TW201243093A - Extended reactor assembly with multiple sections for performing atomic layer deposition on large substrate - Google Patents

Extended reactor assembly with multiple sections for performing atomic layer deposition on large substrate Download PDF

Info

Publication number
TW201243093A
TW201243093A TW100142959A TW100142959A TW201243093A TW 201243093 A TW201243093 A TW 201243093A TW 100142959 A TW100142959 A TW 100142959A TW 100142959 A TW100142959 A TW 100142959A TW 201243093 A TW201243093 A TW 201243093A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
reactor
chamber
gas
syringe
plasma chamber
Prior art date
Application number
TW100142959A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI444500B (zh
Inventor
Sang-In Lee
Original Assignee
Synos Technology Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Synos Technology Inc filed Critical Synos Technology Inc
Publication of TW201243093A publication Critical patent/TW201243093A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI444500B publication Critical patent/TWI444500B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • C23C16/45548—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus having arrangements for gas injection at different locations of the reactor for each ALD half-reaction
    • C23C16/45551—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus having arrangements for gas injection at different locations of the reactor for each ALD half-reaction for relative movement of the substrate and the gas injectors or half-reaction reactor compartments
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45527—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations
    • C23C16/45536—Use of plasma, radiation or electromagnetic fields
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32366—Localised processing
    • H01J37/32376—Scanning across large workpieces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H01J37/32568—Relative arrangement or disposition of electrodes; moving means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32733—Means for moving the material to be treated
    • H01J37/32752—Means for moving the material to be treated for moving the material across the discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32807—Construction (includes replacing parts of the apparatus)

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Description

201243093 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種用於使用原子層沈積（ALD)在一基板 上沈積一個或一個以上之材料層之沈積裝置。 相關申請案之交互參照 此申請案根據35 U.S.C.§ 119(e)主張於2010年11月24日 申清之共同待審之美國臨時專利申請案第61/416,931號之 優先權，該申請案之全文係以引用之方式併入本文中。 【先前技術】 原子層沈積（ALD)係一種用於在一基板上沈積一個或一 個以上之材料層之薄膜沈積技術。ALD使用兩種類型之化 學物，其中一者為一源前驅物且另一者為一反應物前驅 物。一般而言，ALD包含四個階段：（i)注射一源前驅物， (i i)移除該源前驅物之一物理吸附層，（Π i)注射一反應物前 驅物’及（iv)移除該反應物前驅物之一物理吸附層。ald 可為一個需要花費長時間或許多次重複方才能獲得一希望 厚度之層之緩慢製程。因此，為了加速該製程，可使用如 美國專利申請公開案第2009/0165715號中所述之具有一單 元模組（所謂之一線性注射器）之一氣相沈積反應器，或者 可使用其他類似之裝置來加速ALD製程《該單元模組包含 用於一源材料（一源模組）之一注射單元及一排放單元及用 於一反應物（一反應物模組）之一注射單元及—排放單元。 S知的ALD氣相沈積室具有用於在基板上沈積ald層 之一組或一組以上反應器。當該基板經過該等反應器之下 I60232.doc •4- 201243093 方時’該基板係曝露至該源前驅物、一沖洗氣體及該反應 物前驅物。沈積於該基板上之該源前驅物分子與反應物前 驅物分子反應或該等前驅物分子係由該反應物前驅物分子 取代’以在該基板上沈積一材料層。在將該基板曝露至該 源前驅物或該反應物前驅物之後，該基板可曝露至該沖洗 氣體’以自該基板移除過量之源前驅物分子或反應物前驅 物分子。 【發明内容】 若干實施例係關於一種反應器總成中之自由基反應器， 其包含一本體’該本體經放置鄰近其上安裝有基板之一基 座。該本體係形成有位於沿該自由基反應器之長度延伸一 第一距離之一第一反應器區段中之一第一電漿室及沿該自 由基反應器之長度延伸一第二距離之一第二反應器區段中 之一第二電漿室。一第一内電極在該第一電漿室内延伸。 该第一内電極藉由跨該第一内電極與一第一外電極施加一 電壓差而在該第—電漿室内產生一第一氣體之自由基。一 第一内電極在該第二電漿室内延伸。該第二内電極藉由跨 該第二内電極與—第二外電極施加該電壓差而在該第二電 漿室内產生該第一氣體之自由基。 在一實施例十，該本體係進一步形成有一注射室、一狹 隘區域及至少一個出口。該注射室係連接至該第一電漿室 及該第一電漿室，以接收該等自由基。該等自由基係自該 ’主射至注射至該基板上。該狹隘區域具有一高度小於該注 射室ώ 。又。至少一個出口係連接至該狹隘區域。該至 160232.doc 201243093 少一個出口使該等自由基自該反應器總成排放β 在一實施例中，該第一電漿室係形成於該注射室之—側 處且該第二電漿室係形成於該注射室之另一側處。 在一實施例中’該本體係進一步形成有位於該第一反應 器區段中之一第一反應器通道及位於該第二反應器區段中 之一第二反應器通道。該第一反應器通道係經由一第一導 管連接至一氣體源，且該第二反應器通道係經由與該第一 導管分離之一第二導管連接至該氣體源。 在一實施例中，該本體係進一步形成有用於將該等自由 基自e亥反應器總成排放之至少兩個出口。該至少兩個出口 之該等内表面於該等出口之間接合。 在一實施例中，該反應器總成進一步包含一注射器，其 形成有一第一注射器通道、一第二注射器通道、一室及一 狹隘區域。該第一注射器通道係放置於該注射器之一第一 注射器區段中，以經由一第一導管而接收一第二氣體。該 第二注射器通道係放置於該注射器之一第二注射器區段 中，以經由一第二導管而接收該第二氣體。一室係連接至 該第一注射器通道及該第二注射器通道，以接收該氣體且 將S亥氣體、/主射至該基板上；至少一個出口係用於使該氣體 自該反應器總成排出；及一狹隘區域將該室連接至該至少 一個出口。該狹隘區域具有一高度小於該注射室之一高 度。 在一實施例中，該第一注射器通道係形成於該注射器室 之一側處且該第二注射器通道係形成於該室之相對側處。 160232.doc -6 - 201243093 在-實施财，該反應器總叙該有效長度係大於該基 板之該寬度。 在-實施例中，該第-内電極包含—核心及_外層。該 核心係由比該外層之-第二材料具有—更高導熱率之一第 一材料製成。 在-實施例中，該第一材料包括銅、銀或其合金·且該 第二材料包括不銹鋼、基於鎳_鉻之奥氏體超合金或鎳鋼 合金。 實施例亦關於一種使用原子層沈積（ALD)在一基板上沈 積一個或一個以上之材料層之沈積裝置。該沈積裝置包含 一基座、一自由基反應器及一致動器。該基座係安裝有一 基板。該自由基反應器包含經放置鄰近該基座之—本體。 該本體在該自由基反應器之縱向延伸一第一距離之—第一 反應器區段中形成有一第一電漿室及在縱向延伸_第二距 離之一第二反應器區段中形成有一第二電漿室。_第—内 電極在該第一電漿室内延伸。該第一内電極藉由跨該第— 内電極與一第一外電極施加_電壓差而在該第一電漿室内 產生一第一氣體之自由基^ —第二内電極在該第二電漿室 内延伸。該第二内電極藉由跨該第二内電極與一第二外電 極施加該電壓差而在該第二電漿室内產生該第一氣體之該 等自由基。該致動器造成該基座與該自由基反應器之間發 生相對移動。 【實施方式】 本文參考附圖而描述若干實施例。然而，本文所揭示之 160232.doc 201243093 原理可以許多不同之形式體現且不應被解讀為限於本文所 陳述之該等實施例。在描述中，可能省略廣為人知之特徵 及技術，以避免不必要地模糊該等實施例之特徵。 在圖中，類似之參考數字指示類似之元件。為了清晰起 見，該圖之形狀、尺寸及區域及類似之部分可能經放大。 若干實施例係關於一種在沈積裝置中用於在一寬闊基板 上執行原子層沈積（ALD)之延長反應器總成。該延長反應 器總成包含一個或一個以上之注射器及/或自由基反應 器。作為ALD製程之一部分，當該基板經過該注射器或自 由基反應器時，各個注射器或自由基反應器將一氣體或自 由基注射至該基板上。各個注射器或自由基反應器包含複 數個區段，其中至少兩個區段具有不同的橫截面組態。不 同的區段經由不同的導管（例如，管線）接收該氣體。藉由 在該注射器或自由基反應器中提供若干不同的區段，該注 射器或自由基反應器可使該氣體或該等自由基更均勻地注 射於該基板上》各個注射器或自由基反應器可包含一個以 上用於將過量之氣體或自由基排放至該沈積裝置之外側之 出口。 圖1係根據一實施例之一線性沈積裝置1〇〇之一橫截面 圖。圖2係圖1之該線性沈積裝置1〇〇(不具有室壁u〇以便 於解釋）之一透視圖。該線性沈積裝置1〇〇可包含一支撐柱 1 18、一處理室110及一反應器總成136及其他組件。該反 應器總成136可包含一個或—個以上之注射器及自由基反 應器。該等注射器模組中之各者注射源前驅物、反應物前 160232.doc 201243093 驅物、沖洗氣體或此等材料之一組合至該基板12〇上。該 等自由基反應器注射一種或一種以上之氣體之自由基至該 基板120上。該等自由基可用作源前驅物、反應物前驅物 或用作處理§亥基板120之表面之材料。 由該等壁110所封閉之該處理室可維持於一真空狀態， 以防止污染物影響沈積製程。該處理室包含一基座丨2 8， 其收納一基板120。該基座128係放置於一支撐板124上， 以進行一滑動移動。該支撐板丨24可包含一溫度控制器（例 如’一加熱器或一冷卻器）以控制該基板12〇之溫度。該線 性沈積裝置100亦可包含若干升降銷（圖中未顯示），其便於 將該基板120裝載於該基座128上或將該基板120自該基座 12 8拆卸。 在一實施例中，該基座128緊固至若干支架210，該等支 架210移動跨過其上形成有若干螺釘之一延伸桿138。該等 支架210具有形成於其收納該延伸桿13 8之若干孔中之對應 之螺钉。該延伸桿138係緊固至一馬達114之一轉軸，且因 此’該延伸桿138隨著該馬達之該轉軸旋轉而旋轉。該延 伸桿138之旋轉造成該等支架210(且因此該基座128)在該支 標板124上進行一線性移動。藉由控制該馬達114之速度及 旋轉方向’該基座12 8之線性移動之速度及方向可得以控 制。使用一馬達114及該延伸桿138僅為用於使該基座i28 移動之—機構之一實例。可使用多種其他方式來移動該基 座128(例如’在該基座128之底部、頂部或側面使用齒輪 及小齒輪）。此外，該基座128可保持靜止且該反應器總成 160232.doc -9- 201243093 136可移動，而非使該基座128移動。 圖3係根據一實施例之一旋轉沈積裝置300之一透視圖。 可使用該旋轉沈積裝置300代替圖1中之該線性沈積裝置 1 00來執行根據另一實施例之該沈積製程。該旋轉沈積裝 置300可包含反應器320、334、364、368(本文合稱為「反 應器總成」）、一基座3 1 8及封閉此等組件之一容器324、 及其他組件。該基座318將該等基板314緊固在適當的位 置。該反應器總成係放置於該等基板314及該基座318之上 方。該基座318或該反應器總成旋轉，以使該等基板314接 受不同的處理。 該等反應器320、334、364、3 68中之一者或一者以上係 經由出口 330連接至氣體管線，以接收源前驅物、反應物 前驅物、沖洗氣體及/或其他材料。由該等氣體管線提供 之材料可⑴由該等反應器320、334、364、368直接地注射 至該基板314上，（ii)在⑴前在該等反應器320、334、 364、368内側之一室中混合，或（iii)在⑴前藉由在該等反 應器320、3 34、3 64、3 68内產生之電漿而轉變成自由基。 在該等材料係注射至該基板314上之後，多餘之材料可透 過出口 330排出。 本文所述之反應器總成之實施例可用於諸如該線性沈積 裝置100、該旋轉沈積裝置3〇〇或其他類型沈積裝置之沈積 裝置中。圖4係一反應器總成13 6之一實例，其包含串聯而 放置之一注射器402及一自由基反應器404。該注射器402 及該自由基反應器404二者係延長以覆蓋該基板120之寬 160232.doc •10· 201243093 度。安裝有該基板120之該基座128在兩個方向（例如，圖4 中之向右方向及向左方向）往復運動，以將該基板12〇曝露 至由該注射器402及該自由基反應器404注射之氣體及/或 自由基。儘管圖4中僅圖解一個注射器4〇2及一個自由基反 應器404，但可在該線性沈積裝置10〇中提供根更多注射器 及/或自由基反應器。亦可在該線性沈積裝置1〇〇中僅提供 該自由基反應器402或該注射器404。 該注射器402透過管線（例如，管線424、及圖5中所圖解 之*r線512)接收氣體且當該基座128在該注射器424下方移 動時將該氣體注射至該基板120上。經注射之氣體可為一 源氣體、一反應物氣體、沖洗氣體或其一組合。在經注射 至該基板120上之後，將該注射器4〇2中之過量氣體經由出 口410、412排出。該等出口41〇、412係連接至管線（圖中 未顯示），以將過篁之氣體排出該線性沈積裝置】之外 側。該注射器402包含具有+同橫截^组態且經連接至不 同注射管線之兩個區段，如下文將參相5詳細地描述。 藉由提供兩個出口 41〇、412，該注射器術中之過量氣體 可得以更有效地移除。 該自由基反應器404經由管線（圖中未顯示）接收氣體且 具有兩個區段’其具有不同的橫截面組態及分離之内電 極。該自由基反應器404之該本體中形成有若干通道，以 夺斤接收之氣體運送至電毁室。兩個内電極延伸跨越該自 由基反應器例(之長度）之大約—半且係藉由電線432連接 至-電壓源（圖中未顯示）或接地（圖中未顯示）。該等内電 160232.doc 201243093 極係放置於電漿室之内側，如下文將參考圖8及圖9詳細地 描述。該自由基反應器404中之外電極係連接至接地或一 電壓源。在一實施例中，該自由基反應器404之導電本體 用作該等外電極。出口416、420係形成於該自由基反應器 404之該本體中，以將過量之自由基及/或氣體（在被注射至 該基板120期間、之前或之後自該等自由基回復成一非活 性狀態）排出該沈積裝置100。該等出口 416、420係連接至 若干管線（圖中未顯示），以將過量之自由基及/或氣體排放 至該線性沈積裝置100之外側。藉由提供兩個出口 416、 420 ’即便該自由基反應器404之長度相當長，該自由基反 應器404中之過量氣體仍可更有效地移除。 如在圖4中所圖解’該反應器總成之有效長度L2比該基 板120之該寬度長Wi + W2。有效長度L2係指跨該反應器以 預定品質水準在該基板120上執行ALD處理之長度《該預 疋品質水準可由沈積於該基板上之層之特性或性質表示。 由於該沈積在該反應器總成之若干側緣處並非以一均勻且 一致之方式執行，該有效長度傾向於短於該反應器總成之 貫際長度L1。在一實施例中’該基板具有500毫米（mm)或 更大之一寬度。 圖5係根據一實施例之該反應器總成（即，該注射器々ο〗 及該自由基反應器404)之一俯視圖。該注射器402具有兩 個注射器區段5〇1、503，其具有不同之橫截面組態。該注 射器區段501中之該注射器4〇2之本體6〇2(見圖6)形成有一 通道516，其經連接至一管線512，以接收來自一氣體源之 160232.doc 201243093 一氣體。該通道5 16係經由若干孔532連接至一注射器室 5 13，以接收該氣體。類似地，該注射器402之該區段503 形成有一通道522，其係連接至一管線424，以接收來自該 氣體源之該氣體（與經由該管線5 12供應之氣體相同）》該通 道522係經由孔533連接至該注射器室513。下文將參考圖8 及圖9詳盡地描述該等通道516、522 ;孔532、533與該注 射器室5 13之間之連接關係。藉由多個管線及通道將該氣 體提供至該注射器室513中’該氣體可在該注射器室513中 遍及該注射器室513更均勻地分佈。 類似地，該自由基反應器404具有兩個反應器區段505、 507，其具有不同的橫截面組態。該自由基反應器404之本 體606(見圖6)係形成有通道51〇、518，其經連接至管線 714A、714B(見圖7) ’以接收來自一氣體源之一氣體。該 通道510係連接至亦形成於本體606之該反應器區段5〇5中 之一電漿室（在圖7及圖8中由參考數字71 8指示）。一内電極 504在該電漿室内718延伸跨越該自由基反應器404之長度 之大約一半，以當跨該等電極5〇4、82〇施加一電壓差時連 同一外電極（在圖8中用參考數字820指示）在該電漿室71 8内 產生電装。該通道5 18係連接至形成於該本體606之該區段 507中之一電漿室（在圖7及圖9中用參考數字72〇指示）。該 内電極432在該電焚室72〇内延伸跨越該自由基反應器4〇4 之長度之大約一半，以當跨該等電極432、9〇4施加一電壓 差時連同一外電極（在圖9中用參考數字9〇4指示）在該電漿 至720内產生電装。藉由在該自由基反應器404之該本體 160232.doc -13- 201243093 606中提供兩個分離之電漿室828、720，可跨該自由基反 應器404之長度而更均勻地產生該氣體之自由基。 圖6係根據一實施例沿圖4中之線A-A’或線B-B，截取之該 注射器402或該自由基反應器404之一橫截面圖。該注射器 402具有一本體602，該本體602上形成有出口 410、412。 該等出口 410、412係於該本體602之一下方中央區段處鄰 接之孔隙。該等出口 410、412之底部618實質上跨越該注 射器402之長度而延伸，而該等出口 41〇、412之上部612、 614較小，以連接至排放管線。該等出口 41〇及412具有輪 廓化内表面640、644 ’其藉由在該自由基反應器404之下 方中間部分處形成一彎曲部而平滑地接合。 對於該自由基反應器404而言’該自由基反應器4〇4具有 一本體606 ’該本體606上形成有出口 416、420。該等出口 416、420係於該本體606之一中央區段處鄰接之孔隙。該 等出口 416、420之底部618實質上跨越該自由基反應器4〇4 之長度而延伸’而該等出口 41 6、420之上部612、614較 小以連接至排放管線。s亥等出口 416及420具有輪廓化内 表面640、644，其圍繞該自由基反應器4〇4之中間而平滑 地接合。 s該注射盗402或自由基反應器404之長度增加時，該注 射器402或該自由基反應器404内之真空傳導性可能降低。 真空傳導性之降低導致剩餘在該注射器4〇2或自由基反應 器404中之氣體或自由基之排放效率降低。藉由提供多個 出口，該真空傳導性可加強。此有助於更有效地將該等氣 160232.doc 14 201243093 體或自由基自該注射器402或該自由基反應器404排出。 儘管（此處）僅有兩個出口形成於該注射器402及該自由 基反應器404中，但根據該注射器402或該自由基反應器 404之長度’該注射器402及該自由基反應器404中可形成 兩個以上之出口。 圖7係根據一實施例沿圖5中之線C-C，截取之該反應器總 成中之自由基反應器404之一橫截面圖。該自由基反應器 404具有兩個内電極428、504，其各者延伸跨越該自由基 反應器404之該長度之大約一半。該内電極428係放置於該 電漿室720内，且係由一端蓋7〇2及一固持器（圖中未顯示） 緊固。類似地，該内電極504係放置於該電漿室71 8内，且 係由一端蓋722及一固持器710緊固。該等端蓋702、722及 該等固持器（例如，固持器710)係由諸如陶瓷之絕緣材料製 成，以防止該等内電極428、504與該自由基反應器4〇4之 該本體606之間發生短路。該等固持器（例如，固持器71〇) 之結構經設計以固持該等内電極428、504 ,同時允許該等 内電極428、504發生熱膨脹。該等端蓋7〇2、722係藉由螺 釘而緊固至該自由基反應器404之該本體606。該等電線 432、730將該等内電極432、504之末端706、726連接至一 電壓源。 在該自由基反應器404之操作期間，該氣體係經由管線 714A、714B注射至通道510、518中。該氣體經由孔54〇、 544流動進入該等電漿室718、72〇中。在該等電漿室了^、 720中產生電漿，此導致該氣體轉變成自由基。該等自由 160232.doc 15 201243093 基接著經由狹縫734、738注射入形成於該自由基反應器 404之該底部上之該注射室560中》 圖8係根據一實施例沿圖5之D-D，線截取之該反應器總成 在區段501、505處之一橫截面圖。在圖8之實施例中’該 通道514及該等孔532係沿平面F-F"對準。平面F-F"相對於 一垂直平面F-F'以角度α向右側傾斜。在該氣體經由該通道 514及該等孔532注射於一注射室513中之後，該氣體向下 行進朝向該基板120且與該基板120接觸。接著該氣體流經 一狹隘區域840，在此期間，過量的材料（例如，經物理吸 附之源前驅物或反應物前驅物）係自該基板12〇移除。過量 之氣體係經由該出口 412排放至該自由基反應器之外側。 類似地，該通道510、該等孔540、該電漿室718與該内 電極504係沿平面G-G"對準，平面G-G"係相對於該垂直平 面G-G'以角度β傾斜。該角度α與該角度β可具有一相同或 不同之量值。 經由該通道510及該等孔540注射於該電漿室718中之氣 體係藉由跨該内電極504與一外電極820施加一電壓差而轉 變成自由基。所產生之自由基經由該狹縫7 3 4行進至該注 射室560中。在該注射室560内，該等自由基移動朝向該基 板120，且與該基板120接觸。該等自由基可用作一源前驅 物、一反應物前驅物或用作該基板12〇上之表面處理材 料。剩餘之自由基（及/或經回復成一非活性狀態之氣體）穿 過一狹隘區域844且經由該出口 420排出。 圖9係根據一實施例沿圖5之線Ε_Ε，截取之該反應器總成 160232.doc •16· 201243093 於區段503、507處之一橫截面圖。在圖9所示之實施例 中，該通道515及若干孔533係沿平面H-H，'對準，平面H-H，1係相對於一垂直平面Η·Η，以角度α'向左側傾斜。在該氣 體經由該通道5 15及該等孔533注射於該注射室5 14中之 後，該氣體向下行進朝向該基板12〇，且與該基板12〇接 觸。接著該氣體流經一狹隘區域840且經由該出口 41 〇而自 該反應器總成移除。 該通道518、該等孔544、該電漿室720與該内電極432係 沿平面Ι-Γ1對準。平面I-Ι，，係相對於垂直平面Μ，以一角度 β·傾斜。在該注射室560内，該等自由基移動朝向該基板 120，且與該基板120接觸。該等自由基可用作一源前驅 物、一反應物前驅物或用作該基板12〇上之表面處理材 料。剩餘之自由基（及/或經回復成一非活性狀態之氣體）穿 過一狹隘區域844且經由該出口 41 6排出。該角度(1，與該角 度β'可具有相同或不同之量值。 上文參考圖4至圖9所描述之實施例係僅為闡明性實施 例。可對該等實施例做出各種修改或改變。例如，該等孔 540、544、532、533無須與該等通道510、518、514、515 在相同之平面中對準。同樣地，可使用穿孔代替孔或狹縫 將軋體或自由基運送至該基板120。該等注射室514、56〇 可具有除了圖8及圖9中所示之外之多種其他形狀。此外， 該等出□可形成於該注射器或自由基反應器之兩個側（左 側及右側）上而非僅提供於一個側（例如，圖8及圖9中所圖 解之右側）上。 _ 160232.doc -17- 201243093 在一實施例中，該反應器總成藉由使該注射器402注射 三甲基鋁（TMA)至該基板120上作為一源前驅物且使該自 由基反應器404將N20或02之自由基作為一反應物前驅物 注射至該基板上而在該基板120上沈積一 Al2〇3層》亦可使 用多種其他的材料作為源前驅物及反應物前驅物在該基板 上沈積其他的材料。 圖10係根據另一實施例之一反應器總成1 〇〇〇之一俯視 圖。該反應器總成1000係類似於上文參考圖4至圖9所描述 之該反應器總成，只不過該注射器及該自由基反應器係分 割成三個分離之區段。圖1 〇之該注射器包含具有大約相等 長度之注射器區段1010、1014、1018;且該自由基反應器 包含具有大約相等長度之反應器區段1022、1026、1028。 在此實施例中，管線1032A及1040A係連接至該注射器之 一區段1014中之一通道。管線i〇32B係連接至區段1〇1〇中 之一通道’且管線1040B係連接至該注射器之一區段ι〇18 中之一通道。 圖10之該自由基反應器亦類似於圖4至圖9之該自由基反 應器，只不過具有三個内電極1072、1074、1076，其各者 係提供於該等區段1022、1026、1028中之一者中。該三個 内電極1072、1074、1076係藉由固持器1〇32、1036、 1040、1044而緊固，以使該等内電極1072、1〇74、1〇76與 該自由基反應器之該本體絕緣。該内電極丨〇74係經由電線 或其他導電材料連接至端子1052、1056。 根據5亥反應總成之大小及用途，其注射器或自由基反 160232.doc -18 - 201243093 應器可分割成三個以上之區段。該等區段無須具有相等之 長度，且該等注射器與該等自由基反應器之該等區段可具 有不同的長度。在一實施例中，該等注射器與該等自由基 反應器之總長度可不同。此外，料注射器與該等自由基 反應器無須争聯放置，且可遠離彼此而放置。 圖11係根據一實施例之一内電極丨110之一圖。隨著該電 極1110之長度增加，該電極1110之電阻亦可增大。該電極 1110可具有一外層1114及一核心1118。在一實施例中該 外層1114係由不銹鋼、基於鎳_鉻之奥氏體超合金（例如， 英南錦（INCONEL))或鎳鋼合金（例如’怪範鋼（invar))製 成’且該核心11 8係由銅、銀或其合金製成。例如，銅或 銀可注射於一不銹鋼或合金製成之管線中，以形成該核心 1118。或者，對該核心ι118使用由銅、銀或其合金製成之 才干’其經電鑛有S#如鍊之材料’以形成該外層1 1 1 4。藉 由提供具有較高導電率之一核心，該電極丨丨丨0之總體導電 率增加’此有助於沿一電漿室中之該電極丨i 10之長度而更 均勻且一致地產生自由基。在一實施例中，該内電極丨i i 0 具有3 mm至10 mm之一直徑。 儘管上文已經參考若干實施例描述了本發明，但在本發 明之範内仍可做出多種修改。因此，對本發明之揭示目 的在於闡釋而非限制本發明之範_，本發明之範鳴係由下 文之申請專利範圍陳述。 【圖式簡單說明】 圖1係根據一實施例之一線性沈積裝置之一橫截面圖。 160232.doc -19- 201243093 圖2係根據一實施例之一線性沈積裝置之一透視圖° 圖3係根據一實施例之一旋轉沈積裝置之一透視圖β 圖4係根據一實施例之一反應器總成之一透視圖。 圖5係根據一實施例之該反應器總成之一俯視圖。 圖6係根據一實施例沿圖4之線Α-Α·或線Β-Β·截取之該反 應器總成之一橫截面圖。 圖7係根據一實施例沿圖5之線C-C，截取之該反應器總成 之一橫截面圖。 圖8係根據一實施例沿圖5之線D-D，截取之該反應器總成 之一橫截面圖。 圖9係根據一實施例沿圖5之線Ε-Ε，截取之該反應器總成 之一橫截面圖。 圖10係根據另一實施例之一反應器總成之一俯視圖。 圖11係圖解根據一實施例之一線性電極之一圖》 【主要元件符號說明】 100 線性沈積裝置 110 處理室/室壁 114 馬達 118 支撐柱 120 基板 124 支撐板 128 基座 136 反應器總成 138 延伸桿 160232.doc -2〇, 201243093 210 支架 300 旋轉沈積裝置 314 基板 318 基座 320 反應器 324 容器 330 入口 334 反應器 364 反應器 368 反應器 402 注射器 404 自由基反應器 410 出口 412 出口 416 出口 420 出σ 424 管線 428 内電極 432 電線 501 注射器區段 503 注射器區段 504 内電極 505 反應器區段 507 反應器區段 I60232.doc -21· 201243093 510 通道 512 管線 513 室 514 通道 515 通道 516 通道 518 通道 522 通道 532 孔 533 孔 540 子L 544 560 注射室 602 本體 606 本體 612 出口 41 0之上部 614 出口 412之上部 618 出口 410、412之底部 640 内出口 410之内表面 644 出口 412之内表面 702 端蓋 706 末端 710 固持器 714A 管線 160232.doc -22- 201243093 714B 管線 718 電漿室 720 電漿室 722 端蓋 726 末端 730 電線 734 狹縫 738 狹縫 820 外電極 828 電漿室 840 狹隘區域 844 狹隘區域 904 電極 1000 反應器總成 1010 注射器區段 1014 注射器區段 1018 注射器區段 1022 反應器區段 1026 反應器區段 1028 反應器區段 1032 固持器 1032A 管線 1032B 管線 1036 固持器 160232.doc -23- 201243093 1040 固持器 1040A 管線 1040B 管線 1044 固持器 1052 端子 1056 端子 1072 内電極 1074 内電極 1076 内電極 1110 内電極 1114 外層 1118 核心 160232.doc -24

Claims (1)

  1. 201243093 七、申請專利範圍： 1. 一種在一沈積裝置中用於執行原子層沈積（ALD)之反應 器總成，其包括： 一自由基反應器，其包括： . 一本體，其經放置鄰近其上安裝有基板之一基座， . 該本體在該自由基反應器之縱向延伸一第一距離之一 第一反應器區段中形成有一第一電漿室且在縱向延伸 一第二距離之一第二反應器區段中形成有一第二電漿 室； 在該第一電漿室内延伸之一第一内電極，該第一内 電極經組態以藉由跨該第一内電極與一第一外電極施 加一電壓差而在該第一電漿室内產生一第一氣體之自 由基；及 在S亥第一電漿室内延伸之一第二内電極，該第二内 電極經組態以藉由跨該第二内電極與一第二外電極施 加該電壓差而在該第二電漿室内產生該第一氣體之該 等自由基。 2. 如請求項1之反應器總成，其中該本體係進一步形成 • 有： • 一注射室’其係連接至該第一電漿室及該第二電漿 室’以接收該等自由基，其中該等自由基係自該注射室 /主射至該基板上； 一狹I1 益區域，其具有一高度小於該注射室之一高度；及 經連接至該狹隘區域之至少一個出口，該至少一個出 160232.doc 201243093 口經組態以自該反應器總成排放該等自由基。 3-如請求項1之反應器總成’其中該第一電漿室係形成於 該注射室之一側處且該第二電漿室係形成於該注射室之 另一側處。 4. 如請求項1之反應器總成’其中該本體進一步在該第一 反應器區段中形成有一第一反應器通道且在該第二反應 器區段中形成有一第二反應器通道’該第一反應器通道 係經由一第一導管連接至一氣體源，且該第二反應器通 道係藉由與該第一導管分離之一第二導管連接至該氣體 源。 5. 如請求項1之反應器總成’其中該本體進一步形成有用 於使5玄專自由基自該反應器總成排放之至少兩個出口， 該至少兩個出口中之二者具有若干内表面，該等内表面 於該兩個出口之間之一位置處接合。 6 ·如凊求項1之反應器總成’其進一步包括一注射器，其 形成有： 位於該注射器之一第一注射器區段中之一第一注射器 通道，其係用於經由一第一導管而接收一第二氣體； 位於該注射器之一第二注射器區段中之一第二注射器 通道，其係用於經由一第二導管而接收該第二氣體； 一至，其係連接至該第一注射器通道及該第二注射器 通道，以接收該氣體且將該氣體注射至該基板上，至少 一個出口係用於使氣體自該反應器總成排放；及 一狹隘區域，其將該室連接至該至少一個出口，該狹 I60232.doc •2· 201243093 f益區域具有一高度小於該注射室之一高度。 7·如請求項6之反應器總成，其中該第—注射器通道係形 成於該室之-側處且該第二注射器通道係形成於該室之 另一側處。 . 8_如請求項1之反應器總成，其中該反應器總成之一有效 . 長度大於該基板之一寬度。 一内電極包含一核 —第二材料具有一 9.如請求項1之反應器總成，其中該第 心及一外層，該核心係由比該外層之 更高導熱率之一第一材料製成。 1 0 ·如β求項9之反應器總成’其中該第一材料包括銅、銀 或其合金；且該第二材料包括不錄鋼、基於錄-鉻之奥氏 體超合金或錄鋼合金。 11. 一種用於使用原子層沈積（ALD)在一基板上沈積一個或 一個以上之材料層之沈積裝置，其包括： 一基座，其經組態以安裝一基板； 一自由基反應器，其包括： 一本體’其經放置鄰近該基座，該本體在該自由基 反應器之縱向延伸一第一距離之一第一反應器區段中 形成有一第一電漿室且在縱向延伸一第二距離之一第 • 二反應器區段中形成有一第二電漿室； 在該第一電漿室内延伸之一第一内電極，該第一内 電極經組態以藉由跨該第一内電極與一第一外電極施 加一電壓差而在該第一電漿室内產生一第一氣體之自 由基；及 160232.doc 201243093 在§亥第二電漿室内延伸之一第二内電極，該第二内 電極經組態以藉由跨該第二内電極與—第二外電極施 加該電壓差而在該第二電漿室内產生該第一氣體之該 等自由基；及 致動器’其經組態以造成該基座與該自由基反應 器之間發生相對移動。 12. 如請求項1丨之沈積裝置，其中該本體係進一步形成有： 一注射室’其係連接至該第一電漿室及該第二電漿 室，以接收該等自由基，其中該等自由基係自該注射室 注射至該基板上； 一狹P益區域，其具有高度小於該注射室之高度；及 連接至該狹隘區域之至少一個出口，該至少一個出口 經組態以自該反應器總成排放該等自由基。 13. 如請求項11之沈積裝置，其中該第一電漿室係形成於該 注射至之側處且g亥第一電漿室係形成於該注射室之另 一側處。 14. 如請求項丨丨之沈積裝置，其中該本體係進一步形成有位 於該第一反應器區段中之一第一反應器通道及位於該第 二反應器區段中之一第二反應器通道，該第一反應器通 道係經由一第一導管連接至一氣體源，且該第二反應器 通道係經由與該第一導管分離之一第二導管連接至該氣 體源。 15·如請求項丨丨之沈積裝置，其中該本體係進一步形成有至 >、兩個出口，其係用於使該等自由基自該反應器總成排 160232.doc 201243093 放，且該至少兩個出口之内表面於該至少兩個出口之間 接合。 16. 士明求項η之沈積裝置，其進一步包括一注射器，其形 成有： 位於該注射器之—第一注射器區段中之一第—注射通 道，其係用於經由—第一導管而接收一第二氣體； 位於該注射器之一第二注射器區段中之一第二注射通 道，其係用於經由一第二導管而接收該第二氣體； 一室，其係連接至該第一注射通道及該第二注射通 道，以接收該氣體且將該氣體注射至該基板上，至少一 個出口係用於使該氣體自該反應器總成排放；及 一狹隘區域，其將該室連接至該至少一個出口，該狹 隨區域具有一高度小於該注射室之一高度。 17.如=求項16之沈積裝置，#中該第—注射通道係形成於 该至之一側處且該第二注射通道係形成於該室之該相對 之側處。 Λ 18.如請求項η之沈積裝置， 度係大於該基板之一寬度 其中該反應器總成 之一有效長 19. 如請求項11之沈積裝置，其中該第— 及一外層，該核心係由比該外層之— 高導熱率之一第一材料製成。 内電極包含一核心 第二材料具有一更 20·如請求項19之沈積裝置，其中該弟 其合金；且該第二材料包括不銹鋼 超合金或鎳鋼合金。 一材料包括鋼、銀或 基於錄-絡之奧氏體 I60232.doc
TW100142959A 2010-11-24 2011-11-23 用於在大型基板上執行原子層沈積之具有多區段之延長反應器總成 TWI444500B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US41693110P 2010-11-24 2010-11-24

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201243093A true TW201243093A (en) 2012-11-01
TWI444500B TWI444500B (zh) 2014-07-11

Family

ID=46063115

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW100142959A TWI444500B (zh) 2010-11-24 2011-11-23 用於在大型基板上執行原子層沈積之具有多區段之延長反應器總成

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20120125258A1 (zh)
KR (1) KR101538874B1 (zh)
CN (1) CN103189543A (zh)
TW (1) TWI444500B (zh)
WO (1) WO2012071195A1 (zh)

Families Citing this family (255)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100037824A1 (en) * 2008-08-13 2010-02-18 Synos Technology, Inc. Plasma Reactor Having Injector
US8851012B2 (en) * 2008-09-17 2014-10-07 Veeco Ald Inc. Vapor deposition reactor using plasma and method for forming thin film using the same
US8770142B2 (en) * 2008-09-17 2014-07-08 Veeco Ald Inc. Electrode for generating plasma and plasma generator
US8871628B2 (en) * 2009-01-21 2014-10-28 Veeco Ald Inc. Electrode structure, device comprising the same and method for forming electrode structure
US8257799B2 (en) 2009-02-23 2012-09-04 Synos Technology, Inc. Method for forming thin film using radicals generated by plasma
US8758512B2 (en) * 2009-06-08 2014-06-24 Veeco Ald Inc. Vapor deposition reactor and method for forming thin film
JP5310512B2 (ja) * 2009-12-02 2013-10-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
FI124113B (fi) * 2010-08-30 2014-03-31 Beneq Oy Laitteisto ja menetelmä substraatin pinnan muokkaamiseksi
US8771791B2 (en) 2010-10-18 2014-07-08 Veeco Ald Inc. Deposition of layer using depositing apparatus with reciprocating susceptor
US8877300B2 (en) 2011-02-16 2014-11-04 Veeco Ald Inc. Atomic layer deposition using radicals of gas mixture
US9163310B2 (en) 2011-02-18 2015-10-20 Veeco Ald Inc. Enhanced deposition of layer on substrate using radicals
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
KR101482630B1 (ko) 2012-11-07 2015-01-14 삼성디스플레이 주식회사 기상 증착 장치
US9493874B2 (en) 2012-11-15 2016-11-15 Cypress Semiconductor Corporation Distribution of gas over a semiconductor wafer in batch processing
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US11267012B2 (en) * 2014-06-25 2022-03-08 Universal Display Corporation Spatial control of vapor condensation using convection
EP2960059B1 (en) 2014-06-25 2018-10-24 Universal Display Corporation Systems and methods of modulating flow during vapor jet deposition of organic materials
US11220737B2 (en) 2014-06-25 2022-01-11 Universal Display Corporation Systems and methods of modulating flow during vapor jet deposition of organic materials
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
KR102337670B1 (ko) * 2015-03-30 2021-12-09 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치 및 이를 이용한 박막 증착 방법
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
KR102420015B1 (ko) * 2015-08-28 2022-07-12 삼성전자주식회사 Cs-ald 장치의 샤워헤드
US10566534B2 (en) 2015-10-12 2020-02-18 Universal Display Corporation Apparatus and method to deliver organic material via organic vapor-jet printing (OVJP)
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11948783B2 (en) * 2016-11-15 2024-04-02 Applied Materials, Inc. Dynamic phased array plasma source for complete plasma coverage of a moving substrate
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
WO2019103610A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
JP7124098B2 (ja) 2018-02-14 2022-08-23 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
TWI843623B (zh) 2018-05-08 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
WO2020003000A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
TW202409324A (zh) 2018-06-27 2024-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料之循環沉積製程
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
TWI844567B (zh) 2018-10-01 2024-06-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材保持裝置、含有此裝置之系統及其使用之方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
KR20200056273A (ko) * 2018-11-14 2020-05-22 주성엔지니어링(주) 기판처리장치 및 기판처리방법
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
JP7253972B2 (ja) * 2019-05-10 2023-04-07 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN118422165A (zh) 2019-08-05 2024-08-02 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
KR20210089079A (ko) 2020-01-06 2021-07-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 채널형 리프트 핀
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
JP2021172884A (ja) 2020-04-24 2021-11-01 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム含有層を形成する方法および窒化バナジウム含有層を含む構造体
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體處理系統
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR102707957B1 (ko) 2020-07-08 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5468557A (en) * 1989-01-12 1995-11-21 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Ceramic insulated electrical conductor wire and method for manufacturing such a wire
CN2116012U (zh) * 1992-04-14 1992-09-16 北京有色金属研究总院 不锈钢包铜复合电极
KR960000190B1 (ko) * 1992-11-09 1996-01-03 엘지전자주식회사 반도체 제조방법 및 그 장치
FR2704558B1 (fr) * 1993-04-29 1995-06-23 Air Liquide Procede et dispositif pour creer un depot d'oxyde de silicium sur un substrat solide en defilement.
US6200389B1 (en) * 1994-07-18 2001-03-13 Silicon Valley Group Thermal Systems Llc Single body injector and deposition chamber
JP3483494B2 (ja) * 1998-03-31 2004-01-06 キヤノン株式会社 真空処理装置および真空処理方法、並びに該方法によって作成される電子写真感光体
EP1162646A3 (en) * 2000-06-06 2004-10-13 Matsushita Electric Works, Ltd. Plasma treatment apparatus and method
US7351449B2 (en) * 2000-09-22 2008-04-01 N Gimat Co. Chemical vapor deposition methods for making powders and coatings, and coatings made using these methods
US8471170B2 (en) * 2007-07-10 2013-06-25 Innovalight, Inc. Methods and apparatus for the production of group IV nanoparticles in a flow-through plasma reactor
US8333839B2 (en) * 2007-12-27 2012-12-18 Synos Technology, Inc. Vapor deposition reactor
US20100037820A1 (en) * 2008-08-13 2010-02-18 Synos Technology, Inc. Vapor Deposition Reactor
US8851012B2 (en) * 2008-09-17 2014-10-07 Veeco Ald Inc. Vapor deposition reactor using plasma and method for forming thin film using the same
US8257799B2 (en) * 2009-02-23 2012-09-04 Synos Technology, Inc. Method for forming thin film using radicals generated by plasma
US8771791B2 (en) * 2010-10-18 2014-07-08 Veeco Ald Inc. Deposition of layer using depositing apparatus with reciprocating susceptor
US20120213947A1 (en) * 2011-02-18 2012-08-23 Synos Technology, Inc. Depositing thin layer of material on permeable substrate
US20130092085A1 (en) * 2011-10-17 2013-04-18 Synos Technology, Inc. Linear atomic layer deposition apparatus
KR101969066B1 (ko) * 2012-08-23 2019-04-16 삼성디스플레이 주식회사 기상 증착 장치
US20140065307A1 (en) * 2012-09-06 2014-03-06 Synos Technology, Inc. Cooling substrate and atomic layer deposition apparatus using purge gas
KR101482630B1 (ko) * 2012-11-07 2015-01-14 삼성디스플레이 주식회사 기상 증착 장치
US20140205769A1 (en) * 2013-01-22 2014-07-24 Veeco Ald Inc. Cascaded plasma reactor
KR102124042B1 (ko) * 2013-02-18 2020-06-18 삼성디스플레이 주식회사 기상 증착 장치, 이를 이용한 증착 방법 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법
KR20150078306A (ko) * 2013-12-30 2015-07-08 삼성디스플레이 주식회사 원자층 증착 장치 및 원자층 증착 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR20130088875A (ko) 2013-08-08
US20120125258A1 (en) 2012-05-24
WO2012071195A1 (en) 2012-05-31
CN103189543A (zh) 2013-07-03
TWI444500B (zh) 2014-07-11
KR101538874B1 (ko) 2015-07-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW201243093A (en) Extended reactor assembly with multiple sections for performing atomic layer deposition on large substrate
US20120114877A1 (en) Radical Reactor with Multiple Plasma Chambers
US8771791B2 (en) Deposition of layer using depositing apparatus with reciprocating susceptor
US20140030447A1 (en) Deposition of Graphene or Conjugated Carbons Using Radical Reactor
KR102109108B1 (ko) 독립형 가열 엘리먼트
US8840958B2 (en) Combined injection module for sequentially injecting source precursor and reactant precursor
KR101561013B1 (ko) 기판처리장치
KR20120056878A (ko) 곡면상에 박막을 형성하기 위한 기상증착 반응기
JP2014515790A (ja) ホットワイヤ原子層堆積装置及び使用方法
JP2015530477A (ja) 基板加熱装置及びプロセスチャンバー
TW201404931A (zh) 沈積裝置中具有多階清除結構之反應器
JP7018882B2 (ja) 処理チャンバのための高温ヒータ
WO2012015744A1 (en) Rotating reactor assembly for depositing film on substrate
TW201207976A (en) Method of improving film non-uniformity and throughput
US10513433B2 (en) Laminated ceramic chip component including nano thin film layer, manufacturing method therefor, and atomic layer vapor deposition apparatus therefor
KR101482630B1 (ko) 기상 증착 장치
WO2019104021A1 (en) Ceramic pedestal having atomic protective layer
US20140037846A1 (en) Enhancing deposition process by heating precursor
KR101338827B1 (ko) 증착 장치
KR20190104040A (ko) 기판-바이어스된 원자층 증착을 위한 향상된 전기적 절연을 가진 척 시스템 및 방법
US20220145455A1 (en) Reactor and related methods
JP2024021368A (ja) 成膜用反応性ガスを射出するためのヘッドとその製造方法
KR20130074704A (ko) 증착 장치
KR20130043393A (ko) 증착 장치 및 증착 방법
RU2007131404A (ru) Инжекционный лазер, способ его изготовления и устройство для газофазной эпитаксии

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees