JP2005012207A - 固体撮像用半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】従来装置より厚さが薄く、小型化された固体撮像用半導体装置を提供する。
【解決手段】固体撮像用半導体装置は、レンズ付着部と、光を画像信号に変換する固体撮像用半導体チップと、固体撮像用半導体チップのスクライブラインに形成されたビアホール内に形成され、固体撮像用半導体チップの上面に形成されたボンディングパッドと下面に形成されたターミナルとを電気的に連結する導電性物質と、固体撮像用半導体チップの下面に形成されたターミナルを介して電気的に接続する回路基板とを含む。また、この固体撮像用半導体装置は、導電性物質の代りに固体撮像用半導体チップの側面に沿って形成された導電性ラインを利用することができる。
【選択図】図1A
【解決手段】固体撮像用半導体装置は、レンズ付着部と、光を画像信号に変換する固体撮像用半導体チップと、固体撮像用半導体チップのスクライブラインに形成されたビアホール内に形成され、固体撮像用半導体チップの上面に形成されたボンディングパッドと下面に形成されたターミナルとを電気的に連結する導電性物質と、固体撮像用半導体チップの下面に形成されたターミナルを介して電気的に接続する回路基板とを含む。また、この固体撮像用半導体装置は、導電性物質の代りに固体撮像用半導体チップの側面に沿って形成された導電性ラインを利用することができる。
【選択図】図1A
Description
本発明は固体撮像用半導体装置に係り、特に上面に形成されたボンディングパッドと下面に形成されたターミナルとを含み、光を画像信号に変換する固体撮像用半導体チップを含む固体撮像用半導体装置に関する。
携帯端末機や携帯電話機などのモバイル装置には、通常、固体撮像用半導体チップとレンズとを組合わせた形態のカメラモジュールが搭載されている。このような小型カメラを備えた携帯電話機は、通話者の映像を小型カメラによって撮像し、画像データとして入力して、通話相手方にその画像データを送信する。
携帯電話機や携帯用パーソナルコンピュータ(携帯型PC)は、さらに小型化が進行しており、これらに使われるカメラモジュールも小型化が要求されている。このようなカメラモジュールの小型化の要求を満足させるために、レンズと固体撮像用半導体チップとを一体化して形成された半導体装置パッケージが開発されている。
図11及び図12は、従来の固体撮像用半導体装置の概略的構成を示したものである。
図11は、従来のカメラモジュールの構成を示している。すなわち、固体撮像用レンズ20と赤外線遮断用フィルタ(IR cut filter)25とが付着しているレンズ付着部15が、回路基板10の上部一面に接着剤により固着されている。固体撮像用半導体チップ40は固体撮像用レンズ20からの光を画像信号に変換する光電変換素子群で構成されたチップであって、回路基板10の中心上部に位置して回路基板10とワイヤボンディング(Wire Bonding)2されている。また、回路基板10は配線接合部35を介してフレキシブル配線基板30と接続されている。
図11に示したような固体撮像用半導体装置の場合、固体撮像用半導体チップ40はワイヤボンディング2によって回路基板10に搭載されるので、ワイヤボンディング2用のパッドを固体撮像用半導体チップ40の周囲と回路基板とに配置する必要があり、これは半導体装置パッケージの小型化の障害となる。
図12は、他の従来のカメラモジュールの構成を示している。すなわち、固体撮像用レンズ20と赤外線遮断用フィルタ25とが付着しているレンズ付着部15が、回路基板6の上部一面に接着剤により固着されている。回路基板6は一部に開口部を形成したり、透明な素材で構成される。固体撮像用半導体チップ40は固体撮像用レンズ20からの光を画像信号に変換する光電変換素子群で構成されたチップであって、回路基板6の中心下部に位置し、回路基板6とフリップチップ(Flip Chip)接続4されている。また、回路基板6は配線接合部35を介してフレキシブル配線基板30と接続されている。
このように、固体撮像用半導体チップ40がフリップチップ接続4により回路基板6の下部と接続された場合は、ワイヤボンディング2により接続した場合より実装面積が相対的に小さいが、回路基板6に固体撮像用開口部を形成したり、回路基板6を透明な材料で構成しなければならないという制約を受ける。
このような従来の固体撮像用半導体装置に関しては、特許文献1に開示されるものが知られている。
大韓民国特開第2003−0004353号
米国特許第6,235,554号
大韓民国特開第2003−0023040号
米国特許第6,391,685号
大韓民国特開第2001−0001159号
大韓民国特開第2001−0018694号
本発明が解決しようとする技術的課題は、従来装置より厚さが薄くて、小型化された固体撮像用半導体装置を提供することにある。
前記技術的課題を達成するための本発明の一実施形態による固体撮像用半導体装置は、固体撮像用レンズが付着されたレンズ付着部と、前記固体撮像用レンズの垂直下部に設置され、前記固体撮像用レンズからの光を画像信号に変換する固体撮像用半導体チップと、前記固体撮像用半導体チップのスクライブラインに形成されたビアホール内に形成され、前記固体撮像用半導体チップの上面に形成されたボンディングパッドと前記固体撮像用半導体チップの下面に形成されたターミナルとを電気的に連結する導電性物質を有するビアホールと、前記レンズ付着部と接着されて形成されて前記固体撮像用半導体チップの下面に形成されたターミナルを介して前記固体撮像用半導体チップと電気的に接続する回路基板とを含む。
前記技術的課題を達成するための本発明の他の実施形態による固体撮像用半導体装置は、固体撮像用レンズが付着されたレンズ付着部と、前記固体撮像用レンズの垂直下部に設置され、前記固体撮像用レンズからの光を画像信号に変換する固体撮像用半導体チップと、前記固体撮像用半導体チップの側面に沿って形成され、前記固体撮像用半導体チップの上面に形成されたボンディングパッドと前記固体撮像用半導体チップの下面に形成されたターミナルとを電気的に連結する導電性ラインと、前記レンズ付着部の下段に固定設置されて前記導電性ラインを介して前記固体撮像用半導体チップと電気的に接続する回路基板とを含む。
前述したように本発明による固体撮像用半導体装置は、固体撮像用半導体チップと回路基板とをビアホールまたは導電性ラインを利用して連結することによって従来装置より厚さを小さく、実装面積も小さくすることができる。
本発明の利点及び特徴、そしてそれらを達成する方法は添付された図面を参照しつつ、詳細に後述されている実施形態の説明から明確になるであろう。しかし本発明は以下に開示する実施形態に限定されるものではなく、多様な形態で実現することができる。本実施形態は単に本発明の開示を完全にし、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に発明の範ちゅうを完全に知らせるために提供されるものであり、本発明は請求項の範ちゅうにより定義されるものである。なお、以下の説明においては明細書全体に渡って同一の参照符号は同一の構成要素を示す。
以下、本発明の実施形態1を図1A乃至図1Cに基づいて説明する。
図1Aに示したように、固体撮像用レンズ20と赤外線遮断用フィルタ25とが付着しているレンズ付着部15が回路基板(Printed Circuit Board;PCB)10の上部一面に接着剤により固着されている。固体撮像用半導体チップ40は固体撮像用レンズ20からの光を画像信号に変換する光電変換素子群で構成されたチップであって、回路基板10の上部に接着剤により固着される。
ここで、固体撮像用半導体チップ40には、例えばCMOSイメージセンサ(CMOS Image Sensor;CIS)を構成する2次元に配列された光電変換素子群で構成される光電変換部(センサ部)、光電変換素子群を順に駆動して信号電荷を得る駆動回路部、信号電荷をデジタル信号に変換するA/D変換部と、デジタル信号を映像信号出力に変換する信号処理部、デジタル信号の出力レベルを基礎に電気的に露光時間を制御する露光制御手段を同一の半導体チップ上に形成した半導体回路部などが設置されているものとする。もちろん、固体撮像用半導体チップ40はCCD(Charged Coupled Device)を含む。
図1Bは、図1Aの固体撮像用半導体チップ40を拡大した断面図である。
図1Cは、図1Aの固体撮像用半導体チップ40を拡大した部分の切開斜視図である。
図1A乃至図1Cに示すように、本発明の一実施形態において、素子形成領域300とスクライブライン305とで構成された固体撮像用半導体チップ40のスクライブライン305に、エッチング技術またはレーザを利用してビアホール45を形成する。ビアホール45は固体撮像用半導体チップ40の上面に形成されたボンディングパッド320と電気配線310で連結される。また、ビアホール45の内部に形成された導電性物質を介して半導体チップ40の上面に形成されたボンディングパッド320と固体撮像用半導体チップ40の下面に形成されたターミナル315とは電気的に連結される。導電性物質としてはAl、Ag、Au、Niなどを用いるのが望ましい。導電性物質はスパッタリング(sputtering)、化学気相蒸着(Chemical vapor deposition)または電気メッキ(electroplating)などの方法で形成することができる。また、ビアホール45の下部はソルダボール、金属バンプまたは異方性導電樹脂(Anisotopic Conductive Film;ACF)に含有された導電性粒子などの電気的接合手段330を用いて回路基板10と連結される。
ビアホール(viahole)45の形成及びビアホールと回路基板との連結方法は公知であり、例えば特許文献2や特許文献3などに開示されている。
回路基板10とフレキシブル配線基板(Flexible Cable)30とは、配線接合部35によって電気的に接続される。
図1Aに示すように構成される本発明による固体撮像用半導体装置は、固体撮像用レンズ20及び赤外線遮断用フィルタ25を介して回路基板10上の固体撮像用半導体チップ40におけるセンサ部に被写体像を結像させて光電変換することにより、例えばデジタルまたはアナログのイメージ信号が出力されるように動作する。
次に、本発明の実施形態2を図2に基づいて説明する。図2は実施形態2の構成を示した概略図である。図2において、図1Aと同一または該当部分には同一符号を付して説明を省略する。
図1Aと異なる点は、回路基板10の後面のターミナル(図示せず)とワイヤボンディング65された画像処理用半導体チップ60とをさらに含む点である。ここで、画像処理用半導体チップ60は固体撮像用半導体チップ40からのイメージ信号を処理する役割を有する。
本実施形態においては、画像処理用半導体チップ60をトランスファモールド技術による絶縁性封止樹脂70により封止するため、ワイヤボンディング65の接続部の信頼性を向上させることができ、強度も補強できる。絶縁性封止樹脂70は、例えばエポキシ樹脂、シリコン樹脂などが使われる。
次に、本発明の実施形態3を図3に基づいて説明する。図3は実施形態3の構成を示した概略図である。図3において、図1Aと同一または該当部分には同一符号を付して説明を省略する。
図1Aと異なる点は、画像処理用半導体チップ60が回路基板10の下部に形成された配線と電気的接合手段165を介して電気的に連結される点である。電気的接合手段165はバンプ(Bump)、ソルダボール(Solder Ball)または異方性導電樹脂(Anisotopic Conductive Film;ACF)に含有された導電性粒子などで構成される。もちろん、電気的接合手段165を絶縁性封止樹脂(図示せず)で封止し、電気的に接合された部分の信頼性の向上と電気的接合手段の強度の補強とを図ることができる。絶縁性封止樹脂(図示せず)は例えばエポキシ樹脂、シリコン樹脂などが使われる。
本実施形態において固体撮像用半導体装置は、画像処理用半導体チップ60をワイヤボンディングで接続する代わりに金属バンプまたはソルダボールのような電気的接合手段165を用いるために、さらに一層薄く形成することができる。
次に、本発明の実施形態4を図4に基づいて説明する。図4は実施形態4の構成を示した概略図である。図4において、図2と同一または該当部分には同一符号を付して説明を省略する。
図2と異なる点は、固体撮像用レンズ20と対向する回路基板110の一部に開口部90が形成され、固体撮像用半導体チップ40が開口部90上に形成され、画像処理用半導体チップ60が回路基板110の開口部90内部の固体撮像用半導体チップ40の後面に接合された形態で配置され、回路基板110の後面に形成されているターミナル(図示せず)とワイヤボンディング65を介して接続されるという点である。
本実施形態において固体撮像用半導体装置は、画像処理用半導体チップ60が回路基板110の開口部90内部に配置され、固体撮像用半導体チップ40の後面と接着剤で固着されているので、回路基板110の厚さだけさらに一層固体撮像用半導体装置パッケージを薄く形成することができる。
次に、本発明の実施形態5を図5に基づいて説明する。図5は実施形態5の構成を示した概略図である。図5において、図1Aと同一または該当部分には同一符号を付して説明を省略する。
図1Aと異なる点は、回路基板210が固体撮像用レンズ20と対向する部分に開口部90が形成されているフレキシブル回路基板であって、開口部90内部に配置された画像処理用半導体チップ60が回路基板210の銅導線(Copper Lead)80とタップボンディング(Tape Automated Bonding;TAB)しているという点である。
本実施形態においては、画像処理用半導体チップ60を絶縁性封止樹脂170により封止するため、タップボンディングの接続部の信頼性を向上させることができ、強度も補強できる。ここで、絶縁性封止樹脂は液状であって熱硬化性樹脂であることが望ましい。
次に、本発明の実施形態6を、図6A乃至図6Cに基づいて説明する。図6Aは実施形態6の構成を示した概略図である。
図6Bは、図6Aの固体撮像用半導体チップ40を拡大した断面図である。
図6Cは、図6Aの固体撮像用半導体チップ40を拡大した部分の切開斜視図である。
図6A乃至図6Cに示したように、本発明の一実施形態において、固体撮像用半導体チップ40のスクライブラインにエッチング技術またはレーザを利用してビアホールを形成し、ビアホールの内部に導電性物質を形成した後、ビアホールを切削して導電性ライン145を形成することができる。
図6A乃至図6Cにおいて、図1Aと同一または該当部分には同一符号を付して説明を省略する。図1Aと異なる点は、固体撮像用半導体チップ40の側面に形成された導電性ライン145で固体撮像用半導体チップ40と回路基板10とが電気的に接続されるという点である。導電性ライン145は電気が通じるようにAl、Ag、Au、Ni等のような導電性金属で構成されることが望ましい。導電性物質はスパッタリング(sputtering)、化学気相蒸着または電気メッキ(electroplating)などの方法で形成することができる。
ビアホールは、レーザまたはエッチング工程とグラインド工程などを介してウエーハのスクライブラインに沿って形成される。また、導電性ライン145は固体撮像用半導体チップ40の上面に形成されたボンディングパッド320と電気配線410で連結される。さらに、導電性ライン145はボンディングパッド320と固体撮像用半導体チップ40の下面に形成されたターミナル415を介して電気的に連結される。また、導電性ライン145の下部はソルダボール、金属バンプまたは異方性導電樹脂(Anisotopic Conductive Film;ACF)に含有された導電性粒子などの電気的接合手段330を用いて回路基板10と連結される。
したがって、図1Aに示した本発明の一実施形態と同様にワイヤボンディング2を用いないので半導体装置パッケージの小型化を実現することができる。
導電性ライン145及び導電性ライン145と回路基板との連結関係は公知であり、例えば、特許文献4乃至6に開示されている。
次に、本発明の実施形態7を図7に基づいて説明する。図7は実施形態7の構成を示した概略図である。図7において、図6Aと同一または該当部分には同一符号を付して説明を省略する。
図6Aと異なる点は、回路基板10の後面とワイヤボンディング65された画像処理用半導体チップ60をさらに含む点である。ここで、画像処理用半導体チップ60は固体撮像用半導体チップ40からのイメージ信号を処理する役割を有する。
本実施形態においては、画像処理用半導体チップ60をトランスファモールド技術による絶縁性封止樹脂70により封止するため、ワイヤボンディング65の接続部の信頼性を向上させることができ、強度も補強できる。絶縁性封止樹脂70には例えばエポキシ樹脂、シリコン樹脂などが使われる。
本発明の実施形態による固体撮像用半導体装置は、画像処理用半導体チップ60と固体撮像用半導体パッケージとを一体化するため、半導体装置パッケージの小型化を実現することができる。
次に、本発明の実施形態8を図8に基づいて説明する。図8は実施形態8の構成を示した概略図である。図8において、図6Aと同一または該当部分には同一符号を付して説明を省略する。
図6Aと異なる点は、回路基板10の下部に画像処理用半導体チップ60をさらに含む点である。ここで、画像処理用半導体チップ60は回路基板10の下部に形成されたターミナルと電気的接合手段165を介して電気的に連結される。電気的接合手段165はバンプ(Bump)、ソルダボール(Solder Ball)または異方性導電樹脂(Anisotopic Conductive Film;ACF)に含有された導電性粒子などで構成される。もちろん、電気的接合手段165を絶縁性封止樹脂(図示せず)で封止して、電気的に接合された部分の信頼性の向上と電気的接合手段の強度の補強とを図ることができる。絶縁性封止樹脂(図示せず)には例えばエポキシ樹脂、シリコン樹脂などが使われる。
本実施形態において固体撮像用半導体装置は、画像処理用半導体チップ60をワイヤボンディングで接続する代わりに金属バンプまたはソルダボールのような電気的接合手段165を用いるために、さらに一層小型化できる。
次に、本発明の実施形態9を図9に基づいて説明する。図9は実施形態9の構成を示した概略図である。図9において、図7と同一または該当部分には同一符号を付して説明を省略する。
図7と異なる点は、固体撮像用レンズ20と対向する回路基板110の一部に開口部90が形成され、固体撮像用半導体チップ40が開口部90上に形成され、画像処理用半導体チップ60が回路基板110の開口部90内部の固体撮像用半導体チップ40の後面に接合された形態で配置され、回路基板110の下部に形成されているターミナルとワイヤボンディング65を介して接続されるという点である。
本実施形態において固体撮像用半導体装置は、画像処理用半導体チップ60が回路基板110の開口部90内部に配置され、固体撮像用半導体チップ40の後面と接着剤で固着されているので、回路基板110の厚さだけさらに一層固体撮像用半導体装置パッケージを薄く形成することができる。
次に、本発明の実施形態10を図10に基づいて説明する。図10は実施形態10の構成を示した概略図である。図10において、図6Aと同一または該当部分には同一符号を付して説明を省略する。
図6Aと異なる点は、回路基板210が固体撮像用レンズ20と対向する部分に開口部90が形成されているフレキシブル回路基板であって、開口部90内部に配置された画像処理用半導体チップ60が回路基板210の銅導線(Copper Lead)80とタップボンディング(Tape Automated Bonding;TAB)により接続されている点である。
本実施形態においては、画像処理用半導体チップ60を絶縁性封止樹脂170により封止するため、タップボンディングの接続部の信頼性を向上させることができ、強度も補強できる。ここで絶縁性封止樹脂は液状であって熱硬化性樹脂であることが望ましい。
以上、添付した図面を参照しながら本発明の実施形態を説明したが、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者は本発明の技術的思想や必須な特徴を変更することなく他の具体的な形態で本発明が実施できることを理解するであろう。それゆえ、上述した実施形態はすべて例示であって、限定するものではないということを理解しなければならない。
本発明はCMOSイメージセンサまたはCCDを含む固体撮像用半導体装置に適用することができる。
2:ワイヤボンディング
4:フリップチップ接続
6:開口部が形成された回路基板
10:回路基板
15:レンズ付着部
20:固体撮像用レンズ
25:赤外線遮断用フィルタ
30:フレキシブル配線基板
35:配線接合部
40:固体撮像用半導体チップ
45:ビアホール
60:画像処理用半導体チップ
65:ワイヤボンディング
70:絶縁性封止樹脂
80:銅導線
90:開口部
110:開口部が形成された回路基板
145:導電性ライン
165:電気的接続手段
170:絶縁性封止樹脂
210:フレキシブル回路基板
4:フリップチップ接続
6:開口部が形成された回路基板
10:回路基板
15:レンズ付着部
20:固体撮像用レンズ
25:赤外線遮断用フィルタ
30:フレキシブル配線基板
35:配線接合部
40:固体撮像用半導体チップ
45:ビアホール
60:画像処理用半導体チップ
65:ワイヤボンディング
70:絶縁性封止樹脂
80:銅導線
90:開口部
110:開口部が形成された回路基板
145:導電性ライン
165:電気的接続手段
170:絶縁性封止樹脂
210:フレキシブル回路基板
Claims (22)
- 固体撮像用レンズが付着されたレンズ付着部と;
前記固体撮像用レンズの垂直下部に設置され、前記固体撮像用レンズからの光を画像信号に変換する固体撮像用半導体チップと;
前記固体撮像用半導体チップのスクライブラインに形成されたビアホール内に形成され、前記固体撮像用半導体チップの上面に形成されたボンディングパッドと前記固体撮像用半導体チップの下面に形成されたターミナルとを電気的に連結する導電性物質と;
前記レンズ付着部と接着されて形成され、前記固体撮像用半導体チップの下面に形成されたターミナルを介して前記固体撮像用半導体チップと電気的に接続する回路基板とを含むことを特徴とする固体撮像用半導体装置。 - 前記固体撮像用半導体チップの下面に形成されたターミナルと前記回路基板上面に形成された金属配線とがソルダボールまたは金属バンプにより電気的に接続されることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像用半導体装置。
- 前記回路基板の下面に形成されたターミナルと接続される画像処理用半導体チップをさらに含むことを特徴とする請求項2に記載の固体撮像用半導体装置。
- 前記回路基板の下面に形成されたターミナルと接続される画像処理用半導体チップは、ワイヤボンディングを介して前記回路基板の下面に形成されたターミナルと接続されることを特徴とする請求項3に記載の固体撮像用半導体装置。
- 前記回路基板の下面に形成されたターミナルと接続される画像処理用半導体チップは、ソルダボールあるいは金属バンプを介して前記回路基板の下面に形成されたターミナルと接続されることを特徴とする請求項3に記載の固体撮像用半導体装置。
- 前記回路基板は、前記固体撮像用レンズの下部に開口部が形成され、前記画像処理用半導体チップは前記開口部を介して前記固体撮像用半導体チップの後面と接着されていることを特徴とする請求項3に記載の固体撮像用半導体装置。
- 前記画像処理用半導体チップは、ワイヤボンディングを介して前記回路基板の下面に形成されたターミナルと接続されることを特徴とする請求項6に記載の固体撮像用半導体装置。
- 前記固体撮像用レンズの垂直下部に設置され、前記固体撮像用半導体チップの垂直上部に形成された赤外線遮断用フィルタをさらに含むことを特徴とする請求項7に記載の固体撮像用半導体装置。
- 前記回路基板は、前記固体撮像用レンズの下部に開口部があるフレキシブル回路基板であって、前記画像処理用半導体チップは前記開口部を介して前記固体撮像用半導体チップの後面と接着されていることを特徴とする請求項3に記載の固体撮像用半導体装置。
- 前記画像処理用半導体チップは、タップボンディングを介して前記回路基板の下面に形成されたターミナルと接続されることを特徴とする請求項9に記載の固体撮像用半導体装置。
- 前記固体撮像用レンズの垂直下部に設置され、前記固体撮像用半導体チップの垂直上部に形成された赤外線遮断用フィルタをさらに含むことを特徴とする請求項10に記載の固体撮像用半導体装置。
- 固体撮像用レンズが付着されたレンズ付着部と;
前記固体撮像用レンズの垂直下部に設置され、前記固体撮像用レンズからの光を画像信号に変換する固体撮像用半導体チップと;
前記固体撮像用半導体チップの側面に沿って形成され、前記固体撮像用半導体チップの上面に形成されたボンディングパッドと前記固体撮像用半導体チップの下面に形成されたターミナルとを電気的に連結する導電性ラインと;
前記レンズ付着部の下段に固定設置され、前記導電性ラインを介して前記固体撮像用半導体チップと電気的に接続する回路基板とを含むことを特徴とする固体撮像用半導体装置。 - 前記固体撮像用半導体チップの下面に形成されたターミナルと前記回路基板上面に形成された金属配線とがソルダボールまたは金属バンプにより電気的に接続されることを特徴とする請求項12に記載の固体撮像用半導体装置。
- 前記回路基板の下面に形成されたターミナルと接続する画像処理用半導体チップをさらに含むことを特徴とする請求項13に記載の固体撮像用半導体装置。
- 前記回路基板の下面に形成されたターミナルと接続する画像処理用半導体チップは、ワイヤボンディングを介して前記回路基板の下面に形成されたターミナルと接続されることを特徴とする請求項14に記載の固体撮像用半導体装置。
- 前記回路基板の下面に形成されたターミナルと接続する画像処理用半導体チップは、ソルダボールあるいは金属バンプを介して前記回路基板の下面に形成されたターミナルと接続されることを特徴とする請求項14に記載の固体撮像用半導体装置。
- 前記回路基板は、前記固体撮像用レンズの下部に開口部が形成され、前記画像処理用半導体チップは前記開口部を介して前記固体撮像用半導体チップの後面と接着されていることを特徴とする請求項14に記載の固体撮像用半導体装置。
- 前記画像処理用半導体チップは、ワイヤボンディングを介して前記回路基板の下面に形成されたターミナルと接続することを特徴とする請求項17に記載の固体撮像用半導体装置。
- 前記固体撮像用レンズの垂直下部に設置され、前記固体撮像用半導体チップの垂直上部に形成された赤外線遮断用フィルタをさらに含むことを特徴とする請求項18に記載の固体撮像用半導体装置。
- 前記回路基板は、前記固体撮像用レンズの下部に開口部があるフレキシブル回路基板であって、前記画像処理用半導体チップは前記開口部を介して前記固体撮像用半導体チップの後面と接着されていることを特徴とする請求項14に記載の固体撮像用半導体装置。
- 前記画像処理用半導体チップは、タップボンディングを介して前記回路基板の下面に形成されたターミナルと接続されることを特徴とする請求項20に記載の固体撮像用半導体装置。
- 前記固体撮像用レンズの垂直下部に設置され、前記固体撮像用半導体チップの垂直上部に形成された赤外線遮断用フィルタをさらに含むことを特徴とする請求項21に記載の固体撮像用半導体装置。
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