TW201419756A - 具有非負性偏壓之切換裝置 - Google Patents

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Abstract

實施例係提供一個切換裝置，該切換裝置係包含一個或更多場效應電晶體(FET)和偏壓電路系統。該一個或更多場效應電晶體係在一個截止狀態和一個導通狀態之間進行變遷，以促進一個傳送訊號的切換。該一個或更多場效應電晶體係可包含一個汲極終端，一個源極終端，一個閘極終端，和一個本體。該偏壓電路系統係可在處於該導通狀態時將該汲極終端和該源極終端偏壓至一個第一直流(DC)電壓，並且在處於該截止狀態時將該汲極終端和該源極終端偏壓至一個第二直流電壓。該第一直流電壓和該第二直流電壓係可為非負性。該偏壓電路系統係可進一步組態設定以在處於該截止狀態時將該閘極終端偏壓至該第一直流電壓，並且在處於該導通狀態時將該閘極終端偏壓至該第二直流電壓。

Description

具有非負性偏壓之切換裝置
本揭示內容之實施例大致上係涉及電路領域，並且更特別是涉及具有非負性偏壓之切換裝置。
射頻(RF)切換裝置係被使用在許多應用上(諸如在無線通訊系統中)，以選擇性地使一個射頻訊號通過。對於包含場效應電晶體(FET)之切換裝置來說，需要一個負性偏壓以在一個截止狀態時對該等場效應電晶體進行偏壓。該負性偏壓典型上係由一個負性電壓產生器所產生，該負性電壓產生器係包含一個振盪器和一個充電泵。該振盪器係可將突波引入該切換裝置之射頻核心，從而造成突波發射。
本發明之一個實施例係一種設備，其係包括：一個場效應電晶體(FET)，其係經組態設定以在一個截止狀態和一個導通狀態之間進行變遷，以促進一個傳送訊號的切換，所述場效應電晶體係具有一個汲極終端和一個源極終端；以及偏壓電路系統，其係被耦合於所述場效應電晶體，所述偏壓電路系統係經組態設定以在處於所述導通狀態下將所述汲極終端和所述源極終端偏壓至一個第一直流(DC)電壓，並且在處於所述截止狀態下將所述汲極終端和所述源極終端偏壓至一個第二直流電壓，所述第二直流電壓係不同於所述第一直流電壓。
本發明之另一個實施例係一種切換設備，其係包括：一個輸 入終端，其係經組態設定以接收一個射頻(RF)訊號，所述切換設備係經組態設定以在處於一個第一狀態下使所述射頻訊號通過而到一個輸出終端，並且在處於一個第二狀態下使所述射頻訊號通過而到一個接地終端；一個第一場效應電晶體(FET)，其係以串聯方式被耦合在所述輸入終端和所述輸出終端之間，以選擇性地在所述切換設備處於所述第一狀態下使所述射頻訊號通過而到一個輸出終端，所述第一場效應電晶體係具有一個第一閘極終端和一個第一汲極終端；一個第二場效應電晶體，其係被耦合在所述輸入終端和所述接地終端之間，並且具有一個第二閘極終端和一個第二汲極終端；一個第一控制終端，其係經組態設定以接收一個第一控制訊號，來對所述第一閘極終端和所述第二汲極終端進行偏壓；以及一個第二控制終端，其係經組態設定以接收一個第二控制訊號，來對所述第二閘極終端和所述第一汲極終端進行偏壓。
本發明之又另一個實施例係一種系統，其係包括：一個傳送器，其係經組態設定以產生一個射頻(RF)訊號；一個天線，其係經組態設定以經由一個無線通訊網路來發送所述射頻訊號；以及一個場效應電晶體(FET)，其係被耦合在所述傳送器和所述天線之間，所述場效應電晶體係經組態設定以在一個導通狀態下使所述射頻訊號通過而到所述天線，並且在一個截止狀態下避免所述射頻訊號到所述天線的通路，所述場效應電晶體係包含：一個汲極終端，其係經組態設定以接收所述射頻訊號；一個源極終端，其係經組態設定以在所述場效應電晶體處於所述導通狀態下使所述射頻訊號通過而到所述天線；及一個閘極終端；以及偏壓電路系統，其係被耦合於所述場效應電晶體，所述偏壓電路系統係經組態設定以在所述場效應電晶體處於所述導通狀態下將所述閘極終端偏壓至一個零值直流(DC)電壓，並且在所述場效應電晶體處於所述截止狀態下將所述閘極終端偏壓至一個正性直流電壓。
100‧‧‧切換電路
104‧‧‧場效應電晶體(FET)
108‧‧‧偏壓電路系統
112‧‧‧汲極終端
116‧‧‧源極終端
120‧‧‧閘極終端
124‧‧‧本體
300‧‧‧切換(模組)電路
304‧‧‧第一場效應電晶體(FET1)/串聯場效應電晶體
308‧‧‧第二場效應電晶體(FET2)/分流場效應電晶體
312‧‧‧輸入終端
316‧‧‧輸出終端
318‧‧‧互連件
320‧‧‧接地終端
324‧‧‧汲極終端
328‧‧‧源極終端
332‧‧‧閘極終端
336‧‧‧本體
340‧‧‧汲極終端
344‧‧‧源極終端
348‧‧‧閘極終端
352‧‧‧本體
356‧‧‧第一控制終端
360‧‧‧第二控制終端
364‧‧‧偏壓電路系統
368‧‧‧電阻器(R1)
372‧‧‧電阻器(R2)
376a-376d‧‧‧直流阻隔電容器(C1-C4)
382‧‧‧電阻器(R3)
384‧‧‧電阻器(R4)
386‧‧‧電阻器(R5)
388‧‧‧電阻器(R6)
400‧‧‧切換電路
404‧‧‧第一場效應電晶體堆疊
404a-404c‧‧‧場效應電晶體
408‧‧‧第二場效應電晶體堆疊
408a-408c‧‧‧場效應電晶體
412‧‧‧輸入終端
416‧‧‧輸出終端
420‧‧‧接地終端
422a-422c‧‧‧本體電阻器
426‧‧‧共用本體節點
430a-430c‧‧‧閘極電阻器
434‧‧‧共用閘極節點
438‧‧‧共用電阻器
442‧‧‧共用電阻器
446a-446c‧‧‧本體電阻器
450‧‧‧共用本體節點
454a-454c‧‧‧閘極電阻器
458‧‧‧共用閘極節點
462‧‧‧共用電阻器
464‧‧‧偏壓電路系統
466‧‧‧共用電阻器
500‧‧‧無線通訊裝置
504‧‧‧射頻功率放大器模組
508‧‧‧功率放大器(PA)
512‧‧‧射頻開關
514‧‧‧天線結構
518‧‧‧Tx/Rx開關
522‧‧‧收發器
526‧‧‧主要處理器
530‧‧‧記憶體
RFin‧‧‧輸入RF訊號
RFout‧‧‧輸出RF訊號
多個實施例係經由實例來例示，而不是受到後附圖式中各圖的限制，其中相同的元件符號係指出類似元件，且其中：圖1係例示依據各種實施例之一個切換裝置的一個電路圖。
圖2係例示依據各種實施例中一種用於對一個切換裝置進行偏壓的方法之一個流程圖。
圖3係例示依據各種實施例之一個單極單投開關的一個電路圖。
圖4係例示依據各種實施例中具有複數個串聯場效應電晶體(FET)和複數個分流場效應電晶體之一個單極單投開關的一個電路圖。
圖5係例示依據各種實施例之一個示範性無線通訊裝置的一個方塊圖。
所例示實施例之各種觀點將使用所屬領域的技術人員所經常運用的術語來作出敘述，以將其工作的實質內容傳達給所屬領域的其它技術人員。然而，對所屬領域的技術人員顯明的是：替代性實施例係可僅以一些上述的觀點來實作。為了解釋目的，特定裝置和組態係經提出以對該些所例示實施例提供一個全盤理解。然而，對所屬領域的技術人員顯明的是：替代性實施例係可不需該些特定細節來實作。在其它實例中，眾所周知的特性係經省略，以避免使該些所例示實施例難以理解。
再者，各種操作係將被敘述成多個獨立操作，並且依次以對理解本發明所有助益的方式來進行；然而，敘述的順序不應被解讀成意謂該些操作必須相依的順序。具體來說，該些操作未必以呈現的敘述來實行。
該術語「一個實施例」係重複被使用到。該術語通常不會指稱相同的實施例；然而，如此也是可行。除非在前後文中另外敘及，否則 該等術語「包括」、「具有」和「包含」係屬同義。
在對被用來搭配各種實施例之文字提供澄清前後文上，該等術語「A/B」和「A及/或B」係意謂(A)、(B)、或(A及B)；並且該術語「A、B、及/或C」係意謂(A)、(B)、(C)、(A及B)、(A及C)、(B及C)或(A、B及C)。
該術語「經耦合於」及其衍生詞係可被使用在本文中。「經耦合」係可意謂下述中的一者或更多。「經耦合」係可意謂兩個或更多元件處於直接地實體或電氣接觸。然而，「經耦合」同樣可意謂兩個或更多元件間接地接觸彼此，但彼此仍然共同操作或互動，並且可意謂一個或更多其它元件經耦合或連接在被認為彼此耦合一起的多個元件之間。
圖1係例示依據各種實施例之一個切換電路100。該切換電路100(亦被稱為電路100)係可包含一個場效應電晶體(FET)104，其係耦合於偏壓電路系統108。該場效應電晶體104係可包含一個汲極終端112，一個源極終端116，一個閘極終端120，和一個本體124。在一些實施例中，該場效應電晶體104係可為一個增強模式的場效應電晶體。此外又另或者，該場效應電晶體104係可為一個絕緣層上矽(SOI)元件及/或一個升壓互補式金屬氧化物半導體(CMOS)元件。
在各種實施例中，該場效應電晶體104係可選擇性地在一個截止狀態和一個導通狀態之間進行變遷，以促進一個傳輸訊號的切換(例如：一個射頻(RF)訊號)。例如：該場效應電晶體104係可在該汲極終端112處接收該傳輸訊號，並且在該場效應電晶體104處於該導通狀態時，使該傳輸訊號通過而到該源極終端116。假如該場效應電晶體104處於該截止狀態，則該場效應電晶體104係可避免該傳輸訊號在該汲極終端112和該源極終端116之間通過。該場效應電晶體104係可在該閘極終端120處接收一個控制訊號，以使該場效應電晶體104在該截止狀態和該導通狀態之間變遷。
在一些實施例中，該場效應電晶體104係可以串聯方式耦合於一個互連件，以選擇性地使該傳輸訊號通過而到一個輸出終端(例如：以藉由一個天線及/或其它結構進行傳輸)。在其它實施例中，該場效應電晶體104係可以分流方式耦合於該互連件，以選擇性地使該傳輸訊號通過而到一個接地終端(例如：使該傳輸訊號轉向且避免其通過而到該輸出終端)。如下文討論且如圖3所示，一些實施例係可包含一個切換模組，該切換模組係包含以串聯方式耦合於該互連件之一個串聯電晶體和以分流方式耦合於該接地之一個分流電晶體。在該切換模組之一個第一狀態中，該串聯電晶體係可處於導通而該分流電晶體係可處於截止，以使該傳輸訊號通過而到該輸出終端。在該切換模組之一個第二狀態中，該串聯電晶體係可處於截止而該分流電晶體係可處於導通，以使該傳輸訊號通過而到該接地終端且避免該傳輸訊號通過而到該輸出終端。
各種實施例係可提供要由該偏壓電路系統108所使用之一個偏壓方案，以用於該場效應電晶體104。該偏壓方案在本文中係參考一個N型增強模式的場效應電晶體作出討論；然而，在其它實施例中，該偏壓方案係可被使用及/或經過修改以配合另一類型的場效應電晶體使用，諸如P型場效應電晶體。
在各種實施例中，該偏壓電路系統108係可產生直流(DC)偏置電壓，以對該汲極終端112，該源極終端116，該閘極終端120，及/或該本體124進行偏壓。該偏壓電路系統108係可在處於該導通狀態下將該汲極終端112和該源極終端116偏壓至一個第一直流電壓，而在處於該截止狀態下則是將該汲極終端112和該源極終端116偏壓至一個第二直流電壓。該第二直流電壓係可不同於該第一直流電壓。在一些實施例中，該偏壓電路系統108係可在處於該導通狀態下將該閘極終端120偏壓至該第二直流電壓，而在處於該截止狀態下則是將該閘極終端120偏壓至該第一直流電壓。在一些實施例 中，在該導通狀態和該截止狀態下，該本體124係可被偏壓至該第一電壓。
在各種實施例中，該第一直流電壓和該第二直流電壓係可為非負性。例如：該第一直流電壓係可為一個零值電壓(例如：接地電壓)，且該第二直流電壓係可為一個正性電壓。在一個非限制性實施中，該第二直流電壓係可為大約1伏特到大約5伏特，諸如大約2.5伏特。
據此，在本文中所述之偏壓方案僅可使用非負性的偏置電壓，從而消除了用以產生一個負性電壓之一個振盪器或一個充電泵的需求。因此，由於來自該振盪器之突波造成突波發射的可能性被消除。此外，可能僅有兩個偏置電壓需要被產生，以在該導通狀態和該截止狀態期間控制該場效應電晶體104。再者，如下文進一步討論，可能僅需要兩條控制線路以控制處於一個串聯-分流組態的一對電晶體(例如：一個串聯電晶體和一個分流電晶體)。據此，相較於包含一個振盪器、充電泵、及/或額外控制線路的一個電路來說，該電路100係可佔用一個較小的尺寸(例如：在一個裸晶上)。
此外，在該導通狀態和該截止狀態期間，該偏壓方案係可在場效應電晶體104的節點之間維持一個最大電壓差(例如：汲極終端112，源極終端116，閘極終端120，和本體124)，其等於在該第一直流電壓和該第二直流電壓之間的差。
圖2係顯示依據各種實施例中一種用於對一個場效應電晶體(例如：場效應電晶體104)進行偏壓的方法200之一個流程圖。在一些實施例中，該方法200係可藉由偏壓電路系統來實行，諸如偏壓電路系統108。
在204處，該偏壓電路系統係可對該場效應電晶體之一個汲極終端和一個源極終端使用一個第一非負性直流電壓進行偏壓，並且對該場效應電晶體之一個閘極終端使用一個第二非負性直流電壓進行偏壓。在一些實施例中，該第一非負性直流電壓係可為一個接地電壓(例如：零值 電壓)，且該第二直流電壓係可為一個正性直流電壓(例如：2.5伏特)。假定在204處進行該偏壓，該場效應電晶體係可處於一個導通狀態，以選擇性地使一個射頻訊號在該汲極終端通過而到該源極終端。
在208處，該偏壓電路系統係可對該汲極終端和該源極終端使用該第二非負性直流電壓進行偏壓，並且對該閘極終端使用該第一非負性直流電壓進行偏壓。如此係可將該場效應電晶體變遷至一個截止狀態，其中該場效應電晶體係避免該射頻訊號從該汲極終端通過到該源極終端。
在一些實施例中，該場效應電晶體之一個本體係可在該導通狀態和該截止狀態下被偏壓至該第一電壓。
圖3係例示依據各種實施例之一個切換電路300(亦被稱為一個切換模組或電路300)，其係包含一個第一場效應電晶體(場效應電晶體1)304(亦被稱為串聯場效應電晶體304)和一個第二場效應電晶體(場效應電晶體2)308(亦被稱為分流場效應電晶體308)。該電路300係可在一個第一狀態和一個第二狀態之間作切換。該電路300係可包含用以接收一個射頻訊號(例如：來自一個傳送器)的一個輸入終端312。假如該電路300處於該第一狀態，則該電路300係可使該射頻訊號通過而到一個輸出終端316，並且假如該電路300處於該第二狀態，則該電路300係可使該射頻訊號通過而到一個接地終端320。在一些實施例中，該輸出終端316係可耦合於一個天線(未圖示)以用於傳送該射頻訊號。
該第一場效應電晶體304係可以串連方式耦合在該輸入終端312和該輸出終端316之間。該第一場效應電晶體304亦可被敘述為串聯連接於一個互連件318，該互連件318係從該輸入終端312行進至該輸出終端316。假如該電路300處於該第一狀態，則該第一場效應電晶體304係可選擇性地使該射頻訊號通過而到該輸出終端316。該第一場效應電晶體304係可具有一個汲極終端324，一個源極終端328，一個閘極終端332，和一個本體336。
該第二場效應電晶體308係可被耦合在該輸入終端312和該接地終端320之間。該第二場效應電晶體308亦可被敘述為分流於該接地終端320。假如該電路300處於該第二狀態，則該第二場效應電晶體308係可選擇性地使該射頻訊號通過而到該接地終端320(從而避免該射頻訊號通過而到該接地終端320)。該第二場效應電晶體308係可包含一個汲極終端340，一個源極終端344，一個閘極終端348，和一個本體352。
該電路300係可進一步包含一個第一控制終端356和一個第二控制終端360。該第一控制終端356係可接收一個第一控制訊號，以對該第一場效應電晶體304之閘極終端332，該第二場效應電晶體308之汲極終端340和源極終端344進行偏壓。該第二控制終端360係可接收一個第二控制訊號，以對該第二場效應電晶體308之閘極終端348，該第一場效應電晶體304之汲極終端324和源極終端328進行偏壓。該電路300係可包含偏壓電路系統364，其係提供該第一控制訊號和該第二控制訊號。
該第一控制終端356和該第二控制終端360係可以任何合適的配置方式來耦合於該第一場效應電晶體304及/或該第二場效應電晶體308，以對該第一場效應電晶體304及/或該第二場效應電晶體308進行偏壓。例如：如圖3所示，該第一控制終端356係可被耦合於該第一場效應電晶體304之閘極終端332(例如：經由一個電阻器R3 382)，並且被耦合於該第二場效應電晶體308之汲極終端340(例如：經由一個電阻器R1 368)。該第二控制終端360係可被耦合於該第二場效應電晶體308之閘極終端348(例如：經由一個電阻器R5 386)和該第一場效應電晶體304之汲極終端324(例如：經由一個電阻器R2 372)。該第一場效應電晶體304和該第二場效應電晶體308係可包含一個偏壓電阻器(未圖示)，其係被耦合在各自的汲極終端和源極終端之間，以與在各自的汲極終端相同的電壓對源極終端進行偏壓。
該電路300係可進一步包含直流阻隔電容器376a到376d，以 促進在一給定時間上該第一場效應電晶體304之汲極終端324和源極終端328相較於該第二場效應電晶體308之汲極終端340和源極終端344具有不同的偏置電壓(例如：處於該第一狀態或該第二狀態)。一個第一直流阻隔電容器C1 376a係可被耦合在該輸入終端312和該第一場效應電晶體304的汲極終端324之間，並且一個第二直流阻隔電容器C2 376b係可被耦合在該輸入終端312和該第二場效應電晶體308的汲極終端340之間。電容器C1 376a和電容器C2 376b係可將在該汲極終端324處之直流電壓與在該汲極終端340處之直流電壓阻隔，以促進不同的偏置電壓。一個第三直流阻隔電容器C3 376c係可被耦合在該第一場效應電晶體304的源極終端328和該輸出終端316之間，以將在該源極終端處之直流電壓與在該輸出終端316處之直流電壓阻隔。一個第四直流阻隔電容器C4 376d係可被耦合在該第二場效應電晶體308的源極終端344和該接地終端320之間，以將在該源極終端344處之直流電壓與在該接地終端320處之直流電壓阻隔。
在各種實施例中，該第一控制訊號係可在該電路300的第二狀態時間提供一個第一直流電壓，並且在該電路300的第一狀態時間提供一個第二直流電壓。該第二控制訊號係可在該第一狀態時間提供該第一直流電壓，並且在該第二狀態時間提供該第二直流電壓。該第二直流電壓係可不同於該第一直流電壓，並且該第一直流電壓和該第二直流電壓兩者係可具有非負性。例如：該第一直流電壓係可為一個接地電壓(例如：零值電壓)，並且該第二直流電壓係可為一個正性直流電壓(例如：2.5伏特)。
在各種實施例中，在該電路300之第一狀態和第二狀態期間，該第一場效應電晶體304之本體336和該第二場效應電晶體308之本體352係可分別經由電阻器R4 384和電阻器R6 388以被偏壓至該接地電壓(例如：零值電壓)。
在各種實施例中，處於該電路300之第一狀態下，該第一場 效應電晶體304係可處於導通而該第二場效應電晶體308則可處於截止。據此，該第一場效應電晶體304係可使該射頻訊號從該輸入終端312通過到該輸出終端316。處於該電路300之第一狀態下，該第一場效應電晶體304係可處於截止而該第二場效應電晶體308則可處於導通。據此，該第一場效應電晶體304係可避免該射頻訊號通過而到該輸出終端316，並且該第二場效應電晶體308係可使該射頻訊號通過而到該接地終端320。
據此，該電路300係可僅需要兩條控制線路(例如：控制終端356和360)，以控制該串聯場效應電晶體304和該分流場效應電晶體308。此外，該電路300未必需要一個負性偏置電壓的產生。額外的直流阻隔電容器376a到376d係可提供一些插入耗損及/或降減隔離，但是衝擊可能相對微小(例如：少於0.04dB之插入耗損)。因此，該電路300相較於先前的切換電路來說係可具有一個較小尺寸(例如：晶粒面積)，而沒有實質上的效能降級。
將顯明的是：在一些實施例中，該第一場效應電晶體304係可被包含在具有複數個場效應電晶體之一個堆疊中，其係被耦合在該輸入終端312和該輸出終端316之間(例如：複數個串聯場效應電晶體)。此外又另或者，該第二場效應電晶體308係可被包含在具有複數個場效應電晶體之一個堆疊中，其係被耦合在該輸入終端312和該接地終端320之間(例如：複數個分流場效應電晶體)。
例如：圖4係例示與該電路300類似的一個切換電路400(亦被稱為電路400)，除了該電路400係包含一個第一場效應電晶體堆疊404(例如：包含複數個場效應電晶體404a到404c)和一個第二場效應電晶體堆疊408(例如：包含複數個場效應電晶體408a到408c)，該第一場效應電晶體堆疊404係以串聯方式被耦合在一個輸入終端412和一個輸出終端416之間，而該第二場效應電晶體堆疊408係以分流方式被耦合在該輸入終端412和一個接 地終端420之間。該第一場效應電晶體堆疊404及/或該第二場效應電晶體堆疊408係可包含任何合適數量的場效應電晶體。
該電路400係進一步包含本體電阻器442a到442c，其係被耦合在該等場效應電晶體404a到404c各自的一個本體終端和一個共用本體節點426之間。此外，閘極電阻器430a到430c係可被耦合在該等場效應電晶體404a到404c各自的一個閘極終端和一個共用閘極節點434之間。在一些實施例中，該電路400係可包含一個共用電阻器438和一個共用電阻器442，該共用電阻器438係被耦合在該共用本體節點426和接地之間，並且該共用電阻器442係被耦合在該共用閘極節點434和偏壓電路系統464之間。其它實施例係可不包含該共用電阻器438和該共用電阻器442。
該電路400係可進一步包含本體電阻器446a到446c，其係被耦合在該等場效應電晶體408a到408c各自的一個本體終端和一個共用本體節點450之間。此外，閘極電阻器454a到454c係可被耦合在該等場效應電晶體408a到408c各自的一個閘極終端和一個共用閘極節點458之間。在一些實施例中，該電路400係可包含一個共用電阻器462和一個共用電阻器466，該共用電阻器462係被耦合在該共用本體節點450和接地之間，並且該共用電阻器466係被耦合在該共用閘極節點458和偏壓電路系統464之間。其它實施例係可不包含該共用電阻器462和該共用電阻器466。
依據一些實施例之一個示範性無線通訊裝置500的一個方塊圖係被例示在圖5中。無線通訊裝置500係可具有一個射頻功率放大器(PA)模組504，其係包含一個或更多射頻功率放大器508。該射頻功率放大器模組404係可進一步包含一個或更多射頻開關512，其係經耦合於該等射頻功率放大器508中的一者或更多。該等射頻開關512係可類似於切換電路100、300及/或400，或可包含切換電路100、300及/或400。此外又另或者，該等射頻開關512係可經組態設定以落實方法200。
除了該射頻功率放大器模組504，該無線通訊裝置500還可具有一個天線結構514，一個Tx/Rx開關518，一個收發器522，一個主要處理器526，和至少如所示彼此經耦合之一個記憶體530。儘管該無線通訊裝置500經顯示為具有傳送和接收功能，其它實施例係可包含僅具有傳送功能或僅具有接收功能之裝置。儘管該等射頻開關512經顯示為包含在該射頻功率放大器模組504，在其它實施例中，除了在該射頻功率放大器模組504中或取代該射頻功率放大器模組504，該等射頻開關512還可被包含在該無線通訊裝置500的其它構件中，諸如該Tx/Rx開關518及/或該收發器522。
在各種實施例中，該無線通訊裝置500係可為但不限制於一個行動電話、一個傳呼裝置、一個個人數位助理、一個文字通信裝置、一個可攜式電腦、一個桌上型電腦、一個基地站台、一個用戶站台、一個存取點、一個雷達站、一個衛星通訊裝置、或者是具有能夠無線傳送/接收射頻訊號之任何其它裝置。
該主要處理器526係可執行在該記憶體530中所儲存的一個基礎作業系統程式，以用於控制該無線通訊裝置500的整體操作。舉例來說，該主要處理器526係可控制藉由該收發器522進行的訊號接收和訊號傳送。該主要處理器526或許能夠執行駐留在該記憶體530中的其它程序或程式，並且可視所需而藉由一個執行程序以將資料移入或移出該記憶體430。
該收發器522係可接收來自該主要處理器526之外送資料(例如：語音資料、網站資料、電子郵件、發訊資料等)，可產生該(等)RFin訊號以代表該外送資料，並且將該(等)RFin訊號提供至該射頻功率放大器模組504。該收發器522亦可控制該射頻功率放大器模組504，而在一個選定頻帶中並且以全功率模式或功率回退(backed-off)模式進行操作。在一些實施例中，該收發器522係可使用正交分頻多工(OFDM)調變以產生該(等)RFin訊號。
如在本文中所述，該射頻功率放大器模組504係可將該(等)RFin訊號放大以提供RFout訊號。該(等)RFout訊號係可被轉送至該Tx/Rx開關518，並且接著被轉送至該天線結構514以進行一個無線(OTA)傳輸。在一些實施例中，該Tx/Rx開關518係可包含一個雙工器。依一個相似方式，該收發器522係可透過該Tx/Rx開關518以接收來自該天線結構514的一個內送無線傳輸訊號。該收發器522係可處理該內送訊號並且發送至該主要處理器526，以進行進一步處理。
該一個或更多射頻開關512係可被用來選擇性地使射頻訊號(例如：RFin訊號及/或RFout訊號)通過而到該無線通訊裝置500的構件、從該無線通訊裝置500的構件通過、及/或在該無線通訊裝置500的構件內通過。
在各種實施例中，該天線結構514係可包含一個或更多指向性及/或全向性天線，包含：例如一個雙極天線、一個單極天線、一個微帶天線、一個環狀天線、一個矩形微帶天線、或者是適合用於射頻訊號之無線(OTA)傳輸/接收之任何其它類型的天線。
熟習該項技術人士將理解到：該無線通訊裝置500係經由實例來給定，並且為簡單和清楚之目的，最多僅僅顯示及敘述到要理解該等實施例所需之無線通訊裝置500的建構和操作。各種實施例係設想到任何合適的構件或構件組合，以根據特定需求而聯合該無線通訊裝置500來實行任何合適的任務。再者，要理解到：該無線通訊裝置500不應被解讀成受到多個實施例可實施之裝置類型的限制。
儘管本發明業已依照上文所例示之實施例作出敘述，然而熟習該項技術人士將理解到：打算達成相同目標之廣泛種類的替代及/或等效實施方式係可取代所示和所述的特定實施例，而不會悖離本發明的範疇。熟習該項技術人士將立即理解到：本揭示內容之教示係可以多樣廣泛種類 的實施例來實施。此發明說明係傾向被視作為例示用而不是限制用。
100‧‧‧切換電路
104‧‧‧場效應電晶體(FET)
108‧‧‧偏壓電路系統
112‧‧‧汲極終端
116‧‧‧源極終端
120‧‧‧閘極終端
124‧‧‧本體

Claims (21)

  1. 一種設備，其係包括：一個場效應電晶體(FET)，其係經組態設定以在一個截止狀態和一個導通狀態之間進行變遷，以促進一個傳送訊號的切換，所述場效應電晶體係具有一個汲極終端和一個源極終端；以及偏壓電路系統，其係被耦合於所述場效應電晶體，所述偏壓電路系統係經組態設定以在處於所述導通狀態下將所述汲極終端和所述源極終端偏壓至一個第一直流(DC)電壓，並且在處於所述截止狀態下將所述汲極終端和所述源極終端偏壓至一個第二直流電壓，所述第二直流電壓係不同於所述第一直流電壓。
  2. 如申請專利範圍第1項之設備，其中所述場效應電晶體係進一步包含：一個閘極終端，其係經組態設定以接收一個控制訊號來對所述場效應電晶體在所述截止狀態和所述導通狀態之間進行切換，其中所述電路系統係進一步組態設定以在所述設備處於所述截止狀態時將所述閘極終端偏壓至所述第一直流電壓，並且在所述設備處於所述導通狀態時將所述閘極終端偏壓至所述第二直流電壓。
  3. 如申請專利範圍第2項之設備，其中所述場效應電晶體係進一步包含一個本體，所述本體係經組態設定以在所述導通狀態和所述截止狀態下而被偏壓至所述第一電壓。
  4. 如申請專利範圍第2項之設備，其中所述第一直流電壓和所述第二直流電壓係非負性。
  5. 如申請專利範圍第4項之設備，其中所述第一直流電壓係一個零值電壓，並且所述第二直流電壓係一個正性電壓。
  6. 如申請專利範圍第2項之設備，其中所述場效應電晶體係一個增強模式的場效應電晶體。
  7. 如申請專利範圍第6項之設備，其中所述場效應電晶體係一個絕緣層上矽元件或一個升壓互補式金屬氧化物半導體元件。
  8. 一種切換設備，其係包括：一個輸入終端，其係經組態設定以接收一個射頻(RF)訊號，所述切換設備係經組態設定以在處於一個第一狀態下使所述射頻訊號通過而到一個輸出終端，並且在處於一個第二狀態下使所述射頻訊號通過而到一個接地終端；一個第一場效應電晶體(FET)，其係以串聯方式被耦合在所述輸入終端和所述輸出終端之間，以選擇性地在所述切換設備處於所述第一狀態下使所述射頻訊號通過而到一個輸出終端，所述第一場效應電晶體係具有一個第一閘極終端和一個第一汲極終端；一個第二場效應電晶體，其係被耦合在所述輸入終端和所述接地終端之間，並且具有一個第二閘極終端和一個第二汲極終端；一個第一控制終端，其係經組態設定以接收一個第一控制訊號，來對所述第一閘極終端和所述第二汲極終端進行偏壓；以及一個第二控制終端，其係經組態設定以接收一個第二控制訊號，來對所述第二閘極終端和所述第一汲極終端進行偏壓。
  9. 如申請專利範圍第8項之切換設備，其中所述第一控制訊號在所述第二狀態期間係提供一個第一直流(DC)電壓，並且在所述第一狀態期間係提供一個第二直流電壓，所述第二直流電壓係不同於所述第一直流電壓，並且所述第一直流電壓和所述第二直流電壓係具有非負性。
  10. 如申請專利範圍第9項之切換設備，其中所述第二控制訊號在所述第二狀態期間係提供所述第二直流電壓，並且在所述第一狀態期間係提供所述第一直流電壓。
  11. 如申請專利範圍第10項之切換設備，其中所述第一直流電壓係一個 接地電壓，並且所述第二直流電壓係一個正性直流電壓。
  12. 如申請專利範圍第8項之切換設備，其中所述第一場效應電晶體係進一步包含一個第一本體，並且所述第二場效應電晶體係進一步包含一個第二本體，其中所述第一本體和所述第一本體係經組態設定以在所述第一狀態和所述第二狀態期間而被偏壓至一個接地電壓。
  13. 如申請專利範圍第8項之切換設備，其係進一步包含：一個第一直流阻隔電容器，其係被耦合在所述輸入終端和所述第一汲極終端之間；以及一個第二直流阻隔電容器，其係被耦合在所述輸入終端和所述第二汲極終端之間。
  14. 如申請專利範圍第13項之切換設備，其中所述所述第一場效應電晶體係進一步包含一個第一源極終端，並且所述第二場效應電晶體係進一步包含一個第二源極終端，且其中所述切換設備係進一步包含：一個第三直流阻隔電容器，其係被耦合在所述第一源極終端和所述第一輸入終端之間；以及一個第四直流阻隔電容器，其係被耦合在所述第二源極終端和所述第接地終端之間。
  15. 如申請專利範圍第14項之切換設備，其中所述輸入終端係經組態設定以自一個傳送器接收所述射頻訊號，並且在所述切換設備處於所述第一狀態下使所述射頻訊號通過而到一個天線，以經由一個無線通訊網路進行傳送。
  16. 如申請專利範圍第8項之切換設備，其係進一步包含：複數個串聯場效應電晶體，其係包含所述第一場效應電晶體，所述複數個串聯場效應電晶體係以串聯方式被耦合在所述輸入終端和所述輸出終端之間；以及 複數個分流場效應電晶體，其係包含所述第二場效應電晶體，所述複數個分流場效應電晶體係以分流方式被耦合在所述輸入終端和所述接地終端之間。
  17. 一種系統，其係包括：一個傳送器，其係經組態設定以產生一個射頻(RF)訊號；一個天線，其係經組態設定以經由一個無線通訊網路來發送所述射頻訊號；以及一個場效應電晶體(FET)，其係被耦合在所述傳送器和所述天線之間，所述場效應電晶體係經組態設定以在一個導通狀態下使所述射頻訊號通過而到所述天線，並且在一個截止狀態下避免所述射頻訊號到所述天線的通路，所述場效應電晶體係包含：一個汲極終端，其係經組態設定以接收所述射頻訊號；一個源極終端，其係經組態設定以在所述場效應電晶體處於所述導通狀態下使所述射頻訊號通過而到所述天線；及一個閘極終端；以及偏壓電路系統，其係被耦合於所述場效應電晶體，所述偏壓電路系統係經組態設定以在所述場效應電晶體處於所述導通狀態下將所述閘極終端偏壓至一個零值直流(DC)電壓，並且在所述場效應電晶體處於所述截止狀態下將所述閘極終端偏壓至一個正性直流電壓。
  18. 如申請專利範圍第17項之系統，其中所述偏壓電路系統係進一步組態設定以在處於所述截止狀態時將所述汲極終端和所述源極終端偏壓至所述正性直流電壓，並且在處於所述導通狀態時則將所述汲極終端和所述源極終端偏壓至所述零值直流電壓。
  19. 如申請專利範圍第18項之系統，其中所述場效應電晶體係進一步包含一個本體終端，並且其中所述偏壓電路系統係進一步組態設定以在所述 導通狀態和所述截止狀態下將所述本體終端偏壓至一個零值電壓。
  20. 如申請專利範圍第18項之系統，其中所述場效應電晶體係一個第一場效應電晶體，所述汲極終端係一個第一汲極終端，所述源極終端係一個第一源極終端，且所述閘極終端係一個第一閘極終端，並且所述系統係進一步包含在耦合在所述傳送器和一個接地終端之間的一個第二場效應電晶體，所述第二場效應電晶體係具有一個導通狀態和一個截止狀態，並且在處於所述導通狀態時使來自所述傳送器之所述射頻訊號通過而到所述接地終端，所述第二場效應電晶體係包含：一個第二汲極終端，其係經組態設定以接收所述射頻訊號；一個第二源極終端；及一個第二閘極終端；其中所述偏壓電路系統係進一步組態設定以：在所述第二場效應電晶體處於所述截止狀態時將所述第二源極終端和所述第二汲極終端偏壓至所述正性直流電壓，並且在所述第二場效應電晶體處於所述導通狀態時將所述第二源極終端和所述第二汲極終端偏壓至所述零值直流電壓；以及在所述第二場效應電晶體處於所述截止狀態時將所述第二閘極終端偏壓至所述零值直流電壓，並且在所述第二場效應電晶體處於所述導通狀態時將所述第二閘極終端偏壓至所述正性直流電壓。
  21. 如申請專利範圍第20項之系統，其中所述偏壓電路系統係包含：一個第一控制終端，其係經組態設定以對所述第一閘極終端，所述第二汲極終端和所述第二源極終端進行偏壓；以及一個第二控制終端，其係經組態設定以對所述第二閘極終端，所述第一汲極終端和所述第一源極終端進行偏壓。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI580185B (zh) * 2015-03-05 2017-04-21 瑞昱半導體股份有限公司 類比開關電路

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014024340A1 (ja) * 2012-08-09 2014-02-13 パナソニック株式会社 高周波半導体スイッチ回路とそれを備えた高周波無線システム
US9379698B2 (en) 2014-02-04 2016-06-28 Triquint Semiconductor, Inc. Field effect transistor switching circuit
CN106033961B (zh) * 2015-03-12 2019-09-03 瑞昱半导体股份有限公司 类比开关电路
US20170092637A1 (en) * 2015-09-30 2017-03-30 Infineon Technologies Ag Semiconductor ESD Protection Device and Method
KR101823269B1 (ko) 2016-11-18 2018-01-29 삼성전기주식회사 다이나믹 바이어스를 갖는 고주파 스위치 장치
CN106603053A (zh) * 2016-11-28 2017-04-26 无锡中普微电子有限公司 具有改进偏置电路的射频开关电路
CN106788369A (zh) * 2016-11-28 2017-05-31 无锡中普微电子有限公司 具有改进偏置电路的射频开关电路
KR102348686B1 (ko) 2017-08-04 2022-01-06 삼성전기주식회사 션트 및 바이어스 복합형의 고주파 스위치 장치
WO2019190507A1 (en) * 2018-03-28 2019-10-03 Intel IP Corporation Techniques for multiple signal fan-out
KR102583788B1 (ko) * 2018-07-09 2023-09-26 삼성전기주식회사 누설 전류 저감형 고주파 스위치 장치
KR102069633B1 (ko) * 2018-07-10 2020-01-23 삼성전기주식회사 제어 버퍼 회로 및 고주파 스위치 장치
US11431357B2 (en) * 2019-07-09 2022-08-30 Skyworks Solutions, Inc. Envelope controlled radio frequency switches
US11165514B2 (en) 2019-07-09 2021-11-02 Skyworks Solutions, Inc. Envelope alignment calibration in radio frequency systems
US10903821B1 (en) * 2019-08-14 2021-01-26 Qorvo Us, Inc. Complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) compatible RF switch and high voltage control circuit (HVCC)
WO2023158572A1 (en) * 2022-02-16 2023-08-24 Massachusetts Institute Of Technology Terahertz beam steering antenna arrays

Family Cites Families (86)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3551788A (en) 1968-09-13 1970-12-29 Servo Corp Of America High voltage transistorized stack with leakage current compensation
US3699359A (en) 1971-04-20 1972-10-17 Philco Ford Corp Electronic latching device
US4053916A (en) 1975-09-04 1977-10-11 Westinghouse Electric Corporation Silicon on sapphire MOS transistor
DE2851789C2 (de) 1978-11-30 1981-10-01 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Schaltung zum Schalten und Übertragen von Wechselspannungen
US4491750A (en) 1982-09-28 1985-01-01 Eaton Corporation Bidirectionally source stacked FETs with drain-referenced common gating
JPH01254014A (ja) 1988-04-04 1989-10-11 Toshiba Corp 電力増幅器
JPH07105447B2 (ja) 1988-12-15 1995-11-13 株式会社東芝 伝送ゲート
US5313083A (en) 1988-12-16 1994-05-17 Raytheon Company R.F. switching circuits
US5105164A (en) 1989-02-28 1992-04-14 At&T Bell Laboratories High efficiency uhf linear power amplifier
US5012123A (en) 1989-03-29 1991-04-30 Hittite Microwave, Inc. High-power rf switching system
JPH0732335B2 (ja) 1990-11-16 1995-04-10 日本電信電話株式会社 高周波増幅器
JP3243892B2 (ja) 1993-05-21 2002-01-07 ソニー株式会社 信号切り替え用スイッチ
US5930638A (en) 1993-07-12 1999-07-27 Peregrine Semiconductor Corp. Method of making a low parasitic resistor on ultrathin silicon on insulator
US5863823A (en) 1993-07-12 1999-01-26 Peregrine Semiconductor Corporation Self-aligned edge control in silicon on insulator
US5416043A (en) 1993-07-12 1995-05-16 Peregrine Semiconductor Corporation Minimum charge FET fabricated on an ultrathin silicon on sapphire wafer
US5572040A (en) 1993-07-12 1996-11-05 Peregrine Semiconductor Corporation High-frequency wireless communication system on a single ultrathin silicon on sapphire chip
US5973382A (en) 1993-07-12 1999-10-26 Peregrine Semiconductor Corporation Capacitor on ultrathin semiconductor on insulator
US5973363A (en) 1993-07-12 1999-10-26 Peregrine Semiconductor Corp. CMOS circuitry with shortened P-channel length on ultrathin silicon on insulator
US5452473A (en) 1994-02-28 1995-09-19 Qualcomm Incorporated Reverse link, transmit power correction and limitation in a radiotelephone system
US5553295A (en) 1994-03-23 1996-09-03 Intel Corporation Method and apparatus for regulating the output voltage of negative charge pumps
JP2801563B2 (ja) 1994-08-30 1998-09-21 松下電器産業株式会社 通信用無線機の送受信回路、半導体集積回路装置および通信用無線機
JPH08148949A (ja) 1994-11-18 1996-06-07 Fujitsu Ltd 高周波増幅器
FR2742942B1 (fr) 1995-12-26 1998-01-16 Sgs Thomson Microelectronics Generateur de creneaux de haute tension
US5777530A (en) 1996-01-31 1998-07-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Switch attenuator
JPH09232932A (ja) * 1996-02-27 1997-09-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd アンテナ切替回路
JP3484462B2 (ja) 1996-04-11 2004-01-06 株式会社ルネサステクノロジ フローティングｓｏｉ−ｍｏｓｆｅｔの寿命を予測する方法
JPH09284114A (ja) 1996-04-19 1997-10-31 Toshiba Microelectron Corp アナログ入力回路
WO1998006174A1 (fr) 1996-08-05 1998-02-12 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Circuit integre haute frequence pour emetteur-recepteur radio haute frequence exempt de fuites de puissance haute frequence
US5818099A (en) 1996-10-03 1998-10-06 International Business Machines Corporation MOS high frequency switch circuit using a variable well bias
US5920233A (en) 1996-11-18 1999-07-06 Peregrine Semiconductor Corp. Phase locked loop including a sampling circuit for reducing spurious side bands
JPH10242829A (ja) 1997-02-24 1998-09-11 Sanyo Electric Co Ltd スイッチ回路装置
JP3441330B2 (ja) 1997-02-28 2003-09-02 株式会社東芝 半導体装置及びその製造方法
US6160292A (en) 1997-04-23 2000-12-12 International Business Machines Corporation Circuit and methods to improve the operation of SOI devices
US6033974A (en) 1997-05-12 2000-03-07 Silicon Genesis Corporation Method for controlled cleaving process
US6013563A (en) 1997-05-12 2000-01-11 Silicon Genesis Corporation Controlled cleaning process
AU9296098A (en) 1997-08-29 1999-03-16 Sharon N. Farrens In situ plasma wafer bonding method
JPH11136111A (ja) 1997-10-30 1999-05-21 Sony Corp 高周波回路
JP3711193B2 (ja) 1998-01-16 2005-10-26 三菱電機株式会社 送受信切り換え回路
US5959488A (en) 1998-01-24 1999-09-28 Winbond Electronics Corp. Dual-node capacitor coupled MOSFET for improving ESD performance
US6271067B1 (en) 1998-02-27 2001-08-07 Micron Technology, Inc. Methods of forming field effect transistors and field effect transistor circuitry
US6249027B1 (en) 1998-06-08 2001-06-19 Sun Microsystems, Inc. Partially depleted SOI device having a dedicated single body bias means
JP2000022160A (ja) 1998-07-06 2000-01-21 Hitachi Ltd 半導体集積回路及びその製造方法
JP4360702B2 (ja) 1998-08-07 2009-11-11 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置
JP3408762B2 (ja) 1998-12-03 2003-05-19 シャープ株式会社 Ｓｏｉ構造の半導体装置及びその製造方法
US6171965B1 (en) 1999-04-21 2001-01-09 Silicon Genesis Corporation Treatment method of cleaved film for the manufacture of substrates
AU6905000A (en) 1999-08-10 2001-03-05 Silicon Genesis Corporation A cleaving process to fabricate multilayered substrates using low implantation doses
JP3544351B2 (ja) * 1999-11-26 2004-07-21 松下電器産業株式会社 高周波増幅回路およびそれを用いた移動体通信端末
JP3608456B2 (ja) 1999-12-08 2005-01-12 セイコーエプソン株式会社 Ｓｏｉ構造のｍｉｓ電界効果トランジスタの製造方法
US6504212B1 (en) 2000-02-03 2003-01-07 International Business Machines Corporation Method and apparatus for enhanced SOI passgate operations
JP3504212B2 (ja) 2000-04-04 2004-03-08 シャープ株式会社 Ｓｏｉ構造の半導体装置
JP2002033399A (ja) 2000-07-13 2002-01-31 Toshiba Corp 半導体集積回路及びその製造方法
US6816016B2 (en) 2000-08-10 2004-11-09 Tropian, Inc. High-efficiency modulating RF amplifier
US6496074B1 (en) 2000-09-28 2002-12-17 Koninklijke Philips Electronics N.V. Cascode bootstrapped analog power amplifier circuit
US6978437B1 (en) 2000-10-10 2005-12-20 Toppan Photomasks, Inc. Photomask for eliminating antenna effects in an integrated circuit and integrated circuit manufacture with same
JP4434474B2 (ja) 2000-11-29 2010-03-17 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 Ｍｏｓトランジスタの模擬試験方法
JP3736356B2 (ja) * 2001-02-01 2006-01-18 日本電気株式会社 高周波スイッチ回路
TWI230392B (en) 2001-06-18 2005-04-01 Innovative Silicon Sa Semiconductor device
US6819938B2 (en) 2001-06-26 2004-11-16 Qualcomm Incorporated System and method for power control calibration and a wireless communication device
KR100906356B1 (ko) 2001-08-10 2009-07-06 히타치 긴조쿠 가부시키가이샤 하이 패스 필터
JP3986780B2 (ja) 2001-08-17 2007-10-03 三菱電機株式会社 相補型プッシュプル増幅器
US6804502B2 (en) 2001-10-10 2004-10-12 Peregrine Semiconductor Corporation Switch circuit and method of switching radio frequency signals
US7796969B2 (en) 2001-10-10 2010-09-14 Peregrine Semiconductor Corporation Symmetrically and asymmetrically stacked transistor group RF switch
JP3813869B2 (ja) * 2001-12-20 2006-08-23 松下電器産業株式会社 電界効果トランジスタスイッチ回路
JP3724450B2 (ja) * 2002-04-23 2005-12-07 株式会社村田製作所 無線通信用高周波回路およびそれを備えた通信機
JP3947044B2 (ja) 2002-05-31 2007-07-18 富士通株式会社 入出力バッファ
US6642578B1 (en) * 2002-07-22 2003-11-04 Anadigics, Inc. Linearity radio frequency switch with low control voltage
JP3445608B2 (ja) 2002-10-25 2003-09-08 株式会社東芝 映像情報を含むデジタル情報の管理システム
JP2004205301A (ja) 2002-12-25 2004-07-22 Nec Corp 評価装置及びそれに用いる回路設計方法
JP4257971B2 (ja) 2003-03-27 2009-04-30 独立行政法人産業技術総合研究所 二重ゲート電界効果トランジスタのゲート信号印加方法
JP2005006072A (ja) * 2003-06-12 2005-01-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 高周波スイッチ装置および半導体装置
JP4342970B2 (ja) 2004-02-02 2009-10-14 株式会社東芝 半導体メモリ装置及びその製造方法
US7042044B2 (en) 2004-02-18 2006-05-09 Koucheng Wu Nor-type channel-program channel-erase contactless flash memory on SOI
US7072217B2 (en) 2004-02-24 2006-07-04 Micron Technology, Inc. Multi-state memory cell with asymmetric charge trapping
US7158067B2 (en) 2005-01-31 2007-01-02 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Analog to digital converter using sawtooth voltage signals with differential comparator
JP2006238058A (ja) * 2005-02-25 2006-09-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 高周波用スイッチ回路
US7402850B2 (en) 2005-06-21 2008-07-22 Micron Technology, Inc. Back-side trapped non-volatile memory device
US7910993B2 (en) 2005-07-11 2011-03-22 Peregrine Semiconductor Corporation Method and apparatus for use in improving linearity of MOSFET's using an accumulated charge sink
US8742502B2 (en) 2005-07-11 2014-06-03 Peregrine Semiconductor Corporation Method and apparatus for use in improving linearity of MOSFETs using an accumulated charge sink-harmonic wrinkle reduction
US20080076371A1 (en) 2005-07-11 2008-03-27 Alexander Dribinsky Circuit and method for controlling charge injection in radio frequency switches
US7890891B2 (en) 2005-07-11 2011-02-15 Peregrine Semiconductor Corporation Method and apparatus improving gate oxide reliability by controlling accumulated charge
US20070023833A1 (en) 2005-07-28 2007-02-01 Serguei Okhonin Method for reading a memory cell having an electrically floating body transistor, and memory cell and array implementing same
KR101318763B1 (ko) * 2005-08-09 2013-10-16 히다찌긴조꾸가부시끼가이사 고주파 스위치 회로
US7863691B2 (en) 2008-03-10 2011-01-04 International Business Machines Corporation Merged field effect transistor cells for switching
JP2010220200A (ja) * 2009-02-19 2010-09-30 Renesas Electronics Corp 導通切替回路、導通切替回路ブロック、及び導通切替回路の動作方法
JP2011193191A (ja) * 2010-03-15 2011-09-29 Renesas Electronics Corp 半導体集積回路およびそれを内蔵した高周波モジュール
JP5476198B2 (ja) * 2010-04-19 2014-04-23 ルネサスエレクトロニクス株式会社 高周波スイッチ回路

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI580185B (zh) * 2015-03-05 2017-04-21 瑞昱半導體股份有限公司 類比開關電路
US9673800B2 (en) 2015-03-05 2017-06-06 Realtek Semiconductor Corp. Analog switch circuit applicable to high frequency signal

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