TW201033402A - Ground return for plasma processes - Google Patents

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201033402 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明實施例一般關於使用電漿處理諸如太陽能面板 基材、平板基材、或半導體基材之基材的方法與設備。 • 明確地說’本發明實施例關於應用在電漿製程腔室的射 - 頻（RF)電流回流路徑。 φ 【先前技術】 一般利用電漿增強化學氣相沈積（PECVD)在諸如半導 體基材、太陽能面板基材、及液晶顯示器（LCD)基材的基 材上沈積薄膜》PECVD —般藉由將前驅物氣體引入真空 腔室（其具有基材置於基材支撐件上）中來完成。通常 引導前驅物氣體通過位於靠近真空腔室頂部設置的氣體 分配板。在真空腔室中的前驅物氣體藉由耦接至該腔室 的一或多個RF源施加射頻（RF)功率至腔室能量化（例 如，激發）而形成電漿。激發氣體產生反應以在基材的 表面上形成一材料層，其中該基材係定位於溫度受控基 材支撐件上。氣體分配板一般連接至RF功率源且基材支 撐件通常連接至腔室主體，提供RF電流回流路徑。 一般希望使用PECVD製程沈積的薄膜能具有均勻 性。例如，通常使用PECVD在平板上沈積非晶矽膜（例 如微晶矽膜、或多晶矽膜）以形成電晶體或太陽能電池 中所需要的p-n接合區。非晶砍膜或多晶梦旗的品質與 3 201033402 均勻性對商業操作是重要的。因此需要具有改良.之電漿 與沈積均勻性的PECVD腔室。 由於對於更大LCD與太陽能面板的需求持續增加使 用來製造LCD與太陽能面板的基材尺寸《需求也因此增 加。基材的尺寸目前通常面積超過一平方公尺。當與半 導體基材（其直徑通常約為300毫米）的尺寸相^時， 可輕易地了解用來處理半導體晶圓之腔室的大小不足以

處理1平方公尺或更大的基材.因此，需要發展大面積 製程腔室。 在某些情況下，此等大面積製程腔室可等同於僅放大 尺寸的半導體對應腔室且達成可接受的結果。在其他情 況下，由於當放大製程腔室時發生未預見的困難，放大 製程腔室的尺寸並不可行。設計用於施加RF能量的大腔 室即為一實例，放大並無法產生滿意結果。 另外，在大面積製程腔室中執行之製程的製程條件需 要被調整。判定適當的氣流、時序、RJT功率施加、溫度 條件、及其他製程變數需要遠超出例行程序的大量研究 和實驗。 因此，需要小心地設計可處理大面積基材的腔室。 【發明内容】 本發明實施例一般關於電漿處理基材的方法與設備。 明確地說，本發明實施例提供具有一或多個適於提供一 4 201033402 進階RF回流路徑之射頻（RF)接地或回流裴置的.電漿製 程腔室。 在一實施例中，描述用於一電漿製程腔室的—rf回流 裝置。該裝置包含一基底，其具有一轴，該輛可動地設 •置於形成在該基底中之一開口内；一彈簧，其耦接在該 一基底與該轴之間，該彈簧包含由具有彈性性質之一金屬 或金屬合金製成的-第—材料’該第—材料在周圍溫度 _ 下與在約2〇〇°C或更高的一製程溫度下係大體上相同； 及一第二材料，其大體上圍繞該第一材料，該第二材料 不同於該第一材料。 在另-實施例巾’描述—電漿製程系統。該系統包含 一腔室；及至少一個電極，其設置於該腔室中，該至少 一個電極利於一電漿在該腔室内的生成且可在該腔室内 相對-第二電極移動’該至少一個電極被維持電氣相接 同時藉由一或多値撓性接觸構件相對於該第二電極移 • 動’至少一個該一或多個撓性接觸構件包含由一金屬或 金屬合金製成的一材料，該由金屬或金屬合金製成的材 料在達到咼於約20〇t的溫度時係大體上維持彈性而不 ^ 塑性變形。 在另一實施例中，描述一方法。該方法包括在設置於 腔至内的一可動電極與一固定電極之間施加一射頻功 率，提供一第一射頻回流路徑至該腔室的一底部；相對 該固定電極’位移該可動電極；及經由一或多個可壓縮 構件’提供一第二射頻回流路徑至該腔室的一側壁。 5 201033402 【實施方式】 本發明實施例一般關於使用電漿處理基材及/或使用 電漿清潔部件的方法與設備。本文所描述的實施例關於 藉由提供電流之改良接地或回流路徑以增強電漿形成以 及沈積材料至一基材上的方法。在以下的描述當中，將 參考一電漿增強化學氣相沈積（PECVD)腔室，但應了解 本文的實施例亦可執行在其他包括物理氣相沈積（PVD) 腔室、姓刻腔室、半導體製程腔室、太陽能電池製程腔 室、以及有機發光二極體顯示器（〇Led)製程腔室等的其 他腔室。適當的腔室可購自加州聖塔克拉拉Applied

Materials，Inc.的子公司 ’ AKT America，Inc.。應 了解本 文所討論的實施例可在購自其他製造商的腔室中執行。 一般利用本發明實施例來處理矩形基材，例如用於液 晶顯不器或平板的基材’以及用於太陽能面板的基材。 其他適合基材可為圓形，例如半導體基材。使用來處理 基材的腔室通常包括一基材傳送口，該基材傳送口形成 在該腔室的一側壁中並用以傳送基材。傳送口一般包括 較基材之一或多個主要尺度略大的長度。傳送口在rF 回流模式中產生挑戰。可利用本發明處理任何尺寸或形 狀的基材°然而’本發明對具有約15 6〇〇平方公分之平 面面積的基材及包括具有約9〇〇〇〇平方公分（或更大） 的平面面積的基材提供特別的優勢。基材表面積的尺寸 201033402 增加使得提供適當接地路徑（特別是在傳送口或靠近傳 送口之處）的困難度隨之增加，而在均勻製程中顯示出 挑戰。本文所描述的實施例提供在處理大基材尺寸期間 對於此等問題的解決方法。

第1A圖為電漿製程系統1〇〇之一實施例的示意截面 圖。電漿製程腔t 1〇〇、經西己置以使用電漿來處理大面積 基材1〇1以在大面積基材101上形成結構和元件，而使 用在液晶顯示器（LCD)、平板顯示器、有機發光二極體 (OLED)或用於太陽能電池陣列的光伏電池的製造。基材 1〇1可為金屬、塑膠、有機材料、矽、玻璃、石英、或 聚合物以及其他適合材料的薄片。基# igi可具有大於 約1平方公尺的表面積，例如大於約2平方公尺。在其 他實施例中，基材1()1可包括約15麟平方公分或更大 的平面面積，例如90，_平方公分平 該結構可為包含複數序列沈積與光罩步驟㈣膜電晶 體。其他結構可包括多個”接合區以形成用於光伏電 池的二極體。 可配置電衆製程系統！00以沈積多種材料至大面積基 材1〇1上，包括但非限定於介電材料（例如，、 s似y、其衍生物或其組合)、半導體材料（例如，矽及 =摻雜劑）、阻障材料（例如，SiNx、Si〇為或其衍生物）。 藉由電漿製程系統⑽形成或沈積至大面積基材上之介 電材料與半導體材料的特定範例可包括蟲晶砂、多晶 石夕、非晶石夕、微晶梦、錯化石夕、錄二氧化石夕氮氧化 7 201033402 石夕、氮化石夕、其摻雜劑（例如，B、p、或As)、其衍生 物或其組合❶電漿製程系統1〇〇亦經配置以容納諸如 氬、氫、氮、氦或其組合的氣體，用來作為淨化氣體或 載氣⑶如^^^及其衍生物〜或組合）。 使用系統1〇〇沈積矽薄膜至大面積基材1〇1的一個實例 可使用矽烷在氫載氣中作為製程氣體而完成。 如第1A圖中所示，電漿製程系統1〇〇 一般包含腔室主 體102,其包括至少部分界定製程體積lu的一底部 及多個側壁117b。基材支撐件1〇4設置於製程體積 中。基材支撐件104適於在製程期間將基材1〇1支撐於 頂表面上。基材支撐件1〇4耦接至致動器138，該致動 器138適於至少在垂直方向移動基材支撐件以利於基材 ιοί的傳送及/或調整介於基材101與噴頭組件1〇3之 間的距離D。一或多個舉升銷110a-110d可延伸穿過該基 材支撐件104。當基材支撐件1〇4藉由致動器138降低 時，為了有利於基材1〇1的傳送，舉升銷11〇a_n〇d適 於接觸腔室主體102之底部U7a並支撐基材1〇1，如第 1B圖中所示。在如第1A圖中所示的一製程位置舉升 銷ll〇a-ll〇d適於與基材支撐件1〇4的上表面齊平或些 微低於基材支撐件1〇4的上表面進而允許基材ι〇ι平躺 在基材支樓件1〇4上。 喷頭組件103經配置以將製程氣體由製程氣體源122 供應至製程體積U1中。電漿製程系統100亦包含一排 氣系統11 8，該排氣系統丨丨8經配置以對製程體積ii 8 201033402 施加負壓。噴頭組件103 一般以一大體上平行的關係相 對於基材支禮件104設置。 在一實施例中，喷頭組件1〇3包含一氣體分配板114 及背板116。背板116可具有阻擋板的功能以使氣體體積 • 形成於氣體分配板114與背板116之間。氣體源122 藉由導管134連接至氣體分配板U4。在—實施例中， 遠端電漿源107耦接至導管i 34用以通過氣體分配板U4 來供應活化氣體電漿至製程體積lu。來自遠端電漿源 ❹ 107的電漿可包括用於清潔設置於製程體積m中之腔 室部件的活化氣體。在一實施例中，活化清潔氣體流動 至製程體積in中。用於清潔的適當氣體包括氟（f2)、三 氟化氮（NF3)、六氟化硫（SF6)及含碳/氟氣體（例如氟碳 化合物’諸如八氟四氫呋喃、羰基氟化物 (COF2)、六氟乙烷（c2F6)、四氟甲烷（Cf4)、全氟丙烷 (CSF8)、及其組合）。雖然可能使用含碳與氧的氣體，但 φ 該等氣體由於可能產生的碳及/或氧污染而不受歡迎。 亂體分配板114、背板116、及導管134 —般由導電材 Λ 料形成且彼此電氣連通。腔室102亦由導電材料形成。 - 腔室主體1〇2 —般與噴頭組件1〇3電氣絕緣。在一實施 例中，喷頭組件103藉由絕緣體135安裝至腔室主體1〇2 上。 在一實施例中，基材支撐件104亦有導電性，且基材 支撐件104與喷頭組件103經配置為相對電極，以在製 程期間及/或預處理或後處理製程期間在該基材支禮件 9 201033402 104與喷頭組件103間產生製程氣趙的電漿跡。另外， 可利用基材支撐件1G4及喷頭組件1()3在清潔製程期間 來支撐清潔氣體的電漿1〇8b (第13圖）。

在製程之前、製程期間及製程之後，射頻（RF)功率源 1〇5 -般使用來在喷頭組件1〇3與基材支擇件刚之間 產生電衆108a，且可用來維持能量化物質或進—步激發 自遠端電漿源1G7供應的清潔氣體。在—實施例中，rf 功率源105藉由阻抗匹配電路121的一第一出口 耦 接至喷頭組件1〇3。阻抗匹配電路121的第二出口 1〇讣 電氣連通至該腔室主體1〇2。 在實施例中，電漿製程腔室1〇〇包括複數第一 RF 裝置109a及複數第二rf裝置1〇9be第一 RF裝置1〇9a 與第二RF裝置i〇9b中的各者耦接在基材支撐件1〇4與 腔室主體102的接地部件之間。在一實施例中，複數RF 裝置109a與l〇9b經配置以在製程期間及/或腔室清潔 程序期間控制返回RF電流的回流路徑。第一 RF裝置 109a與第二RF裝置109b中的各者可被選擇性致動而對 電流為開路或閉路。複數RF裝置109a與l〇9b中的各者 可為適於在基材支撐件1〇4與腔室主體丨〇2之接地部件 間提供RF導電媒介的彈簧形式件、條帶、電線、或電纜。 在一實施例中’ RF裝置109a與1 〇9b經配置為撓性導電 材料製成的條帶或以撓性導電材料來鍍層的條帶。在一 態樣中，RF裝置109a與109b經配置為條帶，其中rF 裝置109a具有較RF裝置1 09b短的長度以利於電流的較 201033402 短路徑。 ^ 在一實施例中，RF裝置！09a、i〇9b可經配置以使Rf 回流路徑對RF電流為開路（意即，防止RF電流流動）。 在此實施例中，RF裝置i〇9a與i〇9b可經配置為—開 關。在一態樣中’ RF裝置i〇9a與i〇9b中之各者的打開 /關閉特徵可藉由基材支撐件相對於喷頭組件1 〇3的高 度來控制。在一些實施例中，藉由基材支撐件的高度（藉 由啟動開關’或將選定的RF回流路徑的另一部分與Rf 裝置斷開）來防止電流流經預定之RF裝置1〇9a、1〇9b 中的一個。在一範例中，選定的RF裝置可與腔室主體 102的接地部件（意即，與RF功率源1〇5電氣連通之腔 室主體102的部件）斷電。在一實施例中，利用複數RF 裝置109a與109b作為RF接地回流裝置。然而，rf裝 置109a、109b中的一或多個可使用在其他電連接以在電 漿製程系統100中施加或輸送電流。 在製程期間’ 一或多個製程氣體自氣體源122通過喷 頭組件103流動至製程體積in。在喷頭組件與基材 支撐件104之間施加RF功率以將製程氣體產生為電衆 108a用以處理基材1〇1。一般期望在製程期間具有電漿 分布的均勻性，儘管調節電漿均勻性也是有用的。然而， 電漿108a的分布由多種因子判定，例如製程氣體的分 布、製程體積111的幾何結構、介於嗔頭組件與基 材支推件104間的距離D、在相同基材或不同基材上沈 積製程間的變化、沈積製程及清潔製程、及RF裝置1 〇9a 11 201033402 與1 09b的電氣性質。為了改變接地返回RF回流路徑， 可在預處理、後處理、製程及清潔期間調整介於基材支 撲件104與喷頭組件間的間隔或距離〇。在一態樣中， RF裝置l〇9a經配置為可撓性並基於基材支撐件1〇4相 - 對於喷頭組件1 〇 3的位置提供返回rf電流一開路。在另 . 一態樣中，RF裝置i〇9a經配置為可撓性並基於基材支 一撐件104相對於喷頭組件103的位置提供返回rf電流一 φ 閉路。在此實施例_，RF裝置109a的撓性在距離D的 範圍内提供一閉路，其允許介於基材支撐件1〇4與喷頭 組件103之間的間隔能被調整，同時能執行多種製程。 例如基材支撐件104可相對於喷頭組件ι〇3移動，同時 維持RF裝置1 〇9a的閉路。 RF電流路徑的一實施例藉由第1 a圖中的箭頭示意性 圖示。在第1圖中，RF電流路徑可顯示在基材ι〇1的製 程期間的RF電流流動。RF電流一般由RF功率源ι〇5 • 的第一引線123a行進至該阻抗匹配電路121的第一出口 l〇6a，隨後沿著導管134的外表面行進至背板n6的背 表面’隨後至氣體分配板114的前表面。自氣體分配板 的前表面’RF電流行經電漿i〇8a並到達基材1〇1 的頂表面或基材支撐件104,隨後通過複數RF裝置1〇9a 及/或109b至腔室主體102的内表面125β自内表面 125 ’電流由阻抗匹配電路121返回至RF功率源1〇5的 第二引線123b。 雖然返回RF電流的範例示於第ία圖中且本文描述行 12 201033402 進穿過或通過複數RF裝置109a與109b中的一個或全 部’應了解電弧（arcing)可能不經意地在基材支撐件1〇4 與腔室主體102之内表面125的部分之間發生。電弧， 或電弧電位可在製程體積1U内藉由多種情況造成。例 如，可至少在基材支撐件1〇4相對於腔室主體1〇2之接 • 地部件的位置處或鄰近位置處產生電弧。電弧、或電弧 電位對在系統100内實行的製程為不利的。另外，系統 Φ 1〇〇的部件可能因電弧受損，因此，在PECVD系統内減 少或消除電弧或電弧電位為首要的挑戰。當製程參數改 變時及/或使用大基材時即更新挑戰，並且解決此等挑 戰需要大量超出例行程序的研究與實驗。本文描述的實 施例藉由提供可利用來最小化或消除在此等系統中之電 弧的RF裝置來解決此等挑戰。因此，在一些實施例中， 致使RF電流主要流過或通過複數RF裝置1〇9&、 中的一或多個，以最小化腔室主體102與基材支撐件1〇4 • 間的電弧電位。另外，複數RF裝置109a、109b的定位 或間隔可經調整’以最小化電弧或電弧電位及/或以增 • 強RF回流。 -在一些實施例令，返回RF電流可橫過複數rf裝置 a中的或多個作為自基材支撐件1 〇4沿著侧壁〗〗7b 之内表面125至第二引線123b的最短路徑。在其他實施 例中，返回RF電流可横過複數RF裝置l〇9B中的一或 多個作為自基材切件m沿著腔室底部心之内表面 125及側壁"7b之内表面125至第二引線l23b的最短 13 201033402 路徑。橫過複數RF裝置109a及109b中的一或多個的不 同RF回流路徑由下文詳細解釋。 在製程期間的RF回流 在一實施例中’在製程期間之RF電流的回流路徑取決 . 於基材支撐件1〇4與喷頭組件103之間的間隔（其緣示 為距離D)。此間隔藉由基材支撐件1〇4的高度來控制。 在一實施例中’距離D在製程期間介於約200密耳至約 ® 2000密耳之間。在此間隔情況下（例如，基材支撐件1〇4 的高度）’ RF裝置109a與l〇9b可同時保持電氣耦接至 RF功率源1〇5。在此實施例中，rf電流的RF回流路徑 可基於RF裝置l〇9a與l〇9b的電氣性質及位置而決定。 電氣性質包括RF裝置l〇9a與109b的電阻、電阻抗及/ 或電導性。例如’由於複數RF裝置1〇9a較靠近且對返 回至RF功率源1〇5之第二引線123b的RF電流具有較 ❹ 小電阻抗，該RF電流主要流動通過複數rf裝置1 〇9a， 同時很少或甚至沒有RF電流流經複數rf裝置丨〇9b。 • 在一實施例中，可在基材支撐件104於不同高度或間 -隔處執行複數沈積製程。在一實例中，第一沈積製程可 在距離D介於約200密耳至約1500密耳之間時的第一間 隔處執行。在此實施例中，複數RF裝置109a與複數RF 裝置109b可電氣耦接至基材支撐件1〇4，使得返回RF 電流流過全部的RF裝置10%與109b。在其他實例中， 可在距離D大於约1200密耳至約18〇〇密耳時（例如大 201033402 於約1500密耳）的第二間隔處執行第二沈積製程。在此 實施例中，複數RF裝置109a可電氣上或實體上自基材 支撐件104斷開’以使返回RF電流僅流經RF裝置 109b。在另一實例中，其他沈積製程可在介於第一間隔 . 與第二間隔之間的多種距離D處執行，以使返回rf電 流流經RF裝置l〇9a與109b中的一或兩者。 在清潔期間的RF回流 第1B圖為第1A圖中所示之電漿製程系統1〇〇的示意 截面圖。在此圖中’示出不具基材的電漿製程系統1〇〇 以繪示一腔室清潔程序。在此實施例中，能量化清潔氣 髏自遠端電漿源107流動至喷頭組件103及製程體積1 i J 以在製程體積111内供應電漿l〇8b。在腔室清潔期間， 基材支撐件104經移位而遠離喷頭組件1〇3，且可施加 來自RF功率源1〇5的RF電流以維持或進一步能量化來 Φ 自遠端電漿源丨〇7的清潔氣體。在一實施例中，基材支 撲件104相對於喷頭組件1〇3在清潔期間的間隔或距離 * D係大於基材支撐件ι〇4相對於喷頭組件ι〇3在製程期 ' 間的間隔或距離在一實施例中’介於基材支撐件ι〇4 與喷頭組件103之間的距離D在清潔期間係介於約200 密耳至約50〇〇密耳，或更大。 在一實施例中，可在基材支撐件104於不同高度或間 隔處時執行複數清潔步驟或製程。在一實施例中，可在 距離D介於約1100密耳至約1500密耳時的第一間隔處 15 201033402 執行第一清潔製程。在此實施例中，複數RF裝置丨 與複數RF裝置109b可電氣耦接至基材支撐件1〇4，以 使返回RF電流流經全部的RF裝置1〇如與1〇外。在另 一實施例中’可在距離D小於約1丨00密耳（例如介於約 4〇〇密耳至6〇〇密耳之間）時的第二間距處執行第二清 潔製程。在此實施例中，複數RF裝置l〇9a與複數RF 裝置109b可電氣耦接至基材支撐件ι〇4，以使返回RF 電流流經全部的RF裝置109a與l〇9b。在又另一實施例 中，可在距離D大於約1500密耳（例如介於約大於ι5〇〇 密耳至約6000密耳之間，如約5〇〇〇密耳）時的第三間 距處執行第二清潔製程。在此實施例中，複數RF裝置 109a可電氣上或實體上與基材支撐件ι〇4斷開，以使得 返回RF電流僅流過複數rf裝置1 〇9b<J該等第一、第二、 第三清潔間隔實例可依期望而同時或個別地使用以清潔 腔室’且其他清潔製程可在介於第一間距與第三間距間 的多種距離D處執行以使返回rf電流流經複數rf裝置 109a與109b中的一或兩者。 在一實施例中’基材支撐件1〇4的高度造成大體上防 止RF電流流經複數RF裝置i〇9a的情況。此情況可藉 由在RF裝置109a中提供rf電路為開路所造成，或藉 由改變RF裝置109a相對RF裝置i〇9b的電氣性質所造 成。在一實施例中，基材支撐件丨04在清潔位置具有相 對製程位置而較低的位置而致使自基材支撐件1〇4的汉!? 回流電流相對RF裝置1 〇9a而主要流經rf裝置1 〇9b。 16 201033402 在一實施射，當基材支撐件104在此較低位置時，RF 裝置胸自侧壁lm與基材支擇件104中的一個分開， 因此在RF裝置109a令產生RF開路情況。在此實施例 中，RF電流的唯一回流路徑是通過rf裝置⑺处。在另 .一實施例中，可連接RF裝置1〇9aMsRF裝置1〇如的 . t阻大於RF裝置麟的電阻，此可造成以回流電流 主要流經RF裝置109b。可藉由暫時性耦接一可變電阻 參 電路至選定的RF裝置l〇9a，而提供尺]^裝置多種電阻。 在預處理製程中的RF回流 在沈積製程之前，有時希望在基材1〇1上執行預處理 製程。預處理製程包括將預處理氣體流動至喷頭組件1〇3 且在該腔至中於基材101上方撞擊一電漿。適合的預處 理氣體包括惰性氣體或不具有可沈積在基材上之前驅物 的氣體，例如氬（AO、氮（n2)、氦（He)、氨（NH3) Φ 及其組合與衍生物，以及不包含矽烷（例如，SiH4)的 任何氣體。在一實施例中，為了在沈積製程的準備中加 熱基材，預處理製程包括形成一惰性氣體或一不含有沈 ' 積前驅物之氣體的電漿。使用惰性氣體電漿將有利於連 同置於基材支撐件104上的加熱器來加熱基材1〇1。基 材的預處理加熱步驟縮短基材的加熱時間，這可增加產 量。在另一實施例中，為了最小化或消除在基材傳送期 間可能累積在基材中的靜電，預處理製程包括形成一惰 性氣體或一不含有沈積前驅物氣體的電漿。在此實施例 17 201033402 中，電聚重新分配或消除可能累積在基材中或基材上的 靜電力’並備好該基材以用於沈積製程。 在-實施例中，在預處理製程_之灯電流的回流路 徑可取決於基材支撐件1G4與噴頭㈣⑻之間的間 ， 距。介於基材支採件104與喷頭組件1〇3之間的間距（繪 , $為距_ D)彳為在製錄置與清潔位置之間的某一位 置，例如介於約200密耳至約5〇〇〇密耳之間或更大。 φ 因此，基材支撐件104相對於噴頭組件U)3的預處理位 置可匕括冑或較低位置（例如，介於約】5⑽密耳至約 5000密耳之間）及第二或較高位置（例如介於密耳 或至約1 500密耳之間）。 在此實施例中，RF回流路徑可包括RF電流沿著複數 RF裝置胸與109b中的一或兩者返回至RF功率源1〇5 的第二引線123b。在一態樣中，可改變複數RF裝置l〇9a 與l〇9b中的一或兩者的電氣性質，致使返回rf電流主 • 要移經複數RF裝置109a與l〇9b中的一或兩者。在一實 施例中’基材支撐件1〇4的高度造成大體上防止rf電流 μ經RF裝置1 G9a的情況。在—實施例中，基材支撐件 的冋度決定返回RF電流經過複數RF裝置1〇知與 l〇9b的路徑。在一實例中，當基材支撐件！ 〇4的高度在 第一或較高位置時，返回RF電流絕大部分流經該等複數 RF裝置i〇9a。大部分流經rf裝置1()9a的流動甚至可 在複數RF裝置i〇9b與基材支撐件ι〇4及腔室主體i〇2 連接並電氣連通時發生。 18 201033402 在一態樣中，返回RF電流可相對於RF裝置而 主要流經RF裝置109be在一實施例中，當基材支撐件 1〇4在第一或較低位置時，RF裝置1〇9a自侧壁u7b與 基材支撐件104中之一者分開。在此實施例中，RF電流 的唯一回流路徑是經過RF裝置109b。流經RF裝置1〇% 的流動甚至可在複數RF裝置1〇9a與基材支撐件1〇4及 腔室主體102連接並電氣連通時發生。在另一實施例 中，备基材支撐件104在第二或較高位置時，RF裝置1〇外 可經配置而具有不同電氣性質或經配置對RF電流為開 路。在此實施例中，RF回流路徑由主要經過RF裝置1〇9& 返回的RF電流所構成。在另一態樣中，返回rf電流基 於最短回流路徑而流經複數RF裝置1〇9a與複數rf裝 置109b中之一或兩者。 在後處理製程中的RF回流 • 在沈積製程之後，有時希望在基材101上執行後處理 製程。後處理製程包括將後處理氣體流動至噴頭組件103 且在腔室内於基材101上方撞擊一電漿。適合的後處理 • 氣體包括惰性氣體，例如氬（Ar )、氮（Nz )、氦（He )、 氨（NH3 )、氫氣（Η2 )及其組合與及其衍生物。在一實 施例中，為了使剩餘在基材1〇1上的靜電荷減到最少， 後處理製程包括形成惰性氣體電漿，以助於基材ι〇ι自 基材支料1G4的上表面舉升。使用惰性氣體電衆有利 於將基材101固持至基材支撐件1〇4的靜電力重新分配 201033402 且允許基材101可為了傳送目的而自基材支撑件i 04移 開。 在一實施例中，RF電流的返回路徑在後處理製程期間 可取決於基材支撐件104與喷頭組件1〇3之間的間距。 介於基材支撐件與喷頭組件103之間的間距（緣示 . 為D)可為介於製程位置與清潔位置間的某一位置，例 如介於約200密耳至約5000密耳之間，或更大。因此， 碜 基材支撐件1〇4相對於喷頭組件103的後處理位置可包 括一第一或較低位置（例如’介於約15〇〇密耳至約5〇〇〇 密耳之間）及一第二或較高位置（例如介於2〇〇密耳或 至約1500密耳之間）。 在此實施例中，RF回流路徑可包括沿著複數RF裝置 109a與109b中的一或兩者而返回至RF功率源1〇5的第 二引線123b的RF電流。在一實施例中，基材支撐件1〇4 相對於喷頭組件1〇3及/或腔室主體1〇2之内表面125 Φ 的位置提供RF回流最少電阻的路徑。在一態樣中，可改 變複數RF電流裝置109a、109b中的一或兩者的電氣性 質，致使返回RF電流主要移經複數RF電流裝置丨〇9&、 - 1〇9b中的一或兩者。在一實施例中，基材支撐件104的 高度提供主要經過RF裝置1〇9a的RF 一回流路徑。主 要流經RF裝置109a的流動甚至可在複數rf裝置丨〇孙 與基材支標件1G4與腔室主體1G2連接並電氣連通時發 生。 在另一實施例中，返回RF電流基於基材支撐件104 20 201033402 的位置而相對於RF裝置l〇9a主要流經RF裝置i〇9b。 主要流經RF裝置109b的流動甚至可在複數RF裝置1〇% 基材支撐件104與腔室主體102連接並電氣連通時發 生。在一實施例中，當基材支撐件104在第一或較低位 置時’ RF裝置109a自側壁117b與基材支撐件1〇4中之 .一者分開。在此實施例中，RF電流的唯一回流路徑是經 過RF裝置1 〇9b。在另一實施例中，當基材支撐件1〇4 參在第二或較高位置時，RF裝置1〇9b可經配置而具有不 同電氣性質或經配置對RF電流為開路。在此實施例中， RF回流路徑由主要經過rf裝置i〇9a返回的RF電流所 構成。在另一態樣中，返回RF電流基於最短回流路徑而 流經複數RF裝置l〇9a與複數RF裝置i〇9b中之一或兩 者。

第2A圖為RF裝置j 〇9b之一實施例的示意截面圖， 該RF裝置i〇9b經配置為一可撓性纜線、薄片材料或一 Φ 條帶200。條帶200的第一端238藉由連接組件23〇電 氣耦接至基材支撐件104。在一實施例中，連接組件23〇 連接至基材支撐件1〇4的下側24(^RF裝置l〇9b的第二 * 端239藉由連接組件229電氣搞接至腔室底部117卜RF 裝置109b可藉由其他機構例如緊固件235、236 (如螺 釘、夾钳件）或其他可保持基材支撐件…心尺^裝置1〇外 與腔室底部117a之間電氣連接的方法而耦接至基材支撐 件104與腔室底部U7a。如第2B圖中所示，連接組件 230包含一定形夾鉗件232及一或多個緊固件23卜連接 21 201033402 組件229亦包含一定形夾鉗件231及一或多個緊固件 236 〇 連接組件229、230各包含可抗製程及清潔化學物質的 低阻抗導電材料。在一實施例中，連接組件229、包 .含銘。或者’該等材料可包含鈦、錄、不錢鋼、合金或 其組合、或其他適合材料。在另一實施例中，用於連接 組件229、230的材料可包含鎳鉬鉻合金如 HASTELLOY®材料或 HAYNES®242®材料。 β 第2B圖示意性例示第2A圖中所示之條帶謂的立視 圖。條帶200 _般為可挽的平坦導電帶且在冑曲時不會 展現顯著的恢復（例如，彈簧）力。在一實施例中，條 帶200包含抗製程及清潔化學物質的一可挽低阻抗導 電材料。在-實施例中條帶包含I或者，條帶2〇〇 可為以鋁或導電金屬鞘或塗層來鍍層' 包覆或包層的 鈦、錄、不銹鋼、皱銅、合金或其組合。在另—實施例 Φ 中條帶200包含一鎳鉬-鉻（Ni-Mo-Cr)合金，例如 HASTELLOY®材料或 HAYNES②24?材料。Ni M〇-Cr 合金 .材料可以銘或導電金屬鞘或塗層來鎮層、包覆或包層。 在實施例中，條帶200的第一端238具有一安裝槽 233且第二端239具有-安裝槽234。在一實施例中，條 帶’、有中央槽237，該中央槽237經配置以增加 條帶2G。的撓性及，或利於舉升銷桿（例如第1A-1B圖 中所示的舉升銷11〇a_11〇d之桿）的間隙。在一態樣中， 中央槽237的尺·+丄μ伽， 寸大於舉升銷桿的直徑以在RF裝置 22 201033402 祕鄰近舉升銷時利於條帶綱的彎曲。 第3A圖為RF裝置1〇9&之一實施例的示意截面圖， ^裝置109a經g己置為一可撓性纜線、薄片材料或一 條帶綱。在-實施例中，示於第3Affi㈣rf裝置難 可使用在腔室主體+ 丄 體1〇2中以在腔室一部份中介於基材支 樓件1〇4與側壁U7b之間提供—電氣導電路徑其中該 等侧壁117b為平坦或連續且不包括—基材傳送口。rf

裝置109a的各端包括相似於第2a圖之連接組件229與 230的連接組件329及33〇。緊固件335及⑽個別將 裝置1 〇9a耦接至基材支樓件104及腔室主體的側壁 H7b»條帶⑽―般為可撓的平坦導電帶且在彎曲時不 會展現顯著的恢復（例如，彈簧）力。在一實施例中， RF裝置109a包含抗製程及清潔化學物質的一可撓低 阻抗導電材料。在-實施例中，條帶300由鋁所構成。 或者，條帶300可為以鋁或導電金屬鞘或塗層來鍍層、 包覆或包層的鈦、鎳、不銹鋼、鈹銅、合金或其組合。 在另一實施例中，條帶300包含一鎳_鉬_鉻（NiM〇Cr) 合金，例如HASTELLOY®材料或HAYNES®242®材料。

Ni_Mo-Cr合金材料可以鋁或導電金屬鞘或塗層來鍍層、 包覆或包層。 在此實施例中，基材支撐件104的位置為一升高位 置’其可為一製程位置》基材支撐件1〇4的升高位置將 基材支撐件104與腔室底部117a間隔開，其拉伸、拉直 或拉長RF裝置1 09b。在一實施例中，rf電流的較小電 23 201033402 阻路徑基於較遠距離及/或由rf裝置ι〇外之延長方向 造成的電阻而沿著RF裝置109ae在一實例中，返回rf 電流的較小電阻路徑可為箭頭的方向，以使返回RF電流 可主要/〇著RF裝置109a行進而非沿著RF裝置1〇9b。 _ 在其他實施例中’至少一部份的返回rf電流可沿著 , 裝置109a及l〇9b中的一或兩者行進。 第3B圖為第3A圖中之RF裝置1〇9&與1〇外的示意 φ 截面圖。在此實施例中，基材支撐件104在一降低位置， 其可為傳送位置或清潔位置。基材支撐件1〇4的降低位 置將基材支撐件104帶往鄰近腔室底部U7a處處，且 RF裝置l〇9a為拉伸、拉直或拉長狀態。在一實施例中， RF電流的較小電阻路徑基於較遠距離及/或由rf裝置 109a之延長方向造成的電阻而沿著RF裝置l〇9b。在一 實例中，返回RF電流的較小電阻路徑可為箭頭的方向， 以使返回RF電流可主要沿著RF裝置1〇9b行進而非沿 # 著RF裝置109a。在其他實施例t，至少一部份的返回 RF電流可沿著rf裝置109a及i〇9b中的一或兩者行進。 •第4圖為電漿製程系統4〇〇另一實施例的示意截面 •圖。電漿製程系統400的部分相似於第1 a及1β圖所示 且為了簡潔目的而不重複繪示》在此實施例中，所示之 基材支撐件104處於傳送位置^在此實施例中，侧壁117b 的至少一部份包括一基材進出口 412,該基材進出口 4i2 的尺寸允許保持在工腐;傳送裝置（例如，一機器臂或末 端執行器（未示出））上之基材101的通過。傳送口 412 24 201033402 可經配置為一狹缝閥且包括可密封閥門41〇，該密封閥 門410適於在基材傳送時打開傳送口 412且在關閉時密 封製程體積。一或多個舉升銷u〇a ll〇d延伸穿過基材 支撐件104,以在基材1〇4自末端執行器（未示出）通 .過口 412接收時及當基材準備自末端執行器接收時支撐 基材101。 « 側壁區域405繪示於鄰近傳送口 412處。側壁區域4〇5 不同於側壁的其他部分，這是因為傳送口 412包括 形成於側壁117b内表面125中的一通道或孔隙，而該通 道或孔隙並未存在於腔室主體1〇2之侧壁U7b的其他部 分中。例如，若腔室主體為矩形，側壁U7b中的三面為 平坦及/或包括一大體上平面形且連續的内表面125, 同時側壁117b的第四表面包括側壁區域4〇5，該側壁區 域405由於通道界定該傳送口 412而為不平坦及/或不 連績。三侧壁之内表面125與側壁區域405的内表面間 • 的差異產生不一致的RF回流模式。在一實例中，施加至 腔室的RF電流在製程體積lu中的行進並非對稱。在一 態樣中’傳送口 412的存在提供一空間，其中rf電流在 * 此空間處並未集中或為最小，這是因為界定該傳送口 412 的通道或空間並不傳導RF電流。此舉造成在該口 412 處或靠近該口 412處的不平均電漿，且相對於基材1〇1 的其他部分在該傳送口 412或靠近該傳送口 412區塊之 基材101上造成不平均沈積。該等不同側壁需要不同RF 回流方案以最佳化rF回流及/或防止在側壁區域4〇5 25 201033402 中的電弧。在一實施例中，侧壁U7b不包括傳送口 的三面可包括使用如第3A與3B圖中所示之條帶3〇〇的 RF裝置109a。然而，在一實施例中，為了在舉升銷 llOa-UOd與傳送口 412之間對基材傳送提供净空的通 路，在基材支撐件104靠近傳送口 412之一側上的rf 裝置109a適於與基材支撐件丨〇4 一起移動。

在此實施例中，至少一部份的RF裝置1〇9a繪示為複 數可壓縮接觸構件415。可壓縮接觸構件415可直接或 藉由支架452耦接至基材支撐件1〇4。可壓縮接觸構件 415因此可隨著基材支撐件1〇4移動。在一實施例中， 接觸構件415包括一接觸部分456 ,該接觸部分456適 於接觸耦接至腔室主體102之多個側壁117b的一或多個 平板或延伸構件458 ^在一態樣中，延伸構件458之各 者包含自腔室主體102之内表面125延伸的複數離散平 板。在一實施例中，接觸部分456及延伸構件458包含 一導電材料且被使用來提供一電流路徑。可壓缩接觸構 件415之各者也包括一彈性部分454，該彈性部分454 適於壓縮及擴張或伸長以回應接觸部分456與各自延伸 構件458之間基於基材支撐件1〇4之高度的接觸。在一 實施例中，電漿製程腔室4〇〇包括一遮蔽框架46〇，該 遮蔽框架460適於在製程期間環繞限制（circumscribe)基 材之周邊及基材支撐件1〇4之接收表面的至少一部 伤的範圍。當基材支撐件1〇4如所示在一傳送位置時， 遮蔽框架460可置於延伸構件456之上表面上。 26 201033402 第5圖為第4圖之製程系統400的示意截面圖，其示 出該基材在一製程位置。在末端執行器（未示出）如第 4圖中所示將基材1〇1放置於舉升銷ii〇aU〇d上之後， 末端執行器自製程體積縮回且閥門41〇將關閉以密封傳 送口 412。基材支撐件1〇4隨後升高同時舉升銷 ♦ 11 0a- 11 0d保持靜止直到基材支撐件i 〇4在一製程位置。 當基材支撐件104移動到製程位置時，基材支撐件1〇4 $ 將接觸藉由舉升銷ll〇a_11〇d支撐的基材1〇1。由於基材 的下陷，基材101以自中央到邊緣的方式開始接觸 基材支撐件104。當基材支撐件1〇4上升時舉升銷 110a-110d保持靜止，直到基材支撐件丨〇4已上升到使舉 升銷110a-ll〇d所支撐的基材101被基材支撐件1〇4支 撐的一位置。 藉由基材支撐件Γ04的升高’舉升銷丨丨0a_丨丨〇(i相對 於基材支播件104的基材接受面降低以將基材1〇丨以一 籲 大體上平坦的方位放置於基材接收面上。在使用遮蔽框 架460的實施例中’該遮蔽框架46〇藉由基材ι〇1及/ •或基材支撐件104的接觸以自一靜止位置舉升遮蔽框架 • 460，而環繞限制基材1〇1及/或基材支撐件1〇4。在基 材101接觸基材支撐件104之後的某一位置處，可在基 材101上執行如上所述之預處理製程。基材支撐件ι〇4 的舉升也提供RF裝置109a之接觸部分456與延伸構件 458之間的接觸。因此，可在此實施例中藉由RF電流裝 置109a及/或109b促進返回RF電流。 27 201033402

第6圖為腔室主體l〇2的示意截面俯視圓，其沿著第 5圖之線6-6切開，以示出RF裴置i〇9a之定位的一實 施例。示出具有基材支稽件104的腔室主體1〇2且rf 裝置109a置於腔室主體102之内表面與基材支撐件1〇4 之間的一空間中。接觸部分456適於接觸延伸構件458 (以虛線示出四個）以對所施加之RF功率提供一尺卩回 流路徑。RF裝置l〇9a之間隔與集中方式經配置以提供 對稱的RF回流路徑而利於電漿均勻性並增強基材 (以虛線示出）上的沈積均勻性。 在一實施例中，RF裝置1093的間隔與集中方式考量 腔室結構之變化（例如由傳送口 412界定之通道）而適 於對所施加之RF功率提供一對稱形態。當腔室主體並非 實體上或電氣上對稱時’該㈣或集中方式允許所施加 之RF功率在製程體積U1中對稱地行進。在一態樣中， 各個RF裝置1G9a及延伸構件458經調整為獨立的或模 組單元而可在期望位置㉝接至基材支撐件iG4,且若有 需要可自田下位置移動或移除^模組化調整係允許^ 回流路徑可依期望藉由添加、移除或重新定位^ W9a而被調節。在一實施 燜甲，RF裝置109a圍繞基材 件1〇4之周邊大體上平均地間隔開。在其他實施例 若需要’可自基材支擇件1〇4的不同地點 除RF裝置109a。 ^移 第7 A與7 B圖各自兔ρ ·ρ壯 圃各自為RF裝置l〇9a繪示為可壓縮 構件415之一實施例的望Ώ 明 貫施例的等角及側視圖。在此實施例中， 28 201033402 可壓縮接觸構件415安裝至基底705上，該基底705可 叙接至支架452 (以虛線示出）。在另一實施例中，接觸 構件415可整合為支架452的一部份。支架452轉而將 耦接至基材支撐件1〇4(未示出）。在一實施例中，基底 705包括適於容納第一轴707的開口 706»第一軸7〇7可 動地穿置於開口 706中以提供基底7〇5與第一轴7〇7之 間的相對運動。第一軸7〇7耦接至第二軸709，該第二

轴709令納於彈簧形式件（Spring 71 的内側。 軸環713輕接至第二轴以提供彈簧形式件？！ 〇B的一 基底。在一實施例中，第一軸7〇7可在第7B圖中標示為 5〇的行進距離内移動至任何位置。行進距離對應 至基材支撐件104在多種製程期間將被調整的距離範 圍同時維持基材支撐件104與腔室主體1〇2之間的電 氣接觸或接地電位。 可壓縮接觸構件415包括至少一個彈性部分，在此等 實包例中圖不為彈簧形式件71从與。彈簧形式件 A與710B提供可壓縮接觸構件415彈性同時彈簧 形式件Ή0Α額外提供電流—導電路徑。在—實施例中， 彈簧形式件7刚麵接至具有安裝部分714的一管狀構件 該女裝部分可容納彈簧形式件7_及提供與基底 705耦接之安裝介面。 - 可壓縮接觸構件415自；^ 傅干3包括一接觸墊715,該接觸墊715 接至該第一軸707的頭部八^ 认油 頌Ρ 〇Ρ分716。彈簧形式件71〇α 的第一端與該接觸墊715叙 接並電氣連通’且在一實施 29 201033402 例中，該彈簧形式件710A的第一端夹在Μ部部八 與接觸塾715之間。可使用緊固件（例如螺 以將接觸墊715耦接至頭部部分716。彈 王

认嗨一 坪黄形式件710A 的第一端藉由接觸墊蓋717與基底7〇5耦接並電氣連 通’其中在-實施例中，該接觸塾蓋m將彈簧形式件 71〇A失至基底㈣。可使用緊固件（例如螺釘或螺… 以將接觸墊蓋717耦接至基底7〇5。 ❿ 參看第7A與7B圖，彈簧形式件71〇A、7刚可為由 具有輸送或傳導電流之性質的導電或複合材料製成。在 :實施例中’撓性材料可為薄片材料（例如薄片金屬或 冶）纜線或電線、及其組合、或其他導電彈性構件或導 電材料。彈普形式件710A、71〇B可在如上所述之電衆 製程系統100及400中暴露至製程環境並選擇可在製 程環境中極限條件下存活及操作的撓性材料•《在一實施 例中，彈簧形式件71〇A、的撓性材料可為在製程 情況期間可大體上保持撓性性質（例如，機械整體性及 /或彈性）的金屬或金屬合金。在-態樣中，彈簧形式 710B的第一或核心材料包括在撓性材料達到 超過200 C (例如超過約25〇〇c至約3〇〇。〇）的溫度仍可 大體上保持撓性性質的任何金屬或金屬合金。在一實施 例中保持在超過2〇〇它或小於等於3〇〇〇c之溫度下的第 或核〜材料的撓性性質係大體上相似於在周圍溫度下 之核心材料的撓性性質。 在一些實施例中，撓性材料可為板簧、盤簧、壓縮彈 30 201033402 簧或其他撓性彈簧裝置或彈簧形式件。在一實施例中’ 彈簧形式件71 OA、71 OB包含一金屬材料或金屬合金， 其可額外以一導電材料來鍍層、包覆或包層。金屬及金 屬〇金的實例包括鎳、不錄鋼、鈦、MONEL®材料、 HASTELL〇Y®材料、HAYNES®合金（例如 HAYNES®242® 材料）、鈹銅、或其他導電彈性材料。用於鍍層包覆或 包層之材料的實例包括鋁、陽極氧化鋁、或其他塗層、 薄膜或薄片材料。在—實施例中，彈簧形式件7i〇a包含 錄或欽合金薄片材料，其經包覆或覆蓋銘材料。在另一 實施例中，彈簧形式件71〇A包含NiM〇Cr合金例如 HASTELLOY、料或haynes%·料。心％。心人金 材料可以銘或導電金屬鞘或塗層來鍍層、包覆或包；。 在一實施例中，彈簧形式件聰包含職飢、 料’同時彈簧形式件71GA包含㈣包覆的崎咖②⑷⑧ 十 π 汉官狀構件 :由導電材料製成且可額外以導電材料來㈣或包覆。‘ 導電材料的實例包括銘、陽極氧化銘、錄、鈦 其合金或其組合。在—實施例中，墊715、蓋=繡鋼、 轴而及管狀構件712可由陽極氧化特 欽、不義、其合金或其組合料電材❹成’且^ 導電材料（例如鋁）來鍍層、包覆或包層。 第7C圖為第7B圖之彈菁形式件71〇 —立 面放大圖。在一貧施例中，彈菁形式件7心= 31 201033402 核心材料770及第二材料或外層材料775。在—實施例 中，核心材料770及外層材料775包含相同材料，例如 可抗製程化學物質及製程環境的導電材料。例如，核心 材料m及外層材料775可包含銘。銘材料提供可高度 抗製程化學物質料電外保護層。m材料的物理 或機械特質可能在高溫及/或重㈣縮及伸長中降級。 在實你is包括可隨著溫度升高而降低之諸如拉伸 強度及彈性模數（Y〇ung’s modulus)的性質。此外，銘的 :服應力在高過約2〇5t的溫度會劇烈降低且在更高 /m度下會減弱更大的程度。例如，銘在約2〇〇或更高 的溫度下之的極限拉伸強度值（ultimate tensile strength 較IS在周圍溫度下的減拉#強度值小約4〇% 至約6〇%。因此，當利用鋁作為彈簧形式件710Α時，重 複循環（㈣及伸長）及/或升高溫度造成延展性的喪 失且可導致彈簧形式件71〇Α的損壞。 在另一實施例中，核心材料77〇不同於外層材料775 且外層材料775由核心材料77〇所支撐。在一實施例令， 核。材料770包含可在高溫下保持物理及/或機械性質 的材料’同時外層材料775的物理及/或機械性質在高 溫時減弱。在一態樣中，核心材料770在高於約200t 溫度下保持的撓性及/或延展性質可大體上相似於核心 材料770纟周圍溫度下的物理及/或機械性質。例如， 外層材料775可為銘，同時核心材料77。可為金屬合金。 在實施例中，當核心材料77〇達到約2〇〇。〇或更高的 32 201033402 溫度時’核心材料770可具有大體上相同於在周圍溫度 下或室溫下（例如，約2 5 °C )的性質。在—態樣中，核 心材料770在室溫下具有約1250MPa至129〇Mpa的極限 拉伸強度’及在約425°C溫度下具有約1〇5〇Mpa至 110〇MPa的極限拉伸強度。因此，核心材料77〇的極限 . 拉伸強度在介於室溫與約20(TC之間的溫度大體上並未 改變，且核心材料770因此在高溫下保持機械整體性。 φ 在一實施例中，核心材料770在約20(TC大體上保持在 周圍溫度下之物理及/或機械性質的85〇/〇。在另一實施 例中，核心材料770在約2〇(rc大體上保持在周圍溫度 下之物理及/或機械性質的9〇%或更多，例如95%。 在高於約200。(：的溫度下，核心材料77〇提供較鋁外 層材料775良好的機械及/或物理性質。在_態樣中， 隨著外層材料由於高溫及/或重複壓縮及减壓而在較核 心材料短的時間週期内達到疲勞限度，核心材料77〇與 • 外層材料775將產生差異》在一實施例中，核心材料770 由Nl_M〇_Cr合金製成，例如HASTELLOY®材料或 HAYNES®242®材料。Ni_M()_Cr合金在高於的溫度 下具有極佳的延展性及降服應力保持性，特別是在高於 〇5 C的酿度，例如，介於約21〇。匚及約3〇〇。匚。在此等 高溫下，實心銘彈簧形式件71〇A可能遭受延展性損失。 、： 外層材料775 (銘）可為耦接至核心材料770之 &層或箔的形式，且外層材料775的弱化不會影響核心 材料770的機械穩定性。因此’彈簧形式710A在高溫下 33 201033402 可恢復彈性並保持彈簧形式710A的機械整體性。雖然 Ni-Mo-Cr合金材料具有極佳的抗腐蝕性質特別是在含氟 的環境中，外層材料775可在製程體積lu中保護核心 材料770免於電漿及/或氣體腐蝕。 . 第8A圖為自腔室主體102内部觀察複數個壓縮接觸構 . 件415之耦合組態之一實施例的等角截面圖。基材支撐 件104經圖示在一升高位置以使接觸墊715 (在此圖中 φ 未示出）與自側壁117b之内表面125延伸的延伸構件 458接觸》在此實施例中，可壓縮接觸構件41 $之各者 耦接至個別的支架452。各支架452耦接至基材支撐件 1〇4。為了調節鄰近傳送口 412的RF回流路徑可依期 望添加或移除支架452。 第8B圖為第8A圖之部分腔室主體1〇2的俯視圖。部 分接觸t* 715 ®示於延伸構件458下方。隸意可壓縮 接觸構件415可進出腔室主體1〇2與基材支撐件1〇4之 # @。因此，當基材支撐件刚降低至低於傳送口 412的 位置時’為了人員維修、檢查、置換或移除的目的，可 壓縮接觸構件415可自高於基材支撐件1〇4的位置通過 傳送口 412而進出腔室主體1〇2。在一實施例中將基 底705耦接至支架452的兩個緊固件78〇可被移除以 將基底705自支架452鬆開。因此，可輕易地藉由分別 將兩個緊固件移除或附著來移除或置換可歸接觸 構件415。 第9A圓為耦接至支架452之可壓縮接觸構件9〇〇之另 34 201033402 一實施例的等角視圖。在此實施例中，支架452經配置 為耦接至基材支撐件〗〇4的桿件。在此實施例中，除了 三個彈簧形式件910A-910C之外’可壓縮接觸構件9〇〇 相似於第8A-8D圖中所示的可壓縮接觸構件415。彈簧 形式件91〇A、910B可為具有輸送或傳導電流之性質的 材料。在一實施例中，彈簧形式件910A-910C之各者可 與第8181)圖中所示之彈簧形式件71〇a、7i〇b為相同 的材料》 ® 在一實施例中’彈簧形式件910A、910B為連續單一 薄片材料或具有兩端905A、905B的單一板簧。或者， 彈簧形式件910A' 910B可為兩個獨立的、不連續的薄 片材料片段或在個別端耦接至接觸墊715的兩個板簧。 在此實施例中，軸環713經圖示為耦接至設置在管狀構 件712内的第二轴709<>轴環可為導電材料製成，例如 銘或陽極氧化鋁。軸環713可包含用來安置螺栓的一螺 • 帽或包括一螺紋部份，其適於固定該第二轴709。可減 小第二轴709的尺寸（例如直徑）以允許彈簧形式件910C » 密合其上。 . 第9B圖為第9A圖中所示之可壓縮接觸構件900的分 解等角視圖。在此實施例中，彈簧形式件9i〇D為單一連 續薄片材料或單一板簧。彈簧形式件91〇D可由參照彈簧 形式件710A所述之相同材料製成。 第9C及9D圖為支架452之一實施例的等角視圖，其 包括-或多個整合至支架452上之基底7〇5。在此實施 35 201033402 例中’支架452經配置為耦接至基材支撐件1〇4的一延 長桿件。支架452亦包括空基底915，若有需要，可使 用該空心基底915以耗接額外的可壓縮接觸構件900 ’ 其可增強多個可壓縮構件的模組性。 第10A圖為可壓縮接觸構件1 〇〇〇另一實施例的示意 圖。在此實施例中，自腔室主體1〇2鄰近口 412的内部 圖示可壓縮接觸構件1〇〇〇。由腔室主體丨〇2内部的透視 圖’口 412包括穿過側壁1〇〇2形成的一隧道1〇〇8，並 由隧道1008的上部分1004與下部分1〇〇6定出邊界。可 壓縮接觸構件1000包括耦接至接觸墊715與基底1005 的彈簧形式件1010A、1010B。彈簧形式件910A、910B 可由參照彈簧形式件810A、81 0B所述的相同材料製成。 彈簧形式件1010A、1010B可由參照彈簧形式件710A所 述的相同材料製成。 基底1005係耦接至支架452及/或基材支撐件1〇4(為 清楚起見’在此圖中未圖示此兩者）。在升高位置，接觸 塾715適於接觸延伸構件45 8的接觸面1060，其中延伸 構件458固定地耦接至腔室主體102的内側壁1〇〇2。由 於可壓縮接觸構件1〇00耦接至基材支撐件且在此圖中 圖不在升高位置’基材支撐件將遮蓋可壓縮構件1000及 部分延伸構件458的視角。當基材支撐件為了基材傳送 需要而降低時’可壓縮接觸構件1〇〇〇將隨著基材支撐件 1 移動’使得可壓縮接觸構件1〇〇〇沒有任何部分將干 擾在口 412的傳送操作β 36 201033402 第1 〇B圖為可壓縮接觸構件1〇〇〇另一實施例的示意 圖。相似於第10A圖的視角，自腔室主體1〇2的内部在 口 412處圖示可壓縮構件1〇〇(^可壓縮接觸構件 包括耦接至接觸墊715與基底1〇〇5的彈簧形式件

❹ 1010A、1010B。基底1〇〇5係耦接至支架及/或基材支 撐件由於基材支撐件的存在將遮蓋可壓縮接觸構件 1000的視角，在此圖中未示出支架及基材支撐件。在此 實施例中¥簧形式件1()1(^、1()_係為接至間隔器 1018 〇彈簧形式# 1G1GA、彳由參照彈簧形式件 710A描述的相同材料製成。 第11A及11B圖為腔室主體1〇2之部份的側面截面 圖’其圖示第1GA®中㈣至基材支撐件⑽之可壓縮 接觸構件1000的另—實施例。第11A圖在升高位置圖示 可壓縮接觸構件1000與基材支樓件104及第ΠΒ圓在降 低位置圖示可壓縮構件1〇〇〇與基材支撐件1〇〇如上所 述’當基材支揮件1〇4位於降低位置時，可壓縮接觸構 件1〇〇〇的任何部分都不會在干擾口 412的位置。 第12A圓為可壓縮接觸構件12〇〇之另一實施例的等角 視圖。接觸構件1200包括單一彈簧形式件121〇。單一 彈簧形式件1210可為連續平坦片段材料且可包含如參 照彈簧形式件710A所述的相同材料。在此實施例中彈 簧形式件1210包含一或多個管帶12l5Ai2i5c，該等彎 帶1215A_1215C適於提升彈簧形式件12㈣壓縮力。在 此實施例中’弯冑1215A_1215C之各者在彈酱形式件 37 201033402 1210的相對側上之-大體鏡像處有-對應t ♦。在一實 施例中，在12A圖中示出之彈菁形式件i2i〇包含相似於 ega符號（Q)的形狀。已發現。啦料形的彈簧形式件 1210可延長彈簧形式件1210的壽命。 第12B-12E圖為彈脊形式件121〇多種實施例的侧視 圖，，其可利用在第12A圖中所示的接觸構件12⑼上。彈 簧形式件1210之各者可包含如參照彈簧形式件7似所 述的相同材料。 第13A與13B圖為可壓縮接觸構件13〇〇之另一實施 例的截面圖。接觸構件13⑽包括彈簧形式件131〇,其 可包含如參照彈簧形式件鳩所述的相同材料及任何 在第12Α·12Ε®中所圖示之形狀。接觸構件ι包括一 彈簧形式件㈣且可由第7Α#7Β圖中所述之彈黃形 式件71GB的相同材料製成。接觸構件1300包括-结構， 除了滾輪組件1305及内管狀構件13〇8之外，該結構相 似於第9A與9B圖中圖示之接觸構件的結構。如第 圖所不’内管狀構件13 G8適於容納第二轴709。 袞輪兔件1305包括藉由各個抽1325連接至豎架132〇 ^或多個滾輪或軸承1315。各轴承i3i5適於至少部 、又置在形成g架於132G内的空腔⑴〇中。當彈署 :气件1310被壓縮或伸長時，至少軸承1315的一部分 奠:接觸管狀構件712的内表面。賢架i經配置為彈 形式件910C的制動器且包括下豎架η”，該下豐架 335適於作為彈簧形式件91〇C之相對側的制動器。 38 201033402 第 ®為第13A與13B圖中所示之接觸構件i3〇〇 的分解等角視圖。為了清楚起見，彈菁形式件ΐ3ι〇並未 圖不於此圖中。在此實施例中接觸墊”5由鋁製成且 藉由銘製的緊固件1345㈣至彈簧减振座134〇。在一 .f施例中’將第—轴嚮及登架1320 -體化成為—整人 料並由銘或陶究材料製成，承1315可由銘或陶究： 料製成。彈簧形式件91〇c可纟hastell〇y~料製成 φ 且容納於管狀構件712的内直徑中，該管狀構件712可 由陶瓷或鋁材料製成。内管狀構件1308容納於彈簧形式 件910C的内直徑與第二轴7〇9的外直徑之間。内管狀構 = 1308可由陶㈣料製成且適於減少粒子生成。例如， 若第二轴7〇9與内管狀構件13G8皆由陶£材料製成，由 於陶莞表面間的交互作用可減少粒子生成。再者與銘 化合物相較，陶瓷材料的使用可減少磨損而延長壽命並 減少粒子生成。 ® 第14A與14B圖為耦接至基材支撐件104之可壓縮接 觸構件1400之另一實施例的等角視圖。帛14C圓為第 14A與14B®中所示之接觸構件14〇〇的側視圖。接觸構 件1400包括一彈簧形式件141〇，該彈簧形式件14丨〇經 配置以提供接觸構件1400撓性’而不需使用如第7八與 13A圖中所示之壓縮彈簧。彈簧形式件ΐ4ι〇可包含參照 彈簧形式件710A所述的相同材料製成。 接觸構件1400包括支架1415，該支架1415適於懸掛 及/或固定至基材支撐件104的一側142〇及/或底部 39 201033402 :。接觸構件1400包括第二軸谓，該第二軸709至 / p刀备納於形成在支架Ui5中的開口 “以内。第二 及支架1415的配置防止彈簧形式件1410完全延 =伸長且亦可預載彈簧形式件刚。接觸構件剛 包括適於耗接至稷答其彡』 七式件1410的夾鉗件143〇A、 14地°接觸構件1彻也包括—或多個軸襯1435,該- 或多個軸襯143 5可竹A哲 為第—軸709的導件❶支架1315 及夾钳件143GA、143GB可為銘製成，同時第二軸7〇9 與轴襯1435可由陶莞材料製成。 第，D圖為第14A與14B圖所示之接觸構件1侧之 簧形式件1410於壓縮位置的側視截面圖。第㈣與 ⑽為第14A與14B圖中所示之接觸構件刚的等角視 圖，其圖示彈簧形式件141〇的安裝或移除。在一實施例 中’彈簧形式件1410經按壓且第二轴7〇9自支架i4i5 ❹ 、諸如螺栓或插銷的緊固件144〇，其可適於作為一 鎖緊螺母且為了將彈篑形式件⑷〇固持在第二轴709上 而插入第二軸的上部分中。 第14G圖為接觸構件14〇〇的侧視截面圖其如第“A 與14B圖所述在升高位置麵接至基材支樓件104。接觸 塾715圖不為接觸延伸構件458，該接觸構件458於傳 送口 412上方設置在側壁U7b的内表面上。當基材支撐 件降低時，接觸構件！彻隨著基材支樓件移動且傳送口 412的内部區净空以用於基材傳送。 第15圖為電漿製程系統15〇〇之另—實施例的示意截 201033402 β 除了耦接至腔室主體1〇2的内側壁1〇〇2的複數個 可壓縮構件1505之外，製程系統1500大體上相似於第 圖中所述之製程系統1〇〇及4〇〇。可壓縮接觸構件 可經配置而相似於上述多個可壓縮接觸構件415、 ·〇〇 1 3 00或1400 〇在此實施例中，可壓縮接觸 • 之各者包括接觸部分1556及彈性部分1554， 其大體上相似於上述實施例之彈性部分454及接觸部分 ❹ 456。可壓縮接觸構件15〇5輕接至設置於腔室主體⑽ 内部之延伸構件458。在使用遮蔽框架 460的多個實施 例中可將遮蔽框架460置於延伸構件458上。可在遮 蔽C架460的邊緣提供孔洞或槽以對可壓縮接觸構件 1 505的任何可移動部分留出間隙。 在此實施例中，當基材支撐件1〇4在升高位置時，接 觸部分1556適於接觸設置於基材支撐件1〇4上的支架 1552。在一態樣中，腔室主體1〇2的溫度可較基材支撐 鲁 件104的溫度低。因此，相較於可壓縮接觸構件在耦接 至基材支撐件104時將經受的溫度，可壓縮接觸構件 1505至腔室主體1〇2的耦接係使可壓縮接觸構件15〇5 暴露於低溫。可壓縮接觸構件15〇5的低溫可延長可壓縮 接觸構件.1505的壽命。 藉由在基材支撐件104的多種位置高度允許rf回流， 本文描述之RF裝置109a及1 〇9b的實施例對習知接地/ 回流提供一種優良的替代方案。一般而言，習知pECVD 基材支撐件僅由連接至腔室底板的接地條帶來接地。使 201033402 用條帶來接地的方法非常耗時’而對返回RF電流造成很 大的電阻’因此在腔室之侧壁與基材支撐件之間產生高 電位。高電位將在腔室之側壁與基材支撐件之間引發電 弧。再者，鄰近具有一傳送口之腔室側壁的接地條帶在 .基材傳送製程期間可能造成妨礙。傳送口 412(位於腔室 之一側壁中）的存在在RF回流路徑產生極大的不對 稱。如本文所述的RF裝置l〇9a與可壓縮接觸構件之實 施例使待接地至腔室的基座位於狹縫閥開口上方，其可 縮短接地路徑並適於促進腔室各侧之相似及對稱接地路 徑。本文描述之RF裝置109a、109b及可壓縮接觸構件 的多個實施例亦允許基材支撐件在高度上的調整同時維 持接地電位’而可允許基材支樓件於沈積、後-或預-沈 積、及清潔製程期間在間隔距離的較大範圍内被接地。 本文所述之可壓縮接觸構件的多個實施例允許待被接 地至腔室的基材支撐件位在狹縫閥開口上方。本文所述 參 之可壓縮接觸構件的多個實施例產生獨立的接地接觸單 元，其安裝至基材支撐件及/或腔室側壁上。在一實施 例中’當基材支撐件向上移動時，可壓縮接觸構件在狹 •缝閥開口上方銜接至腔室的固定接地表面上。可壓縮接 觸構件單元含有一相容部件，其允許基材支撐件在製程 間隔距離的一範圍内維持接地接觸。當降低基材支撐件 時’接地接觸單元自接地接觸墊鬆開。本文所述之可壓 縮接觸構件的多個實施例允許在狹缝閥開口上方的基座 (待接地至腔室主體）消除狭縫閥開口對RJ7回流路徑的影 42 201033402 響RF裝置109a的實施例允許RF裝置丨〇9b變得更短。 再者，由於各接地接觸單元獨立地安裝至基材支撐件並 具有一相容部件，此等接地接觸單元不須取決於表面是 否平坦即可達成良好的電接觸。 雖然前述是針對本發明實施例，但可在不背離本發明 之基本範圍及由以下申請專利範圍所決定之範圍的情況 下’發展出其他及進一步的實施例。

【圖式簡單說明】 為讓本發明之上述特徵更明顯易懂，可配合參考實施 例説明’其部分乃繪示如附圖式。須注意的是，雖然所 附圖式揭露本發明特定實施例，但其並非用以限定本發 明之精神與範圍’任何熟習此技藝者，當可作各種之更 動與潤飾而得等效實施例。 第1A圖為電漿製程系統之一實施例的示意截面圖。 ® 第1B圖為第1A圖中所示之電漿製程系統一另一實施 例的不意截面圖。 笫2A圖為RF裝置之一實施例的示意截面圖。 • 第2B圖示意性例示第2A圖所示之RF裝置的立視圖。 第3A圖為RF裝置之另一實施例的示意截面圖。 第3B圖為第3A圖中之RF裝置的示意截面圖。 第4圖為電漿製程系統之另一實施例的示意截面圖。 笫5圖為第4圖之製程系統的示意截面圖。 43 201033402 第6圖為沿著第5圖之腔室主體之線66切開的示意 截面俯視圖。 第7A圖為rf裝置之另—實施例的等角視圖。 第7B圖為第7A圖中之RF裝置的側視圖。 第8A圖為自腔室主體内部觀察複數個可壓縮接觸構 件之耦合組態之一實施例的等角截面圖。 第8B圖為第8A圖之部分腔室主體的俯視圖。

第9A圖為可壓縮接觸構件之另一實施例的等角視圖。 第9B圖為第8八圖中所示之可壓縮接觸構件的分解等 角示圓。 第9C及9D圖為支架452之一實施例的等角視圖。 第10A圖為可壓縮接觸構件之另—實施例的示意圖。 第10B圖為可壓縮接觸構件之另一實施例的示意圖。 一第11A及11B圖為腔室主體之部份的侧面截面圖，其 示出第10 A圖中的可壓縮接觸構件。 第以圖為可壓縮接觸構件之另一實施例的等角視 圖。 第12B-12E圖為彈簧形式侏> & #由 貫A式件之多種實施例的側視圖， 其可使用在第12 A圖中所示的接觸構件。 第ΠΑ與13B圖為可磨縮接觸構件之另―實施例㈣ 第13C圖為第13A與13B圖中所干夕杜细f w 等角視圖。 之接觸構件的分解 之另—實施例的等 第14A與14B圓為可壓縮接觸構件 44 201033402 角視圖》 第14C圖為第14A與14B圖中所示之接觸構件的側視 圖。 第14D圖為第14A與14B圖所示之接觸構件之彈簧形 . 式件於經部分壓縮之位置的側視戴面圖。 .第14E與14F為第14A與14B圖中所示之接觸構件的 等角視圖’其圖示一彈簧形式件的安裝。 % 第14G圖為第14A及14B圖中所述之接觸構件的側視 截面圖，該接觸構件在升高位置耦接至一基材支撐件。 第15圖為電漿製程系統之另一實施例的示意截面圖。 為助於理解，各圖中相同的元件符號盡可能代表相似 的元件。應理解某一實施例的元件及/或處理步驟當可併 入其他實施例，在此不另外詳述。 【主要元件符號說明】 D距離 1〇〇製程系統 101基材 102腔室主體 103噴頭組件 104基材支撐件 1〇5功率源 1〇6a第一輸出 10 6 b第二輸出 107遠端電漿源 108a製程氣體電漿 l〇8b清潔氣體電漿 109a第一 RF裝置 109b第二RF裝置 110a-110d舉升銷 111製程體積 45 201033402

11 4氣體分配板 116背板 117a底部 117b側壁 118排放系統 121匹配電路 122製程氣體源 123a第一引線 123b第二引線 125内表面 131氣體體積 134導管 135絕緣體 138致動器 200條帶 229、230連接組件 231、232夾鉗件 233、234安裝槽 235、236緊固件 237中央槽 238第一端 239第二端 240下侧 300條帶 3 2 9、3 3 0連接組件 335、336緊固件 400製程系統 405側壁區域 410閥門 412傳送口 415接觸構件 452支架 454彈性部分 456接觸部分 458延伸構件 460遮蔽框架 705基底 706 開口 7〇7第一軸 7〇9第二軸 71〇A、71GB彈簧形式 件 712管狀構件 713軸環 714安裝部分 715接觸墊 716頂部部分 717接觸墊蓋 46 201033402 750行進距離 770第一或核心材料 775第二或外層材料 780緊固件 9〇〇接觸構件 905A、905B 端 910A、910B、910C、 910D彈簧形式件 915基底 1000接觸構件 1002内侧壁 1004上部分 1005基底 1006下部分 1008隧道 1010A、1010B 彈簧形 式件 1018間隔器 1060接觸面 1200接觸構件 1210彈簧形式件

1215A、1215B、1215C 彎帶 1300接觸構件 1305 滚輪組件 1308 内管狀構件 1310 彈簧形式件 13 15 輛承 1320 豎架 1325 軸 1330 空腔 1335 下豎架 1340 彈簧減振座 1345 緊固件 1400 接觸構件 1410 彈簧形式件 1415 支架 1420 側 1425 底部 1430A、1430B 爽 * 1435 軸襯 1440 緊固件 1500 電漿製程腔室 1505 接觸構件 1552 支架 1554 彈性部分 1556 接觸部分 47

Claims (1)

1. 201033402 七、申請專利範圍：

   一彈簧， 啊射頻回流裝置，其包含： 該袖可動地設置於形成在該 彈簧，其耦接在該基底與該轴

   〇 製程溫度下係大體上相同； :轴之間，該彈簧包含 合金製成的一第一材 :約200°C或更高的一 其大體上圍繞該第一材料，該第二材 一第二材料， 料不同於該第一材料。 2. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中該第二材料具導 電性且該第一材料係以該第二材料來鍍層、包覆或包層。 3. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中該第一材料在該 製程溫度下保持約85%的機械性質。 4. 如申請專利範圍第2項之裝置，其中該第二材料包括 在周圍溫度下的一第一性質與在製程溫度下的一第二性 質’該第一性質與該第二性質大體上不相同。 5. 如申請專利範圍第2項之裝置，其中該鍍層、包覆或 包層包含一銘材料。 48 201033402 6.如申請專利範圍第5項之裝置，其中該鋁材料包 箔材料。 t 1項之裝置，其中該彈性性質為極 7.如申請專利範圍第 限拉伸強度。 騫 8.如巾請專利範圍第1項之裝置，其中該第-材料包含 一鎳-鉬-鉻合金。 9.如申請專利範圍第8項之裝置，其中該第二材料包含 一銘材料。 10. 如申請專利範圍第i項之裝置，其中該轴耦接至設 置於該基底中的一壓縮彈簧》 11. 一種電漿製程系統，其包含： 一腔室；及 至少一個電極，其設置於該腔室中，該至少一個電 極利於一電漿在該腔室内的生成且可在該腔室内相對一 第二電極移動’該至少-個電極被維持電氣難同時藉 由一或多個撓性接觸構件相對於該第二電極移動，至少 -個該-或多個撓性接觸構件包含由一金屬或金屬合金 製成的-材料’該由金屬或金屬合金製成的材料在達到 49 201033402 高於約200X：的溫度時係大體上維持彈性而不塑性變形。 12·如申請專利範圍第11項之系統，其中該材料係以一 導電材料來鍍層、包覆或包層。 13·如申請專利範圍第12項之系統，其中該鍍層、包覆 或包層包含銘。 14.如申請專利範圍第u項之系統，其中該至少—個撓 性接觸構件進一步包含： 一基底’其輕接至該至少一個電極；及 一軸，其可動地設置於該基底中，其中該至少一個 撓性接觸構件在一第一端耦接至該基底且在一第二端耦 接至該轴β 其中該基底包含一 件位在該轴與形成 15·如申請專利範圍第14項之系統， 或多個軸承元件，該一或多個軸承元 於在該基底中的一開口之間。 16.如中請專利範圍第14項之系統，其中該_接至 置於該基底中的一壓縮彈簧。 統，其中該至少一個撓 17·如申請專利範圍第11項之系 性接觸構件進—步包含： 201033402 —彈簧，其包含由一金屬或金屬合金製成的一第一 ㈣，該第-材料具有在周圍溫度下與在約滅或更 咼製程溫度下大體上相同的一機械性質。 18.如申請專利範圍第17項之系統，其中該第一材料係 以—第二材料來鍵層、包覆或包層，該第二材料不同於 該第一材料。

   19·如申請專利範圍第18項之系統，其中該第二材料包 括在周圍溫度下的-第—性f與在該製程溫度下的一第 一性質’該第一性質與該第二性質大體上不相同。 %如申請專利範圍第^項之系統，其中該腔室包括至 〉、四個側壁’且該等側壁中的至少—個包括一傳送口， 以及其中該至少一個撓性接觸構件進一步包含： 一第一複數可壓縮接觸構件；及 一第二複數撓性條帶。 20項之系統， 在該第一電極 其中該等第一複數 面對該傳送口的一 21.如申請專利範圍第 可屋縮接觸構件係設置 側上。 22.—種方法， 在設置於一 其包含以下步称： 腔室内的該可動電極與一 固定電極之間 51 201033402 旌*加射頻功率； 提供__ 八〜第一射頻回流路徑至該腔室的一底部； 相對該固定電極，位移該可動電極；及 經由一或多個可壓縮構件，提 至該腔吉& 扠供第一射頻回流路徑 茨腔至的一侧壁。 一射 可動 23.如申請專利_ 22項之方法，其中提供該】

   :回流路徑及該第二射頻回流路徑的步驟係基於4 電極相對該固定電極的—位置。 24.如申請專利範圍第 壓縮接觸構件係耗接至 起移動。 22項之方法，其中該-或多個可 該可動電極並可與該可動電極一 25.如申請專利範圍第 參 之至少一部分的位移期 22項之方法，其 間’保持該第二 中在該可動電極 射頻回流路徑。 52