KR20210031899A - 구리 피복 적층판, 프린트 배선판, 반도체 패키지 및 구리 피복 적층판의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은, 블리스터의 발생이 억제된 구리 피복 적층판 및 그 제조 방법, 그리고 그 구리 피복 적층판을 사용한 프린트 배선판 및 반도체 패키지를 제공하는 것을 과제로 한다. 본 발명은, 수지를 함유하는 절연층과, 그 절연층의 적어도 한쪽 면에 배치된 동박을 포함하는 구리 피복 적층판이며, 상기 동박이, 아연을 함유하는 금속 처리층을 갖는 표면 처리 동박이며, 상기 금속 처리층에 있어서의 아연의 함유량이, 10~2,500 μg/d㎡인, 구리 피복 적층판 및 그 제조 방법, 그리고, 그 구리 피복 적층판을 사용한 프린트 배선판 및 반도체 패키지에 관한 것이다.
Description
본 발명은, 구리 피복 적층판, 프린트 배선판, 반도체 패키지 및 구리 피복 적층판의 제조 방법에 관한 것이다.
최근의 전자 기기의 소형화 및 고성능화에 의해, 프린트 배선판에서는 배선 밀도의 고도화 및 고집적화가 진전되고, 이에 수반하여 프린트 배선판용의 구리 피복 적층판에 대한 신뢰성 향상의 요구가 강해지고 있다.
구리 피복 적층판은 절연층과 동박을 적층하여 이루어지는 것이며, 일반적으로는, 유리천에 수지를 함침하여 이루어지는 프리프레그와 동박을 적층하여, 가열 및 가압함으로써 제조된다. 얻어진 구리 피복 적층판은, 그 후, 회로가 형성된 후, 어닐 처리, 리플로 처리 등의 가열 처리가 실시되고, 그 구리 피복 적층판을 사용한 프린트 배선판이 제조된다.
상기와 같이, 프린트 배선판의 제조 과정에 있어서는, 프리프레그 등의 절연층과 동박이 적층된 상태에서 복수의 가열 처리가 실시되지만, 그 때에, 절연층과 동박 사이에, 부풀음(이하, "블리스터(blister)"라고도 한다)이 발생하는 경우가 있다. 블리스터는, 구리 피복 적층판의 수율 악화, 프린트 배선판의 신뢰성 저하 등의 원인이 되기 때문에, 그 발생을 억제하는 것이 요망되고 있다.
특히, 최근, 지구 환경 보호의 관점에서, 땜납의 무연화가 진행되고 있어, 프린트 배선판에 대한 부품 실장 시 및 반도체 패키지 조립 시에 있어서의 리플로 공정의 온도가 매우 높아지고 있다. 또한, 생산 효율의 향상을 목적으로 하여 적층 성형 시의 가열 온도를 높게 하는 경우도 있고, 구리 피복 적층판에 부여되는 열 이력은 점점 가혹해지고 있어, 구리 피복 적층판의 내블리스터성을 높이는 요구가 강해지고 있다.
구리 피복 적층판의 내블리스터성을 향상시키는 것을 목적으로 하여 여러 가지 검토가 이루어지고 있다.
예를 들어, 특허문헌 1에는, 리플로 시에 기판 측면으로부터 블리스터의 원인이 되는 수분이 침입하는 것을 억제하는 것을 목적으로 하여, 기판 주연부(周緣部)의 적어도 하나에 금속 벽부가 형성되어 있는 프린트 기판이 개시되어 있다.
또한, 특허문헌 2에는, 고온하에 노출된 경우에 블리스터의 발생을 억제할 수 있는 경화물의 제조 방법으로서, 에폭시 수지와 활성 에스테르 화합물과 경화 촉진제를 포함하는 에폭시 수지 재료를 사용하여, 그 에폭시 수지 재료를 불활성 가스의 분위기하에서 경화시키는, 경화물의 제조 방법이 개시되어 있다.
그러나, 특허문헌 1에 기재된 프린트 기판은, 주연부에 금속 벽부를 형성할 필요가 있어, 프린트 기판의 설계 자유도에 제약이 발생하는 문제가 있다.
또한, 특허문헌 2에 기재된 경화물의 제조 방법은, 에폭시 수지 재료를 불활성 가스 분위기하에서 경화시킬 필요가 있어, 생산성 및 취급성이 뒤떨어지는 문제가 있다.
본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 블리스터의 발생이 억제된 구리 피복 적층판 및 그 제조 방법, 그리고, 그 구리 피복 적층판을 이용한 프린트 배선판 및 반도체 패키지를 제공하는 것을 과제로 한다.
본 발명자들은, 상기 과제를 해결하기 위해 예의 연구한 결과, 하기의 본 발명에 의해서, 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 발견하여, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
본 발명은, 하기 [1]~[9]에 관한 것이다.
[1] 수지를 함유하는 절연층과, 그 절연층의 적어도 한쪽 면에 배치된 동박을 포함하는 구리 피복 적층판이며,
상기 동박이, 아연을 함유하는 금속 처리층을 갖는 표면 처리 동박이며,
상기 금속 처리층에 있어서의 아연의 함유량이, 10~2,500 μg/d㎡인, 구리 피복 적층판.
[2] 상기 금속 처리층이, 니켈, 코발트 및 몰리브덴으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상의 금속을 더 함유하는, 상기 [1]에 기재된 구리 피복 적층판.
[3] 상기 금속 처리층에 있어서의, 니켈, 코발트 및 몰리브덴으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상의 금속의 합계 함유량이, 10~2,500 μg/d㎡인, 상기 [2]에 기재된 구리 피복 적층판.
[4] 상기 금속 처리층이, 니켈을 더 함유하는 것이며, 상기 금속 처리층에 있어서의 니켈의 함유량이, 10~200 μg/d㎡인, 상기 [1]~[3] 중 어느 하나에 기재된 구리 피복 적층판.
[5] 상기 금속 처리층에 있어서의 아연의 함유량이, 10~500 μg/d㎡인, 상기 [1]~[4] 중 어느 하나에 기재된 구리 피복 적층판.
[6] 상기 표면 처리 동박이, 동박의 편면 또는 양면에, 내열 처리, 크로메이트 처리 및 실란 커플링제 처리를 실시하여 이루어지는, 상기 [1]~[5] 중 어느 하나에 기재된 구리 피복 적층판.
[7] 상기 [1]~[6] 중 어느 하나에 기재된 구리 피복 적층판을 제조하는 방법으로서,
상기 절연층이, 열경화성 수지를 함유하는 프리프레그를 경화하여 이루어지는 층이며,
상기 프리프레그 또는 상기 프리프레그를 경화하여 이루어지는 절연층과 상기 표면 처리 동박을 접합시킨 상태에서, 210℃ 이상으로 가열하는 공정을 갖는, 구리 피복 적층판의 제조 방법.
[8] 상기 [1]~[6] 중 어느 하나에 기재된 구리 피복 적층판을 사용하여 이루어지는 프린트 배선판.
[9] 상기 [8]에 기재된 프린트 배선판에 반도체 소자를 탑재하여 이루어지는 반도체 패키지.
본 발명에 의해, 블리스터의 발생이 억제된 구리 피복 적층판 및 그 제조 방법, 그리고, 그 구리 피복 적층판을 사용한 프린트 배선판 및 반도체 패키지를 제공할 수 있다.
본 명세서 중에 기재되어 있는 수치 범위에 있어서, 그 수치 범위의 상한치 또는 하한치는, 실시예에 나타내고 있는 값으로 치환해도 된다. 또한, 수치 범위의 하한치 및 상한치는, 각각 다른 수치 범위의 하한치 및 상한치와 임의로 조합된다.
또한, 본 명세서에 예시하는 각 성분 및 재료는, 특별히 단정짓지 않는 이상, 1종을 단독으로 사용해도 되며, 2종 이상을 병용해도 된다. 본 명세서에 있어서, 조성물 중의 각 성분의 함유량은, 조성물 중에 각 성분에 해당하는 물질이 복수 존재하는 경우, 특별히 단정짓지 않는 이상, 조성물 중에 존재하는 당해 복수의 물질의 합계량을 의미한다.
본 명세서에 있어서의 기재 사항을 임의로 조합한 양태도 본 발명에 포함된다.
[구리 피복 적층판]
본 실시형태의 구리 피복 적층판은, 수지를 함유하는 절연층(이하, 간단히 "절연층"이라고도 한다)과, 그 절연층의 적어도 한쪽 면에 배치된 동박을 포함하는 구리 피복 적층판이며, 상기 동박이, 아연을 함유하는 금속 처리층을 갖는 표면 처리 동박이며, 상기 금속 처리층에 있어서의 아연의 함유량이, 10~2,500 μg/d㎡이다.
또한, 이하의 설명에 있어서, 본 실시형태의 구리 피복 적층판이 갖는, 아연의 함유량이 10~2,500 μg/d㎡인 금속 처리층을 갖는 표면 처리 동박을 "표면 처리동박(I)"이라고도 한다.
본 실시형태의 구리 피복 적층판은, 절연층과, 그 절연층의 적어도 한쪽 면에 표면 처리 동박(I)이 배치된 구성을 포함하는 것이면, 그 구성은 특별히 한정되지 않는다.
본 실시형태의 구리 피복 적층판이 동박을 2매 이상 포함하는 경우, 2매 이상의 동박은, 표면 처리 동박(I)만이어도 되며, 표면 처리 동박(I)과, 표면 처리 동박(I) 이외의 동박의 조합이어도 된다.
구리 피복 적층판의 구성으로서는, 절연층의 한쪽 면 또는 양면에 동박이 적층된 것이어도 되며, 1층 이상의 절연층과 1층 이상의 동박이 교대로 층형성된 것이어도 된다. 또한, 양면에 동박을 갖는 코어 기판의 한쪽 또는 양쪽 면에, 1층 이상의 절연층과 1층 이상의 동박이 교대로 층형성된 것이어도 된다.
본 실시형태의 구리 피복 적층판에 포함되는 절연층의 층수는, 1층 이상이면 되며, 그 용도에 따라, 예를 들어, 2~20매의 사이에서 적절히 선택해도 된다.
본 실시형태의 구리 피복 적층판에 포함되는 동박의 매수는, 1매 이상이며, 그 용도에 따라, 예를 들어, 2~20매의 사이에서 적절히 선택해도 된다.
또한, 본 실시형태의 구리 피복 적층판이 갖는 동박은, 후술하는 방법에 의해서 회로가 형성되어 있어도 된다.
또한, 상기의 설명에 있어서, 간단히 "동박"이라고 기재하는 경우, 그 용어는, 구리 피복 적층판이 "표면 처리 동박(I)"만을 포함하는 양태인 경우에는 "표면 처리 동박(I)"을 가리키고, 구리 피복 적층판이 "표면 처리 동박(I)"과 "표면 처리 동박(I) 이외의 동박"을 포함하는 양태인 경우에는, "표면 처리 동박(I)" 및 "표면 처리 동박(I) 이외의 동박"의 양자를 가리키는 것으로 한다.
본 실시형태의 구리 피복 적층판의 두께는, 특별히 한정되지 않고, 구리 피복 적층판의 용도에 따라 적절히 결정하면 되는데, 예를 들어, 0.03~1.6 mm이다.
다음으로, 본 실시형태의 구리 피복 적층판이 갖는 표면 처리 동박(I) 및 절연층에 관하여 설명한다.
<표면 처리 동박(I)>
본 실시형태의 구리 피복 적층판이 갖는 표면 처리 동박(I)은, 적어도 한쪽 면에, 아연을 함유하는 금속 처리층을 갖는 것이다.
여기서, 동박의 표면에 형성되는 금속 처리층은, 적어도 한쪽 면에, 아연을 함유하는 금속 처리층을 갖는 것이면 되며, 그 금속 처리층을 형성하는 목적에 대해서는 특별히 한정되지 않는다. 즉, 금속 처리층은, 예를 들어, 내열성, 내후성 등의 향상을 목적으로 한 내열 처리에 의해 형성된 것이어도 되며, 방청성 향상을 목적으로 하여 크로메이트 처리 등에 의해 형성된 것이어도 된다. 또한, 내열 처리 및 크로메이트 처리의 양자에 의해서 형성된 것이어도 되며, 이들 이외의 처리에 의해서 형성되어 이루어지는 것이어도 된다.
그 금속 처리층 중에 있어서의 아연의 함유량은, 10~2,500 μg/d㎡이며, 바람직하게는 15~1,000 μg/d㎡, 보다 바람직하게는 20~500 μg/d㎡, 더욱 바람직하게는 25~300 μg/d㎡, 특히 바람직하게는 30~200 μg/d㎡이다.
금속 처리층 중에 있어서의 아연의 함유량이, 상기 하한치 이상이면, 충분한 방청 효과가 얻어져, 미세 배선성이 우수한 것이 되고, 상기 상한치 이하이면, 내블리스터성이 우수한 것이 된다.
또한, 본 명세서에 있어서, 금속 처리층 중에 있어서의 특정 원소의 함유량이란, 1층당 금속 처리층 중에 있어서의 상기 특정 원소의 함유량을 의미한다. 따라서, 표면 처리 동박(I)이 양면에 금속 처리층을 갖는 경우에는, 금속 처리층 중에 있어서의 특정 원소의 함유량이란, 양면의 금속 처리층 중, 편면의 금속 처리층 중에 있어서의 상기 특정 원소의 함유량을 의미한다.
상기 금속 처리층은, 아연 외에도, 니켈, 코발트 및 몰리브덴으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상의 금속(이하, "제2 금속"이라고도 한다. 또한, 제2 금속으로서 2종 이상의 원소를 함유하는 경우, 이들 2종 이상의 원소도 "제2 금속"이라고 한다.)을 함유하는 것이 바람직하며, 니켈을 함유하는 것이 보다 바람직하다. 금속 처리층이 이들 제2 금속을 함유함으로써, 얻어지는 구리 피복 적층판은, 보다 한층 내블리스터성이 우수한 것이 된다.
상기 금속 처리층이 제2 금속을 함유하는 경우, 금속 처리층에 있어서의 상기 제2 금속의 합계 함유량은, 바람직하게는 10~2,500 μg/d㎡, 보다 바람직하게는 40~1,000 μg/d㎡, 더욱 바람직하게는 60~500 μg/d㎡, 특히 바람직하게는 100~300 μg/d㎡이다.
상기 금속 처리층이 제2 금속으로서 니켈을 함유하는 경우, 금속 처리층에 있어서의 니켈의 함유량은, 바람직하게는 10~500 μg/d㎡, 보다 바람직하게는 40~400 μg/d㎡, 더욱 바람직하게는 60~300 μg/d㎡, 특히 바람직하게는 100~200 μg/d㎡이다.
또한, 상기 금속 처리층이 제2 금속을 함유하는 경우, 금속 처리층에 있어서의 아연의 함유량과, 제2 금속의 합계 함유량의 비[제2 금속/아연]은, 보다 한층 내블리스터성이 우수한 것으로 하는 관점에서, 질량비로, 바람직하게는 0.1~20, 보다 바람직하게는 0.5~10, 더욱 바람직하게는 1.0~5, 특히 바람직하게는 1.2~2이다.
또한, 금속 처리층에 있어서의 아연 및 제2 금속의 함유량은, 형광 X선 분석에 의해서 측정할 수 있다.
본 실시형태의 구리 피복 적층판에 포함되는 동박은, 특별히 한정되지 않고, 압연 동박이거나, 전해 동박이어도 되지만, 전해 동박인 것이 바람직하다.
표면 처리 동박(I)의 적어도 한쪽 면에는 조화(粗化) 처리가 실시되어 있어도 된다.
조화 처리의 방법 및 조건은, 요구되는 표면 특성에 따라, 종래 공지된 방법 및 조건을 적절히 채용하면 되지만, 예를 들어, 구리 등의 전기 도금에 의해서, 동박의 표면에 미세한 요철을 갖는 피막을 부착시키는 방법을 들 수 있다. 조화 처리 전에는, 적절히, 산세정 등의 전처리를 실시해도 된다.
표면 처리 동박(I)이 조화 처리되어 이루어지는 것인 경우, 표면 처리층은, 조화 처리면 및 조화 처리를 실시하지 않은 면 중 어느 하나 또는 양쪽에 형성되어 있으면 되며, 조화 처리면에 형성되어 있는 것이 바람직하다.
본 실시형태의 표면 처리 동박(I)이 갖는 금속 처리층의 적어도 일부는, 내열 처리에 의해 형성된 것이 바람직하다.
내열 처리는, 아연을 사용한 도금 처리를 포함하는 것이 바람직하다. 아연을 사용한 도금 처리는, 아연 도금 처리 또는 아연 합금 도금 처리 중 어느 것이어도 되며, 아연 합금 도금 처리인 것이 바람직하다.
아연 합금 도금 처리에 의한 경우, 아연과 합금을 형성하는 금속으로는, 상기한 제2 금속과 동일한 것을 들 수 있다. 아연 합금의 구체예로는, 아연-니켈 합금, 아연-코발트 합금, 아연-몰리브덴 합금, 아연-코발트-몰리브덴 합금 등을 들 수 있으며, 이들 중에서도, 아연-니켈 합금, 아연-코발트-몰리브덴 합금이 바람직하다.
아연 도금 처리 또는 아연 합금 도금 처리에 의해서 형성되는 금속 처리층에 있어서의, 아연 및 제2 금속의 함유량 및 함유량비의 적합한 범위는, 상기한 바와 같다.
또한, 본 실시형태의 표면 처리 동박(I)이 갖는 금속 처리층의 적어도 일부는, 크로메이트 처리(방청 처리)에 의해서 형성된 것이어도 된다. 크로메이트 처리를 실시함으로써, 동박의 산화를 억제할 수 있어, 회로 형성 시에 미세 배선을 양호하게 형성하는 것이 가능하게 된다. 크로메이트 처리는, 전해 크로메이트 처리 또는 침지 크로메이트 처리 중 어느 것이어도 되지만, 부착량의 안정성 등의 관점에서, 전해 크로메이트 처리가 바람직하다.
표면 처리 동박(I)은, 실란 커플링제 처리를 더 실시한 것이어도 된다. 이로써 내습성, 내약품성 및 절연층과의 밀착성 등을 향상시킬 수 있다. 실란 커플링제 처리는, 예를 들어, 실란 커플링제를 적절히 희석한 후, 동박에 도포 및 건조시킴으로써 실시할 수 있다. 실란 커플링제는, 공지된 실란 커플링제 중에서, 원하는 특성에 따라 적절히 선택할 수 있다.
표면 처리 동박(I)은, 상기한 내열 처리, 크로메이트 처리 및 실란 커플링제 처리를 실시하여 이루어지는 것이 바람직하다.
표면 처리 동박(I)의 두께는, 구리 피복 적층판의 용도 등에 따라 적절히 결정하면 되지만, 예를 들어, 바람직하게는 1~120 μm, 보다 바람직하게는 2~60 μm, 더욱 바람직하게는 3~40 μm이다. 또한, 반도체 패키지를 보다 박형화하는 관점에서는, 바람직하게는 35 μm 이하, 보다 바람직하게는 20 μm 이하, 더욱 바람직하게는 15 μm 이하이다.
<절연층>
본 실시형태의 구리 피복 적층판이 갖는 수지를 함유하는 절연층은, 특별히 한정되지 않고, 원하는 특성에 따라 종래 공지된 절연 수지 재료 중에서 적절히 선택해도 된다.
절연층은, 열경화성 수지 조성물의 경화물을 함유하는 것이 바람직하며, 열경화성 수지 조성물이 유리천 등의 시트상 보강 기재에 함침되어 이루어지는 프리프레그의 경화물인 것이 보다 바람직하다.
상기 열경화성 수지 조성물은, 열경화성 수지를 함유하는 것이면 특별히 한정되지 않는다.
열경화성 수지로는, 말레이미드 화합물, 에폭시 수지, 페놀 수지, 시아네이트 수지, 이소시아네이트 수지, 벤조옥사진 수지, 옥세탄 수지, 아미노 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 알릴 수지, 디시클로펜타디엔 수지, 실리콘 수지, 트리아진 수지, 멜라민 수지 등을 들 수 있다. 이들은, 1종을 단독으로 사용해도 되며, 2종 이상을 병용해도 된다. 이들 중에서도, 내열성, 성형성 및 전기 절연성의 관점에서, 말레이미드 화합물, 에폭시 수지가 바람직하다.
상기 열경화성 수지 조성물은, 보다 한층 내블리스터성을 높이는 관점, 및 우수한 동박 접착성, 저열팽창성, 유전 특성 등을 얻는 관점에서, (A) 말레이미드 화합물을 함유하는 것이 바람직하며, (B) 에폭시 수지, (C) 치환 비닐 화합물에서 유래하는 구조 단위와 무수 말레산에서 유래하는 구조 단위를 갖는 공중합 수지, (D) 무기 충전재, (E) 경화제, (F) 열가소성 엘라스토머 및 (G) 경화 촉진제로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상을 더 함유하는 것이 보다 바람직하다.
이하, 각 성분의 적합한 양태에 대하여 상세히 설명한다.
[(A) 말레이미드 화합물]
(A) 말레이미드 화합물은, 적어도 2개의 N-치환 말레이미드기를 갖는 말레이미드 화합물(a1)(이하, "말레이미드 화합물(a1)"이라고도 한다)이다.
말레이미드 화합물(a1)로는, 복수의 말레이미드기 중 임의의 2개의 말레이미드기 사이에 지방족 탄화수소기를 갖는(다만, 방향족 탄화수소기는 존재하지 않는다) 말레이미드 화합물(이하, "지방족 탄화수소기 함유 말레이미드"라고도 한다), 복수의 말레이미드기 중 임의의 2개의 말레이미드기 사이에 방향족 탄화수소기를 함유하는 말레이미드 화합물(이하, "방향족 탄화수소기 함유 말레이미드"라고도 한다)을 들 수 있다. 이들 중에서도, 고내열성, 저비유전율, 고동박 접착성 등의 관점에서, 방향족 탄화수소기 함유 말레이미드가 바람직하다.
동일한 관점에서, 말레이미드 화합물(a1)은, 1분자 중에 2개~5개의 N-치환 말레이미드기를 갖는 말레이미드 화합물이 바람직하며, 1분자 중에 2개의 N-치환 말레이미드기를 갖는 말레이미드 화합물이 보다 바람직하며, 하기 일반식 (a1-1)~(a1-4) 중 어느 것으로 표시되는 방향족 탄화수소기 함유 말레이미드가 더욱 바람직하며, 하기 일반식 (a1-2)로 표시되는 방향족 탄화수소기 함유 말레이미드가 특히 바람직하다.
(A) 말레이미드 화합물은 1종을 단독으로 사용해도 되며, 2종 이상을 병용해도 된다.
(식 중, RA1~RA3은, 각각 독립적으로, 탄소수 1~5의 지방족 탄화수소기를 나타낸다. XA1은, 탄소수 1~5의 알킬렌기, 탄소수 2~5의 알킬리덴기, -O-, -C(=O)-, -S-, -S-S- 또는 술포닐기를 나타낸다. p, q 및 r은, 각각 독립적으로, 0~4의 정수(整數)이다. s는, 0~10의 정수이다.)
RA1~RA3이 나타내는 탄소수 1~5의 지방족 탄화수소기로는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, t-부틸기, n-펜틸기 등을 들 수 있다. 그 지방족 탄화수소기로는, 고내열성, 저비유전율, 고동박 접착성 등의 관점에서, 바람직하게는 탄소수 1~3의 지방족 탄화수소기이며, 보다 바람직하게는 메틸기, 에틸기이다.
XA1이 나타내는 탄소수 1~5의 알킬렌기로는, 메틸렌기, 1,2-디메틸렌기, 1,3-트리메틸렌기, 1,4-테트라메틸렌기, 1,5-펜타메틸렌기 등을 들 수 있다. 그 알킬렌기로는, 고내열성, 저비유전율, 고동박 접착성 등의 관점에서, 바람직하게는 탄소수 1~3의 알킬렌기이며, 보다 바람직하게는 메틸렌기이다.
XA1이 나타내는 탄소수 2~5의 알킬리덴기로는, 에틸리덴기, 프로필리덴기, 이소프로필리덴기, 부틸리덴기, 이소부틸리덴기, 펜틸리덴기, 이소펜틸리덴기 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 고내열성, 저비유전율, 고동박 접착성 등의 관점에서, 이소프로필리덴기가 바람직하다.
XA1로는, 상기 선택지 중에서도, 탄소수 1~5의 알킬렌기, 탄소수 2~5의 알킬리덴기가 바람직하다. 보다 바람직한 것은 전술한 바와 같다.
p, q 및 r은, 각각 독립적으로, 0~4의 정수이며, 고내열성, 저비유전율, 고동박 접착성 등의 관점에서, 모두, 바람직하게는 0~2의 정수, 보다 바람직하게는 0 또는 1, 더욱 바람직하게는 0이다.
s는, 0~10의 정수이며, 입수 용이성의 관점에서, 바람직하게는 0~5의 정수, 보다 바람직하게는 0~3의 정수이다.
말레이미드 화합물(a1)로는, 구체적으로는, N,N'-에틸렌비스말레이미드, N,N'-헥사메틸렌비스말레이미드, 비스(4-말레이미드시클로헥실)메탄, 1,4-비스(말레이미드메틸)시클로헥산 등의 지방족 탄화수소기 함유 말레이미드; N,N'-(1,3-페닐렌)비스말레이미드, N,N'-[1,3-(2-메틸페닐렌)]비스말레이미드, N,N'-[1,3-(4-메틸페닐렌)]비스말레이미드, N,N'-(1,4-페닐렌)비스말레이미드, 비스(4-말레이미드페닐)메탄, 비스(3-메틸-4-말레이미드페닐)메탄, 3,3'-디메틸-5,5'-디에틸-4,4'-디페닐메탄비스말레이미드, 비스(4-말레이미드페닐)에테르, 비스(4-말레이미드페닐)술폰, 비스(4-말레이미드페닐)술피드, 비스(4-말레이미드페닐)케톤, 1,4-비스(4-말레이미드페닐)시클로헥산, 1,4-비스(말레이미드메틸)시클로헥산, 1,3-비스(4-말레이미드페녹시)벤젠, 1,3-비스(3-말레이미드페녹시)벤젠, 비스[4-(3-말레이미드페녹시)페닐]메탄, 비스[4-(4-말레이미드페녹시)페닐]메탄, 1,1-비스[4-(3-말레이미드페녹시)페닐]에탄, 1,1-비스[4-(4-말레이미드페녹시)페닐]에탄, 1,2-비스[4-(3-말레이미드페녹시)페닐]에탄, 1,2-비스[4-(4-말레이미드페녹시)페닐]에탄, 2,2-비스[4-(3-말레이미드페녹시)페닐]프로판, 2,2-비스[4-(4-말레이미드페녹시)페닐]프로판, 2,2-비스[4-(3-말레이미드페녹시)페닐]부탄, 2,2-비스[4-(4-말레이미드페녹시)페닐]부탄, 2,2-비스[4-(3-말레이미드페녹시)페닐]-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판, 2,2-비스[4-(4-말레이미드페녹시)페닐]-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판, 4,4'-비스(3-말레이미드페녹시)비페닐, 4,4'-비스(4-말레이미드페녹시)비페닐, 비스[4-(3-말레이미드페녹시)페닐]케톤, 비스[4-(4-말레이미드페녹시)페닐]케톤, 비스(4-말레이미드페닐)디술피드, 비스[4-(3-말레이미드페녹시)페닐]술피드, 비스[4-(4-말레이미드페녹시)페닐]술피드, 비스[4-(3-말레이미드페녹시)페닐]술폭시드, 비스[4-(4-말레이미드페녹시)페닐]술폭시드, 비스[4-(3-말레이미드페녹시)페닐]술폰, 비스[4-(4-말레이미드페녹시)페닐]술폰, 비스[4-(3-말레이미드페녹시)페닐]에테르, 비스[4-(4-말레이미드페녹시)페닐]에테르, 1,4-비스[4-(4-말레이미드페녹시)-α,α-디메틸벤질]벤젠, 1,3-비스[4-(4-말레이미드페녹시)-α,α-디메틸벤질]벤젠, 1,4-비스[4-(3-말레이미드페녹시)-α,α-디메틸벤질]벤젠, 1,3-비스[4-(3-말레이미드페녹시)-α,α-디메틸벤질]벤젠, 1,4-비스[4-(4-말레이미드페녹시)-3,5-디메틸-α,α -디메틸벤질]벤젠, 1,3-비스[4-(4-말레이미드페녹시)-3,5-디메틸-α,α-디메틸벤질]벤젠, 1,4-비스[4-(3-말레이미드페녹시)-3,5-디메틸-α,α-디메틸벤질]벤젠, 1,3-비스[4-(3-말레이미드페녹시)-3,5-디메틸-α,α-디메틸벤질]벤젠, 폴리페닐메탄말레이미드 등의 방향족 탄화수소기 함유 말레이미드를 들 수 있다.
이들 중에서도, 반응률이 높아, 보다 고내열성화할 수 있다는 관점에서는, 비스(4-말레이미드페닐)메탄, 비스(4-말레이미드페닐)술폰, 비스(4-말레이미드페닐)술피드, 비스(4-말레이미드페닐)디술피드, N,N'-(1,3-페닐렌)비스말레이미드, 2,2-비스[4-(4-말레이미드페녹시)페닐]프로판이 바람직하고, 저렴하다는 관점에서는, 비스(4-말레이미드페닐)메탄, N,N'-(1,3-페닐렌)비스말레이미드가 바람직하다.
(A) 말레이미드 화합물은, 상기 말레이미드 화합물(a1)과, 모노아민 화합물(a2) 및 디아민 화합물(a3)으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상을 반응시켜 얻어지는 화합물(이하, "변성 말레이미드 화합물"이라고도 한다)인 것이 바람직하며, 말레이미드 화합물(a1)과 모노아민 화합물(a2)와 디아민 화합물(a3)을 반응시켜 얻어지는 화합물, 말레이미드 화합물(a1)과 디아민 화합물(a3)을 반응시켜 얻어지는 화합물이 보다 바람직하다.
(모노아민 화합물(a2))
모노아민 화합물(a2)는, 아미노기를 1개 갖는 화합물이면 특별히 제한은 없지만, 고내열성, 저비유전율, 고동박 접착성 등의 관점에서, 산성 치환기를 갖는 모노아민 화합물이 바람직하고, 하기 일반식 (a2-1)로 표시되는 모노아민 화합물이 보다 바람직하다.
(식 중, RA4는, 수산기, 카르복시기 및 술폰산기에서 선택되는 산성 치환기를 나타낸다. RA5는, 탄소수 1~5의 알킬기 또는 할로겐 원자를 나타낸다. t는 1~5의 정수, u는 0~4의 정수이며, 또한, 1≤t+u≤5를 만족시킨다. 다만, t가 2~5의 정수인 경우, 복수의 RA4는 동일해도 되고, 상이해도 된다. 또한, u가 2~4의 정수인 경우, 복수의 RA5는 동일해도 되고, 상이해도 된다.)
RA4가 나타내는 산성 치환기로는, 용해성 및 반응성의 관점에서, 바람직하게는 수산기, 카르복시기이며, 내열성도 고려하면, 보다 바람직하게는 수산기이다.
t는 1~5의 정수이며, 고내열성, 저비유전율, 고동박 접착성 등의 관점에서, 바람직하게는 1~3의 정수, 보다 바람직하게는 1 또는 2, 더욱 바람직하게는 1이다.
RA5가 나타내는 탄소수 1~5의 알킬기로는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, t-부틸기, n-펜틸기 등을 들 수 있다. 그 알킬기로는, 바람직하게는 탄소수 1~3의 알킬기이다.
RA5가 나타내는 할로겐 원자로는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있다.
u는 0~4의 정수이며, 고내열성, 저비유전율, 고동박 접착성 등의 관점에서, 바람직하게는 0~3의 정수, 보다 바람직하게는 0~2의 정수, 더욱 바람직하게는 0 또는 1, 특히 바람직하게는 0이다.
모노아민 화합물(a2)로는, o-아미노페놀, m-아미노페놀, p-아미노페놀, o-아미노벤조산, m-아미노벤조산, p-아미노벤조산, o-아미노벤젠술폰산, m-아미노벤젠술폰산, p-아미노벤젠술폰산, 3,5-디히드록시아닐린, 3,5-디카르복시아닐린 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 내열성의 관점에서는, o-아미노페놀, m-아미노페놀, p-아미노페놀이 바람직하며, 유전 특성, 저열팽창성 및 제조 비용도 고려하면, p-아미노페놀이 보다 바람직하다.
모노아민 화합물(a2)는 1종을 단독으로 사용해도 되며, 2종 이상을 병용해도 된다.
(디아민 화합물(a3))
디아민 화합물(a3)은, 아미노기를 2개 갖는 화합물이면 특별히 제한은 없지만, 고내열성, 저비유전율, 고동박 접착성 등의 관점에서, 하기 일반식 (a3-1)로 나타내는 디아민 화합물, 및 후술하는 분자 말단에 아미노기를 갖는 변성 실록산 화합물인 것이 바람직하다.
(식 중, XA2는, 탄소수 1~3의 지방족 탄화수소기 또는 -O-를 나타낸다. RA6 및 RA7은, 각각 독립적으로, 탄소수 1~5의 알킬기, 할로겐 원자, 수산기, 카르복시기 또는 술폰산기를 나타낸다. v 및 w는, 각각 독립적으로, 0~4의 정수이다.)
XA2가 나타내는 탄소수 1~3의 지방족 탄화수소기로는, 메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기, 프로필리덴기 등을 들 수 있다.
XA2로는, 메틸렌기가 바람직하다.
RA6 및 RA7이 나타내는 탄소수 1~5의 알킬기로는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, t-부틸기, n-펜틸기 등을 들 수 있다. 그 알킬기로는, 바람직하게는 탄소수 1~3의 알킬기이다.
v 및 w는, 바람직하게는 0~2의 정수, 보다 바람직하게는 0 또는 1, 더욱 바람직하게는 0이다.
상기 분자 말단에 아미노기를 갖는 변성 실록산 화합물로는, 하기 일반식 (a3-2)로 표시되는 디아민 화합물을 들 수 있다.
(식 중, RA8~RA11은, 각각 독립적으로, 탄소수 1~5의 알킬기, 페닐기 또는 치환기를 갖는 페닐기를 나타낸다. RA12 및 RA13은, 각각 독립적으로, 2가의 유기기를 나타내며, m은 2~100의 정수이다.)
RA8~RA11이 나타내는 탄소수 1~5의 알킬기로는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, t-부틸기, n-펜틸기 등을 들 수 있다. 그 알킬기로는, 탄소수 1~3의 알킬기가 바람직하며, 메틸기가 보다 바람직하다.
치환기를 갖는 페닐기에 있어서의 치환기로는, 탄소수 1~5의 알킬기, 탄소수 2~5의 알케닐기, 탄소수 2~5의 알키닐기 등을 들 수 있다. 그 탄소수 1~5의 알킬기로는, 상기한 것과 동일한 것을 들 수 있다. 그 탄소수 2~5의 알케닐기로는, 비닐기, 알릴기 등을 들 수 있다. 탄소수 2~5의 알키닐기로는, 에티닐기, 프로파르길기 등을 들 수 있다.
RA12 및 RA13이 나타내는 2가의 유기기로는, 알킬렌기, 알케닐렌기, 알키닐렌기, 아릴렌기, -O- 또는 이들이 조합된 2가의 연결기 등을 들 수 있다. 그 알킬렌기로는, 메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기 등의 탄소수 1~10의 알킬렌기를 들 수 있다. 그 알케닐렌기로는, 탄소수 2~10의 알케닐렌기를 들 수 있다. 그 알키닐렌기로는, 탄소수 2~10의 알키닐렌기를 들 수 있다. 그 아릴렌기로는, 페닐렌기, 나프틸렌기 등의 탄소수 6~20의 아릴렌기를 들 수 있다.
이들 중에서도, RA12 및 RA13으로는, 알킬렌기, 아릴렌기가 바람직하다.
m은, 바람직하게는 2~50의 정수, 보다 바람직하게는 3~40의 정수, 더욱 바람직하게는 5~30의 정수이다.
디아민 화합물(a3)으로는, 구체적으로는, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐에탄, 4,4'-디아미노디페닐프로판, 2,2'-비스(4,4'-디아미노디페닐)프로판, 3,3'-디메틸-4,4'-디아미노디페닐메탄, 3,3'-디에틸-4,4'-디아미노디페닐메탄, 3,3'-디메틸-4,4'-디아미노디페닐에탄, 3,3'-디에틸-4,4'-디아미노디페닐에탄, 4,4'-디아미노디페닐에테르, 4,4'-디아미노디페닐티오에테르, 3,3'-디히드록시-4,4'-디아미노디페닐메탄, 2,2',6,6'-테트라메틸-4,4'-디아미노디페닐메탄, 3,3'-디클로로-4,4'-디아미노디페닐메탄, 3,3'-디브로모-4,4'-디아미노디페닐메탄, 2,2',6,6'-테트라클로로-4,4'-디아미노디페닐메탄, 2,2',6,6'-테트라브로모-4,4'-디아미노디페닐메탄, 상기한 분자 말단에 아미노기를 갖는 변성 실록산 화합물 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 저렴하다는 관점에서는, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 3,3'-디에틸-4,4'-디아미노디페닐메탄, 분자 말단에 아미노기를 갖는 변성 실록산 화합물이 바람직하다.
디아민 화합물(a3)은 1종을 단독으로 사용해도 되며, 2종 이상을 병용해도 된다.
말레이미드 화합물(a1)과, 모노아민 화합물(a2) 및 디아민 화합물(a3)으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상의 반응은, 바람직하게는 유기 용매의 존재하, 반응 온도 70~200℃에서 0.1~10시간 반응시킴으로써 실시하는 것이 바람직하다. 반응 온도는, 보다 바람직하게는 70~160℃, 더욱 바람직하게는 70~130℃, 특히 바람직하게는 80~120℃이다.
반응 시간은, 보다 바람직하게는 1~8시간, 더욱 바람직하게는 2~6시간이다.
상기 변성 말레이미드 화합물의 제조에 있어서의, (a1) 성분과, (a2) 성분 및 (a3) 성분으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종의 반응에 있어서, 3자의 사용량은, (a2) 성분 및 (a3) 성분으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상이 갖는 -NH2기 당량(제1 급 아미노기 당량)의 총합과, (a1) 성분의 말레이미드기 당량의 관계가, 하기 식을 만족시키는 것이 바람직하다.
0.1≤[말레이미드기 당량]/[-NH2기 당량의 총합]≤10
[말레이미드기 당량]/[-NH2기 당량의 총합]을 0.1 이상으로 함으로써, 겔화 및 내열성의 저하가 억제되고, 또한, 10 이하로 함으로써, 유기 용매에 대한 용해성, 동박 접착성 및 내열성이 양호해진다.
상기 3자의 사용량은, 동일한 관점에서, 보다 바람직하게는,
1≤[말레이미드기 당량]/[-NH2기 당량의 총합]≤9를 만족시키고,
더욱 바람직하게는,
2≤[말레이미드기 당량]/[-NH2기 당량의 총합]≤8을 만족시킨다.
또한, 변성 말레이미드 화합물이, (a1) 성분과 (a2) 성분과 (a3) 성분을 반응시켜 얻어지는 화합물인 경우, (a2) 성분에서 유래하는 구조 단위와 (a3) 성분에서 유래하는 구조 단위의 비율(몰비)은, 바람직하게는 0.9~5.0, 보다 바람직하게는 1.0~4.5, 더욱 바람직하게는 1.0~4.0이다.
변성 말레이미드 화합물의 중량 평균 분자량(Mw)은, 바람직하게는 400~3,500, 보다 바람직하게는 600~2,000, 더욱 바람직하게는 800~1,500이다.
또한, 본 명세서에 있어서의 중량 평균 분자량(Mw)은, 용리액으로서 테트라히드로푸란을 사용한 겔퍼미에이션 크로마토그래피(GPC)법(표준 폴리스티렌 환산)으로 측정된 값이며, 보다 구체적으로는 실시예에 기재된 방법에 의해 측정된 값이다.
[(B) 에폭시 수지]
(B) 에폭시 수지로는, 글리시딜에테르 타입의 에폭시 수지, 글리시딜아민 타입의 에폭시 수지, 글리시딜에스테르 타입의 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 글리시딜에테르 타입의 에폭시 수지가 바람직하다.
(B) 에폭시 수지는, 주골격의 차이에 따라서도 여러 가지 에폭시 수지로 분류되며, 상기 각각의 타입의 에폭시 수지에 있어서, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지 등의 비스페놀형 에폭시 수지; 비페닐아랄킬노볼락형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 알킬페놀노볼락형 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 나프톨알킬페놀 공중합 노볼락형 에폭시 수지, 나프톨아랄킬크레졸 공중합 노볼락형 에폭시 수지, 비스페놀 A 노볼락형 에폭시 수지, 비스페놀 F 노볼락형 에폭시 수지 등의 노볼락형 에폭시 수지; 스틸벤형 에폭시 수지; 트리아진 골격 함유 에폭시 수지; 플루오렌 골격 함유 에폭시 수지; 나프탈렌형 에폭시 수지; 안트라센형 에폭시 수지; 트리페닐메탄형 에폭시 수지; 비페닐형 에폭시 수지; 자일릴렌형 에폭시 수지; 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지 등의 지환식 에폭시 수지 등으로 더 분류된다.
(B) 에폭시 수지는, 1종을 단독으로 사용해도 되며, 2종 이상을 병용해도 된다.
(B) 에폭시 수지의 에폭시 당량은, 바람직하게는 100~500 g/eq, 보다 바람직하게는 120~400 g/eq, 더욱 바람직하게는 140~300 g/eq, 특히 바람직하게는 170~240 g/eq이다.
여기서, 에폭시 당량은, 에폭시기당 수지의 질량(g/eq)이며, JIS K 7236(2001년)에 규정된 방법에 따라 측정할 수 있다. 구체적으로는, 주식회사 미츠비시 케미컬 아날리테크 제의 자동 적정 장치 "GT-200형"을 이용하여, 200 ml 비커에 에폭시 수지 2g을 칭량하고, 메틸에틸케톤 90 ml를 적하하여, 초음파 세정기 용해 후, 빙초산 10 ml 및 브롬화세틸트리메틸암모늄 1.5g을 첨가하여, 0.1 mol/L의 과염소산/아세트산 용액으로 적정함으로써 구해진다.
[(C) 특정 공중합 수지]
(C) 성분은, 치환 비닐 화합물에서 유래하는 구조 단위와 무수 말레산에서 유래하는 구조 단위를 갖는 공중합 수지(이하, "(C) 공중합 수지"라고도 한다)이다.
치환 비닐 화합물로는, 방향족 비닐 화합물, 지방족 비닐 화합물, 관능기 치환 비닐 화합물 등을 들 수 있다. 방향족 비닐 화합물로는, 스티렌, 1-메틸스티렌, 비닐톨루엔, 디메틸스티렌 등을 들 수 있다. 지방족 비닐 화합물로는, 프로필렌, 부타디엔, 이소부틸렌 등을 들 수 있다. 관능기 치환 비닐 화합물로는, 아크릴로니트릴; 메틸아크릴레이트, 메틸메타크릴레이트 등의 (메타)아크릴로일기를 갖는 화합물 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 방향족 비닐 화합물이 바람직하며, 스티렌이 보다 바람직하다.
(C) 성분으로는, 치환 비닐 화합물에서 유래하는 구조 단위로서, 하기 일반식 (C-i)로 표시되는 구조 단위와, 무수 말레산에서 유래하는 구조 단위로서, 하기 식 (C-ii)로 표시되는 구조 단위를 갖는 공중합 수지가 바람직하다.
(C) 성분은, 1종을 단독으로 사용해도 되며, 2종 이상을 병용해도 된다.
(식 중, RC1은, 수소 원자 또는 탄소수 1~5의 알킬기이며, RC2는, 탄소수 1~5의 알킬기, 탄소수 2~5의 알케닐기, 탄소수 6~20의 아릴기, 수산기 또는 (메타)아크릴로일기이다. x는, 0~3의 정수이다. 다만, x가 2 또는 3인 경우, 복수의 RC2는 동일해도 되며, 상이해도 된다.)
RC1 및 RC2가 나타내는 탄소수 1~5의 알킬기로는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, t-부틸기, n-펜틸기 등을 들 수 있다. 그 알킬기로는, 바람직하게는 탄소수 1~3의 알킬기이다.
RC2가 나타내는 탄소수 2~5의 알케닐기로는, 알릴기, 크로틸기 등을 들 수 있다. 그 알케닐기로는, 바람직하게는 탄소수 3 또는 4의 알케닐기이다.
RC2가 나타내는 탄소수 6~20의 아릴기로는, 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 비페닐릴기 등을 들 수 있다. 그 아릴기로는, 바람직하게는 탄소수 6~10의 아릴기이다. x는, 바람직하게는 0 또는 1, 보다 바람직하게는 0이다.
(C) 공중합 수지 중에 있어서의, 치환 비닐 화합물에서 유래하는 구조 단위와 무수 말레산에서 유래하는 구조 단위의 함유 비율 [치환 비닐 화합물에서 유래하는 구조 단위/무수 말레산에서 유래하는 구조 단위](몰비)는, 바람직하게는 1~9, 보다 바람직하게는 2~9, 더욱 바람직하게는 3~8이다. 상기 함유 비율이 상기 하한치 이상이면, 유전 특성의 개선 효과가 충분해지는 경향이 있으며, 상기 상한치 이하이면, 다른 수지 성분과의 상용성이 양호해지는 경향이 있다.
(C) 공중합 수지 중에 있어서의, 치환 비닐 화합물에서 유래하는 구조 단위와 무수 말레산에서 유래하는 구조 단위의 합계 함유량은, 바람직하게는 50 질량% 이상, 보다 바람직하게는 70 질량% 이상, 더욱 바람직하게는 90 질량% 이상, 특히 바람직하게는 실질적으로 100 질량%이다.
(C) 공중합 수지의 중량 평균 분자량(Mw)은, 바람직하게는 4,500~18,000, 보다 바람직하게는 6,000~17,000, 더욱 바람직하게는 8,000~16,000, 특히 바람직하게는 8,000~15,000이다.
[(D) 무기 충전재]
열경화성 수지 조성물은, (D) 무기 충전재를 더 함유하고 있어도 된다.
(D) 무기 충전재로는, 실리카, 알루미나, 산화티탄, 마이카, 베릴리아, 티탄산바륨, 티탄산칼륨, 티탄산스트론튬, 티탄산칼슘, 탄산알루미늄, 수산화마그네슘, 수산화알루미늄, 규산알루미늄, 탄산칼슘, 규산칼슘, 규산마그네슘, 질화규소, 질화붕소, 소성 클레이 등의 클레이, 탈크, 붕산알루미늄, 탄화규소, 석영 분말, 유리 단섬유, 유리 미분말, 중공 유리 등을 들 수 있다. 유리로는, E 유리, T 유리, D 유리 등을 들 수 있다.
(D) 무기 충전재는, 1종을 단독으로 사용해도 되며, 2종 이상을 병용해도 된다.
이들 중에서도, 유전 특성, 내열성 및 저열팽창성의 관점에서, 실리카가 바람직하다. 실리카로는, 예를 들어, 습식법으로 제조되어 함수율이 높은 침강 실리카와, 건식법으로 제조되어 결합수 등을 거의 포함하지 않는 건식법 실리카를 들 수 있으며, 건식법 실리카는, 제조법의 차이에 따라, 파쇄 실리카, 흄드 실리카, 용융 구상 실리카 등으로 더 분류된다. 이들 중에서도, 저열팽창성 및 수지에 충전하였을 때의 유동성의 관점에서, 용융 구상 실리카가 바람직하다.
(D) 무기 충전재의 평균 입자경은, 바람직하게는 0.1~10 μm, 보다 바람직하게는 0.3~8 μm, 더욱 바람직하게는 0.5~2 μm이다. 평균 입자경이 0.1 μm 이상이면, 수지에 고충전하였을 때의 유동성을 양호하게 유지할 수 있으며, 10 μm 이하이면, 조대 입자의 혼입 확률을 저감시켜, 조대 입자 기인의 불량 발생을 억제할 수 있다. 여기서, 본 발명에 있어서의 평균 입자경이란, 입자의 전체적을 100%로 하여 입자경에 의한 누적 도수 분포 곡선을 구하였을 때, 체적 50%에 상당하는 점의 입자경을 말하며, 레이저 회절 산란법을 이용한 입도 분포 측정 장치 등으로 측정할 수 있다.
(D) 무기 충전재로서, 아미노실란계 커플링제로 처리된 실리카를 사용하면, 저열팽창성이 향상되는 동시에, 상기 (A)~(C) 성분과의 밀착성이 향상됨으로써 실리카의 탈락이 억제되기 때문에, 과잉 디스미어(desmear)에 의한 레이저 비어 형상의 변형 등을 억제하는 효과가 얻어지기 때문에 바람직하다.
아미노실란계 커플링제는, 아미노기를 1개 가지고 있어도 되고, 2개 가지고 있어도 되고, 3개 이상 가지고 있어도 되지만, 통상은, 아미노기를 1개 또는 2개 갖는다.
아미노기를 1개 갖는 아미노실란계 커플링제로는, 3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리에톡시실란, N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-트리에톡시실릴-N-(1,3-디메틸-부틸리덴)프로필아민, 2-프로피닐[3-(트리메톡시실릴)프로필]카바메이트 등을 들 수 있다.
아미노기를 2개 갖는 아미노실란계 커플링제로는, N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필메틸디메톡시실란, N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필트리메톡시실란, 1-[3-(트리메톡시실릴)프로필]우레아, 1-[3-(트리에톡시실릴)프로필]우레아 등을 들 수 있다.
아미노실란계 커플링제는, 1종을 단독으로 사용해도 되며, 2종 이상을 병용해도 된다.
[(E) 경화제]
열경화성 수지 조성물은, (E) 경화제를 더 함유해도 된다. (E) 경화제로는, 디시안디아미드; 에틸렌디아민, 디에틸렌트리아민, 트리에틸렌테트라민, 테트라에틸렌펜타민, 헥사메틸렌디아민, 디에틸아미노프로필아민, 테트라메틸구아니딘, 트리에탄올아민 등의, 디시안디아미드를 제외한 쇄상(鎖狀) 지방족 아민; 이소포론디아민, 디아미노디시클로헥실메탄, 비스(아미노메틸)시클로헥산, 비스(4-아미노-3-메틸디시클로헥실)메탄, N-아미노에틸피페라진, 3,9-비스(3-아미노프로필)-2,4,8, 10-테트라옥사스피로[5.5]운데칸 등의 환상(環狀) 지방족 아민; 자일렌디아민, 페닐렌디아민, 디아미노디페닐메탄, 디아미노디페닐술폰 등의 방향족 아민 등을 들 수 있다.
(E) 경화제는, 1종을 단독으로 사용해도 되며, 2종 이상을 병용해도 된다.
[(F) 열가소성 엘라스토머]
열경화성 수지 조성물은, (F) 열가소성 엘라스토머를 더 함유해도 된다.
(F) 열가소성 엘라스토머로는, 스티렌계 엘라스토머, 올레핀계 엘라스토머, 우레탄계 엘라스토머, 폴리에스테르계 엘라스토머, 폴리아미드계 엘라스토머, 아크릴계 엘라스토머, 실리콘계 엘라스토머, 이들의 유도체 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 스티렌계 엘라스토머가 바람직하다.
(F) 열가소성 엘라스토머는, 1종을 단독으로 사용해도 되며, 2종 이상을 병용해도 된다.
다만, 본 실시형태에 있어서, (F) 열가소성 엘라스토머의 정의에는, 상기 (C) 성분을 포함하지 않는 것으로 한다.
(F) 열가소성 엘라스토머는, 분자 말단 또는 분자쇄 중에 반응성 관능기를 갖는 것이 바람직하다. 반응성 관능기로는, 에폭시기, 수산기, 카르복시기, 아미노기, 아미드기, 이소시아네이트기, 아크릴기, 메타크릴기, 비닐기 등을 들 수 있다. 이들 반응성 관능기를 분자 말단 또는 분자쇄 중에 가짐으로써, 다른 수지 성분과의 상용성이 향상되어, 기판의 내열성을 향상시키는 것이 가능하게 된다. 이들 반응성 관능기 중에서도, 동박과의 밀착성의 관점에서, 카르복시기, 아미노기, 수산기가 바람직하다.
스티렌계 엘라스토머로는, 스티렌-부타디엔-스티렌 블록 코폴리머 등의 스티렌-부타디엔 공중합체; 스티렌-이소프렌-스티렌 블록 코폴리머 등의 스티렌-이소프렌 공중합체; 스티렌-에틸렌-부틸렌-스티렌 블록 코폴리머, 스티렌-에틸렌-프로필렌-스티렌 블록 코폴리머 등을 들 수 있다. 스티렌계 엘라스토머의 원료 모노머로는, 스티렌 외에, α-메틸스티렌, 3-메틸스티렌, 4-프로필스티렌, 4-시클로헥실스티렌 등의 스티렌 유도체를 사용할 수 있다. 이들 중에서도, 스티렌-부타디엔 공중합체, 스티렌-이소프렌 공중합체가 바람직하고, 이들 공중합체의 이중 결합 부분을 수소 첨가한 수첨 스티렌-부타디엔 공중합 수지, 수첨 스티렌-이소프렌 공중합 수지 등의 수첨 스티렌계 열가소성 엘라스토머가 보다 바람직하다.
[(G) 경화 촉진제]
열경화성 수지 조성물은, 경화 반응을 촉진하는 관점에서, (G) 경화 촉진제를 더 함유하고 있어도 된다.
(G) 경화 촉진제로는, 트리페닐포스핀 등의 유기 인계 화합물; 이미다졸류 및 그 유도체; 제2 급 아민류, 제3 급 아민류, 제4 급 암모늄염 등의 함질소 화합물; 디쿠밀퍼옥사이드, 2,5-디메틸-2,5-비스(t-부틸퍼옥시)헥신-3,2,5-디메틸-2,5-비스(t-부틸퍼옥시)헥산, α,α'-비스(t-부틸퍼옥시)디이소프로필벤젠 등의 유기 과산화물; 나프텐산아연, 나프텐산코발트, 옥틸산주석, 옥틸산코발트 등의 유기 금속염 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 유기 인계 화합물이 바람직하다.
(G) 경화 촉진제는, 1종을 단독으로 사용해도 되며, 2종 이상을 병용해도 된다.
(열경화성 수지 조성물의 각 성분의 함유량)
열경화성 수지 조성물 중에 있어서의 각 성분의 함유량은, 특별히 제한되지 않지만, 예를 들어, 이하에 기재하는 범위로 할 수 있다.
열경화성 수지 조성물이 (A) 성분을 함유하는 경우, 그 함유량은, 열경화성 수지 조성물에 함유되는 수지 성분 총량 100 질량부에 대하여, 바람직하게는 10~90 질량부, 보다 바람직하게는 20~85 질량부, 더욱 바람직하게는 40~80 질량부이다. (A) 성분의 함유량이 상기 하한치 이상이면, 내열성, 비유전율, 유리 전이 온도 및 저열팽창성이 우수한 경향이 있다. 한편, 상기 상한치 이하이면, 유동성 및 성형성이 우수한 경향이 있다.
열경화성 수지 조성물이 (B) 성분을 함유하는 경우, 그 함유량은, 열경화성 수지 조성물에 함유되는 수지 성분 총량 100 질량부에 대하여, 바람직하게는 5~50 질량부, 보다 바람직하게는 10~40 질량부, 더욱 바람직하게는 20~35 질량부이다. (B) 성분의 함유량이 상기 하한치 이상이면, 내열성, 유리 전이 온도 및 저열팽창성이 우수한 경향이 있다. 한편, 상기 상한치 이하이면, 내열성, 비유전율, 유리 전이 온도 및 저열팽창성이 우수한 경향이 있다.
열경화성 수지 조성물이 (C) 성분을 함유하는 경우, 그 함유량은, 열경화성 수지 조성물에 함유되는 수지 성분 총량 100 질량부에 대하여, 바람직하게는 2~40 질량부, 보다 바람직하게는 5~35 질량부, 더욱 바람직하게는 10~30 질량부이다. (C) 성분의 함유량이 상기 하한치 이상이면, 내열성 및 비유전율이 우수한 경향이 있다. 한편, 상기 상한치 이하이면, 내열성, 동박 접착성 및 저열팽창성이 우수한 경향이 있다.
열경화성 수지 조성물이 (D) 성분을 함유하는 경우, 그 함유량은, 열경화성 수지 조성물에 함유되는 수지 성분 총량 100 질량부에 대하여, 바람직하게는 30~200 질량부, 보다 바람직하게는 40~150 질량부, 더욱 바람직하게는 45~120 질량부이다. (D) 성분의 함유량이 상기 하한치 이상이면, 저열팽창성이 우수한 경향이 있다. 한편, 상기 상한치 이하이면, 내열성, 유동성 및 성형성이 우수한 경향이 있다.
열경화성 수지 조성물이 (E) 성분을 함유하는 경우, 그 함유량은, 열경화성 수지 조성물에 함유되는 수지 성분 총량 100 질량부에 대하여, 바람직하게는 0.1~10 질량부, 보다 바람직하게는 0.5~5 질량부, 더욱 바람직하게는 1~3 질량부이다. (E) 성분의 함유량이 상기 하한치 이상이면, 동박 접착성 및 저열팽창성이 우수한 경향이 있다. 한편, 상기 상한치 이하이면, 내열성이 우수한 경향이 있다.
열경화성 수지 조성물이 (F) 성분을 함유하는 경우, 그 함유량은, 열경화성 수지 조성물에 함유되는 수지 성분 총량 100 질량부에 대하여, 바람직하게는 2~30 질량부, 보다 바람직하게는 5~20 질량부, 더욱 바람직하게는 7~15 질량부이다. (F) 성분의 함유량이, 상기 하한치 이상이면, 비유전율이 우수한 경향이 있다. 한편, 상기 상한치 이하이면, 내열성 및 동박 접착성이 우수한 경향이 있다.
열경화성 수지 조성물이 (G) 성분을 함유하는 경우, 그 함유량은, 열경화성 수지 조성물에 함유되는 수지 성분 총량 100 질량부에 대하여, 바람직하게는 0.05~5 질량부, 보다 바람직하게는 0.1~3 질량부, 더욱 바람직하게는 0.2~1 질량부이다.
(그 밖의 성분)
열경화성 수지 조성물은, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서, 난연제, 착색제, 산화 방지제, 환원제, 자외선 흡수제, 형광 증백제, 밀착성 향상제, 유기 충전재 등의 그 밖의 성분을 더 함유하고 있어도 된다. 이들은, 각각에 대하여, 1종을 단독으로 사용해도 되며, 2종 이상을 병용해도 된다.
[프리프레그의 제조 방법]
절연층이 프리프레그를 경화하여 이루어지는 것인 경우, 그 프리프레그는, 예를 들어, 상기 열경화성 수지 조성물을, 시트상 보강 기재에 함침 또는 도공하여, 가열 등에 의해 반경화(B 스테이지화)시켜 제조할 수 있다.
시트상 보강 기재에 열경화성 수지 조성물을 함침 또는 도공할 때, 열경화성 수지 조성물은, 메틸에틸케톤 등의 유기 용매에 의해 희석된 바니시 상태여도 된다. 바니시 중의 불휘발분 농도는, 예를 들어, 40~80 질량%이며, 바람직하게는 50~75 질량%이다.
함침 후의 건조 조건은 특별히 한정되지 않지만, 가열 온도는, 예를 들어, 120~200℃, 바람직하게는 140~180℃이며, 가열 시간은, 예를 들어, 30초~30분간, 바람직하게는 1~10분간이다.
프리프레그의 시트상 보강 기재로는, 각종 전기 절연 재료용 적층판에 사용되고 있는 주지된 것을 사용할 수 있다. 시트상 보강 기재의 재질로는, 종이, 코튼린터 등의 천연 섬유; 유리 섬유, 아스베스토 등의 무기물 섬유; 아라미드, 폴리이미드, 폴리비닐알코올, 폴리에스테르, 테트라플루오로에틸렌, 아크릴 등의 유기 섬유; 이들의 혼합물 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 난연성의 관점에서, 유리 섬유가 바람직하다. 유리 섬유 기재로는, E 유리, C 유리, D 유리, S 유리 등을 사용한 유리천 또는 단섬유를 유기 바인더로 접착한 유리천; 유리 섬유와 셀룰로오스 섬유를 혼초(混抄)한 것 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, E 유리를 사용한 유리천이 바람직하다.
이들 시트상 보강 기재는, 직포, 부직포, 로빙, 촙드 스트랜드 매트(chopped strand mat) 또는 서페이싱 매트(surfacing mat) 등의 형상을 갖는다. 또한, 재질 및 형상은, 목적으로 하는 성형물의 용도, 성능 등에 따라 선택되며, 1종을 단독으로 사용해도 되고, 필요에 따라, 2종 이상의 재질 및 형상을 조합할 수도 있다.
프리프레그의 두께는, 성형성 및 고밀도 배선을 가능하게 하는 관점에서, 바람직하게는 0.01~0.5 mm, 보다 바람직하게는 0.02~0.3 mm, 더욱 바람직하게는 0.05~0.2 mm이다.
구리 피복 적층판에 포함되는 절연층의 두께는, 성형성 및 고밀도 배선을 가능하게 하는 관점에서, 바람직하게는 0.01~0.5 mm, 보다 바람직하게는 0.02~0.3 mm, 더욱 바람직하게는 0.05~0.2 mm이다.
[구리 피복 적층판의 제조 방법]
본 실시형태의 구리 피복 적층판의 제조 방법은, 상기 절연층이, 열경화성 수지를 함유하는 프리프레그를 경화하여 이루어지는 층이며, 상기 프리프레그 또는 상기 프리프레그를 경화하여 이루어지는 절연층과 상기 표면 처리 동박(I)을 접합한 상태에서, 210℃ 이상으로 가열하는 공정을 갖는, 구리 피복 적층판의 제조 방법이다.
또한, "210℃ 이상으로 가열하는 공정"이란, 제품 온도(즉, 절연층과 표면 처리 동박(I)을 접합하여 이루어지는 적층체)가 210℃ 이상이 되는 것을 의미한다. 제품 온도를 210℃ 이상으로 하기 위해서는, 예를 들어, 사용하는 가열 장치의 설정을 210℃ 이상으로 하면 된다.
상기 가열하는 공정에 있어서의 가열 온도는, 생산성을 높이는 관점에서, 215℃ 이상이 보다 바람직하며, 220℃ 이상이 더욱 바람직하다. 또한, 가열 온도는, 균일한 경화 반응을 발생시키는 관점에서, 300℃ 이하가 바람직하며, 250℃ 이하가 보다 바람직하다.
적층판의 성형 조건으로는, 전기 절연 재료용 적층판 및 다층판의 공지된 성형 수법을 적용할 수 있으며, 예를 들어, 다단 프레스, 다단 진공 프레스, 연속 성형, 오토클레이브 성형기 등을 사용하여, 상기 가열 온도에 있어서, 압력 0.2~10 MPa, 가열 시간 0.1~5시간의 조건으로 성형할 수 있다.
[프린트 배선판］
본 실시형태의 프린트 배선판은, 본 실시형태의 구리 피복 적층판을 사용하여 이루어지는 프린트 배선판이다.
본 실시형태의 프린트 배선판은, 구리 피복 적층판의 동박에 대하여 회로 가공을 실시함으로써 제조할 수 있다. 회로 가공은, 예를 들어, 동박 표면에 레지스트 패턴을 형성 후, 에칭에 의해 불필요 부분의 동박을 제거하고, 레지스트 패턴을 제거 후, 드릴에 의해 필요한 스루홀을 형성하고, 다시 레지스트 패턴을 형성 후, 스루홀에 도통시키기 위한 도금을 실시하고, 마지막으로 레지스트 패턴을 제거하여 실시할 수 있다. 얻어진 프린트 배선판의 표면에 구리 피복 적층판을 상기와 동일한 조건으로 적층 및 회로 가공하는 공정을 필요 횟수 더 반복하여, 다층 프린트 배선판으로 할 수 있다.
[반도체 패키지]
본 실시형태의 반도체 패키지는, 본 실시형태의 프린트 배선판에 반도체 소자를 탑재하여 이루어지는 것이다. 본 실시형태의 반도체 패키지는, 본 실시형태의 프린트 배선판의 소정 위치에, 반도체 칩, 메모리 등을 탑재하여 제조할 수 있다.
실시예
다음으로, 하기의 실시예에 의해 본 발명을 더욱 상세하게 설명하지만, 이들 실시예는 본 발명을 어떠한 의미에 있어서도 제한하는 것은 아니다.
[평가 방법]
<내블리스터성>
각 예에서 제작한 4층 구리 피복 적층판을 사용하여, 최고 도달 온도를 266℃로 하고, 260℃ 이상의 항온조 환경하에서 50초간 4층 구리 피복 적층판을 흐르게 하는 것을 1사이클로 하고, 육안으로 블리스터의 발생이 확인될 때까지의 사이클수를 구하여, 이하의 기준에 기초하여 평가하였다. 사이클수가 많을수록, 내열성이 우수하다.
(평가 기준)
A: 20회 초과
B: 15회 초과, 20회 이하
C: 5회 초과, 15회 이하
D: 3회 초과, 5회 이하
E: 2회 이상, 3회 이하
F: 1회 이하
제조예 1
(프리프레그 A의 제작)
프리프레그 A를 제작하는 데 있어서, 하기에 나타내는 각 성분을 준비하였다.
(A) 성분: 하기 방법으로 제조한 말레이미드 화합물의 용액
온도계, 교반 장치 및 환류 냉각관이 부착된 수분 정량기를 구비한 용적 1L의 반응 용기에, 4,4'-디아미노디페닐메탄 19.2g, 비스(4-말레이미드페닐)메탄 174.0g, p-아미노페놀 6.6g 및 디메틸아세트아미드 330.0g을 넣고, 100℃에서 2시간 반응시켜, 변성 말레이미드 화합물로 하고, 산성 치환기와 N-치환 말레이미드기를 갖는 말레이미드 화합물(Mw=1,370)의 디메틸아세트아미드 용액을 얻어, (A) 성분으로서 사용하였다.
또한, 상기 중량 평균 분자량(Mw)은, 겔퍼미에이션 크로마토그래피(GPC)에 의해, 표준 폴리스티렌을 사용한 검량선으로부터 환산하였다. 검량선은, 표준 폴리스티렌: TSKstandard POLYSTYRENE(Type; A-2500, A-5000, F-1, F-2, F-4, F-10, F-20, F-40) [토소 주식회사 제]을 이용하여 3차식으로 근사하였다. GPC의 조건은, 이하에 나타낸다.
장치: (펌프: L-6200형 [주식회사 히타치 하이테크놀로지즈 제]),
(검출기: L-3300형 RI[주식회사 히타치 하이테크놀로지즈 제]),
(컬럼 오븐: L-655A-52[주식회사 히타치 하이테크놀로지즈 제])
컬럼; TSKgel SuperHZ2000+TSKgel SuperHZ2300(모두 토소 주식회사 제)
컬럼 사이즈: 6.0×40 mm(가드 컬럼), 7.8×300 mm(컬럼)
용리액: 테트라히드로푸란
시료 농도: 20 mg/5 mL
주입량: 10 μL
유량: 0.5 mL/분
측정 온도 : 40℃
(B) 성분: 크레졸노볼락형 에폭시 수지 "EPICLON(등록상표) N-673"(DIC 주식회사 제)
(C) 성분: "SMA(등록상표) EF40" (스티렌/무수 말레산 몰비=4, Mw=11,000, CRAY VALLEY사 제)
(D) 성분: 아미노실란계 커플링제에 의해 처리된 용융 실리카, 평균 입자경: 1.9 μm, 비표면적: 5.8 ㎡/g
(E) 성분: 디시안디아미드
다음으로, 상기 (A) 성분을 45 질량부, (B) 성분을 30 질량부, (C) 성분을 25 질량부, (D) 성분을, 수지 성분 총량[(A)~(C) 성분의 총합] 100 질량부에 대하여 50 질량부, (E) 성분을, 상기 수지 성분 총량 100 질량부에 대하여, 2 질량부 배합하고, 용액의 불휘발분이 67 질량%가 되도록 메틸에틸케톤을 더 추가하여, 수지 바니시를 조제하였다. 또한, 상기한 각 성분의 배합량은, 모두 고형분의 질량부이며, 용액(유기 용매를 제외한다) 또는 분산액의 경우는 고형분 환산량이다.
얻어진 각 수지 바니시를 IPC 규격 #3313의 유리천(두께: 0.1 mm)에 함침시키고, 160℃에서 4분간 건조시켜 프리프레그 A를 얻었다.
제조예 2
(프리프레그 B의 제작)
프리프레그 B를 제작하는 데 있어서, 하기에 나타내는 각 성분을 준비하였다.
(A) 성분: 하기 방법으로 제조한 변성 말레이미드 화합물의 용액
온도계, 교반 장치 및 환류 냉각관 부착 수분 정량기가 부착된 가열 및 냉각 가능한 용적 2리터의 반응 용기에, 양 말단 디아민 변성 실록산(신에츠 화학공업 주식회사 제, 상품명: X-22-161A) 15.9g과, 3,3'-디에틸-4,4'-디아미노디페닐메탄 28.6g과, 비스(4-말레이미드페닐)메탄 280.5g과, 프로필렌글리콜모노메틸에테르 200.0g을 넣고, 126℃에서 환류시키면서 5시간 반응시켜 변성 말레이미드 화합물의 용액을 얻었다.
(C) 성분: "SMA(등록상표) EF80" (스티렌/무수 말레산 몰비=8)(사토마사 제)
(D) 성분: 구상 용융 실리카(평균 입자경: 0.5 μm)
(F) 성분: "터프테크 M1913" (카르복실산 변성 수첨 스티렌-부타디엔 공중합 수지)(스티렌량: 30 질량%)(아사히카세이 케미컬즈 주식회사 제)
(G) 성분: 테트라페닐포스포늄테트라-p-톨릴보레이트
(H) 성분: PX-200: 방향족 인산에스테르(인 함유량: 9 질량%)(다이하치 화학공업 주식회사 제)
상기 (A) 성분을 80 질량부, (C) 성분을 10 질량부, (F) 성분을 10 질량부, (H) 성분을, 수지 성분 총량 [(A) 성분, (C) 성분 및 (F) 성분의 총합] 100 질량부에 대하여 2 질량부, (G) 성분을, 상기 수지 성분 총량 100 질량부에 대하여 0.5 질량부, (D) 성분을, 상기 수지 성분 총량 100 질량부에 대하여 100 질량부 배합하고, 용액의 불휘발분이 60 질량%가 되도록 톨루엔을 더 추가하여, 수지 바니시를 조제하였다. 또한, 상기한 각 성분의 배합량은, 모두 고형분의 질량부이며, 용액(유기 용매를 제외한다) 또는 분산액의 경우는 고형분 환산량이다.
얻어진 각 수지 바니시를 IPC 규격 #3313의 유리천(두께: 0.1 mm)에 함침시키고, 160℃에서 4분간 건조시켜 프리프레그 B를 얻었다.
실시예 1~7, 비교예 1~4
각 제조예에서 제작한 프리프레그와 표 1에 나타내는 동박을, 표 2에 나타내는 바와 같이 조합하여, 이하에 나타내는 방법에 의해, 4층 구리 피복 적층판을 제작하였다.
또한, 표 1에 나타내는 동박은 한쪽 면에 내열 처리, 크로메이트 처리 및 실란 커플링제 처리를 실시한 것이다.
(4층 구리 피복 적층판의 제작)
표 2에 나타내는 프리프레그(1매)의 양면에, 표 2에 나타내는 동박을, 금속 처리층이 프리프레그측이 되도록 1매씩 겹치고, 온도 225℃, 압력 25 kgf/㎠(2.45 MPa)의 조건에서 90분간 가열 가압 성형하여, 양면 구리 피복 적층판을 제작하였다. 다음으로, 그 양면 구리 피복 적층판의 양면의 동박 표면에 내층 밀착 처리(멀티본드 100(맥더미드 퍼포먼스 솔루션즈 재팬 주식회사 제) 처리)를 실시하였다.
이어서, 양면 구리 피복 적층판의 양면의 동박에, 프리프레그를 1매씩 겹치고, 다시, 그 프리프레그에 표 2에 나타내는 동박을, 금속 처리층이 프리프레그측이 되도록 1매씩 겹쳤다. 그 후, 온도 225℃, 압력 25 kgf/㎠(2.45 MPa)로 90분간 가열 가압 성형하여 4층 구리 피복 적층판을 제작하였다. 그 4층 구리 피복 적층판을 사용하여, 상기 방법에 따라서, 내블리스터성을 평가하였다.
※금속 처리층 중의 각 원소의 함유량은, 형광 X선 분석(주식회사 리가쿠 제, 상품명: ZSX Primus Ⅱ)에 의해서 측정한 값이다.
표 2로부터, 본 실시형태의 표면 처리 동박(I)을 사용한 실시예 1~7의 구리 피복 적층판은, 내블리스터성이 우수한 것을 알 수 있다. 한편, 금속 처리층에 있어서의 아연의 함유량이 2,500 μg/dm를 초과하는 동박을 사용한 비교예 1~4의 구리 피복 적층판은, 내블리스터성이 뒤떨어졌다.
Claims (9)
- 수지를 함유하는 절연층과, 그 절연층의 적어도 한쪽 면에 배치된 동박을 포함하는 구리 피복 적층판이며,
상기 동박이, 아연을 함유하는 금속 처리층을 갖는 표면 처리 동박이며,
상기 금속 처리층에 있어서의 아연의 함유량이, 10~2,500 μg/d㎡인, 구리 피복 적층판. - 제 1 항에 있어서,
상기 금속 처리층이, 니켈, 코발트 및 몰리브덴으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상의 금속을 더 함유하는, 구리 피복 적층판. - 제 2 항에 있어서,
상기 금속 처리층에 있어서의, 니켈, 코발트 및 몰리브덴으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상의 금속의 합계 함유량이, 10~2,500 μg/d㎡인, 구리 피복 적층판. - 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 금속 처리층이, 니켈을 더 함유하는 것이며, 상기 금속 처리층에 있어서의 니켈의 함유량이, 10~500 μg/d㎡인, 구리 피복 적층판. - 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 금속 처리층에 있어서의 아연의 함유량이, 20~500 μg/d㎡인, 구리 피복 적층판. - 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 표면 처리 동박이, 동박의 편면 또는 양면에, 내열 처리, 크로메이트 처리 및 실란 커플링제 처리를 실시하여 이루어지는 것인, 구리 피복 적층판. - 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 기재된 구리 피복 적층판을 제조하는 방법으로서,
상기 절연층이, 열경화성 수지를 함유하는 프리프레그를 경화하여 이루어지는 층이며,
상기 프리프레그 또는 상기 프리프레그를 경화하여 이루어지는 절연층과 상기 표면 처리 동박을 접합시킨 상태에서, 210℃ 이상으로 가열하는 공정을 갖는, 구리 피복 적층판의 제조 방법. - 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 기재된 구리 피복 적층판을 사용하여 이루어지는 프린트 배선판.
- 제 8 항에 기재된 프린트 배선판에 반도체 소자를 탑재하여 이루어지는 반도체 패키지.
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Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013075948A (ja) | 2011-09-29 | 2013-04-25 | Sekisui Chem Co Ltd | 硬化物の製造方法、硬化物及び多層基板 |
| KR20130062441A (ko) | 2011-11-22 | 2013-06-13 | 주식회사 에스원 | 폐쇄형 ｓｎｓ 서비스를 제공하는 경비 시스템 |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4570070B2 (ja) * | 2004-03-16 | 2010-10-27 | 三井金属鉱業株式会社 | 絶縁層形成用の樹脂層を備えたキャリア箔付電解銅箔、銅張積層板、プリント配線板、多層銅張積層板の製造方法及びプリント配線板の製造方法 |
| JP4934409B2 (ja) * | 2005-12-15 | 2012-05-16 | 古河電気工業株式会社 | キャリア付き極薄銅箔及びプリント配線基板 |
| JP5171690B2 (ja) * | 2009-02-27 | 2013-03-27 | 新日鉄住金化学株式会社 | 銅張積層板及びその製造方法 |
| JP4927963B2 (ja) * | 2010-01-22 | 2012-05-09 | 古河電気工業株式会社 | 表面処理銅箔、その製造方法及び銅張積層基板 |
| KR101344176B1 (ko) * | 2010-02-24 | 2013-12-20 | 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 | 인쇄 회로 기판용 동박 및 인쇄 회로 기판용 동장 적층판 |
| EP2615196A1 (en) * | 2010-10-06 | 2013-07-17 | Furukawa Electric Co., Ltd. | Copper foil and manufacturing method therefor, copper foil with carrier and manufacturing method therefor, printed circuit board, and multilayer printed circuit board |
| JP2013062441A (ja) | 2011-09-14 | 2013-04-04 | Fujikura Ltd | プリント基板及びその製造方法 |
| JP5826322B2 (ja) * | 2014-03-25 | 2015-12-02 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 表面処理銅箔、銅張積層板、プリント配線板、電子機器、半導体パッケージ用回路形成基板、半導体パッケージ及びプリント配線板の製造方法 |
| TWI613940B (zh) * | 2014-03-31 | 2018-02-01 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | 附載體之銅箔、印刷配線板、積層體、電子機器及印刷配線板之製造方法 |
| JP6023367B1 (ja) * | 2015-06-17 | 2016-11-09 | Ｊｘ金属株式会社 | キャリア付銅箔、積層体、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法 |
| JP6200042B2 (ja) * | 2015-08-06 | 2017-09-20 | Ｊｘ金属株式会社 | キャリア付銅箔、積層体、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法 |
| EP3405010A4 (en) * | 2016-01-13 | 2019-10-16 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | MULTILAYER TRANSMISSION PLATE |
| KR102418675B1 (ko) | 2016-05-02 | 2022-07-07 | 미츠비시 가스 가가쿠 가부시키가이샤 | 수지 조성물, 프리프레그, 수지 시트, 적층 수지 시트, 적층판, 금속박 피복 적층판, 및 프린트 배선판 |
| KR102414272B1 (ko) | 2016-07-25 | 2022-06-28 | 아이솔라 유에스에이 코프 | 개선된 sma 수지 제형 |
| US10820414B2 (en) * | 2016-12-05 | 2020-10-27 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Surface treated copper foil, copper foil with carrier, laminate, method for manufacturing printed wiring board, and method for manufacturing electronic device |
| JP7409760B2 (ja) * | 2016-12-05 | 2024-01-09 | Ｊｘ金属株式会社 | 表面処理銅箔、キャリア付銅箔、積層体、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法 |
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Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013075948A (ja) | 2011-09-29 | 2013-04-25 | Sekisui Chem Co Ltd | 硬化物の製造方法、硬化物及び多層基板 |
| KR20130062441A (ko) | 2011-11-22 | 2013-06-13 | 주식회사 에스원 | 폐쇄형 ｓｎｓ 서비스를 제공하는 경비 시스템 |
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