TW201025647A - Photovoltaic module - Google Patents

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TW201025647A
TW201025647A TW98133533A TW98133533A TW201025647A TW 201025647 A TW201025647 A TW 201025647A TW 98133533 A TW98133533 A TW 98133533A TW 98133533 A TW98133533 A TW 98133533A TW 201025647 A TW201025647 A TW 201025647A
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TW
Taiwan
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light
reflecting surface
solar cell
incident
layer
Prior art date
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TW98133533A
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English (en)
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Hideaki Honma
Akihito Kagotani
Kohei Moronaga
Luis Manuel Murillo-Mora
Original Assignee
Toppan Printing Co Ltd
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Description

201025647 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種在一方之面具有反射光的反射面,藉 由向特定方向反射光而可再利用光的光再利用片及使用其 的太陽電池模組。 【先前技術】 近幾年,太陽電池模組的普及顯示了很大的擴展,由裝 ^ 載於電子計算機等小型電子機器上的較小者到安裝於住宅 作爲家庭用的太陽電池模組、或用於大規模發電設施的大 面積的太陽電池發電系統,甚至人造衛星的電源,在各式 各樣的領域促進了利用(例如參閱專利文獻1)。 此種太陽電池主要是發電量與照射光的面積成比例而增 加。因此,要使發電效率提高,除了改善密封技術、製膜 技術等製造技術之外,如何擴大太陽電池模組的開口率(可 發電的面積相對於全面積的比例)成爲重要的課題。 φ 此外,特別是在單晶矽或多晶矽方面,有其矽的成本較 高的問題。此外,也要加上用於貼上矽的成本。 於是,就使用爲太陽電池單元(cell)構成構件的矽的量較 少,可利用CVD等技術成膜的薄膜矽的太陽電池單元起來。 然而,上述太陽電池特別是紅外光容易透過薄膜矽的太 陽電池單元,所以光的吸收率較低。於是,爲了提高光的 利用效率,敢於使入射光散射,爭取透過薄膜矽的太陽電 池單元的距離,藉此使光的利用效率提高。 201025647 一般在非晶質矽太陽電池中有兩種構造。一是在玻璃等 透光性基板上形成Sn〇2或ΓΤΟ等透明導電膜,並在其上依 序層積非晶質半導體(Si)的p層、i層、η層而成的構造。 另一是在金屬基板電極上依序層積非晶質半導體(Si)的η 層、i層、ρ層而形成光電轉換活性層,並在其上層積透明 導電膜而成的構造。 特別是在前者之構造者方面,因依ρ層、i層、η層的順 序形成非晶質半導體,故透光性絕緣基板可兼作太陽電池 Φ 表面玻璃蓋片,並且開發了 SnCh等耐電漿性透明導電膜, 可在其上以電漿CVD法形成非晶質半導體光電轉換活性層 等,故現在多被使用。 再者,要形成非晶質半導體光電轉換活性層,可使用經 由原料氣體的輝光(glow)放電分解的電漿CVD法、或光CVD 法的氣相沉積法。利用此等方法,也有可形成大面積的薄 膜的優點。 Q 非晶質Si太陽電池可以1 〇〇°c〜200°c程度的比較低溫形 成’所以作爲用於形成該非晶質Si太陽電池的基板,可使 用各種材質的基板。然而,通常經常被使用的爲玻璃基板 或不銹鋼基板。 此外’非晶質Si太陽電池的將光變換爲電的變換效率爲 最大時的矽的光吸收層的膜厚爲500nm程度。因此,要使 其變換效率提高,在光吸收層的膜厚內使光的吸收量增大 成爲重要的要點。因此,先前一直在進行藉由在玻璃基板 201025647 上的表面形成有凹凸的透明導電膜、或在不銹鋼基板上的 表面形成有凹凸的金饜膜,以使光吸收層中的光的光路長 增加》 以此種方法使光吸收層中的光路長增加的太陽電池的情 況,與在其表面上沒有凹凸的平坦的基板上形成非晶質Si 太陽電池的情況相比,光的利用效率顯著提高。. 且說作爲在玻璃基板的表面上形成凹凸的一般方法,可 列舉利用常壓CVD法形成爲透明電極的Sn〇2膜的方法。此 外,作爲在不銹鋼等金屬基板上形成凹凸的方法,使用有 以下方法:利用蒸鍍法或濺鍍(sputtering)法形成Ag之際, 調整其形成條件、或在Ag形成後進行熱處理。 此薄膜太陽電池是在透光性絕緣基板上依序形成透明導 電膜、加氫非晶碳化矽(a - SiC : H)p層、加氫非晶矽(a -Si : H)i層、加氫非晶矽(a— Si : H)n層、透明導電膜、及 背面電極而構成。而且,如前所述,在透明導電膜的表面 φ 形成凹凸形狀,藉此形成於其上部的各層具有凹凸構造。 此外,形成薄膜太陽電池等半導體元件於撓性基板或輕 量基板上的情況,一直在使用耐熱性較高的聚醯亞胺樹 脂。形成凹凸於此種樹脂上的方法揭示於專利文獻2等。 此外,專利文獻3中公開有利用V槽的周期構造使光回 歸反射,提高光的利用效率的專利,有V槽的頂角最好是 50度到90度的記述。此外,作爲V槽的周期的間距,有 最好是1 0 # m到2 0 /z m的記述。 201025647 第35圖係顯示使用先前背面材料23的太陽電池模組200 的剖面圖。縮小太陽電池單元30的配置間隔,就會產生洩 漏電流,所以需要相鄰太陽電池單元30之間的區域R。如 第35圖所示,得知射入太陽電池模組200的入射光H0之 中,藉由配置背面材料23於太陽電池模組200的背面,反 射射入區域R的入射光Η1,再利用作爲反射光H2(專利文 獻4)。然而,尙未獲得充分的發電效率。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]特開2001 - 295437號公報 [專利文獻2]特開平4— 61285號公報 [專利文獻3]特開平1 1 — 274533號公報 [專利文獻4]特開平11- 307 791號公報 【發明內容】 [發明欲解決之課題] 如上所述,提高先前太陽電池模組的每單位面積的發電 效率此種要求雖多,但還不能說足夠。 本發明係有鑑於此種課題所完成者,其目的在於提供一 種具有最適合提高光的利用效率的凹凸構造的光再利用 片,及使用其的太陽電池模組。 [解決課題之手段] 爲了解決上述課題,本發明提供一種如下的太陽電池模 組用光再利用片及太陽電池模組。 201025647 即,本發明之太陽電池模組用光再利用片包含具有反射 光的反射面之反射層。 前述反射面的高斯曲率可爲〇。 前述反射面中,高斯曲率爲〇的前述反射面的面積所佔 的比例可爲前述反射面全體的面積的90%以上。 前述反射面可具有凹凸形狀,前述凹凸形狀可具有周期 性。 前述凹凸形狀的周期的間距可爲25 /z m以上、300 /z m以 ❹ 下。 前述凹凸形狀的周期的間距可爲50 // m以上、200以m以 下。 本發明之太陽電池模組包含:透明前面板,其係射入光 的透明前面板;塡充層,其係透過已透過前述前面板之光 的塡充層;太陽電池單元(cell),其係包含受光面,以前述 塡充層固定,自前述受光面接受從前述塡充層透過之光而 轉換成電;及光再利用片,其係位於前述太陽電池單元的 φ 前述受光面的背面側,含有具有反射不受光的光到前述受 光面的反射面的反射層。 前述反射面的高斯曲率可爲0。 前述反射面中,高斯曲率爲0的前述反射面的面積所佔 的比例可爲前述反射面全體的面積的90%以上。 前述反射面的前述前面板側的材質的折射率η、及前述 前面板的法線與前述反射面的法線形成的角0 (deg)可滿足 第一式 0 2arcsin(l/n)/2 201025647 並且前述反射面的頂角a (deg)可滿足第二式 a 2 (arcsin(l/n)+ 180)/2。 前述反射面的前述前面板側的材質的折射率η、及前述 前面板的法線與前述反射面的法線形成的角0 (deg)滿足第 一式 0 2arcsin(l/n)/2 並且前述反射面的頂角a (deg)滿足第二式 a 2 (a r c s i η (1 / η) + 1 8 0) / 2 的前述反射面的面稹所佔的比例可爲前述反射面全體的面 積的50%以上。 前述反射面可具有凹凸形狀,前述凹凸形狀可具有周期 性。 前述凹凸形狀的周期的間距可爲25 μ m以上、300 e m以 下。 前述凹凸形狀的周期的間距可爲50 以上、200 /zm以 下。 [發明之效果] 藉由本發明之方法,可提供一種藉由再利用入射的光而 提高光的利用效率,並且發電效率良好的太陽電池模組。 【實施方式】 首先,就關於本發明之太陽電池模組200進行說明。 第1圖所示的係顯示關於本發明之太陽電池模組200的 一形態之剖面圖。關於本發明之太陽電池模組200具有前 面板22、塡充層21及光再利用片20。 前面板22係透過來自太陽光或照明光等光源L的光,保 .201025647 護太陽電池單元(cell)30以避免衝擊、污垢、水分的滲入 等,由透過率較高的透明材料構成。 入射光H0係出自光源L而從太陽光、照明光之側F垂直 射入入射面110的光,射入前面板22後,透過前面板22, 射出到塡充層2 1。 再者,入射面110的法線NG係與平面P的法線N平行 的方向。此處,前面板22在於平面P上時,前面板22爲 最穩定的狀態。垂直射入入射面110的入射光H0與法線 NG平行地射入太陽電池模組200。 前面板22的材質爲強化玻璃、藍寶石玻璃等玻璃、或者 PC (聚碳酸酯)、PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)等樹脂片。前面 板22的厚度若爲強化玻璃,則使用約3〜6mm者,若爲樹 脂片,則使用100 // m〜3000 μ m者。 射出前面板22的光射入塡充層21。塡充層21係密封太 陽電池單元30。射入前面板22的入射光H0透過塡充層 21,成爲到太陽電池單元30的入射光H10,一部分成爲射 出到光再利用片20的入射光H1。爲了使射入塡充層21的 入射光H0透過,塡充層21使用光線透過率較高的材料, 難燃性的EVA(乙烯-醋酸乙烯樹脂)被廣泛使用。 再者,太陽電池單元30具有利用光電效應而將射入受光 面J的光轉換爲電的功能,存在單晶矽型、多晶矽型、薄 膜矽型、CISG(Cu. In· Ga. Se的化合物)系薄膜型等許多 種類。太陽電池單元30係以電極連接複數個’形成模組而 201025647 被使用。從塡充層21到太陽電池單元30的入射光H10爲 太陽電池單元30所轉換爲電。 通常,對於入射面110斜射入的光與垂直入射的光H0比 較,以入射面110反射的比例較多,,射入太陽電池單元30 的光較少,可利用於發電的光較少。 因此,入射光H0垂直射入入射面110時,效率最高。 光再利用片20具有以反射面100反射透過太陽電池單元 30本身的光、或(射入太陽電池單元30之間的入射光H1的 功能。被反射的反射光H2爲前面板22與大氣之間等的界 面所再度反射,成爲射入太陽電池單元30的受光面J的入 射光H3,被光電轉換。藉此,與無光再利用片20的結構 比較,光利用效率有提高的效果。 反射光H2前進的方向可利用本發明之反射面1〇〇的凹凸 構造控制,可使許多的光射入受光面J。關於反射面100 的凹凸構造,使用其法線N0及高斯曲率Kg進行說明。 ❹ 再者,反射面100的法線N0係在反射面1〇〇上的任意一 點,與該點的切面垂直的直線。片法線NB係與將光再利 用片20在穩定的狀態下放置於平面P上時的平面P的法線 N平行的方向。表示反射面100的方向的角度0係反射面 100的法線N0與片法線NB形成的角。 通常,片法線NB以對於入射面1〇〇的法線N0平行的方 式配置,所以入射光H1對於片法線NB平行地射入。 其次,所謂高斯曲率Kg,係表示曲面的曲率,一般如下 -10- .201025647 表示。即,通過曲面上的某定點的剖面之曲線的曲率κ之 中,若以最小者爲Κ1,以最大者爲Κ2,則曲面的高斯曲 率Kg係由以下所示的數式1,即曲線的曲率κ的最大値 K2與最小値K1之積所定義:
Kg= KlxK2 …(式 1) 其次,思考反射面100的高斯曲率Kg爲正的情況、負的 情況、〇的情況。 已知三次元中的二次曲面具有正的高斯曲率Kg時,爲球 ϋ 面狀,具有負的曲率時’爲馬蹄狀。已知高斯曲率Kg爲0 的情況時,爲形成例如筒狀或圓錐狀的一部分之面。 第2圖係顯示高斯曲率Kg爲正的情況的本發明之光再利 用片的反射面一例之斜視圖。如第2圖所示,與片法線NB 平行的入射光H1!射入高斯曲率Kg爲正的反射面100,反 射光H2就以反射面100放射狀地散射。第8A圖中顯示此 時的反射光H2的配光分布1。 φ 第3圖係顯示高斯曲率Kg爲負的情況的本發明之光再利 用片的反射面一例之斜視圖。如第3圖所示,即使在高斯 曲率Kg爲負的情況,與片法線NB平行的入射光H1亦同 樣地、射入反射面1 〇〇 ’反射光H2放射狀地散射。此時的反 射光H2的配光分布1亦同樣地如第8A圖所示。 另一方面’關於高斯曲率Kg爲0的情況,就兩個情況進 行說明。第4圖及第5圖係顯示高斯曲率Kg爲0的情況的 本發明之光再利用片的反射面一例之斜視圖。一個是反射 -11- 201025647 面100爲截斷圓錐一部分的形狀的情況,係如第4圖所示 的情況。 此時,與片法線NB平行的入射光H1以反射面100反射 的反射光H2的配光分布1不是放射狀’而是成爲如第8B 圖的曲線狀。
另一方面,如第5圖所示,反射面1〇〇的法線N0爲截斷 圓柱一部分的形狀的情況,與片法線NB平行的入射光H1 _ 以反射面100反射的反射光H2的配光分布1成爲如第8C e 圖所示。 第6圖係顯示本發明之光再利用片的反射面一例之斜視 圖。如第6圖所示,反射面100由複數反射面101、102構 成時,當然在各反射面101、102內,其平面內的高斯曲率 Kg爲0。此時,與片法線NB平行的入射光H1以反射面100 反射的反射光H2的配光分布1成爲如第8D圖所示。 第7圖係顯示本發明之光再利用片的反射面一例之斜視 φ 圖。第7圖顯示反射面1〇〇由複數反射面1〇1、1〇2構成, 各反射面101、102具有稜線120的情況。如第7圖所示的 情況也是,高斯曲率Kg在反射面101、102內爲0。第8E 圖中顯示此時與片法線NB平行的入射光H1以反射面 101、102反射的反射光H2的配光分布1。 即’如第4圖〜第7圖所示’反射面1〇〇的高斯曲率Kg 爲〇時’反射光H2不發散、聚光,而成爲如第8B圖〜第 8E圖所示的曲線或直線狀的配光分布1。 -12- 201025647 且說在相鄰太陽電池單元30之間的區域R,不進行光電 轉換,但照射到此區域R的入射光Η 1會(射入光再利用片 20,所以將反射光Η2轉向太陽電池單元30側的受光面J 側,藉此可有效地利用上述的入射光Η1。此時,如第4圖 〜第7圖所示的情況,若反射面1Q0的高斯曲率Kg爲0, 則反射光H2不發散、聚光,而向特定方向被反射,所以可 向太陽電池單元30的方向有效地射出反射光H2。 I 再者,爲了由該反射面100反射的反射光H2向太陽電池 單元30的方向去,最好反射面100的法線N1及N2在於太 陽電池單元30的方向。第9圖及第10圖係顯示此種太陽 電池模組一例之圖。藉此,可進一步有效地再利用反射光 H2。 再者,反射面100的高斯曲率Kg爲0之面的比率在反射 面100之中,最好爲90%以上、100%以下。高斯曲率Kg 爲0的比率少於90%時,無法使反射光H2充分有效地向 φ 太陽電池單元30的方向射出。 此外,若增大上述入射光Η1與反射光H2形成的角度, 則可使反射光Η2也射入;分離的太陽電池單元30的受光面 J,故即使是射入離開太陽電池單元30之處的入射光Η1, 亦可利用,射入受光面J的反射光Η2增加,結果,可提高 光的利用效率。 爲此,增大反射面100的角度Θ1即可,若反射光Η2的 角度爲45度以上,則可獲得充分的效果。即,反射面1〇〇 -13- 201025647 的角度01最好爲45/2度= 22.5度以上。反射面100 度0 1小於22.5度時,無法使垂直射入太陽電池模組 的相鄰太陽電池單元30之間的區域R的入射光H1向 電池單元30的方向充分反射,所以不能充分獲得射入 面J的反射光H2。然而,若角度01大於30度,則反 H2會多重反射。第12圖係顯示產生多重反射時的反 100 —例之圖。若反射面100的角度0 1爲30度以下 不產生多重反射,所以作爲反射面100的角度0 1,最 此外,反射面100之中,反射面100的角度0 1爲 度以上、30度以下的面積比例,最好爲反射面100的 0 1小於22.5度、大於30度之面的面積比例以上。若 面100之中,反射面100的角度0 1爲22.5度以上、 以下之面的比例小於其以外之角度的面積比例,則無 足夠的反射光H2、射入受光面J。 φ 再者,反射面100也有微觀的凹凸,但到光的波長 倍程度爲止被稱爲米氏散射(Mi e scattering)的區域, 散射區域。可見光區域爲460nm到780nm,所以若進 Am以下粗度之面成爲光滑之類的平滑處理,則可芽 線N0。此法線N0的測量,最好使用雷射顯微鏡進行 外.,也可使用光學顯微鏡或電子顯微鏡測量剖面。坩 此時爲片面105的法線之片法線NB可看作與放有光拜 片20的試樣台垂直之線。 的角 200 太陽 受光 射光 射面 ,則 好爲 22.5 角度 反射 30度 法使 的10 成爲 ^ 7.8 出法 。此 外, 利用 -14- 201025647 測量光反射面100的高斯曲率Kg的情況,與測量法線 NO的情況同樣,於7.8/zm以下粗度之面成爲光滑之類的 平滑處理後,測量曲率K,藉此可利用上述式1求出高斯 曲率Kg。再者,曲率K的最小値K1及曲率K的最大値K2, 可使用由反射面100的形狀推斷曲率K的方向所算出的曲 率K的最小値K1及曲率K的最大値K2。此處,曲率K爲 測量誤差以下時,高斯曲率Kg視爲0。可是,曲率K爲〇 ▲ 時無曲率K,曲率K爲0以外時有曲率K亦可。 此外,不依據上述,高斯曲率Kg是否爲〇的判別,藉由 以切片刀(microtome)等取出試樣的剖面後,判別%無曲率 κ亦可。 再者’在反射面100上,可在複數點取得法線N0及高斯 曲率Kg,但在實際的測量上以0.01mm程度的間距測量, 作爲本發明的範圍內或範圍外的基準則是現實的。在其以 上細小的點測量法線N0或高斯曲率Kg,作爲用於査驗以 〇 反射面1〇〇反射的反射光H2的舉動的測量,也不適當。此 外’若以粗略的間距測量,則無法充分地測量反射面100 的凹凸構造。 如此一來,在10點到100點測量反射面1 00,由高斯曲 率Kg爲0之面的個數比率,可在反射面100作爲高斯曲率 Kg爲0之面積的比率。例如若高斯曲率Kg爲0之點爲100 點中的92點,則反射面100之中,可說92%高斯曲率Kg 爲0。 -15- 201025647 其次,就反射面100的凹凸形狀,使用其法線NO進行說 明。 再者,反射面100的法線N0爲在反射面1〇〇上的任意一 點’與該點的切面垂直的直線。是與將光再利用片20在穩 定的狀態下放在平面P上時的平面P的法線N平行的方 向。此外,反射面100的角度0爲反射面1〇〇的法線N0與 片法線NB形成的角。 通常,片法線NB以對於入射面11〇的法線NG平行的方 ❹ 式配置,所以入射光H1對於片法線NB平行地射入。 反射光H2的反射率隨著對其入射面11〇的入射角度而大 幅變化。第11圖中顯示反射率隨著入射角度而變化的圖 形。如由此第11圖得知,可知反射率以臨界角0c爲界線 而大幅變化。此臨界角0 c(deg)若以前面板22的折射率爲 ng,則爲: 0c=arsin(l/ng) ··.(式 2) φ 在此臨界角0c以上的角度,射人入射面110的反射光H2 以入射面11 0全反射。 此外,若以塡充層21的折射率爲ne、反射光H2對於法 線NG的角度爲ql (deg),則由斯奈爾定律(Snell law)爲: n g . s i η ( 0 c) = n e · s i n (q 1)…(式 3) 由(式2)及(式3)爲: q 1 = arcsiη(1 / ne)…(式 4) 再者,塡充層21由複數層構成時,若以反射面100上的材 -16- 201025647 料的折射率爲n0,則同樣地爲: ql = arcsin(l/ nO)…(式 5) 此ql(deg)在反射面1〇〇的角度爲0(deg)時爲: q 1 = 2 · Θ …(式 6) 由上述’反射面100的角度0 (deg)滿足下式時,反射光H2 全反射: 2 · 0 = ql2 arcsin(l/nO)…(式 7) 然而,通常凹凸形狀不是由單一的平面構成,而是如第12 ❹ 圖的反射面101、反射面102,由一對反射面100構成,若 角度0變大,則反射光會多重反射。於多重反射之際,反 射光H22的角度q2不是以上述之式的角度,而是以如下所 示的角度射出。 首先,若以射入反射面101的入射光H11射入之面爲反 射面101,以其角度爲0 l(deg),以由反射面反射的光再反 射之面爲反射面102,以其角度爲0 2(deg),則射入反射面 ❹ 102的光的角度ql2(deg)爲: ql2 = 90— (2 . 0 1 + 0 2- 90)...(式 8) ql2爲90°以上時,不產生多重反射。 再者,由反射面102反射的反射光H22的角度q2(deg) 爲. q2= 90- (2 · 01+02-90+02) =180 - 2 . ( 0 1 + 0 2)…(式 9) 反射面101與反射面102形成的頂角a (deg)爲: -17- 201025647 α = 180- ( 0 1 + 0 2)...(式 l〇) 所以使用頂角α (deg)爲: q 2 = 18 0 一 2(180- a )=2 · α — 180 …(式 11) 再考,與上述之式7同樣,以入射面110全反射的條件 爲: a2(arcsin(l/n0)+180)/2 ...(式 12) 上述是對於入射光H11射入反射面1〇1的情況的說明, 但對於入射光Η 1 2、射入反射面1 02的情況,式1 2也同樣地 成立。 進一步使用第13圖詳細說明本發明之光再利用片。第13 圖係顯示光再利用片的反射面之角度範圍的圖形,以反射 面101的角度01爲橫軸,反射面102的角度02爲縱軸。 由反射面101的角度0卜反射面102的角度02之關係, 分成圖形上的12個角度範圍301、3 02、303、304、311、 312、321、322、331、332、333、390 而進行說明。 〇 第14圖係顯示反射面101的角度01、反射面102的角 度02爲區域333的角度範圍時的光再利用片的反射面一 例之剖面圖。由塡充層21射入反射面101的入射光Η11以 反射面101反射,射入入射面110,不全反射而射出。另一 方面,由塡充層2 1 .射入反射面1 02的入射光Η 1 2以反射面 1 02反射,射入入射面11〇,不全反射而射出。 若是上述角度範圍,則以反射面101、102反射的反射光 Η21、Η22不以入射面11〇全反射,所以無法有效地使反射 -18- 201025647 光H21、H22射入太陽電池單元30,爲不理想的角度範圍。 第15圖係顯示反射面1〇1的角度0 1、反射面1〇2的角 度02爲W域390的角度範圍時的光再利用片的反射面一 例之剖面圖。由塡充層21射入反射面ιοί的入射光H11以 反射面101反射’射出到反射面1〇2。其後,以反射面1〇2 反射’丨射入入射面110,不全反射而射出。另一方面,由塡 充層21射入反射面102的入射光H12以反射面102反射, 射出到反射面ιοί。其後,以反射面ιοί反射,射出到入射 面1 1 0,不以入射面1 1 0全反射而射出。 若是上述角度範圍,則以反射面101、102反射的反射光 H21、H22不以入射面110全反射,所以無法有效地使反射 光H21、H22射入太陽電池單元30,爲不理想的角度範圍。 第16圖係顯示反射面101的角度01、反射面102的角 度02爲區域311的角度範圍時的光再利用片的反射面一 例之剖面圖。由塡充層2 1射入反射面1 0 1的入射光Η 1 1以 φ 反射面101反射,;射入反射面102。其後,以反射面102 反射,(射入入射面1 1 0,不全反射而射出。另一方面,由塡 充層21射入反射面102的入射光Η12以反射面102反射, 射入入射面1 1 0,不全反射而射出。 若是上述角度範圍,則以反射面101、102反射的反射光 Η21、Η22不以入射面110全反射,所以無法有效地使反射 光Η21、Η2 2射入太陽電池單元30,爲不理想的角度範圍。 第17圖係顯示反射面101的角度01、反射面102的角 -19- 201025647 度02爲區域312的角度範圍時的光再利用片的反射面一 例之剖面圖。由塡充層2 Γ射入反射面10 1的入射光Η 11以 反射面102反射,._ίί入入射面110,不全反射而射出。另一 方面,由塡充層21射入反射面102的入射光Η12以反射面 102反射,、射入反射面1〇1。其後,以反射面101反射,射 入入射面110,不全反射而射出。 若是上述角度範圍,則以反射面101、102反射的反射光 Η21、Η22不以入射面110全反射,所以無法有效地使反射 光Η21、Η22,射入太陽電池單元30,爲不理想的角度範圍。 第18圖係顯示反射面101的角度01、反射面102的角 度02爲區域321的角度範圍時的光再利用片的反射面一 例之剖面圖。由塡充層21射入反射面101的入射光Η11以 反射面101反射,射入反射面102。其後,以反射面102 反射,射入入射面110,進行全反射。另一方面,由塡充層 21射入反射面102的入射光Η12以反射面102反射,射入 〇 入射面110,不全反射而射出。 若是上述角度範圍,則反射面102的反射光Η22不以入 射面1 1 0全反射,但反射面1 0 1的反射光Η2 1以入射面11 0 全反射,所以可有效地使反射光Η2 1射入太陽電池單元 30,爲理想的角度範圍。 第19圖係顯示反射面101的角度01、反射面102的角 度02爲區域331的角度範圍時的光再利用片的反射面一 例之剖面圖。由塡充層21射入反射面101的入射光Η11以 -20- 201025647 反射面101反射’射入入射面110,進行全反射。另一方面, 由塡充層2 1、射人反射面1 〇2的入射光Η 1 2 .射入入射面 1 1 0,不全反射而射出。 若是上述角度範圍,則反射面102的反射光Η22不以入 射面110全反射’但反射面101的反射光Η21以入射面110 全反射,所以可有效地使反射光Η21射入太陽電池單元 30,爲理想的角度範圍。 第20圖係顯示反射面1〇1的角度01、反射面1〇2的角 度02爲區域322的角度範圍時的光再利用片的反射面一 例之剖面圖。由塡充層2 1射入反射面1 0 1的入射光Η 1 1以 反射面102反射,射入入射面11〇,不全反射而射出。另一 方面,由塡充層21射入反射面102的入射光Η12以反射面 102反射,射入反射面1〇1。其後,以反射面101反射,射 入入射面110,進行全反射》 若是上述角度範圍,則反射面101的反射光Η21不以入 ❹ 射面1 10全反射,但反射面102的反射光Η22以入射面110 全反射,所以可有效地使反射光Η22射入太陽電池單元 30,爲理想的角度範圍》 第21圖係顯示反射面101的角度0 1、反射面102的角 度02爲區域332的角度範圍時的光再利用片的反射面一 例之剖面圖。由塡充層21射入反射面1〇1的入射光Η11以 反射面102反射,射入入射面110,不全反射而射出。另一 方面,由塡充層21射入反射面102的入射光Η12以反射面 -21- 201025647 102反射,射入入射面11〇,進行全反射。 若是上述角度範圍,則反射面101的反射光 射面110全反射,但反射面102的反射光H22以 全反射,所以可有效地使反射光Η 2 2射入太 30,爲理想的角度範圍。 第22圖係顯示反射面1〇1的角度01、反射 度02爲區域304的角度範圍時的光再利用片 例之剖面圖。由塡充層21射入反射面101的入 ❿ 反射面101反射,射入反射面102。其後,以 反射,射入入射面110,進行全反射。另一方面 21射入反射面1〇2的入射光Η12以反射面102 反射面101。其後,以反射面102反射,射入7 進行全反射。 若是上述角度範圍,則以反射面101、102反 Η21、Η22以入射面110全反射,所以可有效 φ Η21、Η22射入太陽電池單元30,爲更理想的声 第23圖係顯示反射面101的角度θ 1、反射 度02爲區域301的角度範圍時的光再利用片 例之剖面圖。由塡充層2 1射入反射面1 0 1的入 反射面101反射,射入反射面102。其後,以 反射,射入入射面110,進行全反射。另一方面 21射入反射面102的入射光Η12以反射面102 入射面110,進行全反射。 Η21不以入 入射面1 1 0 陽電池單元 面102的角 的反射面一 射光Η 11以 反射面102 ,由塡充層 反射,射入 、射面1 1 0, 射的反射光 地使反射光 I度範圍。 面102的角 的反射面一 射光Η 1 1以 反射面102 ,由塡充層 反射,射入 -22- 201025647 若是上述角度範圍,則以反射面101、102反 H21、H22以入射面110全反射,所以可有效 H21、H2 2射入太陽電池單元30,爲更理想的角 第24圖係顯示反射面1〇1的角度01、反射_ 度02爲區域302的角度範圍時的光再利用片 例之剖面圖。由塡充層21射入反射面101的入j 反射面101反射,射入入射面110,進行全反射》 Α 由塡充層21射入反射面102的入射光Η12以反 〇 射,射入反射面101。其後,以反射面101反射 面110,進行全反射》 若是上述角度範圍,則以反射面101、102反 Η21、Η22以入射面全反射,所以可有效地使反 Η2 2射入太陽電池單元30,爲更理想的角度範I 第25圖係顯示反射面101的角度0 1、反射 度02爲區域303的角度範圍時的光再利用片 © 例之剖面圖。由塡充層21射入反射面101的入 反射面1 0 1反射,射入入射面11 0,進行全反射· 由塡充層21射入反射面102的入射光Η12以反 射,射入入射面11 0,進行全反射。 若是上述角度範圍,則以反射面101、102反 Η21、Η22以入射面 110全反射,所以可有效 Η21、Η2 2射入太陽電池單元30,爲更理想的角 第26圖及第27圖係顯示本發明之光再利用 射的反射光 地使反射光 1度範圍。 面102的角 的反射面一 时光Η 1 1以 另一方面, 射面102反 ,射入入射 射的反射光 射光Η21、 菌。 面102的角 的反射面一 射光Η 1 1以 •另一方面, 射面102反 射的反射光 地使反射光 3度範圍。 片的反射面 -23- 201025647 —例之斜視圖。作爲上述反射面101、102之例,有以第26 圖及第27圖之斜視圖所示者,但並不特別限於此。 此外,反射面100之中,滿足上述理想角度的反射面1〇〇 的面積的全體所佔的比例,最好爲50%以上。若反射面100 之中,滿足上述理想角度的反射面100的面積的全體所佔 的比例小於50%,則無法使足夠的光射入受光面J。 第28圖係顯示本發明之光再利用片20 —例之剖面圖。 光再利用片20包含基材2、構造層3、反射層4,反射層4 〇 的表面爲反射面100。作爲形成反射面100的模具,可使用 由機械切削所製作者。此時,作爲傾斜之面,最好使用直 線狀者。此外,由於容易使透鏡受傷,所以前端最好帶有 圓形。 作爲在構造層3上形成凹凸構造的方法,可列舉以下方 法:在平面模子(stamper)或輥式模子的凹凸形成面塗布或 注入熱硬化型樹脂、紫外線硬化型樹脂或電子束硬化型樹 φ 脂等,配置基材2於其上,硬化處理後,從模子上脫模。 第29圖係顯示不用基材2而只由構造層3構成的光再利 用片20 —例之剖面圖。作爲如第29圖的不用基材2而只 由構造層3構成的光再利用片20的製作方法,可列舉藉由 使用模具的壓塑(press)法·鑄造(casting)法·射出成型法 等,將構造層3與基材2 —體成型的方法。如此一來,與 片形成同時形成凹凸構造。 此外,反射面100的凹凸形狀的構造可具有周期構造。 -24- 201025647 上述反射面100的凹凸形狀的構造可以是稜鏡狀的形狀或 如柱面透鏡(cylindrical lens)的各種透鏡稜鏡形狀、或者 不定形。此時’作爲反射面100的凹凸形狀構造的周期的 間距,最好爲300 Aim以下,更好爲200 /zm以下。上述構 造的周期的間距大於3 00 時,樹脂不能充分進入使反射 面100成型時的凹凸形狀的前端部分的模具,故成型性差。 若上述_造的周期的間距爲200 ;/ m以下,則黏度較高的樹 脂亦可成型。此外,上述構造的周期的間距過小,則模具 的製作困難,故最好爲25/zm以上,更好爲50/zm以上。 若上述構造的周期的間距小於2 5 /z m,則切削模具的時間 變長,生產節拍(tact)降低,生產效率差。若上述構造的周 期的間距小於50从m,則使反射面100成型之際,樹脂不 能良好地進入槽中,無法按模具製作凹凸形狀的前端部分 的形狀。 再者,構造層3的厚度並不特別限定,例如爲30 μ m以 ❹ 上、500//m以下。 上述製造法,最好按照與以下材料的適用性適當選擇。 形成構造層3的聚合物組成物中,除了聚合物組成物之 外,也可適當調配例如散射反射體、硬化劑、增塑劑、分 散劑、各種均化劑、紫外線吸收劑、抗氧化劑、黏性改性 劑、潤滑劑、光穩定劑等。 作爲上述聚合物組成物,並不特別限定,例如可列舉聚 (甲基)丙烯酸系樹脂、聚氨酯系樹脂、含氟系樹脂、矽系 樹脂、聚醯亞胺系樹脂、環氧系樹脂、聚乙烯系樹脂、聚 -25- 201025647 丙烯系樹脂、甲基丙烯酸系樹脂、聚甲基戊烯系樹脂、環 狀聚烯烴系樹脂、丙烯腈-(聚)苯乙烯共聚物(AS樹脂)、 丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物(ABS樹脂)等聚苯乙烯系 樹脂、聚氯乙烯系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、聚酯系樹脂、 聚酿胺系樹脂、聚醯胺亞胺系樹脂、聚芳基鄰苯二甲酸酯 系樹脂、聚碾系樹脂、聚苯硫醚系樹脂、聚醚碾系樹脂、 聚萘二甲酸乙二醇酯系樹脂、聚醚醯亞胺系樹脂、縮醛系 樹脂、纖維素系樹脂等,可混合一種或兩種以上此等聚合 Q 物而使用。 作爲上述聚氨酯系樹脂原料的多元醇,可列舉例如使含 有含羥基的不飽和單體的單體成分聚合而得到的多元醇、 或以羥基過量的條件而得到的聚酯多元醇等,可將此等以 單體或混合兩種以上而使用》 '作爲含羥基的不飽和單體,可列舉(a)例如2-羥乙基丙 烯酸、2_羥丙基丙烯酸、2 —羥乙基甲基丙烯酸、2—羥丙 基甲基丙烯酸、烯丙醇、高烯丙醇、桂皮醇、巴豆醇等含 φ 羥基的不飽和單體、(b)藉由例如乙二醇、環氧乙烷、丙二 醇、環氧丙烷、丁二醇、環氧丁烷、1,4 一雙(羥甲基)環己 烷、苯基縮水甘油醚、縮水甘油癸酸酯、Praxel FM — l(Daicel 化學工業股份有限公司製)等二元醇或環氧化合物、及例如 與丙烯酸、甲基丙烯酸、馬來酸、富馬酸、丁烯酸、衣康 酸等不飽和羧酸的反應而得到的含羥基的不飽和單體等。 可使選自此等含羥基的不飽和單體的一種或兩種以上聚合 而製造多元醇。 此外’上述多元醇亦可藉由使選自丙烯酸乙酯、丙烯酸 -26- 201025647 正丙酯、丙烯酸異丙酯、丙烯酸正丁酯、丙烯酸第三丁酯、 丙烯酸乙基己酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸正丙酯、 甲基丙烯酸異丙酯、甲基丙烯酸正丁酯、甲基丙烯酸第三 丁酯、甲基丙烯酸乙基己酯、縮水甘油甲基丙烯酸酯、甲 基丙烯酸環己酯、苯乙烯、乙烯基甲苯、1—甲基苯乙烯、 丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯腈、醋酸乙烯酯、丙酸乙烯酯、 硬脂酸乙烯酯、乙酸烯丙酯、己二酸二烯丙酯、衣康酸二 烯丙酯、馬來酸二乙酯、氯乙烯、偏二氯乙烯、丙烯醯胺、 φ N -羥甲基丙烯醯胺、N — 丁氧基甲基丙烯醯胺、雙丙酮丙 烯醯胺 '乙烯、丙烯、異戊二烯等的一種或兩種以上的乙 烯性不飽和單體、及選自上述(a)及(b)的含羥基的不飽和單 體聚合而製造。 使含有含羥基的不飽和單體的單體成分聚合而得到的多 元醇的數量平均分子量爲1〇〇〇以上500000以下,較好爲 5000以上looooo以下。此外,其羥値爲5以上300以下, 較好爲10以上200以下,更好爲20以上150以下。 φ 以經基過量的條件而得到的聚酯多元醇,可以丙二醇、 己二醇、聚乙二醇、三烴甲基丙烷等多元醇中的羥基數多 於前述多元酸的羧基數的條件,使(c)例如乙二醇、二乙二 醇、丙二醇、二丙二醇、1,3 — 丁 二醇、1,4 — 丁 二醇、1,5 一戊二醇、新戊二醇、己二醇、癸二醇、2,2,4 一三甲基— 1,3-戊二醇、三烴甲基丙烷、己三醇、丙三醇、季戊四醇、 環己二醇、加氫雙酚A、雙(羥甲基)環己烷、氫醌雙(羥乙 基酸)、三(羥乙基)異氰酸酯、苯二甲基二醇等多元醇、及 (d)例如馬來酸、富馬酸、丁二酸、己二酸、癸二酸、壬二 -27- 201025647 酸、偏苯三酸、對苯二甲酸、鄰苯二甲酸、間苯二甲酸等 多元酸反應而製造。 以上述羥基過量的條件而得到的聚酯多元醇的數量平均 分子量爲500以上300000以下,較好爲2000以上100000 以下。此外,其羥値爲5以上300以下,較好爲1〇以上200 以下,更好爲2 0以上1 5 0以下。 作爲用作該聚合物組成物的聚合物材料的多元醇,最好 是使上述聚酯多元醇、及含有上述含羥基的不飽和單體的 0 單體成分聚合而得到,且具有(甲基)丙烯酸單位等的丙烯 酸酯多元醇。若以該聚酯多元醇或丙烯酸多元醇爲聚合物 材料,則耐氣候性較高,並可抑制構造層3的變黃等。再 者,可使用此聚酯多元醇與丙烯酸多元醇的任一方,亦可 使用兩方。 再者,上述聚酯多元醇及丙烯酸多元醇中的羥基個數若 每1分子爲2個以上,則不特別限定,但若固體成分中的 羥基値爲1 0以下,則交聯點數減少,耐溶劑性、耐水性、 φ 耐熱性、表面硬度等的塗膜物性有降低的傾向。 爲了使反射性能、耐熱性能提高,最好在形成構造層3 的聚合物組成物中含有散射反射體。在聚合物組成物中含 有散射反射體,可使構造層3,進而光再利用片20的耐熱 性提高。而且,若使用折射率與聚合物組成物大幅不同的 散射反射體,則可使光反射。再者,藉此得到充分的反射 率時,不設置金屬反射層4亦可。第30圖及第31圖係顯 示不設置金屬反射層4時的光再利用片20 —例之圖。作爲 構成此散射反射體劑的無機物,並不特別限定,最好是無 -28- 201025647 機氧化物。此無機氧化物可用二氧化矽等’亦可用ZnS等 金屬化合物,但特別希望是TiCh、Zr〇、Ah〇3等金靥氧化 物。此外,亦可使用二氧化矽的中空粒子。其中,TiCb折 射率高,也可容易獲得分散性,所以更好。此外’散射反 射體的形狀爲球狀、針狀、板狀、鱗片狀、破碎狀等任意 的粒子形狀即可,不特別限定。 作爲散射反射體的平均粒子直徑的下限,較好, 作爲上限,30/zm較好》若平均粒子直徑小於〇.l#m,則 ® 不使光充分反射。此外,若平均粒子直徑大於30 則 成型性較差。 作爲散射反射體對於聚合物組成物100份的調配量的下 限,以固體成分換算,30份較好。另一方面,作爲散射反 射體的上述調配量的上限,100份較好。此若無機塡充劑的 調配量少於30份,則無法充分反射從塡充層21射入構造 層3的光H1。相反地,若調配量超過上述範圍,則成型性 較差。 n 作爲上述散射反射體,最好使用在其表面固定有有機聚 合物者。如此,藉由使用有機聚合物固定的散射反射體, 可謀求聚合物組成物的分散性或與聚合物組成物的親和性 的提高。對於此有機聚合物,關於其分子量、形狀、組成、 官能基的有無等,不特別限定,可使用任意的有機聚合物。 此外,對於有機聚合物的形狀,可使用直鏈狀、分支狀、 交聯構造等任意形狀者。 作爲構成上述有機聚合物的具體樹脂,例如可列舉(甲基) 丙烯酸樹脂、聚苯乙烯、聚醋酸乙烯酯、聚乙烯或聚丙烯 -29- 201025647 等的聚烯烴、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚對苯二甲酸乙 二醇酯等的聚酯及此等之共聚物、或在胺基、環氧基、羥 基、羧基等的官能基一部分改性的樹脂等。其中尤以以包 含(甲基)丙烯酸系樹脂、(甲基)丙烯酸酯一苯乙烯系樹脂、 (甲基)丙烯酸聚酯系樹脂等的(甲基)丙烯酸單位的有機聚 合物爲必需成分者具有塗膜形成能,較適合。另一方面, 與上述聚合物組成物有相溶性的樹脂較好,因此與聚合物 組成物相同組成者最好。 φ 作爲上述聚合物組成物,具有環烷基的多元醇較好。藉 由在作爲聚合物組成物的多元醇中導入環烷基,聚合物組 成物的排水性、耐水性等疎水性變高,可改善高溫高濕條 件下的構造層3,進而光再利用片20的耐撓曲性、尺寸穩 定性等。此外,構造層3的耐氣候性、硬度、豐滿度、耐 溶劑性等塗膜基本性能提高。再者,與表面固定有有機聚 合物的散射反射體的親和性及散射反射體的分散性更加良 好。 Q 此外,聚合物組成物中,最好含有異氰酸酯作爲硬化劑。 如此,藉由在聚合物組成物中含有異氰酸酯硬化劑,而成 爲更堅固的交聯構造,構造層3的塗膜物性更加提高。作 爲此異氰酸酯,可使用與上述多功能異氰酸酯化合物同樣 的物質。其中尤以防止塗膜變黃色的脂肪族系異氰酸酯較 好。 再者,散射反射體可在內部包含有機聚合物。藉此,可 給與爲散射反射體之芯的無機物適度的軟度及靭性。 上述有機聚合物中,最好使用含有烷氧基者,其含有量 -30- .201025647 並不特別限定,但散射反射體每U爲O.Olmmol以上50mmol 以下較好。藉由烷氧基,可使與聚合物組成物的親和性、 或聚合物組成物中的分散性提高。 上述烷氧基顯示與形成微粒子骨骼的金屬元素結合的 RO基。此R爲可被取代的烷基,微粒子中的RO基可相同, 亦可不同。作爲r的具體例,可列舉甲基、乙基、正丙基、 異丙基、正丁基等。最好使用與構成散射反射體的金屬相 同的金屬烷氧基,散射反射體爲膠體二氧化矽時,最好使 φ 用以矽爲金屬的烷氧基。 關於固定有有機聚合物的散射反射體的有機聚合物的含 有率,並不特別限制,但以散射反射體爲基準,0.5質量% 以上50質量%以下較好。 在光再利用片20方面,爲了使用反射層4時使其密接合 性等提高,最好在反射層4的蒸鍍對象面(構造層3的表面) 施以表面處理(未圖示)。作爲此種表面處理,例如可列舉(a) 電暈(corona)放電處理、臭氧處理、使用氧氣或氮氣等的低 Q 溫電漿處理、輝光放電處理、使用化學藥品等的氧化處理、 及(b)底膠層(primer coat)處理、底塗層(under coat)處理、 結合層(anchor coat)處理、蒸鍍結合層處理等。此等表面處 理之中’尤以與反射層4的接合強度提高,有助於細緻且 均勻的反射層4形成的電暈放電處理及結合層處理較好。 作爲用於上述結合層處理的結合層劑,例如可列舉聚醋 系結合層劑、聚醯胺系結合層劑、聚氨酯系結合層劑、環 氧系結合層劑、本酚系結合層劑、(甲基)丙烯酸系結合層 劑、聚醋酸乙烯醋系結合層劑、聚乙烯或聚丙烯等的聚烯 -31- 201025647 烴系結合層劑、纖維素系結合層劑等。此等結合層劑之中, 尤以可更加提高反射層4的接合強度的聚酯系結合層劑特 別好。 上述結合層劑的塗布量(固體成分換算),最好是lg/ m2 以上、3g/ m2以下。若結合層劑的塗布量少於lg/ m2,則 反射層4的密合性提高效果變小。另一方面,若該結合層 劑的塗布量多於3g/ m2,則光再利用片20的強度、耐久性 等有降低之虞。 〇 再者,上述結合層劑中可適當混合用於提高密接合性的 较院偶聯劑、用於防止結塊(blocking)的結塊防止劑、用於 使耐氣候性等提高的紫外線吸收劑等各種添加劑。作爲此 添加劑的混合量,由添加劑的效果顯現與結合層劑的功能 阻礙的平衡來說,0.1重量%以上10重量%以下較好。上 述添加劑若小於0.1重量%,則無法充分防止結塊,不能 充分得到耐氣候性,若多於1 0重量%,則會阻礙表層塗層 (top coat)劑的功能。 ^ 反射層4係反射射入光再利用片20的光。形成反射層4 之際,係藉由沿著形成有構造層3的凹凸構造之面蒸鍍金 屬而形成。作爲此反射層4的蒸鍍方法,只要不給構造層 3帶來收縮、變黃等劣化而可蒸鍍金屬即可,不特別限定, 可採用(a)真空蒸鍍法、濺鍍(sputtering)法、離子噴鍍(i〇n plating)法、離子群束(ion cluster beam)法等物理氣相沉積 法(Physical Vapor Deposition 法;PVD 法)、(b)電發化學氣 相沉積法、熱化學氣相沉積法、光化學氣相沉積法等化學 氣相沉積法(Chemical Vapor Deposition 法;CVD 法)。此等 -32- 201025647 蒸鍍法之中,尤以生產性較高並可形成良質反射層4的真 空蒸鍍法或離子噴鍍法較好。 作爲用於反射層4的金屬,若具有金屬光澤並可蒸鍍, 則不特別限定,例如可列舉鋁(A1)、銀(Ag)、鎳(Ni)、錫(Sn)、 鉻(Zr)等。其中尤以反射性較高,比較容易形成細緻的反射 層4的鋁較好。 再者,反射層4可爲單層構造,亦可爲2層以上的多層 構造。如此,以反射層4爲多層構造,減輕於蒸鍍時所施 Q 加的熱負擔,藉此可減低構造層3的劣化,並可改善構造 層3與反射層4的密合性等》此時,可在金屬膜上設置氧 化金羼層。此外,上述物理氣相沉積法及化學氣相沉積法 的蒸鍍條件,可按照構造層3或基材2的樹脂種類、反射 層4的厚度等適當設計。 作爲反射層4的厚度的下限,l〇nm較好,20nm特別好。 另一方面,作爲反射層4的厚度的上限,200nm較好,lOOnm 特別好。若反射層4的厚度小於1 Onm的下限,則無法充分 ❿ 反射由塡充層21射入反射層4的光。此外,即使是20nm 以上的厚度,由上述反射層4所反射的光也不會增加,所 以若爲20nm,可說是足夠的厚度。另一方面,若反射層4 的厚度超過20 Onm的上限,則會在反射層4產生連目視亦 可確認的裂紋,若爲1 OOnm以下,則目視無法確認的裂紋 也不產生。 此外,在反射層4的外面,最好施以表層塗層(top coat) 處理(未圖示)。如此,在反射層4的外面施以表層塗層處 理,可密封及保護反射層4,其結果,光再利用片20的處 -33- 201025647 理性變得良好。此外,亦可抑制反射層4的經年劣化。 作爲用於上述表層塗層處理的表層塗層劑,例如可列舉 聚酯系表層塗層劑、聚醯胺系表層塗層劑、聚氨酯系表層 塗層劑、環氧系表層塗層劑、苯酚系表層塗層劑、(甲基) 丙烯酸系表層塗層劑、聚醋酸乙烯酯系表層塗層劑、聚乙 烯或聚丙烯等的聚烯烴系表層塗層劑、纖維素系表層塗層 劑等。此表層塗層劑之中,尤以與反射層4的接合強度較 高、有助於反射層4的表面保護、缺陷密封等的聚酯系表 層塗層劑特別好。 上述表層塗層劑的塗布量(固體成分換算),最好是3g/ m2以上、7g/ m2以下。若表層塗層劑的塗布量少於3g/ m2, 則密封及保護反射層4的效果有變小之虞。另一方面,即 使該表層塗層劑的塗布量超過7g/ m2,上述反射層4的密 封及保護效果也不太增大,反而光再利用片20的厚度會增 大。 再者,上述表層塗層劑中可適當混合用於提高密接合性 的矽烷偶聯劑、用於使耐氣候性等提高的紫外線吸收劑、 用於使耐熱性等提高的無機塡充劑等各種添加劑。作爲此 添加劑的混合量,由添加劑的效果顯現與表層塗層劑的功 能阻礙的平衡來說,0.1重量%以上10重量%以下較好。 上述添加劑若小於0.1重量%,則不能充分得到密接合性、 耐氣候性、耐熱性,若多於10重量%,則會阻礙表層塗層 劑的功能。 構成上述光再利用片20的基材2係由以合成樹脂爲材料 的片成型所形成。作爲用於此基材2的合成樹脂,鑑於設 -34- 201025647 置在室外,最好具有耐水性、對於紫外線的耐久性等耐氣 候性’例如可列舉聚對苯二甲酸乙二醇酯樹脂(PET樹脂) 等的聚乙烯系樹脂、聚丙烯系樹脂、甲基丙烯酸系樹脂、 聚甲基戊烯系樹脂、環狀聚烯烴系樹脂、聚苯乙烯系樹脂、 丙烯腈—(聚)苯乙烯共聚物(AS樹脂)、丙烯腈一丁二烯一 苯乙烯共聚物(ABS樹脂)、聚氯乙烯系樹脂、含氟系樹脂、 聚(甲基)丙烯酸系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、聚酯系樹脂、 聚醯胺系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、聚醯胺亞胺系樹脂、聚 ❹ 方基鄰本一甲酸酯系樹脂、砂系樹脂、聚硒系樹脂、聚苯 硫醚系樹脂、聚醚颯系樹脂、聚萘二甲酸乙二醇酯系樹脂、 聚醚醯亞胺系樹脂、環氧系樹脂、聚氨酯系樹脂、縮醛系 樹脂、纖維素系樹脂等》 作爲具有較高的耐熱性、強度、耐氣候性、耐久性、對 於水蒸氣等的阻氣性等者,上述樹脂之中,尤以聚醯亞胺 系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、聚酯系樹脂、含氟系樹脂、聚 乳酸系樹脂較好。 ❹ 作爲上述聚酯系樹脂,例如可列舉聚對苯二甲酸乙二醇 酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等。此等聚酯系樹脂之中,尤以 耐熱性'耐氣候性等的各功能面及價格面的平衡良好的聚 對苯二甲酸乙二醇酯特別好。 作爲上述含氟系樹脂,例如可列舉聚四氟乙烯(PTFE)、 由四氟乙烯與全氟烷基乙烯醚的共聚物組成的全氟烷氧基 樹脂(PFA)、四氟乙烯與六氟丙烯的共聚物(FEP)、四氟乙 烯與全氟烷基乙烯醚與六氟丙烯的共聚物(EPE)、四氟乙烯 與乙烯或丙烯的共聚物(ETFE)、聚氯三氟乙烯樹脂 -35- 201025647 (PCTFE)、乙烯與氯三氟乙烯的共聚物(ECTFE)、偏二氟乙 烯系樹脂(PVDF)、氟乙烯系樹脂(PVF)等。此等含氟系樹脂 之中,尤以強度、耐熱性、耐氣候性等優異的聚氟乙烯系 樹脂(PVF)、或四氟乙烯與乙烯或丙烯的共聚物(ETFE)特別 好。 作爲上述環狀聚烯烴系樹脂,例如可列舉(d)使環戊二烯 (及其衍生物)、雙環戊二烯(及其衍生物)、環己二烯(及其 衍生物)、降冰片二烯(及其衍生物)等環狀二烯聚合而成的 聚合物、(e)使該環狀二烯與乙烯、丙烯、4 —甲基—1-戊 烯、苯乙烯、丁二烯、異戊二烯等的烯烴系單體的一種或 兩種以上共聚合而成的共聚物等。此等環狀聚烯烴系樹脂 之中,尤以強度、耐熱性、耐氣候性等優異的環戊二烯(及 其衍生物)、雙環戊二烯(及其衍生物)或降冰片二烯(及其衍 生物)等環狀二烯的聚合物特別好。 再者’作爲基材2的形成材料,可將上述合成樹脂混合 一種或兩種以上而使用。此外,基材2的形成材料中,可 以改良、改變加工性、耐熱性、耐氣候性、機械性質、尺 寸穩定性等的目的混合各種添加劑等。作爲此添加劑,例 如可列舉潤滑劑、交聯劑、抗氧化劑、紫外線吸收劑、光 穩定劑、塡充材料、強化纖維、補強劑、帶電防止劑、難 燃劑、阻燃劑、發泡劑、防霉劑、顏料等。作爲上述基材 2的成型方法’並不特別限定’例如可採用擠出法、流延 成型法、T型機頭法、切削法、薄膜吹塑成型法等眾所周 知的方法。 使用基材2時’其厚度爲25//m以上、500vm以下較好, •36- 201025647 250 y m特別好。若基材2的厚度薄於25 // m,則會因紫外 線硬化樹脂等的硬化收縮影響,而於構造層3的塗布加工 時產生捲曲,於裝入太陽電池模組200時產生缺陷。相反 地,若基材2的厚度超過500 μιη,則薄膜重量會增加,太 陽電池模組200的重量也會增加。若爲250仁m以下,則可 實現更輕量的太陽電池模組200。 此外,基材2及構造層3中亦可含有紫外線穩定劑或紫 外線穩定基與分子鏈結合的聚合物。藉由此紫外線穩定劑 〇 或紫外線穩定基,使由紫外線產生的自由基、活性氧等惰 性化,可使光再利用片20的紫外線穩定性、耐氣候性等提 高。作爲此紫外線穩定劑或紫外線穩定基,可適當使用對 於紫外線的穩定性較高的受阻胺系紫外線穩定劑或受阻胺 系紫外線穩定基。 藉由使用此種特徵的光再利用片20的太陽電池模200, 可使射入相鄰太陽電池單元30之間的區域R的光以光再利 用片20的反射面100反射,並使其射入太陽電池單元30。 φ 藉此,也可利用射入相鄰太陽電池單元30之間的區域R的 光,並可使太陽電池模組200的發電效率提高。 第32圖及第33圖係顯示本發明之太陽電池模組一例之 剖面圖。光再利用片20亦可如第32圖,朝向塡充層側21 而配置光再利用片20的反射面1〇〇的背面。 此外,如第33圖所示,作爲此光再利用片20,可使用具 有由10//m至30/zm的鋁層或l〇nm至100nm的二氧化矽 層組成的阻障層者。此外,爲了提高耐久性,亦可貼合由 塗布有PVF(聚氟乙烯樹脂)組成的保護層40、或具有聚氟 -37- 201025647 乙烯樹脂的薄膜40,以保護太陽電池模組200。如此一來, 亦可背面覆蓋太陽電池模組200而使用。 此光再利用片20亦可利用於再利用來自LED、EL等固 體發光元件50的光。第34圖係關於使用有再利用來自 LED、EL等固體發光元件50的光的光再利用片20的本發 明之光源模組2 1 0的一形態之剖面圖。光源模組2 1 0具有 塡充層21、發光元件50及光再利用片20。 發光元件50具有利用電致發光(electroluminescence)而 將電轉換爲光的功能,由發光面160射出。發光元件50最 好使用LED、有機EL、無機EL等固體發光二極體。 塡充層21係密封發光元件50。由發光元件50射出的光 透過塡充層21,一部分成爲由射出面150射出的射出光 M30,一部分成爲以射出面150反射的反射光M31。爲了使 射入塡充層21的光M3透過,塡充層21的材料使用光線透 過率較高的材料,最好使用透過性較高的丙烯酸樹脂等。 φ 由發光元件50射出的光之中,以射出面150反射的光 M31係以射出面150反射,並射入光再利用片20的反射面 1 00。射入反射面的入射光M2係以反射面100反射,並射 入射出面150。以反射面1〇〇反射,並射入射出面150的反 射光Μ 1係從射出面1 5 〇射出到外部。藉此,與無光再利用 片20的結構比較,光利用效率有提高的效果。 反射光Ml前進的方向可藉由本發明之反射面ioo的凹凸 形狀控制’反射面1〇〇的角度範圍藉由滿足上述之式7及 -38- 201025647 式12,可將許多反射光Ml作爲射出光MO,從射出面150 射出。 (實施例1) 作爲實施例1,將爲熱塑性樹脂的聚碳酸酯樹脂加熱到 約3〇〇°C,一面使其沿著輥筒延伸,一面使厚度0.3 mm的薄 膜成形後,使用切削有第一凹凸構造形狀的圓筒式模具, 將已被加熱的薄膜一面加壓一面冷卻(圓筒式模具本身爲 ^ 8(TC),在已成形有第一凹凸構造形狀的薄膜完全硬化之 前,繼續以切削有第二凹凸構造形狀的圓筒式模具一面加 壓一面冷卻(切削有第二透鏡陣列5形狀的圓筒式模具的溫 度在水冷式輥筒爲10°C),藉此使熱塑性樹脂的黏性再降 低,使其完全硬化。藉由此方法所製作出的光再利用片20 成型有具有以下構造的光再利用片20的形狀:雙凸透鏡 (lenticular lens)狀的第一凹凸構造,其係具有間距爲120 的反射面100的角度爲30度的部分;及三角稜鏡狀的 φ 第二凹凸構造,其係以再以與該凹凸構造的長度方向正交 之方式具有間距爲30/zm且反射面100的角度爲30度的部 分之方式,頂點帶有圓形。 如此製作在冷卻輥筒具有第一凹凸構造與第二的第一凹 凸構造的形狀的模具輥筒,可以輥筒對輥筒(薄膜進給速度 lm/min)的擠出成型,一次製作構造層3。 將此光再利用片20用掃描型共焦點雷射顯微鏡OLS11 00 以1 5 // m間距測量1 〇〇點的表面形狀的結果,在全點,高 -39- 201025647 斯曲率Kg爲0’在62點,反射面100的角度爲22.5度至 30度。 再者,在其上’以約20nm之方式蒸鍍鋁,藉此形成反射 層4。 此外’用簡易對比(視野角測量裝置)測量如此製作的光 再利用片20的結果,可獲得與第8E圖大致相同的配光分 布。 (實施例2) 作爲實施例2,將爲熱塑性樹脂的聚碳酸酯樹脂加熱到 約3 00°C ’ 一面使其沿著輥筒延伸,一面使薄膜成形後,使 用切削成光再利用片20形狀的圓筒式模具,將已被加熱的 薄膜一面加壓一面冷卻(切削成光再利用片20形狀的圓筒 式模具在水冷式輥筒設定爲80°C。),藉此使熱塑性樹脂的 黏性降低,在維持光再利用片20形狀的狀態下使其硬化。 藉由此方法所製作出的光再利用片20,係成形爲具有以 e 下構造的光再利用片20的形狀:雙凸透鏡(lenticular lens) 狀的第一凹凸構造,其係具有間距爲80//m的反射面100 的角度爲30度的部分;及三角稜鏡形狀的第二凹凸構造, 其係再以與第一凹凸構造的長度方向正交之方式,具有間 距爲40#m的反射面100的角度爲30度的部分。 如此,可用一個透鏡模具輥筒,以輥筒對輥筒(薄膜進給 速度1.5m/min)的擠出成型,一次製作光再利用片20。 將此光再利用片20用掃描型共焦點雷射顯微鏡〇LSl 100 -40- 201025647 以2 0// m間距測量100點的表面形狀的結果,在93點,高 斯曲率Kg爲0,在65點,反射面100的角度爲22.5度至 30度。 再者,在其上,以約20nm之方式蒸鍍鋁,藉此形成反射 層4。 此外,用ELDIM公司製簡易對比(視野角測量裝置)測量 如此製作的光再利用片20的結果,可獲得與第8E圖大致 相同的配光分布。 此處,相對於實施例1的製作方法係將兩個冷卻輥筒之 一個換成透鏡形狀不同者,藉此可容易改變光再利用片20 的形狀,實施例2的方法具有以下優點:如實施例1,進 行兩個冷卻輥筒的冷卻溫度設定或加壓條件的最佳化的工 夫較少的部分較爲簡便。 (實施例3) 作爲實施例3,在光學用2軸延伸易接合PET薄膜(膜厚 125 # m)上,塗布以使光再利用片20的圖案形成的胺基甲 酸酯丙烯酸酯爲主要成分的紫外線硬化型樹脂(日本化藥 公司製胺基甲酸酯丙烯酸酯樹脂(折射率1.51)),使用切削 成光再利用片20的反射面1〇〇形狀的圓筒式模具,一面搬 送塗布有紫外線硬化型樹脂的薄膜,一面使UV光從PET 薄膜側曝光,藉此使紫外線硬化型樹脂硬化,形成構造層 3。硬化後’從PET薄膜使模具脫模,藉此成型有具有以下 構造的光再利用片20的形狀:雙凸透鏡(lenticular lens)狀 -41- 201025647 的第一凹凸構造,其係具有間距爲100/zm的反射面100的 角度爲30度的部分;及三角稜鏡形狀的第二凹凸構造,其 係再以與第一凹凸構造的長度方向正交之方式,具有間距 爲75/zm的反射面100的角度爲30度的部分。 將此光再利用片20用掃描型共焦點雷射顯微鏡OLS 11 00 以25em間距測量100點的表面形狀的結果,在全點,高 斯曲率Kg爲0,在75點,反射面100的角度爲22.5度至 30度。 此外,用簡易對比(視野角測量裝置)測量如此製作的光 再利用片20的結果,可獲得與第8C圖大致相同形狀的配 光分布。 (實施例4) 作爲實施例4,在作爲基材2的250 /z m的PET薄膜上, 作爲構造層3,層積由紫外線硬化丙烯酸系樹脂形成有間 距爲150/zm的反射面100的角度爲30°的稜鏡狀凹凸構造 φ 者,作爲金屬反射層4,藉由蒸鍍法形成20nm的鋁層,獲 得光再利用片20。用此製作太陽電池模組200。以太陽電 池單元30來到作爲前面板22約2mm的玻璃板、離前面板 22約1.0mm的位置之方式,將EVA塡充成厚度約1.5mm, 形成塡充層21。作爲太陽電池單元30,使用多晶型者,使 用相對於太陽電池模組200的全面積,太陽電池單元30的 周邊部空白爲約10%者,進行了發電效率的測量。表1中 顯示其發電效率的結果。 -42- 201025647 (實施例5) 作爲實施例5,製作使上述實施例4的結構變化,使用 使氧化鈦30%混入結構層21的丙烯酸系樹脂,不設置反射 層4’作爲基材2,同樣使用250 的PET薄膜的光再利 用片20,進行了同樣的測量。測量結果記載於表1的實施 例5 〇 (比較例1) ^ 作爲比較例1,先前結構的太陽電池模組200也進行同樣
G 的測量,進行了發電效率的比較。表1的比較例1中顯示 測量結果。先前結構係背面配置有25 〇Ai m的白色PET,以 取代光再利用片20的結構。 由表1的結果得知,藉由使用如本發明的光再利用片 20,太陽電池的發電效率提高。 【表1】 到受光面的照射栖對光量 發電效率提高率[%] 比較例1 1. 00000 - 霣施例4 1. 02482 2- 5% 篁施例5 1. 01742 1. 7% (實施例6) 作爲實施例6,使用250 // m的PET薄膜作爲基材2,作 爲構造層3,層積由紫外線硬化丙烯酸系樹脂組成的間距 爲150// m的反射面1〇〇的頂角爲135°的稜鏡狀凹凸形狀形 成者,作爲金屬反射層4,藉由蒸鍍法形成100nm的鋁層, -43- 201025647 獲得光再利用片20。用此製作太陽電池模組200。以太陽 電池單元30來到作爲前面板22約3mm的玻璃板、離前面 板22約〇.5mm的位置之方式,將EVA塡充成厚度約 0.5mm’形成塡充層2卜作爲太陽電池單元30,使用150mm 方形的多晶型矽太陽電池,配置約25mm寬的上述光再利 用片20於太陽電池單元3〇的周邊部,進行了發電效率的 測量。表2中顯示其發電效率的結果。 (實施例7) 作爲實施例7,使用250 β m的PET薄膜作爲基材2,作 爲構造層3,層積由紫外線硬化丙烯酸系樹脂組成的間距 爲200以m的反射面1〇〇的頂角爲13〇。的稜鏡狀凹凸形狀形 成者’作爲金屬反射層4,藉由蒸鍍法形成100nm的鋁層, 獲得光再利用片20。用此製作太陽電池模組200。以太陽 電池單元30來到作爲前面板22約3mm的玻璃板、離前面 板22約〇.5mm的位置之方式,將EVA塡充成厚度約 _ 〇.5mm,形成塡充層21。作爲太陽電池單元30,使用15 0mm 方形的多晶型矽太陽電池,配置約25 mm寬的上述光再利 用片20於太陽電池單元30的周邊部,進行了發電效率的 測量。表2中顯示其發電效率的結果。 (實施例8) 作爲實施例8,使用250 v m的PET薄膜作爲基材2,作 爲構造層3,層積由紫外線硬化丙烯酸系樹脂組成的間距 爲100 Mm的反射面100的頂角爲125。的稜鏡狀凹凸形狀形 -44 - 201025647 成者,作爲金屬反射層4,藉由蒸鍍法形成100nm & 獲得光再利用片20。用此製作太陽電池模組200。 電池單元30來到作爲前面板22約3mm的玻璃板、 板22約 0.5mm的位置之方式,將 EVA塡充成 0.5 mm,形成塡充層21»作爲太陽電池單元30,使用 方形的多晶型矽太陽電池,配置約25mm寬的上 用片20於太陽電池單元30的周邊部,進行了發 測量。表2中顯示其發電效率的結果。 (實施例9) 作爲實施例9,使用250 # m的PET薄膜作爲基木 爲構造層3,層積由紫外線硬化丙烯酸系樹脂組成 爲3 00 /zm的反射面1〇〇的頂角爲120°的稜鏡狀凹巴 成者,作爲金屬反射層4,藉由蒸鍍法形成lOOnm & 獲得光再利用片20。用此製作太陽電池模組200。 電池單元30來到作爲前面板22約3mm的玻璃板、 . 板22約 〇.5mm的位置之方式,將EVA塡充成 0.5 mm,形成塡充層21。作爲太陽電池單元30,使用 方形的多晶型矽太陽電池,配置約25mm寬的上Μ 用片20於太陽電池單元30的周邊部,進行了發霄 測量。表2中顯示其發電效率的結果。 (實施例10) 作爲實施例10,使用250 /ζ m的PET薄膜作爲基 爲構造層3,層積由紫外線硬化丙烯酸系樹脂組届 勺鋁層, 以太陽 離前面 厚度約 15 0mm :光再利 :效率的 才2,作 ,的間距 I形狀形 勺鋁層, 以太陽 離前面 厚度約 1 15 0mm I光再利 t效率的 材2,作 匕的間距 -45- 201025647 爲200 的反射面100的頂角爲115°的稜鏡狀凹凸形狀形 成者,作爲金靥反射層4,藉由蒸鍍法形成100nm的鋁層, 獲得光再利用片20。用此製作太陽電池模組200。以配置 太陽電池單元30於作爲前面板22約3 mm的玻璃板、離前 面板22約〇.5mm的位置之方式,將EVA塡充成厚度約 0.5 mm,形成塡充層2卜作爲太陽電池單元30,使用150 mm 方形的多晶型矽太陽電池,配置約25mm寬的上述光再利 用片20於太陽電池單元30的周邊部,進行了發電效率的 ❹ 測量。表2中顯示其發電效率的結果。 (比較例2) 作爲比較例2,使用250;u m的PET薄膜作爲基材2,作 爲構造層3,層積由紫外線硬化丙烯酸系樹脂組成的間距 爲15/zm的反射面1〇〇的頂角爲140。的稜鏡狀凹凸形狀形 成者’作爲金靥反射層4,藉由蒸鍍法形成l〇〇nm的鋁層, 獲得光再利用片20 »用此製作太陽電池模組200。以太陽 〇 電池單元3〇來到作爲前面板22約3mm的玻璃板、離前面 板22約〇.5mm的位置之方式,將EVA塡充成厚度約 0_5mm ’形成塡充層21。作爲太陽電池單元30,使用150mm 方形的多晶型矽太陽電池,配置約25mm寬的上述光再利 用片20於太陽電池單元3〇的周邊部,進行了發電效率的 測量。表2中顯示其發電效率的結果。 (比較例3) 作爲比較例3,使用250 m的PET薄膜作爲基材2,作 -46- 201025647 爲構造層3’層積由紫外線硬化丙烯酸系樹脂組成的間距 爲20// m的反射面1〇〇的頂角爲1〇5。的稜鏡狀凹凸形狀形 成者’作爲金屬反射層4,藉由蒸鍍法形成l〇〇nm的鋁層, 獲得光再利用片20。用此製作太陽電池模組200。以太陽 電池單元30來到作爲前面板22約3mm的玻璃板、離前面 板22約0.5mm的位置之方式,將EVA塡充成厚度約 0.5 mm,形成塡充層21。作爲太陽電池單元30,使用15 0mm 方形的多晶型矽太陽電池,配置約25mm寬的上述光再利 ❹ 用片20於太陽電池單元30的周邊部,進行了發電效率的 測量。表2中顯示其發電效率的結果。 【表2】 相對發電效率 實施例6 110.9% 實施例7 110.5% 實施例8 111.6% 實施例91 112.7% 實施例10 115.8% 比較例2 104.3% 比較例3 105.1% [產業上之利用可能性] 藉由本發明之太陽電池模組,以再利用入射的光提高光 的利用效率,可使發電效率提高。 【圖式簡單說明】 第1圖係顯示本發明之太陽電池模組一例之剖面圖。 -47- 201025647 第2圖係顯示本發明之光再利用片的反射面一例之斜視 圖。 第3圖係顯示本發明之光再利用片的反射面一例之斜視 圖。 第4圖係顯不本發明之光再利用片的反射面一例之斜視 圖。 第5圖係顯不本發明之光再利用片的反射面一例之斜視 圖。 e 第6圖係顯示本發明之光再利用片的反射面一例之斜視 圖。 第7圖係顯示本發明之光再利用片的反射面一例之斜視 圖。 第8A圖係顯示反射光的配光分布例之圖。 第8B圖係顯示反射光的配光分布例之圖。 第8C圖係顯示反射光的配光分布例之圖。 φ 第8D圖係顯示反射光的配光分布例之圖。 第8E圖係顯示反射光的配光分布例之圖。 第9圖係顯示本發明之太陽電池模組一例之正面圖。 第10圖係顯示本發明之太陽電池模組一例之正面圖。 第11圖係顯示對於入射角度的反射率變化之圖。 第1 2圖係顯示本發明之光再利用片的反射面一例之剖 面圖。 第13圖係顯示光再利用片的反射面的角度範圍之圖。 -48- 201025647 第1 4圖係顯示本發明之光再利用片的反射面一例之剖 面圖。 第1 5圖係顯示本發明之光再利用片的反射面一例之剖 面圖。 第1 6圖係顯示本發明之光再利用片的反射面一例之剖 面圖。 第1 7圖係顯示本發明之光再利用片的反射面一例之剖 面圖。 第1 8圖係顯示本發明之光再利用片的反射面一例之剖 面圖。 第1 9圖係顯示本發明之光再利用片的反射面一例之剖 面圖。 第20圖係顯示本發明之光再利用片的反射面一例之剖 面圖。 第21圖係顯示本發明之光再利用片的反射面一例之剖 _ 面圖。 第22圖係顯示本發明之光再利用片的反射面一例之剖 面圖。 第23圖係顯示本發明之光再利用片的反射面一例之剖 面圖。 第24圖係顯示本發明之光再利用片的反射面一例之剖 面圖。 第25圖係顯示本發明之光再利用片的反射面一例之剖 -49- 201025647 面圖。 第26圖係顯示本發明之光再利用片的反射面一例之斜 視圖。 第27圖係顯示本發明之光再利用片的反射面一例之斜 視圖。 第28圖係顯示本發明之光再利用片一例之剖面圖。 第2 9圖係顯示本發明之光再利用片一例之剖面圖。 Φ 第3〇圖係顯示本發明之光再利用片一例之剖面圖。 第3 1圖係顯示本發明之光再利用片一例之剖面圖。 第32圖係顯示本發明之太陽電池模組一例之剖面圖。 第33圖係顯示本發明之太陽電池模組一例之剖面圖。 第34圖係顯示本發明之太陽電池模組一例之剖面圖。 第35圖係顯示使用先前之背面材料的太陽電池模組之 剖面圖。 【主要元件符號說明】 β 1···反射光分布 2···基材 3···構造層 4···反射層 20…光再利用片 21…塡充層 22…前面板 23…背面材料 -50- 201025647 30…太陽電池單元 40…保護層、保護薄膜 50…發光元件 100、101、102···反射面 105…片面 1 10···入射面 120···反射面的稜線 150···射出面
160···發光面 200···太陽電池模組 210…光源模組 301、 302、 303、 304、 311、 312、 321、 322、 331、 332、 3 3 3、390…反射面的角度範圍 F···光源方向 H0…到太陽電池模組的入射光 Η 1、Η 1 1、Η 1 2…到反射面的入射光 Η2、Η21、Η22…反射光 Η3…到受光面的入射光 Η 1 0…到太陽電池單元的入射光 J…受光面
Kg…高斯曲率 K…曲率 K 1…最小曲率 -51 - 201025647
K2···最大曲率 L…光源 M0…射出光 Ml···反射光 M2…入射光 M30…射出光 M31…反射光 MD…片寬方向 N…法線 NO、Nl、N2…反射面的法線 NB…片法線 NG···前面板的法線 P…平面 R…相鄰太陽電池單元之間的區域 R2…發光元件周邊的區域 TD···片流動方向 0 1、0 2…反射面的角度 0 c…臨界角 α…反射面形成的頂角 -52-

Claims (1)

  1. 201025647 七、申請專利範圍: 1. 一種太陽電池模組用光再利用片,其係包含具有反射光 的反射面之反射層的太陽電池模組用光再利用片; 前述反射面的高斯曲率爲〇。 2. —種太陽電池模組用光再利用片,其係包含具有反射光 的反射面之反射層的太陽電池模組用光再利用片; 前述反射面中,高斯曲率爲0的前述反射面的面積所 佔的比率爲前述反射面全體的面積的90%以上。 〇 3.如申請專利範圍第1或2項之太陽電池模組用光再利用 片,其中該反射面具有凹凸形狀,該凹凸形狀具有周期 性。 4.如申請專利範圍第3項之太陽電池模組用光再利用片, 其中該凹凸形狀的周期的間距爲25 μιη以上、300 Mm以 下。 5 .如申請專利範圍第3項之太陽電池模組用光再利用片, 其中該凹凸形狀的周期的間距爲50/zm以上、200 以 ❹ 下。 6.—種太陽電池模組,其係包含以下元件之太陽電池模組: 透明前面板,其係射入光的透明前面板; 塡充層,其係透過已透過前述前面板之光的塡充層; 太陽電池單元(cell),其係包含受光面,以前述塡充層 固定,自前述受光面接受從前述塡充層透過之光而轉換 成電;及 光再利用片,其係位於前述太陽電池單元的前述受光 面的背面側,含有具有反射不受光的光到前述受光面的 -53- 201025647 反射面的反射層: 前述反射面的高斯曲率爲〇。 7. —種太陽電池模組,其係包含以下元件之太陽電池模組: 透明前面板,其係射入光的透明前面板; 塡充層,其係透過已透過前述前面板之光的塡充層; 太陽電池單元(cell),其係包含受光面,以前述塡充層 固定,自前述受光面接受從前述塡充層透過之光而轉換 成電;及 φ 光再利用片,其係位於前述太陽電池單元的前述受光 面的背面側,含有具有反射不受光的光到前述受光面的 反射面的反射層; 前述反射面中,高斯曲率爲〇的前述反射面的面積所 佔的比率爲前述反射面全體的面積的90%以上。 8. 如申請專利範圍第6或7項之太陽電池模組,其中該反 射面的該前面板側的材質的折射率n、及該前面板的法線 與該反射面的法線形成的角0 (deg)滿足第一式 Θ ^ arc sin( 1 / η) / 2 並且該反射面的頂角a (deg)滿足第二式 a 2 (arcsin(l/n) + 180)/2。 9. 如申請專利範圍第6或7項之太陽電池模組,其中該反 射面的該前面板側的材質的折射率n、及該前面板的法線 與該反射面的法線形成的角Θ (deg)滿足第—式 Θ > arcsin(l / η)/ 2 並且該反射面的頂角a (deg)滿足第二式 a 2 (arcsin(l/n)+ 18〇)/2 • 54 - 201025647 的該反射面的面積所佔的比率爲該反射面全體的面積的 50%以上。 10. 如申請專利範圍第6至9項中任一項之太陽電池模組, 其中該反射面具有凹凸形狀,該凹凸形狀具有周期性》 11. 如申請專利範圍第10項之太陽電池模組,其中該凹凸 形狀的周期的間距爲25 m以上、3 00 M m以下。 12. 如申請專利範圍第10項之太陽電池模組,其中該凹凸 形狀的周期的間距爲50 y m以上、200 μ m以下。
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