TWI631228B - Metal foil, release layer metal foil, laminate, printed circuit board, semiconductor package, electronic device, and printed circuit board manufacturing method - Google Patents

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Abstract

本發明係提供一種金屬箔，在金屬箔設置離型層，於將該金屬箔與樹脂基材貼合時，使樹脂基材可物理性之剝離，而在將金屬箔從樹脂基材上去除步驟中，轉寫於樹脂基材之表面的金屬箔表面之輪廓不會損傷，從而可以良好之成本去除金屬箔，此外，可使樹脂成分相異之樹脂彼此可以良好的密著性貼合。其係至少一側之表面具有最大高度Sz與凹凸之平均間隔Rsm之比(Sz/Rsm)為0．5~3．0之表面凹凸的金屬箔。

Description

金屬箔、附離型層金屬箔、積層體、印刷電路板、半導體封裝、電子機器及印刷電路板之製造方法
本發明，係關於金屬箔、附離型層金屬箔、積層體、印刷電路板、半導體封裝、電子機器及印刷電路板之製造方法。
雖然印刷電路基板及半導體封裝基板之電路形成工法係以減去工法為主流，惟伴隨近年之更進一步細微電路化，如使用M-SAP(Modified Semi-Additive Process)，或金屬箔之表面輪廓之半加成工法的新工法已崛起。
此等之新電路形成工法中，使用後者之金屬箔的表面輪廓之半加成工法的一例，列舉如下。亦即，首先，對於樹脂基材所積層之金屬箔進行全面蝕刻，藉由雷射等，在轉寫有金屬箔表面輪廓之蝕刻基材面開孔，為了使開孔部導通而施予無電解銅鍍層，並以乾膜被覆無電解銅鍍表面，藉由UV曝光及顯影去除電路形成部之乾膜，對於未被覆乾膜之無電解銅鍍面施予電鍍銅，剝離乾膜，最後藉由含有硫酸、過氧化氫溶液之蝕刻液等對於無電解銅鍍層蝕刻(閃蝕刻、快速蝕刻)而形成細微之電路(專利文獻1、專利文獻2)。
【先前技術文獻】 【專利文獻】
【專利文獻1】日本特開2006-196863號公報
【專利文獻2】日本特開2007-242975號公報
然而，傳統之使用金屬箔表面之輪廓的半加成工法，關於不損及金屬箔表面之輪廓而良好地轉寫至樹脂基材之表面，以及，以良好之成本去除該金屬箔，仍有檢討之餘地。
此外，近年來，製造樹脂與樹脂貼合之積層體之技術已被研究‧開發。此時，因在樹脂成分相異時有無法得到充分密著性之情形，故有使單側之樹脂具有凹凸，藉由投錨効果達成密著性提升之必要。雖對於硬化之樹脂表面賦予凹凸之方法有物理性加工、化學性加工等，但有因樹脂之物理性質或化學性質而無法適用之情形。因此，關於使樹脂成分相異之樹脂能夠彼此以良好密著性貼合之技術，已期望有更進一步之開發。
經過本發明者深入研究之結果，發現在具有表面凹凸之金屬箔設置離型層，於將該金屬箔與樹脂基材貼合時，使樹脂基材可物理性之 剝離，而在將金屬箔從樹脂基材上去除步驟中，轉寫於樹脂基材之表面的金屬箔表面之輪廓不會損傷，從而可以良好之成本去除金屬箔。進一步，發現將具有與樹脂有良好密著性之所定的表面凹凸之金屬箔與樹脂貼合並硬化後，藉由去除金屬箔而將凸凹轉寫至樹脂表面，藉此，使樹脂成分相異之樹脂彼此可以良好的密著性貼合。
根據以上的知識為基礎完成之本發明，係一種金屬箔，其係在一側面中至少一側之表面具有最大高度Sz與凹凸之平均間隔Rsm之比(Sz/Rsm)為0．5~3．0之表面凹凸。
本發明之金屬箔於一實施型態中，厚度係5~105μm者。
本發明之金屬箔於其他實施型態中，前述金屬箔係銅箔。
本發明之金屬箔於另一其他實施型態中，前述金屬箔之表面，係設置有選自粗化處理層、耐熱層、防鏽層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶聯處理層所成群中一種以上之層。
本發明之金屬箔於另一其他實施型態中，係於選自前述粗化處理層、耐熱層、防鏽層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶聯處理層所成群中一種以上之層的表面上，設置樹脂層者。
本發明之金屬箔於另一其他實施型態中，前述樹脂層，係接著用樹脂、底漆或半硬化狀態之樹脂。
本發明係一種附離型層金屬箔，其係在另一側面中具備：本發明之金屬箔、及於前述金屬箔之表面具有凹凸之面側所設置之離型層，並且，從前述離型層側向前述金屬箔貼合樹脂基材時，使前述樹脂基 材可剝離之離型層者。
本發明之附離型層金屬箔於一實施型態中，前述離型層，係將下式：【化1】(R1)m-M-(R2)n
(式中，R1係烷氧基或鹵素原子；R2係選自烷基、環烷基及芳基所成群中之烴基，或有一個以上的氫原子經鹵素原子取代之此等任一者的烴基；M係Al、Ti、Zr中之任一者；n係0或1或2，m係1以上M的價數以下之整數，且，R1之至少一者係烷氧基。又，m+n係M的價數，亦即Al時為3，Ti、Zr時為4)
所示之鋁酸鹽化合物、鈦酸鹽化合物或鋯酸鹽化合物、此等之加水分解生成物、該加水分解生成物之縮合體，以單獨或複數組合使用而成者。
本發明之附離型層金屬箔於另一其他實施型態中，前述離型層，係將下式：
(式中，R1係烷氧基或鹵素原子；R2係選自烷基、環烷基及芳基所成群中之烴基，或有一個以上的氫原子經鹵素原子取代之此等任一者的烴 基；R3及R4係分別獨立地選自鹵素原子、或烷氧基、或烷基、環烷基及芳基所成群中之烴基，或有一個以上的氫原子經鹵素原子取代之此等任一者的烴基。)
所示之矽烷化合物、其加水分解生成物、該加水分解生成物之縮合體，以單獨或複數組合使用而成者。
本發明之附離型層金屬箔於另一其他實施型態中，前述離型層，係使用分子內具有2個以下之巰基的化合物所成者。
本發明之附離型層金屬箔於另一其他實施型態中，前述離型層表面，係設置有樹脂層者。
本發明係一種積層體，其係更進一步在另一側面中具備：本發明之金屬箔、及樹脂基材者。
本發明之積層體於一實施型態中，前述樹脂基材，係預浸料，或者，包含熱硬化性樹脂者。
本發明係一種印刷電路板，其係更進一步在另一側面中具備：本發明之金屬箔或本發明之附離型層金屬箔者。
本發明係一種半導體封裝，其係更進一步在另一側面中具備：本發明之印刷電路板者。
本發明係一種電子機器，其係更進一步在另一側面中具備：本發明之印刷電路板或本發明之半導體封裝者。
本發明係一種印刷電路板之製造方法，其係更進一步在另一側面中具備：將本發明之金屬箔或本發明之附離型層金屬箔，與樹脂基材貼合之步驟；藉由從前述樹脂基材，將前述金屬箔或前述附離型層金屬箔 不進行蝕刻即剝離，而得到在剥離面轉寫有前述金屬箔或前述附離型層金屬箔之表面輪廓的樹脂基材之步驟；及在轉寫有前述表面輪廓之樹脂基材的前述剝離面側形成電路之步驟。
本發明之印刷電路板之製造方法於一實施型態中，轉寫有前述表面輪廓之樹脂基材的前述剝離面側所形成之電路，係鍍圖型或印刷圖型。
本發明係一種印刷電路板之製造方法，其係更進一步在另一側面中具備：將本發明之金屬箔或本發明之附離型層金屬箔，與樹脂基材貼合之步驟；藉由從前述樹脂基材，將前述金屬箔或前述附離型層金屬箔不進行蝕刻即剝離，而得到在剥離面轉寫有前述金屬箔或前述附離型層金屬箔之表面輪廓的樹脂基材之步驟；及在轉寫有前述表面輪廓之樹脂基材的前述剝離面側設置增厚層之步驟。
本發明之印刷電路板之製造方法於另一其他實施型態中，構成前述增厚層之樹脂，係包含液晶聚合物或聚四氟乙烯者。
在金屬箔設置離型層，於將該金屬箔與樹脂基材貼合時，使樹脂基材可物理性之剝離，而在將金屬箔從樹脂基材上去除步驟中，轉寫於樹脂基材之表面的金屬箔表面之輪廓不會損傷，從而可以良好之成本去除金屬箔。此外，使樹脂成分相異之樹脂彼此可以良好的密著性貼合。
【圖1】表示使用了銅箔之輪廓的半加成工法之概略例。
(金屬箔、附離型層金屬箔)
本發明之金屬箔，係至少一側的表面，亦即，一側的表面或兩側的表面具有最大高度Sz與凹凸之平均間隔Rsm之比(Sz/Rsm)為0．5~3．0的表面凹凸之金屬箔。
此外，本發明之附離型層金屬箔，係具備前述金屬箔、及於前述金屬箔之具有表面凹凸之面側所設置之離型層，並且，從前述離型層側向前述金屬箔貼合樹脂基材時，使前述樹脂基材可剝離之離型層者。
如此般，在金屬箔設置離型層，於將該金屬箔與樹脂基材貼合時，使樹脂基材可物理性之剝離，而在將金屬箔從樹脂基材上去除步驟中，轉寫於樹脂基材之表面的金屬箔表面之輪廓不會損傷，從而可以良好之成本去除金屬箔。
又，本說明書中「表面」及「金屬箔之表面」，在金屬箔表面設置有粗化處理層、耐熱層、防鏽層、鉻酸鹽處理層、矽烷偶聯處理層、離型層等之表面處理層時，係意指該表面處理層設置後之表面(最外層之表面)。
由於本發明之金屬箔，係具有最大高度Sz與凹凸之平均間隔Rsm之比(Sz/Rsm)為0．5~3．0的表面凹凸，故金屬箔與樹脂基材貼合後之剝離性可保持良好，且藉由轉寫於剝離金屬箔後之樹脂基材表面的凹凸形狀，電路或樹脂或增厚層等之積層部材可無空隙(或 空隙極少)地與該樹脂基材表面伏貼，從而使電路或樹脂或增厚層等之積層部材可以良好的密著性設置於樹脂基材表面。
最大高度Sz與凹凸之平均間隔Rsm之比(Sz/Rsm)若未達0．5，金屬箔與樹脂基材貼合後剝離金屬箔時所得之樹脂基材表面之凹凸較小，會有與相異樹脂的密著性不充分之問題產生，若超過3．0，金屬箔與樹脂基材貼合後剝離金屬箔時，除了剝離性會惡化以外，亦會有剝離金屬箔後之樹脂基材表面之凹凸形狀過深而導致電路或樹脂或增厚層等之積層部材無法追隨其凹凸形狀之問題產生。最大高度Sz與凹凸之平均間隔Rsm之比(Sz/Rsm)，係0．8~2．5為佳，1．2~2．0較佳。
又，離型層亦可設置在金屬箔之兩面。此外，金屬箔與樹脂基材的貼合或積層，以及，對於樹脂基材的電路或樹脂或增厚層等之積層部材的積層亦可壓著進行。
金屬箔(亦稱為生箔)，並無特別限定，可使用銅箔、鋁箔、鎳箔、銅合金箔、鎳合金箔、鋁合金箔、不鏽鋼箔、鐵箔、鐵合金箔等。
金屬箔(生箔)之厚度並無別限定，例如，可係5~105μm。此外，根據容易從樹脂基材拉出剝離之觀點，金屬箔之厚度係9~70μm為佳，12~35μm較佳，18~35μm更佳。
以下，以銅箔作為金屬箔(生箔)之例進行說明。金屬箔(生箔)之製造方法，並無特別限定，例如可藉由下述之電解條件而製作電解銅箔。
電解生箔之電解條件： 電解液組成：
Cu：30~190g/L
H2SO4：100~400g/L
鹽化物離子(Cl-)：60~200質量ppm
塗膠：1~10ppm
(因應必要之雙(3-磺丙基)二硫化物(SPS)：10~100ppm)
電解液溫度：25~80℃
電解時間：10~300秒(根據析出之銅厚、電流密度進行調整)
電流密度：50~150A/dm2
電解液線速：1．5~5m/sec
又，本說明書中電解液、鍍液、矽烷偶聯處理液、形成離型層之處理所使用之液等的液體或為了表面處理的處理液之殘留部分若無特別註記則為水。
最大高度Sz與凹凸之平均間隔Rsm之比(Sz/Rsm)，係可一同藉由上述電解條件而調整。電解時間(銅厚)及/或電流密度在上述範圍內越高，Sz/Rsm越大。另一方面，鹽化物離子濃度、塗膠濃度、SPS濃度及/或電解液線速在上述範圍內越高，有Sz/Rsm越小之傾向。只要因應所求剝離性之程度、所求與積層部材之密著性調節此等之電解條件即可。
本發明中將金屬箔從樹脂基材去除，係意指藉由蝕刻等之化學性處理而從樹脂基材將金屬箔去除，抑或，藉由拉出剝離等而將金屬箔 從樹脂基材物理性剝離。將樹脂基材如上述般與本發明之金屬箔貼合後去除時，樹脂基材與金屬箔係藉由離型層而分離。此時樹脂基材之剝離面，雖亦可殘留有剝離層、後述之金屬箔之粗化處理層、耐熱層、防鏽層、鉻酸鹽處理層、矽烷偶聯處理層等的一部分，但不存在殘留物為佳。
本發明之金屬箔，與樹脂基材貼合時，剝離樹脂基材時的剝離強度係200gf/cm以下為佳。藉由如此之控制，樹脂基材的物理性剝離可較為容易，從而使金屬箔表面之輪廓更良好地轉寫至樹脂基材。該剝離強度，係150gf/cm以下較佳，100gf/cm以下更佳，50gf/cm以下進一步更佳，典型係1~200gf/cm，更典型係1~150gf/cm。
接著，說明可用於本發明之離型層。
(1)矽烷化合物
藉由具有下式所示構造之矽烷化合物，或其加水分解生成物，或該加水分解生成物之縮合體(以下，簡單記述為矽烷化合物)，藉由以單獨或複數混合使用形成離型層，從而可在金屬箔與樹脂基材貼合時，適度地降低密著性，且可將剝離強度調節在上述之範圍內。
式：
(式中，R1係烷氧基或鹵素原子；R2係選自烷基、環烷基及芳基所成群中之烴基，或有一個以上的氫原子經鹵素原子取代之此等任一者的烴基；R3及R4係分別獨立地選自鹵素原子、或烷氧基、或烷基、環烷基及芳基所成群中之烴基，或有一個以上的氫原子經鹵素原子取代之此等任一者的烴基。)
該矽烷化合物係以至少具有一個烷氧基為必要。未存在烷氧基，而僅係以選自烷基、環烷基及芳基所成群中之烴基，或一個以上之氫原子經鹵素原子取代之此等任一者的烴基構成取代基時，有樹脂基材與金屬箔之密著性過分降低之傾向。此外，該矽烷化合物係以至少具有一個選自烷基、環烷基及芳基所成群中之烴基，或一個以上之氫原子經鹵素原子取代之此等任一者的烴基為必要。原因係若未存在該烴基，有樹脂基材與金屬箔之密著性上升之傾向。又，烷氧基亦包含一個以上之氫原子經鹵素原子取代之烷氧基。
根據將樹脂基材與金屬箔之剝離強度調節至上述範圍之觀點，該矽烷化合物係具有三個烷氧基、一個上述烴基(包含一個以上之氫原子經鹵素原子取代之烴基)為佳。當此等存在於上式中，R3及R4兩者將為烷氧基。
烷氧基，並無特別限定，可列舉出：甲氧基、乙氧基、n-或iso-丙氧基、n-、iso-或tert-丁氧基、n-、iso-或neo-戊氧基、n-己氧基、環己氧基、n-庚氧基、及n-辛氧基等之直鏈狀、支鏈狀、或環狀之碳數1~20，較佳係碳數1~10，更佳係碳數1~5之烷氧基。
鹵素原子，可列舉出：氟原子、氯原子、溴原子及碘原子。
烷基，並無特別限定，可列舉出：甲基、乙基、n-或iso-丙基、n-、iso-或tert-丁基、n-、iso-或neo-戊基、n-己基、n-辛基、n-癸基等之直鏈狀或支鏈狀之碳數1~20，較佳係碳數1~10，更佳係碳數1~5之烷基。
環烷基，並無特別限定，可列舉出：環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環庚基、環辛基等之碳數3~10，較佳係碳數5~7之環烷基。
芳基，可列舉出：苯基、經烷基取代之苯基(例：甲苯基、二甲苯基)、1-或2-萘基、蒽基等之碳數6~20，較佳係6~14之芳基。
此等之烴基亦可係一個以上之氫原子經鹵素原子取代，例如，可經氟原子、氯原子、或溴原子取代。
較佳之矽烷化合物之例，可列舉出：甲基三甲氧基矽烷、乙基三甲氧基矽烷、n-或iso-丙基三甲氧基矽烷、n-、iso-或tert-丁基三甲氧基矽烷、n-、iso-或neo-戊基三甲氧基矽烷、己基三甲氧基矽烷、辛基三甲氧基矽烷、癸基三甲氧基矽烷、苯基三甲氧基矽烷；經烷基取代之苯基三甲氧基矽烷(例如，p-(甲基)苯基三甲氧基矽烷)、甲基三乙氧基矽烷、乙基三乙氧基矽烷、n-或iso-丙基三乙氧基矽烷、n-、iso-或tert-丁基三乙氧基矽烷、戊基三乙氧基矽烷、己基三乙氧基矽烷、辛基三乙氧基矽烷、癸基三乙氧基矽烷、苯基三乙氧基矽烷、經烷基取代之苯基三乙氧基矽烷(例如，p -(甲基)苯基三乙氧基矽烷)、(3，3，3-三氟丙基)三甲氧基矽烷、及十三氟辛基三乙氧基矽烷、甲基三氯矽烷、二甲基二氯矽烷、三甲基氯矽烷、苯基三氯矽烷、三甲基氟矽烷、二甲基二溴矽烷、二苯基二溴矽烷、此等之加水分解生成物、及此等之加水分解生成物之縮合體等。此等之中，根據取得容易性之觀點，較佳係丙基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、己基三甲氧基矽烷、苯基三乙氧基矽烷、癸基三甲氧基矽烷。
離型層之形成步驟中，矽烷化合物可以水溶液之形態使用。為了提高對水之溶解性，亦可添加甲醇或乙醇等之醇類。醇類的添加特別係於使用疏水性較高之矽烷化合物時有效。矽烷化合物之水溶液，係藉由攪拌而促進烷氧基之加水分解，若攪拌時間長，則可促進加水分解生成物之縮合。一般而言，使用經過充分攪拌時間而進行加水分解及縮合之矽烷化合物有降低樹脂基材與金屬箔之剝離強度之傾向。因此，藉由攪拌時間的調整，可調整剝離強度。矽烷化合物溶解於水後之攪拌時間並無限定，可例如1~100小時，典型可係1~30小時。當然，亦有不進行攪拌而使用之方法。
矽烷化合物之水溶液中的矽烷化合物濃度較高者有金屬箔與板狀載體的剝離強度降低之傾向，藉由矽烷化合物的濃度調整而可調整剝離強度。矽烷化合物之水溶液中的濃度並無限定，可係0．01~10．0體積%，典型可係0．1~5．0體積%。
矽烷化合物之水溶液的pH並無特別限制，偏酸性或偏鹼性皆可利用。例如可以3．0~10．0之範圍的pH使用。根據無需特別之pH調整的觀點，較佳係中性附近之5．0~9．0之範圍的pH，更 佳係7．0~9．0之範圍的pH。
(2)分子內具有2個以下之巰基的化合物
離型層，係使用分子內具有2個以下之巰基的化合物所構成，藉由將樹脂基材與金屬箔介著該離型層貼合，亦可適度地降低密著性，從而調節剝離強度。
但，分子內具有3個以上之巰基的化合物或其鹽類介在於樹脂基材與金屬箔之間而貼合時，對於降低剝離強度之目的並不合適。原因係，考慮到分子內存在過剩之巰基時，巰基彼此或巰基與板狀載體，或巰基與金屬箔之化學反應所成硫醚結合、雙硫醚結合或聚硫醚結合會過剩生成，從而在樹脂基材與金屬箔之間形成強固之3次元交聯構造，故有導致剝離強度上升之情形。如此之事例已於日本特開2000-196207號公報揭示。
此分子內具有2個以下之巰基的化合物，可列舉出：硫醇、二硫醇、硫羧酸或其鹽類、二硫羧酸或其鹽類、硫磺酸或其鹽類、及二硫磺酸或其鹽類，可使用選自此等之中的至少一種。
硫醇，係分子內具有一個巰基者，可例如由R-SH表示。在此，R，係表示亦可包含羥基或胺基之脂肪族系或芳香族系烴基或雜環基。
二硫醇，係分子內具有二個巰基者，可例如由R(SH)2表示。R，係表示亦可包含羥基或胺基之脂肪族系或芳香族系烴基或雜環基。此外，二個巰基，可分別與相同之碳鍵結，亦可互相與不同之碳或氮鍵結。
硫羧酸，係有機羧酸之羥基經巰基取代者，可例如由R-CO-SH表示。R，係表示亦可包含羥基或胺基之脂肪族系或芳香族系烴基或雜環基。此外，硫羧酸，亦可使用鹽類之型態。又，亦可使用具有二個硫羧酸基的化合物。
二硫羧酸，係有機羧酸之羧基中的2個氧原子經硫原子取代者，可例如由R-(CS)-SH表示。R，係表示亦可包含羥基或胺基之脂肪族系或芳香族系烴基或雜環基。此外，二硫羧酸，亦可使用鹽類之型態。又，亦可使用具有二個二硫羧酸基的化合物。
硫磺酸，係有機磺酸之羧基經巰基取代者，可例如由R(SO2)-SH表示。R，係表示亦可包含羥基或胺基之脂肪族系或芳香族系烴基或雜環基。此外，硫磺酸，亦可使用鹽類之型態。
二硫磺酸，係有機二磺酸之二個羥基分別經巰基取代者，可例如由R-((SO2)-SH)2表示。R表示亦可包含羥基或胺基的脂肪族系或芳香族系烴基或雜環基。此外，二個硫磺酸基，可分別與相同之碳鍵結，亦可互相與不同之碳鍵結。此外，二硫磺酸，亦可使用鹽類之型態。
在此，R之合適的脂肪族系烴基，可列舉出：烷基、環烷基，此等烴基亦可包含羥基與胺基中之任一者或兩者。
此外，烷基並無限定，可列舉出：甲基、乙基、n-或iso-丙基、n-、iso-或tert-丁基、n-、iso-或neo-戊基、n-己基、n-辛基、n-癸基等之直鏈狀或支鏈狀的碳數1~20，較佳係碳數1~10，更佳係碳數1~5之烷基。
此外，環烷基並無限定，可列舉出：環丙基、環丁基、環戊 基、環己基、環庚基、環辛基等之碳數3~10，較佳係碳數5~7之環烷基。
此外，R之合適的芳香族烴基，可列舉出：苯基、經烷基取代之苯基(例：甲苯基、二甲苯基)、1-或2-萘基、蒽基等之碳數6~20，較佳係6~14之芳基，此等烴基亦可包含羥基與胺基中之任一者或兩者。
此外，R之合適的雜環基，可列舉出：咪唑、三唑、四唑、苯並咪唑、苯並三唑、噻唑、苯並噻唑，亦可包含羥基與胺基中之任一者或兩者。
分子內具有2個以下之巰基的化合物之較佳例，可列舉出：3-巰基-1，2丙二醇、2-巰基乙醇、1，2-乙二硫醇、6-巰基-1-己醇、1-辛硫醇、1-十二烷硫醇、10-羥基-1-十二烷硫醇、10-羧基-1-十二烷硫醇、10-胺基-1-十二烷硫醇、1-十二烷硫醇磺酸鈉、苯硫酚、硫代苯甲酸、4-胺基-苯硫酚、p-甲苯硫醇、2，4-二甲基苯硫醇、3-巰基-1，2，4三唑、2-巰基-苯並噻唑。此等之中，根據水溶性與廢棄物處理上之觀點，較佳係3-巰基-1，2丙二醇。
離型層之形成步驟中，分子內具有2個以下之巰基的化合物可以水溶液之形態使用。為了提高對水之溶解性，亦可添加甲醇或乙醇等之醇類。醇類的添加特別係於使用疏水性較高之分子內具有2個以下之巰基的化合物時有效。
分子內具有2個以下之巰基的化合物之水溶液中的濃度越 高，有降低樹脂基材與金屬箔之剝離強度之傾向，藉由調整分子內具有2個以下之巰基的化合物濃度而可調整剝離強度。分子內具有2個以下之巰基的化合物之水溶液中的濃度並無限定，可為0．01~10．0重量%，典型可係0．1~5．0重量%。
分子內具有2個以下之巰基的化合物之水溶液的pH並無特別限制，偏酸性或偏鹼性皆可利用。例如可以3．0~10．0之範圍的pH使用。根據無需特別之pH調整的觀點，較佳係中性附近之5．0~9．0之範圍的pH，更佳係7．0~9．0之範圍的pH。
(3)金屬烷氧化物
離型層，亦可係將具有下式所示之構造的鋁酸酯化合物、鈦酸酯化合物、鋯酸酯化合物、或其加水分解生成物、或該加水分解生成物之縮合體(以下，簡單記述為金屬烷氧化物)以單獨或複數混合使用而構成。藉由將樹脂基材與金屬箔介著該離型層而貼合，可適度地降低密著性，從而可調節剝離強度。
【化4】(R1)m-M-(R2)n
式中，R1係烷氧基或鹵素原子；R2係選自烷基、環烷基及芳基所成群中之烴基，或有一個以上的氫原子經鹵素原子取代之此等任一者的烴基；M係Al、Ti、Zr中之任一者；n係0或1或2，m係1以上M的價數以下之整數，且，R1之至少一者係烷氧基。又，m+n係M 的價數，亦即Al時為3，Ti、Zr時為4。
該金屬烷氧化物係以至少具有一個烷氧基為必要。未存在烷氧基，而僅係以選自烷基、環烷基及芳基所成群中之烴基，或僅以一個以上之氫原子經鹵素原子取代之此等任一者的烴基構成取代基時，有樹脂基材與金屬箔之密著性過度降低之傾向。此外，該金屬烷氧化物係以具有0~2個選自烷基、環烷基及芳基所成群中之烴基，或一個以上之氫原子經鹵素原子取代之此等任一者的烴基為必要。原因係若具有3個以上該烴基，有樹脂基材與金屬箔之密著性過度降低之傾向。又，烷氧基亦包含一個以上之氫原子經鹵素原子取代之烷氧基。根據將樹脂基材與金屬箔之剝離強度調節至上述範圍之觀點，該金屬烷氧化物係具有二個以上烷氧基、一個或兩個上述烴基(包含一個以上之氫原子經鹵素原子取代之烴基)為佳。
此外，烷基並無限定，可列舉出：甲基、乙基、n-或iso-丙基、n-、iso-或tert-丁基、n-、iso-或neo-戊基、n-己基、n-辛基、n-癸基等之直鏈狀或支鏈狀之碳數1~20，較佳係碳數1~10，更佳係碳數1~5之烷基。
此外，環烷基並無限定，可列舉出：環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環庚基、環辛基等之碳數3~10，較佳係碳數5~7之環烷基。
此外，R2之合適的芳香族烴基，可列舉出：苯基、經烷基取代之苯基(例：甲苯基、二甲苯基)、1-或2-萘基、蒽基等之碳數6~20，較佳係6~14之芳基，此等烴基亦可包含羥基與胺基之任一 者或兩者。此等之烴基亦可係一個以上之氫原子經鹵素原子取代，例如，可經氟原子、氯原子、或溴原子取代。
較佳之鋁酸酯化合物之例，可列舉出：三甲氧基鋁、甲基二甲氧基鋁、乙基二甲氧基鋁、n-或iso-丙基二甲氧基鋁、n-、iso-或tert-丁基二甲氧基鋁、n-、iso-或neo-戊基二甲氧基鋁、己基二甲氧基鋁、辛基二甲氧基鋁、癸基二甲氧基鋁、苯基二甲氧基鋁；烷基取代苯基二甲氧基鋁(例如，p-(甲基)苯基二甲氧基鋁)、二甲基甲氧基鋁、三乙氧基鋁、甲基二乙氧基鋁、乙基二乙氧基鋁、n-或iso-丙基二乙氧基鋁、n-、iso-或tert-丁基二乙氧基鋁、戊基二乙氧基鋁、己基二乙氧基鋁、辛基二乙氧基鋁、癸基二乙氧基鋁、苯基二乙氧基鋁、烷基取代苯基二乙氧基鋁(例如，p-(甲基)苯基二乙氧基鋁)、二甲基乙氧基鋁、三異丙氧基鋁、甲基二異丙氧基鋁、乙基二異丙氧基鋁、n-或iso-丙基二乙氧基鋁、n-、iso-或tert-丁基二異丙氧基鋁、戊基二異丙氧基鋁、己基二異丙氧基鋁、辛基二異丙氧基鋁、癸基二異丙氧基鋁、苯基二異丙氧基鋁、烷基取代苯基二異丙氧基鋁(例如，p-(甲基)苯基二異丙氧基鋁)、二甲基異丙氧基鋁、(3，3，3-三氟丙基)二甲氧基鋁、及十三氟辛基二乙氧基鋁、甲基二氯化鋁、二甲基氯化鋁、、二甲基氯化鋁、苯基二氯化鋁、二甲基氟化鋁、二甲基溴化鋁、二苯基溴化鋁、此等之加水分解生成物、及此等之加水分解生成物之縮合體等。此等之中，根據取得容易性之觀點，較佳係三甲氧基鋁、三乙氧基鋁、三異丙氧基鋁。
較佳之鈦酸鹽化合物之例，可列舉出：四甲氧基鈦、甲基三 甲氧基鈦、乙基三甲氧基鈦、n-或iso-丙基三甲氧基鈦、n-、iso-或tert-丁基三甲氧基鈦、n-、iso-或neo-戊基三甲氧基鈦、己基三甲氧基鈦、辛基三甲氧基鈦、癸基三甲氧基鈦、苯基三甲氧基鈦、烷基取代苯基三甲氧基鈦(例如：p-(甲基)苯基三甲氧基鈦)、二甲基二甲氧基鈦、四乙氧基鈦、甲基三乙氧基鈦、乙基三乙氧基鈦、n-或iso-丙基三乙氧基鈦、n-、iso-或tert-丁基三乙氧基鈦、戊基三乙氧基鈦、己基三乙氧基鈦、辛基三乙氧基鈦、癸基三乙氧基鈦、苯基三乙氧基鈦、烷基取代苯基三乙氧基鈦(例如：p-(甲基)苯基三乙氧基鈦)、二甲基二乙氧基鈦、四異丙氧基鈦、甲基三異丙氧基鈦、乙基三異丙氧基鈦、n-或iso-丙基三乙氧基鈦、n-、iso-或tert-丁基三異丙氧基鈦、戊基三異丙氧基鈦、己基三異丙氧基鈦、辛基三異丙氧基鈦、癸基三異丙氧基鈦、苯基三異丙氧基鈦、烷基取代苯基三異丙氧基鈦(如：p-(甲基)苯基三異丙氧基鈦)、二甲基二異丙氧基鈦、(3，3，3-三氟丙基)三甲氧基鈦、以及十三氟辛基三乙氧基鈦、甲基三氯化鈦、二甲基二氯化鈦、三甲基氯化鈦、苯基三氯化鈦、二甲基二氟化鈦、二甲基二溴化鈦、二苯基二溴化鈦、此等之加水分解生成物、及此等之加水分解生成物之縮合體等，此等之中，根據取得容易性之觀點，較佳係四甲氧基鈦、四乙氧基鈦、四異丙氧基鈦。
較佳之鋯酸鹽化合物之例，可列舉出：四甲氧基鋯、甲基三甲氧基鋯、乙基三甲氧基鋯、n-或iso-丙基三甲氧基鋯、n-、iso-或tert-丁基三甲氧基鋯、n-、iso-或neo-戊基三甲氧基鋯、己基三甲氧基鋯、辛基三甲氧基鋯、癸基三甲氧基鋯、苯基三 甲氧基鋯；烷基取代苯基三甲氧基鋯(例如：p-(甲基)苯基三甲氧基鋯)、二甲基二甲氧基鋯、四乙氧基鋯、甲基三乙氧基鋯、乙基三乙氧基鋯、n-或iso-丙基三乙氧基鋯、n-、iso-或tert-丁基三乙氧基鋯、戊基三乙氧基鋯、己基三乙氧基鋯、辛基三乙氧基鋯、癸基三乙氧基鋯、苯基三乙氧基鋯、烷基取代苯基三乙氧基鋯(例如：p-(甲基)苯基三乙氧基鋯)、二甲基二乙氧基鋯、四異丙氧基鋯、甲基三異丙氧基鋯、乙基三異丙氧基鋯、n-或iso-丙基三乙氧基鋯、n-、iso-或tert-丁基三異丙氧基鋯、戊基三異丙氧基鋯、己基三異丙氧基鋯、辛基三異丙氧基鋯、癸基三異丙氧基鋯、苯基三異丙氧基鋯、烷基取代苯基三異丙氧基鋯(例如：p-(甲基)苯基三異丙氧基鋯)、二甲基二異丙氧基鋯、(3,3,3-三氟丙基)三甲氧基鋯、以及十三氟辛基三乙氧基鋯、甲基三氯化鋯、二甲基二氯化鋯、三甲基氯化鋯、苯基三氯化鋯、二甲基二氟化鋯、二甲基二溴化鋯、二苯基二溴化鋯、此等之加水分解生成物、及此等之加水分解生成物之縮合體等，此等之中，根據取得容易性之觀點，較佳係四甲氧基鋯、四乙氧基鋯、四異丙氧基鋯。
離型層之形成步驟中，金屬烷氧化物可以水溶液之形態使用。為了提高對水之溶解性，亦可添加甲醇或乙醇等之醇類。醇類的添加特別係於使用疏水性較高之金屬烷氧化物時有效。
金屬烷氧化物之水溶液中的濃度越高，有降低樹脂基材與金屬箔之剝離強度之傾向，藉由調整金屬烷氧化物濃度而可調整剝離強度。金屬烷氧化物之水溶液中的濃度並無限定，可為0．001~1．0mol/L，典型可係0．005~0．2mol/L。
金屬烷氧化物之水溶液的pH並無特別限制，偏酸性或偏鹼性皆可利用。例如可以3．0~10．0之範圍的pH使用。根據無需特別之pH調整的觀點，較佳係中性附近之5．0~9．0之範圍的pH，更佳係7．0~9．0之範圍的pH。
(4)其他
可使用矽氧系之離型劑、具有離型性之樹脂被膜等、習知的具有離型性之物質作為離型層。
本發明之金屬箔，金屬箔與離型層之間，亦可設置選自粗化處理層、耐熱層、防鏽層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶聯處理層所成群中1種以上之層。在此，鉻酸鹽處理層係意指以含有無水鉻酸、鉻酸、重鉻酸、鉻酸鹽或重鉻酸鹽之液所處理之層。鉻酸鹽處理層亦可含有鈷、鐵、鎳、鉬、鋅、鉭、銅、鋁、磷、鎢、錫、砷及鈦等之元素(亦可係金屬、合金、氧化物、氮化物、硫化物等之任何的形態)。鉻酸鹽處理層之具體例，可列舉出：以無水鉻酸或重鉻酸鉀水溶液處理的鉻酸鹽處理層，或以含有無水鉻酸或重鉻酸鉀及鋅之處理液處理的鉻酸鹽處理層等。
粗化處理層可藉由例如以下之處理而形成。
〔球狀粗化〕
Cu、H2SO4、As所成，使用以下記述之銅粗化鍍浴形成球狀粗化粒子。
‧液組成1
CuSO4‧5H2O 78~196g/L
Cu 20~50g/L
H2SO4 50~200g/L
砷0．7~3．0g/L
(電鍍溫度1)30~76℃
(電流條件1)電流密度35~105A/dm2(浴之界限電流密度以上)
(鍍時間1)1~240秒
接著，為了防止粗化粒子之脫落及提高剝離強度，以硫酸‧硫酸銅所成銅電解浴進行覆鍍。覆鍍條件如以下記述。
‧液組成2
CuSO4‧5H2O 88~352g/L
Cu 22~90g/L
H2SO4 50~200g/L
(電鍍溫度2)25~80℃
(電流條件2)電流密度：15~32A/dm2(未達浴之界限電流密度)
(鍍時間1)1~240秒
此外，耐熱層、防鏽層可使用習知的耐熱層、防鏽層。例如，耐熱層及/或防鏽層可係由含有選自鎳、鋅、錫、鈷、鉬、銅、鎢、磷、砷、鉻、釩、鈦、鋁、金、銀、鉑族元素、鐵、鉭之群中1種以上的元素之層，亦可係由選自鎳、鋅、錫、鈷、鉬、銅、鎢、磷、砷、鉻、釩、鈦、鋁、金、銀、鉑族元素、鐵、鉭之群中1種以上的元素所成金屬層或合金層。此外，耐熱層及/或防鏽層亦可含有含選自鎳、鋅、錫、鈷、鉬、銅、 鎢、磷、砷、鉻、釩、鈦、鋁、金、銀、鉑族元素、鐵、鉭之群中1種以上的元素之氧化物、氮化物、矽化物。此外，耐熱層及/或防鏽層亦可係含鎳-鋅合金之層。此外，耐熱層及/或防鏽層亦可係鎳-鋅合金層。前述鎳-鋅合金層，亦可係除了不可避雜質外，含有鎳為50wt%~99wt%、鋅為50wt%~1wt%者。前述鎳-鋅合金層之鋅及鎳之合計附著量係5~1000mg/m2，較佳係10~500mg/m2，較佳亦可係20~100mg/m2。此外，含前述鎳-鋅合金之層或前述鎳-鋅合金層之鎳的附著量與鋅的附著量之比(=鎳的附著量/鋅的附著量)係1．5~10為佳。此外，含前述鎳-鋅合金之層或前述鎳-鋅合金層之鎳的附著量係0．5mg/m2~500mg/m2為佳，1mg/m2~50mg/m2更佳。
例如耐熱層及/或防鏽層，可係由附著量為1mg/m2~100mg/m2，較佳為5mg/m2~50mg/m2之鎳或鎳合金層、及附著量為1mg/m2~80mg/m2，較佳為5mg/m2~40mg/m2之錫層依序積層所成者，且前述鎳合金層係鎳-鉬、鎳-鋅、鎳-鉬-鈷中任一種所構成亦可。此外，耐熱層及/或防鏽層，鎳或鎳合金與錫之合計附著量係2mg/m2~150mg/m2為佳，10mg/m2~70mg/m2更佳。此外，耐熱層及/或防鏽層，係〔鎳或鎳合金中之鎳附著量〕/〔錫附著量〕=0．25~10為佳，0．33~3更佳。
又，矽烷偶聯處理所用之矽烷偶聯劑可使用習知的矽烷偶聯劑，例如可使用胺系矽烷偶聯劑或環氧系矽烷偶聯劑、巰基系矽烷偶聯劑。此外，矽烷偶聯劑亦可使用乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基苯基三甲氧基矽 烷、γ-甲基丙烯氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、4-縮水甘油基丁基三甲氧基矽烷、γ-胺基丙基三乙氧基矽烷、N-β(胺基乙基)γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-3-(4-(3-胺基丙氧基)丁氧基)丙基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、咪唑矽烷、三嗪矽烷、γ-巰基丙基三甲氧基矽烷等。
前述矽烷偶聯處理層，亦可使用環氧系矽烷、胺基系矽烷、甲基丙烯氧基系矽烷、巰基系矽烷等之矽烷偶聯劑等而形成。又，如此之矽烷偶聯劑，可將2種以上混合使用。其中，使用胺基系矽烷偶聯劑或環氧系矽烷偶聯劑所形成者為佳。
在此所謂之胺基系矽烷偶聯劑，亦可係選自N-(2-胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-(N-苯乙烯基甲基-2-胺基乙基胺基)丙基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三乙氧基矽烷、雙(2-羥基乙基)-3-胺基丙基三乙氧基矽烷、胺基丙基三甲氧基矽烷、N-甲基胺基丙基三甲氧基矽烷、N-苯基胺基丙基三甲氧基矽烷、N-(3-丙烯氧基-2-羥基丙基)-3-胺基丙基三乙氧基矽烷、4-胺基丁基三乙氧基矽烷、(胺基乙基胺基甲基)苯乙基三甲氧基矽烷、N-(2-胺基乙基-3-胺基丙基)三甲氧基矽烷、N-(2-胺基乙基-3-胺基丙基)三(2-乙基己氧基)矽烷、6-(胺基己基胺基丙基)三甲氧基矽烷、胺基苯基三甲氧基矽烷、3-(1-胺基丙氧基)-3，3-二甲基-1-丙烯基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三(甲氧基乙氧基乙氧基)矽烷、3-胺基丙基三乙氧基矽烷、3-胺基丙基三甲氧基矽烷、ω-胺基十一烷氧基矽烷、3-(2-N-苄基胺基乙基胺基丙基)三甲氧基矽烷、雙(2-羥基乙基)-3-胺基丙基三乙氧基矽烷、(N，N-二乙基-3-胺基丙 基)三甲氧基矽烷、(N，N-二甲基-3-胺基丙基)三甲氧基矽烷、N-甲基胺基丙基三甲氧基矽烷、N-苯基胺基丙基三甲氧基矽烷、3-(N-苯乙烯基甲基-2-胺基乙基胺基)丙基三甲氧基矽烷、γ-胺基丙基三乙氧基矽烷、N-β(胺基乙基)γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-3-(4-(3-胺基丙氧基)丁氧基)丙基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷所成群中者。
矽烷偶聯處理層，理想係矽原子換算設定為0．05mg/m2~200mg/m2，較佳為0．15mg/m2~20mg/m2，較佳為0．3mg/m2~2．0mg/m2之範圍。前述之範圍時，可進一步提升樹脂基材與金屬箔之密著性。
此外，可對於金屬箔、粗化處理層、耐熱層、防鏽層、矽烷偶聯處理層、鉻酸鹽處理層或離型層之表面，進行國際公開號WO2008/053878、日本特開2008-111169號、日本特許第5024930號、國際公開號WO2006/028207、日本特許第4828427號、國際公開號WO2006/134868、日本特許第5046927號、國際公開號WO2007/105635、日本特許第5180815號、日本特開2013-19056號所記載之表面處理。如此般，本發明之金屬箔，亦包含表面處理金屬箔。
本發明之金屬箔之表面亦可設置樹脂層。樹脂層，通常係設置於離型層上。
前述金屬箔之表面之樹脂層可係接著用樹脂，亦即接著劑，亦可係底漆、接著用之半硬化狀態(B階段狀態)之絕緣樹脂層。半硬化狀態(B階段狀態)，係包含：手指觸摸其表面亦無黏著感，可將該絶緣樹 脂層重合保管，進一步對其進行加熱處理時，會發生硬化反應之狀態。前述金屬箔之表面的樹脂層與離型層接觸時，樹脂層係可發現有適度之剝離強度(例如2gf/cm~200gf/cm)為佳。此外，使用可伏貼金屬箔之表面的凹凸，難以產生成為起泡原因之空隙或氣泡的混入之樹脂為佳。例如，於金屬箔表面設置該樹脂層時，使用樹脂之黏度為10000mPa．s(25℃)以下，較佳係樹脂之黏度為5000mPa．s(25℃)以下等之黏度較低的樹脂設置樹脂層為佳。藉由於金屬箔所積層之絶緣基板與金屬箔之間設置前述樹脂層，從而即使係在使用難以伏貼金屬箔之表面的凹凸之絕緣基板之情形，因樹脂層伏貼金屬箔表面，故在金屬箔與絕緣基板之間，對於可使空隙或氣泡難以產生係非常有效的。
此外前述金屬箔之表面的樹脂層亦可包含熱硬化性樹脂，且亦可係熱可塑性樹脂。此外，前述金屬箔之表面的樹脂層亦可包含熱可塑性樹脂。前述金屬箔之表面的樹脂層亦可包含習知的樹脂、樹脂硬化劑、化合物、硬化促進劑、誘電體、反應催化劑、交聯劑、聚合物、預浸料、骨格材等。此外，前述金屬箔之表面的樹脂層亦可係例如國際公開號WO2008/004399、國際公開號WO2008/053878、國際公開號WO2009/084533、日本特開平11-5828號、日本特開平11-140281號、日本特許第3184485號、國際公開號WO97/02728、日本特許第3676375號、日本特開2000-43188號、日本特許第3612594號、日本特開2002-179772號、日本特開2002-359444號、日本特開2003-304068號、日本特許第3992225號、日本特開2 003-249739號、日本特許第4136509號、日本特開2004-82687號、日本特許第4025177號、日本特開2004-349654號、日本特許第4286060號、日本特開2005-262506號、日本特許第4570070號、日本特開2005-53218號、日本特許第3949676號、日本特許第4178415號、國際公開號WO2004/005588、日本特開2006-257153號、日本特開2007-326923號、日本特開2008-111169號、日本特許第5024930號、國際公開號WO2006/028207、日本特許第4828427號、日本特開2009-67029號、國際公開號WO2006/134868、日本特許第5046927號、日本特開2009-173017號、國際公開號WO2007/105635、日本特許第5180815號、國際公開號WO2008/114858、國際公開號WO2009/008471、日本特開2011-14727號、國際公開號WO2009/001850、國際公開號WO2009/145179、國際公開號WO2011/068157、日本特開2013-19056號所記載之物質(樹脂、樹脂硬化劑、化合物、硬化促進劑、誘電體、反應催化劑、交聯劑、聚合物、預浸料、骨格材等)及/或使用樹脂層之形成方法、形成裝置而形成。
(積層體、半導體封裝、電子機器)
可於本發明之金屬箔設置樹脂基材而製作積層體。該積層體，其樹脂基材可係由紙基材苯酚樹脂、紙基材環氧樹脂、合成纖維布基材環氧樹脂、 玻璃布‧紙複合基材環氧樹脂、玻璃布‧玻璃不織布複合基材環氧樹脂及玻璃布基材環氧樹脂等形成。樹脂基材，可係預浸料，亦可包含熱硬化性樹脂。此外，藉由在該積層體之金屬箔形成電路可製作印刷電路板。進一步，藉由在印刷電路板搭載電子部件類，可製作印刷電路板。本發明中，「印刷電路板」係亦包含如此之搭載電子部件類之印刷電路板及印刷電路板及印刷基板。此外，可使用該印刷電路板製作電子機器，亦可使用搭載電子部件類之印刷電路板製作電子機器，亦可使用搭載電子部件類之印刷基板製作電子機器。此外，上述「印刷電路板」，係亦包含半導體封裝用電路形成基板。進一步在半導體封裝用電路形成基板搭載電子部件類可製作半導體封裝。進一步亦可使用該半導體封裝製作電子機器。
(印刷電路板之製造方法)
本發明之印刷電路板之製造方法係在一側面中，具備從本發明之金屬箔之表面輪廓的面側，或者，從本發明之附離型層金屬箔之離型層側貼合樹脂基材之步驟、從前述樹脂基材，未蝕刻即拉出剝離前述金屬箔或前述附離型層金屬箔，而得到前述金屬箔或前述附離型層金屬箔之表面輪廓轉寫在其剝離面之樹脂基材之步驟、及在轉寫有前述表面輪廓之樹脂基材的前述剝離面側形成電路之步驟。藉由如此之構成，在金屬箔不設置離型層或設置，則於將該金屬箔與樹脂基材貼合時，使樹脂基材可物理性之剝離，而在將金屬箔從樹脂基材上去除步驟中，轉寫於樹脂基材之表面的金屬箔表面之輪廓不會損傷，從而可以良好之成本去除金屬箔。該製造方法，亦可藉由鍍圖型而形成電路。此時，形成鍍圖型後，可利用該鍍圖型形成所望之電路而製作印刷電路板。此外，亦可藉由印刷圖型形成電路。此時， 例如使用在油墨中含有導電膏等之噴墨形成印刷圖型後，可利用該印刷圖型形成所望之印刷電路而製作印刷電路板。
本說明書中「表面輪廓」係指表面之凹凸形狀。
進一步，本發明之印刷電路板之製造方法係更進一步在另一側面中，具備從將本發明之金屬箔控制為最大高度Sz與凹凸之平均間隔Rsm之比(Sz/Rsm)的表面側或從前述離型層側與樹脂基材貼合之步驟、從前述樹脂基材，未蝕刻即拉出剝離前述金屬箔或前述附離型層金屬箔，而得到前述金屬箔之表面輪廓轉寫在其剝離面之樹脂基材之步驟、及在轉寫有前述表面輪廓之樹脂基材的前述剝離面側形成增厚層之步驟。藉由如此之構成，在金屬箔不設置離型層或設置，則於將該金屬箔與樹脂基材貼合時，使樹脂基材可物理性之剝離，而在將金屬箔從樹脂基材上去除步驟中，轉寫於樹脂基材之表面的金屬箔表面之輪廓不會損傷，從而可以良好之成本去除金屬箔。此外，藉由轉寫於樹脂基之所定之凹凸表面，即使樹脂基材之樹脂成分與增厚層之樹脂成分相異，抑或相同時，兩者可以良好之密著性貼合。
在此，「增厚層」，係指具有導電層、配線圖型或電路、及樹脂等之絕緣體之層。該樹脂之絕緣體的形狀亦可係層狀。此外，前述之導電層、配線圖型或電路及樹脂等之絕緣體可藉由任意之方法設置。
增厚層，可藉由於前述金屬箔之表面輪廓轉寫至剝離面之樹脂基材之其剝離面側設置導電層、配線圖型或電路及樹脂等之絕緣體而製作。導電層、配線圖型或電路之形成方法，可使用半加成法、全加成法、減去法、部分加成法等習知的方法。
增厚層，可具有複數之層，亦可具有複數之導電層、配線圖型或電路及樹脂(層)。
複數之導電層、配線圖型或電路亦可係藉由樹脂等之絶緣體而電絕緣。亦可藉由將經電絕緣之複數之導電層、配線圖型或電路，以雷射及/或鑽頭使樹脂等之絕緣體形成通孔及/或暗孔後，對於該通孔及/或暗孔形成銅鍍等之導通鍍，從而電連接。
又，亦可藉由將樹脂基材之兩面，與表面之最大高度Sz與凹凸之平均間隔Rsm之比(Sz/Rsm)經過控制之金屬箔或表面設置有離型層之金屬箔，從前述表面之最大高度Sz與凹凸之平均間隔Rsm之比(Sz/Rsm)經過控制之側或前述離型層側貼合，之後，去除金屬箔或附離型層金屬箔，將金屬箔之表面輪廓轉寫至樹脂基材之兩面，並於該樹脂基材之兩面設置電路、配線圖型或增厚層，從而製造印刷電路板。
如此之構成增厚層之樹脂等的絕緣體，可使用本說明書所記載之樹脂、樹脂層、樹脂基材，且可使用將樹脂含浸習知的樹脂、樹脂層、樹脂基材、絶緣體、預浸料、玻璃布之基材等。樹脂亦可包含無機物及/或有機物。此外，構成增厚層之樹脂，亦可係由LCP(液晶聚合物)或聚四氟乙烯等之具有低比誘電率的材料所形成。近年來，伴隨了高周波製品之擴大，以LCP(液晶聚合物)或聚四氟乙烯(鐵氟龍：註冊商標)之具有低比誘電率的材料組入印刷基板之構造的運作活化。此時，由於此等之材料係熱可塑性者，因此熱壓加工時無法避免形狀變化，以LCP(液晶聚合物)或聚四氟乙烯單體之基板構成有生產停滯不提升基本量產上之課題。上述之本發明之製造方法，即使係對於如此之問題，因樹脂基板係 使用環氧樹脂之熱硬化性樹脂，藉由與此貼合，從而提供一種高周波特性優異，並且，可防止加熱時之形狀變形之印刷電路板。
藉由使用本發明之金屬箔的半加成法可形成細微電路。圖1表示使用金屬箔之表面輪廓的半加成法之概略例。該半加成法，係使用金屬箔之表面輪廓。具體而言，首先，將樹脂基材從本發明之附離型層金屬箔之離型層側積層而製作積層體。接著，以蝕刻將積層體之金屬箔去除，或者，拉出剝離。接著，轉寫有金屬箔表面輪廓之樹脂基材之表面以稀硫酸等洗淨後，施予無電解銅鍍。並且，未形成樹脂基材之電路的部分以乾膜等被覆，未被覆乾膜之無電解銅鍍層之表面施予電(電解)銅鍍。之後，去除乾膜後，藉由去除未形成電路部分上所形成之無電解銅鍍層，從而形成細微之電路。由於本發明所形成之細微電路，係與轉寫有本發明之金屬箔表面輪廓的樹脂基材之剝離面密著，故其密著力(剝離強度)係為良好。
此外，半加成法之另一實施形態如以下所述。
半加成法，係指在樹脂基材或金屬箔上進行薄形無電解鍍，圖型形成後，使用電鍍及蝕刻形成導體圖型之方法。因此，使用半加成法的本發明之印刷電路板之製造方法的一實施形態中，係包含：準備本發明之金屬箔或本發明之附離型層金屬箔及樹脂基材之步驟；將樹脂基材與前述金屬箔或前述附離型層金屬箔，於表面之最大高度Sz與凹凸之平均間隔Rsm之比(Sz/Rsm)的控制側或離型層側積層之步驟；前述金屬箔與樹脂基材積層後，以蝕刻將前述金屬箔去除，抑或，拉出剝離之步驟； 在去除或拉出剝離前述金屬箔後所得樹脂基材之露出面或剝離面設置通孔或/及暗孔之步驟；對於包含前述通孔或/及暗孔之區域進行除膠渣處理之步驟；對於前述樹脂基材及包含前述通孔或/及暗孔之區域以稀硫酸等洗淨樹脂基材表面，並設置無電解鍍層(例如無電解銅鍍層)之步驟；在前述無電解鍍層之上設置鍍阻抗之步驟；對於前述鍍阻抗曝光，之後，去除形成電路之區域的鍍阻抗之步驟；在形成前述鍍阻抗去除完成之前述電路之區域，設置電解鍍層(例如電解銅鍍層)之步驟；去除前述鍍阻抗之步驟；藉由閃蝕刻等將形成有前述電路之區域以外的區域中之無電解鍍層去除之步驟。
使用半加成法的本發明之印刷電路板之製造方法的另一實施形態中，係包含：準備本發明之金屬箔或本發明之附離型層金屬箔及樹脂基材之步驟；將樹脂基材與前述金屬箔或前述附離型層金屬箔，於表面之最大高度Sz與凹凸之平均間隔Rsm之比(Sz/Rsm)的控制側或離型層側積層之步驟；前述金屬箔與樹脂基材積層後，以蝕刻將前述金屬箔去除，抑或，拉出剝離之步驟；對於去除或拉出剝離前述金屬箔後所得樹脂基材之露出面或剝離面，以稀硫酸等洗淨樹脂基材表面，並設置無電解鍍層(例如無電解銅鍍層) 之步驟；在前述無電解鍍層之上設置鍍阻抗之步驟；對於前述鍍阻抗曝光，之後，去除形成電路之區域的鍍阻抗之步驟；在形成前述鍍阻抗去除完成之前述電路之區域，設置電解鍍層(例如電解銅鍍層)之步驟；去除前述鍍阻抗之步驟；藉由閃蝕刻等將形成有前述電路之區域以外的區域中之無電解鍍層去除之步驟。
藉由如此，在剝離金屬箔後之樹脂基材之剝離面形成電路，可製作印刷電路形成基板、半導體封裝用電路形成基板。進一步使用該電路形成基板，可製作印刷電路板、半導體封裝。進一步使用該印刷電路板、半導體封裝可製作電子機器。
另一方面，使用全加成法的本發明之印刷電路板之製造方法的另一實施形態中，係包含：將樹脂基材與前述金屬箔或前述附離型層金屬箔，於表面輪廓的控制側或離型層側積層之步驟；將樹脂基材與前述金屬箔或前述附離型層金屬箔，於表面輪廓的控制側或離型層側積層之步驟；前述金屬箔與樹脂基材積層後，以蝕刻將前述金屬箔去除，抑或，拉出剝離之步驟；對於去除或拉出剝離前述金屬箔後所得樹脂基材之露出面或剝離面，以稀硫酸等洗淨樹脂基材表面之步驟； 在前述洗淨之樹脂基材表面設置鍍阻抗之步驟；對於前述鍍阻抗曝光，之後，去除形成電路之區域的鍍阻抗之步驟；在形成前述鍍阻抗去除完成之前述電路之區域，設置無電解鍍層(例如無電解銅鍍層，亦可係具厚度之無電解鍍層)之步驟；去除前述鍍阻抗之步驟
又，半加成法及全加成法中，有藉由洗淨前述樹脂基材表面，而有容易設置無電解鍍層之効果的情形。特別係，離型層殘存在樹脂基材表面時，由於藉由該洗浄可將離型層從樹脂基材表面上去除一部分或全部，故藉由前述樹脂基材表面之洗淨，而有較容易設置無電解鍍層之効果的情形。該洗淨可使用習知的洗淨方法(使用之液體的種類、溫度、液體之塗佈方法等)洗淨。此外，使用可去除本發明之離型層的一部分或全部之洗淨方法為佳。
藉由如此，以半加成工法或全加成法工法，在去除或剝離金屬箔後之樹脂基材的露出面或剝離面形成電路，可製作電路形成基板、半導體封裝用電路形成基板。進一步使用該電路形成基板，可製作印刷電路板、半導體封裝。進一步使用該印刷電路板、半導體封裝可製作電子機器。
又，若藉由具備XPS(X線光電子分光裝置)、EPMA(電子線微量分析儀)、EDX(能量分散型X線分析)之掃描型電子顯微鏡等的機器測定金屬箔之表面，而檢測出Si，則可推察金屬箔之表面存在有矽烷化合物。此外，金屬箔與樹脂基板之剝離強度(剝離強度)為200gf/cm以下時，可推定係使用本申請之発明的離型層可使用之上述矽烷化合物。
此外，藉由具備XPS(X線光電子分光裝置)、EPMA(電子線微量分析儀)、EDX(能量分散型X線分析)之掃描型電子顯微鏡等的機器測定金屬箔之表面，檢測出Si，且金屬箔與樹脂基板之剝離強度(剝離強度)為200gf/cm以下之情形，可推察出金屬箔之表面，存在有可用於本發明之離型層的上述分子內具有2個以下之巰基的化合物。
此外，藉由具備XPS(X線光電子分光裝置)、EPMA(電子線微量分析儀)、EDX(能量分散型X線分析)之掃描型電子顯微鏡等的機器測定金屬箔之表面，檢測出Al、Ti、Zr，且金屬箔與樹脂基板之剝離強度(剝離強度)為200gf/cm以下之情形，可推察出金屬箔之表面，存在有可用於本發明之離型層的上述金屬烷氧化物。
【實施例】
雖以下以實驗例表示本發明之實施例及比較例，惟此等之實施例係充分理解本發明及其優點所提供者，並非意圖限定發明。
‧生箔(表面處理前之銅箔)之製造
關於實施例1~11、比較例2係藉由以下之電解條件，製作表1所記載之厚度的電解生箔。
(電解液組成)
Cu 120g/L
H2SO4 100g/L
鹽化物離子(Cl-)70ppm
塗膠6ppm
電解液溫度60℃
電流密度與電解液線速記載於表1。
比較例1係上述電解液進一步追加添加劑而添加雙(3-磺丙基)二硫化物(SPS)80ppm。
‧表面處理
接著，表面處理，係對於生箔之M面(無光澤面)，藉由以下所示各條件，進行粗化處理、屏障處理(耐熱處理)、防鏽處理、矽烷偶聯處理、樹脂層形成處理中任一者，抑或，將各處理組合進行。接著，藉由以下所示條件在銅箔之該處理側表面形成離型層。又，若無特別說明，則各處理係此記載順序進行。此外，表1中，各處理之欄記載「無」者，係表示未實施此等處理。
(1)粗化處理
〔球狀粗化〕
Cu、H2SO4、As所成，使用以下記述之銅粗化鍍浴形成球狀粗化粒子。
‧液組成1
CuSO4‧5H2O 78~118g/L
Cu 20~30g/L
H2SO4 12g/L
砷1．0~3．0g/L
(電鍍溫度1)25~33℃
(電流條件1)電流密度78A/dm2(浴之界限電流密度以上)
(鍍時間1)1~45秒
接著，為了防止粗化粒子之脫落及提高剝離強度，以硫酸‧硫酸銅所成銅電解浴進行覆鍍。覆鍍條件如以下記述。
‧液組成2
CuSO4‧5H2O 156g/L
Cu 40g/L
H2SO4 120g/L
(電鍍溫度2)40℃
(電流條件2)電流密度：20A/dm2(未達浴之限界電流密度)
(鍍時間2)1~60秒
(2)屏障處理(耐熱處理)
(液組成)
Ni 13g/L
Zn 5g/L
pH 2
(電鍍條件)
溫度40℃
電流密度8A/dm2
(3)防鏽處理
(液組成)
CrO3 2．5g/L
Zn 0．7g/L
Na2SO4 10g/L
pH 4．8
(鉻酸鋅條件)
溫度54℃
電流密度0．7As/dm2
(4)矽烷偶聯處理
(液組成)
四乙氧基矽烷含有量0．4%
pH 7．5
塗佈方法 溶液之噴霧
(5)離型層之形成
〔離型層A〕
使用噴塗器，將矽烷化合物(n-丙基三甲氧基矽烷：4wt%)之水溶液塗佈於銅箔之處理表面，並放置在100℃之空氣中乾燥5分鐘使銅箔表面形成離型層A。將矽烷化合物於水中溶解至塗佈前之攪拌時間為30小時，水溶液中之醇類濃度係10vol%，水溶液之pH係3．8~4．2。
〔離型層B〕
分子內具有2個以下之巰基的化合物係使用1-十二烷硫醇磺酸鈉， 且使用噴塗器將1-十二烷硫醇磺酸鈉之水溶液(1-十二烷硫醇磺酸鈉濃度：3wt%)塗佈於銅箔之處理面，並放置在100℃之空氣中乾燥5分鐘製作離型層B。水溶液之pH係5~9。
〔離型層C〕
金屬烷氧化物係使用鋁化合物之三異丙氧基鋁，且使用噴塗器將三異丙氧基鋁之水溶液(三異丙氧基鋁濃度：0．04mol/L)塗佈於銅箔之處理面，並放置在100℃之空氣中乾燥5分鐘製作離型層C。將鋁化合物於水中溶解至塗佈前之攪拌時間係2小時，水溶液中之醇類濃度係0vol%，水溶液之pH係5~9。
〔離型層D〕
金屬烷氧化物係使用鈦酸鹽化合物之n-癸基-三異丙氧基鈦，且使用噴塗器將n-癸基-三異丙氧基鈦之水溶液(n-癸基-三異丙氧基鈦濃度：0．01mol/L)塗佈於銅箔之處理面，並放置在100℃之空氣中乾燥5分鐘製作離型層D。將鈦酸鹽化合物於水中溶解至塗佈前之攪拌時間時間係24小時，水溶液中之醇類濃度係甲醇為20vol%，水溶液之pH係5~9。
〔離型層E〕
金屬烷氧化物係使用鋯酸鹽化合物之n-丙基-三n-丁氧基鋯，且使用噴塗器將n-丙基-三n-丁氧基鋯之水溶液(n-丙基-三n-丁氧基鋯濃度：0．04mol/L)塗佈於銅箔之處理面，並放置在100℃之空氣中以乾燥5分鐘製作離型層E。將鋯酸鹽化合物於水中溶解至塗佈前之攪拌時間時間係12小時，水溶液中之醇類濃度係0vol%， 水溶液之pH係5~9。
(6)樹脂層形成處理
關於實施例1，於離型層形成之後，進一步以下述條件進行樹脂層的形成。
(樹脂合成例)
在附有不銹鋼錨型攪拌棒、氮導入管及旋塞閥之捕集器上，在附有安裝了附球冷卻管之回流冷凝器之2公升之三口燒瓶中，添加3，4、3’，4’-聯苯四羧酸二酐117．68g(400mmol)、1，3-雙(3-胺基苯氧基)苯87．7g(300mmol)、γ-戊內酯4．0g(40mmol)、吡啶4．8g(60mmol)、N-甲基-2-吡咯烷酮(以下記述為NMP)300g、甲苯20g，以180℃加熱1小時後冷卻至接近室溫後，並添加3，4、3’，4’-聯苯四羧酸二酐29．42g(100mmol)、2，2-雙{4-(4-胺基苯氧基)苯基}丙烷82．12g(200mmol)、NMP200g、甲苯40g，室溫下混合1小時後，以180℃加熱3小時，得到固形分38%之嵌段共聚合聚醯亞胺樹脂。此嵌段共聚合聚醯亞胺樹脂，係下述所示一般式(1)：一般式(2)=3：2，且數量平均分子量：70000、重量平均分子量：150000。
【化5】
以NMP進一步稀釋合成例所得嵌段共聚合聚醯亞胺溶液，成為固形分10%之嵌段共聚合聚醯亞胺溶液。將此嵌段共聚合聚醯亞胺溶液以雙(4-馬來醯亞胺)甲烷(BMI-H，K‧I化成)為固形分重量比率35、嵌段共聚合聚醯亞胺為固形分重量比率65(亦即，樹脂溶液所含雙(4-馬來醯亞胺)甲烷固形分重量：樹脂溶液所含嵌段共聚合聚醯亞固形分重量=35：65)在60℃，20分鐘溶解混合作為樹脂溶液。之後，對於離型層形成面塗工前述樹脂溶液，在氮氣環境下，以120℃進行3分鐘、160℃進行3分鐘之乾燥處理後，最後以300℃進行2分鐘之加熱處理，製作具備樹脂層之銅箔。又，樹脂層之厚度為2μm。
(7)各種評估
‧金屬箔表面之最大高度Sz與凹凸之平均間隔Rsm之比(Sz/Rsm)的評估
關於各金屬箔之表面(進行粗化處理等之表面處理時係表面處理後之表面處理側的表面，形成離型層時係設置離型層側的表面)之最大高度Sz與凹凸之平均間隔Rsm之比(Sz/Rsm)，係使用奧林巴斯股份有限公司製之雷射顯微鏡LEXT OLS4100測定。又，Rsm係根 據JIS B 0601 2001基準模式，並且Sz係根據ISO25178基準模式而測定。又，Rsm、Sz係以一同測定任意之10處所得Rsm、Sz之值的平均值作為Rsm及Sz之值。Rsm之測定長為258μm，Sz之測定面積為縱258μm×橫258μm。並且，根據所得之值算出最大高度Sz與凹凸之平均間隔Rsm之比(Sz/Rsm)。又，測定時之温度為23~25℃。
‧積層體之製造
將各金屬箔之離型層側表面與以下之樹脂基材1~3個別貼合。
基材1：三菱瓦斯化學(株)製GHPL-830 MBT
基材2：日立化成工業(株)製679-FG
基材3：住友電木(株)製EI-6785TS-F
積層壓機之溫度、壓力、時間，係根據各基材之製造商的推薦條件使用。
‧金屬箔之剝離性之評估
對於積層體，以IPC-TM-650為基準，測定使用拉伸試驗機AUTOGRAPH100將樹脂基材從銅箔剝離時之常態剝離強度，根據以下之基準評估金屬箔之剝離性。
○：2~200gf/cm之範圍。
×：未達2gf/cm或超過200gf/cm。
‧樹脂之破壞模式之評估
以電子顯微鏡觀察上述剝離後之樹脂基材的剝離面，觀察關於樹脂之破壞模式(凝集、界面、凝集與界面之混在)。樹脂之破壞模式，「界面」， 係表示在銅箔與樹脂之界面剝離，「凝集」，係表示剝離強度過強而破壞樹脂，「混在」，係表示上述「界面」與「凝集」混在。
‧電路剝離、基板起泡之評估
對於上述剝離後之樹脂基材1~3的剝離面，使用鍍液〔液組成、Cu：50g/L、H2SO4：50g/L、Cl：60ppm)形成銅鍍圖型(線/空間=50μm/50μm)(例1)。此外，對於上述剝離後之樹脂基材的剝離面，使用含導電膏之油墨藉由噴墨形成印刷圖型(線/空間=50μm/50μm)(例2)。此外，在上述剝離後之樹脂基材的剝離面，層壓液晶聚合物所構成之樹脂層(假設為構成增厚層之樹脂)(例3)。
接著，藉由個別之信頼性試驗(250℃±10℃×1小時之加熱試驗)，確認是否發生電路剝離或基板起泡。又，評估樣品之大小為250mm×250mm，測定全部樣品編號之3樣品。
未發生電路剝離及基板起泡者評估為「◎」。稍有發生電路剝離或基板起泡(1樣品中3處以下)，且若挑選使用之位置而可作為製品使用者評估為「○」。此外，多數發生電路剝離或基板起泡(1樣品中超過3處)，無法作為製品使用者評估為「×」。
各試驗條件及評估結果於表1表示。
(評估結果)
實施例1~11，任一者皆係在具有最大高度Sz與凹凸之平均間隔Rsm之比(Sz/Rsm)為0．5~3．0之表面凹凸的金屬箔之該凹凸面設置離型層之例，且將金屬箔從樹脂基材物理性剝離時之剝離性良好，且可良好地抑制電路剝離、基板起泡之發生。
由於比較例1，係金屬箔之表面凹凸的最大高度Sz與凹凸之平均間隔Rsm之比(Sz/Rsm)未達0．5，故無法良好地抑制電路剝離。
由於比較例2，係金屬箔之表面凹凸的最大高度Sz與凹凸之平均間隔Rsm之比(Sz/Rsm)超過3．0，故將金屬箔從樹脂基材物理性剝離時之剝離性不良，且無法良好地抑制電路剝離、基板起泡之發生。

Claims (22)

  1. 一種金屬箔，其特徵係至少一側之表面具有最大高度Sz與凹凸之平均間隔Rsm之比(Sz/Rsm)為0．5~3．0之表面凹凸。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載之金屬箔，其中，其厚度係5~105μm者。
  3. 如申請專利範圍第1項所記載之金屬箔，其中，前述金屬箔係銅箔。
  4. 如申請專利範圍第2項所記載之金屬箔，其中，前述金屬箔係銅箔。
  5. 如申請專利範圍第1~4項中任一項所記載之金屬箔，其中，前述金屬箔之表面，係設置有選自粗化處理層、耐熱層、防鏽層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶聯處理層所成群中一種以上之層者。
  6. 如申請專利範圍第5項所記載之金屬箔，其中，其係於選自前述粗化處理層、耐熱層、防鏽層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶聯處理層所成群中一種以上之層的表面上，設置樹脂層者。
  7. 如申請專利範圍第6項所記載之金屬箔，其中，前述樹脂層，係接著用樹脂、底漆或半硬化狀態之樹脂。
  8. 一種附離型層金屬箔，其特徵係具備：申請專利範圍第1~7項中任一項所記載之金屬箔、及於前述金屬箔之表面具有凹凸之面側所設置之離型層，並且，從前述離型層側向前述金屬箔貼合樹脂基材時，使前述樹脂基材可剝離之離型層者。
  9. 如申請專利範圍第8項所記載之附離型層金屬箔，其中，前述離型層， 係將下式：【化1】(R1)m-M-(R2)n(式中，R1係烷氧基或鹵素原子；R2係選自烷基、環烷基及芳基所成群中之烴基，或有一個以上的氫原子經鹵素原子取代之此等任一者的烴基；M係Al、Ti、Zr中之任一者；n係0或1或2，m係1以上M的價數以下之整數，且，R1之至少一者係烷氧基；又，m+n係M的價數，亦即Al時為3，Ti、Zr時為4)所示之鋁酸鹽化合物、鈦酸鹽化合物或鋯酸鹽化合物、此等之加水分解生成物、該加水分解生成物之縮合體，以單獨或複數組合使用而成者。
  10. 如申請專利範圍第8項所記載之附離型層金屬箔，其中，前述離型層，係將下式： (式中，R1係烷氧基或鹵素原子；R2係選自烷基、環烷基及芳基所成群中之烴基，或有一個以上的氫原子經鹵素原子取代之此等任一者的烴基；R3及R4係分別獨立地選自鹵素原子、或烷氧基、或烷基、環烷基及芳基所成群中之烴基，或有一個以上的氫原子經鹵素原子取代之此等任一者的烴 基)所示之矽烷化合物、其加水分解生成物、該加水分解生成物之縮合體，以單獨或複數組合使用而成者。
  11. 如申請專利範圍第8項所記載之附離型層金屬箔，其中，前述離型層，係使用分子內具有2個以下之巰基的化合物所成者。
  12. 如申請專利範圍第8~11項中任一項所記載之附離型層金屬箔，其中，前述離型層表面，係設置有樹脂層者。
  13. 如申請專利範圍第12項所記載之附離型層金屬箔，其中，前述樹脂層，係接著用樹脂、底漆或半硬化狀態之樹脂。
  14. 一種積層體，其特徵係具備：申請專利範圍第1~7項中任一項所記載之金屬箔，或者，申請專利範圍第8~13項中任一項所記載之附離型層金屬箔；及前述金屬箔或前述附離型層金屬箔所設置之樹脂基材者。
  15. 如申請專利範圍第14項所記載之積層體，其中，前述樹脂基材係預浸料，或者，包含熱硬化性樹脂者。
  16. 一種印刷電路板，其特徵係具備：申請專利範圍第1~7項中任一項所記載之金屬箔，或者，申請專利範圍第8~13項中任一項所記載之附離型層金屬箔者。
  17. 一種半導體封裝，其特徵係具備：申請專利範圍第16項所記載之印刷電路板者。
  18. 一種電子機器，其特徵係具備：申請專利範圍第16項所記載之印刷電路板或申請專利範圍第17項所記載之半導體封裝者。
  19. 一種印刷電路板之製造方法，其特徵係具備： 將申請專利範圍第1~7項中任一項所記載之金屬箔，或者，將申請專利範圍第8~13項中任一項所記載之附離型層金屬箔，與樹脂基材貼合之步驟；藉由從前述樹脂基材，將前述金屬箔或前述附離型層金屬箔不進行蝕刻即剝離，而得到在剥離面轉寫有前述金屬箔或前述附離型層金屬箔之表面輪廓的樹脂基材之步驟；及在轉寫有前述表面輪廓之樹脂基材的前述剝離面側形成電路之步驟。
  20. 如申請專利範圍第19項所記載之印刷電路板之製造方法，其中，轉寫有前述表面輪廓之樹脂基材的前述剝離面側所形成之電路，係鍍圖型或印刷圖型。
  21. 一種印刷電路板之製造方法，其特徵係具備：將申請專利範圍第1~7項中任一項所記載之金屬箔，或者，將申請專利範圍第8~13項中任一項所記載之附離型層金屬箔，與樹脂基材貼合之步驟；藉由從前述樹脂基材，將前述金屬箔或前述附離型層金屬箔不進行蝕刻即剝離，而得到在剥離面轉寫有前述金屬箔或前述附離型層金屬箔之表面輪廓的樹脂基材之步驟；及在轉寫有前述表面輪廓之樹脂基材的前述剝離面側設置增厚層之步驟。
  22. 如申請專利範圍第21項所記載之印刷電路板之製造方法，其中，構成前述增厚層之樹脂，係包含液晶聚合物或聚四氟乙烯者。
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