TW201001506A - Method for producing bonded wafer - Google Patents

Description

201001506 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是關於一種鍵合晶圓（bonded wafer)的製造方 法’且特別是關於一種鍵合晶圓的製造方法，其在作為主 動層之晶圓上提供作為餘刻阻擋層之氧離子植入層。 【先前技術】 鍵合晶圓通常意指鍵合的矽晶絕緣體(S0I)晶圓。此處 所提及的生產方法，其中例如是將作為主動層之氧化晶圓 鍵合至作為支撐基板的晶圓，然後藉由USC半導體基材研 时會(use Semiconductor Substrate Technology Workshop) 所編輯、REALIZE INC.在1996年ό月28日所出版的文 獻Science of Silicon”第459到462頁中所揭露的研磨及拋 光，以及如國際專利申請公開案第w〇2〇〇5/〇74〇33號所揭 露的離子植入-隔離法、或是所謂的智慧切割法(註冊商標 為Smart Cut)將此作為主動層之晶圓的表面減薄至特定厚 度的製造方法。離子植入-隔離法、或是所謂的智慧切割法 包括.將例如為氫或氦等輕元素植入作為主動層之晶圓的 特疋位置中以形成離子植入層的步驟、透過絕緣薄膜將作 為主動層之晶圓鍵合至作為支撐基材之晶圓的步驟、'在離 子植入層處片狀剝落(exf〇liate)的步驟，以及藉由片狀剝落 使主，層之-部分在與作為支縣材之日日日目鍵合的情況下 被減薄，以形成特定厚度的主動層的步驟。 在上述的矽晶圓中，普遍認為使主動層的 及提高主動層之均勻度是重要的。為達到此目的，多^ 201001506 明豕也已在國際專利申請公開案第w〇2〇〇5/〇74〇33號中 揭露了鍵合晶圓的生產技術，可滿足主動狀減薄、以及 主動層之厚度均勻度的需求。 然而’在國際專利申請公開案W02005/074033號所揭 路，技術中’當在氧離子植入(氧離子植入層）中，被引入 的，離子/又有成完整的氧化物薄膜、並且是以不連續的 型態存在時’則溶液會在後續的步财(在曝露氧離子植 入層時）’由晶圓上未形成氧化物薄膜的部份滲透而移除掉 f動層’、而因此主動層之厚度均勻度可能會下降、並且可 能會造成缺陷。雖然厚度羽度的惡化、以及缺陷的發生， 可在接下來的氧化處理步驟、以及移除氧化物薄膜的步驟 中被減V，但特別令人擔憂的是，缺陷會在熱處理的步驟 中被進一步地增加。 【發明内容】 、因此本發明之一目的在於提出一種鍵合晶圓的製造 方法’即使在氧離子植入層未形成完整的氧化物薄膜、且 為不連續時’本發明的鍵合晶圓的製造方法可確保主 之厚度均勻度，並可避免缺陷的產生。 曰 為達上述目的，本發明的摘要及架構如下。 曰（1)種鍵合晶圓的製造方法，包括：由作為主動層之 日曰圓的表面植入氧離子，以在作為主動層之晶圓内的特定 位置形成氧離子植入層的步驟。將作為主動層之晶圓直接 n經由絕緣薄膜鍵合至作為支撐基板之晶圓的步驟。 4所^/成之鍵合晶圓受到熱處理以增加鍵合強度的步驟。 201001506 藉由特疋方法將鍵合晶圓中作為主動層之晶圓的—部份 除至特定位置，而不會曝露氧離子植入層的步驟。曝 f子植入層的整個表面的步驟。以及，移除曝露出的氧二 ，植入層轉定厚度之主_的步驟。射，曝露 ;===個表面的步驟，是藉由特定條件下的乾 (2)如第⑴項所述之鍵合晶圓的製造方法， =1 六氣化硫⑽fur on e) _ 氟甲烷（tnflu〇r〇methane)或二氟化 t〇n，uoride)、以及氧氣或氯化離沖 、混合氣=作為乾式傾氣體的反應㈣子钱刻。 (3)如第（1)項所述之鍵合晶圓的製造方 ar;，1。:原子/每立方公分(二r: 辰度最间點，亚且氧離子植入層 :>2彻’Jx{(A+A)/(100_A)}的關係，當作為主 中位於氣離子植人層上㈣層之共平 ，變化量分別以以及離氧離子 對氧化石夕薄膜(Si/Si〇x)的蝕刻速率比值為， 在共平面中的钱刻變化量為±De%。 ，、、' e ’並 結晶方向為<100〉、<11〇>4<ηι>。 、，口面的 提供一種鍵合晶~ 吏在氧離子植人層為不連續時，本發明的鍵合晶圓的製』 201001506 主動層.之厚度均勻度’並可避免缺陷的產生。 易懂，下♦發日月之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯 明如下。特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說 【實施方式】 加以明的鍵合晶圓的製造方法將根據所對應之圖示 f' 法之1為依照本發明晴示之鍵合晶圓之製造方 沄之各個步驟的流程圖。 t本發明’鍵合晶_製造方法包括：由作為主動 == 的表面植入氧離子’以在作為主動層之晶圓内 的特疋位置形成氧離子植人層2的步驟，如圖丨之⑷所 Γ你f作為主動層之晶811直接地、或經由絕緣薄膜鍵合 主作為支縣板之晶圓3鍵合的步驟，如圖丨之⑼所示。 H形成之鍵合晶圓4❹丨減理以增加鍵合強度的步驟 (禾、、θ不）。藉由特定方法將鍵合晶圓4中作為主動層之晶 圓的-部份10移除至特定位置’而不會曝露氧離子植入層 的步驟，此特定位置較佳是⑽定方式形成於與氧離子植 入層相距5〜15#m的位置，如圖！之⑷所示。藉由特定方 法曝露氧離子植入層2的整個表面的步驟，如圖丨之(句 所示。以及’移除曝露出的氧離子植入層2以得到特定厚 度之主動層11的步驟，如圖i之卜)所示。 子 一此外，在圖1之⑻中，是以誇張地加厚狀態以清楚地 顯不氧離子植入層、並使其位於作為主動層之晶圓中靠近 中央的位置等方式以便於說明，但氧離子植入層實際上是 201001506 =地存在於被氧離子植人㈣為主動層之晶_表时 氧離子植入步驟 依照本發明的圖1 種由作為主動層之日不，植入氧離子的步驟是一 功嘈之日日圓的表面植入氧 \ 層之晶圓1内的特定位置形錢==為主動 離子植入層2可在後續的步驟中㈣工入層的步驟。氧 所示)作為研磨阻擋層或是蝕刻阻播二（水、圖1之⑻ 置，以二:=::1 層:植，位 =加速電壓、與劑量並不特別受到:= 直 厚度加以適當地選擇。較佳地，= 5.0x10^0 Οχιά J j)xl〇原子/平方公分(at〇ms/cm2)的範圍中。 卜’娜子植人層2較佳具有不低於1()χ1()22原子 方^分舛咖/一的氧濃度最高點。雖的 $步驟中(未、㈣）’氧離子植人層内的氧離子會=為、 動層之晶圓1巾㈣反應㈣成Sic>顆 的最高點低於丨侧、子/每立方公分(atGm/em=^ 顆粒會是小的，而Si〇2顆粒之間的距離會變得較大而 、成間隙，且因此會產生無法作為敍刻阻擋層的位置。 ^ 在由作為主動層之晶圓1的表面植入氧離子，以形成 ^離子植入層2的氧離子植入步驟之後，較佳可在氫或氬 或類似物之非氧化性的氛圍中，以不低於U〇〇〇c的溫度實 201001506 施熱處理。藉由熱處理的實施’可使氧離子植入層2的形 狀變為相對連續的狀態，如此可改善氧離子植入層2作為 鍅刻阻擔層之功能。 當熱處理溫度低於1100°C時，不會形成具有足夠連續 性的氧離子植入層，並且會有一趨勢產生，就是僅能得到 與未實施熱處理之情況相似的結果，因此熱處理的溫度會 被設定為不低於1100°C。此外，熱處理溫度的上限二沒有 被明確地限定，但由會造成滑移差排(slip dislocation)之風 險的觀點來看’熱處理溫度的上限較佳為不高於125(rc。 鍵合步驟、熱處理步驟 依照本發明圖1之(b)所示的鍵合步驟，其為一種將作 為主動層之晶圓1直接地、或經由絕緣薄膜鍵合至作為支 撐基板之晶圓3的步驟。當依照本發明之鍵合晶圓4假設 是在兩種的情況中，如：藉由絕緣薄臈來鍵合的情況、以 及直接鍵合而沒有使用絕緣薄膜的情況，鍵合的方法並沒 有特別被限定。 α / / 再者，介於作為主動層之晶圓i以及作為支撐基板之 晶圓2之間的鍵合面的結晶方向較佳為<1〇〇> <11〇>或 <111〉。垂直於这二種結晶方向的表面為石夕晶之中的低階 (low-or㈣面’並且是每單㈣域巾㈣子數目最多的緻 密面般而言’當單晶被侧的時候’會產生侧速率 的面異向性(faee anis〇_y)，而當面(faee)變得較為緻密 時’钱刻速率會變得㈣，且因此_^的晶體表面會是 由緻密面所構成的表面(舉例來說，在使用且有（113)面之 201001506 表面的矽晶圓情況下，（113)面不是矽的緻密面，若此—表 面被蝕刻’（113)面會隨著蝕刻而消失，而蝕刻速率慢之一 面，即緻密面會形成在表面上。因此，矽晶圓的表面會變 為粗糙的表面）。雖然，在本發明中，是以乾式蝕刻來處理 矽，但若除了上述的面之外的其他矽之面被鍵合、且受到 乾式蝕刻時，具有低蝕刻速率的緻密面會逐漸地被產生出 來，而因此經蝕刻面會變得不規則，且難以均勻地蝕刻氧 離子植入層(#刻阻擔層）的整個表面。 在上述如圖1之(b)所示的鍵合步驟之後，使鍵合晶圓 4受到熱處理步驟(未繪示）以增加鍵合強度。在此熱處理步 驟中，氛圍氣體並不特別受到限定，而熱處理較佳是在 1100°C的處理溫度下進行，而處理時間不少於6〇分鐘。去 溫度低於1100°C時，難以引起鍵合界面的反應，而因此^ 法得到足夠的鍵合強度。處理溫度的上限可大約為135〇g 而不會融化矽，此溫度會增加造成滑移差排的風險，而严 理溫度較佳約為1100〜1200t：。 < 移除主動層的步驟 依照本發明的圖1之(c)所示，移除主動層的步驟為一 種以特定方法將鍵合晶圓4中作為主動層之晶圓的—部份 1〇移除至特定位置’而不會曝露氧離子植入層2的步驟= 藉由將作為主動層之晶圓的一部份10移除至氧離子植入 層2的表面附近，使得後續曝露出氧離子植入層2的步驟 (如圖1之(d)所示)可以被有效率地實施。 將作為主動層之晶圓的一部份10移除，其方法並不 201001506 =受到限^，並且例如可以是藉 慧:割法的剝落來移除。不會曝露氧離子:入 1並ΐ有特別被限定，只要是在氧離子植入層2被曝露 # m。當此位置超過i5 " m ., . 份in合錄β +^ %，作為主動層之晶圓的一部 太長厚的 f :磨失誤等問題而導致氧;子植入層2:露:來= 曝露氧離子植入層的步驟 步驟明’如圖1之⑷所示，曝露氧離子植入層的 牛驟曝露出氧離子植入層2的整個表面的步驟，此 二;定條件下的乾糊來加以實現。圖2為 ^有不連續的氧離子植入層2的鍵合晶圓Μ 由圖2中可以見到，刻溶液會透 =式_的毛細縣衫魏料獻層巾介於 声渗透進入作為氧離子植入層之下層的主動 牛驟/ Γ⑻所示’而因此在後續移除氧離子 造成η勻度㈣、切及顧的產生二示 鍵人面’圖士3為使具有不連續的氧離子植入層2的 式餘刻的情況中，毛細現象不會 便用乾 達主動層u，如圖3之(會，生’而姓刻氣體不會到 ’、且因此藉由後續移除氧離 201001506 子植入層的步驟，如圖3之(b)所示，可將氧離子植入層2 的整個表面曝露出來，而不會曝露出作為下層的主動屏 11，藉此可形成較少缺陷發生、且厚度均勻度優異的主& 層 η。 ’、 此外，乾式蝕刻較佳為使用六氟化硫（灿細 hexafluride)、四氟化碳（carbon tetraflu〇ride)、三氟曱烷 (trifl丽omethane)或二氟化氙(xenon diflu〇ride)、以及氧^ 或氯化氫氣體(hydrochloric gas)的混合氣體作為乾式蝕^ 氣體的反應性離子侧。由於反應性離子綱為異向性餘 刻，因此在蝕刻之前、由鍵合晶圓的上表面觀察，'當主動 層11被氧離子植人層2所覆蓋時，即使有許多間二位於 si〇2之間，蝕刻氣體仍然不會到達主動層u。而且，更佳 的是，反應氣體的離子速率可以用束線的形式對準 (aligned)’並將反應氣體的離子直接放射至鍵合晶圓4， 而實現高度精確性、以及需要小心、處理的(deUeate)異向性 餘刻。 並且，使用在乾式侧巾的勤遺體，較佳可滿足下 列式(1): A > 2D也)}X {fc + A)/(1 〇〇_βJ....式⑴ 當作為主動層之晶圓中位於氧離子植人層上的石夕居 =共平面(in-plane)厚度在乾式钱刻前的厚 ^ 為ts以及±Dt%;氧離子植入層 欠化里刀⑺ ^/ς:/ς：〇 ^ ^ 的厚度為t。，矽對氧化矽薄 膜⑸助⑽#刻速率比值為^ ;並 祕 變化量為士De%。在氧離子括1 -千面中的_ 仕氣離子植入層2上方的石夕層12，其在 12 201001506 乾式姓刻前的厚度並不—定是均勻的，舉例來說，藉 f來減2的情況、或是在共平面厚度中產生變化的情況或 ’頁似之情況’並且在研磨與乾式餘刻中的變化量，一介血 夕層12的一部份可先被_以曝:出 乳離子植人層2，或者是會有—種 氣體曝露出主動層n的條件，氧籬早始入思?；^依_刻 表面曝露前被部分地移除目^胃在其整個 中的變化、以及缺陷的發生。所:可; =二，氧離子植入層2上的梦層、 ^的變化1時，仍可避免氧離子植人層2的— 為R提的原因將會在下面說明。當石鳩刻率 選擇比Re=Rs/I^ ί. ㈣最薄入層上的 上表面被《出麵需的_是町=2植入層之 -物5(100+Z))式⑺气(2)來表示·· 上的植入層 殘留石夕之厚度(tbr)是以下列式⑺表示田.、！過時間ta_刻， 〇0’)-7；，1〇〇， 丁 然後，雜)處的氧離子植的上表面被爆露出來所 201001506 需的時間是以下式表示： 在⑷處、經過時間的氧離子植入層蝕刻 以下列式(4)表示： 里“。)疋 以1〇〇 + A) =，爲/心卿—W.···..式⑷ 接著，為阻播SOI層之前的乾式餘刻，上述的氧 植入層細j總量(tb。)必須要小於氧離子植人層的起始 (t〇) ’以至於必須要滿足下列式(5) : ^ tb〇 < ?〇......式(5) 列式(t來’當式(5)是以Re的關係式表示時，可以得到下 尺 > 2x fe)/(0}x {(£)e + £)()/(1〇〇_坟)}......式（1 ) 因此’當式⑴被滿足時，即使氧離子植入層2 H有約為士5%的變化量，要避免氧離子植入層2的-刀被移除是有可能的。 曝露主動層的步称 -錄2本發明，如圖1之_示，曝露主動層的步驟是 露出之氧離子植入層2，以得到特定厚度之主 =層11的辣。移除氧料植人層2的綠並沒有 L 使用人Γ容液來移除氧離子植入層2,或是使用 ^子^層之氣體來細齡 11的厚度隨著應用的不：動有=減薄，使主動層 14 201001506 此外，較佳可使被減薄的鍵合晶圓4處於溫度於 11〇〇°C、f及在氫氣、氬氣或類似物之非氧化性氛圍的執 處理中。藉由此熱處理，可獲得進一步的平坦化，並且^ 在鍵^介面處的氧化物可被移除。此效應在絕緣薄膜的厚 度不高於5〇nm時、或是當石夕晶圓彼此被直接地鍵合而不 使用絕緣薄膜時是相當顯著的。雖然即使在高於工i 〇〇 熱處理溫度下仍可促料域，⑽量到主動層的厚度均 勻度、以及移除位在鍵合界面處之殘留物的效果二 理溫度不高於聰Μ是相當重要的。也就是說，當= 超過iiggc^，會引起主動層的㈣，且因此會有使厚产 均勻度惡化的可能性，並且，當溫度變得更高時，位於ς 合界面的氧化物恐怕將會㈣地擴舰人主動層η之一 側，以局部輸刻主動層u，而因此會在主動層η的表 面上造成有凹痕的(pitted)缺陷。 雖然上述僅以本發明之一實施例加以說明，但仍然可 以作不同的修改料偏離後附之申請專利範圍。 實例1 曰，供兩片直徑為300mm的p型（100)晶圓其中每片 b曰圓是由CZ法所長成的♦晶錠(in㈣所切割下來、並被 摻雜了，而且*作為主動層之晶_表面植人兩次氧離 子，在第-次植人氧離子的條件中，加速電壓為細㈣、 溫度為200到60(rc、且劑量為3 〇χΐ〇〜画/cm2，而在 p次植人氧離子的條件巾，加速電壓為 200keV、溫度不 高於300C、且劑量為5 〇xl〇15at〇ms/cm2。結果，氧離子 15 201001506 植入層形成於距作粒動層之晶圓的表面约働腕的深度 位置。接著，使用fiF與臭氧溶液，將作為主動層之晶圓、 以及作為支撐基材之晶圓洗淨，以移除欲鍵合之表面上的 微粒，然後使作為主動層之晶圓、以及作為支撐基材之晶 =皮此直接地鍵合。錢，使鍵合晶誠於熱處理溫度為 =〇C、以及氧化性氣體氛财2小時，以使被鍵合之表 =固地鍵合在-起。藉此，厚度為3_ 5〇〇贈的氧化 形成於鍵合晶圓的背面。接著，使用研磨設備進 Γ声的2理’讀在作為主動層之日日日®中、位於氧離子植 石夕=留下一石夕層(厚度：約1〇㈣。在此情況下， 夕^度的變化量為D产着/〇。接著，藉由使用 本比為3 ··υ的混合氣體的乾式㈣將氧離子植入層 =表㈣露出來’其切與氧化物薄膜的 3:量::=為:。。。在此情況、^^ 以得到R的值:b外，由2穩 實例2 到，晶圓是由實例1中的相同步驟所得 ^下石夕層（异度：約10//m)、且藉由使 露子植人相整個表= 外，由式⑴所得的:=_刻速率比值為3。。此 16 201001506 實例3 到，…仙步驟所得 “之-㈣備厚 =中賴氧化物薄膜的_速率二:=路 由式（1)所得的值為15。 實例4 作為試樣之鍵合晶岐由實例丨巾的 到，除了使用研磨設備執行研磨處理 表面，:侧留下梦層(厚度:約5_、且== 02此合I體的乾式_將氧離子植人層的整個表面曝 出來，其㈣與氧化物薄膜的綱速率比 = 由式（1)所得的值為15。 此7卜 實例5 作為試樣之鍵合_是&實例丨 到，除了使用研磨雜執行研磨處理， 表面之-侧留下傳度:約10_、=:= 及〇2>昆合孔體的乾式兹刻將氧離子植入層的整個4 露出來，其中石夕與氧化物薄膜的钱刻速率比值為如匕 外，由式⑴所得的值為30。 ”、、 此 比較例1 作為試樣之鍵合晶圓是由實例i中的 刻，除了使賴絲刻將氧離子植人層的整個表面曝露: 201001506 來，而濕式_是使用靡ί水溶液進行3()分鐘， KOH水溶騎射_魏切__騎率比值不 小於200。此外，由式（1)所得的值為30。 評估方法 針對由實例與比較例所得到的每個試樣晶圓，在將氧 離子植入層曝露出來時，是在螢光下以目視觀察主動層之 曝路疋否存在。然後，使试樣晶圓受到熱氧化(在1 經過1小時)以及HF潔淨(使用7%的HF溶液經過20分鐘) 以移除氧離子植入層，接著，使試樣晶圓處於氬氣體氛圍 中、在1100°C經過1小時，接著，使用全光譜橢圓儀 (spectroellipsometer)來量測主動層的厚度均勻度。評 估結果不於表1。 表1 氧離子植 入層的厚 度〇m) 氧離子植入 層上的梦層 厚度(nm) 钱刻類型 钱刻速率 比值 (Si/Si02) 由式（1)* 所得的值 主動層之曝 露 厚度均 勻度 (nm) 實例1 0.15 10 乾式蝕刻 40 30 無 9 實例2 0.15 10 乾式钱刻 30 30 無 10 實例3 0.15 5 乾式蝕刻 30 15 無 7 實例4 0.15 5 乾式蝕刻 20 15 無 8 實例5 0.15 10 乾式蝕刻 20 30 部分曝露 >100 比較例1 0.15 10 濕式钱刻 200 30 主動層消失 ——

*式⑴為2 X fe )4 )卜{(久+ A )/0 00 一乃J 18 201001506 斧二i丄 所示之結果，在曝露出氧離子植入 r作為τ層的主動層並沒有曝露出來，並且， ^在^離子植人層被移除後，仍可獲得主動層的厚度均 值^面，在實例5中，由於si/si〇2賴刻速率比 曝斤得到的較佳選擇比Re’部份的主動層會在 例1〜4的步驟中被曝露出來，且因此相較於實 々主動層厚度均勻度，實例5的 t稍微不佳。在比較例 解，以將的矽的部分會被濕式蝕刻所溶 -部份氧離子植人層中分離出來，並且新的 2會消失’且二露 解乾式钱刻較濕式_來得右 4之、、、°果，可理 式(1)條:下的乾式鍅刻是更為有效的。一步來說，滿足於 在氧離子植人二造方法，即使 法仍可確保主動層之^1本毛月的鍵合晶圓的製造方 雖然本發明p A =句度’並可防止缺陷的發生。 本發明二已：:=上:物非用_ 本發明之精神和範圍内7中具有通常知識者，在不脫離 發明之保護範圍當視後附=作些許之更動與潤飾，故本 【圖式簡單朗】 附巧請專纖_界定者為準。 圖1為依照本發明之鍵八 圖2為當鍵合晶圓座〇日日囡的衣化步驟之流程圖。 又，傳統的濕式蝕刻處理時，鍵合 19 201001506 晶圓的狀態改變示意圖。 圖3為當鍵合晶圓受到本發明的乾式蝕刻處理時，鍵 合晶圓的狀態改變示意圖。 【主要元件符號說明】 I :作為主動層之晶圓 2:氧離子植入層 3:作為支撐基材之晶圓 4、41 :鍵合晶圓 10 :作為主動層之晶圓的一部份 II :主動層 12:氧離子植入層上方的矽層 20

Claims (1)

1. 201001506 七、申請專利範圍·· 1.種鍵合晶圓的製造方法，包括. 、由作為主動層之晶圓的表面植入氧雜子，、 為主動層之晶圓内的特定位置形成氧離 u在所逑作 將所述作為主動層之晶圓直接地、或^的步驟； 合至作為支撐基板之晶圓 的步驟；2 $&緣薄膜鍵 強 之 植 使所形成之所述鍵合晶圓受到 度的步驟； 从增加鍵合 藉由特定方法將所述鍵合晶圓中所 S曰圓的-部份移除至特定位置，而 =動層 入層的步驟； 哪路所述氧離子 之 曝路所述氧離子植入層的整個表面的步驟 主動出的所述氧離子植入層以得到特定ί度 步驟了 Γ葬露所述氧離子植入層的整個所述表面的 驟疋藉由特疋條件下的乾式蝕刻來加以實現。 沐2甘^請專利範圍第1項所述之鍵合晶圓的製造方 中所述乾式敍刻是使用六氟化硫、四氣化碳 =二氟化A、以及氧氣或氯化氳的混合氣體作為乾式 蝕刻氣體的反應性離子蝕刻。 3·如申請專利範圍帛1項所述之鍵合晶圓的製造方 、、’其中所述氧離子植人層具有不低於lxlG22原子/每炎方 公分的氧濃度最高點，並且所述氧離子植入層滿足 及的關係，當所述作為主動層之 21 201001506 圓 述乾式—二層之共平面厚度在所 值為Re ’亚且在共平面中的㈣變化量為士De〇/。。 4.如申請專利範圍第1項所述之鍵合晶圓的製造方 〆，其中介於所述作為主動層之晶圓以及所述作為支撐基 板之晶圓之間的鏠合面的杜晶方向為<100>、<110>或 勺11：>。 、'°0 22