KR100970074B1 - 반도체 모듈 및 촬상 장치 - Google Patents

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KR100970074B1
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도모후미 와따나베
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산요덴키가부시키가이샤
산요 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드
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Abstract

복수의 반도체 소자를 갖는 반도체 모듈에서, 한쪽의 반도체 소자의 본딩 와이어를 흐르는 신호가 다른 쪽의 반도체 소자의 노이즈로 되는 것을 억제하여, 반도체 모듈의 동작 신뢰성을 향상시킨다. 제1 반도체 소자에 병설된 제2 반도체 소자에는, 대전류를 출력하기 위한 전류 출력용 전극이 형성되어 있다. 전류 출력용 전극은, 금선 등의 본딩 와이어를 통하여 제1 배선층에 형성된 기판 전극과 전기적으로 접속되어 있다. 본딩 와이어는, 제1 반도체 소자의 변 E1과 대향하는 변 F1 이외의 변인 F2를 가로지르고 있다. 또한, 전류 출력용 전극은, 변 E2를 따라서 형성되어 있다.
반도체 소자, 반도체 모듈, 촬상 소자, 본딩 와이어, 기판 전극

Description

반도체 모듈 및 촬상 장치{SEMICONDUCTOR MODULE AND IMAGE PICKUP APPARATUS}
본 출원은 일본국 특허 출원 제2007-296149(2007년 11월 14일)호에 기초한 것으로서, 그 우선권을 주장하며, 그 전체 내용이 본 명세서에서 참조로서 인용된다.
본 발명은, 반도체 모듈 및 이것을 탑재하는 촬상 장치에 관한 것이다.
최근, 전자 기기의 소형화·고기능화에 수반하여, 전자 기기에 사용되는 반도체 모듈의 한층 더한 소형화, 집적화가 요구되고 있다. 이와 같은 요구에 부응하기 위해서, 기판 상에 복수의 반도체 칩을 탑재한 MCM(멀티칩 모듈)이 개발되어 있다.
MCM에서 반도체 칩을 탑재하는 구조로서, 복수의 반도체 칩이 적층된 다단 스택 구조가 알려져 있다. 다단 스택 구조의 MCM에서는, 각 반도체 칩의 주위에 외부 전극이 형성되고, 각 외부 전극과 기판 상의 전극 패드가 본딩 와이어에 의해 전기적으로 접속된다.
이와 같은 MCM은, 예를 들면, CCD 카메라에 조립되고, 각 반도체 칩에 독자 적인 기능이 부여된다. 예를 들면, 로직 소자로서 기능하는 반도체 칩에는 제어 회로가 조립되고, 드라이버 소자로서 기능하는 반도체 칩에 CCD를 구동하는 모터에 전류를 공급하는 회로가 조립된다.
MCM의 고밀도화가 진행함에 따라서, 드라이버 소자로서 기능하는 반도체 소자와 로직 소자로서 기능하는 반도체 소자의 거리가 보다 근접한 상태에서 패키지화가 행해진다. 이 때문에, 드라이버 소자로서 기능하는 반도체 소자의 본딩 와이어를 흐르는 신호가 로직 소자로서 기능하는 반도체 소자의 노이즈로 되어, 로직 소자로서 기능하는 반도체 소자의 동작 신뢰성이 저감하고, 나아가서는 반도체 모듈의 동작 신뢰성이 저하될 가능성이 있었다.
또한，디지털 카메라 등의 촬상 장치는 한층 더한 소형화가 요구되고 있으며, MCM에서 인접하는 반도체 소자의 간격이 보다 근접함으로써, 전술한 반도체 소자의 동작 신뢰성의 저하가 현저하게 되어, 촬상 장치의 동작 불량을 초래할 우려가 있다고 하는 과제가 있었다．
본 발명은 이러한 과제를 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적은, 복수의 반도체 소자를 갖는 반도체 모듈에서, 한쪽의 반도체 소자의 본딩 와이어를 흐르는 신호가 다른 쪽의 반도체 소자의 노이즈로 되는 것을 억제하여, 반도체 모듈의 동작 신뢰성을 향상시키는 기술의 제공에 있다. 또한，본 발명의 다른 목적은, 복수의 반도체 소자를 갖는 반도체 모듈이 조립된 촬상 장치의 동작 신뢰성을 향상시키 는 기술의 제공에 있다.
본 발명의 일 양태는, 반도체 모듈이다. 그 반도체 모듈은, 한쪽의 주 표면에 기판 전극이 형성된 배선 기판과, 배선 기판에 탑재되고, 로직 신호를 입력 또는 출력하기 위한 로직 신호용 전극을 갖는 제1 반도체 소자와, 제1 반도체 소자에 병설하여 탑재되고, 대전류를 출력하기 위한 전류 출력용 전극을 갖는 제2 반도체 소자와, 로직 신호용 전극과 이것에 대응하는 기판 전극을 전기적으로 접속하는 제1 본딩 와이어와, 전류 출력용 전극과 이것에 대응하는 기판 전극을 전기적으로 접속하는 제2 본딩 와이어를 구비하며，배선 기판의 주 표면측으로부터 보아, 제2 본딩 와이어는, 제1 반도체 소자의 변과 대향하는 변과는 다른 제2 반도체 소자의 변을 가로지르고 있는 것을 특징으로 한다.
이 양태에 의하면, 제2 반도체 소자에 형성된 전류 출력용 전극 및 제2 본딩 와이어가 제1 반도체 소자로부터 떨어진 위치에 형성되기 때문에, 제2 반도체 소자가 출력하는 대전류에 의한 노이즈가 제1 반도체 소자에 생기는 것이 억제된다.
상기 양태에서, 전류 출력용 전극은, 제2 본딩 와이어가 가로지르는 제2 반도체 소자의 변을 따라서 형성되어 있어도 된다.
또한，상기 양태에서, 제1 반도체 소자는, 촬상 장치의 손 떨림 보정용의 손 떨림 보정 신호를 출력하고, 제2 반도체 소자는, 손 떨림 보정 신호에 따라서 촬상 장치의 렌즈를 구동하는 구동 수단에 공급되는 대전류를 출력하여도 된다. 이 경우에서, 구동 수단은, 보이스 코일 모터(VCM)이어도 된다.
또한，상기 양태에서, 로직 신호용 전극은, 제2 반도체 소자의 변과 대향하는 변과는 다른 제1 반도체 소자의 변을 따라서 형성되어 있어도 된다. 또한，제2 본딩 와이어가 가로지르는 상기 제2 반도체 소자의 변과, 그 변에 대향하는 배선 기판의 변의 거리가, 제2 본딩 와이어가 가로지르는 제2 반도체 소자의 변의 대변과, 그 대변에 대향하는 배선 기판의 변의 거리에 비하여 짧아도 된다. 이 경우에, 제2 본딩 와이어가 가로지르는 제2 반도체 소자의 변과 직교하는 방향에서, 제1 반도체 소자와 제2 반도체 소자가 서로 어긋나 배치되어 있어도 된다.
본 발명의 다른 양태는 촬상 장치이다. 그 촬상 장치는, 전술한 어느 한 양태의 반도체 모듈을 구비하는 것을 특징으로 한다.
이하 바람직한 실시예를 참조하여 본 발명을 설명한다. 이는 본 발명의 범위를 한정하도록 의도된 것은 아니며 단지 예시하기 위한 것이다.
이하, 본 발명의 실시 형태를 도면을 참조하여 설명한다. 또한，모든 도면에서, 마찬가지의 구성 요소에는 마찬가지의 부호를 붙이고，이하의 설명에서 상세한 설명을 적절히 생략한다.
실시 형태에 따른 반도체 모듈은, 손 떨림 보정 기능을 갖는 디지털 카메라 등의 촬상 장치에 바람직하게 이용된다. 도 1은, 실시 형태에 따른 반도체 모듈을 갖는 촬상 장치의 회로 구성을 나타내는 블록도이다. 디지털 카메라는, 신호 증폭부(10) 및 손 떨림 보정부(20)를 갖는다. 신호 증폭부(10)는, 입력된 신호를 소정의 증폭율로 증폭하여 손 떨림 보정부(20)에 출력한다. 손 떨림 보정부(20)는, 입 력된 각속도 신호 및 렌즈의 위치 신호에 기초하여, 렌즈의 위치를 제어하여 손 떨림 보정을 행하기 위한 신호를 신호 증폭부(10)에 출력한다.
이하, 디지털 카메라의 회로 구성에 대하여 보다 구체적으로 설명한다.
자이로 센서(50)는, 디지털 카메라의 XY의 2축 방향의 각속도를 검출한다. 자이로 센서(50)에 의해 얻어진 아날로그의 각속도 신호는, 증폭 회로(12)에 의해 증폭된 후, ADC(아날로그 디지털 컨버터)(22)에 출력된다. ADC(22)는, 증폭 회로(12)에 의해 증폭된 각속도 신호를 디지털의 각속도 신호로 변환한다. ADC(22)로부터 출력된 각속도 신호는, 자이로 이퀄라이저(24)에 출력된다.
자이로 이퀄라이저(24)에서, 우선，ADC(22)로부터 출력된 디지털의 각속도 신호가 HPF(하이패스 필터)(26)에 입력된다. HPF(26)는, 자이로 센서(50)로부터 출력된 각속도 신호 중，손 떨림에 의한 주파수 성분보다 낮은 주파수 성분을 제거한다. 일반적으로, 손 떨림에 의한 주파수 성분은, 1∼20㎐이기 때문에，예를 들면, 각속도 신호로부터 0.7㎐ 이하의 주파수 성분이 제거된다.
팬·틸트 판정 회로(28)는, HPF(26)가 출력하는 각속도 신호에 기초하여, 촬상 장치의 팬 동작, 틸트 동작을 검출한다. 피사체의 이동 등에 따라서 촬상 장치를 이동시키는 경우에, 자이로 센서(50)는 그 이동에 따른 각속도 신호를 출력한다. 그러나，팬 동작 또는 틸트 동작에 의한 각속도 신호의 변동은, 손 떨림에 의한 것이 아니기 때문에, 렌즈(60) 등의 광학계를 보정할 필요가 없는 경우가 있다. 팬·틸트 판정 회로(28)는, 팬 동작 또는 틸트 동작에 의한 각속도 신호의 변동에 의존하지 않고, 손 떨림 보정을 행하기 위해 설치된다. 구체적으로는，팬·틸트 판정 회로(28)는, 일정 기간 연속하여 각속도 신호가 소정값으로 되는 것을 검출하였을 때에, 팬 동작 또는 틸트 동작 중이라고 판정한다. 또한，피사체의 이동 등에 따라서 촬상 장치를 수평 방향으로 움직이는 것을 팬 동작이라고 하고, 수직 방향으로 이동시키는 것을 틸트 동작이라고 한다.
게인 조정 회로(30)는, 팬·틸트 판정 회로(28)의 판정 결과에 따라서, HPF(26)로부터 출력되는 각속도 신호의 증폭율을 변경한다. 예를 들면, 팬 동작 또는 틸트 동작 중이 아닌 경우에는, 게인 조정 회로(30)는 HPF(26)가 출력하는 각속도 신호의 게인 조정을 행한다. 또한，팬 동작 또는 틸트 동작 중인 경우에는, 게인 조정 회로(30)는, HPF(26)가 출력하는 각속도 신호의 강도를 감쇠하여 출력이 0으로 되도록 하는 게인 조정을 행한다.
LPF(로우패스 필터)(32)는 적분 회로의 역할을 완수하고, 게인 조정 회로(30)가 출력한 각속도 신호를 적분하여, 촬상 장치의 이동량을 나타내는 각도 신호를 생성한다. 예를 들면, LPF(32)는, 디지털 필터를 이용한 필터 처리를 행함으로써 각도 신호, 즉 촬상 장치의 이동량을 구한다.
센터링 처리 회로(34)는, LPF(32)로부터 출력되는 각도 신호에 대하여, 소정의 값을 감산한다. 촬상 장치에서 손 떨림 보정 처리를 행하는 경우, 보정 처리를 계속해서 실행하는 동안에 렌즈의 위치가 기준 위치로부터 서서히 멀어져 가서, 렌즈의 가동 범위의 한계점 부근에 달하는 경우가 있다. 이 때, 손 떨림 보정 처리를 계속하면，렌즈는 어느 한쪽 방향으로는 이동할 수 있지만, 다른 쪽으로는 이동할 수 없게 된다. 센터링 처리 회로는 이것을 방지하기 위해 설치되는 것으로, 각 도 신호로부터 소정의 값을 감산함으로써, 렌즈의 가동 범위의 한계점에 근접하기 어렵게 제어한다.
센터링 처리 회로(34)로부터 출력된 각도 신호는, 게인 조정 회로(36)에 의해 홀 소자(70)의 신호의 범위로 조정된다. 게인 조정 회로(36)에 의해 조정된 각도 신호는, 홀 이퀄라이저(40)에 출력된다.
홀 소자(70)는, 홀 효과를 이용한 자기 센서이며, 렌즈(60)의 X 및 Y 방향의 위치 검출 수단으로서 기능한다. 홀 소자(70)에 의해 얻어진 렌즈(60)의 위치 정보를 포함하는 아날로그의 위치 신호는, 증폭 회로(14)에 의해 증폭된 후, ADC(22)에 송신된다. ADC(22)는, 증폭 회로(14)에 의해 증폭된 아날로그의 위치 신호를 디지털의 위치 신호로 변환한다. 또한，ADC(22)는, 증폭 회로(12) 및 증폭 회로(14)의 아날로그의 출력을 시분할로 디지털값으로 변환한다.
ADC(22)로부터 출력된 위치 신호는, 홀 이퀄라이저(40)에 출력된다. 홀 이퀄라이저(40)에서, 우선，ADC(22)로부터 출력된 위치 신호는, 가산 회로(42)에 입력된다. 또한，가산 회로(42)에는, 게인 조정 회로(36)에 의해 조정된 각도 신호가 입력된다. 가산 회로(42)는, 입력된 위치 신호와 각도 신호를 가산한다. 가산 회로(42)로부터 출력된 신호는, 서보 회로(44)에 출력된다. 서보 회로(44)는, 서보 회로(44)에 출력된 신호에 기초하여, VCM(80)의 구동을 제어하는 신호를 생성한다. 그 신호의 전류(VCM 구동 전류)는, 일반적으로, 200∼300㎃이다. 또한，서보 회로(44)에서, 서보 회로 디지털 필터를 이용한 필터 처리가 행해져도 된다.
서보 회로(44)로부터 출력된 VCM 구동 신호는, DAC(디지털 아날로그 컨버 터)(46)에 의해 디지털 신호로부터 아날로그 신호로 변환된다. 아날로그의 VCM 구동 신호는, 증폭 회로(16)에 의해 증폭된 후, VCM(80)에 출력된다. VCM(80)은, VCM 구동 신호에 기초하여 렌즈(60)의 X 및 Y 방향의 위치를 이동시킨다.
여기서 손 떨림이 없는 경우와 손 떨림이 있는 경우의 본 실시 형태의 촬상 장치의 회로의 동작에 대하여 설명한다.
<손 떨림이 없는 경우의 동작>
손 떨림이 없는 경우에는, 촬상 장치에 각속도가 생기지 않기 때문에, 자이로 이퀄라이저(24)가 출력하는 신호는 "0"으로 된다. VCM(80)에 의해 구동되는 렌즈(60)의 위치는, 그 광축과 촬상 장치에 구비되는 CCD 등의 촬상 소자(도시 생략)의 중심이 일치하기 때문에, 홀 소자(70) 및 증폭 회로(14)에 의한 아날로그의 위치 신호는, ADC(22)에 의해 "0"을 나타내는 디지털의 위치 신호로 변환된 후, 홀 이퀄라이저(40)에 출력된다. 서보 회로(44)는, 위치 신호의 값이 "0"일 때, 현재의 렌즈(60)의 위치를 유지하도록 VCM(80)을 제어하는 신호를 출력한다.
또한，렌즈(60)의 위치와 촬상 소자의 중심이 일치하지 않는 경우, 홀 소자(70) 및 증폭 회로(14)에 의한 아날로그의 위치 신호는, ADC(22)에 의해 "0"과 다른 값을 나타내는 디지털의 위치 신호로 변환된 후, 홀 이퀄라이저(40)에 출력된다. 서보 회로(44)는, ADC(22)가 출력하는 디지털의 위치 신호의 값에 따라서, 위치 신호의 값이 "0"으로 되도록 VCM(80)을 제어한다.
이와 같은 동작을 반복함으로써, 렌즈(60)의 위치와 촬상 소자의 중심이 일치하도록, 렌즈(60)의 위치가 제어된다.
<손 떨림이 있는 경우의 동작>
VCM(80)에 의해 구동되는 렌즈(60)의 위치는, 그 광축과 촬상 장치에 구비되는 촬상 소자의 중심이 일치하기 때문에, 홀 소자(70) 및 증폭 회로(14)에 의한 아날로그의 위치 신호는, ADC(22)에 의해 "0"을 나타내는 디지털의 위치 신호로 변환된 후, 홀 이퀄라이저(40)에 출력된다.
한편，손 떨림에 의해 촬상 장치가 이동하기 때문에, LPF(32) 및 센터링 처리 회로(34)는, 자이로 센서(50)에서 검출된 각속도 신호에 기초하여, 촬상 장치의 이동량을 나타내는 각도 신호를 출력한다.
서보 회로(44)는, ADC(22)가 출력하는 "0"을 나타내는 위치 신호와, 센터링 처리 회로가 출력하는 각도 신호를 가산한 신호에 따라서, VCM의 구동 신호를 생성한다. 이 때, 위치 신호는 "0"임에도 불구하고, "0"이 아닌 각도 신호가 가산되어 있기 때문에，서보 회로(44)는 렌즈(60)를 이동시키는 보정 신호를 생성한다.
또한，본 실시 형태의 손 떨림 보정은, CCD의 화상을 한번 메모리에 읽어들이고, 다음 화상과의 비교로부터 손 떨림의 요소를 배제하는, 소위 전자식 손 떨림 보정이 아니라, 전술한 바와 같이, 렌즈를 광학적으로 시프트시키는 렌즈 시프트 방식이나 CCD를 시프트시키는 CCD 시프트 방식 등과 같은 광학식 손 떨림 보정이다.
따라서，전자식 손 떨림 보정 기구를 채용한 경우에 생기는 과제, 즉, 미리 조금 크게 찍은 화상을 트리밍하는 것에 기인하는 화질의 열화나, CCD 사이즈의 제약에 의한 보정 범위나 촬상 배율의 한계가 있는 것, 또한, 1코마 1코마의 정지화 상의 흔들림을 보정할 수 없다고 하는 과제를 광학식 손 떨림 보정은 해결할 수 있다고 하는 효과를 갖는다. 특히, 고화질 비디오의 영상으로부터 정지화상을 취출하는 경우에는, 광학식 손 떨림 보정이 유효하다.
서보 회로(44)가 출력하는 보정 신호에 기초하여, VCM(80)는 렌즈(60)를 이동시키기 때문에, 촬상 장치에 구비된 촬상 소자는 손 떨림에 의한 피사체의 흔들림을 억제한 신호를 얻을 수 있다. 이와 같은 제어를 반복함으로써, 손 떨림 보정 제어가 실현된다.
도 2는, 실시 형태에 따른 반도체 모듈의 개략 구성을 나타내는 평면도이다. 또한，도 3은, 실시 형태에 따른 반도체 모듈의 개략 구성을 나타내는 단면도이다. 또한，도 2에서, 후술하는 밀봉 수지(150)는 생략되어 있다.
반도체 모듈(100)은, 배선 기판(110), 제1 반도체 소자(120), 제2 반도체 소자(130), 제3 반도체 소자(140), 제4 반도체 소자(170), 밀봉 수지(150) 및 땜납볼(160)을 구비한다.
배선 기판(110)은, 절연 수지층(112)을 개재하여 제1 배선층(114) 및 제2 배선층(116)을 갖는다. 제1 배선층(114)과 제2 배선층(116)은, 절연 수지층(112)을 관통하는 비아(117)에 의해 전기적으로 접속되어 있다. 제2 배선층(116)에 땜납볼(160)이 접속되어 있다.
절연 수지층(112)을 구성하는 재료로서는, 예를 들면, BT 레진 등의 멜라민 유도체, 액정 폴리머, 에폭시 수지, PPE 수지, 폴리이미드 수지, 불소 수지, 페놀 수지, 폴리아미드 비스말레마이드 등의 열경화성 수지가 예시된다. 반도체 모 듈(100)의 방열성 향상의 관점으로부터, 절연 수지층(112)은 고열전도성을 갖는 것이 바람직하다. 이 때문에, 절연 수지층(112)은, 은, 비스무스, 구리, 알루미늄, 마그네슘, 주석, 아연 및 이들의 합금 등을 고열전도성 필러로서 함유하는 것이 바람직하다.
제1 배선층(114) 및 제2 배선층(116)을 구성하는 재료로서는, 예를 들면, 구리를 들 수 있다.
배선 기판(110)의 주 표면 S1 위에, 제1 반도체 소자(120) 및 제2 반도체 소자(130)가 병설하여 탑재되어 있다. 또한, 제1 반도체 소자(120) 위에 적층되도록 제3 반도체 소자(140)가 탑재되어 있다. 제1 반도체 소자(120)는 로직 소자이며, 도 1에 도시한 손 떨림 보정부(20)에 해당한다. 또한，제2 반도체 소자(130)는 드라이버 소자 혹은 파워 소자이며, 도 1에 도시한 신호 증폭부(10)에 해당한다. 제3 반도체 소자(140)는 CPU이다. 제3 반도체 소자(140)는 제1 반도체 소자(120)의 기능의 일부를 담당하거나, 필요에 따라서 제1 반도체 소자(120)의 기능을 대체한다. 또한，제4 반도체 소자(170)는, EEPROM 등의 메모리 소자이다. 제4 반도체 소자(170)에 손 떨림 보정 제어에 필요한 데이터가 유지된다. 제1 반도체 소자(120), 제2 반도체 소자(130), 제3 반도체 소자(140) 및 제4 반도체 소자(170)는, 밀봉 수지(150)에 의해 밀봉되고, 패키지화되어 있다. 밀봉 수지(150)는, 예를 들면, 트랜스퍼 몰드법에 의해 형성된다.
제1 반도체 소자(120)에는, 로직 신호를 입력 또는 출력하기 위한 로직 신호용 전극(122)이 형성되어 있다. 제1 반도체 소자(120)에 입력되는 로직 신호로서, 전술한 각속도 신호, 위치 신호를 들 수 있다. 로직 신호의 전류는, 전형적으로는, 2㎃이다. 또한，제1 반도체 소자(120)로부터 출력되는 로직 신호로서, 손 떨림 보정 신호를 들 수 있다. 로직 신호용 전극(122)은, 금선 등의 본딩 와이어(124)를 통하여, 제1 배선층(114)에 형성된 기판 전극(118a)과 전기적으로 접속되어 있다.
제2 반도체 소자(130)에는, 대전류를 출력하기 위한 전류 출력용 전극(132)이 형성되어 있다. 제2 반도체 소자(130)로부터 출력되는 대전류로서, VCM을 구동하기 위한 전류(200∼300㎃)를 들 수 있다. 전류 출력용 전극(132)은, 금선 등의 본딩 와이어(134)를 통하여, 제1 배선층(114)에 형성된 기판 전극(118b)과 전기적으로 접속되어 있다. 또한，제2 반도체 소자(130)에는, 전류 출력용 전극(132) 외에, 다른 반도체 소자와의 신호의 입출력에 이용되는 칩 전극(136)이 형성되어 있다. 칩 전극(136)은, 금선 등의 본딩 와이어(137)를 통하여, 제1 배선층(114)에 형성된 기판 전극(118c)과 전기적으로 접속되어 있다. 또한，본딩 와이어(124, 134, 137)에 의한 결선은, 제1 반도체 소자(120)를 배선 기판(110)에 탑재하고, 또한，제1 반도체 소자(120) 위에 제2 반도체 소자(130)를 탑재한 후에 실시할 수 있다.
도 2에 도시한 바와 같이, 배선 기판(110)의 주 표면 S1측으로부터 보아, 제1 반도체 소자(120)에 접속된 본딩 와이어(124)는, 제2 반도체 소자(130)의 변 E1과 대응하는 변 F1을 제외하고, 변 F2, F3 및 F4를 가로지르고 있다. 또한, 로직 신호용 전극(122)은, 변 F2, F3 및 F4를 따라서 형성되어 있다.
제2 반도체 소자(130)에 관하여, 본딩 와이어(134)는, 제1 반도체 소자(120)의 변 F1과 대향하는 변 E1 이외의 변, 본 실시 형태에서는, 변 E1에 인접하는 변 E2를 가로지르고 있다. 또한，전류 출력용 전극(l32)은, 변 E2를 따라서 형성되어 있다.
또한，칩 전극(136)은, 변 E1, 변 E3 및 변 E4를 따라서 각각 형성되고, 본딩 와이어(137)는, 변 E1, 변 E3 및 변 E4를 각각 가로지르고 있다.
또한，제1 반도체 소자(120)와 제2 반도체 소자(130)는, 도 2에 도시한 y축 방향으로 서로 어긋난 위치에 형성되어 있다. 본 실시 형태에서는, 제1 반도체 소자(120)의 y축 방향의 중심 위치가 배선 기판(1l0)의 중심 위치에 보다 근접해 있다. 이 때문에, 제2 반도체 소자(130)의 변 E2와 배선 기판(110)의 변 G2의 거리에 비하여, 제2 반도체 소자(130)의 변 E3과 배선 기판(110)의 변 G3의 거리의 쪽이 길어져 있다. 한편, 제1 반도체 소자(120)의 변 F2와 배선 기판(110)의 변 G2의 거리는, 제1 반도체 소자(120)의 변 F3과 배선 기판(110)의 변 G3의 거리와 동등하다.
제3 반도체 소자(140)에는, 제1 반도체 소자(120)에 형성된 전극 패드(125)와 본딩 와이어(144)를 통하여 전기적으로 접속되는 외부 전극(142)이 형성되어 있다. 이것에 의해，제3 반도체 소자(140)는, 제1 반도체 소자(120)와의 사이에서 신호의 송수신이 가능하도록 되어 있다. 또한，제3 반도체 소자(140)에는, 제1 배선층(114)에 형성된 기판 전극(118d)과 본딩 와이어(146)를 통해서 전기적으로 접속되는 외부 전극(148)이 형성되어 있다.
제4 반도체 소자(170)는, 전류 출력용 전극(132) 및 본딩 와이어(134)가 형성된 변 E2와는 반대측인 변 E3에 병설하여 탑재되어 있다. 보다 바람직하게는, 제4 반도체 소자(170)는, 제2 반도체 소자(130)의 전류 출력용 전극(132) 및 본딩 와이어(134)와는 반대측인 배선 기판(110)의 각부 근방에 형성되어 있다.
이상 설명한 반도체 모듈(100)에 의하면, 제2 반도체 소자(130)에 관하여, 제1 반도체 소자(120)의 변 F1에 대향 또는 인접하는 변 E1 이외의 변을 따라서 전류 출력용 전극(132)이 형성되고, 본딩 와이어(134)가 변 E1 이외의 변을 가로지르고 있다. 이것에 의해，전류 출력용 전극(132) 및 본딩 와이어(134)가 제1 반도체 소자(120)로부터 떨어진 위치에 형성되기 때문에, 제2 반도체 소자(130)가 출력하는 대전류에 의한 노이즈가 제1 반도체 소자(120)에 생기는 것이 억제된다.
또한，제1 반도체 소자(120)에 관하여, 대전류를 출력하는 제2 반도체 소자(130)의 변 E1에 대향 또는 인접하는 변 F1에는, 로직 신호용 전극(122) 및 본딩 와이어(124)가 형성되어 있지 않다. 이것에 의해，제2 반도체 소자(130)가 출력하는 대전류에 의한 제1 반도체 소자(120)에의 노이즈 발생이 억제된다.
또한，제4 반도체 소자(170)가 전류 출력용 전극(132) 및 본딩 와이어(134)로부터 떨어진 위치에 형성되어 있기 때문에，제4 반도체 소자(170)에 노이즈가 생기는 것이 억제된다. 이 결과, 제4 반도체 소자(170)의 동작 신뢰성을 향상시키고, 나아가서는 반도체 모듈(100)의 동작 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
또한，제2 반도체 소자(130)의 변 E2와 배선 기판(110)의 변 G2의 거리에 비하여, 제2 반도체 소자(130)의 변 E3과 배선 기판(110)의 변 G3의 거리의 쪽이 길 어져 있기 때문에，제4 반도체 소자(170)를 형성하는 영역을 확보할 수 있다.
도 4는, 전술한 실시 형태에 따른 반도체 모듈을 갖는 디지털 카메라의 투과 사시도이다. 디지털 카메라는, 자이로 센서(50), 렌즈(60), 홀 소자(70), VCM(80) 및 반도체 모듈(100)을 갖는다. 반도체 모듈(100)은, 도 2 및 도 3에서 도시한 바와 같이, 제1 반도체 소자(120), 제2 반도체 소자(130) 및 제4 반도체 소자(170)가 병설하여 탑재되어 있다. 또한，제1 반도체 소자(120) 위에 적층되도록 제3 반도체 소자(140)가 탑재되어 있다. 또한, 도 4에 도시한 반도체 모듈(100)에서는, 제1 반도체 소자(120), 제2 반도체 소자(130), 제3 반도체 소자(140) 및 제4 반도체 소자(170) 이외의 구성이 간략화되고 적절히 생략되어 있다.
이것에 의하면, 제1 반도체 소자(120)와 제2 반도체 소자(130)가 근접된 상태이어도, 동작 신뢰성의 저하를 초래하지 않고 디지털 카메라의 한층 더한 소형화를 실현할 수 있다.
본 발명은, 전술한 실시 형태에 한정되는 것이 아니라, 당업자의 지식에 기초하여 각종의 설계 변경 등의 변형을 가하는 것도 가능하며, 그와 같은 변형이 가해진 실시 형태도 본 발명의 범위에 포함될 수 있는 것이다.
본 출원에서 촬상 장치는, 전술한 디지털 카메라에 한정되는 것이 아니라, 비디오 카메라나 휴대 전화에 탑재된 카메라, 감시 카메라 등이어도 되며, 디지털 카메라와 마찬가지의 효과를 발휘하는 것이다.
도 1은 실시 형태에 따른 반도체 모듈을 갖는 촬상 장치의 회로 구성을 나타내는 블록도.
도 2는 실시 형태에 따른 반도체 모듈의 개략 구성을 나타내는 평면도.
도 3은 실시 형태에 따른 반도체 모듈의 개략 구성을 나타내는 단면도.
도 4는 실시 형태에 따른 반도체 모듈을 갖는 디지털 카메라의 투과 사시도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10: 신호 증폭부
12, 14, 16: 증폭 회로
20: 손 떨림 보정부
24: 자이로 이퀄라이저
28: 팬·틸트 판정 회로
34: 센터링 처리 회로
36: 게인 조정 회로
50: 자이로 센서
70: 홀 소자

Claims (18)

  1. 한쪽의 주 표면에 기판 전극이 형성된 배선 기판과,
    상기 배선 기판에 탑재되고, 로직 신호를 입력 또는 출력하기 위한 로직 신호용 전극을 갖는 제1 반도체 소자와,
    상기 제1 반도체 소자 위에 병설하여 탑재되고, 대전류를 출력하기 위한 전류 출력용 전극을 갖는 제2 반도체 소자와,
    상기 로직 신호용 전극과 이것에 대응하는 상기 기판 전극을 전기적으로 접속하는 제1 본딩 와이어와,
    상기 전류 출력용 전극과 이것에 대응하는 상기 기판 전극을 전기적으로 접속하는 제2 본딩 와이어
    를 구비하며,
    상기 배선 기판의 상기 주 표면측으로부터 보아, 상기 제2 본딩 와이어는, 상기 제1 반도체 소자의 변과 대향하는 변과는 다른 상기 제2 반도체 소자의 변을 가로지르고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 모듈.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 전류 출력용 전극은, 상기 제2 본딩 와이어가 가로지르는 상기 제2 반도체 소자의 변을 따라서 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 모듈.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 반도체 소자는, 촬상 장치의 손 떨림 보정용의 손 떨림 보정 신호를 출력하고,
    상기 제2 반도체 소자는, 상기 손 떨림 보정 신호에 따라서 상기 촬상 장치의 렌즈를 구동하는 구동 수단에 공급되는 대전류를 출력하는 것을 특징으로 하는 반도체 모듈.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 제1 반도체 소자는, 촬상 장치의 손 떨림 보정용의 손 떨림 보정 신호를 출력하고,
    상기 제2 반도체 소자는, 상기 손 떨림 보정 신호에 따라서 상기 촬상 장치의 렌즈를 구동하는 구동 수단에 공급되는 대전류를 출력하는 것을 특징으로 하는 반도체 모듈.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 구동 수단은, 보이스 코일 모터인 것을 특징으로 하는 반도체 모듈.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 구동 수단은, 보이스 코일 모터인 것을 특징으로 하는 반도체 모듈.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 로직 신호용 전극은, 상기 제2 반도체 소자의 변과 대향하는 변과는 다른 상기 제1 반도체 소자의 변을 따라서 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 모듈.
  8. 제2항에 있어서,
    상기 로직 신호용 전극은, 상기 제2 반도체 소자의 변과 대향하는 변과는 다른 상기 제1 반도체 소자의 변을 따라서 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 모듈.
  9. 제3항에 있어서,
    상기 로직 신호용 전극은, 상기 제2 반도체 소자의 변과 대향하는 변과는 다른 상기 제1 반도체 소자의 변을 따라서 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 모듈.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 제2 본딩 와이어가 가로지르는 상기 제2 반도체 소자의 변과 그 변에 대향하는 상기 배선 기판의 변 사이의 거리가, 상기 제2 본딩 와이어가 가로지르는 상기 제2 반도체 소자의 변의 대변과 그 대변에 대향하는 상기 배선 기판의 변 사이의 거리에 비하여 짧은 것을 특징으로 하는 반도체 모듈.
  11. 제2항에 있어서,
    상기 제2 본딩 와이어가 가로지르는 상기 제2 반도체 소자의 변과 그 변에 대향하는 상기 배선 기판의 변 사이의 거리가, 상기 제2 본딩 와이어가 가로지르는 상기 제2 반도체 소자의 변의 대변과 그 대변에 대향하는 상기 배선 기판의 변 사이의 거리에 비하여 짧은 것을 특징으로 하는 반도체 모듈.
  12. 제3항에 있어서,
    상기 제2 본딩 와이어가 가로지르는 상기 제2 반도체 소자의 변과 그 변에 대향하는 상기 배선 기판의 변 사이의 거리가, 상기 제2 본딩 와이어가 가로지르는 상기 제2 반도체 소자의 변의 대변과 그 대변에 대향하는 상기 배선 기판의 변 사이의 거리에 비하여 짧은 것을 특징으로 하는 반도체 모듈.
  13. 제10항에 있어서,
    상기 제2 본딩 와이어가 가로지르는 상기 제2 반도체 소자의 변과 직교하는 방향에서, 상기 제1 반도체 소자와 상기 제2 반도체 소자가 서로 어긋나 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 모듈.
  14. 제11항에 있어서,
    상기 제2 본딩 와이어가 가로지르는 상기 제2 반도체 소자의 변과 직교하는 방향에서, 상기 제1 반도체 소자와 상기 제2 반도체 소자가 서로 어긋나 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 모듈.
  15. 제12항에 있어서,
    상기 제2 본딩 와이어가 가로지르는 상기 제2 반도체 소자의 변과 직교하는 방향에서, 상기 제1 반도체 소자와 상기 제2 반도체 소자가 서로 어긋나 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 모듈.
  16. 제1항의 반도체 모듈을 구비하는 것을 특징으로 하는 촬상 장치.
  17. 제2항의 반도체 모듈을 구비하는 것을 특징으로 하는 촬상 장치.
  18. 제3항의 반도체 모듈을 구비하는 것을 특징으로 하는 촬상 장치.
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