TW201039382A - Process for forming an electroactive layer - Google Patents

Process for forming an electroactive layer Download PDF

Info

Publication number
TW201039382A
TW201039382A TW099106740A TW99106740A TW201039382A TW 201039382 A TW201039382 A TW 201039382A TW 099106740 A TW099106740 A TW 099106740A TW 99106740 A TW99106740 A TW 99106740A TW 201039382 A TW201039382 A TW 201039382A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
layer
electroactive
range
workpiece
minutes
Prior art date
Application number
TW099106740A
Other languages
English (en)
Inventor
Reid John Chesterfield
Justin Butler
Paul Anthony Sant
Original Assignee
Du Pont
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Du Pont filed Critical Du Pont
Publication of TW201039382A publication Critical patent/TW201039382A/zh

Links

Classifications

    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F26—DRYING
    • F26B—DRYING SOLID MATERIALS OR OBJECTS BY REMOVING LIQUID THEREFROM
    • F26B5/00—Drying solid materials or objects by processes not involving the application of heat
    • F26B5/04—Drying solid materials or objects by processes not involving the application of heat by evaporation or sublimation of moisture under reduced pressure, e.g. in a vacuum
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F26—DRYING
    • F26B—DRYING SOLID MATERIALS OR OBJECTS BY REMOVING LIQUID THEREFROM
    • F26B21/00—Arrangements or duct systems, e.g. in combination with pallet boxes, for supplying and controlling air or gases for drying solid materials or objects
    • F26B21/06—Controlling, e.g. regulating, parameters of gas supply
    • F26B21/08—Humidity
    • F26B21/083—Humidity by using sorbent or hygroscopic materials, e.g. chemical substances, molecular sieves
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
    • H10K71/135—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing using ink-jet printing
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/811—Controlling the atmosphere during processing
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
    • H10K59/173—Passive-matrix OLED displays comprising banks or shadow masks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)

Description

201039382 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明主要係關於一種形成電活性層之方法。其進一步 關於具有至少一藉由此方法製造而成的電活性層之電子裝 置。 ~ 本專利申請案依據35 U.S.C· § 119(e)主張於2〇〇9年3月6 曰申請之臨時申請案第61/158 094號之優先權，其全文以 引用方式併入本文。 【先前技術】 電子裝置可包括液晶顯示器（「LCD」）、有機發光二極 體（OLED)顯示器、薄膜電晶體（TFT)陣列、太陽能電池或 類似者。一種製造電子裝置之方法係藉由印刷（如喷墨印 刷、連續印㈣等）而在基底上沈積有制。纟印刷方法 中’被印刷之液體組成物包括在具有有機溶劑、水溶劑或 溶劑組合的溶劑、分散液、乳狀液或懸浮液中之有機材 料。在印刷後，？矣發溶劑並且留下有機材料而形成電子裝 置用之有機層。 持續需要-種能產生具有改善性能之裝置的沈積方法。 【發明内容】 提供-種形成電活性材料層之方法。該方法包括以下步 驟： 提供具有至少一主動區域之工件； 沈積包含電活性材料之液體組成物至主動區域中之工件 上’以形成一濕層； 146922.doc 201039382 在25至80 C的範圍中的受控溫度且在1〇-6至1,000 Torr 範圍中的真空下，於1至⑽分鐘的第-時期中處理工件上 的濕層，以形成局部乾燥層； 於1至50分鐘的第二時期中將局部乾燥層加熱至100°C以 上的溫度，以形成一乾燦層，其中乾燥層在主動區域中具 有實質上平坦之輪麻。 亦提供-種具有至少一主動區域之電子裝置，該至少一 主動區域G 3陽極、一陰極及在其之間的至少_電活性 層，其中電活性層係藉由液體沈積所形成並在主動區域中 具有實質上平坦之輪廓。 先則的叙敘述及下面的詳細敘述僅作為示範與解譯 用，並非用以P艮制如所附申請專利範圍界定之本發明。 【實施方式】 許多態樣及實施例已描述於上，且僅做為示範用而非限 定用。在研讀本說明書後’ &習該項技藝者體會到在不脫 離本發明之範圍内，本發明仍存有其他態樣及實施例。 該等實施例中之-個或多個實施例的其它㈣及益處， 根據下面詳細敘述及申請專利範圍便顯而易見的。詳細的 說明首先針對術語的定義和說明，接著是方法、電子裝 置，而最後是實例。 1 ·術語的定義和說明 在提出下述實施例的細節之前，先定義或說明一些術 語。 術語「孔徑比」係意指供發射或回應輻射之一畫素的面 U6922.doc _ 4 - 201039382 積與該畫素之總面積的比例。 「電荷傳輸」，當提及一層、材料、構件 係意才曰此層、材料、構件或結構相對有效率且 从、 地促進電荷遷移通過此層、材料、構件或結構之^耗 「電洞傳輸」係指正電荷之電荷輸送。「電子 又。 負電荷之電荷輸送。雖然發光材料，3」係指 j a兴有一些雷共推 輸特性，但是術語「電荷傳輸層 [可傳 丄* 穉件或結構，屿 有心欲包括其主要功能為發光的—屏、Μ 4 ' ❹構。 層材枓、構件或結 術語「電活性」減-層或㈣時係意指電性 運作之-層或材料。活性材料之實例包括但不偈限^ 導、注入、傳輸或阻擋電荷之材料，其中電荷可子 電洞，或發射輕射或當接收輻射時呈現出電子—電洞對之 濃度改變之材料。非活性材料之實例包括但 化材料、絕緣材料及環境隔絕材料。 〇 術語4子裝置」係意指電路、電子組件或上述的任何 組合之集合’當加以適當電性連接並供應適當電位時，共 同執行一功能。電子裝置可白k + j包括在系統中或為系統之一部 分。電子裝置之實例包括但不侷限於顯示器、感測器陣 列、電腦系統、航空電子系統、汽車、行動電話、其他消 費或工業性電子產品或上述之任何組合。 術語「客材料」係意指在包括主㈣之一層中的材料， 其與在無此材料下該層之電子特徵或輻射發射、接收或過 濾之波長相比，改變該層之電子特徵或輕射發射、接收或 146922.doc 201039382 過滤之目標波長。 術1'同/主入」當提及-層、材料、構件或沾構時， 意指與陽極相鄰 戈、、構日才 料、層^ 半導電且促進電極功能之材 枓層、構件或結構。 術語「主材料」係意指可將客材料添加或不添加至1之 -材科’其通常具有層的形式。主材料可或可 射、接收或過渡輻射之電子特徵或能力。 、 ㈣「層」及術語「膜」可替換地使用，㈣指被覆所 要區域之塗層。該區域可與一整個裝置一樣大或與一特定 功能區域（例如，實際視覺顯示）_樣小，或者與單個子像 素一樣小。 術語液體組成物」係意指一材料，其溶解在一液體介 質中形成溶液，分散在一液體介質中以形成分散液、或懸 浮在一液體介質中以形成懸浮液或乳狀液。 術a吾液體介質」係思指在溶液、分散液、懸浮液或乳 狀液中之液體。無論有一或更多溶液皆使用術語「液體介 質（liquid medium)」，因此，液體介質用為術語之單數或複 數（亦即該等液體介質（liquid media))形式。 術語「晝素」係意指一陣列之最小、完整且重複之單 元。術語「子畫素」係意指僅構成一畫素的部分而非全部 之畫素的一部分。在全彩顯示器中’全彩晝素可包含三個 子畫素，具有在紅、綠及藍光譜區中之原色。單色顯示器 可包括畫素但無子晝素。感測器陣列可包括或可不包括子 畫素之畫素。 146922.doc 201039382 :5吾丨件」係意指在方法順序之任何特定點的基底。 注思到該基底在方法順序中可能不顯著地改變，並中 在方法順序中可能顯著地改變。例如，在方法順 始，基底及工件係為相同。在形成—層於基底上之後 底尚未改變，但工件現包括該基底及該層。 如,文所用之術語「包含」、「包括」、「具有」或其 其他變型意欲涵蓋非排他性的包括物。例如，含有清單列 ❹ 〇 2複數元件的一製程、方法、製品或裝置不一定僅限於 '早上所列出的這些元件而已，而是可以包括未明確列出 <部疋》亥製程、方法、製品或設裝置固有的其他元件。此 夕「卜’除非另有相反的明確陳述，否則「或」係指包含性的 「或」’而不是指排他性的「或」。例如，可由下列之任— 者滿足條件Α或Β: Α成立（或存在㈣不成立（或不存在卜 A不成立（或不存在）且B成立（或存在）以及A和B兩者皆成立 (或存在）。 同里使用—」或「一個」來描述此處所述的元素和 成分。這樣做僅僅是為了方便，並且對本發明之範圍提供 -般性的意義。這種描述應被理解為包括—個或至少— 们並且該早數也同時包括複數，除非很明顯地另指他 意。 對應於it素週期表中之行的族號使用像在咖而祕_ / CTzemzszyj；/户咖如，8lSt Editi〇n (2刪_2 ⑼ 1)中記載之 「新符號」慣用語。。 除非有另外的定義，否則在此所使用之所有技術及科學 146922.doc 201039382 術語具有相同於本發明所屬之技藝的一般人士所通常了解 之意思。雖然在本發明之實施例的實施或測試中，可使用 相似或等同於在此所述者之方法及材料，但是合適的方法 及材料將描述於後。除非引用特定段落，否則本文提及的 所有出版物、專利中請案、專利以及其他參考文獻均全文 以引用方式併入本文。在發生矛盾的情況下，以本說明書 為準，包括定義在内。此外，材料、方法與實例僅係說明 性質，其意旨不在限制拘束。 對於文中所未描述之範圍，許多有關特定材料、處理作 :及電路的細節係為習知且可以在有機發光二極體顯示 器、光偵測器、光伏打及半導體構件技藝内之教科書或其 他資料中找到。 2.方法 當由液體沈積方法而形成多層時，乾燥過的薄膜在整個 薄膜區域中經常沒有均勾的厚度。這可能係、由基底中之表 面不均勻、邊緣效應、整個濕薄膜間之蒸發率的差異等因 素所造成。在某些實施例中，藉由液體洗積過程塗敷電活 !·生材料至具有物理圍阻結構之工件上，此物理圍阻結構常 稱為井結構。乾燥過的薄膜可具有不均勻的厚度如圖^ 中所示。基底1〇,其可具有額外層，具有標示為2〇之圍阻 結構，其界定in 3〇。乾燥過的電活性薄膜標示為4〇。 在與基底平面呈垂直之方向中測量此薄膜的厚度。可發現 ^在E的厚度要比在c的厚度明顯更大，此種電活性層中的 厚度不均勻對裝置性能會有不利的影響。在〇咖中，發 H6922.doc 201039382 光層中之不均勻性可能導致不樂見的影響，如顏色差異、 較低效率及較低壽命。 在此描述一種形成電活性層之方法。此方法依序包含下 列步驟： 提供具有至少一主動區域之一工件； 在該主動區域中在工件上沈積包含電活性材料之液體組 成物，以形成一濕層； 〇 在10-6 Ton^1，〇〇〇 T〇rr範圍的真空及在-^亡至肋它範 圍中的受控溫度下，於1至100分鐘的第一時期中處理工件 上的濕層，以形成一局部乾燥層； 於1至50分鐘的第二時期中將局部乾燥層加熱至高於 100°C的溫度，以形成一乾燥層， 其中乾燥層在主動區域中具有實質上平坦的輪廓。 術語「實質上平坦」意指該層具有層面積之90%以上不 超過+/- 1 5%之厚度差異。在某些實施例中，厚度差異在 〇 層面積之90%以上不超過+/_ 10%。圖2中顯示具有實質上 平坦輪廓之電活性層。如圖i中所示，基底10具有標示為 2〇並界定開口 30之一圍阻結構。在乾燥後所沈積的電活性 薄膜則標示為40。薄膜具有實質上平坦的厚度輪廓，其中 在E'的厚度僅稍微大於在c，的厚度。 工件包括一基底及任何希望的中介層。在某些實施例 中，工件為具有圖案化陽極層於其上之TFT基底。在某些 實施例中，工件額外具有液體圍阻結構。在某些實施例 中工件額外具有第-電活性層，且第二電活性層係根據 I46922.doc 201039382 文中所述之方法而沈積在第一電活性層上。 工件具有至少—主動區域。主動區域為裝置之工 域。在某些實施例中，工件具有複數個主動區域。在某: 貫施例中，主動區域對應至畫素或子畫素單元。、二 由-液體組成物而在工件上沈積電活性材料，以形成一 濕層。可使用任何液體介質，只要電活性材料可分散於复 中以形成實質上均質的溶液、分散液、乳狀液或懸浮液； 可。可使用水性、半水性及非水性液體介質。所用之確切 的液體介質將取決於所用之電活性材料。 奋在某些實施例中，電活性材料為電敎人材料。在某些 實施例中，電活性材料為電洞傳輸材料。在某些實施例 中電/舌性材料為主材料及A活性客材料之組合。 可使用任何液體沈積技術，包括連續及非連續技術。不 連續沈積技術包括但不侷限於噴墨印刷（ink jet㈣此㈣、 凹版印刷（gravure printing)及網版印刷⑽咖幻。 在某些實施财’沈積技術選自由喷墨印刷及連續噴嘴塗 覆所組成之群組。 液體組成物係沈積在工件之（該等）主動區域的至少第一 部分中。在某些實施例中，電活性材料為電洞注入材料或 電洞傳輸材料且沈積在工件的所有（該等）主動區域中。在 某些實施例中，液體組成物包含與第一顏色有關之光活性 材料，且係沈積在第一組的主動區域中。第二液體組成物 包含與第二顏色有關之第二光活性材料，且係接著沈積在 第二組的主動區域中。第三液體組成物包含與第三顏色有 146922.doc -10- 201039382 關之第三光活性材料 中0 且係接著沈積在第三組的主動區域 T ’局部乾燥該濕層。此之意思為移除液體介質的實 但非全部。在某些實施财，移除大於75%重量之 液體介質；在某些實施例中，移除大於85%重量。在某些 實施例中，移除少於99%重量之液體介質；在某也實施例
中，移除小於95%重量。此局部乾燥步驟在受控溫度、真 空麼力及時間的條件下發生。 確刀的/皿度、麼力及時間條件將取決於液體介質之成分 及基底與井材料的液體相互作用。藉由基底/液體相互作 用而選擇適當的溫度及壓力條件來平衡乾燥速率(經由蒸 氣壓力及移除速率）。液體介f之表面張力及黏性控制基 &的’門/,.、、且必須在選擇乾燥用之適當溫度及壓力時將其 納入考量之中。 在某些實施例中’液體介質包含至少兩液體組成物且 Ο 夕物具有大於100°c的沸點。在某些實施例中， 局部乾燥化步驟發生在1()·2 TGn1() τ⑽的範圍内之壓力及 在20〇C至8〇t的範圍内之溫度而持續5至25分鐘的時間。 j某些實施例中，力部乾燥步驟發生在丁㈣的 I巳圍中之壓力及在3〇c至60。匸的範圍中之溫度而持續5至 15分鐘的時間。 在某些實施例中’液體介質包含一或更多液體組成物， 〃各具有小於8G C之沸點。在某些實施例中’局部乾燥步 驟發生在1 Ton·至1000 Torr的範圍中之壓力及在_25。〇至 146922.doc 201039382 10°c的範圍中之溫度而持續5至25分鐘的時間。在某些實 施例中’局部乾燥步驟發生在10 Torr至1 〇〇 Torr的範圍中 之壓力及在-10它至〇°C的範圍中之溫度而持續5至15分鐘 的時間。 在某些實施例中，尤其當液體介質中存在至少一高沸點 溶劑時，使用高真空泵以維持真空並防止與溶液蒸氣的飽 和。高真空泵之實例包括：乾真空泵、渦輪泵(turb〇 pumps)、 轉葉真空泵（rotary vane vacuum pumps)、油擴散泵（〇ii diffusi〇n pumps)、低溫泵（cryogenic pumps)及吸附泵⑽ pumps)。在某些實施例中，藉由這些泵而將壓力維持在小 於ΙΟ—4 Torr。在某些實施例中，壓力在1〇-5 τ〇η^1〇_6 τ〇η 的範圍中。在某些實施例中’使用渦輪分子泵。這些系一 般採用由串連式安裝的轉子/定子對所構成之多重狀態。 在一些情況中，這些泵與一前級泵（backing pump)一起工 作。已經在例如「Vacuum Techniques」（3Besanc〇n，ed，pp 1278-1284, Van Nostrand Reinhold，New York (1990)中探兮寸此 等泵。 接著於1至5 0分4里的弟一時期中將工件加熱至高於1 t 的溫度。在某些實施例中，此溫度係在11(TC至15〇。的範 圍中且加熱時間係在10至3 0分鐘的範圍中。 在某些實施例中，液體組成物包含光活性材料，且與第 一、第二及第三顏色有關之三個不同混合物係沈積於第 一、第二及第三組的主動區域中。在此情況中，在沈積每 一種顏色之後進行局部乾燥及加熱步驟。替代地，^p ^ ° 』沈籍 146922.doc -12- 201039382 並接著進行局部乾燥及加熱步驟 提供一種電子裝置，且右白人堪 〃有包含~極'陰極及於其間之至 ^電活性層的至少一主動區域，其中該電活性 液體沈積所形成並在主動區域中具有實f上平坦之㈣。 =用於本文中所述之方法的裝置包括有機電子裝置。術 語有機電子裝置」或有時僅「電子裝置」係意指包括一 Ο 或更多有機半導體層或材料之裝置。有機電子裝置包括但 不局限於：（1 )將電性能I趟Μ 6 …电性月e·里轉換成輻射之裝置(如發光二極
三種不同顏色 3.電子裝置 體、發光二極體顯示器、二極體雷射或發光板）、⑺使用 電子方法來㈣信號之裝置（如光㈣器、光導電單元、 光阻器、光控開關、光電晶體、光管 '紅外線（「爪」）情 測器或生物感測器）、(3)將輻射轉換成電性能量之裝置(如 光伏打裝置或太陽能電池）、⑷包括—或更多有機半導體 層之-或更多電子組件的裝置(如電晶體或二極體)或項目 (1)至（4)中之裝置的任何組合。 如圖3中所示，裝置1〇〇之一實施例具有一陽極層ιι〇、 一電活性層140及一陰極層16〇。術語「光活性」意指呈現 電致發光或感光性之任何材料。亦顯示三個非必須層：電 洞注入層120、電洞傳輸層13〇、電洞注入/傳輪層15〇。陽 極與陰極的至少一者為透光性，使光能通過該電極。 該裝置可包括一支撐件或基底（未圖示），其可與陽極層 110或陰極層160相鄰。通常支撐件鄰近此陽極層11〇，支 撐件可為撓性或剛性、有機的或無機的。支撐件的實例包 146922.doc •13- 201039382 括但不局限於玻璃、陶瓷、金屬及塑膠薄膜。 陽極層110為比陰極層160更能有效注入電洞之電極。因 此，陽極具有比陰極更高的工作函數。陽極可包括含有金 屬、混合金屬、合金、金屬氧化物或混合氧化物的材料。 適合的材料包括·一族元素（亦即’ Be、Mg' Ca、Sr、
Ra)、十一族元素、四、五及六族中之元素及八至十族過 渡元素的混合氧化物。若陽極層1 1 〇為透光性，則可使用 十一、十二及十四私元素的混合氧化物，如銦錫氧化物。 如此所用，「混合氧化物」一詞係指具有選自二族元素戋 十二、十三或十四族元素的兩或更多不同陽離子之氧化 物。陽極層110之實例的一些非限制性特定實例包括但不 侷限於：銦錫氧化物（「ΠΌ」）、銦鋅氧化物（「Iz〇」）、 在呂錫氧化物（「AT Ο」）、金、銀、銅及鎳。 液體圍阻圖案（未圖 在某些實施例中，在陽極上有一 示）。 此液體圍阻圖案可為物理圍阻結構或化學圍阻層 物理圍阻結構可包括陰極分隔件或井結構。術語「化學圍 Μ」^面能f效應而非物理阻障結構包圍或 抑制液體材料擴散的一圖案層。術語「被包 者 層時，係意指該層不會顯著地擴散超過其沈積之區域。術 語「表面能量」為從一材料產生—表面面積單位所需之能 量。表面能量之-特徵為具有特定表面能量之液體材料不 會潤濕具有較低表面能量之表面。 電洞注入層12〇可以由聚合物材料所形成，如聚㈣ (P〇lyanmne(PANI))或聚乙稀二氧嗟吩（ped〇t)，其常推孝 146922.doc -14- 201039382 質子酸。該等質子酸可以是例如：聚苯乙烯磺酸 (poly(styrenesulfonic acid))、聚（2-丙稀酰胺-2-曱基-1-丙 石黃酸）。（poly(2-acrylamido-2-methyM-propanesulfonic acid)) 等。電洞注入層120可包含電荷傳輸化合物，及類似者， 例如：銅酞青（copper phthalocyanine)及四硫富瓦稀-四氰基對 苯二酿二甲烧系統（tetrathiafulvalene-tetracyanoquinodimethane system (TTF-TCNQ))。在一實施例中，電洞注入層120係由 傳導聚合物及膠體形成聚合酸的分散液所製成。此等材料 已描述在例如美國專利申請案第2004-01 02577號、第2004-0127637 號及 2005-0205860號中。 在某些實施例中，在陽極層110及光活化層140之間存在 一選擇性的電洞傳輸層130。在某些實施例中，在緩衝層 120及光活化層140之間存在一選擇性的電洞傳輸層。電洞 傳輸材料之實例已例如概略敘述於Kirk-Othmer Encyclopedia of Chemical Technology, Fourth Edition, Vol. 18, p. 837-860, 1996, by Y. Wang中。可使用電洞傳輸分子及聚合物兩者。常用之 電洞傳輸分子包括但不限於：4,4|,4"-三（Ν,Ν-二苯基-氨 基）-三苯胺（4,4’,4”-tris(N，N-diphenyl-amino)-triphenylamine, TDATA)、4,4i,4”-三（N-3-甲基苯基-N-笨基-氨基）-三苯胺 (4,4',4"-tris(N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino)-triphenylamine, MTDATA)、N，N'-二苯基-Ν,Ν，-雙（3-甲基苯基）-[1，1'-二苯 基]-4,4’-二胺（1^，]^’-(^卩11611丫1-]^，]^’-1318(3-1116{1171卩1161171)-[l，l'-biphenyl]-4,4'-diamine，TPD)、1,1-雙[(二-4-甲苯基胺 基）苯基]環已烧（l，l-bis[(di-4-tolylamino) phenyl]cyclo‘hexane， 146922.doc -15- 201039382 TAPC)、Ν,Ν·-雙（4-甲基笨基）-N，N，-雙（4-乙基苯基）-[1，Γ-(3,3'_ 二甲基）二苯基]-4,4'-二胺（队：^'-1^(4-11^111)^1161^1)-N，N'-bis(4-ethylphenyl)-[l，r-(3,3'-dimethyl)biphenyl]-4,4'-diamine，ETPD)、肆-(3-曱基苯基）-队队：^’，1^-2,5-苯撐二胺 (tetrakis-(3-methylphenyl)-N,N,N',N'-2,5-phenylenediamine, PDA)、α-苯基-4-N，N-二苯胺基苯乙浠 aminostyrene (α-phenyl-4-N，N-diphenylaminostyrene, TPS)、ρ-(二乙胺基）苯曱路 二苯腙（p-(diethylamino)benzaldehyde diphenylhydrazone, DEH)、三苯胺（triphenylamine, ΤΡΑ);雙[4-(N,N-二乙胺 基）-2-甲基笨基](4-曱基苯基）甲烷（1^[4-(凡>^-(^11^131^11〇)-2-methylphenyl](4-methylphenyl)methane，MPMP)、1-苯基-3-[P-(二乙胺基）苯乙烯]-5-[p-(二乙基胺基）苯基]吼唑啉（1-phenyl-3-[p-(diethylamino)styryl]-5-[p-(diethylamino)phenyl] pyrazoline, PPR或 DEASP)、1,2-反-雙（9H-咔》坐-9-yl)環丁烧 (l，2-trans-bis(9H-carbazol-9-yl)cyclobutane, DCZB)、Ν,Ν,Ν',Ν'-肆（4-甲基苯基）-(1，1'-二苯基）-4,4’-二胺（Ν,Ν,Ν',Ν'-tetrakis (4-methylphenyl)-(l，r-biphenyl)-4,4'-diamine，ΤΤΒ)、Ν,Ν'-雙 (萘- l-yl)-N，N' -雙-(苯基）聯苯胺（N，N'-bis(naphthalen-1 -yU-N’N'-bis-CphenyDbenzidine， α-ΝΡΒ)及紫質 （porphyrinic)化 合物， 銅酞青。一般使用的電洞傳輸聚合物包括但不限於：聚乙烯 吟 °坐(polyvinylcarbazole)、（苯基甲）聚石夕烧((phenylmethyl)polysilane)、 聚（二氧 °塞吩）(poly(dioxythiophenes))、聚苯胺（polyanilines) 以及聚°比11 各（polypyrroles)。亦可藉由摻雜像上述那些的電 洞傳輸分子至例如聚苯乙浠（polystyrene)及聚碳酸S旨 146922.doc -16- 201039382 (polycarbonate)之聚合物中，以獲得電洞傳輸聚合物。 取決於裝置之應用，光活性層140可為藉由一施加之電 壓所啟動的發光層（如發光二極體或發光電化學單元）、回 應輻射能量並在有或無施加之偏電壓下產生信號（如光偵 測器）。在一實施例中，光活性材料為有機電致發光 (「EL」）材料。任何EL材料可用於裝置中，包括但不限於 小：分子有機螢光化合物、螢光及磷光金屬錯合物、共軛 聚合物及上述之混合物。螢光化合物之實例包括但不限 於：祐（pyrene)、花（perylene)、紅登烯（rubrene)、香豆素 (coumarin)、上述之衍生物及上述之混合物。金屬錯合物 之實例包括但不限於：金屬钳合類咢辛化合物（metalchelated oxinoidcompounds)，例如，三（8-經基啥琳）銘（tris(8-hydroxyquinolato)aluminum，Alq3);環金屬化銥與翻電發光化 合物（cyclometalatediridiumandplatinumelectroluminescentcompounds)， 例如，像Petrov等人所發明之美國專利第6,670,645號和 Q PCT申請案公開第WO 03/063555及WO 2004/016710號所揭露 之銀與苯°比唆（phenylpyridine)、苯啥琳（phenylquinoline)或苯0密 咬配位基（phenylpyrimidineligands)之錯合物以及例如在PCT申 請案公開第 WO 03/008424、WO 03/091688及 WO 03/040257號 所述之有機金屬錯合物以及上述材料之混合物。已在 Thompson等人之美國專利案第6,303,238號及Burrows和 Thompson 之 PCT申請案公開第 WO 00/70655 及WO 01/41512 號中描述包含載有主材料之電荷及金屬錯合物的電發光放 射層。共軛聚合物之實例包括但不限於：聚（苯撐伸乙烯 146922.doc -17- 201039382 基）(poly(phenylenevinylenes))、聚苐（polyfluorenes)、聚（螺旋 雙苐）(poly(spirobifluorenes) ' 聚0塞吩（polythiophenes)、聚（p-笨樓）（poly(p-phenylenes)、上述之共聚物及上述之混合 物。 選擇性層150可用來促進電子注入/傳輸，亦可作為限制 層以防止在層介面之淬火反應。更明確地說，層150可增 進電子遷移率並減少倘若該等層140及160直接接觸的話淬 火反應之可能性。選擇性層150之材料的實例包括但不限 於：金屬鉗合類咢辛化合物（metalchelated oxinoid compounds)， 包括金屬啥淋衍生物，例如三（8-經基啥琳）銘（tris(8-hydroxyquinolato)aluminum, A1Q)、雙（2-曱基-8-啥淋）（卩-苯啥 琳）ί呂（bis(2-methyl-8-quinolinolato)(p-phenylphenolato) aluminum, BAlq)、肆- (8-經基0查淋）給（tetrakis-(8-hydroxyquinolato)hafnium， HfQ)及肆-(8-基）錄（tetrakis-(8-hydroxyquinolato)zirconium， ZrQ)、肆-(8-基）錯（tetrakis-(8-hydroxyquinolato)zirconium， ZrQ)、唑化合物，如2-(4-聯苯基）-5-(4-t-丁苯基）-1,3,4-咢 二0坐（2-(4-biphenylyl)-5-(4-t-butylphenyl)-l，3,4-oxadiazole, PBD)、 3-(4-聯苯基）-4-苯基-5-(4-t- 丁苯基）-1,2,4-三唑（3-(4-biphenylyl)-4-phenyl-5-(4-t-butylphenyl)-1,2,4-triazole, TAZ)及 1,3,5-三（苯基-2-苯并咪唑）苯（1，3,5七丨(卩1^1^1-2-匕611211111<132〇16)561126116，丁？81)、哇号淋衍生物，如2,3-雙 (4-氟苯基）喹咢啉、啡啉衍生物，如9,10-二苯啡啉（2,9-dimethyl-4,7-diphenyl -1,10-phenanthroline, DPA)及 2,9-二 甲基-4,7-二苯基-1,10-啡琳（2,9-dimethyl-4,7-diphenyl- 146922.doc -18- 201039382 U 〇-phenanthroline，DDPA)及上述之任一或更多之組合。 替代地’選擇性層150可為無機並包含、LiF、[丨2〇、 CSF或類似者。在某些實施例中，存在有二電子傳輸/注入 層。第-有機電子傳輸/注人層存在於光活性層旁，且第 二有機電子傳輸/注入層存在於陰極旁。 陰極層160為針對注入電子或負電荷載子特別有效率之
電極It極層16G可為具有比陽極層11()更低之工作函數之 任何金屬或非金屬。 一族的鹼金屬（如Li、Na、K、 陰極層之材料可選 灿、叫、二族金屬（如峋、〜^或類似者）'十二族金 屬^系元素（1咖“如)（如Ce、Sm、Eu或類似者）摘 系兀素（acUmdes)(如Th、u或類似者）。可使用如紹、麵、 釔及上述之組合的材料。 實例包括但不限於：鋇、 釤及上述之合金及組合。 陰極層1 6 0之材料的特定非限制 鐘、飾、絶、销、敍I、紀、鎂、 裝置中之其他層可由在考量此等層所提供之功能下已知 在此等層中有用的任何材料所製成。 —在某些實施例中，在接觸層⑽上沈積一密封層（未圖 7Γ) 方止不想要之成分（如水及氣）進入到裝置1〇〇中。 此等成分可對有機層140產生有害的影響。在-實施例 中，密封層為阻障層戎蒱 丨羊H專臈。在-實施例中，密封層為玻 雖未描繪，但可理 用此技藝或別的方式 解裝置100可包含其他額外層。可使 已知的其他層。此外，任何上述層可 146922.doc 201039382 包3 了或更多次層或可形成一層疊結構。替代地可處 理，尤其係表面處理，陽極層11〇 '緩衝層12〇、電洞傳輸 層130、電子傳輸層15〇、陰極層16〇及其他層之—些或全 部’以增加電荷載子傳輸效率或裝置之其他物理性質。較 佳由平衡提供具有高裝置效率之裝置與裝置操作壽命考 量、製造時間及複雜因素及熟悉此技藝人士理解到之其他 考量的目標，來決定每個成分層的材料選擇。可理解到決 定最佳組件成分、成分組態及混合本體係圍熟習此項技術 者的例行工作。 在大多數情況中，陽極110及陰極160係由化學或物理蒸 乳沈積法所形成。在某些實施例中，陽極層將予以圖案化 且陰極為整體連續層。 在某些貫施例中，（該等）電子傳輸/注入層亦藉由化學或 物理蒸氣沈積法所形成。 在某些實施例中，至少一光活性層係藉由根據本文所述 之方法的液體沈積而形成。 在某些實施例中’電洞注入及電洞傳輸層係藉由根據本 文所述之方法的液體沈積而形成。 在一實施例中，不同層具有下列厚度範圍：陽極丨1〇， 500 A-5000 A，在一實施例中為1000 A-2000 A、非必須緩 衝層 120 ’ 50 A-2000 A，在一實施例中 200 A-1000 A、選 擇性電洞傳輸層13〇，50 A-2000 A，在一實施例中為1〇〇 A-1000 A、光活性層140，10 A-2000 A，在一實施例中為 100 A-iooo A、選擇性電子傳輸層150，50 A-2000 A，在 146922.doc -20· 201039382 貫施例中為 100 A-1000 A、陰極 160，200 Α_ι〇〇〇〇 入， 在一實施例中為300 A-5000 A。各層之相對厚度可影響在 裝置中之電子一電洞再結合區的位置’且因而影響裝置之 放射光譜。因此，應該選擇該電子傳輸層之厚度，以便該 電子-電洞再結合區係在該發光層中。層厚度之期望比例 係取決於所使用之材料的確切性質。
在操作時，將來自適當電源供應器（未圖示）之電壓供應 至裝置100。電流因此流過裝置100之該等層電子進入光 活性層以釋放光子。在一些〇LED中，稱為主動矩陣式 OLED顯示器，可藉由電流通過來獨立激發個別畫素。在 一些OLED中（稱為被動矩陣式OLED顯示器），可在電性接 觸層之列與行的交叉處激發個別晝素。 雖然在本發明之實施或測試中可使用相似或等同於本文 所述者之方法及材料，但是合適方法及材料係描述於後。 以引用方式併入在此所述之所有出版物、專利申請案、專 利以及其他參考文獻之全部。在發生矛盾的情況下，以本 說明書為ifl ’包括定義在内。此外，材料、方法與實例僅 係說明性質，其意旨不在限制拘束。 應理解到本發明之一些特徵為求清楚而在於本文不同實 施例中加以描述，亦可以組合方式提供到單—實施例中。 相反地，為了簡明而在單一實施例中描述的本發明之不同 特點，亦可個別加以提供或以任何次組合方式加以提供。 此外’對於以範圍方式陳述的數值包括所述範圍内的每個 值0 146922.doc 21 201039382 實例 在下面實例中進一步描述本文所述之概念，該等實例並 未限制在申請專利範圍中所述之本發明的範圍。 實例1 此實例呈現具有實質上平坦輪廓之針對OLED應用的電 活性薄膜之製造。使用下列材料： 陽極=銦錫氧化物（ITO): 180nm 緩衝層=緩衝1 (20 nm)，其為導電聚合物及聚氟化烷基 苯石黃酸（polymeric fluorinated sulfonic acid)之水性分散 物。已在例如美國專利公開申請案第 2004/0102577號、 第2004/0127637號及第2005/0205860號中說明此種材料。 電洞傳輸層=HT-1，其為含芳胺（arylamine)之共聚物。 已在例如美國專利公開申請案第2008/007 1049號中說明此 種材料。 光活性層=13:1主物H1 :摻雜物E1。主物H1為蒽 (anthracene)衍生物。已在例如美國專利第7,023,013號中 說明此種材料。E1為芳胺化合物。已在例如美國專利公開 申請案第2006/0033421號中說明此種材料。 電子傳輸層=MQ，其為金屬喧淋衍生物。陰極=LiF/Al (0.5/1 00 nm) 藉由溶液處理及熱蒸發技術之組合製造OLED裝置。使 用來自薄膜裝置公司之圖案化銦錫氧化物（ITO)塗覆的玻 璃基底。這些ITO基底係基於以具有50 ohms/square之薄片 電阻及80%透光率之ITO塗覆之康寧173 7玻璃。使用標準 146922.doc -22- 201039382 光微影製程在ITO基底上製造井圖案。以32微米之寬度界 定該井。 在裝置製造前，以UV臭氧處理清理過且圖案化之基底 1〇分鐘。在冷卻後，立刻在汀〇表面上旋塗緩衝丨之水^分 散液並予以加熱以移除溶劑。在冷卻後，接著以電洞傳輸 材料之溶液旋塗基底，並接著予以加熱以移除溶劑。如在 美國專利公開申請案第US 2007/0205409中所述般形成化
Q 學圍阻層。此圖案界定一表面能量井以圍阻喷嘴印刷的光 活性墨水《此表面能量井為40微米寬。 如在PCT公開申請案第W0 2007/145979號中所述般，藉 由在溶劑媒介中溶解上述的主物及摻雜物來形成—放射層 溶液。 以放射層溶液喷嘴印刷基底，並加以真空乾燥化以移除 溶劑。在印刷後，立刻將板子放人維持在2(rc且加壓至 500 mTorr的真空室中14分鐘，之後排出氮氣。接著在一 熱板上以14〇。〇烘烤該板3〇分鐘。 在並未製造成OLED裝置但以相同方式經由放射層製造 :板子上進行薄膜厚度與輪廓測量。針對厚度/輪廓測 量二使用具有低力頭之KLA_TenC〇r Ρ·15探針輪廓儀。藉 由攸在附近的印刷線減去無印刷線來決定印刷光活性層的 ，度及輪廊。此技術允許在下層中之輪廓差異與放射層隔 、’邑圖4顯不具有孔徑比=〇_92之印刷光活性層的輪廓。 實例2
此實例呈現在乾燥步驟中使用渦輪分子泵的針對〇LED 146922.doc -23- 201039382 應用之具有實質上平坦輪廓之電活性薄膜的製造。使用下 列材料： 陽極=ΙΤΟ (180 nm) 緩衝層=緩衝1 (20 nm) 電洞傳輸層=HT-2 (20 nm)，其為含芳胺（arylamine)之聚 合物。 光活性層=13:1主物H1 :摻雜物E2 (40 nm)。E2為例如 說明於美國公開專利申請案第US 2006/0033421中之芳胺 化合物。 電子傳輸層=MQ (1 〇 nm) 陰極=LiF/Al (0.5/100 nm) 如實例1中所述，藉由溶液處理及熱蒸發技術的組合製 造OLED裝置，除了表面能量井（52 nm)之寬度及在印刷後 之乾燥步驟之外。 以放射層溶液喷嘴印刷基底，並使用渦輪分子泵予以乾 燥。在印刷之後’立刻將板子放入加壓至丨χ丨〇_6 τ〇Η的真 二至中的維持在20°C的基底上。在高真空乾燥步驟之後， 將板子放置在於140°C的一熱板上3〇分鐘。 使用具有低力頭之KLA-Tencor P-15探針輪廓儀來進行 溥膜厚度/輪廓測量。藉由從在附近的印刷線減去無印刷 線來決《印刷光活性層料度及輪廊。此技術允許在下層 中之輪廓差異與放射層隔絕。圖5顯示具有孔徑比=〇 82之 印刷光活性層的輪廓。
對照實例A 146922.doc 201039382 使用“例2中之相同材料製造〇L轉置。使用與實例 2相同的程序來製造裝置，了在印刷後之乾燥步驟外。 在以放射層洛液嗔嘴印刷基底後立刻將板子放在140t;的 一熱板上30分鐘。 如實例1中般進行薄膜厚度與輪廊測量。圖6顯示具有孔 徑比=0.41之印刷光活性層的輪廓。 應注意的疋’上面在—,1^ _{+>、+.斗由 般1^描述或貫例中所述之活動並 Ο 〇 非完全必要’—部份星體、、去叔-Γ ,、，β I伪八體活動可以是非必要的，並且除 所述的那些活動以外，可勃 袖+夕7 j執仃一個或多個其他活動。此 外，所列活動順序執行這些活動的順序。 ▲於先前說明中，已描述關於具體實施例之概念。然而， 熟習本項技藝者應理解在不脫離本發明範圍的情況下，可 進行各種修改和變更，請參閱以下中請專㈣圍所述。於 是，說明書及圖式視為描述用而非限定用，而且所有這樣 的修改意欲包含於本發明之範圍内。 前文已描述關於特定實施例之效益、其他優點及問題解 决：案'然而，效益、優點、問題解決方案，以及任何可 使這些效益、優點或問題解決方案的特徵更為突顯 :釋為是任何或所有專利申請範圍之關鍵、必需或基本特 應當理解到’亦可以在單一實施例中以組合 求清楚說明而在個別實施例之上下文中描述的—此特徵為 相反地，亦可以個別或以任何次組合方式提供為求㈣而 在單-實施射描述的各種特徵。再者，料 = 146922.doc •25· 201039382 之數值包括在該範圍内之每一數值。 【圖式簡單說明】 在所附圖式中描述實施例，以增進理解文中所呈現的觀 念； 圖1包括具有非均勻薄膜厚度之乾燥電活性薄膜之圖 示； 圖2包括具有實質上平坦輪廓之乾燥電活性薄膜之圖 示； 圖3包括一實例電子裝置之圖示； 圖4包括來自實例丨之層厚度的圖表； 圖5包括來自實例2之層厚度的圖表； 圖ό包括來自對照實例a之層厚度的圖表； 熟習技藝者察覺到該等圖式中之物件係基於簡潔清晰而 呈現，且不需要按比例繪製。例如，相對於其它物件，可 能誇大圖式巾之某些物件的尺寸，以增進對實施例的理 解。 【主要元件符號說明】 10 基底 20 圍阻結構 30 開口 40 電活性薄膜 100 裝置 110 陽極層 120 電洞注入層 146922.doc 201039382 120 緩衝層 130 電洞傳輸層 140 電活性層 150 電洞注入/傳輸層 160 陰極層 C 經乾燥之電活性膜處 C' 經乾燥之電活性膜處 E 經乾燥之電活性膜處 E' 經乾燥之電活性膜處
146922.doc •27-

Claims (1)

  1. 201039382 七、申請專利範圍： 1. 一種形成電活性材料層之方法，其包括： 提供具有至少一主動區域之 一工件； 沈積包含該電活性材料之一液體組成物至該主動區域 中之該工件上，以形成一濕層； 在-25至80°C的範圍中之受控溫度且在1〇.1至1〇〇〇 T〇rr 範圍t之真空下，於β100分鐘的第一時期中處理該工 ο 件上的該濕層，以形成一局部乾燥層； 於1至50分鐘的第二時期巾 町4甲將3亥局部乾燥層加熱至 100°C以上的溫度，以形成一乾燥層， 其中5亥乾燥層在該主動區域φ呈古杳®·, τ L•埤甲具有一實質上平坦的輪 廓。 2·如申請專利範圍第1項所述之古、土 . . ^ , 只π返之方法，其中該乾燥層具有 在該主動區域之90%以上少於+/_ 1〇%之厚度差異。 3. 如申請專利範圍第1項所述之古 ^ , ^ Α ^ Τ述之方法，其中該液體組成物 〇 係藉由選自由喷墨gp思丨gΑ I i卩刷及連續噴嘴塗覆所組成之群組之 技術來沈積。 4. 如申請專利範圍第1瑁新、+. > 弟項所返之方法，其中該工件具有複 數個主動區域。 5. 如申請專利範圍第4 # ^ ^ 1 K方法，其中該電活性材料 包含一主材料及對應 弟—顏色的一光活性客材料， 且該液體組成物係沈積 °玄專主動區域的一第一部位 中〇 146922.doc 1 如申請專利範圍第5 迷之方法，其中一第二液體組 201039382 二主材料及對應至-第二顏色的-第二光 乂客：料’且該液體組成物係沈積在該等主動區域的 弟一邵位中。 7·如申請專利範圍第6項 杰& h人 ^ 这之方法，其中一第三液體組 成物包含一第三主材料 、、ί· Μ # u、,、 及對應至一第三顏色的一第三光 ,性客材料，且該液體細& & π 一切一 體成物係沈積在該等主動區域的 一苐二部位中。 8. 如申請專利範圍第丨項 .., 之万法，其中該電活性材料 要由一電洞注入材料所組成。 9. 如申請專利範圍第丨項 4之方法’其中該電活性材料 主要由一電洞傳輸材料組成。 10. 如申請專利範圍第i項所述 K 乃 /2：，其中在 10 2 丁〇〇<至1〇 T〇rr 的範圍中的壓力及在20至80。 L的軏圍中之溫度下處理該 工件上之該濕層持續5至25分鐘的時間。 a如申請專利範圍第i項所述之方法，其中_.2T(^iT〇rr 的範圍中的壓力及在30至60t的範圍中之溫度下處理該 工件上之該濕層持續5至丨5分鐘的時間。 12·如申請專利範圍第！項所述之方法，其中幻丁⑽至麵τ⑽ 的範圍中的壓力及在以至贼的範圍中之溫度下處理該 工件上之該濕層持續5至2 5分鐘的時間。 13·如申請專利範圍第i項所述之方法，其中在^⑽至⑽Μ 的範圍中的壓力及在-1G至的範圍中之溫度下處理該 工件上之該濕層持續5至is分鐘的時間。 14·如申請專利範圍第i項所述之方法，其中該真空在1〇.4至 146922.doc 201039382 10_6 Torr的範圍中。 15. 如申請專利範圍第14項所述之方法，其中該真空係藉由 選自由乾真空泵、渦輪泵（turb〇 pUnipS)、轉葉真空泵 (rotary vane vacuum pumps)、油擴散泵（〇il diffusi〇n pumps)、低溫栗（cry0genic pumps)及吸附杲（s〇rpti〇n pumps)所組成之群組的泵加以施加而成。 16. 如申請專利範圍第15項所述之方法，其中該泵為一渦輪 分子泵。 17· —種電子裝置，其至少具有包含一陽極、一陰極及在其 間之至少一電活性層的一主動區域，其中該電活性層係 藉由液體沈積所形成並具有一實質上平坦之輪廓。 18.如申請專利範圍第17項所述之電子裝置，其中該電活性 層為一光活性層。 其中該電活性 19.如申請專利範圍第18項所述之電子裝置 層為一光放射層。 〇 20.如申請專利範圍第17項所述之電子裝置 層為一電洞傳輸層。 其中該電活性 其中該電活性 其中該主動區 ’且該電活性 21. 如申請專利範圍第17項所述之電子裴置， 層為一電洞注入層。 22. 如申請專利範圍第17項所述之電子裝置， 域係藉由一物理圍阻結構分成子畫素區域 層係在該等子畫素區域中。 146922.doc
TW099106740A 2009-03-06 2010-03-08 Process for forming an electroactive layer TW201039382A (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US15809409P 2009-03-06 2009-03-06

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW201039382A true TW201039382A (en) 2010-11-01

Family

ID=42710245

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW099106740A TW201039382A (en) 2009-03-06 2010-03-08 Process for forming an electroactive layer

Country Status (7)

Country Link
US (2) US8778708B2 (zh)
EP (1) EP2404315A4 (zh)
JP (2) JP2012519941A (zh)
KR (1) KR20110134452A (zh)
CN (1) CN102318040B (zh)
TW (1) TW201039382A (zh)
WO (1) WO2010102272A2 (zh)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201039382A (en) * 2009-03-06 2010-11-01 Du Pont Process for forming an electroactive layer
KR101952119B1 (ko) * 2012-05-24 2019-02-28 삼성전자 주식회사 메탈 실리사이드를 포함하는 반도체 장치 및 이의 제조 방법
JP6082974B2 (ja) * 2012-08-09 2017-02-22 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機膜の製造方法と有機ｅｌパネルの製造方法
JP6535977B2 (ja) * 2014-03-27 2019-07-03 セイコーエプソン株式会社 発光素子の製造方法
CN104596205B (zh) * 2015-02-13 2016-08-03 京东方科技集团股份有限公司 一种真空干燥装置及真空干燥方法
CN105702870A (zh) * 2016-02-02 2016-06-22 西安交通大学 一种利用溶液抽气法制备钙钛矿太阳能电池中钙钛矿薄膜的方法
CN105702871B (zh) * 2016-02-02 2020-03-31 西安交通大学 一种利用溶液抽气通气法制备钙钛矿太阳能电池中钙钛矿薄膜的方法
CN108139796B (zh) * 2016-08-30 2020-02-18 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、显示装置及其制造方法

Family Cites Families (84)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3630660A (en) 1968-10-31 1971-12-28 Burlington Industries Inc Process for removal of moisture and/or solvents from textile materials
US4421781A (en) 1982-03-29 1983-12-20 Tri/Valley Growers Continuous vacuum curing and solvent recovery coating process
US5199187A (en) 1991-07-31 1993-04-06 Sp Industries Freeze dryer apparatus having an interim condensing system and use thereof
US5744009A (en) 1995-07-07 1998-04-28 The M. W. Kellogg Company Method and apparatus for recovering condensables in vapor from a urea vacuum evaporator
EP1632740A3 (en) 1995-09-18 2011-04-27 Minnesota Mining And Manufacturing Company Method for controlling a processing environment
US5694701A (en) 1996-09-04 1997-12-09 Minnesota Mining And Manufacturing Company Coated substrate drying system
US5813133A (en) 1996-09-04 1998-09-29 Minnesota Mining And Manufacturing Company Coated substrate drying system with magnetic particle orientation
JP3899566B2 (ja) 1996-11-25 2007-03-28 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ表示装置の製造方法
US6303238B1 (en) 1997-12-01 2001-10-16 The Trustees Of Princeton University OLEDs doped with phosphorescent compounds
CA2306384A1 (en) 1997-10-14 1999-04-22 Patterning Technologies Limited Method of forming an electronic device
JP3417464B2 (ja) * 1998-06-24 2003-06-16 東京応化工業株式会社 平坦化膜形成用塗布液
US6630274B1 (en) 1998-12-21 2003-10-07 Seiko Epson Corporation Color filter and manufacturing method therefor
DE60031729T2 (de) 1999-05-13 2007-09-06 The Trustees Of Princeton University Lichtemittierende, organische, auf elektrophosphoreszenz basierende anordnung mit sehr hoher quantenausbeute
EP1252803B2 (en) 1999-12-01 2015-09-02 The Trustees Of Princeton University Complexes of form l2mx as phosphorescent dopants for organic leds
US6936485B2 (en) * 2000-03-27 2005-08-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a light emitting device
US6670645B2 (en) 2000-06-30 2003-12-30 E. I. Du Pont De Nemours And Company Electroluminescent iridium compounds with fluorinated phenylpyridines, phenylpyrimidines, and phenylquinolines and devices made with such compounds
JP3628997B2 (ja) 2000-11-27 2005-03-16 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法
JP4021177B2 (ja) 2000-11-28 2007-12-12 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法および有機エレクトロルミネッセンス装置並びに電子機器
JP4285264B2 (ja) * 2000-11-28 2009-06-24 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法
TW533446B (en) 2000-12-22 2003-05-21 Koninkl Philips Electronics Nv Electroluminescent device and a method of manufacturing thereof
EP1364420B1 (en) 2001-02-27 2012-10-10 Cambridge Display Technology Limited Formulation for depositing a material on a substrate using ink jet printing
US6875523B2 (en) 2001-07-05 2005-04-05 E. I. Du Pont De Nemours And Company Photoactive lanthanide complexes with phosphine oxides, phosphine oxide-sulfides, pyridine N-oxides, and phosphine oxide-pyridine N-oxides, and devices made with such complexes
WO2003008424A1 (en) 2001-07-18 2003-01-30 E.I. Du Pont De Nemours And Company Luminescent lanthanide complexes with imine ligands and devices made with such complexes
JP2003133691A (ja) 2001-10-22 2003-05-09 Seiko Epson Corp 膜パターンの形成方法、膜パターン形成装置、導電膜配線、電気光学装置、電子機器、並びに非接触型カード媒体
US7166368B2 (en) 2001-11-07 2007-01-23 E. I. Du Pont De Nemours And Company Electroluminescent platinum compounds and devices made with such compounds
JP4164256B2 (ja) 2001-11-27 2008-10-15 東京エレクトロン株式会社 減圧乾燥装置及び減圧乾燥方法
CN1520702B (zh) 2001-12-26 2010-05-26 纳幕尔杜邦公司 含有氟化苯基吡啶、苯基嘧啶和苯基喹啉的电致发光铱化合物及用该化合物制备的器件
TWI262034B (en) * 2002-02-05 2006-09-11 Semiconductor Energy Lab Manufacturing system, manufacturing method, method of operating a manufacturing apparatus, and light emitting device
CA2474532A1 (en) * 2002-02-06 2003-08-14 Peter Murer Sulfonate derivatives and the use therof as latent acids
JP4543617B2 (ja) * 2002-04-22 2010-09-15 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス基板の製造方法、電気光学装置の製造方法、電子機器の製造方法、アクティブマトリクス基板の製造装置、電気光学装置の製造装置、及び電気機器の製造装置
US20040035360A1 (en) * 2002-05-17 2004-02-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing apparatus
US6858464B2 (en) 2002-06-19 2005-02-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing light emitting device
US6713339B2 (en) 2002-06-21 2004-03-30 Micron Technology, Inc. Methods of forming switchable circuit devices
JP4116347B2 (ja) * 2002-07-08 2008-07-09 日東電工株式会社 被膜シートの製造方法
CN101068041B (zh) 2002-07-19 2010-08-18 出光兴产株式会社 有机电致发光装置和有机发光介质
US20040040504A1 (en) * 2002-08-01 2004-03-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing apparatus
JP4239560B2 (ja) * 2002-08-02 2009-03-18 セイコーエプソン株式会社 組成物とこれを用いた有機導電性膜の製造方法
US6963005B2 (en) 2002-08-15 2005-11-08 E. I. Du Pont De Nemours And Company Compounds comprising phosphorus-containing metal complexes
ATE404609T1 (de) 2002-09-24 2008-08-15 Du Pont Wasserdispergierbare polythiophene hergestellt unter verwendung von kolloiden auf basis von polymersäuren
US7462298B2 (en) 2002-09-24 2008-12-09 E.I. Du Pont De Nemours And Company Water dispersible polyanilines made with polymeric acid colloids for electronics applications
JP2004223354A (ja) 2003-01-21 2004-08-12 Seiko Epson Corp 液状組成物の塗布方法、ｅｌ素子の製造方法、カラーフィルタの製造方法、電気光学装置、電子機器
US7211461B2 (en) * 2003-02-14 2007-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing apparatus
JP4463492B2 (ja) * 2003-04-10 2010-05-19 株式会社半導体エネルギー研究所 製造装置
JP2004351272A (ja) 2003-05-27 2004-12-16 Seiko Epson Corp 薄膜パターンの形成方法及びデバイスの製造方法、電気光学装置及び電子機器
US6867081B2 (en) * 2003-07-31 2005-03-15 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Solution-processed thin film transistor formation method
TW201219350A (en) 2003-11-17 2012-05-16 Sumitomo Chemical Co Crosslinkable arylamine compounds
JP2005158824A (ja) 2003-11-20 2005-06-16 Seiko Epson Corp 成膜方法、膜、電子デバイスおよび電子機器
JP2005172316A (ja) * 2003-12-09 2005-06-30 Seiko Epson Corp 減圧乾燥装置、電気光学装置、電気光学装置の製造方法および電子機器
US20050129843A1 (en) 2003-12-11 2005-06-16 Xerox Corporation Nanoparticle deposition process
JP2005235852A (ja) 2004-02-17 2005-09-02 Seiko Epson Corp 多層膜の形成方法及びデバイスの製造方法
US7351358B2 (en) 2004-03-17 2008-04-01 E.I. Du Pont De Nemours And Company Water dispersible polypyrroles made with polymeric acid colloids for electronics applications
JP4055171B2 (ja) * 2004-05-19 2008-03-05 セイコーエプソン株式会社 カラーフィルタ基板の製造方法、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、電子機器
US7023013B2 (en) 2004-06-16 2006-04-04 Eastman Kodak Company Array of light-emitting OLED microcavity pixels
JP4707658B2 (ja) 2004-06-17 2011-06-22 シャープ株式会社 塗液、膜の製造方法、機能素子の製造方法、有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法、有機エレクトロルミネセンス表示装置の製造方法、カラーフィルター基板の製造方法、液晶表示装置の製造方法、及び、配線基板の製造方法
US8158517B2 (en) 2004-06-28 2012-04-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing wiring substrate, thin film transistor, display device and television device
GB2416428A (en) 2004-07-19 2006-01-25 Seiko Epson Corp Method for fabricating a semiconductor element from a dispersion of semiconductor particles
JP4148933B2 (ja) * 2004-08-31 2008-09-10 シャープ株式会社 機能膜の製造方法、機能膜形成用塗液、機能素子、電子デバイス及び表示装置
TWI247111B (en) 2004-09-22 2006-01-11 Chunghwa Picture Tubes Ltd Method of detecting foreign objects in display manufacture processes
US7268006B2 (en) 2004-12-30 2007-09-11 E.I. Du Pont De Nemours And Company Electronic device including a guest material within a layer and a process for forming the same
JP5082189B2 (ja) 2005-01-14 2012-11-28 大日本印刷株式会社 コーティング液、金属酸化物膜およびその形成方法
JP4876415B2 (ja) 2005-03-29 2012-02-15 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ装置の製造方法、デバイスの製造方法
KR100663076B1 (ko) 2005-08-31 2007-01-02 한국과학기술원 반도체 기판 상의 소정 영역에 탄소나노튜브를 형성시키는 방법, 이를 이용한 반도체 도선 형성방법 및 이를 이용하여 인덕터 소자 제조 방법
JP2007123257A (ja) 2005-09-27 2007-05-17 Mitsubishi Chemicals Corp 有機電界発光素子の製造方法
JP4396607B2 (ja) 2005-09-28 2010-01-13 セイコーエプソン株式会社 膜形成方法、有機エレクトロルミネセンス装置の製造方法、有機エレクトロルミネセンス装置及び電子機器
KR100643376B1 (ko) 2005-10-24 2006-11-10 삼성전자주식회사 표시장치와 표시장치의 제조방법
KR101211836B1 (ko) * 2005-10-24 2012-12-12 삼성코닝정밀소재 주식회사 다공성 칼코게나이드 박막, 그 제조방법 및 이를 채용한전자소자
US8124172B2 (en) 2006-03-02 2012-02-28 E.I. Du Pont De Nemours And Company Process for making contained layers and devices made with same
US20070278936A1 (en) 2006-06-02 2007-12-06 Norman Herron Red emitter complexes of IR(III) and devices made with such compounds
JP2009540574A (ja) 2006-06-05 2009-11-19 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー Ｏｌｅｄ印刷の分野における有機活性材料を堆積するための液体組成物
US7491646B2 (en) 2006-07-20 2009-02-17 Xerox Corporation Electrically conductive feature fabrication process
EP2069419A2 (en) 2006-08-24 2009-06-17 E.I. Du Pont De Nemours And Company Hole transport polymers
JP4940857B2 (ja) 2006-09-26 2012-05-30 凸版印刷株式会社 有機機能性素子の製造方法
US20100003444A1 (en) * 2006-10-18 2010-01-07 Panasonic Corporation Manufacturing method for multilayer information recording medium, manufacturing apparatus for multilayer information recording medium, and multilayer information recording medium
DE102006054481A1 (de) 2006-11-18 2008-05-21 Eppendorf Ag Vakuumkonzentrator und Verfahren zur Vakuumkonzentration
JP2008244362A (ja) * 2007-03-28 2008-10-09 Seiko Epson Corp 半導体装置の製造方法、半導体装置、半導体回路、電気光学装置および電子機器
US20080289676A1 (en) 2007-05-25 2008-11-27 Guidotti Ronald Armand Electrode for a thermal battery and method of making the same
CN101275282B (zh) 2007-12-26 2011-06-08 中国核动力研究设计院 超晶格热电材料的制备方法
GB0803950D0 (en) * 2008-03-03 2008-04-09 Cambridge Display Technology O Solvent for printing composition
TW201005813A (en) * 2008-05-15 2010-02-01 Du Pont Process for forming an electroactive layer
TW201039382A (en) * 2009-03-06 2010-11-01 Du Pont Process for forming an electroactive layer
TW201044667A (en) * 2009-03-09 2010-12-16 Du Pont Process for forming an electroactive layer
EP2406813A4 (en) * 2009-03-09 2012-07-25 Du Pont METHOD FOR FORMING AN ELECTROACTIVE LAYER
US20120025182A1 (en) * 2009-04-03 2012-02-02 Sharp Kabushiki Kaisha Donor substrate, process for production of transfer film, and process for production of organic electroluminescent element
JPWO2013069274A1 (ja) * 2011-11-10 2015-04-02 パナソニック株式会社 有機表示パネル、有機表示装置、有機発光装置、それらの製造方法、および薄膜形成方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2012519941A (ja) 2012-08-30
CN102318040B (zh) 2014-09-17
WO2010102272A3 (en) 2011-01-13
US20110309360A1 (en) 2011-12-22
US8778708B2 (en) 2014-07-15
WO2010102272A2 (en) 2010-09-10
CN102318040A (zh) 2012-01-11
KR20110134452A (ko) 2011-12-14
EP2404315A2 (en) 2012-01-11
EP2404315A4 (en) 2012-08-08
JP2015062900A (ja) 2015-04-09
US20140264307A1 (en) 2014-09-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW201039382A (en) Process for forming an electroactive layer
US9209398B2 (en) Process for forming an electroactive layer
JP2011501470A (ja) 電子輸送二重層およびそのような二重層から製造したデバイス
US8907353B2 (en) Process for forming an electroactive layer
KR20080081992A (ko) 신규한 화합물을 포함하는 조성물 및 상기 조성물로 제조된전자 장치
TW201104357A (en) Process and materials for making contained layers and devices made with same
TW201200975A (en) Process and materials for making contained layers and devices made with same
TW201008374A (en) Organic light-emitting diode luminaires
US9209397B2 (en) Process for forming an electroactive layer
CN103875092A (zh) 用于照明的有机电子装置
TW201230434A (en) Organic electronic device with composite electrode
JP2012527123A (ja) 電子トンネル層を有する有機電子デバイス
CN103890991A (zh) 用于照明的有机电子装置