TW201234707A - Electronic part - Google Patents

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201234707 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種雷早觉# _ H x J 电于零件，更特定而言，係關於具 備由複數個LC並額振器構成之帶通渡波器之電子零件。 【先前技術】 作為習知電子零件，例如，已知專利文獻1揭示之積

層帶通渡波器。該積層帶通渡波器具備積層體及複數個LC 並聯諧振器。積層體係複數個電介質層積層而構成。各lc 並聯譜振器係藉由電容器電極與電感器電極構成。電感器 電極係形成為環狀。此外，各Lc並聯譜振器之環面彼此重 豐。在上述積層帶通渡波器，由於環面彼此重4，因此能 提尚相鄰之LC並聯諧振器之電感器電極間之耦合度，可謀 求廣帶域化。 以而，在具備由複數個LC並聯諧振器構成之帶通滤波 益之電子零件，會有為了獲得所欲特性而欲降低…並聯譜 ㈣之電感Ilf極間之耗合度之情形。在專利文獻丨揭示 =積層帶it Μ器’作為使相鄰之Lc並聯譜振器間之搞合 度下降之方法，可舉出使Lc並聯譜振器間之距離增力一 =若使IX並聯㈣器間之距離增加，則會有積層帶通遽 波益大型化之問題。 專利文獻1 :國際公開第2007/1 193S6號小冊子 【發明内容】 因此，本發明之目的在於提供一種不使元件大型化且 錢LC並聯餘1|之線„之搞合度降低之電子零件。 201234707 本發明-形態之電子零件，具備：積層體，係藉由複 數個絕緣體層積層而構成；環狀之第—LC並料振器及第 一 LC並聯諧振器，係由在積層方向延伸之通孔導體及設在 ”亥邑，.彖體層上之導體層構成，且構成帶通濾波器；該第— LC並聯谐振器之第！環面與該第二Lc並聯諧振器之第2 環面在積層方向彼此平行’且從該第i環面之法線方向俯 視時，在至少一部分彼此重疊；該第丨環面在積層方向之 上側及/或下側從該第2環面露出。 根據本發明，不使元件大型化且能調整LC並聯譜振器 之線圈間之耦合度。 ° 【實施方式】 以下，說明本發明實施形態之電子零件。 (電子零件之構成） 以下，參照圖式說明本發明一實施形態之電子零件之 構成。圖1係本發明實施形態之電子零件1〇之外觀立體 圖。圖2係電子零件1〇之積層體12之分解立體圖。圖3 係電子零件1G之等效電路圖。圖i及圖2中，ζ轴方向表 丁積層方向。Χ ’ χ軸方向表示沿著電子零件之長邊之方 向’ y輪方向表示沿著電子零件1G之短邊之方向。 A電子零件10，如圖1及圖2所示，具備積層體u、外 :電極u〇4a〜⑷）、LC並聯譜振器LC1〜LC3及引出導體卜 層 2〇(20a，20b)，28(28a，28b)。 積層體12 ’如圖2所示，係藉由由陶瓷電介質構 、、邑緣體層叫6a〜16g)積層而構成，呈長方體狀。又，積層

S 201234707 體12内設LC並聯諧振器LC1〜LC3。 外部電極l4a，如圖1所示，係設在x軸方向之負方向 側之側面’作為輸人電極使用。外部電極⑷，係設在X轴 方向之;正方向側之側面，作為輸出電極使用。外部電極 1 k m y ϋ方向之負方向側之側面’作為地電極使用。 外部電極14 d，传却·太λ，紅士 a 係叹在y軸方向之正方向側之側面，作為地 電極使用。 絕緣體層16，如圖2所示，呈長方形狀，例如，藉由 陶竞電介質構成。絕緣體層16a〜16g，在£軸方向依序排列 積層。以下，將絕緣體層16之2轴方向之正方向側之面稱 為表面，將絕緣體層16之2軸方向之負方向側之面稱為背 面。 並聯諧振器LC1包含線圈電容器…更詳細 而。LC並聯拍振器LC1係由通孔導體bl〜b9、電容器導 體層22a、線圈導體層24a及接地導體層％構成，呈環狀。 電容器C1係藉由電容器導體層…及接地導體層％ 榍成接地導體層26為設在LC並聯諧振器LC i之z轴方 向之最負方向側之導體層，設在絕緣體層l6g之表面上。 接地導體^ 26呈長方形狀’覆蓋絕緣體層i 6g之大致整 面。電容器導體層22a為隔著絕緣體層16f與接地導體層 26對向之導體層，設在絕緣體層16f之表面上。藉此，在 電容器導體層22a與接地導體層26之間產生靜電容。電容 器導體層22a呈纟y軸方向具有長邊方向之長方形狀，設在 較絕緣體f 16f之對角線之交叉點更# χ車由方向之負方向 201234707 側0 線圈L1係藉由通孔導體bl〜b9及線圈導體層24a構 成。通孔導體bl〜b4分別在z軸方向貫通絕緣體層 1 6b〜1 6e。又，通孔導體b4之z軸方向之負方向側之端部係 連接於電容器導體層22a。藉此，通孔導體bi〜b4構成連接 於電谷器導體層22a且在z軸方向延伸之一條通孔導體。通 孔導體b5〜b9分別在z軸方向貫通絕緣體層16b〜16f，設在 較通孔導體bl〜b4更靠y軸方向之正方向側。又，通孔導 體b9之z軸方向之負方向側之端部係連接於接地導體層 26。藉此，通孔導體b5〜b9構成連接於接地導體層％且在 z軸方向延伸之一條通孔導體。 —^ w命hi i及z竿由万向 之最正方向側之導體層，設在絕緣體層⑽之表面上。線 圈導體層24a呈在y軸方向且有县邊 、有長邊方向之長方形狀，設在 較絕緣體層1 6b之對角線之交又 VI , 又點更靠x軸方向之負方向 側。此外’線圏導體層24a俜遠 、勹 .^3 連接於由通孔導體bl〜b4槿 成之一條通孔導體之z軸方 構 b5~b9 沒 方向側之端部與由通孔 等遛M b9構成之一條通孔導體之ζ 端部。亦即，通孔導體以^由 肖之正方向側之 連接於線圈導體層…之 °之正方向側之端部係 導體b5之z軸方向 °之負方向側之端部。通孔 24…軸方向之…：端部係連接於線圈導體層 ^之正方向側之端部。 年股層 線圈L1呈以通孔導體b4盎 之連接點為一蛣 ，、電谷器導體声22a 巧4，經由通孔導體bl〜b 等體層22a 線圏導體層24a、

6 201234707 通孔導體b5〜b9而以通孔導體b9與接地導體層26為另一 端之：7字型。 以上述方式構成之LC並聯諧振器LC1，形成與yz平 面平行之環面S1。環面si為由LC並聯諧振器LC1形成 之長方形狀之假想平面。 LC並聯諧振器LC2包含線圈L2及電容器C2。更詳細 而言’ LC並聯諧振器[¢2係由通孔導體b 1 0〜b 1 6、電容器 導體層22b、線圈導體層24b及接地導體層26構成，呈環 狀。 電容器C2係藉由電容器導體層22b及接地導體層26 構成。接地導體層26為設在LC並聯諧振器LC2之z軸方 向之最負方向側之導體層，設在絕緣體層丨6g之表面上。 接地導體層26呈長方形狀，覆蓋絕緣體層1 6g之大致整 面。亦即’電容器C2之接地導體層26與電容器C1之接地 導體層26共通，設在相同之絕緣體層16g之表面上。電容 器導體層22b為隔著絕緣體層1 6f與接地導體層26對向之 導體層，逵在絕緣體層16f之表面上。藉此，在電容器導體 層22b與接地導體層26之間產生靜電容。電容器導體層22b 呈在y軸方向具有長邊方向之長方形狀，設在絕緣體層16f 之對角線之交又點上。 線圈L2係藉由通孔導體blO〜bl6及線圈導體層24b構 成。通孔導體bl〇〜bl2分別在z軸方向貫通絕緣體層 16c〜16e。又，通孔導體bl2之z軸方向之負方向側之端部 係連接於電容器導體層22b。藉此，通孔導體Μ〇〜構成 201234707 連接於電容器導體層22b且在z軸方向延伸之一條通孔導 體。通孔導體M3〜bl6分別在z軸方向貫通絕緣體層 16c〜16f，設在較通孔導體bl〇〜Μ2更靠丫軸方向之正方向 側。又’通孔導體b 1 6之z軸方向之負方向側之端部係連接 於接地導體層26。藉此’通孔導體⑴〜…構成連接於接 地導體層26且在z軸方向延伸之一條通孔導體。 線圈導體層24b為設在LC並聯諸振器LCkz轴方向 之最正方向側之導體層，設在絕緣體層16〇之表面上。線圈

導體層24b呈在+ p A y軸方向具有長邊方向之長方形狀，設在 絕緣體層16。之對角線之交又點上。此外，線圈導體層24b 系連接於由通孔導體blG〜bl2構成之—條通孔導體之Z轴 向之正方向側之端部與由通孔導體…〜…構成之一條 ，孔導體t Z軸方向之正方向側之端部。亦即，通孔導體 1 〇之z轴方向之下士， y 正方向側之端部係連接於線圈導體層24b :y軸方向之負方向側之端部。通孔導體bi3之z軸方向之 二向側之端部係連接於線圈導體層24…軸方向之正 方向側之端部。 如此’線圈L2呈以L, 之 乂通孔導體與電容器導體層2几 %强點為一端，錄cb7丨、较 通孔導體…〜bl6而以通孔二W〜心線圈導體層 —跑 通孔導體b16與接地導體層26為另 鳊之；7字型。 以上述方式構成 面平 C並聯谐振器LC2，形成與％平 丁仃之環面S2。環而达丄 之| t π Μ為由IX並聯諧振器LC2形成 之長方形；1 大之假想平自。 ^ 201234707 LC並聯諧振器lC3包含線圈 _ 、 κ围U及電容器C3。更詳細 而言’ LC並聯譜振器LC3係由诵：f丨播μ , 丨丁田逍孔導體bl7〜b25、電容器 導體層22c、線圈導體層24及 增 及接地導體層26構成，呈環 狀。 電谷器C3係藉由電容写導 电谷态導體層22c及接地導體層26 構成。接地導體層26為設在lc计b上 l並聯諧振器LC3之z軸方 向之最負方向側之導體層，設在 災甩緣體層16g之表面上。 接地導體層26呈長方形狀，涛焚/ 」f蓋絕緣體層16g之大致整 面。亦即，電容器C3之接地導 饮。守體層26與電容器C1，C2之 接地導體層26共通，·#§·力相ρη + . 、°又在相冋之絕緣體層16g之表面上。 電容器導體層22c為隔著絕绫妒s 巧加者絕、.象體層l0f與接地導體層％對 向之導體層’設在絕緣體層1 6f 又表面上。藉此，在電容器 導體層22c與接地導體層26夕„ A , 菔層26之間產1靜電纟。電容器導體 層22c呈在y軸方向具有長邊方 仗瓊方向之長方形狀，設在較絕緣 體層16f之對角線之交又點更靠χ軸方向之正方向側。 線圈L3係藉由通孔導體^7〜…及線圈導體層a構 成通孔導體b 17〜b20分別纟z軸方向貫通絕緣體層 16b〜16e。又’通孔導體b2〇^z轴方向之負方向側之端部 係連接於電容器導體層22c。藉此，通孔導體bl7〜b2〇構成 速接於電容器導體| 22C且在z轴方向延伸之一條通孔導 體。通孔導體b21〜b25分別在z軸方向貫通絕緣體層 16b〜16f ’設在較通孔導體bl7〜b2〇更靠丫軸方向之正方向 側。又，通孔導體b25之z軸方向之負方向側之端部係連接 於接地導體層26。藉此，通孔導體b21〜b25構成連接於接 201234707 地導體層26且在z軸方向延伸之_條通孔導體。 線圈導體層24c為設在LC並聯諧振器如 之最正方向側之導體層，設在絕： 圈導體層A呈在^方向具有長邊方向之長^上^ 較絕緣體I⑽之對角線之交又點更靠X軸方向之正方向 :成此外，線圈導體層24e係、連接於由通孔導體 =—條通孔導體之z轴方向之正方向側之端部與由通 體…〜b25構成之一條通孔導體之z轴方向之正方向 二即’通孔導體bl7W方向之正方向側之端 接於線圈導體層A之❻方向之負方向側之端部。 _1之2軸方向之正方向側之端部係、連接於線圈導 肚· 2 4 C之y軸方向之正方向側之端部。 、此，線圈L3呈以通孔導體b20與電容器導體層22c 之連接點為-端，經由通孔導體bl7〜b20、線圈導體層24c、 通孔導體b21〜b25而以通孔導體b25與接地導體層％ 一端之〕字型。 ， 。U上述方式構成之[C並聯諧振器LC3，形成與yz平 面平行之環面S3。環面S3為由LC並聯諧振器LC3形成 之長方形狀之假想平面。

Lc並聯諧振器LC1〜LC3之環面S1〜S3與”平面平行 即’與Z轴方向平行且彼此平行），從X軸方向（亦即， 辰面s 1〜S 3之法線方向）俯視時，在至少一部分重疊。此外， %面Sl與環面S3失著環面S2。藉此，如圖3所示，Lc並 聯言皆振@ τ Γ» 1 π ' ' 盗LC 1之線圈L i與LC並聯諧振器LC2之線圈L2

S 10 201234707 電磁耦合。又，LC並聯諧振器LC2之線 ▲竹IX並聯 諧振器LC3之線圈L3電磁耦合。 又，在LC並聯譜振器LC1，LC3設在z轴方向之最正 方向側之線圈導體層24a，24c係設在絕緣層16b之表面 該絕緣層16b係設在較在LC並聯諧振器LC2設在z軸 向之最正方向側之線圈導體層24b更靠z軸 : y 』〈止方向 :。藉此’環面Sl’ S3 ’在z軸方向之正方向側從環面μ 露出。藉此’ LC並聯諧振器LC1之環面S1之—部分與Lc 並聯諧振H LC3之環面S3之一部分對向。其結果，線圈 L1與線圈L3電磁耦合。以上述方式構成之Lc並聯諧振器 LC 1〜LC3構成帶通遽波器。 引出導體層20a設在絕緣體層16f之表面上，連接於電 容器導體層22a且引出至絕緣體層1訐之χ軸方向之負方向 側之短邊。藉此，引出導體層20a連接於外部電極14a。其 結果，LC並聯諧振器LC1在電容器ci與線圈u之間與 外部電極14a電氣連接。 引出導體層20b設在絕緣體層i6f之表面上，連接於電 令器導體層22c且引出至絕緣體層16f之X軸方向之正方向 側之短邊。藉此’引出導體層20b連接於外部電極14b。其 結果，LC並聯諧振器LC3在電容器C3與線圈l3之間與 外部電極14b電氣連接。 引出導體層28a設在絕緣體層16g之表面上，連接於接 也專體層2 6且引出至絕緣體層1 6 g之y軸方向之負方向側 之長邊。藉此，引出導體層28a連接於外部電極Mc。其結 11 201234707 果，LC並耳㈣振器LC1〜LC3分別在電容器ci〜c3與線圈 L1〜L3之間與外部電極i4c電氣連接。 引出導體層28b設在絕緣體層16g之表面上，連接於 接地導體層26且引出至絕緣體層y轴方向之正方向 側之長邊。藉此，引出導體層鳩連接於外部電極Md。其 結果，LC並聯諧振器LC1〜LC3分別在電容器〇〜㈡與線 圈L1〜L3之間與外部電極14d電氣連接。 接著’參照圖1至圖3說明電子零件1〇之動作之一例。 首先’從外部電極14a輸人之具有正電壓之高頻訊號， 如圖3所示，從x軸方向之正方向侧俯視時，順時針流動。 〃線圏L1與線圈L2電絲合。藉此，若高頻訊號叫 從X軸方向之正方向側俯視時在LC L皆振器⑽順時 針流動，則高頻訊號Sig2因電磁感應從4方向之正方向 側俯視時在LC並聯㈣器L(：2逆時針流動。 "線圈L2與線圈L3電磁耦合。藉此’若高頻訊號叫2 從X轴方向之正方向側俯視時在LC ϋ聯諸振器LC2逆時 針流動，則高頻訊號Sig3因電磁感應從以方向之正方向 側俯視時在LC並聯諧振器LC3順時針流動。藉此，高頻 机號sig3從外部電極14b輸出。此外，由於線圈u與線圈 U亦彼此電磁搞合，因此高頻訊號心之功率亦被 其影響。 此處，IX並聯諸振器LC1〜LC3分別具有藉由線圈 L1〜U及電容器C1〜C3決定之固有之譜振頻率。此外，lc 並聯譜振器LC1〜LC3之阻抗，在此等諧振頻率變高。藉此，

S 12 201234707 藉由此等靖振頻率決定之既定頻帶之高頻訊號Sig3從外部 電極14b輸出。 (電子零件之製造方法） 接著，參照圖1及圖2說明電子零件1〇之製造方法。 首先，準備待作為絕緣體層16之陶瓷坯片。接著，在 待作為絕緣體m16f之陶究述片分別形成通孔導體 bJ〜b25。具體而言，對待作為絕緣體層16b〜16f之陶瓷坯片 '、、、射雷射束以形成通孔。接著，對該通孔藉由印刷塗布等 方法填充Ag、pd、Cu、Au或此等之合金等之導電性糊。 接著’在待作為絕緣體層16b，16c，i6f，W之陶究坯 片上’以網版印刷法或光微影法等方法塗布以Ag、Pd、Cu、 Au或此等之合金等為主成分之導電性糊，藉此形成引出導 體層20a’ 2Gb、電容器導體|以咖、線圈導體層 24a〜2k、接地導體層26及引出導體層2以，2化。此外，在 引出導體層2Ga’2()b、電容器導體層仏，221)、線圈導體層 之形成時’進行對通孔之導電性糊之填充亦可。 接著，將各陶竞堪片積層。具體而言，配置待作為絕 緣體層16g之陶竟链片。接著，在待作為絕緣體層叫之 =培片上配置待作為絕緣體層16f之陶以片。之後，使 待作為絕緣體層16f之陶以片對待作為絕緣體層叫之陶 ㈣片壓接。之彳4 ’針料作為料制丨^丨从丨6。，i % 心之陶竞坯片亦同樣地依此順序積層 驟，形成母積層體。對此母積’ &可積層體藉由靜水壓加壓等施加 正式壓接。 201234707 3由切刀將母積層體裁 12。對此未燒成之攻既疋尺寸之積層體 成之積層體12進行脫結合劑處理 藉由以卜牛挪_ σ劁處理及燒成。 施加筒式力二=Γ:ΓΓ體12。對積層體12 例如浸潰法等方、層體12之表面藉由 待作為外部電極U之:電？。主成分為銀之電極糊’形成 最後’在銀電極之矣而& Λ χτ. ^ ^ 成外部電極14。經由 鑛敷/Sn鏟敷，藉此形 1〇0 以上步驟，完成圖1所示之電子零件 (效果） 根“上述方式構成之電子零件1G，不使元件大型化 产:：LC並聯譜振器LC1〜LC3之線圈L1〜L3間之耗合 又。’在具備由複數個LC並聯諧振器構成之帶通減波 器之電子零#，合女* d 〇α 會有為了獲得所欲特性而欲降低LC並聯諧 振益之線？間之耦合度之情形。在專利文㉟【揭示之積層 帶通;慮波$ ’作為使相鄰之LC並聯諸振器之線圈間之 度下降之方、土 們口 法’可舉出使LC並聯諧振器間之距離增加。然 —吏LC並聯谐振器間之距離增加，則會有積層帶通濾 波器大型化之問題。 另一方面’在電子零件10，LC並聯諧振器LC1之環面 S 1在z軸方向之正方向側從L(：並聯諧振器lC2之環面 S2露出。亦即，在電子零件ι〇，藉由使[匸並聯諧振器lC2 之z轴方向之高度變低，縮小並聯諧振器[Cl之環面 s 1與LC並聯諧振器LC2之環面S2對向之面積。其結果，

S 14 201234707 在電子零件10之LC並聯諧振器LC1與lC並聯諧振器lC2 之耦合度，較LC並聯諧振器LC2之環面S2之高度與lc 並聯諳振器LC1之環面S1之高度相等之電子零件之並 聯諸振器LC1與LC並聯諧振器LC2之耦合度小。此外， 關於LC並聯諧振器LC2# LC並㈣振器L(：3之搞合度亦 可謂相同。如上述，在電子零件1〇，不使元件大型化且能 使LC並聯谐振器LC 1 ~LC3之搞合度降低。 又’在電子零件10，設在LC並聯諧振器LC1, LC3 之z軸方向之最正方向側之導體層（線圈導體層24a，24幻係 設在絕緣層1讣之表面上，該絕緣層16b係設在較設在IX 並m 0 LC2之z軸方向之最正方向側之導體層（線圈導 體層24b)更靠z轴方向之正方向側。藉此，LC並聯諸振器 LC 1，LC3之％面s丨，S3 ’在z軸方向之正方向側從^並 聯谐振态LC2之環面S2露出而成為彼此對向。因此，在電 子零件10之線圈Ll，L3間之耦合度，較環面S1，S3未從環 面S2露出之電子零件之線圈Ll，L3間之耦合度高。如上 述’藉由以焉轉合度使未相鄰之線圈L 1，L3耦合，如後述， 忐將電子零件1 〇之特性調整至所欲特性。 又’在電子零件10,接地導體層26係作為電容器C1〜C3 之接地導體層使用。因此，不須將接地導體層26分別設在 f谷II C 1〜C3 °又’接地導體層26係設在lc並聯諧振器 LC 1 LC3之z轴方向之最負方向側。藉此，在設有接地導 I層26之、絕、緣體層1 6g未設置通孔導體。因此，接地導體 層26無須具有避開通孔導體之形狀，因此可覆蓋絕緣體層 15 201234707 1 6g之大致整面。其結果，可抑制雜訊從電子零件1 〇漏出 至外部或雜訊從外部侵入至電子零件1 0。 (其他實施形態） 此外，電子零件10並不限於上述實施形態所示之電子 零件10，在其要旨範圍内可進行各種變更。 上述實施形態之電子零件10具備LC並聯諧振器 LC1〜LC3。然而，電子零件1〇内設之LC並聯諧振器之數 並不限於此。圖4(a)至圖4(h)分別為第1變形例之電子零件 l〇a至第8變形例之電子零件1〇h之剖面構造圖。

電子零件10a〜l〇h具備LC並聯諧振器LC1〜LC5。在電 子零件l〇a’ LC並聯諧振器LC1，LC5較L 一更往z轴方向之正方向側露出。藉此,LC: 振益LCM之線圈L1MC並聯諧振器l(：5之線圈Μ成為 電磁柄合。又，在電子零件⑽，LC並聯言皆振器LC1，LC5 較LC並聯譜振器LC2〜LC4更往“由方向之正方向側及負 方向側露出。藉此’ LC並聯諧振器之線圏U與Μ 並聯譜振器LC5之線圈L5成為電磁相合。如上述，使夾著 三個LC並聯諧振器LC2〜r + y 4之二個LC並聯諧振器LC1， LC5之線圈Ll，L5電磁耦合亦可。 又，在電子零件1〇c，LC並聯譜振器 較IX並聯諧振器LC2，lc Μ^,τγ if m ^ , 尺彺Z軸方向之正方向側露出。 藉此LC並制5皆振器Lc〗之線 ^ it m L3 ώ' & ^ 與LC並聯諧振器LC3 之線圈L3成為電磁相合。同樣地 IX並聯諧振器LC5成為電 =振咨⑻與 °又，在電子零件i0d，

S 16 201234707 κ並聯諧振器LC1，LC3, LC5之線圈Li，L3,⑽以並 聯諸振器LC2，LC4之線圈L2，L4更往z軸方向之正方向側 。、方向側路出。藉此，LC並聯諧振器丨之線圈l 1與 LCf,諧振器LC3之線圈L3成為電磁耦合。同樣地，LC 二白振态LC3之線圈L3與LC並聯諧振器LC5之線圈 成為電磁耦合。如上述’使三個Lc並聯諧振器lci， LC5之線圈L1, L3, L5電磁耦合亦可。

又在電子零件l〇e，LC並聯譜振器LC2，LC4較LC 並聯譜振器LC1，LC3，LC5更往z軸方向之正方向側露出。 藉此’LC並聯譜振器LC2之線圈L2#lc並聯諧振器lc4 之線圈L4成為電磁麵合…在電子零件i〇f，Lc並聯諸 振器LC2, LC4較LC並聯譜振器，心更往z轴 方向之正方向側及負方向側露出。藉此，LC並聯譜振器LC2 之線圈L2#LC並·振器L(M之線圈“成為電磁輕合。 如上述，位於第偶數段之二個Lc並聯諧振器lc2, LC4之 線圈L2, L4電磁耦合亦可。 又，在電子零件1〇g ’ LC並聯諧振器LC1，LC2 ΐχ4 LC5較LC並聯譜振器LC3更往2軸方向之正方向側露出。’ 藉此，LC並聯譜振器LC2之線圈L2^c並聯譜振器lc4 之線圈L4成為電磁麵合。又’在電子零件⑽，a並聯譜 振器LC1，LC2, LC4,⑹較LC並聯諧振器如更往^ 方向之正方向側及負方向側露出。藉此，LC並聯言皆振器LC2 之線圈L2與LC並聯諸振器LC4之線圈[4成為電磁輕合。 如上述，藉由僅使LC並聯諧振器LC1〜LC5中之以並聯口諧 17 201234707 振益LC3構成較短，使Lc並聯譜振器lc2, lc4之線圏q L4電磁搞合亦可。 此外，電子零件10，1〇a〜1〇h具備三個或五個LC並聯 «白振窃。然而，LC並聯諧振器之數並不限於此，只要為複 數個即可。 (關於未相鄰之LC並聯諧振器彼此之耦合） 以下，參照圖式說明未相鄰之並聯諧振器之耦合。 本申请發明人為了調查使未相鄰之LC並聯諧振器彼此對向 耦合導致之電子零件1〇之特性之變化，進行以下之電腦模 擬。具體而言’在具有六個LC並聯諧振器lci〜lc6之電 子零件10使對向之LC並聯諧振器彼此變化，以調查高頻 訊號之通過特性之變化。 首先作為第1模擬，調查使LC並聯諧振器LC 1與 LC並聯諸振器LC3從LC並聯錯振器LC2露出之電子零件 1 0 (以下第1模型)之向頻訊號之通過特性。圖5及圖6係 顯示第1模擬結果之圖表。縱軸係顯示衰減量，橫軸係顯 示頻率。 在圖5所示之第i模型，在高頻訊號之通帶之高頻側 或低頻側形成衰減極。冑5巾’衰;咸極形成在高頻訊號之 通帶之尚頻側之端。如圖5所示，藉由調整LC並聯諧振器 LC1，LC3間之耦合度，可調整衰減極之位置。 接著，作為第2模擬，調查使LC並聯諧振器LC1與 LC並聯諧振器LC4從LC並聯諧振器LC2, LC3露出之電子 零件1〇(第2模型）之高頻訊號之通過特性。圖7係顯示第2

S 18 201234707 模擬結果之圖表'縱軸係顯示衰減量，橫轴係顯示頻率。 如圖7所示’在第2模型’在高頻訊號之通帶之高頻 側及低頻側之兩側形成衰減極。此外，亦會有依Μ並聯譜 振器LC1〜LC6之特性而不形成衰減極之情形。在此情形， 較電子零件10之通帶高之區域及低之區域之衰減量變小。 。接著，作為第3模擬，調查使LC並聯譜振器m與 LC並聯賴器⑽從Lc並聯諧振器L(：2露出之電子零件 叫第3模型）、及使LC並聯諸振胃Lcl||LCi聯譜振器 LC5從LC並聯諧振器LC2〜L(：4露出之電子零件爾4模 型）之高頻訊號之通過特性。圖8係顯示第3模擬結果之圖 表。縱軸係顯示衰減量，橫軸係顯示頻率。 如圖8所示，可知相較於第3模型’第4模型之衰減 極之/木度變淺。其原因可認為是相較於第4模型，第.3模 型中L C並聯諸振器彼此之搞合度低。 ' 接著’作為第4模擬’調查使LC並聯諧振器與 LC並聯諧振器[。從LC並聯諧振器lc2露出且使以並 聯諧振器1X3與LC並聯諧振器LC5&lc 露出之電子料華5模型）之高頻訊號之通過特； 係顯不第4模擬結果之圖表。縱軸係顯示衰減量，橫軸係 如圖9所示，在第5模型’藉由在二個部位以並聯諸 振讀此耗合’形成二個衰減極。此外，二個衰減極依lc 並聯諧振器LC1〜LC6之特性形成在高頻訊號之通帶之高頻 側與低頻側之兩方或形成在高頻訊號之通帶之高頻側或低

19 201234707 頻側之任一者。 接著’作為第5模擬’調查使LC並聯諧振器LC1與 LC並聯谐振器LC4從LC並聯諧振器LC2, LC3, LC5, LC6 露出之電子零件10(第6模型）之高頻訊號之通過特性。圖 〇係員示第5模擬結果之圖表。縱軸係顯示衰減量，橫軸 係顯示頻率。 如圖1 〇所示，在第6模型，在通帶之高頻側及通帶之 低頻側分別形成二個衰減極。 如上述’本發明在電子零件有用，尤其是在不使元件 大型化且能調整LC並聯諧振器之耦合度之點優異。 【圖式簡單說明】 圖1係本發明實施形態之電子零件之外觀立體圖。 圖2係電子零件之積層體之分解立體圖。 圖3係電子零件之等效電路圖。 圖4(a)至圖4(h)分別為第1變形例之電子零件至第8 變形例之電子零件之剖面構造圖。 圖5係顯示第1模擬結果之圖表。 圖6係顯示第1模擬結果之圖表。 圖7係顯示第2模擬結果之圖表。 圖8係顯示第3模擬結果之圖表。 圖9係顯示第4模擬結果之圖表。 圖1 〇係顯示第5模擬結果之圖表。 【主要元件符號說明】 C1〜C3 電容器

2〇 S 201234707 L1 〜L3 線 圈 LC1〜LC6 LC並聯諧振器 SI 〜S3 環 面 bl〜b25 通孔 導 體 10, 10a〜lOh 電 子 零 件 12 積 層 體 14a~14d 外 部 電 極 16a~16g 絕 緣 體 層 20a, 20b, 28a, 28b 引 出 導 體 層 22a〜22c 電 容 器 導 體層 24a〜24c 線 圈 導 體 層 26 接 地 導 體 層 21

Claims (1)

1. 201234707 七、申請專利範圍： 1 · 一種電子零件，具備： 積層體’係由複數個絕緣體層積層而構成； 環狀之第一 LC並聯諧振器及第二LC並聯諧振器，係 由在積層方向延伸之通孔導體及設在該絕緣體層上之導體 層構成’且構成帶通濾波器； 該第一LC並聯諧振器之第1環面與該第二lc並聯諸 振器之第2環面平行於積層方向且彼此平行，並從該第上 %面之法線方向俯視時，在至少一部分彼此重疊； δ玄第1環面在積層方向之上側及/或下側從該第2環面 露出。 、 2.如申請專利範圍帛1項之電子零件，纟中，該電子零 件進一步具備環狀之第三LC並聯諧振器，該第三LC並聯 错振器係由在積層方向延伸之通孔導體及設在該絕緣體層 上之導體層構成，且與該第- LC並聯諧振器及該第二LC 並聯諧振器一起構成帶通濾波器； i第1環面與該第2環面與該第三lc並聯諧振器之第 3環面平行於積層方向且彼此平行，且從該第i環面之法線 方向俯視時，在至少一部分彼此重疊； 該第1環面與該第3環面夾著該第2環面。 3.如申請專利範圍第2項 电于零件’其中，設在該第 一 LC並聯諧振器之積層方 一 敢上倒之该導體層及設在該第 二IX並聯詻振器之積層方 奸μ 一袖 Π取上側之该導體層，係設在相. 車乂於5又在該第二LC並聯諧振器之積層 檟層方向最上側之該絕緣 S 22 201234707 體層設在積層方向上側之該絕緣體層上。 4.如申請專利範圍第2或3項之電子零件，其中，設在 該第一 LC並聯諧振器之 積層方向最下側之該導體層、設在 該第二L C並聯譜振之接 义積層方向最下側之該導體層、及設 在該第三LC並聯错振哭> ^ ^ 之積層方向最下側之該導體層，係 設在相同之該絕緣體層上。 5.如申請專利範圍第 罘至3項中任一項之電子零侔，其 中，該第一 LC並聯嚷振吳— 、 振益包含線圈及電容器； 該電容器，包含： 接地導體層，係由讯 糸由叹在邊第一 IX並聯諧振器之 向最下側之該導體層構成； 積曰 電容器導體層，係由隔著該絕緣體層 對向之該導體層構成； 條地導體層 該線圈，包含： 第1線圈通孔導體，技& 4 體係由連接於該電容器導體 層方向延伸之該通孔導體構成； 在積 第2線圈通孔導挪，& 1、* μ 體係由連接於該接地導體岸Η # 層方向延伸之該通孔導體構成； ”層且在積 線圈導體層，係由連接於# Μ <伐a邊弟1線圈通子丨道 方向上側之端部與該第2線圈通孔導=積層 端部之該導體層構成。 稹層方向上側之 、6.如申請專利範圍第4項之電子零件，其中_ LC並聯諧振器包含線圈及電容器丨 "亥第一 該電容器，包含： 23 201234707 接地導體層，係由設在該第一 LC並聯諧振器之積層方 向最下側之該導體層構成； 電容器導體層，係由隔著該絕緣體層與該接地導體層 對向之該導體層構成； 該線圈，包含： 第1線圈通孔導體，係由連接於該電容器導體且在積 層方向延伸之該通孔導體構成； 第2線圈通孔導體，係由連接於該接地導體層且 層方向延伸之該通孔導體構成； S 積 線圈導體層’你田運接於該第1、線圈通孔導 方向上側之端部與該第2線圈通孔導體之積層方 層 、部之該導體層構成。 °側之 八、圖式： (如次頁） 24