TWI610599B - 表面處理銅箔、覆銅積層板、印刷配線板、電子機器、半導體封裝用電路形成基板、半導體封裝及印刷配線板之製造方法 - Google Patents

Description

表面處理銅箔、覆銅積層板、印刷配線板、電子機器、半導體封裝用電路形成基板、半導體封裝及印刷配線板之製造方法

本發明涉及一種表面處理銅箔、覆銅積層板、印刷配線板、電子機器、半導體封裝用電路形成基板、半導體封裝及印刷配線板之製造方法。

關於印刷配線基板及半導體封裝基板的電路形成法，減成法為主流，但隨著近年來進一步的微細配線化，M-SAP(Modified Semi-Additive Process)、或使用銅箔的表面輪廓的半加成法等新穎的工法興起。

這些新穎的電路形成法中，作為後者的使用銅箔的表面輪廓的半加成法的一例，可列舉如下。即，首先，將積層在樹脂基材的銅箔進行整面蝕刻，利用雷射等對轉印有銅箔表面輪廓的蝕刻基材面進行開孔，設置用以使開孔部導通的無電解鍍銅層，利用乾膜被覆無電解鍍銅表面，藉由UV曝光及顯影而將電路形成部的乾膜去除，對未被乾膜覆蓋的無電解鍍銅面實施電鍍銅，將乾膜進行剝離，最後利用含有硫酸、雙氧水的蝕刻液等對無電解鍍銅層進行蝕刻(快速蝕刻、迅速蝕刻)，由此形成微細電路。此外，在本製程例中，用以無電解鍍銅的觸媒處理、用以使銅表面潔淨化的酸洗處理等各種各樣，其記載省略(日本專利文獻1、日本專利文獻2)。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[日本專利文獻1]日本特開2006-196863號公報

[日本專利文獻2]日本特開2007-242975號公報

在使用銅箔表面的輪廓的半加成法中，通常對積層在樹脂的銅箔進行蝕刻。然而，就蝕刻而言，所使用的藥液、排水處理等花費成本，進而對環境的負荷也較大。進而，在利用蝕刻將銅箔去除的情況下，雖也取決於基材種類及蝕刻條件，但也有損傷銅箔表面的輪廓之虞。因此，利用蝕刻的銅箔去除欠佳。

本發明人等進行努力研究，結果發現，對於具有表面凹凸或粗化粒子的銅箔而言，在該銅箔設置脫模層而使將銅箔貼合於樹脂基材時的樹脂基材可物理剝離，由此在將銅箔自樹脂基材進行去除的步驟中，無需進行蝕刻，不會損傷轉印在樹脂基材的表面的銅箔表面的輪廓，可以良好的成本將銅箔去除。

基於以上見解而完成的本發明在一個態樣是一種表面處理銅箔，其具備：銅箔，其是不具有粗化粒子，且依據JIS B0601(1994年)所測得之Rz為0.1~5.0μm的具有表面凹凸之銅箔；與脫模層，其是設置在上述銅箔之具有表面凹凸的面之脫模層，且使從上述脫模層側向上述銅箔貼合樹脂基材時的上述樹脂基材可剝離。

本發明在另一個態樣是一種表面處理銅箔，其具備：銅箔， 其具有粗化粒子；與脫模層，其設置在上述銅箔的粗化粒子面，且使從上述脫模層側向上述銅箔貼合樹脂基材時的上述樹脂基材可剝離。

在本發明的表面處理銅箔的一個實施形態中，從上述脫模層 側向上述銅箔貼合樹脂基材時，上述樹脂基材進行剝離時的剝離強度為200gf/cm以下。

在本發明的表面處理銅箔的又一個實施形態中，上述脫模層 是將下式所示之矽烷化合物、其水解生成物、該水解生成物的縮合物單獨使用或組合多種使用而成，

(式中，R¹為烷氧基或鹵素原子，R²為選自由烷基、環烷基及芳基所組成之群中的烴基，或者為一個以上之氫原子被取代為鹵素原子的該等任一種烴基，R³及R⁴分別獨立為鹵素原子、或烷氧基、或選自由烷基、環烷基及芳基所組成之群中的烴基，或者為一個以上之氫原子被取代為鹵素原子的該等任一種烴基)。

在本發明的表面處理銅箔的又一個實施形態中，上述脫模層是使用分子內具有2個以下之巰基的化合物而成。

在本發明的表面處理銅箔的又一個實施形態中，上述脫模層是將下式所示的鋁酸酯化合物、鈦酸酯化合物、鋯酸酯化合物、該等水解生成物、該水解生成物的縮合物單獨使用或組合多種使用而成， (R¹)_m-M-(R²)_n

(式中，R¹為烷氧基或鹵素原子，R²為選自由烷基、環烷基及芳基所組成之群中的烴基，或者為一個以上之氫原子被取代為鹵素原子的該等任一種烴基，M為Al、Ti、Zr中的任一種，n為0或1或2，m為1以上且M之價數以下的整數，R¹的至少1個為烷氧基，此外，m+n為M的價數，即在為Al的情況下為3，在為Ti、Zr的情況下為4)。

在本發明的表面處理銅箔的又一個實施形態中，在上述銅箔與上述脫模層之間設置有選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成之群中的一種以上的層。

在本發明的表面處理銅箔的又一個實施形態中，在上述表面處理銅箔的表面設置有樹脂層。

在本發明的表面處理銅箔的又一個實施形態中，上述樹脂層為接合用樹脂、底漆或半硬化狀態的樹脂。

在本發明的表面處理銅箔的又一個實施形態中，上述表面處理銅箔的厚度為9~70μm。

另外，在本發明的表面處理銅箔的又一個實施形態中，本發明的表面處理銅箔可用於印刷配線板之製造方法，該製造方法具備下述步驟：從上述脫模層側將樹脂基材貼合在上述表面處理銅箔的步驟；獲得藉由將上述表面處理銅箔在不進行蝕刻的情況下從上述樹脂基材剝離而在剝離面轉印有上述銅箔的表面輪廓的樹脂基材的步驟；及在轉印有上述表面輪廓的樹脂基材的上述剝離面側形成電路的步驟。

另外，在本發明的表面處理銅箔的又一個實施形態中，本發明的表面處理銅箔具備：銅箔，其是不具有粗化粒子，且依據JIS B0601(1994年)所測得之Rz為0.1~5.0μm的具有表面凹凸之銅箔；與脫模層，其是設置在上述銅箔之具有表面凹凸的面之脫模層，且使從上述脫模層側向上述銅箔貼合樹脂基材時的上述樹脂基材可剝離；或者具備：銅箔，其具有粗化粒子；與脫模層，其是設置在上述銅箔之粗化粒子面的脫模層，且使從上述脫模層側向上述銅箔貼合樹脂基材時的上述樹脂基材可剝離；且滿足以下(A)~(I)中的任一項以上。

(A)從上述脫模層側向上述銅箔貼合樹脂基材時，將上述樹脂基材進行剝離時的剝離強度為200gf/cm以下；(B)上述脫模層是將下式所示之矽烷化合物、其水解生成物、該水解生成物的縮合物單獨使用或組合多種使用而成，

(式中，R¹為烷氧基或鹵素原子，R²為選自由烷基、環烷基及芳基所組成之群中的烴基，或者為一個以上之氫原子被取代為鹵素原子的該等任一種烴基，R³及R⁴分別獨立為鹵素原子、或烷氧基、或選自由烷基、環烷基及芳基所組成之群中的烴基，或者為一個以上之氫原子被取代為鹵素原子的該等任一種烴基)；(C)上述脫模層是使用分子內具有2個以下之巰基的化合物而成； (D)上述脫模層是將下式所示的鋁酸酯化合物、鈦酸酯化合物、鋯酸酯化合物、該等水解生成物、該水解生成物的縮合物單獨使用或組合多種使用而成，(R¹)_m-M-(R²)_n

(式中，R¹為烷氧基或鹵素原子，R²為選自由烷基、環烷基及芳基所組成之群中的烴基，或者為一個以上之氫原子被取代為鹵素原子的該等任一種烴基，M為Al、Ti、Zr中的任一種，n為0或1或2，m為1以上且M之價數以下的整數，R¹的至少1個為烷氧基，此外，m+n為M的價數，即在為Al的情況下為3，在為Ti、Zr的情況下為4)；(E)在上述銅箔與上述脫模層之間設置有選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成之群中的一種以上的層；(F)在上述表面處理銅箔的表面設置有樹脂層；(G)在上述(F)中，上述樹脂層為接合用樹脂、底漆或半硬化狀態的樹脂；(H)上述表面處理銅箔的厚度為9~70μm；(I)可用於印刷配線板之製造方法，該製造方法具備下述步驟：從上述脫模層側將樹脂基材貼合在上述表面處理銅箔的步驟；獲得藉由將上述表面處理銅箔在不進行蝕刻的情況下從上述樹脂基材剝離而在剝離面轉印有上述銅箔的表面輪廓之樹脂基材的步驟；及在轉印有上述表面輪廓之樹脂基材的上述剝離面側形成電路的步驟。

本發明在另一個態樣係一種覆銅積層板，其具備：本發明的表面處理銅箔、與設置在上述表面處理銅箔之脫模層側的樹脂基材。

本發明的覆銅積層板的上述樹脂基材為預浸體，或含有熱硬化性樹脂。

本發明在又一個態樣是一種印刷配線板，其使用本發明之表面處理銅箔。

本發明在又一個態樣是一種印刷配線板，其係使用本發明之表面處理銅箔而製造。

本發明在又一個態樣是一種半導體封裝，其具備本發明之印刷配線板。

本發明在又一個態樣是一種電子機器，其使用本發明之印刷配線板或半導體封裝。

本發明在又一個態樣是一種印刷配線板之製造方法，其具備：從上述脫模層側將樹脂基材貼合在本發明的表面處理銅箔的步驟；藉由將上述表面處理銅箔在不進行蝕刻的情況下從上述樹脂基材剝離，而獲得在剝離面轉印有上述銅箔的表面輪廓的樹脂基材的步驟；及在轉印有上述表面輪廓的樹脂基材的上述剝離面側形成電路的步驟。

另外，本發明在又一個態樣是一種樹脂基材，其是從上述脫模層側將樹脂基材貼合在本發明的表面處理銅箔後，藉由將上述表面處理銅箔在不進行蝕刻的情況下從上述樹脂基材剝離而在剝離面轉印有上述銅箔之表面輪廓的樹脂基材。

本發明提供一種向銅箔貼合樹脂基材後，將銅箔自樹脂基材去除時，無需進行蝕刻，不會損傷轉印在樹脂基材的表面的銅箔表面的輪 廓，可以良好的成本將銅箔去除的表面處理銅箔。

圖1是表示使用銅箔的輪廓的半加成法的概略例。

本發明的表面處理銅箔具備：銅箔，其是不具有粗化粒子，且依據JIS B0601(1994年)所測得之Rz為0.1~5.0μm的具有表面凹凸之銅箔；與脫模層，其是設置在銅箔之具有表面凹凸的面之脫模層，且使從脫模層側向銅箔貼合樹脂基材時之樹脂基材可剝離。此外，脫模層也可設置在銅箔的兩面。另外，關於貼合，也可進行壓接而進行貼合。

本發明的表面處理銅箔在另一個態樣具備：銅箔，其具有粗化粒子；與脫模層，其設置在上述銅箔的粗化面，且使從脫模層側向銅箔貼合樹脂基材時的樹脂基材可剝離。此外，脫模層也可設置在銅箔的兩面。

銅箔(也稱為生箔)也可由電解銅箔或壓延銅箔中的任一種形成。銅箔的厚度沒有特別限定，例如可設為5~105μm。另外，就自樹脂基材的剝離變容易的方面而言，表面處理銅箔的厚度較佳為9~70μm，更佳為12~35μm，進而更佳為18~35μm。

作為銅箔(生箔)的製造方法，沒有特別限定，例如在製造普通電解生箔的情況下，可將電解條件設為下述。

普通電解生箔的電解條件：Cu：80~120g/L

H₂SO₄：80~120g/L

氯化物離子(Cl)：30~100ppm

均化劑(膠)：0.1~10ppm

電解液溫度：50~65℃

電解時間：10~300秒(根據所析出的銅厚、電流密度進行調整)

電流密度：50~150A/dm²

電解液線速：1.5~5m/sec

另外，在製作兩面平坦之電解生箔的情況下，可將電解條件設為下述。

兩面平坦電解生箔的電解條件

銅：80~120g/L

硫酸：80~120g/L

氯：30~100ppm

均化劑1(雙(3-磺丙基)二硫化物)：10~30ppm

均化劑2(胺化合物)：10~30ppm

電解液溫度：50~65℃

電解時間：0.5~10分鐘(根據所析出的銅厚、電流密度進行調整)

電流密度：70~100A/dm²

電解液線速：1.5~5m/sec

上述胺化合物可使用以下的化學式的胺化合物。

(上述化學式中，R₁及R₂為選自由羥烷基、醚基、芳基、芳香族取代烷基、不飽和烴基、烷基所組成之群中者)。

本發明中自銅箔將樹脂基材進行「剝離」，意指藉由剝離等而自銅箔將樹脂基材物理剝離而並非藉由利用蝕刻等的化學處理而自樹脂基材將銅箔去除。將樹脂基材如上述般與本發明的表面處理銅箔貼合後進行剝離時，樹脂基材與表面處理銅箔在脫模層分離，但此時也可在樹脂基材的剝離面殘留剝離層、下述的銅箔的粗化粒子、耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層、矽烷偶合處理層等的一部分，但較佳為不存在殘留物。

關於本發明的表面處理銅箔，在自脫模層側向銅箔貼合樹脂基材時，將樹脂基材剝離時的剝離強度較佳為200gf/cm以下。如果如此進行控制，則樹脂基材的物理剝離變容易，而更良好地將銅箔表面的輪廓轉印至樹脂基材。該剝離強度更佳為150gf/cm以下，進而更佳為100gf/cm以下，進而更佳為50gf/cm以下，典型而言為1~200gf/cm，更典型而言為1~150gf/cm。

關於本發明的表面處理銅箔，在一個態樣，銅箔的表面被設為不具有粗化粒子，且依據JIS B0601(1994年)所測得之Rz為0.1~5.0μm 的具有凹凸的表面，或者具有粗化粒子的表面。根據此種構成，將表面處理銅箔貼合於樹脂基材後將銅箔進行剝離時，儘管在樹脂基材表面轉印有銅箔表面的輪廓，但可以低剝離容易地進行剝離。另外，將銅箔表面的輪廓牢固地轉印至樹脂基材表面，進而由此可充分確保在半加成步驟中的無電解‧電鍍銅的密接性。

作為形成在銅箔表面的粗化粒子層，可使用由包含選自硫酸烷基酯鹽、鎢離子、砷離子的物質中的至少1種以上的硫酸‧硫酸銅所組成的電解浴而形成，且由球狀粒子或微細粒子所組成。粗化粒子層的表面粗糙度可藉由適當調整電解處理條件而進行控制。另外，如果在銅箔由電解銅箔構成的情況下，則也可將該電解銅箔的無光澤面設為銅箔的粗化面。電解銅箔的無光澤面的表面粗糙度可藉由適當調整電解處理條件而進行控制。

該粗化粒子層可使用由包含選自硫酸烷基酯鹽、鎢離子、砷離子的物質中的至少1種以上的硫酸‧硫酸銅所組成的電解浴而進行製造。具體的處理條件的例如下所述。

(液組成1)

CuSO₄‧5H₂O 39.3~118g/L

Cu 10~30g/L

H₂SO₄ 10~150g/L

Na₂WO₄‧2H₂O 0~90mg/L

W 0~50mg/L

十二烷基硫酸鈉添加量0~50pp

H₃AsO₃(60%水溶液)0~6315mg/L

As 0~2000mg/L

(電鍍條件1)

溫度30~70℃

(電流條件1)

電流密度25~110A/dm²

鍍敷時間0.5~20秒

(液組成2)

CuSO₄‧5H₂O 78~314g/L

Cu 20~80g/L

H₂SO₄ 50~200g/L

(電鍍條件2)

溫度30~70℃

(電流條件2)

電流密度5~50A/dm²

鍍敷時間1~60秒

另外，粗化粒子層也可以下述方式形成。首先，形成Cu-Co-Ni三元系合金層。Co及Ni含量為1~4品質%Co及0.5~1.5品質%Ni。將該三元系合金鍍敷的處理條件示於以下。

(液組成)

Cu 10~20g/L

Co 1~10g/L

Ni 1~10g/L

pH值1~4

(電鍍條件)

溫度40~50℃

電流密度20~30A/dm²

處理時間1~5秒

上述粗化處理後，在其上進行2次鍍敷而形成鍍鈷層或由鈷及鎳所組成的鍍敷層。鍍鈷或鈷及鎳鍍敷的條件如下所述。

‧鍍鈷

(液組成)

鍍鈷Co 1~30g/L

pH值1.0~3.5

(電鍍條件)

溫度30~80℃

電流密度1~10A/dm²

處理時間0.5~4秒

‧鈷-鎳鍍敷

(液組成)

Co 1~30g/L、Ni 1~30g/L

pH值1.0~3.5

(電鍍條件)

溫度30~80℃

電流密度1~10A/dm²

處理時間0.5~4秒

另外，粗化粒子層也可藉由球狀粗化而形成。在以下表示其處理條件的例。

(液組成)

Cu 20~30g/L(以硫酸銅5水合物進行添加，以下相同)

H₂SO₄ 80~120g/L

砷1.0~2.0g/L

(電鍍條件)

溫度35~40℃

電流密度70A/dm²(浴的極限電流密度以上)

處理時間0.5~20秒

針對以上述條件實施了粗化鍍敷的表面，為了防止粗化粒子的脫落，而利用由硫酸‧硫酸銅所組成的銅電解浴進行鍍敷。將鍍敷條件的例示於以下。

(液組成)

Cu 40~50g/L

H₂SO₄ 80~120g/L

(電鍍條件)

溫度43~47℃

電流密度29A/dm²[未達浴的極限電流密度]

處理時間0.5~20秒

銅箔的不具有粗化粒子，且依據JIS B0601(1994年)所測得之Rz為0.1~5.0μm的具有凹凸的表面、或具有粗化粒子的表面較佳為表面粗糙度Rz為0.1~5.0μm。如果表面粗糙度Rz未達0.1μm，則有產生如下問題之虞，即無法充分確保在半加成步驟中的無電解鍍銅的密接性，而在微細配線形成後配線剝離，如果表面粗糙度Rz超過5.0μm，則有產生在半加成步驟中的微細配線形成能力降低的問題之虞。表面粗糙度Rz更佳為0.2~4.0μm，進而更佳為0.3~3.5μm，進而更佳為0.4~3.0μm。

繼而，對本發明中可使用的脫模層進行說明。

(1)矽烷化合物

將具有下式所示的結構的矽烷化合物、或其水解生成物、或該水解生成物的縮合物(以下，簡稱為矽烷化合物)單獨使用或混合多種使用而形成脫模層，由此在將表面處理銅箔與樹脂基材貼合時，密接性適當降低，而可將剝離強度調節為上述範圍。

式：

(式中，R¹為烷氧基或鹵素原子，R²為選自由烷基、環烷基 及芳基所組成之群中的烴基，或者為一個以上之氫原子被取代為鹵素原子的上述任一種烴基，R³及R⁴分別獨立為鹵素原子、或烷氧基、或選自由烷基、環烷基及芳基所組成之群中的烴基，或者為一個以上之氫原子被取代為鹵素原子的上述任一種烴基)。

該矽烷化合物必須具有至少1個烷氧基。在烷氧基不存在而 僅由選自由烷基、環烷基及芳基所組成之群中的烴基、或者一個以上之氫原子被取代為鹵素原子的上述任一種烴基構成取代基的情況下，有樹脂基材與銅箔的密接性過於降低的傾向。另外，該矽烷化合物必須具有至少1個選自由烷基、環烷基及芳基所組成之群中的烴基、或者一個以上之氫原子被取代為鹵素原子的上述任一種烴基。其原因在於：在該烴基不存在的情況下，有樹脂基材與銅箔的密接性上升的傾向。此外，烷氧基也包括一個以上之氫原子被取代為鹵素原子的烷氧基。

在將樹脂基材與銅箔的剝離強度調節為上述範圍上，該矽烷 化合物較佳為具有3個烷氧基、1個上述烴基(包括一個以上之氫原子被取代為鹵素原子的烴基)。如果將其以上式表示，則R³及R⁴兩者為烷氧基。

作為烷氧基，沒有限定，可列舉：甲氧基、乙氧基、正或異 丙氧基、正、異或三級丁氧基、正、異或新戊氧基、正己氧基、環己氧基、正庚氧基、及正辛氧基等直鏈狀、支鏈狀、或環狀的碳數1~20、較佳為碳 數1~10、更佳為碳數1~5的烷氧基。

作為鹵素原子，可列舉：氟原子、氯原子、溴原子及碘原子。

作為烷基，沒有限定，可列舉：甲基、乙基、正或異丙基、正、異或三級丁基、正、異或新戊基、正己基、正辛基、正癸基等直鏈狀或支鏈狀的碳數1~20、較佳為碳數1~10、更佳為碳數1~5的烷基。

作為環烷基，沒有限定，可列舉：環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環庚基、環辛基等碳數3~10、較佳為碳數5~7的環烷基。

作為芳基，可列舉：苯基、經烷基取代的苯基(例如：甲苯基、二甲苯基)、1-或2-萘基、蒽基等碳數6~20、較佳為6~14的芳基。

這些烴基可一個以上之氫原子被取代為鹵素原子，例如可經氟原子、氯原子、或溴原子取代。

作為較佳的矽烷化合物的例，可列舉：甲基三甲氧基矽烷、乙基三甲氧基矽烷、正或異丙基三甲氧基矽烷、正、異或三級丁基三甲氧基矽烷、正、異或新戊基三甲氧基矽烷、己基三甲氧基矽烷、辛基三甲氧基矽烷、癸基三甲氧基矽烷、苯基三甲氧基矽烷；烷基取代苯基三甲氧基矽烷(例如，對(甲基)苯基三甲氧基矽烷)、甲基三乙氧基矽烷、乙基三乙氧基矽烷、正或異丙基三乙氧基矽烷、正、異或三級丁基三乙氧基矽烷、戊基三乙氧基矽烷、己基三乙氧基矽烷、辛基三乙氧基矽烷、癸基三乙氧基矽烷、苯基三乙氧基矽烷、烷基取代苯基三乙氧基矽烷(例如，對(甲基)苯基三乙氧基矽烷)、(3,3,3-三氟丙基)三甲氧基矽烷、及十三氟辛基三乙氧基矽烷、甲基三氯矽烷、二甲基二氯矽烷、三甲基氯矽烷、苯基三氯矽烷、三甲基氟矽烷、二甲基二溴矽烷、二苯基二溴矽烷、該等水解生 成物、及該等水解生成物的縮合物等。這些之中，就獲取的容易性的觀點而言，較佳為丙基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、己基三甲氧基矽烷、苯基三乙氧基矽烷、癸基三甲氧基矽烷。

在脫模層的形成步驟中，矽烷化合物可以水溶液的形態使 用。為了提高對水的溶解性，還可添加甲醇或乙醇等醇。醇的添加在特別是使用疏水性較高的矽烷化合物時有效。矽烷化合物的水溶液是藉由進行攪拌而促進烷氧基的水解，如果攪拌時間較長，則促進水解生成物的縮合。 通常而言，使用經過充分的攪拌時間而進行水解及縮合的矽烷化合物時，有樹脂基材與銅箔的剝離強度降低的傾向。因此，可藉由攪拌時間的調整而調整剝離強度。雖然沒有限定，但作為使矽烷化合物溶解于水後的攪拌時間，例如可設為1~100小時，典型而言，可設為1~30小時。當然，也有不攪拌而使用的方法。

矽烷化合物的水溶液中的矽烷化合物的濃度較高時，有金屬 箔與板狀載體的剝離強度降低的傾向，可藉由矽烷化合物的濃度調整而調整剝離強度。雖然沒有限定，但矽烷化合物的水溶液中的濃度可設為0.01~10.0體積%，典型而言，可設為0.1~5.0體積%。

矽烷化合物的水溶液的pH值沒有特別限制，無論是酸性側 還是鹼性側都可應用。例如可以3.0~10.0的範圍的pH值進行使用。就無需特別調整pH值的觀點而言，較佳為設為作為中性附近的5.0~9.0的範圍的pH值，更佳為設為7.0~9.0的範圍的pH值。

(2)分子內具有2個以下之巰基的化合物

脫模層是使用分子內具有2個以上的巰基的化合物而構成，藉由隔著該脫模層將樹脂基材與銅箔進行貼合，從而密接性適當降低，而可調節剝離強度。

其中，在使分子內具有3個以上的巰基的化合物或其鹽介於樹脂基材與銅箔之間而進行貼合的情況下，並不符合降低剝離強度的目的。可認為其原因在於：如果分子內巰基過量存在，則由於巰基彼此、或巰基與板狀載體、或巰基與金屬箔的化學反應而過量產生硫鍵、雙硫鍵或多硫鍵，從而在樹脂基材與銅箔之間形成牢固的三維交聯結構，由此剝離強度上升。 上述事例被揭示在日本特開2000-196207號公報中。

作為該分子內具有2個以下之巰基的化合物，可列舉：硫 醇、二硫醇、硫羧酸或其鹽、二硫羧酸或其鹽、硫磺酸或其鹽、及二硫磺酸或其鹽，可使用選自這些中的至少1種。

硫醇是分子內具有一個巰基的化合物，例如由R-SH表 示。此處，R表示可包含羥基或胺基的脂肪族系或芳香族系烴基或雜環基。

二硫醇是分子內具有兩個巰基的化合物，例如由R(SH)₂ 表示。R表示可包含羥基或胺基的脂肪族系或芳香族系烴基或雜環基。另外，兩個巰基可分別鍵結於相同的碳，也可鍵結於互不相同的碳或氮。

硫羧酸是有機羧酸的羥基被取代為巰基的化合物，例如由R -CO-SH表示。R表示可包含羥基或胺基的脂肪族系或芳香族系烴基或雜環基。另外，硫羧酸也可以鹽的形態使用。此外，也可使用具有兩個硫羧酸基的化合物。

二硫羧酸是有機羧酸的羧基中的2個氧原子被取代為硫原 子的化合物，例如由R-(CS)-SH表示。R表示可包含羥基或胺基的脂肪族系或芳香族系烴基或雜環基。另外，二硫羧酸也可以鹽的形態使用。此外，也可使用具有兩個二硫羧酸基的化合物。

硫磺酸是有機磺酸的羥基被取代為巰基的化合物，例如由R(SO₂)-SH表示。R表示可包含羥基或胺基的脂肪族系或芳香族系烴基或雜環基。另外，硫磺酸也可以鹽的形態使用。

二硫磺酸是有機二磺酸的兩個羥基分別被取代為巰基的化合物，例如由R-((SO₂)-SH)₂表示。R表示可包含羥基或胺基的脂肪族系或芳香族系烴基或雜環基。另外，兩個硫磺酸基可分別鍵結於相同的碳，也可鍵結於互不相同的碳。另外，二硫磺酸也可以鹽的形態使用。

此處，關於作為R合適的脂肪族系烴基，可列舉烷基、環烷基，這些烴基也可包含羥基與胺基中的任一種或者兩者。

另外，作為烷基，沒有限定，可列舉：甲基、乙基、正或異丙基、正、異或三級丁基基、正、異或新戊基、正己基、正辛基、正癸基等直鏈狀或支鏈狀的碳數1~20、較佳為碳數1~10、更佳為碳數1~5的烷基。

另外，作為環烷基，沒有限定，可列舉：環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環庚基、環辛基等碳數3~10、較佳為碳數5~7的環烷基。

另外，關於作為R合適的芳香族烴基，可列舉：苯基、經烷基取代的苯基(例如：甲苯基、二甲苯基)、1-或2-萘基、蒽基等碳數6~20、較佳為6~14的芳基，這些烴基也可包含羥基與胺基中的任一種或 者兩者。

另外，關於作為R合適的雜環基，可列舉：咪唑、三氮唑、 四氮唑、苯並咪唑、苯並三氮唑、噻唑、苯並噻唑，也可包含羥基與胺基中的任一種或者兩者。

作為分子內具有2個以下之巰基的化合物的較佳例，可列 舉：3-巰基-1,2丙二醇、2-巰基乙醇、1,2-乙二硫醇、6-巰基-1-己醇、1-辛硫醇、1-十二烷硫醇、10-羥基-1-十二烷硫醇、10-羧基-1-十二烷硫醇、10-胺基-1-十二烷硫醇、1-十二烷硫醇磺酸鈉、苯硫酚、硫代苯甲酸、4-胺基-苯硫酚、對甲苯硫醇、2,4-二甲基苯硫酚、3-巰基-1,2,4三氮唑、2-巰基-苯並噻唑。這些中，就水溶性與廢棄物處理上的觀點而言，較佳為3-巰基-1,2丙二醇。

在脫模層的形成步驟中，分子內具有2個以下之巰基的化合 物可以水溶液的形態使用。為了提高對水的溶解性，還可添加甲醇或乙醇等醇。醇的添加在特別是使用疏水性較高的分子內具有2個以下之巰基的化合物時有效。

分子內具有2個以下之巰基的化合物的水溶液中的濃度較 高時，有樹脂基材與銅箔的剝離強度降低的傾向，可藉由分子內具有2個以下之巰基的化合物的濃度調整而調整剝離強度。雖然沒有限定，但分子內具有2個以下之巰基的化合物的水溶液中的濃度可設為0.01~10.0重量%，典型而言，可設為0.1~5.0重量%。

分子內具有2個以下之巰基的化合物的水溶液的pH值沒有 特別限制，無論是酸性側還是鹼性側都可應用。例如可以3.0~10.0的範圍 的pH值使用。就無需特別調整pH值的觀點而言，較佳為設為作為中性附近的5.0~9.0的範圍的pH值，更佳為設為7.0~9.0的範圍的pH值。

(3)金屬烷氧化物

也可將具有下式所示的結構的鋁酸酯化合物、鈦酸酯化合物、鋯酸酯化合物、或其水解生成物、或該水解生成物的縮合物(以下，簡稱為金屬烷氧化物)單獨使用或組合多種使用而構成脫模層。藉由隔著該脫模層將樹脂基材與銅箔進行貼合，從而密接性適當降低，而可調節剝離強度。

(R¹)_m-M-(R²)_n

式中，R¹為烷氧基或鹵素原子，R²為選自由烷基、環烷基及芳基所組成之群中的烴基，或者為一個以上之氫原子被取代為鹵素原子的任一種烴基，M為Al、Ti、Zr中的任一種，n為0或1或2，m為1以上且M之價數以下的整數，R¹的至少1個為烷氧基。再者，m+n為M的價數，即在為Al的情況下為3，在為Ti、Zr的情況下為4。

該金屬烷氧化物必須具有至少1個烷氧基。在烷氧基不存在而僅由選自由烷基、環烷基及芳基所組成之群中的烴基、或者一個以上之氫原子被取代為鹵素原子的上述任一種烴基構成取代基的情況下，有樹脂基材與銅箔的密接性過於降低的傾向。另外，該金屬烷氧化物必須具有0~2個選自由烷基、環烷基及芳基所組成之群中的烴基、或者一個以上之氫原子被取代為鹵素原子的上述任一種烴基。其原因在於：在具有3個以上 該烴基的情況下，有樹脂基材與銅箔的密接性過於降低的傾向。此外，烷氧基也包括一個以上之氫原子被取代為鹵素原子的烷氧基。在將樹脂基材與銅箔的剝離強度調節為上述範圍中，該金屬烷氧化物較佳為具有兩個以上烷氧基、一個或兩個上述烴基(包含一個以上之氫原子被取代為鹵素原子的烴基)。

另外，作為烷基，沒有限定，可列舉：甲基、乙基、正或異 丙基、正、異或三級丁基、正、異或新戊基、正己基、正辛基、正癸基等直鏈狀或支鏈狀的碳數1~20、較佳為碳數1~10、更佳為碳數1~5的烷基。

外，作為環烷基，沒有限定，可列舉：環丙基、環丁基、環 戊基、環己基、環庚基、環辛基等碳數3~10、較佳為碳數5~7的環烷基。

另外，關於作為R²合適的芳香族烴基，可列舉：苯基、經 烷基取代的苯基(例如：甲苯基、二甲苯基)、1-或2-萘基、蒽基等碳數6~20、較佳為6~14的芳基，這些烴基也可包含羥基與胺基中的任一種或兩者。這些烴基也可一個以上之氫原子被取代為鹵素原子，例如可經氟原子、氯原子、或溴原子取代。

作為較佳為的鋁酸酯化合物的例，可列舉：三甲氧基鋁、甲 基二甲氧基鋁、乙基二甲氧基鋁、正或異丙基二甲氧基鋁、正、異或三級丁基二甲氧基鋁、正、異或新戊基二甲氧基鋁、己基二甲氧基鋁、辛基二甲氧基鋁、癸基二甲氧基鋁、苯基二甲氧基鋁；烷基取代苯基二甲氧基鋁(例如，對(甲基)苯基二甲氧基鋁)、二甲基甲氧基鋁、三乙氧基鋁、甲基二乙氧基鋁、乙基二乙氧基鋁、正或異丙基二乙氧基鋁、正、異或三級丁基二乙氧基鋁、戊基二乙氧基鋁、己基二乙氧基鋁、辛基二乙氧基鋁、 癸基二乙氧基鋁、苯基二乙氧基鋁、烷基取代苯基二乙氧基鋁(例如，對(甲基)苯基二乙氧基鋁)、二甲基乙氧基鋁、三異丙氧基鋁、甲基二異丙氧基鋁、乙基二異丙氧基鋁、正或異丙基二乙氧基鋁、正、異或三級丁基二異丙氧基鋁、戊基二異丙氧基鋁、己基二異丙氧基鋁、辛基二異丙氧基鋁、癸基二異丙氧基鋁、苯基二異丙氧基鋁、烷基取代苯基二異丙氧基鋁(例如，對(甲基)苯基二異丙氧基鋁)、二甲基異丙氧基鋁、(3,3,3-三氟丙基)二甲氧基鋁、及十三氟辛基二乙氧基鋁、甲基二氯鋁、二甲基氯鋁、二甲基氯鋁、苯基二氯鋁、二甲基氟鋁、二甲基溴鋁、二苯基溴鋁、該等水解生成物、及該等水解生成物的縮合物等。這些中，就獲取的容易性的觀點而言，較佳為三甲氧基鋁、三乙氧基鋁、三異丙氧基鋁。

作為較佳的鈦酸酯化合物的例，可列舉：四甲氧基鈦、甲基 三甲氧基鈦、乙基三甲氧基鈦、正或異丙基三甲氧基鈦、正、異或三級丁基三甲氧基鈦、正、異或新戊基三甲氧基鈦、己基三甲氧基鈦、辛基三甲氧基鈦、癸基三甲氧基鈦、苯基三甲氧基鈦；烷基取代苯基三甲氧基鈦(例如，對(甲基)苯基三甲氧基鈦)、二甲基二甲氧基鈦、四乙氧基鈦、甲基三乙氧基鈦、乙基三乙氧基鈦、正或異丙基三乙氧基鈦、正、異或三級丁基三乙氧基鈦、戊基三乙氧基鈦、己基三乙氧基鈦、辛基三乙氧基鈦、癸基三乙氧基鈦、苯基三乙氧基鈦、烷基取代苯基三乙氧基鈦(例如，對(甲基)苯基三乙氧基鈦)、二甲基二乙氧基鈦、四異丙氧基鈦、甲基三異丙氧基鈦、乙基三異丙氧基鈦、正或異丙基三乙氧基鈦、正、異或三級丁基三異丙氧基鈦、戊基三異丙氧基鈦、己基三異丙氧基鈦、辛基三異丙氧基鈦、癸基三異丙氧基鈦、苯基三異丙氧基鈦、烷基取代苯基三異丙氧基鈦(例 如，對(甲基)苯基三異丙氧基鈦)、二甲基二異丙氧基鈦、(3,3,3-三氟丙基)三甲氧基鈦、及十三氟辛基三乙氧基鈦、甲基三氯鈦、二甲基二氯鈦、三甲基氯鈦、苯基三氯鈦、二甲基二氟鈦、二甲基二溴鈦、二苯基二溴鈦、該等水解生成物、及該等水解生成物的縮合物等。這些中，就獲取的容易性的觀點而言，較佳為四甲氧基鈦、四乙氧基鈦、四異丙氧基鈦。

作為較佳為鋯酸酯化合物的例，可列舉：四甲氧基鋯、甲基 三甲氧基鋯、乙基三甲氧基鋯、正或異丙基三甲氧基鋯、正、異或三級丁基三甲氧基鋯、正、異或新戊基三甲氧基鋯、己基三甲氧基鋯、辛基三甲氧基鋯、癸基三甲氧基鋯、苯基三甲氧基鋯；烷基取代苯基三甲氧基鋯(例如，對(甲基)苯基三甲氧基鋯)、二甲基二甲氧基鋯、四乙氧基鋯、甲基三乙氧基鋯、乙基三乙氧基鋯、正或異丙基三乙氧基鋯、正、異或三級丁基三乙氧基鋯、戊基三乙氧基鋯、己基三乙氧基鋯、辛基三乙氧基鋯、癸基三乙氧基鋯、苯基三乙氧基鋯、烷基取代苯基三乙氧基鋯(例如，對(甲基)苯基三乙氧基鋯)、二甲基二乙氧基鋯、四異丙氧基鋯、甲基三異丙氧基鋯、乙基三異丙氧基鋯、正或異丙基三乙氧基鋯、正、異或三級丁基三異丙氧基鋯、戊基三異丙氧基鋯、己基三異丙氧基鋯、辛基三異丙氧基鋯、癸基三異丙氧基鋯、苯基三異丙氧基鋯、烷基取代苯基三異丙氧基鋯(例如，對(甲基)苯基三異丙氧基鈦)、二甲基二異丙氧基鋯、(3,3,3-三氟丙基)三甲氧基鋯、及十三氟辛基三乙氧基鋯、甲基三氯鋯、二甲基二氯鋯、三甲基氯鋯、苯基三氯鋯、二甲基二氟鋯、二甲基二溴鋯、二苯基二溴鋯、該等水解生成物、及該等水解生成物的縮合物等。這些中，就獲取的容易性的觀點而言，較佳為四甲氧基鋯、四乙氧基鋯、四異丙氧基鋯。

在脫模層的形成步驟中，金屬烷氧化物可以水溶液的形態使 用。為了提高對水的溶解性，還可添加甲醇或乙醇等醇。醇的添加在特別是使用疏水性較高的金屬烷氧化物時有效。

金屬烷氧化物的水溶液中的濃度較高時，有樹脂基材與銅箔 的剝離強度降低的傾向，可藉由金屬烷氧化物的濃度調整而調整剝離強度。雖然沒有限定，但金屬烷氧化物的水溶液中的濃度可設為0.001~1.0mol/L，典型而言，可設為0.005~0.2mol/L。

金屬烷氧化物的水溶液的pH值沒有特別限制，無論是酸性 側還是鹼性側都可應用。例如可以3.0~10.0的範圍的pH值使用。就無需特別調整pH值的觀點而言，較佳為設為作為中性附近的5.0~9.0的範圍的pH值，更佳為設為7.0~9.0的範圍的pH值。

關於本發明的表面處理銅箔，還可在銅箔與脫模層之間設置 選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成之群中的1種以上的層。此處所謂鉻酸鹽處理層，是指經包含鉻酸酐、鉻酸、重鉻酸、鉻酸鹽或重鉻酸鹽的液處理過的層。鉻酸鹽處理層還可包含鈷、鐵、鎳、鉬、鋅、鉭、銅、鋁、磷、鎢、錫、砷及鈦等元素(也可為金屬、合金、氧化物、氮化物、硫化物等任意形態)。作為鉻酸鹽處理層的具體例，可列舉：經鉻酸酐或重鉻酸鉀水溶液處理的鉻酸鹽處理層、或經包含鉻酸酐或重鉻酸鉀及鋅的處理液處理的鉻酸鹽處理層等。

另外，作為耐熱層、防銹層，可使用公知的耐熱層、防銹層。 例如耐熱層及/或防銹層可為包含選自鎳、鋅、錫、鈷、鉬、銅、鎢、磷、砷、鉻、釩、鈦、鋁、金、銀、鉑族元素、鐵、鉭的群中的1種以上的元 素的層，也可為由選自鎳、鋅、錫、鈷、鉬、銅、鎢、磷、砷、鉻、釩、鈦、鋁、金、銀、鉑族元素、鐵、鉭的群中的1種以上的元素所組成的金屬層或合金層。另外，耐熱層及/或防銹層也可包含含有選自鎳、鋅、錫、鈷、鉬、銅、鎢、磷、砷、鉻、釩、鈦、鋁、金、銀、鉑族元素、鐵、鉭的群中的1種以上的元素的氧化物、氮化物、矽化物。另外，耐熱層及/或防銹層也可為包含鎳-鋅合金的層。另外，耐熱層及/或防銹層也可為鎳-鋅合金層。上述鎳-鋅合金層除去不可避免的雜質，還可含有50wt%~99wt%的鎳、50wt%~1wt%的鋅。上述鎳-鋅合金層的鋅及鎳的合計附著量可為5~1000mg/m²、較佳為10~500mg/m²、較佳為20~100mg/m²。另外，上述包含鎳-鋅合金的層或上述鎳-鋅合金層的鎳的附著量與鋅的附著量的比(=鎳的附著量/鋅的附著量)較佳為1.5~10。另外，上述包含鎳-鋅合金的層或上述鎳-鋅合金層的鎳的附著量較佳為0.5mg/m²~500mg/m²，更佳為1mg/m²~50mg/m²。

例如耐熱層及/或防銹層也可為依序積層有附著量為1mg /m²~100mg/m²、較佳為5mg/m²~50mg/m²的鎳或鎳合金層、與附著量為1mg/m²~80mg/m²、較佳為5mg/m²~40mg/m²的錫層的耐熱層及/或防銹層，上述鎳合金層也可由鎳-鉬、鎳-鋅、鎳-鉬-鈷中的任一種構成。另外，關於耐熱層及/或防銹層，鎳或鎳合金與錫的合計附著量較佳為2mg/m²~150mg/m²，更佳為10mg/m²~70mg/m²。另外，耐熱層及/或防銹層較佳為[鎳或鎳合金中的鎳附著量]/[錫附著量]=0.25~10，更佳為0.33~3。

此外，矽烷偶合處理所使用的矽烷偶合劑可使用公知的矽烷 偶合劑，例如可使用胺基系矽烷偶合劑或環氧系矽烷偶合劑、巰基系矽烷偶合劑。另外，矽烷偶合劑也可使用乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基苯基三甲氧基矽烷、γ-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、4-環氧丙基丁基三甲氧基矽烷、γ-胺基丙基三乙氧基矽烷、N-β-(胺基乙基)-γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-3-(4-(3-胺基丙氧基)丁氧基)丙基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、咪唑矽烷、三嗪矽烷、γ-巰基丙基三甲氧基矽烷等。

上述矽烷偶合處理層也可使用環氧系矽烷、胺基系矽烷、甲 基丙烯醯氧基系矽烷、巰基系矽烷等矽烷偶合劑等而形成。此外，此種矽烷偶合劑也可混合2種以上而使用。其中，較佳為使用胺基系矽烷偶合劑或環氧系矽烷偶合劑所形成的矽烷偶合處理層。

此處所謂胺基系矽烷偶合劑，也可為選自由N-(2-胺基 乙基)-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-(N-苯乙烯基甲基-2-胺基乙基胺基)丙基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三乙氧基矽烷、雙(2-羥基乙基)-3-胺基丙基三乙氧基矽烷、胺基丙基三甲氧基矽烷、N-甲基胺基丙基三甲氧基矽烷、N-苯基胺基丙基三甲氧基矽烷、N-(3-丙烯醯氧基-2-羥基丙基)-3-胺基丙基三乙氧基矽烷、4-胺基丁基三乙氧基矽烷、(胺基乙基胺基甲基)苯乙基三甲氧基矽烷、N-(2-胺基乙基-3-胺基丙基)三甲氧基矽烷、N-(2-胺基乙基-3-胺基丙基)三(2-乙基己氧基)矽烷、6-(胺基己基胺基丙基)三甲氧基矽烷、胺基苯基三甲氧基矽烷、3-(1-胺基丙氧基)-3,3-二甲基-1-丙烯基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三(甲氧基乙氧基乙氧基)矽烷、3-胺基丙基三乙氧基矽烷、 3-胺基丙基三甲氧基矽烷、ω-胺基十一烷基三甲氧基矽烷、3-(2-N-苄基胺基乙基胺基丙基)三甲氧基矽烷、雙(2-羥基乙基)-3-胺基丙基三乙氧基矽烷、(N,N-二乙基-3-胺基丙基)三甲氧基矽烷、(N,N-二甲基-3-胺基丙基)三甲氧基矽烷、N-甲基胺基丙基三甲氧基矽烷、N-苯基胺基丙基三甲氧基矽烷、3-(N-苯乙烯基甲基-2-胺基乙基胺基)丙基三甲氧基矽烷、γ-胺基丙基三乙氧基矽烷、N-β-(胺基乙基)-γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-3-(4-(3-胺基丙氧基)丁氧基)丙基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷所組成之群中的胺基系矽烷偶合劑。

矽烷偶合處理層較理想為以矽原子換算計，在0.05mg/m² ~200mg/m²、較佳為0.15mg/m²~20mg/m²、較佳為0.3mg/m²~2.0mg/m²的範圍內進行設置。在為上述範圍的情況下，可使樹脂基材與銅箔的密接性更為提高。

另外，可對銅層、粗化粒子層、耐熱層、防銹層、矽烷偶合 處理層或鉻酸鹽處理層的表面進行國際公開編號WO2008/053878、日本特開2008-111169號、日本專利第5024930號、國際公開編號WO2006/028207、日本專利第4828427號、國際公開編號WO2006/134868、日本專利第5046927號、國際公開編號WO2007/105635、日本專利第5180815號、日本特開2013-19056號所記載的表面處理。

也可在本發明的表面處理銅箔的表面設置樹脂層。樹脂層通常可設置在脫模層上。

上述樹脂層可為接合用樹脂，即接合劑，也可為底漆，也可為接合用的半硬化狀態(B階段狀態)的絕緣樹脂層。所謂半硬化狀態(B 階段狀態)包含如下狀態：即便用手指接觸其表面也無粘著感，而可重疊該絕緣樹脂層進行保管，進而如果受到加熱處理，則產生硬化反應。

另外，上述樹脂層可含有熱硬化性樹脂，也可為熱塑性樹 脂。另外，上述樹脂層也可含有熱塑性樹脂。上述樹脂層可含有公知的樹脂、樹脂硬化劑、化合物、硬化促進劑、介電質、反應觸媒、交聯劑、聚合物、預浸體、骨架材等。另外，上述樹脂層例如也可使用國際公開編號WO2008/004399、國際公開編號WO2008/053878、國際公開編號WO2009/084533、日本特開平11-5828號、日本特開平11-140281號、日本專利第3184485號、國際公開編號WO97/02728、日本專利第3676375號、日本特開2000-43188號、日本專利第3612594號、日本特開2002-179772號、日本特開2002-359444號、日本特開2003-304068號、日本專利第3992225號、日本特開2003-249739號、日本專利第4136509號、日本特開2004-82687號、日本專利第4025177號、日本特開2004-349654號、日本專利第4286060號、日本特開2005-262506號、日本專利第4570070號、日本專利特開2005-53218號、日本專利第3949676號、日本專利第4178415號、國際公開編號WO2004/005588、日本特開2006-257153號、日本特開2007-326923號、日本特開2008-111169號、日本專利第5024930號、國際公開編號WO2006/028207、日本專利第4828427號、日本特開2009-67029號、國際公開編號WO2006/134868、日本專利第5046927號、日本特開2009-173017號、國際公開編號WO2007/105635、日本專利第5180815號、國際公開編號WO2008/114858、國際公開編號WO2009/008471、日本特開2011-14727號、國際公開編號WO2009/001850、國際公開編號WO2009 /145179、國際公開編號WO2011/068157、日本特開2013-19056號所記載的物質(樹脂、樹脂硬化劑、化合物、硬化促進劑、介電質、反應觸媒、交聯劑、聚合物、預浸體、骨架材等)及/或樹脂層的形成方法、形成裝置而形成。

可在本發明的表面處理銅箔的脫模層側設置樹脂基材而製 作覆銅積層板。該覆銅積層板也可由紙基材酚樹脂、紙基材環氧樹脂、合成纖維布基材環氧樹脂、玻璃布‧紙複合基材環氧樹脂、玻璃布‧玻璃無紡布複合基材環氧樹脂及玻璃布基材環氧樹脂等形成樹脂基材。樹脂基材可為預浸體，也可含有熱硬化性樹脂。另外，可藉由在該覆銅積層板的表面處理銅箔形成電路而製作印刷配線板。進而，可藉由在印刷配線板搭載電子零件類而製作印刷電路板。在本發明中，「印刷配線板」也包括如上述般搭載有電子零件類的印刷配線板及印刷電路板及印刷基板。另外，可使用上述印刷配線板而製作電子機器，也可使用上述搭載有電子零件類的印刷電路板而製作電子機器，也可使用上述搭載有電子零件類的印刷基板而製作電子機器。另外，上述「印刷電路板」也包括半導體封裝用電路形成基板。進而可在半導體封裝用電路形成基板搭載電子零件類而製作半導體封裝。進而也可使用上述半導體封裝而製作電子機器。

可使用本發明的銅箔，利用半加成法而形成微細電路。圖1 表示使用銅箔的輪廓的半加成法的概略例。在該半加成法中使用有銅箔的表面輪廓。具體而言，首先，使本發明的表面處理銅箔自脫模層側積層於樹脂基材而製作銅箔積層體。繼而，將銅箔積層體的銅箔(表面處理銅箔)在不進行蝕刻的情況下進行剝離。繼而，利用稀硫酸等對轉印有銅箔表面 輪廓的樹脂基材的表面進行清洗後，實施無電解鍍銅。然後，利用乾膜等被覆樹脂基材的不形成電路的部分，對未被乾膜覆蓋的無電解鍍銅層的表面實施電(電解)鍍銅。其後，將乾膜去除後，將形成在不形成電路的部分的無電解鍍銅層去除，由此形成微細電路。本發明中所形成的微細電路與轉印有本發明的銅箔表面輪廓的樹脂基材的剝離面密接，因此其密接力(剝離強度)變良好。

另外，半加成法的另一個實施形態如下所述。

所謂半加成法是指在樹脂基材或銅箔上進行較薄的無電解鍍敷，形成圖案後，使用電鍍及蝕刻而形成導體圖案的方法。因此，在使用半加成法的本發明的印刷配線板之製造方法的一個實施形態中，包括如下步驟：準備本發明的表面處理銅箔與樹脂基材的步驟；在上述表面處理銅箔自脫模層側積層樹脂基材的步驟；將上述表面處理銅箔與樹脂基材積層後，將上述表面處理銅箔剝離的步驟；在將上述表面處理銅箔剝離而產生的樹脂基材的剝離面設置通孔或/及盲孔的步驟；針對包含上述通孔或/及盲孔的區域進行除膠渣處理的步驟；針對上述樹脂基材及包含上述通孔或/及盲孔的區域，利用稀硫酸等對樹脂基材表面進行清洗並設置無電解鍍層(例如無電解鍍銅層)的步驟；在上述無電解鍍層上設置抗鍍敷劑的步驟；對上述抗鍍敷劑進行曝光，其後將供形成電路的區域的抗鍍敷劑去除的步驟； 在去除了上述抗鍍敷劑的形成有上述電路的區域設置電解鍍層(例如電解鍍銅層)的步驟；將上述抗鍍敷劑去除的步驟；及及藉由快速蝕刻等，將存在於上述供形成電路的區域以外的區域的無電解鍍層去除的步驟。

在使用半加成法的本發明的印刷配線板之製造方法的另一個實施形態中，包括如下步驟：準備本發明的表面處理銅箔與樹脂基材的步驟；在上述表面處理銅箔自脫模層側積層樹脂基材的步驟；將上述表面處理銅箔與樹脂基材積層後，將上述表面處理銅箔剝離的步驟；針對將上述表面處理銅箔剝離而產生的樹脂基材的剝離面，利用稀硫酸等對樹脂基材表面進行清洗並設置無電解鍍層(例如無電解鍍銅層)的步驟；在上述無電解鍍層上設置抗鍍敷劑的步驟；對上述抗鍍敷劑進行曝光，其後將供形成電路的區域的抗鍍敷劑去除的步驟；在去除了上述抗鍍敷劑的形成有上述電路的區域設置電解鍍層(例如電解鍍銅層)的步驟；將上述抗鍍敷劑去除的步驟；及及藉由快速蝕刻等，將存在於上述供形成電路的區域以外的區域的無電解鍍層去除的步驟。

如此，可在剝離表面處理銅箔後的樹脂基材的剝離面形成電 路，而製作印刷電路形成基板、半導體封裝用電路形成基板。進而可使用上述電路形成基板而製作印刷配線板、半導體封裝。進而可使用上述印刷配線板、半導體封裝而製作電子機器。

另一方面，在使用全加成法的本發明的印刷配線板之製造方法的另一個實施形態中，包括如下步驟：準備本發明的表面處理銅箔與樹脂基材的步驟；在上述表面處理銅箔自脫模層側積層樹脂基材的步驟；將上述表面處理銅箔與樹脂基材積層後，將上述表面處理銅箔剝離的步驟；針對將上述表面處理銅箔剝離而產生的樹脂基材的剝離面，利用稀硫酸等對樹脂基材表面進行清洗的步驟；在上述經清洗的樹脂基材表面設置抗鍍敷劑的步驟；對上述抗鍍敷劑進行曝光，其後將供形成電路的區域的抗鍍敷劑去除的步驟；在去除了上述抗鍍敷劑的形成有上述電路的區域設置無電解鍍層(例如無電解鍍銅層，也可為加厚的無電解鍍層)的步驟；及將上述抗鍍敷劑去除的步驟。

此外，在半加成法及全加成法中，有存在如下效果的情況，即藉由將上述樹脂基材表面進行清洗而變得容易設置無電解鍍層。特別是在脫模層殘留在樹脂基材表面的情況下，有存在如下效果的情況，即藉由上述清洗而將脫模層的一部分或全部自樹脂基材表面去除，因此藉由上述 樹脂基材表面的清洗而變得更容易設置無電解鍍層。該清洗可使用利用公知的清洗方法(所使用的液的種類、溫度、液的塗布方法等)的清洗。另外，較佳為使用可將本發明的脫模層的一部分或全部去除的清洗方法。

如此，可藉由全加成法而在剝離表面處理銅箔後的樹脂基材 的剝離面形成電路，而製作印刷電路形成基板、半導體封裝用電路形成基板。進而可使用上述電路形成基板而製作印刷配線板、半導體封裝。進而可使用上述印刷配線板、半導體封裝而製作電子機器。

此外，利用具備XPS(X射線光電子能譜裝置)、EPMA(電 子探針微量分析器)、EDX(能量分散型X射線分析)的掃描式電子顯微鏡等機器，對銅箔或表面處理銅箔的表面進行測定，如果檢測出Si，則可推測在銅箔或表面處理銅箔的表面存在矽烷化合物。另外，在表面處理銅箔與樹脂基板的剝離強度(剝離強度)為200gf/cm以下的情況下，可推測使用有可用于本案發明的脫模層上述矽烷化合物。

另外，利用具備XPS(X射線光電子能譜裝置)、EPMA(電 子探針微量分析器)、EDX(能量分散型X射線分析)的掃描式電子顯微鏡等機器，對銅箔或表面處理銅箔的表面進行測定，在檢測到S的同時，表面處理銅箔與樹脂基板的剝離強度(剝離強度)為200gf/cm以下的情況下，可推測在銅箔或表面處理銅箔的表面存在可用于本案發明的脫模層的上述分子內具有2個以下之巰基的化合物。

另外，利用具備XPS(X射線光電子能譜裝置)、EPMA(電子探針微量分析器)、EDX(能量分散型X射線分析)的掃描式電子顯微鏡等機器，對銅箔或表面處理銅箔的表面進行測定，在檢測到Al、Ti、Zr的同時，表 面處理銅箔與樹脂基板的剝離強度(剝離強度)為200gf/cm以下的情況下，可推測在銅箔或表面處理銅箔的表面存在可用于本案發明的脫模層的上述金屬烷氧化物。

[實施例]

于以下表示實驗例作為本發明的實施例及比較例，這些實施例是為了更良好地理解本發明及其優點而提供，而並非意圖限定發明。

‧生箔(表面處理前的銅箔)的製造

於以下的各電解條件下，製作表1所記載的厚度的普通電解生箔及兩面平坦電解生箔。

(1)普通電解生箔

Cu 120g/L

H₂SO₄ 100g/L

氯化物離子(Cl^-)70ppm

均化劑(膠)3ppm

電解液溫度60℃

電流密度70A/dm²

電解液線速2m/sec

(2)兩面平坦電解生箔

兩面平坦電解生箔的電解條件

Cu 120g/L

H₂SO₄ 100g/L

氯化物離子(Cl^-)70ppm

均化劑1(雙(3磺丙基)二硫化物)20ppm

均化劑2(胺化合物)20ppm

電解液溫度60℃

電流密度70A/dm²

電解液線速2m/sec

上述胺化合物可使用以下的化學式的胺化合物。

(上述化學式中，R₁及R₂為選自由羥烷基、醚基、芳基、芳香族取代 烷基、不飽和烴基、烷基所組成之群中的基團)。

‧表面處理

繼而，作為表面處理，可在以下所示的各條件下，對生箔的M面(無光澤面)進行粗化處理、障壁處理(耐熱處理)、防銹處理、矽烷偶合處理、樹脂層形成處理中的任一種處理，或者將各處理組合進行。繼而，在以下所示的條件下，在銅箔的上述處理側表面形成有脫模層。此外，在沒有特 別提及的情況下，各處理以上述記載的順序進行。

(1)粗化處理

[球狀粗化(通常)]

使用由Cu、H₂SO₄、As所構成的以下所記載的銅粗化鍍浴而形成球狀粗化粒子。

(液組成1)

CuSO₄‧5H₂O 98g/L

Cu 25g/L

H₂SO₄ 100g/L

砷1.5g/L

(電鍍溫度1)38℃

(電流條件1)電流密度70A/dm²(浴的極限電流密度以上)

繼而，為了粗化粒子的脫落防止與剝離強度提高，而利用由硫酸‧硫酸銅所組成的銅電解浴進行鍍敷。將鍍敷條件記載於以下。

(液組成2)

CuSO₄‧5H₂O 176g/L

Cu 45g/L

H₂SO₄ 100g/L

(電鍍溫度2)45℃

(電流條件2)電流密度：29A/dm²(未達浴的極限電流密度)

[微細粗化(Type1)]

首先，在以下的條件下進行粗化處理。粗化粒子形成時的相對極限電流密度比設為2.50。

(液組成1)

CuSO₄‧5H₂O 58.9g/L

Cu 15g/L

H₂SO₄ 100g/L

Na₂WO₄‧2H₂O 5.4mg/L

十二烷基硫酸鈉添加量10ppm

(電鍍溫度1)40℃

(電流條件1)電流密度54A/dm²

繼而，於下述所示的條件下進行正常鍍敷。

(液組成2)

CuSO₄‧5H₂O 176g/L

Cu 45g/L

H₂SO₄ 100g/L

(電鍍溫度2)45℃

(電流條件2)電流密度41A/dm²

[微細粗化(Type2)]

首先，以下述的液組成1及電鍍條件1形成Cu-Co-Ni三元系合金層後，以下述的液組成2及電鍍條件2，在該三元系合金層上形成鍍鈷層。

(液組成1)

Cu 10~20g/L

Co 1~10g/L

Ni 1~10g/L

pH值1~4

(電鍍溫度1)40~50℃

(電流條件1)電流密度25A/dm²

(液組成2)

Co 1~30g/L

Ni 1~30g/L

pH值1.0~3.5

(電鍍溫度2)30~80℃

(電流條件2)電流密度5A/dm²

(2)障壁處理(耐熱處理)

針對實施例9、11、12，在下述條件下進行障壁(耐熱)處理而形成鍍黃銅層。

(液組成)

Cu 70g/L

Zn 5g/L

NaOH 70g/L

NaCN 20g/L

(電鍍條件)

溫度70℃

電流密度8A/dm²(多級處理)

(3)防銹處理

針對實施例10、11、12，在下述條件下進行防銹處理(鋅鉻酸鹽處理)而形成防銹處理層。

(液組成)

CrO₃ 2.5g/L

Zn 0.7g/L

Na₂SO₄ 10g/L

pH值4.8

(鋅鉻酸鹽條件)

溫度54℃

電流密度0.7As/dm²

(4)矽烷偶合處理

針對實施例11、12，在下述條件下進行矽烷偶合劑塗布處理而形成矽烷偶合層。

(液組成)

烷氧基矽烷含量0.4%

pH值7.5

塗布方法噴霧溶液

(5)脫模層的形成

[脫模層A]

使用噴塗機，在銅箔的處理表面塗布矽烷化合物(正丙基三甲氧基矽烷：4wt%)的水溶液後，在100℃的空氣中將銅箔表面乾燥5分鐘而形成脫模層A。使矽烷化合物溶解于水中後直至進行塗布前的攪拌時間為30小時，水溶液中的醇濃度為0vol%，水溶液的pH值設為3.8~4.2。

[脫模層B]

使用1-十二烷硫醇磺酸鈉作為分子內具有2個以下之巰基的化合物，使用噴塗機，在銅箔的處理面塗布1-十二烷硫醇磺酸鈉的水溶液(1-十二烷硫醇磺酸鈉濃度：3wt%)後，在100℃的空氣中乾燥5分鐘而製作脫模層B。水溶液的pH值設為5~9。

[脫模層C]

使用作為鋁酸酯化合物的三異丙氧基鋁作為金屬烷氧化物，使用噴塗機，在銅箔的處理面塗布三異丙氧基鋁的水溶液(三異丙氧基鋁濃度：0.04mol/L)後，在100℃的空氣中乾燥5分鐘而製作脫模層C。使鋁酸酯化合物溶解于水中後直至進行塗布前的攪拌時間為2小時，水溶液中的醇濃度為0vol%，水溶液的pH值設為5~9。

[脫模層D]

使用作為鈦酸酯化合物的正癸基-三異丙氧基鈦作為金屬烷氧化物，使用噴塗機，在銅箔的處理面塗布正癸基-三異丙氧基鈦的水溶液(正癸基-三異丙氧基鈦濃度：0.01mol/L)後，在100℃的空氣中乾燥5分鐘而製作脫模層D。使鈦酸酯化合物溶解于水中後直至進行塗布前的攪拌時間為24小時，關於水溶液中的醇濃度，將甲醇設為20vol%，水溶液的pH值設為5~9。

[脫模層E]

使用作為鋯酸酯化合物的正丙基-三正丁氧基鋯作為金屬烷氧化物，使用噴塗機，在銅箔的處理面塗布正丙基-三正丁氧基鋯的水溶液(正丙基-三正丁氧基鋯濃度：0.04mol/L)後，在100℃的空氣中乾燥5分鐘而製造脫模層E。使鈦酸酯化合物溶解于水中後直至進行塗布前的攪拌時間為12小時，水溶液中的醇濃度設為0vol%，水溶液的pH值設為5~9。

關於實施例19~54及比較例6~7的脫模層，在利用矽烷化 合物的情況下，下述表未作記載的脫模層形成條件與脫模層A相同。另外，在利用巰基化合物的情況下，下述表未作記載的脫模層形成條件與脫模層B相同。另外，在利用金屬烷氧化物的情況下，下述表未作記載的脫模層形成條件與脫模層C相同。

(6)樹脂層形成處理

關於實施例12，在障壁處理、防銹處理、矽烷偶合劑塗布、脫模層形 成之後，進而在下述條件下進行樹脂層的形成。

(樹脂合成例)

在附帶不銹鋼製的錨型攪拌棒、氮氣導入管及終止栓的分離器上，向安裝有帶有球形冷凝管的回流冷卻器的2升的三口燒瓶添加3,4,3',4'-聯苯四羧酸二酐117.68g(400mmol)、1,3-雙(3-胺基苯氧基)苯87.7g(300mmol)、γ-戊內酯4.0g(40mmol)、吡啶4.8g(60mmol)、N-甲基-2-吡咯烷酮(以下記載為NMP)300g、甲苯20g，於180℃加熱1小時後冷卻至室溫附近，之後添加3,4,3',4'-聯苯四羧酸二酐29.42g(100mmol)、2,2-雙{4-(4-胺基苯氧基)苯基}丙烷82.12g(200mmol)、NMP 200g、甲苯40g，於室溫下混合1小時後，於180℃加熱3小時，獲得固形物成分38%的嵌段共聚合聚醯亞胺。關於該嵌段共聚合聚醯亞胺，下述所示的通式(1)：通式(2)=3：2，數均分子量：70000，重量平均分子量：150000。

利用NMP進一步稀釋合成例中所獲得的嵌段共聚合聚醯亞 胺溶液，而製成固形物成分10%的嵌段共聚合聚醯亞胺溶液。使固形物成 分重量比率35的雙(4-馬來醯亞胺苯基)甲烷(BMI-H，KI Chemical Industry)、固形物成分重量比率65的嵌段共聚合聚醯亞胺(即，樹脂溶液所包含的雙(4-馬來醯亞胺苯基)甲烷固形物成分重量：樹脂溶液所包含的嵌段共聚合聚醯亞胺固形物成分重量=35：65)於60℃溶解混合于該嵌段共聚合聚醯亞胺溶液中而製成樹脂溶液。其後，向實施例12的脫模層形成面塗布上述樹脂溶液，於氮氣環境下，於120℃進行3分鐘乾燥處理，於160℃進行3分鐘乾燥處理後，最後於300℃進行2分鐘加熱處理，而製作具備樹脂層的銅箔。此外，樹脂層的厚度設為2μm。

‧銅箔(生箔)及表面處理銅箔的表面粗糙度Rz的評價

使用小阪研究所股份有限公司製造的接觸粗糙度計SP-11，依據JIS B0601(1994年)，對表面處理銅箔的處理表面的十點平均粗糙度Rz進行測定。變更測定位置進行10次測定，求出10次測定中的值。另外，以相同方式，也對表面處理前的銅箔(生箔)的表面粗糙度Rz進行測定。

‧覆銅積層板的製造

在各表面處理銅箔的處理側表面貼合以下的樹脂基材1~3中的任一種樹脂基材。

基材1：三菱瓦斯化學(股)製造GHPL-830 MBT

基材2：日立化成工業(股)製造679-FG

基材3：住友電木(股)製造EI-6785TS-F

積層加壓的溫度、壓力、時間是使用各基材廠商的推薦條件。

‧剝離強度(剝離強度)的評價

針對覆銅積層板，依據IPC-TM-650，利用拉伸試驗機自動立體測圖儀100，對自銅箔將樹脂基材進行剝離時的常態剝離強度進行測定。

‧樹脂的破裂方式的評價

利用電子顯微鏡，對上述剝離後的樹脂基材的剝離面進行觀察，對樹脂的破裂方式(凝集、界面、凝集與界面混合存在)進行觀察。關於樹脂的破裂方式，「界面」表示在銅箔與樹脂的界面產生剝離，「凝集」表示剝離強度過強而樹脂破裂，「混合存在」表示上述「界面」與「凝集」混合存在。

‧配線形成性

針對利用依據圖1的半加成法，對樹脂基材實施無電解鍍銅、電解鍍銅，而將銅層厚度設為12μm的附帶鍍銅層的積層板，利用蝕刻對鍍銅層進行加工，而形成L(線)/S(空間)=30μm/30μm電路。此時，利用100~500倍的光學顯微鏡對形成在樹脂基板上的配線進行觀察，將沒有電路缺損的情況設為OK(○)，將存在電路缺損的情況設為NG(×)。

將各試驗條件及評價結果示於表1~4。

如表1~4所示，關於實施例1~54，設置有特定的脫模層，而抑制剝離強度，樹脂的破裂方式僅界面。因此，可謂在與樹脂基材貼合後，可進行物理剝離。

另一方面，關於比較例1~7，未設置有脫模層，或者因用作要形成脫模層的化合物不合適而無法形成脫模層，而剝離強度較大，樹脂的破裂方式為凝集、與凝集與界面的混合存在中的任一種。因此，可謂在與樹脂基材貼合後，無法進行物理剝離。

Claims (41)

1. 一種表面處理銅箔，其具備：銅箔，其係不具有粗化粒子且依據JIS B0601(1994年)所測得之Rz為0.1~5.0μm的具有表面凹凸之銅箔；與脫模層，其係設置在上述銅箔之具有表面凹凸的面之脫模層，且使從上述脫模層側向上述銅箔貼合樹脂基材時的上述樹脂基材可剝離。
2. 如申請專利範圍第1項之表面處理銅箔，其中，從上述脫模層側向上述銅箔貼合樹脂基材時，上述樹脂基材進行剝離時的剝離強度為200gf/cm以下。
3. 如申請專利範圍第1項之表面處理銅箔，其中，上述脫模層是將下式所示之矽烷化合物、其水解生成物、該水解生成物的縮合物單獨使用或組合多種使用而成， (式中，R¹為烷氧基或鹵素原子，R²為選自由烷基、環烷基及芳基所組成之群中的烴基，或者為一個以上之氫原子被取代為鹵素原子的該等任一種烴基，R³及R⁴分別獨立為鹵素原子、或烷氧基、或選自由烷基、環烷基及芳基所組成之群中的烴基，或者為一個以上之氫原子被取代為鹵素原子的該等任一種烴基)。
4. 如申請專利範圍第1項之表面處理銅箔，其中，上述脫模層是使用分子內具有2個以下之巰基的化合物而成。
5. 如申請專利範圍第1項之表面處理銅箔，其中，上述脫模層是將下式所示的鋁酸酯化合物、鈦酸酯化合物、鋯酸酯化合物、該等水解生成物、該水解生成物的縮合物單獨使用或組合多種使用而成，(R¹)_m-M-(R²)_n(式中，R¹為烷氧基或鹵素原子，R²為選自由烷基、環烷基及芳基所組成之群中的烴基，或者為一個以上之氫原子被取代為鹵素原子的該等任一種烴基，M為Al、Ti、Zr中的任一種，n為0或1或2，m為1以上且M之價數以下的整數，R¹的至少1個為烷氧基，此外，m+n為M的價數，即在為Al的情況下為3，在為Ti、Zr的情況下為4)。
6. 一種表面處理銅箔，其具備：銅箔，其具有粗化粒子；與脫模層，其是設置在上述銅箔之粗化粒子面的脫模層，且使從上述脫模層側向上述銅箔貼合樹脂基材時的上述樹脂基材可剝離。
7. 如申請專利範圍第6項之表面處理銅箔，其中，從上述脫模層側向上述銅箔貼合樹脂基材時，上述樹脂基材進行剝離時的剝離強度為200gf/cm以下。
8. 如申請專利範圍第6項之表面處理銅箔，其中，上述脫模層是將下式所示之矽烷化合物、其水解生成物、該水解生成物的縮合物單獨使用或組合多種使用而成， (式中，R¹為烷氧基或鹵素原子，R²為選自由烷基、環烷基及芳基所組成之群中的烴基，或者為一個以上之氫原子被取代為鹵素原子的該等任一種烴基，R³及R⁴分別獨立為鹵素原子、或烷氧基、或選自由烷基、環烷基及芳基所組成之群中的烴基，或者為一個以上之氫原子被取代為鹵素原子的該等任一種烴基)。
9. 如申請專利範圍第2或7項之表面處理銅箔，其中，上述脫模層是將下式所示之矽烷化合物、其水解生成物、該水解生成物的縮合物單獨使用或組合多種使用而成， (式中，R¹為烷氧基或鹵素原子，R²為選自由烷基、環烷基及芳基所組成之群中的烴基，或者為一個以上之氫原子被取代為鹵素原子的該等任一種烴基，R³及R⁴分別獨立為鹵素原子、或烷氧基、或選自由烷基、環烷基及芳基所組成之群中的烴基，或者為一個以上之氫原子被取代為鹵素原子的該等任一種烴基)。
10. 如申請專利範圍第6項之表面處理銅箔，其中，上述脫模層是使用分子內具有2個以下之巰基的化合物而成。
11. 如申請專利範圍第2或7項之表面處理銅箔，其中，上述脫模層是 使用分子內具有2個以下之巰基的化合物而成。
12. 如申請專利範圍第6項之表面處理銅箔，其中，上述脫模層是將下式所示的鋁酸酯化合物、鈦酸酯化合物、鋯酸酯化合物、該等水解生成物、該水解生成物的縮合物單獨使用或組合多種使用而成，(R¹)_m-M-(R²)_n(式中，R¹為烷氧基或鹵素原子，R²為選自由烷基、環烷基及芳基所組成之群中的烴基，或者為一個以上之氫原子被取代為鹵素原子的該等任一種烴基，M為Al、Ti、Zr中的任一種，n為0或1或2，m為1以上且M之價數以下的整數，R¹的至少1個為烷氧基，此外，m+n為M的價數，即在為Al的情況下為3，在為Ti、Zr的情況下為4)。
13. 如申請專利範圍第2或7項之表面處理銅箔，其中，上述脫模層是將下式所示的鋁酸酯化合物、鈦酸酯化合物、鋯酸酯化合物、該等水解生成物、該水解生成物的縮合物單獨使用或組合多種使用而成，(R¹)_m-M-(R²)_n(式中，R¹為烷氧基或鹵素原子，R²為選自由烷基、環烷基及芳基所組成之群中的烴基，或者為一個以上之氫原子被取代為鹵素原子的該等任一種烴基，M為Al、Ti、Zr中的任一種，n為0或1或2，m為1以上且M之價數以下的整數，R¹的至少1個為烷氧基，此外，m+n為M的價數，即在為Al的情況下為3，在為Ti、Zr的情況下為4)。
14. 如申請專利範圍第1至8、10、12項中任一項之表面處理銅箔，其中，在上述銅箔與上述脫模層之間設置有選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成之群中的一種以上的層。
15. 如申請專利範圍第1至8、10、12項中任一項之表面處理銅箔，其中，在上述表面處理銅箔的表面設置有樹脂層。
16. 如申請專利範圍第14項之表面處理銅箔，其中，在上述表面處理銅箔的表面設置有樹脂層。
17. 如申請專利範圍第15項之表面處理銅箔，其中，上述樹脂層為接合用樹脂、底漆或半硬化狀態的樹脂。
18. 如申請專利範圍第1至8、10、12項中任一項之表面處理銅箔，其中，上述表面處理銅箔的厚度為9~70μm。
19. 一種表面處理銅箔，其係具備：銅箔，其係不具有粗化粒子且依據JIS B0601(1994年)所測得之Rz為0.1~5.0μm的具有表面凹凸的銅箔；與脫模層，其係設置在上述銅箔之具有表面凹凸的面的脫模層，且使從上述脫模層側向上述銅箔貼合樹脂基材時的上述樹脂基材可剝離；並且滿足以下(A)~(J)中的任一項以上的表面處理銅箔，(A)從上述脫模層側向上述銅箔貼合樹脂基材時，上述樹脂基材進行剝離時的剝離強度為200gf/cm以下；(B)上述脫模層是將下式所示之矽烷化合物、其水解生成物、該水解生成物的縮合物單獨使用或組合多種使用而成， (式中，R¹為烷氧基或鹵素原子，R²為選自由烷基、環烷基及芳基所組 成之群中的烴基，或者為一個以上之氫原子被取代為鹵素原子的該等任一種烴基，R³及R⁴分別獨立為鹵素原子、或烷氧基、或選自由烷基、環烷基及芳基所組成之群中的烴基，或者為一個以上之氫原子被取代為鹵素原子的該等任一種烴基)；(C)上述脫模層是使用分子內具有2個以下之巰基的化合物而成；(D)上述脫模層是將下式所示的鋁酸酯化合物、鈦酸酯化合物、鋯酸酯化合物、該等水解生成物、該水解生成物的縮合物單獨使用或組合多種使用而成，(R¹)_m-M-(R²)_n(式中，R¹為烷氧基或鹵素原子，R²為選自由烷基、環烷基及芳基所組成之群中的烴基，或者為一個以上之氫原子被取代為鹵素原子的該等任一種烴基，M為Al、Ti、Zr中的任一種，n為0或1或2，m為1以上且M之價數以下的整數，R¹的至少1個為烷氧基，此外，m+n為M的價數，即在為Al的情況下為3，在為Ti、Zr的情況下為4)；(E)在上述銅箔與上述脫模層之間設置有選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成之群中的一種以上的層；(F)在上述表面處理銅箔的表面設置有樹脂層；(G)在上述(F)中，上述樹脂層為接合用樹脂、底漆或半硬化狀態的樹脂；(H)上述表面處理銅箔的厚度為9~70μm；(I)用於印刷配線板之製造方法，該製造方法具備下述步驟：從上述脫模層側將樹脂基材貼合在上述表面處理銅箔的步驟；藉由將上述表面處理 銅箔在不進行蝕刻的情況下從上述樹脂基材剝離，而獲得在剝離面轉印有上述銅箔的表面輪廓之樹脂基材的步驟；及在轉印有上述表面輪廓之樹脂基材的上述剝離面側形成電路的步驟；(J)用於樹脂基材之製造方法或將銅箔之表面輪廓轉印於樹脂基材之方法，該樹脂基材之製造方法及將銅箔之表面輪廓轉印於樹脂基材之方法具備下述步驟：從上述脫模層側將上述樹脂基材貼合在上述表面處理銅箔的步驟；藉由將上述表面處理銅箔在不進行蝕刻的情況下從上述樹脂基材剝離，而獲得在剝離面轉印有上述銅箔之表面輪廓的樹脂基材的步驟。
20. 一種表面處理銅箔，其係具備：銅箔，其具有粗化粒子；與脫模層，其係設置在上述銅箔的粗化粒子面的脫模層，且使從上述脫模層側向上述銅箔貼合樹脂基材時的上述樹脂基材可剝離；並且滿足以下(A)~(J)中的任一項以上的表面處理銅箔，(A)從上述脫模層側向上述銅箔貼合樹脂基材時，將上述樹脂基材進行剝離時的剝離強度為200gf/cm以下；(B)上述脫模層是將下式所示之矽烷化合物、其水解生成物、該水解生成物的縮合物單獨使用或組合多種使用而成， (式中，R¹為烷氧基或鹵素原子，R²為選自由烷基、環烷基及芳基所組成之群中的烴基，或者為一個以上之氫原子被取代為鹵素原子的該等任一 種烴基，R³及R⁴分別獨立為鹵素原子、或烷氧基、或選自由烷基、環烷基及芳基所組成之群中的烴基，或者為一個以上之氫原子被取代為鹵素原子的上述任一種烴基)；(℃)上述脫模層是使用分子內具有2個以下之巰基的化合物而成；(D)上述脫模層是將下式所示的鋁酸酯化合物、鈦酸酯化合物、鋯酸酯化合物、該等水解生成物、該水解生成物的縮合物單獨使用或組合多種使用而成，(R¹)_m-M-(R²)_n(式中，R¹為烷氧基或鹵素原子，R²為選自由烷基、環烷基及芳基所組成之群中的烴基，或者為一個以上之氫原子被取代為鹵素原子的該等任一種烴基，M為Al、Ti、Zr中的任一種，n為0或1或2，m為1以上且M之價數以下的整數，R¹的至少1個為烷氧基，此外，m+n為M的價數，即在為Al的情況下為3，在為Ti、Zr的情況下為4)；(E)在上述銅箔與上述脫模層之間設置有選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成之群中的一種以上的層；(F)在上述表面處理銅箔的表面設置有樹脂層；(G)在上述(F)中，上述樹脂層為接合用樹脂、底漆或半硬化狀態的樹脂；(H)上述表面處理銅箔的厚度為9~70μm；(I)用於印刷配線板之製造方法，該製造方法具備下述步驟：從上述脫模層側將樹脂基材貼合在上述表面處理銅箔的步驟；藉由將上述表面處理 銅箔在不進行蝕刻的情況下從上述樹脂基材剝離，而獲得在剝離面轉印有上述銅箔之表面輪廓的樹脂基材的步驟；及在轉印有上述表面輪廓之樹脂基材的上述剝離面側形成電路的步驟；(J)用於樹脂基材之製造方法或將銅箔之表面輪廓轉印於樹脂基材之方法，該樹脂基材之製造方法及將銅箔之表面輪廓轉印於樹脂基材之方法具備下述步驟：從上述脫模層側將上述樹脂基材貼合在上述表面處理銅箔的步驟；藉由將上述表面處理銅箔在不進行蝕刻的情況下從上述樹脂基材剝離，而獲得在剝離面轉印有上述銅箔之表面輪廓的樹脂基材的步驟。
21. 一種覆銅積層板，其具備：申請專利範圍第1至20項中任一項之表面處理銅箔、與設置在上述表面處理銅箔之脫模層側的樹脂基材。
22. 如申請專利範圍第21項之覆銅積層板，其中，上述樹脂基材為預浸體，或含有熱硬化性樹脂。
23. 一種印刷配線板，其使用申請專利範圍第1至20項中任一項之表面處理銅箔。
24. 一種印刷配線板，其係使用申請專利範圍第1至20項中任一項之表面處理銅箔而製造。
25. 一種半導體封裝，其具備申請專利範圍第23或24項之印刷配線板。
26. 一種電子機器，其使用申請專利範圍第23項之印刷配線板或申請專利範圍第25項之半導體封裝。
27. 一種印刷配線板之製造方法，其具備下述步驟：從上述脫模層側將樹脂基材貼合在申請專利範圍第1至20項中任一項之表面處理銅箔的步驟； 藉由將上述表面處理銅箔在不進行蝕刻的情況下從上述樹脂基材剝離，而獲得在剝離面轉印有上述銅箔之表面輪廓的樹脂基材的步驟；及在轉印有上述表面輪廓之樹脂基材的上述剝離面側形成電路的步驟。
28. 一種印刷配線板，其係藉由申請專利範圍第27項之方法而製造。
29. 一種樹脂基材，其係從上述脫模層側將樹脂基材貼合在申請專利範圍第1至20項中任一項之表面處理銅箔後，藉由將上述表面處理銅箔在不進行蝕刻的情況下從上述樹脂基材剝離，而在剝離面轉印有上述銅箔之表面輪廓的樹脂基材。
30. 如申請專利範圍第29項之樹脂基材，其轉印有銅箔之表面輪廓，上述樹脂基材為預浸體，或含有熱硬化性樹脂。
31. 一種印刷配線板，其係使用申請專利範圍第29或30項之轉印有銅箔之表面輪廓的樹脂基材而製造。
32. 一種半導體封裝，其具備申請專利範圍第31項之印刷配線板。
33. 一種電子機器，其使用有申請專利範圍第31項之印刷配線板、或申請專利範圍第32項之半導體封裝。
34. 一種樹脂基材之製造方法，其具備下述步驟：從上述脫模層側將樹脂基材貼合在申請專利範圍第1至20項中任一項之表面處理銅箔的步驟；藉由將上述表面處理銅箔在不進行蝕刻的情況下從上述樹脂基材剝離，而獲得在剝離面轉印有上述銅箔之表面輪廓的樹脂基材的步驟。
35. 一種將銅箔之表面輪廓轉印至樹脂基材之方法，其包含如下步驟：準備申請專利範圍第1至20項中任一項之表面處理銅箔與樹脂基材的 步驟；從上述脫模層側將上述樹脂基材貼合在上述表面處理銅箔的步驟；藉由將上述表面處理銅箔在不進行蝕刻的情況下從上述樹脂基材剝離，而獲得在剝離面轉印有上述銅箔之表面輪廓的樹脂基材的步驟。
36. 如申請專利範圍第35項之將銅箔之表面輪廓轉印至樹脂基材之方法，其中，上述樹脂基材為預浸體，或含有熱硬化性樹脂。
37. 一種印刷配線板之製造方法，其係使用下述樹脂基材來製造印刷配線板，該樹脂基材係利用申請專利範圍第35或36項之方法而轉印有銅箔之表面輪廓者。
38. 一種印刷配線板，其使用利用申請專利範圍第35或36項之方法而轉印有銅箔之表面輪廓的樹脂基材。
39. 一種半導體封裝，其具備申請專利範圍第38項之印刷配線板。
40. 一種電子機器，其使用有申請專利範圍第38項之印刷配線板、或申請專利範圍第39項之半導體封裝。
41. 一種樹脂基材，其利用申請專利範圍第35或36項之將銅箔之表面輪廓轉印至樹脂基材之方法而轉印有銅箔之表面輪廓。