TW201427833A - 積層體 - Google Patents

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Abstract

本發明之目的在於提供一種例如即便於140~150℃左右之加熱步驟時,所貼附之透明導電性膜亦不會大為捲曲之耐捲曲性優異之積層體。又,本發明之目的在於提供一種可形成除上述耐捲曲性以外亦具有良好之圖案視認性之透明導電性膜的積層體。本發明係關於一種積層體,其特徵在於其包含:於支持體之至少單面具有黏著劑層之透明導電性膜用承載膜、以及具有透明導電性層與透明基材之透明導電性膜,且上述支持體於140℃下加熱90分鐘時之面內加熱收縮率S1為0.3~0.9%,上述透明導電性膜於140℃下加熱90分鐘時之面內加熱收縮率S2為0.3~0.6%。

Description

積層體
本發明係關於一種包含透明導電性膜用承載膜及透明導電性膜之積層體。
近年來,於觸控面板、液晶顯示面板、有機EL(Electroluminescence,電致發光)面板、電致變色面板、電子紙元件等中,使用於塑膠膜上設置透明電極而成之膜基板之元件之需求正逐漸增大。
目前,作為透明電極之材料,主流為包含銦與錫之氧化物(ITO:Indium-Tin Oxide,氧化銦錫)之薄膜,對於包含上述ITO薄膜之透明導電性膜,於加工步驟或搬送步驟等中旨在防止損傷或污染等而貼合表面保護膜(承載膜)等進行使用。
此處,作為以防止上述透明導電性膜之捲曲為目的之表面保護膜,例如提出有一種透明導電性膜用表面保護膜,其特徵在於:其係保護與透明導電性膜之導電性薄膜為相反側之表面者,且將特定條件下所測得之MD(Machine Direction,行進方向)及TD(Transverse Direction,寬度方向)之熱收縮率均設為0.9%以下(例如參照專利文獻1)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利第4342775號
於上述觸控面板等之領域中,近年來越來越要求其薄型化,伴隨於此,亦要求透明導電性膜自身之薄膜化。作為通常之觸控面板之方式,可列舉電阻膜方式、靜電電容方式等。於電阻膜方式之情形時,根據該導通方式所決定之基本構造上,要求手寫筆耐久性,故而透明導電性膜之薄型化處於困難之狀況。相對於此,於近年來逐漸較多採用於觸控面板之靜電電容方式之情形時,利用靜電電容之變化而檢測位置,故而亦可進行透明導電性膜自身之薄型化,來自市場方面之要求亦較為強烈。
經薄膜化之透明導電性膜與較厚之透明導電性膜相比,塑性或脆性較差,故而觸控面板之製造步驟之加工性及操作性變難。因此,業界研究出如下方法:隨著使透明導電性膜薄膜化之同時使表面保護膜之基材增厚,將該透明導電性膜與表面保護膜之積層體之總厚度設為與先前採用較厚之透明導電性膜及較薄之表面保護膜之情形時之積層體之總厚度相同程度,藉此彌補透明導電性膜之加工性及操作性。即,認為藉由在積層於使基材厚度增厚之表面保護膜得以薄膜化之透明導電性膜之狀態下,進行ITO薄膜之結晶化、透明導電性膜之切斷、抗蝕劑印刷、蝕刻等各種處理,可使其加工性及其操作性變得容易。
然而,於將透明導電性膜薄膜化之情形時,透明導電性膜自身變得易受熱收縮行為之影響。因此,由上述觸控面板之製造步驟中之蝕刻處理時在抗蝕液或顯影液中之浸漬及乾燥時之加熱的影響等,而產生即便為積層有表面保護膜之狀態,透明導電性膜亦產生凹凸狀變形之新的問題。於將此種產生凹凸之透明導電性膜用於實際之製品中之情形時,會產生在顯示器之點亮或熄滅狀態下容易看到ITO圖案之 圖案視認性之問題。
進而,於透明導電性膜與表面保護膜之厚度較大不同之情形時,於上述ITO薄膜之結晶化步驟時亦產生由因加熱所致之各膜之熱收縮率之差而使積層有表面保護膜之透明導電性膜捲曲之問題。若透明導電性膜產生捲曲,則於搬送具有該透明導電性膜之積層體時產生變得無法利用空氣而浮起、吸引,或者無法通過步驟間之閘口等不良情況,而難以穩定且連續地進行生產。
上述專利文獻1雖然將透明導電性膜之耐捲曲性作為課題,但未考慮透明導電性膜之薄型化所伴隨產生之上述問題、以及作為被黏著體之透明導電性膜之加熱收縮率,尚不足以用以解決本發明之問題。
本發明係解決上述先前之問題者,例如目的在於提供一種即便於140~150℃左右之加熱步驟時,所貼附之透明導電性膜亦不產生較大捲曲之耐捲曲性優異之積層體。又,本發明之目的在於提供一種可形成除上述耐捲曲性以外亦具有良好之圖案視認性之透明導電性膜的積層體。
本發明者等人為了達成上述目的進行努力研究,結果發現,藉由對具有特定之面內加熱收縮率之透明導電性膜應用具有特定之面內加熱收縮率之透明導電性膜用承載膜,可達成上述目的,從而完成本發明。
即,本發明係關於一種積層體,其特徵在於:其包含於支持體之至少單面具有黏著劑層之透明導電性膜用承載膜、以及具有透明導電性層與透明基材之透明導電性膜,且上述支持體於140℃下加熱90分鐘時之面內加熱收縮率S1為0.3~0.9%,上述透明導電性膜於140℃下加熱90分鐘時之面內加熱收縮率S2 為0.3~0.6%。
較佳為上述支持體之厚度超過70μm,且為200μm以下。
較佳為上述支持體於140℃下加熱90分鐘時之長度方向之加熱收縮率S1md為0.9%以下,且較佳為寬度方向之加熱收縮率S1td為0.6%以下。
較佳為上述支持體為聚酯系樹脂膜。
較佳為上述黏著劑層係由含有基礎聚合物及交聯劑之黏著劑組合物所形成。
關於本發明之積層體,將包含具有特定之面內加熱收縮率之支持體之透明導電性膜用承載膜貼附於具有特定之面內加熱收縮率之透明導電性膜上,故而可不使加熱後之透明導電性膜之捲曲極凹凸而容易地搬送。又,於對本發明之積層體上之透明導電性膜進行加工之情形時,所獲得之透明導電性膜可發揮良好之圖案視認性。
1‧‧‧黏著劑層
2‧‧‧支持體
3‧‧‧透明導電性膜用承載膜
4‧‧‧透明導電性層
5‧‧‧透明基材
6‧‧‧透明導電性膜
7‧‧‧積層體
圖1係表示本發明所使用之透明導電性膜用承載膜之截面之模式圖。
圖2係表示本發明之積層體之截面之模式圖。
本發明之積層體之特徵在於:其包含於支持體之至少單面具有黏著劑層之透明導電性膜用承載膜、以及具有透明導電性層與透明基材之透明導電性膜,且上述支持體於140℃下加熱90分鐘時之面內加熱收縮率S1為0.3~0.9%,上述透明導電性膜於140℃下加熱90分鐘時之面內加熱收縮率S2為0.3~0.6%。
1.透明導電性膜用承載膜
本發明所使用之透明導電性膜用承載膜(以下,亦有僅稱為「承載膜」之情形)係於支持體之至少單面具有黏著劑層,且上述支持體於140℃下加熱90分鐘時之面內加熱收縮率S1為0.3~0.9%。
上述透明導電性膜用承載膜係用作具有透明基材與透明導電性層之透明導電性膜,尤其是用於具有透明導電性層與透明基材且於140℃下加熱90分鐘時之面內加熱收縮率S2為0.3~0.6%之透明導電性膜。並且,將透明導電性膜用承載膜之黏著劑層貼合於與透明導電性膜之透明導電性層為相反側之透明基材表面(於透明基材表面進而具有功能層之情形時為該功能層)而使用。
以下,使用圖1、2對本發明之實施形態詳細地進行說明。然而,本發明並不限定於圖1、2之實施形態。
本發明所使用之透明導電性膜用承載膜3係於支持體2之至少單面具有黏著劑層1,且上述支持體2於140℃下加熱90分鐘時之面內加熱收縮率S1為0.3~0.9%。又,本發明所使用之承載膜3如圖2所示,其積層於具有透明導電性層4與透明基材5且於140℃下加熱90分鐘時之面內加熱收縮率S2為0.3~0.6%的透明導電性膜6上,且於與透明基材5之接觸透明導電層4之面為相反側之表面貼合有上述透明導電膜用承載膜之黏著劑層1之黏著面。
(1)支持體
作為構成本發明所使用之透明導電性膜用承載膜之支持體2,只要為於140℃下加熱90分鐘時之面內加熱收縮率S1為0.3~0.9%者,則並無特別限定。此處,於本發明中所謂支持體之面內加熱收縮率,係指於在支持體上積層有黏著劑之承載膜之狀態下進行測定時之收縮率。其原因在於:由於黏著劑層對加熱收縮率造成之影響較小,故而承載膜之加熱收縮率可看作支持體之加熱收縮率。面內加熱收縮率之 測定方法如下所述。
<面內加熱收縮率>
以下述方式算出支持體之長度方向(MD方向)之加熱收縮率S1md及寬度方向(TD方向)之加熱收縮率S1td。具體而言,將包含黏著劑層與支持體之承載膜切割為寬100mm、長100mm之大小(試驗片),於支持體側,在MD方向及TD方向之各方向上畫出長80mm之直線作出十字記號,藉由Olympus數位式小型測定顯微鏡STM5(Olympus光學工業股份有限公司製造)測定MD方向及TD方向之記號之長度(mm)。其後,以使黏著劑層為上之狀態放置試驗片,進行加熱處理(140℃,90分鐘)。於室溫下放置冷卻1小時後再次測定MD方向及TD方向之記號之長度,將該測定值代入下述式,藉此,求出MD方向及TD方向之各自之加熱收縮率。
加熱收縮率S(%)=[[加熱前之記號之長度(mm)一加熱後之記號之長度(mm)]/加熱前之記號之長度(mm)]×100
將所求出之MD方向之加熱收縮率S1md與TD方向之加熱收縮率S1td之和設為支持體之面內加熱收縮率S1(%)。
支持體之面內加熱收縮率S1較佳為0.4~0.7%。於本發明中,藉由將支持體之面內加熱收縮率S1設為上述範圍,可使透明導電性膜之捲曲處於最適範圍內,故而較佳。
支持體之MD方向之加熱收縮率S1md較佳為0.9%以下,更佳為0.8%以下,進而較佳為0.6%以下,尤佳為0.5%以下。支持體之S1md之下限值並無特別限定,較佳為0%以上,更佳為0.1%以上,進而較佳為0.2%以上。藉由將支持體之S1md設在上述範圍內,可抑制蝕刻處理時之積層體之收縮,使本發明之積層體上之透明導電性膜之圖案視認性變得良好,故而較佳。
支持體之TD方向之加熱收縮率S1td較佳為0.6%以下,更佳為-0.2 ~0.4%,進而較佳為0.05~0.4%,進而較佳為0.05~0.30%,尤佳為0.10~0.30%。針對於耐捲曲性,藉由將支持體之S1td維持在收縮等級(即,S1td為正值側),可相對較低地抑制S1md。其結果,與S1md較高之承載膜相比,可穩定地同時實現耐捲曲性及圖案視認性。
作為支持體,例如可使用紙等紙系支持體;布、不織布、網狀物等纖維系支持體(作為其原料,並無特別限制,例如可適當選擇馬尼拉麻、嫘縈、聚酯、紙漿纖維等);金屬箔、金屬板等金屬系支持體;塑膠之膜或片材等塑膠系支持體;橡膠片材等橡膠系支持體;發泡片材等發泡體或該等之積層體(例如塑膠系支持體與其他支持體之積層體、或塑膠膜(或者片材)彼此之積層體等)等適當之薄片體,就可滿足上述加熱收縮率之方面而言,較佳為塑膠系支持體。
作為上述塑膠之膜或片材之素材,例如可列舉聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、乙烯-丙烯共聚物、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)等以α-烯烴作為單體成分之烯烴系樹脂;聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚對苯二甲酸丁二酯(PBT)等聚酯系樹脂;聚氯乙烯(PVC);乙酸乙烯酯系樹脂;聚苯硫醚(PPS);聚醯胺(尼龍)、全芳香族聚醯胺(芳香族聚醯胺)等醯胺系樹脂;聚醯亞胺系樹脂;聚醚醚酮(PEEK)等。該等素材可單獨使用,或組合2種以上使用。該等之中,由於上述聚酯系樹脂具有強韌性、加工性、透明性等,故而藉由將其用於承載膜之支持體,而提高作業性、檢查性,成為更佳之態樣。
作為上述聚酯系樹脂,只要為可形成為片狀或膜狀等者,則並無特別限定,例如可列舉:聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯等之聚酯膜。該等聚酯系樹脂可單獨(均聚物)使用,又,亦可將2種以上混合、聚合(共聚物等)而使用。該等之中,可尤佳地使用聚對苯二甲酸乙二酯。藉由使用聚對苯二甲酸乙二酯,而成為強韌性、加工性、透明性優異之承載膜,作業性提 高,成為較佳態樣。
於本發明所使用之支持體為樹脂膜之情形時,形成該樹脂膜之樹脂膜原片(於積層黏著劑層前之實施加熱處理等之前之樹脂膜)之加熱收縮率並無特別限定,尤其是作為樹脂膜原片,較佳為使用Smd為1.2%以下且Std為-0.15~0.6%之聚酯系樹脂膜,更佳為使用Smd為0.9%以下且Std為0~0.6之聚酯系樹脂膜,進而較佳為使用Smd為0.8%以下且Std為0.1~0.5之聚酯系樹脂膜。進而較佳為上述Smd、Std之聚對苯二甲酸乙二酯膜。
上述支持體之厚度較佳為超過70μm,且為200μm以下,更佳為90~150μm,進而較佳為100~130μm。若支持體之厚度在上述範圍內,則藉由應用於可見薄膜化傾向之透明導電性膜,可保持積層體之層厚。因此,於加工步驟或搬送步驟等中搬送性優異,並且可提前預防結晶化處理或蝕刻處理等加熱時之捲曲之不良情況,而為有用。
又,亦可對上述支持體視需要進行利用聚矽氧系、氟系、長鏈烷基系或者脂肪酸醯胺系之脫模劑、二氧化矽粉等之脫模及防污處理或酸處理、鹼處理、底塗處理、電暈處理、電漿處理、紫外線處理等易接著處理、及塗佈型、混練型、蒸鍍型等之抗靜電處理。
再者,為了提高黏著劑層與支持體間之密接性,亦可對支持體之表面進行電暈處理等。又,亦可對支持體進行背面處理。
(2)黏著劑層
本發明之黏著劑層較佳為由含有基礎聚合物及交聯劑之黏著劑組合物所形成。該黏著劑組合物可設為丙烯酸系、合成橡膠系、橡膠系、聚矽氧系等之黏著劑等,就透明性、耐熱性等觀點而言,較佳為以(甲基)丙烯酸系聚合物作為基礎聚合物之丙烯酸系黏著劑。
成為丙烯酸系黏著劑之基礎聚合物之(甲基)丙烯酸系聚合物較佳為使含有具有碳數2~14之烷基之(甲基)丙烯酸酯之單體成分聚合而 獲得。就易操作性等方面而言,使用上述(甲基)丙烯酸酯較為有用。
作為上述具有碳數2~14之烷基之(甲基)丙烯酸酯,例如可列舉:(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯(BA)、(甲基)丙烯酸第三丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯(2EHA)、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸正壬酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸正癸酯、(甲基)丙烯酸異癸酯、(甲基)丙烯酸正十二烷基酯、(甲基)丙烯酸正十三烷基酯、(甲基)丙烯酸正十四烷基酯等,該等可單獨使用1種,或混合2種以上使用。該等之中,更佳為具有碳數4~14之烷基之(甲基)丙烯酸酯,更佳為(甲基)丙烯酸正丁酯(BA)或(甲基)丙烯酸2-乙基己酯(2EHA),進而較佳為使用(甲基)丙烯酸正丁酯(BA)作為主單體。此處,所謂主單體,係指相對於單體成分所含之「具有碳數2~14之烷基之(甲基)丙烯酸酯」之總量為50重量%以上,更佳為60重量%以上,進而較佳為80重量%以上,尤佳為100重量%。
上述具有碳數2~14之烷基之(甲基)丙烯酸系單體之調配量於單體成分中,較佳為55重量%以上,更佳為60~100重量%,尤佳為60~98重量%。
於上述單體成分中,可含有具有碳數2~14之烷基之(甲基)丙烯酸酯以外之其他聚合性單體。作為上述其他聚合性單體,可在無損本發明效果之範圍內使用用以調整(甲基)丙烯酸系聚合物之玻璃轉移點或剝離性之聚合性單體等。又,該等單體可單獨使用亦可組合使用,作為上述其他聚合性單體之調配量,於單體成分中較佳為45重量%以下,更佳為0~40重量%。
作為上述其他聚合性單體,例如可適當使用含磺酸基單體、含磷酸基單體、含氰基單體、乙烯酯單體、芳香族乙烯基單體等凝聚力、耐熱性提高成分或含羥基單體、含羧基單體、含酸酐基單體、含 醯胺基單體、含胺基單體、含環氧基單體、N-丙烯醯基啉、乙烯醚單體等具有作為交聯化基點發揮作用之官能基之單體成分。該等單體成分可單獨使用,又,亦可混合2種以上使用。
作為上述含羧基單體,例如可列舉:(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧基乙酯、(甲基)丙烯酸羧基戊酯、伊康酸、順丁烯二酸、反丁烯二酸、丁烯酸等。
作為上述含酸酐基單體,例如可列舉:順丁烯二酸酐、伊康酸酐等。
作為上述含羥基單體,例如可列舉:(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂酯、丙烯酸(4-羥基甲基環己基)甲酯、N-羥甲基(甲基)丙烯醯胺、乙烯醇、烯丙醇、2-羥基乙基乙烯醚、4-羥基丁基乙烯醚、二乙二醇單乙烯醚等。
作為上述含磺酸基單體,例如可列舉:苯乙烯磺酸、磺酸烯丙酯、2-(甲基)丙烯醯胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯醯胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯、(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸等。
作為上述含磷酸基單體,例如可列舉丙烯醯基磷酸2-羥基乙酯。
作為上述含氰基單體,例如可列舉丙烯腈等。
作為上述乙烯酯單體,例如可列舉:乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯、月桂酸乙烯酯等。
作為上述芳香族乙烯基單體,例如可列舉:苯乙烯、氯苯乙烯、氯甲基苯乙烯、α-甲基苯乙烯等。
作為上述含醯胺基單體,例如可列舉:丙烯醯胺、二乙基丙烯醯胺等。
作為上述含胺基單體,例如可列舉:(甲基)丙烯酸N,N-二甲胺基 乙酯、(甲基)丙烯酸N,N-二甲胺基丙酯等。
作為上述含環氧基單體,例如可列舉:(甲基)丙烯酸縮水甘油酯、烯丙基縮水甘油醚等。
作為上述乙烯醚單體,例如可列舉:甲基乙烯醚、乙基乙烯醚、異丁基乙烯醚等。
本發明所使用之(甲基)丙烯酸系聚合物係藉由使上述單體成分聚合而獲得者,其聚合方法並無特別限制,可藉由溶液聚合、乳化聚合、塊狀聚合、懸浮聚合等公知之方法進行聚合,就作業性等觀點而言,更佳為溶液聚合。又,所獲得之聚合物可為均聚物或無規共聚物、嵌段共聚物等之任一者。
本發明所使用之(甲基)丙烯酸系聚合物之重量平均分子量較佳為30萬~500萬,更佳為40萬~400萬,尤佳為50萬~300萬。於重量平均分子量小於30萬之情形時,藉由作為被黏著體之透明導電性膜對透明基材之潤濕性之提高,而使剝離時之黏著力增大,故而有成為剝離過程(再剝離)中之被黏著體損傷之原因之情況,又,由於黏著劑層之凝聚力縮小,故而有產生糊劑殘餘之傾向。另一方面,於重量平均分子量超過500萬之情形時,有聚合物之流動性降低,作為被黏著體之透明導電性膜對透明基材之潤濕變得不充分,而成為產生於被黏著體與承載膜之黏著劑層之間之膨脹之原因的傾向。再者,重量平均分子量係指藉由GPC(Gel Permeation Chromatography,凝膠滲透層析法)進行測定而獲得者。
又,就容易獲取黏著性能之平衡性之原因而言,作為上述(甲基)丙烯酸系聚合物之玻璃轉移溫度(Tg),較佳為0℃以下(通常為-100℃以上,較佳為-60℃以上),更佳為-10℃以下,進而較佳為-20℃以下,尤佳為-30℃以下。於玻璃轉移溫度高於0℃之情形時,有聚合物難以流動,作為被黏著體之透明導電性膜對透明基材之潤濕變得不充 分,而成為產生於被黏著體與承載膜之黏著劑層之間之膨脹之原因的傾向。再者,(甲基)丙烯酸系聚合物之玻璃轉移溫度(Tg)可藉由適當改變所使用之單體成分或組成比而調整在上述範圍內。
本發明所使用之黏著劑層係藉由適當調節上述(甲基)丙烯酸系聚合物之結構單元、構成比率、另外下述交聯劑之選擇及調配比率等而使(甲基)丙烯酸系聚合物適當交聯,從而成為耐熱性優異者。
作為本發明所使用之交聯劑,可使用異氰酸酯化合物、環氧化合物、三聚氰胺系樹脂、氮丙啶衍生物、及金屬螯合物化合物等。該等之中,就主要獲得適度之凝聚力之觀點而言,可尤佳地使用異氰酸酯化合物或環氧化合物。該等化合物可單獨使用,又,亦可混合2種以上使用。
作為上述異氰酸酯化合物,例如可列舉:伸丁基二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯等低級脂肪族聚異氰酸酯類,環戊烷二異氰酸酯、環己烷二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯等脂環族異氰酸酯類,2,4-甲苯二異氰酸酯、4,4'-二苯基甲烷二異氰酸酯、苯二甲基二異氰酸酯等芳香族異氰酸酯類,三羥甲基丙烷/甲苯二異氰酸酯三聚物加成物(商品名:Coronate L,Nippon Polyurethane Industry股份有限公司製造)、三羥甲基丙烷/六亞甲基二異氰酸酯三聚物加成物(商品名:Coronate HL,Nippon Polyurethane Industry股份有限公司製造)、六亞甲基二異氰酸酯之異氰尿酸酯體(商品名:Coronate HX,Nippon Polyurethane Industry股份有限公司製造)等異氰酸酯加成物等。該等化合物可單獨使用,又,亦可混合2種以上使用。
作為上述環氧化合物,例如可列舉:N,N,N',N'-四縮水甘油基間苯二甲胺(商品名:TETRAD-X,三菱瓦斯化學股份有限公司製造)或1,3-雙(N,N-二縮水甘油基胺基甲基)環己烷(商品名:TETRAD-C,三菱瓦斯化學股份有限公司製造)等。該等化合物可單獨使用,又,亦 可混合2種以上使用。
作為上述三聚氰胺系樹脂,可列舉六羥甲基三聚氰胺等。作為氮丙啶衍生物,例如可列舉作為市售品之商品名HDU(相互藥工股份有限公司製造)、商品名TAZM(相互藥工股份有限公司製造)、商品名TAZO(相互藥工股份有限公司製造)等。該等化合物可單獨使用,又,亦可混合2種以上使用。
作為上述金屬螯合物化合物,作為金屬成分可列舉鋁、鐵、錫、鈦、鎳等,作為螯合物成分可列舉乙炔、乙醯乙酸甲酯、乳酸乙酯等。該等化合物可單獨使用,又,亦可混合2種以上使用。
本發明所使用之交聯劑之調配量相對於(甲基)丙烯酸系聚合物100重量份(固形物成分),較佳為1重量份以上,更佳為2重量份以上,進而較佳為超過10重量份。又,作為上限值,較佳為30重量份以下,更佳為25重量份以下。於調配量少於1重量份之情形時,亦有利用交聯劑之交聯形成變得不充分,黏著劑層之凝聚力縮小,無法獲得充分之耐熱性之情形,又,有成為糊劑殘餘之原因之傾向。另一方面,於調配量超過30重量份之情形時,有黏著劑層之凝聚力增大,流動性降低,而對於作為被黏著體之透明導電性膜之潤濕變得不充分,而成為產生於被黏著體與黏著劑層之間之膨脹之原因的傾向,故而欠佳。又,該等交聯劑可單獨使用,又,亦可混合2種以上使用。
又,關於本發明所使用之承載膜之黏著劑層,較佳為由含有(甲基)丙烯酸系聚合物及交聯劑之黏著劑組合物所形成,上述(甲基)丙烯酸系聚合物係使含有具有碳數2~14之烷基之(甲基)丙烯酸酯及具有上述官能基之單體之單體成分聚合而獲得,於該情形時,具有上述官能基之單體之官能基A與和上述官能基A反應之上述交聯劑之官能基B之莫耳比(B/A)較佳為0.70以上,更佳為0.75以上,進而較佳為0.8~0.95。例如於使用含羧基單體作為原料之情形時,「可與全部交聯劑 之羧基反應之官能基之總莫耳數B」相對於「用作原料單體之全部含羧基單體之羧基之總莫耳數A」之比率[可與羧基反應之官能基B/羧基A](莫耳比)較佳為0.70以上,更佳為0.75以上,進而較佳為0.8~0.9。藉由將[可與羧基反應之官能基/羧基]設為0.70以上,可減少黏著劑層中之未反應之羧基,有效地防止因羧基與被黏著體之相互作用所致之經時產生之剝離力(黏著力)上升,故而較佳。
再者,例如於調配(添加)7g之可與羧基反應之官能基之官能基當量為110(g/eq)之交聯劑之情形時,可與交聯劑所具有之羧基反應之官能基之莫耳數例如可以下述方式算出。
可與交聯劑所具有之羧基反應之官能基之莫耳數=[交聯劑之調配量]/[官能基當量]=7/110
例如,作為交聯劑,於添加(調配)7g之環氧當量為110(g/eq)之環氧系交聯劑之情形時,環氧系交聯劑所具有之環氧基之莫耳數例如可以下述方式算出。
環氧系交聯劑所具有之環氧基之莫耳數=[環氧系交聯劑之調配量]/[環氧當量]=7/110
又,於本發明中,可與上述交聯劑一併調配或單獨調配具有2個以上放射線反應性不飽和鍵之多官能單體作為交聯成分。於該情形時,藉由照射放射線等使(甲基)丙烯酸系聚合物交聯。作為一分子中具有2個以上放射線反應性不飽和鍵之多官能單體,例如可列舉具有2個以上乙烯基、丙烯醯基、甲基丙烯醯基、乙烯基苄基等可利用放射線之照射進行交聯處理(硬化)之1種或2種以上放射線反應性之多官能單體。又,作為上述多官能單體,通常可較佳地使用放射線反應性不飽和鍵為10個以下者。該等化合物可單獨使用,又,亦可混合2種以上使用。
作為上述多官能單體之具體例,例如可列舉:乙二醇二(甲基)丙 烯酸酯、二乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、四乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、二乙烯基苯、N,N'-亞甲基雙丙烯醯胺等。
上述交聯成分之調配量相對於(甲基)丙烯酸系聚合物100重量份(固形物成分),較佳為1~30重量份,更佳為2~25重量份。
作為放射線,例如可列舉:紫外線、雷射線、α射線、β射線、γ射線、X射線、電子束等,就控制性及操作性良好、成本之方面而言,可較佳地使用紫外線。可更佳地使用波長200~400nm之紫外線。紫外線可使用高壓水銀燈、微波激發型燈、化學燈等適宜光源進行照射。再者,於使用紫外線作為放射線之情形時,於黏著劑組合物中調配光聚合起始劑。
作為光聚合起始劑,只要為根據放射線反應性成分之種類,藉由照射可能成為該聚合反應之誘因之適當波長之紫外線而生成自由基或陽離子之物質即可。
作為光自由基聚合起始劑,例如可列舉:安息香、安息香甲醚、安息香乙醚、對安息香乙醚-鄰苯甲醯苯甲酸甲酯、安息香異丙醚、α-甲基安息香等安息香類,苄基二甲基縮酮、三氯苯乙酮、2,2-二乙氧基苯乙酮、1-羥基環己基苯基酮等苯乙酮類,2-羥基-2-甲基苯丙酮、2-羥基-4'-異丙基-2-甲基苯丙酮等苯丙酮類,二苯甲酮、甲基二苯甲酮、對氯二苯甲酮、對二甲胺基二苯甲酮等二苯甲酮類,2-氯9-氧硫、2-乙基9-氧硫、2-異丙基9-氧硫等9-氧硫類,雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)-苯基氧化膦、2,4,6-三甲基苯甲醯基二苯基氧化膦、(2,4,6-三甲基苯甲醯基)-(乙氧基)-苯基氧化膦等醯基氧化膦類,苯偶醯、二苯并環庚酮、α-醯基肟酯等。該等化合物可單獨使用,又,亦可混合2種以上使用。
作為光陽離子聚合起始劑,例如可列舉:芳香族重氮鎓鹽、芳香族錪鹽、芳香族鋶鹽等鎓鹽,或鐵-芳烴錯合物、二茂鈦錯合物、芳基矽烷醇-鋁錯合物等有機金屬錯合物類,硝基苄酯、磺酸衍生物、磷酸酯、磷酸酯、苯酚磺酸酯、重氮萘醌、N-羥基醯亞胺磺酸酯等。該等化合物可單獨使用,又,亦可混合2種以上使用。光聚合起始劑相對於(甲基)丙烯酸系聚合物100重量份,通常調配0.1~10重量份,較佳為於0.2~7重量份之範圍內調配。
進而亦可併用胺類等光聚合起始助劑。作為上述光聚合起始助劑,例如可列舉:2-二甲胺基苯甲酸乙酯、二甲胺基苯乙酮、對二甲胺基苯甲酸乙酯、對二甲胺基苯甲酸異戊酯等。該等化合物可單獨使用,又,亦可混合2種以上使用。聚合起始助劑相對於(甲基)丙烯酸系聚合物100重量份,較佳為調配0.05~10重量份,更佳為於0.1~7重量份之範圍內調配。
進而,於本發明所使用之黏著劑組合物中亦可含有其他公知之添加劑,例如可根據使用之用途而適當調配著色劑、顏料等粉體,界面活性劑、塑化劑、黏著性賦予劑、低分子量聚合物、表面潤滑劑、調平劑、抗氧化劑、防腐劑、光穩定劑、紫外線吸收劑、聚合抑制劑、矽烷偶合劑、無機或有機填充劑、金屬粉、粒子狀物、箔狀物等。
又,作為黏著劑組合物之固形物成分,並無特別限定,較佳為20重量%以上,更佳為30重量%以上。
本發明所使用之黏著劑層係由上述般之黏著劑組合物所形成者,較佳為藉由使上述(甲基)丙烯酸系聚合物利用上述交聯劑進行交聯而獲得者。又,本發明所使用之透明導電性膜用承載膜為於支持體上形成該黏著劑層而成者。此時,(甲基)丙烯酸系聚合物之交聯通常於黏著劑組合物之塗佈後進行,亦可將包含交聯後之黏著劑組合物之 黏著劑層轉印至支持體等上。
(3)透明導電性膜用承載膜之製造方法
作為於支持體2上形成黏著劑層1之方法,並無特別限定,例如將上述黏著劑組合物塗佈於支持體2上,乾燥去除聚合溶劑等而於支持體2上形成黏著劑層1,藉此進行製作。其後,為了進行黏著劑層1之成分移動之調整或交聯反應之調整等而亦可進行硬化。又,於將黏著劑組合物塗佈於支持體2上而製作承載膜時,為了可均勻地塗佈於支持體上,亦可向黏著劑組合物中新加入除聚合溶劑以外之一種以上之溶劑。
又,作為上述黏著劑組合物之塗佈方法,可使用用於黏著帶等之製造之公知之方法。具體而言,例如可列舉:輥式塗佈、凹版塗佈、反向塗佈、輥式刷塗、噴塗、氣刀塗佈法等。
於將塗佈於支持體上之黏著劑組合物進行乾燥時之乾燥條件可根據黏著劑組合物之組成、濃度、組合物中之溶劑之種類等而適當決定,並無特別限定,例如可於20~200℃下進行1秒~24小時左右之乾燥。
又,於如上述般調配設為任意成分之光聚合起始劑之情形時,可於支持體(基材、基材層)之單面或兩面上塗佈後,藉由進行光照射而獲得黏著劑層。通常可藉由以光量400~4000mJ/cm2左右照射波長300~400nm下之照度為1~200mW/cm2之紫外線,進行光聚合,從而獲得黏著劑層。
本發明所使用之透明導電性膜用承載膜之黏著劑層之厚度較佳為5~50μm,更佳為10~30μm。若在上述範圍內,則密接性與再剝離性之平衡性優異,成為較佳之態樣。
2.透明導電性膜
本發明所使用之透明導電性膜例如圖2所示,具有透明導電性層 4與透明基材5,且面內加熱收縮率S2為0.3~0.6%。此處,面內加熱收縮率S2可利用與上述支持體之面內加熱收縮率之情形相同之方法求出。即,可藉由以下之方法求出。
<面內加熱收縮率>
以下述方式算出透明導電性膜之長度方向(MD方向)之加熱收縮率S2md及寬度方向(TD方向)之加熱收縮率S2td。具體而言,將透明導電性膜切割為寬100mm、長100mm(試驗片),在MD方向及TD方向之各方向上畫出長80mm之直線作出十字記號,藉由Olympus數位式小型測定顯微鏡STM5(Olympus光學工業股份有限公司製造)測定MD方向及TD方向之記號之長度(mm)。其後,進行加熱處理(140℃,90分鐘)。於室溫下放置冷卻1小時後再次測定MD方向及TD方向之記號之長度,將該測定值代入下述式,藉此,求出MD方向及TD方向之各自之加熱收縮率。
加熱收縮率S(%)=[[加熱前之記號之長度(mm)-加熱後之記號之長度(mm)]/加熱前之記號之長度(mm)]×100
將所求出之MD方向之加熱收縮率S2md與TD方向之加熱收縮率S2td之和設為透明導電性膜之面內加熱收縮率S2(%)。
透明導電性膜之面內加熱收縮率S2較佳為0.3~0.5%。
作為透明基材5,只要為具有透明性者即可,例如可列舉樹脂膜或包含玻璃等之基材(例如片狀或膜狀、板狀之基材等)等,尤佳為樹脂膜。透明基材5之厚度並無特別限定,較佳為10~200μm左右,更佳為15~150μm左右。
作為上述樹脂膜之材料,並無特別限制,可列舉具有透明性之各種塑膠材料。例如,作為該材料,可列舉:聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯等聚酯系樹脂,乙酸酯系樹脂、聚醚碸系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、聚醯胺系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、聚烯烴系樹脂、 (甲基)丙烯酸系樹脂、聚氯乙烯系樹脂、聚偏二氯乙烯系樹脂、聚苯乙烯系樹脂、聚乙烯醇系樹脂、聚芳酯系樹脂、聚苯硫醚系樹脂等。該等之中,尤佳為聚酯系樹脂、聚醯亞胺系樹脂及聚醚碸系樹脂。
又,亦可對上述透明基材5之表面預先實施濺鍍、電暈放電、火焰、紫外線照射、電子束照射、化學處理、氧化等蝕刻處理或底塗處理,而使設置於其上方之透明導電性層4等對上述透明基材5之密接性提高。又,亦可於設置透明導電性層4之前,視需要藉由溶劑清洗或超音波清洗等進行除塵、淨化。
作為上述透明導電性層4之構成材料,並無特別限定,可使用選自由銦、錫、鋅、鎵、銻、鈦、矽、鋯、鎂、鋁、金、銀、銅、鈀、鎢所組成之群中之至少1種金屬之金屬氧化物。該金屬氧化物中,視需要亦可進而含有上述群所示之金屬原子。例如可較佳地使用含有氧化錫之氧化銦(ITO)、含有銻之氧化錫等,可尤佳地使用ITO。作為ITO,較佳為含有氧化銦80~99重量%及氧化錫1~20重量%。
上述透明導電性層4之厚度並無特別限制,較佳為設為10nm以上,更佳為15~40nm,進而較佳為20~30nm。
作為上述透明導電性層4之形成方法,並無特別限定,可採用先前公知之方法。具體而言,例如可例示真空蒸鍍法、濺鍍法、離子鍍著法。又,亦可根據所需之膜厚而採用適當之方法。
作為上述透明導電性膜6之厚度,可列舉15~200μm。進而,就薄膜化之觀點而言,較佳為15~150μm,更佳為15~50μm。於以電阻膜方式使用上述透明導電性膜6之情形時,例如可列舉100~200μm之厚度。又,於以靜電電容方式使用之情形時,例如較佳為15~100μm之厚度,尤其是隨著近年來之進一步薄膜化要求,更佳為15~50μm之厚度,進而較佳為20~50μm之厚度。
又,可於透明導電性層4與透明基材5之間,視需要設置底塗 層、低聚物防止層等。
透明導電性膜6亦可具有功能層。功能層可設置於上述透明導電性膜之未設有透明導電性層4側之面(即,圖2中之透明基材5與黏著劑層1之間)。
作為上述功能層,例如可設置以提高視認性為目的之防眩處理(AG)層或抗反射(AR)層。作為防眩處理層之構成材料,並無特別限定,例如可使用電離放射線硬化型樹脂、熱硬化型樹脂、熱塑性樹脂等。防眩處理層之厚度較佳為0.1~30μm。作為抗反射層,可使用氧化鈦、氧化鋯、氧化矽、氟化鎂等。抗反射層可設置複數層。
又,作為功能層,可設置硬塗(HC)層。作為硬塗層之形成材料,例如可較佳地使用包含三聚氰胺系樹脂、胺基甲酸酯系樹脂、醇酸系樹脂、丙烯酸系樹脂、聚矽氧系樹脂等硬化型樹脂之硬化被膜。作為硬塗層之厚度,較佳為0.1~30μm。就賦予硬度之方面而言,較佳為將厚度設為0.1μm以上。又,可於上述硬塗層上設置上述防眩處理層或抗反射層。
3.積層體之特性及用途
將本發明之積層體於140℃下加熱90分鐘後之捲曲量較佳為0~±10mm,就耐捲曲性之方面而言,尤佳為0~±6mm。捲曲量超過±10mm者有使用時產生搬送不良等問題之情形而欠佳。捲曲量之測定方法可藉由實施例所記載之方法進行。
又,對積層體上之透明導電性膜實施蝕刻處理後所產生之凹凸階差較佳為0.1~0.18μm,更佳為0.1~0.15μm。蝕刻凹凸階差之測定方法可藉由實施例所記載之方法進行。
本發明之積層體可較佳地用於構成具備輸入裝置(觸控面板等)之顯示裝置(液晶顯示裝置、有機EL(電致發光)顯示裝置、PDP(Plasma Display Panel,電漿顯示面板)、電子紙等)、輸入裝置(觸控面板等)等 機器之基材(構件)或該等機器所使用之基材(構件)之製造,可尤佳地用於觸控面板用之光學基材之製造。又,無論電阻膜方式或靜電電容方式等觸控面板等之方式如何而均可使用。
對本發明之積層體實施切斷、抗蝕劑印刷、蝕刻、銀墨水印刷等處理所獲得之透明導電性膜可用作光學裝置用基材(光學構件)。作為光學裝置用基材,只要為具有光學特性之基材,則並無特別限定,例如可列舉構成顯示裝置(液晶顯示裝置、有機EL(電致發光)顯示裝置、PDP(電漿顯示面板)、電子紙等)、輸入裝置(觸控面板等)等機器之基材(構件)或該等機器所使用之基材(構件)。
該等光學裝置用基材隨著近年來之薄膜化之傾向,而塑性逐漸消失,於加工步驟或搬送步驟等中容易產生彎曲或形狀之變形。於本發明中,藉由使用上述承載膜,可將上述光學裝置基材之捲曲保持在最適範圍,可於步驟內穩定地進行搬送。又,藉由抑制因蝕刻處理時在抗蝕液或顯影液中之浸漬、乾燥所致之升溫等之影響而引起之光學裝置之收縮,可良好地保持安裝於顯示器時之視認性。
[實施例]
以下,對具體揭示本發明之構成及效果之實施例等進行說明,但本發明並不限定於該等。
實施例1 <丙烯酸系聚合物(A)之製備>
向具備攪拌翼、溫度計、氮氣導入管、冷卻器之四口燒瓶中添加丙烯酸丁酯(BA)90重量份、丙烯酸(AA)10重量份、作為聚合起始劑之2,2'-偶氮二異丁腈0.2重量份、乙酸乙酯234重量份,一面緩慢地攪拌一面導入氮氣,將燒瓶內之溶液溫度保持於63℃附近進行約7小時聚合反應,從而製備丙烯酸系聚合物(A)溶液(30重量%)。上述丙烯酸系聚之物(A)之重量平均分子量為60萬,Tg為-50℃。
<黏著劑溶液之製備>
利用乙酸乙酯將上述丙烯酸系聚合物(A)溶液(30重量%)稀釋至20重量%,相對於該溶液之丙烯酸系聚合物100重量份(固形物成分),添加作為交聯劑之環氧系交聯劑(三菱瓦斯化學股份有限公司製造,TETRAD-C)11重量份,保持於25℃附近進行約1分鐘之混合攪拌,從而製備丙烯酸系黏著劑組合物。
<透明導電性膜用承載膜之製作>
將上述丙烯酸系黏著劑組合物塗佈於聚對苯二甲酸乙二酯(PET)基材(厚度:125μm,MD方向之加熱收縮率Smd:1.13%,TD方向之加熱收縮率Std:-0.11%)之單面,於120℃下加熱60秒,從而形成厚度20μm之黏著劑層。其次,於上述黏著劑層之表面貼合對單面實施了聚矽氧處理之PET剝離襯墊(厚度25μm)之聚矽氧處理面。於50℃下保存2天後之承載膜為MD方向之加熱收縮率S1md:0.74%、TD方向之加熱收縮率S1td:-0.08%、面內加熱收縮率S1:0.66%之特性。再者,於使用時去除上述剝離襯墊進行使用。
實施例2
於實施例1之<透明導電性膜用承載膜之製作>中,將丙烯酸系黏著劑組合物塗佈於聚對苯二甲酸乙二酯(PET)基材之單面,於150℃下加熱60秒,除此以外,以與實施例1相同之方式製作承載膜。所獲得之承載膜為MD方向之加熱收縮率S1md:0.59%,TD方向之加熱收縮率S1td:-0.13%,面內加熱收縮率S1:0.46%。
實施例3
於實施例1之<透明導電性膜用承載膜之製作>中,將丙烯酸系黏著劑組合物塗佈於聚對苯二甲酸乙二酯(PET)基材(厚度:125μm,MD方向之加熱收縮率Smd:0.72%,TD方向之加熱收縮率Std:0.31%)之單面,除此以外,以與實施例1相同之方式製作承載膜。所獲得之 承載膜為MD方向之加熱收縮率S1md:0.41%,TD方向之加熱收縮率S1td:0.13%,面內加熱收縮率S1:0.54%。
實施例4
於實施例3之<透明導電性膜用承載膜之製作>中,將丙烯酸系黏著劑組合物塗佈於聚對苯二甲酸乙二酯(PET)基材之單面,於150℃下加熱60秒,除此以外,以與實施例3相同之方式製作承載膜。所獲得之承載膜為MD方向之加熱收縮率S1md:0.39%,TD方向之加熱收縮率S1td:0.08%,面內加熱收縮率S1:0.47%。
比較例1
於實施例1之<透明導電性膜用承載膜之製作>中,將上述丙烯酸系黏著劑組合物塗佈於剝離襯墊之單面(實施了聚矽氧處理之面),於150℃下加熱60秒,從而形成厚度20μm之黏著劑層。其次,於上述黏著劑層之表面貼合聚對苯二甲酸乙二酯(PET)基材(厚度:125μm,MD方向之加熱收縮率Smd:1.13%,TD方向之加熱收縮率Std:-0.11%)。於50℃下保存2天後之承載膜為MD方向之加熱收縮率S1md:1.02%、TD方向之加熱收縮率S1td:-0.10%、面內加熱收縮率S1:0.92%之特性。
比較例2
於實施例1之<透明導電性膜用承載膜之製作>中,將丙烯酸系黏著劑組合物塗佈於經退火處理之聚對苯二甲酸乙二酯(PET)基材(厚度:125μm,MD方向之加熱收縮率Smd:0.12%,TD方向之加熱收縮率Std:0.03%)之單面,除此以外,以與實施例1相同之方式製作承載膜。所獲得之承載膜為MD方向之加熱收縮率S1md:0.08%,TD方向之加熱收縮率S1td:0.01%,面內加熱收縮率S1:0.09%。
<丙烯酸系聚合物之重量平均分子量(Mw)之測定>
所製作之聚合物之重量平均分子量係藉由GPC(凝膠滲透層析法) 進行測定。
裝置:Tosoh公司製造,HLC-8220GPC
管柱:
試樣管柱:Tosoh公司製造,TSK保護管柱Super HZ-H(1根)與TSK gel Super HZM-H(2根)
參考管柱:Tosoh公司製造,TSK gel Super H-RC(1根)
流量:0.6ml/min
注入量:10μl
管柱溫度:40℃
溶離液:THF(Tetrahydrofuran,四氫呋喃)
注入試樣濃度:0.2重量%
檢測器:示差折射計
再者,重量平均分子量係藉由聚苯乙烯換算而算出。
<玻璃轉移溫度(Tg)之測定>
玻璃轉移溫度(Tg)(℃)係使用下述文獻值作為各單體之均聚物之玻璃轉移溫度Tgn(℃),並藉由下述式求出。
式:1/(Tg+273)=Σ[Wn/(Tgn+273)]
(式中,Tg(℃)表示共聚物之玻璃轉移溫度,Wn(-)表示各單體之重量分率,Tgn(℃)表示各單體之均聚物之玻璃轉移溫度,n表示各單體之種類)
丙烯酸2-乙基己酯(2EHA):-70℃
丙烯酸丁酯(BA):-55℃
丙烯酸:106℃
再者,對作為文獻值之「丙烯酸樹脂之合成、設計及新用途開發」(中央經營開發中心)進行測定。
<加熱收縮率> (1)支持體之MD方向及TD方向之加熱收縮率
以下述方式算出支持體之長度方向(MD方向)之加熱收縮率S1md及寬度方向(TD方向)之加熱收縮率S1td。具體而言,將貼合有隔片之包含黏著劑層與支持體之承載膜切割為寬100mm、長100mm之大小(試驗片),於支持體側,在MD方向及TD方向之各方向上畫出長80mm之直線作出十字記號,藉由Olympus數位式小型測定顯微鏡STM5(Olympus光學工業股份有限公司製造)測定MD方向及TD方向之記號之長度(mm)。其後,於剝離隔片後以使黏著劑層為上之狀態放置試驗片,進行加熱處理(140℃,90分鐘)。於室溫下放置冷卻1小時後再次測定MD方向及TD方向之記號之長度,將該測定值代入下述式,藉此,求出MD方向及TD方向之各自之加熱收縮率。
加熱收縮率S(%)=[[加熱前之記號之長度(mm)-加熱後之記號之長度(mm)]/加熱前之記號之長度(mm)]×100
求出支持體之MD方向之加熱收縮率S1md及TD方向之加熱收縮率S1td
(2)透明導電性膜之MD方向及TD方向之加熱收縮率
以下述方式算出透明導電性膜之長度方向(MD方向)之加熱收縮率S2md及寬度方向(TD方向)之加熱收縮率S2td。具體而言,將透明導電性膜切割為寬100mm、長100mm(試驗片),在MD方向及TD方向之各方向上畫出長80mm之直線作出十字記號,藉由Olympus數位式小型測定顯微鏡STM5(Olympus光學工業股份有限公司製造)測定MD方向及TD方向之記號之長度(mm)。其後,進行加熱處理(140℃,90分鐘)。於室溫下放置冷卻1小時後再次測定MD方向及TD方向之記號之長度,將該測定值代入下述式,藉此,求出MD方向及TD方向之各自之加熱收縮率。
加熱收縮率S(%)=[[加熱前之記號之長度(mm)-加熱後之記號之 長度(mm)]/加熱前之記號之長度(mm)]×100
求出透明導電性膜之MD方向之加熱收縮率S2md及TD方向之加熱收縮率S2td
(3)面內加熱收縮率
藉由下述式求出支持體及透明導電性膜之面內加熱收縮率。
支持體之面內加熱收縮率S1(%)=S1md+S1td
透明導電性膜之面內加熱收縮率S2(%)=S2md+S2td
<耐捲曲性>
於厚度100μm之PET基材上形成有極薄ITO層(膜厚:30nm)之透明導電性膜1(MD方向之加熱收縮率:0.48%,TD方向之加熱收縮率:-0.13%)之PET基材側,利用手壓輥貼附實施例及比較例所獲得之透明導電性膜用承載膜(以使該承載膜之黏著劑層與上述透明導電性膜之PET基材貼合之方式),並切斷為100mm×100mm之尺寸。以ITO面為上之狀態於140℃下進行90分鐘之加熱後,於室溫(23℃)下放置冷卻1小時。其後,於ITO層為上之狀態下將試樣放置於水平之面上,測定積層體四角距水平面之高度(mm),採用其平均值(mm)作為捲曲性之數值。測定試樣係以n3進行評價。又,針對於實施例1所獲得之透明導電性膜用承載膜,對於厚度100μm之PET基材上形成有極薄ITO層(膜厚:30nm)之透明導電性膜2(MD方向之加熱收縮率:0.41%,TD方向之加熱收縮率:-0.32%)亦同樣地評價耐捲曲性。將其設為比較例3。
測定值之絕對值為0~6mm者之耐捲曲性尤佳,大於6mm且10mm以下者之耐捲曲性較佳。另一方面,推測測定值之絕對值超過10mm者之耐捲曲性會產生問題。
<蝕刻凹凸階差>
於厚度100μm之PET基材上形成有極薄ITO層(膜厚:30nm)之透 明導電性膜1(MD方向之加熱收縮率:0.48%,TD方向之加熱收縮率:-0.13%)之PET基材側,利用手壓輥貼附實施例及比較例所獲得之透明導電性膜用承載膜(以使該承載膜之黏著劑層與上述透明導電性膜之PET基材貼合之方式),並切斷為120mm×120mm之尺寸。將所切斷之試樣以ITO面為上表面之狀態於140℃下進行90分鐘之加熱處理,放置冷卻5分鐘。於ITO面以2mm間距貼合20條市售之聚醯亞胺膠帶(寬2mm)。其次,使裝有鹽酸之容器浸漬於水浴中,以鹽酸成為50℃之方式保持恆溫。將上述試樣浸漬於50℃之鹽酸中並放置5分鐘,其後進行水洗。利用表面電阻確認出ITO層被蝕刻後,剝離聚醯亞胺膠帶。其後,於140℃下進行30分鐘之乾燥處理。又,針對於實施例1所獲得之透明導電性膜用承載膜,對於厚度100μm之PET基材上形成有極薄之ITO層(膜厚:30nm)之透明導電性膜2(MD方向之加熱收縮率:0.41%,TD方向之加熱收縮率:-0.32%)亦同樣地評價蝕刻凹凸階差。將其設為比較例3。
階差之測定係根據下述內容進行。
於裝置:光學式輪廓分析儀NT9100(Veeco公司製造)、測定條件:測量類型(Measurement Type):VSI(Vertical Scanning Interferometry,垂直掃描干涉測量術)(Infinite Scan,無限掃描)、物鏡(Objective):2.5X、FOV(Field of iew,視野):1.0X、調製閾值(Modulation Threshold):0.5%之條件下進行測定。
再者,使用拼接功能,以5mm×1.8mm尺寸之圖像為基礎,實測截面分佈圖之凹凸階差。試樣係以n3進行評價。
測定值為0.1~0.15μm者之凹凸階差之評價為「○」,超過0.15μm且0.19μm以下者為「△」,超過0.19μm者為「×」。
<圖案視認性>
將上述蝕刻階差評價試樣載置於黑色丙烯酸板上並靜置於螢光 燈下。一面使上述試樣於黑色丙烯酸板上移動,一面利用目視對所反射出之螢光燈之像是否看似變形為階梯狀進行評價。
螢光燈之像看似筆直之情形:◎
螢光燈之像看似稍變形為階梯狀之情形:○
螢光燈之像看似明顯變形為階梯狀之情形:×
將上述評價結果為◎、○判斷為無問題,×判斷為無法採用。
由上述表1之結果明確得知,於全部實施例中耐捲曲性均良好,且圖案視認性、蝕刻凹凸階差亦均優異。
另一方面,於比較例之情形時,為耐捲曲性較低,透明導電性膜成為極凹凸之形狀而搬送性產生問題之等級。又,於比較例1中,圖案視認性及蝕刻階差有問題,於比較例2及比較例3中,耐捲曲性有問題。

Claims (6)

  1. 一種積層體,其特徵在於:其包含於支持體之至少單面具有黏著劑層之透明導電性膜用承載膜、以及具有透明導電性層與透明基材之透明導電性膜,且上述支持體於140℃下加熱90分鐘時之面內加熱收縮率S1為0.3~0.9%,上述透明導電性膜於140℃下加熱90分鐘時之面內加熱收縮率S2為0.3~0.6%。
  2. 如請求項1之積層體,其中上述支持體之厚度超過70μm,且為200μm以下。
  3. 如請求項1之積層體,其中上述支持體於140℃下加熱90分鐘時之長度方向之加熱收縮率S1md為0.9%以下。
  4. 如請求項1之積層體,其中上述支持體於140℃下加熱90分鐘時之寬度方向之加熱收縮率S1td為0.6%以下。
  5. 如請求項1之積層體,其中上述支持體為聚酯系樹脂膜。
  6. 如請求項1至5中任一項之積層體,其中上述黏著劑層由含有基礎聚合物及交聯劑之黏著劑組合物所形成。
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