TW201434622A - 附載體銅箔 - Google Patents

附載體銅箔 Download PDF

Info

Publication number
TW201434622A
TW201434622A TW102142237A TW102142237A TW201434622A TW 201434622 A TW201434622 A TW 201434622A TW 102142237 A TW102142237 A TW 102142237A TW 102142237 A TW102142237 A TW 102142237A TW 201434622 A TW201434622 A TW 201434622A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
layer
carrier
resin
copper foil
copper
Prior art date
Application number
TW102142237A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI504504B (zh
Inventor
Michiya Kohiki
Tomota Nagaura
Kazuhiko Sakaguchi
Original Assignee
Jx Nippon Mining & Metals Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2012271613A external-priority patent/JP5286443B1/ja
Application filed by Jx Nippon Mining & Metals Corp filed Critical Jx Nippon Mining & Metals Corp
Publication of TW201434622A publication Critical patent/TW201434622A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI504504B publication Critical patent/TWI504504B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601—Process or apparatus
    • C23C18/1633—Process of electroless plating
    • C23C18/1646—Characteristics of the product obtained
    • C23C18/165—Multilayered product
    • C23C18/1653—Two or more layers with at least one layer obtained by electroless plating and one layer obtained by electroplating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
    • C25D7/06—Wires; Strips; Foils
    • C25D7/0614—Strips or foils
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D1/00—Electroforming
    • C25D1/04—Wires; Strips; Foils
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/10—Electroplating with more than one layer of the same or of different metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/10—Electroplating with more than one layer of the same or of different metals
    • C25D5/12—Electroplating with more than one layer of the same or of different metals at least one layer being of nickel or chromium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/60—Electroplating characterised by the structure or texture of the layers
    • C25D5/605—Surface topography of the layers, e.g. rough, dendritic or nodular layers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/627—Electroplating characterised by the visual appearance of the layers, e.g. colour, brightness or mat appearance
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
    • H05K3/382—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the metal
    • H05K3/384—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the metal by plating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
    • C25D3/38—Electroplating: Baths therefor from solutions of copper
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/03—Conductive materials
    • H05K2201/0332—Structure of the conductor
    • H05K2201/0335—Layered conductors or foils
    • H05K2201/0355—Metal foils
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/022—Processes for manufacturing precursors of printed circuits, i.e. copper-clad substrates
    • H05K3/025—Processes for manufacturing precursors of printed circuits, i.e. copper-clad substrates by transfer of thin metal foil formed on a temporary carrier, e.g. peel-apart copper

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Abstract

本發明提供一種適於形成細間距(fine pitch)之附載體銅箔。本發明之附載體銅箔係依序具備載體、剝離層、極薄銅層、及任意之樹脂層者，並且極薄銅層表面之Rz之平均值係利用接觸式粗糙度計依據JIS B0601-1982進行測定而為1.5 μm以下，且Rz之標準偏差為0.1 μm以下。

Description

附載體銅箔
本發明係關於一種附載體銅箔。更詳細而言，本發明係關於一種用作印刷配線板之材料之附載體銅箔。
印刷配線板通常係於將銅箔與絕緣基板接著而製成覆銅積層板後，經過藉由蝕刻於銅箔面形成導體圖案的步驟而製造。隨著近年來電子機器之小型化、高性能化需求之增大，搭載零件之高密度安裝化或訊號之高頻化進展，對於印刷配線板要求導體圖案之微細化(細間距(fine pitch)化)或應對高頻等。
應對細間距化，最近要求厚度9μm以下、進而厚度5μm以下之銅箔，但此種極薄之銅箔由於機械強度較低，於製造印刷配線板時容易破損或產生皺褶，故而出現了利用具有厚度之金屬箔作為載體，對其隔著剝離層電鍍極薄銅層而成的附載體銅箔。將極薄銅層之表面貼合於絕緣基板並進行熱壓接後，經由剝離層將載體剝離去除。藉由於露出之極薄銅層上利用抗蝕劑形成電路圖案後，以硫酸-過氧化氫系蝕刻劑將極薄銅層蝕刻去除的方法(MSAP：Modified-Semi-Additive-Process，改良半加成製程)而形成微細電路。
此處，對成為與樹脂之接著面之附載體銅箔之極薄銅層之表面主要要求極薄銅層與樹脂基材之剝離強度充足，並且於高溫加熱、濕式 處理、焊接、化學處理等後亦可充分地保持其剝離強度。作為提高極薄銅層與樹脂基材之間之剝離強度的方法，通常代表性的是於增大表面輪廓(凹凸、粗糙度)之極薄銅層上附著大量粗化粒子的方法。
然而，若於印刷配線板中尤其是必須形成微細之電路圖案的半導體封裝基板使用此種輪廓(凹凸、粗糙度)較大之極薄銅層，則會於電路蝕刻時殘留不需要之銅粒子，產生電路圖案間之絕緣不良等問題。
因此，於WO2004/005588號(專利文獻1)中，嘗試使用不對極薄銅層之表面實施粗化處理之附載體銅箔作為以半導體封裝基板為代表之微細電路用途之附載體銅箔。此種不實施粗化處理之極薄銅層與樹脂之密合性(剝離強度)因其低輪廓(凹凸、粗度、粗糙度)之影響而存在與通常之印刷配線板用銅箔相比降低之傾向。因此，對附載體銅箔要求進一步之改善。
因此，於日本專利特開2007-007937號公報(專利文獻2)及日本專利特開2010-006071號公報(專利文獻3)中，記載有於附載體極薄銅箔之與聚醯亞胺系樹脂基板接觸(接著)之面設置Ni層或/及Ni合金層、設置鉻酸鹽層、設置Cr層或/及Cr合金層、設置Ni層與鉻酸鹽層、及設置Ni層與Cr層。藉由設置該等表面處理層，對於聚醯亞胺系樹脂基板與附載體極薄銅箔之密合強度，可不進行粗化處理或降低粗化處理之程度(微細化)而獲得所需之接著強度。進而，亦記載有以矽烷偶合劑進行表面處理或實施防銹處理。
[專利文獻1]WO2004/005588號
[專利文獻2]日本特開2007-007937號公報
[專利文獻3]日本特開2010-006071號公報
迄今為止，附載體銅箔之開發中將重心置於確保極薄銅層與樹脂基材之剝離強度。因此，關於細間距化，尚未進行充分之研究，仍留有改善之餘地。因此，本發明之課題在於提供一種適於形成細間距之附載體銅箔。具體而言，課題在於提供一種可形成與認為係迄今為止可以MSAP形成之極限的L/S=20μm/20μm相比更微細之配線的附載體銅箔。
為達成上述目的，本發明人等反覆進行努力研究，結果發現可藉由將極薄銅層之表面低粗度化、及於極薄銅層使微細粗化粒子於面內均勻地形成，而形成均勻且低粗度之粗化處理面。並且，發現該附載體銅箔對形成細間距極有效果。
本發明係基於上述見解而完成者，於一態樣中係一種附載體銅箔，其係依序具備載體、剝離層、極薄銅層、及任意之樹脂層者，並且極薄銅層表面之Rz之平均值係利用接觸式粗糙度計依據JIS B0601-1982進行測定而為1.5μm以下，且Rz之標準偏差為0.1μm以下。
本發明於另一態樣中係一種附載體銅箔，其係依序具備載體、剝離層、極薄銅層、及任意之樹脂層者，並且極薄銅層表面之Rt之平均值係利用接觸式粗糙度計依據JIS B0601-2001進行測定而為2.0μm以下，且Rt之標準偏差為0.1μm以下。
本發明於進而另一態樣中係一種附載體銅箔，其係依序具備載體、剝離層、極薄銅層、及任意之樹脂層者，並且極薄銅層表面之Ra之平均值係利用接觸式粗糙度計依據JIS B0601-1982進行測定而為0.2μm以下，且Ra之標準偏差為0.03μm以下。
於本發明之附載體銅箔之一實施形態中，極薄銅層經粗化處理。
本發明於進而另一態樣中係一種印刷配線板，其係使用本發明之附載體銅箔而製成。
本發明於進而另一態樣中係一種印刷電路板，其係使用本發明之附載體銅箔而製成。
本發明於進而另一態樣中係一種覆銅積層板，其係使用本發明之附載體銅箔而製成。
本發明之附載體銅箔適於形成細間距，例如，可形成較認為係可以MSAP步驟形成之極限的L/S=20μm/20μm更微細之配線，例如L/S=15μm/15μm之微細之配線。尤其是於本發明中，極薄銅層之表面粗糙度之面內均勻性較高，藉此於利用MSAP法形成電路時之閃蝕中，面內均勻性變良好，因此可期待提高良率。
圖1係表示使用轉筒之運箔方式的示意圖。
圖2係表示利用彎折(zigzag folding)之運箔方式的示意圖。
圖3係表示使用本發明之附載體銅箔之印刷配線板之製造方法之具體例的步驟A至C。
圖4係表示使用本發明之附載體銅箔之印刷配線板之製造方法之具體例的步驟D至F。
圖5係表示使用本發明之附載體銅箔之印刷配線板之製造方法之具體例的步驟G至I。
圖6係表示使用本發明之附載體銅箔之印刷配線板之製造方法之具體 例的步驟J至K。
<1.載體>
可於本發明中使用之載體典型為金屬箔或樹脂膜，例如係以銅箔、銅合金箔、鎳箔、鎳合金箔、鐵箔、鐵合金箔、不鏽鋼箔、鋁箔、鋁合金箔、絕緣樹脂膜(例如聚醯亞胺膜、液晶聚合物(LCP)膜、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜、聚醯胺膜、聚酯膜、氟樹脂膜等)之形態提供。
作為可於本發明中使用之載體，較佳為使用銅箔。典型而言，載體係以壓延銅箔或電解銅箔之形態提供。通常，電解銅箔係於鈦或不鏽鋼之轉筒上將銅自硫酸銅鍍浴中電解析出而製造，壓延銅箔係重複進行利用壓延輥之塑性加工及熱處理而製造。作為銅箔之材料，除了精銅或無氧銅等高純度銅以外，亦可使用例如摻Sn銅、摻Ag銅、添加有Cr、Zr或Mg等之銅合金、添加有Ni及Si等之卡遜系銅合金之類的銅合金。再者，於本說明書中，單獨使用用語「銅箔」時，亦包含銅合金箔。
關於可於本發明中使用之載體之厚度，亦並無特別限制，只要在達到作為載體之作用效果上適當調節為適宜之厚度即可，例如可設為12μm以上。但是，若過厚，則生產成本提高，故而通常較佳為設為70μm以下。因此，載體之厚度典型為12~70μm，更典型為18~35μm。
<2.剝離層>
於載體上設置剝離層。亦可於銅箔載體與剝離層之間設置其他層。作為剝離層，附載體銅箔可設置業者所知之任意剝離層。例如，剝離層較佳為由包含Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、或該等之合金、或該等之水合物、或該等之氧化物、或有機物中任一種以上的層形成。剝離層亦可由複數層構成。再者，剝離層可具有防擴散功能。此處，所謂防擴散 功能，係具有防止來自母材之元素擴散至極薄銅層側之作用。
於本發明之一實施形態中，剝離層係自載體側由如下層所構成：由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al之元素群內之任一種元素所構成的單一金屬層、或由選自Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al之元素群中之一種以上元素所構成的合金層(該等具有防擴散功能)、積層於其上之由選自Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al之元素群中之一種以上元素之水合物或氧化物或有機物所構成的層。
又，例如剝離層可自載體側由如下層構成：由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn之元素群內之任一種元素所構成之單一金屬層、或由選自Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn之元素群中之一種以上元素所構成之合金層，其次，由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn之元素群內之任一種元素所構成之單一金屬層、或由選自Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn之元素群中之一種以上元素所構成之合金層。再者，各元素之合計附著量例如可設為1~6000μg/dm2。又，亦可於其他層使用可作為剝離層而使用的層構成。
剝離層較佳為由Ni及Cr之2層構成。於此情形時，分別是Ni層以接觸於與銅箔載體之界面之方式積層，而Cr層以接觸於與極薄銅層之界面之方式積層。
剝離層例如可藉由電鍍、無電解鍍敷及浸漬鍍敷之類的濕式鍍敷，或濺鍍、CVD及PDV之類的乾式鍍敷而獲得。就成本之觀點而言，較佳為電鍍。
又，例如，剝離層可於載體上依序積層鎳、鎳-磷合金或鎳-鈷合金與鉻而構成。鎳與銅之接著力高於鉻與銅之接著力，因此於剝離極薄銅層時，為於極薄銅層與鉻之界面進行剝離。又，對剝離層之鎳期待防止銅成分自載體擴散至極薄銅層的障壁效果。剝離層中之鎳附著量較佳為 100μg/dm2以上且40000μg/dm2以下，更佳為100μg/dm2以上且4000μg/dm2以下，更佳為100μg/dm2以上且2500μg/dm2以下，更佳為100μg/dm2以上且未達1000μg/dm2，剝離層中之鉻附著量較佳為5μg/dm2以上且100μg/dm2以下。於僅於單面設置剝離層之情形時，較佳為於與載體相反之面設置鍍Ni層等防銹層。
再者，剝離層亦可設置於載體之兩面。
<3.極薄銅層>
於剝離層上設置極薄銅層。亦可於剝離層與極薄銅層之間設置其他層。極薄銅層可藉由利用有硫酸銅、焦磷酸銅、胺磺酸銅、氰化銅等之電解浴的電鍍而形成，就使用通常之電解銅箔而可於高電流密度下形成銅箔之方面而言，較佳為硫酸銅浴。極薄銅層之厚度並無特別限制，通常薄於載體，例如為12μm以下。典型為0.5~12μm，更典型為2~5μm。再者，極薄銅層亦可設置於載體之兩面。又，亦可於其他層使用可作為剝離層而使用的層構成。
<4.粗化處理>
對於極薄銅層之表面，為了例如使與絕緣基板之密合性良好等，亦可藉由實施粗化處理而設置粗化處理層。粗化處理例如可藉由利用銅或銅合金形成粗化粒子而形成。就形成細間距之觀點而言，粗化處理層較佳為由微細之粒子構成。關於形成粗化粒子時之電鍍條件，若提高電流密度、降低鍍敷液中之銅濃度或增大庫侖量，則有粒子進行微細化之傾向。
粗化處理層可由如下電鍍粒構成：由選自由銅、鎳、磷、鎢、砷、鉬、鉻、鈷及鋅所組成之群中之任一者之單體或含有任1種以上之合金所構成。
於提高表面處理面之表面粗糙度之面內均勻性方面，固定地保持粗化處理層形成時之陽極-陰極間距離較為有效。並無限定，就工業生 產之觀點而言，藉由將轉筒等作為支持介質之運箔方式而確保固定之極間距離的方法較為有效。圖1係表示該運箔方式的示意圖。一面利用轉筒支持以搬送輥搬送之載體銅箔，一面藉由電解鍍敷於極薄銅層表面形成粗化粒子層。利用轉筒支持之載體銅箔之處理面兼具陰極，於該轉筒與以與轉筒對向之方式設置之陽極之間的鍍敷液中進行各電解鍍敷。另一方面，圖2中記載有表示利用習知型之彎折之運箔方式的示意圖。該方式因電解液以及運箔張力等影響而存在難以使陽極與陰極之距離固定的問題。再者，為了藉由利用彎折之運箔方式而固定地保持粗化處理層形成時之陽極-陰極間距離，較習知者更提高用以運箔之張力、縮短搬送輥間之距離較為有效。
如圖1所示，利用轉筒之運箔方式不僅可用於粗化處理，亦可用於剝離層之形成及極薄銅層之形成。其原因在於可藉由採用以轉筒之運箔方式，而提高剝離層或極薄銅層之厚度精度。再者，為了藉由利用彎折之運箔方式而固定地保持剝離層或極薄銅層形成時之陽極-陰極間距離，較習知者更提高用以運箔之張力、縮短搬送輥間之距離較為有效。
極間距離並無限定，若過長，則生產成本提高，另一方面，若過短，則面內不均容易變大，因此通常較佳為3~100mm，更佳為5~80mm。
又，可於經粗化處理後，由鎳、鈷、銅、鋅之單體或合金等形成二次粒子或三次粒子及/或防銹層，進而對其表面實施鉻酸鹽處理、矽烷偶合處理等處理。即，可於粗化處理層之表面形成選自由防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成之群中之1種以上層，亦可於極薄銅層之表面不進行粗化處理而形成選自由防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成之群中之1種以上層。再者，該等表面處理對極薄銅層之表面粗糙度幾乎無影響。
極薄銅層表面(於實施粗化處理等各種表面處理之情形時係 指表面處理後之極薄銅層之表面(亦稱為「表面處理面」))係於利用接觸式粗糙度計依據JIS B0601-1982進行測定時，將Rz(十點平均粗糙度)之平均值設為1.5μm以下，該情況就形成細間距之觀點而言極為有利。Rz之平均值較佳為1.4μm以下，更佳為1.3μm以下，更佳為1.2μm以下，更佳為1.0μm以下，更佳為0.8μm以下。但是，若Rz之平均值過小，則與樹脂之密合力降低，就此方面而言，較佳為0.01μm以上，更佳為0.1μm以上，進而更佳為0.3μm以上，最佳為0.5μm以上。於本發明中，Rz之平均值係採用藉由以下所述之方法求出Rz之標準偏差時獲得的各Rz之平均值。
於本發明中，進而，可將極薄銅層表面之Rz之標準偏差設為0.1μm以下，較佳為可設為0.05μm以下，例如可設為0.01~0.7μm。極薄銅層表面之Rz之標準偏差係根據面內100點測定資料而求出。再者，面內100點之測定資料係藉由將550mm見方片材於縱方向、橫方向上分別分割成10個部分，並測定100個部分分割區域之各中央部而獲得。本案係為了保持面內均勻性而使用該方法，但驗證方法並不限定於此。例如，即便將通常使用之550mm×440mm~400mm×200mm等大小之樣品於面內分割成100個部分(縱橫分割成10個部分)，亦可採取相同資料。
又，就細間距形成之觀點而言，極薄銅層表面理想為於利用接觸式粗糙度計依據JIS B0601-2001測定時，將Rt(最大剖面高度)之平均值設為2.0μm以下、較佳為1.8μm以下、較佳為1.5μm以下、較佳為1.3μm以下、較佳為1.1μm以下。但是，若Rt之平均值變得過小，則與樹脂之密合力降低，就此方面而言，較佳為0.5μm以上，更佳為0.6μm以上，進而更佳為0.8μm以上。於本發明中，Rt之平均值係採用藉由以下所述之方法求出Rt之標準偏差時獲得的各Rt之平均值。
於本發明中，進而，可將極薄銅層表面之Rt之標準偏差設 為0.1μm以下，較佳為可設為0.05μm以下，例如可設為0.01~0.6μm。極薄銅層表面之Rt標準偏差係與Rz同樣地藉由面內100點之測定資料而求出。
又，就細間距形成之觀點而言，極薄銅層表面理想為於利用接觸式粗糙度計依據JIS B0601-1982測定時，將Ra(算術平均粗糙度)之平均值設為0.2μm以下，更佳為設為0.18μm以下，較佳為設為0.15μm以下。但是，若Ra之平均值過小，則與樹脂之密合力降低，就此方面而言，較佳為0.01μm以上，更佳為0.05μm以上，進而更佳為0.12μm以上，最佳為0.13μm以上。於本發明中，Ra之平均值係採用藉由以下所述之方法求出Ra之標準偏差時獲得的各Ra之平均值。
於本發明中，進而，可將極薄銅層表面之Ra標準偏差設為0.03μm以下，較佳為可設為0.02μm以下，例如可設為0.001~0.03μm。極薄銅層表面之Ra之標準偏差係與Rz同樣地根據面內100點之測定資料而求出。
再者，於將樹脂等絕緣基板或樹脂層接著於極薄銅層表面之附有樹脂層之附載體銅箔、印刷配線板或覆銅積層板等之情形時，將絕緣基板熔融而去除，藉此可對銅電路或銅箔表面測定上述表面粗糙度(Ra、Rt、Rz)。
<5.其他表面處理>
於經粗化處理後，可利用鎳、鈷、銅、鋅之單體或合金等形成耐熱層或防銹層，進而對其表面實施鉻酸鹽處理、矽烷偶合處理等處理。或者，亦可不進行粗化處理而利用鎳、鈷、銅、鋅之單體或合金等形成耐熱層或防銹層，進而對其表面實施鉻酸鹽處理、矽烷偶合處理等處理。即，可於粗化處理層之表面形成選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成之群中之1種以上之層，亦可於極薄銅層之表面形成選自由 耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成之群中之1種以上之層。再者，上述耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層、矽烷偶合處理層可分別由例如2層以上、3層以上等複數層所形成。
作為耐熱層、防銹層，可使用公知之耐熱層、防銹層。例如，耐熱層及/或防銹層可為含有選自鎳、鋅、錫、鈷、鉬、銅、鎢、磷、砷、鉻、釩、鈦、鋁、金、銀、鉑族元素、鐵、鉭之群中之1種以上元素的層，亦可為由選自鎳、鋅、錫、鈷、鉬、銅、鎢、磷、砷、鉻、釩、鈦、鋁、金、銀、鉑族元素、鐵、鉭之群中之1種以上元素所構成之金屬層或合金層。又，耐熱層及/或防銹層亦可包含含有選自鎳、鋅、錫、鈷、鉬、銅、鎢、磷、砷、鉻、釩、鈦、鋁、金、銀、鉑族元素、鐵、鉭之群中之1種以上元素的氧化物、氮化物、矽化物。又，耐熱層及/或防銹層可為含有鎳-鋅合金之層。又，耐熱層及/或防銹層亦可為鎳-鋅合金層。上述鎳-鋅合金層可為除了不可避免之雜質以外，含有鎳50wt%~99wt%、及鋅50wt%~1wt%者。上述鎳-鋅合金層之鋅及鎳之合計附著量可為5~1000mg/m2，較佳為10~500mg/m2，較佳為20~100mg/m2。又，上述包含鎳-鋅合金之層或上述鎳-鋅合金層之鎳附著量與鋅附著量的比(=鎳之附著量/鋅之附著量)較佳為1.5~10。又，上述包含鎳-鋅合金之層或上述鎳-鋅合金層之鎳附著量較佳為0.5mg/m2~500mg/m2，更佳為1mg/m2~50mg/m2。於耐熱層及/或防銹層為包含鎳-鋅合金之層時，於使通孔或導孔(viahole)等之內壁部與除膠渣液接觸時，銅箔與樹脂基板之界面不易被除膠渣液腐蝕，銅箔與樹脂基板之密合性提高。
例如耐熱層及/或防銹層可為依序積層附著量為1mg/m2~100mg/m2、較佳為5mg/m2~50mg/m2之鎳或鎳合金層、與附著量為1mg/m2~80mg/m2、較佳為5mg/m2~40mg/m2之錫層而成者，上述鎳合金層可由鎳-鉬、鎳-鋅、鎳-鉬-鈷中之任一種構成。又，耐熱層及/或防銹層較佳為鎳或 鎳合金與錫之合計附著量為2mg/m2~150mg/m2，更佳為10mg/m2~70mg/m2。又，耐熱層及/或防銹層較佳為[鎳或鎳合金中之鎳附著量]/[錫附著量]=0.25~10，更佳為0.33~3。若使用該耐熱層及/或防銹層，則將附載體銅箔加工成印刷配線板，以後之電路之剝離強度、該剝離強度之耐化學品性劣化率等會變得良好。
再者，用於矽烷偶合處理之矽烷偶合劑可使用公知之矽烷偶合劑，亦可使用例如胺基系矽烷偶合劑或環氧系矽烷偶合劑、巰基系矽烷偶合劑。又，矽烷偶合劑亦可使用乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基苯基三甲氧基矽烷、γ-甲基丙烯氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、4-縮水甘油基丁基三甲氧基矽烷、γ-胺基丙基三乙氧基矽烷、N-β-(胺基乙基)-γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-3-(4-(3-胺基丙氧基)丁氧基)丙基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、咪唑矽烷、三矽烷、γ-巰基丙基三甲氧基矽烷等。
上述矽烷偶合處理層可使用環氧系矽烷、胺基系矽烷、甲基丙烯氧基系矽烷、巰基系矽烷等矽烷偶合劑等而形成。再者，此種矽烷偶合劑亦可混合使用2種以上。其中，較佳為使用胺基系矽烷偶合劑或環氧系矽烷偶合劑而形成者。
此處所謂胺基系矽烷偶合劑，可為選自由N-(2-胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-(N-苯乙烯基甲基-2-胺基乙基胺基)丙基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三乙氧基矽烷、雙(2-羥基乙基)-3-胺基丙基三乙氧基矽烷、胺基丙基三甲氧基矽烷、N-甲基胺基丙基三甲氧基矽烷、N-苯基胺基丙基三甲氧基矽烷、N-(3-丙烯氧基-2-羥基丙基)-3-胺基丙基三乙氧基矽烷、4-胺基丁基三乙氧基矽烷、(胺基乙基胺基甲基)苯乙基三甲氧基矽烷、N-(2-胺基乙基-3-胺基丙基)三甲氧基矽烷、N-(2-胺基乙基-3-胺基丙基)三(2-乙基己氧基)矽烷、6-(胺基己基胺基丙基)三甲氧基矽烷、胺基苯基三甲氧基矽烷、3-(1- 胺基丙氧基)-3,3-二甲基-1-丙烯基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三(甲氧基乙氧基乙氧基)矽烷、3-胺基丙基三乙氧基矽烷、3-胺基丙基三甲氧基矽烷、ω-胺基十一烷基三甲氧基矽烷、3-(2-N-苄基胺基乙基胺基丙基)三甲氧基矽烷、雙(2-羥基乙基)-3-胺基丙基三乙氧基矽烷、(N,N-二乙基-3-胺基丙基)三甲氧基矽烷、(N,N-二甲基-3-胺基丙基)三甲氧基矽烷、N-甲基胺基丙基三甲氧基矽烷、N-苯基胺基丙基三甲氧基矽烷、3-(N-苯乙烯基甲基-2-胺基乙基胺基)丙基三甲氧基矽烷、γ-胺基丙基三乙氧基矽烷、N-β-(胺基乙基)-γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-3-(4-(3-胺基丙氧基)丁氧基)丙基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷所組成之群中者。
矽烷偶合處理層理想為以矽原子換算設定為0.05mg/m2~200mg/m2、較佳為0.15mg/m2~20mg/m2、較佳為0.3mg/m2~2.0mg/m2之範圍。於上述範圍之情形時，可進一步提高基材樹脂與表面處理銅箔之密合性。
又，可對極薄銅層、粗化處理層、耐熱層、防銹層、矽烷偶合處理層或鉻酸鹽處理層之表面進行國際公開編號WO2008/053878、日本特開2008-111169號、日本專利第5024930號、國際公開編號WO2006/028207、日本專利第4828427號、國際公開編號WO2006/134868、日本專利第5046927號、國際公開編號WO2007/105635、日本專利第5180815號、或日本特開2013-19056號中所記載之表面處理。
[極薄銅層上之樹脂層]
可於本發明之附載體銅箔之極薄銅層(於對極薄銅層進行表面處理之情形時，係指藉由該表面處理形成於極薄銅層上的表面處理層)上具備樹脂層。上述樹脂層亦可為絕緣樹脂層。
上述樹脂層可為接著用樹脂、即接著劑，亦可為接著用半硬化狀態(B階段狀態)之絕緣樹脂層。半硬化狀態(B階段狀態)包含如下 狀態：即便用手指觸摸其表面亦無黏著感，可重疊地保管該絕緣樹脂層，若進而進行加熱處理，則會引起硬化反應。
又，上述樹脂層可含有熱硬化性樹脂，亦可為熱塑性樹脂。又，上述樹脂層亦可含有熱塑性樹脂。上述樹脂層可含有公知之樹脂、樹脂硬化劑、化合物、硬化促進劑、介電體、反應觸媒、交聯劑、聚合物、預浸體、骨架材料等。又，上述樹脂層例如可使用如下文獻中所記載之物質(樹脂、樹脂硬化劑、化合物、硬化促進劑、介電體、反應觸媒、交聯劑、聚合物、預浸體、骨架材料等)及/或樹脂層之形成方法、形成裝置而形成：國際公開編號WO2008/004399號、國際公開編號WO2008/053878、國際公開編號WO2009/084533、日本特開平11-5828號、日本特開平11-140281號、日本專利第3184485號、國際公開編號WO97/02728、日本專利第3676375號、日本特開2000-43188號、日本專利第3612594號、日本特開2002-179772號、日本特開2002-359444號、日本特開2003-304068號、日本專利第3992225號、日本特開2003-249739號、日本專利第4136509號、日本特開2004-82687號、日本專利第4025177號、日本特開2004-349654號、日本專利第4286060號、日本特開2005-262506號、日本專利第4570070號、日本特開2005-53218號、日本專利第3949676號、日本專利第4178415號、國際公開編號WO2004/005588、日本特開2006-257153號、日本特開2007-326923號、日本特開2008-111169號、日本專利第5024930號、國際公開編號WO2006/028207、日本專利第4828427號、日本特開2009-67029號、國際公開編號WO2006/134868、日本專利第5046927號、日本特開2009-173017號、國際公開編號WO2007/105635、日本專利第5180815號、國際公開編號WO2008/114858、國際公開編號WO2009/008471、日本特開2011-14727號、國際公開編號WO2009/001850、國際公開編號WO2009/145179、國際公開編號WO2011/068157、日本特開2013-19056號。
又，上述樹脂層之種類並無特別限定，作為較佳者，例如可列舉含有選自如下成分之群中之一種以上之樹脂：環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、多官能性氰酸酯化合物、馬來醯亞胺化合物、聚馬來醯亞胺化合物、馬來醯亞胺系樹脂、芳香族馬來醯亞胺樹脂、聚乙烯乙醛樹脂、胺基甲酸酯樹脂、聚醚碸(亦稱為polyethersulphone、polyethersulfone)、聚醚碸(亦稱為polyethersulphone、polyethersulfone)樹脂、芳香族聚醯胺樹脂、芳香族聚醯胺樹脂聚合物、橡膠性樹脂、聚胺、芳香族聚胺、聚醯胺醯亞胺樹脂、橡膠改質環氧樹脂、苯氧基樹脂、羧基改質丙烯腈-丁二烯樹脂、聚苯醚、雙馬來醯亞胺三樹脂、熱硬化性聚苯醚樹脂、氰酸酯酯系樹脂、羧酸之酸酐、多元羧酸之酸酐、具有可交聯之官能基之線狀聚合物、聚苯醚樹脂、2,2-雙(4-氰酸酯基苯基)丙烷、含磷之酚化合物、環烷酸錳、2,2-雙(4-縮水甘油基苯基)丙烷、聚苯醚-氰酸酯系樹脂、矽氧烷改質聚醯胺醯亞胺樹脂、氰酯樹脂、膦腈系樹脂、橡膠改質聚醯胺醯亞胺樹脂、異戊二烯、氫化型聚丁二烯、聚乙烯丁醛、苯氧基、高分子環氧樹脂、芳香族聚醯胺、氟樹脂、雙酚、嵌段共聚聚醯亞胺樹脂及氰酯樹脂。
又，上述環氧樹脂係分子內具有2個以上環氧基者，並且只要為可用於電性、電子材料用途者則可完全無問題地使用。又，上述環氧樹脂較佳為使用分子內具有2個以上縮水甘油基之化合物進行環氧化而成的環氧樹脂。又，可將選自由如下成分所組成之群中之1種或2種以上混合而使用：雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、雙酚AD型環氧樹脂、酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、脂環式環氧樹脂、溴化(brominated)環氧樹脂、酚系酚醛清漆型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、溴化雙酚A型環氧樹脂、鄰甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、橡膠改質雙酚A型環氧樹脂、縮水甘油胺型環氧樹脂、異氰尿酸三縮水甘油酯、N,N-二縮水甘油基苯胺等縮水甘油胺化合物、四氫鄰苯二甲酸二縮水 甘油酯等縮水甘油酯化合物、含磷之環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、聯苯酚醛清漆型環氧樹脂、三羥基苯基甲烷型環氧樹脂、四苯基乙烷型環氧樹脂，或者可使用上述環氧樹脂之氫化體或鹵化體。
可使用公知之含有磷之環氧樹脂作為上述含磷之環氧樹脂。又，上述含磷之環氧樹脂較佳為例如分子內具備2個以上環氧基之以自9,10-二氫-9-氧雜-10-磷雜菲-10-氧化物(9,10-dihydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide)之衍生物之形式獲得的環氧樹脂。
該以自9,10-二氫-9-氧雜-10-磷雜菲-10-氧化物之衍生物之形式獲得的環氧樹脂係使9,10-二氫-9-氧雜-10-磷雜菲-10-氧化物與萘醌或對苯二酚反應而製成以下化1(HCA-NQ)或化2(HCA-HQ)所表示之化合物後，使其OH基之部分與環氧樹脂反應而製成含磷之環氧樹脂。
[化2]
獲得上述化合物作為原料之上述E成分即含磷之環氧樹脂較佳為混合使用1種或2種具備以下所表示之化3~化5中之任一者所表示之結構式的化合物。其原因在於半硬化狀態下之樹脂品質之穩定性優異，同時難燃性效果較高。
[化4]
又，作為上述溴化(brominated)環氧樹脂，可使用公知之經溴化 (brominated)之環氧樹脂。例如，上述溴化(brominated)環氧樹脂較佳為混合使用1種或2種分子內具備2個以上環氧基之具備以自四溴雙酚A之衍生物之形式獲得之化6所表示之結構式的溴化環氧樹脂、及具備以下所示之化7所表示之結構式的溴化環氧樹脂。
作為上述馬來醯亞胺系樹脂或芳香族馬來醯亞胺樹脂或馬來醯亞胺化合物或聚馬來醯亞胺化合物，可使用公知之馬來醯亞胺系樹脂或芳香族馬來醯亞胺樹脂或馬來醯亞胺化合物或聚馬來醯亞胺化合物。例如，作為馬來醯亞胺系樹脂或芳香族馬來醯亞胺樹脂或馬來醯亞胺化合物或聚馬來醯亞胺化合物，可使用：4,4'-二苯基甲烷雙馬來醯亞胺、聚苯基甲烷馬來醯亞胺、間伸苯基雙馬來醯亞胺、雙酚A二苯醚雙馬來醯亞胺、3,3'-二甲基-5,5'-二乙基-4,4'-二苯基甲烷雙馬來醯亞胺、4-甲基-1,3-伸苯基雙馬來醯亞胺、4,4'-二苯醚雙馬來醯亞胺、4,4'-二苯基碸雙馬來醯亞胺、1,3-雙(3-馬來醯亞胺苯氧基)苯、1,3-雙(4-馬來醯亞胺苯氧基)苯、以及使上述化合物與上述化合物或其他化合物聚合而成之聚合物等。又，上述馬來醯亞胺系樹脂可為分子內具有2個以上馬來醯亞胺基之芳香族馬來醯亞胺樹脂，亦可為使分子內具有2個以上馬來醯亞胺基之芳香族馬來醯亞胺樹脂與聚胺或芳香族聚胺聚合而成的聚合加成物。
作為上述聚胺或芳香族聚胺，可使用公知之聚胺或芳香族聚胺。例如，作為聚胺或芳香族聚胺，可使用：間苯二胺、對苯二胺、4,4'-二胺基二環己基甲烷、1,4-二胺基環己烷、2,6-二胺基吡啶、4,4'-二胺基二苯基甲烷、2,2-雙(4-胺基苯基)丙烷、4,4'-二胺基二苯醚、4,4'-二胺基-3-甲基二苯醚、4,4'-二 胺基二苯硫醚、4,4'-二胺基二苯甲酮、4,4'-二胺基二苯基碸、雙(4-胺基苯基)苯基胺、間苯二甲胺、對苯二甲胺、1,3-雙[4-胺基苯氧基]苯、3-甲基-4,4'-二胺基二苯基甲烷、3,3'-二乙基-4,4'-二胺基二苯基甲烷、3,3'-二氯-4,4'-二胺基二苯基甲烷、2,2',5,5'-四氯-4,4'-二胺基二苯基甲烷、2,2-雙(3-甲基-4-胺基苯基)丙烷、2,2-雙(3-乙基-4-胺基苯基)丙烷、2,2-雙(2,3-二氯-4-胺基苯基)丙烷、雙(2,3-二甲基-4-胺基苯基)苯基乙烷、乙二胺及己二胺、2,2-雙(4-(4-胺基苯氧基)苯基)丙烷、以及使上述化合物與上述化合物或其他化合物聚合而成之聚合物等。又，可使用一種或兩種以上公知之聚胺及/或芳香族聚胺或上述聚胺或芳香族聚胺。
作為上述苯氧基樹脂，可使用公知之苯氧基樹脂。又，作為上述苯氧基樹脂，可使用藉由雙酚與2價環氧樹脂之反應所合成者。作為環氧樹脂，可使用公知之環氧樹脂及/或上述環氧樹脂。
作為上述雙酚，可使用公知之雙酚，又，可使用以雙酚A、雙酚F、雙酚S、四溴雙酚A、4,4'-二羥基聯苯、HCA(9,10-Dihydro-9-Oxa-10-Phosphaphenanthrene-10-Oxide)與氫醌、萘醌等醌類的加成物之形式獲得之雙酚等。
作為上述具有可交聯之官能基之線狀聚合物，可使用公知之具有可交聯之官能基之線狀聚合物。例如，上述具有可交聯之官能基之線狀聚合物較佳為具備羥基、羧基等有助於環氧樹脂之硬化反應之官能基。並且，該具有可交聯之官能基之線狀聚合物較佳為可溶解於沸點為50℃~200℃溫度之有機溶劑。若具體地例示此處所謂具有官能基之線狀聚合物，則為聚乙烯乙醛樹脂、苯氧基樹脂、聚醚碸樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂等。
上述樹脂層可含有交聯劑。交聯劑可使用公知之交聯劑。例如可使用胺基甲酸酯系樹脂作為交聯劑。
上述橡膠性樹脂可使用公知之橡膠性樹脂。例如，上述橡膠性樹脂係 記載為包含天然橡膠及合成橡膠在內的概念，後者之合成橡膠中有苯乙烯-丁二烯橡膠、丁二烯橡膠、丁基橡膠、乙烯-丙烯橡膠、丙烯腈丁二烯橡膠、丙烯酸系橡膠(丙烯酸酯共聚物)、聚丁二烯橡膠、異戊二烯橡膠等。進而，於確保所形成之樹脂層之耐熱性時，選擇使用腈橡膠、氯丁二烯橡膠、矽橡膠、胺基甲酸酯橡膠等具備耐熱性之合成橡膠亦有用。關於該等橡膠性樹脂，為了與芳香族聚醯胺樹脂或聚醯胺醯亞胺樹脂反應而製造共聚物，較理想為於兩末端具備各種官能基。尤其，使用CTBN(羧基末端丁二烯腈)較為有用。又，若於丙烯腈丁二烯橡膠之中亦為羧基改質體，則可獲得環氧樹脂與交聯結構，而提高硬化後之樹脂層之可撓性。作為羧基改質體，可使用羧基末端丁腈橡膠(CTBN)、羧基末端丁二烯橡膠(CTB)、羧基改質丁腈橡膠(C-NBR)。
作為上述聚醯胺醯亞胺樹脂，可使用公知之聚醯亞胺醯胺樹脂。又，作為上述聚醯亞胺醯胺樹脂，例如可使用：藉由於N-甲基-2-吡咯啶酮或/及N,N-二甲基乙醯胺等溶劑中對苯偏三酸酐、二苯甲酮四羧酸酐及伸聯甲苯二異氰酸酯(bitolylene diisocyanate)進行加熱而獲得之樹脂，或者藉由於N-甲基-2-吡咯啶酮或/及N,N-二甲基乙醯胺等溶劑中對苯偏三酸酐、二苯基甲烷二異氰酸酯及羧基末端丙烯腈-丁二烯橡膠進行加熱而獲得者。
作為上述橡膠改質聚醯胺醯亞胺樹脂，可使用公知之橡膠改質聚醯胺醯亞胺樹脂。橡膠改質聚醯胺醯亞胺樹脂係使聚醯胺醯亞胺樹脂與橡膠性樹脂反應而得者。使聚醯胺醯亞胺樹脂與橡膠性樹脂反應而使用之情況係為了提高聚醯胺醯亞胺樹脂本身之柔軟性而進行。即，使聚醯胺醯亞胺樹脂與橡膠性樹脂反應，將聚醯胺醯亞胺樹脂之酸成分(環己烷二羧酸等)之一部分取代為橡膠成分。聚醯胺醯亞胺樹脂可使用公知之聚醯胺醯亞胺樹脂。又，橡膠性樹脂可使用公知之橡膠性樹脂或上述橡膠性樹脂。於使橡膠改質聚醯胺醯亞胺樹脂聚合時，用於溶解聚醯胺醯亞胺樹脂與橡膠性 樹脂之溶劑較佳為混合使用1種或2種以上二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、N-甲基-2-吡咯啶酮、二甲基亞碸、硝基甲烷、硝基乙烷、四氫呋喃、環己酮、甲基乙基酮、乙腈、γ-丁內酯等。
作為上述膦腈系樹脂，可使用公知之膦腈系樹脂。膦腈系樹脂係含有以磷及氮為構成元素之具有雙鍵之膦腈的樹脂。膦腈系樹脂可藉由分子中之氮與磷之協同效果，而飛躍性地提高難燃性能。又，與9,10-二氫-9-氧雜-10-磷雜菲-10-氧化物衍生物不同，可獲得穩定地存在於樹脂中而防止產生遷移之效果。
作為上述氟樹脂，可使用公知之氟樹脂。又，作為氟樹脂，例如可使用由選自PTFE(聚四氟乙烯(四氟化))、PFA(四氟乙烯-全氟烷基乙烯醚共聚物)、FEP(四氟乙烯-六氟丙烯共聚物(四、六氟化))、ETFE(四氟乙烯-乙烯共聚物)、PVDF(聚偏二氟乙烯(二氟化))、PCTFE(聚氯三氟乙烯(三氟化))、聚芳碸、芳香族多硫化物及芳香族聚醚中之任意至少1種之熱塑性樹脂與氟樹脂所構成之氟樹脂等。
又，上述樹脂層可含有樹脂硬化劑。作為樹脂硬化劑，可使用公知之樹脂硬化劑。例如，作為樹脂硬化劑，可使用二氰基二醯胺、咪唑類、芳香族胺等胺類、雙酚A、溴化雙酚A等酚類、酚系酚醛清漆樹脂及甲酚酚醛清漆樹脂等酚醛清漆類、苯二甲酸酐等酸酐、聯苯型酚系樹脂、苯酚芳烷基型酚系樹脂等。又，上述樹脂層亦可含有1種或2種以上之上述樹脂硬化劑。該等硬化劑對環氧樹脂尤其有效。
將上述聯苯型酚系樹脂之具體例示於化8。
[化8]
又，將上述苯酚芳烷基型酚系樹脂之具體例示於化9。
作為咪唑類，可使用公知者，例如可列舉：2-十一烷基咪唑、2-十七烷基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-十一烷基咪唑、1-氰基乙基-2-乙基-4-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-苯基咪唑、2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羥基甲基咪唑等，可單獨或混合使用該等。
又，其中，較佳為使用具備以下之化10所表示之結構式之咪唑類。藉由使用該化10所表示之結構式之咪唑類，可顯著地提高半硬化狀態之樹脂層之耐吸濕性，使長期保存穩定性優異。其原因在於，咪唑類係於環氧樹脂之硬化時發揮觸媒性作用者，其於硬化反應之初期階段係作為引起環氧樹脂之自聚合反應之反應起始劑而發揮作用。
作為上述胺類之樹脂硬化劑，可使用公知之胺類。又，作為上述胺類之樹脂硬化劑，例如可使用上述聚胺或芳香族聚胺，又，亦可使用選自芳香族聚胺、聚醯胺類及使該等與環氧樹脂或多元羧酸聚合或縮合而獲得之胺加成物之群中之1種或2種以上。又，作為上述胺類之樹脂硬化劑，較佳為使用4,4'-二胺基二伸苯基碸、3,3'-二胺基二伸苯基碸、4,4-二胺基聯苯、2,2-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]丙烷或雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]碸中任一種以上。
上述樹脂層可含有硬化促進劑。作為硬化促進劑，可使用公知之硬化促進劑。例如，作為硬化促進劑，可使用三級胺、咪唑、脲系硬化促進劑等。
上述樹脂層可含有反應觸媒。作為反應觸媒，可使用公知之反應觸媒。例如，可使用微粉碎二氧化矽、三氧化銻等作為反應觸媒。
上述多元羧酸之酸酐較佳作為環氧樹脂之硬化劑發揮作用之成分。又，上述多元羧酸之酸酐較佳為苯二甲酸酐、馬來酸酐、苯偏三酸酐、均苯四甲酸酐、四羥基苯二甲酸酐、六羥基苯二甲酸酐、甲基六羥 基苯二甲酸酐、耐地酸(nadic acid)、甲基耐地酸。
上述熱塑性樹脂可為具有可與環氧樹脂聚合之醇性羥基以外之官能基的熱塑性樹脂。
上述聚乙烯乙醛樹脂可具有羥基及羥基以外之可與環氧樹脂或馬來醯亞胺化合物聚合之官能基。又，上述聚乙烯乙醛樹脂可為於其分子內導入羧基、胺基或不飽和雙鍵而成者。
作為上述芳香族聚醯胺樹脂聚合物，可列舉使芳香族聚醯胺樹脂與橡膠性樹脂反應而獲得者。此處，所謂芳香族聚醯胺樹脂，係指藉由芳香族二胺與二羧酸之縮聚合而合成者。此時之芳香族二胺係使用4,4'-二胺基二苯基甲烷、3,3'-二胺基二苯基碸、間苯二甲胺、3,3'-二胺基二苯醚等。並且，二羧酸係使用苯二甲酸、異苯二甲酸、對苯二甲酸、富馬酸等。
所謂可與上述芳香族聚醯胺樹脂反應之上述橡膠性樹脂，可使用公知之橡膠性樹脂或上述橡膠性樹脂。
該芳香族聚醯胺樹脂聚合物係為了於對加工成覆銅積層板後之銅箔進行蝕刻加工時，不會因蝕刻液受到由底蝕引起之損傷而使用者。
又，上述樹脂層可為自銅箔側(即附載體銅箔之極薄銅層側)依序形成有硬化樹脂層(所謂「硬化樹脂層」係表示硬化完成之樹脂層)、與半硬化樹脂層的樹脂層。上述硬化樹脂層亦可由熱膨脹係數為0ppm/℃~25ppm/℃之聚醯亞胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、該等之複合樹脂中之任一樹脂成分構成。
又，可於上述硬化樹脂層上設置硬化後之熱膨脹係數為0ppm/℃~50ppm/℃之半硬化樹脂層。又，使上述硬化樹脂層與上述半硬化樹脂層硬化後的樹脂層整體之熱膨脹係數可為40ppm/℃以下。上述硬化樹脂層之玻璃轉移溫度可為300℃以上。又，上述半硬化樹脂層亦可為使用馬來醯亞胺系樹脂或芳香族馬來醯亞胺樹脂而形成者。用以形成上述半硬化 樹脂層之樹脂組成物較佳為包含馬來醯亞胺系樹脂、環氧樹脂、具有可交聯之官能基之線狀聚合物。環氧樹脂可使用公知之環氧樹脂或本說明書中所記載之環氧樹脂。又，作為馬來醯亞胺系樹脂、芳香族馬來醯亞胺樹脂、具有可交聯之官能基之線狀聚合物，可使用公知之馬來醯亞胺系樹脂、芳香族馬來醯亞胺樹脂、具有可交聯之官能基之線狀聚合物，或上述馬來醯亞胺系樹脂、芳香族馬來醯亞胺樹脂、具有可交聯之官能基之線狀聚合物。
又，於提供一種適於立體成型印刷配線板製造用途的具有樹脂層之附載體銅箔時，上述硬化樹脂層較佳為經硬化之具有可撓性之高分子聚合物層。上述高分子聚合物層為了能夠承受焊料安裝步驟，較佳為由具有150℃以上之玻璃轉移溫度之樹脂所構成者。上述高分子聚合物層較佳為由聚醯胺樹脂、聚醚碸樹脂、芳族聚醯胺樹脂、苯氧基樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚乙烯乙醛樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂中之任1種或2種以上之混合樹脂構成。又，上述高分子聚合物層之厚度較佳為3μm~10μm。
又，上述高分子聚合物層較佳為含有環氧樹脂、馬來醯亞胺系樹脂、酚系樹脂、胺基甲酸酯樹脂中之任1種或2種以上。又，上述半硬化樹脂層較佳為由厚度為10μm~50μm之環氧樹脂組成物所構成。
又，上述環氧樹脂組成物較佳為含有以下A成分~E成分之各成分者。
A成分：環氧當量為200以下且由選自室溫下為液狀之雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、及雙酚AD型環氧樹脂之群中之1種或2種以上所構成的環氧樹脂。
B成分：高耐熱性環氧樹脂。
C成分：含磷之環氧系樹脂、膦腈系樹脂中之任1種或混合該等而成之樹脂即含磷之難燃性樹脂。
D成分：由具備可溶解於沸點為50℃~200℃範圍之溶劑中的性質之液 狀橡膠成分改質而成的橡膠改質聚醯胺醯亞胺樹脂。
E成分：樹脂硬化劑。
B成分係所謂玻璃轉移點Tg較高之「高耐熱性環氧樹脂」。此處所謂「高耐熱性環氧樹脂」較佳為酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、酚系酚醛清漆型環氧樹脂、萘型環氧樹脂等多官能環氧樹脂。
作為C成分之含磷之環氧樹脂，可使用上述含磷之環氧樹脂。又，作為C成分之膦腈系樹脂，可使用上述膦腈系樹脂。
作為D成分之橡膠改質聚醯胺醯亞胺樹脂，可使用上述橡膠改質聚醯胺醯亞胺樹脂。作為E成分之樹脂硬化劑，可使用上述樹脂硬化劑。
於以上所表示之樹脂組成物中添加溶劑作為樹脂清漆而使用，作為印刷配線板之接著層形成熱硬化性樹脂層。該樹脂清漆係於上述樹脂組成物中添加溶劑，將樹脂固形物成分量調整為30wt%~70wt%之範圍，依據MIL標準中之MIL-P-13949G進行測定時，可形成樹脂溢流量(resin flow)為5%~35%之範圍的半硬化樹脂膜。溶劑可使用公知之溶劑或上述溶劑。
上述樹脂層係自銅箔側依序具有第1熱硬化性樹脂層、及位於該第1熱硬化性樹脂層之表面之第2熱硬化性樹脂層的樹脂層，第1熱硬化性樹脂層亦可為由不溶於配線板製造製程中之除膠渣處理時之化學藥品的樹脂成分所形成者，第2熱硬化性樹脂層亦可為使用可溶於配線板製造製程中之除膠渣處理時之化學藥品並洗淨去除的樹脂所形成者。上述第1熱硬化性樹脂層可為使用混合有聚醯亞胺樹脂、聚醚碸、聚苯醚中之任一種或兩種以上之樹脂成分而形成者。上述第2熱硬化性樹脂層可為使用環氧樹脂成分而形成者。上述第1熱硬化性樹脂層之厚度t1(μm)較佳為於將附載體銅箔之粗化面粗糙度設為Rz(μm)、將第2熱硬化性樹脂層之厚 度設為t2(μm)時，t1滿足Rz<t1<t2條件之厚度。
上述樹脂層可為骨架材料中含浸有樹脂之預浸體。上述骨架材料中所含浸之樹脂較佳為熱硬化性樹脂。上述預浸體亦可為公知之預浸體或印刷配線板製造中使用之預浸體。
上述骨架材料可含有芳族聚醯胺纖維或玻璃纖維或全芳香族聚酯纖維。上述骨架材料較佳為芳族聚醯胺纖維或玻璃纖維或全芳香族聚酯纖維之不織布或者織布。又，上述全芳香族聚酯纖維較佳為熔點為300℃以上之全芳香族聚酯纖維。所謂上述熔點為300℃以上之全芳香族聚酯纖維，係指使用稱為所謂液晶聚合物之樹脂製造而成的纖維，且該液晶聚合物係以2-羥基-6-萘甲酸及對羥基安息香酸之聚合物為主成分。該全芳香族聚酯纖維具有低介電常數、較低之介質損耗正切，因此作為電性絕緣層之構成材料具有優異之性能，可與玻璃纖維及芳族聚醯胺纖維同樣地使用。
再者，構成上述不織布及織布之纖維為了提高與其表面之樹脂之潤濕性，較佳為實施矽烷偶合劑處理。此時之矽烷偶合劑可依據使用目的而使用公知之胺基系、環氧系等矽烷偶合劑或上述矽烷偶合劑。
又，上述預浸體可為於使用有標稱厚度為70μm以下之芳族聚醯胺纖維或玻璃纖維之不織布、或標稱厚度為30μm以下之玻璃布構成之骨架材料中含浸熱硬化性樹脂而成的預浸體。
(樹脂層含有介電體(介電體填料)之情形)
上述樹脂層可含有介電體(介電體填料)。
於在上述任一樹脂層或樹脂組成物中含有介電體(介電體填料)之情形時，可用於形成電容器層之用途，而增加電容器電路之電容。該介電體(介電體填料)係使用BaTiO3、SrTiO3、Pb(Zr-Ti)O3(通稱PZT)、PbLaTiO3-PbLaZrO(通稱PLZT)、SrBi2Ta2O9(通稱SBT)等具有鈣鈦礦結構 之複合氧化物之介電體粉。
介電體(介電體填料)可為粉狀。於介電體(介電體填料)為粉狀之情形時，該介電體(介電體填料)之粉體特性首先必須使粒徑為0.01μm~3.0μm，較佳為0.02μm~2.0μm之範圍。此處所謂粒徑，係指由於粉粒彼此形成一定之2次凝聚狀態，故而於根據雷射繞射散射式粒度分佈測定法或BET法等之測定值推測平均粒徑之類的間接測定中因精度較差而無法使用，而利用掃描型電子顯微鏡(SEM)直接觀察介電體(介電體填料)，對該SEM像進行圖像解析而獲得的平均粒徑。於本案說明書中，將此時之粒徑表示為DIA。再者，本案說明書中之使用掃描型電子顯微鏡(SEM)觀察到之介電體(介電體填料)之粉體之圖像解析係使用Asahi Engineering股份有限公司製造之IP-1000PC，使圓度閾值為10、重疊度為20並進行圓形粒子解析，而求出平均粒徑DIA。
藉由上述實施形態，可提供一種如下附載體銅箔，其可提高該內層核心材料之內層電路表面與含有介電體之樹脂層之密合性，具有含有用以形成具備較低之介質損耗正切之電容器電路層之介電體的樹脂層。
使上述樹脂層中所含之樹脂及/或樹脂組成物及/或化合物溶解於例如甲基乙基酮(MEK)、環戊酮、二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、N-甲基吡咯啶酮、甲苯、甲醇、乙醇、丙二醇單甲基醚、二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、環己酮、乙基溶纖素、N-甲基-2-吡咯啶酮、N,N-二甲基乙醯胺、N,N-二甲基甲醯胺等溶劑中而製成樹脂液(樹脂清漆)，藉由例如輥式塗佈法將其塗佈於上述極薄銅層上、或上述耐熱層、防銹層、或上述鉻酸鹽處理層、或上述矽烷偶合劑層上，繼而視需要進行加熱乾燥去除溶劑而成為B階段狀態。乾燥例如只要使用熱風乾燥爐即可，乾燥溫度只要為100~250℃、較佳為130~200℃即可。使用溶劑溶解上述樹脂層之組成物，可製成樹脂固形物成分為3wt%~70wt%、較佳為3wt%~60wt%、較佳為10 wt%~40wt%、更佳為25wt%~40wt%之樹脂液。再者，就環境之觀點而言，現階段最佳為使用甲基乙基酮與環戊酮之混合溶劑進行溶解。再者，溶劑較佳為使用沸點為50℃~200℃之範圍之溶劑。
又，上述樹脂層較佳為依據MIL標準中之MIL-P-13949G進行測定時之樹脂溢流量為5%~35%之範圍的半硬化樹脂膜。
於本案說明書中，所謂樹脂溢流量，係指依據MIL標準中之MIL-P-13949G，自將樹脂厚度設為55μm之附有樹脂之銅箔採取4片10cm見方試樣，於將該4片試樣重疊之狀態(積層體)下，於壓製溫度171℃、壓製壓力14kgf/cm2、壓製時間10分鐘之條件下進行貼合，根據測定此時之樹脂流出重量所得之結果，基於數1而算出之值。
具備上述樹脂層之附載體銅箔(附有樹脂之附載體銅箔)係以如下態樣而使用：將該樹脂層與基材重疊後將整體熱壓接而使該樹脂層熱硬化，繼而剝離載體而露出極薄銅層(當然露出的是該極薄銅層之中間層側之表面)，於其上形成特定之配線圖案。
若使用該附有樹脂之附載體銅箔，則可減少製造多層印刷配線基板時之預浸材料之使用片數。而且，將樹脂層之厚度設為可確保層間絕緣之厚度，或者完全不使用預浸材料，亦可製造覆銅積層板。又，此時，將絕緣樹脂底漆塗佈於基材之表面，亦可進而改善表面之平滑性。
再者，於不使用預浸材料之情形時，可節約預浸材料之材料成本，又，積層步驟亦變得簡略，因此於經濟上較為有利，而且，有如下優點：僅製造預浸材料之厚度程度的多層印刷配線基板之厚度變薄，而可製造1層之厚度為100μm以下之極薄之多層印刷配線基板。
該樹脂層之厚度較佳為0.1~120μm。
若樹脂層之厚度薄於0.1μm，則有如下情況：接著力降低，不插入預浸材料地將該附有樹脂之附載體銅箔積層於具備內層材料之基材上時，難以確保與內層材料之電路間的層間絕緣。另一方面，若樹脂層之厚度厚於120μm，則有如下情況：難以於1次塗佈步驟中形成目標厚度之樹脂層，而需要多餘之材料費及步驟數，因此於經濟上變得不利。
再者，於將具有樹脂層之附載體銅箔用於製造極薄之多層印刷配線板中時，將上述樹脂層之厚度設為0.1μm~5μm、更佳為0.5μm~5μm、更佳為1μm~5μm時，可縮小多層印刷配線板之厚度，故而較佳。
又，於樹脂層含有介電體之情形時，樹脂層之厚度較佳為0.1~50μm，較佳為0.5μm~25μm，更佳為1.0μm~15μm。
又，上述硬化樹脂層與半硬化樹脂層之樹脂層總厚度較佳為0.1μm~120μm，較佳為5μm~120μm，較佳為10μm~120μm，更佳為10μm~60μm。並且，硬化樹脂層之厚度較佳為2μm~30μm，較佳為3μm~30μm，更佳為5~20μm。又，半硬化樹脂層之厚度較佳為3μm~55μm，較佳為7μm~55μm，更理想為15~115μm。其原因在於若樹脂層總厚度超過120μm，則有難以製造極薄之多層印刷配線板之情況，若未達5μm，則有如下情況：雖容易形成極薄之多層印刷配線板，但會產生內層之電路間之絕緣層即樹脂層變得過薄，而使內層之電路間之絕緣性不穩定之傾向。又，若硬化樹脂層厚度未達2μm，則有必須考慮銅箔粗化面之表面粗度之情況。反之，若硬化樹脂層厚度超過20μm，則有由硬化完成之樹脂層帶來的效果並未特別提高之情況，絕緣層總厚度會變厚。
再者，於將上述樹脂層之厚度設為0.1μm~5μm之情形時，為了提高樹脂層與附載體銅箔之密合性，較佳為於在極薄銅層上設置耐熱層及/或防銹層及/或鉻酸鹽處理層及/或矽烷偶合處理層後，於該耐熱層 或防銹層或鉻酸鹽處理層或矽烷偶合處理層上形成樹脂層。
再者，上述樹脂層之厚度係指藉由於任意之10點觀察剖面測得之厚度之平均值。
進而，作為該附有樹脂之附載體銅箔之另一製品形態，亦可被覆樹脂層於上述極薄銅層上、或上述耐熱層、防銹層、或上述鉻酸鹽處理層、或上述矽烷偶合處理層上，成為半硬化狀態後，繼而剝離載體，以不存在載體之附有樹脂之銅箔之形式進行製造。
<6.印刷配線板>
以下，表示若干使用本發明之表面處理銅箔或附載體銅箔之印刷配線板之製造步驟的例。又，藉由於印刷配線板上搭載電子零件類，而完成印刷電路板。
經由上述之製程，製造依序具備銅箔載體、剝離層及極薄銅層之附載體銅箔。附載體銅箔本身之使用方法為業者所周知，例如可將極薄銅層之表面貼合於紙基材酚系樹脂、紙基材環氧樹脂、合成纖維布基材環氧樹脂、玻璃布-紙複合基材環氧樹脂、玻璃布-玻璃不織布複合基材環氧樹脂及玻璃布基材環氧樹脂、聚酯膜、聚醯亞胺膜等絕緣基板上並進行熱壓接後，剝離載體，藉此於形成覆銅積層板後，將接著於絕緣基板之極薄銅層蝕刻成目標導體圖案，最終製造印刷配線板。
本發明之附載體銅箔適於形成細間距之印刷配線板。例如，可藉由使用本發明之附載體銅箔，製造如下印刷配線板：該印刷配線板具有絕緣基板及設置於上述絕緣基板上之銅電路，且上述銅電路之電路寬度未達20μm，鄰接之銅電路間之間隙寬度未達20μm。進而，亦可製造上述銅電路之電路寬度為17μm以下，鄰接之銅電路間之間隙寬度為17μm以下的印刷配線板。進而，亦可製造上述銅電路之電路寬度為15μm以下，鄰接之銅電路間之間隙寬度為15μm以下的印刷配線板。進而，亦可製造 上述銅電路之電路寬度為5~10μm，鄰接之銅電路間之間隙寬度為5~10μm的印刷配線板。
進而，藉由於印刷配線板上搭載電子零件類，而完成印刷電路板。藉由使用本發明之附載體銅箔，例如，可製造如下印刷電路板：該印刷電路板具備絕緣基板及設置於上述絕緣基板上之銅電路，且上述銅電路之電路寬度未達20μm，鄰接之銅電路間之間隙寬度未達20μm。進而，亦可製造上述銅電路之電路寬度為17μm以下，鄰接之銅電路間之間隙寬度為17μm以下的印刷電路板。進而，亦可製造上述銅電路之電路寬度為17μm以下，鄰接之銅電路間之間隙寬度為17μm以下的印刷配線板。進而，亦可製造上述銅電路之電路寬度為15μm以下，鄰接之銅電路間之間隙寬度為15μm以下的印刷電路板。進而，亦可製造上述銅電路之電路寬度為5~10μm、較佳為5~9μm、更佳為5~8μm，鄰接之銅電路間之間隙寬度為5~10μm、較佳為5~9μm、更佳為5~8μm的印刷電路板。又，線與間隙之間距較佳為未達40μm，更佳為34μm以下，更佳為30μm以下，更佳為20μm以下，更佳為15μm以下。再者，線與間隙之下限無需特別地規定，例如為6μm以上、或8μm以上、或10μm以上。
再者，所謂線與間隙之間距，係指自銅電路寬度之中央至所鄰接之銅電路寬度之中央的距離。
以下，表示若干使用有本發明之附載體銅箔之印刷配線板之製造步驟的例。
本發明之印刷配線板之製造方法之一實施形態包含如下步驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板之步驟；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層之步驟；及以使極薄銅層側與絕緣基板對向之方式將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後，經過將上述附載體銅箔之載體剝離之步驟而形成覆銅積層板，其後，藉由半加成法(semi additive method)、改良半加成法 (modified semi additive method)、部分加成法(partly additive method)及減成法(subtractive method)中之任一種方法形成電路之步驟。絕緣基板亦可設為內層電路入口。
於本發明中，所謂半加成法，係指於絕緣基板或銅箔晶種層(seed layer)上進行較薄之無電解鍍敷，形成圖案後，使用電鍍及蝕刻形成導體圖案的方法。
因此，使用半加成法之本發明之印刷配線板之製造方法之一實施形態包含如下步驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板之步驟；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層；於將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後，將上述附載體銅箔之載體剝離之步驟；藉由使用有酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法將剝離上述載體而露出之極薄銅層完全去除之步驟；於藉由利用蝕刻去除上述極薄銅層而露出之樹脂層及絕緣基板上設置通孔或/及盲孔(blind via)之步驟；對包含上述通孔或/及盲孔之區域進行除膠渣處理之步驟；於上述樹脂及包含上述通孔或/及盲孔之區域設置無電解鍍敷層之步驟；於上述無電解鍍敷層上設置抗鍍敷劑之步驟；對上述抗鍍敷劑進行曝光，其後，去除形成有電路之區域之抗鍍敷劑之步驟；於已去除上述抗鍍敷劑之形成有上述電路之區域設置電解鍍敷層之步驟；去除上述抗鍍敷劑之步驟；及 藉由閃蝕等去除形成有上述電路之區域以外之區域之無電解鍍敷層之步驟。
使用半加成法之本發明之印刷配線板之製造方法之另一實施形態包含如下步驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板之步驟；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層之步驟；於將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後，將上述附載體銅箔之載體剝離之步驟；藉由使用有酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法將剝離上述載體而露出之極薄銅層完全去除之步驟；於藉由利用蝕刻去除上述極薄銅層而露出之樹脂層之表面設置無電解鍍敷層之步驟；於上述無電解鍍敷層上設置抗鍍敷劑之步驟；對上述抗鍍敷劑進行曝光，其後，去除形成有電路之區域之抗鍍敷劑之步驟；於已去除上述抗鍍敷劑之形成有上述電路之區域設置電解鍍敷層之步驟；去除上述抗鍍敷劑之步驟；及藉由閃蝕等去除形成有上述電路之區域以外之區域之無電解鍍敷層之步驟。
於本發明中，所謂改良半加成法，係指於絕緣層上積層金屬箔，藉由抗鍍敷劑保護非電路形成部，藉由電鍍增厚電路形成部之銅層後，去除抗蝕劑，利用(快速)蝕刻去除上述電路形成部以外之金屬箔，藉此於絕緣層上形成電路的方法。
因此，使用改良半加成法之本發明之印刷配線板之製造方法 之一實施形態包含如下步驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板之步驟；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層之步驟；於將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後，將上述附載體銅箔之載體剝離之步驟；於剝離上述載體而露出之極薄銅層與絕緣基板上設置通孔或/及盲孔之步驟；對包含上述通孔或/及盲孔之區域進行除膠渣處理之步驟；於包含上述通孔或/及盲孔之區域設置無電解鍍敷層之步驟；於剝離上述載體而露出之極薄銅層表面設置抗鍍敷劑之步驟；於設置上述抗鍍敷劑後，藉由電鍍形成電路之步驟；去除上述抗鍍敷劑之步驟；及利用閃蝕去除藉由去除上述抗鍍劑而露出之極薄銅層之步驟。
使用改良半加成法之本發明之印刷配線板之製造方法之另一實施形態包含如下步驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板之步驟；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層之步驟；於將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後，將上述附載體銅箔之載體剝離之步驟；於剝離上述載體而露出之極薄銅層上設置抗鍍敷劑之步驟；對上述抗鍍敷劑進行曝光，其後，去除形成有電路之區域之抗鍍敷劑之步驟；於已去除上述抗鍍敷劑之形成有上述電路之區域設置電解鍍敷層之步驟；去除上述抗鍍敷劑之步驟；及 藉由閃蝕等去除形成有上述電路之區域以外之區域之極薄銅層之步驟。
於本發明中，所謂部分加成法，係指於設置導體層而成之基板、視需要穿過通孔或導孔用之孔而成的基板上賦予觸媒核，進行蝕刻形成導體電路，視需要設置阻焊劑或抗鍍敷劑後，於上述導體電路上藉由無電解鍍敷處理對通孔或導孔等進行增厚，藉此製造印刷配線板的方法。
因此，使用部分加成法之本發明之印刷配線板之製造方法之一實施形態包含如下步驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板之步驟；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層之步驟；於將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後，將上述附載體銅箔之載體剝離之步驟；於剝離上述載體而露出之極薄銅層與絕緣基板上設置通孔或/及盲孔之步驟；對包含上述通孔或/及盲孔之區域進行除膠渣處理之步驟；對包含上述通孔或/及盲孔之區域賦予觸媒核之步驟；於剝離上述載體而露出之極薄銅層表面設置抗蝕刻劑之步驟；對上述抗蝕刻劑進行曝光，形成電路圖案之步驟；藉由使用有酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法去除上述極薄銅層及上述觸媒核，形成電路之步驟；去除上述抗蝕刻劑之步驟；於藉由使用有酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法去除上述極薄銅層及上述觸媒核而露出之上述絕緣基板表面，設置阻焊劑或抗鍍敷劑之步驟；及於未設置上述阻焊劑或抗鍍敷劑之區域設置無電解鍍敷層之步驟。
於本發明中，所謂減成法，係指藉由蝕刻等選擇性地去除覆銅積層板上之銅箔之不需要的部分，而形成導體圖案之方法。
因此，使用減成法之本發明之印刷配線板之製造方法之一實施形態包含如下步驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板之步驟；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層之步驟；於將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後，將上述附載體銅箔之載體剝離之步驟；於剝離上述載體而露出之極薄銅層與絕緣基板上設置通孔或/及盲孔之步驟；對包含上述通孔或/及盲孔之區域進行除膠渣處理之步驟；於包含上述通孔或/及盲孔之區域設置無電解鍍敷層之步驟；於上述無電解鍍敷層之表面設置電解鍍敷層之步驟；於上述電解鍍敷層或/及上述極薄銅層之表面設置抗蝕刻劑之步驟；對上述抗蝕刻劑進行曝光，形成電路圖案；藉由使用有酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法去除上述極薄銅層及上述無電解鍍敷層及上述電解鍍敷層，而形成電路之步驟；及去除上述抗蝕刻劑之步驟。
使用減成法之本發明之印刷配線板之製造方法之另一實施形態包含如下步驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板之步驟；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層之步驟；於將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後，將上述附載體銅箔之載體剝離之步驟；於剝離上述載體而露出之極薄銅層與絕緣基板上設置通孔或/及盲孔之 步驟；對包含上述通孔或/及盲孔之區域進行除膠渣處理之步驟；於包含上述通孔或/及盲孔之區域設置無電解鍍敷層之步驟；於上述無電解鍍敷層之表面形成遮罩之步驟；於未形成遮罩之上述無電解鍍敷層之表面設置電解鍍敷層之步驟；於上述電解鍍敷層或/及上述極薄銅層之表面設置抗蝕刻劑之步驟；對上述抗蝕刻劑進行曝光，形成電路圖案之步驟；藉由使用有酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法去除上述極薄銅層及上述無電解鍍敷層，而形成電路之步驟；及去除上述抗蝕刻劑之步驟。
亦可不進行設置通孔或/及盲孔之步驟、及其後之除膠渣步驟。
此處，利用圖式詳細地說明使用有本發明之附載體銅箔之印刷配線板之製造方法的具體例。再者，此處，以具有形成有粗化處理層之極薄銅層之附載體銅箔為例進行說明，但並不限於此，使用具有未形成粗化處理層之極薄銅層之附載體銅箔，亦可同樣地進行下述印刷配線板之製造方法。
首先，如圖3-A所示，準備具有表面形成有粗化處理層之極薄銅層的附載體銅箔(第1層)。
其次，如圖3-B所示，於極薄銅層之粗化處理層上塗佈抗蝕劑，進行曝光、顯影，將抗蝕劑蝕刻為特定之形狀。
繼而，如圖3-C所示，於形成電路用鍍敷後，去除抗蝕劑，藉此形成特定之形狀之電路鍍敷。
繼而，如圖4-D所示，以被覆電路鍍敷之方式(以埋沒電路鍍敷之方式)於極薄銅層上設置埋入樹脂而積層樹脂層，繼而，自極薄銅層側接著 另一附載體銅箔(第2層)。
繼而，如圖4-E所示，自第2層之附載體銅箔剝離載體。
繼而，如圖4-F所示，於樹脂層之特定位置進行雷射開孔，露出電路鍍敷而形成盲孔。
繼而，如圖5-G所示，於盲孔中形成埋入銅之填孔。
繼而，如圖5-H所示，於填孔上，以上述圖3-B及圖3-C之方式形成電路鍍敷。
繼而，如圖5-I所示，自第1層之附載體銅箔剝離載體。
繼而，如圖6-J所示，藉由閃蝕去除兩表面之極薄銅層，使樹脂層內之電路鍍敷之表面露出。
繼而，如圖6-K所示，於樹脂層內之電路鍍敷上形成凸塊，於該焊料上形成銅柱。如此製作使用本發明之附載體銅箔之印刷配線板。
上述另一附載體銅箔(第2層)可使用本發明之附載體銅箔，可使用習知之附載體銅箔，進而亦可使用通常之銅箔。又，可於圖5-H所表示之第2層之電路上進而形成1層或複數層電路，可藉由半加成法、減成法、部分加成法或改良半加成法中之任一種方法形成該等電路。
又，用於上述第1層之附載體銅箔可於該附載體銅箔之載體側表面具有基板。藉由具有該基板或樹脂層，而支持用於第1層之附載體銅箔，變得不易產生皺褶，因此有提高生產性之優點。再者，只要上述基板具有支持上述用於第1層之附載體銅箔之效果，則可使用所有基板。例如，可使用本案說明書中記載之載體、預浸體、樹脂層或公知之載體、預浸體、樹脂層、金屬板、金屬箔、無機化合物之板、無機化合物之箔、有機化合物之板、有機化合物之箔作為上述基板。
於載體側表面形成基板之時間點並無特別限制，但必須於剝離載體前形成。尤其是，較佳為於在上述附載體銅箔之上述極薄銅層側表 面形成樹脂層的步驟之前形成，更佳為於在附載體銅箔之上述極薄銅層側表面形成電路的步驟之前形成。
本發明之附載體銅箔較佳為以滿足以下(1)之方式控制極薄銅層表面之色差。於本發明中，所謂「極薄銅層表面之色差」係表示極薄銅層之表面之色差，或者於實施粗化處理等各種表面處理之情形時其表面處理層表面之色差。即，本發明之附載體銅箔較佳為以滿足以下(1)之方式控制極薄銅層或粗化處理層或耐熱層或防銹層或鉻酸鹽處理層或矽烷偶合層之表面之色差。
(1)極薄銅層或粗化處理層或耐熱層或防銹層或鉻酸鹽處理層或矽烷偶合處理層之表面之基於JISZ8730之色差△E* ab為45以上。
此處，色差△L、△a、△b係分別以色差計進行測定，採取黑/白/紅/綠/黃/藍，使用基於JISZ8730之L* a* b表色系統而表示的綜合指標，且表示為△L：白黑、△a：紅綠、△b：黃藍。又，△E* ab係使用該等色差以下述式表示。
上述色差可藉由提高極薄銅層形成時之電流密度、降低鍍敷液中之銅濃度、提高鍍敷液之線流速而進行調整。
又，上述色差亦可藉由於極薄銅層之表面實施粗化處理並設置粗化處理層而進行調整。於設置粗化處理層之情形時，可藉由使用含有選自由銅及鎳、鈷、鎢、鉬所組成之群中之一種以上元素的電場液，較習知進一步提高電流密度(例如40~60A/dm2)，縮短處理時間(例如0.1~1.3秒)而進行調整。於未在極薄銅層之表面設置粗化處理層之情形時，可藉由如下方式而達成：使用使Ni之濃度為其他元素之2倍以上的鍍浴，對極薄銅層或耐熱層或防銹層或鉻酸鹽處理層或矽烷偶合處理層之表面，以使Ni合金 鍍敷(例如Ni-W合金鍍敷、Ni-Co-P合金鍍敷、Ni-Zn合金鍍敷)低於習知之電流密度(0.1~1.3A/dm2)且較長地設定處理時間(20秒~40秒)之方式進行處理。
若極薄銅層表面之基於JISZ8730之色差△E* ab為45以上，則例如於附載體銅箔之極薄銅層表面形成電路時，極薄銅層與電路之對比度變得清晰，結果視認性變得良好，可精度良好地進行電路之位置對準。極薄銅層表面之基於JISZ8730之色差△E* ab較佳為50以上，更佳為55以上，進而更佳為60以上。
於如上所述般控制極薄銅層或粗化處理層或耐熱層或防銹層或鉻酸鹽處理層或矽烷偶合層之表面之色差的情形時，與電路鍍敷之對比度變得清晰，視認性變得良好。因此，於如上所述之印刷配線板之例如圖3-C所表示之製造步驟中，可精度良好地於特定之位置形成電路鍍敷。又，根據如上所述之印刷配線板之製造方法，形成使電路鍍敷埋入樹脂層的構成，因此於例如圖6-J所表示之藉由閃蝕去除極薄銅層時，藉由樹脂層保護電路鍍敷，並保持其形狀，藉此容易形成微細電路。又，由於藉由樹脂層保護電路鍍敷，故而耐遷移性提高，可良好地抑制電路之配線之導通。因此，容易形成微細電路。又，於如圖6-J及圖6-K所表示般藉由閃蝕去除極薄銅層時，電路鍍敷之露出面成為自樹脂層凹陷之形狀，因此容易分別於該電路鍍敷上形成凸塊，進而於其上形成銅柱，製造效率提高。
再者，埋入樹脂(Resin)可使用公知之樹脂、預浸體。例如可使用BT(雙馬來醯亞胺三碍)樹脂或含浸BT樹脂之玻璃布即預浸體、Ajinomoto Fine-Techno股份有限公司製造之ABF膜或ABF。又，上述埋入樹脂(Resin)可使用本說明書中所記載之樹脂層及/或樹脂及/或預浸體。
[實施例]
以下，藉由本發明之實施例進一步詳細地說明本發明，但本 發明並不受該等實施例任何限定。
1.附載體銅箔之製造
<實施例1>
作為銅箔載體，準備厚度35μm之長條電解銅箔(JX日鑛日石金屬公司製造之JTC)。於以下條件下，利用卷對卷型(roll to roll)連續鍍敷線(採用圖2所表示之彎折方式)對該銅箔之光澤面(Rz：1.2~1.4μm)進行電鍍，藉此形成4000μg/dm2附著量之Ni層。
．Ni層
硫酸鎳：250~300g/L
氯化鎳：35~45g/L
乙酸鎳：10~20g/L
檸檬酸三鈉：15~30g/L
光澤劑：糖精、丁炔二醇等
十二烷基硫酸鈉：30~100ppm
pH值：4~6
浴溫：50~70℃
電流密度：3~15A/dm2
於水洗及酸洗後，繼而，藉由於卷對卷型連續鍍敷線(採用圖2所表示之彎折方式)上，於以下條件下對11μg/dm2附著量之Cr層進行電解鉻酸鹽處理而使之附著於Ni層上。
．電解鉻酸鹽處理
液組成：重鉻酸鉀1~10g/L、鋅0~5g/L
pH值：3~4
液溫：50~60℃
電流密度：0.1~2.6A/dm2
庫侖量：0.5~30As/dm2
繼而，藉由於卷對卷型連續鍍敷線上(採用圖1所表示之轉筒方式)，於以下條件下對厚度3μm之極薄銅層進行電鍍而使之形成於Cr層上，從而製造附載體銅箔。再者，本實施例亦製造使極薄銅層之厚度為1、2、5、10μm之附載體銅箔，對極薄銅層之厚度為3μm之實施例進行相同評價。結果與厚度無關而為相同。
．極薄銅層
銅濃度：30~120g/L
H2SO4濃度：20~120g/L
電解液溫度：20~80℃
電流密度：10~100A/dm2
繼而，依序對極薄銅層表面進行以下之粗化處理1、粗化處理2、防銹處理、鉻酸鹽處理及矽烷偶合處理。粗化處理1及粗化處理2採用圖1所表示之使用轉筒之運箔方式(極間距離為50mm)，防銹處理、鉻酸鹽處理及矽烷偶合處理採用圖2所表示之彎折方式。
．粗化處理1
(液組成1)
Cu：10~30g/L
H2SO4：10~150g/L
W：0~50mg/L
十二烷基硫酸鈉：0~50mg/L
As：0~200mg/L
(電鍍條件1)
溫度：30~70℃
電流密度：25~110A/dm2
粗化庫侖量：50~500As/dm2
鍍敷時間：0.5~20秒
．粗化處理2
(液組成2)
Cu：20~80g/L
H2SO4：50~200g/L
(電鍍條件2)
溫度：30~70℃
電流密度：5~50A/dm2
粗化庫侖量：50~300As/dm2
鍍敷時間：1~60秒
．防銹處理
(液組成)
NaOH：40~200g/L
NaCN：70~250g/L
CuCN：50~200g/L
Zn(CN)2：2~100g/L
As2O3：0.01~1g/L
(液溫)
40~90℃
(電流條件)
電流密度：1~50A/dm2
鍍敷時間：1~20秒
．鉻酸鹽處理
K2Cr2O7(Na2Cr2O7或CrO3)：2~10g/L
NaOH或KOH：10~50g/L
ZnOH或ZnSO4．7H2O：0.05~10g/L
pH值：7~13
浴溫：20~80℃
電流密度：0.05~5A/dm2
時間：5~30秒
．矽烷偶合處理
將0.1vol%~0.3vol%之3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷水溶液噴霧塗佈後，於100~200℃之空氣中進行0.1~10秒之乾燥、加熱。
上述表面處理後，於極薄銅層側形成下述之「A」之樹脂層。
<實施例2>
於與實施例1相同之條件下在銅箔載體上形成極薄銅層後，依序進行以下之粗化處理1、粗化處理2、防銹處理、鉻酸鹽處理及矽烷偶合處理。粗化處理1及粗化處理2採用圖1所表示之使用轉筒之運箔方式(極間距離為50mm)，防銹處理、鉻酸鹽處理及矽烷偶合處理採用圖2所表示之彎折方式。再者，極薄銅箔之厚度設為3μm。
．粗化處理1
液組成：銅10~20g/L、硫酸50~100g/L
液溫：25~50℃
電流密度：1~58A/dm2
庫侖量：4~81As/dm2
．粗化處理2
液組成：銅10~20g/L、鎳5~15g/L、鈷5~15g/L
pH值：2~3
液溫：30~50℃
電流密度：24~50A/dm2
庫侖量：34~48As/dm2
．防銹處理
液組成：鎳5~20g/L、鈷1~8g/L
pH值：2~3
液溫：40~60℃
電流密度：5~20A/dm2
庫侖量：10~20As/dm2
．鉻酸鹽處理
液組成：重鉻酸鉀1~10g/L、鋅0~5g/L
pH值：3~4
液溫：50~60℃
電流密度：0~2A/dm2(為了進行浸漬鉻酸鹽處理，亦可於無電解下實施)
庫侖量：0~2As/dm2(為了進行浸漬鉻酸鹽處理，亦可於無電解下實施)
．矽烷偶合處理
二胺基矽烷水溶液之塗佈(二胺基矽烷濃度：0.1~0.5wt%)
上述表面處理後，於極薄銅層側形成下述之「B」之樹脂層。
<實施例3>
作為銅箔載體，準備厚度35μm之長條電解銅箔(JX日鑛日石金屬公司製造之HLP)，對該銅箔之光澤面(Rz：0.1~0.3μm)，以與實施例1相同之順序製作附載體銅箔。其中，樹脂層係形成下述之「C」。
<實施例4>
作為銅箔載體，準備厚度35μm之長條電解銅箔(JX日鑛日石金屬公 司製造之HLP)，對該銅箔之光澤面(Rz：0.1~0.3μm)，以與實施例2相同之順序製作附載體銅箔。其中，樹脂層係形成下述之「D」。
<實施例5>
作為銅箔載體，準備厚度35μm之長條電解銅箔(JX日鑛日石金屬公司製造之HLP)。於與實施例1相同之條件下，利用卷對卷型連續鍍敷線對該銅箔之光澤面(Rz：0.1~0.3μm)進行電鍍，藉此形成4000μg/dm2附著量之Ni層，繼而，以與實施例1相同之順序形成極薄銅層後，不實施粗化處理而實施下述防銹處理(採用彎折方式)。
．防銹處理
液組成：鎳5~20g/L、鈷1~8g/L
pH值：2~3
液溫：40~60℃
電流密度：5~20A/dm2
庫侖量：10~20As/dm2
上述表面處理後，於極薄銅層側形成下述之「E」之樹脂層。
<比較例1>
於與實施例1相同之條件下在銅箔載體上形成極薄銅層後，繼而，依序對極薄銅層表面進行以下之粗化處理1、粗化處理2、防銹處理、鉻酸鹽處理及矽烷偶合處理。粗化處理1及粗化處理2採用圖1所表示之使用轉筒之運箔方式(極間距離為50mm)，防銹處理、鉻酸鹽處理及矽烷偶合處理採用圖2所表示之彎折方式。再者，極薄銅箔之厚度設為3μm。
．粗化處理1
(液組成1)
Cu：31~45g/L
H2SO4：10~150g/L
As：0.1~200mg/L
(電鍍條件1)
溫度：30~70℃
電流密度：25~110A/dm2
粗化庫侖量：50~500As/dm2
鍍敷時間：0.5~20秒
．粗化處理2
(液組成2)
Cu：20~80g/L
H2SO4：50~200g/L
(電鍍條件2)
溫度：30~70℃
電流密度：5~50A/dm2
粗化庫侖量：50~300As/dm2
鍍敷時間：1~60秒
．防銹處理
(液組成)
NaOH：40~200g/L
NaCN：70~250g/L
CuCN：50~200g/L
Zn(CN)2：2~100g/L
As2O3：0.01~1g/L
(液溫)
40~90℃
(電流條件)
電流密度：1~50A/dm2
鍍敷時間：1~20秒
．鉻酸鹽處理
K2Cr2O7(Na2Cr2O7或CrO3)：2~10g/L
NaOH或KOH：10~50g/L
ZnOH或ZnSO4．7H2O：0.05~10g/L
pH值：7~13
浴溫：20~80℃
電流密度：0.05~5A/dm2
時間：5~30秒
．矽烷偶合處理
將0.1vol%~0.3vol%之3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷水溶液噴霧塗佈後，於100~200℃之空氣中進行0.1~10秒之乾燥、加熱。
上述表面處理後，不形成樹脂層。
<比較例2>
粗化處理1及粗化處理2採用圖2所表示之利用彎折之運箔方式，除此以外，以與實施例1相同之順序製作附載體銅箔。但是，未形成樹脂層。
<比較例3>
粗化處理1及粗化處理2採用圖2所表示之利用彎折之運箔方式，除此以外，以與實施例2相同之順序製作附載體銅箔。但是，未形成樹脂層。
<比較例4>
於比較例1之附載體銅箔之極薄銅層側形成下述樹脂層「A」。
<比較例5>
於比較例2之附載體銅箔之極薄銅層側形成下述樹脂層「B」。
<比較例6>
於比較例3之附載體銅箔之極薄銅層側形成下述樹脂層「C」。
<實施例6>
未形成樹脂層，除此以外，以與實施例1相同之順序製作附載體銅箔。
<實施例7>
未形成樹脂層，除此以外，以與實施例2相同之順序製作附載體銅箔。
<實施例8>
未形成樹脂層，除此以外，以與實施例3相同之順序製作附載體銅箔。
<實施例9>
未形成樹脂層，除此以外，以與實施例4相同之順序製作附載體銅箔。
<實施例10>
未形成樹脂層，除此以外，以與實施例5相同之順序製作附載體銅箔。
<樹脂層之形成>
樹脂層之形成係以如下方式進行。
．「A」
(樹脂合成例)
於在具備不鏽鋼製碇型攪拌棒、氮氣導入管及停止旋塞之阱上安裝有附球形冷凝管之回流冷卻器的2升之三口燒瓶中，添加3,4/3',4'-聯苯四羧酸二酐117.68g(400mmol)、1,3-雙(3-胺基苯氧基)苯87.7g(300mmol)、γ-戊內酯4.0g(40mmol)、吡啶4.8g(60mmol)、N-甲基-2-吡咯啶酮(以下記為NMP)300g、及甲苯20g，於180℃下加熱1小時後，冷卻至室溫附近，其後添加3,4/3'4'-聯苯四羧酸二酐29.42g(100mmol)、2,2-雙{4-(4-胺基苯氧基)苯基}丙烷82.12g(200mmol)、NMP 200g、及甲苯40g，於室溫下混合1小時後，於180℃下加熱3小時，獲得固形物成分38%之嵌段共聚合聚醯亞胺。該嵌段共聚合聚醯亞胺中，下述所表示之通式(1)：通式(2)=3：2，數平均分子量：70000，重量平均分子量：150000。
利用NMP進一步稀釋合成例中獲得之嵌段共聚合聚醯亞胺溶液，製成固形物成分10%之嵌段共聚合聚醯亞胺溶液。於該嵌段共聚合聚醯亞胺溶液中以雙(4-馬來醯亞胺苯基)甲烷(BMI-H，K-I Chemical Industry)之固形物成分重量比率35、嵌段共聚合聚醯亞胺之固形物成分重量比率65(即，樹脂溶液中所含之雙(4-馬來醯亞胺苯基)甲烷固形物成分重量：樹脂溶液中所含之嵌段共聚合聚醯亞胺固形物成分重量=35：65)之形式於60℃下進行20分鐘溶解混合而製成樹脂溶液。其後，使用逆輥塗佈機將上述樹脂溶液塗敷於設置樹脂層前之附載體銅箔之極薄銅層側表面，於氮氣環境下，於120℃下乾燥處理3分鐘，於160℃下乾燥處理3分鐘後，最後於300℃下進行2分鐘加熱處理，而製作附載體銅箔。再者，樹脂層之厚度設為2μm。
．「B」
B係製備環氧樹脂69重量份、硬化劑11重量份、硬化促進劑0.25重量份、聚合物成分15重量份、交聯劑3重量份、橡膠性樹脂3重量份之樹脂組成物。
具體而言，表示如下。
[樹脂組成物之組成]
構成成分/具體的構成成分/具體的化學品名(製造公司)/組成(重量份)
環氧樹脂/雙酚A型/YD-907(東都化成製造)/15
環氧樹脂/雙酚A型/YD-011(東都化成製造)/54
硬化劑/芳香族胺/4,41-二胺基二苯基碸(和歌山精化製造)/12
硬化促進劑/咪唑/2E4MZ(四國化成製造)/0.4
聚合物成分/聚乙烯醇縮乙醛樹脂/5000A(電氣化學工業製造)/15
交聯劑/胺基甲酸酯樹脂/AP-Stable(Nippon Polyurethane製造)/3
橡膠成分/核殼型腈橡膠/XER-91(JSR公司製造)/3
然後，對上述所表示之樹脂組成物，使用甲基乙基酮與二甲基乙醯胺將樹脂固形物成分調整為30重量%，藉此製成用以形成樹脂層之樹脂組成物溶液。然後，使用凹版塗佈機將該用以形成樹脂層之樹脂組成物溶液塗佈於設置樹脂層前之附載體銅箔之極薄銅層側之面。然後，進行5分鐘之風乾，其後，於140℃之加熱環境中進行3分鐘之乾燥處理，形成半硬化狀態之1.5μm厚之半硬化樹脂層(接著層)，而製造附載體銅箔。此時所獲得之半硬化樹脂層(接著層)之樹脂溢流量之測定係以上述用以形成樹脂層之樹脂組成物溶液製造18μm厚之銅箔之單面設置有40μm厚之半硬化樹脂層者，並將其設為樹脂溢流量測定用試樣。然後，由該樹脂溢流量測定用試樣採取4片10cm見方試樣，依據上述MIL-P-13949G進行樹脂溢流量之測定。結果樹脂溢流量為1.5%。
．「C」
製造構成樹脂層之樹脂溶液。於製造該樹脂溶液時，使用環氧樹脂(日本化藥股份有限公司製造之EPPN-502)、聚醚碸樹脂(住友化學股份有限公司製造之Sumikaexcel PES-5003P)作為原料。然後，於其中添加作為硬化促進劑之咪唑系2E4MZ(四國化成工業股份有限公司製造)而製成樹脂組成物。
樹脂組成物：環氧樹脂50重量份
聚醚碸樹脂50重量份
硬化促進劑1重量份
對該樹脂組成物，進而使用二甲基甲醯胺將樹脂固形物成分調整為30wt%，藉此製成樹脂溶液。使用凹版塗佈機將以如上方式製造之樹脂溶液塗佈於設置樹脂層前之附載體銅箔之極薄銅層側之面。並且，其後於140℃之加熱環境中進行3分鐘之乾燥處理，形成半硬化狀態之1.5μm厚之樹脂層，而獲得本案發明之附載體銅箔。再者，另一方面，為了測定樹脂溢流量，製造將底塗樹脂層設為40μm厚之附樹脂銅箔(銅箔厚度18μm)(以下稱為「樹脂溢流量測定用試樣」)。然後，由該樹脂溢流量測定用試樣採取4片10cm見方試樣，依據上述之MIL-P-13949G，進行樹脂溢流量之測定。結果樹脂溢流量為1.4%。
．「D」
於設置樹脂層前之附載體銅箔之極薄銅層側表面，形成作為硬化樹脂層之聚醯亞胺樹脂層，半硬化樹脂層之形成係使用有馬來醯亞胺系樹脂的附載體銅箔之例。
聚醯胺酸清漆之製備：對用以藉由流延法(casting method)形成硬化樹脂層之聚醯胺酸清漆進行說明。將均苯四甲酸二酐1mol、及4,4'-二胺基二苯基醚1mol溶解於作為溶劑之N-甲基吡咯啶酮中，並進行混合。此時之反應溫度為25℃，反應10小時。然後，獲得樹脂固形物成分量為20質量%之聚醯胺酸清漆。
硬化樹脂層之形成：繼而，使用所獲得之聚醯胺酸清漆，利用流延法形成硬化樹脂層。藉由Multi Coater(Hirano Tecseed公司製造：M-400)，將聚醯胺酸清漆塗佈於設置樹脂層前之附載體銅箔之極薄銅層側表面，於熱風乾燥機內，於110℃×6分鐘之條件下進行乾燥。乾燥後之硬化樹脂層之樹脂厚度設為35μm，該階段之溶劑殘存率相對於樹脂層之總量 為32wt%。將該塗佈有聚醯胺酸清漆之電解銅箔之複合體放置於經氮氣置換之熱風烘箱中，歷時15分鐘自室溫升溫至400℃，其後，於400℃下保持8分鐘後，進行冷卻。藉此，自塗佈有聚醯胺酸之附載體銅箔之複合體中去除殘存溶劑，藉由對聚醯胺酸進行脫水閉環之醯亞胺反應，而製成於附載體銅箔之極薄銅層側表面積層有硬化樹脂層之狀態的覆銅聚醯亞胺樹脂基材。該藉由最終之熱處理而獲得之覆銅聚醯亞胺樹脂基材的溶劑殘存率相對於附著於附載體銅箔之樹脂總量為0.5wt%。
繼而，對積層有硬化樹脂層之附載體銅箔(覆銅聚醯亞胺樹脂基材)進行電暈處理，進行該硬化樹脂層之表面改質。電暈處理係於大氣中、電力210W、速度2m/min、放電量300W．min/m2、自電極之照射距離1.5mm之條件下進行。並且，為了測定硬化樹脂層之熱膨脹係數，藉由自表面改質處理後之積層有硬化樹脂層之附載體銅箔(電暈處理完成之覆銅聚醯亞胺樹脂基材)將附載體銅箔剝離及蝕刻而去除。結果去除附載體銅箔而獲得之硬化樹脂層(聚醯亞胺膜)之樹脂厚度為27μm，熱膨脹係數為25ppm/℃。
半硬化樹脂層之形成：此處，於電暈處理完成之覆銅聚醯亞胺樹脂基材之硬化樹脂層上形成半硬化樹脂層。首先，使用N,N'-二甲基乙醯胺作為溶劑使以下所表示之樹脂組成物溶解，以使樹脂固形物成分成為30wt%之樹脂清漆方式進行製備。
[形成半硬化樹脂層之樹脂組成物]
馬來醯亞胺樹脂：4,4'-二苯基甲烷雙馬來醯亞胺(商品名：BMI-1000，大和化成工業公司製造)/30重量份
芳香族聚胺樹脂：1,3-雙[4-胺基苯氧基]苯(商品名：TPE-R，和歌山精化工業公司製造)/35重量份
環氧樹脂：雙酚A型環氧樹脂(商品名：EPICLON 850S，大日本墨水 化學工業公司製造)/20重量份
具有可交聯之官能基之線狀聚合物：聚乙烯醇縮乙醛樹脂(商品名：Denka Butyral 5000A，電氣化學工業公司製造)/15重量份
將上述樹脂清漆塗佈於電暈處理完成之覆銅聚醯亞胺樹脂基材之聚醯亞胺樹脂面，於室溫下進行5分鐘之風乾，於160℃×5分鐘之條件下進行加熱乾燥，積層形成半硬化樹脂層。此時之半硬化樹脂層之樹脂厚度設為20μm。
並且，為了測定半硬化樹脂層於硬化後之熱膨脹係數，利用與上述相同之方法將用於形成半硬化樹脂層之上述樹脂清漆塗佈於氟系耐熱膜，於室溫下進行5分鐘之風乾，於160℃×5分鐘之條件下加熱乾燥，進而，進行200℃×2小時之硬化加熱而製成厚度20μm之試驗用硬化樹脂層。即，該試驗用硬化樹脂層相當於使本案發明之附載體銅箔之半硬化樹脂層硬化之情況。該試驗用硬化樹脂層之熱膨脹係數為45ppm/℃。
以如上方式獲得之附載體銅箔之樹脂層整體之厚度為47μm。並且，藉由下述方法，自該附樹脂銅箔將銅箔蝕刻去除，使用由硬化樹脂層與半硬化樹脂層構成之樹脂層，對其進行200℃×2小時之硬化加熱，測定使該半硬化樹脂層硬化後之樹脂層整體之熱膨脹係數。結果熱膨脹係數為35ppm/℃。又，剝離強度為1.0kgf/cm。
．「E」
最初製造構成樹脂層之第1樹脂組成物。於製造該第1樹脂組成物時，使用鄰甲酚酚醛清漆型環氧樹脂(東都化成股份有限公司製造之YDCN-704)、可溶於溶劑之芳香族聚醯胺樹脂聚合物、及以與作為溶劑之環戊酮之混合清漆而市售的日本化藥股份有限公司製造之BP3225-50P作為原料。並且，於作為硬化劑之酚系樹脂中添加大日本墨水股份有限公司製造之VH-4170及作為硬化促進劑之四國化成股份有限公司製造之2E4MZ，而 於該混合清漆中製成具有以下所表示之調配比例之第1樹脂組成物。
鄰甲酚酚醛清漆型環氧樹脂 38重量份
芳香族聚醯胺樹脂聚合物 50重量份
酚系樹脂 18重量份
硬化促進劑 0.1重量份
對該第1樹脂組成物進而使用甲基乙基酮，將樹脂固形物成分調整為30重量%，藉此製成樹脂溶液。
將樹脂層形成前之附載體銅箔之極薄銅層側表面(於對極薄銅層進行表面處理之情形時為該經表面處理之表面)浸漬於以成為5g/l之濃度之方式於離子交換水中添加γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷而成的溶液中，並進行吸著處理。然後，歷時4秒於利用電熱器調整為180℃環境的爐內釋放水分，進行矽烷偶合劑之縮合反應而形成矽烷偶合劑層。
使用凹版塗佈機將以如上方式製造之樹脂溶液塗佈於形成有附載體銅箔之矽烷偶合劑層之面。然後，進行5分鐘之風乾，其後，於140℃之加熱環境中進行3分鐘之乾燥處理，形成半硬化狀態之1.5μm厚之樹脂層，獲得本案發明之附載體銅箔。再者，樹脂溢流量之測定係製造使底塗樹脂層為40μm厚度的附樹脂銅箔(以下稱為「樹脂溢流量測定用試樣」)。
並且，自該樹脂溢流量測定用試樣採取4片10cm見方試樣，依據上述之MIL-P-13949G進行樹脂溢流量之測定。結果樹脂溢流量為1.5%。
2.附載體銅箔之特性評價
利用以下方法對以如上方式獲得之附載體銅箔實施特性評價。將結果示於表1。再者，表1之「標準偏差(μm)欄」之「Ra」之「3.91E-16」 係表示3.19×10-16(μm)，「1.30E-02」係表示1.30×10-2(μm)。
(表面粗糙度)
自形成樹脂層前之各附載體銅箔(550mm×550mm之正方形)以55mm間距於縱橫向上引直線，分配每個55mm×55mm之正方形之區域100個部位。對各區域使用接觸式粗糙度測定機(小阪研究所股份有限公司製造之接觸粗糙度計Surfcorder SE-3C)，依據JIS B0601-1982(Ra、Rz)及JIS B0601-2001(Rt)，於以下測定條件下測定極薄銅層之表面粗糙度(Ra、Rt、Rz)，測定其平均值及標準偏差。
<測定條件>
截止點：0.25mm
基準長度：0.8mm
測定環境溫度：23~25℃
(遷移)
將形成樹脂層前之各附載體銅箔(550mm×550mm之正方形)接著於鉍系樹脂，其次，將載體箔剝離去除。藉由軟蝕刻使所露出之極薄銅層之厚度成為1.5μm。其後，進行洗淨、乾燥後，將DF(日立化成公司製造，商品名RY-3625)層壓塗佈於極薄銅層上。於15mJ/cm2之條件下進行曝光，使用顯影液(碳酸鈉)於38℃下進行1分鐘液噴射振盪，以線與間隙(L/S)=15μm/15μm形成光阻圖案。繼而，利用硫酸銅鍍敷(Ebara-Udylite製造之CUBRITE21)鍍高15μm後，以剝離液(氫氧化鈉)剝離DF。其後，以硫酸-過氧化氫系蝕刻劑將極薄銅層蝕刻去除，形成L/S=15μm/15μm之配線。依據上述每個55mm×55mm之大小之區域自所獲得之配線基板切出100個配線基板。
對所獲得之各配線基板，使用遷移測定機(IMV製造之MIG-9000)，於以下測定條件下對配線圖案間有無絕緣劣化進行評價。關於100個配線基 板，對產生遷移之基板之數進行評價。
再者，關於實施例2，進而，形成線與間隙之間距為20μm(L/S=8μm/12μm、L/S=10μm/10μm、L/S=12μm/8μm)之配線而進行上述遷移之評價。又，關於實施例3，進而，形成線與間隙之間距為20μm(L/S=8μm/12μm、L/S=10μm/10μm、L/S=12μm/8μm)、線與間隙之間距為15μm(L/S=5μm/10μm、L/S=8μm/7μm)之配線而進行上述遷移之評價。再者，於線與間隙之間距為15μm之情形時，將鍍高之厚度設為10μm。其結果，於使用實施例2之附載體銅箔形成L/S=8μm/12μm、L/S=10μm/10μm、L/S=12μm/8μm之配線之情形時，面內遷移產生率分別為2/100、2/100、3/100。又，於使用實施例3之附載體銅箔形成L/S=8μm/12μm、L/S=10μm/10μm、L/S=12μm/8μm、L/S=5μm/10μm、L/S=8μm/7μm之配線之情形時，面內遷移產生率分別為1/100、1/100、2/100、1/100、3/100。
<測定條件>
閾值：初期電阻下降60%
測定時間：1000h
電壓：60V
溫度：85℃
相對濕度：85%RH
(剝離強度)
對於所製作之附有樹脂層(其中，於未形成樹脂層之情形時並無樹脂層)之附載體銅箔，對極薄銅層之自樹脂基材之剝離強度進行測定。使用BT基材(雙馬來醯亞胺．三碍樹脂，三菱瓦斯化學股份有限公司製造之GHPL-830MBT)作為樹脂基材，將其積層於附載體銅箔之樹脂層側，於三菱瓦斯化學股份有限公司之推薦條件下進行加熱壓接而製作覆銅積層板。 其後，於剝離載體後，藉由濕式蝕刻製作寬10mm之電路，實施例/比較例分別製成10個測定樣品。其後，將形成電路之極薄銅層剝離，對10個樣品測定90度剝離強度，求出剝離強度之平均值、最大值、最小值、剝離強度之不均((最大值-最小值)/平均值×100(%))。BT基材係代表性之半導體封裝基板用基材。將BT基材積層時自BT基材之極薄銅層之剝離強度較佳為0.70kN/m以上，更佳為0.85kN/m以上。

Claims (33)

  1. 一種附載體銅箔，其係依序具備載體、剝離層、極薄銅層、及任意之樹脂層者，並且極薄銅層表面之Rz之平均值係利用接觸式粗糙度計依據JIS B0601-1982進行測定而為1.5μm以下，且Rz之標準偏差為0.1μm以下。
  2. 如申請專利範圍第1項之附載體銅箔，其中極薄銅層係被粗化處理者。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之附載體銅箔，其中極薄銅層表面之Rt之平均值係利用接觸式粗糙度計依據JIS B0601-2001進行測定而為2.0μm以下，且Rt之標準偏差為0.1μm以下。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之附載體銅箔，其中極薄銅層表面之Ra之平均值係利用接觸式粗糙度計依據JIS B0601-1982進行測定而為0.2μm以下，且Ra之標準偏差為0.03μm以下。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之附載體銅箔，其中極薄銅層表面之Rz之平均值為1.0μm以下。
  6. 如申請專利範圍第5項之附載體銅箔，其中極薄銅層表面之Rz之平均值為0.5μm以下。
  7. 一種附載體銅箔，其係依序具備載體、剝離層、極薄銅層、及任意之樹脂層者，並且極薄銅層表面之Rt之平均值係利用接觸式粗糙度計依據JIS B0601-2001進行測定而為2.0μm以下，且Rt之標準偏差為0.1μm以下。
  8. 如申請專利範圍第7項之附載體銅箔，其中極薄銅層係被粗化處理者。
  9. 如申請專利範圍第7或8項之附載體銅箔，其中極薄銅層表面之Rz之平均值係利用接觸式粗糙度計依據JIS B0601-1982進行測定而為1.5μm 以下，且Rz之標準偏差為0.1μm以下。
  10. 如申請專利範圍第7或8項之附載體銅箔，其中極薄銅層表面之Ra之平均值係利用接觸式粗糙度計依據JIS B0601-1982進行測定而為0.2μm以下，且Ra之標準偏差為0.03μm以下。
  11. 如申請專利範圍第7或8項之附載體銅箔，其中極薄銅層表面之Rt之平均值為1.0μm以下。
  12. 一種附載體銅箔，其係依序具備載體、剝離層、極薄銅層、及任意之樹脂層者，並且極薄銅層表面之Ra之平均值係利用接觸式粗糙度計依據JIS B0601-1982進行測定而為0.2μm以下，且Ra之標準偏差為0.03μm以下。
  13. 如申請專利範圍第12項之附載體銅箔，其中極薄銅層係被粗化處理者。
  14. 如申請專利範圍第12或13項之附載體銅箔，其中極薄銅層表面之Rz之平均值係利用接觸式粗糙度計依據JIS B0601-1982進行測定而為1.5μm以下，且Rz之標準偏差為0.1μm以下。
  15. 如申請專利範圍第12或13項之附載體銅箔，其中極薄銅層表面之Rt之平均值係利用接觸式粗糙度計依據JIS B0601-2001進行測定而為2.0μm以下，且Rt之標準偏差為0.1μm以下。
  16. 如申請專利範圍第12或13項之附載體銅箔，其中極薄銅層表面之Ra之平均值為0.15μm以下。
  17. 一種印刷配線板，其係使用申請專利範圍第1至16項中任一項之附載體銅箔而製成。
  18. 一種印刷電路板，其係使用申請專利範圍第1至16項中任一項之附載體銅箔而製成。
  19. 如申請專利範圍第17項之印刷配線板，其具有： 絕緣基板、及設置於上述絕緣基板上之銅電路，上述銅電路之電路寬度未達20μm，鄰接之銅電路間之間隙寬度未達20μm。
  20. 如申請專利範圍第17項之印刷配線板，其具有：絕緣基板、及設置於上述絕緣基板上之銅電路，上述銅電路之電路寬度為17μm以下，鄰接之銅電路間之間隙寬度為17μm以下。
  21. 如申請專利範圍第18項之印刷電路板，其具有：絕緣基板、及設置於上述絕緣基板上之銅電路，上述銅電路之電路寬度未達20μm，鄰接之銅電路間之間隙寬度未達20μm。
  22. 如申請專利範圍第18項之印刷電路板，其具有：絕緣基板、及設置於上述絕緣基板上之銅電路，上述銅電路之電路寬度為17μm以下，鄰接之銅電路間之間隙寬度為17μm以下。
  23. 如申請專利範圍第17項之印刷配線板，其中線與間隙之間距未達40μm。
  24. 如申請專利範圍第17項之印刷配線板，其中線與間隙之間距為34μm以下。
  25. 如申請專利範圍第18項之印刷電路板，其中線與間隙之間距未達40μm。
  26. 如申請專利範圍第18項之印刷電路板，其中線與間隙之間距為34μm以下。
  27. 一種覆銅積層板，其係使用申請專利範圍第1至16項中任一項之附載體銅箔而製造。
  28. 一種印刷配線板之製造方法，其包含如下步驟：準備申請專利範圍第1至16項中任一項之附載體銅箔與絕緣基板之步驟；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層之步驟；於將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後，經過將上述附載體銅箔之載體剝離之步驟而形成覆銅積層板，其後，藉由半加成法、減成法、部分加成法或改良半加成法中之任一種方法形成電路之步驟。
  29. 一種印刷配線板之製造方法，其包含如下步驟：於申請專利範圍第1至16項中任一項之附載體銅箔之上述極薄銅層側表面形成電路之步驟；以埋沒上述電路之方式於上述附載體銅箔之上述極薄銅層側表面形成樹脂層之步驟；於上述樹脂層上形成電路之步驟；於上述樹脂層上形成電路後，剝離上述載體；及藉由於剝離上述載體後去除上述極薄銅層，而使形成於上述極薄銅層側表面之埋沒於上述樹脂層之電路露出之步驟。
  30. 如申請專利範圍第29項之印刷配線板之製造方法，其中於上述樹脂層上形成電路之步驟係將另一附載體銅箔自極薄銅層側貼合於上述樹脂層上，使用貼合於上述樹脂層之附載體銅箔形成上述電路的步驟。
  31. 如申請專利範圍第30項之印刷配線板之製造方法，其中貼合於上述 樹脂層上之另一附載體銅箔為申請專利範圍第1至16項中任一項之附載體銅箔。
  32. 如申請專利範圍第29至31項中任一項之印刷配線板之製造方法，其中於上述樹脂層上形成電路之步驟係藉由半加成法、減成法、部分加成法或改良半加成法中之任一種方法進行。
  33. 如申請專利範圍第29至31項中任一項之印刷配線板之製造方法，其進一步包含於剝離載體前，於附載體銅箔之載體側表面形成基板的步驟。
TW102142237A 2012-11-20 2013-11-20 Attached copper foil TWI504504B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012254793 2012-11-20
JP2012271613A JP5286443B1 (ja) 2012-11-20 2012-12-12 キャリア付き銅箔
JP2013187783 2013-09-10

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201434622A true TW201434622A (zh) 2014-09-16
TWI504504B TWI504504B (zh) 2015-10-21

Family

ID=50776138

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW102142237A TWI504504B (zh) 2012-11-20 2013-11-20 Attached copper foil

Country Status (6)

Country Link
JP (1) JP2015078422A (zh)
KR (4) KR102015838B1 (zh)
CN (4) CN108277509A (zh)
PH (1) PH12015501129A1 (zh)
TW (1) TWI504504B (zh)
WO (1) WO2014080959A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI688063B (zh) * 2017-12-26 2020-03-11 日商Ｊｘ金屬股份有限公司 散熱用銅箔及散熱部件

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5746402B2 (ja) * 2013-06-13 2015-07-08 Jx日鉱日石金属株式会社 キャリア付銅箔、銅張積層板、プリント配線板、電子機器、及び、プリント配線板の製造方法
JP2017035843A (ja) * 2015-08-11 2017-02-16 日立化成株式会社 接着層付き金属箔、これを用いた金属張積層板および多層プリント配線板
CN107926121B (zh) 2015-08-11 2021-04-30 昭和电工材料株式会社 多层印刷布线板的制造方法、带粘接层的金属箔、覆金属的层叠板、多层印刷布线板
JP6204430B2 (ja) * 2015-09-24 2017-09-27 Ｊｘ金属株式会社 金属箔、離型層付き金属箔、積層体、プリント配線板、半導体パッケージ、電子機器及びプリント配線板の製造方法
CN106544709B (zh) * 2016-11-03 2019-04-05 山东金宝电子股份有限公司 一种提高电解铜箔高温防氧化性能的表面处理工艺
CN106757181B (zh) * 2016-11-16 2019-04-16 山东金宝电子股份有限公司 一种超薄载体铜箔的制备方法
CN106757245B (zh) * 2016-11-16 2019-05-21 山东金宝电子股份有限公司 一种黑化铜箔的表面处理工艺
JP7356209B2 (ja) * 2017-03-31 2023-10-04 Ｊｘ金属株式会社 表面処理銅箔、樹脂層付き表面処理銅箔、キャリア付銅箔、積層体、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法
KR102302184B1 (ko) * 2018-02-01 2021-09-13 에스케이넥실리스 주식회사 고온 치수 안정성 및 집합조직 안정성을 갖는 전해동박 및 그 제조방법
CN110079840A (zh) * 2019-04-26 2019-08-02 山东金宝电子股份有限公司 一种提高铜箔高温防氧化性能的表面处理混合添加剂
CN112226790B (zh) * 2020-10-19 2022-04-22 九江德福科技股份有限公司 一种超薄高强度电子铜箔的生产方法
TWI748769B (zh) * 2020-11-27 2021-12-01 臻鼎科技股份有限公司 高分子分散液及其製備方法、高分子複合膜及其應用
CN112792339A (zh) * 2020-12-23 2021-05-14 东莞市新饰界材料科技有限公司 钨合金薄片的制备方法
CN116745462A (zh) * 2021-03-25 2023-09-12 纳美仕有限公司 叠层体的制造方法
CN113286439A (zh) * 2021-07-22 2021-08-20 深圳市志金电子有限公司 一种内置引线电镀线路板制作方法

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR970006751B1 (ko) * 1993-12-13 1997-04-30 주식회사 코오롱 글라스 에폭시 적층판용 에폭시수지 조성물
JP4178415B2 (ja) 2002-07-04 2008-11-12 三井金属鉱業株式会社 キャリア箔付電解銅箔
JP3977790B2 (ja) * 2003-09-01 2007-09-19 古河サーキットフォイル株式会社 キャリア付き極薄銅箔の製造方法、及び該製造方法で製造された極薄銅箔、該極薄銅箔を使用したプリント配線板、多層プリント配線板、チップオンフィルム用配線基板
KR100852863B1 (ko) * 2004-02-17 2008-08-18 닛코킨조쿠 가부시키가이샤 흑화 처리 면 또는 층을 가지는 동박
JP4570070B2 (ja) * 2004-03-16 2010-10-27 三井金属鉱業株式会社 絶縁層形成用の樹脂層を備えたキャリア箔付電解銅箔、銅張積層板、プリント配線板、多層銅張積層板の製造方法及びプリント配線板の製造方法
TW200704833A (en) * 2005-06-13 2007-02-01 Mitsui Mining & Smelting Co Surface treated copper foil, process for producing surface treated copper foil, and surface treated copper foil with very thin primer resin layer
JP4429979B2 (ja) 2005-06-29 2010-03-10 古河電気工業株式会社 キャリア付き極薄銅箔及びキャリア付き極薄銅箔の製造方法
CN101297067A (zh) * 2005-10-31 2008-10-29 三井金属矿业株式会社 电解铜箔的制造方法、该制造方法得到的电解铜箔、使用该电解铜箔得到的表面处理铜箔以及使用该电解铜箔或该表面处理铜箔得到的覆铜层压板
JP2007146289A (ja) * 2005-10-31 2007-06-14 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 電解銅箔の製造方法、該製造方法で得られる電解銅箔、該電解銅箔を用いて得られる表面処理銅箔及び該電解銅箔又は該表面処理銅箔を用いて得られる銅張積層板
JP5129642B2 (ja) * 2007-04-19 2013-01-30 三井金属鉱業株式会社 表面処理銅箔及びその表面処理銅箔を用いて得られる銅張積層板並びにその銅張積層板を用いて得られるプリント配線板
JP5446864B2 (ja) * 2007-08-28 2014-03-19 住友ベークライト株式会社 多層プリント配線板用絶縁樹脂組成物、基材付き絶縁樹脂シート、多層プリント配線板及び半導体装置
EP2282622A4 (en) * 2008-05-26 2015-12-09 Mitsui Mining & Smelting Co RESIN COMPOSITION FOR FORMING THE HAFT LAYERS OF A MULTILAYER FLEXIBLE PCB
KR101570555B1 (ko) * 2008-07-31 2015-11-19 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 전기전자부품용 동합금 재료와 그 제조방법
CN102197088A (zh) * 2008-10-29 2011-09-21 住友电木株式会社 树脂组合物，树脂片材，半固化片，层叠板，多层印刷布线板及半导体装置
CN102365165A (zh) * 2009-03-25 2012-02-29 吉坤日矿日石金属株式会社 带电阻膜的金属箔及其制造方法
TWI498408B (zh) * 2009-07-14 2015-09-01 Ajinomoto Kk Attached film with copper foil
JP2010006071A (ja) 2009-08-21 2010-01-14 Furukawa Electric Co Ltd:The 表面処理銅箔、キャリア付き極薄銅箔、フレキシブル銅張積層板及びポリイミド系フレキシブルプリント配線板
TWI525221B (zh) * 2010-10-06 2016-03-11 Furukawa Electric Co Ltd Copper foil and its manufacturing method, carrier copper foil and its manufacturing method, printed circuit board and multilayer printed circuit board
CN102452197B (zh) * 2010-10-21 2014-08-20 财团法人工业技术研究院 附载箔铜箔及其制造方法
WO2012066991A1 (ja) * 2010-11-15 2012-05-24 Jx日鉱日石金属株式会社 電解銅箔
JP5481577B1 (ja) * 2012-09-11 2014-04-23 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 キャリア付き銅箔
TWI527687B (zh) * 2013-06-13 2016-04-01 Jx Nippon Mining & Metals Corp Production method of copper foil, copper clad laminate, printed wiring board, electronic machine, and printed wiring board

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI688063B (zh) * 2017-12-26 2020-03-11 日商Ｊｘ金屬股份有限公司 散熱用銅箔及散熱部件

Also Published As

Publication number Publication date
JP2015078422A (ja) 2015-04-23
CN110863221A (zh) 2020-03-06
KR102015838B1 (ko) 2019-08-29
WO2014080959A1 (ja) 2014-05-30
CN110117799A (zh) 2019-08-13
KR20190025739A (ko) 2019-03-11
KR102051787B1 (ko) 2019-12-03
KR20190103452A (ko) 2019-09-04
KR20150086541A (ko) 2015-07-28
CN108277509A (zh) 2018-07-13
PH12015501129A1 (en) 2015-08-03
TWI504504B (zh) 2015-10-21
KR101954051B1 (ko) 2019-03-05
KR20160145198A (ko) 2016-12-19
CN104812944B (zh) 2019-02-19
CN104812944A (zh) 2015-07-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI504504B (zh) Attached copper foil
TWI504788B (zh) Attached copper foil
TWI523756B (zh) Attached copper foil
TWI503454B (zh) Method for manufacturing copper foil, attached copper foil, printed wiring board, printed circuit board, copper clad sheet, and printed wiring board
TWI503456B (zh) Attached copper foil
TWI490113B (zh) Attached copper foil
WO2014065430A1 (ja) キャリア付銅箔、それを用いた銅張積層板、プリント配線板、プリント回路板、及び、プリント配線板の製造方法
JP2014193606A (ja) キャリア付銅箔、それを用いた銅張積層板、プリント配線板、それを用いた電子機器及びプリント配線板の製造方法
TWI503058B (zh) Attached copper foil
TWI551434B (zh) Fabricated copper foil, use of its copper-clad laminate, printed wiring board, printed circuit board and printed wiring board manufacturing method
JP2016146477A (ja) 表面処理銅箔、キャリア付銅箔、基材、樹脂基材、積層体、プリント配線板、電子機器の製造方法及びプリント配線板の製造方法
JP6377329B2 (ja) キャリア付銅箔、銅張積層板の製造方法、及び、プリント配線板の製造方法
JP6415033B2 (ja) キャリア付銅箔、銅張積層板の製造方法、及び、プリント配線板の製造方法
JP2015205481A (ja) キャリア付銅箔、銅張積層板、プリント配線板、電子機器及びプリント配線板の製造方法
TWI512151B (zh) A carrier copper foil, a method of manufacturing a carrier copper foil, a printed wiring board, and a printed circuit board
TWI526302B (zh) The copper foil of the attached carrier and the copper-clad laminate with the attached copper foil
JP2015078421A (ja) キャリア付銅箔、キャリア付銅箔の製造方法、プリント配線板、プリント回路板、銅張積層板、及び、プリント配線板の製造方法