TW201005750A - Systems and methods for dynamic power savings in electronic memory operation - Google Patents

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TW201005750A TW098112695A TW98112695A TW201005750A TW 201005750 A TW201005750 A TW 201005750A TW 098112695 A TW098112695 A TW 098112695A TW 98112695 A TW98112695 A TW 98112695A TW 201005750 A TW201005750 A TW 201005750A
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Dong-Kyu Park
Mohamed Hassan Abu-Rahma
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Description

201005750 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本揭示案係關於電子記憶體操作,且更具體言 於用於減小記憶體操料之電力消耗之系統及方法。 【先前技術】 電力消耗係電子記憶體操作中所關注的問題。 分為兩個類別’亦即’待用電力與動態電力。在待用或靜
中,記憶體使用最小電力,因為讀取操作與寫入操 均未發生。在存取記憶體以用於讀取及/或寫入之 切換期間發生動態電力消耗。 可藉由限制切換頻康;5 +f A & 換笼羊及/或減小線路電容來減小記憶體 電力消耗,因為··
p~cy2 fA 其中p=動態電力;c為線路電容;v為施加至所操作之 線路之電壓;f為記憶體存取之頻率…為活動因數 (aCtlVlty fact〇r)’亦即’隨著系統循環通過讀取及寫入的 切換之數目》 常常’藉由將記憶體劃分成組且接著—次僅啟用一組來 :理:憶,力消耗。建立組之-原因係為了減小所切換 、電谷之量’且減少切換活動,此又減小動態電力。頻率 常並不非《可控制’因為需要以高頻率操作記憶體。減 生^作之電壓係、減小動態電力之非常有力之技術,因為產 立方」效應’其伴隨頻率之降低。然而,減小電塵影 響效能。限定作·缺夕t i °〜之擺幅亦減小動態電力,但該設計係複 139616.doc 201005750 雜的°減小活動因數(每一循環之切換事件)為減小動態電 力之另一有效技術且依賴於時脈閘控、邏輯最佳化及電路 設計技術(分組(banking)為一良好實例)。除此之外,信號 之適當屏蔽(時間、邏輯及實體)導致動態電力節省,尤其 在寬匯流排結構中。本發明勝過所有此等技術。 【發明内容】 在電子記憶體中藉由將位元線分段且取決於記憶體將被 存取之位置而僅啟用特定位元線片段來實現電力減小。在 實施例中,由鎖存中繼器(latch repeater)將位元線分段 以控制關於超過第一片段之片段之位址選擇。在一實施例 中,允許鎖存中繼器在完成記憶體讀取/寫入循環時保持 在其操作/非操作狀態中,以保持其片段之狀態。此情況 接著避免當在連續循環上存取同一片段時的連續啟用脈 衝。 在實施例中,揭不-記憶體,其具有用於對記憶體進 行資料存取之至少-分段位元線以使得該位元線具有由鎖 存中繼器驅動之片&。在-實施例中,藉由記憶體位址之 特定位元來控制鎖存中繼器之啟用/停用狀態。 在-實施例中,配置一用於電力減小之記憶體操作,以 便將特定區段分段以使得針對特定記憶體存取,輪詢少於 全部的該記憶體。在任何記憶體輪詢循環期間,有可能取 決於經存取之位址而僅啟用必要之記憶體片尸 以上已相當廣泛地概述了本揭示案之特徵:技術優勢, 以便可更好地理解以下之[實施方式 將在下文中描述形 139616.doc 201005750 成申請專利範圍之標的物之額外特徵及優勢。熟習此項技 術者應瞭解,所揭示之概念及特定實施例可容易用作修改 或設計用於執行本揭示案之相同目的之其他結構的基礎。 熟習此項技術者亦應認識到,該等等效構造並不偏離如在 附加申請專利範圍中所闡述的本發明之精神及範疇。當結 纟附圖考慮時’將自以下描述更好地理解咸信為本揭示案 之特性之新穎特徵(均關於其組織及操作方法)以及其他目 標及優勢。然而’應確切地理解,僅為說明及描述之目的 而提供諸圖中之每-者,且諸圖中之每一者並不意欲作為 本發明之限制之定義。 【實施方式】 為了更完全地理解本揭示案,現參看結合隨附圖式進行 之以下描述。 圖1說明先前技術一般記憶體10。此記憶體可為(例 如)SRAM、DRAM、MRAM,或其他記憶體類型。記憶體 • 10通常使用預解碼器(諸如,預解碼器u)及解碼器(諸如, 解碼器13)來建構。記憶體陣列12及14為包含記憶體單元 之陣列。記憶體陣列12、14由可用於讀取及/或寫入之= 多全域位元線(global bit line)(l5為一實例)組成。 «己憶體根據記憶體之大小(位元線之長度)及電力消粍動 態電力,如上文所論述。位元線之電容c主要藉由製造技 術來判定且大致為每一微米〇 25毫微微法拉。因此, 微米位元線將具有與之相關聯的75毫微微法拉之電容。因 此,75 fF之電容將為由切換產生之最小電容。如將綸述 I39616.doc 201005750 的,減小電力消耗可藉由選擇性地變化經啟動以用於給定 記憶體存取之記憶體元件之數目來實現。 圖2展示本揭示案之在記憶體20内使用至少一鎖存中繼 器30 A、30-B、30-C的一實施例。鎖存中繼器3〇_a、3〇_ B、30-C可用於將全域位元線分裂成分段位元線25,藉此 允許針對些s己憶體循環有效地減小位元線之作用中長度 及因此減小電容。電容之減小導致記憶體電力消耗之總體 減小。 鎖存中繼器解碼器23取決於哪個記憶體陣列元件將被存 取而控制在任一給定時間啟動哪個(哪些)鎖存中繼器3〇_ A、 30·Β、3〇_C。鎖存解碼器驅動器(丨討仏dee〇der driVer)22-A、22-B及22-C提供於鎖存中繼器解碼器23内。 鎖存解碼器驅動器22-A、22-B及22-C將中繼器30-A、30- B、 30-C鎖存為在給定時間接通。解碼器驅動器22_a、22_ B、22-C可在任何時間啟用僅一鎖存中繼器或多個鎖存中 繼器 30-A、30-B、30-C。 在所展示之實施例中,記憶體陣列及全域位元線經劃分 成四個區段,且位元線片段由三個鎖存中繼器3〇_A、3〇_b 及3 0-C而分離。此實施例中用於區段1之位元線片段始終 接通且因此在用於區段1之分段位元線25内鎖存_繼器並 非必要的。為了存取區段2中之記憶體元件,必須啟動鎖 存中繼器30-A。同樣’鎖存中繼器30_B控制對區段3之記 憶體存取且鎖存中繼器3 0 - C控制對區段4之記憶體存取。 儘管圖2展示四個區段,但毫無疑問,可取決於使用者 139616.doc 201005750 之需要而將記憶體劃分成任何數目之區段。位元線電容之 減小可使用此分區段方法來達成。舉例而言,若對區段i 進行存取’則解碼器驅動器(例如,22_a)被切斷,且因此 僅產生直至鎖存中繼器30-A之位元線之電容。若對區段2 「之s己憶體存取係所要的,則解碼器驅動器22_A將啟動鎖存 中繼器3 0-A且線路電容將增加。當解碼器驅動器22_B及,或 22-C分別啟動鎖存中繼器3〇_B、3〇_c以用於存取區段^或斗 _ 時,對區段3及4之存取將引起電容更進一步增加。 注意,儘管圖2僅展示一分段位元線25,但對於64位元 I/O記憶體,將存在64組位元線。對於多埠記憶體,將存 在用於每一埠之一組資源(解碼器驅動器及鎖存中繼器 單埠s己憶體將具有用於讀取之一組分段位元線乃及用於寫 入之一組分段位元線25。 解碼器驅動器22-A、22-B、22-C及鎖存中繼器30-A、 3 0 - B及3 0 - C將引入存取時間之延遲並消耗電力且因此可影 • 響s己憶體之效能。然而,效能總體上得以改良,因為如上 所註,統計資料指示大部分存取將係在記憶體之中部進 行。此外,所引入之每一鎖存中繼器3〇_A、3〇_B、3〇 c由 於位兀線之較短長度而減小至位元線之遠端之延遲。線路 之延遲與R*C成比例。11與(:均與線路之長度成反比。因 此,延遲與線路之長度之平方成反比。當將線路分成兩半 時,其延遲實際上由於此原因而被縮減為四分之一。因 此,藉由鎖存中繼器30_八之使用而使速度提高。 此外,鎖存中繼器30-A、30·Β及30-C提高輸入至閘之信 139616.doc 201005750 號之斜率(slope) ’藉此減少短路。閘上之輪入斜率判定上 拉電晶體與下拉電晶體兩者同時接通之情況下裝置停留於 短路狀況中之時間。通常,短路電力佔總動態電力之10-ΐ 5% 。 但若輸 入斜率 確實小 ,則 短路 電力可 為主要 分量。 將線路分裂成片段且添加中繼器大體改良每一區之輸入斜 率 〇 一對於添加閘及中繼器之代價係對基板上之增加之空間 的需要。然而,隨著技術自45奈米進步為32奈米且甚至更 低’額外空間變得可用而無需增加區域。 現將論述基於記憶體定址之解碼器驅動器控制。在操作 中,每次存取記憶體時,每一記憶體需要特定數目之位址 位兀。舉例而言,假定8_位元位址結構。此種結構將具有 允許存取256個記憶體位置之位元知至a?。位元幻為位址之 最高有效位元(MSB)。若位元&為零,則存取將在區段1或 2中進行,且若位兀”為丨,則存取係在區段3或4中進行。 因此,若MSB為1,則將經由導線2〇1_2、2〇1_3將信號發送 至可能作用中之鎖存中繼器3〇_A及3〇_B。鎖存中繼器實際 上疋否經啟動可取決於經由導線Q而發送之限定信號 (qualifier signal)而定,如下文所解釋。 在讀取或寫入循環中,位址通常提早進入(在時脈邊緣 中之上升之前),因此,系統預解碼器21提前「知曉」哪 些區段將被存取。藉由使用此知識,若位元幻為丨,則預 解碼器21可準備啟用解碼器驅動器22_八及22_B(及其相關 聯之鎖存中繼器30-A、30-B),而解碼器驅動器22-C(及其 139616.doc 201005750 相關聯之鎖存中繼H3LC)之啟用尚待判定。或者,若位 元~為零,則將可能僅啟用解碼器驅動器22_α及其相關聯 之鎖存t繼盗30-Α,其啟用狀態待基於下—個最高有效位 元〜之分析來判定。
藉由使用位元〜,預解碼器21可解析解碼器驅動器22_A 及22-C及相關聯之鎖存中繼器30-A及30-C之狀態。位元a6 值判疋目^示s己憶體存取將在藉由位元a7選擇之區段之上 ^區&中還是下部區段中進行。因此,假;t位it a7為1且 4元〜亦為1,則經由導線201 _ 1上之信號而啟用解碼器驅 動器22-C及相關聯之鎖存中繼器3〇_c,因為記憶體存取將 在區段4中進行。類似地’若位元々為零且位元&6亦為零, 則不啟用解^驅動器或鎖存巾鮮,ϋ為目標記憶體存 取將在區段1中進行。 在一實施例中,解碼器驅動器22_A、22_B&22_c分別僅 &刀地又來自預解碼器21之在導線201-1、201-2、201-3上 之信號的控制。為了避免不必要之切換,除用於啟用各種 區段之位址位元相關信號之外,可經由導線Q而使用來自 預解碼器21之諸如讀取或寫人致能信號之限定符。在此實 施例中,解碼器驅動器22_A、223及22{可為及閘。舉例 而言,若接收到寫入致能信號與位址位元信號兩者,則將 啟用解碼器驅動器22_a及鎖存中繼器30-A。若不使用限定 符’則解碼器驅動器22_A、22韻22_〇可為反相器而非及 問。又,注意,許多記憶體存取配置中之任一者可用於控 制解碼器驅動器22-A、22-B及22-C,包括直接自另一位置 139616.doc 201005750 發送關於選擇哪一區段之資訊。 圖3展示用於圖2之實施例中之鎖存中繼器3 0-A的一實施 例。鎖存中繼器30-A提供於分段位元線25之點A1與A2(圖 2)之間。如所展示’中繼器30-A包含串聯之兩個反相器 31、32。亦展示一鎖存器34(包括兩個反相器35),其取決 於諸如通過閘(pass gate)33之開關而斷開或閉合。通過閘 33回應於自用於區段2之解碼器驅動器22_A所接收的控制 線「控制A」上之信號而斷開及閉合。注意,僅作為實例 來展示結構30-A,因為其他結構可用於執行本文中所描述 之功能。 在操作中,假定a?為1(且已確立限定信號),則應使鎖存 中繼器30-A接通。因此,通過閘33接收來自控制線「控制 A」之信號1。作為回應,通過閘33之]^通道轉為1且1>通道 轉為0,使鎖存中繼器接通。在鎖存中繼器接通之情況 下,區段1之位元線片段上之資料流動至用於區段2之位元 線片段且亦藉由彼資料更新鎖存器3 4。 作為鎖存器34保持一資料值之結果,鎖存器34接著控制 超過鎖存中斷器30-A之片段(在此狀況下,為區段2之位元 線片段)上之位元線值。一旦經設定,資料即保持在同— 狀態中,直至藉由重新斷開通過閘33而主動地改變資料狀 態為止。因此,區段2之位元線片段維持經鎖存之值,亦 即,由鎖存中繼器30-A來驅動區段2之位元線片段。若在 區段2中輸入之下一個資料值與先前資料相同,則區段ζ之 位元線片段不需要放電,因為已經藉由經鎖存之值來1 = 139616.doc -10- 201005750 位讀。因&,所論述之結構具有—歷史效應,以 使仔右所有鎖存中繼器30_A、3〇_B及爪c均斷開,幻將 呈現於用於下-個操作循環之所有位元線片段上,則該等 位元線片段中之任一者均將不再次放電。
一些記憶體應用可經調適以利用此記憶體之結構,因為 可能有可能根據其預期之存取頻率儲存資料。因此,藉由 將具有高存取頻率之資㈣存於記龍之上半部中且將具 有較低預期存取頻率之資料儲存於下半部中,可達成比在 隨機資料儲存之情況下可出現的電力節省大之電力節省。 注意’儘管論述係圍繞位元線,但本文中所論述之概念 可適用於字線且適用於結合位元線操作之字線。在此種配 置中,將由片段控制器來將字線分段。片段控制器根據到 達其之在位址欄位(address field)外之單獨控制而操作,藉 此將記憶體之操作僅限制於在特定時間存取之部分。 圖4展示可有利地使用本發明之—實施例之例示性無線 通信系統400。出於說明之目的,圖4展示三個遠端單元 420、430及450及兩個基地台44〇。將認識到,典型無線通 信系統可具有多得多的遠端單元及基地台。遠端單元 420、430及450分別包括為本發明之實施例的改良之全擺 幅(full-swing)記憶體陣列425A、425B及425C,如下文進 一步論述。圖4展示自基地台44〇至遠端單元42〇、43〇及 450之前向鏈路信號480及自遠端單元42〇、43〇及45〇至基 地台440之反向鏈路信號490。 在圖4中,遠端單元420經展示為行動電話,遠端單元 139616.doc -11 · 201005750 430經展示為攜帶型電腦,且遠端單元45〇經展示為無線區 域迴路系統中之固定位置遠端單元。舉例而言,該等遠端 單兀可為手機、掌上型個人通信系統(]?(:;;5)單元、諸如個 人資料助理之攜帶型資料單元,或諸如儀錶讀取設備之固 定位置資料單元。儘管圖4說明根據本發明之教示之遠端 單元,但本發明不限於此等例示性所說明的單元。本發明 可適當地用於包括全擺幅記憶體陣列之任何裝置中。 儘管已闡述特定電路,但熟習此項技術者將瞭解,實踐 本發明並不需要所有所揭示之電路。此外,未描述特定眾 所熟知之電路,以維持集中於本發明。類似地,儘管描述 在特定位置中提及邏輯「〇」及邏輯Γι」,但熟習此項技 術者應瞭解,可在不影響本發明之操作之情況下切換邏輯 值,相應地調整電路之剩餘部分。 儘管已詳細地描述本發明及其優勢,但應理解,可在不 偏離如藉由附加申請專利範圍界定的本發明之精神及範疇 之情況下在本文中進行各種改變、替代及變更。此外,本 申請案之範疇並不意欲限於說明書中所描述之過程、機 器、製造、物質組成、手段、方法及步驟之特定實施例。 如一般熟習此項技術者將容易自本揭示案瞭解的,可根據 本發明利用目前現存或稍後將開發的執行與本文中所描述 之對應實施例大體上相同之功能或達成與其大體上相同之 結果的過程、機器、製造、物質組成、手段、方法或步 驟因此附加申請專利範圍意欲在其範嘴内包括該等過 程、機器、製造、物質組成、手段、方法或步驟。 139616.doc 201005750 【圖式簡單說明】 圖1為說明先前技術一般記憶體之方塊圖。 圖2為說明使用至少一鎖存中 圖 于T繼器之分段位元線的方塊 〇 圖3為展示用於圖2之實施例 的電路圖。 中之鎖存中繼3之一實施例 實施例之例示性無 圖4為展不可有利地使用本發明之 線通信系統的方塊圖。
【主要元件符號說明】 10 一般記憶體 11 預解碼器 12 記憶體陣列 13 解碼器 14 記憶體陣列 15 全域位元線 20 記憶體 21 系統預解碼器 22-A 鎖存解碼器驅動器/解碼器驅動器 22-B 鎖存解碼器驅動器/解碼器驅動器 22-C 鎖存解碼H驅動11/解碼器驅動器 23 鎖存中繼器解碼器 25 分段位元線 30-A 鎖存中繼器/中繼器/結構 30-B 鎖存中繼器 139616.doc 201005750 30-C 鎖存中繼器 31 反相器 32 反相器 33 通過閘 34 鎖存器 35 反相器 201-1 導線 201-2 導線 201-3 導線 400 例示性無線通信系統 420 遠端單元 425A 改良之全擺幅(full-swing)記憶體陣列 425B 改良之全擺幅(full-swing)記憶體陣列 425C 改良之全擺幅(full-swing)記憶體陣列 430 遠端單元 440 基地台 450 遠端單元 480 前向鏈路信號 490 反向鏈路信號 A1 點 A2 點 Q 導線 139616.doc 14

Claims (1)

  1. 201005750 七、申請專利範圍: 1 · 一種記憶體,其包含: -分段位元線,其用於對該記憶體進行資料存取; 該位元線具有由一鎖存中繼器控制之片段。 2·如請求们之記憶體’其中藉由_記憶體:址之特定位 元來控制該鎖存中繼器。 3.如請求項2之記憶趙,其中進-步藉由限定符來控制該 鎖存中繼器,該等限定符選自以下清單:讀取致能信 號;及寫入致能信號。 4·如請求項2之記憶體,其進一步包含: 一鎖存器,其用於跨越多次存取 卄取而維持該鎖存中繼器 之一狀態。 5· —種電子記憶體電力減小之方法,該方法包含: 基於一記憶體存取之位址位元而選擇—位元線之一片 段;及 < ❿ 更新該位元線上之一鎖存中繼器以啟用—選定之位元 線片段。 6.如請求項5之方法,其進一步包含: 跨越多次存取而保持該鎖存中繼器之—更新值。 7·如請求項5之方法,其進一步包含: 除该等位址位元之外,基於特定pp — # Γ丞孓将疋限定符而延遲該選 擇。 8- 一種記憶體操作之方法,其包含: 將該記憶體之特定區段分段以使得針對特定記憶禮存 139616.doc 201005750 取’輪詢少& 於全。p的該記憶體;及 。己it體輪詢循環期間僅 9.如請求項8夕士、+ 。己隐體區段。 一之方法’其中該分段包含: 等位元線劃分成至少兩個片段。 1〇.如請求項9之方法,其進-步包含: 地藉A 鎖存中繼^以便啟用位元線片段;至少部< -值炎二所接收之記憶體位址位置之―最高有效位以 控制該鎖存中繼器。 η.如請求項8之方法,其中該分段包含: 將字線分段成至少兩個片段。 12. 如請求項11之方法,其進一步包含: 啟用-鎖存中繼器以便啟用一字線片段;至少部分时 藉由與-所接收之記憶體位址位置分開接收之一信號來 控制該鎖存中繼器。 13. —種記憶體,其包含: 複數個記憶料列,該等記憶體陣龍調適以儲存資 料; 至少一位元線,其用於控制對該等記憶體陣列之存 取;及 至少一鎖存中繼器,其定位於該位元線中。 14. 如請求項13之記憶體,其進一步包含: -閘’其用於啟用該鎖存巾繼器,該閘對由該記憶體 接收之一存取位址之特定位元做出回應。 15. 如請求項14之記憶體,其進一步包含: 139616.doc 201005750 用於產生用於該閘之控制之信號的控制電路;該控制 電路至少部分地根據在該記憶體處所接收之位址之至少 一位元位置中所含有的值而操作,該等位址對應於目標 記憶體陣列。 ^ 16. 如凊求項15之記憶體,其中該控制電路可進—步操作以 提供用於進一步控制該閘之一啟用之限定符。 17. 如請求項13之記憶體,其中該鎖存中繼器包含:
    一鎖存器,其可操作以用於跨越若干記憶體循環而保 持該鎖存中繼器之一狀態。 18. 如請求項17之記憶體,其中該鎖存中繼器包含: 由一傳輸開關分開之一對閘,嗜值私 丁闲这得輸開關可操作以用 於在啟用該鎖存令繼器時使來自該閘對中之一第一者的 資料能夠通過該閘對中之一第二者。 19. 如請求項13之記憶體,其進一步包含:
    至少一鎖存中繼器 段。 其用於將該記· 隱體分成字線片 20.如請求項14之記憶體,其進一步包含: 之記憶體存取信 用於使該鎖存中繼器能夠針對大於— 號保持在一啟用狀態中之電路。 139636.doc
TW098112695A 2008-04-24 2009-04-16 用於在電子記憶體操作中動態功率節省之系統及方法 TWI415136B (zh)

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JP (4) JP5461526B2 (zh)
KR (1) KR101234110B1 (zh)
CN (2) CN102017001B (zh)
CA (1) CA2720069A1 (zh)
MX (1) MX2010011625A (zh)
RU (1) RU2464655C2 (zh)
TW (1) TWI415136B (zh)
WO (1) WO2009131836A1 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI768633B (zh) * 2020-12-31 2022-06-21 大陸商星宸科技股份有限公司 記憶體裝置、影像處理晶片與記憶體控制方法
US11822818B2 (en) 2021-01-11 2023-11-21 Sigmastar Technology Ltd. Memory device, image processing chip, and memory control method

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7791976B2 (en) * 2008-04-24 2010-09-07 Qualcomm Incorporated Systems and methods for dynamic power savings in electronic memory operation
JP5240056B2 (ja) * 2009-05-12 2013-07-17 富士通セミコンダクター株式会社 半導体メモリおよびシステム
FR2946441A1 (fr) * 2009-06-08 2010-12-10 Commissariat Energie Atomique Reseau d'interconnexions a sous-reseaux dynamiques.
US8509013B1 (en) * 2010-04-30 2013-08-13 Micron Technology, Inc. Partitioned bitline for memory
DE102010038407B4 (de) 2010-07-26 2014-11-13 Airbus Operations Gmbh Luft- oder Raumfahrzeug mit einer elektrischen Verteileranordnung
US8824230B2 (en) * 2011-09-30 2014-09-02 Qualcomm Incorporated Method and apparatus of reducing leakage power in multiple port SRAM memory cell
US8675442B2 (en) 2011-10-04 2014-03-18 Qualcomm Incorporated Energy efficient memory with reconfigurable decoding
US8693236B2 (en) 2011-12-09 2014-04-08 Gsi Technology, Inc. Systems and methods of sectioned bit line memory arrays, including hierarchical and/or other features
US8593860B2 (en) 2011-12-09 2013-11-26 Gsi Technology, Inc. Systems and methods of sectioned bit line memory arrays
US9158328B2 (en) 2011-12-20 2015-10-13 Oracle International Corporation Memory array clock gating scheme
US20130246681A1 (en) * 2012-03-14 2013-09-19 Qualcomm Incorporated Power gating for high speed xbar architecture
CN103578518B (zh) 2012-07-31 2017-08-25 国际商业机器公司 灵敏放大器
US20140201547A1 (en) * 2013-01-15 2014-07-17 Apple Inc. Selective Precharge for Power Savings
US9189438B2 (en) * 2013-03-13 2015-11-17 Qualcomm Incorporated Method and apparatus for dynamic power saving with flexible gating in a cross-bar architecture
US20150213850A1 (en) * 2014-01-24 2015-07-30 Qualcomm Incorporated Serial data transmission for dynamic random access memory (dram) interfaces
US10832763B2 (en) 2018-12-18 2020-11-10 International Business Machines Corporation Global bit line latch performance and power optimization
TW202333148A (zh) * 2021-11-19 2023-08-16 新加坡商普里露尼庫斯新加坡私人有限公司 具有中繼緩衝器的記憶體陣列

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS53133586A (en) * 1977-04-27 1978-11-21 Hitachi Ltd Magnetic emulsion
US4695981A (en) * 1984-12-04 1987-09-22 Hewlett-Packard Company Integrated circuit memory cell array using a segmented word line
US5222047A (en) 1987-05-15 1993-06-22 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method and apparatus for driving word line in block access memory
US5023837A (en) 1989-09-05 1991-06-11 Texas Instruments Incorporated Bitline segmentation in logic arrays
US5119340A (en) 1990-09-26 1992-06-02 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Semiconductor memory having latched repeaters for memory row line selection
US5128897A (en) * 1990-09-26 1992-07-07 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Semiconductor memory having improved latched repeaters for memory row line selection
US5357462A (en) 1991-09-24 1994-10-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Electrically erasable and programmable non-volatile semiconductor memory with automatic write-verify controller
JPH07114794A (ja) * 1993-10-19 1995-05-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体記憶装置
US5424997A (en) 1994-03-15 1995-06-13 National Semiconductor Corporation Non-volatile semiconductor memory having switching devices for segmentation of a memory page and a method thereof
JP2783271B2 (ja) * 1995-01-30 1998-08-06 日本電気株式会社 半導体記憶装置
JP3560266B2 (ja) * 1995-08-31 2004-09-02 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置及び半導体データ装置
KR0167687B1 (ko) * 1995-09-11 1999-02-01 김광호 고속액세스를 위한 데이타 출력패스를 구비하는 반도체 메모리장치
JPH1064271A (ja) * 1996-08-16 1998-03-06 Sony Corp 半導体記憶装置
JPH10134578A (ja) * 1996-10-29 1998-05-22 Fujitsu Ltd 半導体記憶装置
US5745422A (en) * 1996-11-12 1998-04-28 International Business Machines Corporation Cross-coupled bitline segments for generalized data propagation
US6005410A (en) * 1996-12-05 1999-12-21 International Business Machines Corporation Interconnect structure between heterogeneous core regions in a programmable array
US6023428A (en) 1997-07-28 2000-02-08 Texas Instruments Incorporated Integrated circuit device having a memory array with segmented bit lines and method of operation
JP2001084769A (ja) * 1999-09-08 2001-03-30 Toshiba Corp 記憶装置
JP3920550B2 (ja) * 1999-09-27 2007-05-30 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置
JP2001250385A (ja) * 2000-03-03 2001-09-14 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置
NO312699B1 (no) * 2000-07-07 2002-06-17 Thin Film Electronics Asa Adressering av minnematrise
KR100380347B1 (ko) * 2000-11-21 2003-04-11 삼성전자주식회사 반도체 메모리 장치 및 이 장치의 데이터 리드 방법
US6594191B2 (en) 2001-12-13 2003-07-15 Infineon Technologies Ag Segmented write line architecture
US6664807B1 (en) * 2002-01-22 2003-12-16 Xilinx, Inc. Repeater for buffering a signal on a long data line of a programmable logic device
JP4044389B2 (ja) * 2002-08-19 2008-02-06 富士通株式会社 半導体記憶装置
US6882555B2 (en) * 2003-06-18 2005-04-19 Lattice Semiconductor Corporation Bi-directional buffering for memory data lines
US7280401B2 (en) * 2003-07-10 2007-10-09 Telairity Semiconductor, Inc. High speed data access memory arrays
US7085152B2 (en) * 2003-12-29 2006-08-01 Intel Corporation Memory system segmented power supply and control
JP4834311B2 (ja) * 2005-02-02 2011-12-14 株式会社東芝 半導体記憶装置
US7388774B1 (en) * 2007-10-16 2008-06-17 Juhan Kim SRAM including bottom gate transistor
JP2009116931A (ja) * 2007-11-02 2009-05-28 Seiko Epson Corp 集積回路装置、電気光学装置および電子機器
JP4973482B2 (ja) * 2007-12-20 2012-07-11 セイコーエプソン株式会社 集積回路装置、電気光学装置及び電子機器
US7791976B2 (en) * 2008-04-24 2010-09-07 Qualcomm Incorporated Systems and methods for dynamic power savings in electronic memory operation

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI768633B (zh) * 2020-12-31 2022-06-21 大陸商星宸科技股份有限公司 記憶體裝置、影像處理晶片與記憶體控制方法
US11822818B2 (en) 2021-01-11 2023-11-21 Sigmastar Technology Ltd. Memory device, image processing chip, and memory control method

Also Published As

Publication number Publication date
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US20090268540A1 (en) 2009-10-29
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US7791976B2 (en) 2010-09-07
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JP2011519109A (ja) 2011-06-30
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