TW201229265A - Ferromagnetic material sputtering target - Google Patents

Description

201229265 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 θ用：：明係闕於一種用於磁記錄媒體之磁體薄臈，特別 ;木用垂直磁記錄彳式之硬碟之磁 :::::，並且係關於-種漏磁通較大、利用= 磁性材減^時了獲仔穩定放電的非磁性材粒子分散型強 【先前技術j 金屬=硬碟驅動器為代表之磁記錄領域，使用以強磁性 r. 〇 Fe & Nl為基礎的材料作為用以記錄之磁性薄 膜之材料。例如，於接田；咖a 4 中使用以c… 錄方式之硬碟之記錄層 c〇為主成分之co—Cr系或c 性合金。 以糸之強磁 之Γ年纟於如用實用化之垂直磁記錄方式之硬碑 之-錄層中，大多使用由以C。為主成分之c〇 : 之強磁性合金及非磁性之無機物構成的複合材料。糸 並且，就生產性高之方面一 而s，硬碟等磁記錄媒體之 磁性薄膜大多係對以上述 韦體之 行濺鍍而製得。 材料“之強磁性材_㈣ 此種強磁性㈣躲之製作方法’考慮有溶解法或於 =金法。使用何種方法製作取決於所需要之特性，故: 可一概而論，但垂直磁記錄方式之 不 的由強磁性合金及非磁性之5己錄層中所使用 係由粉末冶金法而製得。其原因 祀有又 隹π.必需使無機物粒子 201229265 於合金基材中均勻分散，故使用熔解法時難以製作。 例如，提出有將藉由急冷凝固法所製作之具有： 之合金粉末與構成陶究相之粉末進行機械合金化，使構 陶瓷相之粉末均勻地分散於合金粉末， 取 ., ^並藉由熱壓進行 成形而獲得磁記錄媒體用濺鍍靶的方本 7 '(專利文獻1、 此時之靶組織，可見基材結合成魚白（鱈魚之精子。 狀、且於其周圍Si〇2(陶究）環繞之狀態（專利文獻月上之 圖2)或以細繩狀分散（專利文獻丨 „, 之狀嘘。其他 圖雖不清晰，但可推測為同樣之組織。 此種組織具有下述問題，無法稱之為合適之磁記錄媒 體用濺鍍靶。再者，專利文獻1之圄 之圖4所示之球狀物質為 機械合金化粉末’並非靶之組織。 又，即便不使用以急冷凝固法所製作之合金粉末，亦 可藉由下述方法製作強磁性材濺餘：對於構絲之各成 分，準備市售之原料粉末，稱量該等原料粉以成為所需组 成，以球磨機等公知之方法進行混合，並將混合粉末藉由 熱壓而成形、燒結。 曰 八例如，提出有下述方法：將Co粉末、Cr粉末、丁i〇2 粉末、Si02粉末混合而得之混合粉末與c〇球形粉末以行星2 運=型混合機進行混合，並藉由熱M來將該混合粉成形， 而得到磁記錄媒體用濺鍍靶（專利文獻2 )。 該情形時之靶組織，可觀察到於無機物粒子均勻分散 之金屬基材（A)中具有球形之金屬相⑻的狀態（專利 文獻2之圖D。此種組織亦有目c。、&等構成元素的含 201229265 有率造成漏磁通無法充分提高 記錄媒體用濺鍍！^。 …、法稱為較佳的磁 又，提出有如下方法：混人

Pt粉末及Si〇2粉末 口 Γ — π系合金粉末、 磁記錄媒體㈣形成㈣㈣（㈣文獻3，/’接此獲得 .該情形時之乾組織雖未圖示，但記載有

Sl〇2相及c。—系合金m n ^ 層之周圍可觀察到疋系〇金 記錄媒體用濺::散層。此種組織亦稱不上是較佳之磁 有各财式，但於上述磁記㈣之成財， 裝ί ::之方面而言，廣泛使用具備DC電源之磁控濺鑛 、 °月濺鍍法，係指使成為正電極之基板與成為負電 極ί把相對向’在惰性氣體環境下，於該基板與乾之間施 加向電壓而產生電場。 此時，惰性氣體發生電離，形成由電子及陽離子所構 成之電漿，若該電漿中之陽離子與乾（負電極）之表面碰 撞’則構成靶之原子被撞出，該濺出之原子附著於相對向 之基板表面而形成膜。係使用藉由上述一連串動作而使構 成乾之材料於基板上成膜之原理者。 專利文獻1 :曰本特開平10 — 88333號公報 專利文獻2 :日本特願2010-011326 專利文獻3 :日本特開2009 — 1 860號公報 【發明内容】 一般而言，若欲利用磁控濺鍍裝置對強磁性材濺鍍乾

S 5 201229265 進行濺鑛’則來自磁錯夕士县從a又 ㈣，从 ㈣鐵之大置磁通會通過料強磁體的乾 内口 p故而產生漏磁通變少，溏铲日幸χ太丄 電亦不穩定之大問題。時不產生放電或即便放 為了解決該問題，有考量減少強磁性金屬即c。之含有 比例。但是，若使c〇減少’則無法獲得所欲之磁記錄膜， 1 欠並未在根本上解決問題。X，雖然可藉由減小乾之厚度 來“漏磁通，但於該情形，乾之壽命會縮短，需要頻繁 更換靶’故而導致成本上升。 ” 蓉於上述問題，本發明之課題在於提供一種使漏磁通 增加’利用磁控濺錄裝置可獲得穩定放電之非磁性材粒子 分散型強磁性材濺鍍靶。 為解決上述課題，本發明人等進行了潛心研究，結果 發現：藉由調絲之組成及組織結構，可獲得漏磁通大之 乾。 根據如上所述之知識見解，本發明提供： 1) 一種強磁性材濺鍍靶’由Cr為20mol%以下、Ru 為0.5m〇m以上30m〇m以下，其餘為c〇之組成的金屬構 成，其特徵在於：該靶組織具有金屬基材（A)、及於上述 (A)中之含有35mol%以上之Ru的c〇—Ru合金相（b)。 又，本發明提供： 2) —種強磁性材濺鍍靶，由Cr為20mol%以下、ru 為0.5m〇l%以上30mol%以下' Pt為0.5m〇1%以上，其餘為 Co之組成的金屬構成，其特徵在於··該靶組織具有金屬基 材（A)、及於上述（A)中之含有35mol%以上之Ru的Co 201229265 —Ru合金相（B )。 進一步，本發明提供： 3) 如上述1)或2)之強磁性好膝供甘人丄 攻砸注材濺鍍靶’其含有〇 5πι〇1〇/〇 以上 W、 中， 物、 1 Omol%以下之選自RX，,, η、目 β、Tl、v、Mn、&、灿、μ〇、、

Si、A丨中之！種元素以上作為添加元素。 進一步’本發明提供： 4) 如上述1)至3)中任一項之強磁性材濺鍍靶，其 金屬基材（A)中含有選自碳、氧化物、氮化物、碳化 碳氮化物中之i種成分以上之無機物材料。 進一步’本發明提供： 5) 如上述4)之強磁性材濺鍍靶，其中，上述無機物 材料為選自Cr、Ta、Si、Ti、Zr、八卜灿、b、c〇中之ι 種以上的氧化物’該非磁性材料的體積比率為〜 3 5vol%。 進一步，本發明提供： 6 )如上述1 )至5)中任一項之強磁性材濺鍍靶，其 中，Co—Ru合金相的平均粒徑大於金屬基材（a)， 該等之平均粒徑差為50 /z m以上。 又’本發明提供： 7)如上述1)至6)中任一項之強磁性材濺鍍靶，其 相對密度為97%以上。 z、 如此調整之本發明之非磁性材粒子分散型強磁性材濺 鍍靶，成為漏磁通較大之靶，於藉由磁控濺鍍裝置使用時， 可有效地促進惰性氣體之電離，獲得穩定放電。又，因為 7 201229265 可使把之厚度較厚，故有如下之優點：把之交換頻率變小， 能以低成本製造磁體薄膜。 【實施方式】 構成本發明之強磁性材濺鍍靶之主要成分係由&為 m以下、Ru為0.5〇1〇1%以上3〇m〇1%以下、其餘為C〇 之組成的金屬構成、或d 2〇m〇1%以下、以為Ο 以上30m〇1%以下、扒為〇.5m〇i%以上、其餘為c〇之組成 的金屬構成。 因為上述Ru A 0.5m〇im，故可得到磁性薄膜的效 果’因此下限值如上所述。另一方面，若Ru過多，因為於 作為磁性材之特性上不佳，故上限值設為 上述cr係作為必須成份而添加者，除了 〇m〇i%以外。 亦即，含有可進行分析之下限值以上的Cr量❶若量為 2〇m〇l%以下，則即便於微量添加的情況中亦有效果。 pt較佳為45mol%以下。於過量添加pt之情形時，因 為作為磁性材之特性下降’又，pt昂貴，故從生產成本的 觀點來看，儘可能減少添加量可謂較佳。 又，可含有0_5mol°/〇以上1 〇m〇i%以下之選自b、丁丨、v、 n Zr、Nb ' Ru、Mo、Ta、W、Si ' A1 中之 1 種元素以上 作為添加TL素。該等係為了增加作為磁記錄媒體之特性而 視需要添加之元素。於上述範圍内可對摻合比例進行各種 調整，任一種皆可維持作為有效之磁記錄媒體之特性。 再者，基本上〇‘5moiy〇以上1 〇m〇i%以下之選自b、、 V、Μη、Zr ' Nb、RU、Mo、Ta、W、Si、A1 中之 1 種元素 201229265 以上作為添加元素係存在於金屬基材 經由由下述之C。—…所構成之相（B)的界面= 相（B)中些s午擴散之情形。本發明包含該等。 本發明之關鍵在於：靶之組織具有金屬基材（A )、及 於上述（A)中含有35m〇1%以上之Ru的c〇—Ru合金相 (B )。該相（B)之最大磁導率比周圍組織低，藉由金屬基 材（A)而形成各自分離的結構。 於具有該組織之靶中，漏磁通增加的理由現今仍不明 確，但被認為係因：乾内部的磁通生成較密的部分及較疏 的部分’與具有均勻磁導率之組織相比較，其靜磁能變高， 因此磁通流出至靶外部者於能量上較有利。 又，相（B)之直徑較理想為設為1〇〜15〇Vm。金屬 基材（A)中存在相⑻與細小之無機物粒子，於相⑻ 之直徑未達1〇Wm之情形時，與無機物粒子之粒徑差變小， 因而在燒結㈣材時，彳目（B)與金屬基材（A)之擴散變 得容易進行。 因該擴散之進行，而會有使得金屬基材（A)與相（b) 之構成要素的差異變得不明確之傾向。因&，較佳為將相 (B )之直徑設為1〇# m以上。較佳為直徑為3”出以上。 另一方面，於超過150//111之情形時，有隨著濺鍍進行 而靶表面之平滑性降低，且變得無法取得與作為基質之相 (A)間之平衡，而變得容易產生顆粒之問題。 因此’將相（B )之直徑設為！ 50 # m以下可謂較為理想。 再者。亥專任一者皆為用以使漏磁通增大之方法，但 201229265 亦可根據添加金屬、無機物粒子 如上所述，其僅為較佳的條件之一。 …'而’ 即使相⑻之大小絲總體積或錄濺心的 積僅為少量（例如丨％左右）， 一 » '也 售具有由其所造成之效 了充分發揮相⑻存在的效果，較理想為相⑻ =體積的^以上或相⑻佔—面的體積或面積 以上。4由使相⑻存在較多，可使漏磁通增加。 根據歡組成，亦可使相⑻為乾總體積的5〇% =可為6〇%以上）或佔㈣姓面的體積或面積為咖以上 進而可為60%以上），縣之組成，可任意調整該等之 體積率或面積率。本發明包含該等。再者’並不特別限定 本發明之相（B)的形狀，平均轉係指最短徑與最長徑之 平均。 因為相（B)之組成與金屬基材⑷不同故於相⑻ 的外周部會因燒結^素的擴散，而多少與上述相（B)之 组成有所偏差。 然而，於假設將相（B)之徑（長徑及短徑兩者）縮小 至2/3之時的相似形之相的範圍内，只要為Ru的濃度為 3^〇1%以上之Cq_Ru，則可達成目的。本中請案發明包含 该等案例，即便為此種條件亦可達成本案發明的目的。 進而，本發明之強磁性材濺鍍靶可以分散於金屬基材 中之狀態含有選自碳、氧化物、氮化物、碳化物或碳氮化 物中之一種以上之無機物材料。於此情形時，具有粒狀構 201229265 造之磁記錄膜，特別是採用垂直磁 之記錄膜的材料具備較佳之特性。 記錄方式之硬碟驅動 器 j ~ 步’選自 Cr、Ta、Si、Ti、Zr、A1、灿、B、c〇 嬙I:種以上的氧化物作為上述無機物材料為有效，該無 材料的體積比率可設為20%〜35%。再者，上述&氧 ::的情形與作為金屬而添加的Cr量不同，為作為 的體積比率。 雖然非磁性材料粒子—般是分散於金屬基材（A)中， <亦有於靶製作中非磁性材料粒子固著於相（B )的周圍之 情=，或於相（B)的内部含有非磁性材料粒子之情形。若 則即便為上述情形，亦不會對相（B )的磁特性造 成影響，不會ή礙目的。 進步，強磁性材濺鍍靶之Co — Ru合金相（Β )的平 :粒徑大於金屬基材（A)的平均粒徑，可將該等之平均粒 仫差设為5〇 “ m以上。如上所述，雖然可將相（B )的直徑 凋整為10〜150# m，但為了使漏磁通密度（PTF)增加， 使Co ~ RU合金相的平均粒徑比金屬基材（a )的平均粒徑 大，且將此平均粒徑差設為5〇 μ m以上，更為有效。 本發明之強磁性材濺鍍靶較理想為相對密度在97%以 上。已知：一般而言愈是高密度的靶則愈可降低於濺鍍時 產生的顆粒量。於本發明中亦同樣的設為高密度為較佳。 於本案發明中’可達成相對密度在97%以上。 此處所謂相對密度’係用靶之實測密度除以計算密度 (亦稱為理論密度）而求得之值。所謂計算密度，係假設 11 201229265 靶之構成成分不相互擴散或者反應而混在時之密度，其可 根據下式進行計算。 八 式：計算密度=Σ (構成成分之分子量X構成成分之莫 耳比）/ Σ (構成成分之分子量以冓成成分 成分之文獻值密度） 、耳比/構成 此處’ Σ係指靶之全部構成成分的和。 如此調整之輕成為漏磁通較大之乾，於磁控減鐘裝眉 中使用時’可有效地促進惰性氣體之f離， :電。又：有如下之優點：由於可增加…度：二 又換頻率變少’能以低成本製造磁體薄膜。進一乎 =生：由高密度化，可減少導致― 強磁性材⑽可藉由粉末冶金法製作。1 先準:金屬元素或合金之粉末（為了形成相（B)，必㈣ 末或無機物材:之粉末及進W要而添加的金屬元素之· 是使的製作方法並無特別限制，較理想“ 疋使…粉末之最大粒㈣ 若過小，則有促進氧化而成分組 、’.成不在乾圍内望 ^ 故更理想的是設為(M…上。 圍内專之問域 然後’以使該等金眉 $ t方式it彳f g θ ^ 〇 汾末成為所期望之組 成之方式進仃稱置，使用球磨機等公 於添加無機物粉末之情 法叙碎並混合。 粉末混合即可。 …金屬粉末及合金 12 201229265 準備碳粉末、氧化物伞、 技 或碳氮化物粉末作為益:、亂化物粉末、碳化物粉末 粉末之最大粒… ’較理想的是使用無機物 容易凝聚，故更理想的過小則變得 ^ )及1之用O.lem#上者。 可藉由將Co粉末盘丨土、士 粉碎及_選來獲得么粉末燒結後’進行 機。使用如上所述而準備之直：：;里想為向能量球磨 直佼在30〜BO/z m之範圍内的 ::二粉末’利用混合機將預先準備之金屬粉末與視需要 =仃選擇之無機物粉末混合。作為混合機，較佳的是行 生運動型混合機或者行星運動型攪拌混合機。進一步，若 考慮’昆合中之氧化問題，較佳為於惰性氣體環境 中混合。 此處所使用之高能量球磨機與球磨機或振磨機相比， 可於短時間内進行原料粉末之粉碎、混合。 使用真空熱壓裝置將以上述方式獲得之粉末成型、燒 °並切削加工成所欲之形狀，藉此而製作本發明之強磁 ί·生材賤鑛乾。再者，上述之c。— Ru粉末係與乾組織十所觀 察到之相（B )相對應者。 又，成型、燒結並不限定於熱壓，亦可使用電漿放電 燒結法、熱靜水壓燒結法（hot hydr〇static pressure sinteHng method) ^燒結時之保持溫度較佳為設定為使靶充分緻密 化之溫度區域内最低溫度。雖亦取決於靶之組成，但多數 情況係於SOO—UOiTC之溫度範圍。又，燒結時之壓力較佳 為 300〜500kg/ cm2 〇 13 201229265 實施例 以下，基於實施例及比較例進行說明。再者，本實施 例僅為-例，並不受到該例任何限制。亦即，本發明僅受 到申請專利範圍限制’且包括本發明所包含之實施例以外 的各種變形。 (實施例1、比較例1) 實施例i中，係準備平均粒徑為3// m之c〇粉末、平 均粒徑為6 " m之Cr粉末、平均粒彳⑤A 1 丁 J τ衩為3以m之pt粉末、 平均粒徑為2㈣之Co0粉末、平均粒徑為^⑺之抓 :末、直徑在50〜150㈣之範圍的c〇—4他（福〇句粉 末作為原料粉末。

對此等之粉末，以靶之組成為88 (Co—SCr—H 9RU)— 5C〇〇—7Si〇2(m〇1%)之方式，秤量 Co 粉末 认⑽％、粉末2.83wt%、pt粉末3ι勒％、⑽粉末

Wwt%' Si〇2 粉末 5.2〇wt%、c〇—Ru 粉末 22 〇ι⑽之重 量比率。 接著，將Co粉末、Cr粉末、+ Λ ^ 冬以粉末、§1〇2粉末與粉 碎"質之氧化鍅磨球（zirconi b U ) 一 } 起封入於容量10公 升之球磨鋼（ball mill p〇t )，传宜始絲。Λ Ρ ；使其紅轉20小時進行混合。 進一步，利用球容量約為7公并许 △升之仃星運動型混合機將所 X知之混合粉末與Co — RU粉末混合1 〇分鐘。 將該混合粉填充至碳製之趑且由 紙I之模具中，於真空環境中、溫 又110 0 C、保持時間2小時、力σ塵力為 刀0魘刀為30MPa之條件下進 行熱壓’而獲得燒結體。進而，使 叩便用+面研磨盤將其進行 14 201229265 研磨加工’而獲得直徑為180mm、厚度為5min之圓盤狀之 乾0 漏磁通之測定係依據ASTM F2086— 〇1 ( standard Test Method f〇r Pass Through Flux of Circular Magnetic Sputtering Targets，Method 2 )而實施。將固定靶中心，並 使其旋轉0度、30度、60度、90度、120度來進行測定而 得之漏磁通密度，除以ASTM所定義之參考磁場（reference field)之值並乘以1〇〇，而以百分比表示。並且，將該等5 點之平均結果作為平均漏磁通密度（PTF ( % )而記載至 表1中。 於比較例1中，準備平均粒徑為3//m之c〇粉末、平 均粒徑為6 v m之Cr粉末、平均粒徑為3以m之pt粉末、 平均粒徑為l〇em之Ru粉末、平均粒徑為2以⑺之c〇〇粉 末、平均粒徑A 1心之Si〇2粉末作為原料粉末；對此等 之粉末，以靶之組成為88(c〇— 5Cr— 15pt—9Ru) _5c〇〇 -7Si〇2(mol%)之方式，秤量c。粉末45.56以％、^粉 末 2.83wt%、Pt 粉末 3186wt%、Ru 粉末 9 9_%、c〇〇 粉 末4.64wt%、Si〇2粉末5 2〇wt%之重量比率。 行混合 接著，將該等粉末與作為粉碎介質之氧化錯磨球一併 封入於容量為1〇公升之球磨鍋中’使其旋轉20小時而進 將該混合粉填充至碳製 度11 oo°c、保持時間2小時 行熱壓，而獲得燒結體。進 之模具十，於真空環境中、溫 加壓力為3 OMPa之條件下進 而’使用平面研磨盤將其加工

S 15 201229265 成直徑為1 80mm、厚度為5mm之圓盤狀之輕，並測定平均 漏磁通密度。將該結果示於表1中。 16 201229265 /—N 锲 98.5 98.4 要 Η Oh Os m 十 X -*-* in o 00 'S- OO Ό- B I /-N 1 ^〇 CQ B =i mr 〇 V 〇 m 趔 Μ 占 卜 I •— I 1 〇 1 o 〇 U 1 Μ Ο S 1 I ON 1 I ON 1 Η—* Oh in 1 a： i〇 -5Cr-： -5Cr- 1 〇 U 1 〇 U 00 00 00 00 6 1 « 革 t < 革 4¾) Aj 卜

S 201229265 如表1所示，確認到實施例丨 A 4S so/ ^ 您耙之千均漏磁通密度 為5.5/°，較比較例1之39.1%大幅掸^。χ ^ ^ 4〇糾士 ώ 八增加。又，霄施例1之 相對Φ度成為9 8.5 %，可得至丨丨相斜—Λ * 』仔到相對從度超過97%之高密度 纪0 若觀察實施例1之乾研磨面 呷僧面則可於靶組織中觀察到 與Si〇2粒子相對應之部分。一 刀進步，於細微分散有以〇2粒 子之基質中’可觀察到分散有 个3有Si〇2粒子之較大的相 之相。此相相當於本案發明相 &丄人+ q目CB)，於由含有45m〇1% 之Ru的Co ~ Ru合金所禮忐夕知士 . _ 再成之相中，與相（A)的平均粒 徑差為60ym以上。 相對於此’於比較例1中，於分散有Si〇2粒子之把的 基質中’完全觀察不到與相（A)的平均粒徑差為以 上的粗粒之相。盆紝要如本,以 ，、'、、°果如表1所示，可知：因為比較例1 之平均漏磁通密度（PTF 1 Α Λ 下降為3 9.1 %，故實施例1中所 觀察到之相（Β )的存在為有效。 (實施例2) 實施例2中，準備平均粒徑為之Co粉末、平均 粒徑為bn^Cr粉末、平均粒徑為2心之c〇〇粉末、 平均粒徑為1 μ m之Sio,拾古古/-丄 ^ 2物禾' 直徑在50〜150 μ m之範圍 内的C〇-45Ru (mol%)粉末作為原料粉末。 以乾之組成為 88(Co— 5Cr— 9Ru) _5c〇〇_7Si〇2 (mol/0)之方式’且以c〇粉末55 粉末3 “Μ%、

CoO 粉末 5.96wt%、Si〇2 粉末 6 6_%、& — Ru 粉末 28.30wt%之重量比率來稱量該等粉末。 201229265 繼而 粉碎介質之氧化锆球一併封入至容量00粉末、Si〇2粉末與 其旋轉2 0小時而進行混合。推 A升之球磨鶴’使 σ 進而，將 θ

Co—Ru粉末投入球容量約為7 侍之混合粉末與 混合1 0分鐘。 订星運動型混合機， 將該混合粉填充至碳製之模 * 1ηςη〇^ ,ρ ni 义具王J衣境中、溫 度1〇5〇 C、保持時間2小時、加壓力盔 了加&力為30MPa之條件下進 行熱壓，而獲得燒妹體。m τ ^ 叉丁凡、，〇體。進而，使用平面研磨盤將其加工 成直仏為1 80mm、厚度為5mm之圓盤狀之靶，並測定平均 漏磁通密度。將其結果表示於表2。 _ 19 201229265 【(Nd 相對密度（％) 98.5 PTF (%) 1 42.5 尺寸 φ 180x5t 相（B) 粒徑 30〜100"m，Co—45mol%Ru 乾組成（mol%) 88(Co-5Cr-9Ru)-5CoO-7Si02 No. 實施例2 201229265 如表2所示，確認到實 、％的于构漏磁通密度 為42.5。/。，又，相對密度成為98 5%，可得到相對密度超^ 9 7 %之尚密度乾。 再者’與實施例1相同，若觀察實施例2之研磨面 則可於乾組織中觀察到肖Si〇2粒子相對應之部n 步，於細微分散有Si〇2粒子之基質中，可觀察到分散有不 含有Si02粒子之較大的相之相。此相相當於本案發明之相 ⑻’於由含有45mol^Rl^c〇—以合金所構成之相 中，與相（A )的平均粒徑差為6〇 v m以上。 雖然上述實施例表示了靶組成為88 (Co—5Cr~ l5Pt —9Ru) — 5Co〇—7Si〇2(则W)之例 '與 88(Co— 5C/ -9Ru ) - 5Co0 — 7Si〇2 ( _% )之例，但於本案發明Γ 圍内變更該等之組成比，亦確認到相同的效果。 又’上述實施例中雖然表示了單獨添加Ru之例 含有選自 B、Ti、V、Mn、Zr、Nb、RuM〇 h w 二 ^中之1種元細上作為添加元素，任—者皆可維 有效的磁記錄媒體之特性。亦 為 々铭拔舻夕44以 Β羊係為了增加作為磁 媒特性’而視需要添加之元素，雖然並未特別表 示於實施例中，但確認到與本案實施例相同之效果。表 進纟冑然於上述實施例中表示有添加以之氧化物 的例子，但其他的 Cr、Ta、Ti、Zr、AbNb、B、C。 化物亦有同樣的效要。、佳工 ^ ^ 關效果。^，關於該等，雖然表示有添加 物之情況’但於添加該等之氮化物、碳化物、碳氮 化物、甚至是碳之情況中，亦確認到可得到與添加氧化物 μ 21 201229265 相同的效果。 [產業上之可利用性] 本發明係調整強磁性材賤鑛乾之組織構造’從而可使 漏磁通大幅度的增加。因此，若使用本發明之靶，則可於 藉由磁控濺鍍裝置進行濺鑛時獲得穩定之放電。又，由於 可增加靶厚度，故靶壽命變县，At 此以低成本製造磁體薄膜。 可用作磁記錄媒體之磁體薄 錄層之忐胳士 、 特別是硬碟驅動器記 層之成財所使狀強磁性_鍍把。 【圖式簡單說明】 無 【主要元件符號說明】 無 22

Claims (1)

1. 201229265 七、申請專利範圍： 1. 一種強磁性材濺鍍靶，由Cr為20mol°/〇以下、Ru為 O.5mol%以上30mol%以下，其餘為C()之組成的金屬構成， 其特徵在於： 該靶組織具有金屬基材（A)、及於該（A)中之含有 35mol%以上之Ru的Co—Ru合金相（B)。 2. 種強磁性材錢鍍乾’由Cr為20mol%以下、Ru為 0.5m〇l%以上30mol%以下、Ptg 〇 5m〇1%以上，其餘為c〇 之組成的金屬構成，其特徵在於： 該靶組織具有金屬基材（A)、及於該中之含有 35mol%以上之RU的c〇—Ru合金相（b)。 3 ·如申明專利範圍第1或2項之強磁性材濺鍍乾，其含 有 0.5mol% 以上 l〇mol%以下之選自 B、Ti、v、Mn、Zr、 Nb、Mo、Ta、W、Si、A1巾之】種元素以上作為添加元素。 (如申請專利範圍第丨至3項中任—項之強磁性材誠 靶’其中’金屬基材（A)中含有選自碳、氧化物、氮化物、 碳化物、碳氮化物中之1種成分以上之無機物材料。 5. 如申請專利範圍第丨至4項中任—項之強磁性材滅鑛 靶，其中，該無機物材料為選自Cr、Ta、Si、丁丨、^、A卜 Nb B、Co中之i種以上的氧化物，該非磁性材料的體積 比率為20%〜35%。 6. 如申請專利範圍第4項之強磁性材濺鍍靶，其中 —RU合金相⑻的平均粒徑大於金屬基材（A)，該等之 平均粒控差為5 0 // m以上。 23 201229265 7.如申請專利範圍第1至6項中任一項之強磁性材濺鍍 靶，其相對密度為97%以上。 24