JP2005252099A - 高周波用半導体装置 - Google Patents

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光憲 吉川
Fumio Ito
文男 伊藤
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Abstract

【課題】同一ダイボンドエリア内に配置された２つの高周波用半導体チップ間で、一方の信号あるいは高調波が他方に誘導されて発生するノイズを低減する。
【解決手段】高周波用半導体チップ２Ｈ、２Ｌと、２つの高周波用半導体チップを搭載するダイボンドエリア１と、各高周波用半導体チップ内の回路を外部へ電気的に接続する複数のリード３と、一端が各チップの出力電極パッドに接続され、他端が対応するリードに接続される複数の出力端子接続ワイヤー５とを備え、一方の高周波用半導体チップの出力電極パッドと他方の高周波用半導体チップの出力電極パッドとの最短距離Ａが所定距離以上であるようにダイボンドエリア内に配置され、一方の高周波用半導体チップの出力電極パッドに接続されたワイヤーと他方の高周波用半導体チップの出力電極パッドに接続されたワイヤーとの最短距離Ｂが所定距離以上であるように配置される高周波用半導体装置６。
【選択図】図１

Description

本発明は、高周波用半導体装置に関し、より詳細には、同一ダイボンドエリア内に出力信号の周波数帯域が互いに異なる少なくとも２つの半導体チップが搭載された高周波用半導体装置に関する。
無線ＬＡＮ機能搭載のパーソナルコンピュータ、携帯情報端末、コンピュータ周辺機器等の通信用パワーアンプとして高周波、高出力で動作するトランジスタが不可欠である。これらの用途には、高周波特性の関係から化合物半導体を利用したトランジスタが用いられている。
近年、情報伝送量、スピード等その用途により使用周波数帯域が異なる複数の規格が並存している。これらに対応し、同時に商品の実装面積を縮小及びコスト低減するために、周波数帯域の異なる２つの半導体チップを１パッケージ内に搭載したデュアルバンド対応の、より小型化された高周波用半導体装置が採用されている。
図１０は、従来の２チップ１パッケージタイプのデュアルバンド対応高周波用半導体装置の内部であって、フレーム上のダイボンドエリア内のチップ配列及びワイヤーレイアウトの様子を示す説明図である。図１０に示すように、ダイボンドエリア２１は高周波用半導体チップ2２Ｌ、2２Ｈの裏面電極、即ち、接地もしくはグランド電極と接触し、高周波用半導体装置２６の接地電極を兼ねる。ダイボンドエリア２１上には、それぞれ異なる周波数に対応した半導体チップ２２L（低周波数対応チップ）および２２H（高周波数対応チップ）が並べて配置され、それぞれのチップ上の電極パッドとパッケージの各リード（端子）とは、Auワイヤー１５Ｌおよび１５Ｈによって配線接続される。
説明を簡単にする為、図１０にはデバイスの出力部のワイヤーボンドのみを記す。両チップの出力端子は、それぞれ複数本で構成されるのが一般的である。これは、ワイヤー本数が多いほどインダクタンス成分が減少し、出力のロスを低減できるからである。
実際には、半導体装置９は、リード部分を除いて樹脂モールド等によりパッケージングされる。
上述した従来の半導体装置において、次の様な課題がある。
図２は、パーソナルコンピュータ用無線−ＬＡＮカードにおける高周波パワーアンプ及びフィルター部分の構成の概略を示すブロック図である。
図２（ａ）において、デュアルバンド対応高周波パワーアンプ２３の低周波数側（以下、Ｌ側と呼ぶ）パワーアンプからの高調波信号は、本来フィルター２４Ｌによってカットされるはずである。ところが従来の半導体装置を使用した場合、Ｌ側パワーアンプで発生した高調波信号、とりわけ２倍波信号が、隣接して配置された高周波数側（以下、Ｈ側と呼ぶ）パワーアンプ１２Ｈの出力端子から漏れて出力されてしまい、高調波ノイズを含んだ信号がアンテナスイッチ１６から送信されてしまうという不都合があった。これは、図１０で、Ｌ側パワーアンプが実装されたチップ２２Ｌの出力電極パッド２３Ｌあるいは出力端子接続ワイヤー２５Ｌから、Ｈ側パワーアンプ２２Ｈに対応するチップ１２Ｈの出力信号線路、即ち、出力電極パッド２４Ｈあるいは出力端子接続ワイヤー２５Ｈに高調波信号が誘導されて漏れ、ノイズが出力されたためである。
従来の半導体装置の中には、第２図（ｂ）に示すように、Ｌ側およびＨ側のパワーアンプ１２Ｌおよび１２Ｈの出力切り替え用のスイッチ素子１３を挿入したものも採用されている。しかし、近年のデバイスの小型化や低コスト化に対して十分な解決策になっていない。
本発明は、このような事情を考慮してなされたもので、同一ダイボンドエリア内に出力信号の周波数帯域が互いに異なる少なくとも２つの半導体チップが搭載された高周波用半導体装置において、ダイボンドエリア内の異なる半導体チップ間の出力電極パッド間隔およびその接続ワイヤー間隔を所定距離以上確保するように配置することにより、上記高調波ノイズの漏れが低減された高周波用半導体装置を提供する。
この発明は、出力電極パッドが配置される少なくとも２つの高周波用半導体チップと、２つの高周波用半導体チップを同一領域内に搭載するダイボンドエリアを含むフレームと、各高周波用半導体チップ内の回路を外部へ電気的に接続する複数のリードと、それぞれの一端が各チップの出力電極パッドに接続され、他端が前記パッドに対応するリードに接続される複数の出力端子接続ワイヤーとを備え、高周波用半導体チップは、一方の高周波用半導体チップの出力電極パッドと他方の高周波用半導体チップの出力電極パッドとの最短距離が所定距離以上であるようにダイボンドエリア内に配置され、出力端子接続ワイヤーは、一方の高周波用半導体チップの出力電極パッドに接続されたワイヤーと他方の高周波用半導体チップの出力電極パッドに接続されたワイヤーとの最短距離が所定距離以上であるように配置されることを特徴とする高周波用半導体装置を提供する。
また、この発明は、電極パッドが配置される少なくとも２つの高周波用半導体チップと、高周波用半導体チップを同一領域内に搭載するダイボンドエリアを含むフレームとを備え、ダイボンドエリアが、少なくとも各高周波用半導体チップが搭載される部分の表面が高周波用半導体チップの厚みの30％よりも深く掘り下げられた形状を有する高周波用半導体装置を提供する。
さらにまた、この発明は、出力電極パッドが配置される少なくとも２つの高周波用半導体チップと、高周波用半導体チップを同一領域内に搭載するダイボンドエリアを含むフレームとを備え、ダイボンドエリアが、各高周波用半導体チップ間の領域に高周波用半導体チップの厚みの30％よりも高い壁を備える高周波用半導体装置を提供する。
この発明の高周波用半導体装置は、互いに異なるチップ間の出力電極パッドの最短距離が所定距離以上であるようにダイボンドエリア内に配置され、前記出力電極パッドに接続された各ワイヤー間の最短距離が所定距離以上であるように配線されるので、一方のチップに係る回路から他方のチップに係る回路へ、チップあるいはワイヤーを介して誘導される信号あるいは高調波ノイズを低減し、それらの影響を防ぐことができる。
また、この発明の高周波用半導体装置は、ダイボンドエリアが、少なくとも各チップが搭載される部分の表面がチップの厚みの30%よりも深く掘り下げられた形状を有するので、一方のチップに係る回路から他方のチップに係る回路へ、チップあるいはワイヤーを介して誘導される信号あるいは高調波ノイズを低減し、それらの影響を防ぐことができる。
さらにまた、この発明の高周波用半導体装置は、ダイボンドエリアが、各チップ間の領域にチップの厚みの30%よりも高い壁を備えるので、一方のチップに係る回路から他方のチップに係る回路へ、チップあるいはワイヤーを介して誘導される信号あるいは高調波ノイズを低減し、それらの影響を防ぐことができる。
この発明の高周波用半導体装置は、出力電極パッドが配置される少なくとも２つの高周波用半導体チップと、２つの高周波用半導体チップを同一領域内に搭載するダイボンドエリアを含むフレームと、各高周波用半導体チップ内の回路を外部へ電気的に接続する複数のリードと、それぞれの一端が各チップの出力電極パッドに接続され、他端が前記パッドに対応するリードに接続される複数の出力端子接続ワイヤーとを備え、高周波用半導体チップは、一方の高周波用半導体チップの出力電極パッドと他方の高周波用半導体チップの出力電極パッドとの最短距離が所定距離以上であるようにダイボンドエリア内に配置され、出力端子接続ワイヤーは、一方の高周波用半導体チップの出力電極パッドに接続されたワイヤーと他方の高周波用半導体チップの出力電極パッドに接続されたワイヤーとの最短距離が所定距離以上であるように配置される。
ここで、高周波用半導体チップとは、メガヘルツ帯以上の信号周波数を扱う半導体チップのことをいい、特にギガヘルツ帯の信号周波数を扱う半導体チップのことをいう。特にギガヘルツ帯の半導体チップには、周波数特性の関係からＨＢＴ（化合物半導体が材料として広く用いられるが、それに限定されず、例えば、ＭＥＳＦＥＴ（Metal Semiconductor Field Effect Transistor）あるいはＨＥＭＴ（High Electron Mobility Transistor）も適用可能であり、さらに、周波数が比較的低い用途で、特性に問題がなければシリコンであってもよい。
リードとは前記高周波用半導体装置のパッケージの端子のことであり、高周波用半導体装置とその外部の回路とは、リードを介して電気的に接続される。リードは、例えばCuを用いることができるが、それに限定されず、例えばCu合金系や42アロイなどのFe-Ni合金系金属を用いてもよい。フレームにも、リード同様の材質の金属を用いることができるがそれに限られず、例えば、セラミックケースやプリント基板であってもよい。また、ダイボンドエリアとは、高周波用半導体チップをフレーム上に搭載して物理的に固定する所定の領域のことをいう。ワイヤーは、例えば、チップの電極パッドもしくはフレームとリードとを電気的に接続するもので、金、アルミニウムなどの金属細線を用いることができるが、これに限られない。
また、電極パッドとは、チップ内の回路にワイヤーを接続するためにチップ上に設けられた領域のことであり、出力電極パッドとは、回路の出力信号に対応する電極パッドのことをいう。出力端子接続ワイヤーとは、出力電極パッドに接続されたワイヤーのことをいう。互いに異なるチップの出力電極パッドとの最短距離とは、互いに異なるチップの出力電極パッドの領域内で、最も近接した部分の直線距離をいい、同一チップに複数の出力電極パッドがある場合も、最も近接した出力電極パッド同士を対象とする。ワイヤー間の最短距離とは、互いのワイヤーが最も近接した部分の直線距離をいう。
一方の高周波用半導体チップの出力電極パッドと他方の高周波用半導体チップの出力電極パッドとの最短距離が、１．０ｍｍ以上であってもよい。こうすれば、一方のチップに係る回路から他方のチップに係る回路へ、チップを介して誘導される信号あるいは高調波ノイズを効果的に低減することができる。さらに、互いに異なるチップの出力電極パッド間の最短距離は、１．３ｍｍ以上であることが好ましい。
また、ダイボンドエリアが矩形状であり、２つの高周波用半導体チップが、ダイボンドエリアの同一対角線上に配置されてもよい。このようにすれば、ダイボンドエリア内の2つのチップ間隔をより大きくすることができ、一方のチップに係る回路から他方のチップに係る回路へ、チップを介して誘導される信号あるいは高調波ノイズをより低減することができる。
一方の高周波用半導体チップの出力電極パッドに接続されたワイヤーと他方の高周波用半導体チップの出力電極パッドに接続されたワイヤーとの最短距離が０．８ｍｍ以上であってもよい。こうすれば、一方のチップに係る回路から他方のチップに係る回路へ、チップを介して誘導される信号あるいは高調波ノイズを効果的に低減することができる。さらに、互いに異なるチップの出力電極パッドに接続されるワイヤー間の最短距離は、１．０ｍｍ以上であることが好ましい。
前記リードは、フレームとリードとを接続する接地ワイヤーの一端が接続される接地リードと出力端子接続ワイヤーが接続される出力リードとを含み、一方の高周波用半導体チップの出力電極パッドに接続される出力リードと、他方の高周波用半導体チップの出力電極パッドに接続される出力リードとの間に、少なくとも２本の接地ワイヤーが配置されるようにしてもよい。このようにすれば、２つの出力リードの間に配置される接地リード及び少なくとも２つの接地ワイヤーによって一方のチップに係る回路から他方のチップに係る回路へリードを介して誘導されるので、信号あるいは高調波ノイズを低減することができる。さらに、前記接地ワイヤーの本数は、３本以上であることが好ましく、４本以上であればもっと好ましい。
以下、図面に示す実施形態に基いてこの発明の実施の形態を詳述する。
（実施の形態１）
図１は、この発明の高周波用半導体装置で、互いに異なるチップの電極パッド間距離およびそれに接続されるワイヤー間距離を所定距離以上とした実施の形態を示す概略平面図である。
図１に示すように、高周波用半導体装置６のフレーム内のダイボンドエリア１内に、２つの高周波用半導体チップ２Ｈおよび２Ｌが搭載されている。フレームの厚みは，実施の一形態では０．１５ｍｍであるが、これに限らない。高周波用半導体チップ２Ｈの出力電極パッド４は、出力端子接続ワイヤー５およびリード３Ｈを経て前記高周波用半導体装置６の外部の回路と高周波用半導体装置６の外部の回路と電気的に接続される。図１に示す高周波用半導体チップ２Ｈおよび２Ｌは、それぞれに複数の出力電極パッド（図１では、そのすべてに符号を付していない）を有するが、１つのチップに出力電極パッドが１つの場合もある。チップ２Ｌは、その出力電極パッドが、出力端子接続ワイヤーによってリード３Ｌに接続されている。高周波用半導体装置６は、複数のリード３を有し、前記リード３Ｈおよび３Ｌは、それらのリードの中の特定のものである。
図２は、前記の高周波用半導体装置が適用される回路の一例を示すブロック図である。図２に示すブロック図で、高周波用半導体装置は１２は、その内部に周波数帯域の異なる２つの高周波帯域用増幅器１２Ｈ、１２Ｌを含んでおり、それぞれのブロックが、異なるチップ（図１の２Ｌ、２Ｈ）に対応している。低周波帯域用増幅器１２Ｌは２．４GHzの信号、高周波数帯域用増幅器１２Ｈは５GHzの信号を増幅するデュアルバンド対応高周波用半導体装置である。いずれのチップにも化合物半導体HBT（Heterojunction Bipolar Transistor）チップが用いられる。
図２に示す回路では、ＲＦ回路が集積されたＲＦＩＣ１７から、２．４ＧＨｚの低周波帯域信号か、あるいは５ＧＨｚの高周波帯域信号が装置を使用する条件に応じて出力される。高周波信号はバンドパスフィルタ１１Ｈ、増幅器１２Ｈをへてパワーが増幅され、ローパスフィルタ１４Ｈおよびダイプレクサ１５を経た後にアンテナ１６から送信され、送信された電波は図示しない受信機によって受信され、復調されて送信された情報が取り出される。低周波数帯域信号の場合も、回路の構成は前述の高周波数帯域信号と同様であるが、信号の経路はバンドパスフィルタ１１Ｌ、増幅器１２Ｌ、ローパスフィルタ１４Ｌを経た後にダイプレクサ１５、アンテナ１６を経て送信される。なお、バンドパスフィルタ１１Ｈと１１Ｌあるいはローパスフィルタ１４Ｈと１４Ｌとは、各信号の周波数帯域に対応して互いに異なる周波数特性を有する。
図１に示すように、この実施形態の高周波用半導体装置６は、その内部のダイボンドエリア１上にそれぞれ低周波数帯域（２．４ＧＨｚ）用増幅器の高周波用半導体チップ２Ｌと高周波数帯域（５ＧＨｚ）用増幅器の高周波用半導体チップ２Ｈとが対角線上Ｃ−Ｃ´に配置されている。これに対して、図１１に示す従来の高周波用半導体装置２６では、低周波数帯域（２．４ＧＨｚ）用増幅器の高周波用半導体チップ２２Ｌと高周波数帯域（５ＧＨｚ）用増幅器の高周波用半導体チップ２２Ｈとが同じ辺に沿うように配置されている。図１および図１０において、互いに異なるチップ間の出力電極パッドの最短距離をＡで示している。図１に示す高周波用半導体装置６のように、チップをダイボンドエリアの対角線上に配置すれば、それぞれの２チップの出力電極間隔が、従来の高周波用半導体装置２６に比べて大きな距離となる。一実施形態では、パッケージの一辺が４ｍｍ、ダイボンドエリア１に搭載するチップ２Ｈの一辺が１ｍｍ、チップ２Ｌの一辺が０．７ｍｍの場合、チップがダイボンドエリアの対角線上に配置されていない従来の高周波用半導体装置で、出力電極パッド間の距離が０．５ｍｍであるのに対し、チップが対角線上に配置された本発明の高周波用半導体装置は、１．３ｍｍであり、従来技術の２倍以上の距離が確保できた。
このとき、図１および図１０においてＢで示される出力端子接続ワイヤー間の最短距離についても、所定の距離以上を確保するようにレイアウトする。図１では、デバイス特性への影響の少ない低周波側チップの出力ワイヤーを１本にまとめ、距離を確保した。高周波側はデバイス特性への影響が大きくリード数の削減が困難であった。
図３（ａ）は、この実施の形態の高周波用半導体装置において、出力電極パッド間距離Ｌｔに対する漏洩電力Ｐの測定結果を示すグラフである。図３（ａ）の測定は、図２（ａ）にＣで示される低周波帯用増幅器２Ｌの入力端子に２．３５〜２．５５ＧＨｚの周波数の測定用入力信号を印加し、その出力端子Ｄにおける出力電力が２３ｄＢとなるように印加信号の強さを調節したとき、高周波数帯用増幅器２Ｈの出力端子Ｅでの漏洩電力を測定したものである。測定に使用した装置はアンリツ株式会社製のスペクトラムアナライザ、型名ＭＳ２６８７Ｂである。前述のように、まずダイボンドエリア１内でチップ２Ｈと２Ｌを対角線上に配置して異なるチップの出力電極パッド間距離を１．０ｍｍ以上確保することで、高周波帯域の回路系への漏洩電力が−３１→−４０ｄＢｍと、９ｄＢｍの改善効果がみられた。さらに、異なるチップの出力電極パッド間距離を１．３ｍｍ以上確保した場合は、−３１→−４２ｄＢｍと、１０ｄＢｍ以上改善された。なお、この測定時に、両チップの出力リード間に存在するリード７を２本のワイヤー８（２５ｕｍφ金ワイヤー）で接続して接地しているが、この効果については実施の形態２で説明する。
また、図３（ｂ）は、この実施の形態の高周波用半導体装置において、出力端子接続ワイヤー間距離Ｌｗに対する漏洩電力Ｐの測定結果を示すグラフである。前述のように異なるチップの出力電極パッド間距離を１．３ｍｍ以上確保した上で、さらに、両チップの出力端子接続ワイヤーの間隔を０．８ｍｍ以上確保することで、漏洩電力が７ｄＢｍ減少する改善効果がみられた。両チップの出力端子接続ワイヤーの間隔を１ｍｍ以上確保すれば、漏洩電力は９ｄＢｍ改善された。
これらにより、異なるチップの出力電極パッド間距離を１．０ｍｍ以上確保することで、高周波帯域の回路系への漏洩電力が低減され、また、両チップの出力端子接続ワイヤーの間隔を０．８ｍｍ以上確保することでもさらに漏洩電力の低減効果が確認された。さらに、異なるチップの出力電極パッド間距離を１．３ｍｍ以上確保し、両チップの出力端子接続ワイヤーの間隔を１．０ｍｍ以上確保すれば、低周波数帯用増幅器２Ｌ側から高周波数帯用増幅器２Ｈへの漏洩電力は、―５０ｄＢｍ以下に低減され、これらの手法の組み合わせだけで漏洩電力の影響が実質上無視し得る程度にまで低減された。
（実施の形態２）
図４は、この発明の高周波用半導体装置で、出力リードの間に、接地リードと接地ワイヤーとを配置した実施の形態を示す概略平面図である。図に示す通り、両チップの出力リード間に存在するリード７を２本以上のワイヤー８（２５ｕｍφ金ワイヤー）で接地する。図４では、２つのリード７に２本ずつ、計４本のワイヤー８を接続して接地している。
図５は、この実施の形態の高周波用半導体装置において、出力リード間に配置された接地リードに接続するワイヤー本数Ｎに対する漏洩電力Ｐの測定結果を示すグラフである。測定方法は実施の形態１で述べたものと同様である。図５のグラフに示す通り、両チップの出力端子間に存在するリードを２本以上の接地ワイヤーで接続することにより、チップあるいはワイヤー間の干渉による高調波の漏れをグランドに吸収して、低周波数帯用増幅器２Ｌ側から高周波数帯用増幅器２Ｈへの高調波信号の漏洩電力を約−２０ｄＢｍから−３０ｄＢｍ以下に１０ｄＢｍ以上低減することができた。さらに、接地ワイヤー本数Ｎを３本にすれば、−４０ｄＢｍ以下に低減され、４本以上にすれば−５０ｄＢ以下に低減された。
（実施の形態３）
図６は、この発明の高周波用半導体装置６で、ダイボンドエリアのチップが搭載される部分を掘り下げた実施の形態を示す概略平面図である。また、図７は、図６の１−１´部分の断面の形状を示す断面図である。従来の高周波用半導体装置２６の概略平面図１０および図１０に示す３−３´部分の断面図と比較すれば、この実施形態の構成がより明確に理解できるであろう。図６および７に示すとおり、ダイボンドエリア内の、２つのチップ２Ｌ、２Ｈがダイボンドされるエリアにチップ厚の約１．５倍の１５０μｍ深さの凹部９をつくることによって、チップ間が遮蔽され、これによって低周波数帯用増幅器２Ｌ側から高周波数帯用増幅器２Ｈへの高調波信号（２倍波信号）の漏れノイズ信号を低減することができる。
また、測定の結果この深さはチップ厚の０．３倍の３０μｍ高さから効果がある事が確認されできた。
（実施の形態４）
図８は、この発明の高周波用半導体装置６で、ダイボンドエリアのチップ間の領域に壁を備えた実施の形態を示す概略平面図である。また、図９は、図８の２−２´部分の断面の形状を示す断面図である。図８および９に示すとおり、ダイボンドエリア内の、２つのチップ２Ｌ、２Ｈがダイボンドされるエリアにチップ厚の約１．５倍の１５０μｍ高さの壁９をつくることによって、チップ間が遮蔽され、前述の実施の形態３と同様に低周波数帯用増幅器２Ｌ側から高周波数帯用増幅器２Ｈへの高調波信号（２倍波信号）の漏れノイズ信号を低減することができる。
また、測定の結果この高さはチップ厚の０．３倍の３０μｍ高さから効果がある事が確認できた。
なお、実施の形態１、２、３および４に記載した構成はそれぞれ独立して実施してもよいが、それらを組み合わせて実施してもよい
この発明の高周波用半導体装置で、互いに異なるチップの電極パッド間距離およびそれに接続されるワイヤー間距離を所定距離以上とした実施の形態を示す概略平面図である。（実施の形態１） この発明の高周波用半導体装置が適用される回路の一例を示すブロック図である。（従来の回路のブロック図を兼ねる） 実施の形態１の構成の高周波用半導体装置において、出力電極パッド間距離に対する漏洩電力および出力端子接続ワイヤー間距離に対する漏洩電力の測定結果を示すグラフである。 この発明の高周波用半導体装置で、出力リードの間に、２つの接地リードとそれに接続される４本の接地ワイヤーとを配置した実施の形態を示す概略平面図である。（実施の形態２） 実施の形態２の構成の高周波用半導体装置において、出力リード間に配置された接地リードに接続するワイヤー本数に対する漏洩電力の測定結果を示すグラフである。 この発明の高周波用半導体装置で、ダイボンドエリアのチップが搭載される部分のを掘り下げた実施の形態を示す概略平面図である。（実施の形態３） 図６の１−１´部分の断面図である。 この発明の高周波用半導体装置で、ダイボンドエリアのチップ間の領域に壁を備えた実施の形態を示す概略平面図である。（実施の形態４） 図８の２−２´部分の断面図である。 従来の高周波用半導体装置の内部配置を示す概略平面図である。 図１０に示す従来の高周波用半導体の３−３´部分の断面図である。
符号の説明
１、２１ ダイボンドエリア（フレーム）
２Ｈ、１２Ｈ、２２Ｈ 高周波数帯域用増幅器、高周波用半導体チップ
２Ｌ、１２Ｌ、２２Ｌ 低周波数帯域用増幅器、高周波用半導体チップ
３、２３ リード
３Ｈ、２３Ｈ 高周波数帯域用増幅器の出力リード
３Ｌ、２３Ｌ 低周波数帯域用増幅器の出力リード
４、２４ 出力電極パッド
５、２５Ｌ、２５Ｈ 出力端子接続ワイヤー、ワイヤー
６、１２ 高周波用半導体装置
７ 接地リード
８ 接地ワイヤー
９ 凹部
１０ 壁
１１Ｌ、１１Ｈ バンドパスフィルタ
１３ 切替スイッチ
１４Ｌ，１４Ｈ ローパスフィルタ
１５ ダイプレクサ
１６ アンテナ
１７ ＲＦＩＣ
Ａ 出力電極パッド間距離
Ｂ 出力端子接続ワイヤー間距離

Claims (7)

  1. 出力電極パッドが配置される少なくとも２つの高周波用半導体チップと、
    ２つの高周波用半導体チップを同一領域内に搭載するダイボンドエリアを含むフレームと、
    各高周波用半導体チップ内の回路を外部へ電気的に接続する複数のリードと、
    それぞれの一端が各チップの出力電極パッドに接続され、他端が前記パッドに対応するリードに接続される複数の出力端子接続ワイヤーとを備え、
    高周波用半導体チップは、一方の高周波用半導体チップの出力電極パッドと他方の高周波用半導体チップの出力電極パッドとの最短距離が所定距離以上であるようにダイボンドエリア内に配置され、
    出力端子接続ワイヤーは、一方の高周波用半導体チップの出力電極パッドに接続されたワイヤーと他方の高周波用半導体チップの出力電極パッドに接続されたワイヤーとの最短距離が所定距離以上であるように配置されることを特徴とする高周波用半導体装置。
  2. 一方の高周波用半導体チップの出力電極パッドと他方の高周波用半導体チップの出力電極パッドとの最短距離が、１．０ｍｍ以上であることを特徴とする請求項１記載の高周波用半導体装置。
  3. ダイボンドエリアが矩形状であり、
    ２つの高周波用半導体チップが、ダイボンドエリアの同一対角線上に配置されることを特徴とする請求項１または２記載の高周波用半導体装置。
  4. 一方の高周波用半導体チップの出力電極パッドに接続されたワイヤーと他方の高周波用半導体チップの出力電極パッドに接続されたワイヤーとの最短距離が０．８ｍｍ以上であることを特徴とする請求項１〜３記載の高周波用半導体装置。
  5. 前記リードは、フレームとリードとを接続する接地ワイヤーの一端が接続される接地リードと出力端子接続ワイヤーが接続される出力リードとを含み、
    一方の高周波用半導体チップの出力電極パッドに接続される出力リードと、他方の高周波用半導体チップの出力電極パッドに接続される出力リードとの間に、少なくとも２本の接地ワイヤーが配置されることを特徴とする請求項１〜４記載の高周波用半導体装置。
  6. 電極パッドが配置される少なくとも２つの高周波用半導体チップと、
    高周波用半導体チップを同一領域内に搭載するダイボンドエリアを含むフレームとを備え、
    ダイボンドエリアが、少なくとも各高周波用半導体チップが搭載される部分の表面が高周波用半導体チップの厚みの30％よりも深く掘り下げられた形状を有することを特徴とする高周波用半導体装置。
  7. 出力電極パッドが配置される少なくとも２つの高周波用半導体チップと、
    高周波用半導体チップを同一領域内に搭載するダイボンドエリアを含むフレームとを備え、
    ダイボンドエリアが、各高周波用半導体チップ間の領域に高周波用半導体チップの厚みの30％よりも高い壁を備えることを特徴とする高周波用半導体装置。
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