TW201308513A - 具有加熱器之基板支撐座 - Google Patents

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Abstract

本文提供具有加熱器的基板支撐座實施例。在一些實施例中，基板支撐座包括第一構件，以當基板出現在第一構件的第一表面上時，分配熱至基板；加熱器，該加熱器耦接至第一構件且具有一或更多加熱區，以提供熱至第一構件；第二構件，該第二構件設在第一構件下面；管狀主體，該管狀主體設在第一與第二構件之間，其中管狀主體在第一與第二構件間形成間隙；以及複數個基板支撐銷，支撐銷設在第一構件的第一表面上方第一距離處，當基板出現在基板支撐座上時，複數個基板支撐銷支撐基板的背側表面。

Description

具有加熱器之基板支撐座
本發明的實施例大體係關於基板處理設備，且更特別係關於基板支撐座。
隨著裝置的關鍵尺寸持續微縮，需要改善對諸如加熱、冷卻等製程的控制。例如，基板支撐座可包括加熱器，以於處理期間提供置於基板支撐座上之基板的預定溫度。
故本發明人提供具有加熱器的改良式基板支撐座，以助於控制基板溫度。
本文提供具有加熱器的基板支撐座實施例。在一些實施例中，基板支撐座包括第一構件，以當基板出現在第一構件的第一表面上時，分配熱至基板；加熱器，該加熱器耦接至第一構件且具有一或更多加熱區，以提供熱至第一構件；第二構件，該第二構件設在第一構件下面；管狀主體，該管狀主體設在第一與第二構件之間，其中管狀主體在第一與第二構件間形成間隙；以及複數個基板支撐銷，支撐銷設在第一構件的第一表面上方第一距離處，當基板出現在基板支撐座上時，複數個基板支撐 銷支撐基板的背側表面。
在一些實施例中，基板支撐座包括第一構件，以當基板出現在第一構件的第一表面上時，分配熱至基板；複數個基板支撐銷，支撐銷從第一構件的第一表面延伸，以當基板出現在基板支撐座上時，支撐基板的背側表面；一或更多電阻加熱元件，電阻加熱元件設在第一構件中；第二構件，該第二構件設在第一構件下面；以及管狀主體，該管狀主體設在第一與第二構件之間，並在第一構件的下表面與第二構件的上表面間形成間隙。
在一些實施例中，基板支撐座包括第一構件，以當基板出現在第一構件的上表面上時，分配熱至基板；複數個基板支撐銷，支撐銷從第一構件的表面延伸，以當基板出現在基板支撐座上時，支撐基板的背側表面；一或更多加熱區，每一加熱區具有一或更多電阻加熱元件，其中一或更多加熱區設在第一構件的下表面上；第二構件，該第二構件設在第一構件下面；以及管狀主體，該管狀主體設在第一與第二構件之間，並在第一構件的下表面與第二構件的上表面間形成間隙。
本發明的其他和進一步實施例將描述如下。
本文揭示具有加熱器的基板支撐座實施例。本發明的基板支撐座有利於促進加熱基板、維持基板溫度或以預 定輪廓分配熱至基板。
第1圖圖示根據本發明一些實施例的基板支撐座100。基板支撐座100包括第一構件102，以當基板103出現在第一構件102的第一表面104(例如上表面)上時，分配熱至基板103，及包括具有一或更多加熱區108的加熱器106，以提供熱至第一構件102。視情況而定，加熱器106可進一步包括第二加熱區301(如第3A圖至第3B圖所示)，第二加熱區301位於下面且橫跨一或更多加熱區108。第二加熱區301可用於使第一構件102各處達到基礎溫度，一或更多加熱區108可用於微調第一構件102各處的溫度，以例如在基板103上達成均勻的溫度分佈，或在基板103上達成不均勻的預定溫度分佈。如第1圖所示，加熱器106設在第一構件102下面。然此僅為加熱器106的示例性實施例。加熱器106可設在第一構件102中、第一構件102的表面或第一構件102底下。加熱器106的實施例將參照第3A圖至第3B圖說明於後。
在一些實施例中，基板支撐座提供約450℃至約600℃的溫度。然本文揭示的基板支撐座實施例不限於上述溫度範圍。例如，溫度可更低(例如約150℃至約450℃)或更高(例如高於約600℃)。
基板支撐座100包括第二構件107，第二構件107設在第一構件102下面。第二構件107可當作設施管理板，以例如就一或更多加熱區108等進行引線及/或管道管 理。在一些實施例中，第二構件107做為絕熱器，以免對流損失至下面環境。例如，做為絕熱器時，第二構件107可包含熱阻材料，例如MACOR®或任何適合的熱阻材料，例如陶瓷材料等。
第二構件107可包括開口109，開口109例如置中穿過第二構件107。開口109可用於耦接饋通組件111和基板支撐座100的構件102、107。饋通組件111可供給各種來源及/或控制裝置(例如功率源126)至一或更多加熱區108或控制器122(此將說明於後)。在一些實施例中，饋通組件111可包括導管140，導管140可至少提供氣源141的氣體至基板103的背側，或提供真空泵143的真空而將基板103固定於基板支撐座100。例如，真空或氣體或可由多向閥147提供，多向閥147將真空泵143與氣源141耦接至導管140。例如，導管140提供的氣體可用於增進第一構件102與基板103間的熱傳。在一些實施例中，氣體為氦氣(He)。例如，操作時，真空泵143可用於把基板103固定於基板支撐座103。固定基板103後，氣源141提供氣體至基板103與第一構件102間的空間，以增進熱傳。
導管140可包括撓性段142，例如波紋管等。導管140的撓性有助於如使基板支撐座100成水平時及/或加熱期間基板支撐座100產生熱變形或膨脹時。例如，基板支撐座100可由一或更多水平裝置(未圖示)調成水平，水平裝置設在饋通組件111附近且穿過基板支撐座100 的一或更多構件。例如，水平裝置可包括動力千斤頂等。另外，如第1圖所示，饋通組件111可包括具有撓性段162的第二導管160，以經由導管140排放氣源141提供的氣體。
管狀主體152可設在第一與第二構件102、107之間。管狀主體152可用於提供第一與第二構件102、107間的間隙154，及/或提供附加空間讓電線、流體或氣體導管等提供至上述基板支撐座100的部件。例如，在一些實施例中，間隙154形成於第一構件102的下表面(例如第3A圖至第3B圖所示下表面302)與第二構件105的上表面105之間。間隙154可填充氣體，例如空氣、氦氣(He)等。氣體可用作熱阻氣體或熱傳氣體。例如，可依據利用支撐座100之處理系統待進行製程所需的預定溫度輪廓，選擇氣體組成。故藉由提供良好熱導體的氣體，間隙154可用於將熱從耦接至第一層102的一或更多加熱區108傳導到第二構件107。示例性熱傳導用氣體可為氦氣(He)。或者，間隙154可用於如在間隙154中產生真空而使支撐座100隔絕熱損失。例如，間隙154可耦接至真空泵，例如真空泵141(第1圖未圖示耦接情形)或另一真空泵(未圖示)。管狀主體152可包含不鏽鋼等。另外，管狀主體152可以任何適當方式適配第一和第二構件102、107，例如設於第一和第二構件102、107的面向管狀主體表面周圍邊緣附近的凹槽(未圖示)內等。或者，管狀構件152可為唇狀物或從 第一構件102或第二構件107延伸的突出物。
饋通組件111可包括容積115。容積115可與間隙154隔開，且具有可獨立控制的氣氛(atmosphere)。例如，容積115可耦接至一或更多氣源(例如氣源141(第1圖未圖示耦接情形)或另一氣源(未圖示))或真空泵(例如真空泵143(第1圖未圖示耦接情形)或另一真空泵(未圖示))，以於容積115內提供氣體及/或真空。
饋通組件111可包括附加導管，以提供真空及/或氣體至基板支撐座100的區域。例如，饋通組件可包括導管164，以提供一或更多真空或氣體至間隙154。例如，基於類似理由，導管164可包括類似上述其他導管的撓性段(未圖示)。例如，導管164可用於耦接間隙154和一或更多真空泵(例如真空泵143(第1圖未圖示耦接情形)或另一真空泵(未圖示))或氣源(例如氣源141(第1圖未圖示耦接情形)及/或另一氣源(例如沖洗氣源121))。例如，沖洗氣源121可用於提供沖洗氣體，以限制處理期間材料沉積於基板103的背側。例如，沖洗氣體可經由設在第一構件102的一或更多沖洗氣體通道119提供至基板103的背側。如第1圖所示，一或更多沖洗氣體通道119可流體耦接導管164提供至間隙154的沖洗氣體和設置鄰接基板103邊緣的間隙117。例如，如第1圖所示，間隙117可在對準導引器118與基板103的周圍邊緣之間形成，基板103位於第一構件102的第一表面104上。沖洗氣體可包括一或更多氦氣(He)、氮 氣(N2)或任何適合惰性氣體。沖洗氣體可經由間隙117排放，並可限制或防止製程氣體於處理期間抵達及與基板103的背側反應。沖洗氣體可經由處理腔室(未圖示)的排放系統排出處理腔室，以適當處置排放的沖洗氣體。或者(未圖示)，一或更多沖洗氣體通道可設置貫穿且設在對準導引器118附近，以提供沖洗氣體至間隙117。
基板支撐座100的構件可以任何數量的適合機制耦接在一起。例如，適合機制可包括重力、黏結、接合、銅焊、造模、機械壓縮(例如利用螺絲、彈簧、一或更多夾鉗、真空等)等。第1圖圖示非限定示例性機械壓縮類型。例如，壓縮組件145可包括棒體144，棒體144設置穿過基板支撐座100的一或數個構件，及用於以第二構件107壓縮第一構件102(和任何位於第一與第二構件102、107間的構件)。儘管棒體144係繪示成單件，但若有需要，棒體144亦可呈多件(未圖示)，多件由鉸鏈、球和插座結構等連接在一起，以助於多件間的相對移動。類似上述導管140，棒體144可提供用以調整基板支撐座100水平的撓性。
棒體144可如利用銅焊、焊接等耦接至第一構件102，或者棒體144可旋入第一構件102的對應螺紋開口，螺紋開口配置以容納棒體144(未圖示)。棒體144的相對末端可經由彈簧146或其他適合的彈力結構耦接至第二構件107。例如，彈簧146的第一末端可耦接至棒體144， 彈簧146的相對第二末端可耦接至第二構件107。如第1圖所示，設在第二構件107的螺釘150耦接至彈簧146的第二末端。在一些實施例中，封蓋148提供在螺釘150上。雖然彈簧146係繪示成提供壓縮力以將棒體144拉向第二構件107，但棒體144和彈簧146亦可配置成利用彈簧146擴張而提供預定耦接力。儘管第1圖只圖示一個壓縮組件150，但也可提供複數個壓縮組件150，例如設在支撐座100的中心軸四周。在一些實施例中，三個壓縮組件145對稱設在支撐座100的中心軸四周。
或者，基板支撐座100的構件可藉由把構件燒結在一起而耦接在一起。例如，把構件燒結在一起可增進構件間的熱傳。例如，第5圖圖示具有燒結在一起之構件的基板支撐座100的實施例。例如，如第5圖所示，可無壓縮組件145，第一構件102、加熱器106、管狀主體152和第二構件107則燒結在一起。例如，可個別形成各構件，再燒結在一起。例如，可分別形成管狀主體152和第二構件107，形成後再燒結在一起。例如，在一些實施例中，各構件可由氮化鋁(AlN)或任何適合的陶瓷材料組成。另外，雖然第5圖係繪示成結構構件，但加熱器106可為下述第3A圖至第3C圖所示的任何適合加熱器實施例。同樣地，雖然第5圖的第一構件102係繪示成具有和下述第2A圖所示第一構件102實施例一致的態樣，但第一構件102可為下述第2A圖至第2C圖所示的任何適合第一構件實施例。
在一些實施例中，基板支撐座100包括複數個基板支撐銷112，支撐銷112設在第一構件102的第一表面104上方第一距離處，當基板103出現在基板支撐座上時，複數個基板支撐銷112支撐基板103的背側表面。支撐環123可圍繞複數個基板支撐銷112。支撐環123可接觸鄰接基板103周圍邊緣的基板103背側。例如，支撐環123可用於如定義基板103背側與基板支撐座100間的空間或容積。例如，空間可用於產生真空，以將基板103固定於支撐座100，及/或提供氣體供上述支撐座100與基板102間進行熱傳。
在一些實施例中，如鄰近各支撐銷112和支撐環123的虛線所示，各基板支撐銷和支撐環123從第一構件102的第一表面104延伸(例如，基板支撐銷112和支撐環123可為第一構件102的一部分且形成在第一構件102中)。或者，在一些實施例中，支撐層116設在第一構件102的第一表面104上，各基板支撐銷112和支撐環123從支撐層116的表面114延伸。在一些實施例中，支撐層116和各基板支撐銷112與支撐環123由相同材料形成。例如，支撐層116和各基板支撐銷112與支撐環123可為單件結構(如第2A圖所示並將說明於後)。支撐層和各基板支撐銷112與支撐環123可由適合的耐磨性製程相容材料形成。例如，材料可與基板、待進行處理基板的製程等相容。在一些實施例中，支撐層116及/或基板支撐銷112及/或支撐環123由介電材料製成。在一些 實施例中，用於組成支撐層116及/或基板支撐銷112及/或支撐環123的材料包括一或更多聚亞醯胺(例如KAPTON®)、氧化鋁(Al2O3)、氮化鋁(AlN)、二氧化矽(SiO2)、氮化矽(Si3N4)、碳化矽(SiC)等。在一些實施例中，如就低溫應用而言(例如溫度低於約200℃)，支撐層116及/或基板支撐銷112及/或支撐環123包含KAPTON®。
在一些實施例中，基板支撐座100包括對準導引器118，對準導引器118從第一構件102的第一表面104延伸且位於複數個基板支撐銷112附近。如當複數個舉升銷(未圖示，第1圖圖示舉升銷孔113，舉升銷孔113可貫穿支撐層116和第一與第二構件102、107)把基板降下至基板支撐銷112上時，對準導引器118可用於如相對設在基板103下方的一或更多加熱區108來導引、置中及/或對準基板103。舉升銷孔113和間隙154可由如任何適合結構隔開，例如管子125，管子125隔開舉升銷孔113和間隙154。例如，管子125可防止提供至間隙154的氣體經由舉升銷孔113抵達基板103的背側。
對準導引器118可由適合的製程相容材料形成，例如具耐磨性及/或低熱膨脹係數的材料。對準導引器118可為單件或多個部件的組件。在一些實施例中，對準導引器118由介電材料製成。例如，適合用於形成對準導引器118的材料可包括一或更多CELAZOLE® PBI(聚苯並咪唑)、氧化鋁(Al2O3)等。通常，可依據材料與彼此 及/或特定製程應用的化學和熱相容性，選擇用於基板支撐座100的任何不同部件的材料。
第一構件102可用於分配熱至基板103。例如，第一構件可當作散熱器，讓一或更多加熱區108提供的熱擴散。在一些實施例中，第一構件102包括一或更多溫度監測裝置120，溫度監測裝置120埋設於第一構件102內或貫穿第一構件102，以監測沿著第一構件102的第一表面104的一或更多位置所提供至基板103的溫度。溫度監測裝置120可包括任何適於監測溫度的裝置，例如一或更多溫度感測器、電阻溫度裝置(RTD)、光學感測器等。一或更多溫度監測裝置120可耦接至控制器122，以接收來自各溫度監測裝置120的溫度資訊。控制器122可進一步用於控制加熱區108，以回應溫度資訊，此將進一步說明於後。第一構件102可由適合的製程相容材料形成，例如具一或更多高傳熱性、高剛性和低熱膨脹係數的材料。在一些實施例中，第一構件102的傳熱性為至少約140 W/mK。在一些實施例中，第一構件102的熱膨脹係數為約9×10-6/℃或以下。適合形成第一構件102的材料實例可包括一或更多鋁(Al)、銅(Cu)或其合金、氮化鋁(AlN)、氧化鈹(BeO)、熱分解氮化硼(PBN)、氮化矽(Si3N4)、氧化鋁(Al2O3)、碳化矽(SiC)、塗覆PBN的石墨、塗覆氧化釔(Y2O3)的AlN等。其他適於配合第一構件102使用的塗層包括類鑽石塗層(DLC)等。
第一構件102、複數個基板支撐銷112和對準導引器118可有各種變化。例如，此類變化取決於待進行處理基板103的製程及/或基板103的組成。例如，視特定製程的溫度要求而定，第一構件102可由具特定傳熱性等的材料形成；然若基板103的背側暴露於第一構件102的第一表面104，則此材料會污染基板103。故在此條件下，可使用支撐層116，支撐層116由不同於第一構件102的材料形成，其中該不同材料不會污染基板103。同樣地，基於類似理由，對準導引器118可由不同於第一構件102的材料形成。例如，第2A圖圖示基板支撐座102的實施例，基板支撐座包括對準導引器118、支撐層116與從支撐層116延伸的複數個支撐銷和第一構件102，其中對準導引器118、支撐層116和支撐銷112由不同於第一構件102的材料形成。
或者，視待進行處理之基板103的製程及/或基板103的組成而定，如第2B圖所示，第一構件102、複數個基板支撐銷112和對準導引器118可由相同材料形成。例如，若第一構件的材料與待進行處理基板103的製程及/或基板103的組成相容，則可採用第2B圖所示的基板支撐座100實施例。因支撐層116係整合到第2B圖的第一構件102，故第2B圖未圖示獨立的支撐層116。然支撐層116可視為第一構件102的上部。
或者，視待進行處理基板103的製程及/或基板103的組成而定，如第2C圖所示，第一構件102的厚度可有所 不同。例如，沿著第一構件102的厚度變化有助於產生沿著基板103的預定加熱輪廓及/或補償待進行處理基板103的前側表面的製程(例如沉積、固化、烘烤、退火、蝕刻和其他)的不均勻性。例如，在一些實施例中，如第2C圖所示，第一構件102的厚度可從第一構件102的中心往邊緣增加。然第2C圖實施例僅為舉例說明，第一構件102的厚度可按任何適合方式變化，以提供沿著基板103的預定加熱輪廓。如第2C圖所示，當第一構件102的厚度改變時，複數個支撐銷112可有不同長度來補償第一構件102的厚度變化。如第2C圖所示，各支撐銷112的長度為使支撐銷以約相同的垂直高度接觸基板103的背側表面。如第2C圖所示，複數個支撐銷112可個別製作及耦接至第一構件102。或者(未圖示)，如類似第2B圖所示的支撐銷112實施例，複數個支撐銷112可整合到第一構件102。
回至第1圖，加熱器106包括一或更多電阻加熱元件124。例如，一或更多加熱區108各自包括一或更多電阻加熱元件124。儘管第1圖和第3A圖至第3D圖繪示成均勻分佈，但一或更多加熱區108可按任何適當構造分佈，以期在基板103上提供預定溫度輪廓。每一電阻加熱元件124可耦接至功率源126。功率源126可提供任何適合的功率類型，例如直流(DC)或交流(AC)，功率類型與電阻加熱元件124相容。功率源126可耦接及受控於控制器122或另一控制器(未圖示)，例如用於控 制內設基板支撐座之處理腔室的系統控制器等。在一些實施例中，功率源126進一步包括功率分配器(未圖示)，功率分配器分配提供至各加熱區108的電阻加熱元件124的功率。例如，功率分配器可運作回應一或更多溫度監測裝置120，以選擇性分配功率至特定加熱區108的電阻加熱元件124。或者，在一些實施例中，多個功率源可提供用於各加熱區的電阻加熱元件。
例如，第4圖圖示將一或更多加熱區108配置成六個區域的構造實施例，然也可採用更多或更少區域。如俯視圖所示，加熱區108設在基板支撐座100的中心軸402四周。一或更多加熱區108可包括第一加熱區404、第二加熱區408和第三、第四、第五與第六加熱區410，加熱區404具有從中心軸402沿著第二構件106的上表面延伸的第一半徑406(例如中心區)，加熱區408環繞第一加熱區404(例如中間區)，加熱區410設在第二加熱區408四周(例如複數個外部區)。在一些實施例中，如圖所示，四個加熱區410各自對應基板支撐座100的外部區的約四分之一。在一些實施例中，溫度監測裝置(例如上述溫度監測裝置120)乃提供以感測對應各區內(或各區內的預定位置)的溫度的資料。在一些實施例中，各溫度監測裝置係RTD。每一溫度監測裝置可耦接至控制器(例如上述控制器122)，以提供對各對應加熱區108的反饋控制。
基板支撐座100的小巧設計和可調節加熱而調整基板 103上的溫度不均勻性有助於促進加熱基板、維持基板溫度、均勻分配熱至基板或自基板移除熱、或在基板上形成不均勻溫度。
加熱器106可以任何適合方式耦接至第一構件102，例如設在第一構件102中、設在第一構件102的表面或設在耦接第一構件102的獨立構件中。例如，第3A圖至第3C圖實施例圖示加熱器106的數個非限定變化例。第3A圖至第3C圖圖示根據本發明一些實施例，支撐座100的局部截面圖。例如，圖式省略諸如壓縮組件150、溫度監測裝置120、支撐銷122、支撐層116等元件或第1圖和第2A圖至第2B圖所示支撐座的其他元件，但可根據下述第3A圖至第3C圖所示加熱器106的任何實施例使用。
例如，如第3A圖所示，加熱器106可設在第一構件102中。例如，一或更多電阻元件124可以任何適合方式設於第一構件102，例如配置在加熱區108，以提供基板103預定溫度輪廓。例如，一或更多電阻元件124可設在離第一構件102的下表面302任何適當距離處，以提供預定溫度輪廓。儘管第3A圖係把加熱區108繪示成設置離下表面302相同距離，但一或更多加熱區108相距下表面302的距離可有所不同。視情況而定，如上所述，加熱區108可包括第二加熱區301，第二加熱區301可用於使第一構件102各處達到基礎溫度。第二加熱區301可包括一或更多電阻元件303，電阻元件303可均勻 分佈遍及第二加熱區301。雖然第3A圖至第3C圖係繪示成單一電阻元件，但元件303可為一或更多電阻元件303。
在一些實施例中，加熱器106包括一或更多電阻加熱元件124，電阻加熱元件124沉積在第一構件102的下表面302上。例如，沉積可包括任何適於形成加熱區108的預定圖案的沉積技術。例如，一或更多電阻加熱元件124可包含鉑、鎳鉻合金、INCONEL®、電阻陶瓷或其他適合的電阻加熱材料。在一些實施例中，完成沉積一或更多電阻加熱元件124後，可用塗層304覆蓋設在下表面302的一或更多加熱元件。例如，塗層304可覆蓋整個下表面302(如第3B圖所示)或限定覆蓋一或更多加熱元件124。塗層304可包含絕緣材料，例如玻璃、陶瓷等。視情況而定，在沉積塗層304前，一或更多電阻元件303亦可沉積在一或更多電阻加熱元件124下面。例如，一或更多電阻元件124和一或更多電阻元件303可由絕緣層(未圖示)隔開，例如介電層等，絕緣層可於沉積一或更多電阻元件303前沉積。或者，塗層304可沉積而覆蓋一或更多電阻元件124，接著一或更多電阻元件303可沉積於塗層304上。第二塗層(未圖示)可沉積而覆蓋一或更多電阻元件303。
在一些實施例中，如第3C圖所示，支撐座100包括第三構件306，第三構件306設在第一構件102下面和管狀主體152上方。加熱器106可包括一或更多電阻加熱 元件124，電阻加熱元件124設在第三構件306中。例如，沉積可包括任何適於形成加熱區108的預定圖案的沉積技術。例如，類似第3C圖實施例，一或更多電阻元件124可以任何適合方式設於第三構件306，例如配置在加熱區108，以提供基板103預定溫度輪廓。或者，第三構件306可包含兩個構件(未圖示)，例如包括一或更多電阻加熱元件124的第一構件和包括一或更多電阻加熱元件303的第二構件。例如，一或更多電阻元件124可設在離第一構件102的下表面302任何適當距離處，以提供預定溫度輪廓。儘管第3C圖係把加熱區108繪示成設置離下表面302相同距離，但一或更多加熱區108相距下表面302的距離可有所不同。第三構件306可由適合的製程相容材料形成，例如具一或更多高機械強度(例如彎曲強度至少約200 MPa)、高電阻率(例如至少約1014歐姆-公分)、低熱膨脹係數(例如不超過約5×10-6℃)的材料。適合的材料可包括一或更多碳化矽(SiC)、氮化矽(Si3N4)、氮化鋁(AlN)、氧化鋁(Al2O3)、氧化鈹(BeO)、熱分解氮化硼(PBN)、塗覆PBN的石墨、塗覆氧化釔(Y2O3)的AlN等。其他適於配合第三構件306使用的塗層包括類鑽石塗層(DLC)等。
故本文揭示基板支撐座實施例。本發明的基板支撐座有利於促進加熱基板、維持基板溫度、或均勻分配熱至基板或自基板移除熱、或在基板上形成不均勻溫度。
雖然以上係針對本發明實施例說明，但在不脫離本發 明基本範圍的情況下，當可設計出本發明的其他和進一步實施例。
100‧‧‧基板支撐座
102‧‧‧第一構件
103‧‧‧基板
104‧‧‧第一表面
105‧‧‧第二構件
106‧‧‧加熱器
107‧‧‧第二構件
108‧‧‧加熱區
109‧‧‧開口
111‧‧‧饋通組件
112‧‧‧基板支撐銷
113‧‧‧舉升銷孔
114‧‧‧表面
115‧‧‧容積
116‧‧‧支撐層
117‧‧‧間隙
118‧‧‧對準導引器
119‧‧‧沖洗氣體通道
120‧‧‧溫度監測裝置
121‧‧‧沖洗氣源
122‧‧‧控制器
123‧‧‧支撐環
124‧‧‧電阻加熱元件
125‧‧‧管子
126‧‧‧功率源
140‧‧‧導管
141‧‧‧氣源
142‧‧‧撓性段
143‧‧‧真空泵
144‧‧‧棒體
145‧‧‧壓縮組件
146‧‧‧彈簧
147‧‧‧多向閥
148‧‧‧封蓋
150‧‧‧壓縮組件
152‧‧‧管狀主體
154‧‧‧間隙
160‧‧‧第二導管
162‧‧‧撓性段
164‧‧‧導管
301‧‧‧第二加熱區
302‧‧‧下表面
303‧‧‧電阻元件
304‧‧‧塗層
306‧‧‧第三構件
402‧‧‧中心軸
404‧‧‧第一加熱區
406‧‧‧第一半徑
408‧‧‧第二加熱區
410‧‧‧加熱區
為讓本發明的上述概要特徵更明顯易懂，可配合參考實施例說明，實施例乃圖示在附圖。然應注意所附圖式僅說明本發明典型實施例，故不宜視為限定本發明範圍，因為本發明可接納其他等效實施例。
第1圖圖示根據本發明一些實施例，基板支撐座的側視圖。
第2A圖至第2C圖圖示根據本發明一些實施例，基板支撐座的局部截面側視圖。
第3A圖至第3C圖圖示根據本發明一些實施例，基板支撐座的局部截面側視圖。
第4圖圖示根據本發明一些實施例，多區加熱器的俯視圖。
第5圖圖示根據本發明一些實施例，基板支撐座的側視圖。
為助於瞭解，盡可能以相同的元件符號代表各圖中共同的相似元件。圖式並未按比例繪製，且為清楚說明而予以簡化。應理解某一實施例的元件和特徵結構當可有益地併入其他實施例，在此不另外詳述。
100‧‧‧基板支撐座
102‧‧‧第一構件
103‧‧‧基板
104‧‧‧第一表面
105‧‧‧上表面
106‧‧‧加熱器
107‧‧‧第二構件
108‧‧‧加熱區
109‧‧‧開口
111‧‧‧饋通組件
112‧‧‧基板支撐銷
113‧‧‧舉升銷孔
114‧‧‧表面
115‧‧‧容積
116‧‧‧支撐層
117‧‧‧間隙
118‧‧‧對準導引器
119‧‧‧沖洗氣體通道
120‧‧‧溫度監測裝置
121‧‧‧沖洗氣源
122‧‧‧控制器
123‧‧‧支撐環
124‧‧‧電阻加熱元件
125‧‧‧管子
126‧‧‧功率源
140‧‧‧導管
141‧‧‧氣源
142‧‧‧撓性段
143‧‧‧真空泵
144‧‧‧棒體
145‧‧‧壓縮組件
146‧‧‧彈簧
147‧‧‧多向閥
148‧‧‧封蓋
150‧‧‧螺釘
152‧‧‧管狀主體
154‧‧‧間隙
160‧‧‧第二導管
162‧‧‧撓性段
164‧‧‧導管

Claims (20)

  1. 一種基板支撐座，包含：一第一構件，當一基板出現在該第一構件的一第一表面上時，該第一構件分配熱至該基板；一加熱器，該加熱器耦接至該第一構件且具有一或更多加熱區，以提供熱至該第一構件；一第二構件，該第二構件設在該第一構件下面；一管狀主體，該管狀主體設在該第一構件與該第二構件之間，其中該管狀主體在該第一構件與該第二構件間形成一間隙；以及複數個基板支撐銷，該等基板支撐銷設在該第一構件的該第一表面上方一第一距離處，當一基板出現在該基板支撐座上時，該複數個基板支撐銷支撐該基板的一背側表面。
  2. 如請求項1所述之基板支撐座，進一步包含：一對準導引器，該對準導引器從該第一構件的該第一表面延伸且位於該複數個基板支撐銷附近。
  3. 如請求項2所述之基板支撐座，其中該複數個基板支撐銷各自從該第一構件的該第一表面延伸。
  4. 如請求項1所述之基板支撐座，進一步包含： 一支撐層，該支撐層設在該第一構件的該第一表面上，其中該複數個基板支撐銷各自從該支撐層的一表面延伸。
  5. 如請求項1至4中任一項所述之基板支撐座，其中該加熱器進一步包含：複數個電阻加熱元件，其中該一或更多加熱區各自包含該複數個電阻加熱元件的一或更多電阻加熱元件。
  6. 如請求項5所述之基板支撐座，進一步包含：一第三構件，該第三構件設在該第一構件下面和該管狀主體上方，其中該一或更多電阻加熱元件各自設在該第三構件中。
  7. 如請求項5所述之基板支撐座，其中該複數個電阻加熱元件各自設在該第一構件中。
  8. 如請求項5所述之基板支撐座，其中該複數個電阻加熱元件各自設在該第一構件的一下表面上，且進一步包含：一塗層，該塗層包含一絕緣材料並覆蓋設在該第一構件的該下表面上的該一或更多電阻加熱元件。
  9. 如請求項1至4中任一項所述之基板支撐座，進一步 包含：一饋通組件，該饋通組件耦接至該第二構件的一開口，其中該饋通組件具有一容積，該容積與該間隙隔開，及其中，相對該間隙的一氣氛(atmosphere)，該容積的氣氛係可獨立控制的。
  10. 如請求項9所述之基板支撐座，其中該第一構件進一步包含：一或更多沖洗氣體通道，該沖洗氣體通道設在該第一構件中且流體耦接該第一構件的該第一表面和該間隙。
  11. 如請求項1至4中任一項所述之基板支撐座，其中該第一構件和該第二構件燒結至該管狀主體。
  12. 一種基板支撐座，包含：一第一構件，當一基板出現在該第一構件的一第一表面上時，該第一構件分配熱至該基板；複數個基板支撐銷，該等基板支撐銷從該第一構件的該第一表面延伸，當一基板出現在該基板支撐座上時，該等基板支撐銷支撐該基板的一背側表面；一或更多電阻加熱元件，該電阻加熱元件設在該第一構件中；一第二構件，該第二構件設在該第一構件下面；以及一管狀主體，該管狀主體設在該第一構件與該第二構件 之間，並在該第一構件的一下表面與該第二構件的一上表面間形成一間隙。
  13. 如請求項12所述之基板支撐座，其中該一或更多電阻加熱元件包含複數個電阻加熱元件，及其中該複數個電阻加熱元件配置成一或更多加熱區。
  14. 如請求項12或13所述之基板支撐座，進一步包含：一對準導引器，該對準導引器從該第一構件的該第一表面延伸且位於該複數個基板支撐銷附近。
  15. 如請求項12或13所述之基板支撐座，進一步包含：一饋通組件，該饋通組件耦接至該第二構件的一開口，其中該饋通組件具有一容積，該容積與該間隙隔開，及其中，相對該間隙的一氣氛，該容積的氣氛係可獨立控制的。
  16. 如請求項12所述之基板支撐座，其中該第一構件和該第二構件燒結至該管狀主體。
  17. 一種基板支撐座，包含：一第一構件，當一基板出現在該第一構件的一上表面上時，該第一構件分配熱至該基板；複數個基板支撐銷，該等基板支撐銷從該第一構件的一 表面延伸，當一基板出現在該基板支撐座上時，該等基板支撐銷支撐該基板的一背側表面；一或更多加熱區，每一加熱區具有一或更多電阻加熱元件，其中該一或更多加熱區設在該第一構件的一下表面上；一第二構件，該第二構件設在該第一構件下面；以及一管狀主體，該管狀主體設在該第一構件與該第二構件之間，並在該第一構件的該下表面與該第二構件的一上表面間形成一間隙。
  18. 如請求項17所述之基板支撐座，進一步包含：一塗層，該塗層包含一絕緣材料並覆蓋設在該第一構件的該下表面上的該一或更多電阻加熱元件。
  19. 如請求項17或18所述之基板支撐座，進一步包含：一對準導引器，該對準導引器從該第一構件的該上表面延伸且位於該複數個基板支撐銷附近。
  20. 如請求項17或18所述之基板支撐座，進一步包含：一饋通組件，該饋通組件耦接至該第二構件的一開口，其中該饋通組件具有一容積，該容積與該間隙隔開，及其中，相對該間隙的一氣氛，該容積的氣氛係可獨立控制的。
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