TW201433091A - 移位暫存電路以及削角波形產生方法 - Google Patents

移位暫存電路以及削角波形產生方法 Download PDF

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Abstract

移位暫存電路以及削角波形產生方法在此揭露，其中移位暫存電路包含複數級移位暫存器，每一級移位暫存器包含輸出電晶體、輸入單元以及削角電路。輸出電晶體用以產生該級移位暫存器之輸出訊號。輸入單元用以控制輸出電晶體之閘極端的電位。削角電路包含第一開關、第二開關以及第三開關。第一開關用以輸出控制訊號。第二開關用以根據控制訊號下拉輸出電晶體的閘極端的電位。第三開關用以根據控制訊號下拉輸出電晶體的輸出端的電位。

Description

移位暫存電路以及削角波形產生方法
本發明係有關於一種顯示器中的電路結構，尤指一種用於顯示器中且可產生削角波形的移位暫存電路。
在習知的液晶顯示器中，資料線和掃描線係互相垂直交叉，並形成了像素矩陣。其中，掃描線為耦接至液晶顯示器中之每一顯示電晶體之閘極，並控制是否導通這些顯示電晶體，以控制是否寫入影像信號。
依矩陣方式排列的液晶單元進行充電時，閘極驅動訊號會因為通過的像素單元數量逐增而受其電阻抗影響，以導致基準工作訊號的波形逐漸變形，如此會造成不同位置上的像素單元充電電荷不一致，例如，在鄰近/遠離掃描驅動路的近端與遠端所接收到的閘極驅動訊號不同。習知之技術中通常在閘極驅動訊號中形成削角，來解決閃爍的問題。例如，在時序控制器與閘極電路之間加入一削角模組，削角模組用以對閘極驅動訊號進行削角，以降低像素單元的電阻抗影響，維持閘極驅動訊號提供至液晶單元的電壓波形，進而平衡各像素單元的充電電荷，來解決閃爍的問題。
目前產生削角波形的功能大多由閘極驅動晶片(gate driver IC)提供，或將削角電路元件設置在閘極驅動晶片之封裝當中，需在顯示器之電路板上保留空間以設置具有削角功能的閘極驅動晶片。
然而，在較先進的閘極驅動電路基板整合(Gate on Array,GOA)製程下，不再獨立設置額外的閘極驅動電路，而是須將閘極驅動電路的功能整合至面板上，以減少電路面積並實現窄邊框顯示面板。如此一來，如何以簡單的電路結構在顯示面板上實現驅動波形的削角功能實為重要的技術課題。
為解決上述問題並有效率地形成削角波形，本發明提出一種移位暫存器中的削角電路，其中每一級移位暫存器之削角電路中包含複數個開關，當上述開關導通時，可分別下拉調整移位暫存器中輸出電晶體的閘極端電壓與輸出端電壓。下拉閘極端電壓可使輸出電晶體逐步關斷，改變輸出電壓；而另一方面，對輸出端電壓進行下拉(例如透過分壓方式下拉)，可直接改變輸出端電壓的準位。藉由上述兩種方式同時進行，以高效率地形成輸出訊號上的削角。此外，在各級移位暫存器未作動時有穩壓電路確保訊號的穩定性，避免錯誤觸發。
本揭示內容之一態樣是在提供一種移位暫存電路，包含複數級移位暫存器。其中，每一級移位暫存器包含輸出電晶體以及削角電路。輸出電晶體具有第一端、第二端以及閘極端，輸出電晶體之第一端耦接至一第一時脈訊號，輸出電晶體之第二端用以產生該級移位暫存器之一輸出訊號，並提供至下一級移位暫存器。削角電路包含第一開關、第二開關以及第三開關。第一開關具有第一端、第二端及 閘極端，第一開關的第一端用以接收一第二時脈訊號，第一開關的閘極端電性耦接輸出電晶體的閘極端，用以根據輸出電晶體的閘極端的電位控制第一開關的第一端與第二端導通或斷開。第二開關具有第一端、第二端及閘極端，該第二開關的第一端電性耦接該輸出電晶體的閘極端，該第二開關的第二端用以接收一第一參考電壓，該第二開關的閘極端電性耦接該第一開關的第二端。第三開關具有第一端、一第二端及一閘極端，該第三開關的第一端電性耦接該輸出電晶體的第二端，該第三開關的第二端用以接收一第二參考電壓，該第三開關的閘極端電性耦接該第一開關的第二端。
本揭示內容之另一態樣是在提供一種移位暫存電路，包含複數級移位暫存器，每一級移位暫存器包含輸出電晶體、輸入單元、削角電路以及穩壓電路。輸出電晶體用以根據輸出電晶體之閘極端的電位及輸出電晶體之第一端的電位，在輸出電晶體的第二端產生該級移位暫存器之輸出訊號。輸入單元電性耦接輸出電晶體，用以控制輸出電晶體之該閘極端的電位。削角電路包含第一開關、第二開關以及第三開關。第一開關電性耦接該輸出電晶體的該閘極端，用以根據該輸出電晶體之該閘極端的電位及該第一開關的第一端的電位輸出控制訊號。第二開關電性耦接該輸出電晶體的該閘極端，用以根據該控制訊號下拉該輸出電晶體的該閘極端的電位。第三開關電性耦接輸出電晶體，用以根據控制訊號下拉輸出電晶體的第二端的電位。穩壓電路電性耦接至該輸出電晶體之閘極端以及該輸出電晶體 之第二端，當該級移位暫存器未作動時，該穩壓電路用以維持該輸出電晶體之閘極端以及當級之該輸出訊號於低電壓準位。
本揭示內容之另一態樣是在提供一種削角波形產生方法用於複數級移位暫存器，其中每一級移位暫存器包含輸出電晶體、第一開關、第二開關以及第三開關，該輸出電晶體用以產生該級移位暫存器之一輸出訊號，並提供至下一級移位暫存器，該削角波形產生方法包含：導通該輸出電晶體，並透過一第一時脈訊號上拉該級移位暫存器的一輸出端的電位；透過一第二時脈訊號經由該第一開關，導通該第二開關，對該輸出電晶體之閘極端上之一電位進行放電，降低該輸出電晶體的導通程度；以及，透過該第二時脈訊號經由該第一開關，導通該第三開關，以下拉該級移位暫存器之該輸出端的電位。
以下將以圖式揭露本發明之複數個實施方式，為明確說明起見，許多實務上的細節將在以下敘述中一併說明。然而，應瞭解到，這些實務上的細節不應用以限制本發明。也就是說，在本發明部分實施方式中，這些實務上的細節是非必要的。此外，為簡化圖式起見，一些習知慣用的結構與元件在圖式中將以簡單示意的方式繪示之。
請參閱第1圖，其繪示根據本發明之一實施例中一種移位暫存電路100的示意圖。移位暫存電路100包含複數級移位暫存器，如第1圖之實施例中，移位暫存電路100 包含移位暫存器SR[1]、SR[2]、SR[3]...等多級移位暫存器。實際應用中之一例子中，移位暫存電路100可應用在一數位顯示器中作為閘極驅動電路，用以提供分時循序驅動的閘極驅動訊號(如圖式中各移位暫存器的輸出訊號G[1],G[2],G[3]...)，用以驅動多條掃描線上的像素開關電路，一般閘極驅動電路的功能與操作方式為習知技藝之人所熟知，在此不另贅述。
請一併參閱第2圖，其繪示第1圖中移位暫存電路100的其中一級移位暫存器G[n]的示意圖，於第2圖中所繪示之移位暫存器G[n]為各級移位暫存器之一通用表示式，n為一正整數。
如第2圖之實施例中，移位暫存電路100所包含的每一級移位暫存器SR[n]包含輸入單元120、輸出電晶體140以及削角電路160，此外，每一級移位暫存器SR[n]可包含穩壓電路180。
第1圖與第2圖之實施例中繪示移位暫存電路100以雙向掃描移位進行舉例說明。於此實施方式中，每一級移位暫存器的輸入單元120連接至前一級移位暫存器的輸出訊號以及後一級移位暫存器的輸出訊號。例如，如移位暫存器SR[2]的輸入單元120接收前一級移位暫存器SR[1]的輸出訊號G[1]以及後一級移位暫存器SR[3]的輸出訊號G[3]；而移位暫存器SR[3]的輸入單元120接收前一級移位暫存器SR[2]的輸出訊號G[2]以及後一級移位暫存器SR[4]的輸出訊號G[4]，依此類推。
於此實施例中，雙向掃描移位之移位暫存電路100可 選擇性地進行正向掃描移位或進行反向掃描移位。舉例來說，每一級的輸入單元120可選擇性地根據前一級移位暫存器的輸出訊號作動形成正向掃描移位，或是選擇性地後一級移位暫存器的輸出訊號作動形成反向掃描移位。
以正向掃描移位的例子來說，第1圖與第2圖之實施例中，移位暫存器SR[1]輸出致能(enable)準位的輸出訊號G[1]，可觸發移位暫存器SR[2]；而移位暫存器SR[2]輸出致能準位的輸出訊號G[2]，可觸發移位暫存器SR[3]。依此類推，進而形成依序致能的輸出訊號G[1],G[2],G[3]...G[n]...。反向掃描移位的例子為掃描次序先後互換，為習知技藝之人所熟知，在此不另贅述。
請一併參閱第3圖以及第4圖，第3圖繪示第2圖中移位暫存器SR[n]的內部電路示意圖。移位暫存器SR[n]中包含輸入單元120、輸出電晶體140以及削角電路160。第4圖繪示第3圖中移位暫存器SR[n]相關的訊號波形圖。此外，每一級移位暫存器SR[n]可包含穩壓電路180，如第3圖所示，移位暫存器SR[n]中的穩壓電路180耦接至輸出電晶體140之閘極端以及輸出電晶體140之第二端。
如第3圖所示，輸出電晶體140具有第一端、第二端以及閘極端，輸出電晶體140之第一端接收第一時脈訊號，此處的第一時脈訊號可為時脈訊號CK1或反相位的的時脈訊號XCK1，於此實施例中，移位暫存器SR[n]接收的訊號以時脈訊號CK1作為第一時脈訊號作主要舉例說明。
輸出電晶體140之第二端用以產生該級移位暫存器SR[n]之輸出訊號G[n]，並提供至下一級移位暫存器(例如 提供至下一級移位暫存器SR[n+1]，圖中未示)及提供至前一級移位暫存器(例如提供至前一級移位暫存器SR[n-1]，圖中未示)。
削角電路160包含第一開關M1、第二開關M2以及第三開關M3。第一開關M1具有第一端、第二端及閘極端，第一開關M1的第一端用以接收第二時脈訊號，此處的第二時脈訊號可為時脈訊號CK2或反相位的時脈訊號XCK2，於此實施例中，移位暫存器SR[n]所接收的第二時脈訊號以時脈訊號CK2作主要舉例說明。
第一開關M1的閘極端電性耦接輸出電晶體140的閘極端，藉此根據輸出電晶體140的閘極端的電位控制第一開關M1導通或關閉，進而使第一開關M1的第一端與第二端彼此導通或彼此斷開。
第二開關M2具有第一端、第二端及閘極端，第二開關M2的第一端電性耦接輸出電晶體140的閘極端，第二開關M2的第二端用以接收第一參考電壓Vss1，第二開關M2的閘極端電性耦接該第一開關M1的第二端。
第三開關M3具有第一端、第二端及閘極端，第三開關M3的第一端電性耦接輸出電晶體140的第二端，第三開關M3的第二端用以接收第二參考電壓Vss2，第三開關M3的閘極端電性耦接第一開關M1的第二端。
實際應用中，第一參考電壓Vss1與第二參考電壓Vss2可為系統低電壓，第一與第二參考電壓Vss1,Vss2可設定相同的系統低電壓準位，或是兩相異的系統低電壓準位。
在訊號操作上，第一開關M1用以根據輸出電晶體140 之閘極端的電位及第一開關的第一端的電位(即第二時脈訊號CK2)輸出移位暫存器SR[n]中的控制訊號K[n]。第一開關M1產生的控制訊號K[n]傳送到第二開關M2與第三開關M3之閘極，用以控制第二開關M2與第三開關M3的導通或關閉。
也就是說，第二開關M2根據控制訊號K[n]選擇性下拉輸出電晶體140的閘極端的電位。第三開關用以根據控制訊號K[n]選擇性下拉輸出電晶體140的第二端的電位。
於本實施例中，削角電路160中第一開關M1、第二開關M2以及第三開關M3用以執行一削角波形產生方法。
如第3圖與第4圖所示，對第n級的移位暫存器SR[n]而言，在時間點T0至時間點T1間前一級移位暫存器(圖中未示)作動並產生輸出訊號G[n-1]，由前一級移位暫存器產生的輸出訊號G[n-1]經由輸入單元120輸入至移位暫存器SR[n]的輸出電晶體140之閘極端，將輸出電晶體140之閘極端的電壓Vg提升至第一電壓準位Vref1(如第4圖所示)，使輸出電晶體140導通。此時，輸出電晶體140的第一端仍為低準位(時間點T0至時間點T1間的第一時脈訊號CK1)，因此，時間點T0至時間點T1間輸出訊號G[n]尚未變化。
在時間點T1起，第一時脈訊號CK1由低準位切換至高準位，在輸出電晶體140導通下，透過第一時脈訊號CK1上拉移位暫存器SR[n]的輸出端(輸出電晶體140的第二端)的電位。也就是說，高準位的第一時脈訊號CK1通過輸出電晶體140傳輸至輸出電晶體140之第二端形成高準位的 輸出訊號G[n]。
同一時間，並經由輸出電晶體140之耦合電容(如閘極與源極間的耦合電容Cgs)將輸出電晶體140之閘極端的電位Vg由第一電壓準位Vref1進一步提升至提升電壓準位Vboost。
藉此，由第一時脈訊號CK1，可在時間點T1與時間點T3之間形成高準位的輸出訊號G[n]，作為閘極驅動訊號之用。須進一步說明的是，削角電路160可在輸出訊號G[n]上形成削角。
於此實施例中，第二時脈訊號CK2被設計為包含複數個脈衝，第二時脈訊號CK2之脈衝分別對應第一時脈訊號CK1之時脈負緣。
由時間點T2起至時間點T3，也就是第一時脈訊號CK1的時脈負緣(時間點T3)之前，第二時脈訊號CK2切換至高準位。
由時間點T2起至時間點T3，因此，高準位的第二時脈訊號CK2通過第一開關M1，形成高準位的控制訊號K[n]，並傳送到第二開關M2與第三開關M3之閘極，將第二開關M2與第三開關M3導通。
由時間點T2起至時間點T3，透過高準位的控制訊號K[n]，導通第二開關M2，藉此將輸出電晶體140之閘極端經過第二開關M2耦接至第一參考電壓Vss1。由於第二開關M2的導通，對輸出電晶體140之閘極端上之電位Vg進行放電，降低輸出電晶體140的導通程度，也就是說，逐步將輸出電晶體140關閉，使得輸出電晶體140之第二端 (即輸出訊號G[n])電位下降。
同一時間，自時間點T2起至時間點T3，透過高準位的控制訊號K[n]，導通第三開關M3，藉此將輸出電晶體140之第二端經過第三開關M3連接至第二參考電壓Vss2，以下拉輸出電晶體140之第二端(即輸出訊號G[n])的電位。
此外，由時間點T2起至時間點T3，第二開關M2的導通是藉由改變輸出電晶體140之閘極端上之電位Vg，降低輸出電晶體140的導通程度，使輸出電晶體140逐步關閉，達到使輸出訊號G[n]電位下降的效果；同時第三開關M3的導通是將輸出電晶體140之第二端耦接至第二參考電壓Vss2，以分壓方式達到使輸出訊號G[n]電位下降的效果。藉由上述逐步關閉輸出電晶體140以及分壓方式，共同形成輸出訊號G[n]上的削角SH(如第4圖所示)。
若僅設置第三開關M3，以分壓方式所能形成的削角效果有限，輸出訊號G[n]上的削角電壓的將受限於第三開關M3與輸出電晶體140的導通時阻抗之比例，需要設置特定尺寸大小的第三開關M3(以形成特定的導通阻抗)才能有效達到所需的削角效果。
綜上所述，本案中削角電路160中的第二開關M2與第三開關M3在導通時，可分別對輸出電晶體140的閘極端與輸出端(即第二端)進行下拉，以形成輸出訊號上的削角。
此外，第二開關M2與第三開關M3導通所形成的削角之時間點由第二時脈訊號CK2以及削角電路160中第一開 關M1所產生的控制訊號K[n]所決定。其中，如第4圖所示，第二時脈訊號CK2之脈衝寬度正相關於輸出訊號G[n]之削角SH之削角寬度。
若欲使削角SH之削角寬度加大，可提早產生高準位的第二時脈訊號CK2或是加大第二時脈訊號CK2的工作負載(Duty Cycle)；反之若使削角寬度縮短，可延後產生高準位的第二時脈訊號CK2或是減少第二時脈訊號CK2的工作負載(Duty Cycle)。
此外，削角SH之削角斜率正相關於第二開關M2與第三開關M3之放電能力、電壓轉換速率或元件尺寸。
舉例來說，若欲使削角SH之削角斜率變陡，可選用放電能力強或電壓轉換速率快的第二開關M2，或是可選用導通阻抗小的第三開關M3(使下拉能力增強)；反之，若欲使削角SH之削角斜率變緩，可選用放電能力弱或電壓轉換速率慢的第二開關M2，或是可選用導通阻抗大的第三開關M3。
於此實施例中，其中第二開關M2對輸出訊號之削角斜率之影響大於第三開關M3。
請一併參閱第5圖，其繪示移位暫存電路100中移位暫存器SR[1]、移位暫存器SR[2]以及移位暫存器SR[3]相關的訊號波形圖。
另外補充的是，在實際應用中，為了簡化電路結構或降低時脈訊號必需的更新頻率，移位暫存電路100中可使用兩組相反相位的時脈訊號分別驅動相鄰級的移位暫存器，例如，奇數級與偶數級使用兩相反相位的時脈訊號等。 因此，如第5圖所示，第一時脈訊號包含相反相位的時脈訊號CK1與時脈訊號XCK1。第二時脈訊號包含相反相位的時脈訊號CK2與時脈訊號XCK2。
以第5圖的例子來說，奇數級的移位暫存器SR[1]、移位暫存器SR[3]等可基於第一時脈訊號CK1與第二時脈訊號CK2進行操作；偶數級的移位暫存器SR[2]等可基於相反相位的第一時脈訊號XCK1與第二時脈訊號XCK2進行操作，相反相位的第一時脈訊號XCK1與第二時脈訊號XCK2操作方式可由先前實施例類推，在此不另贅述。
請一併參閱第6圖，其繪示於一實施例中第3圖之移位暫存器SR[n]的內部電路示意圖。如第6圖所示，移位暫存器SR[n]中的穩壓電路180耦接至輸出電晶體140之閘極端以及輸出電晶體140之第二端。
此外，穩壓電路180接收第一時脈訊號(如正向的第一時脈訊號CK1與反向的第一時脈訊號CK1)，當該級移位暫存器SR[n]未作動時，穩壓電路180用以維持輸出電晶體140之閘極端以及當級之輸出訊號G[n]於低電壓準位。例如第4圖中，在時間點T0之前以及時間點T3之後移位暫存器SR[n]未作動，此時，穩壓電路180用以維持閘極端電壓Vg於低電壓準位(輸出電晶體140之閘極端)並且維持當級之輸出訊號G[n]於低電壓準位(輸出電晶體140之輸出端)。
第6圖所示的電路元件，為其中一個實施例中穩壓電路180的內部元件組成，透過第6圖所示之電路元件結構以在該級移位暫存器SR[n]未作動時，維持輸出電晶體140 之閘極端(如第4圖中的閘極端電壓Vg)以及當級之輸出訊號G[n]於低電壓準位，然而本發明並不僅以第6圖所示之電路元件結構為限，亦包含具相似功能的均等電路架構。
請一併參閱第7圖，其繪示於另一實施例中第3圖中移位暫存器SR[n]的內部電路示意圖。如第7圖所示，移位暫存器SR[n]中的穩壓電路180耦接至輸出電晶體140之閘極端(如第4圖中的閘極端電壓Vg)以及輸出電晶體140之第二端。第7圖所示之穩壓電路180亦可達到相似效果。
此外，前述實施例中繪示移位暫存電路100以逐級的雙向掃描移位進行舉例說明，各級移位暫存器SR[n]的輸入單元120耦接至前一級移位暫存器的輸出訊號G[n-1]與後一級移位暫存器的輸出訊號G[n+1]。然而，各級移位暫存器G[n]的輸入單元120並不以耦接至前一級移位暫存器的輸出訊號G[n-1]與後一級移位暫存器的輸出訊號G[n+1]為限。
各級移位暫存器SR[n]的輸入單元120亦可耦接至前M級移位暫存器的輸出訊號與後N級移位暫存器的輸出訊號，例如G[n-M]與G[n+N](圖中未示)，M,N分別為正整數。藉此，形成跳級的正向掃描移位，例如當M=2時，第三級的移位暫存器SR[3]的輸入單元120可逕自連接到第一級移位暫存器SR[1]的輸出訊號G[1]，依此類推。
另一方面，本發明並不以雙向掃描移位為限，於其他實施例中亦可為單向掃描移位(如正向或反向掃描移位)，各級移位暫存器的輸入單元至少連接至另外一級移位暫存器的輸出訊號。例如，各級移位暫存器的輸入單元可耦接 至前一級移位暫存器或前M級移位暫存器，以形成正向掃描移位的移位暫存電路，M為正整數。
請一併參閱第8A圖，繪示根據本發明之一實施例中一種移位暫存電路800a的示意圖。於移位暫存電路800a中，移位暫存器SR[2]的輸入單元820耦接至前一級移位暫存器SR[1]的輸出訊號G[1]；移位暫存器SR[3]的輸入單元820耦接至前一級移位暫存器SR[2]的輸出訊號G[2]，依此類推，可形成正向掃描移位的移位暫存電路800。
另外，各級移位暫存器的輸入單元可耦接至後一級移位暫存器或後N級移位暫存器，以形成反向掃描移位的移位暫存電路，N為正整數。
請一併參閱第8B圖，繪示根據本發明之一實施例中一種移位暫存電路800b的示意圖。於移位暫存電路800b中，移位暫存器SR[1]的輸入單元820耦接至後一級移位暫存器SR[2]的輸出訊號G[2]；移位暫存器SR[2]的輸入單元820耦接至下一級移位暫存器SR[3]的輸出訊號G[3]，依此類推，可形成反向掃描移位的移位暫存電路800。
綜上所述，本案中各級移位暫存器之削角電路中的第二開關與第三開關在導通時，可分別對輸出電晶體的閘極端與輸出端(即第二端)進行下拉，以較高效率形成輸出訊號上的削角。且在各級移位暫存器未作動時有穩壓電路確保訊號的穩定性，避免錯誤觸發。
雖然本發明已以實施方式揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護範 圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100,800a,800b‧‧‧移位暫存電路
120,820‧‧‧輸入單元
140,840‧‧‧輸出電晶體
160,860‧‧‧削角電路
180‧‧‧穩壓電路
SR[1],SR[2],SR[3],SR[n]‧‧‧移位暫存器
M1‧‧‧第一開關
M2‧‧‧第二開關
M3‧‧‧第三開關
第1圖繪示根據本發明之一實施例中一種移位暫存電路的示意圖；第2圖繪示第1圖中移位暫存電路的其中一級移位暫存器的示意圖；第3圖繪示第2圖中移位暫存器的內部電路示意圖；第4圖繪示第3圖中移位暫存器相關的訊號波形圖；第5圖繪示第2圖中移位暫存電路其中三個移位暫存器相關的訊號波形圖；第6圖繪示於一實施例中第3圖之移位暫存器的內部電路示意圖；第7圖繪示於另一實施例中第3圖中移位暫存器的內部電路示意圖；第8A圖繪示根據本發明之一實施例中一種移位暫存電路的示意圖；以及第8B圖繪示根據本發明之另一實施例中一種移位暫存電路的示意圖。
120‧‧‧輸入單元
140‧‧‧輸出電晶體
160‧‧‧削角電路
SR[n]‧‧‧移位暫存器
M1‧‧‧第一開關
M2‧‧‧第二開關
M3‧‧‧第三開關
180‧‧‧穩壓電路

Claims (10)

  1. 一種移位暫存電路，包含：複數級移位暫存器，其中每一級移位暫存器包含：一輸出電晶體，具有一第一端、一第二端以及一閘極端，該輸出電晶體之第一端耦接至一第一時脈訊號，該輸出電晶體之第二端用以產生該級移位暫存器之一輸出訊號，並提供至下一級移位暫存器；一削角電路，包含：一第一開關，具有第一端、一第二端及一閘極端，該第一開關的第一端用以接收一第二時脈訊號，該第一開關的閘極端電性耦接該輸出電晶體的閘極端，用以根據該輸出電晶體的閘極端的電位控制該第一開關的第一端與第二端導通或斷開；一第二開關，具有第一端、一第二端及一閘極端，該第二開關的第一端電性耦接該輸出電晶體的閘極端，該第二開關的第二端用以接收一第一參考電壓，該第二開關的閘極端電性耦接該第一開關的第二端；以及一第三開關，具有第一端、一第二端及一閘極端，該第三開關的第一端電性耦接該輸出電晶體的第二端，該第三開關的第二端用以接收一第二參考電壓，該第三開關的閘極端電性耦接該第一開關的第二端。
  2. 如請求項1所述之移位暫存電路，更包含一輸入單元，其耦接至另一級移位暫存器，用以根據該另一級移位暫存器之一輸出訊號控制該輸出電晶體之閘極端。
  3. 如請求項2所述之移位暫存電路，其中該輸入單元係耦接至前一級移位暫存器或前N級移位暫存器，該移位暫存電路為正向掃描移位，N為正整數。
  4. 如請求項2所述之移位暫存電路，其中該輸入單元係耦接至後一級移位暫存器或後N級移位暫存器，該移位暫存電路為反向掃描移位，N為正整數。
  5. 如請求項2所述之移位暫存電路，其中該輸入單元係同時耦接至前級移位暫存器與後級移位暫存器，該移位暫存電路為雙向掃描移位。
  6. 如請求項1所述之移位暫存電路，包含一穩壓電路，其耦接至該輸出電晶體之閘極端以及該輸出電晶體之第二端，當該級移位暫存器未作動時，該穩壓電路用以維持該輸出電晶體之閘極端以及當級之該輸出訊號於低電壓準位。
  7. 一種移位暫存電路，包含： 複數級移位暫存器，其中每一級移位暫存器包含：一輸出電晶體，用以根據該輸出電晶體之一閘極端的電位及該輸出電晶體之一第一端的電位，在該輸出電晶體的一第二端產生該級移位暫存器之一輸出訊號；一輸入單元，電性耦接該輸出電晶體，用以控制該輸出電晶體之該閘極端的電位；一削角電路，包含：一第一開關，電性耦接該輸出電晶體的該閘極端，用以根據該輸出電晶體之該閘極端的電位及該第一開關的一第一端的電位輸出一控制訊號；一第二開關，電性耦接該輸出電晶體的該閘極端，用以根據該控制訊號下拉該輸出電晶體的該閘極端的電位；以及一第三開關，電性耦接該輸出電晶體，用以根據該控制訊號下拉該輸出電晶體的該第二端的電位；以及一穩壓電路，電性耦接至該輸出電晶體之閘極端以及該輸出電晶體之第二端，當該級移位暫存器未作動時，該穩壓電路用以維持該輸出電晶體之閘極端以及當級之該輸出訊號於低電壓準位。
  8. 如請求項1至7項任一項所述之移位暫存電路，其中該第二時脈訊號之脈衝寬度正相關於該輸出訊號之該削 角之削角寬度；該輸出訊號之削角斜率正相關於該第二開關與該第三開關之一放電能力、一電壓轉換速率或一導通阻抗。
  9. 一種削角波形產生方法，用於複數級移位暫存器，其中每一級移位暫存器包含一輸出電晶體、一第一開關、一第二開關以及一第三開關，該輸出電晶體用以產生該級移位暫存器之一輸出訊號，並提供至下一級移位暫存器，該削角波形產生方法包含：導通該輸出電晶體，並透過一第一時脈訊號上拉該級移位暫存器的一輸出端的電位；透過一第二時脈訊號經由該第一開關，導通該第二開關，對該輸出電晶體之閘極端上之一電位進行放電，降低該輸出電晶體的導通程度；以及透過該第二時脈訊號經由該第一開關，導通該第三開關，以下拉該級移位暫存器之該輸出端的電位。
  10. 如請求項9所述之削角波形產生方法，包含：當前一級移位暫存器作動時，由該前一級移位暫存器輸入的該輸出訊號將該級移位暫存器的該輸出電晶體之閘極端提升至一第一電壓準位，使該輸出電晶體導通；當該級移位暫存器作動時，由該第一時脈訊號通過使該輸出電晶體傳輸至該輸出電晶體之第二端形成該輸出訊號，並經由一耦合電容將該輸出電晶體之閘極端由該第一電壓準位進一步提升至該提升電壓準位。
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