TWI521278B - 相位差板、具有相位差板之顯示裝置及相位差板之製造方法 - Google Patents

相位差板、具有相位差板之顯示裝置及相位差板之製造方法 Download PDF

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Description

相位差板、具有相位差板之顯示裝置及相位差板之製造方法
本發明係關於一種相位差板、具有相位差板之顯示裝置及相位差板之製造方法。
在日本專利公開公報第2005-49865號中，記載有具有複數個相位延遲軸(retardation axis)的方向不同的區域的相位差板。然而，該公報中並未記載相位差板的任何的光學特性。
本發明提供以下所述之相位差板、具有相位差板之顯示裝置及相位差板之製造方法：
＜1＞相位差板，其具有複數個相位延遲軸的方向不同的區域，且在任意區域中，對於波長為λ(nm)的光的雙折射率Δn(λ)均滿足式(1)及式(2)：
Δn(450)/Δn(550)≦1.00　(1)
1.00≦Δn(650)/Δn(550)　(2)
＜2＞如＜1＞所述之相位差板，其係將包含以式(A)所表示之基與至少一個聚合性基團的化合物聚合而得之相位差板：
─G1─D1─Ar─D2─G2─　(A)
(式中，Ar表示具有由芳香族烴環及芳香族雜環所構成之群組選出之至少一個芳香環的2價的基，該2價的基中所包含的芳香環的π電子的合計數Nπ為12以上。D1及D2分別獨立表示單鍵、-CO-O-、-O-CO-、-C(=S)-O-、-O-C(=S)-、-CR1R2-、-CR1R2-CR3R4-、-O-CR1R2-、-CR1R2-O-、-CR1R2-O-CR3R4-、-CR1R2-O-CO-、-O-CO-CR1R2-、-CR1R2-O-CO-CR3R4-、-CR1R2-CO-O-CR3R4-、-NR1-CR2R3-、-CR2R3-NR1-、-CO-NR1-、或NR1-CO-；R1、R2、R3、及R4分別獨立表示氫原子、氟原子、或碳數1～4的烷基；G1及G2分別獨立表示2價的脂環烴基，該脂環烴基可具有由鹵素原子、碳數1～4的烷基、碳數1～4的氟烷基、碳數1～4的烷氧基、氰基、及硝基所構成之群組選出的1個以上的取代基，構成該脂環烴基的1個以上的亞甲基可被取代為-O-、-S-、或-NH-。)
＜3＞如＜2＞所述之相位差板，其中，包含以式(A)所表示之基團與至少一個聚合性基團的化合物係以下式(D)所表示之化合物：
(式中，Ar、D1、D2、G1、及G2表示與＜1＞所定義的相同的意義。
E1及E2分別獨立表示-CR5R6-、-CH2-CH2-、-O-、-S-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-、-C(=S)-O-、-O-C(=S)-、-O-C(=S)-O-、-CO-NR5-、-NR5-CO-、-O-CH2-、-CH2-O-、-S-CH2-、-CH2-S-、或單鍵；R5及R6分別獨立表示氫原子、氟原子、或碳數1～4的烷基。
B1及B2分別獨立表示-CR5R6-、-CH2-CH2-、-O-、-S-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-、-C(=S)-O-、-O-C(=S)-、-O-C(=S)-O-、-CO-NR5-、-NR5-CO-、-O-CH2-、-CH2-O-、-S-CH2-、-CH2-S-、或單鍵，R5及R6表示與如上所述相同的意義。
A1及A2分別獨立表示2價的脂環烴基或2價的芳香族烴基，該2價的脂環烴基及2價的芳香族烴基可具有由鹵素原子、碳數1～4的烷基、碳數1～4的氟取代烷基、碳數1～4的烷氧基、碳數1～4的氟取代烷氧基、氰基、及硝基所構成之群組選出的1個以上的取代基。
k及1分別獨立表示0～3的整數。
F1及F2分別獨立表示碳數1～12的亞烷基，該亞烷基可具有由碳數1～5的烷基、碳數1～5的烷氧基、及鹵素原子所構成之群組選出的1個以上的取代基，該亞烷基所包含的-CH2-可被取代為-O-或-CO-。
P1及P2分別獨立表示氫原子或聚合性基團(但是，P1及P2之中的至少1個為聚合性基團。)
＜4＞如＜3＞所述之相位差板，其中，以式(D)所表示之化合物為滿足式(3)及式(4)的化合物：
(Nπ-4)/3＜k+1+4　(3)
12≦Nπ≦22　(4)
＜5＞如＜2＞～＜4＞任一項所述之相位差板，其中Ar為下式(Ar-6)所表示之基；
(式中，Z1分別獨立表示鹵素原子、碳數1～6的烷基、氰基、硝基、碳數1～6的烷基亞磺醯基、碳數1～6的烷基磺醯基、碳數1～6的氟烷基、碳數1～6的烷氧基、碳數1～6的烷基硫烷基(sulfanyl)、碳數1～6的N-烷基胺基、碳數2～12的N，N-二烷基胺基、碳數1～6的N-烷基胺磺醯基、碳數2～12的N，N-二烷基胺磺醯基、或-COOH。
Q1表示-CR9R10-、-S-、-NR9-、-CO-、或-O-，R9及R10分別獨立表示氫原子或碳數1～4的烷基。
Y2表示取代或非取代的芳香族烴基、或者取代或非取代的芳香族雜環基。
n表示0～2的整數。)
＜6＞如＜2＞～＜5＞任一項所述之相位差板，其中G1及G2為環已烷-1，4-二基；
＜7＞如＜3＞～＜6＞任一項所述之相位差板，其中A1及A2分別獨立為1，4-伸苯基或環已烷-1,4-二基；
＜8＞如＜3＞～＜6＞任一項所述之相位差板，其中只與A1鍵結的B1及只與A2鍵結的B2分別獨立為-CH2-CH2-、-CO-O-、-O-CO-、-CO-NH-、-NH-CO-、-O-CH2-、-CH2-O-、或單鍵，與F1鍵結的B1及與F2鍵結的B2分別獨立為-O-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-、-CO-NH-、-NH-CO-、或單鍵；
＜9＞如＜3＞～＜8＞任一項所述之相位差板，其中P1及P2分別獨立為氫原子、丙烯醯氧基、或甲基丙烯醯氧基，且P1及P2不同時為氫原子；
＜10＞半透射型(semi-transmissive)液晶顯示裝置，包含＜1＞～＜9＞任一項所述之相位差板；
＜11＞3D顯示裝置，包含＜1＞～＜9＞任一項所述之相位差板；
＜12＞相位差板之製造方法，其中該相位差板具有複數個相位延遲軸的方向不同的區域，且在全部的區域中，對於波長為λ(nm)的光的雙折射率Δn(λ)滿足式(1)及式(2)，該製造方法包含下述步驟(10)～(12)：
Δn(450)/Δn(550)≦1.00　(1)
1.00≦Δn(650)/Δn(550)　(2)
(10)在基材上形成配向膜的步驟；(11)給予配向膜配向能的步驟，使其具有配向方向不同的複數個區域；以及(12)在配向膜上塗布聚合性化合物的步驟；
＜13＞如＜12＞所述之製造方法，其中步驟(11)包含下述步驟(11a)～(11c)：
(11a)第1摩擦處理步驟，對形成於基材上的配向膜的全表面施加第1摩擦處理；(11b)覆蓋遮罩步驟，以具有預定圖案之遮罩覆蓋配向膜的施加了第1摩擦處理的面；以及(11c)第2摩擦處理步驟，對配向膜的施加了第1摩擦處理的面上、未以遮罩覆蓋的部分施加第2摩擦處理；
<14>如<12>或<13>所述之製造方法，更包含下述步驟(13)；(13)使塗布於配向膜上的聚合性化合物聚合的步驟；
<15>層積體，包含具有複數個配向方向不同的區域的配向膜；與形成於配向膜上之如<1>~<9>任一項所述之相位差板；
<16>層積體，包含：支持基材；形成於支持基材上的配向膜；與形成於配向膜上之如<1>~<9>任一項所述之相位差板。
本發明的相位差板具有複數個相位延遲軸的方向不同的區域。而且，無論在任何區域中，亦即，在全部的區域中，對於波長為λ(nm)的光的雙折射率Δn(λ)滿足式(1)及(2)：Δn(450)/Δn(550)≦1.00 (1)
1.00≦Δn(650)/Δn(550) (2)
在本說明書中，所謂相位差板，是指可透光的物體、且其具有光學性的機能。所謂光學性的機能，是指屈折、複屈折等機能。相位差板係用於將直線偏光變換為圓偏光或橢圓偏光、或者將圓偏光或橢圓偏光變換為直線偏光。
已知波長為λnm的光給予相位差板的相位差(Re(λ))係由雙折射率Δn與相位差板的厚度d的乘積所決定的(Re(λ)=Δn×d)。此外，波長分散特性通常表示為，波長λ時的相位差值Re(λ)除以550nm時之相位差值Re(550)所得的值(Re(λ)/Re(550))，在(Re(λ)/Re(550))接近1的波長帶、或是在[Re(450)/Re(550)]<1且[Re(650)/Re(550)]>1之顯示逆波長分散性的波長帶，可以進行均勻的偏光變換。
本發明的相位差板有優良的透明性，而被使用於各式各樣的顯示器中。相位差板的膜厚依照得到的相位差板的相位差值而有 所不同，但較佳為0.1~10μm、更佳為0.5~3μm。
本發明的相位差板的相位差值為50~500nm左右、較佳為100~300nm。
本發明的相位差板為寬頻帶λ/4板的情況下，將相位差板的膜厚調整為使在複數個相位延遲軸的方向不同的任一區域中，相位差板的Re(550)均為113~163nm、較佳為135~140nm、更佳為約137.5nm左右；在本發明的相位差板為寬頻帶λ/2板的情況下，則將相位差板的膜厚調整為使在複數個相位延遲軸的方向不同的全部區域中，相位差板的Re(550)均為250~300nm、較佳為273~277nm、更佳為約275nm左右。
所謂「具有複數個相位延遲軸的方向不同的區域」是指相位差板具有2個以上的區域，且相鄰的區域的相位延遲軸的方向不同，而相鄰的區域共有至少1條境界線。不相鄰的區域的相位延遲軸的方向可以是相同的。相位延遲軸的方向不同的區域的形狀不受限制。圖16顯示本發明的相位差板的例子。圖16(a)~(e)所示之本發明的相位差板100具有相位延遲軸的方向不同的區域100A與區域100B。圖16(a)為將區域設置為橫條狀的相位差板，圖16(b)為將區域設置為直條狀的相位差板。圖16(c)為設置複數個格子狀的區域的相位差板。圖16(d)為將區域設置為傾斜條狀的相位差板，圖16(e)為將區域設置為棋盤格狀的相位差板。
本發明的相位差板較佳為將聚合性化合物聚合而得之相位差板，更佳為將包含以式(A)表示之基團與聚合性基團之化合物(以下有時候稱為「化合物(A)」)聚合而得之相位差板：-G1-D1-Ar-D2-G2- (A)
(式中，Ar表示具有由芳香族烴環及芳香族雜環所構成之群組選出的至少一個芳香環的2價的基，該2價的基中所包含的芳香環的π電子的合計數Nπ為12以上。D1及D2分別獨立表示單鍵、-CO-O-、-O-CO-、-C(=S)-O-、-O-C(=S)-、-CR1R2-、-CR1R2-CR3R4-、-O-CR1R2-、-CR1R2-O-、-CR1R2-O-CR3R4-、-CR1R2-O-CO-、-O-CO-CR1R2-、-CR1R2-O-CO-CR3R4-、-CR1R2-CO-O-CR3R4-、-NR1-CR2R3-、-CR2R3-NR1-、-CO-NR1-、或-NR1-CO-；R1、R2、R3、及R4分別獨立表示氫原子、氟原子、或碳數1～4的烷基。G1及G2分別獨立表示2價的脂環烴基，該脂環烴基可具有由鹵素原子、碳數1～4的烷基、碳數1～4的氟烷基、碳數1～4的烷氧基、氰基、及硝基所構成之群組選出的1個以上的取代基，構成該脂環烴基的1個以上的亞甲基可被取代為-O-、-S-、或-NH-。)
Ar係具有由芳香族烴環及芳香族雜環所構成之群組選出的至少一個芳香環的2價的基，該2價的基中所包含的芳香環的π電子的合計數Nπ為12以上。Nπ較佳為12以上、22以下，更較佳為13以上、22以下。
Ar較佳為具有由芳香族烴環及芳香族雜環所構成之群組選出的至少2個的芳香環的2價的基。
作為芳香族烴環，可列舉苯環、萘環、蔥環、菲環等；作為芳香族雜環，可列舉呋喃環、吡咯環、噻吩環、吡啶環、噻唑環、苯并噻唑環等。其中，較佳為苯環、噻唑環、苯并噻唑環。
Ar較佳為以下式(Ar-1)～(Ar-13)所表示之基的任一基，更佳為以式(Ar-6)所表示之基。
(式中，Z1分別獨立表示鹵素原子、碳數1～6的烷基、氰基、硝基、碳數1～6的烷基亞磺醯基、碳數1～6的烷基磺醯基、羧基、碳數1～6的氟烷基、碳數1～6的烷氧基、碳數1～6的烷基硫烷基、碳數1～6的N-烷基胺基、碳數2～12的N，N-二烷基胺基、碳數1～6的N-烷基胺磺醯基、或碳數2～12的N，N-二烷基胺磺醯基。Q1及Q3分別獨立表示-CR9R10-、-S-、-NR9-、-CO-、或-O-，R9及R10分別獨立表示氫原子或碳數1～4的烷基。Y1、Y2、及Y3分別獨立表示取代或者非取代的芳香族烴基、或取代或者非取代的芳香族雜環基。W1及W2分別獨立表示氫原子、氰基、甲基、或鹵素原子。m表示0～6的整數，n表示0～2的整數。)
作為鹵素原子，可列舉氟原子、氯原子、溴原子、及碘原子，較佳為氟原子、氯原子、及溴原子。
作為碳數1～6的烷基，可列舉甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、二級丁基、參級丁基、戊基、及己基，較佳為碳數1～4的烷基、更佳為碳數1～2的烷基、特佳為甲基。
作為碳數1～6的烷基亞磺醯基，可列舉甲基亞磺醯基、乙基亞磺醯基、丙基亞磺醯基、異丙基亞磺醯基、丁基亞磺醯基、異丁基亞磺醯基、二級丁基亞磺醯基、參級丁基亞磺醯基、戊基亞磺醯基、及己基亞磺醯基，較佳為碳數1～4的烷基亞磺醯基、更佳為碳數1～2的烷基亞磺醯基、特佳為甲基亞磺醯基。
作為碳數1～6的烷基磺醯基，可列舉甲基磺醯基、乙基磺醯基、丙基磺醯基、異丙基磺醯基、丁基磺醯基、異丁基磺醯基、二級丁基磺醯基、參級丁基磺醯基、戊基磺醯基、及己基磺醯基，較佳為碳數1～4的烷基磺醯基、更佳為碳數1～2的烷基磺醯基、特佳為甲基磺醯基。
作為碳數1～6的氟烷基，可列舉氟甲基、三氟甲基、氟乙基、五氟乙基、七氟丙基、及九氟丁基，較佳為碳數1～4的氟烷基、更佳為碳數1～2的氟烷基、特佳為三氟甲基。
作為碳數1～6的烷氧基，可列舉甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基、異丁氧基、二級丁氧基、參級丁氧基、戊氧基、及己氧基，較佳為碳數1～4的烷氧基、更佳為碳數1～2的烷氧基、特佳為甲氧基。
作為碳數1～6的烷基硫烷基，可列舉甲基硫烷基、乙基硫烷基、丙基硫烷基、異丙基硫烷基、丁基硫烷基、異丁基硫烷基、二級丁基硫烷基、參級丁基硫烷基、戊基硫烷基、及己基硫烷基，較佳為碳數1～4的烷基硫烷基、更佳為碳數1～2的烷基硫烷基、特佳為甲基硫烷基。
作為碳數1～6的N-烷基胺基，可列舉N-甲基胺基、N-乙基胺基、N-丙基胺基、N-異丙基胺基、N-丁基胺基、N-異丁基胺基、N-二級丁基胺基、N-參級丁基胺基、N-戊基胺基、及N-己基胺基，較佳為碳數1～4的N-烷基胺基、更佳為碳數1～2的N-烷基胺基、特佳為N-甲基胺基。
作為碳數2～12的N，N-二烷基胺基，可列舉N，N-二甲基胺基、N-甲基-N-乙基胺基、N，N-二乙基胺基、N，N-二丙基胺基、N，N-二異丙基胺基、N，N-二丁基胺基、N，N-二異丁基胺基、N，N-二戊基胺基、及N，N-二己基胺基，較佳為碳數2～8的N，N-二烷基胺基、更佳為碳數2～4的N，N-二烷基胺基、特佳為N，N-二甲基胺基。
作為碳數1～6的N-烷基胺磺醯基，可列舉N-甲基胺磺醯基、N-乙基胺磺醯基、N-丙基胺磺醯基、N-異丙基胺磺醯基、N-丁基胺磺醯基、N-異丁基胺磺醯基、N-二級丁基胺磺醯基、N-參級丁基胺磺醯基、N-戊基胺磺醯基、及N-己基胺磺醯基，較佳為碳數1～4的N-烷基胺磺醯基、更佳為碳數1～2的N-烷基胺磺醯基、特佳為N-甲基胺磺醯基。
作為碳數2～12的N，N-二烷基胺磺醯基，可列舉N，N-二甲基胺磺醯基、N-甲基-N-乙基胺磺醯基、N，N-二乙基胺磺醯基、N，N-二丙基胺磺醯基、N，N-二異丙基胺磺醯基、N，N-二丁基胺磺醯基、N，N-二異丁基胺磺醯基、N，N-二戊基胺磺醯基、及N，N-二己基胺磺醯基，較佳為碳數2～8的N，N-二烷基胺磺醯基、更佳為碳數2～4的N，N-二烷基胺磺醯基、特佳為N，N-二甲基胺磺醯基。
Z1較佳為鹵素原子、甲基、氰基、硝基、甲基磺醯基、三氟甲基、甲氧基、甲基硫烷基、N-甲基胺基、N，N-二甲基胺基、N-甲基胺磺醯基、N，N-二甲基胺磺醯基、或-COOH。
作為R9及R10中之碳數1～4的烷基，可列舉甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、參級丁基等，較佳為碳數1～2的烷基、更佳為甲基。
Q1較佳為-S-、-CO-、-NH-、-N(CH3)-，Q3較佳為-S-或-CO-。
作為Y1、Y2、及Y3的芳香族烴基及芳香族雜環基，可列舉單環式芳香族烴基、單環式芳香族雜環基、多環式芳香族烴基、及多環式芳香族雜環基。「多環式芳香族烴基」之意義為具有至少2個芳香環的芳香族烴基，可列舉2個以上的芳香環進行縮合而形成的縮合芳香族烴基、及2個以上的芳香環進行鍵結而形成的芳香族烴基。「多環式芳香族雜環基」之意義為具有至少1個雜芳環、且具有由芳香環及雜芳環所構成之群組選出的至少1個環的芳香族雜環基，可列舉1個以上的芳香族雜環與由芳香環及雜芳環所構成之群組選出的1個以上的環進行縮合形成的芳香族雜環基、及至少1個雜芳環與由芳香環及雜芳環所構成之群組選出的至少1個環進行鍵結形成的芳香族雜環基。
作為Y1、Y2、及Y3中之芳香族烴基，可列舉苯基、萘基、蒽基、菲基、聯苯基等碳數6～20的芳香族烴基，較佳為苯基、萘基、更佳為苯基。作為芳香族雜環基，可列舉呋喃基、吡咯基、噻吩基、吡啶基、噻唑基、苯并噻唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基等包含至少一個氮原子、氧原子、硫原子等雜原子之碳數4～20的芳香族雜環基，較佳為呋喃基、噻吩基、噻唑基、苯并噻唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基。
上述芳香族烴基及芳香族雜環基可具有1個以上的取代基，作為取代基，可列舉鹵素原子、碳數1～6的烷基、氰基、硝基、碳數1～6的烷基亞磺醯基、碳數1～6的烷基磺醯基、羧基(-COOH)、碳數1～6的氟烷基、碳數1～6的烷氧基、碳數1～6的烷基硫烷基、碳數1～6的N-烷基胺基、碳數2～12的N，N-二烷基胺基、碳數1～6的N-烷基胺磺醯基、碳數2～12的N，N-二烷基胺磺醯基等，較佳為鹵素原子、碳數1～2的烷基、氰基、硝基、碳數1～2的烷基磺醯基、碳數1～2的氟烷基、碳數1～2的烷氧基、碳數1～2的烷基硫烷基、碳數1～2的N-烷基胺基、碳數2～4的N，N-二烷基胺基、碳數1～2的烷基胺磺醯基。
作為鹵素原子、碳數1～6的烷基、氰基、硝基、碳數1～6的烷基亞磺醯基、碳數1～6的烷基磺醯基、羧基、碳數1～6的氟烷基、碳數1～6的烷氧基、碳數1～6的烷基硫烷基、碳數1～6的N-烷基胺基、碳數2～12的N，N-二烷基胺基、碳數1～6的N-烷基胺磺醯基、及碳數2～12的N，N-二烷基胺磺醯基，分別可列舉如上所述者。
作為單環式芳香族烴基或單環式芳香族雜環基，可列舉式(Y-1)～式(Y-6)所表示之基。
(式中，＊表示鍵結部位，Z2分別獨立表示鹵素原子、碳數1～6的烷基、氰基、硝基、碳數1～6的烷基亞磺醯基、碳數1～6的烷基磺醯基、羧基、碳數1～6的氟烷基、碳數1～6的烷氧基、碳數1～6的烷基硫烷基、碳數1～6的N-烷基胺基、碳數2～12的N，N-二烷基胺基、碳數1～6的N-烷基胺磺醯基、或碳數2～12的N，N-二烷基胺磺醯基。
a1表示0～5的整數，a2表示0～4的整數，b1表示0～3的整數，b2表示0～2的整數，R表示氫原子或甲基。)
作為Z2，較佳為鹵素原子、甲基、氰基、硝基、磺基、羧基、三氟甲基、甲氧基、甲基硫烷基、N，N-二甲基胺基、或N-甲基胺基。
由製造步驟或費用的觀點來看，Y1、Y2、及Y3特佳為分別獨立為以式(Y-1)或式(Y-3)所表示之基。
作為多環式芳香族烴基或多環式芳香族雜環基，可列舉以式(Y1-1)～式(Y1-7)所表示之基。
(式中，＊表示鍵結部位，Z3分別獨立表示鹵素原子、碳數1～6的烷基、氰基、硝基、亞硝基、碳數1～6的烷基磺醯基、碳數1～6的烷基亞磺醯基、羧基、碳數1～6的氟烷基、碳數1～6的烷氧基、碳數1～6的烷基硫烷基、碳數2～8的N，N-二烷基胺基、或碳數1～4的N-烷基胺基。
V1及V2分別獨立表示-CO-、-S-、-NR11-、-O-、-Se-、或-SO2-。
W1～W5分別獨立表示-CR3=或-N=。
R3表示氫原子或碳數1～4的烷基。
但是，V1、V2、及W1～W5之中至少1個表示包含S、N、O、或Se的基。
R11表示氫原子或碳數1～4的烷基。
a分別獨立表示0～3的整數。
b分別獨立表示0～2的整數。)
作為Z3，可列舉鹵素原子、碳數1～6的烷基、氰基、硝基、碳數1～6的烷基亞磺醯基、碳數1～6的烷基磺醯基、羧基、碳數1～6的氟烷基、碳數1～6的烷氧基、碳數1～6的烷基硫烷基、碳數1～6的N-烷基胺基、碳數2～12的N，N-二烷基胺基、碳數1～6的N-烷基胺磺醯基、碳數2～12的N，N-二烷基胺磺醯基等，較佳為鹵素原子、甲基、乙基、異丙基、二級丁基、氰基、硝基、磺基、亞硝基、羧基、三氟甲基、甲氧基、甲基硫烷基、N，N-二甲基胺基、或N-甲基胺基，更佳為鹵素原子、甲基、乙基、異丙基、二級丁基、氰基、硝基、三氟甲基，特佳為甲基、乙基、異丙基、二級丁基、戊基、己基。
作為鹵素原子、碳數1～6的烷基、碳數1～6的烷基亞磺醯基、碳數1～6的烷基磺醯基、碳數1～6的氟烷基、碳數1～6的烷氧基、碳數1～6的烷基硫烷基、碳數1～6的N-烷基胺基、碳數2～12的N，N-二烷基胺基、碳數1～6的N-烷基胺磺醯基、及碳數2～12的N，N-二烷基胺磺醯基，分別可列舉如上所述者。
較佳為V1及V2分別獨立為-S-、-NR11-、或-O-。
較佳為W1～W5分別獨立為-CR3=或-N=。
R3為氫原子或碳數1～4的烷基，較佳為氫原子。
較佳為V1、V2、及W1～W5之中至少1個為表示包含S、N、或O之基。
a較佳為0或1。b較佳為0。
其中，較佳為以式(Y3-1)～式(Y3-6)表示之基。
(式中，＊、Z3、a、b、V1、V2、及W1表示如上所述之相同的意義。)
作為以式(Ar-1)～式(Ar-4)表示之基的具體例，可列舉以式(ar-1)～式(ar-29)表示之基。
作為以式(Ar-5)表示之基的具體例，可列舉以式(ar-30)～式(ar-39)表示之基。
作為以式(Ar-6)或式(Ar-7)表示之基的具體例，可列舉以式(ar-40)～式(ar-119)表示之基。
作為以式(Ar-8)或式(Ar-9)表示之基的具體例，可列舉以式(ar-120)～式(ar-129)表示之基。
作為以式(Ar-10)表示之基的具體例，可列舉以式(ar-130)～式(ar-149)表示之基。
作為以式(Ar-11)所表示之基的具體例，可列舉以式(ar-150)～式(ar-159)所表示之基。
作為以式(Ar-12)表示之基的具體例，可列舉以式(ar-160)～式(ar-179)表示之基。
作為以式(Ar-13)所表示之基的具體例，可列舉以式(ar-180)～式(ar-189)所表示之基。
D1及D2較佳為＊-O-CO-、＊-O-C(=S)-、＊-O-CR1R2-、＊-NR5-CR1R2-、或＊-NR5-CO-(＊表示與Ar的鍵結部位。)。D1及D2更佳為＊-O-CO-、＊-O-C(=S)-、或＊-NR5-CO-(＊表示與Ar的鍵結部位。)。R1、R2、R3、及R4較佳為分別獨立為氫原子或碳數1～4的烷基，更佳為氫原子、甲基、或乙基。R5較佳為氫原子、甲基、或乙基。
作為G1及G2，可列舉以式(g-1)～式(g-10)所表示之可包含雜原子的脂環烴基，較佳為五員環或六員環的脂環烴基。
以上述式(g-1)～(g-10)所表示之基中，如上文中例示之基的氫原子的一部分可被取代為甲基、乙基、異丙基、參級丁基等碳數1～4的烷基；甲氧基、乙氧基等碳數1～4的烷氧基；三氟甲基等碳數1～4的氟烷基；三氟甲氧基等碳數]～4的氟烷氧基；氰基；硝基；氟原子、氯原子、溴原子等鹵素原子。
作為G1及G2，較佳為以式(g-1)表示之六員環所構成之脂環烴基，更佳為環已烷-1，4-二基，特佳為反環已烷-1，4-二基。
以式(A)表示之基較佳為以式(B)表示之基：
─E1─G1─D1─Ar─D2─G2─E2─(B)
(式中，Ar、D1、D2、G1、及G2表示如上所述之相同的意義，E1及E2分別獨立表示-CR5R6-、-CH2-CH2-、-O-、-S-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-、-C(=S)-O-、-O-C(=S)-、-O-C(=S)-O-、-CO-NR5-、-NR5-CO-、-O-CH2-、-CH2-O-、-S-CH2-、-CH2-S-、或單鍵。R5及R6分別獨立表示氫原子、氟原子、或碳數1～4的烷基。)
更佳為以式(C)表示之基：
(式中，Ar、D1、D2、G1、G2、E1、及E2表示如上所述之相同的意義，B1及B2分別獨立表示-CR5R6-、-CH2-CH2-、-O-、-S-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-、-C(=S)-O-、-O-C(=S)-、-O-C(=S)-O-、-CO-NR5-、-NR5-CO-、-O-CH2-、-CH2-O-、-S-CH2-、-CH2-S-、或單鍵。R5及R6表示如上所述之相同的意義。)
其中，化合物(A)特佳為以式(D)表示之化合物：
(式中，Ar、D1、D2、G1、G2、E1、E2、A1、A2、B1、B2、k、及l表示如上所述之相同的意義。F1及F2分別獨立表示碳數1～12的亞烷基。該亞烷基所包含的氫原子可被取代為碳數1～5的烷基、碳數1～5的烷氧基、或鹵素原子，該亞烷基所包含的-CH2-可被取代為-O-或-CO-。P1及P2分別獨立表示氫原子或聚合性基團(但是，P1及P2之中的至少1個表示聚合性基團)。)
以式(D)所表示之化合物較佳為滿足式(3)及式(4)的化合物。
(Nπ-4)/3＜k+1+4　(3)
12≦Nπ≦22　(4)
較佳為E1及E2分別獨立為-O-、-S-、-CO-O-、或-O-CO-。更佳為E1為＊-CO-O-(＊表示與G1的鍵結部位。)、E2為-O-CO-＊(＊表示與G2的鍵結部位。)。
作為A1及A2中之2價的脂環烴基或芳香族烴基，可列舉上述式(g-1)～式(g-10)所表示之五員環或六員環等所構成之脂環烴基、或以式(a-1)～式(a-8)表示之碳數6～20的2價的芳香族烴基。
此外，作為A1及A2，如上文中例示之基的氫原子的一部分可被取代為甲基、乙基、異丙基、或參級丁基等碳數1～4左右的烷基；甲氧基或乙氧基等碳數1～4左右的烷氧基；三氟甲基；三氟甲氧基；氰基；硝基；氟原子、氯原子、或溴原子等鹵素原子。
作為A1及A2，若為同種類的基，則容易製造化合物(A)，因此較佳為同種類的基。此外，作為A1及A2，較佳為單環的1，4-伸苯基或1，4-伸環己基，且由於容易製造化合物(A)，故特佳為1，4-伸苯基。
B1及B2若為同種類的基，則容易製造化合物(A)，因此較佳為同種類的基。再者，由於更容易製造化合物(A)，故較佳為只與A1鍵結的B1及只與A2鍵結的B2分別獨立為-CH2-CH2-、-CO-O-、-O-CO-、-CO-NH-、-NH-CO-、-O-CH2-、-CH2-O-、或單鍵，而且由於化合物(A)顯示高的液晶性能，故特佳為-CO-O-或-O-CO-。更佳為與F1鍵結的B1及與F2鍵結的B2分別獨立為-O-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-、-CO-NH-、-NH-CO-、或單鍵。
從液晶性能的觀點來看，較佳為k及1分別獨立表示0～3的整數、更佳為k及1為0～2。k及1的合計較佳為5以下、更佳為4以下。
P1及P2分別獨立表示氫原子或聚合性基團(但是，P1及P2之中的至少1個表示聚合性基團)。若P1及P2兩者均為聚合性基團，則有所得的相位差板的硬度優良的傾向。
所謂聚合性基團，係指可使化合物(A)聚合的取代基，具體而言，例如乙烯基、乙烯氧基、P-(2-苯基乙烯基)苯基、丙烯醯基、甲基丙烯醯基、丙烯醯氧基、甲基丙烯醯氧基、羧基、乙醯基、羥基、醯胺基、碳數1～4的烷基胺基、胺基、環氧乙基(oxiranyl)、環氧丙基(oxetanyl)、醛基、異氰酸基、及異硫氰基等。此外，為了使如上例示之基與F1或F2鍵結，在聚合性基團上可包含以B1及B2例示之基。例如，較佳為適用於光聚合之自由基聚合性基團、陽離子聚合性基團，特別是容易處理且容易製造的丙烯醯基、甲基丙烯醯基、丙烯醯氧基、及甲基丙烯醯氧基較佳、丙烯醯氧基更佳。若P1及P2均為聚合性基團，則有所得之相位差板的硬度優良的傾向。
作為＊-D1-G1-E1-(A1-B1)k-F1-P1，＊-D2-G2-E2-(A2-B2)1-F2-P2的具體例子，可列舉以式(R-1)～式(R-134)表示之基。＊表示與Ar的鍵結部位。此外，式(R-1)～式(R-134)中之n表示2～12的整數。
作為化合物(A)，可列舉化合物(i)～化合物(xxxiv)。表中的Ra表示-D1-G1-E1-(A1-B1)k-F1-P1，Rb表示-D2-G2-E2-(A2-B2)1-F2-P2。
此外，在化合物(xxx)及化合物(xxxi)中，以Ra所表示之基及以式Rb所表示之基之中的任一個為(R-57)～(R-120)之任一個。
上表1中，化合物(xvii)表示以下所述之任一個：Ar為以式(ar-78)所表示之基的化合物、Ar為以式(ar-79)所表示之基的化合物、或Ar為以式(ar-78)所表示之基的化合物與以式(ar-79)所表示之基的化合物的混合物。
如上表1中，化合物(xxx)表示以下所述之任一個：Ar為以式(ar-120)所表示之基的化合物、Ar為以式(ar-121)所表示之基的化合物、或Ar為以式(ar-120)所表示之基的化合物與以式(ar-121)所表示之基的化合物的混合物；化合物(xxxi)表示以下所述之任一個：Ar為以式(ar-122)所表示之基的化合物、Ar為以式(ar-123)所表示之基的化合物、或Ar為以式(ar-122)所表示之基的化合物與以式(ar-123)所表示之基的化合物的混合物。
再者，將表1的化合物(i)、化合物(ii)、化合物(iv)、化合物(v)、化合物(vi)、化合物(ix)、化合物(x)、化合物(xi)、化合物(xvi)、化合物(xviii)、化合物(xix)、化合物(xx)、化合物(xxi)、化合物(xxiii)、化合物(xxiv)、化合物(xxv)、化合物(xxvi)、化合物(xxvii)、化合物(xxviii)、及化合物(xxix)的代表性構造式例示如下。在本發明的相位差板中，可以使用不同的複數種類的化合物(A)。
再者，作為化合物(A)，例如以下例示者。但是，式中n1及n2分別獨立表示2～12的整數。
作為化合物(A)，可列舉以式(A1-1)～式(A64-8)表示之化合物。＊表示鍵結部位，例如以式(A1-1)表示之化合物為如下所示之化合物。
以下說明化合物(A)之製造方法。
可以依照化合物(A)的構造，藉由將記載於Methoden der OrganisChen Chemie、OrganiC Reactions、Organic Syntheses、Comprehensive Organic Synthesis、新實驗化學講座等中之已知的有機合成反應(例如，縮合反應、酯化反應、威廉森(Williamson)反應、烏耳曼(Ullmann)反應、維蒂希(Wittig)反應、席夫鹼(SChiff base)生成反應、芐化(benzylation)反應、薗頭反應、鈴木-宮浦反應、根岸反應、熊田反應、檜山反應、布赫瓦爾德-哈特維希(BuChwald-Hartwig)反應、弗瑞德-克來福特(Friedel-Craft)反應、赫克(HeCk)反應、醛醇反應等)適當地組合而製造化合物(A)。
例如，在D1及D2為以＊-O-CO-之式(D)所表示之化合物的情況下，可以藉由以下方法製造：亦即，藉由使以式(1-1)所表示之化合物與以式(1-2)所表示之化合物反應，而得到以式(1-3)所表示之化合物：
HO-Ar-OH　(1-1)
(式中，Ar表示如上所述之相同的意義。)
(式中，G1、E1、A1、B1、F1、P1及k表示如上所述之相同的意義。)
(式中，Ar，G1、E1、A1、B1、F1、P1及k表示如上所述之相同的意義。)
接著，藉由使所得之以式(1-3)所表示之化合物與以式(1-4)所表示之化合物反應而製造：
(式中，G2、E2、A2、B2、F2、P2及1表示如上所述之相同的意義。)。
以式(1-1)所表示之化合物與以式(1-2)所表示之化合物之反應、及以式(1-3)所表示之化合物與以式(1-4)所表示之化合物之反應較佳為在縮合劑的存在下進行。
作為縮合劑，可列舉1-環己基-3-(2-嗎啉基乙基)碳二醯亞胺-對甲苯磺酸鹽(1-CyClohexyl-3-(2-morpholinoethyl)Carbodii mide Metho-p-toluenesulfonate)、二環己基碳二醯亞胺、1-乙基-3-(3-二甲基胺基丙基)碳二醯亞胺、1-乙基-3-(3-二甲基胺基丙基)碳二醯亞胺鹽酸鹽(一部分以水溶性碳二醯亞胺：WSC在市面上販售)、雙(2，6-二異丙基苯基)碳二醯亞胺、雙(三甲基矽基)碳二醯亞胺、雙異丙基碳二醯亞胺等碳二醯亞胺、2-甲基-6-硝基苯甲酸酐、2，2’-羰基雙-1H-咪唑、1，1’-草醯基二咪唑、二苯基磷酸基疊氮化物、1(4-硝苯磺醯基)-1H-1，2，，4-三唑、1H-苯并三唑-1-基-氧基-三吡咯啶基鏻六氟磷酸鹽(1H-benzotriazol-1-yl-oxy-tripyrrolidinophosphonium hexafluoro phosphate)、1H-苯并三唑-1-基-氧基-參(二甲基胺基)鏻六氟磷酸鹽(1H-benzotriazol-1-yl-oxy-tris(dimethylamino)-phosphonium hexafluoro phosphate)、N，N，N’，N’-四甲基-O-(N-琥珀醯亞胺基)脲四氟硼酸鹽(N,N,N',N'-tetramethyl-O-(N-suCCinimidyl) uro nium tetrafluoroborate)、N-(1，2，2，2-四氯乙氧基羰氧基)琥珀醯亞胺、N-苄氧甲醯基琥珀醯亞胺、O-(6-氯苯并三唑-1-基)-N，N，N’，N’-四甲基脲四氟硼酸鹽、O-(6-氯苯并三唑-1-基)-N，N，N’，N’-四甲基脲六氟磷酸鹽、2-溴-1-乙基吡啶四氟硼酸鹽、2-氯-1，3-二甲基咪唑啉氯鹽、2-氯-1，3-二甲基咪唑啉六氟磷酸鹽、2-氯-1-甲基吡啶碘鹽、2-氯-1-甲基吡啶對甲苯磺酸鹽、2-氟-1-甲基吡啶對甲苯磺酸鹽、三氯乙酸五氯苯酯。從反應性、成本、可使用的溶劑等觀點來考慮，作為縮合劑，更佳為二環己基碳二醯亞胺，1-乙基-3-(3-二甲基胺基丙基)碳二醯亞胺、1-乙基-3-(3-二甲基胺基丙基)碳二醯亞胺鹽酸鹽、雙(2，6-二異丙基苯基)碳二醯亞胺、雙(三甲基矽基)碳二醯亞胺、雙異丙基碳二醯亞胺、2，2’-羰基雙-1H-咪唑。
本發明的相位差板較佳為將含有化合物(A)之組成物(以下有時候稱為「組成物(A)」)中之聚合性成分聚合而得之。
組成物(A)可含有液晶化合物(但是，與化合物(A)不同者)。
作為液晶化合物的具體例，可列舉液晶便覧(液晶便覧編集委員會編，丸善股份公司平成12年10月30日發行)的第三章分子構造與液晶性能的3.2非對掌性棒狀液晶分子、3.3對掌性棒狀液晶分子中所記載的化合物之中具有聚合性基團的化合物。
作為液晶化合物，可併用不同的複數化合物。其中，較佳為具有聚合性基團並顯示液晶性能的化合物。
作為液晶化合物，例如，可列舉包含以式(6)表示之基的化合物(以下有時候稱為「化合物(6)」)等。
P11-B11-E11-B12-A11-B13-　(6)
(式(6)中，P11表示聚合性基團。A11表示2價的脂環烴基或2價的芳香族烴基。該2價的脂環烴基及2價的芳香族烴基所包含的氫原子可被取代為鹵素原子、碳數1～6的烷基、碳數1～6烷氧基、氰基、或硝基。該碳數1～6的烷基及該碳數1～6烷氧基所包含的氫原子可被取代為氟原子。
B11表示-O-、-S-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-、-CO-NR16-、-NR16-CO-、-CO-、-CS-、或單鍵。R16表示氫原子或碳數1～6的烷基。
B12及B13分別獨立表示-C≡C-、-CH=CH-、-CH2-CH2-、-O-、-S-、-C(=O)-、-C(=O)-O-、-O-C(=O)-、-O-C(=O)-O-、-CH=N-、-N=CH-、-N=N-、-C(=O)-NR16-、-NR16-C(=O)-、-OCH2-、-OCF2-、-CH2O-、-CF2O-、-CH=CH-C(=O)-O-、-O-C(=O)-CH=CH-、或單鍵。
E11表示碳數1～12的亞烷基，該亞烷基所包含的氫原子可被取代為碳數1～5的烷基或碳數1～5的烷氧基。該烷基及烷氧基所包含的氫原子可被取代為鹵素原子，該亞烷基所包含的-CH2-可被取代為-O-或-CO-。)
作為P11，為了使相位差板硬化，例如也有利用光聚合的情況，故較佳為適用於光聚合之自由基聚合性基團或陽離子聚合性基團，特別是由於容易處理且容易製造，故較佳為以下式(P-1)～(P-5)表示之基。
(式中，R17～R21分別獨立表示碳數1～6的烷基或氫原子。＊表示與B11的鍵結部位。)
P11較佳為以式(P-4)～式(P-10)表示之基，可列舉乙烯基、P-(2-苯基乙烯基)苯基、環氧乙烷基、環氧丁基、異氰酸基、及異硫氰基等。
更佳為P11-B11-為丙烯醯氧基或甲基丙烯醯氧基。
A11的芳香族烴基及脂環烴基的碳數為例如3～18，較佳為5～12，特佳為5或6。作為A11，較佳為1，4-伸環己基或1，4-伸苯基。
作為E11，較佳為未分支為2以上之碳數1～12的亞烷基。該亞烷基所包含的亞甲基可被取代為-O-。
具體而言，可列舉亞甲基、亞乙基、亞丙基、亞丁基、亞戊基(pentylene)、亞已基(hexylene)、亞庚基(heptylene)、亞辛基(octylene)、亞壬基(nonylene)、十氫萘基(deCalene)、十一氫萘基(undeCalene)、十二氫萘基(dodeCalene)、-CH2-CH2-O-CH2-CH2-、-CH2-CH2-O-CH2-CH2-O-CH2-CH2-、及-CH2-CH2-O-CH2-CH2-O-CH2-CH2-O-CH2-CH2-等。
作為化合物(6)，例如可列舉以式(I)、式(II)、式(III)、式(IV)、式(V)、或式(VI)表示之化合物。
P11-B11-E11-B12-A11-B13-A12-B14-A13-B15-A14-B16-E12-B17-P12　(I)
P11-B11-E11-B12-A11-B13-A12-B14-A13-B15-A14-F11(II)
P11-B11-E11-B12-A11-B13-A12-B14-A13-B15-E12-B17-P12　(III)
P11-B11-E11-B12-A11-B13-A12-B14-A13-F11　(IV)
P11-B11-E11-B12-A11-B13-A12-B14-E12-B17-P12(V)
P11-B11-E11-B12-A11-B13-A12-F11　(VI)
(式中，A12～A14與A11同義，B14～B16與B12同義，B17與B11同義，E12與E11同義。
F11表示氫原子、碳數1～13的烷基、碳數1～13的烷氧基、硝醯基、硝基、三氟甲基、二甲基胺基、羥基、羥基甲基、醛基、磺基、羧基、被碳數1～10之醇酯化的羧基、或鹵素原子。該烷基及烷氧基所包含的-CH2-可被取代為-O-。)
作為化合物(6)的具體例，例如可列舉以下式表示之化合物等。其中，式中的k1及k2表示2～12的整數。這些液晶化合物都是由於容易合成或在市面上有販售等而容易入手，故這些液晶化合物較佳。
液晶化合物的含量為，例如，相對於液晶化合物與化合物(A)的合計量100質量份，為90質量份以下。
本發明的相位差板的波長分散特性可以藉由以下兩種含量來決定，亦即，相位差板中之化合物(A)由來的結構單元的含量及液晶化合物由來的結構單元的含量。使相位差板中之化合物(A)由來的結構單元的含量增加的話，則可加顯示逆波長分散特性。
具體而言，製備2～5種類左右的化合物(A)由來的結構單元的含量不同的組成物，針對個別的組成物如下所述般，求算製造相同的膜厚的相位差板而得之相位差板的相位差值，並從其結果求算化合物(A)由來之結構單元的含量與相位差板的相位差值的相關性，可從所得之相關性，來決定在上述膜厚中、給予相位差板所需的相位差值所必要的化合物(A)由來之結構單元的含量。
組成物(A)較佳為含有聚合開始劑。作為聚合開始劑，可列舉熱聚合開始劑、光聚合開始劑等，且由於可在低溫下安定地聚合液晶單體，故較佳為光聚合開始劑。
作為光聚合開始劑，可列舉安息香化合物、二苯基酮化合物、苯乙酮化合物、醯基氧化膦化合物、三氮雜苯化合物、錪鎓鹽、及鋶鹽。
作為安息香化合物，可列舉安息香、安息香甲基醚、安息香乙基醚、安息香異丙基醚、及安息香異丁基醚。作為二苯基酮化合物，可列舉二苯基酮、O-苄醯基苯甲酸甲酯、4-苯基二苯基酮、4-苄醯基-4’-甲基二苯基硫醚、3，3’，4，4’-四(參級丁基過氧羰基)二苯基酮、及2，4，6-三甲基二苯基酮。作為苯乙酮化合物，二乙氧基苯乙酮、2-甲基-2-嗎啉基-1-(4-甲基硫烷基苯基)-1-丙酮、2-芐化-2-二甲基胺基-1-(4-嗎啉基苯基)-1-丁酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基-1-丙酮、1，2-二苯基-2，2-二甲氧基-1-乙酮、2-羥基-2-甲基-1-[4-(2-羥基乙氧基)苯基]1-丙酮、1-羥基環己基苯酮、及2-羥基-2-甲基-1-(4-異丙烯基苯基)-1-丙酮的寡聚物。作為醯基氧化膦化合物，可列舉2，4，6-三甲基苄醯基二苯基氧化膦及雙(2，4，6-三甲基苄醯基)苯基氧化膦。作為三氮雜苯化合物，可列舉2，4-雙(三氯甲基)-6-(4-甲氧基苯基)-1，3，5-三氮雜苯、2，4-雙(三氯甲基)-6-(4-甲氧基萘基)-1，3，5-三氮雜苯、2，4-雙(三氯甲基)-6-(4-甲氧基苯乙烯基)-1，3，5-三氮雜苯、2，4-雙(三氯甲基)-6-[2-(5-甲基呋喃-2-基)乙烯基]-1，3，5-三氮雜苯、2，4-雙(三氯甲基)-6-[2-(呋喃-2-基)乙烯基]-1，3，5-三氮雜苯、2，4-雙(三氯甲基)-6-[2-(4-二乙基胺基-2-甲基苯基)乙烯基]-1，3，5-三氮雜苯、及2，4-雙(三氯甲基)-6-[2-(3，4-二甲氧基苯基)乙烯基]-1，3，5-三氮雜苯。
作為光聚合開始劑，也可以使用IrgaCure 907、IrgaCure 184、IrgaCure 651、IrgaCure 819、IrgaCure 250、IrgaCure 369(以上均為Ciba Japan股份公司製造)、Seikuor BZ、Seikuor Z、Seikuor BEE(以上均為精工化學股份公司製造)、KayaCure BP100(日本化藥股份公司製造)、KayaCure UVI-6992(Dow公司製造)、ADEKA OPTOMER SP-152、ADEKA OPTOMER SP-170(以上均為ADEKA股份公司製造)、TAZ-A、TAZ-PP(以上為日本Siberhegner公司製造)、或TAZ-104(三和化學公司製造)等市售的光聚合開始劑。
光聚合開始劑之中，較佳為苯乙酮化合物。其中，更佳為2-芐化-2-二甲基胺基-1-(4-嗎啉基苯基)-1-丁酮。
使用苯乙酮化合物作為光聚合開始劑的話，則相位差板的耐熱性、耐濕熱性有增高的傾向，故較佳為使用苯乙酮化合物。
此外，聚合開始劑的含量，例如相對於化合物(A)100質量份，為0.1質量份～30質量份，較佳為0.5質量份～10質量份。
組成物(A)可含有有機溶劑、螺旋誘起劑、聚合禁止劑、光增感劑、及調平劑等添加劑。
〈螺旋誘起劑〉
所謂螺旋誘起劑，係指組成物中的化合物(A)或液晶化合物在呈現液晶狀態時，具有誘發螺旋扭轉或增強螺旋扭轉之機能的化合物。但是，其係與上述化合物(A)及上述液晶化合物不同的化合物。作為螺旋誘起劑，可列舉包含不對稱碳原子之化合物、不包含不對稱碳原子之軸性不對稱化合物、或不包含不對稱碳原子之面性不對稱化合物等，例如，可列舉具有異山梨酯骨架之化合物或具有聯萘骨架之化合物。
作為螺旋誘起劑，可列舉下述文獻中所記載的化合物：『液晶裝置手冊』(第3章4-3項，TN、STN用螺旋誘起劑，第199頁，日本學術振興會第142委員會編，1989)、日本專利公開第2007-269640號公報、日本專利公開第2007-269639號公報、日本專利公開第2007-176870號公報、日本專利公開第2003-137887號公報、日本專利公表第2000-515496號公報、日本專利公開第2007-169178號公報、日本專利公表第平9-506088號公報等。
螺旋誘起劑較佳為以下式(7)表示之化合物：
(式中，D3及D4分別獨立表示-O-CO-、-C(=S)-O-、-O-C(=S)-、-CR22R23-、-CR22R23-CR22R23-、-O-CR22R23-、-CR22R23-O-、-CR22R23-O-CR24R25-、-CR22R23-O-CO-、-O-CO-CR22R23-、-CR22R23-O-CO-R24R25-、-CR22R23-CO-O-CR24R25-、-NR22-CR23R24-、-CR22R23-NR24-、-CO-NR22-、或-NR22-CO-。R22、R23、R24及R25分別獨立表示氫原子、氟原子、或碳數1～4的烷基。
G3及G4分別獨立表示2價的脂環烴基或2價的芳香族烴基。該2價的脂環烴基及2價的芳香族烴基所包含的氫原子可被取代為鹵素原子、碳數1～4的烷基、碳數1～4烷氧基、氰基或硝基。該碳數1～4的烷基及該碳數1～4烷氧基所包含的氫原子可被取代為氟原子。
E3、E4、B3及B4分別獨立表示-CR22R23-、-CH2-CH2-、-O-、-S-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-、-C(=S)-O-、-O-C(=S)-、-O-C(=S)-O-、-CO-NR22-、-NR22-CO-、-O-CH2-、-CH2-O-、-S-CH2-、-CH2-S-、或單鍵。
A3及A4分別獨立表示2價的脂環烴基或2價的芳香族烴基。該2價的脂環烴基及2價的芳香族烴基所包含的氫原子可被取代為鹵素原子、碳數1～4的烷基、碳數1～4烷氧基、氰基、或硝基。該碳數1～4的烷基及該碳數1～4烷氧基所包含的氫原子可被取代為氟原子。
k及1分別獨立表示0～3的整數。
F3及F4分別獨立表示單鍵或碳數1～12的亞烷基。
該亞烷基所包含的氫原子可被取代為碳數1～5的烷基、碳數1～5的烷氧基、或鹵素原子，該亞烷基所包含的-CH2-可被取代為-O-或-CO-。
P3及P4分別獨立表示氫原子或聚合性基團。)
以式(7)表示之化合物之中，以下述式表示之化合物係以BASF公司製造之palioColor LC756於市面上販售。
相對於化合物(A)100質量份的螺旋誘起劑的含量為例如0.1～50質量份、較佳為1.0～40質量份、更較佳為1.0～30質量份。
藉由控制組成物(A)中螺旋誘起劑的含量，可以控制本發明之相位差板的選擇反射波長帶域。選擇反射波長帶域可以是紅外光區、可視光區、紫外光區的任一者。例如，本發明的相位差板為積極地利用濾光器等著色之用途的情況下，較佳為在可視光區中有選擇反射波長帶域。此外，在作為負C片的相位差板使用的情況下，較佳為在紫外光區中有選擇反射波長帶域。
從含有螺旋誘起劑之組成物(A)所得之本發明的相位差板可以作為負C片使用。在此情況下，本發明的相位差板較佳為從對掌性向列相來形成。此外，選擇反射波長帶域的中心波長較佳為50～350nm、更佳為100～300nm。選擇反射波長帶域的中心波長λ(nm)可以λ=n‧P表示。在此，n表示組成物的平均屈折率，P表示對掌性向列相的螺旋間距(μm)。可以藉由改變螺旋誘起劑的添加量而控制選擇反射波長帶域的中心波長為λ(nm)。例如若欲將選擇反射波長帶域的中心波長λ(nm)提高，則只要將螺旋誘起劑的添加量減少即可；若欲將選擇反射波長帶域的中心波長λ(nm)降低，則只要將螺旋誘起劑的添加量增加即可。
〈聚合禁止劑〉
作為聚合禁止劑，可列舉具有對苯二酚或烷基醚等取代基的對苯二酚類、具有丁基兒茶酚等之烷基醚等取代基的兒茶酚類、五倍子酚類、2，2，6，6-四甲基-1-六氫吡啶氧基自由基等自由基補足劑、五倍子酚類、β-萘胺類、或β-萘酚類等。
藉由使用聚合禁止劑，可以控制化合物(A)等的聚合，而提高所得之相位差板的安定性。此外，聚合禁止劑的使用量為，例如相對於化合物(A)100質量份，為0.1質量份～30質量份、較佳為0.5質量份～10質量份。
〈光增感劑〉
作為光增感劑，可列舉(xanthone)及9-氧硫(thioxanthone)等類、具有蔥及烷基醚等取代基的蔥類、酚噻(phenothiazine)、或紅螢烯(rubrene)。
藉由使用光增感劑，可以提高化合物(A)等的聚合的敏感度。此外，光增感劑的使用量為相對於化合物(A)100質量份，例如0.1質量份～30質量份、較佳為0.5質量份～10質量份。
〈調平劑〉
作為調平劑，可列舉例如放射線硬化塗料用添加劑(BYK Japan KK製造：BYK-352、BYK-353、BYK-361N)、塗料添加劑(Dow Corning Toray股份公司製造：SH28PA、DC11PA、ST 80PA)、塗料添加劑(信越化學工業股份公司製造：KP321、KP323、X22-161A、KF6001)、或氟系添加劑(DIC股份公司製造：F-445、F-470、F-479)等。
藉由使用調平劑，可以得到更平滑的相位差板。此外，在相位差板的製造過程中，可以控制組成物(A)的流動性、或將化合物(A)等聚合而調整所得之相位差板的架橋密度。此外，調平劑的使用量的具體數值如下，亦即，例如相對於化合物(A)100質量份為0.1質量份～30質量份、較佳為0.5質量份～10質量份。
〈有機溶劑〉
作為有機溶劑，只要是能溶解化合物(A)之有機溶劑、且對聚合反應為非活性的溶劑即可，具體而言，可列舉甲醇、乙醇、乙二醇、異丙醇、丙二醇、甲基賽路蘇(Cellosolve)、丁基賽路蘇、丙二醇單甲基醚、或酚等醇類；乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙二醇甲基醚乙酸酯、γ-丁內酯、丙二醇甲基醚乙酸酯、或乳酸乙酯等酯系溶劑；丙酮、甲基乙基酮、環戊酮、環己酮、甲基戊基酮、或甲基異丁基酮等酮系溶劑；戊烷、己烷、或庚烷等非氯系脂肪族烴溶劑；甲苯或二甲苯等非氯系芳香族烴溶劑、乙腈等硝醯系溶劑；四氫呋喃或二甲氧乙烷等醚系溶劑；氯仿或氯苯等氯系溶劑等。這些有機溶劑可以單獨使用，也可以組合複數種類使用。特別是，由於本發明之組成物的相溶性優異，能溶解於醇、酯系溶劑、酮系溶劑、非氯系脂肪族烴溶劑、及非氯系芳香族烴溶劑等中，故即使不使用氯仿等氯系溶劑，也能溶解並進行塗布。
含有化合物(A)之組成物(A)的黏度為較佳為調整為例如10mPa‧s以下、較佳為0.1～7mPa‧s，以利於塗布。
組成物(A)中之固體成分的濃度為例如5～50質量%。若固體成分的濃度為5質量%以上的話，則相位差板不會變得太薄，而有給予液晶面板的光學補償所必要的雙折射率的傾向。此外，若為50質量%以下的話，則由於組成物(A)的黏度低，故有相位差板的膜厚不易產生不均勻的傾向。所謂固體成分，係指相對於組成物全量、從組成物扣除溶劑之成分的含量。
以下說明本發明之相位差板的製造方法。
〈配向膜形成步驟〉
較佳為將配向膜形成在支持在基材上。
作為支持基材，可列舉玻璃、塑膠片、塑膠膜、及透光性膜。此外，作為上述透光性膜，可列舉聚乙烯、聚丙烯、降烯(norbornene)系聚合物等聚烯烴膜、聚乙烯醇膜、聚對苯二甲酸乙二醇酯膜、聚甲基丙烯酸酯膜、聚丙烯酸酯膜、織維素酯膜、聚萘二甲酸乙二醇酯膜、聚碳酸酯膜、聚碸膜、聚醚碸膜、聚醚酮膜、聚伸苯基硫化物膜、及聚伸苯基氧化物膜。
即使是例如本發明的相位差板的貼合步驟、搬運步驟、保管步驟等需要相位差板之強度的步驟，也可以藉由使用支持基材，而在不造成破裂等情況下容易地處理本發明的相位差板。
配向膜較佳為：在組成物(A)的塗布時，具有不溶解於組成物(A)中的溶劑耐性；在除去溶劑或液晶配向的加熱處理時，具有耐熱性；在摩擦處理時，不因摩擦等而產生剝離等；且較佳為以聚合物或含有聚合物的組成物所構成。
作為上述聚合物，例如可列舉在分子中具有醯胺鍵結的聚醯胺或明膠類、在分子中具有醯亞胺鍵結的聚醯亞胺及其加水分解物的聚醯胺酸、聚乙烯醇、烷基變性聚乙烯醇、聚丙烯醯胺、聚噁唑、聚乙烯亞胺、聚苯乙烯、聚乙烯基氫吡咯酮、聚丙烯酸、或聚丙烯酸酯類等聚合物。這些聚合物可以單獨使用，也可以混合兩種以上、或進行共聚合使用。這些聚合物可以藉由以下反應而容易地得到：藉由脱水或脱胺等的聚縮合、自由基聚合、陰離子聚合、陽離子聚合等連鎖聚合、配位聚合、或開環聚合等。
此外，這些聚合物可以溶解在溶劑而進行塗布。溶劑並不特別制限種類，具體而言，可列舉水、甲醇、乙醇、乙二醇、異丙醇、丙二醇、甲基賽路蘇、丁基賽路蘇、或丙二醇單甲基醚等醇類；乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙二醇甲基醚乙酸酯、γ-丁內酯、丙二醇甲基醚乙酸酯、或乳酸乙酯等酯系溶劑；丙酮、甲基乙基酮、環戊酮、環己酮、甲基戊基酮、或甲基異丁基酮等酮系溶劑；戊烷、己烷、或庚烷等非氯系脂肪族烴溶劑；甲苯或二甲苯等非氯系芳香族烴溶劑、乙腈等硝醯系溶劑；四氫呋喃或二甲氧基乙烷等醚系溶劑；氯仿或氯苯等氯系溶劑等。這些有機溶劑可以單獨使用，也可以組合複數種類使用。
此外，為了形成配向膜，也可以直接使用市售的配向膜材料。作為市售的配向膜材料，可列舉SUNEVER(登錄商標，日產化學工業股份公司製造)或OPTMER(登錄商標，J SR股份公司製造)等。
使用配向膜的話，則由於不必藉由延伸進行屈折率控制，故複屈折的面內不均度變小。因此，可以在支持基材上提供大型相位差板，故也能應對於平板顯示裝置(FPD)的大型化。
作為在上述支持基材上形成配向膜的方法，例如，將市售的配向膜材料或構成配向膜之材料的化合物製成溶液塗布在上述支持基材上，之後，藉由進行退火，可以在上述支持基材上形成配向膜。
溶劑的乾燥可以在進行聚合時同時進行，但是從成膜性的觀點來看，較佳為在聚合前將絕大部分的溶劑乾燥。
作為溶劑的乾燥方法，可列舉例如自然乾燥、通風乾燥、減壓乾燥等方法。作為具體的乾燥溫度，較佳為10～250℃、更佳為25～200℃。此外，作為乾燥時間，較佳為10秒～60分、更佳為30秒～30分。只要乾燥溫度及乾燥時間在上述範圍內，則作為上述支持基材，也可以使用耐熱性不太高的支持基材。
配向膜的膜厚為例如10nm～10000nm、較佳為10nm～1000nm。只要在上述範圍內，則可以使化合物(A)等配向於所需角度上。
〈配向能給予步驟〉
對形成的配向膜給予配向能，使其具有複數個配向方向不同的區域。通常是藉由對配向膜進行摩擦處理、或者是對配向膜進行偏光UV照射，而可以給予配向膜配向能，使化合物(A)等可聚合化合物向所需方向配向。
作為對配向膜進行摩擦處理的方法，可以使用例如將捲繞有摩擦布的旋轉中的摩擦滾輪、與被載置於載台上搬運中的配向膜接觸的方法。
為了藉由摩擦處理在配向膜上形成複數個配向方向不同的區域，首先，不透過遮罩而直接對配向膜施加第1摩擦處理。之後，在配向膜上層積具有預定圖案之遮罩，在與第1摩擦處理的方向不同的方向上施加第2摩擦處理。藉此，以遮罩覆蓋的部分成為具有藉由第1摩擦處理而形成之配向方向的區域，而未以遮罩覆蓋的部分則成為具有藉由第2摩擦處理形成之配向方向的區域。此外，在配向膜上層積具有預定圖案之第1遮罩之後，施加第1摩擦處理，接著，將具有與第1遮罩之覆蓋配向膜的部分與不覆蓋配向膜部分為相反圖案的第2遮罩層積在配向膜上，藉由進行第2摩擦處理，可以形成複數個配向方向不同的區域。再者，第2摩擦處理之後，透過第3遮罩進行第3摩擦處理，可以形成具有配向方向不同的3個區域的配向膜。依此方式，藉由反覆進行摩擦處理，可以形成具有複數個配向方向不同的區域的配向膜。此外，也可以形成具有複雜的配向方向不同的區域圖案的配向膜。
此外，可以如日本專利公開第2004-287406號公報中所記載般，以抗蝕劑遮蓋後進行圖案化；也可以如日本專利公開第2005-49865號公報中所記載般，藉由進行偏光UV照射，而以光配向進行圖案化。
圖1為顯示配向膜形成時使用之遮罩1的概略圖。遮罩1中設有狹縫2。作為遮罩的材料，可列舉不銹鋼、鐵板、鋁板等金屬板、聚甲基丙烯酸甲酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚丙烯、聚乙烯、聚碳酸酯等塑膠板等不會由於摩擦處理而破掉的材料即可。此外，遮罩的膜厚較佳為20μm～5mm、更佳為30μm～1mm。
〈未聚合相位差板製備步驟〉
製備包含組成物(A)等可聚合化合物的組成物。特別是，由於在成膜時容易成膜，故較佳為製備包含有機溶劑的組成物，且由於具有使所得之相位差板硬化的作用，故較佳為製備包含聚合開始劑的組成物。
在配向膜之上塗布組成物並乾燥之，則可得到未聚合相位差板。在未聚合相位差板顯示向列相等液晶相的情況下，所得之相位差板具有來自單一區域(monodomain)配向之複屈折性。相位差板在0～250℃之下、較佳為在10～150℃之下進行配向。
藉由適當調整組成物的塗布量或濃度，可以製備給予所需之相位差的膜厚。化合物(A)等可聚合化合物的量為一定之組成物的情況下，由於所得之相位差板的相位差值(Retardation值；Re(λ))為藉由式(8)所決定，故為了得到所需之Re(λ)，只要調整膜厚d即可。
Re(λ)=d×Δn(λ)　(8)
(式中，Re(λ)表示波長λnm時之相位差值，d表示膜厚，Δn(λ)表示波長λnm時之雙折射率。)
作為在支持基材或配向膜之上塗布的方法，可列舉例如擠出塗布法、直接凹版印刷塗布法、逆凹版印刷塗布法、CAP塗布法、或模塗布法等。此外、可列舉利用液浸塗布機、桿塗布機、或旋轉塗布機等塗布機進行塗布的方法等。
本發明的相位差板滿足式(1)及式(2)：
Δn(450)/Δn(550)≦1.00　(1)
1.00≦Δn(650)/Δn(550)　(2)。
例如，藉由調整組成物(A)中之化合物(A)的含量，則可以調整所得之相位差板的波長分散特性，相位差板中的化合物(A)由來之結構單元的含量愈多，則愈顯示平面的波長分散特性以及逆波長分散特性。
具體而言，製備可以得到包含藉由以下的(a)～(e)所示之操作所決定之、化合物(A)等可聚合化合物由來之結構單元之含量的相位差板的組成物、並使該組成物聚合即可。
(a)製備2～5種類左右之可聚合化合物的含量不同的組成物，
(b)針對製備而得之個別的組成物，製造相同的膜厚、且可聚合化合物由來之結構單元的含量不同的相位差板，
(c)求算在(b)所得之相位差板的相位差值，
(d)基於在(c)所得之相位差值，求算可聚合化合物由來之結構單元的含量與相位差板的相位差值的相關性，
(e)從在(d)所得之相關性，決定上述膜厚中給予相位差板所需相位差值之必要的可聚合化合物由來之結構單元的含量，亦即，組成物中之可聚合化合物的含量。
通常，在波長λ時之相位差值Re(λ)除以550nm時之相位差值Re(550)的值(Re(λ)/Re(550))接近1的波長帶、或[Re(450)/Re(550)]＜1且[Re(650)/Re(550)]＞1之顯示逆波長分散性的波長帶中，可以進行均勻的偏光變換。
〈未聚合相位差板聚合步驟〉
在未聚合相位差板聚合步驟中，使在上述未聚合相位差板製備步驟中得到的未聚合相位差板聚合並使之硬化。藉此，形成使化合物(A)等的配向性固定的相位差板，亦即，聚合相位差板。
使未聚合相位差板聚合的方法只要依照化合物(A)的種類來選擇即可。化合物(A)所包含的聚合性基團為光聚合性基團的話，則藉由光聚合；該聚合性基團為熱聚合性基團的話，則藉由熱聚合，便可以使上述未聚合相位差板聚合。本發明的相位差板特別是較佳為藉由光聚合使未聚合相位差板聚合。只要藉由光聚合便可以在低溫下使未聚合相位差板聚合，因此支持基材的耐熱性的選擇範圍較廣。此外，也容易在工業上製造。此外，從成膜性的觀點來看也是光聚合較佳。光聚合係藉由對未聚合相位差板照射可視光、紫外光、或雷射光而進行。從處理性的觀點來看，特佳為紫外光。可以在化合物(A)為液晶相的溫度下進行加溫而同時進行光照射。此時，也可以藉由遮罩等將聚合相位差板圖案化。
圖2為顯示本發明之相位差板11的概略圖。相位差板11具有區域12及區域13。區域12及區域13為相位延遲軸的方向互相不同的區域。
在本發明的相位差板之製造方法中，在上述步驟之後，也可以包含剝離支持基材的步驟。藉由形成這樣的構造，所得之層積體成為由配向膜與相位差板所構成之相位差板。此外，在上述剝離支持基材之步驟之外，也可以更包含剝離配向膜的步驟。藉由形成這樣的構造，可以得到相位差板。
這樣得到的相位差板具有優異的透明性，而被用作各式各樣的顯示器用相位差板。形成的層的厚度為如上所述般，依照所得之相位差板的相位差值而不同。在本發明中，上述厚度較佳為0.1～10μm，而從使光彈性降低的觀點來看，更佳為0.5～5μm。
以這樣的薄膜而可以在更廣的波長帶中進行偏光變換的相位差板可以適用於液晶面板或有機EL等FPD。
此外，由於本發明的相位差板可以藉由，例如，將組成物(A)塗布在配向膜上、並以紫外線照射使其聚合而形成，故較習用者可以更簡便地在濾光器的背面(亦即，背光側)或前面(亦即，背光的相反側)形成相位差板。
圖3、圖4為顯示依照本發明之半透射型液晶顯示裝置31A及31B的概略圖。半透射型顯示裝置31A及31B係可以藉由反射模式及/或透過模式驅動的顯示器。
半透射型液晶顯示裝置31A之構造為，從背光32側(也稱為背面)按照順序包含：偏光板33、公知的相位差板34、基材35、畫素36、液晶層37、正面透明電極38、濾光器39(但是，濾光器並非絕對必要)、本發明的相位差板40、基材41、與偏光板42。
半透射型液晶顯示裝置31B之構造為，從背光32側(也稱為背面)按照順序包含：偏光板33、公知的相位差板34、基材35、畫素36、液晶層37、正面透明電極38、本發明的相位差板40、濾光器39(但是，濾光器並非絕對必要)、基材41、與偏光板42。
畫素36被分割為第1及第2副畫素，第1副畫素稱為反射副畫素，第2副畫素稱為透過副畫素。第1副畫素兼作為反射部，其包含以鋁等所製造之背面反射電極部36A；第2副畫素具有以例如ITO等製造之透明的背面透明電極部36B。因此，背面反射電極部36A為反射畫素部，而背面透明電極部36B為透過畫素部。
在本發明的相位差板40之與背面反射電極部36A及背面透明電極部36B對應的部分，分別形成相位延遲軸的方向不同的區域。
圖5～圖9為顯示依照本發明之平板顯示裝置的概略圖。
圖5為顯示依照本發明之液晶顯示裝置51的概略圖。液晶顯示裝置51之構造為，從背光52側(也稱為背面)按照順序包含：偏光板53、液晶單元54、偏光板55、與本發明的相位差板56。液晶單元54的前後具備偏光板53及偏光板55，在不與偏光板55的液晶單元54相對的面的一側設置本發明的相位差板56。藉由液晶顯示裝置51可以進行3D顯示。
本發明的相位差板56具有射出右眼用影像的區域56A及射出左眼用影像的區域56B，且區域56A的相位延遲軸的方向與區域56B的相位延遲軸的方向不同。例如，射出右眼用影像的區域56A為射出左圓偏光的區域，而射出左眼用影像的區域56B為射出右圓偏光的區域。區域56A與區域56B的形狀並不限定，但較佳為將區域56A與區域56B形成為條狀。較佳為區域56A的合計面積與區域56B的合計面積為大致相同。較佳為區域56A的相位延遲軸的方向與區域56B的相位延遲軸所形成的角度為略90°。在此，「略90°」係指90°±3°。
藉由使用下述的眼鏡(未圖示)，亦即，將右眼用鏡片及左眼用鏡片分別設置成偏光板及與區域56A之相位延遲軸方向相同的相位差板所構成之圓偏光板、以及偏光板及與區域56B之相位延遲軸方向相同的相位差板所構成之圓偏光板，則可以觀察3D影像。
圖6為顯示依照本發明之液晶顯示裝置以外的平板顯示裝置61的概略圖。作為液晶顯示裝置以外的平板顯示裝置61，可列舉有機EL顯示裝置、電漿顯示裝置、場發射顯示器(FED)、表面傳導電子發射顯示器(SED)方式平面型顯示器、電子紙等。由於這些顯示裝置的射出光並非偏光，故藉由在習用的平板顯示裝置62之正面的射出側上設置偏光板63，並在偏光板63的與習用的平板顯示裝置62相反的一側設置本發明的相位差板64，則可以進行3D顯示。
圖7～圖9為顯示依照本發明之液晶顯示裝置71A～71C的概略圖。雖然液晶顯示裝置71A～71C也可以是在液晶單元的外側配置偏光板的構造，但是藉由在單元內配置偏光板及本發明的相位差板，則可以減輕3D顯示的串音。所謂串音，係指由於右眼用影像與左眼用影像的混色，而造成所觀察的影像變得不鮮明的現象。
圖7為顯示依照本發明之液晶顯示裝置7]A的概略圖。液晶顯示裝置71A之構造為，從背光72側(也稱為背面)按照順序包含：偏光板73、公知的相位差板74、基材75、背面電極76、液晶層77、正面透明電極78、濾光器79(但是，濾光器並非絕對必要)、偏光板82、本發明的相位差板80、與基材81。
圖8為顯示依照本發明之液晶顯示裝置71B的概略圖。液晶顯示裝置71B之構造為，從背光72側(也稱為背面)按照順序包含：偏光板73、公知的相位差板74、基材75、背面電極76、液晶層77、正面透明電極78、偏光板82、本發明的相位差板80、濾光器79(但是、濾光器並非絕對必要)、與基材81。
圖9為顯示依照本發明之液晶顯示裝置71C的概略圖。液晶顯示裝置71C之構造為，從背光72側(也稱為背面)按照順序包含：偏光板73、公知的相位差板74、基材75、背面電極76、液晶層77、正面透明電極78、偏光板82、濾光器79(但是、濾光器並非絕對必要)、本發明的相位差板80、基材81。
〈實施例〉
以下，藉由實施例更詳細地說明本發明，然而本發明並不限定於這些實施例。例中的「%」及「部」除非有特別記載，係指質量%及質量份。
〈參考例1〉
依照日本專利公開第2004-262884號公報中記載的方法，使對苯二酚與二氫吡喃反應，得到化合物a。
將所得的化合物a50.1g、碳酸鉀97.1g、6-溴己醇46.7g、及N，N-二甲基乙醯胺177g混合。在氮氣環境下，使所得的混合物在90℃下反應之後，再於100℃下反應。使所得的反應混合物冷卻至室溫。在反應混合物中添加純水及甲基異丁基酮，並在攪拌之後，將其分液為有機層與水層。所得的有機層以氫氧化鈉水溶液洗淨後，再以純水洗淨。使洗淨後的有機層脱水之後，進行減壓濃縮。在所得的殘渣中添加甲醇，藉由過濾將析出之沈澱物取出。對取出之沈澱物進行真空乾燥，得到化合物b47g。產率：62%(6-溴己醇基準)。
將化合物b126g、3，5-二-參級丁基-4-羥基甲苯1.40g、二甲基苯胺116.7g、及1，3-二甲基-2-咪唑啶酮1.00g溶解於氯仿600g中。將所得的溶液於冰水中冷卻，並在氮氣環境下滴入丙烯醯氯58.1g，使其在室溫下反應。在所得的反應混合物中添加純水並攪拌。將有機層與水層分離，並將所得的有機層以鹽酸水、飽和碳酸鈉水溶液、以及純水洗淨。使洗淨後的有機層乾燥之後，添加3，5-二-參級丁基-4-羥基甲苯1g，並進行減壓濃縮，而得到化合物c。
將化合物c與四氫呋喃200mL混合之後，再添加四氫呋喃200mL。在所得的溶液中添加鹽酸之後，在氮氣環境下，使其於60℃下反應。在所得的反應混合物中添加飽和食鹽水500mL並攪拌，將其分液成有機層與水層。將所得的有機層脱水之後，添加己烷，於冰水中冷卻並攪拌。藉由過濾取出析出之固體。對取出之固體進行真空乾燥，而得到化合物d90g。產率：79%(化合物c基準)。
將反式-1，4-環已二甲酸200g及N，N-二甲基乙醯胺1000mL混合。在氮氣環境下，一邊攪拌所得的混合物一邊將溫度昇溫至80℃。在所得的溶液中添加碳酸鉀96.3g之後，再添加芐化氯139.7g，將所得的溶液在120℃下攪拌6小時，使其進行反應。將反應溶液放置至冷卻到室溫之後，將其注入到冰1500g中並攪拌。藉由過濾取出所得的結晶。取出的結晶以水/甲醇3：2(v/v)洗淨，接著以水洗淨。將結晶真空乾燥，而得到包含化合物(f)的粉末251g。
將所得之包含化合物(f)的粉末251g與氯仿600mL混合。將所得的溶液於冰水中冷卻，在氮氣環境下，滴入乙氧基氯甲烷93.5g及三乙基胺146.8g。將反應溶液在室溫、氮氣環境下攪拌3小時使其反應。在反應溶液中添加甲苯600mL，並藉由過濾除去析出之三乙基胺鹽酸鹽。將所得的濾液以水洗淨之後，以無水硫酸鈉使其乾燥。藉由過濾除去硫酸鈉之後，從所得的濾液除去溶劑。對所得的粗生成物進行真空乾燥，而得到包含化合物(g)的液體242g。
將所得之包含化合物(g)的液體242g及四氫呋喃250mL混合。在氮氣環境下，在所得的溶液中添加10%鈀-碳(含水量50%)10.0g。減壓後，進行氫氣取代，在室溫、常壓、氫氣環境下將所得的溶液攪拌6小時使其反應。在氮氣取代之後，將所得的溶液過濾，以除去觸媒及溶劑。將殘渣溶解於氯仿中。對所得的溶液進行矽膠過濾。藉由氯仿將矽膠上的不溶物從矽膠再抽出。將所得的氯仿溶液減壓濃縮，並添加庚烷使其結晶化。藉由將所得的結晶過濾並進行真空乾燥，而得到化合物(h)106g。產率為在化合物反式-1，4-環已二甲酸基準下為39%。
將化合物d56.8g、N，N-二甲基胺基吡啶2.65g、反式-1，4-環已二甲酸單乙氧基甲酯50g、及氯仿300mL混合。在氮氣環境下，將所得的混合液於冰水中冷卻並攪拌，並滴入由二環己基碳二醯亞胺48.79g及氯仿50mL所構成之溶液。滴入完成後，在室溫下攪拌所得的反應溶液、添加氯仿200mL及庚烷200mL，並將沈澱過濾。將濾液回收，以2N-鹽酸水溶液洗淨。將分離的有機層回收，藉由過濾除去不溶成分之後，添加無水硫酸鈉，在過濾後，除去溶劑並將所得的固體進行真空乾燥，而得到化合物e’100g。
將化合物e’100g、純水3.64g、對甲苯碸酸一水和物3.84g、及四氫呋喃200mL混合。在氮氣環境下，將所得的混合液加溫至50℃並攪拌之。將混合液放置至冷卻到室溫之後，減壓除去四氫呋喃，並在殘渣中添加庚烷200mL。將析出之沈澱過濾取出，以純水洗淨後，進行真空乾燥。將所得的粉末溶解於氯仿之中，使其通過矽膠後進行過濾。將濾液回收並溶解於氯仿400mL中，將所得的溶液濃縮，並添加甲苯。將溶液減壓濃縮之後，添加庚烷使其結晶化，過濾取出所得的粉末，並進行真空乾燥，而得到化合物e64.1g。產率為以化合物d為基準的76%。
＜化合物(A11-1)的合成例＞
〈4，6-二甲基苯并呋喃的合成例〉
將3，5-二甲基酚25g溶解於N，N’-二甲基乙醯胺150.0g中。藉由冰浴將溶液冷卻之後，添加氫氧化鈉9.82g。在室溫下攪拌1小時，並滴入氯乙醛二甲基縮醛25.49g。在100℃下攪拌15小時，將反應液添加於水1000mL、甲基異丁基酮400mL中進行分液。將有機層回收，以500mL的1N-氫氧化鈉水溶液洗淨有機層2次，再以800mL的純水洗淨2次。將有機層回收後，以無水硫酸鈉脱水，於蒸餾器中減壓濃縮而得到淡紅色黏稠液體。另一方面，將400g的甲苯與磷酸3.01g混合並加熱到110℃。在該溶液中滴入淡紅色黏稠液體溶解於甲苯100mL的溶液。在110℃下攪拌3小時之後，冷卻至室溫。以1N-碳酸氫鈉水溶液洗淨反應液2次，最後以純水500mL洗淨。將有機層回收，並以無水硫酸鈉脱水後，於蒸餾器中減壓濃縮並真空乾燥，而得到4，6-二甲基苯并呋喃16.5g之淡紅色黏稠液體。產率為以3，5-二甲基酚為基準的55%。
〈2-醛基-4，6-二甲基苯并呋喃的合成例〉
將4，6-二甲基苯并呋喃21.62g溶解於N，N’-二甲基甲醯胺28.4g中。藉由水浴將溶液冷卻之後，滴入氧氯化磷25g。在室溫下攪拌粉紅色溶液1小時之後，在100℃下攪拌10小時。將反應液放置至冷卻到室溫，添加純水100mL並攪拌一小時後，以1N碳酸氫鈉中和。將PH調整到8之後，與甲苯進行分液。將有機層回收，添加活性碳2.6g並過濾。於蒸餾器中減壓濃縮，將殘渣溶解於氯仿中，並在庚烷中使其結晶化。過濾取出結晶，並進行真空乾燥，而得到2-醛基-4，6-二甲基苯并呋喃19.5g之淡黃色粉末。產率為以4，6-二甲基苯并呋喃為基準的76%。
〈4，6-二甲基苯并呋喃-2-羧酸的合成例　其一〉
將2-醛基-4，6-二甲基苯并呋喃19.50g、醯胺硫酸13.04g與100mL純水混合。藉由冰浴冷卻之，並滴入亜氯酸鈉12.15g的水100mL溶液。以水浴使其反應36小時。在反應溶液中添加甲苯100mL、氫氧化鉀25g，並將PH調整為12。將之分液，並將水層回收，再以200mL甲苯洗淨水層。將水層回收，以2N-鹽酸將PH調整為2之後，添加甲苯400mL並進行分液。將有機層回收，並以無水硫酸鈉脱水後，於蒸餾器中減壓濃縮，並進行真空乾燥，而得到4，6-二甲基苯并呋喃-2-羧酸14.27g的黃色粉末。產率為以2-醛基-4，6-二甲基苯并呋喃為基準的67%。
〈4，6-二甲基苯并呋喃-2-羧酸的合成例　其二〉
將3，5-二甲基酚150g、對甲醛230.1g、無水氯化鎂175.4g分散於乙腈900mL中。以冰浴攪拌30分之後，花費二小時將三乙基胺474g滴入其中。使混合物在水浴下反應8小時、室溫下反應14小時。在反應液中添加冷5N-鹽酸1500mL，使其呈酸性之後，以400mL乙酸乙酯進行分液，將有機層回收。再將水層以400mL乙酸乙酯進行分液。將有機層回收，並與先前的有機層一起收集起來，以無水硫酸鈉脱水後，於蒸餾器中減壓濃縮。將殘渣溶解於400mL甲苯中，添加活性碳3g、矽膠20g，在室溫下攪拌30分後進行過濾。藉由將濾液回收、於蒸餾器中減壓濃縮、及真空乾燥，而得到4，6-二甲基柳醛170g之橙色黏稠液體。產率為以3，5-二甲基酚為基準的92%。
將4，6-二甲基柳醛45.0g、碳酸鉀101.g分散於N，N’-二甲基乙醯胺360mL中。加溫至80℃之後，花費1小時將溴乙酸乙酯50.0g滴入其中。使混合物在80℃下反應4小時。將反應液冷卻至室溫之後，添加甲基異丁基酮400mL，以冷1N-鹽酸1000mL使其呈酸性之後，進行分液。以1000mL純水洗淨有機層3次，並將有機層回收。以無水硫酸鈉脱水後，於蒸餾器中將溶劑蒸餾除去。在殘渣中添加氫氧化鉀40g、乙醇400mL，在80℃下攪拌1小時。放置到冷卻至室溫之後，於蒸餾器中將溶劑蒸餾除去，並添加純水1000mL。在確認pH為12以上之後，將水層以甲苯洗淨二次，以庚烷洗淨一次。將水層回收，以4N-硫酸中和，而將pH調整為3。將析出之黃色沈澱過濾取出，以純水懸洗後，藉由真空乾燥，而得到4，6-二甲基苯并呋喃-2-羧酸48.1g之黃色粉末。產率為以4，6-二甲基柳醛為基準的83%。
〈化合物(11-a)的合成例〉
將2，5-二甲氧基苯胺11.49g、4，6-二甲基苯并呋喃-2-羧酸14.27g、三乙基胺7.59g、N，N’-二甲基胺基吡啶1.83g、及脱水N，N’-二甲基乙醯胺100.0g混合。在冰浴下將所得的溶液冷卻之後，添加BOP試藥34.85g，在室溫下使其反應24小時。在所得的混合物中添加水與甲醇的混合溶液(水：甲醇體積比2：1)以進行晶析。將所得的沈澱過濾取出，並以水與甲醇的混合溶液(水：甲醇體積比3：2)洗淨，進行真空乾燥，而得到化合物(11-a)16.2g的淡黃色粉末。產率為以2，5-二甲氧基苯胺為基準的66%。
〈化合物(11-b)的合成例〉
將化合物(11-a)16.0g、2，4-雙(4-甲氧基苯基)-1，3-二硫雜-2，4-二(phosphetane)-2，4-二硫化物(勞森試劑)9.2g、及甲苯100g混合，將所得的混合物昇溫至80℃，使其反應12小時。在冷卻後將其濃縮，而得到紅色黏稠固體，該紅色黏稠固體係以化合物(11-b)與勞森試劑的分解物為主成分。
〈化合物(11-c)的合成例〉
將在前一項目所得到的包含化合物(11-b)的混合物、氫氧化鈉11.8g、及水250g混合，使所得的混合物於冰水冷卻之下進行反應。接著，於冰水冷卻之下添加包含鐵氰化鉀44.17g的水溶液，使其進行反應。在60℃下反應12小時，將析出之黃色沈澱過濾取出。過濾取出的沈澱以水洗淨，接著以己烷洗淨，並以甲苯使其結晶化。將所得的黃色沈澱真空乾燥，而得到以化合物(11-c)為主成分之黃土色固體4.1g。產率為以化合物(11-a)為基準的25%。
〈化合物(11-d)的合成例〉
將化合物(11-c)4.0g及氯化吡啶40.0g混合，昇溫至180℃，使其反應3小時。將所得的混合物添加於冰中，將所得的沈澱過濾取出。以水懸洗後，以甲苯洗淨，並進行真空乾燥，而得到以化合物(11-d)為主成分之黃土色固體3.4g。產率為以化合物(11-c)為基準的93%。
〈化合物(A11-1)的合成例〉
將化合物(11-d)3.00g、化合物(e)8.47g、N，N-二甲基胺基吡啶0.12g、及氯仿40mL混合。於冰水冷卻下，在所得的混合物中添加N，N’-二異丙基碳二醯亞胺2.92g。使所得的反應溶液在室溫下反應一整夜，在以矽膠過濾之後，進行減壓濃縮。在殘渣中添加甲醇以使其結晶化。將結晶過濾取出，將其再溶解於氯仿中，添加0.3g活性碳，在室溫下攪拌一小時。將溶液過濾，將濾液於蒸餾器中減壓濃縮至1/3之後，一邊攪拌一邊添加甲醇，將生成的白色沈澱過濾取出，以庚烷洗淨，並進行真空乾燥，而得到化合物(A11-1)7.60g的白色粉末。產率為以化合物(11-d)為基準的71%。
化合物(A11-1)的1H-NMR(CDCL3)：δ(PPm)1.45～1.85(m，24H)、2.36～2.87(m，18H)、3.93～3.97(t，4H)、4.15～4.20(t，4H)、5.79～5.84(dd，2H)、6.07～6.17(m，2H)、6.37～6.45(m，2H)、6.87～7.01(m，9H)、7.20(s，1H)、7.23(s，2H)、7.53(s，1H)
藉由偏光顯微鏡的組織觀察而確認了所得的化合物(A11-1)的相轉移溫度。化合物(A11-1)在昇溫時，從105℃到137℃為止顯示了黏性高的中間相。雖然難以判別液晶相，但是在137℃以上呈現了明確的向列型液晶相。向列型液晶相在180℃以上仍然存在，而在降溫時，到61℃為止呈現了向列液晶相而結晶化。
〈化合物(x-a)的製造例〉
以下述方法合成了化合物(x-a)。以與J. Chem. SoC.,Perkin Trans.1雜誌，205-210頁(2000年)中所記載的方法同等的方法合成。亦即，上文中記載之合成法中，除了將苄醯基氯變更為2-噻吩羰基氯以外，其餘都是相同的方法進行了合成。
接著，將化合物(x-a)與化合物(x-d)20.0g及氯化吡啶100.0g(5倍質量)混合，將所得的混合液昇溫到220℃並攪拌。將混合液冷卻後，添加水，將所得的沈澱過濾，並以水及庚烷洗淨，而得到以化合物(x-a)為主成分的固體17.4g。產率為以化合物(x-d)為基準的97%。
〈化合物(x-1)的合成例〉
以與化合物(A11-1)的合成例相同的方法，即除了將化合物(11-d)變更為化合物(x-a)以外均為同樣的方法，得到化合物(x-1)。產率為以化合物(x-a)為基準的84%。
化合物(x-1)的1H-NMR(CDCl3)：δ(PPm)1.43～1.83(m，24H)、2.29～2.82(m，12H)、3.92～3.97(t，4H)、4.15～4.20(t，4H)、5.80～5.84(dd，2H)、6.07～6.18(m，2H)、6.37～6.44(m，2H)、6.86～7.02(m，8H)、7.12(dt，1H)、7.18(S，2H)、7.51(dd，1H)、7.63(dd，1H)
藉由偏光顯微鏡的組織觀察確認了所得的化合物(x-1)的相轉移溫度。化合物(x-1)在昇溫時，從101℃到106℃為止呈現了層列液晶相、從106℃到180℃以上為止呈現了向列液晶相；而在降溫時，到81℃為止呈現了向列液晶相而結晶化。
〈相位差板的製造例〉 實施例1
在玻璃基板上塗布聚乙烯醇(聚乙烯醇1000完全皂化型，和光純藥工業股份公司製造)的2質量%水溶液，乾燥之後，形成了厚度89nm的膜。接著，在所得的膜的表面上進行了第1摩擦處理。第1摩擦處理係使用半自動摩擦裝置(商品名：LQ-008型，常陽工學股份公司製造)，藉由布(商品名：YA-20-RW，吉川化工股份公司製造)以下述條件進行：壓入量0.15mm、旋轉數500rpm、16.7mm/s。在進行了第1摩擦處理的面上，放置不銹鋼製、刻有280微米之線寬之圖案的如圖1所示之遮罩，從相對於第1摩擦處理的方向為90°的方向，進行了第2摩擦處理。第2摩擦處理係使用半自動摩擦裝置(商品名：LQ-008型，常陽工學股份公司製造)，藉由布(商品名：YA-20-RW，吉川化工股份公司製造)以下述條件進行：壓入量0.10mm、旋轉數500rpm、16.7mm/s。在拿掉遮罩之後，在進行了摩擦處理的面上，藉由旋轉塗布法塗布如表2之組成的組成物，加熱到140℃，而得到單一區域的未聚合相位差板。之後，在冷卻到90℃的狀態下照射紫外線。藉此，在玻璃基板上製作了相位差板。相位差板的概略圖如圖2所示。
實施例2
除了將第2摩擦處理的條件變更為壓入量0.10mm、旋轉數500rpm、8.35mm/s以外，其餘均與實施例1相同的條件，在玻璃基板上製作了相位差板。
表2顯示構成組成物之各成分與相對於組成物全體的各成分的含有率(重量%)。
聚合開始劑：IrgaCure 819(Ciba SpeCialty ChemiCals股份公司製造)
調平劑：BYK361N(BYK Japan KK製造)
＜光學特性的測量＞
相位差值(nm)與配向角的測量係在不將製作在玻璃基板上的相位差板剝離的條件下，藉由測量機(KOBRA-WR，王子測量機器公司製造)進行測量。作為基材使用的玻璃基板幾乎不具有複屈折性，故就算不剝離而進行測量，也可以得到製作在玻璃基板上之相位差板的相位差值。相位差的測量結果發現，如圖2所示之區域12與區域13為相位延遲軸的方向不同的區域，且區域12的相位延遲軸與區域13的相位延遲軸所形成的角度為略90°。此外，將波長451nm、549nm、及628nm下的相位差值顯示於表3中。此外，從該相位差值的值，算出[Re(451)/Re(549)](稱為α)及[Re(628)/Re(549)](稱為β)。
＜膜厚與線寬的測量＞
藉由OLYMPUS公司製造之雷射顯微鏡(LEX T 3000)進行了膜厚(nm)與線寬(μm)的測量。線寬係在未將製作於玻璃基板上之相位差板剝離的條件之下，以測量機進行了測量。膜厚係在從基材將相位差板的一部分剝離的條件之下，藉由進行段差測量而進行了測量。
實施例3～5及比較例1～3 ＜相位差板的製造例＞
在玻璃基板(EAGLE2000，平岡特殊硝子股份公司製造)上以與實施例1同樣的方法塗布配向膜，並進行了第1摩擦處理。
在進行了第1摩擦處理的面上，除了使用圖10中所示之具有寬度25mm之空隙部4的鋁製箔板(板厚：11μm)代替不銹鋼製、刻有280微米之線寬之圖案的如圖1所示之遮罩、以及將壓入量0.10mm改為0.20mm以外，以與實施例1同樣的方法，進行了第2摩擦處理。在拿掉上述箔板之後，在進行了摩擦處理的面上，藉由旋轉塗布法塗布如表5中所記載之組成物，加熱到表6中記載的溫度，而得到單一區域的未聚合相位差板。之後，在表6中記載的溫度下照射紫外線，其中紫外線為如表6中所記載的累積光量。藉此，在玻璃基板上，製作了相位差板。相位差板的概略圖如圖11所示。
表5顯示構成組成物1～4之各成分對相對於組成物全體之各成分的含有率(質量%)。
液晶化合物b：Poliocolor LC242(BASF公司製造)(以下式表示之化合物)
聚合開始劑：
＊1)：IrgaCure 369(Ciba Japan股份公司製造)(苯乙酮化合物)
＊2)：IrgaCure 907(Ciba Japan股份公司製造)(苯乙酮化合物)調平劑：BYK361N(BYK Japan KK製造)
＜光學特性的測量＞
對製作了的相位差板，以與實施例1同樣的方法，進行了相位差值(nm)與配向角的測量。相位差值的測量的結果顯示：圖11所示之區域15與區域16係相位延遲軸的方向不同的區域，且區域15的相位延遲軸與區域16的相位延遲軸所形成的角度為略90°。此外，將波長451nm、549nm、及628nm下的相位差值表示於表7中。此外，從該相位差值的值，算出[Re(451)/Re(549)](稱為α)及[Re(628)/Re(549)](稱為β)。
＜圓偏光板的製作＞
在玻璃基板(EAGLE2000，平岡特殊硝子製作股份公司製造)上，塗布聚乙烯醇(聚乙烯醇1000完全皂化型，和光純藥工業股份公司製造)的2質量%水溶液，在乾燥之後，形成厚度89nm的膜。接著，在所得的膜的表面上進行摩擦處理。摩擦處理係使用半自動摩擦裝置(商品名：LQ-008型，常陽工學股份公司製造)，藉由布(商品名：YA-20-RW，吉川化工股份公司製造)在下述條件下進行：壓入量0.15mm、旋轉數500rpm、16.7mm/s。接著，藉由旋轉塗布法，將表5中記載的組成物塗布在進行了摩擦處理的面上，在表6中記載的溫度下加熱，而得到單一區域的塗膜，使其硬化後的膜厚成為表6中記載的膜厚。之後，保持在表6中記載的溫度下照射紫外線(SP-7，USHIO電機股份公司製造)，其曝光量如表6所記載。藉此，在玻璃基板上得到相位差板92。將該相位差板92與偏光板93(聚乙烯醇層：KURARAY R POVAL膜，片TAC品，住友化學製造)貼合，使其相位延遲軸與吸收軸向右或左方向構成45度的角度，而製作了圓偏光板94。
＜評估顏色再現性的裝置＞
在簡易暗室組件(零件編號：DRU-1515，SIGMA KOKI製造)中設置液晶面板(型號：N220W，HYUNDAI製造)，將本發明的相位差板14貼合在液晶面板的畫面的一部分上，使相位差板14上之組成物層的面面向液晶面板之一側。
液晶面板的畫面之中，與相位差板14貼合的部分以外，以黑色繪圖紙遮光。此外，配置分光放射計(型號：SR-3A，TOPCON股份公司製造)，使分光放射計的鏡筒前端位於從相位差板14的面在垂直方向上距離35cm的位置上，在該前端部分裝設圓偏光板94。此外，液晶面板內的偏光板91、相位差板14、及圓偏光板94係設置為如圖12及圖13所示之面向。上述圓偏光板94係使用從下述組成物所得的圓偏光板，亦即，與在製作裝設於液晶面板之相位差板14時使用的組成物相同的組成物。
液晶面板內的偏光板91的吸收軸91A與相位差板14的區域15的相位延遲軸15A所形成的角度為略45°，且該吸收軸91A與相位差板14的區域16的相位延遲軸16A所形成的角度也為略45°。液晶面板內的偏光板91的吸收軸91A與圓偏光板94的偏光板93的吸收軸93A所形成的角度為略90°，而相位差板14的區域16的相位延遲軸16A與圓偏光板94的相位差板92的相位延遲軸為略平行。
透過RS-232C纜線將分光放射計與個人電腦連接，並使用電腦內的色度測量軟體(CS-900，TOPCON TECHNOHOUSE股份公司製造)將分光放射計的測量結果輸出。
＜相位延遲軸的方向的觀察＞
在上述裝置中，在液晶面板的全畫面上顯示白色(Y=71.93cd‧m-2，x=0.301，y=0.283)，從分光放射計之側觀察了液晶面板。無論是實施例3或4的相位差板，均對應於相位差板中的區域15觀察到黑色，對應於區域16觀察到白色。
若是裝設在液晶面板的相位差板14的相位延遲軸與圓偏光板94所具有的相位差板92的相位延遲軸為平行的話，則觀察到白色；而若是裝設於液晶面板的相位差板14的相位延遲軸與圓偏光板94所具有的相位差板92的相位延遲軸為垂直的話，則觀察到黑色。
＜顏色再現性評估＞
在上述裝置中，測量通過區域16並入射至分光放射計的光的分光分布。將在不配置上述相位差板及圓偏光板的狀態下的分光分布作為基準的放射強度(100%)的情況下的各波長中的放射強度比算出。放射強度比愈高，則液晶面板射出的光的損失愈少，可以說是對於液晶面板所顯示之影像的顏色再現性愈高。將結果顯示於表8中。
實施例5及比較例3 ＜測量輝度的裝置＞
與評估顏色再現性的裝置同樣地，在液晶面板上貼合相位差板14。
配置色彩輝度計(型號：BM-5A，光源：F-10，TOPCON股份公司製造)，使色彩輝度計的鏡筒前端位於從上述相位差板14的面在垂直方向上距離60cm的位置上，在該前端部分裝設圓偏光板94，使圓偏光板94中的偏光板92之側面向色彩輝度計之側。上述圓偏光板94係使用從下述組成物所得的圓偏光板，亦即，與在製作裝設於液晶面板之相位差板14時使用的組成物相同的組成物。
透過RS-232C纜線將色彩輝度計與個人電腦連接，並使用電腦內的應用軟體(HarveyScope,Harver Lab.製造)將色彩輝度計的測量結果輸出。
＜輝度的測量方法＞
在上述液晶顯示裝置的全畫面上顯示白色(Y=71.9，x=0.301，y=0.283)。
將圓偏光板94以10度為刻度旋轉±40度，使用上述色彩輝度計測量輝度Y。圓偏光板94的旋轉方向，從色彩輝度計往液晶面板見過去，以反時針方向為正。將區域15之輝度Yb(單位：cd/m2)顯示於表9中。輝度Yb愈低，可以判断其顯示愈鮮明的黑色。
此外，測量區域15之輝度Yb與區域16之輝度Yw(單位：cd/m2)，算出將輝度Yw除以輝度Yb的值(Yw/Yb)。Yw/Yb愈大，則可以判断將在區域15觀察到的影像與在區域16觀察到的影像分離得愈鮮明，在使用於3D顯示裝置之時，可以降低串音。輝度Yb及Yw係基於CIE 1931色度座標。
在評估顏色再現性的裝置中，依照圖14及圖15中所示之面向，設置了偏光板91、相位差板14、及圓偏光板96，以與上述同樣的方法進行了相位延遲軸的方向的觀察。
液晶面板內的偏光板91的吸收軸91A與相位差板14的區域15的相位延遲軸15A所形成的角度為略45°，且該吸收軸91A與相位差板14的區域16的相位延遲軸16A與所形成的角度也為略45°。液晶面板內的偏光板91的吸收軸91A與圓偏光板96的偏光板93的吸收軸93A所形成的角度為略90°，且相位差板14的區域16的相位延遲軸16A與圓偏光板96的相位差板95的相位延遲軸95A所形成的角度為略90°。
結果，對應於相位差板14中的區域15觀察到白色，對應於區域16觀察到黑色。接著，以與上述同樣的方法實行輝度的測量方法，測量區域15中之輝度Yw’(單位：cd/m2)與區域16中之輝度Yb’(單位：cd/m2)，並算出將輝度Yw’除以輝度Yb’的值(Yw’/Yb’)。將結果顯示於表10中。輝度Yb’及Yw’係基於CIE 1931色度座標。
從實施例1及2的相位差板之實測值的[Re(451)/Re(549)]為1以下、且區域12與13的膜厚近乎相等來看，表示[Δn(450)/Δn(550)]的值為1以下。此外，從實測值的[Re(628)/Re(549)]為1以上、且區域12與13的膜厚近乎相等來看，表示[Δn(650)/Δn(550)]的值為1以上。亦即，本發明的相位差板由於顯示逆波長分散性，故若是利用於液晶面板的話，則具有優異的光學補償的特性。
實施例3及4的相位差板在廣範圍的波長顯示高的放射強度比，表示從顯示裝置射出的光即使通過裝設於液晶面板的相位差板也不易衰減，其顏色再現性高。亦即，由於本發明的相位差板具有複數個相位延遲軸的方向不同的區域，且其可以在廣的波長帶中進行均勻的偏光變換，故特別適用於3D顯示裝置中。
在實施例5的相位差板中，由於Yw/Yb大，故在使用於3D顯示裝置之時，可以期待串音的降低。此外，由於即使變更角度，Yw/Yb的變化也小，故表示其角度依存性也小。
產業上利用的可能性
本發明的相位差板具有複數個相位延遲軸的方向不同的區域，且其可以在廣的波長帶中進行均勻的偏光變換。此外，藉由本發明的相位差板，可以製造可以顯示優良之影像的半透射型液晶顯示裝置及3D顯示裝置。
1、3．．．摩擦遮罩基材
2、4．．．摩擦遮罩空隙部
11、14、40、56、64、80、100．．．本發明的相位差板
13、15．．．第1摩擦處理區域
12、16．．．第2摩擦處理區域
15A．．．區域15的相位延遲軸
16A．．．區域16的相位延遲軸
31A、31B．．．半透射型液晶顯示裝置
32、52、72．．．背光
33、42、53、55、63、73、82、93．．．偏光板
34、74．．．公知的相位差板
35、41、75、81．．．基材
36．．．畫素
36A．．．背面反射電極部
36B．．．背面透明電極部
37、77．．．液晶層
38、78．．．正面透明電極
39、79．．．濾光器
43．．．背面電極
51．．．液晶顯示裝置
54．．．液晶單元
61．．．液晶顯示裝置以外的平板顯示裝置
62．．．習用的平板顯示裝置
71A、71B、71C．．．液晶顯示裝置
76．．．背面電極
91．．．液晶面板內的偏光板
91A．．．液晶面板內的偏光板91的吸收軸
92、95．．．相位差板
92A．．．相位差板92的相位延遲軸
93A．．．偏光板93的吸收軸
94、96．．．圓偏光板
95A．．．相位差板95的相位延遲軸
100A．．．區域A
100B．．．區域B
圖1係顯示於配向膜形成時所使用之遮罩1的概略圖。
圖2係顯示使用圖1之遮罩時所得之本發明的相位差板11的概略圖。
圖3係顯示依照本發明之半透射型液晶顯示裝置31A的概略圖。
圖4係顯示依照本發明之半透射型液晶顯示裝置31A之其它的概略圖。
圖5係顯示依照本發明之液晶顯示裝置51的概略圖。
圖6係顯示依照本發明之液晶顯示裝置以外的平板顯示裝置61的概略圖。
圖7係顯示依照本發明之液晶顯示裝置71A的概略圖。
圖8係顯示依照本發明之液晶顯示裝置71B的概略圖。
圖9係顯示依照本發明之液晶顯示裝置71C的概略圖。
圖10係顯示於配向膜形成時所使用之遮罩3的概略圖。
圖11係顯示使用圖10之遮罩時所得之本發明的相位差板14的概略圖。
圖12係顯示本發明之實施例中之評估裝置的一部分的圖。
圖13係顯示本發明之實施例中之評估條件的圖。
圖14係顯示本發明之實施例中之評估裝置的一部分的圖。
圖15係顯示本發明之實施例中之評估條件的圖。
圖16(a)～(e)係本發明之相位差板100的概略圖。
11．．．相位差板
12．．．第2摩擦處理區域
13．．．第1摩擦處理區域

Claims (14)

  1. 一種相位差板，其具有複數個相位延遲軸的方向不同的區域，且無論在任一區域中，對於波長為λ(nm)的光的雙折射率Δn(λ)滿足式(1)及式(2)：Δn(450)/Δn(550)≦1.00 (1) 1.00≦Δn(650)/Δn(550) (2)；並包含式(D)所表示之化合物之聚合物： (式中，Ar表示以下式(Ar-5)~(Ar-13)所表示之基的任一基： (式中，Z1分別獨立表示鹵素原子、碳數1~6的烷基、氰基、硝基、碳數1~6的烷基亞磺醯基、碳數1~6的烷基磺醯基、羧基、碳數1~6的氟烷基、碳數1~6的烷氧基、碳數1~6的烷基硫烷基、碳數1~6的N-烷基胺基、碳數2~12的N，N-二烷基胺基、碳數1~6的N-烷基胺磺醯基、或碳數2~12的N，N-二烷基胺磺醯基；Q1及Q3分別獨立表示-CR9R10-、-S-、-NR9-、-CO-、或-O-，R9及R10分別獨立表示氫原子或碳數1~4的烷基；Y1、Y2、及Y3分別獨立表示 取代或者非取代的芳香族烴基、或取代或者非取代的芳香族雜環基；W1及W2分別獨立表示氫原子、氰基、甲基、或鹵素原子；m表示0~6的整數，n表示0~2的整數)；D1及D2分別獨立表示單鍵、-CO-O-、-O-CO-、-C(=S)-O-、-O-C(=S)-、-CR1R2-、-CR1R2-CR3R4-、-O-CR1R2-、-CR1R2-O-、-CR1R2-O-CR3R4-、-CR1R2-O-CO-、-O-CO-CR1R2-、-CR1R2-O-CO-CR3R4-、-CR1R2-CO-O-CR3R4-、-NR1-CR2R3-、-CR2R3-NR1-、-CO-NR1-、或-NR1-CO-；R1、R2、R3、及R4分別獨立表示氫原子、氟原子、或碳數1~4的烷基；G1及G2分別獨立表示2價的脂環烴基，該脂環烴基可具有由鹵素原子、碳數1~4的烷基、碳數1~4的氟烷基、碳數1~4的烷氧基、氰基、及硝基所構成之群組選出的1個以上的取代基，構成該脂環烴基的1個以上的亞甲基可被取代為-O-、-S-、或-NH-)；E1及E2分別獨立表示-CR5R6-、-CH2-CH2-、-O-、-S-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-、-C(=S)-O-、-O-C(=S)-、-O-C(=S)-O-、-CO-NR5-、-NR5-CO-、-O-CH2-、-CH2-O-、-S-CH2-、-CH2-S-、或單鍵；R5及R6分別獨立表示氫原子、氟原子、或碳數1~4的烷基；B1及B2分別獨立表示-CR5R6-、-CH2-CH2-、-O-、-S-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-、-C(=S)-O-、-O-C(=S)-、-O-C(=S)-O-、-CO-NR5-、-NR5-CO-、-O-CH2-、-CH2-O-、-S-CH2-、-CH2-S-、或單鍵；R5及R6表示如上所述之相同的意義；A1及A2分別獨立表示2價的脂環烴基或2價的芳香族烴基，該2價的脂環烴基及2價的芳香族烴基可具有由鹵素原子、碳數1~4的烷基、碳數1~4的氟取代烷基、碳數1~4的烷氧基、碳數1~4的氟取代烷氧基、氰基、及硝基所構成之群組選 出的1個以上的取代基；k及l分別獨立表示0~3的整數；F1及F2分別獨立表示碳數1~12的亞烷基，該亞烷基可具有由碳數1~5的烷基、碳數1~5的烷氧基、及鹵素原子所構成之群組選出的1個以上的取代基，該亞烷基所包含的-CH2-可被取代為-O-或-CO-；P1及P2分別獨立表示氫原子或聚合性基團(但是，P1及P2之中的至少1個為聚合性基團)。
  2. 如申請專利範圍第1項之相位差板，其中以式(D)所表示之化合物為滿足式(3)及式(4)的化合物：(Nπ-4)/3<k+l+4 (3) 12≦Nπ≦22 (4)。
  3. 如申請專利範圍第1項之相位差板，其中Ar為以下式(Ar-6)所表示之基： (式中，Z1分別獨立表示鹵素原子、碳數1~6的烷基、氰基、硝基、碳數1~6的烷基亞磺醯基、碳數1~6的烷基磺醯基、碳數1~6的氟烷基、碳數1~6的烷氧基、碳數1~6的烷基硫烷基、碳數1~6的N-烷基胺基、碳數2~12的N，N-二烷基胺基、碳數1~6的N-烷基胺磺醯基、碳數2~12的N，N-二烷基胺磺醯基、或-COOH；Q1表示-CR9R10-、-S-、-NR9-、-CO-、或-O-；R9及R10分別獨立表示氫原子或碳數1~4的烷基；Y2表示取代或非取代的芳香族烴基、或者取代或非取代的芳香族雜環基；n表示0~2的整數)。
  4. 如申請專利範圍1項之相位差板，其中G1及G2為環已烷-1，4-二基。
  5. 如申請專利範圍第1項之相位差板，其中A1及A2分別獨立為1，4-伸苯基或環已烷-1，4-二基。
  6. 如申請專利範圍第1項之相位差板，其中：只與A1鍵結的B1及只與A2鍵結的B2分別獨立為-CH2-CH2-、-CO-O-、-O-CO-、-CO-NH-、-NH-CO-、-O-CH2-、-CH2-O-、或單鍵；且與F1鍵結的B1及與F2鍵結的B2分別獨立為-O-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-、-CO-NH-、-NH-CO-、或單鍵。
  7. 如申請專利範圍第1項之相位差板，其中P1及P2分別獨立為氫原子、丙烯醯氧基、或甲基丙烯醯氧基，而且P1及P2不同時為氫原子。
  8. 一種半透射型(semi-transmissive)液晶顯示裝置，其包含如申請專利範圍第1項之相位差板。
  9. 一種3D顯示裝置，其包含如申請專利範圍第1項之相位差板。
  10. 一種相位差板之製造方法，該相位差板具有複數個相位延遲軸的方向不同的區域，且在全部的區域中，對於波長為λ(nm)的光的雙折射率Δn(λ)滿足式(1)及式(2)：Δn(450)/Δn(550)≦1.00 (1) 1.00≦Δn(650)/Δn(550) (2)其中，該相位差板之製造方法包含下述步驟(10)~(12)：(10)配向膜形成步驟，在基材上形成配向膜；(11)配向能給予步驟，對配向膜給予配向能，使其具有複數個配向方向不同的區域；以及(12)塗布步驟，在配向膜上塗布聚合性化合物。
  11. 如申請專利範圍第10項之相位差板之製造方法，其中步驟(11)包含下述步驟(11a)~(11c)：(11a)第1摩擦處理步驟，對形成於基材上的配向膜的全表 面施加第1摩擦處理；(11b)遮罩覆蓋步驟，在施加了第1摩擦處理的配向膜的面上覆蓋具有預定圖案之遮罩；以及(11c)第2摩擦處理步驟，對在施加了第1摩擦處理的配向膜的面上、未覆蓋遮罩的部分施加第2摩擦處理。
  12. 如申請專利範圍第10或11項之相位差板之製造方法，更包含下述步驟(13)：(13)聚合步驟，使塗布於配向膜上的聚合性化合物聚合。
  13. 一種層積體，包含：a)配向膜，其具有複數個配向方向不同的區域；b)如申請專利範圍第1至7項任一項之相位差板，其形成於配向膜上。
  14. 一種層積體，包含：a)支持基材；b)配向膜，其形成於支持基材上；以及C)如申請專利範圍第1至7項任一項之相位差板，其形成於配向膜上。
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