TW201338231A - 有機薄膜太陽電池及有機薄膜太陽電池之製造方法 - Google Patents
有機薄膜太陽電池及有機薄膜太陽電池之製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TW201338231A TW201338231A TW102104782A TW102104782A TW201338231A TW 201338231 A TW201338231 A TW 201338231A TW 102104782 A TW102104782 A TW 102104782A TW 102104782 A TW102104782 A TW 102104782A TW 201338231 A TW201338231 A TW 201338231A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- sulfide
- solar cell
- thin film
- group
- layer
- Prior art date
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 82
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 100
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 94
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 92
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims abstract description 90
- 229910052696 pnictogen Inorganic materials 0.000 claims description 83
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 77
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 52
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 29
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 19
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 claims description 13
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 claims description 10
- CJDPJFRMHVXWPT-UHFFFAOYSA-N barium sulfide Chemical group [S-2].[Ba+2] CJDPJFRMHVXWPT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 3
- 238000013329 compounding Methods 0.000 claims 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 abstract 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 20
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 20
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 16
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical class C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 12
- ZEGFMFQPWDMMEP-UHFFFAOYSA-N strontium;sulfide Chemical compound [S-2].[Sr+2] ZEGFMFQPWDMMEP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 10
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 9
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 9
- -1 for example Substances 0.000 description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 8
- 229920000301 poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) polymer Polymers 0.000 description 8
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 8
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 7
- DUDJJJCZFBPZKW-UHFFFAOYSA-N [Ru]=S Chemical compound [Ru]=S DUDJJJCZFBPZKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 7
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 7
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 6
- 229960002796 polystyrene sulfonate Drugs 0.000 description 6
- 239000011970 polystyrene sulfonate Substances 0.000 description 6
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical class N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 4
- 150000003577 thiophenes Chemical class 0.000 description 4
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 4
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYLVYHXQOHJDJL-UHFFFAOYSA-K cerium trichloride Chemical compound Cl[Ce](Cl)Cl VYLVYHXQOHJDJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 3
- MMXSKTNPRXHINM-UHFFFAOYSA-N cerium(3+);trisulfide Chemical compound [S-2].[S-2].[S-2].[Ce+3].[Ce+3] MMXSKTNPRXHINM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 3
- 150000004763 sulfides Chemical class 0.000 description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 3
- AFNRRBXCCXDRPS-UHFFFAOYSA-N tin(ii) sulfide Chemical compound [Sn]=S AFNRRBXCCXDRPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MHIITNFQDPFSES-UHFFFAOYSA-N 25,26,27,28-tetrazahexacyclo[16.6.1.13,6.18,11.113,16.019,24]octacosa-1(25),2,4,6,8(27),9,11,13,15,17,19,21,23-tridecaene Chemical class N1C(C=C2C3=CC=CC=C3C(C=C3NC(=C4)C=C3)=N2)=CC=C1C=C1C=CC4=N1 MHIITNFQDPFSES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N Phosphorous acid Chemical compound OP(O)=O ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 2
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- OMZSGWSJDCOLKM-UHFFFAOYSA-N copper(II) sulfide Chemical compound [S-2].[Cu+2] OMZSGWSJDCOLKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052976 metal sulfide Inorganic materials 0.000 description 2
- LKKPNUDVOYAOBB-UHFFFAOYSA-N naphthalocyanine Chemical class N1C(N=C2C3=CC4=CC=CC=C4C=C3C(N=C3C4=CC5=CC=CC=C5C=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=C2C(C=CC=C2)=C2)C2=C1N=C1C2=CC3=CC=CC=C3C=C2C4=N1 LKKPNUDVOYAOBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001443 photoexcitation Effects 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- AKHNMLFCWUSKQB-UHFFFAOYSA-L sodium thiosulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=S AKHNMLFCWUSKQB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 235000019345 sodium thiosulphate Nutrition 0.000 description 2
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 2
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- YMMGRPLNZPTZBS-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydrothieno[2,3-b][1,4]dioxine Chemical compound O1CCOC2=C1C=CS2 YMMGRPLNZPTZBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C=12C=CC3=C(C=4C=CC=CC=4)C=C(C)N=C3C2=NC(C)=CC=1C1=CC=CC=C1 STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MBXOOYPCIDHXGH-UHFFFAOYSA-N 3-butylpentane-2,4-dione Chemical compound CCCCC(C(C)=O)C(C)=O MBXOOYPCIDHXGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=NC2=C1C=CC1=C(C=3C=CC=CC=3)C=CN=C21 DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001148 Al-Li alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004664 Cerium(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 229910000799 K alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MCEWYIDBDVPMES-UHFFFAOYSA-N [60]pcbm Chemical compound C123C(C4=C5C6=C7C8=C9C%10=C%11C%12=C%13C%14=C%15C%16=C%17C%18=C(C=%19C=%20C%18=C%18C%16=C%13C%13=C%11C9=C9C7=C(C=%20C9=C%13%18)C(C7=%19)=C96)C6=C%11C%17=C%15C%13=C%15C%14=C%12C%12=C%10C%10=C85)=C9C7=C6C2=C%11C%13=C2C%15=C%12C%10=C4C23C1(CCCC(=O)OC)C1=CC=CC=C1 MCEWYIDBDVPMES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N [Li].[Al] Chemical compound [Li].[Al] JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N [Mg].[In] Chemical compound [Mg].[In] JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000032900 absorption of visible light Effects 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001508 alkali metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000008045 alkali metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JYMITAMFTJDTAE-UHFFFAOYSA-N aluminum zinc oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Al+3].[Zn+2] JYMITAMFTJDTAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 1
- WDIHJSXYQDMJHN-UHFFFAOYSA-L barium chloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Ba+2] WDIHJSXYQDMJHN-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001626 barium chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000009388 chemical precipitation Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- NJWNEWQMQCGRDO-UHFFFAOYSA-N indium zinc Chemical compound [Zn].[In] NJWNEWQMQCGRDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- YTYSNXOWNOTGMY-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);trisulfide Chemical compound [S-2].[S-2].[S-2].[La+3].[La+3] YTYSNXOWNOTGMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001989 lithium alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N molybdenum disulfide Chemical compound S=[Mo]=S CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002964 pentacenes Chemical class 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 1
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 150000004033 porphyrin derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 description 1
- BITYAPCSNKJESK-UHFFFAOYSA-N potassiosodium Chemical compound [Na].[K] BITYAPCSNKJESK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NBFBORAIBRIYGM-UHFFFAOYSA-N pyrrolo[3,2-b]pyrrole-5,6-dione;thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1.C1=CN=C2C(=O)C(=O)N=C21 NBFBORAIBRIYGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 229910052979 sodium sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- GRVFOGOEDUUMBP-UHFFFAOYSA-N sodium sulfide (anhydrous) Chemical compound [Na+].[Na+].[S-2] GRVFOGOEDUUMBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- YPMOSINXXHVZIL-UHFFFAOYSA-N sulfanylideneantimony Chemical compound [Sb]=S YPMOSINXXHVZIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GKCNVZWZCYIBPR-UHFFFAOYSA-N sulfanylideneindium Chemical compound [In]=S GKCNVZWZCYIBPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- ITRNXVSDJBHYNJ-UHFFFAOYSA-N tungsten disulfide Chemical compound S=[W]=S ITRNXVSDJBHYNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/10—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising heterojunctions between organic semiconductors and inorganic semiconductors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/50—Photovoltaic [PV] devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
- H10K85/113—Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
- H10K85/1135—Polyethylene dioxythiophene [PEDOT]; Derivatives thereof
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本發明之目的在於提供一種光電轉換效率較高，耐久性亦優異之有機薄膜太陽電池，及該有機薄膜太陽電池之製造方法。本發明係一種有機薄膜太陽電池，其係具有光電轉換層者，並且上述光電轉換層包含含有週期表15族元素之硫化物之部位、及有機半導體部位，上述含有週期表15族元素之硫化物之部位與上述有機半導體部位相互鄰接。
Description
本發明係關於一種光電轉換效率較高，耐久性亦優異之有機薄膜太陽電池，及該有機薄膜太陽電池之製造方法。
先前以來，逐步開發出將複數種半導體積層並於該積層體兩側設置有電極之光電轉換元件。又，亦研究使用將複數種半導體混合而複合化而成之複合膜代替此種積層體。於此種光電轉換元件中，各半導體作為P型半導體或N型半導體發揮作用，藉由光激發以P型半導體或N型半導體生成光載體(電子-電洞對)，電子於N型半導體遷移，電洞於P型半導體遷移，藉此產生電場。
目前，經實用化之光電轉換元件大多為使用矽等無機半導體製造之無機太陽電池。然而，無機太陽電池於製造時耗費成本，且難以進行大型化，利用範圍受到限制，因此使用有機半導體代替無機半導體而製造之有機太陽電池備受矚目。
有機太陽電池中大部分情況下使用富勒烯。眾所周知富勒烯主要作為N型半導體發揮作用。例如專利文獻1中記載有使用成為P型半導體之有機化合物與富勒烯類而形成之半導體異質接合膜。然而，已知於使用富勒烯而製造之有機太陽電池中，其劣化之原因便在於富勒烯(例如參照非專利文獻1)，而謀求選擇耐久性高於富勒烯之材料。
又，代替富勒烯之優秀之有機半導體較少，因此亦研究有使用無機半導體代替富勒烯而併用有機半導體與無機半導體之有機太陽電池，作為無機半導體，可使用例如氧化鋅、氧化鈦等。作為此種有機太陽電池，例如專利文獻2中記載有將含有有機電子供與體及化合物半導體結晶之活性層設置於兩個電極之間的有機太陽電池。然而，即便使用氧化鋅、氧化鈦等，亦無法獲得充分之耐久性，又，與使用富勒烯之情形相比，亦存在光電轉換效率降低之問題。
先前技術文獻
專利文獻
專利文獻1：日本特開2006-344794號公報
專利文獻2：日本專利第4120362號公報
非專利文獻
非專利文獻1：Reese et al., Adv. Funct. Mater., 20, 3476-3483 (2010)
本發明之目的在於提供一種光電轉換效率較高，耐久性亦優異之有機薄膜太陽電池，及該有機薄膜太陽電池之製造方法。
本發明係一種有機薄膜太陽電池，其係具有光電轉換層者，並且上述光電轉換層包含含有週期表15族元素之硫化物之部位、及有機半導體部位，上述含有週期表15族元素之硫化物之部位與上述有機半導體部位相互鄰接。
以下，詳細敍述本發明。
本發明者發現於具有光電轉換層之有機薄膜太陽電池中，藉由使光電轉換層包含含有週期表15族元素之硫化物之部位、及有機半導體部位，可維持較高之光電轉換效率並且提高耐久性，從而完成本發明。
本發明之有機薄膜太陽電池係具有光電轉換層者，該光電轉換層包含含有週期表15族元素之硫化物之部位、及有機半導體部位。進而，於上述光電轉換層中，上述含有週期表15族元素之硫化物之部位與上述有機半導體部位相互鄰接。
推測於此種光電轉換層中，上述含有週期表15族元素之硫化物之部位主要作為N型半導體發揮作用，上述有機半導體部位主要作為P型半導體發揮作用，藉由光激發以P型半導體或N型半導體生成光載體(電子-電洞對)，電子於N型半導體遷移，電洞於P型半導體遷移，藉此產生電場。其中，上述含有週期表15族元素之硫化物之部位之一部分亦可作為P型半導體發揮作用，上述有機半導體部位之一部分亦可作為N型半導體發揮作用。
週期表15族元素之硫化物由於耐久性較高，故而藉由使用週期表15族元素之硫化物，本發明之有機薄膜太陽電池成為耐久性優異者。
又，藉由使用有機半導體，本發明之有機薄膜太陽電池成為耐衝擊性、柔韌性等均優異者。
又，於N型半導體與P型半導體均為無機半導體之情形時，該等之固溶體有可能於界面析出，相對於此，於本發明之有機薄膜太陽電池中，無固溶體之析出，即便於高溫時亦可獲得較高之穩定性。
再者，關於光電轉換層，只要含有週期表15族元素之硫化物之部位與有機半導體部位相互鄰接即可，可為包含含有週期表15族元素之硫化物之層及有機半導體層的積層體，亦可為將含有週期表15族元素之硫化物之部位與有機半導體部位混合而複合化而成的複合膜，但由於可提
高有機半導體部位之電荷分離效率，故而更佳為複合膜。
上述週期表15族元素之硫化物較佳為硫化銻、硫化鉍，更
佳為硫化銻。再者，於上述週期表15族元素之硫化物為硫化銻之情形時，如下述般上述含有週期表15族元素之硫化物之部位尤佳為藉由真空蒸鍍法而形成者。硫化銻與有機半導體之能階之配合性良好，且與先前之氧化鋅、氧化鈦等相比，對於可見光之吸收較大。因此，藉由使用硫化銻，有機薄膜太陽電池之電荷分離效率變得極高，光電轉換效率變高。
進而，與使用其他週期表15族元素之硫化物之情形相比，藉由使用硫化銻而使有機薄膜太陽電池之光電轉換效率之再現性變高。其原因尚未判明，但推測為：硫化銻為三價硫化物，且結晶結構穩定，因此銻金屬不易析出至硫化銻中。另一方面，推測於週期表15族元素之中，例如鉍亦可容易地呈現三價以外之硫化物之形態，因此鉍金屬析出至硫化鉍中，而使光電轉換效率之再現性降低。再者，所謂光電轉換效率之再現性係指利用相同之方法製作複數個有機薄膜太陽電池時之各有機薄膜太陽電池之間的光電轉換效率之再現性。
該等週期表15族元素之硫化物可單獨使用，亦可併用兩種以上。又，上述週期表15族元素之硫化物亦可為同一分子中含有週期表15族元素之兩種以上元素的複合硫化物。
上述含有週期表15族元素之硫化物之部位只要處於不阻礙
本發明之效果之範圍內，則除了上述週期表15族元素之硫化物以外，亦可含有其他元素。上述其他元素並無特別限定，但較佳為屬於週期表之第4週期、第5週期及第6週期之元素，具體而言，例如可列舉：銦、鎵、錫、鎘、銅、鋅、鋁、鎳、銀、鈦、釩、鈮、鉬、鉭、鐵、鈷等。該等其他元素可單獨使用，亦可併用兩種以上。其中，就電子之遷移率變高之方面而言，較佳為銦、鎵、錫、鎘、鋅、銅。
上述其他元素之含量於上述含有週期表15族元素之硫化物
之部位中之較佳之上限為50重量%。若上述含量為50重量%以下，則可抑制含有週期表15族元素之硫化物之部位與有機半導體之配合性之降低，使光電轉換效率變高。
上述含有週期表15族元素之硫化物之部位較佳為結晶性半
導體。藉由使上述含有週期表15族元素之硫化物之部位為結晶性半導體，電子之遷移率變高，光電轉換效率變高。
再者，所謂結晶性半導體係指利用X射線繞射測定等進行測定，可檢測到散射波峰之半導體。
又，作為上述含有週期表15族元素之硫化物之部位的結晶
性指標，亦可使用結晶度。上述含有週期表15族元素之硫化物之部位之結晶度的較佳之下限為30%。若上述結晶度為30%以上，則電子之遷移率變高，光電轉換效率變高。上述結晶度之更佳之下限為50%，進而較佳之下限為70%。
再者，結晶度可藉由如下方式求出：將利用X射線繞射測定等檢測出之源自結晶質之散射波峰與源自非晶質部之暈圈(halo)藉由擬合(fitting)而分離，求出各強度積分，算出總體中之結晶質部分之比。
作為提高上述含有週期表15族元素之硫化物之部位之結晶
度的方法，例如可列舉：對含有週期表15族元素之硫化物之部位進行熱退火、雷射或閃光燈等強度較強之光之照射、準分子光照射、電漿照射等方法。其中，就可減少上述週期表15族元素之硫化物之氧化之方面而言，較佳為進行強度較強之光之照射、電漿照射等。
構成上述有機半導體部位之有機半導體並無特別限定，例如
可列舉聚(3-烷基噻吩)等噻吩(thiophene)衍生物等。又，例如亦可列舉：聚對苯乙炔(polyparaphenylene vinylene)衍生物、聚乙烯咔唑衍生物、聚苯
胺衍生物、聚乙炔衍生物等導電性高分子等。進而，例如亦可列舉：酞菁(phthalocyanine)衍生物、萘酞菁(naphthalocyanine)衍生物、稠五苯(pentacene)衍生物、苯并卟啉(benzoporphyrin)衍生物等卟啉(porphyrin)衍生物等。其中，就耐久性相對較高之方面而言，較佳為噻吩衍生物、酞菁衍生物、萘酞菁衍生物、苯并卟啉衍生物。
就可吸收長波長區域之光之方面而言，上述有機半導體更佳
為施體-受體型。其中，更佳為施體-受體型噻吩衍生物，於施體-受體型噻吩衍生物之中，就光吸收波長之觀點而言，尤佳為噻吩-二酮基吡咯并吡咯聚合物。
本發明之有機薄膜太陽電池較佳為於一組電極之間具有如
上述之光電轉換層。上述電極之材料並無特別限定，可使用先前公知之材料，作為陽極材料，例如可列舉：金等金屬、CuI、ITO(氧化銦錫)、SnO2、AZO(氧化鋁鋅)、IZO(氧化銦鋅)、GZO(氧化鎵鋅)等導電性透明材料、導電性透明聚合物等。又，作為陰極材料，例如可列舉：鈉、鈉-鉀合金、鋰、鎂、鋁、鎂-銀混合物、鎂-銦混合物、鋁-鋰合金、Al/Al2O3混合物、Al/LiF混合物等。該等材料可單獨使用，亦可併用兩種以上。
本發明之有機薄膜太陽電池亦可進而具有基板、電洞傳輸
層、電子傳輸層等。上述基板並無特別限定，例如可列舉：鈉鈣玻璃、無鹼玻璃等透明玻璃基板，陶瓷基板，透明塑膠基板等。
上述電洞傳輸層之材料並無特別限定，例如可列舉：P型導
電性高分子、P型低分子有機半導體、P型金屬氧化物、P型金屬硫化物、界面活性劑等，具體而言，例如可列舉：聚伸乙二氧基噻吩之聚苯乙烯磺酸加成物、含有羧基之聚噻吩、酞菁、卟啉、氧化鉬、氧化釩、氧化鎢、氧化鎳、氧化銅、氧化錫、硫化鉬、硫化鎢、硫化銅、硫化錫等、含有氟基之膦酸、含有羰基之膦酸等。
上述電子傳輸層之材料並無特別限定，例如可列舉：N型導
電性高分子、N型低分子有機半導體、N型金屬氧化物、N型金屬硫化物、鹵化鹼金屬、鹼金屬、界面活性劑等，具體而言，例如可列舉：含有氰基之聚苯乙炔、含有硼之聚合物、浴銅靈(bathocuproine)、4,7-二苯基-1,10-啡啉(bathophenanthroline)、羥基喹啉鋁、二唑(oxadiazole)化合物、苯并咪唑化合物、萘四羧酸化合物、苝(perylene)衍生物、氧化膦化合物、硫化膦化合物、含有氟基之酞菁、氧化鈦、氧化鋅、氧化銦、氧化錫、氧化鎵、硫化錫、硫化銦、硫化鋅等。
尤其是，本發明之有機薄膜太陽電池較佳為於一組電極之間
具有包含含有週期表15族元素之硫化物之層及有機半導體層的積層體、即光電轉換層，於一電極與含有週期表15族元素之硫化物之層之間進而具有電子傳輸層。進而，更佳為於一電極與含有週期表15族元素之硫化物之層之間進而具有電子傳輸層，於另一電極與有機半導體層之間進而具有電洞傳輸層。
光電轉換層為積層體之情形時之本發明之有機薄膜太陽電池的一例示意性地示於圖1。於圖1所示之有機薄膜太陽電池1中，依序積層有基板2、透明電極(陽極)3、有機半導體層4、含有週期表15族元素之硫化物之層5、電子傳輸層6、電極(陰極)7。
又，本發明之有機薄膜太陽電池較佳為於一組電極之間具有
複合膜、即光電轉換層，該複合膜將含有週期表15族元素之硫化物之部位與有機半導體部位混合而複合化，於一電極與光電轉換層之間進而具有電子傳輸層。進而，更佳為於一電極與光電轉換層之間進而具有電子傳輸層，於另一電極與光電轉換層之間進而具有電洞傳輸層。
光電轉換層為複合膜之情形時之本發明之有機薄膜太陽電池的一例示意性地示於圖2。於圖2所示之有機薄膜太陽電池8中，依序積層有基板9、
透明電極(陽極)10、電洞傳輸層11、有機半導體部位12與含有週期表15族元素之硫化物之部位13之複合膜14、電子傳輸層15、電極(陰極)16。
於上述光電轉換層為積層體之情形時，上述含有週期表15族元素之硫化物之層之厚度的較佳之下限為5 nm，較佳之上限為5000 nm。若上述厚度為5 nm以上，則變得可更充分地吸收光，光電轉換效率變高。若上述厚度為5000 nm以下，則可抑制無法進行電荷分離之區域之產生，可防止光電轉換效率之降低。上述含有週期表15族元素之硫化物之層之厚度的更佳之下限為10 nm，更佳之上限為1000 nm，進而較佳之下限為20 nm，進而較佳之上限為500 nm。
於上述光電轉換層為積層體之情形時，上述有機半導體層之厚度之較佳之下限為5 nm，較佳之上限為1000 nm。若上述厚度為5 nm以上，則變得可更充分地吸收光，光電轉換效率變高。若上述厚度為1000 nm以下，則可抑制無法進行電荷分離之區域之產生，可防止光電轉換效率之降低。上述有機半導體層之厚度之更佳之下限為10 nm，更佳之上限為500 nm，進而較佳之下限為20 nm，進而較佳之上限為200 nm。
上述電洞傳輸層之厚度之較佳之下限為1 nm，較佳之上限為200 nm。若上述厚度為1 nm以上，則變得可更充分地阻擋電子。若上述厚度為200 nm以下，則不易成為電洞傳輸時之阻抗，光電轉換效率變高。上述電洞傳輸層之厚度之更佳之下限為3 nm，更佳之上限為150 nm，進而較佳之下限為5 nm，進而較佳之上限為100 nm。
上述電子傳輸層之厚度之較佳之下限為1 nm，較佳之上限為200 nm。若上述厚度為1 nm以上，則變得可更充分地阻擋電洞。若上述厚度為200 nm以下，則不易成為電子傳輸時之阻抗，光電轉換效率變高。上述電子傳輸層之厚度之更佳之下限為3 nm，更佳之上限為150 nm，進而較佳之下限為5 nm，進而較佳之上限為100 nm。
又，於如上述般光電轉換層為複合膜之情形時，上述光電轉
換層之厚度之較佳之下限為30 nm，較佳之上限為3000 nm。若上述厚度為30 nm以上，則變得可更充分地吸收光，光電轉換效率變高。若上述厚度為3000 nm以下，則電荷變得容易到達電極，光電轉換效率變高。上述光電轉換層之厚度之更佳之下限為40 nm，更佳之上限為1000 nm，進而較佳之下限為50 nm，進而較佳之上限為500 nm。
於上述光電轉換層為複合膜之情形時，含有週期表15族元素之硫化物之部位與有機半導體部位之比率非常重要。含有週期表15族元素之硫化物之部位與有機半導體部位之比率較佳為1：9~9：1(體積比)。若上述比率為上述範圍內，則電洞或電子變得容易到達電極，因此可使光電轉換效率提高。上述比率更佳為2：8~8：2(體積比)。
製造本發明之有機薄膜太陽電池之方法並無特別限定，例如可列舉於光電轉換層為積層體之情形時，於基板上形成電極(陽極)之後，於該電極(陽極)之表面上成膜有機半導體層，繼而於該有機半導體層之表面上成膜含有週期表15族元素之硫化物之層，進而於該含有週期表15族元素之硫化物之層之表面上形成電極(陰極)的方法等。又，亦可於基板上形成電極(陰極)之後，依序形成含有週期表15族元素之硫化物之層、有機半導體層、電極(陽極)。
成膜上述含有週期表15族元素之硫化物之層的方法並無特別限定，例如可列舉：真空蒸鍍法、藉由旋轉塗佈法等印刷法使上述週期表15族元素之硫化物之前驅體溶液或上述週期表15族元素之硫化物之奈米粒子分散液成膜的方法、化學析出法(例如，將基板上形成有電極等者浸漬於氯化銻與硫代硫酸鈉之混合溶液中而使硫化銻析出的方法等)、電解法(例如，電解鍍敷等)、其他真空製程(例如，濺鍍、CVD(Chemical Vapor Deposition，化學氣相沈積法)等)等。
成膜上述有機半導體層之方法亦無特別限定，可藉由旋轉塗佈法等印刷法穩定且簡便地形成有機半導體層，因此可削減有機半導體層之形成成本。
又，例如，於光電轉換層為複合膜之情形時，製作上述複合
膜之方法並無特別限定，例如可使用混合有機半導體、上述週期表15族元素之硫化物之前驅體溶液或上述週期表15族元素之硫化物之奈米粒子分散液而成的混合液製成複合膜。又，亦可藉由真空蒸鍍法將上述週期表15族元素之硫化物與有機半導體共蒸鍍，而製作複合膜。
尤其是，作為成膜上述含有週期表15族元素之硫化物之層
的方法、及製作上述複合膜之方法，就成膜速度較快之方面、所成膜之膜之純度較高、結果光電轉換效率變高等方面而言，較佳為真空蒸鍍法。即，於本發明之有機薄膜太陽電池中，上述含有週期表15族元素之硫化物之部位尤佳為藉由真空蒸鍍法而形成者。
再者，於真空蒸鍍法中，光電轉換效率變高之原因尚未判明，但推測為：不易引起由氧化或硫之脫離導致之上述週期表15族元素之硫化物之劣化，因而所成膜之膜之純度變高。於上述週期表15族元素之硫化物為硫化銻之情形時，利用使用真空蒸鍍法獲得之該等優點尤其得以發揮。
上述真空蒸鍍法中之真空度並無特別限定，較佳之上限為0.01 Pa，較佳之下限為0.0003 Pa。可藉由於將真空度設為上述範圍內之狀態對上述週期表15族元素之硫化物進行加熱，而獲得純度較高且光電轉換效率較高之上述含有週期表15族元素之硫化物的層或複合膜。若真空度大於0.01 Pa，則有上述週期表15族元素之硫化物之一部分被氧化，上述含有週期表15族元素之硫化物之層或複合膜之性能降低之情況。若真空度小於0.0003 Pa，則有上述週期表15族元素之硫化物之硫一部分脫離，上述含有週期表15族元素之硫化物之層或複合膜之性能部分性地降低之情況。
製造光電轉換層為積層體之情形時之本發明之有機薄膜太
陽電池的方法亦係本發明之一，其具有藉由真空蒸鍍法成膜含有週期表15族元素之硫化物之層的步驟、及形成有機半導體層之步驟。
製造光電轉換層為複合膜之情形時之本發明之有機薄膜太陽電池的方法亦係本發明之一，其具有利用真空蒸鍍法將週期表15族元素之硫化物與有機半導體共蒸鍍，藉此製作複合膜的步驟。
根據本發明，可提供一種光電轉換效率較高，耐久性亦優異之有機薄膜太陽電池，及該有機薄膜太陽電池之製造方法。
1、8‧‧‧有機薄膜太陽電池
2、9‧‧‧基板
3、10‧‧‧透明電極(陽極)
4‧‧‧有機半導體層
5‧‧‧含有週期表15族元素之硫化物之層
6、15‧‧‧電子傳輸層
7、16‧‧‧電極(陰極)
11‧‧‧電洞傳輸層
12‧‧‧有機半導體部位
13‧‧‧含有週期表15族元素之硫化物之部位
14‧‧‧複合膜
圖1係示意性地表示光電轉換層為積層體之情形時之本發明之有機薄膜太陽電池之一例的剖面圖。
圖2係示意性地表示光電轉換層為複合膜之情形時之本發明之有機薄膜太陽電池之一例的剖面圖。
以下，列舉實施例，進一步詳細地說明本發明，但本發明並不僅限於該等實施例。
以下之實施例1~14及比較例1~7係表示光電轉換層為積層體之情形時之有機薄膜太陽電池之製造。
(實施例1)
<陽極>
於玻璃基板上，形成厚度240 nm之ITO膜作為陽極，依序使用丙酮、
甲醇及異丙醇，各進行10分鐘超音波洗淨之後，使之乾燥。
<光電轉換層(積層體)>
於ITO膜之表面上，藉由旋轉塗佈法使聚伸乙二氧基噻吩：聚苯乙烯磺酸酯(PEDOT：PSS)成膜為50 nm之厚度作為有機半導體層(主要作為P型半導體發揮作用)。繼而，於該有機半導體層之表面上，於真空度0.005 Pa之條件藉由真空蒸鍍法使硫化銻成膜為40 nm之厚度作為含有週期表15族元素之硫化物之層(主要作為N型半導體發揮作用)。
<電子傳輸層>
於含有週期表15族元素之硫化物之層之表面上，藉由旋轉塗佈法使氧化鋅奈米粒子之分散液成膜為50 nm之厚度作為電子傳輸層，於260℃進行2分鐘退火。
<陰極>
於電子傳輸層之表面上，藉由真空蒸鍍形成厚度100 nm之鋁膜作為陰極，獲得有機薄膜太陽電池。
(實施例2)
<陰極>
於玻璃基板上，形成厚度240 nm之ITO膜作為陰極，依序使用丙酮、甲醇及異丙醇，各進行10分鐘超音波洗淨之後，使之乾燥。
<電子傳輸層>
於ITO膜之表面上，藉由旋轉塗佈法使氧化鋅奈米粒子之分散液成膜為50 nm之厚度作為電子傳輸層。
<光電轉換層(積層體)>
於電子傳輸層之表面上，於真空度0.005 Pa之條件藉由真空蒸鍍法使硫化銻成膜為40 nm之厚度作為含有週期表15族元素之硫化物之層，於260℃進行2分鐘退火。進而，於該含有週期表15族元素之硫化物之層之表面上，
藉由旋轉塗佈法使聚-3-己基噻吩成膜為40 nm之厚度作為有機半導體層。
<電洞傳輸層>
於有機半導體層之表面上，藉由旋轉塗佈法使聚伸乙二氧基噻吩：聚苯乙烯磺酸酯(PEDOT：PSS)成膜為50 nm之厚度作為電洞傳輸層。
<陽極>
於電洞傳輸層之表面上，藉由真空蒸鍍形成厚度100 nm之金膜作為陽極，獲得有機薄膜太陽電池。
(實施例3)
<陰極>
於玻璃基板上，形成厚度240 nm之ITO膜作為陰極，依序使用丙酮、甲醇及異丙醇，各進行10分鐘超音波洗淨之後，使之乾燥。
<光電轉換層(積層體)>
於ITO膜之表面上，於真空度0.005 Pa之條件藉由真空蒸鍍法使硫化銻成膜為40 nm之厚度作為含有週期表15族元素之硫化物之層，於260℃進行2分鐘退火。進而，於該含有週期表15族元素之硫化物之層之表面上，藉由旋轉塗佈法使聚-3-己基噻吩成膜為40 nm之厚度作為有機半導體層。
<電洞傳輸層>
於有機半導體層之表面上，藉由旋轉塗佈法使聚伸乙二氧基噻吩：聚苯乙烯磺酸酯(PEDOT：PSS)成膜為50 nm之厚度作為電洞傳輸層。
<陽極>
於電洞傳輸層之表面上，藉由真空蒸鍍形成厚度100 nm之金膜作為陽極，獲得有機薄膜太陽電池。
(實施例4)
使用硫化鉍代替硫化銻，除此以外，以與實施例2相同之方式獲得有機薄膜太陽電池。
(實施例5)
形成含有週期表15族元素之硫化物之層時之退火溫度變更為240℃，除此以外，以與實施例2相同之方式獲得有機薄膜太陽電池。
(實施例6)
形成含有週期表15族元素之硫化物之層時之退火溫度變更為200℃，除此以外，以與實施例2相同之方式獲得有機薄膜太陽電池。
(實施例7)
使用施體-受體型導電性高分子(PBDTTT-CF，1-Material公司製造)代替聚-3-己基噻吩，除此以外，以與實施例2相同之方式獲得有機薄膜太陽電池。
(實施例8)
使用酞菁銅代替聚-3-己基噻吩，藉由蒸鍍法成膜為厚度30 nm，除此以外，以與實施例2相同之方式獲得有機薄膜太陽電池。
(實施例9)
形成含有週期表15族元素之硫化物之層時之真空蒸鍍法中之真空度變更為0.0005 Pa，除此以外，以與實施例2相同之方式獲得有機薄膜太陽電池。
(實施例10)
形成含有週期表15族元素之硫化物之層時之真空蒸鍍法中之真空度變更為0.0002 Pa，除此以外，以與實施例2相同之方式獲得有機薄膜太陽電池。
(實施例11)
形成含有週期表15族元素之硫化物之層時之真空蒸鍍法中之真空度變更為0.01 Pa，除此以外，以與實施例2相同之方式獲得有機薄膜太陽電池。
(實施例12)
形成含有週期表15族元素之硫化物之層時之真空蒸鍍法中之真空度變更為0.04 Pa，除此以外，以與實施例2相同之方式獲得有機薄膜太陽電池。
(實施例13)
<陰極>
將附有FTO(摻氟氧化錫)之玻璃(Aldrich公司製造)切割為25 mm見方，依序使用丙酮、甲醇及異丙醇，各進行10分鐘超音波洗淨之後，使之乾燥。
<電子傳輸層>於FTO膜之表面上，藉由旋轉塗佈法使氧化鈦奈米粒子之分散液成膜為200 nm之厚度作為電子傳輸層，以550℃進行焙燒。
<光電轉換層(積層體)>
將於附有FTO之玻璃上形成電子傳輸層而成者浸漬於氯化銻與硫代硫酸鈉之混合溶液2小時，使硫化銻析出至氧化鈦表面(電子傳輸層表面)作為含有週期表15族元素之硫化物之層。其後，於260℃進行2分鐘退火。進而，於該含有週期表15族元素之硫化物之層之表面上，藉由旋轉塗佈使聚-3-己基噻吩(P3HT)成膜為40 nm之厚度作為有機半導體層。
<電洞傳輸層>
於有機半導體層之表面上，藉由旋轉塗佈法使聚伸乙二氧基噻吩：聚苯乙烯磺酸酯(PEDOT：PSS)成膜為50 nm之厚度作為電洞傳輸層。
<陽極>
於電洞傳輸層之表面上，藉由真空蒸鍍形成厚度100 nm之金膜作為陽極，獲得有機薄膜太陽電池。
(實施例14)
<陰極>
於玻璃基板上，形成厚度240 nm之ITO膜作為陰極，依次使用丙酮、
甲醇及異丙醇，各進行10分鐘超音波洗淨之後，使之乾燥。
<電子傳輸層>
於ITO膜之表面上，藉由旋轉塗佈法使氧化鋅奈米粒子之分散液成膜為50 nm之厚度作為電子傳輸層。
<光電轉換層(積層體)>
於乙醇100重量份添加氯化銻(III)0.5重量份，藉由攪拌使之溶解，獲得溶液A。於乙醇100重量份添加硫化鈉0.2重量份，藉由攪拌使之溶解，獲得溶液B。一面攪拌溶液A一面添加溶液B，自添加全部量起30分鐘後，對反應液進行離心分離，獲得沈澱物。利用乙醇對該沈澱物進行洗淨，再次離心分離，將該洗淨操作重複3次，獲得黑色之沈澱物(Sb2S3粒子)。藉由將該Sb2S3粒子分散於吡啶中，而製備硫化銻之奈米粒子分散液。於電子傳輸層之表面上，藉由旋轉塗佈法使硫化銻之奈米粒子分散液成膜為40 nm之厚度作為含有週期表15族元素之硫化物之層，於260℃進行2分鐘退火。進而，於該含有週期表15族元素之硫化物之層之表面上，藉由旋轉塗佈法使聚-3-己基噻吩成膜為40 nm之厚度作為有機半導體層。
<電洞傳輸層>
於有機半導體層之表面上，藉由旋轉塗佈法使聚伸乙二氧基噻吩：聚苯乙烯磺酸酯(PEDOT：PSS)成膜為50 nm之厚度作為電洞傳輸層。
<陽極>
於電洞傳輸層之表面上，藉由真空蒸鍍形成厚度100 nm之金膜作為陽極，獲得有機薄膜太陽電池。
(比較例1)
使用富勒烯代替硫化銻，除此以外，以與實施例2相同之方式獲得有機薄膜太陽電池。
(比較例2)
形成富勒烯層時之退火溫度變更為180℃，除此以外，以與比較例1相同之方式獲得有機薄膜太陽電池。
(比較例3)
於形成富勒烯層時未進行退火，除此以外，以與比較例1相同之方式獲得有機薄膜太陽電池。
(比較例4)
使用氧化鋅奈米粒子代替硫化銻，藉由旋轉塗佈法成膜，除此以外，以與實施例2相同之方式獲得有機薄膜太陽電池。
(比較例5)
使用硫化錫代替硫化銻，除此以外，以與實施例2相同之方式獲得有機薄膜太陽電池。
(比較例6)
使用硫化鋅奈米粒子代替硫化銻，藉由旋轉塗佈法成膜，除此以外，以與實施例2相同之方式獲得有機薄膜太陽電池。
(比較例7)
使用硫化銅代替PEDOT：PSS，藉由真空蒸鍍法成膜，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得有機薄膜太陽電池。
以下之實施例15~17及比較例8~10係表示光電轉換層為複合膜之情形時之有機薄膜太陽電池之製造。
(實施例15)
於真空度0.01 Pa之條件藉由共蒸鍍法形成厚度為100 nm之硫化銻(主要作為N型半導體發揮作用)與酞菁銅(主要作為P型半導體發揮作用)之複合膜，其後於260℃進行2分鐘退火，除此以外，以與實施例2相同之方式獲得有機薄膜太陽電池。硫化銻與酞菁銅之體積比為8：2。
(實施例16)
於真空度0.01 Pa之條件藉由共蒸鍍法形成厚度為160 nm之硫化銻與酞菁銅之複合膜，其後於260℃進行2分鐘退火，除此以外，以與實施例2相同之方式獲得有機薄膜太陽電池。硫化銻與酞菁銅之體積比為6：4。
(實施例17)
使用硫化鉍代替硫化銻，除此以外，以與實施例16相同之方式獲得有機薄膜太陽電池。
(比較例8)
<陽極>
於玻璃基板上，形成厚度240 nm之ITO膜作為陽極，依次使用丙酮、甲醇及異丙醇，各進行10分鐘超音波洗淨之後，使之乾燥。
<電洞傳輸層>
於ITO膜之表面上，藉由旋轉塗佈法使聚伸乙二氧基噻吩：聚苯乙烯磺酸酯(PEDOT：PSS)成膜為50 nm之厚度作為電洞傳輸層。
<光電轉換層(複合膜)>
使8重量份之富勒烯衍生物(PCBM，American Dye Source公司製造)、10重量份之聚-3-己基噻吩分散及溶解於600重量份之氯苯，製備混合溶液。將該混合溶液塗佈於電洞傳輸層之表面上，成膜為150 nm之厚度，製成複合膜。
<電子傳輸層>
於光電轉換層之表面上，藉由旋轉塗佈法使氧化鋅奈米粒子之分散液成膜為50 nm之厚度作為電子傳輸層。
<陰極>
於電子傳輸層之表面上，藉由真空蒸鍍形成厚度100 nm之鋁膜作為陰極，獲得有機薄膜太陽電池。
(比較例9)
使用氧化鋅奈米粒子代替富勒烯衍生物，除此以外，以與比較例8相同之方式獲得有機薄膜太陽電池。
(比較例10)
使用硫化鋅奈米粒子代替富勒烯衍生物，除此以外，以與比較例8相同之方式獲得有機薄膜太陽電池。
(評價1)
(1)光電轉換效率之測定
於有機薄膜太陽電池之電極之間，連接電源(KEITHLEY公司製造，236型)，使用100 mW/cm2之強度之太陽模擬器(山下電裝公司製造)測定有機薄膜太陽電池之光電轉換效率。將比較例3之光電轉換效率設為1.00而進行標準化(相對光電轉換效率(與比較例3之對比))。
(2)耐候試驗後之光電轉換效率之測定
以玻璃密封有機薄膜太陽電池，於溫度60℃、濕度35%之狀態照射60 mW/cm2之光24小時，進行耐候試驗。以與上述(1)相同之方式測定耐候試驗前後之光電轉換效率，求出將初期之光電轉換效率(初期值)設為1.00時之耐候試驗後之相對轉換效率。
(3)綜合評價
利用下述基準進行評價。
×相對光電轉換效率(與比較例3之對比)為1以下，或耐候試驗後之相對轉換效率(與初期值之對比)為0.8以下
○相對光電轉換效率(與比較例3之對比)超過1，且耐候試驗後之相對轉換效率(與初期值之對比)超過0.8
(評價2)
(1)光電轉換效率之再現性
以與上述評價1之(1)相同之方式測定利用相同方法製作之10個有機薄膜太陽電池之光電轉換效率，求出用10個中最低轉換效率除以最高轉換效率所得之值。將所獲得之值未達0.6者設為×，將0.6以上者設為○。
[產業上之可利用性]
根據本發明，可提供一種光電轉換效率較高，耐久性亦優異
之有機薄膜太陽電池，及該有機薄膜太陽電池之製造方法。
Claims (10)
- 一種有機薄膜太陽電池，其係具有光電轉換層者，且：上述光電轉換層包含含有週期表15族元素之硫化物之部位、及有機半導體部位，並且上述含有週期表15族元素之硫化物之部位與上述有機半導體部位相互鄰接。
- 如申請專利範圍第1項之有機薄膜太陽電池，其中週期表15族元素之硫化物為硫化銻。
- 如申請專利範圍第1項或第2項之有機薄膜太陽電池，其中光電轉換層係包含含有週期表15族元素之硫化物之層及有機半導體層的積層體。
- 如申請專利範圍第3項之有機薄膜太陽電池，其於一組電極之間具有積層體、即光電轉換層，該積層體包含含有週期表15族元素之硫化物之層及有機半導體層，於一電極與上述含有週期表15族元素之硫化物之層之間進而具有電子傳輸層，於另一電極與上述有機半導體層之間進而具有電洞傳輸層。
- 如申請專利範圍第1項或第2項之有機薄膜太陽電池，其中光電轉換層係將含有週期表15族元素之硫化物之部位與有機半導體部位混合而複合化而成的複合膜。
- 如申請專利範圍第5項之有機薄膜太陽電池，其於一組電極之間具有將含有週期表15族元素之硫化物之部位與有機半導體部位混合而複合化而成的複合膜、即光電轉換層，於一電極與上述光電轉換層之間進而具有電子傳輸層，於另一電極與上述光電轉換層之間進而具有電洞傳輸層。
- 如申請專利範圍第1項、第2項、第3項、第4項、第5項或第6項之有機薄膜太陽電池，其中含有週期表15族元素之硫化物之部位係藉由 真空蒸鍍法而形成者。
- 如申請專利範圍第7項之有機薄膜太陽電池，其中真空蒸鍍法之真空度為0.01~0.0003 Pa。
- 一種有機薄膜太陽電池之製造方法，其係製造申請專利範圍第3項或第4項之有機薄膜太陽電池的方法，其具有如下步驟：藉由真空蒸鍍法成膜含有週期表15族元素之硫化物之層之步驟，及成膜有機半導體層之步驟。
- 一種有機薄膜太陽電池之製造方法，其係製造申請專利範圍第5項或第6項之有機薄膜太陽電池的方法，其具有如下步驟：利用真空蒸鍍法將週期表15族元素之硫化物與有機半導體共蒸鍍，藉此製作複合膜的步驟。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012024451 | 2012-02-07 | ||
| JP2012156823 | 2012-07-12 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201338231A true TW201338231A (zh) | 2013-09-16 |
Family
ID=48947553
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW102104782A TW201338231A (zh) | 2012-02-07 | 2013-02-07 | 有機薄膜太陽電池及有機薄膜太陽電池之製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPWO2013118795A1 (zh) |
| TW (1) | TW201338231A (zh) |
| WO (1) | WO2013118795A1 (zh) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20160060601A (ko) * | 2013-09-25 | 2016-05-30 | 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 | 박막 태양 전지, 반도체 박막, 및 반도체 형성용 도포액 |
| JP2015088725A (ja) * | 2013-09-25 | 2015-05-07 | 積水化学工業株式会社 | 薄膜太陽電池、半導体薄膜、及び、半導体形成用塗布液 |
| US20160240804A1 (en) * | 2013-11-07 | 2016-08-18 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | Coating material for forming semiconductors, semiconductor thin film, thin film solar cell and method for manufacturing thin film solar cell |
| JP6415078B2 (ja) * | 2014-04-03 | 2018-10-31 | 積水化学工業株式会社 | 薄膜太陽電池及び薄膜太陽電池の製造方法 |
| JP2015201510A (ja) * | 2014-04-07 | 2015-11-12 | 積水化学工業株式会社 | 酸化物ナノ粒子分散液及び薄膜太陽電池の製造方法 |
| CN113421973B (zh) * | 2021-07-09 | 2022-06-10 | 河南大学 | 一种spiro-OMeTAD:硫化锑作为空穴传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8373060B2 (en) * | 2006-10-24 | 2013-02-12 | Zetta Research and Development LLC—AQT Series | Semiconductor grain microstructures for photovoltaic cells |
| US9634261B2 (en) * | 2010-07-02 | 2017-04-25 | Konica Minolta Inc. | Organic photoelectric conversion element and solar cell using same |
-
2013
- 2013-02-07 TW TW102104782A patent/TW201338231A/zh unknown
- 2013-02-07 WO PCT/JP2013/052795 patent/WO2013118795A1/ja active Application Filing
- 2013-02-07 JP JP2013516865A patent/JPWO2013118795A1/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2013118795A1 (ja) | 2013-08-15 |
| JPWO2013118795A1 (ja) | 2015-05-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI581475B (zh) | Organic thin film solar cells | |
| Li et al. | Graphene oxide modified hole transport layer for CH3NH3PbI3 planar heterojunction solar cells | |
| KR101727879B1 (ko) | 공기 중에 안정한 유-무기 나노입자 하이브리드 태양전지 | |
| Lee et al. | Low-cost and efficient perovskite solar cells using a surfactant-modified polyaniline: poly (styrenesulfonate) hole transport material | |
| JP7088837B2 (ja) | 太陽電池 | |
| TW201338231A (zh) | 有機薄膜太陽電池及有機薄膜太陽電池之製造方法 | |
| TW201530797A (zh) | 薄膜太陽電池及薄膜太陽電池之製造方法 | |
| TW201342680A (zh) | 有機薄膜太陽電池 | |
| TW201622196A (zh) | 太陽電池 | |
| Zhang et al. | The facile modification of PEDOT: PSS buffer layer by polyethyleneglycol and their effects on inverted perovskite solar cell | |
| TW201521221A (zh) | 薄膜太陽電池、半導體薄膜、及半導體形成用塗佈液 | |
| Dahiya et al. | Recent Advances in Organic and Inorganic Hole and Electron Transport Layers for Organic Solar Cells: Basic Concept and Device Performance | |
| Zhang et al. | PTFE/MoO3 anode bilayer buffer layers for improved performance in PCDTBT: PC71BM blend organic solar cells | |
| WO2020189615A1 (ja) | 太陽電池 | |
| JP6572039B2 (ja) | 薄膜太陽電池及び薄膜太陽電池の製造方法 | |
| JP2016025330A (ja) | 薄膜太陽電池及び薄膜太陽電池の製造方法 | |
| WO2013118794A1 (ja) | 有機薄膜太陽電池 | |
| TW201427128A (zh) | 太陽電池 | |
| JP2014078692A (ja) | 太陽電池及び太陽電池の製造方法 | |
| JP2016015409A (ja) | 薄膜太陽電池 | |
| JP2018046055A (ja) | 太陽電池 | |
| JP2013191630A (ja) | 太陽電池 | |
| JP2018046056A (ja) | 太陽電池、及び、太陽電池の製造方法 | |
| JP2016025283A (ja) | タンデム型薄膜太陽電池 | |
| JP2014112610A (ja) | 有機薄膜太陽電池 |