TW201000403A - Aluminum oxide particle and polishing composition containing the same - Google Patents

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TW201000403A TW098119707A TW98119707A TW201000403A TW 201000403 A TW201000403 A TW 201000403A TW 098119707 A TW098119707 A TW 098119707A TW 98119707 A TW98119707 A TW 98119707A TW 201000403 A TW201000403 A TW 201000403A
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Description

201000403 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於由氧化铭所構成之氧化鋁粒子及含 有5亥氧化铭粒子之研磨用組成物，其中氧化銘包含如α_ 恭土（alumina)或過渡馨土之蓉土及如勃姆石（boehmite) 之綠土水合物。 【先前技術】 氧化鋁粒子可於研磨例如半導體裝置基板或顯示 态用基板、硬蹲基板、LED用藍寶石基板等電子零件用 基板之用途中，做為磨粒使用。此等基板由於有高平滑 且低缺陷之要求，所使用之氧化鋁粒子之粒子尺寸比較 小（例如專利文獻1、2)。含有氧化鋁粒子做為游離磨粒 之研磨用组成物一般與含有膠體矽石做為游離磨粒之 研磨用組成物相比，基板之研磨速度（除去速度）高。然 而，即使在含有氧化鋁粒子之情況，隨著氧化鋁粒子^ 粒子尺寸變小，研磨用組成物所達成之基板研磨速产 常會降低。又，隨著氧化鋁粒子之粒子尺寸變小，$ 後藉由洗淨除去附著於基板表面之氧化鋁粒子變得^ 難（亦即’氧化鋁粒子之洗淨性降低）。 專利文獻1 :日本特開平3_277683號公報 專利文獻2:曰本特開平3_271647號公報 【發明内容】 因此，本發明之目的為提供即使粒子尺寸小，也不 會導致研磨速度降低或洗淨性降低等弊害，而適合做為 磨粒使用之氧化鋁粒子及含有該氧化鋁粒子之研磨用 3 201000403 組成物。 為達成前述目的，本發明之—態樣為 為六面體’：次粒子之長寬比=氧 氣化铭粒子之平均一次粒心0 〇1〜〇一 佳"。
乳化鋁粒子之α化率以5〜70%為較佳。又， I 之平均二次粒徑以ο.〇1〜2μηι為較佳；將氧 卯0/。粒徑除以10%粒徑得到之值以3以下為較佳/。子之 本發明之另-態樣為提供含有前述氧^ 水之研磨用組成物。 及 致;^依照本發Γ可提供即使粒子尺寸小，也不會導 等弊害，而適合做為磨： 物。化+子及3有該氧化峰子之研磨用組成 【實施方式】 以下，說明本發明之一實施態樣。 體。t實匕:粒子，一次粒子之形狀為六面 個長方t:正向之二 體，戋^ -個茜^ u次正方形所圍成之平行六面 平行長之 示，5者之例子如第4=，者之例子如弟-圖所 中，鋁粒ΐ之一次粒子之長寬比在1〜5之範圍。1 —次為從具有六面體形狀之氧化鋁粒子之 2做a，最短邊之長度當做c時，a除乞中=邊 —邊之長度為b’其以與最長邊之長度、約略:等： 4 201000403 佳。氧化鋁粒子藉由一次粒子之長寬比在前述範圍，具 有「即使粒子尺寸小，亦不會導致研磨速度降低或洗淨 性降低之弊害，可適合做為磨粒使用」之優點。為了將 此種氧化鋁粒子之優點更為提高，一次粒子之長寬比以 儘可能小為較佳。具體而言，氧化铭粒子的一次粒子之 長寬比以3以下為佳，以2以下為較佳，以1.5以下為 更佳。 本實施態樣之氧化鋁粒子，於研磨例如金屬（包含 銅、銘、鶴、翻、把、纟如等金屬單體，及錄-填等金屬合 金）、半導體（包含鍺、矽等單體半導體，鍺矽、鎵砷、 銦磷、氮化鎵等化合物半導體，及藍寶石等氧化物半導 體）、或絕緣體（包含矽酸鋁玻璃等玻璃、及胺基甲酸酯 樹脂、丙烯酸系樹脂、聚碳酸酯樹脂等塑膠)所構成之研 磨對象物之用途中，可做為磨粒使用。更具體而言，氧 化銘粒子可使用於例如銘、銅等卑金屬或銘、I巴、釕等 貴金屬所構成之半導體裝置基板之配線之研磨，經鎳-磷鍍覆之硬碟基板表面之研磨，玻璃圓盤(glass disc)基 板之研磨，眼鏡用塑膠鏡片之研磨，液晶顯示器用彩色 濾光片基板之研磨，LED用藍寶石基板之研磨。氧化鋁 粒子可使用做為游離磨粒，亦可使用做為固定磨粒。 本實施態樣之氧化鋁粒子，在做為磨粒使用之情 況，關於平均一次粒徑、平均二次粒徑、粒度分布及α 化率，具有如以下說明之較佳範圍。 關於平均一次粒徑 氧化銘粒子之平均一次粒徑以0.01 μιη以上為佳， 而以0.03μπι以上為較佳，以0.05μιη以上為更佳。其中， 平均一次粒徑被定義為從具有六面體形狀之氧化鋁粒 201000403 夕巫％ =粒子之一個頂點延伸之三邊中最長邊之長度 卩返著氧化銘粒子之平均一次粒彳虽變大，氧化 二ΐ子it研磨對象物之研磨速度（除去速度）提高。關 J =氣仝銘粒子之平均一次粒徑為Ο.ΟΙμιη以上， 2言〇·03μιη以上或0.05Km以上，則將研磨速 ^间至=用上特別適合的程度將變得容易。 件，^f化链粒子之平均一次粒徑以0.6,以下為 ί著匕，以下為較佳…·2一以下為更佳。 磨後:+於;εΤ:子之平均—次粒徑變小，以氧化鋁粒子研 此象物之刮痕數及表面粗糙度減低。關於 -步=為=子之平均—次粒徑為g. 一以下，更進 ^ α 1 μΓΩ以下或〇.25^m以下’則使到痕數及 上待—=易 平均二次粒徑等於：當將雜由+二^上為更佳。其中， 小至大排序纟累積計算氧 1 由毎射散射法得到之粒徑從 粒子之所有粒子之累積體芦/If子之體積至為氧化鋁 計算到之氧化紹粒子之粒f 時’最後所累積 |。又，用氧化_子研：；》磨繼 表面之氧化絲子藉由洗淨除去變研磨物對象物 粒子之洗淨性提高）。關於此广易（亦即，氧化鋁 教徑為__ 教子之平均二次 0/5_以上，則使研磨速度及洗^性^ 以上或 適合的程度將變得容易。 巧至貫用上特別 201000403 又’氧化銘粒子之平均一次粒控以2 μηι以下為佳， 而以ΙμΐΉ以下為較佳’以〇·5μηι以下為更佳。隨著氧化 鋁粒子之平均二次粒徑變小，用氧化鋁粒子研磨後^磨 對象物之刮痕數及表面粗糙度減低。關於此，若氧化在呂 粒子之平均二次粒徑為2μπι以下，更進一步而言 以下或0.5μιη以下，則使刮痕數及表面粗糙度減^至垂 用上特別適合的程度將變得容易。 _ ^ _ 關於敕唐分布
將氧化鋁粒子之90%粒徑（D90)除以10%粒徑 所得到之D90/D10值以在3以下為佳，在2·5以^兔」 佳’在2.2以下為更佳，以2.0以下為特佳。其中，9〇$ 粒徑等於：當將藉由雷射散射法得到之粒徑從小至0 序並累積計算氧化銘粒子之體積至為氧化鋁粒子 有粒子之累積體積之90〇/〇以上時，最後所累積叶管 氧化麵粒子之粒徑；10%粒徑等於：當將藉由二= 徑從小至大排序並累積計算氧化：粒ΪΪ 虹知至為氧化鋁粒子之所有粒子之累積體積之 時，最後所累積計算到之氧化鋁粒子之粒徑。°，上 鋁粒子之D90/D10值變小，由於氧化鋁粒子中氧化 成到痕數及表面粗缝度增大之粗大粒子之比率織3之& 以用氧化鋁粒子研磨後研磨對象物之到了'^/]、，所 糙度減低。又，由於氧化鋁粒子中所含之及表面粗 原因之微小粒子之比率亦變小，所以附著ς =性降低 對象物表面之氧化姉子#㈣淨除去變得^後研磨 此，若氧化鋁粒子之D90/D10值在3以下，^易。關於 3 ^以下或2.2以下或2.〇以下’則使刮痕ί: Ϊ : 粗‘度減低至實用上特別適合的程度及使洗 7 201000403 至實用上特別適合的程度將變得容易。 又，對於D90/D10值之下限並無特別限定，以i 以上為較佳，以1.2以上為更佳，以1.3以上為特佳。 麗於α化率 氡化鋁粒子可具有任何結晶形態，例如可為任何以 如勃姆石（boehmite)之礬土水合物；如γ_礬土、δ_蓉土、
，Θ-礬土之過渡礬土；及α_礬土之任—種為主的氧化鋁 =子。然而，在要求高硬度之情況，氧化鋁粒子以至少 含有一部分α·礬土為較佳。氧化鋁粒子之α_化率以5% 以上為佳，以10%以上為較佳，以20%以上為更佳。其 中，α-化率係藉由X繞射法，根據與金剛石（c〇n^dum、) 之比較所求得之值。隨著氧化鋁粒子之α_化率變高，氧 ^鋁粒子對於研磨對象物之研磨速度提高。關於此點， 若氧化鋁粒子之α-化率為5%以上，更進一 ^而言11〇% 以上或20%以上，則使研磨速度提高至實用上特&適合 的程度將變得容易。 口 又，氧化鋁粒子之α·化率以70%以下為較佳，以5〇% 以下為更佳，以30%以下為特佳。隨著氧化鋁粒子之α_ 化率變低，以氧化鋁粒子研磨後研磨對象物之刮痕數及 表面粗糙度減低。關於此，若氧化銘粒子之α _化率為7 〇 % 以下，更進一步而言50%以下或30。/。以下，則使刮痕數 及表面粗糙度減低至實用上特別適合的程度將變得容 易。 ，本實施態樣之氧化鋁粒子，可以例如至少與水混合 ，製之漿液狀之研磨用組成物之態樣使用。就用'於 =鎳-石粦鐘覆之硬碟基板之表面之研磨用組成物而言，可 將虱化鋁粒子，較佳連同研磨促進劑，更佳連同研磨促 8 201000403 進劑、洗淨促進劑及氧化劑，在水中混合而調製。就用 於研磨顯示器基板之研磨用組成物而言，例如可將氧化 鋁粒子與水混合而調製。就用於研磨半導體裝置基板之 配線之研磨用組成物而言，可將氧化鋁粒子，較佳連同 研磨促進劑及氧化劑，在水中混合而調製。 研磨用組成物中氧化銘粒子之含量以〇 _ 〇 1質量％以 上為較佳，以0.1質量％以上為更佳。隨著氧化鋁粒子 之含量增多，研磨用組成物對於研磨對象物之研磨速度 提高。關於此’若研磨用組成物中氧化銘粒子之含量為 0.01質量％以上，更進一步而言0.1質量％以上，則使研 磨速度提高至實用上特別適合的程度將變得容易。 又，研磨用組成物中氧化鋁粒子之含量以30質量％ 以下為較佳，以15質量％以下為更佳。隨著氧化鋁粒子 之含量減少，研磨用組成物中氧化I呂粒子之分散性提 高。關於此，若研磨用組成物中氧化鋁粒子之含量為30 質量％以下，更進一步而言15質量％以下，則使研磨用 組成物中氧化鋁粒子之分散性提高至實用上特別適合 的程度將變得容易。 研磨促進劑，係以使研磨用組成物對於研磨對象物 之研磨速度提高為目的，於需要時添加於研磨用組成 物。可添加於研磨用組成物之研磨促進劑，可為例如有 機酸及其鹽，無機酸及其鹽，及鹼類化合物（包含鹼金屬 氫氧化物、氨、胺、及四級銨化合物）。 就有機酸之具體例而言，可列舉如檸檬酸、馬來 酸、馬來酸酐、蘋果酸、甘醇酸、破拍酸、衣康酸、丙 二酸、亞胺基二醋酸、葡糖酸、乳酸、扁桃酸、酒石酸、 巴豆酸、菸鹼酸、醋酸、硫代蘋果酸、曱酸、草酸、羧 9 201000403 乙基硫代琥珀酸。此等有機酸之銨_、 金屬鹽（包含鐵鹽、鎳鹽、鋁鹽^至屬鹽或過渡 用。 嚴、彳文為研磨促進劑使 就無機酸之具體例而言，可 酸、磷酸。此等無機酸之銨鹽、鹼i屬、硫酸、硝 (包含鐵鹽、鎳鹽，鹽)亦可做為研磨以f田金屬鹽 卸 氫氧化鈉、氫氧化例而& ’可列舉如氫氧化 胺 ，胺^具體例而言，可列舉如甲胺、 一 乙一胺等二兀胺，單乙醇 商早兀 就四級銨化合物之具體例而言。 化合物、四乙基銨化合物、 :如四曱基銨 化合物。 四丙基♦化合物等四燒基銨 用於研磨經鎳_磷鍍覆之硬 iSr吏^磨促進劑以無機酸鹽為較佳，Ξ 盔嫵鋁、硫酸鋁、氯化鋁之無機鋁鹽為特佳。在倍用 :制之情況’用研磨用組成物研磨後不會造成臭板 度增大，且研磨用組成物之= 以峭酸、魏、或檸檬料特佳。 尤其 其他研磨用組成物所使用之研磨促進劑，以盔 U金屬鹽為較佳，尤其以氣切、氯化納、硝酸= 声酸鉀、硫酸鈉為特佳。此等驗金屬鹽促進研 二ΐΐ成物中氧化銘粒子之凝集，結果使研磨用叙成2 生之研磨速度特別大幅度地提高。 10 201000403 , 劑係以提高氧化叙^ '於需要時添加於研磨用組成从丄之洗’爭性為目 合化合物做為洗淨促進劑。 。亦可使用任何螯 ，二伸乙基三胺丄乙之，淨促進劑而言， 鹼金屬鹽及銨鹽。 楚胺馱二醋酸，及此等酸之 氣化劑係以使研磨用組 磨速度提高為目的，於 4於研磨對象物之研 雖然具有氧化作用之任何研磨用組成物中。 ，佳使用且容錢作者為過氧化氧化劑’然 妞酸納、過硫酸鉀等過硫酸鹽。^或過硫酸銨、過 繼而，對於前述氧化鋁粒子勢 礬土或過渡礬土為主 子^狀為，、面體之礬土水合物所構成之片 准二，以約略維持原料粒子之一次粒子之形狀的方式 二：锻燒而製造。以^礬土為主之氧化鋁粒子，可： f由一次粒子之形狀為六面體之過渡礬土之^ 锻_ ^ Ϊ維持原料粒子之—絲子之形狀的方式進行 瓜ς而製造。原料粒子之-次粒子以具有·於相向: 一 1U正方形及四個長方形或正方形所圍成之平行 > 面 體’或相向之二個菱形及四個長方形或正方形所圍成之 平行六面體之外形形狀為較佳。礬土水合物可為三水銘 石（gibbsite)、鎂磷鈣鋁石（bialite)、三钭三水^鋁石 (nordstrandite)、勃姆石（boehmite)之任一種。椒捧、、田产 可為例如500〜1250°C。 以勃姆石為主之氧化鋁粒子，可藉由將含有 質量％之平均一次粒徑為ΙΟμιη以下之三水鋁石粒子或 201000403 鎂磷鈣鋁石粒子之漿液，在熱壓爸内於200°C進行4小 時之水熱處理而製造。 前述實施態樣亦可如下述變更。 前述實施態樣之氧化鋁粒子，除做為磨粒之用途 外，亦可使用於樹脂用填充劑、顏料、塗布劑、化妝品、 觸媒、陶瓷原料等之用途。 前述實施態樣之研磨用組成物，視需要亦可進一步 含有界面活性劑。此時，研磨後之研磨對象物之刮痕數 降低。 前述實施態樣之研磨用組成物，視需要亦可進一步 含有水溶性高分子。此時，研磨後之研磨對象物之刮痕 數降低。就水溶性高分子之具體例而言，可列舉羥乙基 纖維素、普魯蘭糖(pullulan)、角叉菜膠（carrangeenan) 等多糖類，聚乙烯醇、聚乙烯基吡咯啶酮等合成水溶性 高分子。 前述實施態樣之研磨用組成物，亦可藉由將研磨用 組成物之原液用水稀釋而調製。 . 繼而，舉出實施例及比較例，進一步具體地說明本 發明。 (實施例1〜Π及比較例1〜6) 在實施例1〜17及比較例1〜5中，係將表一中之「A」 〜「P」所示之銘化合物粒子之任一種，與確酸銘九水合 物或氯化鋁六水合物（研磨促進劑）、麩胺酸二醋酸四鈉 鹽（洗淨促進劑）及過氧化氫（氧化劑）一起在水中混合，而 調製成研磨用組成物。比較例6中係將硝酸鋁九水合 物、麩胺酸二醋酸四鈉鹽及過氧化氫一起在水中混合， 而調製成研磨用組成物。各例之研磨用組成物中所含之 12 201000403 ί旦=ί種類f含量以及研磨促進劑之種類及 鋁「化合物粒子之種類」欄、「鋁 搁磨促進劑之種類」攔、及 物：示。又’各例之研磨用組成 物中所含之麩胺酸二醋酸之含量及過氧化氬之含量，在 任一研磨用組成物之情況均分別為03g/L及i3g/L。 以日次粒r形狀」襴所示之形狀’係依據 ί s=級技λ股份有限公司製之掃描電子顯微鏡 S-4·硯，各銘化合物粒子之—次粒子形狀的結 掃圹ί;!丄，比」攔所示之各數值，係依據藉由 爛」之觀察，以2⑽健化合物 拉子所計測得之長寬比之平均值。表一中之「α化率」 值，係使用理化股份有限公司製之X射線 二：r!lex π」，基於與金剛石之比較所求得 2 ίΐ 化率。表—中之「平均-次粒徑」 ，所二之各數值，係依據藉由掃描電子顯微鏡「s_4700」 之覜祭所計測到之各鋁化合物粒子之平均一次粒徑。表 二次粒徑」欄所示之各數值，係使用堀場 ϋ ^有限公司製之雷射繞射/散射式粒徑分布測 疋衣置「LA-950」所計測到之各鋁化合物粒子之平均二 次粒徑。表一中之「D90/D10」欄所示之各數值，係從 使用雷射繞射/散射式粒徑分布測定裝置「lA_95() 測到之各鋁化合物粒子之90%粒徑及丨〇 計出 之D9〇侧值。再者，表-中之「A」〜 =:子係以礬土為主之礬土粒子，「s」;斤;斤= :姆石為主之勃姆石粒子，「T」所示之鋁 化口物粒子為以氫氧化鋁為主之氫氧化鋁粒子。 13 201000403 μ ΐΐ :·5々吋(％9·5_)之磁碟用無電解鎳-磷鍍覆基 才^表面用各例之研磨用組成物以表三所示之條件 5=磨ti ’，據7磨前後基板重量之差異所求 付之釔果，如表二之「研磨速度」欄所示。 洗淨將===心純水 起伏Wa，將其結果示於表二之面=術平均 >計測使用各例之研磨用組成物^ =後a」，、先 淨之基板表面之刮痕數。具體而兮胺ά 用、、、屯水洗 限公司製之表面檢查燈「F1 ooz二光日^份有 同時用目視計測刮痕數。所計測先1射於基板表面， 評價為優(〇〇〇)，30以上小^ 1刮痕數小於30時 以上小於75時評價為可（〇) , 75 ' &評價為良（〇〇)，50 稍不良（X)，100以上時評價為上小於10〇時評價為 二之「刮痕數」攔。 、々（χχ)，其結果示於表 觀察使用各例之研磨用組#‘ 淨後之基板表面有無異物附著。研磨，然後用純水洗 藉由目視觀察及使用掃描電子每:體而言，在螢光燈下 描電子顯微鏡均未確認異物附;觀察。以S視及掃 雖未確認異物附著，然而用掃栌=評價為優（〇)，以目視 物附著時評價為稍不良（X)，用=皂子顯微鏡則可確認異 附著時評價為不良（XX)，用目，可勉強地確認異物之 著時評價為極不良（xx>〇，其社里可清晰地確認異物之附 著」欄。 σ承於表二之「異物之附 14 201000403
表一 \ 一次粒子形狀 長寬比 ! α化率(％) i_ 平均一次粒徑(μηι) 平均二次粒徑(μιη) D90/D10 A 六面體 2.5 10 0.17 0.26 1.75 B 六面體 2.0 10 0.20 0.28 1.8 C 六面體 2.0 45 0.20 0.34 1.9 D 六面體 1.8 10 0.25 0.31 1.8 E 六面體 1.8 50 0.25 0.38 2.1 F 六面體 1.5 42 0.3 0.48 2.21 G 六面體 1.2 40 0.4 0.67 2.36 H 六面體 1 52 0.5 0.74 2.54 I 六面體 1 51 0.7 1.12 2.4 J 六面體 1.2 35 0.4 0.61 2.21 K 六面體 1.2 62 0.4 0.69 2.38 L 不定形 無法測定 20 0.2 0.80 9.27 M 不定形 無法測定 20 0.2 0.60 6.73 N 球形 無法測定 100 0.2 0.30 2.71 0 板狀 30 100 2.19 2.19 13.15 P 板狀 30 100 0.57 0.57 5.73 Q 球狀 無法測定 100 0.09 0.10 1.45 R 不定形 無法測定 100 0.08 0.09 1.38 15 201000403
s 六面體 2.5 0 0.17 0.26 1.38 τ 不定形 無法測定 0 0.1 1.86 3.5 16 201000403 \ 紹化合物粒子之種類 i_ 鋁化合物粒子之含量(質量％) 研磨促進劑之種類 研磨促進劑之含量(g/L) 研磨速度(μΐΏ/分鐘） 算術平均粗糙度Ra(nm) 算術平均起伏Wa(nm) 刮痕數 異物之附著 實施例1 A 1.5 A1C13 3 0.56 7.1 2.7 〇〇〇 〇 實施例2 B 1.5 A1C13 3 0.60 7.5 2.8 〇〇〇 〇 實施例3 B 1.5 Aids 6 0.78 7.4 2.8 〇〇〇 〇 實施例4 C 1.5 A1C13 3 0.73 8.9 2.8 〇〇 〇 實施例5 D 1.5 Aids 3 0.66 8.2 3.0 〇〇〇 〇 實施例6 E 1.5 A1C13 3 0.79 9.6 3.0 〇〇 〇 實施例7 F 1.5 A1(N03)3 3 0.67 9.4 3.3 〇〇 〇 實施例8 F 1.5 Aids 3 0.84 9.0 3.1 〇〇 〇 實施例9 G 1.5 A1(N03)3 3 0.79 10.3 3.6 〇〇 〇 實施例10 G 1.5 A1C13 1.5 0.80 10.1 3.4 〇〇 〇 實施例11 G 1.5 Aids 3 1.00 9.8 3.4 〇〇 〇 實施例12 G 1.5 Aids 5 1.03 9.9 3.4 〇〇 〇 實施例13 H 1.5 A1(N03)3 3 0.85 13.6 4.8 〇 〇 實施例14 I 1.5 A1(N03)3 3 0.90 14.7 5.1 〇 〇 實施例15 I 1.5 A1C13 3 1.13 14.3 4.8 〇 〇 實施例16 J 1.5 Al(N〇3)3 3 0.68 8.8 3.0 〇〇 〇 17 201000403 Α1(Ν〇3), Α1(Ν〇^ _3 0.71 9.1 3.5 〇 〇 〜3 0.65 11.2 3.0 XX XXX _ 3 0.42 9.4 2.6 〇 ---- XX 〜3 0.11 5.6 2.3 〇〇 XXX 、3 0.20 7.9 4.9 XX X 〜3 0.38 6.5 3.8 X XX 3 0.05 益 無 t »»> 〇 法 法 法 測 測 測 —--- 定 定 定
比較例1从5〇 比較例
比較例6
研 g 機.兩 7!~~ - 研磨糾精機股料限公司製9.5B_5P」） 「CR200 )月基甲夂酯墊片（FILWEL股份有限公司製 研磨荷重：l〇〇g/cm2〇i〇kpa) 上定盤回轉速：24rpm 下定盤回轉速：16rpm 研磨用組成物之供給量：150m」L/分鐘 ·_ 厚度 3μιη 如表二所示，若使用實施例之研磨 則就研磨速度及表面粗綠度（算術平均粗糙度Ra及管術 平均起伏Wa)而言，可得到足以實用程度之數=就 到痕數及異物之附著而言，可得到良好之社 (實施例2〗〜24及比較例21、22) ° 。
S 將表一尹之厂入」、％、，、％、^…^ 18 201000403 Ιί铭粒子任—種於水中混合，調製成研磨用組 . ° 研磨用組成物中所含之I呂化合物粒子之種 通及S ^ ^ ^各例之研磨用組成物之pH值如表四所示。 將頒不益用丙烯酸系樹脂基板之表面用各例之研 磨用組^物以表五所示之條件研磨時之研磨速度，係依 據研磨前後之基板厚度之差異而求得，其結果如表四之 「研磨速度」攔所示。 /將使用各例之研磨用組成物研磨後之基板用純水 洗淨’然後使用Phase Shift公司製之「Micro XAM」測 定研磨後基板表面之算術平均粗糙度Ra，將其結果示於 表四^「算術平均粗糙度Ra」欄。 ^ §十測使用各例之研磨用組成物研磨，然後用純水洗 淨之基板表面之刮痕數。具體而言，將船越藥品股份有 限^司製之表面檢查燈「F100Z」之光照射於基板表面’ 同日守用目視計測刮痕數。計測之刮痕數小於50時評價 為良(=〇)，50以上小於75時評價為可（〇)，75以上小於 100日守。平j貝為猶不良（χ)，1〇〇以上時評價為不良（xx)， 結果示於表四之「刮痕數」攔。 19 201000403
表四 \ 鋁化合物粒子之種類 銘化合物粒子之含量 (質量％) Dh 研磨速度(μηι/分鐘） 算術平均粗縫度Ra(nm) 刮痕數 實施例21 A 1.0 7.3 0.69 1.8 〇〇 實施例22 B 1.0 7.0 0.73 1.8 〇 實施例23 D 1.0 6.5 0.88 2.2 〇 實施例24 S 1.0 7.0 0.13 1.7 〇 比較例21 Q 10.0 4.3 0.23 2.5 XX 比較例22 T 1.0 7.5 0.11 2.1 X 表五 研磨機：奥斯卡型單面研磨機(宇田川鐵工股份有限公司製) 研磨墊片：絨面革(suede)墊片（富士見股份有限公司(Fujimi Incorporated)製「SUKFIN 018-3」） 研磨荷重：80g/cm2〇8kPa) 定盤徑：直徑30cm 定盤回轉速：130rpm 下定盤回轉速：16rpm 研磨用組成物之供給量：5mL/分鐘 研磨時間：10分鐘 20 201000403 物，二ΐ:二斤示’若使用實施例21〜24之研磨用組成 及表面純度（算術 用程度之數值，又就刮痕數而-，亦 (實施例31、32及比較例31) 種，f ^中之「A」、「R」所示之鋁化合物粒子之任一 气（氧、彳研磨促進劑）、氯化鉀(研磨促進劑）及過氧化 量用成物中所含之鋁化合物粒子之種類及含 ίΖί例之研磨用組成物之PH如表六示。又’各例 人^物中之鹽酸之含量、氯化斜之含量及過氧 1 .¥、用組成物之情況均分別為 其缸ί ±7〇μΠ1Χ7〇μΐη鈀所構成之墊片散佈於半導體裝置 :研二L秃用各例之研磨用組成物以表七所示之條 之研磨速度，係依據研磨前後之基板重 4 = 其結杲如表六之「研磨速度」欄所示。 -.l.'J . 例之研磨用組成物研磨，然後用純水洗 ΚΐΪ ΐ之刮痕數。具體而言，將船越藥品股份有 = = 面I檢查燈「酸ζ」之光照射於基板表面， 為芦 不。及刮痕數。計測之刮痕數小於50時評價 1Ω〇\Γ〇 > &以上小於75時評價為可（〇)，75以上小於 复It ^ ^ ’⑽以上時評價為不良（叫， …、。果不於表，、之「刮痕數」攔。 21 201000403
戥 梁 趄 荽 墙 ♦l 伞 屮s 客辦 jD 墙 a, 1 § ¥ —例 31 A 0.4 2.2 0.24 〇〇 —農赛例32 A 0.2 2.2 0.20 〇〇 —交例 31 R 0.4 2.2 0.19 XX 表七 ----___ 研磨機：Westech 372M(Equipment Acquisition Resources 公司製） 研磨墊片：聚胺基曱酸酯墊片（Rohm and Haas Electric Materials CMP Holdings, Inc 公司製「IC1000」） 上定盤回轉速：72rpm 下定盤回轉速：69rpm 研磨用組成物之供給量：200mL/分鐘 研磨時間:30秒 如表六所示，若使用實施例31、32之研磨用組成 物’則就研磨速度而言，可得到足以實用程度之數值， 又就刮痕數而言，亦可得到良好之結果。 【圖式簡單說明】 22 201000403 第一圖：顯示本發明之一實施態樣之氧化鋁粒子之 一例之掃描電子顯微鏡照片。 第二圖：顯示相同實施態樣之氧化鋁粒子之另一例 之二張掃描電子顯微鏡照片。 【主要元件符號說明】 23

Claims (1)

  1. 201000403 七、申請專利範圍： 1. 一種氧化鋁粒子，其特徵為一次粒子之形狀為六面 體，一次粒子之長寬比為1〜5。 2. 如申請專利範圍第1項之氧化鋁粒子，其平均一次粒 徑為 0.01 〜0·6μπι。 3. 如申請專利範圍第1或2項之氧化鋁粒子，其α化率 為5〜70%。 4. 如申請專利範圍第1或2項之氧化鋁粒子，其平均二 次粒徑為0.01〜2μηι，90%粒徑除以10%粒徑得到之值 為3以下。 5. 如申請專利範圍第1或2項之氧化鋁粒子，其係於研 磨電子零件用基板之用途中做為磨粒使用。 6. 如申請專利範圍第1或2項之氧化鋁粒子，其係於研 磨經鎳-磷鍍覆之研磨對象物之表面之用途中做為磨 粒使用。 7. 如申請專利範圍第1或2項之氧化鋁粒子，其係於研 磨由貴金屬所構成之研磨對象物之用途中做為磨粒 使用。 8. 如申請專利範圍第1或2項之氧化鋁粒子，其係於研 磨由樹脂所構成之研磨對象物之用途中做為磨粒使 用。 9. 一種研磨用組成物，其特徵為含有如申請專利範圍第 1或2項之氧化鋁粒子及水。 24
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