を行なってよい。

なお、本発明者の先の出願において記載された構成と技術的知見はそのまま本願において参照されるものとする。

本発明者は先の出願からさらに研究を続け、高周波を放出して測定したＳパラメータの反射特性（反射係数）と透過特性（透過係数）およびその実部と虚部を利用する解析手法を見出した。
よって、この解析手法を、極値法と差分法と名付ける（図５）。

図６の左図に示すように差分法では、ＶＮＡのポート１とポート２での測定信号が等しくなるように、または、その差が極値となる（好適にはその差がゼロ）ようにプローブ位置を調整する。
ポート１とポート２での測定信号とは、一対のプローブＳ端子において計測された測定信号を言う。

図６の右図に示すように積の極値法では各々のポート測定信号の積が極値となるようにプローブ位置を決定する事で電気的な中点を実現する。

解析用パラメータＰ_１、Ｐ_２となるポート測定信号には反射特性（反射係数）と透過特性（透過係数）、その位相成分、その実部と虚部が含まれる。

図５にＴｈｒｕ、Ｌｏａｄ、Ｓｈｏｒｔ基準器を制御するプローブのＸ、Ｙ軸方向において有効な解析用パラメータの積の極値法と差分法によるパラメータ解析手法をまとめた。
図５の表の上欄は解析用パラメータであり、Ｓ_ｒｅｆ、Ｓ_{ｔｒａｎｓ}は反射特性・透過特性を表し、Ｓ_ｒｅｆは反射係数Ｓ_１１またはＳ_２２であり、Ｓ_{ｔｒａｎｓ}は透過係数Ｓ_１２またはＳ_２１である。θ_ｒｅｆは反射係数Ｓ_ｒｅｆの位相であり、θ_{ｔｒａｎｓ}は透過係数Ｓ_{ｔｒａｎｓ}の位相である。
同様にＵ_ｒｅｆ＝Ｒｅ（Ｓ_ｒｅｆ）、Ｖ_ｒｅｆ＝Ｉｍ（Ｓ_ｒｅｆ）、Ｕ_{ｔｒａｎｓ}＝Ｒｅ（Ｓ_{ｔｒａｎｓ}）、Ｖ_{ｔｒａｎｓ}＝Ｉｍ（Ｓ_{ｔｒａｎｓ}）である（Ｒｅは実部を表し、Ｉｍは虚部を表す）。
図５の表の左欄に示すＴｈｒｕ、Ｌｏａｄ、Ｓｈｏｒｔ基準器の各方向において表に示された解析用パラメータとパラメータ解析手法を選択することで各基準器における電気的な中点にプローブ位置を決定する事が可能である。

本発明では、図９に示すように、平面回路の所定の基準器に対して一対のプローブ位置をＺ方向、Ｘ方向、Ｙ方向に各微動させながら高周波を放出して測定した一対のＳパラメータのフィードバック測定値を得て、反射特性と透過特性、その位相成分およびその実部と虚部に関し積の極値法また差分法により解析してＺ、Ｘ、Ｙ軸方向でのプローブ位置を決定することで、２μｍ以下の精度で平面回路の電気的中心位置となるプローブ位置を決定する手段を提供することができる。

本発明の基準位置合わせにより対向する一対の高周波プローブが接続された計測装置（ＶＮＡ）の各ポートに関して電気的に対称であると言う理想の校正理論に沿った校正が可能となった。

顕微鏡の解像度や人の作業能力に依存せず、可動ステージやデバイス（ＤＵＴ）の平面度やアライメントの影響を除去し、２μｍ以下の精度でプローブ位置を決定する事が可能となり、平面回路を評価する際の測定のばらつきを抑制することができるようになった。

また本発明では測定に際してＳ端子（ポート）間の電気的な中立点を得るため、校正時の双方のプローブの非対称性による誤差を低減する事が可能になり、より校正理論と合致した校正を実現できる。

(a)は本発明の校正方法におけるプローブの基準位置合わせのコンセプト図である。 (b)はその位置での校正を表す図である。 ＴＨＲＵ基準器の形状例を表した図である。 ＳＨＯＲＴ基準器の形状例を表した図である。 ＬＯＡＤ基準器の形状例を表した図である。 各基準器における極値法と差分法の解析方法を表す図である。 差分法（左）と極値法（右）の適用が好適となる特性図の概略構成を表す図である。 実施例と比較例における特性インピーダンスが７３Ωである２ｍｍ長の伝送線路の評価した時のＳ１１及びＳ２２の周波数特性を表す図である。 実施例と比較例における特性インピーダンスが７３Ωである２ｍｍ長の伝送線路の評価した時の１００ＧＨｚにおけるＳ１１及びＳ２２の測定値を表す図である。 本発明者の先の出願の実施例１の原理図である。 システムの概略図である。 各基準器におけるシステム動作のフローチャート。 従来のプローブ位置の決定手法を表す図である。 （ａ）は本発明に使用した高周波特性検査装置の概略構成を表す図である。（ｂ）は（ａ）を平面回路評価装置の構成として模式化した図である。 従来の位置決めパターンにおけるプローブ位置のＺ軸の決定手法を表す図である。

（基準器における位置決定）
図２〜４に本実施例で使用するＴＨＲＵ、ＳＨＯＲＴ、ＬＯＡＤ基準器の形状例を示す。
基準器とは、平面回路等の被試験装置を測定する際の位置決めに予め使用する被試験装置の一部と同一の大きさと形状を有した試験片であり、一般的には図２に示したＴＨＲＵ基準器、図３に示したＳＨＯＲＴ基準器や図４に示したＬＯＡＤ基準器など他のパターンが合わせて配置された試料（サンプル）の一部である。

ＬＯＡＤ基準器とは、各プローブのシグナルとグランド端子間に特性インピーダンスと等しい抵抗体を配することによって、無反射に近しい特性を実現した基準器である。

ＴＨＲＵ基準器とは、対になるプローブのシグナル間とグランド間をそれぞれ接続させる基準器であってシグナル端子を直接接続するシグナル領域を中央にその両側にグランド端子を直接接続する離間して絶縁されて形成されたグランド領域を配したパターンである。
ＳＨＯＲＴ基準器とは、各プローブのシグナルとグランド端子間を短絡させたほぼ全反射である基準器である。

図１３（ａ）は、本発明に使用する高周波特性検査装置（サンプルの校正基準としてＣａｓｃａｄｅ社製ＩＳＳ：１０１−１０９、可動ステージにＣａｓｃａｄｅ社のＳｕｍｍｉｔ１２０００、プローブに同社のＧＳＧ−Ｉｎｆｉｎｉｔｙ−１５０ｐｉｔｃｈ（登録商標）、ＶＮＡにＫｅｙｓｉｇｈｔ社のＥ８３６１Ａを使用した）（制御装置として使用したパーソナルコンピュータは含まない）を撮影した写真画像であり、図１３（ｂ）はそれを平面回路評価装置の構成として模式化した図であり、図１０はそれらを簡略化したシステム構成図である。
以下、簡略化した図１０の構成のシステムによって、図２〜４に示す各基準器を用いて、可動ステージに載置されたサンプル上のプローブ位置を決定する手法を説明する。
なお、本発明の解析手法は特に断らない限りＴＨＲＵ、ＳＨＯＲＴ、ＬＯＡＤ基準器のいずれにも適用可能であることから、基本基準器を特定しないで、または、適宜基準器を変えて説明を進める。

本発明でＸ、Ｙ、Ｚ位置と言う場合は対向する一対の高周波プローブの配置された場所を言い、Ｘ，Ｙ，Ｚ座標と言う時は、当該装置の所定の原点から対向するプローブ先端間の中点への各距離としてきめてよく、あるいは対向する一対の一方のプローブの先端への距離として決めてよく、また仮決めの位置や、可動ステージの平面上の中心を原点とした距離として適宜決めてよい。

まず、例えばＴＨＲＵ基準器（ＳＨＯＲＴ、ＬＯＡＤ基準器でも良い）において図９に示すように、所定の間隔で対向する一対の高周波プローブをサンプルステージに載置された基準器の直上に一対の高周波プローブの先端を結ぶ対向軸がＸ軸と平行になるように配する（Ｓｔｅｐ１、図１１）。
この目的のために、高周波特性検査装置はサンプルを載置した可動ステージを稼働し、回転させるステージ回転機構を備えてもよい。
この時直上に配する位置はおおまかな位置でかまわないが、一対の対向する高周波プローブの先端が可動ステージ上の基準器の信号領域に接触してＸ，Ｙ方向に移動し得る始点となるように仮決めの位置を決めるのが望ましい。

その後、制御装置からの指示によってステージコントローラを介してサンプルステージをＺ軸に沿って少しずつ上昇させてサンプルに接近させる。
本実施例では、図１０における制御装置としてパーソナルコンピュータを用いてＺ軸移動量を計算してステージコントローラに入力した。

サンプルステージを上昇させながら測定装置を介して両プローブにおける反射係数Ｓ_１１、Ｓ_２２を読み取る（Ｓｔｅｐ２、図１１）。
サンプルの表面がプローブ片方にコンタクトすると、反射係数（Ｓ_１１、Ｓ_２２）が大きく変化する。
例えばＬＯＡＤ基準器やＴＨＲＵ基準器の場合は反射係数が０．７以下、ＳＨＯＲＴ基準器の場合は位相が９０〜１８０℃となるように設定すれば、一対のプローブのコンタクト有無の判定が可能である。

以降、両プローブのコンタクトが検出された時のサンプルステージとプローブ先端の位置関係をＺ位置（コンタクト位置、Ｚ軸方向の深さ）として決定する（図示せず）（Ｓｔｅｐ３、図１１）。

サンプルステージを稼動して、次に一対の対向するプローブを、Ｘ方向に所定の距離を移動しながら測定を行なう（Ｓｔｅｐ４、図１１）。
移動量は、例えば±１０μｍの範囲で１μｍずつ移動しながら各位置における両プローブの反射係数を測定する。

次に図５に従って適宜該当する解析用パラメータＰ_１、Ｐ_２の差、積の極値を解析してＸ位置を決定する（Ｓｔｅｐ５、図１１）。
例えば、ＴＨＲＵ基準器のＸ位置は反射係数Ｓ_１１、Ｓ_２２の実部をＰ_１＝Ｕ_１１、Ｐ_２＝Ｕ_２２とし、｜Ｕ_１１−Ｕ_２２｜を解析して決定する。
また、ＳＨＯＲＴ基準器のＸ位置は反射係数Ｓ_１１、Ｓ_２２の実部をＰ_１＝Ｕ_１１、Ｐ_２＝Ｕ_２２とし、差分法によるパラメータ｜Ｕ_１１−Ｕ_２２｜を解析して決定する。
また、ＬＯＡＤ基準器は反射係数Ｓ_１１、Ｓ_２２の振幅（Ｐ_１＝｜Ｓ_１１｜、Ｐ_２＝｜Ｓ_２２｜）の差分法によるパラメータ｜｜Ｓ_１１｜−｜Ｓ_２２｜｜、が極値となるプローブ位置をＸ位置として決定する。
好適には、その差がゼロ、すなわち、Ｐ_１＝Ｐ_２、となる位置である。

更に、サンプルステージを稼動して、一対の対向するプローブを、Ｙ方向に所定の距離を移動しながら測定を行なう（Ｓｔｅｐ６、図１１）。
移動量は、例えば±１０μｍの範囲で２μｍずつ移動しながら各位置におけるパラメータＰ_１、Ｐ_２を解析してＹ位置を決定する（Ｓｔｅｐ７、図１１）。
例えば、ＴＨＲＵ基準器は反射係数Ｓ_１１、Ｓ_２２の実部（Ｐ_１＝Ｕ_１１、Ｐ_２＝Ｕ_２２）の極値法によるパラメータＵ_１１ｘＵ_２２、ＳＨＯＲＴ基準器は反射係数Ｓ_１１、Ｓ_２２の実部（Ｐ_１＝Ｕ_１１、Ｐ_２＝Ｕ_２２）の極値法によるパラメータＵ_１１ｘＵ_２２、ＬＯＡＤ基準器は反射係数Ｓ_１１、Ｓ_２２の振幅（Ｐ_１＝｜Ｓ_１１｜、Ｐ_２＝｜Ｓ_２２｜）の極値法によるパラメータ｜Ｓ_１１｜ｘ｜Ｓ_２２｜、がそれぞれ極値となるプローブ位置をＹ位置として決定すればよい。

そうして決定されたＸ，Ｙ，Ｚ位置が当該サンプルにおけるプローブの基準位置となり、この位置でのＳパラメータの解析値を校正値とすることができる。

ＸとＹ方向位置を決定する時は、コンタクト位置から予め決められた量だけＺ方向にプローブを押込むことで一対のプローブの先端の位置をマークし再現性の高い評価が可能である。
このようにして、ＸＹＺ三軸方向のプローブ位置を高い再現性で精密に決めることができる。

一般的なＴＨＲＵ基準器（例えば、特性インピーダンス５０Ωの０．２ｍｍ線路長の伝送線路）に代えて、試験片２ｍｍの特性インピーダンスが７３Ωである線路を試料として本発明の有効性について従来手法を比較例として検証した。

図７において本発明を比較例と比較すると、特性インピーダンスが７３Ωである２ｍｍ長の伝送線路の評価した時、本発明の１００ＧＨｚにおける｜Ｓ_１１｜と｜Ｓ_２２｜の差がなくほぼ等しいことがわかる。

また、図８において本発明を比較例と比較すると、特性インピーダンスが７３Ωである２ ｍｍ長の伝送線路の評価した時、本発明の１００ＧＨｚにおける｜Ｓ_１１｜と｜Ｓ_２２｜の差の標準偏差が０．０１以下となっていることがわかる。

比較例は、基準位置合わせが幾何学的な中立面であるため校正理論上理想的と言えないところ、本発明の基準位置合わせは対向する一対の高周波プローブが接続された計測装置（ＶＮＡ）の各ポートに関して電気的に対称であると言う理想的な校正を実現している。
このように、本技術を活かすことでより高い精度での校正が実現できる。

１、１ａ、１ｂ プローブ（高周波プローブ）
２ 可動ステージ（サンプルステージ、ステージ、プローブステーション）
３ ＶＮＡ（計測装置）
４ 周波数拡張ユニット
５ 抵抗体
６ ステージコントローラ
７ 制御装置
８ 平面回路評価装置（高周波特性検査装置）
９ ＴＨＲＵ基準器
１０ ＬＯＡＤ基準器
１１ ＳＨＯＲＴ基準器
１２ シグナル領域（信号領域）
１３ グランド領域
１４、１４ａ、１４ｂ シグナル端子（Ｓ）
１５、１５ａ、１５ｂ、１５ｃ、１５ｄ グランド端子（Ｇ）
１６ 測定対象（ＤＵＴ）
１７ 同軸ケーブル

Claims (11)

1. 離間して形成されたシグナル領域およびグランド領域を有する平面回路の電気的特性をその先端を前記平面回路の表面に接触させて高周波を放出して得たＳパラメータにより検査する一対の高周波プローブを備えた高周波特性検査装置であって、
   前記高周波プローブはその先端に前記グランド領域に接触するグランド端子と前記シグナル領域に前記グランド端子と同時に接触するシグナル端子とを備え、
   前記一対の高周波プローブは所定の間隔で対向して前記平面回路の表面に同時に接触するように構成されており、
   前記平面回路の前記シグナル領域における前記一対の高周波プローブの基準位置の校正を、対向する一対の前記高周波プローブの各シグナル端子が前記シグナル領域において接触して前記高周波を放出して測定したＳパラメータの反射特性の実部又は虚部に基づいて決定する電気的中点において行うことを特徴とする高周波特性検査装置。
2. さらに、前記平面回路を載置する可動ステージと、その可動ステージのＸ、Ｙ、Ｚ軸の稼動を制御するステージコントローラとを備え、
   前記平面回路の前記シグナル領域において長手方向をＸ軸方向、短手方向をＹ軸方向、垂直方向をＺ軸方向とした場合、
   Ｚ軸方向のコンタクト位置を決定し、
   当該Ｚ軸方向のコンタクト位置において前記対向する一対の前記高周波プローブの各先端と前記シグナル領域とを接触させ、さらに前記ステージコントローラを制御し前記平面回路を載置する可動ステージを稼動して前記対向する一対の前記高周波プローブをＸ軸方向に稼動して、
   前記高周波を放出して得たＳパラメータの反射係数Ｓ ₁₁ 及びＳ ₂₂ から、｜Ｒｅ（Ｓ ₁₁ ）―Ｒｅ（Ｓ ₂₂ ）｜（Ｒｅ（Ｐ）はＰの実部）又は｜Ｉｍ（Ｓ ₁₁ ）−Ｉｍ（Ｓ ₂₂ ）｜（Ｉｍ（Ｐ）はＰの虚部）が極値となるように前記一対の前記高周波プローブのＸ軸の位置を決定する
   請求項１記載の高周波特性検査装置。
3. 決定された前記Ｚ軸方向のコンタクト位置及び前記Ｘ軸の位置において前記対向する一対の前記高周波プローブの各先端と前記シグナル領域とを接触させ、さらに前記ステージコントローラを制御し前記平面回路を載置する可動ステージを稼動して前記対向する一対の前記高周波プローブをＹ軸方向に移動して、
   前記高周波を放出して得たＳパラメータの反射係数Ｓ ₁₁ 及びＳ ₂₂ から、Ｒｅ（Ｓ ₁₁ ）ｘＲｅ（Ｓ ₂₂ ）が極値となるようにＹ軸の位置を決定し、
   前記決定されたＹ軸の位置における前記対向する一対の前記高周波プローブの中点を前記平面回路のシグナル領域の電気的中点の基準位置として校正することを特徴とする請求項２に記載の高周波特性検査装置。
4. 離間して形成されたシグナル領域およびグランド領域を有する平面回路の電気的特性をその先端を前記平面回路の表面に接触させて高周波を放出して得たＳパラメータにより検査する一対の高周波プローブを備えた高周波特性検査装置であって、
   前記高周波プローブはその先端に前記グランド領域に接触するグランド端子と前記シグナル領域に前記グランド端子と同時に接触するシグナル端子とを備え、
   前記一対の高周波プローブは所定の間隔で対向して前記平面回路の表面に同時に接触するように構成されており、
   前記平面回路の前記シグナル領域における前記一対の高周波プローブの基準位置の校正を、対向する一対の前記高周波プローブの各シグナル端子が前記シグナル領域において接触して前記高周波を放出して測定したＳパラメータの透過特性の実部又は虚部に基づいて決定する電気的中点において行うことを特徴とする高周波特性検査装置。
5. さらに、前記平面回路を載置する可動ステージと、その可動ステージのＸ、Ｙ、Ｚ
   軸の稼動を制御するステージコントローラとを備え、
   前記平面回路の前記シグナル領域において長手方向をＸ軸方向、短手方向をＹ軸方向、垂直方向をＺ軸方向とした場合、
   Ｚ軸方向のコンタクト位置を決定し、
   当該Ｚ軸方向のコンタクト位置において前記対向する一対の前記高周波プローブの各先端と前記シグナル領域とを接触させ、さらに前記ステージコントローラを制御し前記平面回路を載置する可動ステージを稼動して前記対向する一対の前記高周波プローブをＸ軸方向に稼動して、
   前記高周波を放出して得たＳパラメータの透過係数Ｓ ₁₂ 及びＳ ₂₁ から、Ｒｅ（Ｓ ₁₂ ）ｘＲｅ（Ｓ ₂₁ ）（Ｒｅ（Ｐ）はＰの実部）又はＩｍ（Ｓ ₁₂ ）ｘＩｍ（Ｓ ₂₁ ）（Ｉｍ（Ｐ）はＰの虚部）が極値となるように前記一対の前記高周波プローブのＸ軸の位置を決定する
   請求項４記載の高周波特性検査装置。
6. 決定された前記Ｚ軸方向のコンタクト位置及び前記Ｘ軸の位置において前記対向する一対の前記高周波プローブの各先端と前記シグナル領域とを接触させ、さらに前記ステージコントローラを制御し前記平面回路を載置する可動ステージを稼動して前記対向する一対の前記高周波プローブをＹ軸方向に移動して、
   前記高周波を放出して得たＳパラメータの透過係数Ｓ ₁₂ 及びＳ ₂₁ から、Ｒｅ（Ｓ ₁₂ ）ｘＲｅ（Ｓ ₂₁ ）又はＩｍ（Ｓ ₁₂ ）ｘＩｍ（Ｓ ₂₁ ）が極値となるようにＹ軸の位置を決定し、
   前記決定されたＹ軸の位置における前記対向する一対の前記高周波プローブの中点を前記平面回路のシグナル領域の電気的中点の基準位置として校正することを特徴とする請求項５に記載の高周波特性検査装置。
7. 離間して形成されたシグナル領域およびグランド領域を有する平面回路の電気的特性をその先端を前記平面回路の表面に接触させて高周波を放出して得たＳパラメータにより検査する一対の高周波プローブと、
   前記平面回路を載置する可動ステージと、
   当該可動ステージのＸ、Ｙ、Ｚ軸の稼動を制御するステージコントローラと、
   を備え、
   前記高周波プローブはその先端に前記グランド領域に接触するグランド端子と前記シグナル領域に前記グランド端子と同時に接触するシグナル端子とを備え、
   前記一対の高周波プローブは所定の間隔で対向して前記平面回路の表面に同時に接触するように構成されており、
   前記平面回路の前記シグナル領域における前記一対の高周波プローブの基準位置の校正を、対向する一対の前記高周波プローブの各シグナル端子が前記シグナル領域において接触して前記高周波を放出して測定したＳパラメータの反射特性に基づいて決定する電気的中点において行う高周波特性検査装置であって、
   前記平面回路の前記シグナル領域において長手方向をＸ軸方向、短手方向をＹ軸方向、垂直方向をＺ軸方向とした場合、
   Ｚ軸方向のコンタクト位置を決定し、
   当該Ｚ軸方向のコンタクト位置において前記対向する一対の前記高周波プローブの各先端と前記シグナル領域とを接触させ、さらに前記ステージコントローラを制御し前記平面回路を載置する可動ステージを稼動して前記対向する一対の前記高周波プローブをＸ軸方向に稼動して、
   前記高周波を放出して得たＳパラメータの反射係数Ｓ ₁₁ 及びＳ ₂₂ から、｜｜Ｓ ₁₁ ｜―｜Ｓ ₂₂ ｜｜又は｜Ｓ ₁₁ ｜ｘ｜Ｓ ₂₂ ｜が極値となるように前記一対の前記高周波プローブのＸ軸の位置を決定する
   高周波特性検査装置。
8. 決定された前記Ｚ軸方向のコンタクト位置及び前記Ｘ軸の位置において前記対向する一対の前記高周波プローブの各先端と前記シグナル領域とを接触させ、さらに前記ステージコントローラを制御し前記平面回路を載置する可動ステージを稼動して前記対向する一対の前記高周波プローブをＹ軸方向に移動して、
   前記高周波を放出して得たＳパラメータの反射係数Ｓ ₁₁ 及びＳ ₂₂ から、｜Ｓ₁₁｜ｘ｜Ｓ₂₂｜が極値となるようにＹ軸の位置を決定し、
   前記決定されたＹ軸の位置における前記対向する一対の前記高周波プローブの中点を前記平面回路のシグナル領域の電気的中点の基準位置として校正することを特徴とする請求項７に記載の高周波特性検査装置。
9. 離間して形成されたシグナル領域およびグランド領域を有する平面回路の電気的特性をその先端を前記平面回路の表面に接触させて高周波を放出して得たＳパラメータにより検査する一対の高周波プローブを備えた高周波特性検査装置を用いて前記平面回路の前記シグナル領域における前記一対の高周波プローブの基準位置を校正する校正方法であって、
   前記高周波プローブはその先端に前記グランド領域に接触するグランド端子と前記シグナル領域に前記グランド端子と同時に接触するシグナル端子とを備え、
   前記一対の高周波プローブは所定の間隔で対向して前記平面回路の表面に同時に接触するように構成されており、
   前記平面回路の前記シグナル領域における前記一対の高周波プローブの基準位置の校正を、対向する一対の前記高周波プローブの各シグナル端子が前記シグナル領域において接触して前記高周波を放出して測定したＳパラメータの反射特性の実部又は虚部、もしくは、Ｓパラメータの透過特性の実部又は虚部に基づいて決定する電気的中点において行うことを特徴とする校正方法。
10. 離間して形成されたシグナル領域およびグランド領域を有する平面回路の電気的特性をその先端を前記平面回路の表面に接触させて高周波を放出して得たＳパラメータにより検査する一対の高周波プローブを備えた高周波特性検査装置を用いて前記平面回路の前記シグナル領域における前記一対の高周波プローブの基準位置を校正する校正方法であって、
    前記高周波プローブはその先端に前記グランド領域に接触するグランド端子と前記シグナル領域に前記グランド端子と同時に接触するシグナル端子とを備え、
    前記平面回路を載置する可動ステージ、その可動ステージのＸ、Ｙ、Ｚ軸の稼動を制御するステージコントローラを備え、前記一対の高周波プローブは所定の間隔で対向して前記平面回路の表面に同時に接触するように構成されており、
    前記平面回路の前記シグナル領域において長手方向をＸ軸方向、短手方向をＹ軸方向、垂直方向をＺ軸方向とした場合、
    前記ステージコントローラを制御し前記平面回路を載置する可動ステージをＺ軸方向に稼動して前記対向する一対の前記高周波プローブの各先端と前記シグナル領域とを接触させ、前記高周波を放出して測定したＳパラメータの反射特性に基づいてＺ軸方向のコンタクト位置を決定し、
    決定された前記Ｚ軸方向のコンタクト位置において前記対向する一対の前記高周波プローブの各先端と前記シグナル領域とを接触させ、さらに前記ステージコントローラを制御し前記平面回路を載置する可動ステージを稼動して前記対向する一対の前記高周波プローブをＸ軸方向に稼動して、前記高周波を放出して測定したＳパラメータの反射係数Ｓ ₁₁ 及びＳ ₂₂ から、｜｜Ｓ₁₁｜―｜Ｓ₂₂｜｜、または、｜Ｒｅ（Ｓ₁₁）―Ｒｅ（Ｓ₂₂）｜（Ｒｅ（Ｐ）はＰの実部）が極値となるように前記一対の前記高周波プローブのＸ軸の位置を決定し、
    決定された前記Ｚ軸方向のコンタクト位置及び前記Ｘ軸の位置において前記対向する一対の前記高周波プローブの各先端と前記シグナル領域とを接触させ、さらに前記ステージコントローラを制御し前記平面回路を載置する可動ステージを稼動して前記対向する一対の前記高周波プローブをＹ軸方向に移動して、前記高周波を放出して測定したＳパラメータの反射係数Ｓ ₁₁ 及びＳ ₂₂ から、｜Ｓ₁₁｜ｘ｜Ｓ₂₂｜、または、Ｒｅ（Ｓ₁₁）ｘＲｅ（Ｓ₂₂）が極値となるようにＹ軸の位置を決定し、
    前記決定されたＹ軸の位置における前記対向する一対の前記高周波プローブの中点を前記平面回路のシグナル領域の電気的中点の基準位置として前記一対の高周波プローブの基準位置を校正する校正方法。
11. 請求項９又は１０記載の校正方法を前記高周波特性検査装置に実行させるためのプログラム。

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