TW201122078A - Circuit-connecting material, and connection structure for circuit member - Google Patents

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201122078 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明有關電路連接材料及電路構件之連接構造。 【先前技術】 爲如液晶顯示器與輸送膠帶封裝體（Tape Carrier Package : TCP )的連接，柔性印刷電路板（Flexible φ Printed Circuit : FPC )與TCP的連接、或FPC與印刷電路 板的連接等之電路構件互相之間的連接，一般使用經使導 電粒子分散於接著劑中之電路連接材料（例如，各向異性 導電性接著劑（anisotropic conductive adhesive))。 又，最近，如欲將半導體矽晶片安裝於基板時，爲電 路構件互相間之連接，在不使用絲焊（w i r e b ο n d i n g )之 下’實施將半導體矽晶片加以面朝下（face down )並直 接安裝之所謂倒裝晶片（flip chip )實裝。於此倒裝晶片 # 實裝中’爲電路構件互相間之連接時，仍然使用各向異性 導電性接著劑（anisotropic conductive adhesive)等的電 路連接材料（參考專利文獻1至5)。 專利文獻1:日本專利特開昭59- 1 2043 6號公報 專利文獻2:日本專利特開昭60- 1 9 1 228號公報 專利文獻3:日本專利特開平1 -25 1 787號公報 專利文獻4:日本專利特開平7-9023 7號公報 專利文獻5:日本專利特開2001 - 1 89 1 7 1號公報 專利文獻6 :日本專利特開2005-166438號公報 201122078 【發明內容】 [發明所欲解決之課題] 然而，近年來，隨著電子設備的小型化、薄型化而電 路構件上所形成之電路的高密度化在進展，以致有相鄰接 之電極之間的間隔或電極的寬幅成爲非常狹窄的傾向。電 路電極（circuit alectrode)的形成，係按將成爲電路基本 之金屬形成於基板全面上，並於將形成電路電極之部分塗 佈抗蝕劑（resist )，使其硬化，再將其他部分使用酸或 鹼加以蝕刻之過程實施者。但在上述之經高密度化之電路 的情形，則如經形成於基板全面之金屬凹凸大時，由於在 凹部與凸部之飩刻時間會有不同之故不能達成精密的蝕刻 ，以致有發生鄰接電路間的短路或斷線之問題。因此，高 密度電路的電極表面，需要凹凸情況小，亦即，電極表面 爲平坦。 然而，如將此種相對向之平坦的電路電極互相間，使 用前述之在來的電路連接材料而加以連接時，則在電路連 接材料中所含之導電粒子與平坦電極之間有接著劑樹脂之 殘留，以致有在相對向之電路電極間不能確保充分的電連 接及長期可靠性之問題。 於是，以解決此種問題作爲目的，提案有將於表面側 具備有複數個突起部之具有最外層爲金（Au)的導電粒 子之電路連接材料用於相對向之電路電極互相間的連接之 作法（參考專利文獻6 )。

-6- 201122078 經使用此種電路連接材料所連接之電路連接構造體， 雖然在相對向之電路電極間能確保充分的電連接及長期可 靠性，惟尙需要開發一種能達成相對向之電路電極互相間 的更佳的電連接之同時再提高電路電極間的電特性的長期 可靠性者。 本發明，係鑑於上述情況所開發者，以提供一種能達 成相對向之電路電極互相間的良好的電連接之同時，尙能 φ 充分提高電路電極間的電特性的長期可靠性之電路連接材 料以及採用此種材料之電路構件的連接構造作爲目的。 [用於解決課題之手段] 本發明人等，爲解決上述課題而專心檢討之結果，發 現產生上述課題之原因特別在於導電粒子的最外層的材質 。亦即，在來的電路連接材料所含之導電粒子的最外層爲 Au的金屬膜，而在電路連接時雖然在電路連接時以突起 φ 部分貫通導電粒子與平坦電極之間的接著劑組成物，惟由 於Au係一種比較軟的金屬之故，對電路電極而言，導電 粒子的最外層發生變形，以致導電粒子難於陷入電路電極 中〇 並且，本發明人等，爲解決上述課題而更專心檢討之 結果，發現如將導電粒子的最外層材質改變爲較Au爲硬 的金屬，則可提升連接可靠性之事實，而完成本發明。 本發明提供一種電路連接材料，其係將形成電路電極 之2個電路構件，使該電路電極相對面地進行電連接用之

S 201122078 電路連接材料，其特徵係該電路連接材料含有接著劑組成 物與導電粒子，且該導電粒子係有機高分子化合物所成之 核體（nuclide)以鎳或鎳合金所構成之金屬層被覆，且表 面具有複數之突起部，而該核體之平均粒徑係丨至々；/!!!， 該金屬層之厚度爲65至125nm。 上述電路連接材料，係當製作電路構件的連接構造時 ’介在於2個電路構件（以下，簡稱「第1及第2電路構件 」）之間，並介由電路構件而進行加壓。如採用本發明之 電路連接材料，較導電粒子的最外層爲Au的情形，介由 導電粒子而相對向之電路電極互相間更能良好方式電連接 之同時，更能提高電路電極間的電特性的長期可靠性。亦 即’即使於導電粒子與電路電極之間混入有接著劑組成物 的硬化物，藉由導電粒子表面側之複數個突起部之設置， 從其導電粒子對接著劑組成物的硬化物所施加之壓力，較 無突起部之導電粒子爲十分增大之故，導電粒子的突起部 仍然能容易貫通接著劑組成物的硬化物，又因某種程度陷 入電路電極中而能增加導電粒子與電路電極之間的接觸面 積。又，由於作爲導電粒子的最外層之鎳（Ni)或鎳合金 係較Au爲硬之故，導電粒子的最外層容易陷入於電路電 極中，而能增加導電粒子與電路電極之間的接觸面積，結 果，能獲得更良好的電連接及電特性的長期可靠性。並且 ，由於將導電粒子的金屬層厚度作成65至l25nm的範圍之 結果，連接電阻會穩定。再者，由於將導電粒子的核體的 平均粒徑作成1至4// m的範圍而能抑制電連接所需要的導 -8- 201122078 電粒子的個數爲最小限度之故，可充分保持鄰 的絕緣性。因此，可獲得電路電極互相間的良 。並且，介由導電粒子而相對向之電路電極間 連接狀態，因藉由接著劑組成物的硬化物而長 結果，能充分提高電特性的長期信賴性。 上述電路連接材料而言，導電粒子的突起 佳爲50至500nm。又，導電粒子的相鄰之該突 φ 離，較佳爲l〇〇〇nm以下。由於導電粒子的突 相鄰之突起部間的距離在上述範圍之故，導電 部更能容易貫通接著劑組成物的硬化物，而將 好的電連接及電特性的長期可靠性。 本發明提供一種電路構件之連接構造，其 形成電路電極且該電路電極爲對向配置之2個 與介於該電路構件之間，使該電路電極進行電 連接構件，而該電路連接構件係本發明之電路 φ 其硬化物。 由於此種電路構件之連接構造，係使用上 材料所製作者之故，可獲得電路電極互相間的 接。並且，介由導電粒子而相對向之電路電極 的電連接狀態，係藉由接著劑組成物的硬化物 持之故，可充分提高電特性的長期可靠性。 於上述電路構件之連接構造中，2個電路 電極之至少一者’較佳爲具有由銦-錫氧化物 稱「ITO」）或銦—鋅氧化物（以下，簡稱「 接電路之間 好的電連接 的良好的電 期間保持之 部高度，較 起部間的距 起部高度及 粒子的突起 能獲得更良 特徵係具備 電路構件， 連接之電路 連接材料或 述電路連接 良好的電連 之間的良好 而長期間保 構件的電路 (以下，簡 IZO」）所 -9 - 201122078 成之最外層。如此，由於電路電極具有由ΐτο或IZO所成 之最外層之故，較具有Au、Ag、Sn、Pt (鉑）族的金屬 、A1或Cr (鉻）等所成之最外層之電極，有可防止基層金 屬的氧化之利點。 [發明之效果] 如採用本發明之電路連接材料，則可達成相對向之電 路電極互相間的良好的電連接之同時，尙可充分提高電路 電極間的電特性的長期可靠性。又，如採用本發明，則可 提供一種電路電極間的電特性的長期可靠性十分優異的電 路構件之連接構造。 [發明之最佳實施形態] 以下，在需要時參考圖面之下，就本發明之較佳實施 形態加以詳細說明。在此，圖面中，對同一要件係付以同 —圖號、重複之說明則省略說明。又，上下左右等的位置 關係，除非特別註明，係依據圖面所示之位置關係者。再 者，圖面的尺寸比例並不因圖示之比例而有所限定。 第1圖，係表示本發明之電路構件的連接構造的一例 之槪略剖面圖。電路構件之連接構造1，係具備有互相對 向之第1電路構件30及第2電路構件40，而於第1電路構件 3〇與第2電路構件40之間，則設置有連接此等之電路連接 構件1 〇者。電路連接構件1 0，係將含有接著劑組成物、及 於表面側具備複數個突起部14之導電粒子I2之電路連接材 201122078 料加以硬化處理所得者。因而，電路連接構件1 〇，係有絕 緣性物質11及導電粒子1 2者。絕緣性物質1 1，則由接著劑 組成物的硬化物所構成者。 第1電路構件30，係具備有電路基板（第1電路基板） 31、與於電路基板30的主面31 a上形成之電路電極（第1電 路電極）32者。第2電路構件40，係具備有電路基板41、 與於電路基板41的主面41 a上所形成之電路電極（第2電路 電極）42。 電路基板31、41中，電路電極32、42的表面，係成爲 平坦者。在此，本發明中，「電路電極的表面爲平坦」， 係指電路電極表面的凹凸爲2 Onm以下之意。 電路電極32、42的厚度，較佳爲50nm以上。如電路 電極32、42的厚度在50nm以下時，則有在電路連接材料 中的導電粒子12的表面側之突起部14在進行壓接時貫通電 路電極32、42而與電路基板31、41相接觸之可能性。在此 φ 情形，電路電極32、42與導電粒子12間的接觸面積少而有 連接電阻上升之傾向。又，電路電極32、42的厚度，係從 製造成本等來看，較佳爲l〇〇〇nm以下，更佳爲500nm以下 〇 作爲電路電極32、42的材質而言，可例舉：Au、Ag 、Sn、Pt族的金屬或銦一錫氧化物（ITO )、銦一鋅氧化 物（IZO ) 、Al、Cr。特別是電路電極32、42的材質爲 IT Ο、IZO時，電連接將顯著成爲良好，而可發揮本發明 之效果。又，電路電極32、42，可以上述物質構成全體，

S -11 - 201122078 亦可僅以上述物質構成最外層。 電路基板3 1、4 1的材質並不特別加以限制，惟通常爲 有機絕緣性物質、玻璃或矽。 作爲第1電路構件30及第2電路構件4〇的具體例而言， 可舉：半導體晶片、電阻體晶片、電容器晶片等的晶片部 件、印刷基板等的基板。此等電路構件30、4〇中，通常設 置有多數個（視情況，可爲單數）電路電極（電路端子） 32、42。又，電路構件的連接構造的形態而言，亦有1C ( 積體電路）晶片與晶片裝載基板的連接構造、電氣電路互 相間的連接構造的形態。 又，於第1電路構件30中，可再於第1電路電極32與電 路基板31之間設置有絕緣層，於第2電路構件40中，亦可 再於第2電路電極42與電路基板41之間設置有絕緣層。絕 緣層，祇要是以絕緣材料所構成，則並不加以限制，惟通 常係由有機絕緣性物質、二氧化矽或氮化矽所構成。 並且，於該電路構件的連接構造1中，相對向之電路 電極32與電路電極42，係介由導電粒子12而在電連接。亦 即，導電粒子12，係與電路電極32、42的雙方直接連接者 。具體而言，導電粒子12的突起部14,在貫通絕緣性物質 11後，與第1電路電極32、第2電路電極42。 因此，電路電極32、42間的連接電阻可充分降低，而 能實現電路電極32、42間的良好的電連接。因而可使電路 電極3 2、42間的電流之流動暢通，而能充分發揮電路所持 有之功能。 -12- 201122078 導電粒子12的複數個突起部14之中，較佳爲一部分突 起部14經陷入於電路電極32或電路電極42中。此時，導電 粒子12與突起部14與電路電極32、42之間的接觸面積即增 加，而可使連接電阻更降低。 於電路構件之電路連接構造1中，較佳爲第1電路電極 32、第2電路電極42之至少一方的表面積爲15000/zm2以下 ，且於第1電路電極32與第2電路電極42之間之平均導電粒 φ 子數爲1個以上。在此，平均導電粒子數，係指對每1個電 路電極之導電粒子數的平均値之意。此時，可使相對向之 電路電極32、42間的連接電阻更爲降低。 又，如平均導電粒子數爲3個以上時，則更可達成良 好的連接電阻。此乃因相對向之電路電極32、42間的連接 電阻會充分降低之故。又，如於電路電極32、42間之平均 導電粒子數爲1個以下時，則連接電阻可能過高，以致電 子電路不能正常運作。 φ 以下，就電路連接構件1 〇加以詳細說明。電路連接構 件1〇，係形成爲薄膜狀者，而如上所述，係藉由含有於表 面側具有突起部1 4之導電粒子1 2、與接著劑組成物之電路 連接材料之硬化處理而製得者。 (導電粒子） 首先，就導電粒子1 2之構成加以詳細說明。導電粒子 I2，係由有導電性之粒子（本體部分）、與於此粒子表面 所形成之複數個突起部I4所構成。在此，複數個突起部14 -13- 201122078 ’係由具有導電性之金屬所構成。第2圖，係表示本發明 之電路連接材料中所含之導電粒子各種形態之剖面圖。 第2圖（a)中所示之導電粒子12,係由有機高分子化 合物所成之核體21、與於核體21的表面上所形成之金屬層 22所構成。核體21，係由中核部21a與於中核部21a的表面 上所形成之突起部21b所構成。金屬層22，係於其表面側 ，具有複數個突起部14。金屬層22係覆蓋有核體21，而在 對應於突起部21b之位置突出，其在突出之部分即成爲突 起部1 4。 核體21，係由於較由金屬所成之核體爲成本低之同時 ，對熱膨脹或壓接接合時之尺寸變化之彈性變形範圍廣泛 之故，作爲電路連接材料更爲合適者。 構成核體21的中核部21a之有機高分子化合物而言， 可例舉：丙烯酸樹脂、苯乙烯樹脂、苯并胍胺樹脂、聚矽 氧樹脂、聚丁二烯樹脂或此等的共聚物，亦可使用經將此 等交聯者。 核體21的中核部21a的平均粒徑，較佳爲1至4/zm者 ，更佳爲2至4μιη者，再佳爲2.5至3.5gm者。如平均粒徑 在1/im以下時，則有發生粒子的二次凝聚，而與相鄰接 之電路間的絕緣性不足夠之傾向。另一方面，如平均粒徑 在4 m以上時，則由於電路連接時排除接著劑組成物之 面積會增大之故，有與相鄰接之電路間的絕緣性不足夠的 傾向。在此，本說明書中之核體2 1的平均粒徑，係指中核 部21a的平均粒徑之意者，如使用粒度分佈測定裝置、或 -14 - 201122078 以電子顯微鏡觀察導電粒子的剖面，即可測定。 構成核體21的突起部21b之有機高分子化合物而言， 可例舉：丙烯酸樹脂、苯乙烯樹脂、苯并胍胺樹脂、聚矽 氧樹脂、聚丁二烯樹脂或此等的共聚物，亦可使用經將此 等交聯者。構成突起部21b之有機高分子化合物，可爲與 構成中核部21a之有機高分子化合物相同或不相同。 核體21，如使在中核部21a表面具有較中核部21a爲小 φ 的突起部21b吸附複數個，則可形成。使突起部21b吸附於 中核部21a表面之方法而言，可例舉：將雙方或一方的粒 子經以矽烷、氧化鋁、氧化鈦等的各種偶合劑（coupling agent )及接著劑的稀釋溶液表面處理後、使兩者混合或 附著之方法。 金屬層22的材質而言，有Ni或Ni合金，而Ni合金而言 ，可例舉：N i - B (鎳-硼）、N i - W (鎳-鎢）、N i - B (鎳-硼）、Ni-W-Co (鎳-鎢-鈷）、Ni-Fe (鎳-鐵）以及 Ni-Cr φ (鎳-鉻）。由於較硬且容易陷入電路電極32、42中之故 ’較佳爲Ni。金屬層22，如將此等金屬採用無電解電鍍法 進行電鍍於核體21上’即可形成。無電解電鍍法，可分爲 大的分批方式及連接滴下方式，惟採用任一方式均可形成 金屬層22。 金屬層22的厚度（電鍍的厚度），較佳爲65至12511111 ’更佳爲75至llOnm，再佳爲80至ΙΟΟηιη。如將金屬層22 的厚度作成此種範圍，則可將電路電極32、42間的連接電 阻作成更良好者。在此，本說明書中之導電粒子的金屬層

S -15- 201122078 22的厚度，係指不含突起部14之金屬層部分的平均厚度之 意，而可使用電子顯微鏡測定導電粒子的剖面。 如金屬層22的厚度在65nm以下時，則由於電鍍厚度 淡薄之故有連接電阻增大之傾向，如在125 nm以上時，則 在電鍍時於導電粒子間發生凝結，而有於相鄰接之電路電 極間發生短路之傾向》 又，於導電粒子12中，金屬層22從核體21完全剝離之 粒子的混入率，在粒子25萬個中較佳爲5%以下，更佳爲 1.0%以下，再佳爲0.1%以下，如將金屬層22從核體21完 全剝離之粒子的混入率作成此種範圍時，則可使電路電極 32、42間的電導通爲確實者。如將金屬層22從核體21完全 剝離之粒子的混入率在5 %以上時，則由於與導電無關之 粒子存在於電極上之故，有連接電阻增大之傾向。 本發明中之導電粒子12，有時部分性之方式露出核體 21之情況。從連接可靠性來看，對核體21的表面積之金屬 層22的被覆率，較佳爲在70%以上，更佳爲80至100%。 如將金屬層22的被覆率作成此種範圍，則可將電路電極32 、42間的連接電阻作成更良好者。如金屬層22的被覆率在 70%以下時，則由於導電粒子表面的導電面積變小之故， 有連接電阻增大之傾向。 導電粒子12的突起部Μ的高度H，較佳爲50至500nm ，更佳爲65至500nm，再佳爲100至300nm。又，相鄰接之 突起部14的距離S，較佳爲lOOOnm以下，更佳爲500nm以 201122078 又，相鄰接之突起部14間的距離S，爲不使接著劑組 成物進入導電粒子12與電路電極32、42之間而使導電粒子 12與電路電極32、42充分接觸起見，較佳爲至少50nm以 上。在此’導電粒子12的突起部14的高度Η及相鄰接之突 起部14間的距離S，係可使用電子顯微鏡加以測定。 另外，導電粒子12中，如第2圖（b)所示，核體21可 僅以中核部2 1 a所構成。換言之，於第2圖（a )所示之導 φ 電粒子12中，可不設置突起部21b»第2圖（b)所示之導 電粒子12，可藉由核體21 a的表面之金屬電鍍而於核體21a 表面形成金屬層22，即可製得。 在此，就爲形成突起部1 4用之電鍍方法，加以說明。 例如，突起部1 4，在進行電鍍反應當中，如追加較最初所 使用之電鍍液之濃度爲高的電鍍液藉以使電鍍液濃度爲不 均勻，即可形成。又，調節電鍍液的pH，例如，將鎳電 鍍液的pH作成6，即可製得瘤狀的金屬層，亦即，具有突 φ 起部14之金屬層22 (參考：望月等人者，表面技術，第48 卷，第4章，第429頁至第432頁，1 997年版）。又，如作 爲對電鍍液的安定性有助益之複合劑（complexing agent )而採用甘胺酸（qlycine)時，可產生平滑的金屬層（被 膜），相對地，如採用酒石酸或DL (外消旋）一蘋果酸 時，可製得瘤狀的被膜，亦即具有突起部14之金屬層22 ( 參考：荻原等人者，非晶形電鍍，第36卷，第35頁至第37 頁，1 994年版；荻原等人者，電路突裝會誌，第1〇卷，第 3章，第148頁至第152頁，1 995年版）。 -17- 201122078 金屬層22’可爲由單—的金屬層所成者，亦可爲由複 數個金屬層所成者* (接著劑組成物） 其次’就接著劑組成物加以詳細說明。接著劑組成物 ’具有絕緣性及接著性。接著劑組成物而言，較佳爲（1 )含有環氧樹脂、及環氧樹脂的潛在性硬化劑之組成物、 (2)含有自由基聚合性物質、及因加熱而發生游離自由 基之硬化劑之組成物、或者（1 )與（2 )的混合組成物。 首先，就（1)含有環氧樹脂、及環氧樹脂的潛在性 硬化劑之組成物加以說明。上述環氧樹脂而言，可例舉： 雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂 、酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚清漆型環氧樹脂、雙酚A清 漆型環氧樹脂、雙酚F清漆型環氧樹脂、脂環式環氧樹脂 、縮水甘油酯型環氧樹脂、縮水甘油基胺型環氧樹脂、海 因（hydantoin )型環氧樹脂、異三聚氰酸酯型環氧樹脂 、脂肪族鏈狀環氧樹脂。此等環氧樹脂可爲經鹵素化者， 亦可爲經加氫者。此等環氧樹脂，可倂用2種以上。 上述潛在性硬化劑而言，祇要是能使環氧樹脂硬化者 即可。如此的潛在性硬化劑而言，可例舉：陰離子聚合性 的觸媒型硬化劑、陽離子聚合性的觸媒型硬化劑、複加成 (polyaddition)型的硬化劑。此等可以單獨或作爲2種以 上的混合物使用。此中，從速硬化性上優異，不需要化學 當量之考慮來看’較佳爲陰離子或陽離子聚合性的觸媒型

-18 - 201122078 硬化劑。 陰離子或陽離子聚合性的觸媒型硬化劑而言，可例舉 :咪唑系、醯肼系、三佛化硼-胺錯合物、锍鹽、胺醯亞 胺、二胺基馬來醯腈、三聚氰胺及其衍生物、多元胺的鹽 、一氰基二醯胺，而此等的改性物（modified product) 亦可使用。加聚型的硬化劑而言，可例舉：多元胺類、聚 硫醇、多酌、酸酐。 φ 如作爲陰離子聚合型的觸媒型硬化劑而調配三級胺類 或咪唑類時，環氧樹脂係以160 °C至200 °C程度的中等溫度 按數1 〇秒鐘至數小時程度的加熱即會硬化。因此，可使用 時間（pot fife )會較長之故很合適。 陽離子聚合型的觸媒型硬化劑而言，較佳爲例如，藉 由能量線照射而使環氧樹脂硬化之感光性鑰鹽（主要採用 芳香族重氮鐡鹽、芳香族銃鹽等）。 又’除能量線照射以外，藉由加熱而使其活性並使環 ♦ 氧樹脂硬化者而言，有脂肪族毓鹽等。由於此種硬化劑， 具有快速硬化（fast-cruing )之特徵之故很合適。 經將此等潛在性硬化（potential hardner)，使用聚 胺酯系、聚酯系等的高分子物質或鎳、銅等的金屬薄膜以 及砂酸鈣等的無機物加以被覆後使其微型膠囊（micro capsule)化者，由於能延長可使用時間之故很合適。 接著’就含有（2)自由基聚合性物質，及藉由加熱 而發生游離自由基之硬化劑之組成物加以說明。 自由基聚合性物質，係具有藉由自由基而聚合之官能 -19 - 201122078 基之物質。此種自由基聚合性物質而言，可例舉：丙烯酸 酯（包含相對應之甲基丙烯酸酯。以下相同）化合物、馬 來醯亞胺化合物、檸康醯亞胺樹脂、萘酚二胺醯亞胺樹脂 °自由基聚合性物質可以單體或低聚物的狀態使用，亦能 倂用單體與低聚物之作法。 上述丙烯酸酯化合物的具體例而言，可例舉：甲基丙 烯酸酯、乙基丙烯酸酯、異丙基丙烯酸酯' 異丁基丙烯酸 酯、乙二醇二丙烯酸酯、二乙二醇二丙烯酸酯、三羥甲基 丙烷三丙烯酸酯、四P甲基甲烷四丙烯酸酯、2 -羥基-1，3-二丙烯醯氧丙烷、2,2-雙[4-(丙烯醯氧甲氧）苯基]丙烷 、2，2-雙[4-(丙烯醯氧聚乙氧）苯基）]丙烷、二環戊烯 基丙烯酸酯、三環癸烯基丙烯酸酯、參（丙烯醯氧乙基） 異三聚氰酸酯、聚胺基丙烯酸酯。此等化合物可以單獨或 混合2種以上之方式使用。 又，需要時，亦可適當使用氫醌、甲醚氫醌類等的聚 合抑制劑（polymerization inhibitor)。再者，從提升耐 熱性來看，丙烯酸酯化合物較佳爲具有選自二環戊烯基、 三環癸烯基以及三哄環（triazine ring)所成群之至少1種 取代基。 上述馬來醯亞胺化合物，係分子中含有馬來醯亞胺基 至少2個以上者。此種馬來醯亞胺而言，可例舉：1-甲基-2,4-雙馬來醯亞胺苯、N，N’-間伸苯基雙馬來醯亞胺、 Ν,Ν’-對伸苯基雙馬來醯胺、N，N’-間芪（toluylene)雙馬 來醯亞胺、N，N’-4,4-聯伸苯雙馬來醯亞胺、N，N’-4,4-( -20- 201122078 3,3 -一甲基聯伸苯）雙馬來醯亞胺、ΝΑ，·4,4- ( 3,3,_二 甲基—本基甲烷）雙馬來醢亞胺、N，N，_4,4_(3,3，_:t 甲 \ 佐松 兀J雙馬來醯亞胺、Ν，Ν，-4,4-二苯基甲烷雙馬 來酿亞胺、N，]sj，a .—龙甘本 ’Ν ·4,4 -一本基丙院雙馬來醯亞胺、N，N，_ 3，3’-—苯基楓雙馬來醯亞胺、N，N’-4,4-二苯基醚雙馬來 釀亞胺、2’2-雙（4- ( 4-馬來醯亞胺苯氧）苯基）丙烷、 2.2- 雙（3-第二丁基_4,8_(4_馬來醯亞胺苯氧）苯基）丙 # 院、丨，1-雙（4-(4-馬來醯亞胺苯氧）苯基）癸烷、4,4，_ 亞環己基一雙（1_ ( 4-馬來醯亞胺苯氧）-2-環己基苯、 2.2- 雙（4- (4-馬來醯亞胺苯氧）苯基）六氟丙烷。此等 化合物可以單獨或混合2種以上之方式使用。 上述檸康醯亞胺樹脂，係使分子中具有檸康醯亞胺基 至少1個之檸康醯亞胺化合物聚合所成者。檸康醯亞胺化 合物而言，可例舉：苯基檸康醯亞胺' 1-甲基-2,4 -雙檸康 醯亞胺苯、N，N’-間伸苯基雙檸康醯亞胺、Ν,Ν’-對伸苯基 φ 檸康醯亞胺、Ν，Ν’-4,4-聯伸苯雙檸康醯亞胺、Ν，Ν’-4,4-(3，3-二甲基聯伸苯基）雙檸康醯亞胺' Ν，Ν’-4,4-(3,3-二甲基二苯基甲烷）雙檸康醯亞胺、Ν,Ν’-4,4- (3，3-二乙 基二苯基甲烷）雙檸康醯亞胺、Ν,Ν’-4,4-二苯基甲烷雙檸 康醯亞胺、Ν,Ν’-4,4·二苯基丙烷雙檸康醯亞胺、Ν，Ν’-4,4-二苯基醚雙檸康醯亞胺、：^1^’-4,4-二苯基颯雙檸康醯 亞胺、2,2-雙（4- ( 4·檸康醯亞胺苯氧）苯基）丙烷、 2，2-雙（3-第二丁基-3,4-( 4-檸康醯亞胺苯氧）苯基）丙 烷、1,1-雙（4-(4_檸康醯亞胺苯氧）苯基）癸烷' 4,4’- -21 - 201122078 亞環己基一雙（卜（4-檸康醯亞胺苯氧）苯氧）-2-環己基 苯、2,2-雙（4- (4-檸康醯亞胺苯氧）苯基）六氟丙烷。 此等化合物可以單獨或混合2種以上之方式使用。 上述萘酚二胺醯胺樹脂，係將分子中具有至少1個萘 酚二胺醯亞胺基之萘酚二胺醢亞胺化合物加以聚合所成者 。萘酚二胺醯亞胺化合物而言，可例舉：苯基萘酚二胺醯 亞胺、1-甲基-2，4-雙萘酚二胺醯亞胺苯、Ν,Ν’-間伸苯基 雙萘酚二胺醯亞胺、Ν，Ν’-對伸苯基雙萘酚二胺醯亞胺、 比：^-4,4-聯伸苯基雙萘酚二胺醯亞胺、1：^’-4,4-(3,3-二 甲基聯伸苯基）雙萘酚二胺醯亞胺、Ν，Ν’-4,4- ( 3,3-二甲 基二苯基甲烷）雙萘酚二胺醯亞胺、N，N’-4,4- (3，3-二乙 基二苯基甲烷）雙萘酚二胺醯亞胺、N，N’-4，4-二苯基甲烷 雙萘酚二胺醯亞胺、Ν，Ν’-4,4-二苯基丙烷雙萘酚二胺醯亞 胺、Ν，Ν’-4,4-二苯基醚雙萘酚二胺醯亞胺、Ν，Ν’-4,4-二 苯基颯雙萘酚二胺醯亞胺、2,2-雙（4- ( 4-萘酚二胺醯亞 胺苯氧）苯基）丙烷、2，2-雙（3-第二丁基-3,4- (4-萘酚 二胺醯亞胺苯氧）苯基）丙烷、1，1-雙（4- (4-萘酚二胺 醯亞胺苯氧）苯基）癸烷、4,4’-亞環己基一雙（ΐ·(4-萘 酚二胺醯亞胺苯氧）苯基）-2-環己基苯、2,2-雙（4-(4-萘酚二胺醯亞胺苯氧）苯基）六氟丙烷。此等化合物可以 單獨或混合2種以上之方式使用。 又，於上述自由基聚合性物質中，較佳爲倂用具有可 以下述化學式（I)表示之磷酸酯構造之自由基聚合性物 質。此時，由於對金屬等的無機物表面之接著強度會改善

-22- 201122078 之故，對電路電極互相間的接著很合適。 [化1] O CH3 -0CH2CH2~O-C-O:=cH2 式中，n表示1至3的整數。 具有上述磷酸酯構造之自由基聚合性物質，如使用磷 φ 酸酐與2-羥基乙基（甲基）丙烯酸酯進行反應，即可製得 。作爲具有磷酸酯構造之自由基聚合性物質，具體而言， 有：一（2-甲基丙烯醯氧乙基）酸性磷酸酯、二（2-甲基 丙烯醯氧乙基）酸性磷酸酯。此等化合物可以單獨或混合 2種以上之方式使用。 具有以上述化學式（I)表示之磷酸酯構造之自由基 聚合性物質的調配量，係對自由基聚合性物質和因需要所 調配之薄膜形成材料的合計100質量份，較佳爲0.01至50 φ 質量份，更佳爲0.5至5質量份。 上述自由基聚合性物質，亦可與烯丙基丙烯酸酯併用 。此時，烯丙基丙烯酸酯的調配量，係對自由基聚合性物 質和因需要所調配之薄膜形成材料的合計1 00質量份，較 佳爲0.1至10質量份，更佳爲0.5至5質量份。 藉由加熱而發生游離自由基之硬化劑，係因加熱而分 解後發生游離自由基之硬化劑。此種硬化劑而言，可例舉 :過氧化化合物、偶氮基系化合物。此種硬化劑，係視作 爲目的之連接溫度，可使用時間等而適當加以選定。從高 -23- 201122078 反應性及提升可使用時間之觀點來看，較佳爲半衰期（ half-value period) 10小時的溫度在40°C以上，且半衰期1 分鐘的溫度在180 °C以下的有機過氧化物，更佳爲半衰期 10小時的溫度在60°C以上，且半衰期1分鐘的溫度在170°C 以下的有機過氧化物。 上述硬化劑的調配量，如將連接時間作爲25秒鐘以下 時，爲獲得充分的反應率起見，係對自由基聚合性物質和 因需要所調配之薄膜形成材料的合計100質量份，較佳爲2 至1〇質量份程度，更佳爲4至8質量份。在此，如不限定連 接時間時的硬化劑的調配量，係對自由基聚合性物質和因 需要所調配之薄膜形成材料的合計100質量份，較佳爲 0.05至20質量份，更佳爲0.1至10質量份。 作爲藉由加熱而發生游離自由基之硬化劑，更具體而 言，可例舉：二醯基過氧化物、過氧化二碳酸酯、過氧化 酯過氧化縮酮、二烷基過氧化物、氫過氧化物、甲矽烷基 過氧化物。 又，從抑制電路電極32、42的腐蝕之觀點來看，硬化 劑，較佳爲硬化劑中所含有之氯離子或有機酸的濃度在 5 00 Oppm以下，更佳爲加熱分解後發生之有機酸少者。 作爲此種硬化劑，具體而言，可例舉：過氧化酯、二 烷基過氧化物、氫過氧化物、甲矽烷基過氧化物等，更佳 爲選自能獲得高反應性之過氧化酯。在此，上述硬化劑， 可適當混合使用。 過氧化酯而言，可例舉：茴香基（cumyl )過氧化新 -24- 201122078 癸酸酯、1，1，3,3-四甲基丁基過氧化新癸酸酯、1-環己基-1-甲基乙基過氧化新癸酸酯、第三己基過氧化新癸酸酯、 第三丁基過氧化三甲基乙酸酯（pivalate) 、1，1，3,3-四甲 基丁基過氧化-2-乙基己酸酯、2,5-二甲基-2,5-二（2-乙基 己醯過氧化）己烷、1-環己基-1-甲基乙基過氧化-2-乙基 己酸酯、第三己基過氧化-2-乙基己酸酯、第三丁基過氧 化-2-乙基己酸酯、第三丁基過氧化異丁酸酯、1,1-雙（第 φ 三丁基過氧化）環己烷、第三己基過氧化異丙基-碳酸酯 、第三丁基過氧化-3，5,5-三甲基己酸酯、第三丁基過氧化 月桂酸酯、2,5-二甲基-2,5-二（間甲苯醯基（toluoyl )過 氧化）己烷、第三丁基過氧化異丙基-碳酸酯、第三丁基 過氧化-2-乙基己基-碳酸酯、第三己基過氧化苯甲酸酯 、第三丁基過氧化乙酸酯。 二烷基過氧化物而言，可例舉：α，α’-雙（第三丁基 過氧化）二異丙基苯、二茴香基過氧化物、2,5-二甲基-φ 2,5-二（第三丁基過氧化）己烷、第三丁基茴香基過氧化 物。 氫過氧化物而言，二異丙基苯氫過氧化物、茴香基氫 過氧化物。 二醯基過氧化物而言，可例舉：異丁基過氧化物、 2,4-二氯苯甲醯過氧化物、3,5,5-三甲基己醯過氧化物、 辛醯過氧化物、月桂醯過氧化物、硬脂醯過氧化物、琥珀 醯過氧化物、苯甲醯過氧化甲苯、苯甲醯過氧化物。 過氧化二碳酸酯而言，可例舉：二正丙基過氧化二碳 -25- 201122078 酸酯、二異丙基過氧化二碳酸酯、雙（4-第三丁基環己基 )過氧化二碳酸酯、二-2-乙氧甲氧過氧化二碳酸酯、二 (2-乙基己基過氧化）二碳酸酯、二甲氧丁基過氧化二碳 酸酯、二（3 -甲基-3-甲氧丁基過氧化）二碳酸酯。 過氧化縮酮而言，可例舉：1,1-雙（第三己基過氧化 )-3,3,5 -三甲基環己烷、1，1-雙（第三己基過氧化）環己 烷、1，1-雙（第三丁基過氧化）-3,3,5-三甲基環己烷、 1，1-(第三丁基過氧化）環十二烷、2,2雙（第三丁基過氧 化）癸烷。 甲矽烷基過氧化物而言，可例舉：第三丁基三甲基甲 矽烷基過氧化物、雙（第三丁基）二甲基甲矽烷基過氧化 物、第三丁基三乙烯基甲矽烷基過氧化物、雙（第三丁基 )二乙烯基甲矽烷基過氧化物、參（第三丁基）乙烯基甲 矽烷基過氧化物、第三丁基三烯丙基過氧化物、雙（第三 丁基）二烯丙基甲矽烷基過氧化物、參（第三丁基）烯丙 基甲矽烷基過氧化物。 此等硬化劑，可以單獨或混合2種以上之方式使用， 亦可混合分解促進劑、抑制劑等使用。又，亦可將此硬化 劑使用聚胺酯系、聚酯系的高分子物質等加以被覆後使其 微膠囊化。由於經微膠囊化之硬化劑，可延長可使用時間 之故很合適。 接著劑組成物中，需要時可添加薄膜形成材料使用。 薄膜形成材料’係指當使液狀物固態化而將構成組成物作 成薄膜形狀時，使其薄膜的操作處理容易，並賦予不會容 -26- 201122078 易裂開、破裂、或發黏等機械特性者而可在通常的狀態（ 常溫常壓）下作爲薄膜之操作處理者之意。 薄膜形成材料而言，可例舉：苯氧基樹脂、聚乙烯醇 縮甲醒樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚乙烯醇縮丁醛樹脂、聚酯 樹脂、聚醯胺樹脂、二甲苯樹脂、聚胺脂樹脂。此中，由 於接著性、相溶性、耐熱性、機械性強度優異之故，較佳 爲苯氧基樹脂。 馨 本氧基樹脂’如使2官能苯酸類與表鹵醇（epihalo hydrin )進行反應至高分子化、或使2官能環氧樹脂與2官 能苯酸類進行複加成，即可製得之樹脂。苯氧基樹脂，係 例如’使2官能苯酚類！莫耳與表鹵醇〇985至1〇 i 5莫耳， 在鹼金屬氫氧化物等的觸媒存在下，於非反應性溶劑中， 在4〇至l2〇°C的溫度下進行反應，即可製得。 又’苯氧基樹脂而言，從樹脂的機械特性或熱特性的 觀點來看’特佳爲將2官能性環氧樹脂及2官能性苯酚類的 Φ 調配當量比作成環氧基/苯酚氫氧基=1/0.9至1/1.1，而在 驗金屬化合物、有機磷系化合物、環狀胺系化合物等的觸 媒的存在下’沸點在120 °C以上的醯胺系、酯系、酮系、 內酯系、醇系等的有機溶劑中依反應固體成分在50質量份 以下的條件下加熱爲50至200。(：以使進行複加成反應所製 得者。 上述2官能環氧樹脂而言，可例舉：雙酚a型環氧樹 脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚AD型環氧樹脂、雙酚s型環 氧樹脂、雙酚二縮水甘油基醚、甲基取代雙酚二縮水甘油 -27- 201122078 基醚。 2官能苯酚類，係具有2個苯酚性氫氧基者。2官能苯 酚類而言，可例舉：氫醌類、雙酚A、雙酚F、雙酚AD、 雙酚S、雙酚兼、甲基取代雙酚弗、二羥基聯苯、甲基取 代二羥基聯苯等的雙酚類。 苯氧基樹脂，可爲被自由基聚合性的官能基，或其他 反應性化合物所改性（例如，環氧改性）。苯氧基樹脂， 可以單獨或混合2種以上之方式使用。 接著劑組成物，可再含有將丙烯酸、丙烯酸酯、甲基 丙烯酸酯以及丙烯腈之中至少一個作爲單體成分之聚合物 或共聚物。在此，由於應力緩和（stress decay )方面優 異之故，較佳爲倂用含有縮水甘油醚基之縮水甘油基丙烯 酸酯或含有縮水甘油基甲基丙烯酸酯之共聚物系丙烯酸類 橡膠。此等丙烯酸類橡膠的重量平均分子量，從提高接著 劑的凝聚力起見，較佳爲20萬以上。 導電粒子12的調配量，係對接著劑組成物100體積份 ，較佳爲〇_1至30體積份，而其調配量則視其用途而有所 不同。從防止因過剩的導電粒子12所引起之電路電極的短 路的觀點來看，導電粒子12的調配量，更佳爲0.1至10體 積份。 電路連接材料中，亦可再含有橡膠微粒子、塡充劑、 軟化劑、促進劑、老化防止劑、著色劑、阻燃劑、觸變劑 (thixotropic agent )、偶合劑、苯酚類樹脂、三聚氰胺 樹脂、異氰酸酯類。 -28- 201122078 橡膠微粒子’祇要是具有將調配之導電粒子12的平均 粒徑的2倍以下的平均粒徑’且具有導電粒子12及接著劑 組成物在室溫下的儲藏彈性率的1/2以下的儲藏彈性率者 即可。特別是，如橡膠微粒子的材質，係屬於聚矽氧、丙 烯酸乳液、SBR (苯乙烯一丁二烯共聚橡膠）、NBR (丙 烯腈一丁二烯共聚橡膠、聚丁二烯橡膠之微粒子時，則以 單獨或混合2種以上之方式使用較合適。經三維交聯之此 等橡膠微粒子，係耐溶劑性優異者，容易分散於接著劑組 成物中。 如使回電連接材料中含有塡充劑時，則由於連接可靠 性等會提升之故很合適。塡充劑，祇要是其最大徑在導電 粒子1 2的粒徑的1 /2以下，則可使用。如塡充劑的粒徑較 導電粒子爲大時，則有可能妨礙導電粒子的扁平化。又， 如欲倂用不持有導電性之粒子時，祇要是塡充劑的直徑， 在不持有導電性之粒子的粒子的直徑以下，則可使用。 塡充劑的調配量，係對接著劑組成物1 00體積份，較 佳爲5至60體積份。如調配量在60體積份以上時，則有連 接可靠性提升效果會飽和之傾向，而如在5體積份以下時 ，則有塡充劑添加的效果會成爲不足夠之傾向。 上述偶合劑而言’由於含有乙烯基 '丙烯基、環氧基 或異氯酸醋基之化合物’可提升接著性之故很合適。 在此’薄膜狀的電路連接材料，係如於支擦體（pET (聚對苯二甲酸乙二醇酯）上使用塗工裝置（未圖示）而 塗佈上述電路連接材料’並實施既定時間之熱風乾燥即可

S -29- 201122078 製作。 [電路構件的連接構造之製造方法] 其次’就上述之電路構件的連接構造1之製造方法加 以說明。 首先’準備：具有上述之第1電路電極32之第1電路構 件30、及具有第2電路電極42之第2電路構件40、以及電路 連接材料。電路連接材料而言，準備例如，經成形爲薄膜 狀之電路連接材料（以下，簡稱薄膜狀電路連接材料）。 薄膜狀電路連接材料，係含有上述接著劑組成物、及導電 粒子12者。薄膜狀電路連接材料的厚度，較佳爲1〇至5〇 /z m。 其次，於第1電路構件30之上，載置薄膜狀電路連接 材料。然後’將第2電路構件40，按第1電路電極32與第2 電路電極42能相對向之方式，載置於薄膜狀電路連接材料 之上。由此，能使薄膜狀電路連接材料介在於第1電路構 件30與第2電路構件40之間。此時，薄膜狀電路連接材料 係薄膜狀之故，操作處理很容易。因此，如使採用此種薄 膜狀電路連接材料，則在連接第1電路構件30與第2電路構 件40時，可容易介在於其等之間，而容易實施第1電路構 件3 0與第2電路構件40之間的連接作業。 其次，介由第1電路構件3〇及第2電路構件4〇而在加熱 薄膜狀電路連接材料之下加壓以實施硬化處理，於第1及 第2電路構件30、40之間形成電路連接構件1〇。硬化處理

S -30- 201122078 ，可依一般性方法實施，其方法則視接著劑組成物而適當 選擇。此時，如電路連接材料中的導電粒子12的最外層係 Ni (鎳）時，由於Ni係較Au (金）爲硬之故，較最外層 係Au之導電粒子爲突起部14將能更深入第1或第2電路電 極32、42中，結果導電粒子12與電路電極32、42之間的接 觸面積即增加。又，如將導電粒子的金屬層厚度作成65至 125 nm的範圍，連接電阻即會穩定。並且，實施電路連接 φ 材料之硬化處理之結果，接著劑組成物即硬化而實現對第 1電路構件30及第2電路構件40之高度的接著強度，並能長 期間保持導電粒子12與第1及第2電路電極32、42經堅固接 觸之狀態。 因而，不管第1及/或第2電路電極32、42表面有無凹 凸，均可充分降低相對向之第1及第2電路電極32、42間的 連接電阻，而能達成第1電路電極32與第2電路電極42之間 的良好的電連接之同時，可充分提高第1及第2電路電極32 Φ 、42間的電特性的長期信賴性。 另外，於上述實施形態中，雖然經使用薄膜狀電路連 接材料以製造電路構件的連接構造1，惟亦可不用薄膜狀 電路連接材料而使用將形成爲薄膜狀之前的電路連接材料 。在此情形，祇要是使電路連接材料溶解於溶劑中，並將 此溶液塗佈於第1電路構件30或第2電路構件40的任一並加 以乾燥，即可使其介在第1及第2電路構件30 ' 40間。 以上，經就本發明之較佳的實施形態加以說明，惟本 發明並不因此而有所限制。 -31 - 201122078 【實施方式】 [實施例] 以下，將依據實施例而具體說明本發明內容，惟本發 明並不因實施例而有所限定。 [導電粒子之製作] (核體之製作） 改變四羥甲基甲烷四丙烯酸酯、二乙烯苯以及苯乙烯 單體的混合比，並作爲聚合引發劑而使用苯甲醯過氧化物 進行懸浮聚合（suspension polymerization)，並將所得 聚合物加以分級之結果，製得具有3 a m的平均粒徑之核 體。 (導電粒子No.l之製作） 對上述核體的表面，實施無電解Ni電鍍，以製作具有 均勻的厚度100 nm的Ni層（金屬層）之導電粒子No.l。 (導電粒子Νο·2之製作） 於導電粒子No.l上將Au按25nm厚度實施取代電鍍（ substitution plating )，以形成具有均勻厚度的Au層，而 製作導電粒子Νο·2。 (導電粒子Νο.3之製作） 201122078 調整對上述核體表面實施無電解Ni電鍍處理時的電鍍 液的飼給量、處理溫度以及時間並改變電鍍厚度，藉以於 上述核體表面形成Ni電鍍的突起部。製成Ni層的目標厚度 40至60nm的導電粒子No,3。 (導電粒子No·4之製作） 調整對上述核體表面實施無電解Ni電鍍處理時的電鍍 φ 液的飼給量、處理溫度以及時間並改變電鍍厚度，藉以於 上述核體表面形成Ni電鍍的突起部。製成Ni層的目標厚度 60至8〇11111的導電粒子>1〇.4。 (導電粒子No.5之製作） 調整對上述核體表面實施無電解Ni電鍍處理時的電鍍 液的飼給量、處理溫度以及時間並改變電鍍厚度，藉以於 上述核體表面形成Ni電鍍的突起部。製成Ni層的目標厚度 φ 90至lOOnm的導電粒子Νο·5。 (導電粒子Νο·6之製作） 調整對上述核體表面實施無電解Ni電鍍處理時的電鍍 液的飼給量、處理溫度以及時間並改變電鍍厚度，藉以於 上述核體表面形成Ni電鍍的突起部。製成Ni層的目標厚度 110至130nm的導電粒子Νο·6。 (導電粒子No.7之製作） -33- 201122078 調整對上述核體表面實施無電解Ni電鍍處理時的電鍍 液的飼給量、處理溫度以及時間並改變電鍍厚度，藉以於 上述核體表面形成Ni電鍍的突起部。製成Ni層的目標厚度 130至150nm的導電粒子No.7。 (導電粒子No.8之製作）

於導電粒子No.5上將Au按25nm厚度實施取代電鍍， 以形成具有複數個檢體滴下之Au層，以製作導電粒子 Νο·8。 就依上述方式製作之導電粒子No.l至8，使用電子顯 微鏡[日立製作所（股）、S-8 00]加以觀察，並測定金屬 層厚度、突起部高度以及相鄰接之突起部間的距離。將其 結果表示於表1中。 [表1] 金屬層 突起之高度 (nm) 突起間之距離 (nm) 其他 厚度(nm) No.l Ni 100 無突起 無突起 No.2 Au/Ni 25/100 無突起 無突起 No.3 Ni 50 85 1000 • No.4 Ni 65 100 700 No.5 Ni 100 130 500 _ No.6 Ni 125 155 400 粒子凝結:少量 No.7 Ni 150 180 300 粒子凝結:大量 No.8 Au/Ni 25/100 155 500 - (苯氧基樹脂之調製）

S -34 - 201122078 將苯氧基樹脂（重量平均分子量：45000、聯合碳化 鈣（股）公司製，商品名「PKHC」）50g，溶解於甲苯/ 乙酸乙酯=50/50 (質量比）的混合溶劑中，以調製固體成 分40質量％的苯氧基樹脂溶液。 (聚胺酯丙烯酸酯之合成）

將聚己內酯二醇（重量平均分子量：800) 400質量份 、2-羥基丙基丙烯酸酯131質量份，作爲觸媒之二丁基月 桂酸錫0.5質量份以及作爲聚合抑制劑之氫醌-甲基醚1.〇 質量份，在攪拌之下加熱爲5 (TC並加以混合。接著，對於 混合液中滴下異佛爾酮二異氰酸酯222質量份，再在攪拌 之下升溫爲80 °C以實施聚胺酯化反應。經確認異氰酸酯基 的反應率成爲99%以上後，降低反應溫度而製得聚胺酯丙 烯酸酯。 φ [電路連接材料之製作] (電路連接材料A之製作） 將上述苯氧基樹脂溶液（固體成分含量：50g ) 125g 、上述聚胺酯丙烯酸酯49g、磷酸酯型丙烯酸酯lg以及作 爲因加熱而發生游離自由基之硬化劑之第三己基過氧化-2-乙基己酸酯5g，加以混合而製得接著劑組成物。對所製 得接著劑組成物1〇〇質量份中，使導電粒子No.4分散2.3質 量份以調製電路連接材料。 然後，使用塗工裝置而將此電路連接材料塗佈於經單 -35- 201122078 面的表面處理之厚度50 "111的PET薄膜上，在70 °C下熱風 乾燥3分鐘後，於PET薄膜上製得厚度18// m的薄膜狀電路 連接材料A。 (電路連接材料B之製作） 除不用導電粒子No .4而採用導電粒子No.5爲3.0質量 份以外，其餘則按與電路連接材料A同樣方式，製作厚度 18#m的薄膜狀電路連接材料Β» $ (電路連接材料C之製作） 除不用導電粒子No.4而採用導電粒子No.6爲3.6質量 份以外，其餘則按與電路連接材料A同樣方式，製作厚度 18/zm的薄膜狀電路連接材料C。 (電路連接材料D之製作） 除不用導電粒子No.4而採用導電粒子No.3爲1.8質量 φ 份以外，其餘則按與電路連接材料A同樣方式，製作厚度 18;zm的薄膜狀電路連接材料D。 (電路連接材料E之製作） 除不用導電粒子Νο·4而採用導電粒子No.7爲4.0質量 份以外，其餘則按與電路連接材料A同樣方式，製作厚度 18// m的薄膜狀電路連接材料E。

S -36- 201122078 (電路連接材料F之製作） 除不用導電粒子No·4而採用導電粒子Νο ·ι爲3〇質量 份以外，其餘則按與電路連接材料A同樣方式，製作厚度 18#m的薄膜狀電路連接材料F。 (電路連接材料G之製作） 除不用導電粒子No.4而採用導電粒子no.2爲3.0質量 φ 份以外，其餘則按與電路連接材料A同樣方式，製作厚度 18/z m的薄膜狀電路連接材料G。 (電路連接材料Η之製作） 除不用導電粒子Νο·4而採用導電粒子ν〇·8爲3.0質量 份以外，其餘則按與電路連接材料Α同樣方式，製作厚度 18/z m的薄膜狀電路連接材料Η。 φ [電路構件之連接構造之製作] (實施例1 ) 作爲第1電路構件，準備具有由聚醯亞胺薄膜（厚度 38#m)、與Sn (錫）電鍍Cu (銅）箔（厚度8/zm)所成 之2層構造之柔性印刷電路板（以下，簡稱FPC )。該FPC 的電路’係作成線（line)寬幅18〆m及節距（pitch) 50 从m。 其次’作爲第2電路構件而準備於表面具備有ITO電路 電極（厚度5〇nm、表面電阻<20 Ω )之玻璃基板（厚度 201122078 l.lmm)。該第2電路構件的電路，係作成線寬幅25 及 節距5 0 # m。 然後，於第2電路構件上貼附經裁斷爲既定的尺寸（ 1.5x30mm)之電路連接材料A，依70°C、l.OMPa的條件加 熱，加壓3秒鐘，並加以臨時連接。接著，在剝離PET薄 膜後，按使用FPC與第2電路構件夾介電路連接材料A之方 式配置FPC，以實施FPC的電路與第2電路構件的電路的位 置對準。然後，依170°C、3MPa，10秒鐘的條件從FPC上 方實施加熱、加壓，並進行FPC與第2電路構件的真連接 。如此方式，製作電路構件的連接構造。 (實施例2 ) 作爲第1電路構件而準備與實施例1同樣的FPC。接著 ，作爲第2電路構件而準備於表面具備有IZO電路電極（厚 度50nm、表面電阻<20Ω )之玻璃基板（厚度l.lmm)。 該第2電路構件的電路，係作成線寬幅25# m及節距50# m 。然後，按與實施例1同樣方式，使用電路連接材料A以 製作電路構件的連接構造。 (實施例3 ) 作爲第1電路構件而準備與實施例1同樣的FPC。接著 ，作爲第2電路構件而準備於表面上具備有ITO (最外層、 厚度50nm) / Cr (鉻）（厚度200nm)的2層構造的電路 電極（表面電阻<20Ω)之玻璃基板（厚度l.lmm)。該

-38- 201122078 第2電路構件的電路，係作成線寬幅25// m及節距50/zm。 然後，按與實施例1同樣方式，使用電路連接材料A以製 作電路構件的連接構造。 (實施例4 ) 作爲第1電路構件而準備與實施例1同樣的FPC。接著 ，作爲第2電路構件而準備於表面上具備有ITO (最外層、 厚度50mm) / Ti (欽）（厚度100nm) / A1 (銘）（厚度 200nm) /Ti (厚度lOOnm)的4層構成的電路電極（表面 電阻<20Ω)之玻璃基板（厚度1.1mm)。該第2電路構件 的電路，係作成線幅25"m及節距50;zm。然後’按與貫 施例1同樣方式，使用電路連接材料A以製作電路構件的 連接構造。 (實施例5 ) 作爲第1電路構件而準備與實施例1同樣的FPC。接著 ，作爲第2電路構件而準備於表面上具備A1電路電極（厚 度200nm、表面電阻<5Ω )之玻璃基板（厚度1.1mm)。 該第2電路構件的電路，係作成線寬幅25 # m及節距50// m 。然後，按與實施例1同樣方式，使用電路連接材料八以 製作電路構件的連接構造。 (實施例6 ) 除不用電路連接材料A，而採用電路連接材料B以外 -39- 201122078 ，其餘則按與實施例1同樣方式以製作電路構件的連接構 造。 (實施例7 ) 除不用電路連接材料A，而採用電路連接材料B以外 ，其餘則按與實施例2同樣方式以製作電路構件的連接構 造。 (實施例8 ) 除不用電路連接材料A，而採用電路連接材料B以外 ’其餘則按與實施例3同樣方式以製作電路構件的連接構 造。 (實施例9 ) 除不用電路連接材料A，而採用電路連接材料B以外 ’其餘則按與實施例4同樣方式以製作電路構件的連接構 造。 (實施例1 〇 ) 除不用電路連接材料A，而採用電路連接材料B以外 ’其餘則按與實施例5同樣方式以製作電路構件的連接構 造0 (實施例11 ) -40 - 201122078 除不用電路連接材料A，而採用電路連接材料C以外 ’其餘則按與實施例1同樣方式以製作電路構件的連接構 造。 (實施例1 2 ) 除不用電路連接材料A，而採用電路連接材料C以外 ’其餘則按與實施例2同樣方式以製作電路構件的連接構 ❿造。 (實施例1 3 ) 除不用電路連接材料A，而採用電路連接材料C以外 ’其餘則按與實施例3同樣方式以製作電路構件的連接構 造。 (實施例1 4 ) • 除不用電路連接材料A，而採用電路連接材料C以外 ’其餘則按與實施例4同樣方式以製作電路構件的連接構 造。 (實施例1 5 ) 除不用電路連接材料A，而採用電路連接材料c以外 ’其餘則按與實施例5同樣方式以製作電路構件的連接構 造。

St -41 - 201122078 (比較例1 ) 除不用電路連接材料A，而採用電路連接材料D以外 ’其餘則按與實施例1同樣方式以製作電路構件的連接構 造。 (比較例2 ) 除不用電路連接材料A，而採用電路連接材料D以外 ’其餘則按與實施例2同樣方式以製作電路構件的連接構 造。 (比較例3 ) 除不用電路連接材料A，而採用電路連接材料D以外 ’其餘則按與實施例3同樣方式以製作電路構件的連接構 造。 (比較例4 ) ^ 除不用電路連接材料A，而採用電路連接材料D以外 ’其餘則按與實施例4同樣方式以製作電路構件的連接構 造。 (比較例5 ) 除不用電路連接材料A，而採用電路連接材料D以外 ，其餘則按與實施例5同樣方式以製作電路構件的連接構 造。

S -42- 201122078 (比較例6 ) 除不用電路連接材料A，而採用電路連接材料E以外 ，其餘則按與實施例1同樣方式以製作電路構件的連接構 造。 (比較例7 ) 除不用電路連接材料A，而採用電路連接材料E以外 ’其餘則按與實施例2同樣方式以製作電路構件的連接構 造〇 (比較例8 ) 除不用電路連接材料A，而採用電路連接材料E以外 ，其餘則按與實施例3同樣方式以製作電路構件的連接構 造。 (比較例9 ) 除不用電路連接材料A，而採用電路連接材料E以外 ’其餘則按與實施例4同樣方式以製作電路構件的連接構 造。 (比較例1 〇 ) 除不用電路連接材料A，而採用電路連接材料E以外 ’其餘則按與實施例5同樣方式以製作電路構件的連接構 -43- 201122078

(比較例11 ) 除不用電路連接材料A，而採用電路連接材料F以外 ，其餘則按與實施例1同樣方式以製作電路構件的連接構 造。 (比較例1 2 ) 除不用電路連接材料A，而採用電路連接材料以外 ’其餘則按與實施例2同樣方式以製作電路構件的連接構 造。 (比較例1 3 ) 除不用電路連接材料A，而採用電路連接材料F以外 ’其餘則按與實施例3同樣方式以製作電路構件的連接構 造。 (比較例1 4 ) 除不用電路連接材料A，而採用電路連接材料？以外 ，其餘則按與實施例4同樣方式以製作電路構件的連接構 造。 (比較例1 5 ) 除不用電路連接材料A，而採用電路連接材料F以外 -44- 201122078 ，其餘則按與實施例5同樣方式以製作電路構件的連接構 造。 (比較例1 6 ) 除不用電路連接材料A，而採用電路連接材料G以外 ’其餘則按與實施例1同樣方式以製作電路構件的連接構 造。 (比較例1 7 ) 除不用電路連接材料A，而採用電路連接材料G以外 ，其餘則按與實施例2同樣^式以製作電路構件的連接構 造。 (比較例1 8 ) 除不用電路連接材料A，而採用電路連接材料G以外 ，其餘則按與實施例3同樣方式以製作電路構件的連接構 造。 (比較例1 9 ) 除不用電路連接材料A，而採用電路連接材料G以外 ，其餘則按與實施例4同樣方式以製作電路構件的連接構 造。 (比較例20 ) -45- 201122078 除不用電路連接材料A，而採用電路連接材料G以外 ，其餘則按與實施例5同樣方式以製作電路構件的連接構 造。 (比較例2 1 )

除不用電路連接材料A，而採用電路連接材料η以外 ’其餘則按與實施例1同樣方式以製作電路構件的連接構 造。 (比較例22 ) 除不用電路連接材料A，而採用電路連接材料Η以外 ，其餘則按與實施例2同樣方式以製作電路構件的連接構 造。 (比較例23 ) 除不用電路連接材料A，而採用電路連接材料Η以外 ，其餘則按與實施例3同樣方式以製作電路構件的連接構 造。 (比較例24 ) 除不用電路連接材料A，而採用電路連接材料η以外 ，其餘則按與實施例4同樣方式以製作電路構件的連接構 造。 -46 - 201122078 (比較例25 ) 除不用電路連接材料A，而採用電路連接材料η以外 ，其餘則按與實施例5同樣方式以製作電路構件的連接構 造。 [於電路電極上所存在之導電粒子數] 使用微分干擾式顯微鏡（differential interference

microscope)，以目視計數（n = 38)於上述電路構件的連 接構造中之各電路電極上所存在之導電粒子數。其結果， 實施例1至15、比較例1至25的電路電極上平均導電粒子數 係在32至45個的範圍內，而未能確認因電路連接材料或電 路構件之不同所引起之導電粒子數的極端性增減。 [連接電阻之測定] 就上述電路構件的連接構造，使用多級米達（ ^ multimeter) (ADC (股）公司製，商品名「數位多級米 達7461A」），測定第1電路構件（FPC)的電路電極、及 第2電路構件的電路電極之間的連接電阻値。連接電阻値 ，係在初期（剛連接後），及於80°C、95% RH (相對濕 度）的恆溫恆濕槽中保持500小時（高溫高濕處理）後所 測定者。將其結果表示於表2中。 表2中，連接電阻値，係以相鄰接電路間的電阻3 7處 的平均値（X)與將標準偏差（σ ) ( standard deviation )乘3倍之値的和（x + 3 σ )表示者。又，電阻增加率’係 -47- 201122078 將從初期電阻値至高溫高濕處理後電阻値的增加量以百分 比表示者，具體而言，係從下述式： 電阻增加率（％)=[(處理後電阻値-初期電阻値）/ 初期電阻値]XI 00 所算出者。作爲連接可靠性的改善效率的判斷基準，將電 阻增加率10%以下者訂爲有改善效果，將10%以上20%以 下者訂爲在來品水準，將2 0 %以上者訂爲無改善效果（ NG )。

S -48- 201122078 [表2]

電路連 接材料 導電粒子 第2電路電極 連接電阻(Ω) 電阻增 加率(％) No. 突起 最外層 (厚度） 初期 處理後 實施例1 A 4 有 Ni (65μπι) ΙΤΟ電路 117.3 124.7 6.3 實施例2 ΙΖΟ電路 85.6 91.2 6.5 實施例3 ITO/Cr電路 67.3 72.3 7.4 實施例4 ITO/Ti/Al/Ti 電路 68.5 73.6 7.4 實施例5 A1電路 22.5 23.1 2.7 實施例6 B 5 有 Ni (ΙΟΟμπι) ITO電路 121.6 128.3 5.5 實施例7 IZO電路 88.4 93.6 5.9 實施例8 ITO/Cr電路 66.5 70.5 6.0 實施例9 ITO/Ti/Al/Ti 電路 67.8 72‘0 6.2 實施例10 A1電路 23.3 24.1 3.4 實施例11 C 6 有 Ni (125μπι) ITO電路 121.6 130.4 7.2 實施例12 IZO電路 88.4 95.4 7.9 實施例13 ITO/Cr電路 66.5 72.2 8.6 實施例14 ITO/Ti/Al/Ti 電路 68.7 72.9 7.5 實施例15 A1電路 22.4 22.9 2.2 比較例1 D 3 有 Ni (50μηι) ITO電路 128.4 174.8 36.1 比較例2 IZO電路 90.1 127.7 41.7 比較例3 ITO/Cr電路 71.3 98.6 38.3 比較例4 ITO/Ti/Al/Ti 電路 72.1 104.7 45.2 比較例5 A1電路 26.5 34.7 30.9 比較例ό E 7 有 Ni (150μιη) ITO電路 121.6 134.4 10.5 比較例7 IZO電路 88.4 98.3 11.2 比較例8 ITO/Cr電路 66.5 73.5 10.5 比較例9 ITO/Ti/Al/Ti 電路 67.8 74.6 10.0 比較例10 A1電路 22.4 24.0 7.1 比較例11 F 1 紐 /»、、 Ni (ΙΟΟμηι) ITO電路 126.3 163.4 29.4 比較例Π IZO電路 92.6 117.2 26.6 比較例13 ITO/Cr電路 68.4 94.7 38.5 比較例14 ITO/Ti/Al/Ti 電路 71.1 96.0 35.0 比較例15 A1電路 26.0 34.9 34.2 比較例16 G 2 Μ /\\\ Au (25μπι) ITO電路 116.4 140.8 21.0 比較例17 IZO電路 86.2 103.3 19.8 比較例18 ITO/Cr電路 66.7 83.4 25.0 比較例19 ITO/Ti/Al/Ti 電路 66.8 81.1 21.4 比較例20 A1電路 23.9 27.5 15.1 比較例21 Η 8 有 Au (25μιη) ITO電路 118.7 135.2 13.9 比較例22 IZO電路 85.8 99.4 15.9 比較例23 ITO/Cr^ 70.4 82.2 16.8 比較例24 ITO/Ti/Al/Ti 電路 65.5 77.3 18.0 比較例25 A1電路 22.4 23.2 3.6 -49- 201122078 如表2中所示，如使用電路電極的全體或最外層係以 IT0或IZO所構成之第2電路構件時，則在實施例1至4、6 至9、1 1至Μ的電路構件的連接構造中，獲得電阻增加率 在1 〇 %以下之非常小的結果。相對於此，在比較例6至9、 12至24的電路構件的連接構造中，則電阻增加率爲約10至 18%，而在比較例1至4、11至14、16至19的電路構件的連 接構造中，電阻增加率爲2 0 %以上。 由此可知，對電路電極全體或最外層係以ITO及IZO 所構成之電路電極，如爲連接而使用含有具有突起部，而 最外層係Ni，其厚度65至125nm之導電粒子之電路連接材 料，即可獲得連接可靠性的改善之事實。 又，如使用具備有A1電路電極之第2電路構件時，經 以含有具有突起部，而最外層爲Ni，其厚度爲6 5 nm以上 之導電粒子之電路連接材料連接之實施例5、10、15、比 較例1 0中，電阻增加率係在1 0 %以下之小的結果。此種結 果，可推測爲當連接時導電粒子表面的突起部將突破A1電 路電極表面的氧化膜後與電路電極相接觸之結果。相對於 此，經以含有無突起部之導電粒子之電路連接材料連接之 比較例15、20中，電阻增加率係在約15至34%。又，經以 含有具有突起部，而最外層係Ni，其厚度爲50nm之導電 粒子之電路連接材料連接之比較例5中，電阻增加率則在 約 3 0 %。 另外，從使用具有突起部而最外層係Ni之導電粒子之 實施例5、10、15、比較例10、與使用具有突起部而最外 -50- 201122078 層係Au之導電粒子之比較例25的電阻增加率在同樣程度 看來，對電路電極係以A1所構成之電路構件，因導電粒子 的最外層的金屬種類所致之對連接可靠性的改善效果似乎 並不顯著。 由上述結果可確認，如採用本發明之電路連接材料， 則可達成相對向之電路電極互相間之良好的電連接之同時 ，在高溫高濕環境下或熱衝擊試驗等中亦能充分提高穩定 φ 的連接可靠性之事實。 [產業上之利用可能性] 如採用本發明之電路連接材料，則可達成相對向之電 路電極互相間之良好的電連接之同時，可充分提高電路電 極間的電特性的長期可靠性。又，如採用本發明，則可提 供電路電極間的電特性的長期可靠性方面十分優異的電路 構件之連接構造。 【圖式簡單說明】 第1圖：表示本發明之電路構件的連接構造之一實施 形態之剖面圖。 第2圖：表示構成本發明之電路連接材料之導電粒子 的各種形態之剖面圖。 【主要元件符號說明】 1 :電路構件之連接構造 -51 - 201122078 1 〇 =電路連接構件 1 1 :絕緣性物質 1 2 :導電粒子 14 :突起 21 :核體 21a :中核部 21b :突起部

22 :金屬層 3 0 :第1電路構件 31 :電路基板（第1電路基板） 3 1 a :主面 32:電路電極（第1電路電極） 40:第2電路構件 41:電路基板（第2電路基板） 4 1 a :主面 42:電路電極（第2電路電極） 43:絕緣層（第2絕緣層）

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Claims (1)

1. 201122078 七、申請專利範圍： 1 一種電路連接材料，其係將形成電路電極之2個 電路構件’使該電路電極相對面地進行電連接用之電路連 接材料’其特徵係該電路連接材料含有接著劑組成物與導 電粒子’且該導電粒子係有機高分子化合物所成之核體以 鎳或鎳合金所構成之金屬層被覆、且表面具有複數之突起 部，而該核體之平均粒徑係1〜4/zm，該金屬層之厚度爲 φ 65〜125nm，且用於該電路電極的厚度爲50nm以上的電 路構件之連接用。 2·如申請專利範圍第1項之電路連接材料，其中該 突起部之筒度爲50〜500nm。 3. 如申請專利範圍第1或2項之電路連接材料，其 中相鄰該突起部間之距離爲lOOOnm以下。 4. 如申請專利範圍第1或2項之電路連接材料，其 中該核體的平均粒徑爲2.5〜3.5μχη。 φ 5.如申請專利範圍第1或2項之電路連接材料，其 中該2個電路構件之電路電極之至少一者的厚度爲50〜 1000nm° 6. 如申請專利範圍第1或2項之電路連接材料，其 中該2個電路構件之電路電極之至少—者的厚度爲5〇〜 5 OOnm 〇 7. 一種電路構件之連接構造，其特徵係具備形成電 路電極且該電路電極爲對向配置之2個電路構件，與介於 該電路構件間，使該電路電極進行電連接之電路連接構件 -53- 201122078 ，該電路連接構件係申請專利範圍第1〜6項中任—項之 電路連接材料或其硬化物，且該電路電極的厚度爲50nm 以上。 8.如申請專利範圍第7項之電路連接構造，其中該 2個電路構件之電路電極之至少一者的厚度爲 50〜 1OOOnm ° 9:如申請專利範圍第7項之電路連接構造，其中該 2個電路構件之電路電極之至少一者的厚度爲50〜500 nm 〇 10. 如申請專利範圍第7項之電路構件之連接構造， 其中前述2個電路構件之電路電極的至少一者具有由銦-錫氧化物所成之最外層。 11. 如申請專利範圍第7項之電路構件之連接構造， 其中前述2個電路構件之電路電極的至少一者具有由銦-鋅氧化物所成之最外層。 S -54-