CN108026652B - 金属箔、附脱模层的金属箔、积层体、印刷配线板、半导体封装、电子机器及印刷配线板的制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种金属箔，其是通过在金属箔设置脱模层而使将该金属箔贴合于树脂基材时的树脂基材可物理性剥离，从而在将金属箔自树脂基材去除的步骤中，可在不损伤转印至树脂基材的表面的金属箔表面的轮廓的情况下以较佳的成本将金属箔去除，又，可将树脂成分不同的树脂彼此以良好的密接性贴合。本发明的金属箔是在至少一表面具有均方根高度Sq为0.25～1.6μm的表面凹凸。

Description

金属箔、附脱模层的金属箔、积层体、印刷配线板、半导体封 装、电子机器及印刷配线板的制造方法

技术领域

本发明涉及一种金属箔、附脱模层的金属箔、积层体、印刷配线板、半导体封装、电子机器及印刷配线板的制造方法。

背景技术

印刷配线基板及半导体封装基板的电路形成工艺方法的主流是减成法，但因近年来进一步的微细配线化，而M－SAP(Modified Semi－Additive Process，改进型半加成法)、或使用金属箔的表面轮廓的半加成法等新工艺方法兴起。

这些新电路形成工艺方法中，作为后者的使用金属箔的表面轮廓的半加成法的一实例，列举如下方法。即，首先，对积层在树脂基材的金属箔的整个面进行蚀刻，利用雷射等对转印有金属箔表面轮廓的蚀刻基材面进行开孔，施加用以使开孔部导通的无电解镀铜层，利用干膜覆盖无电解镀铜表面，通过UV曝光及显影将电路形成部的干膜去除，对未被干膜覆盖的无电解镀铜面实施电解镀铜，将干膜剥离，最后利用含有硫酸、过氧化氢水的蚀刻液等对无电解镀铜层进行蚀刻(闪蚀、快速蚀刻)，由此形成微细的电路(专利文献1、专利文献2)。

[背景技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本特开2006－196863号公报

[专利文献2]日本特开2007－242975号公报。

发明内容

[发明所欲解决的问题]

然而，现有的使用金属箔表面的轮廓的半加成法中，关于在不损伤金属箔表面的轮廓的情况下良好地转印至树脂基材的表面的方面、以及以较佳的成本将该金属箔去除的方面上仍存在研究的余地。

又，近年来，对制造将树脂与树脂贴合而成的积层体的技术进行了研究、开发。此时，存在树脂成分不同的情形时无法获得充分的密接性的情形，必须使单侧的树脂具有凹凸而谋求锚固效应所带来的密接性提高。在硬化的树脂表面留下凹凸的方法存在物理加工、化学加工等，但根据树脂的物理性质或化学性质，存在这些方法不合适的情形。因此，对于将树脂成分不同的树脂彼此以良好的密接性贴合的技术，亦期待进一步的开发。

[解决课题的技术手段]

本发明人等努力进行研究，结果发现：通过在具有表面凹凸的金属箔设置脱模层而使将该金属箔贴合于树脂基材时的树脂基材可物理性剥离，从而在将金属箔自树脂基材去除的步骤中，可在不损伤转印至树脂基材的表面的金属箔表面的轮廓的情况下以较佳的成本将金属箔去除。进而发现：通过将与树脂的密接性良好且具有特定的表面凹凸的金属箔与树脂贴合并使其硬化，其后将金属箔去除，而使凹凸转印至树脂表面，由此，可将树脂成分不同的树脂彼此以良好的密接性贴合。

基于以上见解而完成的本发明在一方面中是一种金属箔，其在至少一表面具有均方根高度Sq为0.25～1.6μm的表面凹凸。

本发明在另一方面中是一种金属箔，其在至少一表面具有均方根高度Sq与凹凸的平均间隔Rsm之比(Sq/Rsm)为0.05～0.40的表面凹凸。

本发明的金属箔在一实施方案中，在至少一表面具有均方根高度Sq与凹凸的平均间隔Rsm之比(Sq/Rsm)为0.05～0.40的表面凹凸。

本发明的金属箔在一实施方案中，厚度为5～105μm。

本发明的金属箔在另一实施方案中，上述金属箔为铜箔。

本发明的金属箔在又一实施方案中，在上述金属箔的表面设置有选自由粗化处理层、耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶合处理层所组成的群中的一种以上的层。

本发明的金属箔在又一实施方案中，在上述选自由粗化处理层、耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶合处理层所组成的群中的一种以上的层的表面设置有树脂层。

本发明的金属箔在又一实施方案中，上述树脂层是接着用树脂、底涂剂或半硬化状态的树脂。

本发明在另一方面中是一种附脱模层的金属箔，其具备：本发明的金属箔；及脱模层，其设置在上述金属箔的具有表面凹凸的面侧，且使自上述脱模层侧向上述金属箔贴合有树脂基材时的上述树脂基材可剥离。

本发明的附脱模层的金属箔在一实施方案中，上述脱模层是单独使用或组合使用数种下式所表示的铝酸盐化合物、钛酸盐化合物、锆酸盐化合物、它们的水解生成物、该水解生成物的缩合物而成，

[化学式1]

(R¹)_m-M-(R²)_n

(式中，R¹为烷氧基或卤素原子，R²为选自由烷基、环烷基及芳基所组成的群中的烃基、或一个以上的氢原子被取代为卤素原子的这些基中的任一烃基，M为Al、Ti、Zr中的任一者，n为0、1或2，m为1以上且M的价数以下的整数，至少一个R¹为烷氧基；再者，m+n为M的价数，即，在Al的情形时为3，在Ti、Zr的情形时为4)。

本发明的附脱模层的金属箔在又一实施方案中，上述脱模层是单独使用或组合使用数种下式所表示的硅烷化合物、其水解生成物、该水解生成物的缩合物而成，

[化学式2]

(式中，R¹为烷氧基或卤素原子，R²为选自由烷基、环烷基及芳基所组成的群中的烃基、或一个以上的氢原子被取代为卤素原子的这些基中的任一烃基，R³及R⁴分别独立地为卤素原子、或烷氧基、或者选自由烷基、环烷基及芳基所组成的群中的烃基、或一个以上的氢原子被取代为卤素原子的这些基中的任一烃基)。

本发明的附脱模层的金属箔在又一实施方案中，上述脱模层是使用分子内具有2个以下的巯基的化合物而成。

本发明的附脱模层的金属箔在又一实施方案中，在上述脱模层表面设置有树脂层。

本发明的附脱模层的金属箔在又一方面中，上述树脂层是接着用树脂、底涂剂或半硬化状态的树脂。

本发明在又一方面中是一种积层体，其具备本发明的金属箔或本发明的附脱模层的金属箔、及设置在上述金属箔或上述附脱模层的金属箔的树脂基材。

本发明的积层体在一实施方案中，上述树脂基材为预浸料，或者含有热硬化性树脂。

本发明在又一方面中是一种印刷配线板，其具备本发明的金属箔或本发明的附脱模层的金属箔。

本发明在又一方面中是一种半导体封装，其具备本发明的印刷配线板。

本发明在又一方面中是一种电子机器，其具备本发明的印刷配线板或本发明的半导体封装。

本发明在又一方面中是一种印刷配线板的制造方法，其具备下述步骤：在本发明的金属箔或本发明的附脱模层的金属箔贴合树脂基材的步骤；通过不进行蚀刻而将上述金属箔或上述附脱模层的金属箔自上述树脂基材剥离，而获得在剥离面转印有上述金属箔或上述附脱模层的金属箔的表面轮廓的树脂基材的步骤；及在上述转印有表面轮廓的树脂基材的上述剥离面侧形成电路的步骤。

本发明的印刷配线板的制造方法在一实施方案中，形成在上述转印有表面轮廓的树脂基材的上述剥离面侧的电路是镀覆图案或印刷图案。

本发明在又一方面中是一种印刷配线板的制造方法，其具备下述步骤：在本发明的金属箔或本发明的附脱模层的金属箔贴合树脂基材的步骤；通过不进行蚀刻而将上述金属箔或上述附脱模层的金属箔自上述树脂基材剥离，而获得在剥离面转印有上述金属箔或上述附脱模层的金属箔的表面轮廓的树脂基材的步骤；及在上述转印有表面轮廓的树脂基材的上述剥离面侧设置增层的步骤。

本发明的印刷配线板的制造方法在又一实施方案中，构成上述增层的树脂含有液晶聚合物或聚四氟乙烯。

[发明的效果]

通过在金属箔设置脱模层而使将该金属箔贴合于树脂基材时的树脂基材可物理性剥离，从而在将金属箔自树脂基材去除的步骤中，可在不损伤转印至树脂基材的表面的金属箔表面的轮廓的情况下以较佳的成本将金属箔去除。又，可将树脂成分不同的树脂彼此以良好的密接性贴合。

附图说明

图1表示使用铜箔的轮廓的半加成法的概略例。

具体实施方式

(金属箔、附脱模层的金属箔)

本发明的金属箔在一方面中是一种金属箔，其在至少一表面、即一表面或两表面具有均方根高度Sq为0.25～1.6μm的表面凹凸。

又，本发明的附脱模层的金属箔具备：上述金属箔；及脱模层，其设置在上述金属箔的具有表面凹凸的面侧，且使自上述脱模层侧向上述金属箔贴合有树脂基材时的上述树脂基材可剥离。

如此，通过在金属箔设置脱模层而使将该金属箔贴合于树脂基材时的树脂基材可物理性剥离，从而在将金属箔自树脂基材去除的步骤中，可在不损伤转印至树脂基材的表面的金属箔表面的轮廓的情况下以较佳的成本将金属箔去除。

再者，在本说明书中，所谓“表面”及“金属箔的表面”，当在金属箔表面设置有粗化处理层、耐热层、防锈层、铬酸盐处理层、硅烷偶合处理层、脱模层等表面处理层的情形时，是指设置该表面处理层后的表面(最外层的表面)。

本发明的金属箔由于具有金属箔表面的均方根高度Sq为0.25～1.6μm的表面凹凸，故而可良好地保持将金属箔与树脂基材贴合后的剥离性，并且通过转印至将金属箔剥离后的树脂基材表面的凹凸形状，而使电路或树脂或增层等积层构件无空隙(或空隙极少)地追随该树脂基材表面，从而可将电路或树脂或增层等积层构件以良好的密接性设置在树脂基材表面。

若均方根高度Sq未达0.25μm，则在将金属箔与树脂基材贴合后剥离金属箔而获得的树脂基材表面的凹凸较小，会产生与不同的树脂的密接性变得不充分的问题，若超过1.6μm，则会产生如下问题：在将金属箔与树脂基材贴合后剥离金属箔时的剥离性会变差，此外，将金属箔剥离后的树脂基材表面的凹凸形状过深导致电路或树脂或增层等积层构件不追随其凹凸形状。均方根高度Sq优选为0.30～1.4μm，更优选为0.4～1.0μm，更优选为0.4～0.96μm。

本发明的金属箔在另一方面中是一种金属箔，其在至少一表面、即一表面或两表面具有均方根高度Sq与凹凸的平均间隔Rsm之比(Sq/Rsm)为0.05～0.40的表面凹凸。

又，本发明的附脱模层的金属箔具备：上述金属箔；及脱模层，其设置在上述金属箔的具有表面凹凸的面侧，且使自上述脱模层侧向上述金属箔贴合有树脂基材时的上述树脂基材可剥离。

如此，通过在金属箔设置脱模层而使将该金属箔贴合于树脂基材时的树脂基材可物理性剥离，从而在将金属箔自树脂基材去除的步骤中，可在不损伤转印至树脂基材的表面的金属箔表面的轮廓的情况下以较佳的成本将金属箔去除。

关于本发明的金属箔，由于金属箔具有均方根高度Sq与凹凸的平均间隔Rsm之比(Sq/Rsm)为0.05～0.40的表面凹凸，故而可良好地保持将金属箔与树脂基材贴合后的剥离性，并且通过转印至将金属箔剥离后的树脂基材表面的凹凸形状，而使电路或树脂或增层等积层构件无空隙(或空隙极少)地追随，从而可将电路或树脂或增层等积层构件以良好的密接性设置在树脂基材表面。

若均方根高度Sq与凹凸的平均间隔Rsm之比(Sq/Rsm)未达0.05，则在将金属箔与树脂基材贴合后将金属箔剥离而获得的树脂基材表面的凹凸较小，会产生树脂基材与电路或树脂或增层等积层构件的密接性变得不充分的问题，若超过0.40，则会产生如下问题：在将金属箔与树脂基材贴合后将金属箔剥离时的剥离性会变差，此外，将金属箔剥离后的树脂基材表面的凹凸形状过深导致电路或树脂或增层等积层构件不追随其凹凸形状。均方根高度Sq与凹凸的平均间隔Rsm之比(Sq/Rsm)优选为0.10～0.25，更优选为0.10～0.20。

再者，脱模层亦可设置在金属箔的两面。又，金属箔与树脂基材的贴合或积层、及电路或树脂或增层等积层构件向树脂基材的积层亦可通过压接而进行。

金属箔(亦称作生箔)并无特别限定，可使用铜箔、铝箔、镍箔、铜合金箔、镍合金箔、铝合金箔、不锈钢箔、铁箔、铁合金箔等。

金属箔(生箔)的厚度并无特别限定，例如可设为5～105μm。又，就自树脂基材的剥离变得容易的方面而言，金属箔的厚度优选为9～70μm，更优选为12～35μm，进而更优选为18～35μm。

以下，作为金属箔(生箔)的实例，对铜箔进行说明。作为金属箔(生箔)的制造方法，并无特别限定，例如可以下述的电解条件制作电解铜箔。

电解生箔的电解条件：

电解液组成：

Cu：30～190g/L

H₂SO₄：100～400g/L

氯化物离子(Cl^－)：60～200质量ppm

动物胶：1～10ppm

(视需要的双(3－磺丙基)二硫醚(SPS)：10～100ppm)

电解液温度：25～80℃

电解时间：10～300秒(根据析出的铜厚、电流密度进行调整)

电流密度：50～150A/dm²

电解液线速度：1.5～5m/sec

再者，在本说明书中，电解液、镀覆液、硅烷偶合处理液、形成脱模层的处理中所使用的液体等液体或用于表面处理的处理液的剩余部分只要未特别记载，则为水。

均方根高度Sq、Sq与凹凸的平均间隔Rsm之比(Sq/Rsm)均可通过上述电解条件进行调整。若使电解时间(铜厚)及/或电流密度在上述范围内较高，则Sq以及Sq/Rsm变大。另一方面，若使氯化物离子浓度、动物胶浓度、SPS浓度及/或电解液线速度在上述范围内较高，则有Sq以及Sq/Rsm变小的倾向。只要根据所要求的剥离性的程度、所要求的与积层构件的密接性而调节这些电解条件即可。

在本发明中，将金属箔自树脂基材去除，意指通过利用蚀刻等的化学处理将金属箔自树脂基材去除、或通过剥离等物理性地将树脂基材自金属箔剥离。在如上所述般将树脂基材在与本发明的金属箔贴合后去除时，树脂基材与金属箔在脱模层分离。此时，在树脂基材的剥离面亦可残留有剥离层、下述金属箔的粗化处理层、耐热层、防锈层、铬酸盐处理层、硅烷偶合处理层等的一部分，但优选为不存在残留物。

关于本发明的金属箔，优选为在贴合有树脂基材时将树脂基材剥离时的剥离强度为200gf/cm以下。若以此方式进行控制，则树脂基材的物理性剥离变得容易，金属箔表面的轮廓被更良好地转印至树脂基材。该剥离强度更优选为150gf/cm以下，进而更优选为100gf/cm以下，进而更优选为50gf/cm以下，典型而言为1～200gf/cm，更典型而言为1～150gf/cm。

继而，对本发明中可使用的脱模层进行说明。

(1)硅烷化合物

通过单独使用或混合使用数种具有下式所表示的结构的硅烷化合物、或其水解生成物、或该水解生成物的缩合物(以下，简记为硅烷化合物)而形成脱模层，从而在将金属箔与树脂基材贴合时，密接性会适度地降低，可将剥离强度调节为上述范围。

式：

[化学式3]

(式中，R¹为烷氧基或卤素原子，R²为选自由烷基、环烷基及芳基所组成的群中的烃基、或一个以上的氢原子被取代为卤素原子的这些基中的任一烃基，R³及R⁴分别独立地为卤素原子、或烷氧基、或者选自由烷基、环烷基及芳基所组成的群中的烃基、或一个以上的氢原子被取代为卤素原子的这些基中的任一烃基)。

该硅烷化合物必须具有至少一个烷氧基。在不存在烷氧基而仅由选自由烷基、环烷基及芳基所组成的群中的烃基、或一个以上的氢原子被取代为卤素原子的这些基中的任一烃基构成取代基的情形时，存在树脂基材与金属箔的密接性过度降低的倾向。又，该硅烷化合物必须具有至少一个的选自由烷基、环烷基及芳基所组成的群中的烃基、或一个以上的氢原子被取代为卤素原子的这些基中的任一烃基。其原因在于：在不存在该烃基的情形时，存在树脂基材与金属箔的密接性上升的倾向。再者，烷氧基中亦包含一个以上的氢原子被取代为卤素原子的烷氧基。

在将树脂基材与金属箔的剥离强度调节为上述范围的方面而言，该硅烷化合物优选为具有三个烷氧基、一个上述烃基(包含一个以上的氢原子被取代为卤素原子的烃基)。若以上式来说，则是指R³及R⁴两者为烷氧基。

作为烷氧基，并无限定，可列举：甲氧基、乙氧基、正或异丙氧基、正、异或第三丁氧基、正、异或新戊氧基、正己氧基、环己氧基、正庚氧基、及正辛氧基等直链状、支链状、或环状的碳数1～20、优选为碳数1～10、更优选为碳数1～5的烷氧基。

作为卤素原子，可列举：氟原子、氯原子、溴原子及碘原子。

作为烷基，并无限定，可列举：甲基、乙基、正或异丙基、正、异或第三丁基、正、异或新戊基、正己基、正辛基、正癸基等直链状或支链状的碳数1～20、优选为碳数1～10、更优选为碳数1～5的烷基。

作为环烷基，并无限定，可列举：环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基等碳数3～10、优选为碳数5～7的环烷基。

作为芳基，可列举苯基、经烷基取代的苯基(例：甲苯基、二甲苯基)、1－或2－萘基、蒽基等碳数6～20、优选为6～14的芳基。

这些烃基的一个以上的氢原子亦可被取代为卤素原子，例如可被取代为氟原子、氯原子、或溴原子。

作为优选的硅烷化合物的实例，可列举：甲基三甲氧基硅烷、乙基三甲氧基硅烷、正或异丙基三甲氧基硅烷、正、异或第三丁基三甲氧基硅烷、正、异或新戊基三甲氧基硅烷、己基三甲氧基硅烷、辛基三甲氧基硅烷、癸基三甲氧基硅烷、苯基三甲氧基硅烷；烷基取代苯基三甲氧基硅烷(例如对(甲基)苯基三甲氧基硅烷)、甲基三乙氧基硅烷、乙基三乙氧基硅烷、正或异丙基三乙氧基硅烷、正、异或第三丁基三乙氧基硅烷、戊基三乙氧基硅烷、己基三乙氧基硅烷、辛基三乙氧基硅烷、癸基三乙氧基硅烷、苯基三乙氧基硅烷、烷基取代苯基三乙氧基硅烷(例如对(甲基)苯基三乙氧基硅烷)、(3,3,3－三氟丙基)三甲氧基硅烷、及十三氟辛基三乙氧基硅烷、甲基三氯硅烷、二甲基二氯硅烷、三甲基氯硅烷、苯基三氯硅烷、三甲基氟硅烷、二甲基二溴硅烷、二苯基二溴硅烷、它们的水解生成物、及它们的水解生成物的缩合物等。这些中，就获取的容易性的观点而言，优选为丙基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、己基三甲氧基硅烷、苯基三乙氧基硅烷、癸基三甲氧基硅烷。

在脱模层的形成步骤中，硅烷化合物可以水溶液的形态进行使用。为了提高对水的溶解性，亦可添加甲醇或乙醇等醇。醇的添加在使用疏水性较高的硅烷化合物时尤其有效。硅烷化合物的水溶液通过进行搅拌而促进烷氧基的水解，若搅拌时间较长，则会促进水解生成物的缩合。通常，在使用经过充分的搅拌时间而使水解及缩合充分进行的硅烷化合物时，存在树脂基材与金属箔的剥离强度降低的倾向。因此，可通过搅拌时间的调整而调整剥离强度。作为使硅烷化合物溶解在水中后的搅拌时间并无限定，例如可设为1～100小时，典型而言可设为1～30小时。当然，亦存在不进行搅拌而使用的方法。

在硅烷化合物在水溶液中的硅烷化合物的浓度较高时，存在金属箔与板状载体的剥离强度降低的倾向，可通过硅烷化合物的浓度调整来调整剥离强度。硅烷化合物在水溶液中的浓度并无限定，可设为0.01～10.0体积％，典型而言可设为0.1～5.0体积％。

硅烷化合物的水溶液的pH并无特别限制，在酸性侧或碱性侧均可利用。例如可以3.0～10.0的范围的pH进行使用。就无需进行特别的pH调整的观点而言，优选为设为中性附近的5.0～9.0的范围的pH，更优选为设为7.0～9.0的范围的pH。

(2)分子内具有2个以下的巯基的化合物

脱模层是使用分子内具有2个以下的巯基的化合物而构成，即便通过介隔该脱模层将树脂基材与金属箔贴合，而密接性亦会适度地降低，可调节剥离强度。

但是，在使分子内具有3个以上的巯基的化合物或其盐介存在树脂基材与金属箔之间而将其等贴合的情形时，不符合降低剥离强度的目的。认为其原因在于：若分子内存在过量的巯基，则存在通过巯基彼此、或巯基与板状载体、或巯基与金属箔的化学反应而过量地生成硫键、双硫键或多硫键，在树脂基材与金属箔之间形成牢固的三维交联结构，由此剥离强度上升的情形。此种事例揭示于日本特开2000－196207号公报中。

作为该分子内具有2个以下的巯基的化合物，可列举：硫醇、二硫醇、硫羧酸或其盐、二硫羧酸或其盐、硫磺酸或其盐、及二硫磺酸或其盐，可使用选自这些中的至少一种。

硫醇是分子内具有一个巯基者，例如由R－SH表示。此处，R表示亦可包含羟基或胺基的脂肪族系或芳香族系烃基或者杂环基。

二硫醇是分子内具有两个巯基者，例如由R(SH)₂表示。R表示亦可包含羟基或胺基的脂肪族系或芳香族系烃基或者杂环基。又，两个巯基可分别键结于相同的碳，亦可键结于互相不同的碳或氮。

硫羧酸是有机羧酸的羟基被取代为巯基者，例如由R－CO－SH表示。R表示亦可包含羟基或胺基的脂肪族系或芳香族系烃基或者杂环基。又，硫羧酸亦可以盐的形态进行使用。再者，亦可使用具有两个硫羧酸基的化合物。

二硫羧酸是有机羧酸的羧基中的2个氧原子被取代为硫原子者，例如由R－(CS)－SH表示。R表示亦可包含羟基或胺基的脂肪族系或芳香族系烃基或者杂环基。又，二硫羧酸亦可以盐的形态进行使用。再者，亦可使用具有两个二硫羧酸基的化合物。

硫磺酸是有机磺酸的羟基被取代为巯基者，例如由R(SO₂)－SH表示。R表示亦可包含羟基或胺基的脂肪族系或芳香族系烃基或者杂环基。又，硫磺酸亦可以盐的形态进行使用。

二硫磺酸是有机二磺酸的两个羟基分别被取代为巯基者，例如由R－((SO₂)－SH)₂表示。R表示亦可包含羟基或胺基的脂肪族系或芳香族系烃基或者杂环基。又，两个硫磺酸基可分别键结于相同的碳，亦可键结于互相不同的碳。又，二硫磺酸亦可以盐的形态进行使用。

此处，作为有关R的优选的脂肪族系烃基，可列举：烷基、环烷基，这些烃基可包含羟基与胺基的任一者或两者。

又，作为烷基，并无限定，可列举：甲基、乙基、正或异丙基、正、异或第三丁基、正、异或新戊基、正己基、正辛基、正癸基等直链状或支链状的碳数1～20、优选为碳数1～10、更优选为碳数1～5的烷基。

又，作为环烷基，并无限定，可列举：环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基等碳数3～10、优选为碳数5～7的环烷基。

又，作为有关R的优选的芳香族烃基，可列举：苯基、经烷基取代的苯基(例：甲苯基、二甲苯基)、1－或2－萘基、蒽基等碳数6～20、优选为6～14的芳基，这些烃基可包含羟基与胺基的任一者或两者。

又，作为有关R的优选的杂环基，可列举：咪唑、三唑、四唑、苯并咪唑、苯并三唑、噻唑、苯并噻唑，可包含羟基与胺基的任一者或两者。

作为分子内具有2个以下的巯基的化合物的优选的实例，可列举：3－巯基－1,2－丙二醇、2－巯基乙醇、1,2－乙二硫醇、6－巯基－1－己醇、1－辛硫醇、1－十二烷硫醇、10－羟基－1－十二烷硫醇、10－羧基－1－十二烷硫醇、10－胺基－1－十二烷硫醇、1－十二烷硫醇磺酸钠、苯硫酚、硫代苯甲酸、4－胺基苯硫酚、对甲苯硫醇、2,4－二甲基苯硫醇、3－巯基－1,2,4－三唑、2－巯基苯并噻唑。这些中，就水溶性与废弃物处理上的观点而言，优选为3－巯基－1,2－丙二醇。

在脱模层的形成步骤中，分子内具有2个以下的巯基的化合物可以水溶液的形态进行使用。为了提高对水的溶解性，亦可添加甲醇或乙醇等醇。醇的添加在使用疏水性较高的分子内具有2个以下的巯基的化合物时尤其有效。

分子内具有2个以下的巯基的化合物在水溶液中的浓度较高时，存在树脂基材与金属箔的剥离强度降低的倾向，可通过调整分子内具有2个以下的巯基的化合物的浓度而调整剥离强度。分子内具有2个以下的巯基的化合物的水溶液中的浓度并无限定，可设为0.01～10.0重量％，典型而言可设为0.1～5.0重量％。

分子内具有2个以下的巯基的化合物的水溶液的pH并无特别限制，在酸性侧或碱性侧均可利用。例如可以3.0～10.0的范围的pH进行使用。就无需进行特别的pH调整的观点而言，优选为设为中性附近的5.0～9.0的范围的pH，更优选为设为7.0～9.0的范围的pH。

(3)金属烷氧化物

可单独使用或混合使用数种具有下式所表示的结构的铝酸盐化合物、钛酸盐化合物、锆酸盐化合物、或其水解生成物、或该水解生成物的缩合物(以下，简记为金属烷氧化物)而构成脱模层。通过介隔该脱模层将树脂基材与金属箔贴合，而使密接性适度地降低，可调节剥离强度。

[化学式4]

(R¹)_m-M-(R²)_n

式中，R¹为烷氧基或卤素原子，R²为选自由烷基、环烷基及芳基所组成的群中的烃基、或一个以上的氢原子被取代为卤素原子的这些基中的任一烃基，M为Al、Ti、Zr中的任一者，n为0、1或2，m为1以上且M的价数以下的整数，至少一个R¹为烷氧基。再者，m+n为M的价数，即，在Al的情形时为3，在Ti、Zr的情形时为4。

该金属烷氧化物必须具有至少一个烷氧基。在不存在烷氧基而仅由选自由烷基、环烷基及芳基所组成的群中的烃基、或一个以上的氢原子被取代为卤素原子的这些基中的任一烃基构成取代基的情形时，存在树脂基材与金属箔的密接性过度降低的倾向。又，该金属烷氧化物必须具有0～2个选自由烷基、环烷基及芳基所组成的群中的烃基、或一个以上的氢原子被取代为卤素原子的这些基中的任一烃基。其原因在于：在具有3个以上的该烃基的情形时，存在树脂基材与金属箔的密接性过度降低的倾向。再者，烷氧基中亦包含一个以上的氢原子被取代为卤素原子的烷氧基。在将树脂基材与金属箔的剥离强度调节为上述范围的方面而言，该金属烷氧化物优选为具有两个以上的烷氧基、一个或两个上述烃基(包含一个以上的氢原子被取代为卤素原子的烃基)。

又，作为烷基，并无限定，可列举：甲基、乙基、正或异丙基、正、异或第三丁基、正、异或新戊基、正己基、正辛基、正癸基等直链状或支链状的碳数1～20、优选为碳数1～10、更优选为碳数1～5的烷基。

又，作为环烷基，并无限定，可列举：环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基等碳数3～10、优选为碳数5～7的环烷基。

又，作为有关R²的优选的芳香族烃基，可列举：苯基、经烷基取代的苯基(例：甲苯基、二甲苯基)、1－或2－萘基、蒽基等碳数6～20、优选为6～14的芳基，这些烃基可包含羟基与胺基的任一者或两者。这些烃基中一个以上的氢原子亦可被取代为卤素原子，例如可被取代为氟原子、氯原子、或溴原子。

作为优选的铝酸盐化合物的实例，可列举：三甲氧基铝、甲基二甲氧基铝、乙基二甲氧基铝、正或异丙基二甲氧基铝、正、异或第三丁基二甲氧基铝、正、异或新戊基二甲氧基铝、己基二甲氧基铝、辛基二甲氧基铝、癸基二甲氧基铝、苯基二甲氧基铝；烷基取代苯基二甲氧基铝(例如对(甲基)苯基二甲氧基铝)、二甲基甲氧基铝、三乙氧基铝、甲基二乙氧基铝、乙基二乙氧基铝、正或异丙基二乙氧基铝、正、异或第三丁基二乙氧基铝、戊基二乙氧基铝、己基二乙氧基铝、辛基二乙氧基铝、癸基二乙氧基铝、苯基二乙氧基铝、烷基取代苯基二乙氧基铝(例如对(甲基)苯基二乙氧基铝)、二甲基乙氧基铝、三异丙氧基铝、甲基二异丙氧基铝、乙基二异丙氧基铝、正或异丙基二乙氧基铝、正、异或第三丁基二异丙氧基铝、戊基二异丙氧基铝、己基二异丙氧基铝、辛基二异丙氧基铝、癸基二异丙氧基铝、苯基二异丙氧基铝、烷基取代苯基二异丙氧基铝(例如对(甲基)苯基二异丙氧基铝)、二甲基异丙氧基铝、(3,3,3－三氟丙基)二甲氧基铝、及十三氟辛基二乙氧基铝、甲基二氯铝、二甲基氯铝、苯基二氯铝、二甲基氟铝、二甲基溴铝、二苯基溴铝、它们的水解生成物、及它们的水解生成物的缩合物等。这些中，就获取的容易性的观点而言，优选为三甲氧基铝、三乙氧基铝、三异丙氧基铝。

作为优选的钛酸盐化合物的实例，可列举：四甲氧基钛、甲基三甲氧基钛、乙基三甲氧基钛、正或异丙基三甲氧基钛、正、异或第三丁基三甲氧基钛、正、异或新戊基三甲氧基钛、己基三甲氧基钛、辛基三甲氧基钛、癸基三甲氧基钛、苯基三甲氧基钛；烷基取代苯基三甲氧基钛(例如对(甲基)苯基三甲氧基钛)、二甲基二甲氧基钛、四乙氧基钛、甲基三乙氧基钛、乙基三乙氧基钛、正或异丙基三乙氧基钛、正、异或第三丁基三乙氧基钛、戊基三乙氧基钛、己基三乙氧基钛、辛基三乙氧基钛、癸基三乙氧基钛、苯基三乙氧基钛、烷基取代苯基三乙氧基钛(例如对(甲基)苯基三乙氧基钛)、二甲基二乙氧基钛、四异丙氧基钛、甲基三异丙氧基钛、乙基三异丙氧基钛、正或异丙基三乙氧基钛、正、异或第三丁基三异丙氧基钛、戊基三异丙氧基钛、己基三异丙氧基钛、辛基三异丙氧基钛、癸基三异丙氧基钛、苯基三异丙氧基钛、烷基取代苯基三异丙氧基钛(例如对(甲基)苯基三异丙氧基钛)、二甲基二异丙氧基钛、(3,3,3－三氟丙基)三甲氧基钛、及十三氟辛基三乙氧基钛、甲基三氯钛、二甲基二氯钛、三甲基氯钛、苯基三氯钛、二甲基二氟钛、二甲基二溴钛、二苯基二溴钛、它们的水解生成物、及它们的水解生成物的缩合物等。这些中，就获取的容易性的观点而言，优选为四甲氧基钛、四乙氧基钛、四异丙氧基钛。

作为优选的锆酸盐化合物的实例，可列举：四甲氧基锆、甲基三甲氧基锆、乙基三甲氧基锆、正或异丙基三甲氧基锆、正、异或第三丁基三甲氧基锆、正、异或新戊基三甲氧基锆、己基三甲氧基锆、辛基三甲氧基锆、癸基三甲氧基锆、苯基三甲氧基锆；烷基取代苯基三甲氧基锆(例如对(甲基)苯基三甲氧基锆)、二甲基二甲氧基锆、四乙氧基锆、甲基三乙氧基锆、乙基三乙氧基锆、正或异丙基三乙氧基锆、正、异或第三丁基三乙氧基锆、戊基三乙氧基锆、己基三乙氧基锆、辛基三乙氧基锆、癸基三乙氧基锆、苯基三乙氧基锆、烷基取代苯基三乙氧基锆(例如对(甲基)苯基三乙氧基锆)、二甲基二乙氧基锆、四异丙氧基锆、甲基三异丙氧基锆、乙基三异丙氧基锆、正或异丙基三乙氧基锆、正、异或第三丁基三异丙氧基锆、戊基三异丙氧基锆、己基三异丙氧基锆、辛基三异丙氧基锆、癸基三异丙氧基锆、苯基三异丙氧基锆、烷基取代苯基三异丙氧基锆(例如对(甲基)苯基三异丙氧基锆)、二甲基二异丙氧基锆、(3,3,3－三氟丙基)三甲氧基锆、及十三氟辛基三乙氧基锆、甲基三氯锆、二甲基二氯锆、三甲基氯锆、苯基三氯锆、二甲基二氟锆、二甲基二溴锆、二苯基二溴锆、它们的水解生成物、及它们的水解生成物的缩合物等。这些中，就获取的容易性的观点而言，优选为四甲氧基锆、四乙氧基锆、四异丙氧基锆。

在脱模层的形成步骤中，金属烷氧化物可以水溶液的形态进行使用。为了提高对水的溶解性，亦可添加甲醇或乙醇等醇。醇的添加在使用疏水性较高的金属烷氧化物时尤其有效。

金属烷氧化物在水溶液中的浓度较高时，存在树脂基材与金属箔的剥离强度降低的倾向，可通过调整金属烷氧化物浓度而调整剥离强度。金属烷氧化物的水溶液中的浓度并无限定，可设为0.001～1.0mol/L，典型而言可设为0.005～0.2mol/L。

金属烷氧化物的水溶液的pH并无特别限制，在酸性侧或碱性侧均可利用。例如可以3.0～10.0的范围的pH进行使用。就无需进行特别的pH调整的观点而言，优选为设为中性附近的5.0～9.0的范围的pH，更优选为设为7.0～9.0的范围的pH。

(4)其他

可将硅系脱模剂、具有脱模性的树脂被膜等公知的具有脱模性的物质用于脱模层。

关于本发明的金属箔，亦可在金属箔与脱模层之间设置有选自由粗化处理层、耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶合处理层所组成的群中的1种以上的层。此处，所谓铬酸盐处理层，是指经包含铬酸酐、铬酸、重铬酸、铬酸盐或重铬酸盐的液体处理后的层。铬酸盐处理层亦可包含钴、铁、镍、钼、锌、钽、铜、铝、磷、钨、锡、砷及钛等元素(可为金属、合金、氧化物、氮化物、硫化物等任意形态)。作为铬酸盐处理层的具体例，可列举经铬酸酐或重铬酸钾水溶液处理的铬酸盐处理层、或经包含铬酸酐或重铬酸钾及锌的处理液处理的铬酸盐处理层等。

粗化处理层例如可通过以下的处理而形成。

[球状粗化]

使用由Cu、H₂SO₄、As所构成的以下所记载的铜粗化镀浴形成球状粗化粒子。

·液组成1

CuSO₄·5H₂O 78～196g/L

Cu 20～50g/L

H₂SO₄ 50～200g/L

砷0.7～3.0g/L

(电解镀覆温度1)30～76℃

(电流条件1)电流密度35～105A/dm²(浴的极限电流密度以上)

(镀覆时间1)1～240秒

继而，为了防止粗化粒子的脱落及提高剥离强度，利用由硫酸、硫酸铜所构成的铜电解浴进行被覆镀覆。将被覆镀覆条件记载于下文。

·液组成2

CuSO₄·5H₂O 88～352g/L

Cu 22～90g/L

H₂SO₄ 50～200g/L

(电解镀覆温度2)25～80℃

(电流条件2)电流密度：15～32A/dm²(未达浴的极限电流密度)

(镀覆时间2)1～240秒

又，作为耐热层、防锈层，可使用公知的耐热层、防锈层。例如，耐热层及/或防锈层可为包含选自镍、锌、锡、钴、钼、铜、钨、磷、砷、铬、钒、钛、铝、金、银、铂族元素、铁、钽的群中的1种以上的元素的层，亦可为由选自镍、锌、锡、钴、钼、铜、钨、磷、砷、铬、钒、钛、铝、金、银、铂族元素、铁、钽的群中的1种以上的元素所构成的金属层或合金层。又，耐热层及/或防锈层亦可包含含有选自镍、锌、锡、钴、钼、铜、钨、磷、砷、铬、钒、钛、铝、金、银、铂族元素、铁、钽的群中的1种以上的元素的氧化物、氮化物、硅化物。又，耐热层及/或防锈层亦可为包含镍－锌合金的层。又，耐热层及/或防锈层亦可为镍－锌合金层。上述镍－锌合金层亦可为除了无法避免的杂质以外，含有50wt％～99wt％的镍、50wt％～1wt％的锌者。上述镍－锌合金层的锌及镍的合计附着量可为5～1000mg/m²，优选为10～500mg/m²，优选为20～100mg/m²。又，上述包含镍－锌合金的层或上述镍－锌合金层的镍的附着量与锌的附着量之比(＝镍的附着量/锌的附着量)优选为1.5～10。又，上述包含镍－锌合金的层或上述镍－锌合金层的镍的附着量优选为0.5mg/m²～500mg/m²，更优选为1mg/m²～50mg/m²。

例如，耐热层及/或防锈层亦可为依次积层附着量为1mg/m²～100mg/m²、优选为5mg/m²～50mg/m²的镍或镍合金层、与附着量为1mg/m²～80mg/m²、优选为5mg/m²～40mg/m²的锡层而成的，上述镍合金层亦可由镍－钼、镍－锌、镍－钼－钴中的任一种构成。又，耐热层及/或防锈层中，镍或镍合金与锡的合计附着量优选为2mg/m²～150mg/m²，更优选为10mg/m²～70mg/m²。又，耐热层及/或防锈层中，[镍或镍合金中的镍附着量]/[锡附着量]优选为0.25～10，更优选为0.33～3。

再者，在硅烷偶合处理中所使用的硅烷偶合剂可使用公知的硅烷偶合剂，例如可使用胺基系硅烷偶合剂或环氧系硅烷偶合剂、巯基系硅烷偶合剂。又，对于硅烷偶合剂，亦可使用乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基苯基三甲氧基硅烷、γ－甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、γ－缩水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷、4－缩水甘油基丁基三甲氧基硅烷、γ－胺基丙基三乙氧基硅烷、N－β(胺基乙基)γ－胺基丙基三甲氧基硅烷、N－3－(4－(3－胺基丙氧基)丁氧基)丙基－3－胺基丙基三甲氧基硅烷、咪唑硅烷、三口井硅烷、γ－巯基丙基三甲氧基硅烷等。

上述硅烷偶合处理层亦可使用环氧系硅烷、胺基系硅烷、甲基丙烯酰氧基系硅烷、巯基系硅烷等硅烷偶合剂等而形成。再者，此种硅烷偶合剂亦可混合2种以上而使用。其中，优选为使用胺基系硅烷偶合剂或环氧系硅烷偶合剂而形成的。

所谓此处所言的胺基系硅烷偶合剂，亦可为选自由N－(2－胺基乙基)－3－胺基丙基三甲氧基硅烷、3－(N－苯乙烯基甲基－2－胺基乙基胺基)丙基三甲氧基硅烷、3－胺基丙基三乙氧基硅烷、双(2－羟基乙基)－3－胺基丙基三乙氧基硅烷、胺基丙基三甲氧基硅烷、N－甲基胺基丙基三甲氧基硅烷、N－苯基胺基丙基三甲氧基硅烷、N－(3－丙烯酰氧基－2－羟基丙基)－3－胺基丙基三乙氧基硅烷、4－胺基丁基三乙氧基硅烷、(胺基乙基胺基甲基)苯乙基三甲氧基硅烷、N－(2－胺基乙基－3－胺基丙基)三甲氧基硅烷、N－(2－胺基乙基－3－胺基丙基)三(2－乙基己氧基)硅烷、6－(胺基己基胺基丙基)三甲氧基硅烷、胺基苯基三甲氧基硅烷、3－(1－胺基丙氧基)－3,3－二甲基－1－丙烯基三甲氧基硅烷、3－胺基丙基三(甲氧基乙氧基乙氧基)硅烷、3－胺基丙基三乙氧基硅烷、3－胺基丙基三甲氧基硅烷、ω－胺基十一烷基三甲氧基硅烷、3－(2－N－苄基胺基乙基胺基丙基)三甲氧基硅烷、双(2－羟基乙基)－3－胺基丙基三乙氧基硅烷、(N,N－二乙基－3－胺基丙基)三甲氧基硅烷、(N,N－二甲基－3－胺基丙基)三甲氧基硅烷、N－甲基胺基丙基三甲氧基硅烷、N－苯基胺基丙基三甲氧基硅烷、3－(N－苯乙烯基甲基－2－胺基乙基胺基)丙基三甲氧基硅烷、γ－胺基丙基三乙氧基硅烷、N－β(胺基乙基)γ－胺基丙基三甲氧基硅烷、N－3－(4－(3－胺基丙氧基)丁氧基)丙基－3－胺基丙基三甲氧基硅烷所组成的群中的硅烷偶合剂。

硅烷偶合处理层较理想为以硅原子换算计以0.05mg/m²～200mg/m²、优选为0.15mg/m²～20mg/m²、优选为0.3mg/m²～2.0mg/m²的范围设置。在上述范围的情形时，可进一步提高树脂基材与金属箔的密接性。

又，可对金属箔、粗化粒子层、耐热层、防锈层、硅烷偶合处理层、铬酸盐处理层或脱模层的表面，进行国际公开编号WO2008/053878、日本特开2008－111169号、日本专利第5024930号、国际公开编号WO2006/028207、日本专利第4828427号、国际公开编号WO2006/134868、日本专利第5046927号、国际公开编号WO2007/105635、日本专利第5180815号、日本特开2013－19056号中所记载的表面处理。如此，本发明的金属箔亦包含表面处理金属箔。

在本发明的金属箔的具有表面凹凸的面侧、或本发明的附脱模层的金属箔的脱模层侧，亦可设置树脂层。

上述金属箔的表面的树脂层可为接着用树脂、即接着剂，亦可为底涂剂，亦可为半硬化状态(B阶段状态)的接着用绝缘树脂层。所谓半硬化状态(B阶段状态)，包括如下状态：即便用手指触碰其表面，亦无粘着感，可将该绝缘树脂层重迭来保管，进而，若受到加热处理，则会产生硬化反应。上述金属箔的表面的树脂层优选为在与脱模层接触时表现出适度的剥离强度(例如2gf/cm～200gf/cm)的树脂层。又，优选为使用追随金属箔的表面的凹凸而难以产生有可能导致鼓起的空隙或气泡的混入的树脂。例如，在在金属箔表面设置该树脂层时，优选为使用树脂粘度为10000mPa·s(25℃)以下、更优选为树脂粘度为5000mPa·s(25℃)以下等粘度较低的树脂而设置树脂层。通过在积层在金属箔的绝缘基板与金属箔之间设置上述树脂层，而即便在使用难以追随金属箔的表面的凹凸的绝缘基板的情形时，树脂层亦追随金属箔表面，因此，可使金属箔与绝缘基板之间难以产生空隙或气泡，故而有效。

又，上述金属箔的表面的树脂层可含有热硬化性树脂，亦可为热塑性树脂。又，上述金属箔的表面的树脂层亦可含有热塑性树脂。上述金属箔的表面的树脂层可包含公知的树脂、树脂硬化剂、化合物、硬化促进剂、介电体、反应触媒、交联剂、聚合物、预浸料、骨架材料等。又，上述金属箔的表面的树脂层亦可使用例如国际公开编号WO2008/004399、国际公开编号WO2008/053878、国际公开编号WO2009/084533、日本特开平11－5828号、日本特开平11－140281号、日本专利第3184485号、国际公开编号WO97/02728、日本专利第3676375号、日本特开2000－43188号、日本专利第3612594号、日本特开2002－179772号、日本特开2002－359444号、日本特开2003－304068号、日本专利第3992225号、日本特开2003－249739号、日本专利第4136509号、日本特开2004－82687号、日本专利第4025177号、日本特开2004－349654号、日本专利第4286060号、日本特开2005－262506号、日本专利第4570070号、日本特开2005－53218号、日本专利第3949676号、日本专利第4178415号、国际公开编号WO2004/005588、日本特开2006－257153号、日本特开2007－326923号、日本特开2008－111169号、日本专利第5024930号、国际公开编号WO2006/028207、日本专利第4828427号、日本特开2009－67029号、国际公开编号WO2006/134868、日本专利第5046927号、日本特开2009－173017号、国际公开编号WO2007/105635、日本专利第5180815号、国际公开编号WO2008/114858、国际公开编号WO2009/008471、日本特开2011－14727号、国际公开编号WO2009/001850、国际公开编号WO2009/145179、国际公开编号WO2011/068157、日本特开2013－19056号中所记载的物质(树脂、树脂硬化剂、化合物、硬化促进剂、介电体、反应触媒、交联剂、聚合物、预浸料、骨架材料等)及/或树脂层的形成方法、形成装置而形成。

(积层体、半导体封装、电子机器)

可在本发明的金属箔的具有表面轮廓的面侧、或本发明的附脱模层的金属箔的脱模层侧设置树脂基材而制作积层体。该积层体可利用纸基材酚树脂、纸基材环氧树脂、合成纤维布基材环氧树脂、玻璃布－纸复合基材环氧树脂、玻璃布－玻璃不织布复合基材环氧树脂及玻璃布基材环氧树脂等形成树脂基材。树脂基材可为预浸料，亦可含有热硬化性树脂。又，可通过在该积层体的金属箔形成电路而制作印刷配线板。进而，可通过在印刷配线板搭载电子零件类而制作印刷电路板。在本发明中，“印刷配线板”中亦包含以此种方式搭载有电子零件类的印刷配线板、印刷电路板及印刷基板。又，可使用该印刷配线板制作电子机器，亦可使用搭载有该电子零件类的印刷电路板制作电子机器，亦可使用搭载有该电子零件类的印刷基板制作电子机器。又，上述“印刷电路板”中，亦包含半导体封装用电路形成基板。进而，可在半导体封装用电路形成基板搭载电子零件类而制作半导体封装。进而，亦可使用该半导体封装制作电子机器。

(印刷配线板的制造方法)

本发明的印刷配线板的制造方法在一方面中具备：自本发明的金属箔的具有表面轮廓的面侧、或本发明的附脱模层的金属箔的脱模层侧贴合树脂基材的步骤；通过不进行蚀刻而将上述金属箔或上述附脱模层的金属箔自上述树脂基材剥离，而获得在剥离面转印有上述金属箔或上述附脱模层的金属箔的表面轮廓的树脂基材的步骤；及在上述转印有表面轮廓的树脂基材的上述剥离面侧形成电路的步骤。通过此种构成，在金属箔设置或不设置脱模层，将该金属箔贴合于树脂基材时的树脂基材可物理性剥离，在将金属箔自树脂基材去除的步骤中，可在不损伤自金属箔表面转印至树脂基材的表面的表面轮廓的情况下以较佳的成本将金属箔去除。该制造方法中，亦可利用镀覆图案形成电路。在此情形时，可在形成镀覆图案后，利用该镀覆图案形成所需的电路而制作印刷配线板。又，亦可利用印刷图案形成电路。在此情形时，例如可在使用油墨中包含导电膏等的喷墨形成印刷图案后，利用该印刷图案形成所需的印刷电路而制作印刷配线板。

在本说明书中，所谓“表面轮廓”，是指表面的凹凸形状。

进而，本发明的印刷配线板的制造方法在又一方面中具备：在本发明的金属箔自表面的Sq或Sq/Rsm处于控制的表面侧或上述脱模层侧贴合树脂基材的步骤；通过不进行蚀刻而将上述金属箔或上述附脱模层的金属箔自上述树脂基材剥离，而获得在剥离面转印有上述金属箔的表面轮廓的树脂基材的步骤；及在上述转印有表面轮廓的树脂基材的上述剥离面侧设置增层的步骤。通过此种构成，在金属箔设置或不设置脱模层，而将该金属箔贴合于树脂基材时的树脂基材可物理性剥离，在将金属箔自树脂基材去除的步骤中，可在不损伤转印至树脂基材的表面的金属箔表面的轮廓的情况下以较佳的成本将金属箔去除。又，通过转印至树脂基材的特定的凹凸表面，无论树脂基材的树脂成分与增层的树脂成分相同抑或不同，均可将两者以良好的密接性贴合。

此处，所谓“增层”，是指具有导电层、配线图案或电路、及树脂等绝缘体的层。该树脂等绝缘体的形状亦可为层状。又，上述导电层、配线图案或电路、及树脂等绝缘体可以任何方式设置。

增层可通过在剥离面转印有上述金属箔的表面轮廓的树脂基材的剥离面侧设置导电层、配线图案或电路、及树脂等绝缘体而制作。作为导电层、配线图案或电路的形成方法，可使用半加成法、全加成法、减成法、部分加成法等公知的方法。

增层亦可具有数层，亦可具有数个导电层、配线图案或电路、及树脂(层)。

数个导电层、配线图案或电路亦可通过树脂等绝缘体而电性绝缘。亦可在通过雷射及/或钻孔器在树脂等绝缘体上形成通孔及/或盲孔后，在该通孔及/或盲孔形成镀铜等导通镀覆，由此，使电性绝缘的数个的导电层、配线图案或电路电性连接。

再者，亦可将表面的Sq或Sq/Rsm处于控制的金属箔或于表面设置有脱模层的金属箔自上述表面的Sq或Sq/Rsm处于控制的侧或上述脱模层侧贴合于树脂基材的两面，其后，将金属箔或附脱模层的金属箔去除，而将金属箔的表面轮廓转印至树脂基材的两面，并在该树脂基材的两面设置电路、配线图案或增层，由此制造印刷配线板。

构成此种增层的树脂等绝缘体可使用本说明书中所记载的树脂、树脂层、树脂基材，可使用公知的树脂、树脂层、树脂基材、绝缘体、预浸料、使玻璃布含浸树脂而成的基材等。树脂亦可包含无机物及/或有机物。又，构成增层的树脂亦可由LCP(液晶聚合物)或聚四氟乙烯等具有低相对介电常数的材料形成。近年来，随着高频制品的扩大，将LCP(液晶聚合物)或聚四氟乙烯(Teflon：注册商标)等具有低相对介电常数的材料引入印刷基板的构造中的动向活跃。此时，由于这些材料为热塑性，故而在热压加工时无法避免形状变化，利用LCP(液晶聚合物)或聚四氟乙烯单独成分的基板构成中，存在生产良率未得到提高的基本量产上的课题。上述本发明的制造方法中，对于此种问题，通过使用环氧树脂般的热硬化性树脂作为树脂基板，并与此贴合，亦可提供一种高频特性优异、且可防止加热时的形状变形的印刷配线板。

使用本发明的金属箔并通过半加成法，可形成微细电路。图1中表示使用金属箔的表面轮廓的半加成法的概略例。该半加成法中，使用金属箔的表面轮廓。具体而言，首先，使本发明的附脱模层的金属箔自脱模层侧积层在树脂基材而制作积层体。继而，通过蚀刻将积层体的金属箔去除或剥离。继而，利用稀硫酸等将转印有金属箔表面轮廓的树脂基材的表面洗净后，实施无电解镀铜。继而，利用干膜等覆盖树脂基材的不形成电路的部分，对未被干膜覆盖的无电解镀铜层的表面实施电(电解)镀铜。其后，将干膜去除后，将在不形成电路的部分所形成的无电解镀铜层去除，由此形成微细的电路。本发明中所形成的微细电路与转印有本发明的金属箔表面轮廓的树脂基材的剥离面密接，故而其密接力(剥离强度)良好。

又，半加成法的另一实施方案为如下所述。

所谓半加成法，是指如下方法：在树脂基材或金属箔上进行较薄的无电解镀覆，形成图案后，利用电解镀覆及蚀刻形成导体图案。因此，在使用半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的一实施方案中，包括：准备本发明的金属箔或本发明的附脱模层的金属箔、及树脂基材的步骤；

在上述金属箔或上述附脱模层的金属箔自表面轮廓处于控制的侧或脱模层侧积层树脂基材的步骤；

在将上述金属箔与树脂基材积层后，通过蚀刻将上述金属箔去除或剥离的步骤；

在将上述金属箔去除或剥离而产生的树脂基材的露出面或剥离面设置通孔或/及盲孔的步骤；

对包含上述通孔或/及盲孔的区域进行除胶渣处理的步骤；

对于上述树脂基材及包含上述通孔或/及盲孔的区域，利用稀硫酸等将树脂基材表面洗净，并设置无电解镀覆层(例如无电解镀铜层)的步骤；

在上述无电解镀覆层上设置抗镀覆层的步骤；

对上述抗镀覆层进行曝光，其后，将形成电路的区域的抗镀覆层去除的步骤；

在上述抗镀覆层被去除的上述形成电路的区域设置电解镀覆层(例如电解镀铜层)的步骤；

将上述抗镀覆层去除的步骤；及

通过闪蚀等将上述形成电路的区域以外的区域中存在的无电解镀覆层去除的步骤。

在使用半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的另一实施方案中，包括：准备本发明的金属箔或本发明的附脱模层的金属箔、及树脂基材的步骤；

在上述金属箔或上述附脱模层的金属箔自表面轮廓处于控制的侧或脱模层侧积层树脂基材的步骤；

在将上述金属箔与树脂基材积层后，通过蚀刻将上述金属箔去除或剥离的步骤；

对于将上述金属箔去除或剥离而产生的树脂基材的露出面或剥离面，利用稀硫酸等将树脂基材表面洗净，并设置无电解镀覆层(例如无电解镀铜层)的步骤；

在上述无电解镀覆层上设置抗镀覆层的步骤；

对上述抗镀覆层进行曝光，其后，将形成电路的区域的抗镀覆层去除的步骤；

在上述抗镀覆层被去除的上述形成电路的区域设置电解镀覆层(例如电解镀铜层)的步骤；

将上述抗镀覆层去除的步骤；及

通过闪蚀等将上述形成电路的区域以外的区域中存在的无电解镀覆层去除的步骤。

如此，在将金属箔剥离后的树脂基材的剥离面形成电路，而可制作印刷电路形成基板、半导体封装用电路形成基板。进而，可使用该电路形成基板制作印刷配线板、半导体封装。进而，可使用该印刷配线板、半导体封装制作电子机器。

另一方面，在使用全加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的另一实施方案中，包括：准备本发明的金属箔或本发明的附脱模层的金属箔与树脂基材的步骤；

在上述金属箔或上述附脱模层的金属箔自表面轮廓处于控制的侧或脱模层侧积层树脂基材的步骤；

在将上述金属箔与树脂基材积层后，通过蚀刻将上述金属箔去除或剥离的步骤；

对于将上述金属箔去除或剥离而产生的树脂基材的露出面或剥离面，利用稀硫酸等将树脂基材表面洗净的步骤；

在上述洗净的树脂基材表面设置抗镀覆层的步骤；

对上述抗镀覆层进行曝光，其后，将形成电路的区域的抗镀覆层去除的步骤；

在上述抗镀覆层被去除的上述形成电路的区域设置无电解镀覆层(例如亦可为无电解镀铜层、厚的无电解镀覆层)的步骤；及

将上述抗镀覆层去除的步骤。

再者，在半加成法及全加成法中，存在通过将上述树脂基材表面洗净而发挥容易设置无电解镀覆层的效果的情形。尤其在脱模层残留于树脂基材表面的情形时，通过该洗净而将脱模层的一部分或全部自树脂基材表面去除，故而存在通过上述树脂基材表面的洗净而发挥更容易设置无电解镀覆层的效果的情形。该洗净可使用利用公知的洗净方法(所使用的液体的种类、温度、液体的涂布方法等)进行的洗净。又，优选为使用可将本发明的脱模层的一部分或全部去除的洗净方法。

如此，通过半加成法或全加成法，可在将金属箔去除或剥离后的树脂基材的露出面或剥离面形成电路，而制作印刷电路形成基板、半导体封装用电路形成基板。进而，使用该电路形成基板可制作印刷配线板、半导体封装。进而，使用该印刷配线板、半导体封装可制作电子机器。

再者，利用具备XPS(X射线光电子光谱装置)、EPMA(电子探针微量分析器)、EDX(能量分散型X射线分析)的扫描电子显微镜等机器测定金属箔的表面，若检测出Si，则可推测金属箔的表面存在硅烷化合物。又，在金属箔与树脂基板的剥离强度(peel strength)处于200gf/cm以下的情形时，可推定使用了本案发明的脱模层所可使用的上述硅烷化合物。

又，利用具备XPS(X射线光电子光谱装置)、EPMA(电子探针微量分析器)、EDX(能量分散型X射线分析)的扫描电子显微镜等机器测定金属箔的表面，在检测出S，并且金属箔与树脂基板的剥离强度(peel strength)处于200gf/cm以下的情形时，可推测在金属箔的表面存在本发明的脱模层所可使用的上述分子内具有2个以下的巯基的化合物。

又，利用具备XPS(X射线光电子光谱装置)、EPMA(电子探针微量分析器)、EDX(能量分散型X射线分析)的扫描电子显微镜等机器测定金属箔的表面，在检测出Al、Ti、Zr，并且金属箔与树脂基板的剥离强度(peel strength)处于200gf/cm以下的情形时，可推测金属箔的表面存在本发明的脱模层所可使用的上述金属烷氧化物。

[实施例]

以下，示出实验例作为本发明的实施例及比较例，但这些实施例是为了使本发明及其优点更好理解而提供，并不意图限定发明。

·生箔(表面处理前的铜箔)的制造

关于实施例1～10、12、比较例2，以如下的电解条件制作表1中所记载的厚度的电解生箔。

(电解液组成)

Cu 120g/L

H₂SO₄ 100g/L

氯化物离子(Cl^－)70ppm

鱼胶6ppm

电解液温度60℃

电流密度与电解液线速度记载于表1中。

在实施例11、比较例1中，向上述电解液中追加添加80ppm的添加剂双(3－磺丙基)二硫醚(SPS)。

在实施例13中，将氯化物离子浓度设为2ppm以下，并添加2ppm的动物胶代替鱼胶，除此以外，使用与实施例1～10、12、比较例2相同的电解液组成。

·表面处理

继而，作为表面处理，以下文所示的各条件对生箔的M面(无光泽面)进行粗化处理、障壁处理(耐热处理)、防锈处理、硅烷偶合处理、树脂层形成处理中的任一者或组合进行各处理。继而，以下文所示的条件在铜箔的该处理侧表面形成脱模层。再者，在未特别言及的情形时，各处理是以该记载顺序进行。又，在表1中，各处理的栏中记载为“无”者表示未实施这些处理。

(1)粗化处理

[球状粗化]

使用由Cu、H₂SO₄、As所构成的以下所记载的铜粗化镀浴形成球状粗化粒子。

·液组成1

CuSO₄·5H₂O 78～118g/L

Cu 20～30g/L

H₂SO₄ 12g/L

砷1.0～3.0g/L

(电解镀覆温度1)25～33℃

(电流条件1)电流密度78A/dm²(浴的极限电流密度以上)

(镀覆时间1)1～45秒

继而，为了防止粗化粒子的脱落及提高剥离强度，利用由硫酸、硫酸铜所构成的铜电解浴进行被覆镀覆。将被覆镀覆条件记载于下文。

·液组成2

CuSO₄·5H₂O 156g/L

Cu 40g/L

H₂SO₄ 120g/L

(电解镀覆温度2)40℃

(电流条件2)电流密度：20A/dm²(未达浴的极限电流密度)

(镀覆时间2)1～60秒

(2)障壁处理(耐热处理)

(液组成)

Ni 13g/L

Zn 5g/L

pH 2

(电解镀覆条件)

温度40℃

电流密度8A/dm²

(3)防锈处理

(液组成)

CrO₃ 2.5g/L

Zn 0.7g/L

Na₂SO₄ 10g/L

pH 4.8

(锌铬酸盐条件)

温度54℃

电流密度0.7As/dm²

(4)硅烷偶合处理

(液组成)

四乙氧基硅烷含量0.4％

pH 7.5

涂布方法溶液的喷雾

(5)脱模层的形成

[脱模层A]

在使用喷涂机将硅烷化合物(正丙基三甲氧基硅烷：4wt％)的水溶液涂布在铜箔的处理表面后，在100℃的空气中使铜箔表面干燥5分钟而形成脱模层A。使硅烷化合物溶解在水中后至进行涂布前的搅拌时间设为30小时，水溶液中的醇浓度设为10vol％，水溶液的pH设为3.8～4.2。

[脱模层B]

使用1－十二烷硫醇磺酸钠作为分子内具有2个以下的巯基的化合物，使用喷涂机将1－十二烷硫醇磺酸钠的水溶液(1－十二烷硫醇磺酸钠浓度：3wt％)涂布在铜箔的处理面，然后，在100℃的空气中使其干燥5分钟而制作脱模层B。水溶液的pH设为5～9。

[脱模层C]

使用作为铝酸盐化合物的三异丙氧基铝作为金属烷氧化物，使用喷涂机将三异丙氧基铝的水溶液(三异丙氧基铝浓度：0.04mol/L)涂布于铜箔的处理面，然后，在100℃的空气中使其干燥5分钟而制作脱模层C。使铝酸盐化合物溶解在水中后至进行涂布前的搅拌时间设为2小时，水溶液中的醇浓度设为0vol％，水溶液的pH设为5～9。

[脱模层D]

使用作为钛酸盐化合物的正癸基三异丙氧基钛作为金属烷氧化物，使用喷涂机将正癸基三异丙氧基钛的水溶液(正癸基三异丙氧基钛浓度：0.01mol/L)涂布于铜箔的处理面，然后，在100℃的空气中使其干燥5分钟而制作脱模层D。使钛酸盐化合物溶解在水中后至进行涂布前的搅拌时间设为24小时，水溶液中的醇浓度将甲醇设为20vol％，水溶液的pH设为5～9。

[脱模层E]

使用作为锆酸盐化合物的正丙基三正丁氧基锆作为金属烷氧化物，使用喷涂机将正丙基三正丁氧基锆的水溶液(正丙基三正丁氧基锆浓度：0.04mol/L)涂布于铜箔的处理面，然后，在100℃的空气中使其干燥5分钟而制作脱模层E。使锆酸盐化合物溶解在水中后至进行涂布前的搅拌时间设为12小时，水溶液中的醇浓度设为0vol％，水溶液的pH设为5～9。

(6)树脂层形成处理

关于实施例1，在形成脱模层后，进而以下述的条件形成树脂层。

(树脂合成例)

向在装附有不锈钢制的碇型搅拌棒、氮气导入管及活栓的捕集器上安装有装上球形冷却管的回流冷却器的2升的三口烧瓶中添加3,4,3',4'－联苯四羧酸二酐117.68g(400mmol)、1,3－双(3－胺基苯氧基)苯87.7g(300mmol)、γ－戊内酯4.0g(40mmol)、吡啶4.8g(60mmol)、N－甲基－2－吡咯啶酮(以下记为NMP)300g、甲苯20g，在180℃加热1小时后冷却至室温附近，其后添加3,4,3',4'－联苯四羧酸二酐29.42g(100mmol)、2,2－双{4－(4－胺基苯氧基)苯基}丙烷82.12g(200mmol)、NMP200g、甲苯40g，在室温下混合1小时后，在180℃加热3小时，获得固形物成分38％的嵌段共聚合聚酰亚胺。关在该嵌段共聚合聚酰亚胺，下文所示的通式(1)：通式(2)＝3：2，数量平均分子量为70000，重量平均分子量为150000。

[化学式5]

利用NMP将合成例中所获得的嵌段共聚合聚酰亚胺溶液进一步稀释，制成固形物成分10％的嵌段共聚合聚酰亚胺溶液。在该嵌段共聚合聚酰亚胺溶液中，将双(4－马来酰亚胺苯基)甲烷(BMI－H、K·I Chemical Industry)设为固形物成分重量比率35，将嵌段共聚合聚酰亚胺设为固形物成分重量比率65(即，树脂溶液中所含的双(4－马来酰亚胺苯基)甲烷固形物成分重量：树脂溶液中所含的嵌段共聚合聚酰亚胺固形物成分重量＝35：65)，在60℃溶解混合20分钟而制成树脂溶液。其后，将上述树脂溶液涂布于脱模层形成面，在氮气环境下，在120℃进行3分钟干燥处理，并在160℃进行3分钟干燥处理后，最后在300℃进行2分钟加热处理，制作具备树脂层的铜箔。再者，树脂层的厚度设为2μm。

(7)各种评价

·金属箔表面的均方根高度Sq、及均方根高度Sq与凹凸的平均间隔Rsm之比(Sq/Rsm)的评价

关于各金属箔的表面(在进行了粗化处理等表面处理的情形时，为表面处理后的经表面处理的侧的表面，在形成有脱模层的情形时，为设置脱模层后的设置有脱模层的侧的表面)，均方根高度Sq、及均方根高度Sq与凹凸的平均间隔Rsm之比(Sq/Rsm)是使用Olympus株式会社制造的雷射显微镜LEXT OLS4100进行测定。再者，Rsm是依据JIS B 06012001标准模式进行测定，且Sq是依据ISO25178标准模式进行测定。再者，Rsm、Sq均是将在任意10处测得的Rsm、Sq的值的平均值设为Rsm及Sq的值。Rsm的测定长度是设为258μm，Sq的测定面积是设为长258μm×宽258μm。并且，基于所获得的值算出均方根高度Sq与凹凸的平均间隔Rsm之比(Sq/Rsm)。再者，测定时的温度设为23～25℃。

·积层体的制造

将以下的树脂基材1～3分别贴合于各金属箔的脱模层侧表面。

基材1：Mitsubishi Gas Chemical(株式会社)制造的GHPL－830MBT

基材2：日立化成工业(株式会社)制造的679－FG

基材3：Sumitomo Bakelite(株式会社)制造的EI－6785TS－F

积层压制的温度、压力、时间是使用各基材制造商的推荐条件。

·金属箔的剥离性的评价

对于积层体，依据IPC－TM－650，通过拉伸试验机Autograph 100测定将树脂基材自铜箔剥离时的常态剥离强度，以如下标准评价金属箔的剥离性。

○：为2～200gf/cm的范围。

×：未达2gf/cm或超过200gf/cm。

·树脂的破坏模式的评价

利用电子显微镜观察上述剥离后的树脂基材的剥离面，对树脂的破坏模式(凝聚、界面、凝聚与界面的混合存在)进行观察。关于树脂的破坏模式，“界面”表示在铜箔与树脂的界面发生剥离，“凝聚”表示剥离强度过强而树脂遭到破坏，“混合存在”表示上述“界面”与“凝聚”混合存在。

·电路剥离、基板鼓起的评价

使用镀覆液[液组成、Cu：50g/L、H₂SO₄：50g/L、Cl：60ppm)在上述剥离后的树脂基材1～3的剥离面形成铜镀覆图案(线/间隙＝40μm/40μm)(例1)。又，使用含有导电膏的油墨，通过喷墨而在上述剥离后的树脂基材的剥离面形成印刷图案(线/间隙＝40μm/40μm)(例2)。又，将由液晶聚合物所构成的树脂层(假定为构成增层的树脂)层压在上述剥离后的树脂基材的剥离面(例3)。

继而，分别通过可靠性试验(250℃±10℃×1小时的加热试验)确认是否产生电路剥离或基板鼓起。再者，评价样品的大小设为250mm×250mm，每个样品编号是对3个样品进行测定。

将未产生电路剥离及基板鼓起者评价为“◎”。将虽然产生少量电路剥离或基板鼓起(1个样品中为3处以下)，但若对使用的位置进行挑选，则可作为制品使用者评价为“○”。又，将产生大量(1个样品中超过3处)电路剥离或基板鼓起而无法作为制品使用者评价为“×”。

将各试验条件及评价结果示于表1。

(评价结果)

实施例1～13是在具有均方根高度Sq为0.25～1.6μm的表面凹凸的金属箔、或具有均方根高度Sq与凹凸的平均间隔Rsm之比(Sq/Rsm)为0.05～0.40的表面凹凸的金属箔的该凹凸面设置有脱模层的实施例，将金属箔自树脂基材物理性剥离时的剥离性良好，可良好地抑制电路剥离、基板鼓起的产生。

比较例1中，金属箔的表面凹凸的均方根高度Sq未达0.25μm，又，均方根高度Sq与凹凸的平均间隔Rsm之比(Sq/Rsm)未达0.05，故而无法良好地抑制电路剥离。

比较例2中，金属箔的表面凹凸的均方根高度Sq超过1.6μm，又，均方根高度Sq与凹凸的平均间隔Rsm之比(Sq/Rsm)超过0.40，因此，将金属箔自树脂基材物理性剥离时的剥离性不良，无法良好地抑制电路剥离、基板鼓起的产生。

Claims (23)

1.一种金属箔，其在至少一表面具有均方根高度Sq为0.25～1.6μm的表面凹凸。

2.根据权利要求1所述的金属箔，其在至少一表面具有均方根高度Sq与凹凸的平均间隔Rsm之比(Sq/Rsm)为0.05～0.40的表面凹凸。

3.一种金属箔，其在至少一表面具有均方根高度Sq与凹凸的平均间隔Rsm之比(Sq/Rsm)为0.05～0.40的表面凹凸。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的金属箔，其厚度为5～105μm。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的金属箔，其中，上述金属箔为铜箔。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的金属箔，其中，在上述金属箔的表面设置有选自由粗化处理层、耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶合处理层所组成的群中的一种以上的层。

7.根据权利要求6所述的金属箔，其中，在上述选自由粗化处理层、耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶合处理层所组成的群中的一种以上的层的表面设置有树脂层。

8.根据权利要求7所述的金属箔，其中，上述树脂层是接着用树脂、底涂剂或半硬化状态的树脂。

9.一种附脱模层的金属箔，其具备：权利要求1至8中任一项所述的金属箔；及

脱模层，其设置在上述金属箔的具有表面凹凸的面侧，且使自上述脱模层侧向上述金属箔贴合有树脂基材时的上述树脂基材可剥离。

10.根据权利要求9所述的附脱模层的金属箔，其中，上述脱模层是单独使用或组合使用数种下式所表示的铝酸盐化合物、钛酸盐化合物、锆酸盐化合物、它们的水解生成物、该水解生成物的缩合物而成，

[化学式1]

(R¹)_m-M-(R²)_n

式中，R¹为烷氧基或卤素原子，R²为选自由烷基、环烷基及芳基所组成的群中的烃基、或一个以上的氢原子被取代为卤素原子的这些基中的任一烃基，M为Al、Ti、Zr中的任一者，n为0、1或2，m为1以上且M的价数以下的整数，至少一个R¹为烷氧基；再者，m+n为M的价数，即，在Al的情形时为3，在Ti、Zr的情形时为4。

11.根据权利要求9所述的附脱模层的金属箔，其中，上述脱模层是单独使用或组合使用数种下式所表示的硅烷化合物、其水解生成物、该水解生成物的缩合物而成，

[化学式2]

式中，R¹为烷氧基或卤素原子，R²为选自由烷基、环烷基及芳基所组成的群中的烃基、或一个以上的氢原子被取代为卤素原子的这些基中的任一烃基，R³及R⁴分别独立地为卤素原子、或烷氧基、或者选自由烷基、环烷基及芳基所组成的群中的烃基、或一个以上的氢原子被取代为卤素原子的这些基中的任一烃基。

12.根据权利要求9所述的附脱模层的金属箔，其中，上述脱模层是使用分子内具有2个以下的巯基的化合物而成。

13.根据权利要求9至12中任一项所述的附脱模层的金属箔，其中，在上述脱模层表面设置有树脂层。

14.根据权利要求13所述的附脱模层的金属箔，其中，上述树脂层是接着用树脂、底涂剂或半硬化状态的树脂。

15.一种积层体，其具备：权利要求1至8中任一项所述的金属箔、或权利要求9至14中任一项所述的附脱模层的金属箔、及设置在上述金属箔或上述附脱模层的金属箔的树脂基材。

16.根据权利要求15所述的积层体，其中，上述树脂基材为预浸料，或者含有热硬化性树脂。

17.一种印刷配线板，其具备权利要求1至8中任一项所述的金属箔、或权利要求9至14中任一项所述的附脱模层的金属箔。

18.一种半导体封装，其具备权利要求17所述的印刷配线板。

19.一种电子机器，其具备权利要求17所述的印刷配线板或权利要求18所述的半导体封装。

20.一种印刷配线板的制造方法，其具备下述步骤：在权利要求1至8中任一项所述的金属箔、或权利要求9至14中任一项所述的附脱模层的金属箔贴合树脂基材的步骤；

通过不进行蚀刻而将上述金属箔或上述附脱模层的金属箔自上述树脂基材剥离，而获得在剥离面转印有上述金属箔或上述附脱模层的金属箔的表面轮廓的树脂基材的步骤；及

在上述转印有表面轮廓的树脂基材的上述剥离面侧形成电路的步骤。

21.根据权利要求20所述的印刷配线板的制造方法，其中，形成在上述转印有表面轮廓的树脂基材的上述剥离面侧的电路是镀覆图案或印刷图案。

22.一种印刷配线板的制造方法，其具备下述步骤：在权利要求1至8中任一项所述的金属箔、或权利要求9至14中任一项所述的附脱模层的金属箔贴合树脂基材的步骤；

通过不进行蚀刻而将上述金属箔或上述附脱模层的金属箔自上述树脂基材剥离，而获得在剥离面转印有上述金属箔或上述附脱模层的金属箔的表面轮廓的树脂基材的步骤；及

在上述转印有表面轮廓的树脂基材的上述剥离面侧设置增层的步骤。

23.根据权利要求22所述的印刷配线板的制造方法，其中，构成上述增层的树脂含有液晶聚合物或聚四氟乙烯。