TW201335706A - 組合物及光學膜 - Google Patents

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Abstract

本發明之課題在於提供一種於基材或偏光膜與光學膜之間表現優異之密接性的光學膜製造用組合物、及由該組合物製造之光學膜。本發明提供一種包含以下之(A)、(B)及(C)之組合物及由該組合物形成之光學膜：(A)聚合性液晶化合物；(B)於分子內含有碳-碳不飽和鍵與活性氫反應性基之化合物；(C)光聚合起始劑；且上述(B)較佳為含有異氰酸酯基作為活性氫反應性基之化合物。

Description

組合物及光學膜
本發明係關於一種組合物及光學膜。
平板顯示裝置(FPD，Flat Panel Device)係使用包括偏光板及相位差膜等光學膜之構件。作為光學膜，已知有藉由將包含聚合性液晶化合物、光聚合起始劑及溶劑之組合物塗佈於基材上而製造者。例如，於專利文獻1中記載有藉由如下方式形成之光學膜：於實施配向處理之基材上塗佈組合物而獲得塗佈膜，對塗佈膜中所含之聚合性液晶化合物進行配向後，使聚合性液晶化合物聚合。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2007-148098號公報
本發明包含以下之發明。
[1]一種組合物，其包含以下之(A)、(B)及(C)：(A)聚合性液晶化合物；(B)於分子內含有碳-碳不飽和鍵與活性氫反應性基之化合物；(C)光聚合起始劑。
[2]如上述[1]之組合物，其中(B)為含有異氰酸酯基作為活性氫反應性基之化合物。
[3]如上述[1]之組合物，其中(B)為下述式(X)所表示之化合物，
[式(X)中，n表示1~10之整數，R1'表示碳數2~20之2價脂肪族或脂環式烴基、或者碳數5~20之2價芳香族烴基；各重複單元中之2個R2'係一者為-NH-，另一者為-[N-C(=O)-R3']-所表示之基；R3'表示含有羥基或碳-碳不飽和鍵之基；式(X)中之R3'中之至少1個R3'為含有碳-碳不飽和鍵之基]。
[4]如上述[1]至[3]中任一項之組合物，其中(A)為式(A)所表示之化合物，
[式(A)中，X1表示氧原子、硫原子或-NR1-；R1表示氫原子或碳數1~4之烷基；Y1表示可含有取代基之碳數6~12之1價芳香族烴基、或者可含有取代基之碳數3~12之1價芳香族雜環式基；Q3及Q4分別獨立地表示氫原子、可含有取代基之碳數1~20之1價脂肪族烴基、碳數3~20之脂環式烴基、可含有取代基之碳數6~20之1價芳香族烴基、鹵素原子、氰基、硝基、-NR2R3或-SR2，或者，Q3及Q4互相鍵結而與該等分別鍵結之碳原子一併形成芳香環或芳香族雜環；R2及R3分別獨立地表示氫原子或碳數1~6之烷基；D1及D2分別獨立地表示單鍵、-C(=O)-O-、-C(=S)-O-、-CR4R5- 、-CR4R5-CR6R7-、-O-CR4R5-、-CR4R5-O-CR6R7-、-CO-O-CR4R5-、-O-CO-CR4R5-、-CR4R5-O-CO-CR6R7-、-CR4R5-CO-O-CR6R7-或-NR4-CR5R6-或-CO-NR4-；R4、R5、R6及R7分別獨立地表示氫原子、氟原子或碳數1~4之烷基；G1及G2分別獨立地表示碳數5~8之2價脂環式烴基，構成該脂環式烴基之亞甲基可經氧原子、硫原子或-NH-取代，構成該脂環式烴基之次甲基可經三級氮原子取代；L1及L2分別獨立地表示1價有機基，L1及L2中之至少一者為含有聚合性基之有機基]。
[5]如上述[4]之組合物，其中(A)為式(A)之L1為式(A1)所表示之基且L2為式(A2)所表示之基的化合物，P1-F1-(B1-A1)k-E1- (A1)
P2-F2-(B2-A2)l-E2- (A2)
[式(A1)及式(A2)中，B1、B2、E1及E2分別獨立地表示-CR4R5-、-CH2-CH2-、-O-、-S-、-CO-O-、-O-CO-O-、-CS-O-、-O-CS-O-、-CO-NR1-、-O-CH2-、-S-CH2-或單鍵；A1及A2分別獨立地表示碳數5~8之2價脂環式烴基或碳數6~18之2價芳香族烴基，構成該脂環式烴基之亞甲基可經氧原子、硫原子或-NH-取代，構成該脂環式烴基之次甲基可經三級氮原子取代；k及l分別獨立地表示0~3之整數；於k為2以上之整數之情形時，複數之B1互相可相同亦可不同，複數之A1互相可相同亦可不同；於l為2以上之整數之情形時，複數之B2互相可相同亦可不同，複數之A2互相可相同亦可不同；F1及F2表示碳數1~12之2價脂肪族烴基； P1表示聚合性基；P2表示氫原子或聚合性基；R1、R4及R5表示與上述相同之含義]。
[6]一種光學膜，其係使如上述[1]至[5]中任一項之組合物中所含之聚合性液晶化合物聚合而形成。
[7]一種光學膜之製造方法，其包括以下之(1)及(2)：(1)將如上述[1]至[5]中任一項之組合物塗佈於基材上之步驟；(2)藉由使利用(1)塗佈於基材上之塗佈膜中所含之聚合性液晶化合物聚合而形成光學膜之步驟。
[8]如上述[7]之光學膜之製造方法，其中基材包含具有羥基之材料。
[9]如上述[8]之光學膜之製造方法，其中具有羥基之材料係使三乙醯基纖維素皂化而獲得者。
[10]如上述[7]至[9]中任一項之光學膜之製造方法，其中基材為於其表面設有由光配向性聚合物形成之配向膜者。
[11]如上述[10]之光學膜之製造方法，其中配向膜係利用光照射光配向性聚合物形成交聯結構而設置者。
[12]一種光學膜，其係藉由如上述[7]至[11]中任一項之製造方法而獲得。
[13]如上述[6]或[12]之光學膜，其具有相位差性。
[14]一種偏光板，其包括如上述[6]、[12]或[13]之光學膜。
[15]一種平板顯示裝置，其具備如上述[6]、[12]或[13]之光學膜。
[16]一種組合物，其包含以下之(D)及(B)：(D)光配向性聚合物；(B)於分子內含有碳-碳不飽和鍵與活性氫反應性基之化合物。
[17]如上述[16]之組合物，其中(D)為可利用光照射而形成交聯結構之光配向性聚合物。
[18]如上述[16]或[17]之組合物，其中(B)為含有異氰酸酯基作為活性氫反應性基之化合物。
[19]如上述[16]或[17]之組合物，其中(B)為下述式(X)所表示之化合物，
[式(X)中，n表示1~10之整數，R1'表示碳數2~20之2價脂肪族或脂環式烴基、或者碳數5~20之2價芳香族烴基；各重複單元中之2個R2'係一者為-NH-，另一者為-[N-C(=O)-R3']-所表示之基；R3'表示含有羥基或碳-碳不飽和鍵之基；R3'中之至少1個R3'為含有碳-碳不飽和鍵之基]。
[20]一種光學膜，其係使如上述[16]至[19]中任一項之組合物中所含之光配向性聚合物交聯而形成。
[21]一種光學膜之製造方法，其包括以下(1)及(2)之步驟：(1)將如上述[16]至[19]中任一項之組合物塗佈於基材上之步驟；(2)藉由使由步驟(1)塗佈於基材上之塗佈膜中所含之光配向性聚合物交聯而形成光學膜之步驟。
[22]如上述[21]之光學膜之製造方法，其中基材包含具有羥基之材料。
[23]如上述[22]之光學膜之製造方法，其中具有羥基之材料為使三乙醯基纖維素皂化而獲得者。
[24]一種光學膜，其係藉由如上述[21]至[23]中任一項之製造方法而獲得。
[25]一種相位差板，其係於如上述[20]或[24]之光學膜上進而形成光學各向異性層而成。
[26]一種偏光板，其包括如上述[20]或[24]之光學膜。
[27]一種平板顯示裝置，其具備如上述[20]或[24]之光學膜。
[28]一種光學膜，其係將基材、由組合物(A)形成之A層及由組合物(B)形成之B層依序積層而成，且組合物(A)含有以下之(D)及(B-1)，組合物(B)含有以下之(A)、(B-2)及(C)：(D)光配向性聚合物；(B-1)含有碳-碳不飽和鍵與活性氫反應性基之化合物；(A)聚合性液晶化合物；(B-2)含有碳-碳不飽和鍵與活性氫反應性基之化合物；(C)光聚合起始劑。
[29]如上述[28]之光學膜，其中(D)為可利用光照射而形成交聯結構之光配向性聚合物。
[30]如上述[28]或[29]之組合物，其中(B-1)及(B-2)均為含有異氰酸酯基作為活性氫反應性基之化合物。
[31]如上述[28]或[29]之光學膜，其中(B-1)及(B-2)分別獨立為下述式(X)所表示之化合物，
[式(X)中，n表示1~10之整數，R1'表示碳數2~20之2價脂肪族或脂環式烴基、或者碳數5~20之2價芳香族烴基；各重複單元中之2個R2'係一者為-NH-，另一者為-[N-C(=O)-R3']-所表示之基；R3'表示含有羥基或碳-碳不飽和鍵之基； R3'中之至少1個R3'為含有碳-碳不飽和鍵之基]。
[32]如上述[28]至[31]中任一項之光學膜，其中A層係使組合物(A)中所含有之(D)交聯而形成者。
[33]如上述[28]至[32]中任一項之光學膜，其中基材包含具有羥基之材料。
[34]如上述[33]之光學膜，其中具有羥基之材料為使三乙醯基纖維素皂化而獲得者。
[35]如上述[28]至[34]中任一項之光學膜，其具有相位差性。
[36]一種光學膜之製造方法，其包括以下之<1>至<4>之步驟：<1>藉由將含有以下之(D)及(B-1)之組合物(A)塗佈於基材上而於基材上形成第1塗佈膜之步驟；(D)光配向性聚合物(B-1)含有碳-碳不飽和鍵與活性氫反應性基之化合物<2>藉由使由步驟<1>塗佈於基材上之第1塗佈膜中所含之(D)交聯而將第1塗佈膜轉化為A層之步驟；<3>藉由於由步驟<2>形成之A層上塗佈含有以下之(A)、(B-2)及(C)之組合物(B)而於A層上形成第2塗佈膜之步驟；(A)聚合性液晶化合物(B-2)含有碳-碳不飽和鍵與活性氫反應性基之化合物(C)光聚合起始劑<4>使由步驟<3>形成之第2塗佈膜中所含之聚合性液晶化合物聚合之步驟。
[37]一種光學膜，其係藉由如上述[36]之製造方法而獲得。
[38]一種偏光板，其包括如上述[28]至[35]中任一項或[37]之光學膜。
[39]一種平板顯示裝置，其具備如上述[28]至[35]中任一項或[37] 之光學膜。
1、1'、12‧‧‧本相位差膜
2‧‧‧偏光膜層
3、3'‧‧‧接著劑層
4a、4b、4c、4d、4e、4、4'‧‧‧偏光板
5、5'‧‧‧接著層
6‧‧‧液晶面板
7‧‧‧有機EL面板
10a、10b‧‧‧液晶顯示裝置
11‧‧‧有機EL顯示裝置
圖1(a)-圖1(e)係表示本發明之偏光板之一例之剖面模式圖。
圖2(a)、圖2(b)係表示本發明之液晶顯示裝置之一例之剖面模式圖。
圖3係表示本發明之有機EL顯示裝置之一例之剖面模式圖。
I.本發明之第1形態
1.本發明之第1組合物(以下，有時將本發明之第1組合物稱為「本組合物(1)」，有時將由本組合物(1)製造之光學膜稱為「本光學膜(1)」)
本組合物(1)包含(A)聚合性液晶化合物、(B)於分子內含有碳-碳不飽和鍵與活性氫反應性基之化合物(以下有時稱為「化合物(B)」)及(C)光聚合起始劑。
1-1.化合物(B)
化合物(B)係於其分子內含有碳-碳不飽和鍵與活性氫反應性基。所謂「活性氫反應性基」，係指對於羧基(-COOH)、羥基(-OH)、胺基(-NH2)等含有活性氫之基具有反應性之基，可列舉縮水甘油基、唑啉基、碳二醯亞胺基、氮丙啶基、醯亞胺基、異氰酸酯基、硫代異氰酸酯基、順丁烯二酸酐基等。化合物(B)所含有之碳-碳不飽和鍵及活性氫反應性基之個數分別為1~20個，較佳為1~10個。
化合物(B)較佳為含有至少2個活性氫反應性基。複數存在之活性氫反應性基可相同，亦可不同。
所謂化合物(B)所含有之碳-碳不飽和鍵，可為碳-碳雙鍵或碳-碳三鍵、或者該等之組合，較佳為碳-碳雙鍵。其中，較佳為乙烯基及/或(甲基)丙烯酸基。進而，活性氫反應性基較佳為選自由環氧基、縮 水甘油基及異氰酸酯基所組成之群中之至少1種，尤佳為含有丙烯酸基與異氰酸酯基之化合物(B)。
作為化合物(B)之具體例，可列舉：甲基丙烯醯氧基縮水甘油醚或丙烯醯氧基縮水甘油醚等含有(甲基)丙烯酸基與環氧基之化合物；氧雜環丁烷丙烯酸酯或氧雜環丁烷甲基丙烯酸酯等含有(甲基)丙烯酸基與氧雜環丁烷基之化合物；內酯丙烯酸酯或內酯甲基丙烯酸酯等含有(甲基)丙烯酸基與內酯基之化合物；乙烯基唑啉或異丙烯基唑啉等含有乙烯基與唑啉基之化合物；異氰酸酯基丙烯酸甲酯、異氰酸酯基甲基丙烯酸甲酯、2-異氰酸酯基丙烯酸乙酯及2-異氰酸酯基甲基丙烯酸乙酯等含有(甲基)丙烯酸基與異氰酸酯基之化合物之低聚物等。又，可列舉甲基丙烯酸酐、丙烯酸酐、順丁烯二酸酐及乙烯基順丁烯二酸酐等含有乙烯基或伸乙烯基及酸酐之化合物等。其中，較佳為甲基丙烯醯氧基縮水甘油醚、丙烯醯氧基縮水甘油醚、異氰酸酯基丙烯酸甲酯、異氰酸酯基甲基丙烯酸甲酯、乙烯基唑啉、2-異氰酸酯基丙烯酸乙酯、2-異氰酸酯基甲基丙烯酸乙酯及低聚物，尤佳為異氰酸酯基丙烯酸甲酯、2-異氰酸酯基丙烯酸乙酯及低聚物。
較佳之化合物(B)例如係以下述式(X)表示。
[式(X)中，n表示1~10之整數，R1'表示碳數2~20之2價脂肪族或脂環式烴基、或者碳數5~20之2價芳香族烴基；各重複單元中之2個R2'係一者為-NH-，另一者為-[N-C(=O)-R3']-所表示之基；R3'表示含有羥基或碳-碳不飽和鍵之基；式(X)中之R3'中之至少1個R3'為含有碳-碳不飽和鍵之基。]
式(X)所表示之化合物(B)中，尤佳為下述式(XX)所表示之化合物 (以下，有時稱為「化合物(XX)」)(再者，n係與上述相同之含義)。
化合物(XX)亦可直接使用可自市場容易地獲得之市售品，或者視需要使其純化而使用。作為市售品，例如可列舉Laromer(註冊商標)LR-9000(BASF公司製造)等。
本組合物(1)中之化合物(B)之含量相對於本組合物(1)之總質量而言，較佳為0.01~10質量%，進而較佳為0.1~5質量%。
1-2.聚合性液晶化合物
所謂聚合性液晶化合物，為含有聚合性基且顯示液晶狀態之化合物。所謂聚合性基，意指與聚合性液晶化合物之聚合反應相關之基。
聚合性液晶化合物之較佳例之一例如為式(A)所表示之化合物(以下有時稱為「化合物(A)」)。
[式(A)中，X1表示氧原子、硫原子或-NR1-；R1表示氫原子或碳數1~4之烷基；Y1表示可含有取代基之碳數6~12之1價芳香族烴基、或者可含有取代基之碳數3~12之1價芳香族雜環式基；Q3及Q4分別獨立地表示氫原子、可含有取代基之碳數1~20之1價 脂肪族烴基、碳數3~20之脂環式烴基、可含有取代基之碳數6~20之1價芳香族烴基、鹵素原子、氰基、硝基、-NR2R3或-SR2，或者Q3及Q4互相鍵結而與該等分別鍵結之碳原子一併形成芳香環或芳香族雜環；R2及R3分別獨立地表示氫原子或碳數1~6之烷基；D1及D2分別獨立地表示單鍵、-C(=O)-O-、-C(=S)-O-、-CR4R5-、-CR4R5-CR6R7-、-O-CR4R5-、-CR4R5-O-CR6R7-、-CO-O-CR4R5-、-O-CO-CR4R5-、-CR4R5-O-CO-CR6R7-、-CR4R5-CO-O-CR6R7-或-NR4-CR5R6-或-CO-NR4-；R4、R5、R6及R7分別獨立地表示氫原子、氟原子或碳數1~4之烷基；G1及G2分別獨立地表示碳數5~8之2價脂環式烴基，構成該脂環式烴基之亞甲基可經氧原子、硫原子或-NH-取代，構成該脂環式烴基之次甲基可經三級氮原子取代；L1及L2分別獨立地表示1價有機基，L1及L2中之至少一者為含有聚合性基之有機基。]
作為R1所表示之碳數1~4之烷基，可列舉甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基及第二丁基等。其中，較佳為碳數1~3之烷基，更佳為甲基及乙基，尤佳為甲基。
作為Y1所表示之芳香族烴基，可列舉：苯基等單環系芳香族烴基；萘基、蒽基、菲基及聯苯基等多環系芳香族烴基(包括縮合多環系芳香族烴基)。其中，作為Y1所表示之芳香族烴基，較佳為苯基及萘基，更佳為苯基。
作為Y1所表示之芳香族雜環式基，可列舉：呋喃基、吡咯基、噻吩基、吡啶基及噻唑基等單環系芳香族雜環基；苯并噻唑基、苯并呋喃基及苯并噻吩基等多環系芳香族雜環基(包括縮合多環系芳香族雜環基)等至少含有一個氮原子、氧原子及硫原子等雜原子之芳香族 雜環式基。其中較佳為呋喃基、噻吩基、噻唑基、苯并噻唑基、苯并呋喃基及苯并噻吩基。
Y1所表示之芳香族烴基及芳香族雜環式基亦可含有取代基(以下有時稱為「取代基Z1」)。作為取代基Z1，可列舉鹵素原子、碳數1~6之烷基、氰基、硝基、亞硝基、羧基、碳數1~6之烷基亞磺醯基、碳數1~6之烷基磺醯基、碳數1~6之氟烷基、碳數1~6之烷氧基、碳數1~6之烷基硫基、碳數1~6之N-烷基胺基、碳數2~12之N,N-二烷基胺基、碳數1~6之N-烷基胺磺醯基、及碳數2~12之N,N-二烷基胺磺醯基等。
作為取代基Z1中之鹵素原子，可列舉氟原子、氯原子、溴原子及碘原子，較佳為氟原子、氯原子及溴原子。
取代基Z1中之烷基之具體例可列舉作為R1之烷基而例示者。其中，更佳為甲基及乙基，尤佳為甲基。
作為取代基Z1中之烷基亞磺醯基，可列舉甲基亞磺醯基、乙基亞磺醯基、丙基亞磺醯基、異丙基亞磺醯基、丁基亞磺醯基、異丁基亞磺醯基、第二丁基亞磺醯基、第三丁基亞磺醯基、戊基亞磺醯基及己基亞磺醯基等。其中較佳為碳數1~4之烷基亞磺醯基，更佳為碳數1~2之烷基亞磺醯基，尤佳為甲基亞磺醯基。
作為取代基Z1中之烷基磺醯基，可列舉甲基磺醯基、乙基磺醯基、丙基磺醯基、異丙基磺醯基、丁基磺醯基、異丁基磺醯基、第二丁基磺醯基、第三丁基磺醯基、戊基磺醯基及己基磺醯基等。其中較佳為碳數1~4之烷基磺醯基，更佳為碳數1~2之烷基磺醯基，尤佳為甲基磺醯基。
作為取代基Z1中之氟烷基，可列舉氟甲基、三氟甲基、氟乙基、五氟乙基、七氟丙基及九氟丁基等。其中較佳為碳數1~4之氟烷基，更佳為碳數1~2之氟烷基，尤佳為三氟甲基。
作為取代基Z1中之烷氧基，可列舉甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基、異丁氧基、第二丁氧基、第三丁氧基、戊氧基及己氧基等。其中較佳為碳數1~4之烷氧基，更佳為碳數1~2之烷氧基，尤佳為甲氧基。
作為取代基Z1中之烷基硫基，可列舉甲基硫基、乙基硫基、丙基硫基、異丙基硫基、丁基硫基、異丁基硫基、第二丁基硫基、第三丁基硫基、戊基硫基及己基硫基等。其中較佳為碳數1~4之烷基硫基，更佳為碳數1~2之烷基硫基，尤佳為甲基硫基。
作為取代基Z1中之N-烷基胺基，可列舉N-甲基胺基、N-乙基胺基、N-丙基胺基、N-異丙基胺基、N-丁基胺基、N-異丁基胺基、N-第二丁基胺基、N-第三丁基胺基、N-戊基胺基及N-己基胺基等。其中較佳為碳數1~4之N-烷基胺基，更佳為碳數1~2之N-烷基胺基，尤佳為N-甲基胺基。
作為取代基Z1中之N,N-二烷基胺基，可列舉N,N-二甲基胺基、N-甲基-N-乙基胺基、N,N-二乙基胺基、N,N-二丙基胺基、N,N-二異丙基胺基、N,N-二丁基胺基、N,N-二異丁基胺基、N,N-二戊基胺基及N,N-二己基胺基等。其中較佳為碳數2~8之N,N-二烷基胺基，更佳為碳數2~4之N,N-二烷基胺基，尤佳為N,N-二甲基胺基。
作為取代基Z1中之N-烷基胺磺醯基，可列舉N-甲基胺磺醯基、N-乙基胺磺醯基、N-丙基胺磺醯基、N-異丙基胺磺醯基、N-丁基胺磺醯基、N-異丁基胺磺醯基、N-第二丁基胺磺醯基、N-第三丁基胺磺醯基、N-戊基胺磺醯基及N-己基胺磺醯基等。其中較佳為碳數1~4之N-烷基胺磺醯基，更佳為碳數1~2之N-烷基胺磺醯基，尤佳為N-甲基胺磺醯基。
作為取代基Z1中之N,N-二烷基胺磺醯基，可列舉N,N-二甲基胺磺醯基、N-甲基-N-乙基胺磺醯基、N,N-二乙基胺磺醯基、N,N-二丙基 胺磺醯基、N,N-二異丙基胺磺醯基、N,N-二丁基胺磺醯基、N,N-二異丁基胺磺醯基、N,N-二戊基胺磺醯基及N,N-二己基胺磺醯基等。其中較佳為碳數2~8之N,N-二烷基胺磺醯基，更佳為碳數2~4之N,N-二烷基胺磺醯基，尤佳為N,N-二甲基胺磺醯基。
其中，取代基Z1較佳為鹵素原子、碳數1~2之烷基、氰基、硝基、碳數1~2之烷基磺醯基、碳數1~2之氟烷基、碳數1~2之烷氧基、碳數1~2之烷基硫基、碳數1~2之N-烷基胺基、碳數2~4之N,N-二烷基胺基及碳數1~2之烷基胺磺醯基，尤佳為鹵素原子、甲基、氰基、硝基、磺基、羧基、三氟甲基、甲氧基、甲基硫基、N,N-二甲基胺基及N-甲基胺基。
於Y1為可含有取代基之單環系芳香族烴基或可含有取代基之單環系芳香族雜環基之情形時，其較佳例可列舉式(Y-1)~式(Y-6)分別表示之基。
[式(Y-1)~式(Y-6)中，*表示鍵結鍵，Z1表示上述取代基Z1；a1表示0~5之整數，a2表示0~4之整數，b1表示0~3之整數，b2表示0~2之整數；R8表示氫原子或甲基；再者，於a1、a2、b1及b2為2以上之整數之情形時，存在於同一 個基中之複數個Z1互相可相同亦可不同。]
若Y1為式(Y-1)或式(Y-3)所表示之基，則就可容易地製造化合物(A)之方面或成本之方面而言尤佳。
於Y1為可含有取代基之多環系芳香族烴基或可含有取代基之多環系芳香族雜環基之情形時，其較佳例可列舉式(Y1-1)~式(Y1-7)分別表示之基。
[式(Y1-1)~式(Y1-7)中，*表示鍵結鍵，Z1表示上述取代基Z1；V1及V2分別獨立地表示-CO-、-S-、-NR9-、-O-、-Se-或-SO2-；R9表示氫原子或碳數1~4之烷基；W1~W5分別獨立地表示-CH=或-N=；其中，V1、V2及W1~W5中之至少1個表示S、N、O或Se等雜原子或含有該雜原子之基；a表示0~3之整數；b表示0~2之整數；再者，於a、b為2以上之整數之情形時，存在於同一個基中之複數個Z1互相可相同亦可不同。]
V1及V2較佳為分別獨立為-S-、-NR9-或-O-，W1~W5較佳為分別獨立為-CH=或-N=。
a較佳為0或1，b較佳為0。
進而，於Y1為可含有取代基之多環系芳香族烴基或可含有取代基之多環系芳香族雜環基之情形時，更佳為式(Y2-1)~式(Y2-6)所表示之基。
[式(Y2-1)~式(Y2-6)中，*、Z1、a、b、V1、V2及W1表示與上述相同之含義。]
於式(Y2-1)~式(Y2-6)分別表示之基中，作為Z1，較佳為鹵素原子、甲基、乙基、異丙基、第二丁基、氰基、硝基、磺基、亞硝基、羧基、三氟甲基、甲氧基、甲基硫基、N,N-二甲基胺基及N-甲基胺基，更佳為鹵素原子、甲基、乙基、異丙基、第二丁基、氰基、硝基、三氟甲基，尤佳為甲基、乙基、異丙基、第二丁基、戊基及己基。
作為Q3及Q4所表示之脂肪族烴基，可列舉甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、戊基、1-甲基丁基、3-甲基丁基、己基、1-甲基戊基、4-甲基戊基、庚基、1-甲基己基、5-甲基己基、辛基、1-甲基庚基、壬基、1-甲基辛基、癸基、十一烷基、十二烷基、十三烷基、十四烷基、十五烷基、十六烷基、十七烷基、十八烷基、十九烷基及二十烷基等。較佳為碳數1~12之烷基，尤佳為甲基及乙基。
作為Q3及Q4所表示之脂環式烴基，可列舉環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環庚基、環辛基、環壬基及環癸基等，較佳為碳數3~12之環狀烷基。
作為Q3及Q4所表示之芳香族烴基，可列舉苯基、聯苯基、1-萘基、2-萘基、1-茀基、2-茀基及3-茀基等，較佳為碳數6~14之芳香族烴基。
Q3及Q4所表示之脂肪族烴基、脂環式烴基及芳香族烴基可分別含有取代基。作為取代基，可列舉作為Z1而例示者。
R2及R3為碳數1~6之烷基，其中較佳為碳數1~4之烷基，更佳為甲基及乙基，尤佳為甲基。
Q3及Q4可互相鍵結而形成芳香環或芳香族雜環。作為Q3與Q4所形成之環，較佳為芳香族雜環，例如，更佳為化合物(A)中之式(Q')
所表示之部分結構為式(Q)所表示之結構。
[式(Q)中，X2與作為式(A)中之X1而例示之原子或基相同，Y2與作為式(A)中之Y1而例示之基相同。]
若將X1、Y1、Q3及Q4之組合之具體例以化合物(A)中之式(ar)
所表示之部分結構表示，則可列舉選自由以下之式(ar-1)~式(ar-135)所組成之群中者。
關於式(ar)所表示之部分結構，包含式(ar-86)所表示之結構之化合物(A)由於化合物(A)本身之製造更加容易，易於控制由含有化合物(A)之本組合物所形成之光學膜之相位差的波長分散性，故而較佳。
式(A)中之D1及D2較佳為分別獨立為-O-C(=O)-、-O-C(=S)-、-O-CR4R5-、-NR4-CR5R6-或-NR4-CO-，更佳為分別獨立為*-O-C(=O)-、*-O-C(=S)-、*-O-CR4R5-、*-NR4-CR5R6-或*-NR4-CO-，進而較佳為分別獨立為*-O-C(=O)-、*-O-C(=S)-或*-NR4-CO-(*表示式(ar)所表示之部分結構中之與Q1及Q2所鍵結之苯環的鍵結鍵)。
R4、R5、R6及R7較佳為分別獨立為氫原子或碳數1~4之烷基，更佳為分別獨立為氫原子、甲基或乙基。
作為G1及G2所表示之2價脂環式烴基，可列舉單環式烴基或橋接環式烴基，較佳為五員環或六員環。該脂環式烴基可飽和亦可不飽和，較佳為飽和脂環式烴基。又，G1及G2所表示之脂環式烴基亦存在構成其之-CH2-被取代為-O-、-S-或-NH-之情形，或構成其之次甲基 被取代為三級氮原子之情形。即，G1及G2可為含有雜原子之基。若列舉G1及G2之具體例，則為式(g-1)~式(g-10)分別表示者。
G1及G2所表示之2價脂環式烴基中所含之氫原子可經取代基(以下有時稱為「取代基Z2」)取代。作為取代基Z2，可列舉：甲基、乙基、異丙基、第三丁基等碳數1~4之烷基；甲氧基、乙氧基等碳數1~4之烷氧基；三氟甲基等碳數1~4之氟烷基；三氟甲氧基等碳數1~4之氟烷氧基；氰基；硝基；氟原子、氯原子、溴原子等鹵素原子。
作為G1及G2，較佳為式(g-1)所表示之2價脂環式烴基。其中，更佳為G1及G2均為環己烷-1,4-二基，尤佳為反式-環己烷-1,4-二基。
式(A)中之L1及L2分別獨立為1價有機基，L1及L2中之至少一者為含有聚合性基之有機基。
更佳為L1為式(A1)所表示之基(以下有時稱為「基(A1)」)，L2為式(A2)所表示之基(以下有時稱為「基(A2)」)。
P1-F1-(B1-A1)k-E1- (A1)
P2-F2-(B2-A2)l-E2- (A2)
[式(A1)及式(A2)中，B1、B2、E1及E2分別獨立地表示-CR4R5-、-CH2-CH2-、-O-、-S-、-CO-O-、-O-CO-O-、-CS-O-、-O-CS-O-、-CO-NR1-、-O-CH2-、-S-CH2-或單鍵；A1及A2分別獨立地表示碳數5~8之2價脂環式烴基或碳數6~18之2 價芳香族烴基，構成該脂環式烴基之亞甲基可經氧原子、硫原子或-NH-取代，構成該脂環式烴基之次甲基可經三級氮原子取代；k及l分別獨立地表示0~3之整數；於k為2以上之整數之情形時，複數之B1互相可相同亦可不同，複數之A1互相可相同亦可不同；於l為2以上之整數之情形時，複數之B2互相可相同亦可不同，複數之A2互相可相同亦可不同；F1及F2表示碳數1~12之2價脂肪族烴基；P1表示聚合性基；P2表示氫原子或聚合性基；R4及R5表示與上述相同之含義。]
基(A1)及基(A2)中，A1及A2所表示之2價脂環式烴基之具體例為作為G1及G2之2價脂環式烴基而例示者，其較佳例亦與G1及G2之較佳例相同。作為A1及A2所表示之2價芳香族烴基，可為單環式，亦可為多環式(包括複數之芳香環以單鍵連結之多環式及縮合多環式)。作為A1及A2所表示之2價芳香族烴基，例如可列舉式(a-1)~式(a-8)分別表示者。又，作為A1及A2所表示之芳香族烴基，較佳為具有對稱軸或對稱面之基。
A1及A2所表示之脂環式烴基及芳香族烴基中所含之氫原子可經取代基取代。作為取代基，可列舉作為G1及G2所表示之脂環式烴基有時任意地含有之取代基Z2而例示者。
作為A1及A2，較佳為分別獨立為1,4-伸苯基或環己烷-1,4-二基，就化合物(A)之製造變得更加容易之方面而言，較佳為1,4-伸苯基。
由於有化合物(A)之製造變得容易之傾向，故較佳為B1及B2為同種類之基。又，於k、l為2以上之整數之情形時，若存在於2個A1之間的B1、存在於2個A2之間的B2為-CH2-CH2-、-C(=O)-O-、-CO-NH-、-O-CH2-或單鍵，則有化合物(A)之製造變得更加容易之傾向，故而較佳。就易於形成顯示較高之液晶性之本光學膜之方面而言，存在於2個A1之間的B1、存在於2個A2之間的B2較佳為均為-C(=O)-O-。
與F1鍵結之B1、及與F2鍵結之B2更佳為分別獨立為-O-、-C(=O)-O-、-O-C(=O)-、-O-C(=O)-O-、-CO-NH-、-NH-CO-或單鍵。
k及l較佳為分別獨立地表示0~3之整數，k及l更佳為0~2。k及l之合計更佳為4以下。若k及l處於上述範圍，則有化合物(A)更易於顯示液晶性之傾向。
F1及F2較佳為分別獨立為碳數1~12之烷二基，更佳為直鏈之烷二基。尤佳為未經取代之烷二基。該烷二基中所含之氫原子可被取代為碳數1~5之烷氧基或鹵素原子。又，構成該烷二基之-CH2-可被取代為-O-或-C(=O)-。
P1及P2為氫原子或聚合性基，至少一者為聚合性基。於欲獲得硬度更優異之本光學膜之情形時，較佳為P1及P2均為聚合性基。
所謂聚合性基，意指可使化合物(A)聚合之特性基，具體而言，可例示：乙烯基、乙烯氧基、苯乙烯基、對(2-苯基乙烯基)苯基、丙烯醯基、甲基丙烯醯基、丙烯醯氧基、甲基丙烯醯氧基等含有乙烯性不飽和基之聚合性基；羧基；乙醯基；羥基；胺甲醯基；碳數1~4之 烷基胺基；胺基；環氧乙烷基；氧雜環丁基、甲醯基、異氰酸酯基或異硫氰基等。
作為聚合性基，較佳為適於使化合物(A)光聚合之自由基聚合性基及陽離子聚合性基，尤佳為丙烯醯基、甲基丙烯醯基、丙烯醯氧基及甲基丙烯醯氧基。其中聚合性基較佳為分別獨立為丙烯醯氧基或甲基丙烯醯氧基，尤佳為丙烯醯氧基。
若考慮化合物(A)之製造上之容易性，則較佳為基(A1)與基(A2)相同，即，L1與L2相同。
同樣地，化合物(A)中，較佳為D1與D2相同，G1與G2相同，即，化合物(A)中，-D1-G1-L1所表示之基與-D2-G2-L2所表示之基相同。於此種情形時，可更容易地製造化合物(A)。
作為L1為式(A1)所表示之基之情形時的-D1-G1-L1之具體例、及L2為式(A2)所表示之基之情形時的-D2-G2-L2之具體例，可列舉下述式(R-1)~式(R-134)分別表示之基等。
再者，式(R-1)~式(R-134)中之n表示2~12之整數，較佳為3~10，進而較佳為4~8。
L1為基(A1)、L2為基(A2)之化合物(A)較佳為進而同時滿足式(1)及式(2)之關係。
(Nπ-4)/3<k+l+4 (1)
12≦Nπ≦22 (2)
[式(1)及式(2)中，Nπ表示式(A)中除-D1-G1-L1、-D2-G2-L2以外之部分所具有之芳香環中所含的π電子之數；k及l表示與上述相同之含義。]
作為化合物(A)，例如可列舉下述化合物(i)~化合物(xxvii)。再者，表中之L1表示-D1-G1-L1，L2表示-D2-G2-L2。
表中，例如，(i)所表示之化合物(A)(以下，根據表中之編號而將該化合物(A)稱為「化合物(xvi)」)意指如下化合物：式(ar)所表示之部分結構為式(ar-39)所表示之結構，-D1-G1-L1所表示之基為選自由(R-1)~(R-48)、(R-56)~(R-120)及(R-129)~(R-131)所組成之群中之基，-D2-G2-L2所表示之基為選自由(R-1)~(R-48)及(R-56)~(R-131)所組成之群中之基的化合物。
例如，化合物(xvi)意指如下2種化合物(A)之混合物：式(ar)所表示之部分結構為式(ar-39)所表示之結構，-D1-G1-L1所表示之基為選自 由(R-1)~(R-48)、(R-56)~(R-120)及(R-129)~(R-131)所組成之群中之基，-D2-G2-L2所表示之基為選自由(R-1)~(R-48)及(R-56)~(R-131)所組成之群中之基的化合物；與式(ar)所表示之部分結構為式(ar-40)所表示之結構，-D1-G1-L1所表示之基為選自由(R-1)~(R-48)、(R-56)~(R-120)及(R-129)~(R-131)所組成之群中之基，-D2-G2-L2所表示之基為選自由(R-1)~(R-48)及(R-56)~(R-131)所組成之群中之基的化合物。
作為表之化合物(A)之具體例，例如可列舉如以下之化合物。於表中所示之化合物(A)中，對化合物(i)、化合物(iii)、化合物(iv)、化合物(v)、化合物(viii)、化合物(ix)、化合物(x)、化合物(xv)、化合物(xvii)、化合物(xviii)、化合物(xix)、化合物(xx)、化合物(xxii)、化合物(xxiii)、化合物(xxiv)及化合物(xxv)之代表性之結構式進行例示。以下之化學式係設為包含全部立體異構物者。又，化合物(i)~(xxv)較佳為環己烷-1,4-二基全部為反式-環己烷-1,4-二基。
進而，作為化合物(A)，亦可列舉式(A1)~式(A61)分別表示者。
(式(A1)中之2個*與(A1-1)~(A1-8)中之任一個*相鍵結)
(式(A2)中之2個*與(A2-1)~(A2-8)中之任一個*相鍵結)
(式(A3)中之2個*與(A3-1)~(A3-8)中之任一個*相鍵結)
(式(A4)中之2個*與(A4-1)~(A4-8)中之任一個*相鍵結)
(式(A5)中之2個*與(A5-1)~(A5-8)中之任一個*相鍵結)
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(式(A44)中之2個*與(A44-1)~(A44-8)中之任一個*相鍵結)
(式(A45)中之2個*與(A45-1)~(A45-8)中之任一個*相鍵結)
(式(A46)中之2個*與(A46-1)~(A46-8)中之任一個*相鍵結)
(式(A47)中之2個*與(A47-1)~(A47-8)中之任一個*相鍵結)
(式(A48)中之2個*與(A48-1)~(A48-8)中之任一個*相鍵結)
(式(A49)中之2個*與(A49-1)~(A49-8)中之任一個*相鍵結)
(式(A50)中之2個*與(A50-1)~(A50-8)中之任一個*相鍵結)
(式(A51)中之2個*與(A51-1)~(A51-8)中之任一個*相鍵結)
(式(A52)中之2個*與(A52-1)~(A52-8)中之任一個*相鍵結)
(式(A53)中之2個*與(A53-1)~(A53-8)中之任一個*相鍵結)
(式(A54)中之2個*與(A54-1)~(A54-8)中之任一個*相鍵結)
(式(A55)中之2個*與(A55-1)~(A55-8)中之任一個*相鍵結)
(式(A56)中之2個*與(A56-1)~(A56-8)中之任一個*相鍵結)
(式(A57)中之2個*與(A57-1)~(A57-8)中之任一個*相鍵結)
(式(A58)中之2個*與(A58-1)~(A58-8)中之任一個*相鍵結)
(式(A59)中之2個*與(A59-1)~(A59-8)中之任一個*相鍵結)
(式(A60)中之2個*與(A60-1)~(A60-8)中之任一個*相鍵結)
(式(A61)中之2個*與(A61-1)~(A61-8)中之任一個*相鍵結)
又，作為化合物(A)，亦可使用以下者。
化合物(A)可藉由根據其結構並適當組合Methoden der Organischen Chemie、Organic Reactions、Organic Syntheses、Comprehensive Organic Synthesis、新實驗化學講座等所記載之縮合反應、酯化反應、Williamson反應、Ullmann反應、Wittig反應、Schiff鹼生成反應、苄基化反應、薗頭反應、鈴木-宮浦反應、根岸反應、熊田反應、檜山反應、Buchwald-Hartwig反應、Friedel-Crafts反應、 Heck反應、醇醛反應等而製造。
以D1及D2為*-O-CO-之情形時之化合物(A)為例，簡單說明其製造方法。首先，分別準備式(1-1)所表示之化合物(化合物(1-1))及式(1-2)所表示之化合物(化合物(1-2))，使化合物(1-1)與化合物(1-2)反應，藉此獲得式(1-3)所表示之化合物(化合物(1-3))。
[式中，X1、Y1、Q1、及Q2表示與式(A)中相同之含義。]
[式中，G1、E1、A1、B1、F1、P1及k表示與上述相同之含義。]
[式中，X1、Y1、Q1、Q2、G1、E1、A1、B1、F1、P1及k表示與上述相同之含義。]
繼而，使所得之化合物(1-3)與式(1-4)所表示之化合物(化合物(1-4))反應，藉此可製造化合物(A)。
[式中，G2、E2、A2、B2、F2、P2及1表示與上述相同之含義。]
化合物(1-1)與化合物(1-2)之反應、及化合物(1-3)與化合物(1-4)之反應較佳為於酯化劑之存在下實施。
作為酯化劑(縮合劑)，可列舉：1-環己基-3-(2-啉基乙基)碳二醯亞胺甲基對甲苯磺酸酯、二環己基碳二醯亞胺、1-乙基-3-(3-二甲 基胺基丙基)碳二醯亞胺、1-乙基-3-(3-二甲基胺基丙基)碳二醯亞胺鹽酸鹽(部分水溶性碳二醯亞胺：作為Water Soluble Carbodiimide而市售)、雙(2,6-二異丙基苯基)碳二醯亞胺、雙(三甲基矽烷基)碳二醯亞胺、雙異丙基碳二醯亞胺等碳二醯亞胺；2-甲基-6-硝基苯甲酸酐、2,2'-羰基雙-1H-咪唑、1,1'-乙二醯基二咪唑、疊氮基二苯基磷酸酯、1-(4-硝基苯磺醯基)-1H-1,2,4-三唑、1H-苯并三唑-1-基氧基三吡咯烷基鏻六氟磷酸鹽、1H-苯并三唑-1-基氧基三(二甲基胺基)鏻六氟磷酸鹽、N,N,N',N'-四甲基-O-(N-丁二醯亞胺基)脲四氟硼酸鹽、N-(1,2,2,2-四氯乙氧基羰氧基)丁二醯亞胺、N-苄氧羰基丁二醯亞胺、O-(6-氯苯并三唑-1-基)-N,N,N',N'-四甲基脲四氟硼酸鹽、O-(6-氯苯并三唑-1-基)-N,N,N',N'-四甲基脲六氟磷酸鹽、2-溴-1-乙基吡啶鎓四氟硼酸鹽、2-氯-1,3-二甲基氯化咪唑啉鎓、2-氯-1,3-二甲基咪唑啉鎓六氟磷酸鹽、2-氯-1-甲基碘化吡啶鎓、對甲苯磺酸(2-氯-1-甲基吡啶鎓)、對甲苯磺酸(2-氟-1-甲基吡啶鎓)、三氯乙酸五氯苯酯等。其中，就反應性、成本、可使用廣泛之溶劑之方面而言，作為縮合劑，較佳為二環己基碳二醯亞胺、1-乙基-3-(3-二甲基胺基丙基)碳二醯亞胺、1-乙基-3-(3-二甲基胺基丙基)碳二醯亞胺鹽酸鹽、雙(2,6-二異丙基苯基)碳二醯亞胺、雙(三甲基矽烷基)碳二醯亞胺、雙異丙基碳二醯亞胺、2,2'-羰基雙-1H-咪唑。
於本組合物(1)含有化合物(A)作為聚合性液晶化合物之情形時，其含量以相對於本組合物(1)之固形物成分之含有比率表示，較佳為10~99.9質量%，更佳為20~99質量%，進而較佳為50~97質量%，尤佳為80~95質量%。若化合物(A)之含量處於上述範圍，則所得之光學膜(1)成為可於較廣之波長區域進行均勻之偏光轉換者。所謂固形物成分，係指自本組合物(1)中去除溶劑等低揮發成分後之成分之合計量。於本組合物(1)中，化合物(A)可單獨使用，亦可如表中之化合物 (xvi)所表示般併用2種以上之化合物(A)。
作為聚合性液晶化合物，可列舉：於液晶便覽(液晶便覽編集委員會編、丸善股份有限公司2000年10月30日發行)之「3.8.6網絡型(完全交聯型)」、「6.5.1液晶材料b.聚合性向列型液晶材料」所記載之化合物中含有聚合性基之化合物；日本專利特開2010-31223號公報、日本專利特開2010-270108號公報、日本專利特開2011-6360號公報及日本專利特開2011-207765號公報所記載之聚合性液晶化合物。
作為聚合性液晶化合物，例如可列舉式(3)所表示之化合物(以下有時稱為「化合物(3)」)等。
P11-E11-(B11-A11)t-B12-G (3)
[式(3)中，A11表示可含有取代基之芳香族雜環、可含有取代基之芳香族烴基或可含有取代基之脂環式烴基；B11及B12分別獨立地表示-C≡C-、-CH=CH-、-CH2-CH2-、-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-CS-、-O-CO-O-、-CR13R14-、-CR13R14-CR15R16-、-O-CR13R14-、-CR13R14-O-CR15R16-、-CO-O-CR13R14-、-O-CO-CR13R14-、-CR13R14-O-CO-CR15R16-、-CR13R14-CO-O-CR15R16-、-NR13-CR14R15-、-CH=N-、-N=N-、-CO-NR16-、-OCH2-、-OCF2-、-CH2O-、-CF2O-、-CH=CH-CO-O-或單鍵；R13~R16表示氫原子或碳數1~4之烷基；G表示氫原子、鹵素原子、碳數1~13之烷基、碳數1~13之烷氧基、碳數1~13之氟烷基、碳數1~13之N-烷基胺基、氰基、硝基或-E12-P12；E11及E12表示碳數1~18之烷二基，該烷二基中所含之氫原子可經鹵素原子取代，該烷二基中所含之亞甲基可被取代為氧原子或-CO-；P11及P12表示聚合性基； t表示1~5之整數；於t為2以上之整數之情形時，複數之B11互相可相同亦可不同，複數之A11互相可相同亦可不同。]
作為A11所表示之芳香族烴環，可列舉苯環、萘環、蒽環及啡啉環等，作為芳香族雜環，可列舉呋喃環、吡咯環、噻吩環、吡啶環、噻唑環及苯并噻唑環等。其中，較佳為苯環、噻唑環及苯并噻唑環。 作為A11所表示之芳香族烴環或芳香族雜環，例如可列舉式(Ara-1)~式(Ara-11)分別表示之2價基。
[式(Ara-1)~式(Ara-11)中，X3表示與式(A)中之X3相同之含義；存在於同一個基中之複數之X1互相可相同亦可不同；Y3表示與作為式(A)中之Y1而例示之基相同者；Z3表示與作為式(A)中之Z1而例示之基相同者；Wa及Wb分別獨立地表示氫原子、氰基、甲基或鹵素原子；m表示0~6之整數；n表示0~4之整數； o表示0~2之整數；於m、n及o為2以上之整數之情形時，存在於同一個基中之複數之Z3互相可相同亦可不同。]
作為A11所表示之芳香族烴環或芳香族雜環，較佳為式(Ara-1)及式(Ara-7)分別表示之基，具體而言，可例示下述基。
A11所表示之脂環式烴基之碳數例如為3~18，較佳為5~12，尤佳為5或6。作為A11所表示之脂環式烴基，可列舉環己烷-1,4-二基等。作為該脂環式烴基可含有之取代基，可列舉鹵素原子、可含有氟基之碳數1~6之烷基、可含有氟基之碳數1~6之烷氧基、硝基及氰基。
作為P11及P12所表示之聚合性基，可列舉與作為化合物(A)之P1及P2所表示之聚合性基而例示者相同之基。就可於更低之溫度下聚合(可硬化)之方面而言，較佳為光聚合性基，進而較佳為自由基聚合性基或陽離子聚合性基，尤其是就操作較容易，並且化合物(3)之製造亦容易之方面而言，作為P11及P12所表示之聚合性基，較佳為式(P-1)~(P-5)分別表示之基。
[式(P-1)~(P-5)中，R17~R21分別獨立地表示碳數1~6之烷基或氫原子；*表示與B11之鍵結鍵。]
E11及E12為碳數1~18之烷二基，較佳為直鏈狀或者分支點為1處 之碳數1~12之烷二基。
作為化合物(3)，例如可列舉以下者。
於本組合物(1)含有化合物(3)及/或化合物(A)作為聚合性液晶化合物之情形時，關於其含量，例如相對於化合物(A)與化合物(3)之合計量100質量份，化合物(3)為90質量份以下，較佳為70質量份以下，進而較佳為40質量份以下。再者，例如藉由調整源自化合物(A)之結構單元之含量及源自化合物(3)之結構單元之含量，可形成具有所需 之波長分散特性之本光學膜(1)。關於本光學膜(1)，若增加源自化合物(A)之結構單元之含量，則有進一步顯示反向波長分散特性之傾向。為了形成具有所需之波長分散特性之本光學膜(1)，而製備2~5種左右源自化合物(A)的結構單元之含量不同之本組合物(1)，對於各種本組合物(1)，製造相同之膜厚之光學膜而求出其相位差值。然後，根據結果而求出源自化合物(A)之結構單元之含量與光學膜之相位差值的關聯，根據所得之關聯關係而決定為了賦予上述膜厚之光學膜所需之相位差值所需要的源自化合物(A)之結構單元之含量。
作為聚合性液晶化合物，例如可列舉含有式(X1)所表示之基之化合物(以下有時稱為「化合物(X1)」)等。
P11-B11-E11-B12-A11-B13-* (X1)
(式(X1)中，P11表示聚合性基；A11表示2價脂環式烴基或2價芳香族烴基；該2價脂環式烴基及2價芳香族烴基中所含之氫原子可經鹵素原子、碳數1~6之烷基、碳數1~6烷氧基、氰基或硝基取代，該碳數1~6之烷基及該碳數1~6烷氧基中所含之氫原子可經氟原子取代；B11表示-O-、-S-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-、-CO-NR16-、-NR16-CO-、-CO-、-CS-或單鍵；R16表示氫原子或碳數1~6之烷基；B12及B13分別獨立地表示-C≡C-、-CH=CH-、-CH2-CH2-、-O-、-S-、-C(=O)-、-C(=O)-O-、-O-C(=O)-、-O-C(=O)-O-、-CH=N-、-N=CH-、-N=N-、-C(=O)-NR16-、-NR16-C(=O)-、-OCH2-、-OCF2-、-CH2O-、-CF2O-、-CH=CH-C(=O)-O-、-O-C(=O)-CH=CH-或單鍵；E11表示碳數1~12之烷二基，該烷二基中所含之氫原子可經碳數1~5之烷氧基取代，該烷氧基中所含之氫原子可經鹵素原子取代；又，構成該烷二基之-CH2-可被取代為-O-或-CO-；*表示鍵結鍵)
A11之芳香族烴基及脂環式烴基之碳數例如為3~18，較佳為5~12，尤佳為5或6。作為A11，較佳為環己烷-1,4-二基、1,4-伸苯基。
作為E11，較佳為直鏈狀之碳數1~12之烷二基。構成該烷二基之-CH2-可被取代為-O-。
具體而言，為亞甲基、伸乙基、丙烷-1,3-二基、丁烷-1,4-二基、戊烷-1,5-二基、己烷-1,6-二基、庚烷-1,7-二基、辛烷-1,8-二基、壬烷-1,9-二基、癸烷-1,10-二基、十一烷-1,11-二基及十二烷-1,12-二基等碳數1~12之直鏈狀烷二基；-CH2-CH2-O-CH2-CH2-、-CH2-CH2-O-CH2-CH2-O-CH2-CH2-及-CH2-CH2-O-CH2-CH2-O-CH2-CH2-O-CH2-CH2-等。
作為P11所表示之聚合性基，就聚合反應性、尤其是光聚合反應性較高之方面而言，較佳為自由基聚合性基或陽離子聚合性基，就操作較容易，並且液晶化合物之製造本身亦容易之方面而言，作為聚合性基，較佳為下述式(P-11)~式(P-15)所表示之基。
[式(P-11)~(P-15)中，R17~R21分別獨立地表示碳數1~6之烷基或氫原子。]
若進一步具體例示式(P-11)~式(P-15)所表示之基，則可列舉下述式(P-16)~式(P-20)所表示之基。
P11較佳為式(P-14)~式(P-20)所表示之基，更佳為乙烯基、對茋基、環氧基、氧雜環丁基等。
尤佳為P11-B11-所表示之基為丙烯醯氧基或甲基丙烯醯氧基。
作為化合物(X1)，例如可列舉式(I)、式(II)、式(III)、式(IV)、式(V)或式(VI)所表示之化合物。
P11-B11-E11-B12-A11-B13-A12-B14-A13-B15-A14-B16-E12-B17-P12(I)
P11-B11-E11-B12-A11-B13-A12-B14-A13-B15-A14-F11 (II)
P11-B11-E11-B12-A11-B13-A12-B14-A13-B15-E12-B17-P12 (III)
P11-B11-E11-B12-A11-B13-A12-B14-A13-F11 (IV)
P11-B11-E11-B12-A11-B13-A12-B14-E12-B17-P12 (V)
P11-B11-E11-B12-A11-B13-A12-F11 (VI)
(式中，A12~A14與A11之含義相同，B14~B16與B12之含義相同，B17與B11之含義相同，E12與E11之含義相同；F11表示氫原子、碳數1~13之烷基、碳數1~13之烷氧基、氰基、硝基、三氟甲基、二甲基胺基、羥基、羥甲基、甲醯基、磺基(-SO3H)、羧基、碳數1~10之烷氧羰基或鹵素原子，構成該烷基及烷氧基之-CH2-可被取代為-O-。)
作為化合物(X1)之具體例，例如可列舉以下之式(I-1)~式(I-4)、式(II-1)~式(II-4)、式(III-1)~式(III-26)、式(IV-1)~式(IV-19)、式(V-1)~式(V-2)、式(VI-1)~式(VI-6)分別表示之化合物等。其中，式中，k1及k2表示2~12之整數。若為該等化合物，則化合物本身之製造較容易、有市售等獲得較容易，因此較佳。
本組合物(1)中之化合物(X1)之含量以相對於組合物(1)之固形物成分量之含有比率表示，較佳為10~99.9質量%，更佳為20~99質量%，進而較佳為50~98質量%，尤佳為80~97質量%。若處於上述範圍內，則於本光學膜之製造時，可用作對基材之塗佈性優異之組合物。所謂固形物成分，係指自組合物(B)中去除溶劑等低揮發成分後之成 分之合計量。
1-3.光聚合起始劑
光聚合起始劑係藉由光之作用而產生活性自由基、可使聚合性液晶化合物之聚合開始之化合物。作為光聚合起始劑，可列舉苯烷基酮化合物、安息香化合物、二苯甲酮化合物及肟化合物等。
作為苯烷基酮化合物，可列舉α-胺基苯烷基酮化合物、α-羥基苯烷基酮化合物及α-烷氧基苯烷基酮化合物。
作為α-胺基苯烷基酮化合物，可列舉2-甲基-2-啉基-1-(4-甲基硫基苯基)丙烷-1-酮、2-二甲基胺基-1-(4-啉基苯基)-2-苄基丁烷-1-酮及2-二甲基胺基-1-(4-啉基苯基)-2-(4-甲基苯基甲基)丁烷-1-酮等，較佳為可列舉2-甲基-2-啉基-1-(4-甲基硫基苯基)丙烷-1-酮及2-二甲基胺基-1-(4-啉基苯基)-2-苄基丁烷-1-酮等。α-胺基苯烷基酮化合物亦可使用Irgacure(註冊商標)369、379EG、907(以上為BASF Japan股份有限公司製造)、及Seikuol(註冊商標)BEE(精工化學公司製造)等市售品。
作為α-羥基苯烷基酮化合物，可列舉2-羥基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮、2-羥基-2-甲基-1-[4-(2-羥基乙氧基)苯基]丙烷-1-酮、1-羥基環己基苯基酮及2-羥基-2-甲基-1-[4-(1-甲基乙烯基)苯基]丙烷-1-酮之低聚物等。α-羥基苯烷基酮化合物亦可使用Irgacure 184、2959、127(以上為BASF Japan股份有限公司製造)、及Seikuol Z(精工化學公司製造)等市售品。
作為α-烷氧基苯烷基酮化合物，可列舉二乙氧基苯乙酮、苯偶醯二甲基縮酮等。α-烷氧基苯烷基酮化合物亦可使用Irgacure 651(以上為BASF Japan股份有限公司製造)等市售品。
作為苯烷基酮化合物，較佳為α-胺基苯烷基酮化合物，更佳為式(C-1)所表示之化合物。藉由含有該化合物，有所得之光學膜之耐熱 性及耐濕熱性優異之傾向。
[式(C-1)中，Q3表示氫原子或甲基。]
作為安息香化合物，例如可列舉安息香、安息香甲醚、安息香乙醚、安息香異丙醚及安息香異丁醚等。
作為二苯甲酮化合物，例如可列舉二苯甲酮、鄰苯甲醯苯甲酸甲酯、4-苯基二苯甲酮、4-苯甲醯基-4'-甲基二苯硫醚及3,3',4,4'-四(第三丁基過氧化羰基)二苯甲酮、2,4,6-三甲基二苯甲酮等。
作為肟化合物，可列舉N-苯甲醯氧基-1-(4-苯基硫基苯基)丁烷-1-酮-2-亞胺、N-苯甲醯氧基-1-(4-苯基硫基苯基)辛烷-1-酮-2-亞胺、N-乙醯氧基-1-[9-乙基-6-(2-甲基苯甲醯基)-9H-咔唑-3-基]乙烷-1-亞胺及N-乙醯氧基-1-[9-乙基-6-{2-甲基-4-(3,3-二甲基-2,4-二氧雜環戊基甲基氧基)苯甲醯基}-9H-咔唑-3-基]乙烷-1-亞胺等。作為肟化合物，亦可使用Irgacure OXE-01、OXE-02(以上為BASF Japan公司製造)、N-1919(ADEKA公司製造)等市售品。
光聚合起始劑可單獨使用苯乙酮化合物、安息香化合物、二苯甲酮化合物、肟化合物等，亦可併用2種以上。其中，作為光聚合起始劑，較佳為使用苯乙酮化合物。苯乙酮化合物之使用量相對於光聚合起始劑總量，較佳為90質量份以上，更佳為光聚合起始劑全部為苯乙酮化合物。
本組合物(1)中之光聚合起始劑之含量相對於本組合物(1)之固形物成分，較佳為0.1質量%~30質量%，更佳為0.5質量%~10質量%。若處於上述範圍內，則於使本組合物(1)中所含之聚合性液晶化合物聚合時，可進而抑制對化合物(A)之配向之干擾。再者，所謂固形物成 分，係指自本組合物(1)中去除溶劑等低揮發成分後之成分之合計量。
1-4.有機溶劑
本組合物(1)中，為了使光學膜製造之操作性良好，較佳為含有溶劑，尤佳為含有有機溶劑。作為有機溶劑，較佳為可溶解本組合物(1)之構成成分之有機溶劑，更佳為進而對於本組合物(1)中所含之聚合性液晶化合物的聚合反應為惰性之溶劑。具體而言，可列舉：甲醇、乙醇、乙二醇、異丙醇、丙二醇、甲基賽路蘇、丁基賽路蘇、丙二醇單甲醚及苯酚等醇系溶劑；乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙二醇甲醚乙酸酯、γ-丁內酯、丙二醇甲醚乙酸酯及乳酸乙酯等酯系溶劑；丙酮、甲基乙基酮、環戊酮、環己酮、甲基戊酮及甲基異丁酮等酮系溶劑；戊烷、己烷及庚烷等非氯系脂肪族烴溶劑；甲苯及二甲苯等非氯系芳香族烴溶劑；乙腈等腈系溶劑；四氫呋喃及二甲氧基乙烷等醚系溶劑；氯仿及氯苯等氯系溶劑；等。有機溶劑可單獨使用，亦可組合複數種而使用。其中，較佳為醇系溶劑、酯系溶劑、酮系溶劑、非氯系脂肪族烴溶劑及非氯系芳香族烴溶劑。尤其是，本組合物之構成成分之相溶性優異，於醇系溶劑、酯系溶劑、酮系溶劑、非氯系脂肪族烴溶劑及氯系芳香族烴溶劑等中均可溶解，故而即便不使用氯仿等氯系溶劑，亦可獲得可塗佈於適當之基材上而製造本光學膜之本組合物。
於本組合物(1)含有有機溶劑之情形時，其含量相對於固形物成分100質量份，較佳為10質量份~10000質量份，更佳為100質量份~5000質量份。又，本組合物(1)中之固形物成分濃度較佳為2質量%~50質量%，更佳為5~50質量%。所謂固形物成分，係指自本組合物(1)中去除溶劑等低揮發成分後之成分之合計量。
本組合物(1)亦可含有光敏劑、調平劑、對掌性劑、聚合抑制劑等添加劑。
1-5.光敏劑
作為光敏劑，可列舉：酮及9-氧硫等酮類；蒽及含有烷基醚等取代基之蒽類；酚噻；紅螢烯。
藉由使用光敏劑，可使聚合性液晶化合物等之聚合高感光度化。又，作為光敏劑之使用量，相對於聚合性液晶化合物100質量份，例如為0.1質量份~30質量份，較佳為0.5質量份~10質量份。
1-6.調平劑
作為調平劑，可列舉有機改性矽酮油系、聚丙烯酸酯系及全氟烷基系之調平劑等。具體而言，例如可列舉：DC3PA、SH7PA、DC11PA、SH28PA、SH29PA、SH30PA、ST80PA、ST86PA、SH8400、SH8700、FZ2123(以上全部為Dow Corning Toray股份有限公司製造)，KP321、KP323、KP324、KP326、KP340、KP341、X22-161A、KF6001(以上全部為信越化學工業股份有限公司製造)，TSF400、TSF401、TSF410、TSF4300、TSF4440、TSF4445、TSF-4446、TSF4452、TSF4460(以上全部為Momentive Performance Materials Japan有限公司製造)，Fluorinert(註冊商標)FC-72、Fluorinert FC-40、Fluorinert FC-43、Fluorinert FC-3283(以上全部為Sumitomo 3M股份有限公司製造)，Megafac(註冊商標)R-08、Megafac R-30、Megafac R-90、Megafac F-410、Megafac F-411、Megafac F-443、Megafac F-445、Megafac F-470、Megafac F-477、Megafac F-479、Megafac F-482、Megafac F-483(以上均為DIC股份有限公司製造)，Eftop(商品名)EF301、Eftop EF303、Eftop EF351、Eftop EF352(以上全部為Mitsubishi Materials Electronic Chemicals股份有限公司製造)，Surflon(註冊商標)S-381、Surflon S-382、Surflon S-383、Surflon S-393、Surflon SC-101、Surflon SC-105、KH-40、SA-100(以上全部為AGC Seimi Chemical股份有限公司製造)，商品名E1830、商 品名E5844(Daikin Fine Chemical股份有限公司研究所製造)，BM-1000、BM-1100、BYK-352、BYK-353、BYK-361N(均為商品名：BM Chemie公司製造)等。調平劑可單獨使用，亦可併用2種以上。
藉由使用調平劑，可使所得之光學膜進一步平滑化。進而，可於光學膜之製造過程中，控制組合物之流動性，或調整使聚合性液晶化合物聚合而獲得之光學膜之交聯密度。又，調平劑之使用量相對於聚合性液晶化合物100質量份，例如為0.1質量份~30質量份，較佳為0.1質量份~10質量份。
1-7.對掌性劑
作為對掌性劑，可使用公知之對掌性劑(例如，液晶裝置手冊、第3章4-3項、TN、STN用對掌性劑、199頁、日本學術振興會第142委員會編、1989中所記載)。
對掌性劑通常含有不對稱碳原子，但不含不對稱碳原子之軸性不對稱化合物或面性不對稱化合物亦可用作對掌性劑。關於軸性不對稱化合物或面性不對稱化合物之例，可列舉聯萘、螺烯、對環蕃及該等之衍生物。
例如，可列舉如日本專利特開2007-269640號公報、日本專利特開2007-269639號公報、日本專利特開2007-176870號公報、日本專利特開2003-137887號公報、日本專利特表2000-515496號公報、日本專利特開2007-169178號公報、日本專利特表平9-506088號公報所記載之化合物，較佳為可列舉BASF Japan股份有限公司製造之paliocolor(註冊商標)LC756。
對掌性劑之使用量相對於例如聚合性液晶化合物100質量份，為0.1質量份~30質量份，較佳為1.0質量份~25質量份。若處於上述範圍內，則於使本組合物(1)中所含之聚合性液晶化合物聚合時，可進而抑制對聚合性液晶化合物之配向之干擾。
1-8.聚合抑制劑
作為聚合抑制劑，例如可列舉：對苯二酚及含有烷基醚等取代基之對苯二酚類；丁基兒茶酚等含有烷基醚等取代基之兒茶酚類；鄰苯三酚類、2,2,6,6-四甲基-1-哌啶基氧自由基等自由基捕獲劑；苯硫酚類；β-萘胺類或β-萘酚類等。
藉由使用聚合抑制劑，可控制聚合性液晶化合物之聚合，可提高光學膜(1)之穩定性。聚合抑制劑之含量相對於例如聚合性液晶化合物100質量份，為0.1質量份~30質量份，較佳為0.5質量份~10質量份。若處於上述範圍內，則可於不干擾聚合性液晶化合物之配向之情況下使聚合性液晶化合物聚合。
2.光學膜
本光學膜(1)係使聚合性液晶化合物聚合而成者。本光學膜(1)為使光穿透而獲得之膜，為具有光學功能之膜。所謂光學功能，意指折射、雙折射等。
於本光學膜(1)中，可見光區域之透明性優異者由於可用作各種顯示裝置用構件，故而較佳。本光學膜(1)之厚度可根據本光學膜(1)之用途而適當調節，較佳為0.1 μm~10 μm，就減小光彈性之方面而言，進而較佳為0.2 μm~5 μm。
於將本光學膜(1)用於顯示裝置之情形時，本光學膜(1)可以單層之形式使用，亦可積層複數層本光學膜(1)而製成積層體，亦可與其他膜組合。藉由與其他膜組合而使用，可用於相位差膜、視角補償膜、視角擴大膜、抗反射膜、偏光膜、圓偏光膜、橢圓偏光膜及增亮膜等。
尤其是，關於本光學膜(1)，藉由組合使用化合物(A)及化合物(3)作為本組合物(1)之聚合性液晶化合物並根據兩者之配向狀態改變光學特性，可調整為VA(vertical alignment，垂直配向)模式、IPS(in- plane switching，共平面切換)模式、OCB(optically compensated bend，光學補償彎曲)模式、TN(twisted nematic，扭轉向列)模式、STN(super twisted nematic，超扭轉向列)模式等各種液晶顯示裝置用之相位差膜。
2-1.相位差膜
作為光學膜之一種之相位差膜係本光學膜(1)之較佳之實施形態之一。相位差膜可用於將直線偏光轉換為圓偏光或橢圓偏光，或者相反地將圓偏光或橢圓偏光轉換為直線偏光，或者轉換直線偏光之偏光方向。
已知，作為相位差膜(1)，於將面內之遲相軸方向之折射率設為nx、將與面內之遲相軸正交之方向(進相軸方向)之折射率設為ny、將厚度方向之折射率設為nz之情形時，可按照以下之方式分類。即，可列舉nx>ny≒nz之正A板、nx≒ny>nz之負C板、nx≒ny<nz之正C板、nx≠ny≠nz之正O板及負O板。
相位差膜(1)之相位差值只要根據所使用之顯示裝置而自30~300 nm中適當選擇即可。
於將相位差膜(1)用作寬頻帶λ/4板之情形時，將Re(549)調整為113~163 nm、較佳為130~150 nm即可。於用作寬頻帶λ/2板之情形時，只要將Re(549)調整為250~300 nm、較佳為265~285 nm即可。若相位差值為上述值，則有可對於廣泛之波長之光進行均勻地偏光轉換之傾向，故而較佳。所謂寬頻帶λ/4板，為對於各波長之光表現其1/4之相位差值的相位差膜，所謂寬頻帶λ/2板，為對於各波長之光表現其1/2之相位差值的相位差膜。
再者，藉由適當調整本組合物(1)中所含之聚合性液晶化合物之含量，可以賦予所需之相位差之方式調整膜厚。所得之相位差膜之相位差值(延遲值、Re(λ))係以式(4)之方式確定，因此為了獲得所需之Re(λ)，可適當調整△n(λ)與膜厚d。
Re(λ)=d×△n(λ) (4)
(式中，Re(λ)表示波長λ nm下之相位差值，d表示膜厚，△n(λ)表示波長λ nm下之雙折射率)
2-2.本光學膜(1)之製造方法
本光學膜(1)可藉由如下方式製造：準備合適之基材，於基材上塗佈本組合物(1)並將其乾燥，使本組合物(1)中所含之聚合性液晶化合物聚合。
2-2-0.基材
作為可用於本光學膜之製造之基材，例如較佳為玻璃、塑膠片、塑膠膜、透光性膜。作為透光性膜，例如可列舉：聚乙烯、聚丙烯、降烯系聚合物等聚烯烴膜；聚乙烯醇膜；聚對苯二甲酸乙二酯膜；聚甲基丙烯酸酯膜；聚丙烯酸酯膜；纖維素酯膜；聚萘二甲酸乙二酯膜；聚碳酸酯膜；聚碸膜；聚醚碸膜；聚醚酮膜；聚苯硫醚膜及聚苯醚膜等。
作為用於本光學膜(1)之製造之基材，較佳為包含具有羥基之材料者，更佳為包含具有羥基之材料之膜。包含具有羥基之材料之膜可為使具有羥基之材料成膜而獲得之膜，亦可為使具有羥基之前驅基之材料成膜而製成膜(前驅膜)後，將前驅膜中所含之前驅基改質為羥基。作為該改質，例如可列舉真空下或大氣壓下之電漿處理、雷射處理、臭氧處理、皂化處理或火焰處理等。又，亦可為藉由如下方法而獲得者：準備含有不具有羥基或其前驅基之材料之膜，於膜表面塗佈偶合劑之底塗處理；使具有羥基之單體或具有羥基之聚合物附著於表 面後，照射放射線、電漿、紫外線進行反應之接枝聚合方法。本說明書中，於膜表面配置具有羥基之材料之膜亦設為包含具有羥基之材料之膜。若使用包含具有羥基之材料之膜(基材)，則有基材與本光學膜之間的密接性變得更高之傾向。
於包含具有羥基之材料之膜(基材)中，較佳為藉由對三乙醯基纖維素膜進行皂化處理而獲得之膜。藉由對三乙醯基纖維素膜進行皂化處理而使膜中之三乙醯基纖維素皂化，可容易地獲得包含具有羥基之材料之膜，就成本、製造時之操作之方面而言尤佳。
又，較佳為於用於本光學膜(1)之製造之基材的形成本光學膜之表面設置配向膜。根據配向膜之配向方向而使本光學膜中之聚合性液晶化合物沿所需之方向配向後，可使聚合性液晶化合物聚合。於使用包含具有羥基之材料之基材之情形時，只要於基材上設置配向膜即可。
2-2-1.未聚合膜之製作
藉由於基材上或配向膜上塗佈本組合物(1)而於基材上獲得未聚合膜。於未聚合膜顯示向列相等液晶相之情形時，具有利用單域配向之雙折射性。
作為於本組合物(1)之基材上之塗佈方法，例如可列舉擠壓塗佈法、直接凹版塗佈法、反向凹版塗佈法、CAP(覆蓋)塗佈法、模塗法、噴墨法、浸漬塗佈法、狹縫塗佈法、旋轉塗佈法及利用棒式塗佈機之塗佈等。
其中，就可以卷對卷(Roll to Roll)形式連續地於基材上塗佈本組合物之方面而言，較佳為CAP塗佈法、噴墨法、浸漬塗佈法、狹縫塗佈法、模塗法及利用棒式塗佈機之塗佈。
本光學膜(1)亦可以與基材相積層之狀態進行操作。藉由預先於本光學膜上積層基材，可於進行膜之搬運、保管等時抑制對本光學膜 造成之破損並容易地操作。
若預先於基材上形成配向膜後於配向膜上塗佈本組合物(1)，則無需對本光學膜(1)進行利用延伸之折射率控制，故雙折射之面內不均變小。因此，可製造可與平板顯示裝置(FPD)之大型化相對應之較大之本光學膜。
作為形成配向膜之方法，可列舉：使用藉由摩擦而賦予配向限制力之配向性聚合物之方法(以下有時稱為「摩擦法」)、使用藉由照射偏光而賦予配向限制力之光配向性聚合物之方法(以下有時稱為「光配向法」)、於基材表面斜向蒸鍍氧化矽之方法、及利用Langmuir-Blodgett法(LB法)形成含有長鏈烷基之單分子膜之方法等。其中，就本組合物(1)中所含之聚合性液晶化合物之配向均勻性、本光學膜製造之處理時間及處理成本之觀點而言，更佳為光配向法。作為配向膜，較佳為具有即便於其上塗佈本組合物，亦不溶解於本組合物(1)中所含之成分、例如本組合物(1)中所含之溶劑之程度的耐溶劑性。又，對於配向膜，亦要求對於溶劑自未乾燥膜中之去除、或聚合性液晶化合物之液晶配向時之熱處理的耐熱性。
關於光配向法，如本發明之第2形態中所說明般。
形成於基材上之配向膜之膜厚例如為10 nm~10000 nm，較佳為10 nm~1000 nm。若處於上述範圍，則可使本組合物(1)中所含之聚合性液晶化合物配向為所需之角度。
2-2-2.未聚合膜之聚合
藉由使形成於基材上或配向膜上之未聚合膜中所含之聚合性液晶化合物聚合並硬化，可獲得本光學膜(1)。本光學膜(1)係使聚合性液晶化合物之配向性固定化，難以受到熱對雙折射之變化之影響。
作為使聚合性液晶化合物聚合之方法，較佳為光聚合法。藉由光聚合法，可於低溫下實施聚合，故所使用之基材之耐熱性之選擇範 圍較廣。光聚合反應係藉由對未聚合膜照射可見光、紫外光或雷射光而進行。就操作之方面而言，尤佳為紫外光。
對於基材上或配向膜上塗佈本組合物(1)而形成之未聚合膜，亦可直接進行光照射而使未聚合膜硬化，較佳為預先將未聚合膜乾燥而自未聚合膜中去除溶劑。
溶劑之去除可與聚合反應一併進行，較佳為於進行聚合前預先將溶劑去除。作為該去除方法，例如可列舉自然乾燥、通風乾燥、加熱乾燥或減壓乾燥等、或者組合該等之方法。其中，較佳為自然乾燥或加熱乾燥，進行自然乾燥或加熱乾燥時之溫度較佳為0℃~250℃，更佳為50℃~220℃，進而較佳為80℃~170℃。加熱時間較佳為10秒~60分鐘，更佳為30秒~30分鐘。若加熱溫度及加熱時間處於上述範圍內，可使用耐熱性並不一定充分者作為基材。
藉由將基材剝離，可獲得積層有配向膜與本光學膜之膜(積層膜)。進而，將配向膜剝離，可獲得單層之本光學膜(1)。又，將其他基材(膜或板)貼合於積層膜上後，將積層於本光學膜(1)上之基材或配向膜剝離，藉此亦可進行轉印。
3.偏光板
本光學膜(1)可用於偏光板製造。本發明之偏光板至少具有一層本相位差膜(1)。對使用本相位差膜(1)之偏光板進行說明。
作為偏光板，如圖1(a)~圖1(e)所示，可列舉：(1)直接積層有本相位差膜1與偏光膜層2之偏光板4a(圖1(a))；(2)使本相位差膜1與偏光膜層2介隔接著劑層3'而貼合之偏光板4b(圖1(b))；(3)將本相位差膜1與本相位差膜1'積層、進而將本相位差膜1'與偏光膜層2積層之偏光板4c(圖1(c))；(4)使本相位差膜1與本相位差膜1'介隔接著劑層3而貼合、進而於本相位差膜1'上積層偏光膜層2之偏光板4d(圖1(d))；及(5)使本相位差膜1與本相位差膜1'介隔接著劑層3而貼合、進而使本相位 差膜1'與偏光膜層2介隔接著劑層3'而貼合之偏光板4e(圖1(e))等。所謂接著劑，係接著劑及/或黏著劑之總稱。
偏光膜層2只要為具有偏光功能之膜即可，例如可列舉於聚乙烯醇系膜上吸附碘或二色性色素並延伸之膜、延伸聚乙烯醇系膜而吸附碘或二色性色素之膜等。
於偏光膜層2中，亦可進而視需要具備成為保護膜之膜。作為保護膜，例如可列舉：聚乙烯、聚丙烯、降烯系聚合物等聚烯烴膜，聚對苯二甲酸乙二酯膜、聚甲基丙烯酸酯膜、聚丙烯酸酯膜、纖維素酯膜、聚萘二甲酸乙二酯膜、聚碳酸酯膜、聚碸膜、聚醚碸膜、聚醚酮膜、聚苯硫醚膜及聚苯醚膜等。
可用於接著劑層3及接著劑層3'之接著劑較佳為透明性較高、耐熱性優異之接著劑。作為此種接著劑，例如可使用丙烯酸系接著劑、環氧系接著劑或胺基甲酸酯系接著劑等。
又，於偏光板中，亦可如圖1(c)~圖1(e)所示，直接或介隔接著劑層而貼合包括本光學膜(1)之2層以上之本相位差膜(1)。
4.平板顯示裝置
本發明之平板顯示裝置包含本光學膜(1)，作為平板顯示裝置之構件極其有用。例如，可列舉貼合本光學膜(1)與液晶面板而成之具備液晶面板之液晶顯示裝置、貼合本光學膜(1)與發光層而成之具備有機電致發光(以下亦稱為「EL(Electro Luminescence)」)面板之有機EL顯示裝置。
4-1.液晶顯示裝置
作為本發明之液晶顯示裝置，例如可列舉如圖2(a)及圖2(b)所示之液晶顯示裝置等。如圖2(a)所示之液晶顯示裝置10a係介隔接著層5而使本發明之偏光板4與液晶面板6貼合而成者，如圖2(b)所示之液晶顯示裝置10b係使本發明之偏光板4與本發明之偏光板4'介隔接著層5 及接著層5'而貼合於液晶面板6之兩面而成者。根據上述構成，使用未圖示之電極對液晶面板施加電壓，藉此液晶分子之配向發生變化，可進行黑白顯示。
4-2.有機EL顯示裝置
作為本發明之有機EL顯示裝置，可列舉如圖3所示之有機EL顯示裝置等。作為有機EL顯示裝置，可列舉介隔接著層5使本發明之偏光板4與有機EL面板7貼合而成之有機EL顯示裝置11。有機EL面板7係含有導電性有機化合物之至少1層之層。根據上述構成，使用未圖示之電極對有機EL面板施加電壓，藉此有機EL面板含有之發光層中所含之化合物發光，可進行黑白顯示。
再者，於有機EL顯示裝置11中，偏光板4較佳為作為寬頻帶圓偏光板而發揮功能者。若作為寬頻帶圓偏光板而發揮功能，則可於有機EL顯示裝置11之表面防止外部光之反射。
藉由本發明，可提供密接性優異之光學膜製造用組合物、及使用組合物之光學膜之製造方法、光學膜。
II.本發明之第2形態
1.本發明之第2組合物(以下有時將本發明之第2組合物稱為「本組合物(2)」，有時將由本組合物(2)製造之光學膜稱為「本光學膜(2)」)
本組合物(2)含有(D)光配向性聚合物(以下有時稱為「聚合物(D)」)及(B)於分子內含有碳-碳不飽和鍵與活性氫反應性基之化合物(以下有時稱為「化合物(B)」)。
1-1.聚合物(D)
聚合物(D)可於由本組合物(2)製造之本光學膜(2)上形成光學各向異性層時，用以使液晶化合物配向。
作為形成用以使液晶化合物配向之本光學膜(2)(作為配向膜之本 光學膜(2))之方法，可列舉藉由摩擦而對聚合物(D)賦予配向限制力之方法(摩擦法)、藉由照射偏光而對聚合物(D)賦予配向限制力之方法(以下有時稱為「光配向法」)等。其中，就液晶化合物之配向均勻性、處理時間及處理成本之觀點而言，較佳為發揮本組合物(2)中所含之聚合物(D)之能力的光配向法。作為此種情形時之本光學膜(2)，較佳為具有即便塗佈液晶化合物亦不溶解之程度的耐溶劑性。又，於製造本光學膜(2)時，亦要求具有對於溶劑自未乾燥膜中之去除、或液晶化合物之配向時之熱處理的耐熱性。
作為聚合物(D)，可使用具有感光性結構之聚合物。若對具有感光性結構之聚合物(D)照射偏光，則所照射之部分之感光性結構發生異構化或交聯，藉此聚合物(D)配向，對所得之本光學膜(2)賦予配向限制力。作為感光性結構，例如可列舉偶氮苯結構、順丁烯二醯亞胺結構、查爾酮結構、肉桂酸結構、1,2-伸乙烯結構、1,2-乙炔結構、螺吡喃結構、螺苯并吡喃結構及俘精酸酐結構等。具有感光性結構之聚合物(D)可單獨用於本組合物(2)，亦可併用2種以上。再者，聚合物(D)可使用具有感光性結構之單體，藉由利用脫水或脫胺等之聚縮合，自由基聚合、陰離子聚合、陽離子聚合等連鎖聚合，配位聚合或開環聚合等而獲得。又，可使用複數種具有不同之感光性結構之單體，亦可為該等之共聚物。作為聚合物(D)，可列舉日本專利第4450261號、日本專利第4011652號、日本專利特開2010-49230號公報、日本專利第4404090號、日本專利特開2007-156439號公報、日本專利特開2007-232934號公報等所記載之光配向性聚合物。
作為聚合物(D)，尤佳為藉由光照射而形成交聯結構者。若聚合物(D)為形成交聯結構者，則於形成光學各向異性層時，可於塗佈光學各向異性層形成用組合物時確保充分之耐久性。
本組合物(2)中之聚合物(D)之含量相對於本組合物(2)之總質量， 較佳為0.1~30質量%，進而較佳為0.2~15質量%。
藉由於基材上塗佈本組合物(2)，可製造本光學膜(2)。作為基材，可列舉於本發明之第1形態中所列舉之基材。
為了於基材上製造本光學膜(2)，若使用含有溶劑之本組合物(2)，則本光學膜製造變得簡便，故而較佳。作為本組合物(2)中所含之溶劑，可列舉水及有機溶劑。作為有機溶劑，可列舉於本發明之第1形態中所列舉之有機溶劑。於使用含有溶劑之本組合物(2)之情形時，溶劑可單獨使用，亦可組合複數種而使用。
於本組合物(2)含有溶劑之情形時，其含量相對於本組合物(2)之固形物成分100質量份，較佳為100質量份~20000質量份，更佳為200質量份~15000質量份。所謂固形物成分，係指自本組合物(2)中去除溶劑等低揮發成分後之成分之合計量。
1-2.化合物(B)
作為化合物(B)，可列舉與於本發明之第1形態中說明之本組合物(1)中所含之化合物(B)相同者。
本組合物(2)中之化合物(B)之含量相對於本組合物(2)之總質量，較佳為0.01~10質量%，進而較佳為0.02~5質量%。若處於上述範圍內，則不存在本組合物(2)中之聚合物(D)之反應性降低之情況。
2.本光學膜(2)
本光學膜(2)較佳為使本組合物(2)中所含之聚合物(D)交聯而成者。
為了自本組合物(2)而形成本光學膜製造用塗佈膜(未乾燥膜)，首先，於基材上塗佈本組合物(2)。作為於基材上之塗佈方法，可列舉於本發明之第1形態中說明之於本組合物(1)之基材上之塗佈方法。
繼而，將塗佈於基材上之塗佈膜乾燥而去除塗佈膜中所含之溶劑等低沸點成分。
作為乾燥方法，例如可列舉自然乾燥、通風乾燥、加熱乾燥或減壓乾燥等、或者組合該等之方法。作為乾燥溫度，較佳為10~250℃，進而較佳為25~200℃。又，作為乾燥時間，較佳為5秒~60分鐘，更佳為10秒~30分鐘。若乾燥溫度及乾燥時間處於上述範圍內，則於使用任一種基材之情形時，可抑制對基材之損傷。
2-1.作為配向膜之本光學膜
本光學膜(2)中，藉由對聚合物(D)照射偏光而使其交聯者係作為配向膜而發揮功能。具體而言，若將含有溶劑之本組合物(2)塗佈於基材上，對所得之塗佈膜進行偏光照射而使聚合物(D)交聯，則所得之本光學膜(2)成為配向膜。較佳為於進行偏光照射前將塗佈膜(未乾燥膜)乾燥而預先製成乾燥膜。
藉由光配向法賦予配向限制力時，對由本組合物(2)形成之塗佈膜上進行偏光照射(例如直線偏光紫外線)。偏光照射例如可使用日本專利特開2006-323060號公報所記載之裝置而進行。又，在由本組合物(2)形成之塗佈膜上，準備與所需之複數區域相對應之光罩，逐個對該區域反覆進行經由光罩之偏光照射(例如直線偏光紫外線)，藉此亦可形成圖案化配向膜。作為光罩，例如可使用於石英玻璃、鈉鈣玻璃或聚酯等膜上設有遮光圖案者。由遮光圖案覆蓋之部分曝光之光被遮斷，未經覆蓋之部分曝光之光得以穿透。由於熱膨脹之影響較小，故作為用於光罩之基材，較佳為石英玻璃。
列舉製造圖案化配向膜之例。首先，經由具有與第1圖案區域相對應之空隙部之第1光罩(剩餘區域為遮光圖案)，向由本組合物(2)形成之塗佈膜照射具有第1偏光方向之第1偏光(第1偏光照射)。藉由第1偏光照射，使第1圖案區域之配向限制力之方向與第1偏光方向相對應。繼而，經由具有與第2圖案區域相對應之空隙部之第2光罩(剩餘區域為遮光圖案)，照射具有與第1偏光方向不同之第2偏光方向(例如 垂直於第1偏光方向之方向)之第2偏光(第2偏光照射)。藉由第2偏光照射，使第2圖案區域之配向限制力之方向與第2偏光方向相對應。藉此，可獲得具有複數之配向限制力之方向互不相同之圖案區域的配向膜。進而，藉由經由3種以上之光罩反覆進行偏光照射，亦可製成具有3個以上配向限制力之方向互不相同之圖案區域的圖案化配向膜。就聚合物(D)之反應性之方面而言，各偏光照射亦較佳為所照射之光為紫外線。
本光學膜(2)之膜厚例如為10 nm~10000 nm，較佳為10 nm~1000 nm。若設於上述範圍，則於在本光學膜(2)上形成光學各向異性層時，可將液晶化合物配向為所需之角度。
2-2.相位差膜(2)
於本光學膜(2)上形成光學各向異性層而表現相位差性者成為相位差膜(以下有時稱為「本相位差膜(2)」)。以下有時將光學各向異性層形成用之組合物稱為「光學各向異性層形成用組合物」。
2-2-1.液晶化合物
光學各向異性層例如可藉由使液晶化合物配向而形成，光學各向異性層形成用組合物含有該液晶化合物，較佳為含有聚合性液晶化合物。於光學各向異性層形成用組合物中，可含有1種液晶化合物，亦可含有不同之2種以上液晶化合物。
作為液晶化合物，例如可列舉於本發明之第1形態中說明之聚合性液晶化合物，較佳為含有式(X1)所表示之基之化合物。
2-2-2.添加劑
於光學各向異性層形成用組合物中，除液晶化合物以外，亦可含有光聚合起始劑、聚合抑制劑、光敏劑、溶劑、對掌性劑等添加劑。尤其是於形成光學各向異性層時，就光學各向異性層形成用組合物本身之成膜變得容易之方面而言，較佳為含有溶劑，尤佳為含有有 機溶劑。又，於液晶化合物為聚合性液晶化合物之情形時，較佳為光學各向異性層形成用組合物含有聚合起始劑，該聚合起始劑具有使對光學各向異性層形成用組合物進行成膜之膜硬化之作用。
作為各添加劑，可列舉於本發明之第1形態中所列舉之添加劑。
藉由於本光學膜(2)上塗佈光學各向異性層形成用組合物，可於本光學膜(2)上獲得未聚合膜。於未聚合膜顯示向列相等液晶相之情形時，具有利用單域配向之雙折射性。
作為將光學各向異性層形成用組合物塗佈於本光學膜(2)上之方法，可應用作為將本組合物(2)塗佈於基材上之方法而例示之方法。其中，就可以卷對卷形式連續地於本光學膜上塗佈光學各向異性層形成用組合物之方面而言，較佳為CAP塗佈法、噴墨法、浸漬塗佈法、狹縫塗佈法、模塗法及利用棒式塗佈機之塗佈。例如於為卷對卷形式之情形時，亦可連續實施如下過程：於基材上塗佈本組合物(2)而於基材上形成本光學膜(2)，進而於所得之本光學膜(2)上形成光學各向異性層。
本光學膜(2)可以與基材相積層之狀態使用。藉由預先於本光學膜(2)上積層基材，可於進行膜之搬運、保管等時抑制對本光學膜(2)之破損並容易地操作。
使於本光學膜(2)上形成之光學各向異性層形成用塗佈膜(未聚合膜)中所含之液晶化合物聚合並硬化，藉此獲得本相位差膜(2)。使相位差膜(2)之液晶化合物之配向性固定化，難以受到熱對雙折射之變化之影響。
作為使液晶化合物聚合並硬化之方法，可列舉於本發明之第1形態中所列舉之方法。
本相位差膜(2)為使用本光學膜(2)之較佳之實施形態之一。本相位差膜(2)可用於將直線偏光轉換為圓偏光或橢圓偏光，或相反地將 圓偏光或橢圓偏光轉換為直線偏光，或轉換直線偏光之偏光方向。
本相位差膜(2)之特性與本發明之第1形態中說明之本相位差膜(1)之特性相同。
4.偏光板
本光學膜(2)可用於偏光板製造。
作為偏光板，可列舉與本發明之第1形態中說明之偏光板相同者。
5.平板顯示裝置
本發明之平板顯示裝置含有本光學膜(2)。
作為平板顯示裝置，可列舉與本發明之第1形態中說明之平板顯示裝置相同者。
根據本發明，可提供密接性優異之光學膜製造用組合物、及使用組合物之光學膜之製造方法、光學膜。
III.本發明之第3形態
本發明之第3形態係將基材、由組合物(A)形成之A層及由組合物(B)形成之B層依序積層而成之光學膜(以下有時稱為「本光學膜(3)」)。
1.基材
作為基材，例如可列舉與本發明之第1形態中說明之基材相同者。
基材更佳為於本發明之第1形態中說明之包含具有羥基之材料之膜(基材)。若使用包含具有羥基之材料之膜(基材)，則除A層/B層間之密接性以外，基材/A層間之密接性亦有變高之傾向，故可獲得更高品質之本光學膜。
於包含具有羥基之材料之膜中，若使用包含使三乙醯基纖維素皂化而獲得之材料之膜，則藉由與組合物(A)之協同效果，基材/A層 間之密接性變得更加良好，故而較佳。又，關於包含使三乙醯基纖維素皂化而獲得之材料之膜，就可自市場容易地獲得之方面而言，較佳為作為其前驅膜之包含三乙醯基纖維素之膜(三乙醯基纖維素膜)本身。
2.組合物(A)
組合物(A)係於本發明之第2形態中說明之組合物(2)。組合物(A)中之(D)光配向性聚合物相當於組合物(2)中之聚合物(D)，組合物(A)中之(B-1)含有碳-碳不飽和鍵與活性氫反應性基之化合物相當於組合物(2)中之化合物(B)。
3.組合物(B)
組合物(B)係於本發明之第1形態中說明之組合物(1)。組合物(B)中之聚合性液晶化合物相當於組合物(1)中之聚合性液晶化合物，組合物(B)中之(B-1)含有碳-碳不飽和鍵與活性氫反應性基之化合物相當於組合物(1)中之化合物(B)，組合物(B)中之(C)光聚合起始劑相當於組合物(1)中之(C)光聚合起始劑。
作為化合物(B-1)及化合物(B-2)，例如較佳為化合物(2)，可列舉市售之Laromer(註冊商標)LR-9000(BASF公司製造)等。再者，組合物(A)中所含有之化合物(B-1)與組合物(B)中所含有之化合物(B-2)互相可相同亦可不同，較佳為兩者相同。若化合物(B-1)及化合物(B-2)均為Laromer LR-9000等市售品，則就可容易地製備組合物(A)及組合物(B)之方面而言較佳。
4.本光學膜
本光學膜(3)係可使光穿透之膜，係具有光學功能之膜。所謂光學功能，意指折射、雙折射等。
本光學膜(3)較佳為可見光區域中之透明性優異者，可用作各種顯示裝置用構件、尤其是平板顯示裝置用構件。本光學膜(3)之厚度 可根據本光學膜之用途而適當調節，較佳為0.1~10 μm，就減小光彈性之方面而言，進而較佳為0.2~5 μm。
基材之厚度較佳為10~200 μm，進而較佳為15~100 μm。又，A層之厚度(膜厚)較佳為0.01~10 μm(10~10000 nm)，進而較佳為0.01~1 μm(10~1000 nm)。B層之厚度(膜厚)例如為0.1~10 μm，較佳為0.2~5 μm。
於將本光學膜(3)用於顯示裝置之情形時，本光學膜可以單層使用，亦可積層複數層本光學膜而製成積層體，亦可與其他膜組合。藉由與其他膜組合，可將其用於相位差膜、視角補償膜、視角擴大膜、抗反射膜、偏光膜、圓偏光膜、橢圓偏光膜及增亮膜等。又，本光學膜亦可為已例示之基材之具體例中之積層複數種基材而成者，可具有複數層A層，亦可具有複數層B層。再者，於例如具有複數層A層之情形時，意指利用組合物(A)於基材上形成第1層A層後、形成B層前，使用與組合物(A)不同之組合物(A)而於第1層A層上形成第2層A層等。
尤其是，關於本光學膜，於形成B層時根據聚合性液晶化合物之配向狀態而改變光學特性，藉此可調整為VA(vertical alignment)模式、IPS(in-plane switching)模式、OCB(optically compensated bend)模式、TN(twisted nematic)模式、STN(super twisted nematic)模式等各種液晶顯示裝置用之相位差膜。
4-1.相位差膜
相位差膜係使用本光學膜(3)之較佳之實施形態之一。
作為相位差膜，可列舉於本發明之第1形態中所列舉之相位差膜。
4-2.本光學膜之製造方法
本光學膜之製造方法例如包括以下之<1>~<4>之步驟。再者，該 製造方法係組合物(A)及組合物(B)均使用含有溶劑者之方法，係分別具有1種基材、A層及B層之本光學膜之製造方法。
<1>藉由將組合物(A)塗佈於基材上而於基材上形成第1塗佈膜之步驟(第1塗佈膜形成步驟)；<2>利用<1>使第1塗佈膜中所含之(B-1)交聯，藉此將第1塗佈膜轉化為A層之步驟(A層形成步驟)；<3>藉由將組合物(B)塗佈於利用<2>形成之A層上而於A層上形成第2塗佈膜之步驟(第2塗佈膜形成步驟)；<4>使利用<3>形成之第2塗佈膜中所含之聚合性液晶化合物聚合之步驟(B層形成步驟)。
第1塗佈膜形成步驟係準備基材，於基材上塗佈組合物(A)，藉此於基材上形成第1塗佈膜之步驟。
作為組合物(A)之塗佈方法，可列舉於本發明之第2形態中所列舉之方法。
於A層形成步驟中，使藉由第1塗佈膜形成步驟而形成於基材上之第1塗佈膜、較佳為經乾燥之第1塗佈膜中所含之光配向性聚合物光配向(交聯)，藉此賦予配向限制力，將第1塗佈膜轉化為A層。A層因被賦予配向限制力而作為配向膜(配向層)發揮功能。
作為乾燥方法，可列舉於本發明之第2形態中所列舉之方法。
作為利用光配向賦予配向限制力之方法，可列舉於本發明之第2形態中所列舉之方法。
第2塗佈膜形成步驟係藉由於利用A層形成步驟所形成之A層上塗佈組合物(B)而形成第2塗佈膜(未聚合膜)之步驟。於第2塗佈膜中所含之聚合性液晶化合物顯示向列相等液晶相之情形時，具有利用單域配向之雙折射性。
作為第2塗佈膜形成步驟中之於A層上塗佈組合物(B)之方法，可 列舉於本發明之第1形態中所列舉之方法。
於B層形成步驟中，藉由使形成於A層上之第2塗佈膜中所含之聚合性液晶化合物聚合、硬化，可獲得本光學膜(3)。B層係使聚合性液晶化合物之配向性固定化，難以受到熱對雙折射之變化之影響。又，藉由A層或第1塗佈膜中所含之化合物(B-1)與B層或第2塗佈膜中所含之化合物(B-2)之效果，而成為A層/B層間之密接性極其優異者。
作為使聚合性液晶化合物聚合之方法，較佳為光聚合法。藉由光聚合法，可於低溫下實施聚合，故所使用之基材之耐熱性的選擇範圍較廣。光聚合反應係藉由於第2塗佈膜上照射可見光、紫外光或雷射光而進行。就操作之方面而言，尤佳為紫外光。
對於A層上塗佈組合物(B)而形成之第2塗佈膜，亦可直接進行光照射而形成B層，較佳為將第2塗佈膜乾燥而預先將溶劑等低揮發成分自第2塗佈膜中去除。
再者，低揮發成分之去除可與聚合反應一併進行，較佳為於進行聚合前預先將大部分溶劑去除。作為該去除方法，可採用作為第1塗佈膜之乾燥方法而例示之方法。其中，較佳為自然乾燥或加熱乾燥，進行自然乾燥或加熱乾燥時之溫度較佳為0℃~250℃，更佳為50℃~220℃，進而較佳為80℃~170℃。加熱時間較佳為10秒~60分鐘，更佳為30秒~30分鐘。若加熱溫度及加熱時間處於上述範圍內，則基材及/或A層可使用耐熱性並不一定充分者。
5.本光學膜之作為偏光板之使用
本光學膜可作為相位差膜而用於偏光板製造。
作為偏光板，可列舉與本發明之第1形態中說明之偏光板相同者。
6.平板顯示裝置
本發明之平板顯示裝置包含本光學膜(3)。
作為平板顯示裝置，可列舉與本發明之第1形態中說明之平板顯示裝置相同者。
藉由本發明，可提供配向層與光學各向異性層之間的密接性優異之光學膜。
[實施例]
列舉實施例對本發明進行更具體地說明。若無特別聲明，則例中之「%」及「份」為質量%及質量份。
<本發明之第1形態>
1.聚合性液晶化合物之合成例
化合物(A11-1)係依據下述流程而合成。
1-1. 4,6-二甲基苯并呋喃-2-甲酸之合成
將4,6-二甲基柳醛146.6 g、碳酸鉀330.7 g分散於N,N'-二甲基乙醯胺700 mL中。將所得之分散液加溫至80℃後，歷經30分鐘滴加溴乙酸第三丁酯190.5 g。使滴加後之混合液於130℃下反應2小時。將反應液冷卻至室溫後，加入甲基異丁酮600 mL，利用純水1200 mL進行 水洗。進而利用1000 mL之純水將有機層水洗2次，回收有機層。藉由無水硫酸鈉進行脫水後，利用蒸發器將溶劑蒸餾去除。將殘渣溶解於乙酸240 g中，加入氫溴酸水溶液72 g，於40℃下攪拌1小時。放置冷卻至室溫後，濾取加入1 N(1 mol/L)-鹽酸150 g而析出之白色粉末。進而利用1 N-鹽酸沖洗所得之白色粉末後，進行真空乾燥，藉此以81.7 g黃色粉末之形式獲得4,6-二甲基苯并呋喃-2-甲酸。產率以4,6-二甲基柳醛基準計為44%。
1-2.化合物(11-a)之合成
將4,6-二甲基苯并呋喃-2-甲酸80 g、2,5-二甲氧基苯胺96.6 g及氯仿400 g混合。利用冰浴將所得之懸浮液冷卻後，歷經4小時加入1-乙基-3-(3-二甲基胺基丙基)碳二醯亞胺鹽酸鹽88.7 g與氯仿300 g之混合液，於室溫下反應48小時。將所得之混合液濃縮，加入1 N-鹽酸、水-甲醇之混合溶液(水2體積份、甲醇1體積份)使其晶析。濾取所得之沈澱物，加入水-甲醇之混合溶液(水2體積份、甲醇1體積份)。濾取析出之淡黃色沈澱，藉由水-甲醇之混合溶液(水2體積份、甲醇1體積份)進行沖洗、真空乾燥，以淡黃色粉末之形式獲得124.2 g化合物(11-a)。產率以4,6-二甲基苯并呋喃-2-甲酸基準計為91%。
1-3.化合物(11-b)之合成
將化合物(11-a)123 g、2,4-雙(4-甲氧基苯基)-1,3-二硫雜-2,4-二磷雜環丁烷-2,4-二硫化物(勞森試劑)9.2 g及甲苯1200 g混合。將所得之混合液升溫至110℃後，於相同溫度下反應8小時。冷卻至室溫後，利用1 N-氫氧化鈉水溶液進行沖洗。回收有機層，加入正庚烷800 mL。濾取析出之黃色沈澱物，利用正庚烷進行沖洗並真空乾燥，藉此以嫩黃色粉末之形式獲得109.2 g化合物(11-b)。產率以化合物(11-a)基準計為85%。
1-4.化合物(11-c)之合成
將化合物(11-b)60 g、氫氧化鉀53.8 g及水1000 g混合。於冰浴冷卻下攪拌所得之混合液。繼而加入鐵氰化鉀133 g、甲醇51 g進行反應。進而，於室溫下反應36小時，濾取析出之黃色沈澱物。利用正庚烷-甲苯之混合溶劑(正庚烷3體積份、甲苯1體積份)沖洗濾取之沈澱，對所得之黃色粉末進行真空乾燥，以黃色固體之形式獲得51.3 g化合物(11-c)。產率以化合物(11-b)基準計為86%。
1-5.化合物(11-d)之合成
將化合物(11-c)40 g及氯化吡啶鎓400 g(10倍質量)混合，將所得之混合物升溫至180℃，於相同溫度下反應3小時。將所得之混合液加入冰中，濾取析出之沈澱物。利用水進行懸浮水洗後，藉由甲苯進行沖洗並真空乾燥，獲得以化合物(11-d)為主成分之黃色固體36.6 g。產率以化合物(11-c)基準計為99%。
1-6.化合物(R-1a)之合成
化合物(R-1a)係參考日本專利特開2010-31223號公報之段落0244為而合成。
1-7.化合物(A11-1)之合成
將化合物(11-d)35 g、化合物(R-1a)98.8 g、二甲基胺基吡啶1.37 g及甲苯700 mL混合。於冰浴冷卻下於所得之混合液中加入N,N'-二環己基碳二醯亞胺55.6 g。使所得之反應溶液於室溫下反應一整夜，使用預塗有矽膠之過濾介質進行過濾後，進行減壓濃縮。於殘渣中加入甲醇而使其結晶化。濾取結晶，將其再次溶解於氯仿中並加入2.3 g活性碳，於室溫下攪拌一小時。將溶液過濾，利用蒸發器對濾液進行減壓濃縮直至體積達到1/3後，一面攪拌一面加入甲醇，濾取析出之白色沈澱物，利用庚烷進行沖洗並真空乾燥，以白色粉末之形式獲得74.5 g化合物(A11-1)。產率以化合物(11-d)基準計為60%。
1-8.化合物(ix-1)之合成
化合物(ix-1)係利用日本專利特開2010-31223號公報記載之方法而合成。
1-9.光配向性聚合物(Z)之合成
藉由Macromol.Chem.Phys.197,1919-1935(1996)所記載之方法而製造光配向性聚合物(Z)。
將式(Z-a)所表示之單體[單體(Z-a)]1.5份與甲基丙烯酸甲酯0.1份溶解於四氫呋喃16份中，於60℃下反應24小時。繼而，將反應液放置冷卻至室溫後，滴加至甲苯與甲醇之混合液中，藉此獲得光配向性聚合物(Z)。光配向性聚合物(Z)之數量平均分子量為33000。於光配向性聚合物(Z)中，源自單體(Z-a)之結構之含有率為75 mol%。
所得之光配向性聚合物(Z)之聚苯乙烯換算數量平均分子量(Mn)之測定係利用GPC法，於以下之條件下進行。
裝置：HLC-8220GPC(Tosoh股份有限公司製造)
管柱：TOSOH TSKgel MultiporeHXL-M
管柱溫度：40℃
溶劑：THF(tetrahydrofuran，四氫呋喃)
流速：1.0 mL/min
檢測器：RI
校正用標準物質：TSK STANDARD POLYSTYRENE F-40、F-4、F-288、A-5000、A-500
2.組合物之製備
將表中所示之各成分混合，將所得之溶液於80℃下攪拌1小時後，冷卻至室溫而製備組合物。
光聚合起始劑係使用Irg369(Irgacure 369(BASF Japan公司製造))，調平劑係使用BYK361N(BYK-Chemie Japan製造)。聚合性液晶化合物(LC242)係BASF公司製造之下述式之化合物。
3.光學膜之製造例
於實施皂化處理之三乙醯基纖維素膜上塗佈光配向性聚合物(Z)之5%甲苯溶液，乾燥後，形成厚度300 nm之膜。繼而，相對於面自垂直方向使用附偏光UV照射夾具之Spotcure(SP-7、Ushio電機股份有限公司製造)，以照度15 mW/cm2照射5分鐘直線偏光(偏光UV照射)。利用棒式塗佈機於實施偏光UV照射之面上塗佈表之組合物，加熱至130℃，獲得對液晶相配向之膜。其後，於冷卻至室溫之狀態下，使 用Unicure(VB-15201BY-A、Ushio電機股份有限公司製造)於波長365 nm下，以40 mW/cm2之照度照射1分鐘紫外線，藉此製作光學膜。
[密接性評價]
按照JIS-K5600，使用Cotec股份有限公司製造之Cross Cut Guide I系列(CCI-1、1 mm間隔、25質量用)評價剝離耐性，對液晶層之殘存數進行計數。將結果示於表中。確認本光學膜之密接性優異。
[光學特性之測定]
藉由測定機(KOBRA-WR、王子計測機器公司製造)測定光學膜之相位差值。相位差值係於波長(λ)549 nm下進行測定。將結果示於表中。
<本發明之第2形態>
1.合成例
以與本發明之第1形態中之「1-9.光配向性聚合物(Z)之合成」相同之方式合成光配向性聚合物(Z)。
2.組合物之製備
將表中所示之各成分混合，將所得之溶液於80℃下攪拌1小時後，冷卻至室溫而製備組合物。
化合物(B)係使用Laromer(註冊商標)LR-9000(BASF Japan公司製造)。
光聚合起始劑係使用Irg369(Irgacure 369(BASF Japan公司製造))，調平劑係使用BYK361N(BYK-Chemie Japan製造)。LC242係BASF公司製造之下述式之化合物。
3.光學膜之製造例
於皂化劑三乙醯基纖維素膜上塗佈實施例3，4及比較例2所示之組合物，乾燥後，形成厚度280 nm之膜。繼而，相對於面自垂直方向，利用附偏光UV照射夾具之Spotcure(SP-7、Ushio電機股份有限公司製造)，以照度15 mW/cm2照射5分鐘直線偏光。利用棒式塗佈機於實施偏光UV之面上塗佈表之光學各向異性層形成用組合物，加熱至120℃，獲得對液晶相配向之膜。其後，於冷卻至室溫之狀態下，利用Unicure(VB-15201BY-A、Ushio電機股份有限公司製造)於波長365 nm下，以40 mW/cm2之照度照射1分鐘紫外線，藉此製作光學膜。
[密接性評價]
按照JIS-K5600，使用Cotec股份有限公司製造之Cross Cut Guide I系列(CCI-1、1 mm間隔、25質量用)評價剝離耐性，對液晶層之殘存數進行計數。將結果示於表中。確認，本光學膜之密接性優異。
[光學特性之測定]
藉由測定機(KOBRA-WR、王子計測機器公司製造)測定光學膜之 相位差值。相位差值係於波長(λ)549 nm下測定。將結果示於表中。
<本發明之第3形態>
1.合成例
以與本發明之第1形態中之「1-9.光配向性聚合物(Z)之合成」相同之方式合成光配向性聚合物(Z)。
2.組合物之製備
將如表所示之各成分混合，於80℃下將所得之溶液攪拌1小時後，冷卻至室溫而製備組合物。
化合物(B-1)係使用Laromer(註冊商標)LR-9000(BASF Japan公司製造)。
光聚合起始劑係使用Irg369(Irgacure 369(BASF Japan公司製造))，調平劑係使用BYK361N(BYK-Chemie Japan製造)。LC242係 BASF公司製造之下述式之化合物。
3.光學膜之製造例
於皂化劑三乙醯基纖維素膜上塗佈組合物(A-1)，乾燥後形成厚度280 nm之膜。繼而，相對於面自垂直方向，利用附偏光UV照射夾具之Spotcure(SP-7、Ushio電機股份有限公司製造)，以照度15 mW/cm2照射5分鐘直線偏光。利用棒式塗佈機於實施有偏光UV之面上塗佈組合物(B-1)，加熱至120℃，獲得對液晶相配向之膜。其後，於冷卻至室溫之狀態下，使用Unicure(VB-15201BY-A、Ushio電機股份有限公司製造)於波長365 nm下，以40 mW/cm2之照度照射1分鐘紫外線，藉此製作光學膜。
[密接性評價]
按照JIS-K5600，使用Cotec股份有限公司製造Cross Cut Guide I系列(CCI-1、1 mm間隔、25質量用)評價剝離耐性，對液晶層之殘存數進行計數。將結果示於表中。確認，本光學膜之密接性優異。
[光學特性之測定]
藉由測定機(KOBRA-WR、王子計測機器公司製造)測定光學膜之相位差值。相位差值係於波長(λ)549 nm下測定。將結果示於表中。
[產業上之可利用性]
本發明對於液晶顯示裝置及有機EL顯示裝置等中所使用之光學膜之製造極其有用，產業上之價值較高。

Claims (39)

  1. 一種組合物，其包含以下之(A)、(B)及(C)：(A)聚合性液晶化合物；(B)於分子內含有碳-碳不飽和鍵與活性氫反應性基之化合物；(C)光聚合起始劑。
  2. 如請求項1之組合物，其中(B)為含有異氰酸酯基作為活性氫反應性基之化合物。
  3. 如請求項1之組合物，其中(B)為下述式(X)所表示之化合物， [式(X)中，n表示1~10之整數，R1'表示碳數2~20之2價脂肪族或脂環式烴基、或者碳數5~20之2價芳香族烴基；各重複單元中之2個R2'係一者為-NH-，另一者為-[N-C(=O)-R3']-所表示之基；R3'表示含有羥基或碳-碳不飽和鍵之基；R3'中之至少1個R3'為含有碳-碳不飽和鍵之基]。
  4. 如請求項1至3中任一項之組合物，其中(A)為式(A)所表示之化合物， [式(A)中，X1表示氧原子、硫原子或-NR1-；R1表示氫原子或碳數1~4之烷基；Y1表示可含有取代基之碳數6~12之1價芳香族烴基、或者可含 有取代基之碳數3~12之1價芳香族雜環式基；Q3及Q4分別獨立地表示氫原子、可含有取代基之碳數1~20之1價脂肪族烴基、碳數3~20之脂環式烴基、可含有取代基之碳數6~20之1價芳香族烴基、鹵素原子、氰基、硝基、-NR2R3或-SR2，或者Q3及Q4互相鍵結而與該等分別鍵結之碳原子一併形成芳香環或芳香族雜環；R2及R3分別獨立地表示氫原子或碳數1~6之烷基；D1及D2分別獨立地表示單鍵、-C(=O)-O-、-C(=S)-O-、-CR4R5-、-CR4R5-CR6R7-、-O-CR4R5-、-CR4R5-O-CR6R7-、-CO-O-CR4R5-、-O-CO-CR4R5-、-CR4R5-O-CO-CR6R7-、-CR4R5-CO-O-CR6R7-或-NR4-CR5R6-或-CO-NR4-；R4、R5、R6及R7分別獨立地表示氫原子、氟原子或碳數1~4之烷基；G1及G2分別獨立地表示碳數5~8之2價脂環式烴基，構成該脂環式烴基之亞甲基可經氧原子、硫原子或-NH-取代，構成該脂環式烴基之次甲基可經三級氮原子取代；L1及L2分別獨立地表示1價有機基，L1及L2中之至少一者為含有聚合性基之有機基]。
  5. 如請求項4之組合物，其中(A)係式(A)之L1為式(A1)所表示之基且L2為式(A2)所表示之基之化合物，P1-F1-(B1-A1)k-E1- (A1) P2-F2-(B2-A2)l-E2- (A2)[式(A1)及式(A2)中，B1、B2、E1及E2分別獨立地表示-CR4R5-、-CH2-CH2-、-O-、-S-、-CO-O-、-O-CO-O-、-CS-O-、-O-CS-O-、-CO-NR1-、-O-CH2-、-S-CH2-或單鍵； A1及A2分別獨立地表示碳數5~8之2價脂環式烴基或碳數6~18之2價芳香族烴基，構成該脂環式烴基之亞甲基可經氧原子、硫原子或-NH-取代，構成該脂環式烴基之次甲基可經三級氮原子取代；k及l分別獨立地表示0~3之整數；於k為2以上之整數之情形時，複數之B1互相可相同亦可不同，複數之A1互相可相同亦可不同；於l為2以上之整數之情形時，複數之B2互相可相同亦可不同，複數之A2互相可相同亦可不同；F1及F2表示碳數1~12之2價脂肪族烴基；P1表示聚合性基；P2表示氫原子或聚合性基；R1、R4及R5表示與上述相同之含義]。
  6. 一種光學膜，其係使如請求項1至5中任一項之組合物中所含之聚合性液晶化合物聚合而形成。
  7. 一種光學膜之製造方法，其包括以下(1)及(2)之步驟：(1)將如請求項1至5中任一項之組合物塗佈於基材上之步驟；(2)藉由使由步驟(1)塗佈於基材上之塗佈膜中所含之聚合性液晶化合物聚合而形成光學膜之步驟。
  8. 如請求項7之光學膜之製造方法，其中基材包含具有羥基之材料。
  9. 如請求項8之光學膜之製造方法，其中具有羥基之材料係使三乙醯基纖維素皂化而獲得者。
  10. 如請求項7至9中任一項之光學膜之製造方法，其中基材為於其表面設有由光配向性聚合物形成之配向膜者。
  11. 如請求項10之光學膜之製造方法，其中配向膜係利用光照射光配向性聚合物形成交聯結構而設置者。
  12. 一種光學膜，其係藉由如請求項7至11中任一項之製造方法而獲得。
  13. 如請求項6或12之光學膜，其具有相位差性。
  14. 一種偏光板，其包括如請求項6、12或13之光學膜。
  15. 一種平板顯示裝置，其具備如請求項6、12或13之光學膜。
  16. 一種組合物，其包含以下之(D)及(B)：(D)光配向性聚合物；(B)於分子內含有碳-碳不飽和鍵與活性氫反應性基之化合物。
  17. 如請求項16之組合物，其中(D)係可利用光照射而形成交聯結構之光配向性聚合物。
  18. 如請求項16或17之組合物，其中(B)為含有異氰酸酯基作為活性氫反應性基之化合物。
  19. 如請求項16或17之組合物，其中(B)為下述式(X)所表示之化合物， [式(X)中，n表示1~10之整數，R1'表示碳數2~20之2價脂肪族或脂環式烴基、或者碳數5~20之2價芳香族烴基；各重複單元中之2個R2'係一者為-NH-，另一者為-[N-C(=O)-R3']-所表示之基；R3'表示含有羥基或碳-碳不飽和鍵之基；R3'中之至少1個R3'為含有碳-碳不飽和鍵之基]。
  20. 一種光學膜，其係使如請求項16至19中任一項之組合物中所含之光配向性聚合物交聯而形成。
  21. 一種光學膜之製造方法，其包括以下(1)及(2)之步驟：(1)將如請求項16至19中任一項之組合物塗佈於基材上之步 驟；(2)藉由使由步驟(1)塗佈於基材上之塗佈膜中所含之光配向性聚合物交聯而形成光學膜之步驟。
  22. 如請求項21之光學膜之製造方法，其中基材包含具有羥基之材料。
  23. 如請求項22之光學膜之製造方法，其中具有羥基之材料係使三乙醯基纖維素皂化而獲得者。
  24. 一種光學膜，其係藉由如請求項21至23中任一項之製造方法而獲得。
  25. 一種相位差板，其係於如請求項20或24之光學膜上進而形成光學各向異性層而成。
  26. 一種偏光板，其包括如請求項20或24之光學膜。
  27. 一種平板顯示裝置，其具備如請求項20或24之光學膜。
  28. 一種光學膜，其係將基材、由組合物(A)形成之A層及由組合物(B)形成之B層依序積層而成，且組合物(A)含有以下之(D)及(B-1)，組合物(B)含有以下之(A)、(B-2)及(C)：(D)光配向性聚合物；(B-1)含有碳-碳不飽和鍵與活性氫反應性基之化合物；(A)聚合性液晶化合物；(B-2)含有碳-碳不飽和鍵與活性氫反應性基之化合物；(C)光聚合起始劑。
  29. 如請求項28之光學膜，其中(D)係可利用光照射而形成交聯結構之光配向性聚合物。
  30. 如請求項28或29之光學膜，其中(B-1)及(B-2)均為含有異氰酸酯基作為活性氫反應性基之化合物。
  31. 如請求項28或29之光學膜，其中(B-1)及(B-2)分別獨立為下述式(X)所表示之化合物， [式(X)中，n表示1~10之整數，R1'表示碳數2~20之2價脂肪族或脂環式烴基、或者碳數5~20之2價芳香族烴基；各重複單元中之2個R2'係一者為-NH-，另一者為-[N-C(=O)-R3']-所表示之基；R3'表示含有羥基或碳-碳不飽和鍵之基；R3'中之至少1個R3'為含有碳-碳不飽和鍵之基]。
  32. 如請求項28至31中任一項之光學膜，其中A層係使組合物(A)中所含有之(D)交聯而形成者。
  33. 如請求項28至32中任一項之光學膜，其中基材包含具有羥基之材料。
  34. 如請求項33之光學膜，其中具有羥基之材料係使三乙醯基纖維素皂化而獲得者。
  35. 如請求項28至34中任一項之光學膜，其具有相位差性。
  36. 一種光學膜之製造方法，其包括以下之<1>至<4>之步驟：<1>藉由將含有以下之(D)及(B-1)之組合物(A)塗佈於基材上而於基材上形成第1塗佈膜之步驟；(D)光配向性聚合物(B-1)含有碳-碳不飽和鍵與活性氫反應性基之化合物<2>藉由使由步驟<1>塗佈於基材上之第1塗佈膜中所含之(D)交聯而將第1塗佈膜轉化為A層之步驟；<3>藉由於由步驟<2>形成之A層上塗佈含有以下之(A)、(B-2)及(C)之組合物(B)而於A層上形成第2塗佈膜之步驟； (A)聚合性液晶化合物(B-2)含有碳-碳不飽和鍵與活性氫反應性基之化合物(C)光聚合起始劑<4>使由<3>形成之第2塗佈膜中所含之聚合性液晶化合物聚合之步驟。
  37. 一種光學膜，其係藉由如請求項36之製造方法而獲得。
  38. 一種偏光板，其含有如請求項28至35中任一項或請求項37之光學膜。
  39. 一種平板顯示裝置，其具備如請求項28至35中任一項或請求項37之光學膜。
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