CN104812944A

CN104812944A - 附载体铜箔

Info

Publication number: CN104812944A
Application number: CN201380060497.XA
Authority: CN
Inventors: 古曳伦也; 永浦友太; 坂口和彦
Original assignee: JX Nippon Mining and Metals Corp
Current assignee: JX Nippon Mining and Metals Corp
Priority date: 2012-11-20
Filing date: 2013-11-20
Publication date: 2015-07-29
Anticipated expiration: 2033-11-20
Also published as: KR20160145198A; KR20150086541A; KR20190025739A; CN104812944B; WO2014080959A1; KR102051787B1; PH12015501129A1; CN110863221A; KR101954051B1; JP2015078422A; TW201434622A; KR20190103452A; CN110117799A; KR102015838B1; TWI504504B; CN108277509A

Abstract

本发明提供一种适于形成细间距的附载体铜箔。本发明的附载体铜箔依序具备载体、剥离层、极薄铜层、及任意的树脂层，并且极薄铜层表面的Rz的平均值是利用接触式粗糙度计依据JIS B0601-1982进行测定而为1.5μm以下，且Rz的标准偏差为0.1μm以下。

Description

附载体铜箔

技术领域

本发明涉及一种附载体铜箔。更详细而言，本发明涉及一种用作印刷配线板的材料的附载体铜箔。

背景技术

印刷配线板通常是在将铜箔与绝缘基板接着而制成覆铜积层板后，经过通过蚀刻在铜箔面形成导体图案的步骤而制造。随着近年来电子机器的小型化、高性能化需求的增大，搭载零件的高密度安装化或信号的高频化进展，对于印刷配线板要求导体图案的微细化(细间距(fine pitch)化)或因应高频等。

因应细间距化，最近要求厚度9μm以下、进而厚度5μm以下的铜箔，但此种极薄的铜箔由于机械强度较低，在制造印刷配线板时容易破损或产生皱褶，故而出现了利用具有厚度的金属箔作为载体，对其隔着剥离层电镀极薄铜层而成的附载体铜箔。将极薄铜层的表面贴合在绝缘基板并进行热压接后，经由剥离层将载体剥离去除。通过在露出的极薄铜层上利用抗蚀剂形成电路图案后，以硫酸-过氧化氢系蚀刻剂将极薄铜层蚀刻去除的方法(MSAP：Modified-Semi-Additive-Process，改进半加成制造方法)而形成微细电路。

此处，对成为与树脂的接着面的附载体铜箔的极薄铜层的表面主要要求极薄铜层与树脂基材的剥离强度充足，并且在高温加热、湿式处理、焊接、化学处理等后亦可充分地保持其剥离强度。作为提高极薄铜层与树脂基材之间的剥离强度的方法，通常代表性的是在增大表面轮廓(凹凸、粗糙度)的极薄铜层上附着大量粗化粒子的方法。

然而，若在印刷配线板中尤其是必须形成微细的电路图案的半导体封装基板使用此种轮廓(凹凸、粗糙度)较大的极薄铜层，则会在电路蚀刻时残留不需要的铜粒子，产生电路图案间的绝缘不良等问题。

因此，在WO2004/005588号(专利文献1)中，尝试使用不对极薄铜层的表面实施粗化处理的附载体铜箔作为以半导体封装基板为代表的微细电路用途的附载体铜箔。此种不实施粗化处理的极薄铜层与树脂的密合性(剥离强度)因其低轮廓(凹凸、粗度、粗糙度)的影响而存在与通常的印刷配线板用铜箔相比降低的倾向。因此，对附载体铜箔要求进一步的改善。

因此，在日本特开2007-007937号公报(专利文献2)及日本特开2010-006071号公报(专利文献3)中，记载有在附载体极薄铜箔的与聚酰亚胺系树脂基板接触(接着)的面设置Ni层或/及Ni合金层、设置铬酸盐层、设置Cr层或/及Cr合金层、设置Ni层与铬酸盐层、及设置Ni层与Cr层。通过设置该等表面处理层，对于聚酰亚胺系树脂基板与附载体极薄铜箔的密合强度，可不进行粗化处理或降低粗化处理的程度(微细化)而获得所需的接着强度。进而，亦记载有以硅烷偶合剂进行表面处理或实施防锈处理。

[专利文献1]WO2004/005588号

[专利文献2]日本特开2007-007937号公报

[专利文献3]日本特开2010-006071号公报。

发明内容

[发明所欲解决的问题]

迄今为止，附载体铜箔的开发中将重心置于确保极薄铜层与树脂基材的剥离强度。因此，关于细间距化，尚未进行充分的研究，仍留有改善的余地。因此，本发明的课题在于提供一种适于形成细间距的附载体铜箔。具体而言，课题在于提供一种可形成与认为是迄今为止可以MSAP形成的极限的L/S＝20μm/20μm相比更微细的配线的附载体铜箔。

[解决问题的技术手段]

为达成上述目的，本发明人等反复进行努力研究，结果发现可通过将极薄铜层的表面低粗度化、及在极薄铜层使微细粗化粒子在面内均匀地形成，而形成均匀且低粗度的粗化处理面。并且，发现该附载体铜箔对形成细间距极有效果。

本发明是基于上述见解而完成的，在一方面中是一种附载体铜箔，其依序具备载体、剥离层、极薄铜层、及任意的树脂层者，并且极薄铜层表面的Rz的平均值是利用接触式粗糙度计依据JIS B0601-1982进行测定而为1.5μm以下，且Rz的标准偏差为0.1μm以下。

本发明在另一方面中是一种附载体铜箔，其依序具备载体、剥离层、极薄铜层、及任意的树脂层者，并且极薄铜层表面的Rt的平均值是利用接触式粗糙度计依据JISB0601-2001进行测定而为2.0μm以下，且Rt的标准偏差为0.1μm以下。

本发明在进而另一方面中是一种附载体铜箔，其依序具备载体、剥离层、极薄铜层、及任意的树脂层者，并且极薄铜层表面的Ra的平均值是利用接触式粗糙度计依据JISB0601-1982进行测定而为0.2μm以下，且Ra的标准偏差为0.03μm以下。

在本发明的附载体铜箔的一实施方案中，极薄铜层经粗化处理。

本发明在进而另一方面中是一种印刷配线板，其是使用本发明的附载体铜箔而制成。

本发明在进而另一方面中是一种印刷电路板，其是使用本发明的附载体铜箔而制成。

本发明在进而另一方面中是一种覆铜积层板，其是使用本发明的附载体铜箔而制成。

[发明的效果]

本发明的附载体铜箔适于形成细间距，例如，可形成较认为是可以MSAP步骤形成的极限的L/S＝20μm/20μm更微细的配线，例如L/S＝15μm/15μm的微细的配线。尤其是在本发明中，极薄铜层的表面粗糙度的面内均匀性较高，由此在利用MSAP法形成电路时的闪蚀中，面内均匀性变良好，因此可期待提高良率。

附图说明

图1是表示使用转筒的运箔方式的示意图。

图2是表示利用弯折(zigzag folding)的运箔方式的示意图。

图3是表示使用本发明的附载体铜箔的印刷配线板的制造方法的具体例的步骤A至C。

图4是表示使用本发明的附载体铜箔的印刷配线板的制造方法的具体例的步骤D至F。

图5是表示使用本发明的附载体铜箔的印刷配线板的制造方法的具体例的步骤G至I。

图6是表示使用本发明的附载体铜箔的印刷配线板的制造方法的具体例的步骤J至K。

具体实施方式

＜1.载体＞

可在本发明中使用的载体典型为金属箔或树脂膜，例如是以铜箔、铜合金箔、镍箔、镍合金箔、铁箔、铁合金箔、不锈钢箔、铝箔、铝合金箔、绝缘树脂膜(例如聚酰亚胺膜、液晶聚合物(LCP)膜、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)膜、聚酰胺膜、聚酯膜、氟树脂膜等)的形态提供。

作为可在本发明中使用的载体，优选为使用铜箔。典型而言，载体是以压延铜箔或电解铜箔的形态提供。通常，电解铜箔是在钛或不锈钢的转筒上将铜自硫酸铜镀浴中电解析出而制造，压延铜箔是重复进行利用压延辊的塑性加工及热处理而制造。作为铜箔的材料，除了精铜或无氧铜等高纯度铜以外，亦可使用例如掺Sn铜、掺Ag铜、添加有Cr、Zr或Mg等的铜合金、添加有Ni及Si等的卡逊系铜合金之类的铜合金。再者，在本说明书中，单独使用用语“铜箔”时，亦包含铜合金箔。

关于可在本发明中使用的载体的厚度，亦并无特别限制，只要在达到作为载体的作用效果上适当调节为适宜的厚度即可，例如可设为12μm以上。但是，若过厚，则生产成本提高，故而通常优选为设为70μm以下。因此，载体的厚度典型为12～70μm，更典型为18～35μm。

＜2.剥离层＞

在载体上设置剥离层。亦可在铜箔载体与剥离层之间设置其他层。作为剥离层，附载体铜箔可设置业者所知的任意剥离层。例如，剥离层优选为由包含Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn、或该等的合金、或该等的水合物、或该等的氧化物、或有机物中任一种以上的层形成。剥离层亦可由多个层构成。再者，剥离层可具有防扩散功能。此处，所谓防扩散功能，是具有防止来自母材的元素扩散至极薄铜层侧的作用。

在本发明的一实施方案中，剥离层是自载体侧由如下层所构成：由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn的元素群内的任一种元素所构成的单一金属层、或由选自Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn的元素群中的一种以上元素所构成的合金层(该等具有防扩散功能)、积层在其上的由选自Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn的元素群中的一种以上元素的水合物或氧化物或有机物所构成的层。

又，例如剥离层可自载体侧由如下层构成：由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn的元素群内的任一种元素所构成的单一金属层、或由选自Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn的元素群中的一种以上元素所构成的合金层，其次，由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn的元素群内的任一种元素所构成的单一金属层、或由选自Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn的元素群中的一种以上元素所构成的合金层。再者，各元素的合计附着量例如可设为1～6000μg/dm²。又，亦可在其他层使用可作为剥离层而使用的层构成。

剥离层优选为由Ni及Cr的2层构成。在此情形时，分别是Ni层以接触在与铜箔载体的界面的方式积层，而Cr层以接触在与极薄铜层的界面的方式积层。

剥离层例如可通过电镀、无电解镀敷及浸渍镀敷之类的湿式镀敷，或溅镀、CVD及PDV之类的干式镀敷而获得。就成本的观点而言，优选为电镀。

又，例如，剥离层可在载体上依序积层镍、镍-磷合金或镍-钴合金与铬而构成。镍与铜的接着力高于铬与铜的接着力，因此在剥离极薄铜层时，为在极薄铜层与铬的界面进行剥离。又，对剥离层的镍期待防止铜成分自载体扩散至极薄铜层的障壁效果。剥离层中的镍附着量优选为100μg/dm²以上且40000μg/dm²以下，更优选为100μg/dm²以上且4000μg/dm²以下，更优选为100μg/dm²以上且2500μg/dm²以下，更优选为100μg/dm²以上且未达1000μg/dm²，剥离层中的铬附着量优选为5μg/dm²以上且100μg/dm²以下。在仅在单面设置剥离层的情形时，优选为在与载体相反的面设置镀Ni层等防锈层。

再者，剥离层亦可设置在载体的两面。

＜3.极薄铜层＞

在剥离层上设置极薄铜层。亦可在剥离层与极薄铜层之间设置其他层。极薄铜层可通过利用有硫酸铜、焦磷酸铜、胺磺酸铜、氰化铜等的电解浴的电镀而形成，就使用通常的电解铜箔而可在高电流密度下形成铜箔的方面而言，优选为硫酸铜浴。极薄铜层的厚度并无特别限制，通常薄于载体，例如为12μm以下。典型为0.5～12μm，更典型为2～5μm。再者，极薄铜层亦可设置在载体的两面。又，亦可在其他层使用可作为剥离层而使用的层构成。

＜4.粗化处理＞

对于极薄铜层的表面，为了例如使与绝缘基板的密合性良好等，亦可通过实施粗化处理而设置粗化处理层。粗化处理例如可通过利用铜或铜合金形成粗化粒子而形成。就形成细间距的观点而言，粗化处理层优选为由微细的粒子构成。关于形成粗化粒子时的电镀条件，若提高电流密度、降低镀敷液中的铜浓度或增大库仑量，则有粒子进行微细化的倾向。

粗化处理层可由如下电镀粒构成：由选自由铜、镍、磷、钨、砷、钼、铬、钴及锌所组成的群中的任一者的单体或含有任1种以上的合金所构成。

在提高表面处理面的表面粗糙度的面内均匀性方面，固定地保持粗化处理层形成时的阳极-阴极间距离较为有效。并无限定，就工业生产的观点而言，通过将转筒等作为支持介质的运箔方式而确保固定的极间距离的方法较为有效。图1是表示该运箔方式的示意图。一面利用转筒支持以搬送辊搬送的载体铜箔，一面通过电解镀敷在极薄铜层表面形成粗化粒子层。利用转筒支持的载体铜箔的处理面兼具阴极，在该转筒与以与转筒对向的方式设置的阳极之间的镀敷液中进行各电解镀敷。另一方面，图2中记载有表示利用现有型的弯折的运箔方式的示意图。该方式因电解液以及运箔张力等影响而存在难以使阳极与阴极的距离固定的问题。再者，为了通过利用弯折的运箔方式而固定地保持粗化处理层形成时的阳极-阴极间距离，较现有者更提高用以运箔的张力、缩短搬送辊间的距离较为有效。

如图1所示，利用转筒的运箔方式不仅可用于粗化处理，亦可用于剥离层的形成及极薄铜层的形成。其原因在于可通过采用以转筒的运箔方式，而提高剥离层或极薄铜层的厚度精度。再者，为了通过利用弯折的运箔方式而固定地保持剥离层或极薄铜层形成时的阳极-阴极间距离，较现有者更提高用以运箔的张力、缩短搬送辊间的距离较为有效。

极间距离并无限定，若过长，则生产成本提高，另一方面，若过短，则面内不均容易变大，因此通常优选为3～100mm，更优选为5～80mm。

又，可在经粗化处理后，由镍、钴、铜、锌的单体或合金等形成二次粒子或三次粒子及/或防锈层，进而对其表面实施铬酸盐处理、硅烷偶合处理等处理。即，可在粗化处理层的表面形成选自由防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶合处理层所组成的群中的1种以上层，亦可在极薄铜层的表面不进行粗化处理而形成选自由防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶合处理层所组成的群中的1种以上层。再者，该等表面处理对极薄铜层的表面粗糙度几乎无影响。

极薄铜层表面(在实施粗化处理等各种表面处理的情形时是指表面处理后的极薄铜层的表面(亦称为“表面处理面”))是在利用接触式粗糙度计依据JIS B0601-1982进行测定时，将Rz(十点平均粗糙度)的平均值设为1.5μm以下，该情况就形成细间距的观点而言极为有利。Rz的平均值优选为1.4μm以下，更优选为1.3μm以下，更优选为1.2μm以下，更优选为1.0μm以下，更优选为0.8μm以下。但是，若Rz的平均值过小，则与树脂的密合力降低，就此方面而言，优选为0.01μm以上，更优选为0.1μm以上，进而更优选为0.3μm以上，最优选为0.5μm以上。

在本发明中，Rz的平均值是采用通过以下所述的方法求出Rz的标准偏差时获得的各Rz的平均值。在本发明中，进而，可将极薄铜层表面的Rz的标准偏差设为0.1μm以下，优选为可设为0.05μm以下，例如可设为0.01～0.7μm。极薄铜层表面的Rz的标准偏差是根据面内100点测定资料而求出。再者，面内100点的测定资料是通过将550mm见方片材在纵方向、横方向上分别分割成10个部分，并测定100个部分分割区域的各中央部而获得。本申请是为了保持面内均匀性而使用该方法，但验证方法并不限定在此。例如，即便将通常使用的550mm×440mm～400mm×200mm等大小的样品在面内分割成100个部分(纵横分割成10个部分)，亦可采取相同资料。

又，就细间距形成的观点而言，极薄铜层表面理想为在利用接触式粗糙度计依据JISB0601-2001测定时，将Rt(最大剖面高度)的平均值设为2.0μm以下、优选为1.8μm以下、优选为1.5μm以下、优选为1.3μm以下、优选为1.1μm以下。但是，若Rt的平均值变得过小，则与树脂的密合力降低，就此方面而言，优选为0.5μm以上，更优选为0.6μm以上，进而更优选为0.8μm以上。在本发明中，Rt的平均值是采用通过以下所述的方法求出Rt的标准偏差时获得的各Rt的平均值。

在本发明中，进而，可将极薄铜层表面的Rt的标准偏差设为0.1μm以下，优选为可设为0.05μm以下，例如可设为0.01～0.6μm。极薄铜层表面的Rt标准偏差是与Rz同样地通过面内100点的测定资料而求出。

又，就细间距形成的观点而言，极薄铜层表面理想为在利用接触式粗糙度计依据JISB0601-1982测定时，将Ra(算术平均粗糙度)的平均值设为0.2μm以下，更优选设为0.18μm以下，优选设为0.15μm以下。但是，若Ra的平均值过小，则与树脂的密合力降低，就此方面而言，优选为0.01μm以上，更优选为0.05μm以上，进而更优选为0.12μm以上，最优选为0.13μm以上。在本发明中，Ra的平均值是采用通过以下所述的方法求出Ra的标准偏差时获得的各Ra的平均值。

在本发明中，进而，可将极薄铜层表面的Ra标准偏差设为0.03μm以下，优选为可设为0.02μm以下，例如可设为0.001～0.03μm。极薄铜层表面的Ra的标准偏差是与Rz同样地根据面内100点的测定资料而求出。

再者，在将树脂等绝缘基板或树脂层接着于附有树脂层的附载体铜箔、印刷配线板或覆铜积层板等、极薄铜层表面的情形时，将绝缘基板熔融而去除，由此可对铜电路或铜箔表面测定上述表面粗糙度(Ra、Rt、Rz)。

＜5.其他表面处理＞

在经粗化处理后，可利用镍、钴、铜、锌的单体或合金等形成耐热层或防锈层，进而对其表面实施铬酸盐处理、硅烷偶合处理等处理。或者，亦可不进行粗化处理而利用镍、钴、铜、锌的单体或合金等形成耐热层或防锈层，进而对其表面实施铬酸盐处理、硅烷偶合处理等处理。即，可在粗化处理层的表面形成选自由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶合处理层所组成的群中的1种以上的层，亦可在极薄铜层的表面形成选自由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶合处理层所组成的群中的1种以上的层。再者，上述耐热层、防锈层、铬酸盐处理层、硅烷偶合处理层可分别由例如2层以上、3层以上等多个层所形成。

作为耐热层、防锈层，可使用公知的耐热层、防锈层。例如，耐热层及/或防锈层可为含有选自镍、锌、锡、钴、钼、铜、钨、磷、砷、铬、钒、钛、铝、金、银、铂族元素、铁、钽的群中的1种以上元素的层，亦可为由选自镍、锌、锡、钴、钼、铜、钨、磷、砷、铬、钒、钛、铝、金、银、铂族元素、铁、钽的群中的1种以上元素所构成的金属层或合金层。又，耐热层及/或防锈层亦可包含含有选自镍、锌、锡、钴、钼、铜、钨、磷、砷、铬、钒、钛、铝、金、银、铂族元素、铁、钽的群中的1种以上元素的氧化物、氮化物、硅化物。又，耐热层及/或防锈层可为含有镍-锌合金的层。又，耐热层及/或防锈层亦可为镍-锌合金层。上述镍-锌合金层可为除了不可避免的杂质以外，含有镍50wt％～99wt％、及锌50wt％～1wt％者。上述镍-锌合金层的锌及镍的合计附着量可为5～1000mg/m²，优选为10～500mg/m²，优选为20～100mg/m²。又，上述包含镍-锌合金的层或上述镍-锌合金层的镍附着量与锌附着量的比(＝镍的附着量/锌的附着量)优选为1.5～10。又，上述包含镍-锌合金的层或上述镍-锌合金层的镍附着量优选为0.5mg/m²～500mg/m²，更优选为1mg/m²～50mg/m²。在耐热层及/或防锈层为包含镍-锌合金的层时，在使通孔或导孔(viahole)等的内壁部与除胶渣液接触时，铜箔与树脂基板的界面不易被除胶渣液腐蚀，铜箔与树脂基板的密合性提高。

例如耐热层及/或防锈层可为依序积层附着量为1mg/m²～100mg/m²、优选为5mg/m²～50mg/m²的镍或镍合金层、与附着量为1mg/m²～80mg/m²、优选为5mg/m²～40mg/m²的锡层而成者，上述镍合金层可由镍-钼、镍-锌、镍-钼-钴中的任一种构成。又，耐热层及/或防锈层优选为镍或镍合金与锡的合计附着量为2mg/m²～150mg/m²，更优选为10mg/m²～70mg/m²。又，耐热层及/或防锈层优选为[镍或镍合金中的镍附着量]/[锡附着量]＝0.25～10，更优选为0.33～3。若使用该耐热层及/或防锈层，则将附载体铜箔加工成印刷配线板，以后的电路的剥离强度、该剥离强度的耐化学品性劣化率等会变得良好。

再者，用于硅烷偶合处理的硅烷偶合剂可使用公知的硅烷偶合剂，亦可使用例如胺基系硅烷偶合剂或环氧系硅烷偶合剂、巯基系硅烷偶合剂。又，硅烷偶合剂亦可使用乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基苯基三甲氧基硅烷、γ-甲基丙烯氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-缩水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷、4-缩水甘油基丁基三甲氧基硅烷、γ-胺基丙基三乙氧基硅烷、N-β-(胺基乙基)-γ-胺基丙基三甲氧基硅烷、N-3-(4-(3-胺基丙氧基)丁氧基)丙基-3-胺基丙基三甲氧基硅烷、咪唑硅烷、三嗪硅烷、γ-巯基丙基三甲氧基硅烷等。

上述硅烷偶合处理层可使用环氧系硅烷、胺基系硅烷、甲基丙烯氧基系硅烷、巯基系硅烷等硅烷偶合剂等而形成。再者，此种硅烷偶合剂亦可混合使用2种以上。其中，优选为使用胺基系硅烷偶合剂或环氧系硅烷偶合剂而形成者。

此处所谓胺基系硅烷偶合剂，可为选自由N-(2-胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基硅烷、3-(N-苯乙烯基甲基-2-胺基乙基胺基)丙基三甲氧基硅烷、3-胺基丙基三乙氧基硅烷、双(2-羟基乙基)-3-胺基丙基三乙氧基硅烷、胺基丙基三甲氧基硅烷、N-甲基胺基丙基三甲氧基硅烷、N-苯基胺基丙基三甲氧基硅烷、N-(3-丙烯氧基-2-羟基丙基)-3-胺基丙基三乙氧基硅烷、4-胺基丁基三乙氧基硅烷、(胺基乙基胺基甲基)苯乙基三甲氧基硅烷、N-(2-胺基乙基-3-胺基丙基)三甲氧基硅烷、N-(2-胺基乙基-3-胺基丙基)三(2-乙基己氧基)硅烷、6-(胺基己基胺基丙基)三甲氧基硅烷、胺基苯基三甲氧基硅烷、3-(1-胺基丙氧基)-3,3-二甲基-1-丙烯基三甲氧基硅烷、3-胺基丙基三(甲氧基乙氧基乙氧基)硅烷、3-胺基丙基三乙氧基硅烷、3-胺基丙基三甲氧基硅烷、ω-胺基十一烷基三甲氧基硅烷、3-(2-N-苄基胺基乙基胺基丙基)三甲氧基硅烷、双(2-羟基乙基)-3-胺基丙基三乙氧基硅烷、(N,N-二乙基-3-胺基丙基)三甲氧基硅烷、(N,N-二甲基-3-胺基丙基)三甲氧基硅烷、N-甲基胺基丙基三甲氧基硅烷、N-苯基胺基丙基三甲氧基硅烷、3-(N-苯乙烯基甲基-2-胺基乙基胺基)丙基三甲氧基硅烷、γ-胺基丙基三乙氧基硅烷、N-β-(胺基乙基)-γ-胺基丙基三甲氧基硅烷、N-3-(4-(3-胺基丙氧基)丁氧基)丙基-3-胺基丙基三甲氧基硅烷所组成的群中者。

硅烷偶合处理层理想为以硅原子换算设定为0.05mg/m²～200mg/m²、优选为0.15mg/m²～20mg/m²、优选为0.3mg/m²～2.0mg/m²的范围。在上述范围的情形时，可进一步提高基材树脂与表面处理铜箔的密合性。

又，可对极薄铜层、粗化处理层、耐热层、防锈层、硅烷偶合处理层或铬酸盐处理层的表面进行国际公开编号WO2008/053878、日本特开2008-111169号、日本专利第5024930号、国际公开编号WO2006/028207、日本专利第4828427号、国际公开编号WO2006/134868、日本专利第5046927号、国际公开编号WO2007/105635、日本专利第5180815号、或日本特开2013-19056号中所记载的表面处理。

[极薄铜层上的树脂层]

可在本发明的附载体铜箔的极薄铜层(在对极薄铜层进行表面处理的情形时，是指通过该表面处理形成在极薄铜层上的表面处理层)上具备树脂层。上述树脂层亦可为绝缘树脂层。

上述树脂层可为接着用树脂、即接着剂，亦可为接着用半硬化状态(B阶段状态)的绝缘树脂层。半硬化状态(B阶段状态)包含如下状态：即便用手指触摸其表面亦无粘着感，可重迭地保管该绝缘树脂层，若进而进行加热处理，则会引起硬化反应。

又，上述树脂层可含有热硬化性树脂，亦可为热塑性树脂。又，上述树脂层亦可含有热塑性树脂。上述树脂层可含有公知的树脂、树脂硬化剂、化合物、硬化促进剂、介电体、反应催化剂、交联剂、聚合物、预浸体、骨架材料等。又，上述树脂层例如可使用如下文献中所记载的物质(树脂、树脂硬化剂、化合物、硬化促进剂、介电体、反应催化剂、交联剂、聚合物、预浸体、骨架材料等)及/或树脂层的形成方法、形成装置而形成：国际公开编号WO2008/004399号、国际公开编号WO2008/053878、国际公开编号WO2009/084533、日本特开平11-5828号、日本特开平11-140281号、日本专利第3184485号、国际公开编号WO97/02728、日本专利第3676375号、日本特开2000-43188号、日本专利第3612594号、日本特开2002-179772号、日本特开2002-359444号、日本特开2003-304068号、日本专利第3992225号、日本特开2003-249739号、日本专利第4136509号、日本特开2004-82687号、日本专利第4025177号、日本特开2004-349654号、日本专利第4286060号、日本特开2005-262506号、日本专利第4570070号、日本特开2005-53218号、日本专利第3949676号、日本专利第4178415号、国际公开编号WO2004/005588、日本特开2006-257153号、日本特开2007-326923号、日本特开2008-111169号、日本专利第5024930号、国际公开编号WO2006/028207、日本专利第4828427号、日本特开2009-67029号、国际公开编号WO2006/134868、日本专利第5046927号、日本特开2009-173017号、国际公开编号WO2007/105635、日本专利第5180815号、国际公开编号WO2008/114858、国际公开编号WO2009/008471、日本特开2011-14727号、国际公开编号WO2009/001850、国际公开编号WO2009/145179、国际公开编号WO2011/068157、日本特开2013-19056号。

又，上述树脂层的种类并无特别限定，作为优选者，例如可列举含有选自如下成分的群中的一种以上的树脂：环氧树脂、聚酰亚胺树脂、多官能性氰酸酯化合物、马来酰亚胺化合物、聚马来酰亚胺化合物、马来酰亚胺系树脂、芳香族马来酰亚胺树脂、聚乙烯乙醛树脂、胺基甲酸酯树脂、聚醚砜(亦称为polyethersulphone、polyethersulfone)、聚醚砜(亦称为polyethersulphone、polyethersulfone)树脂、芳香族聚酰胺树脂、芳香族聚酰胺树脂聚合物、橡胶性树脂、聚胺、芳香族聚胺、聚酰胺酰亚胺树脂、橡胶改质环氧树脂、苯氧基树脂、羧基改质丙烯腈-丁二烯树脂、聚苯醚、双马来酰亚胺三嗪树脂、热硬化性聚苯醚树脂、氰酸酯酯系树脂、羧酸的酸酐、多元羧酸的酸酐、具有可交联的官能基的线状聚合物、聚苯醚树脂、2,2-双(4-氰酸酯基苯基)丙烷、含磷的酚化合物、环烷酸锰、2,2-双(4-缩水甘油基苯基)丙烷、聚苯醚-氰酸酯系树脂、硅氧烷改质聚酰胺酰亚胺树脂、氰酯树脂、膦腈系树脂、橡胶改质聚酰胺酰亚胺树脂、异戊二烯、氢化型聚丁二烯、聚乙烯丁醛、苯氧基、高分子环氧树脂、芳香族聚酰胺、氟树脂、双酚、嵌段共聚聚酰亚胺树脂及氰酯树脂。

又，上述环氧树脂是分子内具有2个以上环氧基者，并且只要为可用于电性、电子材料用途者则可完全无问题地使用。又，上述环氧树脂优选为使用分子内具有2个以上缩水甘油基的化合物进行环氧化而成的环氧树脂。又，可将选自由如下成分所组成的群中的1种或2种以上混合而使用：双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、双酚S型环氧树脂、双酚AD型环氧树脂、酚醛清漆型环氧树脂、甲酚酚醛清漆型环氧树脂、脂环式环氧树脂、溴化(brominated)环氧树脂、酚系酚醛清漆型环氧树脂、萘型环氧树脂、溴化双酚A型环氧树脂、邻甲酚酚醛清漆型环氧树脂、橡胶改质双酚A型环氧树脂、缩水甘油胺型环氧树脂、异氰尿酸三缩水甘油酯、N,N-二缩水甘油基苯胺等缩水甘油胺化合物、四氢邻苯二甲酸二缩水甘油酯等缩水甘油酯化合物、含磷的环氧树脂、联苯型环氧树脂、联苯酚醛清漆型环氧树脂、三羟基苯基甲烷型环氧树脂、四苯基乙烷型环氧树脂，或者可使用上述环氧树脂的氢化体或卤化体。

可使用公知的含有磷的环氧树脂作为上述含磷的环氧树脂。又，上述含磷的环氧树脂优选为例如分子内具备2个以上环氧基的以自9,10-二氢-9-氧杂-10-磷杂菲-10-氧化物(9,10-dihydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide)的衍生物的形式获得的环氧树脂。

该以自9,10-二氢-9-氧杂-10-磷杂菲-10-氧化物的衍生物的形式获得的环氧树脂，是使9,10-二氢-9-氧杂-10-磷杂菲-10-氧化物与萘醌或对苯二酚反应而制成以下化学式1(HCA-NQ)或化学式2(HCA-HQ)所表示的化合物后，使其OH基的部分与环氧树脂反应而制成含磷的环氧树脂。

[化学式1]

[化学式2]

获得上述化合物作为原料的上述E成分即含磷的环氧树脂优选为混合使用1种或2种具备以下所表示的化学式3～化学式5中的任一者所表示的结构式的化合物。其原因在于半硬化状态下的树脂品质的稳定性优异，同时难燃性效果较高。

[化学式3]

[化学式4]

[化学式5]

又，作为上述溴化(brominated)环氧树脂，可使用公知的经溴化(brominated)的环氧树脂。例如，上述溴化(brominated)环氧树脂优选为混合使用1种或2种分子内具备2个以上环氧基的具备以自四溴双酚A的衍生物的形式获得的化学式6所表示的结构式的溴化环氧树脂、及具备以下所示的化学式7所表示的结构式的溴化环氧树脂。

[化学式6]

[化学式7]

作为上述马来酰亚胺系树脂或芳香族马来酰亚胺树脂或马来酰亚胺化合物或聚马来酰亚胺化合物，可使用公知的马来酰亚胺系树脂或芳香族马来酰亚胺树脂或马来酰亚胺化合物或聚马来酰亚胺化合物。例如，作为马来酰亚胺系树脂或芳香族马来酰亚胺树脂或马来酰亚胺化合物或聚马来酰亚胺化合物，可使用：4,4'-二苯基甲烷双马来酰亚胺、聚苯基甲烷马来酰亚胺、间伸苯基双马来酰亚胺、双酚A二苯醚双马来酰亚胺、3,3'-二甲基-5,5'-二乙基-4,4'-二苯基甲烷双马来酰亚胺、4-甲基-1,3-伸苯基双马来酰亚胺、4,4'-二苯醚双马来酰亚胺、4,4'-二苯基砜双马来酰亚胺、1,3-双(3-马来酰亚胺苯氧基)苯、1,3-双(4-马来酰亚胺苯氧基)苯、以及使上述化合物与上述化合物或其他化合物聚合而成的聚合物等。又，上述马来酰亚胺系树脂可为分子内具有2个以上马来酰亚胺基的芳香族马来酰亚胺树脂，亦可为使分子内具有2个以上马来酰亚胺基的芳香族马来酰亚胺树脂与聚胺或芳香族聚胺聚合而成的聚合加成物。

作为上述聚胺或芳香族聚胺，可使用公知的聚胺或芳香族聚胺。例如，作为聚胺或芳香族聚胺，可使用：间苯二胺、对苯二胺、4,4'-二胺基二环己基甲烷、1,4-二胺基环己烷、2,6-二胺基吡啶、4,4'-二胺基二苯基甲烷、2,2-双(4-胺基苯基)丙烷、4,4'-二胺基二苯醚、4,4'-二胺基-3-甲基二苯醚、4,4'-二胺基二苯硫醚、4,4'-二胺基二苯甲酮、4,4'-二胺基二苯基砜、双(4-胺基苯基)苯基胺、间苯二甲胺、对苯二甲胺、1,3-双[4-胺基苯氧基]苯、3-甲基-4,4'-二胺基二苯基甲烷、3,3'-二乙基-4,4'-二胺基二苯基甲烷、3,3'-二氯-4,4'-二胺基二苯基甲烷、2,2',5,5'-四氯-4,4'-二胺基二苯基甲烷、2,2-双(3-甲基-4-胺基苯基)丙烷、2,2-双(3-乙基-4-胺基苯基)丙烷、2,2-双(2,3-二氯-4-胺基苯基)丙烷、双(2,3-二甲基-4-胺基苯基)苯基乙烷、乙二胺及己二胺、2,2-双(4-(4-胺基苯氧基)苯基)丙烷、以及使上述化合物与上述化合物或其他化合物聚合而成的聚合物等。又，可使用一种或两种以上公知的聚胺及/或芳香族聚胺或上述聚胺或芳香族聚胺。

作为上述苯氧基树脂，可使用公知的苯氧基树脂。又，作为上述苯氧基树脂，可使用通过双酚与2价环氧树脂的反应所合成者。作为环氧树脂，可使用公知的环氧树脂及/或上述环氧树脂。

作为上述双酚，可使用公知的双酚，又，可使用以双酚A、双酚F、双酚S、四溴双酚A、4,4'-二羟基联苯、HCA(9,10-Dihydro-9-Oxa-10-Phosphaphenanthrene-10-Oxide)与氢醌、萘醌等醌类的加成物的形式获得的双酚等。

作为上述具有可交联的官能基的线状聚合物，可使用公知的具有可交联的官能基的线状聚合物。例如，上述具有可交联的官能基的线状聚合物优选为具备羟基、羧基等有助于环氧树脂的硬化反应的官能基。并且，该具有可交联的官能基的线状聚合物优选为可溶解于沸点为50℃～200℃温度的有机溶剂。若具体地例示此处所谓具有官能基的线状聚合物，则为聚乙烯乙醛树脂、苯氧基树脂、聚醚砜树脂、聚酰胺酰亚胺树脂等。

上述树脂层可含有交联剂。交联剂可使用公知的交联剂。例如可使用胺基甲酸酯系树脂作为交联剂。

上述橡胶性树脂可使用公知的橡胶性树脂。例如，上述橡胶性树脂系记载为包含天然橡胶及合成橡胶在内的概念，后者的合成橡胶中有苯乙烯-丁二烯橡胶、丁二烯橡胶、丁基橡胶、乙烯-丙烯橡胶、丙烯腈丁二烯橡胶、丙烯酸系橡胶(丙烯酸酯共聚物)、聚丁二烯橡胶、异戊二烯橡胶等。进而，在确保所形成的树脂层的耐热性时，选择使用腈橡胶、氯丁二烯橡胶、硅橡胶、胺基甲酸酯橡胶等具备耐热性的合成橡胶亦有用。关于该等橡胶性树脂，为了与芳香族聚酰胺树脂或聚酰胺酰亚胺树脂反应而制造共聚物，较理想为在两末端具备各种官能基。尤其，使用CTBN(羧基末端丁二烯腈)较为有用。又，若在丙烯腈丁二烯橡胶之中亦为羧基改质体，则可获得环氧树脂与交联结构，而提高硬化后的树脂层的可挠性。作为羧基改质体，可使用羧基末端丁腈橡胶(CTBN)、羧基末端丁二烯橡胶(CTB)、羧基改质丁腈橡胶(C-NBR)。

作为上述聚酰胺酰亚胺树脂，可使用公知的聚酰亚胺酰胺树脂。又，作为上述聚酰亚胺酰胺树脂，例如可使用：通过在N-甲基-2-吡咯啶酮或/及N,N-二甲基乙酰胺等溶剂中对苯偏三酸酐、二苯甲酮四羧酸酐及伸联甲苯二异氰酸酯(bitolylene diisocyanate)进行加热而获得的树脂，或者通过在N-甲基-2-吡咯啶酮或/及N,N-二甲基乙酰胺等溶剂中对苯偏三酸酐、二苯基甲烷二异氰酸酯及羧基末端丙烯腈-丁二烯橡胶进行加热而获得者。

作为上述橡胶改质聚酰胺酰亚胺树脂，可使用公知的橡胶改质聚酰胺酰亚胺树脂。橡胶改质聚酰胺酰亚胺树脂系使聚酰胺酰亚胺树脂与橡胶性树脂反应而得者。使聚酰胺酰亚胺树脂与橡胶性树脂反应而使用的情况是为了提高聚酰胺酰亚胺树脂本身的柔软性而进行。即，使聚酰胺酰亚胺树脂与橡胶性树脂反应，将聚酰胺酰亚胺树脂的酸成分(环己烷二羧酸等)的一部分取代为橡胶成分。聚酰胺酰亚胺树脂可使用公知的聚酰胺酰亚胺树脂。又，橡胶性树脂可使用公知的橡胶性树脂或上述橡胶性树脂。在使橡胶改质聚酰胺酰亚胺树脂聚合时，用于溶解聚酰胺酰亚胺树脂与橡胶性树脂的溶剂优选为混合使用1种或2种以上二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、N-甲基-2-吡咯啶酮、二甲基亚砜、硝基甲烷、硝基乙烷、四氢呋喃、环己酮、甲基乙基酮、乙腈、γ-丁内酯等。

作为上述膦腈系树脂，可使用公知的膦腈系树脂。膦腈系树脂是含有以磷及氮为构成元素的具有双键的膦腈的树脂。膦腈系树脂可通过分子中的氮与磷的协同效果，而飞跃性地提高难燃性能。又，与9,10-二氢-9-氧杂-10-磷杂菲-10-氧化物衍生物不同，可获得稳定地存在于树脂中而防止产生迁移的效果。

作为上述氟树脂，可使用公知的氟树脂。又，作为氟树脂，例如可使用由选自PTFE(聚四氟乙烯(四氟化))、PFA(四氟乙烯-全氟烷基乙烯醚共聚物)、FEP(四氟乙烯-六氟丙烯共聚物(四、六氟化))、ETFE(四氟乙烯-乙烯共聚物)、PVDF(聚偏二氟乙烯(二氟化))、PCTFE(聚氯三氟乙烯(三氟化))、聚芳砜、芳香族多硫化物及芳香族聚醚中的任意至少1种的热塑性树脂与氟树脂所构成的氟树脂等。

又，上述树脂层可含有树脂硬化剂。作为树脂硬化剂，可使用公知的树脂硬化剂。例如，作为树脂硬化剂，可使用二氰基二酰胺、咪唑类、芳香族胺等胺类、双酚A、溴化双酚A等酚类、酚系酚醛清漆树脂及甲酚酚醛清漆树脂等酚醛清漆类、苯二甲酸酐等酸酐、联苯型酚系树脂、苯酚芳烷基型酚系树脂等。又，上述树脂层亦可含有1种或2种以上的上述树脂硬化剂。该等硬化剂对环氧树脂尤其有效。

将上述联苯型酚系树脂的具体例示于化学式8。

[化学式8]

又，将上述苯酚芳烷基型酚系树脂的具体例示于化学式9。

[化学式9]

作为咪唑类，可使用公知者，例如可列举：2-十一烷基咪唑、2-十七烷基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-十一烷基咪唑、1-氰基乙基-2-乙基-4-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-苯基咪唑、2-苯基-4,5-二羟基甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羟基甲基咪唑等，可单独或混合使用该等。

又，其中，优选为使用具备以下的化学式10所表示的结构式的咪唑类。通过使用该化学式10所表示的结构式的咪唑类，可显著地提高半硬化状态的树脂层的耐吸湿性，使长期保存稳定性优异。其原因在于，咪唑类系在环氧树脂的硬化时发挥催化性作用，其在硬化反应的初期阶段是作为引起环氧树脂的自聚合反应的反应起始剂而发挥作用。

[化学式10]

作为上述胺类的树脂硬化剂，可使用公知的胺类。又，作为上述胺类的树脂硬化剂，例如可使用上述聚胺或芳香族聚胺，又，亦可使用选自芳香族聚胺、聚酰胺类及使该等与环氧树脂或多元羧酸聚合或缩合而获得的胺加成物的群中的1种或2种以上。又，作为上述胺类的树脂硬化剂，优选为使用4,4'-二胺基二伸苯基砜、3,3'-二胺基二伸苯基砜、4,4-二胺基联苯、2,2-双[4-(4-胺基苯氧基)苯基]丙烷或双[4-(4-胺基苯氧基)苯基]砜中任一种以上。

上述树脂层可含有硬化促进剂。作为硬化促进剂，可使用公知的硬化促进剂。例如，作为硬化促进剂，可使用三级胺、咪唑、脲系硬化促进剂等。

上述树脂层可含有反应催化剂。作为反应催化剂，可使用公知的反应催化剂。例如，可使用微粉碎二氧化硅、三氧化锑等作为反应催化剂。

上述多元羧酸的酸酐优选作为环氧树脂的硬化剂发挥作用的成分。又，上述多元羧酸的酸酐优选为苯二甲酸酐、马来酸酐、苯偏三酸酐、均苯四甲酸酐、四羟基苯二甲酸酐、六羟基苯二甲酸酐、甲基六羟基苯二甲酸酐、纳迪克酸(nadic acid)、甲基纳迪克酸。

上述热塑性树脂可为具有可与环氧树脂聚合的醇性羟基以外的官能基的热塑性树脂。

上述聚乙烯乙醛树脂可具有羟基及羟基以外的可与环氧树脂或马来酰亚胺化合物聚合的官能基。又，上述聚乙烯乙醛树脂可为在其分子内导入羧基、胺基或不饱和双键而成者。

作为上述芳香族聚酰胺树脂聚合物，可列举使芳香族聚酰胺树脂与橡胶性树脂反应而获得者。此处，所谓芳香族聚酰胺树脂，是指通过芳香族二胺与二羧酸的缩聚合而合成者。此时的芳香族二胺使用4,4'-二胺基二苯基甲烷、3,3'-二胺基二苯基砜、间苯二甲胺、3,3'-二胺基二苯醚等。并且，二羧酸使用苯二甲酸、异苯二甲酸、对苯二甲酸、富马酸等。

所谓可与上述芳香族聚酰胺树脂反应的上述橡胶性树脂，可使用公知的橡胶性树脂或上述橡胶性树脂。

该芳香族聚酰胺树脂聚合物是为了在对加工成覆铜积层板后的铜箔进行蚀刻加工时，不会因蚀刻液受到由底蚀引起的损伤而使用者。

又，上述树脂层可为自铜箔侧(即附载体铜箔的极薄铜层侧)依序形成有硬化树脂层(所谓“硬化树脂层”是表示硬化完成的树脂层)、与半硬化树脂层的树脂层。上述硬化树脂层亦可由热膨胀系数为0ppm/℃～25ppm/℃的聚酰亚胺树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、该等的复合树脂中的任一树脂成分构成。

又，可在上述硬化树脂层上设置硬化后的热膨胀系数为0ppm/℃～50ppm/℃的半硬化树脂层。又，使上述硬化树脂层与上述半硬化树脂层硬化后的树脂层整体的热膨胀系数可为40ppm/℃以下。上述硬化树脂层的玻璃转移温度可为300℃以上。又，上述半硬化树脂层亦可为使用马来酰亚胺系树脂或芳香族马来酰亚胺树脂而形成者。用以形成上述半硬化树脂层的树脂组成物优选为包含马来酰亚胺系树脂、环氧树脂、具有可交联的官能基的线状聚合物。环氧树脂可使用公知的环氧树脂或本说明书中所记载的环氧树脂。又，作为马来酰亚胺系树脂、芳香族马来酰亚胺树脂、具有可交联的官能基的线状聚合物，可使用公知的马来酰亚胺系树脂、芳香族马来酰亚胺树脂、具有可交联的官能基的线状聚合物，或上述马来酰亚胺系树脂、芳香族马来酰亚胺树脂、具有可交联的官能基的线状聚合物。

又，在提供一种适于立体成型印刷配线板制造用途的具有树脂层的附载体铜箔时，上述硬化树脂层优选为经硬化的具有可挠性的高分子聚合物层。上述高分子聚合物层为了能够承受焊料安装步骤，优选为由具有150℃以上的玻璃转移温度的树脂所构成者。上述高分子聚合物层优选为由聚酰胺树脂、聚醚砜树脂、芳族聚酰胺树脂、苯氧基树脂、聚酰亚胺树脂、聚乙烯乙醛树脂、聚酰胺酰亚胺树脂中的任1种或2种以上的混合树脂构成。又，上述高分子聚合物层的厚度优选为3μm～10μm。

又，上述高分子聚合物层优选为含有环氧树脂、马来酰亚胺系树脂、酚系树脂、胺基甲酸酯树脂中的任1种或2种以上。又，上述半硬化树脂层优选为由厚度为10μm～50μm的环氧树脂组成物所构成。

又，上述环氧树脂组成物优选为含有以下A成分～E成分的各成分者。

A成分：环氧当量为200以下且由选自室温下为液状的双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、及双酚AD型环氧树脂的群中的1种或2种以上所构成的环氧树脂。

B成分：高耐热性环氧树脂。

C成分：含磷的环氧系树脂、膦腈系树脂中的任1种或混合该等而成的树脂即含磷的难燃性树脂。

D成分：由具备可溶解在沸点为50℃～200℃范围的溶剂中的性质的液状橡胶成分改质而成的橡胶改质聚酰胺酰亚胺树脂。

E成分：树脂硬化剂。

B成分是所谓玻璃转移点Tg较高的“高耐热性环氧树脂”。此处所谓“高耐热性环氧树脂”优选为酚醛清漆型环氧树脂、甲酚酚醛清漆型环氧树脂、酚系酚醛清漆型环氧树脂、萘型环氧树脂等多官能环氧树脂。

作为C成分的含磷的环氧树脂，可使用上述含磷的环氧树脂。又，作为C成分的膦腈系树脂，可使用上述膦腈系树脂。

作为D成分的橡胶改质聚酰胺酰亚胺树脂，可使用上述橡胶改质聚酰胺酰亚胺树脂。作为E成分的树脂硬化剂，可使用上述树脂硬化剂。

在以上所表示的树脂组成物中添加溶剂作为树脂清漆而使用，作为印刷配线板的接着层形成热硬化性树脂层。该树脂清漆是在上述树脂组成物中添加溶剂，将树脂固形物成分量调整为30wt％～70wt％的范围，依据MIL标准中的MIL-P-13949G进行测定时，可形成树脂溢流量(resin flow)为5％～35％的范围的半硬化树脂膜。溶剂可使用公知的溶剂或上述溶剂。

上述树脂层是自铜箔侧依序具有第1热硬化性树脂层、及位于该第1热硬化性树脂层的表面的第2热硬化性树脂层的树脂层，第1热硬化性树脂层亦可为由不溶于配线板制造制造方法中的除胶渣处理时的化学药品的树脂成分所形成者，第2热硬化性树脂层亦可为使用可溶于配线板制造制造方法中的除胶渣处理时的化学药品并洗净去除的树脂所形成者。上述第1热硬化性树脂层可为使用混合有聚酰亚胺树脂、聚醚砜、聚苯醚中的任1种或2种以上的树脂成分而形成者。上述第2热硬化性树脂层可为使用环氧树脂成分而形成者。上述第1热硬化性树脂层的厚度t1(μm)优选为在将附载体铜箔的粗化面粗糙度设为Rz(μm)、将第2热硬化性树脂层的厚度设为t2(μm)时，t1满足Rz＜t1＜t2条件的厚度。

上述树脂层可为骨架材料中含浸有树脂的预浸体。上述骨架材料中所含浸的树脂优选为热硬化性树脂。上述预浸体亦可为公知的预浸体或印刷配线板制造中使用的预浸体。

上述骨架材料可含有芳族聚酰胺纤维或玻璃纤维或全芳香族聚酯纤维。上述骨架材料优选为芳族聚酰胺纤维或玻璃纤维或全芳香族聚酯纤维的不织布或者织布。又，上述全芳香族聚酯纤维优选为熔点为300℃以上的全芳香族聚酯纤维。所谓上述熔点为300℃以上的全芳香族聚酯纤维，是指使用称为所谓液晶聚合物的树脂制造而成的纤维，且该液晶聚合物是以2-羟基-6-萘甲酸及对羟基安息香酸的聚合物为主成分。该全芳香族聚酯纤维具有低介电常数、较低的介质损耗正切，因此作为电性绝缘层的构成材料具有优异的性能，可与玻璃纤维及芳族聚酰胺纤维同样地使用。

再者，构成上述不织布及织布的纤维为了提高与其表面的树脂的润湿性，优选为实施硅烷偶合剂处理。此时的硅烷偶合剂可依据使用目的而使用公知的胺基系、环氧系等硅烷偶合剂或上述硅烷偶合剂。

又，上述预浸体可为在使用有标称厚度为70μm以下的芳族聚酰胺纤维或玻璃纤维的不织布、或标称厚度为30μm以下的玻璃布构成的骨架材料中含浸热硬化性树脂而成的预浸体。

(树脂层含有介电体(介电体填料)的情形)

上述树脂层可含有介电体(介电体填料)。

在上述任一树脂层或树脂组成物中含有介电体(介电体填料)的情形时，可用于形成电容器层的用途，而增加电容器电路的电容。该介电体(介电体填料)是使用BaTiO₃、SrTiO₃、Pb(Zr-Ti)O₃(通称PZT)、PbLaTiO₃-PbLaZrO(通称PLZT)、SrBi₂Ta₂O₉(通称SBT)等具有钙钛矿结构的复合氧化物的介电体粉。

介电体(介电体填料)可为粉状。在介电体(介电体填料)为粉状的情形时，该介电体(介电体填料)的粉体特性首先必须使粒径为0.01μm～3.0μm，优选为0.02μm～2.0μm的范围。此处所谓粒径，是指由于粉粒彼此形成一定的2次凝聚状态，故而在根据雷射绕射散射式粒度分布测定法或BET法等的测定值推测平均粒径之类的间接测定中因精度较差而无法使用，而利用扫描型电子显微镜(SEM)直接观察介电体(介电体填料)，对该SEM像进行图像解析而获得的平均粒径。在本申请说明书中，将此时的粒径表示为DIA。再者，本申请说明书中的使用扫描型电子显微镜(SEM)观察到的介电体(介电体填料)的粉体的图像解析是使用Asahi Engineering股份有限公司制造的IP-1000PC，使圆度阈值为10、重迭度为20并进行圆形粒子解析，而求出平均粒径DIA。

通过上述实施方案，可提供一种如下附载体铜箔，其可提高该内层核心材料的内层电路表面与含有介电体的树脂层的密合性，具有含有用以形成具备较低的介质损耗正切的电容器电路层的介电体的树脂层。

使上述树脂层中所含的树脂及/或树脂组成物及/或化合物溶解在例如甲基乙基酮(MEK)、环戊酮、二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯啶酮、甲苯、甲醇、乙醇、丙二醇单甲基醚、二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、环己酮、乙基溶纤素、N-甲基-2-吡咯啶酮、N,N-二甲基乙酰胺、N,N-二甲基甲酰胺等溶剂中而制成树脂液(树脂清漆)，通过例如辊式涂布法将其涂布于上述极薄铜层上、或上述耐热层、防锈层、或上述铬酸盐处理层、或上述硅烷偶合剂层上，继而视需要进行加热干燥去除溶剂而成为B阶段状态。干燥例如只要使用热风干燥炉即可，干燥温度只要为100～250℃、优选为130～200℃即可。使用溶剂溶解上述树脂层的组成物，可制成树脂固形物成分为3wt％～70wt％、优选为3wt％～60wt％、优选为10wt％～40wt％、更优选为25wt％～40wt％的树脂液。再者，就环境的观点而言，现阶段最优选为使用甲基乙基酮与环戊酮的混合溶剂进行溶解。再者，溶剂优选为使用沸点为50℃～200℃的范围的溶剂。

又，上述树脂层优选为依据MIL标准中的MIL-P-13949G进行测定时的树脂溢流量为5％～35％的范围的半硬化树脂膜。

在本申请说明书中，所谓树脂溢流量，是指依据MIL标准中的MIL-P-13949G，自将树脂厚度设为55μm的附有树脂的铜箔采取4片10cm见方试样，在将该4片试样重迭的状态(积层体)下，在压制温度171℃、压制压力14kgf/cm²、压制时间10分钟的条件下进行贴合，根据测定此时的树脂流出重量所得的结果，基于数学式1而算出的值。

[数学式1]

具备上述树脂层的附载体铜箔(附有树脂的附载体铜箔)是以如下方式使用：将该树脂层与基材重迭后将整体热压接而使该树脂层热硬化，继而剥离载体而露出极薄铜层(当然露出的是该极薄铜层的中间层侧的表面)，在其上形成特定的配线图案。

若使用该附有树脂的附载体铜箔，则可减少制造多层印刷配线基板时的预浸材料的使用片数。而且，将树脂层的厚度设为可确保层间绝缘的厚度，或者完全不使用预浸材料，亦可制造覆铜积层板。又，此时，将绝缘树脂底漆涂布于基材的表面，亦可进而改善表面的平滑性。

再者，在不使用预浸材料的情形时，可节约预浸材料的材料成本，又，积层步骤亦变得简略，因此在经济上较为有利，而且，有如下优点：仅制造预浸材料的厚度程度的多层印刷配线基板的厚度变薄，而可制造1层的厚度为100μm以下的极薄的多层印刷配线基板。

该树脂层的厚度优选为0.1～120μm。

若树脂层的厚度薄于0.1μm，则有如下情况：在不使接着力降低而插入预浸材料的情况下，将该附有树脂的附载体铜箔积层在具备内层材料的基材上时，难以确保与内层材料的电路间的层间绝缘。另一方面，若树脂层的厚度厚于120μm，则有如下情况：难以在1次涂布步骤中形成目标厚度的树脂层，而需要多余的材料费及步骤数，因此在经济上变得不利。

再者，在将具有树脂层的附载体铜箔用于制造极薄的多层印刷配线板中时，将上述树脂层的厚度设为0.1μm～5μm、更优选为0.5μm～5μm、更优选为1μm～5μm时，可缩小多层印刷配线板的厚度，故而优选。

又，在树脂层含有介电体的情形时，树脂层的厚度优选为0.1～50μm，优选为0.5μm～25μm，更优选为1.0μm～15μm。

又，上述硬化树脂层与半硬化树脂层的树脂层总厚度优选为0.1μm～120μm，优选为5μm～120μm，优选为10μm～120μm，更优选为10μm～60μm。并且，硬化树脂层的厚度优选为2μm～30μm，优选为3μm～30μm，更优选为5～20μm。又，半硬化树脂层的厚度优选为3μm～55μm，优选为7μm～55μm，更理想为15～115μm。其原因在于若树脂层总厚度超过120μm，则有难以制造极薄的多层印刷配线板的情况，若未达5μm，则有如下情况：虽容易形成极薄的多层印刷配线板，但会产生内层的电路间的绝缘层即树脂层变得过薄，而使内层的电路间的绝缘性不稳定的倾向。又，若硬化树脂层厚度未达2μm，则有必须考虑铜箔粗化面的表面粗度的情况。反之，若硬化树脂层厚度超过20μm，则有由硬化完成的树脂层带来的效果并未特别提高的情况，绝缘层总厚度会变厚。

再者，在将上述树脂层的厚度设为0.1μm～5μm的情形时，为了提高树脂层与附载体铜箔的密合性，优选为在在极薄铜层上设置耐热层及/或防锈层及/或铬酸盐处理层及/或硅烷偶合处理层后，在该耐热层或防锈层或铬酸盐处理层或硅烷偶合处理层上形成树脂层。

再者，上述树脂层的厚度是指通过在任意的10点观察剖面测得的厚度的平均值。

进而，作为该附有树脂的附载体铜箔的另一制品形态，亦可被覆树脂层在上述极薄铜层上、或上述耐热层、防锈层、或上述铬酸盐处理层、或上述硅烷偶合处理层上，成为半硬化状态后，继而剥离载体，以不存在载体的附有树脂的铜箔的形式进行制造。

＜6.印刷配线板＞

以下，表示若干使用本发明的表面处理铜箔或附载体铜箔的印刷配线板的制造步骤的例。又，通过在印刷配线板上搭载电子零件类，而完成印刷电路板。

经由上述的制造方法，制造依序具备铜箔载体、剥离层及极薄铜层的附载体铜箔。附载体铜箔本身的使用方法为业者所周知，例如可将极薄铜层的表面贴合在纸基材酚系树脂、纸基材环氧树脂、合成纤维布基材环氧树脂、玻璃布-纸复合基材环氧树脂、玻璃布-玻璃不织布复合基材环氧树脂及玻璃布基材环氧树脂、聚酯膜、聚酰亚胺膜等绝缘基板上并进行热压接后，剥离载体，由此在形成覆铜积层板后，将接着于绝缘基板的极薄铜层蚀刻成目标导体图案，最终制造印刷配线板。

本发明的附载体铜箔适于形成细间距的印刷配线板。例如，可通过使用本发明的附载体铜箔，制造如下印刷配线板：该印刷配线板具有绝缘基板及设置在上述绝缘基板上的铜电路，且上述铜电路的电路宽度未达20μm，邻接的铜电路间的间隙宽度未达20μm。进而，亦可制造上述铜电路的电路宽度为17μm以下，邻接的铜电路间的间隙宽度为17μm以下的印刷配线板。进而，亦可制造上述铜电路的电路宽度为15μm以下，邻接的铜电路间的间隙宽度为15μm以下的印刷配线板。进而，亦可制造上述铜电路的电路宽度为5～10μm，邻接的铜电路间的间隙宽度为5～10μm的印刷配线板。

进而，通过在印刷配线板上搭载电子零件类，而完成印刷电路板。通过使用本发明的附载体铜箔，例如，可制造如下印刷电路板：该印刷电路板具备绝缘基板及设置在上述绝缘基板上的铜电路，且上述铜电路的电路宽度未达20μm，邻接的铜电路间的间隙宽度未达20μm。进而，亦可制造上述铜电路的电路宽度为17μm以下，邻接的铜电路间的间隙宽度为17μm以下的印刷电路板。进而，亦可制造上述铜电路的电路宽度为17μm以下，邻接的铜电路间的间隙宽度为17μm以下的印刷配线板。进而，亦可制造上述铜电路的电路宽度为15μm以下，邻接的铜电路间的间隙宽度为15μm以下的印刷电路板。进而，亦可制造上述铜电路的电路宽度为5～10μm、优选为5～9μm、更优选为5～8μm，邻接的铜电路间的间隙宽度为5～10μm、优选为5～9μm、更优选为5～8μm的印刷电路板。又，线与间隙的间距优选为未达40μm，更优选为34μm以下，更优选为30μm以下，更优选为20μm以下，更优选为15μm以下。再者，线与间隙的下限无需特别地规定，例如为6μm以上、或8μm以上、或10μm以上。

再者，所谓线与间隙的间距，是指自铜电路宽度的中央至所邻接的铜电路宽度的中央的距离。

以下，表示若干使用有本发明的附载体铜箔的印刷配线板的制造步骤的例。

本发明的印刷配线板的制造方法的一实施方案包含如下步骤：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；将上述附载体铜箔与绝缘基板积层的步骤；及以使极薄铜层侧与绝缘基板对向的方式将上述附载体铜箔与绝缘基板积层后，经过将上述附载体铜箔的载体剥离的步骤而形成覆铜积层板，其后，通过半加成法(semi additive method)、改进半加成法(modified semi additive method)、部分加成法(partly additive method)及减成法(subtractive method)中的任一种方法形成电路的步骤。绝缘基板亦可设为内层电路入口。

在本发明中，所谓半加成法，是指在绝缘基板或铜箔晶种层(seed layer)上进行较薄的无电解镀敷，形成图案后，使用电镀及蚀刻形成导体图案的方法。

因此，使用半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的一实施方案包含如下步骤：

准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；

将上述附载体铜箔与绝缘基板积层的步骤；

在将上述附载体铜箔与绝缘基板积层后，将上述附载体铜箔的载体剥离的步骤；

通过使用有酸等腐蚀溶液的蚀刻或电浆等方法将剥离上述载体而露出的极薄铜层完全去除的步骤；

在通过利用蚀刻去除上述极薄铜层而露出的树脂层及绝缘基板上设置通孔或/及盲孔(blind via)的步骤；

对包含上述通孔或/及盲孔的区域进行除胶渣处理的步骤；

在上述树脂及包含上述通孔或/及盲孔的区域设置无电解镀敷层的步骤；

在上述无电解镀敷层上设置抗镀敷剂的步骤；

对上述抗镀敷剂进行曝光，其后，去除形成有电路的区域的抗镀敷剂的步骤；

在已去除上述抗镀敷剂的形成有上述电路的区域设置电解镀敷层的步骤；

去除上述抗镀敷剂的步骤；及

通过闪蚀等去除形成有上述电路的区域以外的区域的无电解镀敷层的步骤。

使用半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的另一实施方案包含如下步骤：

准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；

将上述附载体铜箔与绝缘基板积层的步骤；

在通过利用蚀刻去除上述极薄铜层而露出的树脂层的表面设置无电解镀敷层的步骤；

在上述无电解镀敷层上设置抗镀敷剂的步骤；

去除上述抗镀敷剂的步骤；及

在本发明中，所谓改进半加成法，是指在绝缘层上积层金属箔，通过抗镀敷剂保护非电路形成部，通过电镀增厚电路形成部的铜层后，去除抗蚀剂，利用(快速)蚀刻去除上述电路形成部以外的金属箔，由此在绝缘层上形成电路的方法。

因此，使用改进半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的一实施方案包含如下步骤：

准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；

将上述附载体铜箔与绝缘基板积层的步骤；

在剥离上述载体而露出的极薄铜层与绝缘基板上设置通孔或/及盲孔的步骤；

对包含上述通孔或/及盲孔的区域进行除胶渣处理的步骤；

在包含上述通孔或/及盲孔的区域设置无电解镀敷层的步骤；

在剥离上述载体而露出的极薄铜层表面设置抗镀敷剂的步骤；

在设置上述抗镀敷剂后，通过电镀形成电路的步骤；

去除上述抗镀敷剂的步骤；及

利用闪蚀去除通过去除上述抗镀剂而露出的极薄铜层的步骤。

使用改进半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的另一实施方案包含如下步骤：

准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；

将上述附载体铜箔与绝缘基板积层的步骤；

在剥离上述载体而露出的极薄铜层上设置抗镀敷剂的步骤；

去除上述抗镀敷剂的步骤；及

通过闪蚀等去除形成有上述电路的区域以外的区域的极薄铜层的步骤。

在本发明中，所谓部分加成法，是指在设置导体层而成的基板、视需要穿过通孔或导孔用的孔而成的基板上赋予催化核，进行蚀刻形成导体电路，视需要设置阻焊剂或抗镀敷剂后，在上述导体电路上通过无电解镀敷处理对通孔或导孔等进行增厚，由此制造印刷配线板的方法。

因此，使用部分加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的一实施方案包含如下步骤：

准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；

将上述附载体铜箔与绝缘基板积层的步骤；

对包含上述通孔或/及盲孔的区域进行除胶渣处理的步骤；

对包含上述通孔或/及盲孔的区域赋予催化核的步骤；

在剥离上述载体而露出的极薄铜层表面设置抗蚀刻剂的步骤；

对上述抗蚀刻剂进行曝光，形成电路图案的步骤；

通过使用有酸等腐蚀溶液的蚀刻或电浆等方法去除上述极薄铜层及上述催化核，形成电路的步骤；

去除上述抗蚀刻剂的步骤；

在通过使用有酸等腐蚀溶液的蚀刻或电浆等方法去除上述极薄铜层及上述催化核而露出的上述绝缘基板表面，设置阻焊剂或抗镀敷剂的步骤；及

在未设置上述阻焊剂或抗镀敷剂的区域设置无电解镀敷层的步骤。

在本发明中，所谓减成法，是指通过蚀刻等选择性地去除覆铜积层板上的铜箔的不需要的部分，而形成导体图案的方法。

因此，使用减成法的本发明的印刷配线板的制造方法的一实施方案包含如下步骤：

准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；

将上述附载体铜箔与绝缘基板积层的步骤；

对包含上述通孔或/及盲孔的区域进行除胶渣处理的步骤；

在包含上述通孔或/及盲孔的区域设置无电解镀敷层的步骤；

在上述无电解镀敷层的表面设置电解镀敷层的步骤；

在上述电解镀敷层或/及上述极薄铜层的表面设置抗蚀刻剂的步骤；

对上述抗蚀刻剂进行曝光，形成电路图案的步骤；

通过使用有酸等腐蚀溶液的蚀刻或电浆等方法去除上述极薄铜层及上述无电解镀敷层及上述电解镀敷层，而形成电路的步骤；及

去除上述抗蚀刻剂的步骤。

使用减成法的本发明的印刷配线板的制造方法的另一实施方案包含如下步骤：

准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；

将上述附载体铜箔与绝缘基板积层的步骤；

对包含上述通孔或/及盲孔的区域进行除胶渣处理的步骤；

在包含上述通孔或/及盲孔的区域设置无电解镀敷层的步骤；

在上述无电解镀敷层的表面形成遮罩的步骤；

在未形成遮罩的上述无电解镀敷层的表面设置电解镀敷层的步骤；

对上述抗蚀刻剂进行曝光，形成电路图案的步骤；

通过使用有酸等腐蚀溶液的蚀刻或电浆等方法去除上述极薄铜层及上述无电解镀敷层，而形成电路的步骤；及

去除上述抗蚀刻剂的步骤。

亦可不进行设置通孔或/及盲孔的步骤、及其后的除胶渣步骤。

此处，利用图式详细地说明使用有本发明的附载体铜箔的印刷配线板的制造方法的具体例。再者，此处，以具有形成有粗化处理层的极薄铜层的附载体铜箔为例进行说明，但并不限于此，使用具有未形成粗化处理层的极薄铜层的附载体铜箔，亦可同样地进行下述印刷配线板的制造方法。

首先，如图3-A所示，准备具有表面形成有粗化处理层的极薄铜层的附载体铜箔(第1层)。

其次，如图3-B所示，在极薄铜层的粗化处理层上涂布抗蚀剂，进行曝光、显影，将抗蚀剂蚀刻为特定的形状。

继而，如图3-C所示，在形成电路用镀敷后，去除抗蚀剂，由此形成特定的形状的电路镀敷。

继而，如图4-D所示，以被覆电路镀敷的方式(以埋没电路镀敷的方式)在极薄铜层上设置埋入树脂而积层树脂层，继而，自极薄铜层侧接着另一附载体铜箔(第2层)。

继而，如图4-E所示，自第2层的附载体铜箔剥离载体。

继而，如图4-F所示，在树脂层的特定位置进行雷射开孔，露出电路镀敷而形成盲孔。

继而，如图5-G所示，在盲孔中形成埋入铜的填孔。

继而，如图5-H所示，在填孔上，以上述图3-B及图3-C的方式形成电路镀敷。

继而，如图5-I所示，自第1层的附载体铜箔剥离载体。

继而，如图6-J所示，通过闪蚀去除两表面的极薄铜层，使树脂层内的电路镀敷的表面露出。

继而，如图6-K所示，在树脂层内的电路镀敷上形成凸块，在该焊料上形成铜柱。如此制作使用本发明的附载体铜箔的印刷配线板。

上述另一附载体铜箔(第2层)可使用本发明的附载体铜箔，亦可使用现有的附载体铜箔，进而亦可使用通常的铜箔。又，可在图5-H所表示的第2层的电路上进而形成1层或多个层电路，可通过半加成法、减成法、部分加成法或改进半加成法中的任一种方法形成该等电路。

又，用于上述第1层的附载体铜箔可在该附载体铜箔的载体侧表面具有基板。通过具有该基板或树脂层，而支持用于第1层的附载体铜箔，变得不易产生皱褶，因此有提高生产性的优点。再者，只要上述基板具有支持上述用在第1层的附载体铜箔的效果，则可使用所有基板。例如，可使用本申请说明书中记载的载体、预浸体、树脂层或公知的载体、预浸体、树脂层、金属板、金属箔、无机化合物的板、无机化合物的箔、有机化合物的板、有机化合物的箔作为上述基板。

在载体侧表面形成基板的时间点并无特别限制，但必须在剥离载体前形成。尤其是，优选为在上述附载体铜箔的上述极薄铜层侧表面形成树脂层的步骤之前形成，更优选为在在附载体铜箔的上述极薄铜层侧表面形成电路的步骤之前形成。

本发明的附载体铜箔优选为以满足以下(1)的方式控制极薄铜层表面的色差。在本发明中，所谓“极薄铜层表面的色差”是表示极薄铜层的表面的色差，或者在实施粗化处理等各种表面处理的情形时其表面处理层表面的色差。即，本发明的附载体铜箔优选为以满足以下(1)的方式控制极薄铜层或粗化处理层或耐热层或防锈层或铬酸盐处理层或硅烷偶合层的表面的色差。

(1)极薄铜层或粗化处理层或耐热层或防锈层或铬酸盐处理层或硅烷偶合处理层的表面的基在JISZ 8730的色差ΔE﹡ab为45以上。

此处，色差ΔL、Δa、Δb是分别以色差计进行测定，采取黑/白/红/绿/黄/蓝，使用基于JIS Z8730的L﹡a﹡b表色系统而表示的综合指标，且表示为ΔL：白黑、Δa：红绿、Δb：黄蓝。又，ΔE﹡ab是使用该等色差以下述式表示。

[数学式2]

Δ E * a b = \sqrt{{ΔL}^{2} + {Δa}^{2} + {Δb}^{2}}

上述色差可通过提高极薄铜层形成时的电流密度、降低镀敷液中的铜浓度、提高镀敷液的线流速而进行调整。

又，上述色差亦可通过在极薄铜层的表面实施粗化处理并设置粗化处理层而进行调整。在设置粗化处理层的情形时，可通过使用含有选自由铜及镍、钴、钨、钼所组成的群中的一种以上元素的电解液，较现有进一步提高电流密度(例如40～60A/dm²)，缩短处理时间(例如0.1～1.3秒)而进行调整。当未在极薄铜层的表面设置粗化处理层的情形时，可通过如下方式而达成：使用使Ni的浓度为其他元素的2倍以上的镀浴，对极薄铜层或耐热层或防锈层或铬酸盐处理层或硅烷偶合处理层的表面，以使Ni合金镀敷(例如Ni-W合金镀敷、Ni-Co-P合金镀敷、Ni-Zn合金镀敷)低于现有的电流密度(0.1～1.3A/dm²)且较长地设定处理时间(20秒～40秒)的方式进行处理。

若极薄铜层表面的基于JIS Z8730的色差ΔE﹡ab为45以上，则例如在附载体铜箔的极薄铜层表面形成电路时，极薄铜层与电路的对比度变得清晰，结果视认性变得良好，可精度良好地进行电路的位置对准。极薄铜层表面的基于JIS Z8730的色差ΔE﹡ab优选为50以上，更优选为55以上，进而更优选为60以上。

在如上所述般控制极薄铜层或粗化处理层或耐热层或防锈层或铬酸盐处理层或硅烷偶合层的表面的色差的情形时，与电路镀敷的对比度变得清晰，视认性变得良好。因此，在如上所述的印刷配线板的例如图3-C所表示的制造步骤中，可精度良好地在特定的位置形成电路镀敷。又，根据如上所述的印刷配线板的制造方法，形成使电路镀敷埋入树脂层的构成，因此在例如图6-J所表示的通过闪蚀去除极薄铜层时，通过树脂层保护电路镀敷，并保持其形状，由此容易形成微细电路。又，由于通过树脂层保护电路镀敷，故而耐迁移性提高，可良好地抑制电路的配线的导通。因此，容易形成微细电路。又，在如图6-J及图6-K所表示般通过闪蚀去除极薄铜层时，电路镀敷的露出面成为自树脂层凹陷的形状，因此容易分别在该电路镀敷上形成凸块，进而在其上形成铜柱，制造效率提高。

再者，埋入树脂(Resin)可使用公知的树脂、预浸体。例如可使用BT(双马来酰亚胺三嗪)树脂或含浸BT树脂的玻璃布即预浸体、Ajinomoto Fine-Techno股份有限公司制造的ABF膜或ABF。又，上述埋入树脂(Resin)可使用本说明书中所记载的树脂层及/或树脂及/或预浸体。

[实施例]

以下，通过本发明的实施例进一步详细地说明本发明，但本发明并不受该等实施例任何限定。

1.附载体铜箔的制造

＜实施例1＞

作为铜箔载体，准备厚度35μm的长条电解铜箔(JX日鉱日石金属公司制造的JTC)。在以下条件下，利用卷对卷型(roll to roll)连续镀敷线(采用图2所表示的弯折方式)对该铜箔的光泽面(Rz：1.2～1.4μm)进行电镀，由此形成4000μg/dm²附着量的Ni层。

·Ni层

硫酸镍：250～300g/L

氯化镍：35～45g/L

乙酸镍：10～20g/L

柠檬酸三钠：15～30g/L

光泽剂：糖精、丁炔二醇等

十二烷基硫酸钠：30～100ppm

pH值：4～6

浴温：50～70℃

电流密度：3～15A/dm²

在水洗及酸洗后，继而，通过在卷对卷型连续镀敷线(采用图2所表示的弯折方式)上，在以下条件下对11μg/dm²附着量的Cr层进行电解铬酸盐处理而使之附着在Ni层上。

·电解铬酸盐处理

液组成：重铬酸钾1～10g/L、锌0～5g/L

pH值：3～4

液温：50～60℃

电流密度：0.1～2.6A/dm²

库仑量：0.5～30As/dm²

继而，通过在卷对卷型连续镀敷线上(采用图1所表示的转筒方式)，在以下条件下对厚度3μm的极薄铜层进行电镀而使之形成在Cr层上，从而制造附载体铜箔。再者，本实施例亦制造使极薄铜层的厚度为1、2、5、10μm的附载体铜箔，对极薄铜层的厚度为3μm的实施例进行相同评价。结果与厚度无关而为相同。

·极薄铜层

铜浓度：30～120g/L

H₂SO₄浓度：20～120g/L

电解液温度：20～80℃

电流密度：10～100A/dm²

继而，依序对极薄铜层表面进行以下的粗化处理1、粗化处理2、防锈处理、铬酸盐处理及硅烷偶合处理。粗化处理1及粗化处理2采用图1所表示的使用转筒的运箔方式(极间距离为50mm)，防锈处理、铬酸盐处理及硅烷偶合处理采用图2所表示的弯折方式。

·粗化处理1

(液组成1)

Cu：10～30g/L

H₂SO₄：10～150g/L

W：0～50mg/L

十二烷基硫酸钠：0～50mg/L

As：0～200mg/L

(电镀条件1)

温度：30～70℃

电流密度：25～110A/dm²

粗化库仑量：50～500As/dm²

镀敷时间：0.5～20秒

·粗化处理2

(液组成2)

Cu：20～80g/L

H₂SO₄：50～200g/L

(电镀条件2)

温度：30～70℃

电流密度：5～50A/dm²

粗化库仑量：50～300As/dm²

镀敷时间：1～60秒

·防锈处理

(液组成)

NaOH：40～200g/L

NaCN：70～250g/L

CuCN：50～200g/L

Zn(CN)₂：2～100g/L

As₂O₃：0.01～1g/L

(液温)

40～90℃

(电流条件)

电流密度：1～50A/dm²

镀敷时间：1～20秒

·铬酸盐处理

K₂Cr₂O₇(N₂Cr₂O₇或CrO₃)：2～10g/L

NaOH或KOH：10～50g/L

ZnOH或ZnSO₄·7H₂O：0.05～10g/L

pH值：7～13

浴温：20～80℃

电流密度：0.05～5A/dm²

时间：5～30秒

·硅烷偶合处理

将0.1vol％～0.3vol％的3-缩水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷水溶液喷雾涂布后，在100～200℃的空气中进行0.1～10秒的干燥、加热。

上述表面处理后，在极薄铜层侧形成下述的“A”的树脂层。

＜实施例2＞

在与实施例1相同的条件下在铜箔载体上形成极薄铜层后，依序进行以下的粗化处理1、粗化处理2、防锈处理、铬酸盐处理及硅烷偶合处理。粗化处理1及粗化处理2采用图1所表示的使用转筒的运箔方式(极间距离为50mm)，防锈处理、铬酸盐处理及硅烷偶合处理采用图2所表示的弯折方式。再者，极薄铜箔的厚度设为3μm。

·粗化处理1

液组成：铜10～20g/L、硫酸50～100g/L

液温：25～50℃

电流密度：1～58A/dm²

库仑量：4～81As/dm²

·粗化处理2

液组成：铜10～20g/L、镍5～15g/L、钴5～15g/L

pH值：2～3

液温：30～50℃

电流密度：24～50A/dm²

库仑量：34～48As/dm²

·防锈处理

液组成：镍5～20g/L、钴1～8g/L

pH值：2～3

液温：40～60℃

电流密度：5～20A/dm²

库仑量：10～20As/dm²

·铬酸盐处理

液组成：重铬酸钾1～10g/L、锌0～5g/L

pH值：3～4

液温：50～60℃

电流密度：0～2A/dm²(为了进行浸渍铬酸盐处理，亦可在无电解下实施)

库仑量：0～2As/dm²(为了进行浸渍铬酸盐处理，亦可在无电解下实施)

·硅烷偶合处理

二胺基硅烷水溶液的涂布(二胺基硅烷浓度：0.1～0.5wt％)

上述表面处理后，在极薄铜层侧形成下述的“B”的树脂层。

＜实施例3＞

作为铜箔载体，准备厚度35μm的长条电解铜箔(JX日鉱日石金属公司制造的HLP)，对该铜箔的光泽面(Rz：0.1～0.3μm)，以与实施例1相同的顺序制作附载体铜箔。其中，树脂层系形成下述的“C”。

＜实施例4＞

作为铜箔载体，准备厚度35μm的长条电解铜箔(JX日鉱日石金属公司制造的HLP)，对该铜箔的光泽面(Rz：0.1～0.3μm)，以与实施例2相同的顺序制作附载体铜箔。其中，树脂层系形成下述的“D”。

＜实施例5＞

作为铜箔载体，准备厚度35μm的长条电解铜箔(JX日鉱日石金属公司制造的HLP)。在与实施例1相同的条件下，利用卷对卷型连续镀敷线对该铜箔的光泽面(Rz：0.1～0.3μm)进行电镀，由此形成4000μg/dm²附着量的Ni层，继而，以与实施例1相同的顺序形成极薄铜层后，不实施粗化处理而实施下述防锈处理(采用弯折方式)。

·防锈处理

液组成：镍5～20g/L、钴1～8g/L

pH值：2～3

液温：40～60℃

电流密度：5～20A/dm²

库仑量：10～20As/dm²

上述表面处理后，在极薄铜层侧形成下述的“E”的树脂层。

＜比较例1＞

在与实施例1相同的条件下在铜箔载体上形成极薄铜层后，继而，依序对极薄铜层表面进行以下的粗化处理1、粗化处理2、防锈处理、铬酸盐处理及硅烷偶合处理。粗化处理1及粗化处理2采用图1所表示的使用转筒的运箔方式(极间距离为50mm)，防锈处理、铬酸盐处理及硅烷偶合处理采用图2所表示的弯折方式。再者，极薄铜箔的厚度设为3μm。

·粗化处理1

(液组成1)

Cu：31～45g/L

H₂SO₄：10～150g/L

As：0.1～200mg/L

(电镀条件1)

温度：30～70℃

电流密度：25～110A/dm²

粗化库仑量：50～500As/dm²

镀敷时间：0.5～20秒

·粗化处理2

(液组成2)

Cu：20～80g/L

H₂SO₄：50～200g/L

(电镀条件2)

温度：30～70℃

电流密度：5～50A/dm²

粗化库仑量：50～300As/dm²

镀敷时间：1～60秒

·防锈处理

(液组成)

NaOH：40～200g/L

NaCN：70～250g/L

CuCN：50～200g/L

Zn(CN)₂：2～100g/L

As₂O₃：0.01～1g/L

(液温)

40～90℃

(电流条件)

电流密度：1～50A/dm²

镀敷时间：1～20秒

·铬酸盐处理

K₂Cr₂O₇(N₂Cr₂O₇或CrO₃)：2～10g/L

NaOH或KOH：10～50g/L

ZnOH或ZnSO₄·7H₂O：0.05～10g/L

pH值：7～13

浴温：20～80℃

电流密度：0.05～5A/dm²

时间：5～30秒

·硅烷偶合处理

上述表面处理后，不形成树脂层。

＜比较例2＞

粗化处理1及粗化处理2采用图2所表示的利用弯折的运箔方式，除此以外，以与实施例1相同的顺序制作附载体铜箔。但是，未形成树脂层。

＜比较例3＞

粗化处理1及粗化处理2采用图2所表示的利用弯折的运箔方式，除此以外，以与实施例2相同的顺序制作附载体铜箔。但是，未形成树脂层。

＜比较例4＞

在比较例1的附载体铜箔的极薄铜层侧形成下述树脂层“A”。

＜比较例5＞

在比较例2的附载体铜箔的极薄铜层侧形成下述树脂层“B”。

＜比较例6＞

在比较例3的附载体铜箔的极薄铜层侧形成下述树脂层“C”。

＜实施例6＞

未形成树脂层，除此以外，以与实施例1相同的顺序制作附载体铜箔。

＜实施例7＞

未形成树脂层，除此以外，以与实施例2相同的顺序制作附载体铜箔。

＜实施例8＞

未形成树脂层，除此以外，以与实施例3相同的顺序制作附载体铜箔。

＜实施例9＞

未形成树脂层，除此以外，以与实施例4相同的顺序制作附载体铜箔。

＜实施例10＞

未形成树脂层，除此以外，以与实施例5相同的顺序制作附载体铜箔。

＜树脂层的形成＞

树脂层的形成是以如下方式进行。

·“A”

(树脂合成例)

在具备不锈钢制碇型搅拌棒、氮气导入管及停止旋塞的阱上安装有附球形冷凝管的回流冷却器的2升的三口烧瓶中，添加3,4/3',4'-联苯四羧酸二酐117.68g(400mmol)、1,3-双(3-胺基苯氧基)苯87.7g(300mmol)、γ-戊内酯4.0g(40mmol)、吡啶4.8g(60mmol)、N-甲基-2-吡咯啶酮(以下记为NMP)300g、及甲苯20g，于180℃下加热1小时后，冷却至室温附近，其后添加3,4/3'4'-联苯四羧酸二酐29.42g(100mmol)、2,2-双{4-(4-胺基苯氧基)苯基}丙烷82.12g(200mmol)、NMP 200g、及甲苯40g，于室温下混合1小时后，于180℃下加热3小时，获得固形物成分38％的嵌段共聚合聚酰亚胺。该嵌段共聚合聚酰亚胺中，下述所表示的通式(1)：通式(2)＝3：2，数平均分子量：70000，重量平均分子量：150000。

利用NMP进一步稀释合成例中获得的嵌段共聚合聚酰亚胺溶液，制成固形物成分10％的嵌段共聚合聚酰亚胺溶液。在该嵌段共聚合聚酰亚胺溶液中以双(4-马来酰亚胺苯基)甲烷(BMI-H，K-I Chemical Industry)的固形物成分重量比率35、嵌段共聚合聚酰亚胺的固形物成分重量比率65(即，树脂溶液中所含的双(4-马来酰亚胺苯基)甲烷固形物成分重量：树脂溶液中所含的嵌段共聚合聚酰亚胺固形物成分重量＝35：65)的形式于60℃下进行20分钟溶解混合而制成树脂溶液。其后，使用逆辊涂布机将上述树脂溶液涂敷于设置树脂层前的附载体铜箔的极薄铜层侧表面，在氮气环境下，于120℃下干燥处理3分钟，于160℃下干燥处理3分钟后，最后于300℃下进行2分钟加热处理，而制作附载体铜箔。再者，树脂层的厚度设为2μm。

·“B”

B是制备环氧树脂69重量份、硬化剂11重量份、硬化促进剂0.25重量份、聚合物成分15重量份、交联剂3重量份、橡胶性树脂3重量份的树脂组成物。

具体而言，表示如下。

[树脂组成物的组成]

构成成分/具体的构成成分/具体的化学品名(制造公司)/组成(重量份)

环氧树脂/双酚A型/YD-907(东都化成制造)/15

环氧树脂/双酚A型/YD-011(东都化成制造)/54

硬化剂/芳香族胺/4,41-二胺基二苯基砜(和歌山精化制造)/12

硬化促进剂/咪唑/2E4MZ(四国化成制造)/0.4

聚合物成分/聚乙烯醇缩乙醛树脂/5000A(电气化学工业制造)/15

交联剂/胺基甲酸酯树脂/AP-Stable(Nippon Polyurethane制造)/3

橡胶成分/核壳型腈橡胶/XER-91(JSR公司制造)/3

然后，对上述所表示的树脂组成物，使用甲基乙基酮与二甲基乙酰胺将树脂固形物成分调整为30重量％，由此制成用以形成树脂层的树脂组成物溶液。然后，使用凹版涂布机将该用以形成树脂层的树脂组成物溶液涂布于设置树脂层前的附载体铜箔的极薄铜层侧的面。然后，进行5分钟的风干，其后，在140℃的加热环境中进行3分钟的干燥处理，形成半硬化状态的1.5μm厚的半硬化树脂层(接着层)，而制造附载体铜箔。此时所获得的半硬化树脂层(接着层)的树脂溢流量的测定是以上述用以形成树脂层的树脂组成物溶液制造18μm厚的铜箔的单面设置有40μm厚的半硬化树脂层者，并将其设为树脂溢流量测定用试样。然后，由该树脂溢流量测定用试样采取4片10cm见方试样，依据上述MIL-P-13949G进行树脂溢流量的测定。结果树脂溢流量为1.5％。

·“C”

制造构成树脂层的树脂溶液。在制造该树脂溶液时，使用环氧树脂(日本化药股份有限公司制造的EPPN-502)、聚醚砜树脂(住友化学股份有限公司制造的SumikaexcelPES-5003P)作为原料。然后，在其中添加作为硬化促进剂的咪唑系2E4MZ(四国化成工业股份有限公司制造)而制成树脂组成物。

树脂组成物：环氧树脂50重量份

聚醚砜树脂50重量份

硬化促进剂1重量份

对该树脂组成物，进而使用二甲基甲酰胺将树脂固形物成分调整为30wt％，由此制成树脂溶液。使用凹版涂布机将以如上方式制造的树脂溶液涂布于设置树脂层前的附载体铜箔的极薄铜层侧的面。并且，其后于140℃的加热环境中进行3分钟的干燥处理，形成半硬化状态的1.5μm厚的树脂层，而获得本申请发明的附载体铜箔。再者，另一方面，为了测定树脂溢流量，制造将底涂树脂层设为40μm厚的附树脂铜箔(铜箔厚度18μm)(以下称为“树脂溢流量测定用试样”)。然后，由该树脂溢流量测定用试样采取4片10cm见方试样，依据上述的MIL-P-13949G，进行树脂溢流量的测定。结果树脂溢流量为1.4％。

·“D”

在设置树脂层前的附载体铜箔的极薄铜层侧表面，形成作为硬化树脂层的聚酰亚胺树脂层，半硬化树脂层的形成是使用有马来酰亚胺系树脂的附载体铜箔的例。

聚酰胺酸清漆的制备：对用以通过流延法(casting method)形成硬化树脂层的聚酰胺酸清漆进行说明。将均苯四甲酸二酐1mol、及4,4'-二胺基二苯基醚1mol溶解在作为溶剂的N-甲基吡咯啶酮中，并进行混合。此时的反应温度为25℃，反应10小时。然后，获得树脂固形物成分量为20质量％的聚酰胺酸清漆。

硬化树脂层的形成：继而，使用所获得的聚酰胺酸清漆，利用流延法形成硬化树脂层。通过Multi Coater(Hirano Tecseed公司制造：M-400)，将聚酰胺酸清漆涂布在设置树脂层前的附载体铜箔的极薄铜层侧表面，在热风干燥机内，在110℃×6分钟的条件下进行干燥。干燥后的硬化树脂层的树脂厚度设为35μm，该阶段的溶剂残存率相对于树脂层的总量为32wt％。将该涂布有聚酰胺酸清漆的电解铜箔的复合体放置于经氮气置换的热风烘箱中，历时15分钟自室温升温至400℃，其后，在400℃下保持8分钟后，进行冷却。由此，自涂布有聚酰胺酸的附载体铜箔的复合体中去除残存溶剂，通过对聚酰胺酸进行脱水闭环的酰亚胺反应，而制成在附载体铜箔的极薄铜层侧表面积层有硬化树脂层的状态的覆铜聚酰亚胺树脂基材。该通过最终的热处理而获得的覆铜聚酰亚胺树脂基材的溶剂残存率相对在附着在附载体铜箔的树脂总量为0.5wt％。

继而，对积层有硬化树脂层的附载体铜箔(覆铜聚酰亚胺树脂基材)进行电晕处理，进行该硬化树脂层的表面改质。电晕处理是在大气中、电力210W、速度2m/min、放电量300W·min/m²、自电极的照射距离1.5mm的条件下进行。并且，为了测定硬化树脂层的热膨胀系数，通过自表面改质处理后的积层有硬化树脂层的附载体铜箔(电晕处理完成的覆铜聚酰亚胺树脂基材)将附载体铜箔剥离及蚀刻而去除。结果去除附载体铜箔而获得的硬化树脂层(聚酰亚胺膜)的树脂厚度为27μm，热膨胀系数为25ppm/℃。

半硬化树脂层的形成：此处，在电晕处理完成的覆铜聚酰亚胺树脂基材的硬化树脂层上形成半硬化树脂层。首先，使用N,N'-二甲基乙酰胺作为溶剂使以下所表示的树脂组成物溶解，以使树脂固形物成分成为30wt％的树脂清漆方式进行制备。

[形成半硬化树脂层的树脂组成物]

马来酰亚胺树脂：4,4'-二苯基甲烷双马来酰亚胺(商品名：BMI-1000，大和化成工业公司制造)/30重量份

芳香族聚胺树脂：1,3-双[4-胺基苯氧基]苯(商品名：TPE-R，和歌山精化工业公司制造)/35重量份

环氧树脂：双酚A型环氧树脂(商品名：EPICLON 850S，大日本墨水化学工业公司制造)/20重量份

具有可交联的官能基的线状聚合物：聚乙烯醇缩乙醛树脂(商品名：Denka Butyral5000A，电气化学工业公司制造)/15重量份

将上述树脂清漆涂布于电晕处理完成的覆铜聚酰亚胺树脂基材的聚酰亚胺树脂面，在室温下进行5分钟的风干，在160℃×5分钟的条件下进行加热干燥，积层形成半硬化树脂层。此时的半硬化树脂层的树脂厚度设为20μm。

并且，为了测定半硬化树脂层在硬化后的热膨胀系数，利用与上述相同的方法将用于形成半硬化树脂层的上述树脂清漆涂布于氟系耐热膜，在室温下进行5分钟的风干，在160℃×5分钟的条件下加热干燥，进而，进行200℃×2小时的硬化加热而制成厚度20μm的试验用硬化树脂层。即，该试验用硬化树脂层相当于使本申请发明的附载体铜箔的半硬化树脂层硬化的情况。该试验用硬化树脂层的热膨胀系数为45ppm/℃。

以如上方式获得的附载体铜箔的树脂层整体的厚度为47μm。并且，通过下述方法，自该附树脂铜箔将铜箔蚀刻去除，使用由硬化树脂层与半硬化树脂层构成的树脂层，对其进行200℃×2小时的硬化加热，测定使该半硬化树脂层硬化后的树脂层整体的热膨胀系数。结果热膨胀系数为35ppm/℃。又，剥离强度为1.0kgf/cm。

·“E”

最初制造构成树脂层的第1树脂组成物。在制造该第1树脂组成物时，使用邻甲酚酚醛清漆型环氧树脂(东都化成股份有限公司制造的YDCN-704)、可溶在溶剂的芳香族聚酰胺树脂聚合物、及以与作为溶剂的环戊酮的混合清漆而市售的日本化药股份有限公司制造的BP3225-50P作为原料。并且，在作为硬化剂的酚系树脂中添加大日本墨水股份有限公司制造的VH-4170及作为硬化促进剂的四国化成股份有限公司制造的2E4MZ，而在该混合清漆中制成具有以下所表示的调配比例的第1树脂组成物。

对该第1树脂组成物进而使用甲基乙基酮，将树脂固形物成分调整为30重量％，由此制成树脂溶液。

将树脂层形成前的附载体铜箔的极薄铜层侧表面(在对极薄铜层进行表面处理的情形时为该经表面处理的表面)浸渍在下述溶液中：以成为5g/l的浓度的方式在离子交换水中添加γ-缩水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷而成的溶液，并进行吸着处理。然后，历时4秒在利用电热器调整为180℃环境的炉内释放水分，进行硅烷偶合剂的缩合反应而形成硅烷偶合剂层。

使用凹版涂布机将以如上方式制造的树脂溶液涂布在形成有附载体铜箔的硅烷偶合剂层的面。然后，进行5分钟的风干，其后，在140℃的加热环境中进行3分钟的干燥处理，形成半硬化状态的1.5μm厚的树脂层，获得本申请发明的附载体铜箔。再者，树脂溢流量的测定是制造使底涂树脂层为40μm厚度的附树脂铜箔(以下称为“树脂溢流量测定用试样”)。

并且，自该树脂溢流量测定用试样采取4片10cm见方试样，依据上述的MIL-P-13949G进行树脂溢流量的测定。结果树脂溢流量为1.5％。

2.附载体铜箔的特性评价

利用以下方法对以如上方式获得的附载体铜箔实施特性评价。将结果示于表1。再者，表1的“标准偏差(μm)栏”的“Ra”的“3.91E-16”是表示3.91×10^-16(μm)，“1.30E-02”是表示1.30×10^-2(μm)。

(表面粗糙度)

自形成树脂层前的各附载体铜箔(550mm×550mm的正方形)以55mm间距在纵横向上引直线，分配每个55mm×55mm的正方形的区域100个部位。对各区域使用接触式粗糙度测定机(小阪研究所股份有限公司制造的接触粗糙度计Surfcorder SE-3C)，依据JIS B0601-1982(Ra、Rz)及JIS B0601-2001(Rt)，在以下测定条件下测定极薄铜层的表面粗糙度(Ra、Rt、Rz)，测定其平均值及标准偏差。

＜测定条件＞

截止点：0.25mm

基准长度：0.8mm

测定环境温度：23～25℃

(迁移)

将形成树脂层前的各附载体铜箔(550mm×550mm的正方形)接着于铋系树脂，其次，将载体箔剥离去除。通过软蚀刻使所露出的极薄铜层的厚度成为1.5μm。其后，进行洗凈、干燥后，将DF(日立化成公司制造，商品名RY-3625)层压涂布在极薄铜层上。在15mJ/cm²的条件下进行曝光，使用显影液(碳酸钠)于38℃下进行1分钟液喷射振荡，以线与间隙(L/S)＝15μm/15μm形成光阻图案。继而，利用硫酸铜镀敷(Ebara-Udylite制造的CUBRITE21)镀高15μm后，以剥离液(氢氧化钠)剥离DF。其后，以硫酸-过氧化氢系蚀刻剂将极薄铜层蚀刻去除，形成L/S＝15μm/15μm的配线。依据上述每个55mm×55mm的大小的区域自所获得的配线基板切出100个配线基板。

对所获得的各配线基板，使用迁移测定机(IMV制造的MIG-9000)，在以下测定条件下对配线图案间有无绝缘劣化进行评价。关于100个配线基板，对产生迁移的基板的数进行评价。

再者，关于实施例2，进而，形成线与间隙的间距为20μm(L/S＝8μm/12μm、L/S＝10μm/10μm、L/S＝12μm/8μm)的配线而进行上述迁移的评价。又，关于实施例3，进而，形成线与间隙的间距为20μm(L/S＝8μm/12μm、L/S＝10μm/10μm、L/S＝12μm/8μm)、线与间隙的间距为15μm(L/S＝5μm/10μm、L/S＝8μm/7μm)的配线而进行上述迁移的评价。再者，在线与间隙的间距为15μm的情形时，将镀高的厚度设为10μm。其结果，在使用实施例2的附载体铜箔形成L/S＝8μm/12μm、L/S＝10μm/10μm、L·/S＝12μm/8μm的配线的情形时，面内迁移产生率分别为2/100、2/100、3/100。又，在使用实施例3的附载体铜箔形成L/S＝8μm/12μm、L/S＝10μm/10μm、L/S＝12μm/8μm、L/S＝5μm/10μm、L/S＝8μm/7μm的配线的情形时，面内迁移产生率分别为1/100、1/100、2/100、1/100、3/100。

＜测定条件＞

阈值：初期电阻下降60％

测定时间：1000h

电压：60V

温度：85℃

相对湿度：85％RH

(剥离强度)

对于所制作的附有树脂层(其中，在未形成树脂层的情形时并无树脂层)的附载体铜箔，对极薄铜层的自树脂基材的剥离强度进行测定。使用BT基材(双马来酰亚胺·三嗪树脂，三菱瓦斯化学股份有限公司制造的GHPL-830MBT)作为树脂基材，将其积层在附载体铜箔的树脂层侧，在三菱瓦斯化学股份有限公司的推荐条件下进行加热压接而制作覆铜积层板。其后，在剥离载体后，通过湿式蚀刻制作宽10mm的电路，实施例/比较例分别制成10个测定样品。其后，将形成电路的极薄铜层剥离，对10个样品测定90度剥离强度，求出剥离强度的平均值、最大值、最小值、剥离强度的不均((最大值－最小值)/平均值×100(％))。BT基材是代表性的半导体封装基板用基材。将BT基材积层时自BT基材的极薄铜层的剥离强度优选为0.70kN/m以上，更优选为0.85kN/m以上。

Claims

1.一种附载体铜箔，其依序具备载体、剥离层、极薄铜层、及任意的树脂层，并且极薄铜层表面的Rz的平均值是利用接触式粗糙度计依据JIS B0601-1982进行测定而为1.5μm以下，且Rz的标准偏差为0.1μm以下。

2.根据权利要求1所述的附载体铜箔，其中，极薄铜层是被粗化处理的。

3.根据权利要求1或2所述的附载体铜箔，其中，极薄铜层表面的Rt的平均值是利用接触式粗糙度计依据JIS B0601-2001进行测定而为2.0μm以下，且Rt的标准偏差为0.1μm以下。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的附载体铜箔，其中，极薄铜层表面的Ra的平均值是利用接触式粗糙度计依据JIS B0601-1982进行测定而为0.2μm以下，且Ra的标准偏差为0.03μm以下。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的附载体铜箔，其中，极薄铜层表面的Rz的平均值为1.0μm以下。

6.根据权利要求5所述的附载体铜箔，其中，极薄铜层表面的Rz的平均值为0.5μm以下。

7.一种附载体铜箔，其依序具备载体、剥离层、极薄铜层、及任意的树脂层，并且极薄铜层表面的Rt的平均值是利用接触式粗糙度计依据JIS B0601-2001进行测定而为2.0μm以下，且Rt的标准偏差为0.1μm以下。

8.根据权利要求7所述的附载体铜箔，其中，极薄铜层是被粗化处理的。

9.根据权利要求7或8所述的附载体铜箔，其中，极薄铜层表面的Rz的平均值是利用接触式粗糙度计依据JIS B0601-1982进行测定而为1.5μm以下，且Rz的标准偏差为0.1μm以下。

10.根据权利要求7至9中任一项所述的附载体铜箔，其中，极薄铜层表面的Ra的平均值是利用接触式粗糙度计依据JIS B0601-1982进行测定而为0.2μm以下，且Ra的标准偏差为0.03μm以下。

11.根据权利要求7至10中任一项所述的附载体铜箔，其中，极薄铜层表面的Rt的平均值为1.0μm以下。

12.一种附载体铜箔，其依序具备载体、剥离层、极薄铜层、及任意的树脂层者，并且极薄铜层表面的Ra的平均值是利用接触式粗糙度计依据JISB0601-1982进行测定而为0.2μm以下，且Ra的标准偏差为0.03μm以下。

13.根据权利要求12所述的附载体铜箔，其中，极薄铜层是被粗化处理的。

14.根据权利要求12或13所述的附载体铜箔，其中，极薄铜层表面的Rz的平均值是利用接触式粗糙度计依据JIS B0601-1982进行测定而为1.5μm以下，且Rz的标准偏差为0.1μm以下。

15.根据权利要求12至14中任一项所述的附载体铜箔，其中，极薄铜层表面的Rt的平均值是利用接触式粗糙度计依据JIS B0601-2001进行测定而为2.0μm以下，且Rt的标准偏差为0.1μm以下。

16.根据权利要求12至15中任一项所述的附载体铜箔，其中，极薄铜层表面的Ra的平均值为0.15μm以下。

17.一种印刷配线板，其是使用权利要求1至16中任一项所述的附载体铜箔而制成。

18.一种印刷电路板，其是使用权利要求1至16中任一项所述的附载体铜箔而制成。

19.根据权利要求17所述的印刷配线板，其具有：

绝缘基板、及

设置在上述绝缘基板上的铜电路，

上述铜电路的电路宽度未达20μm，邻接的铜电路间的间隙宽度未达20μm。

20.根据权利要求17所述的印刷配线板，其具有：

绝缘基板、及

设置在上述绝缘基板上的铜电路，

上述铜电路的电路宽度为17μm以下，邻接的铜电路间的间隙宽度为17μm以下。

21.根据权利要求18所述的印刷电路板，其具有：

绝缘基板、及

设置在上述绝缘基板上的铜电路，

22.根据权利要求18所述的印刷电路板，其具有：

绝缘基板、及

设置在上述绝缘基板上的铜电路，

23.根据权利要求17所述的印刷配线板，其中，线与间隙的间距未达40μm。

24.根据权利要求17所述的印刷配线板，其中，线与间隙的间距为34μm以下。

25.根据权利要求18所述的印刷电路板，其中，线与间隙的间距未达40μm。

26.根据权利要求18所述的印刷电路板，其中，线与间隙的间距为34μm以下。

27.一种覆铜积层板，其是使用权利要求1至16中任一项所述的附载体铜箔而制造。

28.一种印刷配线板的制造方法，其包含如下步骤：

准备权利要求1至16中任一项所述的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；

将上述附载体铜箔与绝缘基板积层的步骤；

在将上述附载体铜箔与绝缘基板积层后，经过将上述附载体铜箔的载体剥离的步骤而形成覆铜积层板，

其后，通过半加成法、减成法、部分加成法或改进半加成法中的任一种方法形成电路的步骤。

29.一种印刷配线板的制造方法，其包含如下步骤：

在权利要求1至16中任一项所述的附载体铜箔的上述极薄铜层侧表面形成电路的步骤；

以埋没上述电路的方式在上述附载体铜箔的上述极薄铜层侧表面形成树脂层的步骤；

在上述树脂层上形成电路的步骤；

在上述树脂层上形成电路后，剥离上述载体；及

通过在剥离上述载体后去除上述极薄铜层，而使形成在上述极薄铜层侧表面的埋没在上述树脂层的电路露出的步骤。

30.根据权利要求29所述的印刷配线板的制造方法，其中，在上述树脂层上形成电路的步骤是将另一附载体铜箔自极薄铜层侧贴合在上述树脂层上，使用贴合在上述树脂层的附载体铜箔形成上述电路的步骤。

31.根据权利要求30所述的印刷配线板的制造方法，其中，贴合在上述树脂层上的另一附载体铜箔为权利要求1至16中任一项所述的附载体铜箔。

32.根据权利要求29至31中任一项所述的印刷配线板的制造方法，其中，在上述树脂层上形成电路的步骤是通过半加成法、减成法、部分加成法或改进半加成法中的任一种方法进行。

33.根据权利要求29至32中任一项所述的印刷配线板的制造方法，其进一步包含在剥离载体前，在附载体铜箔的载体侧表面形成基板的步骤。