JP2000323740A - 集光型太陽光発電装置 - Google Patents
集光型太陽光発電装置Info
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/52—PV systems with concentrators
Landscapes
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 光発電素子間に入射された光を光発電素子に
入射させるようにして、太陽光利用効率を向上させた集
光型太陽光発電装置を提供する。 【解決手段】 一方の面が光入射面となる透明基板と、
前記透明基板の光入射面と反対側の面に設けられる透明
部材と、光反射面を有し、当該光反射面が前記透明部材
と対向するように設けられる光反射層と、前記透明部材
中に設けられる複数の光発電素子とを備える集光型太陽
光発電装置であって、前記光反射層の光反射面は、断面
形状がＶ溝形状の第１のＶ溝と第２のＶ溝とを有し、前
記第１および第２のＶ溝は、それぞれ互いに直交するよ
うに設けられている。
入射させるようにして、太陽光利用効率を向上させた集
光型太陽光発電装置を提供する。 【解決手段】 一方の面が光入射面となる透明基板と、
前記透明基板の光入射面と反対側の面に設けられる透明
部材と、光反射面を有し、当該光反射面が前記透明部材
と対向するように設けられる光反射層と、前記透明部材
中に設けられる複数の光発電素子とを備える集光型太陽
光発電装置であって、前記光反射層の光反射面は、断面
形状がＶ溝形状の第１のＶ溝と第２のＶ溝とを有し、前
記第１および第２のＶ溝は、それぞれ互いに直交するよ
うに設けられている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、集光型太陽光発電
装置に係わり、特に、太陽光利用効率を向上させる際に
有効な技術に関する。
装置に係わり、特に、太陽光利用効率を向上させる際に
有効な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の発電用太陽電池は、透明ガラスの
下に光発電素子を隙間が少なくなるように配列させ、さ
らに、この下に湿度等の周囲環境条件から光発電素子を
保護するために、ポリフッ化ビニル（以下、単にＰＶＦ
と称する。）から成る保護膜を接着するようにしてい
た。最近では、例えば、特開平１０−２８４７４７号に
記載されているように、光発電素子の配列間隔を広げ、
光発電素子の使用量をわずかでも少なくする工夫がなさ
れている。
下に光発電素子を隙間が少なくなるように配列させ、さ
らに、この下に湿度等の周囲環境条件から光発電素子を
保護するために、ポリフッ化ビニル（以下、単にＰＶＦ
と称する。）から成る保護膜を接着するようにしてい
た。最近では、例えば、特開平１０−２８４７４７号に
記載されているように、光発電素子の配列間隔を広げ、
光発電素子の使用量をわずかでも少なくする工夫がなさ
れている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】前記公報（特開平１０
−２８４７４７号）に記載されている発電用太陽電池
は、光発電素子と光発電素子との間に入射された太陽光
を散乱板によって四方八方に散乱させ、その一部を前記
光発電素子に到達させ、発電に寄与させることにより、
入射した太陽光を余すことなく有効に利用するようにし
たものである。しかしながら、前記公報に記載された発
電用太陽電池では、光取り込み率という観点から不十分
であり、光発電素子間に入射された光を５０％以上取り
込みながら、光の集光倍率を１．５以上あるいは２倍以
上とすることはできなかった。本発明は、前記従来技術
の問題点を解決するためになされたものであり、本発明
の目的は、集光型太陽光発電装置において、光発電素子
間に入射された光を光発電素子に入射させるようにし
て、太陽光利用効率を向上させることが可能となる技術
を提供することにある。本発明の前記ならびにその他の
目的と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によ
って明らかにする。
−２８４７４７号）に記載されている発電用太陽電池
は、光発電素子と光発電素子との間に入射された太陽光
を散乱板によって四方八方に散乱させ、その一部を前記
光発電素子に到達させ、発電に寄与させることにより、
入射した太陽光を余すことなく有効に利用するようにし
たものである。しかしながら、前記公報に記載された発
電用太陽電池では、光取り込み率という観点から不十分
であり、光発電素子間に入射された光を５０％以上取り
込みながら、光の集光倍率を１．５以上あるいは２倍以
上とすることはできなかった。本発明は、前記従来技術
の問題点を解決するためになされたものであり、本発明
の目的は、集光型太陽光発電装置において、光発電素子
間に入射された光を光発電素子に入射させるようにし
て、太陽光利用効率を向上させることが可能となる技術
を提供することにある。本発明の前記ならびにその他の
目的と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によ
って明らかにする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記の通りである。即ち、本発明は、一方の面が光入射
面となる透明基板と、前記透明基板の光入射面と反対側
の面に設けられる透明部材と、前記透明基板の光入射面
と反対側の面側に設けられる光反射層と、前記透明部材
中に設けられる複数の光発電素子とを備える集光型太陽
光発電装置であって、前記光反射層は、その光反射面
が、前記透明基板の光入射面から入射され当該光反射面
に到達した光が、当該光反射面で反射された後、前記透
明基板の光入射面の裏面で全反射されて、前記複数の光
発電素子の一つに入射するような断面形状を有すること
を特徴とする。また、本発明は、一方の面が光入射面と
なる透明基板と、前記透明基板の光入射面と反対側の面
に設けられる透明部材と、光反射面を有し、当該光反射
面が前記透明部材と対向するように設けられる光反射層
と、前記透明部材中に設けられる複数の光発電素子とを
備える集光型太陽光発電装置であって、前記光反射層の
光反射面は、断面形状がＶ溝形状の第１のＶ溝と第２の
Ｖ溝とを有し、前記第１および第２のＶ溝は、それぞれ
互いに直交するように設けられていることを特徴とす
る。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記の通りである。即ち、本発明は、一方の面が光入射
面となる透明基板と、前記透明基板の光入射面と反対側
の面に設けられる透明部材と、前記透明基板の光入射面
と反対側の面側に設けられる光反射層と、前記透明部材
中に設けられる複数の光発電素子とを備える集光型太陽
光発電装置であって、前記光反射層は、その光反射面
が、前記透明基板の光入射面から入射され当該光反射面
に到達した光が、当該光反射面で反射された後、前記透
明基板の光入射面の裏面で全反射されて、前記複数の光
発電素子の一つに入射するような断面形状を有すること
を特徴とする。また、本発明は、一方の面が光入射面と
なる透明基板と、前記透明基板の光入射面と反対側の面
に設けられる透明部材と、光反射面を有し、当該光反射
面が前記透明部材と対向するように設けられる光反射層
と、前記透明部材中に設けられる複数の光発電素子とを
備える集光型太陽光発電装置であって、前記光反射層の
光反射面は、断面形状がＶ溝形状の第１のＶ溝と第２の
Ｖ溝とを有し、前記第１および第２のＶ溝は、それぞれ
互いに直交するように設けられていることを特徴とす
る。
【０００５】また、本発明は、一方の面が光入射面とな
る透明基板と、前記透明基板の光入射面と反対側の面に
設けられる透明部材と、光反射面を有し、当該光反射面
が前記透明部材と対向するように設けられる光反射層
と、前記透明部材中に設けられる複数の光発電素子とを
備える集光型太陽光発電装置であって、前記光反射層の
光反射面は、断面形状がＶ溝形状の第１のＶ溝と、前記
第１のＶ溝の斜面に設けられ断面形状がＶ溝形状の第２
のＶ溝とを有し、前記第１のＶ溝および第２のＶ溝は、
それぞれ互いに直交するように設けられていることを特
徴とする。また、本発明は、一方の面が光入射面となる
透明基板と、前記透明基板の光入射面と反対側の面に設
けられる透明部材と、前記透明部材中に設けられる複数
の光発電素子と、光反射面を有し、当該光反射面が前記
透明部材と対向するように設けられる光反射層で、前記
各光発電素子の直下領域に設けられる第１の光反射層
と、前記各光発電素子の前記透明基板の光入射面から遠
い方の面側に設けられ、光反射面を有する第２の光反射
層と、前記透明部材と対向するように設けられるミラー
で、前記第１の光反射層の間に設けられるミラーとを備
える集光型太陽光発電装置であって、前記第１の光反射
層の光反射面は、断面形状がＶ溝形状の第１のＶ溝を有
し、前記第２の光反射層の光反射面は、断面形状がＶ溝
形状の第２のＶ溝を有し、前記第１のＶ溝および第２の
Ｖ溝は、それぞれ互いに直交するように設けられている
ことを特徴とする。
る透明基板と、前記透明基板の光入射面と反対側の面に
設けられる透明部材と、光反射面を有し、当該光反射面
が前記透明部材と対向するように設けられる光反射層
と、前記透明部材中に設けられる複数の光発電素子とを
備える集光型太陽光発電装置であって、前記光反射層の
光反射面は、断面形状がＶ溝形状の第１のＶ溝と、前記
第１のＶ溝の斜面に設けられ断面形状がＶ溝形状の第２
のＶ溝とを有し、前記第１のＶ溝および第２のＶ溝は、
それぞれ互いに直交するように設けられていることを特
徴とする。また、本発明は、一方の面が光入射面となる
透明基板と、前記透明基板の光入射面と反対側の面に設
けられる透明部材と、前記透明部材中に設けられる複数
の光発電素子と、光反射面を有し、当該光反射面が前記
透明部材と対向するように設けられる光反射層で、前記
各光発電素子の直下領域に設けられる第１の光反射層
と、前記各光発電素子の前記透明基板の光入射面から遠
い方の面側に設けられ、光反射面を有する第２の光反射
層と、前記透明部材と対向するように設けられるミラー
で、前記第１の光反射層の間に設けられるミラーとを備
える集光型太陽光発電装置であって、前記第１の光反射
層の光反射面は、断面形状がＶ溝形状の第１のＶ溝を有
し、前記第２の光反射層の光反射面は、断面形状がＶ溝
形状の第２のＶ溝を有し、前記第１のＶ溝および第２の
Ｖ溝は、それぞれ互いに直交するように設けられている
ことを特徴とする。
【０００６】また、本発明は、前記第１および第２のＶ
溝は、その開き角度が１２０度±１０度以内、望ましく
は、１２０度±５度以内であることを特徴とする。ま
た、本発明は、一方の面が光入射面となる透明基板と、
前記透明基板の光入射面と反対側の面に設けられる透明
部材と、光反射面を有し、当該光反射面が前記透明部材
と対向するように設けられる光反射層と、前記透明部材
中に設けられる複数の光発電素子とを備える集光型太陽
光発電装置であって、前記光反射層の光反射面は、断面
形状がピラミッド形状の凹部あるいは凸部を有すること
を特徴とする。また、本発明は、前記ピラミッド形状の
凹部あるいは凸部は、その頂点の角度が１２０度±１０
度以内、望ましくは、１２０度±５度以内であることを
特徴とする。
溝は、その開き角度が１２０度±１０度以内、望ましく
は、１２０度±５度以内であることを特徴とする。ま
た、本発明は、一方の面が光入射面となる透明基板と、
前記透明基板の光入射面と反対側の面に設けられる透明
部材と、光反射面を有し、当該光反射面が前記透明部材
と対向するように設けられる光反射層と、前記透明部材
中に設けられる複数の光発電素子とを備える集光型太陽
光発電装置であって、前記光反射層の光反射面は、断面
形状がピラミッド形状の凹部あるいは凸部を有すること
を特徴とする。また、本発明は、前記ピラミッド形状の
凹部あるいは凸部は、その頂点の角度が１２０度±１０
度以内、望ましくは、１２０度±５度以内であることを
特徴とする。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。なお、実施の形態を説明す
るための全図において、同一機能を有するものは同一符
号を付け、その繰り返しの説明は省略する。 ［実施の形態１］図１は、本発明の実施の形態１の集光
型太陽光発電装置の概略構成を示す要部断面図である。
同図において、１−１は厚み３ｍｍ程度のガラス板、１
−２はエチレンー酢酸ビニル共重合体（通称＝ＥＶＡ、
以下、単に、ＥＶＡと称する。）、１−３は片面受光光
発電素子（太陽電池）、１−５はＶ溝光反射層（１）、
１−６はミラー、１−７はＶ溝光反射層（２）、１−８
は保護膜（ＰＶＦ）、１−９は側面反射面である。ＥＶ
Ａ（１−２）は、ガラス板（１−１）と、光発電素子
（１−３）およびＶ溝光反射層（１）（１−５）並びに
Ｖ溝光反射層（２）（１−７）とを接着する機能を有す
る。
施の形態を詳細に説明する。なお、実施の形態を説明す
るための全図において、同一機能を有するものは同一符
号を付け、その繰り返しの説明は省略する。 ［実施の形態１］図１は、本発明の実施の形態１の集光
型太陽光発電装置の概略構成を示す要部断面図である。
同図において、１−１は厚み３ｍｍ程度のガラス板、１
−２はエチレンー酢酸ビニル共重合体（通称＝ＥＶＡ、
以下、単に、ＥＶＡと称する。）、１−３は片面受光光
発電素子（太陽電池）、１−５はＶ溝光反射層（１）、
１−６はミラー、１−７はＶ溝光反射層（２）、１−８
は保護膜（ＰＶＦ）、１−９は側面反射面である。ＥＶ
Ａ（１−２）は、ガラス板（１−１）と、光発電素子
（１−３）およびＶ溝光反射層（１）（１−５）並びに
Ｖ溝光反射層（２）（１−７）とを接着する機能を有す
る。
【０００８】本実施の形態において、光発電素子（１−
３）は、例えば、図２に示すようにマトリクス状に配置
される。本実施の形態において、ガラス板（１−１）の
光入射面から入射する入射太陽光（１−４）は、以下の
３通りの経路により光発電素子（１−３）に到達して発
電に寄与する。 （一）直接光発電素子（１−３）に到達して発電に寄与
する。 （二）一旦、Ｖ溝光反射層（１）（１−５）に入射し、
Ｖ溝光反射層（１）（１−５）で反射され、ガラス板
（１−１）の光入射面の裏面で全反射となり光発電素子
（１−３）に到達して発電に寄与する。 （三）Ｖ溝光反射層（１）（１−５）に入射し、Ｖ溝光
反射層（１）（１−５）で反射され光発電素子（１−
３）の裏面に到達し、光発電素子（１−３）の裏面に配
置されたミラー（１−６）で反射され、別のＶ溝光反射
層（２）（１−７）に入射し、さらにＶ溝光反射層
（２）（１−７）で反射され、ガラス板（１−１）の太
陽光入射面の裏面で全反射となり、最終的に、光発電素
子（１−３）に到達する。
３）は、例えば、図２に示すようにマトリクス状に配置
される。本実施の形態において、ガラス板（１−１）の
光入射面から入射する入射太陽光（１−４）は、以下の
３通りの経路により光発電素子（１−３）に到達して発
電に寄与する。 （一）直接光発電素子（１−３）に到達して発電に寄与
する。 （二）一旦、Ｖ溝光反射層（１）（１−５）に入射し、
Ｖ溝光反射層（１）（１−５）で反射され、ガラス板
（１−１）の光入射面の裏面で全反射となり光発電素子
（１−３）に到達して発電に寄与する。 （三）Ｖ溝光反射層（１）（１−５）に入射し、Ｖ溝光
反射層（１）（１−５）で反射され光発電素子（１−
３）の裏面に到達し、光発電素子（１−３）の裏面に配
置されたミラー（１−６）で反射され、別のＶ溝光反射
層（２）（１−７）に入射し、さらにＶ溝光反射層
（２）（１−７）で反射され、ガラス板（１−１）の太
陽光入射面の裏面で全反射となり、最終的に、光発電素
子（１−３）に到達する。
【０００９】本実施の形態において、光発電素子（１−
３）の裏面のミラー（１−６）は、光反射を効率良く行
なうために、光発電素子（１−３）の裏面に、アルミニ
ウムあるいは銀などの反射材料を塗布、あるいは蒸着な
どにより形成して構成される。また、Ｖ溝光反射層
（１）（１−５）およびＶ溝光反射層（２）（１−７）
は、厚さ０．０７ミリのアクリル系紫外線硬化樹脂の表
面に銀を蒸着して作成し、そのＶ溝のピッチは０．２ミ
リである。また、Ｖ溝光反射層（１）（１−５）および
Ｖ溝光反射層（２）（１−７）は、そのＶ溝の開き角度
が１２０度±１０度以内、好ましくは、１２０度±５度
が望ましい。なお、Ｖ溝光反射層（１）（１−５）とＶ
溝光反射層（２）（１−７）とは、一体に形成されてい
てもよく、また、それぞれ独立に形成されていてもよ
い。ここで、Ｖ溝光反射層（１）（１−５）と、Ｖ溝光
反射層（２）（１−７）とは、Ｖ溝が互いに直交する形
となるように配置されている。Ｖ溝光反射層（１）（１
−５）は、第１の方向（図１の紙面上で左右方向）に光
を振る作用を有し、Ｖ溝光反射層（２）（１−７）は、
第１の方向と直交する第２の方向（図１の紙面上で垂直
方向）に光の進行を変える役目を有している。これらの
作用により反射された光は、ガラス板（１−１）の光入
射面の裏面での全反射条件を満たす結果となる。
３）の裏面のミラー（１−６）は、光反射を効率良く行
なうために、光発電素子（１−３）の裏面に、アルミニ
ウムあるいは銀などの反射材料を塗布、あるいは蒸着な
どにより形成して構成される。また、Ｖ溝光反射層
（１）（１−５）およびＶ溝光反射層（２）（１−７）
は、厚さ０．０７ミリのアクリル系紫外線硬化樹脂の表
面に銀を蒸着して作成し、そのＶ溝のピッチは０．２ミ
リである。また、Ｖ溝光反射層（１）（１−５）および
Ｖ溝光反射層（２）（１−７）は、そのＶ溝の開き角度
が１２０度±１０度以内、好ましくは、１２０度±５度
が望ましい。なお、Ｖ溝光反射層（１）（１−５）とＶ
溝光反射層（２）（１−７）とは、一体に形成されてい
てもよく、また、それぞれ独立に形成されていてもよ
い。ここで、Ｖ溝光反射層（１）（１−５）と、Ｖ溝光
反射層（２）（１−７）とは、Ｖ溝が互いに直交する形
となるように配置されている。Ｖ溝光反射層（１）（１
−５）は、第１の方向（図１の紙面上で左右方向）に光
を振る作用を有し、Ｖ溝光反射層（２）（１−７）は、
第１の方向と直交する第２の方向（図１の紙面上で垂直
方向）に光の進行を変える役目を有している。これらの
作用により反射された光は、ガラス板（１−１）の光入
射面の裏面での全反射条件を満たす結果となる。
【００１０】また、集光型太陽光発電装置の側面は、光
反射材料からなる側面反射層（１−９）が接着あるいは
蒸着などにより形成されており、この側面反射層（１−
９）に入射する光は、側面反射層（１−９）で反射さ
れ、光発電素子（１−３）に到達する（図１に示すイの
経路）。ここで、光反射層にＶ溝がない場合は、光の進
行方向は点線で表した方向に進み、装置の外に出ていっ
てしまい、発電に寄与しなくなってしまう。いわゆるロ
ス光となって光利用効率が悪くなる。Ｖ溝光反射層
（１）（１−５）およびＶ溝光反射層（２）（１−７）
での反射回数は、Ｖ溝光反射層（１）およびＶ溝光反射
層（２）のそれぞれのＶ溝で奇数回が望ましく、そうす
ることで、ガラス板（１−１）の太陽光入射面の裏面で
の全反射条件を満足することが容易である。そのため、
本実施の形態では、反射回数が、Ｖ溝光反射層（１）
（１−５）およびＶ溝光反射層（２）（１−７）のそれ
ぞれのＶ溝で奇数回となるように、ガラス板（１−１）
あるいはＥＶＡ（１−２）の厚さ、光発電素子（１−
３）の幅および配列ピッチを設定している。
反射材料からなる側面反射層（１−９）が接着あるいは
蒸着などにより形成されており、この側面反射層（１−
９）に入射する光は、側面反射層（１−９）で反射さ
れ、光発電素子（１−３）に到達する（図１に示すイの
経路）。ここで、光反射層にＶ溝がない場合は、光の進
行方向は点線で表した方向に進み、装置の外に出ていっ
てしまい、発電に寄与しなくなってしまう。いわゆるロ
ス光となって光利用効率が悪くなる。Ｖ溝光反射層
（１）（１−５）およびＶ溝光反射層（２）（１−７）
での反射回数は、Ｖ溝光反射層（１）およびＶ溝光反射
層（２）のそれぞれのＶ溝で奇数回が望ましく、そうす
ることで、ガラス板（１−１）の太陽光入射面の裏面で
の全反射条件を満足することが容易である。そのため、
本実施の形態では、反射回数が、Ｖ溝光反射層（１）
（１−５）およびＶ溝光反射層（２）（１−７）のそれ
ぞれのＶ溝で奇数回となるように、ガラス板（１−１）
あるいはＥＶＡ（１−２）の厚さ、光発電素子（１−
３）の幅および配列ピッチを設定している。
【００１１】本実施の形態においては、光発電素子（１
−３）は、ガラス板（１−１）側から入射した太陽光を
受光して発電を行なっている。即ち、本実施の形態にお
いて、図３に示すＬａの部分に入射する太陽光（１−
４）は、そのまま光発電素子（１−３）に入射される。
また、図３に示すＬｂの部分に入射する太陽光（１−
４）は、Ｖ溝光反射層（１）（１−５）あるいはＶ溝光
反射層（２）（１−７）により反射されて、光発電素子
（１−３）に入射される。今、光発電素子（１−３）に
入射される光が、図３に示すＬａの部分のみの状態のと
きを、光の集光倍率（（Ｌａ＋Ｌｂ）／Ｌａ）を１と
し、また、Ｌｂ≧Ｌａ／２であれば、本実施の形態の集
光型太陽光発電装置では、光発電素子（１−３）間に入
射された光を５０％以上取り込みながら、光の集光倍率
を１．５以上あるいは２倍以上とすることができる。こ
のように、本実施の形態の光発電素子（１−３）は、片
面受光光発電素子にもかかわらず、本実施の形態では、
光発電素子（１−３）の裏面に入射した光も発電に寄与
している。本来ならば、光発電素子（１−３）の裏側に
入射した光を発電に寄与させる場合には、光発電素子
（１−３）として、裏面でも受光する両面受光光発電素
子が必要である。しかしながら、本実施の形態では、製
造容易な片面受光光発電素子（１−３）を用いて、あた
かも、製造が難しい両面受光光発電素子（１−３）を使
用した如く発電することができる。
−３）は、ガラス板（１−１）側から入射した太陽光を
受光して発電を行なっている。即ち、本実施の形態にお
いて、図３に示すＬａの部分に入射する太陽光（１−
４）は、そのまま光発電素子（１−３）に入射される。
また、図３に示すＬｂの部分に入射する太陽光（１−
４）は、Ｖ溝光反射層（１）（１−５）あるいはＶ溝光
反射層（２）（１−７）により反射されて、光発電素子
（１−３）に入射される。今、光発電素子（１−３）に
入射される光が、図３に示すＬａの部分のみの状態のと
きを、光の集光倍率（（Ｌａ＋Ｌｂ）／Ｌａ）を１と
し、また、Ｌｂ≧Ｌａ／２であれば、本実施の形態の集
光型太陽光発電装置では、光発電素子（１−３）間に入
射された光を５０％以上取り込みながら、光の集光倍率
を１．５以上あるいは２倍以上とすることができる。こ
のように、本実施の形態の光発電素子（１−３）は、片
面受光光発電素子にもかかわらず、本実施の形態では、
光発電素子（１−３）の裏面に入射した光も発電に寄与
している。本来ならば、光発電素子（１−３）の裏側に
入射した光を発電に寄与させる場合には、光発電素子
（１−３）として、裏面でも受光する両面受光光発電素
子が必要である。しかしながら、本実施の形態では、製
造容易な片面受光光発電素子（１−３）を用いて、あた
かも、製造が難しい両面受光光発電素子（１−３）を使
用した如く発電することができる。
【００１２】以上説明したように、本実施の形態では、
光発電素子（１−３）の配列間隔を従来のものより大き
くできる。その上、本実施の形態では、光発電素子（１
−３）間に入射した太陽光も、Ｖ溝光反射層（１）（１
−５）およびＶ溝光反射層（２）（１−７）によって、
最終的には光発電素子（１−３）に誘導し、発電に寄与
させている。そのため、本実施の形態では、光利用効率
を低下することなく集光倍率を大きくすることができ
る。
光発電素子（１−３）の配列間隔を従来のものより大き
くできる。その上、本実施の形態では、光発電素子（１
−３）間に入射した太陽光も、Ｖ溝光反射層（１）（１
−５）およびＶ溝光反射層（２）（１−７）によって、
最終的には光発電素子（１−３）に誘導し、発電に寄与
させている。そのため、本実施の形態では、光利用効率
を低下することなく集光倍率を大きくすることができ
る。
【００１３】図４は、本実施の形態の集光型太陽光発電
装置の製造方法を説明するための図である。以下、図４
を用いて、本実施の形態の集光型太陽光発電装置の製造
方法を説明する。初めに、同図（ａ）に示すように、ガ
ラス基板（１−１）上に、シート状のＥＶＡ（２−０）
を複数枚重ねて配置する。次に、ガラス基板（１−１）
上に配置されたＥＶＡ（２−０）の上から型（２−４）
を押付けながら、真空容器中で泡の巻き込みをなくすよ
うに真空脱気しながら、ＥＶＡ（２−０）の溶融温度
（１２０℃）まで加熱した後、さらに、１５０℃まで温
度を上昇させ、ＥＶＡ（２−０）を架橋・硬化させて型
（２−４）から取り出す。これにより、同図（ｂ）に示
すように、架橋・硬化されたＥＶＡ（２−０）に、光発
電素子（１−３）を埋め込むための凹部（２−１）を形
成する。この場合に、ガラス基板（１−１）とＥＶＡ
（２−０）とは、ＥＶＡ（２−０）の溶着現象により特
別の接着剤を必要とせず、強力に接着される。なお、前
記した温度条件は、使用するＥＶＡの特性によるもので
あり、別のＥＶＡを使用した場合は、この限りではな
い。
装置の製造方法を説明するための図である。以下、図４
を用いて、本実施の形態の集光型太陽光発電装置の製造
方法を説明する。初めに、同図（ａ）に示すように、ガ
ラス基板（１−１）上に、シート状のＥＶＡ（２−０）
を複数枚重ねて配置する。次に、ガラス基板（１−１）
上に配置されたＥＶＡ（２−０）の上から型（２−４）
を押付けながら、真空容器中で泡の巻き込みをなくすよ
うに真空脱気しながら、ＥＶＡ（２−０）の溶融温度
（１２０℃）まで加熱した後、さらに、１５０℃まで温
度を上昇させ、ＥＶＡ（２−０）を架橋・硬化させて型
（２−４）から取り出す。これにより、同図（ｂ）に示
すように、架橋・硬化されたＥＶＡ（２−０）に、光発
電素子（１−３）を埋め込むための凹部（２−１）を形
成する。この場合に、ガラス基板（１−１）とＥＶＡ
（２−０）とは、ＥＶＡ（２−０）の溶着現象により特
別の接着剤を必要とせず、強力に接着される。なお、前
記した温度条件は、使用するＥＶＡの特性によるもので
あり、別のＥＶＡを使用した場合は、この限りではな
い。
【００１４】次に、同図（ｃ）に示すように、凹部（２
−１）内に光発電素子（１−３）が埋め込まれたＥＶＡ
（２−０）の上に、シート状のＥＶＡ（２−２）を複数
枚重ねて配置し、さらに、その上にＶ溝光反射層（１）
（１−５）およびＶ溝光反射層（２）（１−７）を配置
する。なお、図示はしていないが、光発電素子（１−
３）の裏面はミラー（１−６）が形成されている。次
に、押し治具（２−５）により、これらを密着するよう
に押しつけ、真空容器中で脱気、加熱して、ガラス基板
（１−１）上に、ＥＶＡ（１−２）、光発電素子（１−
３）およびＶ溝光反射層（１）（１−５）およびＶ溝光
反射層（２）（１−７）を取り付ける。次に、同図
（ｄ）に示すように、Ｖ溝光反射層（１）（１−５）お
よびＶ溝光反射層（２）（１−７）の上に保護膜（１−
８）を接着し、また、側面に側面反射層（１−９）を接
着して、本実施の形態の集光型光発電装置を作成する。
−１）内に光発電素子（１−３）が埋め込まれたＥＶＡ
（２−０）の上に、シート状のＥＶＡ（２−２）を複数
枚重ねて配置し、さらに、その上にＶ溝光反射層（１）
（１−５）およびＶ溝光反射層（２）（１−７）を配置
する。なお、図示はしていないが、光発電素子（１−
３）の裏面はミラー（１−６）が形成されている。次
に、押し治具（２−５）により、これらを密着するよう
に押しつけ、真空容器中で脱気、加熱して、ガラス基板
（１−１）上に、ＥＶＡ（１−２）、光発電素子（１−
３）およびＶ溝光反射層（１）（１−５）およびＶ溝光
反射層（２）（１−７）を取り付ける。次に、同図
（ｄ）に示すように、Ｖ溝光反射層（１）（１−５）お
よびＶ溝光反射層（２）（１−７）の上に保護膜（１−
８）を接着し、また、側面に側面反射層（１−９）を接
着して、本実施の形態の集光型光発電装置を作成する。
【００１５】［実施の形態２］図５は、本発明の実施の
形態２の集光型太陽光発電装置の概略構成を示す要部断
面図である。本実施の形態は、前記実施の形態１におい
て、光発電素子（１−３）の裏面に配置したミラー（１
−６）と、Ｖ溝光反射層（２）（１−７）とを入れ替え
たものであり、本実施の形態においても、前記実施の形
態１と同様の効果を得ることができる。
形態２の集光型太陽光発電装置の概略構成を示す要部断
面図である。本実施の形態は、前記実施の形態１におい
て、光発電素子（１−３）の裏面に配置したミラー（１
−６）と、Ｖ溝光反射層（２）（１−７）とを入れ替え
たものであり、本実施の形態においても、前記実施の形
態１と同様の効果を得ることができる。
【００１６】［実施の形態３］図６は、本発明の実施の
形態３の集光型太陽光発電装置に使用される光反射層の
概略構成を示す斜視図である。本実施の形態の光反射層
（３−０）は、断面形状がＶ溝形状のＶ溝（１）（３−
１）と、このＶ溝（１）（３−１）の斜面に形成される
断面形状がＶ溝形状のＶ溝（２）（３−２）とで構成さ
れる。ここで、Ｖ溝（１）（３−１）は、そのＶ溝の開
き角度が１２０度、ピッチが０．２ミリであり、また、
Ｖ溝（２）（３−２）は、そのＶ溝の開き角度が１２０
度、ピッチ０．０５ミリであり、このＶ溝（１）（３−
１）とＶ溝（２）（３−２）とは互いに直交している。
前記実施の形態１、２では、Ｖ溝光反射層（１）（１−
５）およびＶ溝光反射層（２）（１−７）の配列を、光
発電素子（１−３）の真下とそうでない部分とで変える
ように考慮していたが、本実施の形態の光反射層（３−
０）を使用する場合は、配列を考慮する必要はなくな
り、集光型太陽光発電装置の製造工程が容易となる。
形態３の集光型太陽光発電装置に使用される光反射層の
概略構成を示す斜視図である。本実施の形態の光反射層
（３−０）は、断面形状がＶ溝形状のＶ溝（１）（３−
１）と、このＶ溝（１）（３−１）の斜面に形成される
断面形状がＶ溝形状のＶ溝（２）（３−２）とで構成さ
れる。ここで、Ｖ溝（１）（３−１）は、そのＶ溝の開
き角度が１２０度、ピッチが０．２ミリであり、また、
Ｖ溝（２）（３−２）は、そのＶ溝の開き角度が１２０
度、ピッチ０．０５ミリであり、このＶ溝（１）（３−
１）とＶ溝（２）（３−２）とは互いに直交している。
前記実施の形態１、２では、Ｖ溝光反射層（１）（１−
５）およびＶ溝光反射層（２）（１−７）の配列を、光
発電素子（１−３）の真下とそうでない部分とで変える
ように考慮していたが、本実施の形態の光反射層（３−
０）を使用する場合は、配列を考慮する必要はなくな
り、集光型太陽光発電装置の製造工程が容易となる。
【００１７】［実施の形態４］図７は、本発明の実施の
形態４の集光型太陽光発電装置に使用される光反射層の
概略構成を示す斜視図である。本実施の形態の光反射層
（４−０）は、その断面形状が逆ピラミッド形状の逆ピ
ラミッド溝（凹部）（４−１）を有し、この逆ピラミッ
ド溝（４−１）は、その頂点の角度が１２０度、その配
列ピッチは０．２ミリである。なお、逆ピラミッド溝
（４−１）表面には、光反射用の金属（アルミや銀な
ど）が蒸着等の手法により形成されている。前記実施の
形態１、２では、Ｖ溝光反射層（１）（１−５）および
Ｖ溝光反射層（２）（１−７）の配列を、光発電素子
（１−３）の真下とそうでない部分とで変えるように考
慮していたが、本実施の形態の光反射層（４−０）を使
用する場合は、配列を考慮する必要はなくなり、集光型
太陽光発電装置を製造工程が容易となる。また、光反射
層（４−０）の断面形状は、ピラミッド形状の凹部に限
らず、ピラミッド形状の凸部の場合も同様な効果を有す
る。以上、本発明者によってなされた発明を、前記実施
の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実
施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲において種々変更可能であることは勿論であ
る。
形態４の集光型太陽光発電装置に使用される光反射層の
概略構成を示す斜視図である。本実施の形態の光反射層
（４−０）は、その断面形状が逆ピラミッド形状の逆ピ
ラミッド溝（凹部）（４−１）を有し、この逆ピラミッ
ド溝（４−１）は、その頂点の角度が１２０度、その配
列ピッチは０．２ミリである。なお、逆ピラミッド溝
（４−１）表面には、光反射用の金属（アルミや銀な
ど）が蒸着等の手法により形成されている。前記実施の
形態１、２では、Ｖ溝光反射層（１）（１−５）および
Ｖ溝光反射層（２）（１−７）の配列を、光発電素子
（１−３）の真下とそうでない部分とで変えるように考
慮していたが、本実施の形態の光反射層（４−０）を使
用する場合は、配列を考慮する必要はなくなり、集光型
太陽光発電装置を製造工程が容易となる。また、光反射
層（４−０）の断面形状は、ピラミッド形状の凹部に限
らず、ピラミッド形状の凸部の場合も同様な効果を有す
る。以上、本発明者によってなされた発明を、前記実施
の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実
施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲において種々変更可能であることは勿論であ
る。
【００１８】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記の通りである。 （１）本発明によれば、光反射層により、透明基板の光
入射面から入射され光反射層に到達した光を、複数の光
発電素子の一つに誘導するようにしたので、太陽光利用
効率を向上させることが可能となる。 （２）本発明によれば、製造が容易な片面受光光発電素
子を用いて、両面受光光発電素子を使用したものと同等
の太陽光利用効率を得ることが可能となる。
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記の通りである。 （１）本発明によれば、光反射層により、透明基板の光
入射面から入射され光反射層に到達した光を、複数の光
発電素子の一つに誘導するようにしたので、太陽光利用
効率を向上させることが可能となる。 （２）本発明によれば、製造が容易な片面受光光発電素
子を用いて、両面受光光発電素子を使用したものと同等
の太陽光利用効率を得ることが可能となる。
【図１】本発明の実施の形態１の集光型太陽光発電装置
の概略構成を示す要部断面図である。
の概略構成を示す要部断面図である。
【図２】本発明の実施の形態１の集光型太陽光発電装置
における光発電素子の配置例を示す図である。
における光発電素子の配置例を示す図である。
【図３】本発明の実施の形態１の集光型太陽光発電装置
における光の集光倍率を説明するための図である。
における光の集光倍率を説明するための図である。
【図４】本発明の実施の形態１の集光型太陽光発電装置
の製造方法を説明するための図である。
の製造方法を説明するための図である。
【図５】本発明の実施の形態２の集光型太陽光発電装置
の概略構成を示す要部断面図である。
の概略構成を示す要部断面図である。
【図６】本発明の実施の形態３の集光型太陽光発電装置
に使用される光反射層の概略構成を示す斜視図である。
に使用される光反射層の概略構成を示す斜視図である。
【図７】本発明の実施の形態４の集光型太陽光発電装置
に使用される光反射層の概略構成を示す斜視図である。
に使用される光反射層の概略構成を示す斜視図である。
１−１…ガラス板、１−２，２−０，２−２…エチレン
ー酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）、１−３…光発電素
子、１−４…入射太陽光、１−５…Ｖ溝光反射層
（１）、１−６…ミラー、１−７…Ｖ溝光反射層
（２）、１−８…保護膜、１ー９…側面反射層、２−１
…凹部、２−４…型、２−５…押し治具、３−０，４−
０…光反射層、３−１…Ｖ溝（１）、３−２…Ｖ溝
（２）、４−１…逆ピラミッド溝。
ー酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）、１−３…光発電素
子、１−４…入射太陽光、１−５…Ｖ溝光反射層
（１）、１−６…ミラー、１−７…Ｖ溝光反射層
（２）、１−８…保護膜、１ー９…側面反射層、２−１
…凹部、２−４…型、２−５…押し治具、３−０，４−
０…光反射層、３−１…Ｖ溝（１）、３−２…Ｖ溝
（２）、４−１…逆ピラミッド溝。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１２年６月１２日（２０００．６．１
２）
２）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００４】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記の通りである。即ち、本発明は、一方の面が光入射
面となる透明基板と、前記透明基板の光入射面と反対側
の面に設けられる透明部材と、前記透明基板の光入射面
と反対側の面側に設けられる光反射層と、前記透明部材
中に設けられる複数の光発電素子と、前記各光発電素子
の前記透明基板の光入射面から遠い方の面側に設けら
れ、その光反射面が前記光反射層と対向するミラーとを
備える集光型太陽光発電装置であって、前記光反射層
は、その光反射面が、前記透明基板の光入射面から入射
され当該光反射面に到達した光が、当該光反射面で反射
された後、前記透明基板の光入射面の裏面で全反射され
て、前記複数の光発電素子の一つに入射するような断面
形状を有することを特徴とする。また、本発明は、一方
の面が光入射面となる透明基板と、前記透明基板の光入
射面と反対側の面に設けられる透明部材と、光反射面を
有し、当該光反射面が前記透明部材と対向するように設
けられる光反射層と、前記透明部材中に設けられる複数
の光発電素子とを備える集光型太陽光発電装置であっ
て、前記光反射層の光反射面は、断面形状がＶ溝形状の
第１のＶ溝と第２のＶ溝とを有し、前記第１および第２
のＶ溝は、それぞれ互いに直交するように設けられてい
ることを特徴とする。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記の通りである。即ち、本発明は、一方の面が光入射
面となる透明基板と、前記透明基板の光入射面と反対側
の面に設けられる透明部材と、前記透明基板の光入射面
と反対側の面側に設けられる光反射層と、前記透明部材
中に設けられる複数の光発電素子と、前記各光発電素子
の前記透明基板の光入射面から遠い方の面側に設けら
れ、その光反射面が前記光反射層と対向するミラーとを
備える集光型太陽光発電装置であって、前記光反射層
は、その光反射面が、前記透明基板の光入射面から入射
され当該光反射面に到達した光が、当該光反射面で反射
された後、前記透明基板の光入射面の裏面で全反射され
て、前記複数の光発電素子の一つに入射するような断面
形状を有することを特徴とする。また、本発明は、一方
の面が光入射面となる透明基板と、前記透明基板の光入
射面と反対側の面に設けられる透明部材と、光反射面を
有し、当該光反射面が前記透明部材と対向するように設
けられる光反射層と、前記透明部材中に設けられる複数
の光発電素子とを備える集光型太陽光発電装置であっ
て、前記光反射層の光反射面は、断面形状がＶ溝形状の
第１のＶ溝と第２のＶ溝とを有し、前記第１および第２
のＶ溝は、それぞれ互いに直交するように設けられてい
ることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００５】また、本発明は、一方の面が光入射面とな
る透明基板と、前記透明基板の光入射面と反対側の面に
設けられる透明部材と、光反射面を有し、当該光反射面
が前記透明部材と対向するように設けられる光反射層
と、前記透明部材中に設けられる複数の光発電素子とを
備える集光型太陽光発電装置であって、前記光反射層の
光反射面は、断面形状がＶ溝形状の第１のＶ溝と、前記
第１のＶ溝の斜面に設けられ断面形状がＶ溝形状の第２
のＶ溝とを有し、前記第１のＶ溝および第２のＶ溝は、
それぞれ互いに直交するように設けられていることを特
徴とする。また、本発明は、一方の面が光入射面となる
透明基板と、前記透明基板の光入射面と反対側の面に設
けられる透明部材と、前記透明部材中に設けられる複数
の光発電素子と、光反射面を有し、当該光反射面が前記
透明部材と対向するように設けられる第１の光反射層
と、前記各光発電素子の直下領域に設けられ、その光反
射面が前記透明部材と対向するように設けられるミラー
と、前記各光発電素子の前記透明基板の光入射面から遠
い方の面側に設けられ、光反射面が前記ミラーと対向す
る第２の光反射層とを備える集光型太陽光発電装置であ
って、前記第１の光反射層の光反射面は、断面形状がＶ
溝形状の第１のＶ溝を有し、前記第２の光反射層の光反
射面は、断面形状がＶ溝形状の第２のＶ溝を有し、前記
第１のＶ溝および第２のＶ溝は、それぞれ互いに直交す
るように設けられていることを特徴とする。
る透明基板と、前記透明基板の光入射面と反対側の面に
設けられる透明部材と、光反射面を有し、当該光反射面
が前記透明部材と対向するように設けられる光反射層
と、前記透明部材中に設けられる複数の光発電素子とを
備える集光型太陽光発電装置であって、前記光反射層の
光反射面は、断面形状がＶ溝形状の第１のＶ溝と、前記
第１のＶ溝の斜面に設けられ断面形状がＶ溝形状の第２
のＶ溝とを有し、前記第１のＶ溝および第２のＶ溝は、
それぞれ互いに直交するように設けられていることを特
徴とする。また、本発明は、一方の面が光入射面となる
透明基板と、前記透明基板の光入射面と反対側の面に設
けられる透明部材と、前記透明部材中に設けられる複数
の光発電素子と、光反射面を有し、当該光反射面が前記
透明部材と対向するように設けられる第１の光反射層
と、前記各光発電素子の直下領域に設けられ、その光反
射面が前記透明部材と対向するように設けられるミラー
と、前記各光発電素子の前記透明基板の光入射面から遠
い方の面側に設けられ、光反射面が前記ミラーと対向す
る第２の光反射層とを備える集光型太陽光発電装置であ
って、前記第１の光反射層の光反射面は、断面形状がＶ
溝形状の第１のＶ溝を有し、前記第２の光反射層の光反
射面は、断面形状がＶ溝形状の第２のＶ溝を有し、前記
第１のＶ溝および第２のＶ溝は、それぞれ互いに直交す
るように設けられていることを特徴とする。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 矢澤 義昭 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 村松 信一 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 筒井 謙 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 大塚 寛之 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 峯邑 純子 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 Ｆターム(参考） 2H042 DA02 DA04 DA11 DC02 DD01 DE03 5F051 BA13 GA03 JA02 JA04 JA14
Claims (12)
- 【請求項１】 一方の面が光入射面となる透明基板と、 前記透明基板の光入射面と反対側の面に設けられる透明
部材と、 前記透明基板の光入射面と反対側の面側に設けられる光
反射層と、 前記透明部材中に設けられる複数の光発電素子とを備え
る集光型太陽光発電装置であって、 前記光反射層は、その光反射面が、前記透明基板の光入
射面から入射され当該光反射面に到達した光が、当該光
反射面で反射された後、前記透明基板の光入射面の裏面
で全反射されて、前記複数の光発電素子の一つに入射す
るような断面形状を有することを特徴とする集光型太陽
光発電装置。 - 【請求項２】 一方の面が光入射面となる透明基板と、 前記透明基板の光入射面と反対側の面に設けられる透明
部材と、 光反射面を有し、当該光反射面が前記透明部材と対向す
るように設けられる光反射層と、 前記透明部材中に設けられる複数の光発電素子とを備え
る集光型太陽光発電装置であって、 前記光反射層の光反射面は、断面形状がＶ溝形状の第１
のＶ溝と第２のＶ溝とを有し、 前記第１および第２のＶ溝は、それぞれ互いに直交する
ように設けられていることを特徴とする集光型太陽光発
電装置。 - 【請求項３】 前記光反射層は、第１のＶ溝を有する第
１の光反射層と、第２のＶ溝を有する第２の光反射層と
に分離されていることを特徴とする請求項２に記載の集
光型太陽光発電装置。 - 【請求項４】 一方の面が光入射面となる透明基板と、 前記透明基板の光入射面と反対側の面に設けられる透明
部材と、 光反射面を有し、当該光反射面が前記透明部材と対向す
るように設けられる光反射層と、 前記透明部材中に設けられる複数の光発電素子とを備え
る集光型太陽光発電装置であって、 前記光反射層の光反射面は、断面形状がＶ溝形状の第１
のＶ溝と、 前記第１のＶ溝の斜面に設けられ断面形状がＶ溝形状の
第２のＶ溝とを有し、 前記第１のＶ溝および第２のＶ溝は、それぞれ互いに直
交するように設けられていることを特徴とする集光型太
陽光発電装置。 - 【請求項５】 前記各光発電素子の前記透明基板の光入
射面から遠い方の面側に設けられるミラーを有すること
を特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に
記載の集光型太陽光発電装置。 - 【請求項６】 一方の面が光入射面となる透明基板と、 前記透明基板の光入射面と反対側の面に設けられる透明
部材と、 前記透明部材中に設けられる複数の光発電素子と、 光反射面を有し、当該光反射面が前記透明部材と対向す
るように設けられる光反射層で、前記各光発電素子の直
下領域に設けられる第１の光反射層と、 前記各光発電素子の前記透明基板の光入射面から遠い方
の面側に設けられ、光反射面を有する第２の光反射層
と、 前記透明部材と対向するように設けられるミラーで、前
記第１の光反射層の間に設けられるミラーとを備える集
光型太陽光発電装置であって、 前記第１の光反射層の光反射面は、断面形状がＶ溝形状
の第１のＶ溝を有し、 前記第２の光反射層の光反射面は、断面形状がＶ溝形状
の第２のＶ溝を有し、 前記第１のＶ溝および第２のＶ溝は、それぞれ互いに直
交するように設けられていることを特徴とする集光型太
陽光発電装置。 - 【請求項７】 前記第１および第２のＶ溝は、その開き
角度が１２０度±１０度以内であることを特徴とする請
求項２ないし請求項６のいずれか１項に記載の集光型太
陽光発電装置。 - 【請求項８】 前記第１および第２のＶ溝は、その開き
角度が１２０度±５度以内であることを特徴とする請求
項２ないし請求項６のいずれか１項に記載の集光型太陽
光発電装置。 - 【請求項９】 一方の面が光入射面となる透明基板と、 前記透明基板の光入射面と反対側の面に設けられる透明
部材と、 光反射面を有し、当該光反射面が前記透明部材と対向す
るように設けられる光反射層と、 前記透明部材中に設けられる複数の光発電素子とを備え
る集光型太陽光発電装置であって、 前記光反射層の光反射面は、断面形状がピラミッド形状
の凹部あるいは凸部を有することを特徴とする集光型太
陽光発電装置。 - 【請求項１０】 前記ピラミッド形状の凹部あるいは凸
部は、その頂点の角度が１２０度±１０度以内であるこ
とを特徴とする請求項９に記載の集光型太陽光発電装
置。 - 【請求項１１】 前記ピラミッド形状の凹部あるいは凸
部は、その頂点の角度が１２０度±５度以内であること
を特徴とする請求項９に記載の集光型太陽光発電装置。 - 【請求項１２】 前記各光発電素子の前記透明基板の光
入射面から遠い方の面側に設けられるミラーを有するこ
とを特徴とする請求項９ないし請求項１１のいずれか１
項に記載の集光型太陽光発電装置。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP11129434A JP2000323740A (ja) | 1999-05-11 | 1999-05-11 | 集光型太陽光発電装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11129434A JP2000323740A (ja) | 1999-05-11 | 1999-05-11 | 集光型太陽光発電装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000323740A true JP2000323740A (ja) | 2000-11-24 |
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ID=15009394
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|---|---|---|---|
| JP11129434A Pending JP2000323740A (ja) | 1999-05-11 | 1999-05-11 | 集光型太陽光発電装置 |
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