JP5613034B2 - 半導体チップの特性測定システム及びチップ特性測定方法 - Google Patents

Description

本発明は、ウエハをダイシングした後の各半導体チップの電気的特性を測定する特性測定システム及びチップ特性測定方法に関する。

半導体チップの製造においては、ウエハに形成された複数の半導体チップはダイシングによって個片化された後、ウエハ底面のダイシングテープの剥離前に半導体チップ各々に形成されたチップ端子にプローブ針を接触させてその電気的特性を測定することが行われる（特許文献１参照）。

半導体チップの電気的特性をダイシング後であってテープの剥離前に測定する理由としては、ダイシング前に電気的特性を測定すると、その後のダイシング工程で良品チップが不良化した場合にその不良化チップを除去できなくなること、また、ウエハに反りがあった場合でもダイシング後であれば、チップ個片単位となるため、ウエハの反りは全く関係なくなることが挙げられる。更に、半導体チップをテープ剥離後に個別に測定すると、測定専用のトレイに移し変えたりする等、個別に測定するためのハンドリングの時間がかかってしまうことがあり、また、個々に行うよりも複数の半導体チップを一括して行った方が時間短縮となることが挙げられる。

特開２００２−５０５９１号公報

しかしながら、ダイシング後でダイシングテープの剥離前に測定する場合には、チップ個片化後であるためにどうしてもダイシング前と比較して半導体チップ各々が個別に移動して等間隔の配置でなくなったりチップの向きが変動してしまう。これは、ウエハにダイシングテープを貼り付ける際に、ダイシングテープを例えば所定の方向に引っ張りながら貼り付けるため、チップ個片化後であってテープ剥離前においては、そのテープが縮むような格好となることから生じる。また、ウエハへのテープ貼り付けの際に皺ができたり空気が入ったりした場合にも、それに応じてチップ個片化後であってテープ剥離前にそのテープにおけるチップ間距離が変動してしまう。

このようにチップ間の距離が変わったり向きが変動してしまうと、測定の効率化のために所定数の半導体チップを同時に測定する場合にはプローブ針がチップ上の電極に当たらずにチップ測定に支障をきたす可能性が大きい。

このような課題を解決するために、従来技術では、ダイシング後にダイシングテープ上に貼られた状態のウエハを上面からのカメラでアライメント（認識）する際に一定の範囲内でチップ位置（チップ上の電極位置）に対応してプローブ針を電極に接触させるようにしているが、チップ間の距離がバラバラな部分や狭い部分、広い部分などが存在するため、電極にプローブ針が適切に接触せずにチップ測定に支障をきたすことになる。

そこで、本発明の目的は、ダイシング後のウエハの半導体チップ各々を電気的特性の測定のために適切に位置調整することができる特性測定システム及び半導体チップのチップ特性測定方法を提供することである。

本発明の特性測定システムは、表面にダイシングテープが貼り付けられたウエハを裏面側から個片化して切り出された複数の半導体チップの電気的特性を、前記複数の半導体チップが前記ダイシングテープに貼り付けられた状態で測定する特性測定システムであって、前記複数の半導体チップのうちの前記個片化により不規則となった互いに隣接する２以上の半導体チップの配置間隔を、前記ダイシングテープを介して前記２以上の半導体チップの各々毎に定まる量だけ前記２以上の半導体チップの各々の位置及び傾きを移動させることによって、調整する配置間隔調整手段と、前記配置間隔を調整した前記２以上の半導体チップに対して同時に電気的特性を測定する測定手段と、を有することを特徴としている。

本発明の半導体チップのチップ特性測定方法は、表面にダイシングテープが貼り付けられたウエハを裏面側から個片化して、複数の半導体チップを前記ダイシングテープに貼り付けられた状態で切り出すウエハ個片化ステップと、前記複数の半導体チップのうちの前記ウエハ個片化ステップにより不規則となった互いに隣接する少なくとも２以上の半導体チップの配置間隔を、前記ウエハの裏面側から前記ダイシングテープを介して前記２以上の半導体チップの各々毎に定まる量だけ前記２以上の半導体チップの各々の位置及び傾きを移動させることによって、調整する配置間隔調整ステップと、前記配置間隔調整ステップによって配置間隔が調整された前記２以上の半導体チップに対して、一体的に形成された測定手段を用いて同時に電気的特性を測定する電気的特性測定ステップと、を有することを特徴としている。

本発明によれば、ダイシング後であってダイシングテープの剥離前にウエハの互いに隣接する２以上の半導体チップの配置間隔を、ダイシングテープを介して調整するので、半導体チップ各々の電極をプローブ針に適切に接触させることができる。よって、半導体チップ各々の電気的特性を効率よく測定することができる。

本発明の第１の実施例として特性測定システムを示す図である。 図１の特性測定システム中のＺ−θステージ内を示す断面図である。 図１の特性測定システム中のＺ−θステージ内を上方から見た図である。 図１の特性測定システム中の制御回路による測定動作を示すフローチャートである。 Ｚ−θステージ上に載置されたダイシング後のウエハを示す図である。 ウエハが載置された時点の各半導体チップの状態を示す図である。 ４×４個の半導体チップが整列された状態を示す図である。 本発明の第２の実施例として特性測定システム中のＺ−θステージ内を示す断面図である。 図８の特性測定システム中のＺ−θステージ内を上方から見た部分図である。 図８の特性測定システム中の制御回路による測定動作を示すフローチャートである。 ２×４個の半導体チップが集合して整列された状態を示す図である。 本発明の第３の実施例として特性測定システム中のＺ−θステージ内を示す断面図である。 図１２の特性測定システム中の台座を部分的に示す図である。 図１２の特性測定システム中の制御回路による測定動作を示すフローチャートである。 半導体チップ間に台座の突起部が入り込んで半導体チップが整列された状態を示す図である。

以下、本発明の実施例を図面を参照しつつ詳細に説明する。
図１は本発明の第１の実施例として特性測定システムを概略的に示している。この特性測定システムは、図１に示すようにＺ−θステージ１と、Ｘ−Ｙステージ２とを備えている。Ｚ−θステージ１はダイシング後のウエハが載置されるようにされており、その載置部分をＺ軸方向（垂直方向）に移動し、また、その角度θを載置平面方向において変化させることができる。Ｘ−Ｙステージ２はＺ−θステージ１の低部に連結しており、Ｚ−θステージ１をＸ軸方向及びＹ軸方向に移動させることができる。Ｚ−θステージ１及びＸ−Ｙステージ２各々の制御は制御回路５によって実行される。

また、特性測定システムは、プローブカード３と、カメラ４とをＺ−θステージ１の上方に備えている。プローブカード３は図示しない手段によって固定されており、複数の半導体チップ（例えば、４×４個）の電気的特性を同時に測定するためにプローブ針３ａを有している。カメラ４はＺ−θステージ１上のダイシング後のウエハ１１の各半導体チップ１２を撮影して映像データを出力する。映像データはそれらの半導体チップ１２の位置及び傾きを検出するために用いられる。カメラ４からの映像データ出力には制御回路５が接続されている。

Ｚ−θステージ１内には図２に部分的に示すように複数の吸引ブロック７が配置されている。吸引ブロック７は半導体チップ１２の数だけ設けられている。吸引ブロック７各々には半導体チップ１２を負圧によってダイシングテープ１３を介して吸引する４つの吸引孔７ａが形成されている。各吸引ブロック７は図３に示すようにその４つ一組の吸引孔７ａ毎にウエア１１の半導体チップ１２と対面するような間隔で配置されている。また、吸引ブロック７は各々所定位置（例えば、中心点）を基準点としてＸＹθ軸方向に若干移動可能にされ、制御回路５の指令に応じて図示しない駆動機構によって駆動されるようにされている。

かかる構成の特性測定システムにおいては、ダイシング後のウエハ１１の複数の半導体チップ１２の電気的特性を測定するための測定動作が図４に示す手順で実行される。その測定動作では、先ず、Ｚ−θステージ１上にウエハ１１が載置される（ステップＳ１）。図５はかかる特性測定システムのＺ−θステージ１上に載置されたダイシング後のウエハ１１を示している。ウエハ１１、すなわち個片化されて得られた各半導体チップ１２がフィルム状のダイシングテープ１３に貼り付けられている。ダイシングテープ１３の周囲はリング状のフィルムフレーム１４に固定され、これによりダイシングテープ１３は個片化されたウエハ１１を貼り付けた状態（付着状態）で維持している。

次に、制御回路５はカメラ４による撮影映像を示す映像データを取り込み、映像データに応じて認識処理を行う（ステップＳ２）。Ｚ−θステージ１上のダイシング後のウエハ１１が載置された時点には各半導体チップ１２は通常、図６に示すように予め定められた位置（破線のダイシングラインで囲まれた中央位置）からずれて傾いており、整列状態（傾きなく縦横方向に等間隔で並んだ状態）ではない。認識処理においてはカメラ４から取り込んだ映像データに応じて各半導体チップ１２の位置及び傾きが検出される。

制御回路５は認識処理を終了すると、図示しない負圧生成装置を駆動して吸引ブロック７の各吸引孔７ａの一端に負圧を供給させて吸引孔７ａから各半導体チップ１２をダイシングテープ１３を介して吸引させる（ステップＳ３）。この段階では各半導体チップ１２は不整列状態のままで吸引ブロック７に吸着され、駆動機構によって吸引ブロック７と共に移動可能にされる。

制御回路５は電気的特性を同時に測定する対象の複数の半導体チップ１２を決定し（ステップＳ４）、その測定対象の半導体チップ１２を認識処理の結果に応じて１つずつ位置調整する（ステップＳ５）。ステップＳ５では、制御回路５は半導体チップ１２の位置及び傾きに基づいて駆動機構を駆動して測定対象の半導体チップ１２が１つずつ移動され、半導体チップ１２間の距離が等しくされることにより整列される。制御回路５はステップＳ２の認識処理で得た駆動対象の半導体チップ１２の位置及び傾きと本来の整列位置とのずれを解消するように駆動機構を駆動する。図７は測定対象の４×４個の半導体チップ１２の範囲（符号１３の範囲）が整列された状態を示している。

測定対象の半導体チップ１２各々の位置調整が終了してそれらが整列されると、制御回路５はＺ−θステージ１及びＸ−Ｙステージ２各々を駆動して、測定対象の半導体チップ１２の電極（図示せず）をプローブカード３のプローブ針３ａに接触させる（ステップＳ６）。測定対象の半導体チップ１２各々は所望の位置で整列しているので、それらの半導体チップ１２の電極はプローブカード３のプローブ針３ａに正確に対向し、ステップＳ６では確実な電気的接続が得られる。そして、測定対象の半導体チップ１２の電気的特性の測定が実行される（ステップＳ７）。

電気的特性の測定が終了すると、制御回路５はＺ−θステージ１及びＸ−Ｙステージ２各々を駆動して、測定対象の半導体チップ１２の電極とプローブカード３のプローブ針３ａと離間させる（ステップＳ８）。そして、ウエハ１１に形成された全ての半導体チップ１２の電気的特性の測定が終了したか否かを判別する（ステップＳ９）。全ての半導体チップ１２の電気的特性の測定が終了していないならば、制御回路５はステップＳ４に戻って新たな測定対象の半導体チップ１２を決定して上記のステップＳ５〜Ｓ９を再度実行する。全ての半導体チップ１２の電気的特性の測定が終了したならば、負圧生成装置の駆動を停止することにより電気的特性の測定動作を終了する。

このように第１の実施例の特性測定システムにおいては、ダイシング後であってテープ剥離前にウエハ１１の半導体チップ１２各々を個別に位置調整して整列させるので、半導体チップ１２各々の電極をプローブカード３のプローブ針３ａに適切に接触させることができる。また、隣り合う半導体チップ１２をダイシングテープ１３を介して吸引して互い密着した状態で集合させることもできるので、よりチップ間隔の調整が正確となり、それらの集合した半導体チップ１２各々の電極をプローブカード３のプローブ針３ａに適切に接触させることができる。よって、半導体チップ１２各々の電気的特性を効率よく測定することができる。

図８は本発明の第２の実施例として特性測定システムのＺ−θステージの内部を概略的に示している。この特性測定システムにおいては、Ｚ−θステージ１の内部には複数の吸引ブロック１７が配置されている。各吸引ブロック１７はこの実施例では２×４個の半導体チップ１２に対応しており、それらの半導体チップ１２を負圧によってダイシングテープ１３を介して吸引する複数の吸引孔１７ａが形成されているとする。Ｚ−θステージ１の内部の吸引ブロック１７の吸引孔１７ａは図９に示すように高密度で位置している。

その他の構成は図１に示した特性測定システムと同一であるので、同一部分については同一符号が用いられている。プローブカード３のプローブ針３ａは２×４個の半導体チップ１２の側面が互いに密着したときのチップ電極の間隔で配置されている。

かかる図８の特性測定システムにおいては、ダイシング後のウエハ１１の複数の半導体チップ１２の電気的特性を測定するための測定動作が図１０に示す手順で実行される。この測定動作では、先ず、Ｚ−θステージ１上にウエハ１１が載置され（ステップＳ１１）、カメラ４による撮影映像を示す映像データを取り込み、映像データに応じて認識処理を行う（ステップＳ１２）。ステップＳ１１及びＳ１２は第１の実施例のステップＳ１及びＳ２と同一である。ただし、ステップＳ１２では映像データに応じて各半導体チップ１２の位置を得るだけで良い。

制御回路５は認識処理を終了すると、認識処理の結果に応じて測定対象の２×４個の半導体チップ１２を決定し（ステップＳ１３）、負圧生成装置を駆動して測定対象の２×４個の半導体チップ１２に対応する範囲の吸引ブロック１７の各吸引孔１７ａの一端に負圧を供給させて吸引孔１７ａから測定対象の各半導体チップ１２をダイシングテープ１３を介して吸引させる（ステップＳ１４）。この吸引では、半導体チップ１２間の領域が吸引され、この結果、ダイシングテープ１３が吸引され、それと共に測定対象の２×４個の半導体チップ１２は図１１に示すように側面を互いに密着して１つの集合１４とされる。すなわち、測定対象の２×４個の半導体チップ１２は強制的に整列されることにより位置調整される。

制御回路５はＺ−θステージ１及びＸ−Ｙステージ２各々を駆動して、測定対象の半導体チップ１２の電極（図示せず）をプローブカード３のプローブ針３ａに接触させる（ステップＳ１５）。測定対象の半導体チップ１２は上記のように集合して整列しているので、それらの半導体チップ１２の電極はプローブカード３のプローブ針３ａに正確に対向し、ステップＳ１５では確実な電気的接続が得られる。そして、測定対象の半導体チップ１２の電気的特性の測定が実行される（ステップＳ１６）。

電気的特性の測定が終了すると、制御回路５はＺ−θステージ１及びＸ−Ｙステージ２各々を駆動して、測定対象の半導体チップ１２の電極とプローブカード３のプローブ針３ａと離間させ（ステップＳ１７）、負圧生成装置の駆動を停止させることにより測定対象の半導体チップ１２に対応する吸引ブロック１７への負圧の供給を停止させる（ステップＳ１８）。そして、ウエハ１１に形成された全ての半導体チップ１２の電気的特性の測定が終了したか否かを判別する（ステップＳ１９）。全ての半導体チップ１２の電気的特性の測定が終了していないならば、制御回路５はステップＳ１３に戻って新たな測定対象の半導体チップ１２を決定して上記のステップＳ１４〜Ｓ１９を再度実行する。全ての半導体チップ１２の電気的特性の測定が終了したならば、電気的特性の測定動作を終了する。

このように第２の実施例の特性測定システムにおいては、ダイシング後であってテープ剥離前にウエハ１１の一部の隣り合う半導体チップ１２をダイシングテープ１３を介して吸引して互い密着した状態で集合させるので、よりチップ間隔の調整が正確となり、それらの集合した半導体チップ１２各々の電極をプローブカード３のプローブ針３ａに適切に接触させることができる。よって、半導体チップ１２各々の電気的特性を効率よく測定することができる。

図１２は本発明の第３の実施例として特性測定システムのＺ−θステージの内部を概略的に示している。Ｚ−θステージ１内には台座２１と吸引ブロック２２が配置されている。台座２１は図１３に示すように格子状で平面構造のベース部２１ａと、ベース部２１から垂直に突起した複数の突起部２１ｂとからなる。ベース部２１ａはダイシングラインに沿って形成されているので、ベース部２１ａ内に四角形の空間部２１ｃを作り出している。その各空間部２１ｃは半導体チップ１２の外形と一致する。突起部２１ｂは針状であり、等間隔で形成されており、その突起部２１ｂの長さは半導体チップ１２の高さ以下である。また、針状の突起部２１ｂは先端に向かって細くなっている。

吸引ブロック２２は台座２１の底部、すなわちベース部２１ａに結合している。吸引ブロック２２は半導体チップ１２を負圧によってダイシングテープ１３及びベース部２１ａを介して吸引する複数の吸引孔２２ａが形成されている。

台座２１と吸引ブロック２２とは駆動機構（図示せず）によって共に上下方向に移動可能にされている。

その他の構成は図１に示した特性測定システムと同一であるので、同一部分については同一符号が用いられている。

かかる図１２の特性測定システムにおいては、ダイシング後のウエハ１１の複数の半導体チップ１２の電気的特性を測定するための測定動作が図１４に示す手順で実行される。この測定動作では、先ず、Ｚ−θステージ１上にウエハ１１が載置され（ステップＳ２１）、カメラ４による撮影映像を示す映像データを取り込み、映像データに応じて認識処理を行う（ステップＳ２２）。ステップＳ２１及びＳ２２は第１の実施例のステップＳ１及びＳ２と同一である。ただし、ステップＳ２２ではステップＳ１２と同様に映像データに応じて各半導体チップ１２の位置を得るだけで良い。

制御回路５は認識処理を終了すると、駆動機構を駆動して台座２１と吸引ブロック２２とを上方に所定の距離だけ移動させる（ステップＳ２３）。この移動により台座２１の突起部２１ｂが半導体チップ１２間でダイシングテープ１３を僅かに押し上げる。そして、制御回路５は図示しない負圧生成装置を駆動して吸引ブロック２２に負圧を供給させて吸引孔２２ａから各半導体チップ１２をダイシングテープ１３を介して吸引させる（ステップＳ２４）。こうすることにより、各半導体チップ１２はダイシングテープ１３を介して吸引ブロック２２に吸着される。このとき、隣接する各半導体チップ１２の間に位置したダイシングテープ１３は、針状の突起部２１ｂによって押し上げられ、また、部分的にはその突起部２１ｂの針がダイシングテープ１３を突き抜けるため、各半導体チップ１２は上記の空間部２１ｃの部分に図１５に示すように位置されて整列状態が得られる。

制御回路５は電気的特性を同時に測定する対象の所定数の半導体チップ１２を決定し（ステップＳ２５）、Ｚ−θステージ１及びＸ−Ｙステージ２各々を駆動して、測定対象の半導体チップ１２の電極（図示せず）をプローブカード３のプローブ針３ａに接触させる（ステップＳ２６）。測定対象の半導体チップ１２各々は所望の位置で整列しているので、それらの半導体チップ１２の電極はプローブカード３のプローブ針３ａに正確に対向し、ステップＳ２６では確実な電気的接続が得られる。そして、測定対象の半導体チップ１２の電気的特性の測定が実行される（ステップＳ２７）。

電気的特性の測定が終了すると、制御回路５はＺ−θステージ１及びＸ−Ｙステージ２各々を駆動して、測定対象の半導体チップ１２の電極とプローブカード３のプローブ針３ａと離間させる（ステップＳ２８）。そして、ウエハ１１に形成された全ての半導体チップ１２の電気的特性の測定が終了したか否かを判別する（ステップＳ２９）。全ての半導体チップ１２の電気的特性の測定が終了していないならば、制御回路５はステップＳ２５に戻って新たな測定対象の半導体チップ１２を決定して上記のステップＳ２６〜Ｓ２９を再度実行する。全ての半導体チップ１２の電気的特性の測定が終了したならば、負圧生成装置の駆動を停止すると共に台座２１と吸引ブロック２２とを元の位置に戻すように駆動機構を駆動し（ステップＳ３０）、これにより電気的特性の測定動作を終了する。

このように図１２の実施例の特性測定システムにおいては、ダイシング後であってテープ剥離前にウエハ１１の各半導体チップ１２を台座２１の突起部２１ｂがガイドとなって所望の位置に配置させることにより整列させるので、半導体チップ１２各々の電極をプローブカード３のプローブ針３ａに適切に接触させることができる。よって、半導体チップ１２各々の電気的特性を効率よく測定することができる。

なお、かかる図１２の台座２１の突起部２１ｂは針状になっているが、壁板状であっても良い。壁板状の場合には半導体チップ１２の周囲を囲むように連続的であっても良いし、断続的であっても良い。針状の突起部２１ｂの場合には吸引時に突起部がダイシングテープ１３を突き抜け、それ故、壁板状の場合に比してダイシングテープ１３を引っ張ることが少ないので、半導体チップ１２の整列をより適切に行うことができる。

また、第３の実施例においては全ての半導体チップ１２の配置間隔を調整しているが、一度にプローブ針３ａで接触して電気的特性を測定し得る２つ以上の半導体チップ１２の部分だけに台座２１を作用させて配置間隔を調整しても良い。

１ Ｚ−θステージ
２ Ｘ−Ｙステージ
３ プローブカード
４ カメラ
５ 制御回路
１１ ウエハ
１４ フィルムフレーム

Claims (10)

1. 表面にダイシングテープが貼り付けられたウエハを裏面側から個片化して切り出された複数の半導体チップの電気的特性を、前記複数の半導体チップが前記ダイシングテープに貼り付けられた状態で測定する特性測定システムであって、
   前記複数の半導体チップのうちの前記個片化により不規則となった互いに隣接する２以上の半導体チップの配置間隔を、前記ダイシングテープを介して前記２以上の半導体チップの各々毎に定まる量だけ前記２以上の半導体チップの各々の位置及び傾きを移動させることによって、調整する配置間隔調整手段と、
   前記配置間隔を調整した前記２以上の半導体チップに対して同時に電気的特性を測定する測定手段と、を有することを特徴とする半導体チップの特性測定システム。
2. 前記複数の半導体チップの各々の配置を認識する認識手段を備え、
   前記２以上の半導体チップの配置間隔の調整は、前記認識手段により認識した前記複数の半導体チップの配置に応じて行うことを特徴とする請求項１に記載の特性測定システム。
3. 前記配置間隔調整手段は、前記複数の半導体チップの各々を前記ダイシングテープを介して個別に吸引し、かつ個別に駆動可能な複数の吸引手段を備え、
   前記２以上の半導体チップの各々の配置間隔の調整は、前記吸引手段を駆動させることにより行うことを特徴とする請求項１又は請求項２記載の特性測定システム。
4. 前記配置間隔調整手段は、互いに隣接する前記複数の半導体チップの間に設けられた吸引手段を備え、
   前記２以上の半導体チップの各々の配置間隔の調整は、前記吸引手段により互いに隣接する前記２以上の半導体チップの間に配置された前記ダイシングテープを吸引することで行うことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の特性測定システム。
5. 前記配置間隔調整手段は、前記複数の半導体チップを吸引する吸引手段と、互いに隣接する前記複数の半導体チップの間に設けられた突起部とを備え、
   前記２以上の半導体チップの各々の配置間隔の調整は、前記吸引手段により前記２以上の半導体チップを吸引して隣接する前記２以上の半導体チップの間に位置する前記ダイシングテープを前記突起部によって押し上げることで行うことを特徴とする請求項１又は請求項２記載の特性測定システム。
6. 表面にダイシングテープが貼り付けられたウエハを裏面側から個片化して、複数の半導体チップを前記ダイシングテープに貼り付けられた状態で切り出すウエハ個片化ステップと、
   前記複数の半導体チップのうちの前記ウエハ個片化ステップにより不規則となった互いに隣接する少なくとも２以上の半導体チップの配置間隔を、前記ウエハの裏面側から前記ダイシングテープを介して前記２以上の半導体チップの各々毎に定まる量だけ前記２以上の半導体チップの各々の位置及び傾きを移動させることによって、調整する配置間隔調整ステップと、
   前記配置間隔調整ステップによって配置間隔が調整された前記２以上の半導体チップに対して、一体的に形成された測定手段を用いて同時に電気的特性を測定する電気的特性測定ステップと、を有することを特徴とする半導体チップの電気的特性測定方法。
7. 前記配置間隔調整ステップにおいては、互いに隣接する前記２以上の半導体チップの各々を前記ダイシングテープを介して個別に吸引しかつ個別に駆動可能な複数の吸引手段を用いて、前記吸引手段を駆動させることにより前記２以上の半導体チップの各々の配置間隔を調整することを特徴とする請求項６記載の電気的特性測定方法。
8. 前記配置間隔調整ステップにおいては、互いに隣接する前記複数の半導体チップの間に設けられた吸引手段によって互いに隣接する前記２以上の半導体チップの間に配置された前記ダイシングテープを吸引することで前記２以上の半導体チップの各々の配置間隔の調整を行うことを特徴とする請求項６又は請求項７記載の電気的特性測定方法。
9. 前記複数の半導体チップの配置間隔の調整は、互いに隣接する前記２以上の半導体チップを互いに密接させて行うことを特徴とする請求項７又は請求項８記載の電気的特性測定方法。
10. 前記配置間隔調整ステップにおいては、前記複数の半導体チップを吸引する吸引手段と、互いに隣接する前記複数の半導体チップの間に設けられた突起部とを用いて、前記吸引手段により前記２以上の半導体チップを吸引して隣接する前記２以上の半導体チップの間に位置する前記ダイシングテープを前記突起部によって押し上げることで前記２以上の半導体チップの各々の配置間隔の調整を行うことを特徴とする請求項６記載の電気的特性測定方法。

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