TW201107894A - Exposure apparatus - Google Patents

Exposure apparatus Download PDF

Info

Publication number
TW201107894A
TW201107894A TW099112976A TW99112976A TW201107894A TW 201107894 A TW201107894 A TW 201107894A TW 099112976 A TW099112976 A TW 099112976A TW 99112976 A TW99112976 A TW 99112976A TW 201107894 A TW201107894 A TW 201107894A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
exposure
light source
strip substrate
pair
light
Prior art date
Application number
TW099112976A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI485528B (zh
Inventor
Ken Miyake
Toshihiro Takagi
Original Assignee
Sanei Giken Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sanei Giken Co Ltd filed Critical Sanei Giken Co Ltd
Publication of TW201107894A publication Critical patent/TW201107894A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI485528B publication Critical patent/TWI485528B/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274Photolithographic processes
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2022Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/033Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
    • H01L21/0334Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
    • H01L21/0337Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane characterised by the process involved to create the mask, e.g. lift-off masks, sidewalls, or to modify the mask, e.g. pre-treatment, post-treatment
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/06Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
    • H05K3/061Etching masks
    • H05K3/065Etching masks applied by electrographic, electrophotographic or magnetographic methods

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Description

201107894 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係爲了對於每特定長度範圍,將可撓性之帶狀 基板進行曝光的曝光裝置。 【先前技術】 知道有將至少於單面具有形成感光層於表面的曝光面 之可撓性之帶狀基板,間歇性地傳送,於帶狀基板的特定 長度範圍,經由通過光罩而照射光之時,將描繪於光罩的 圖案(例如電路),轉印於帶狀基扳的特定長度範圍之曝 光裝置。在每次間歇性地傳送帶狀基板,帶狀基板之新的 特定長度範圍乃佔據對向於光罩的位置,陸續進行曝光作 業。 比較於置換預先切斷成特定長度之薄板狀的基板同時 而進行曝光之情況,利用帶狀基板的曝光乃有效率。 以往技術文獻 [專利文獻] [專利文獻1]日本特開2005-326550號公報 [專利文獻2]日本特開2006-301170號公報 【發明內容】 [發明欲解決之課題] 但期望提供以較以往的曝光裝置更低成本,得到高生 產性之曝光裝置。 -5- 201107894 [爲解決課題之手段] 爲了解決前述課題,如根據本發明’ 係爲用以將至少於單面具有形成感光層於表面的曝光 面之可撓性之帶狀基板,曝光於各特定長度範圍的曝光裝 置,其中,提供含有 相互鄰接,且平行地加以配置之一對的曝光單元’和 該一對之曝光單元之各自所共用之光源手段; 前述一對之曝光單元各自乃具備爲了將前述帶狀基板 ,沿著其長度方向間歇性地傳送之運送機構,和做成配置 於前述帶狀基板之運送路徑的曝光部,對於前述曝光面而 言,具有呈可接近或離反地加以設置之至少一個之光罩的 曝光部, 前述光源手段乃爲了將描繪於前述光罩的圖案轉印於 前述帶狀基板的前述曝光面,成爲可交互地將光照射於前 述一對之曝光單元之各前述曝光部的曝光裝置。 前述光源手段係作爲可移動至可將光照射於前述一對 之曝光單元之各前述曝光部的位置。 前述光源手段係亦可作爲包含複數之發光元件所構成 之掃描型光源者。 前述發光元件係亦可作爲半導體發光元件。 前述光源手段係作爲具備光源,和各設置於前述一對 之曝光單元之一對反射鏡者, 前述光源係可作爲將光交互地投射於前述一對反射鏡 之各個的照射角度可予以變更。 -6- 201107894 前述曝光部之前述帶狀基板的運送 0 前述光罩乃各一個配置於垂直狀態 兩側, 此等一對之光罩係於相互對向之位 標記, 可更具備爲了讀取該位置調整用 CCD照像機,和依據經由該CCD照像機 標記的讀取資料,將前述一對之光罩之 面內移動於X,Y,0方向,爲了進行 構者。 爲了進行前述帶狀基板與前述光罩 設置於前述光罩之位置調整用標記與可 置調整用標記形成於前述帶狀基板者。 形成於前述帶狀基板之前述位置調 前述帶狀基板之側緣》 [發明效果] 如根據本發明之曝光裝置,由一方 光之後,在爲了進行下次的曝光而間歇 ,進行位置調整之間,可將光源手段使 單元的曝光者。隨之,對於一對之曝光 光源手段者。其結果,可維持高生產性 費用。 路徑可做成垂直者 之前述帶狀基板的 置具有位置調整用 標記之至少〗個之 之前述位置調整用 中至少一方,在其 位置調整之移動機 之位置調整,可將 進行位置調整的位 整用標記係取代於 的曝光單元進行曝 性地傳送帶狀基板 用於另一方之曝光 單元而言,可共用 同時,可減輕設備 201107894 【實施方式】 圖1乃顯示有關本發明之曝光裝置之一實施形態。曝 光裝置乃包含第1之曝光單元1,和第2之曝光單元2,和第 1及第2之曝光單元1,2所共有之光源手段3。第1及第2之 曝光單元1,2係相互鄰接,且平行地加以配置。 各曝光單元1,2係具備將具有形成感光層於表面之曝 光面的可撓性之帶狀基板4卷成圓筒狀之伸出用捲軸5,和 爲了纏繞從伸出用捲軸5所伸出的帶狀基板4之纏繞用捲軸 6,和爲了從伸出用捲軸5至纏繞用捲軸6之間,間歇性地 傳送帶狀基板4之驅動裝置7。伸出用捲軸5,纏繞用捲軸6 及驅動裝置7係構成與導輥8等同時,爲了將帶狀基板4沿 著其長度方向間歇性地傳送之運送機構。 驅動裝置7係具備驅動滾輪7a。驅動滾輪7a係將由伸 出用捲軸5所捲入之帶狀基板4,以各特定長度間歇性地導 出。在圖示實施形態中,帶狀基板4之運送路徑乃在途中 成爲垂直。在另外的實施形態中,帶狀基板4之運送路徑 乃未具有垂直路徑亦可。 各曝光單元1,2係具備配置於帶狀基板4之垂直路徑 的曝光部9。曝光部9係具有對於帶狀基板4之曝光面而言 ,呈可接近或離反地加以設置之光罩1 〇。圖示實施形態之 情況,因曝光面加以設置於帶狀基板4之兩面之故,對於 各曝光單元1,2而言,光罩10係各加以設置2個。對於將 曝光面只設置於帶狀基板4之單面情況,對於各曝光單元1 ,2而言,光罩10係成爲各加以設置1個。 201107894 然而,關於光源手段3的數量而言,在將曝光面設置 於帶狀基板4之兩面的圖示實施形態中,曝光單元1,2所 共用之光源手段3乃加以設置2個。對於將曝光面只設置於 帶狀基板4之單面情況,曝光單元1,2所共用之光源手段3 乃1個即可。 在帶狀基板4之運送路徑乃未具有垂直路徑之實施形 態中,亦可將曝光部9配置於帶狀基板4之水平路徑。但, 水平狀態之帶狀基板4係有經由自重而產生彎曲變形之傾 向。另外,亦容易附著灰塵。隨之,於帶狀基板4之垂直 路徑配置曝光部9爲佳。 對於光罩10係描繪有欲轉印於帶狀基板4之曝光面上 的圖案(例如電路圖案)。當從光源手段3照射光至曝光 部9時,轉印圖案至曝光部9之帶狀基板4之特定長度範圍 之曝光面。 帶狀基板4乃經由運送機構所傳送,其特定長度範圍 乃到達至曝光部9時,傳送則停止,進行位置調整作業。 光罩1 0係對於帶狀基板4之曝光面加以接近。夾持帶狀基 板4而相互對向之2個光罩10係於相互對向的位置,具有位 置調整用標記。至少1個之CCD照像機1 1乃讀取此等之位 置調整用標記。依據讀取資料,移動機構12乃將一對之光 罩10之中至少一方,在其面內移動於X,Y,0方向,進 行一對之光罩1 0彼此的位置調整。 對於進行帶狀基板4與光罩1〇之位置調整,係亦使用 形成於帶狀基板4之位置調整用標記。形成於帶狀基板4之 201107894 位置調整用標記係成爲可與光罩10之位置調整用標記進行 位置調整的構成。 形成於帶狀基板4之位置調整用標記係亦可由帶狀基 板4之側緣代用。 在圖1之實施形態中,第1及第2之曝光單元所共用之 光源手段3係具備燈的光源3a,和平面鏡3b,和反射鏡3c 。從光源3 a所發射的光係經由平面鏡3 b而傳達至反射鏡3 c 。具有凹狀面之反射鏡3 c係將所傳達的光做成平行光而照 射至曝光部9。 在圖1以實線所示之光源手段3係位於可照射光至第1 之曝光單元1之曝光部9的位置。光源手段3係載置於將帶 狀基板4之運送方向做成橫切而延伸之一對的直動導軌13 上。光源手段3係滑動在直動導軌13上’可移動於可將光 照射至第2之曝光單元2之曝光部9的位置(以兩點虛線顯 示)。 在第1之曝光單元1中,當帶狀基板4之特定長度範圍 之曝光結束時,光源手段3係滑動在直動導軌13上,從可 照射光至第1之曝光單元1之曝光部9的位置,移動至可照 射光至第2之曝光單元2之曝光部9的位置,照射第2之曝光 單元2之曝光部9。其間,在第1之曝光單元1中,光罩10則 從帶狀基板4之曝光面反離,進行帶狀基板4之間歇性的運 送。而帶狀基板4之接下來的特定長度範圍乃加以位置於 曝光部9時,光罩10則接近於帶狀基板4之曝光面,進行位 置調整作業。結束對於第2之曝光單元2之曝光部9的照射 -10- 201107894 之光源手段3係再次滑動移動至可照射光至第1之曝光單元 1之曝光部9的位置,藉由位置調整結束之光罩1〇而進行照 射。 如此作爲,光源手段3係做成呈交互將光照射至第1及 第2之曝光單元1,2之各曝光部9。如爲以往,利用光源手 段3休止之位置調整作業時間,移動光源手段3至鄰接其他 的曝光單元,在此可進行曝光作業之故,對於2個曝光單 元而言,光源手段係由1個即可完成。 在圖2的實施形態中,光源手段3係包含複數之發光元 件14所成之掃描型光源3d。在本實施形態之掃描型光源3d 係利用半導體發光元件。 使用利用如此之半導體發光元件的掃描型光源之情況 ,可縮小光源本身,且可省略如反射鏡之光學機器之故, 可縮小在帶狀基板4之運送方向的曝光裝置全體尺寸者。 在圖2之實施形態中,在第1之曝光單元1中進行位置 調整作業時,掃描型光源3 d係移動於第2之曝光單元2側同 時,對於第2之曝光單元2之曝光部9而言進行掃描曝光。 在第2之曝光單元2之曝光結束,在第2之曝光單元2中進行 帶狀基板4之間歇性運送與位置調整作業之間’掃描型光 源3d係移動於第1之曝光單元1側同時’對於第1之曝光單 元1之曝光部9而言進行掃描曝光。 在圖3之實施形態中’光源手段3係乃具備燈之光源3 a ,和一對之平面鏡3b,和一對之反射鏡3c。光源3a係做成 可藉由可旋轉之平面反射鏡(未圖示)’以某角度範圍變 -11 - 201107894 更光的照射方向。光源3 a係在某照射角度的設; 第1之曝光單元1側之平面鏡3b’投射光至反射丨 第1之曝光單元1之曝光部9。在第1之曝光單元 束,在第1之曝光單元1中進行帶狀基板4之間春 位置調整作業之間,光源3 a係做成另外照射角! 藉由第2之曝光單元2側之平面鏡3b ’投射光至j 照射第2之曝光單元2之曝光部9。 在圖1乃至圖3任一之實施形態中’對於一! 元而言,亦可以交互使用之形態共用光源手段; 可維持高生產性之同時’可降低設備成本。 然而,在圖1及圖3之實施形態’經由光源 成爲如何,亦可省略平面鏡者。 更且,在圖1及圖3之實施形態’亦可使用'J 源,在圖2之實施形態’亦可使用半導體發光j 光源。 【圖式簡單說明】 圖1乃顯示有關本發明之曝光裝置之一實 上圖係平面圖,下圖係側面圖。 圖2乃顯示有關本發明之曝光裝置之其他 ,上圖係平面圖’下圖係側面圖。 圖3乃顯示有關本發明之曝光裝置之又其 圖,上圖係平面圖’下圖係側面圖。 ί,係藉由 I 3c,照射 1之曝光結 :性運送與 ί之設定, [射鏡3 c, f之曝光單 f。隨之, 手段3之構 ί以外之光 :件以外之 形態圖, 施形態圖 實施形態 -12- 201107894 【主要元件符號說明】 1 :第1之曝光單元 2 :第2之曝光單元 3 :光源手段 3 a :光源(燈) 3 b :平面鏡 3 c :反射鏡 3d:光源(掃描型光源) 4 :帶狀基板 5:伸出用捲軸(運送機構) 6:纏繞用捲軸(運送機構) 7:驅動裝置(運送機構) 7a:驅動滾輪(運送機構) 8 :導輥(運送機構) 9 :曝光部 1 0 :光罩 1 1 : CCD照像機 12 :移動機構 1 3 :直動導軌 1 4 :發光元件 -13-

Claims (1)

  1. 201107894 七、申請專利範圍: 1. 一種曝光裝置,係爲用以將至少於單面具有形成感 光層於表面的曝光面之可撓性之帶狀基板,曝光於各特定 長度範圍的曝光裝置,其特徵乃含有 相互鄰接,且平行地加以配置之一對的曝光單元,和 該一對之曝光單元之各自所共用之光源手段; 前述一對之曝光單元各自乃具備爲了將前述帶狀基板 ,沿著其長度方向間歇性地傳送之運送機構,和做成配置 於前述帶狀基板之運送路徑的曝光部,對於前述曝光面而 言,具有呈可接近或離反地加以設置之至少一個之光罩的 曝光部, 前述光源手段乃爲了將描繪於前述光罩的圖案轉印於 前述帶狀基板的前述曝光面,成爲可交互地將光照射於前 述一對之曝光單元之各前述曝光部。 2 .如申請專利範圍第1項記載之曝光裝置,其中,前 述光源手段乃成爲可移動至可將光照射於前述一對之曝光 單元之各前述曝光部的位置。 3. 如申請專利範圍第2項記載之曝光裝置,其中,前 述光源手段乃包含複數之發光元件所構成之掃描型光源者 〇 4. 如申請專利範圍第3項記載之曝光裝置,其中,前 述發光元件乃半導體發光元件。 5 .如申請專利範圍第1項記載之曝光裝置,其中,前 述光源手段乃具備光源,和各設置於前述一對之曝光單元 -14- 201107894 之一對反射鏡, 前述光源乃成爲將光交互地投射於前述一對反射鏡之 各個的照射角度可予以變更。 6.如申請專利範圍第1項乃至第5項任一記載之曝光裝 置,其中,前述曝光部之前述帶狀基板的運送路徑乃垂直 者。 7 .如申請專利範圍第6項記載之曝光裝置,其中,前 述光罩乃各一個配置於垂直狀態之前述帶狀基板的兩側, 此等一對之光罩係於相互對向之位置具有位置調整用 標記, 更具備爲了讀取該位置調整用標記之至少1個之CCD 照像機,和依據經由該CCD照像機之前述位置調整用標記 的讀取資料,將前述一對之光罩之中至少一方,在其面內 移動於X,Y,0方向,爲了進行位置調整之移動機構者 〇 8 .如申請專利範圍第7項記載之曝光裝置,其中,爲 了進行前述帶狀基板與前述光罩之位置調整,將設置於前 述光罩之位置調整用標記與可進行位置調整的位置調整用 標記形成於前述帶狀基板者。 9.如申請專利範圍第8項記載之曝光裝置,其中,形 成於前述帶狀基板之前述位置調整用標記乃取代於前述帶 狀基板之側緣。 -15-
TW099112976A 2009-05-15 2010-04-23 Exposure device TWI485528B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009119103A JP5451175B2 (ja) 2009-05-15 2009-05-15 露光装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201107894A true TW201107894A (en) 2011-03-01
TWI485528B TWI485528B (zh) 2015-05-21

Family

ID=43073184

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW099112976A TWI485528B (zh) 2009-05-15 2010-04-23 Exposure device

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP5451175B2 (zh)
KR (1) KR101635962B1 (zh)
CN (1) CN101887217B (zh)
TW (1) TWI485528B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI484308B (zh) * 2012-03-15 2015-05-11 Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd 微影系統、微影遮罩、及微影方法

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102402131A (zh) * 2011-11-11 2012-04-04 深南电路有限公司 一种曝光系统
DE102012108211A1 (de) * 2012-09-04 2014-03-06 Kleo Halbleitertechnik Gmbh Belichtungsanlage
KR101510156B1 (ko) * 2014-11-10 2015-04-08 (주)프리테크 리드프레임 제조용 노광장치
CN108351597B (zh) * 2015-09-01 2021-02-09 株式会社尼康 光罩保持装置、曝光装置、平板显示器的制造方法、器件制造方法、光罩的保持方法以及曝光方法
JP7040981B2 (ja) * 2018-03-29 2022-03-23 株式会社オーク製作所 露光装置
CN112188747B (zh) * 2020-10-13 2021-09-07 合肥泽延微电子有限公司 一种集成电路板布线用智能定位系统

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59121048A (ja) * 1982-12-27 1984-07-12 Ibiden Co Ltd プリント配線基板の製造装置
JPH0778630B2 (ja) * 1986-07-15 1995-08-23 サンエ−技研株式会社 露光装置
JP2891769B2 (ja) * 1990-11-30 1999-05-17 ウシオ電機株式会社 フィルム露光装置
JP3559999B2 (ja) * 1994-07-29 2004-09-02 株式会社オーク製作所 マスク整合機構付露光装置およびワークの整合、露光、ならびに搬送方法。
JP2000066418A (ja) * 1998-08-17 2000-03-03 Ono Sokki Co Ltd 露光装置及び露光方法
JP2000114159A (ja) * 1998-10-07 2000-04-21 Canon Inc 投影露光装置およびデバイス製造方法
JP2003207902A (ja) * 2002-01-11 2003-07-25 Pentax Corp 露光装置
JP2004094142A (ja) * 2002-09-04 2004-03-25 Toray Eng Co Ltd 幅広露光機
JP4218418B2 (ja) * 2003-05-23 2009-02-04 ウシオ電機株式会社 帯状ワークの両面投影露光装置
JP2005326550A (ja) * 2004-05-13 2005-11-24 Sanee Giken Kk 露光装置
JP2006098718A (ja) * 2004-09-29 2006-04-13 Fuji Photo Film Co Ltd 描画装置
JP2006301170A (ja) * 2005-04-19 2006-11-02 Fujikura Ltd 露光装置およびその方法
JP4861778B2 (ja) * 2005-09-08 2012-01-25 富士フイルム株式会社 パターン露光方法及び装置
JP4775076B2 (ja) * 2006-03-31 2011-09-21 住友金属鉱山株式会社 露光方法及び装置
TW200745781A (en) * 2006-04-24 2007-12-16 Nsk Ltd Exposure apparatus
JP2007292933A (ja) * 2006-04-24 2007-11-08 Nsk Ltd 露光装置
US8264666B2 (en) * 2009-03-13 2012-09-11 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method of manufacturing device

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI484308B (zh) * 2012-03-15 2015-05-11 Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd 微影系統、微影遮罩、及微影方法
US9261792B2 (en) 2012-03-15 2016-02-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Reflective lithography masks and systems and methods
US9599888B2 (en) 2012-03-15 2017-03-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Reflective lithography masks and systems and methods

Also Published As

Publication number Publication date
TWI485528B (zh) 2015-05-21
CN101887217A (zh) 2010-11-17
JP5451175B2 (ja) 2014-03-26
JP2010266763A (ja) 2010-11-25
KR101635962B1 (ko) 2016-07-04
CN101887217B (zh) 2014-09-24
KR20100123611A (ko) 2010-11-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW201107894A (en) Exposure apparatus
TWI382276B (zh) Exposure device
TWI602004B (zh) Polarization polarized light irradiation device
TWI591444B (zh) A photomask, a photomask group, an exposure device, and an exposure method
TWI626495B (zh) 光配向用偏光光線照射裝置及光配向用偏光光線照射方法
TWI481971B (zh) 曝光方法及曝光裝置
TW200846845A (en) Exposure drawing device
CN111913363B (zh) 直描式曝光装置
JPH11237744A (ja) 露光装置および露光方法
JP6723831B2 (ja) 露光装置
TWI681263B (zh) 曝光方法、及元件製造方法
TW201921153A (zh) 曝光裝置
JP2000250227A (ja) 露光装置
CN113826047A (zh) 曝光装置
JP2008216653A (ja) 露光装置のフォトマスク保持構造、及び保持方法
TWI758593B (zh) 曝光裝置
WO2020202900A1 (ja) 露光装置および露光方法
JP6762640B1 (ja) 露光装置
JP7461096B1 (ja) 露光装置
JP2010262212A (ja) 露光装置及び露光方法
JP7175149B2 (ja) 露光装置および露光方法
JP5046157B2 (ja) 近接スキャン露光装置
TW202321825A (zh) 曝光裝置
KR20040014172A (ko) 주사 노광 방법 및 주사 노광 장치
JP2022058788A (ja) マスク対及び両面露光装置