TW200941663A - Semiconductor module and video apparatus - Google Patents

Semiconductor module and video apparatus Download PDF

Info

Publication number
TW200941663A
TW200941663A TW097143469A TW97143469A TW200941663A TW 200941663 A TW200941663 A TW 200941663A TW 097143469 A TW097143469 A TW 097143469A TW 97143469 A TW97143469 A TW 97143469A TW 200941663 A TW200941663 A TW 200941663A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
semiconductor element
semiconductor
bonding wire
semiconductor module
opposite
Prior art date
Application number
TW097143469A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI462242B (zh
Inventor
Satoshi Noro
Tomofumi Watanabe
Original Assignee
Sanyo Electric Co
Sanyo Semiconductor Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sanyo Electric Co, Sanyo Semiconductor Co Ltd filed Critical Sanyo Electric Co
Publication of TW200941663A publication Critical patent/TW200941663A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI462242B publication Critical patent/TWI462242B/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/18Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03BAPPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
    • G03B17/00Details of cameras or camera bodies; Accessories therefor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/50Constructional details
    • H04N23/54Mounting of pick-up tubes, electronic image sensors, deviation or focusing coils
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/58Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
    • H01L2223/64Impedance arrangements
    • H01L2223/66High-frequency adaptations
    • H01L2223/6605High-frequency electrical connections
    • H01L2223/6611Wire connections
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554External layer
    • H01L2224/0555Shape
    • H01L2224/05552Shape in top view
    • H01L2224/05553Shape in top view being rectangular
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32135Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/32145Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48235Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a via metallisation of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/4912Layout
    • H01L2224/49175Parallel arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/494Connecting portions
    • H01L2224/4943Connecting portions the connecting portions being staggered
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14618Containers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01006Carbon [C]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01012Magnesium [Mg]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01013Aluminum [Al]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01029Copper [Cu]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/0103Zinc [Zn]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01033Arsenic [As]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01047Silver [Ag]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/0105Tin [Sn]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01079Gold [Au]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01082Lead [Pb]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01083Bismuth [Bi]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013Alloys
    • H01L2924/014Solder alloys
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/153Connection portion
    • H01L2924/1531Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15311Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Adjustment Of Camera Lenses (AREA)
  • Studio Devices (AREA)

Description

200941663
» I 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】
的攝有關—種半導體模組和搭載了該半導體模組 f先前技術J 伴隨著電子設備的小型化.高功能化,要求在電 :f吏用的半導體模組更加小型化、集成化。為了因 曰、、=種要求’開發了在基板上搭载了多個半導體晶片的多 曰曰片模組(M〇〇 〇 做為在MCM中作為搭載半導體晶片的構造者,將多個 =導體晶片進行層疊的多級堆疊結構(SM咖如㈣) 斤周矣在夕級堆登結構的職巾,在各半導體晶片 ^周圍設置外部電極’並藉由接合導線(bonding wire) 電性連接各外部電姉基板上的電極焊塾。 ❹ 晶片=被組裝到CCD照相機中,對各半導體 導體晶片中加入^ •。例如’在作為邏輯元件起作用的半 體曰*工電路在作為驅動元件起作用的半導 曰曰片中加入向驅動ccd的馬達等供給電流的電路。 伴隨MCM高密度化的進展 的電路。 的本遂4^乍4馬區動元》件起作用 的+導體讀和作為邏輯元件起作用的:起作用 更接近的狀態進行封裝化。為此,流過作免牛的距離 用的半導體元件的接合導線的信 ^為驅動元件起作 用的半導體元件的雜訊,使得作為邏輯元件起作 體元件的動作可靠轉低’以至於有可能= 37Π7ΛΠ 3 200941663 的動作可靠性。 另外’數位照相機等的攝像裝置祜 在·中鄰接的半導體元件的間皮^更加小型化, 導體兀件的動作可靠性的降低變得=接近,所以上述半 攝像裝置的動作不良的問題。 ’存在有可能導致 【發明内容】 本發明繁於上述問題而產生, ❹ ❹ 具有多個半導體it件的半導體模_的在於提供一種在 體元件的接合導線的信號成為其他^流過一方的半導 題進行抑制’使半導體模組的動 體辑的雜訊的問 外,本發明的其他目的在於提供= 生提高的技術。另 導體元件的半導體模組的攝像裝置的動:入了具有多個半 術。 的動作可靠性提高的技 本發明的—種形態為半導體模 括:佈線基板,在一個太矣& L 该丰導體杈組包 導辦元m 設置有基板電極,·第一半 入或幹出的、_Γ佈線基板’具有用於對邏輯信號進行輸 或輸出的邏Μ號用電極;第二半導體树,與第一半 導體搭载’具有用於輸出大電流的電流輸出用電 極’第一接°導線,將邏輯信號用電極和與其對應的基板 電極電f生連接’和第二接合導線,將電流輸出用電極和與 其對應的基板電極電性連接;從佈線基板的主表面-側觀 察’第-接合導線係橫穿第一半導體元件的未與第二半導 體元件的邊相對向的邊。 根據此^/態’因為在第一半導體元件中設置的邏輯信 320760 4 200941663 號用電極以及第一接合導線被設置在遠離第二半導體元件 ' 的位置上,所以能夠抑制在第一半導體元件中產生由於第 二半導體元件輸出的大電流導致的雜訊。 在上述形態中,電流輸出用電極也可以沿著第二接合 導線所橫穿的第二半導體元件的邊設置。 另外,在上述形態中,也可以是第一半導體元件輸出 攝像裝置的手抖動修正用的手抖動修正信號,第二半導體 元件輸出供給到驅動單元的大電流,該驅動單元根據手抖 動修正信號對攝像裝置的透鏡進行驅動。在這種情況下, 驅動裝置可以是音圈馬達(VCM)。 另外,在上述形態中,邏輯信號用電極也可以沿著第 一半導體元件的與第二半導體元件的邊相對向的邊不同的 邊設置。另外,第二接合導線所橫穿的第二半導體元件的 邊和與該邊相對向的佈線基板的邊之間的距離,也可以比 第二接合導線所橫穿的第二半導體元件的邊的對邊和與該 Q 對邊相對向的佈線基板的邊之間的距離短。在這種情況 下,在與第二接合導線所横穿的第二半導體元件的邊正交 的方向上,第一半導體元件和第二半導體元件相互錯開配 置。 本發明的另一種形態是攝像裝置。該攝像裝置包括上 述任意一種形態的半導體模組。 【實施方式】 下面,參照附圖對本發明的實施方式進行說明。但是, 針對全部的附圖,對同樣的構成要素標注同樣的符號,且 5 320760 200941663 " 在下面的說明中對詳細說明進行適當的省略。 v 實施方式中的半導體模組,適於應用在具有手抖動修 正功能的數位相機等攝像裝置中。第1圖是表示具有實施 方式中的半導體模組的攝像裝置的電路構成的方塊圖。數 位相機具有信號放大部10和手抖動修正部20。信號放大 部10係對輸入的信號以預定的放大率進行放大,然後輸出 到手抖動修正部2 0。手抖動修正部2 0係根據輸入的角速 度信號和透鏡的位置信號,將用於控制透鏡的位置以進行 手抖動修正的信號輸出到信號放大部10。 下面,對於數位相機的構成進行更具體地說明。 陀螺感測器50對數位相機的XY兩個軸的角速度進行 檢測。透過陀螺感測器50得到的類比角速度信號,係透過 放大電路12放大後輸出到ADC(類比數位轉換器)22°ADC 22 將藉由放大電路12所放大的角速度信號轉換為數位角速 度信號。從ADC 22輸出的角速度信號係輸出到陀螺均衡器 ❿ 24。 在陀螺均衡器24中,首先,自ADC 22輸出的數位角 速度信號輸入到HPF(高通濾波器)26。HPF 26去除從陀螺 感測器50輸出的角速度信號中比由於手抖動而產生的頻 率成分低的頻率成分。一般而言,由於手抖動而產生的頻 率成分為1〜20Hz,所以例如從角速度信號中去除在0.7Hz 以下的頻率成分。 搖攝(pan)/傾斜(tilt)判定電路28係根據HPF 26輸 出的角速度信號,對攝像裝置的搖攝動作、傾斜動作進行 6 320760 200941663 檢測。在根據被攝體的移動等使攝像 輪_、於該移動的角速度:號:1下因 搖攝動作或傾斜動作而產生 —疋因 是根據手抖動產生的變動,所\度^的變動,因為不 系統進行修正的情況。搖攝/ ^對透鏡6G等光學 ❹ 賴於根據絲動作錢斜師=不依 情況下進行手抖動修正㈣設置。^^的變動的 定電路28 4系在檢測到角速度二一而δ ’搖攝/傾斜判 定值時’判定為相機處於插攝“==處於預 根據被攝體的移動等將使攝像 ^ " 另外, 稱作搖攝動作,將使攝像7平方向移動的情況 傾斜動作。 在垂直方向移動的情況稱作 增益調整電路30係根據搖攝 結果,改變從卿26輸出的;^疋電路28的判定 在不是搖攝動作或傾斜動作中的;放大率。例如, 進行HPF26輸出的角速度_ ^ ’增赖整電路30 動作或傾斜動作中的情況下就==另外’賴 HPF 26輪出的角速度信號的強度 30係以減弱 行增益調整。 吏輸M G的方式,進 低通濾波器(LPF)32發揮積分 整電路30輸出的角速度信號二刀二路的作用’對增益調 裝置移動量的角度信號。例如,LpF刀’:而生成表示攝像 渡波器H皮處理來求$肖 、錢判用數位 量。 度枱旒、亦即攝像裝置的移動 320760 7 200941663 定中心處理電路34係對從LPF 32輸出的角速度信號 減去預定值。在攝像裝置中進行手抖動修正處理的情況 下,在持續進行修正處理之時,透鏡位置漸漸離開基準位 置,有可能到達透鏡可動範圍的界限點附近。此時,如果 繼續進行手抖動修正處理,則透鏡變為可以向一個方向移 動但是不能向其他方向移動。定中心處理電路是為了防止 這種情況而設置者,透過從角度信號減去預定的值,控制 透鏡難以接近可動範圍的界限點。 自定中心處理電路34輸出的角度信號,係透過增益調 整電路36被調整在霍爾元件70的信號的範圍。透過增益 調整電路36被調整的角度信號係輸出到霍爾均衡器40。 霍爾元件70是利用霍爾效應的磁敏感測器,作為透鏡 6 0的X和Y方向的位置檢測單元來起作用。包括透過霍爾 元件70而得到的透鏡60的位置資訊的類比位置信號,透 過放大電路14放大後,傳送給ADC 22。ADC 22將透過放 〇 大電路14放大的類比位置信號轉換為數位位置信號。另 外,ADC 22將放大電路12和放大電路14的類比輸出按分 時方式轉換為數位值。 自ADC 22輸出的位置信號,係輸出到霍爾均衡器40。 在霍爾均衡器40中,首先,自ADC 22輸出的位置信號輸 入到加法電路42。另外,向加法電路42輸入透過增益調 整電路36調整的角度信號。加法電路42將輸入的位置信 號和角度信號進行加法運算。自加法電路4 2輸出的信號, 係輸出到伺服電路44。伺服電路44係基於輸出到伺服電 8 320760 200941663 路44的信號,生成料 欠對VCM 8〇的驅動進行控制的信號。該 信號的電流(VCM驅韌贵、.. %動電流)一般來說為2〇〇〜3〇〇mA。另 外,在伺服電路44中, 〇 ^ Ύ也可以進仃利用伺服電路數位濾波 器的滤波處理^ 自祠服電路44輪出的醫驅動信號係透過DAC(數位 類比轉換器)46從數位信號轉換為類比信號。類比VCM驅 動信號在透過放大電路16放大後,係輸出到%請。· ❹ 80係基於VCM驅動信號使透鏡6〇的χ和γ方向 生移動。 D 、罝發 於此’對於在有手抖動的情況和沒有手抖動的情況下 的本實施方式的攝像裝置的電路動作,進行說明。 (在沒有手抖動的情況下的動作) 在沒有手抖動的情況下,因為在攝像裝置不產生角速 度,所以陀螺均衡器24輸出的信號為‘‘〇’,。由VCM 8〇 ^ 動的透鏡60的位置,其光軸和攝像裝置具備的ccd等攝= 〇 元件(未圖示)的中心一致,所以透過霍爾元件7〇和放大電 路14產生的類比位置信號,在透過ADC 22轉換為表示 “0”的數位位置信號之後,係輸出到霍爾均衡器。伺 服電路44在位置信號的值為“〇,,時,輸出控制^ 信號’來維持當前的透鏡6〇的位置。 另外,在透鏡60的位置和攝像元件的中心不一致的情 況下,透過霍爾元件70和放大電路η產生的類比位置作 號,在透過ADC 22轉換為表示非的數位位置信號: 後,係輸出到霍爾均衡器40。伺服電路44係根據AD(: 22 320760 9 200941663 來使仇置信號的
輸出的數位位置信"5虎的值,控制vcm 8 q 值變為“0” 。 透過反復進行這樣的動作, 透鏡6 0的位置和攝像元件的中心^^致 (在有手抖動的情況下的動作)
的位置,其光軸和攝像裝置 所以透過霍爾元件70和放大 ,在透過ADC 22轉換為表示 0的數位位置馆號之後,係輸出到霍爾均衡器4〇。 另一方*,由於手抖動而攝像裝置發生移動,咖犯 和定中心處理電路3 4係根據陀螺均衡器5 〇檢測出的角 度信號,輸出表示攝像裝置的移動量的角度信號。 ' 伺服電路44係根據將ADC22輸出的表示“U〇,,的位置 信號、和定中心處理電路輸出的角度信號相加得到的信 號,生成VCM的驅動信號。此時,儘管位置信號為‘‘〇,, 由於加上了不s “〇”的角度信號,所以祠服電路44 使透鏡60移動的修正信號。 另外,本實施方式的手抖動修正,不是將aD的圖像 暫時讀入記憶體透過與下-圖像進行比較來排除手抖動的 要素的所謂的電子式手抖動修正,而是如上前述,以光學 方式使透_動的透鏡移動方式或使⑽移動的c = 方式等光學式手抖動修正。 勒 動修正機構的情況下產生的下述問題 因此光子式手抖動修正能夠解決在採用電子式手幷 ’即:對預先粗略拍 32〇76〇 10 200941663 攝的圖像進行修整而產生的晝質劣化;根據CCD大小的制 約,修正範圍和攝像倍率有限;再者,不能對單幅的靜止 圖像的模糊進行修正。特別是,在從高晝質攝像機的影像 中取出靜止圖的情況下,光學式手抖動修正比較有效。 由於VCM 80根據伺服電路44輸出的修正信號使透鏡 60移動,所以攝像裝置具備的攝像元件能夠得到將根據手 抖動產生的被攝體的模糊進行抑制後的信號。透過反復進 行這樣的控制,來實現手抖動修正控制。 第2圖是表示實施方式中的半導體模組的概略構成的 俯視圖。另外,第3圖是表示實施方式中的半導體模組的 概略構成的剖視圖。但是,在第2圖中,省略了後面講到 的密封樹脂15 0。 半導體模組100包括:佈線基板110、第一半導體元 件120、第二半導體元件130、第三半導體元件140、第四 半導體元件170、密封樹脂150、和焊錫球160。 Φ 佈線基板110隔著絕緣樹脂層112具有第一佈線層114 和第二佈線層Π6。第一佈線層114和第二佈線層116係 透過貫穿絕緣樹脂層112的過孔117電性連接。第二佈線 層116與焊錫球160連接。 作為構成絕緣樹脂層112的材料,可以例舉,例如: BT樹脂等三聚氰胺衍生物、液晶聚合物、環氧樹脂、PPE 樹脂、聚醯亞胺樹脂、氟樹脂、酚醛樹脂、聚醯胺雙馬來 醯亞胺等熱固性樹脂。為了提高半導體模組100的散熱 性,絕緣樹脂層112較宜具有高熱傳導性的材料。為此, 11 320760 200941663 絕緣樹脂層112較宜含有銀、叙、銅、紹、鎮、錫、鋅和 ^ 這些的合金等來作為高熱傳導性填充物。 作為構成第一佈線層114和第二佈線層116的材料, 可以列舉,例如:銅。 在佈線基板110的主表面S1上,第一半導體元件120 和第二半導體元件130被並排搭載。另外,按照層疊在第 一半導體元件120上的方式搭載有第三半導體元件140。 第一半導體元件120是邏輯元件,相當於第1圖所示的手 抖動修正部20。另外,第二半導體元件130是驅動元件或 功率元件,相當於第1圖所示的信號放大部10。第三半導 體元件140是CPU。第三半導體元件140擔當第一半導體 元件120的功能的一部分,根據需要代替第一半導體元件 120的功能。另外,第四半導體元件170是EEPROM等記憶 體元件。在第四半導體元件170中保持手抖動修正控制所 需的數據。第一半導體元件120、第二半導體元件130、第 ❹三半導體元件140和第四半導體元件170係藉由密封樹脂 150密封和封裝化。密封樹脂150係根據例如轉移模製 (transfer mold)法來形成。 在第一半導體元件120中,設置有用於邏輯信號輸入 或輸出的邏輯信號用電極122。作為輸入到第一半導體元 件120的邏輯信號,可以列舉:上述角速度信號、位置信 號。邏輯信號的電流典型為2mA。另外,作為從第一半導 體元件120輸出的邏輯信號,可以列舉:手抖動修正信號。 邏輯信號用電極122係透過金屬線等接合導線124,與在 12 320760 200941663 .第一佈線層114上設置的基板電極118a電性連接。 雷二半導體元件130巾,設置有用於輸出大電流的 電^輸出用電極132。作為自第二半導體元件13G輸出的 大電流,可以列舉:用於驅動VCM的電流(200〜3〇〇mA)。 =輸“電極132錢過金屬料接合導線134,與在 第一佈線層114上設置的基板電極1181)電性連接。另/外, 二半導體元件130中,除電流輸出用電極132之外, ❹還,置有用於輸入、輸出與其他的半導體元件之間的信號 的曰曰片電極136。晶片電極136係透過金屬線等接合導線 137與在第一佈線層114上設置的基板電極use電性連 接。此外,由接合導線124、134、137形成的連接線,可 =在將第—半導體元件120搭載到佈線基板110上並將第 一半導體元件13〇搭載到第一半導體元件12〇上之後予以 布設。 如第2圖所示’從佈線基板11〇的主表面& 一侧觀 參察”第—半導體元件120連接的接合導線124,除了與 第一半導體元件13〇的邊E1相對向的邊F1,係分別橫穿 邊F2、F3和F4。另外’邏輯信號用電極122係沿著邊F2、 F3和F4而設置。 關於第二半導體元件13〇,接合導線134橫穿與第一 半導體元件12〇的邊pi相對向的邊El以外的邊,在本實 施方式中,係橫穿與邊E1鄰接的邊E2。另外,電流輸出 用電極132係沿著邊E2而設置。 另外’晶片電極136分別沿著邊E1、邊E3和邊E4而 13 320760 200941663 , 设置,接合導線137分別橫穿邊Ei、邊Eg和邊E4。 另外,第一半導體元件120和第二半導體元件13〇係 被設置在沿第2圖所示的y轴方向錯開的位置上。在本實 施方式中,第一半導體元件120的y軸方向的中心位置更 靠近佈線基板110的中心位置。由此,與第二半導體元件 130的邊E2和佈線基板11〇的邊G2的距離相比,第二半 導體元件130的邊E3和佈線基板ι10的邊G3的距離比較 ❹長。另m半導體元件12G的邊F2和佈線基板 110的邊G2的距離、和第一半導體元件12〇的邊F3和佈 線基板110的邊G3的距離相等。 在第三半導體元件140上,設置有透過接合導線144 與第一半導體元件12〇上設置的電極焊墊125電性連接的 外部電極142。據此,第三半導體元件14〇與第一半導體 兀件120之間可以傳送接收信號。另外,在第三半導體元 件140上,設置有透過接合導線146與第一佈線層ιΐ4上 〇設置的基板電極118(1電性連接的外部電極148。 第四半導體元件170係與設置有電流輸出用電極132 和接合導線134的邊E2相反側的邊E3並排搭載。較佳之 方式為’第四半導體元件170設置在與第二半導體元件13〇 的電流輸出用電極132和接合導線134相反一侧的佈線基 板110的角部附近。 根據以上前述的半導體模組100,關於第二半導體元 件130 /σ著與第一半導體元件120的邊F1相對向或鄰接 的邊E1以外的邊來設置電流輸出用電極132,接合導線134 320760 14 200941663 橫穿邊El以外的邊。據此’電流輸出用電極i32和接合導 $ 134設置在離開第—半導體元件12()的位置上,所以能 二抑制在第-半導體元件120產生因第二半導體元件⑽ 輸出的大電流而形成的雜訊。 料,關於第-半導體元件12〇,在與輸出大電流的 弟-半導體兀件13〇的邊E1相對向或鄰接的邊以上,沒 ,設置邏輯信號用電極122和接合導線124。據此,能夠
P制在第+導體%件12G產生因第二半導體元件⑽輸 出的大電流而形成的雜訊。 另外’目為第四半導體科17G設置在遠離電流輸出 極132和接合導、線134❺位置上,所以能夠抑制在第 四半導體το件17G產生雜訊。結果,能夠提高第四半導體 ^件170的動作可靠性,進而可以提高半導體模組1〇 動作可靠性。 $外’與第二半導體元件130的邊E2和佈線基板11〇
G的邊G2的距離相比,第二半導俨开杜lqn认上P 乐千導體兀件Ϊ30的邊E3和佈線 =板110的邊G3的距離比較長,所以能夠確保設置第四半 導體元件170的區域。 第4圖是表示具有上述實施方式中的半導體模組的數 位相機的透視立體圖。數位相機具有:陀螺感測器5〇、透 鏡6〇、霍爾元件70、㈣刖和半導體模組⑽。半導體模 組1〇〇 ’如第2圖和第3圖所示,並排搭載有第一半導體 兀件120、第二半導體元件13〇和第四半導體元件。另 外’按照層疊在第一半導體元件120上的方式搭載有第三 320760 200941663 半導體元件140。另外,在第4圖所示的半導體模組100 中,第一半導體元件120、第二半導體元件130、第三半導 體元件140和第四半導體元件170以外的構成被簡化並被 適當省略。 據此,即使處於第一半導體元件120和第二半導體元 件130靠近的狀態,也不會導致動作可靠性減低,從而能 夠實現數位相機的更加小型化。 本發明不限定於上述實施方式,根據本領域技術人員 ❹ 的知識,也可以加入各種設計變更等的變形,加入那樣的 變形的實施方式也包括在本發明的範圍中。 本發明中的攝像裝置,不限定於上述數位相機,也可 以是在攝像機或手機中搭載的照相機、監視照相機等,能 與數位相機起到同樣效果。 【圖式簡單說明】 第1圖是表示具有實施方式中的半導體模組的攝像裝 Q 置的電路構成的方塊圖。 第2圖是表示實施方式中的半導體模組的概略構成的 俯視圖。 第3圖是表示實施方式中的半導體模組的概略構成的 剖視圖。 第4圖是表示具有實施方式中的半導體模組的數位相 機的透視立體圖。 【主要元件符號說明】 10 信號放大部 12、14、16 放大電路 16 320760 200941663 * 20 手抖動修正部 22 ADC τ 24 陀螺均衡器 26 HPF 28 搖攝/傾斜判定電路 30、 36 增益調整電路 32 LPF 34 定中心處理電路 40 霍爾均衡器 42 加法電路 44 伺服電路 46 DAC 50 陀螺感測器 ❹ 60 透鏡 70 霍爾元件 100 半導體模組 110 佈線基板 112 絕緣樹脂層 114 第一佈線層 116 第二佈線層 117 子L 118a 、118b 、 118c 、 118d 基板電極 120 第一半導體元件 122 邏輯信號用電極 124、 134 、 137 、 144 、 146 1接合導線 125 電極焊墊 〇 130 第二半導體元件 132 電流輸出用電極 136 晶片電極 140 第三半導體元件 142、 148 外部電極 150 密封樹脂 160 焊錫球 170 第四半導體元件 E卜 E2、E3、E4、F卜 F2、F3、F4、G卜 G2、G3、G4 邊 S1 主表面 17 320760

Claims (1)

  1. 200941663 七、申請專利範圍: # 1. 一種半導體模組,包括: 佈線基板,在一個主表面上設置有基板電極; 第一半導體元件,搭載於前述佈線基板,具有用於 對邏輯信號進行輸入或輸出的邏輯信號用電極; 第二半導體元件,與前述第一半導體元件並排搭 載,具有用於輸出大電流的電流輸出用電極; 第一接合導線,將前述邏輯信號用電極和與其對應 的前述基板電極電性連接;和 第二接合導線,將前述電流輸出用電極和與其對應 的前述基板電極電性連接; 從前述佈線基板的前述主表面一側觀察,前述第一 接合導線橫穿前述第一半導體元件的未與前述第二半 導體元件的邊相對向的邊。 2. 如申請專利範圍第1項之半導體模組,其特徵在於, φ 前述邏輯信號用電極係沿著前述第一半導體元件 的未與前述第二半導體元件的邊相對向的邊設置。 3. 如申請專利範圍第1項之半導體模組,其特徵在於, 前述第一半導體元件係輸出攝像裝置的手抖動修 正用的手抖動修正信號; 前述第二半導體元件係輸出供給到驅動單元的大 電流,該驅動單元根據前述手抖動修正信號對前述攝像 裝置的透鏡進行驅動。 4. 如申請專利範圍第2項之半導體模組,其特徵在於, 18 320760 200941663 前述第一半導體元件係輸出攝像裝置的手抖動修 Φ 正用的手抖動修正信號; 前述第二半導體元件係輸出供給到驅動單元的大 電流,該驅動旱元根據前述手抖動修正信號對前述攝像 裝置的透鏡進行驅動。 5. 如申請專利範圍第3項之半導體模組,其特徵在於, 前述驅動單元是音圈馬達。 6. 如申請專利範圍第4項之半導體模組,其特徵在於, 前述驅動單元是音圈馬達。 7. 如申請專利範圍第1項之半導體模組,其特徵在於, 前述邏輯信號用電極係沿著前述第一半導體元件 的與前述第二半導體元件的邊相對向的邊不同的邊設 置。 8. 如申請專利範圍第2項之半導體模組,其特徵在於, 前述邏輯信號用電極係沿著前述第一半導體元件 _ 的與前述第二半導體元件的邊相對向的邊不同的邊設 置。 9. 如申請專利範圍第3項之半導體模組,其特徵在於, 前述邏輯信號用電極係沿著前述第一半導體元件 的與前述第二半導體元件的邊相對向的邊不同的邊設 置。 10. 如申請專利範圍第1項之半導體模組,其特徵在於, 前述第二接合導線所橫穿的前述第二半導體元件 的邊和與該邊相對向的前述佈線基板的邊之間的距 19 320760 200941663 ^ 離’比前述第二接合導線所橫穿的前述第二半導體元件 的邊的對邊和與該對邊相對向的前述佈線基板的邊之 間的距離短。 11. 如申請專利範圍第2項之半導體模組,其特徵在於, 前述第二接合導線所橫穿的前述第二半導體元件 的邊和與該邊相對向的前述佈線基板的邊之間的距 離,比前述第二接合導線所橫穿的前述第二半導體元件 ❹ 的邊的對邊和與該對邊相對向的前述佈線基板的邊之 間的距離短。 12. 如申請專利範圍第3項之半導體模組,其特徵在於, 前述第二接合導線所橫穿的前述第二半導體元件 的邊和與該邊相對向的前述佈線基板的邊之間的距 離比别述苐一接合導線所橫穿的前述第二半導體元件 的邊的對邊和與該對邊相對向的前述佈線基板的邊之 間的距離短。 ❹I3·如申請專利範圍第1〇項之半導體模組,其特徵在於, 一在與前述第二接合導線所橫穿的前述第二半導體 兀件的邊正交的方向上,前述第—半導體元件和前述第 二半導體元件相互錯開配置。 ^如申請專利範圍第^項之半導體模組,其特徵在於, 一在與前述第二接合導線所橫穿的前述第二半導體 轉的邊正交的方向上,前述第一半導體元件和前= 二半導體元件相互錯開配置。 如申請專利範圍第12項之半導體模組,其特徵在於, 320760 20 200941663 在與前述第二接合導線所橫穿的前述第二半導體 元件的邊正交的方向上,前述第一半導體元件和前述第 二半導體元件相互錯開配置。 16. —種攝像裝置,具備申請專利範圍第1項之半導體模 組。 17. —種攝像裝置,具備申請專利範圍第2項之半導體模 組。 18. —種攝像裝置,具備申請專利範圍第3項之半導體模
    21 320760
TW097143469A 2007-11-14 2008-11-11 半導體模組及攝像裝置 TWI462242B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007296150A JP5164533B2 (ja) 2007-11-14 2007-11-14 半導体モジュールおよび撮像装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200941663A true TW200941663A (en) 2009-10-01
TWI462242B TWI462242B (zh) 2014-11-21

Family

ID=40622945

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW097143469A TWI462242B (zh) 2007-11-14 2008-11-11 半導體模組及攝像裝置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20090121339A1 (zh)
JP (1) JP5164533B2 (zh)
KR (1) KR100984205B1 (zh)
CN (1) CN101436586B (zh)
TW (1) TWI462242B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8306410B2 (en) 2010-09-15 2012-11-06 Altek Corporation Photographic device having optical image stabilization module and optical image stabilization photographic device having peripheral driver chip

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5164532B2 (ja) * 2007-11-14 2013-03-21 オンセミコンダクター・トレーディング・リミテッド 半導体モジュールおよび撮像装置
US20090127694A1 (en) * 2007-11-14 2009-05-21 Satoshi Noro Semiconductor module and image pickup apparatus
CN110572538A (zh) * 2018-06-06 2019-12-13 鸿海精密工业股份有限公司 接合结构及具有该接合结构的相机模块

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0622997Y2 (ja) * 1987-05-25 1994-06-15 サンケン電気株式会社 絶縁物封止型半導体装置
US5096852A (en) * 1988-06-02 1992-03-17 Burr-Brown Corporation Method of making plastic encapsulated multichip hybrid integrated circuits
JPH0982880A (ja) * 1995-09-13 1997-03-28 Toyota Autom Loom Works Ltd リードフレーム及び半導体装置
JP3316450B2 (ja) 1998-06-11 2002-08-19 三洋電機株式会社 半導体装置
JP3768761B2 (ja) * 2000-01-31 2006-04-19 株式会社日立製作所 半導体装置およびその製造方法
JP2001320009A (ja) * 2000-05-10 2001-11-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置
JP2004039689A (ja) * 2002-06-28 2004-02-05 Sony Corp 電子回路装置
JP2004055756A (ja) * 2002-07-18 2004-02-19 Sanyo Electric Co Ltd 混成集積回路装置
JP2005252099A (ja) * 2004-03-05 2005-09-15 Sharp Corp 高周波用半導体装置
JP4244886B2 (ja) * 2004-08-31 2009-03-25 株式会社デンソー センサ回路
JP4327699B2 (ja) * 2004-10-28 2009-09-09 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 マルチチップ・パッケージおよびicチップ
JP4748648B2 (ja) * 2005-03-31 2011-08-17 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
US7593040B2 (en) * 2006-01-30 2009-09-22 Omnivision Technologies, Inc. Image anti-shake in digital cameras
US20070236577A1 (en) * 2006-03-30 2007-10-11 Chau-Yaun Ke Systems and methods for providing image stabilization
TWI288463B (en) * 2006-04-26 2007-10-11 Siliconware Precision Industries Co Ltd Semiconductor package substrate and semiconductor package having the substrate
JP2008003182A (ja) * 2006-06-21 2008-01-10 Pentax Corp ブレ量検出装置
JP2008078367A (ja) * 2006-09-21 2008-04-03 Renesas Technology Corp 半導体装置
US7714892B2 (en) * 2006-11-08 2010-05-11 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Systems, devices and methods for digital camera image stabilization
JP5164532B2 (ja) * 2007-11-14 2013-03-21 オンセミコンダクター・トレーディング・リミテッド 半導体モジュールおよび撮像装置
US20090127694A1 (en) * 2007-11-14 2009-05-21 Satoshi Noro Semiconductor module and image pickup apparatus

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8306410B2 (en) 2010-09-15 2012-11-06 Altek Corporation Photographic device having optical image stabilization module and optical image stabilization photographic device having peripheral driver chip

Also Published As

Publication number Publication date
TWI462242B (zh) 2014-11-21
JP2009123913A (ja) 2009-06-04
KR100984205B1 (ko) 2010-09-28
CN101436586A (zh) 2009-05-20
CN101436586B (zh) 2013-04-17
US20090121339A1 (en) 2009-05-14
KR20090050012A (ko) 2009-05-19
JP5164533B2 (ja) 2013-03-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7299991B2 (ja) イメージセンサ用基板
JP2005012221A (ja) 固体撮像用半導体装置
TW200941663A (en) Semiconductor module and video apparatus
CN117896615A (zh) 传感器驱动装置
KR101003568B1 (ko) 반도체 모듈 및 촬상 장치
KR100970074B1 (ko) 반도체 모듈 및 촬상 장치
JP5086039B2 (ja) 半導体モジュールおよび撮像装置
JP5404000B2 (ja) 半導体モジュールおよび撮像装置
JP5073457B2 (ja) 半導体モジュールおよび撮像装置
JP5094371B2 (ja) 半導体モジュールおよび撮像装置
KR102641106B1 (ko) 이미지 센서용 기판 및 이를 포함하는 카메라 모듈
JP2005012207A (ja) 固体撮像用半導体装置
JP2007318249A (ja) カメラモジュール
JP2017085315A (ja) 半導体装置および撮像装置
JP2009158607A (ja) 半導体モジュールおよび撮像装置
WO2015087705A1 (ja) 半導体装置、固体撮像素子、撮像装置および電子機器、並びにそれらの製造方法
JP2008193358A (ja) 撮像素子ユニット
WO2022085326A1 (ja) 撮像装置、電子機器および撮像装置の製造方法
JP2008193359A (ja) 撮像モジュール及び撮像素子パッケージ
KR20220145220A (ko) 센서 구동 장치 및 이를 포함하는 카메라 모듈
KR101119037B1 (ko) 연장부가 구비된 fpcb 및 이를 포함하는 이미지 센서 모듈
KR20210026657A (ko) 기판 및 이미지 센서용 기판 모듈
JP2011041196A (ja) 熱遮断構造

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees