KR20050008121A - 고체 촬상용 반도체 장치 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
투명 기판을 이용한 고체 촬상용 반도체 장치의 대량생산과 불순물 입자의 제어를 도모하는 본 발명의 고체 촬상용 반도체 장치는, 고체 촬상용 렌즈가 부착된 렌즈 부착부; 상기 렌즈 부착부의 하부에 고정되고, 하부의 소정 영역에 배선을 갖는 투명기판; 상기 투명기판의 배선과 제1 전기적 접속수단에 의해 전기적으로 연결되는 고체 촬상용 반도체 칩을 구비한다. 또한, 본 발명은 투명기판에 배선을 형성하고 상기 배선 상의 입출력단자에 전기적 접속수단을 형성하는 제1 단계; 고체 촬상용 반도체 칩의 수광면을 상기 투명기판에 대향시키고, 상기 전기적 접속수단을 통해 상기 고체 촬상용 반도체 칩을 상기 투명기판과 전기적으로 접합하는 제2 단계; 및 상기 고체 촬상용 반도체 칩과 대향하는 고체 촬상용 렌즈가 부착된 렌즈 부착부를 상기 투명기판의 상부에 부착하는 제3 단계를 포함하는 고체 촬상용 반도체 장치의 제조방법을 제공한다.
Description
본 발명은 고체 촬상용 반도체 장치에 관한 것으로, 특히 수광 소자를 갖는 반도체 소자와 고체 촬상용 렌즈를 일체로 한 고체 촬상용 반도체 장치 패키지 모듈에 관한 것이다.
휴대 단말기나 휴대 전화기 등의 모바일 장치에는, 보통 고체 촬상용 반도체 칩과 렌즈를 조합시킨 형태의 카메라 모듈이 탑재되어 있다. 이러한 소형 카메라를 구비한 휴대 전화기는 통화자의 영상을 소형 카메라에 의해서 촬상하여 화상 데이터로서 입력하여, 통화 상대방에게 그 화상 데이터를 송신한다.
휴대 전화기나 휴대형 퍼스널 컴퓨터(휴대형 PC)는 더 소형화가 진행되고 있으며, 이들에 사용되는 카메라 모듈도 소형화가 요구되고 있다. 이와 같은 카메라 모듈의 소형화의 요구를 만족시키기 위해서, 렌즈와 고체 촬상용 반도체 칩을 일체화하여 형성된 반도체 장치 패키지가 개발되고 있다.
도 1은 종래 기술에 따른 고체 촬상용 반도체 장치의 개략적 구성도이다.
도 1은 카메라 모듈의 구성을 나타내고 있다. 즉, 고체 촬상용 렌즈(20)와 적외선 차단용 필터(IR cut filter; 30)가 부착되어 있는 렌즈부착부(40)가 회로기판(Printed Circuit Board ; PCB, 10)의 상부 일면에 접착제에 의해 고착되어 있다. 고체 촬상용 반도체 칩(50)은 상기 고체 촬상용 렌즈(50)로부터의 광을 화상신호로 변환하는 광전변환소자군으로 이루어진 칩으로서, 상기 회로기판(10)의 상부에 위치하고 상기 회로기판(10) 상에 형성된 배선의 입출력 단자와 와이어본딩(Wire Bonding; 60)되어 있다.
도 1에 도시된 바와 같은 고체 촬상용 반도체 장치를 제작하는 경우, 우선 고체 촬상용 반도체 칩(50)에 패턴이 형성되지 아니한 하면을 회로기판(10)에 다이 본딩(die bonding)을 한다. 상기 고체 촬상용 반도체 칩(50)의 상면에 형성된 본딩 패드(미도시)와 회로기판(10)의 상면에 형성된 배선의 입출력 단자를 와이어본딩(60)을 통하여 전기적으로 접속한다.
그 후, 상기 고체 촬상용 반도체 칩(50)이 다이 본딩되어 있는 상기 회로기판(10)의 상부의 소정의 부분에 렌즈부착부(40)가 접착제에 의해 고착된다. 상기 고체 촬상용 반도체 칩(50)에 대향하게 고체 촬상용 렌즈(20)를 상기 렌즈부착부(40) 내에 부착한다. 상기 고체 촬상용 렌즈(20)와 소정의 간격을 두고 대향하며, 고체 촬상용 렌즈(20)와 회로 기판(10) 사이에 위치하게 적외선 차단용 필터(30)를 상기 렌즈부착부(40) 내에 고정 위치한다.
상기 회로기판(10)과 플랙시블 배선(70)은 배선접합부(80)에 의해 전기적으로 접속한다.
이러한 고체 촬상용 반도체 장치를 제작하는 경우, 고체 촬상용 반도체 칩을 회로 기판에 부착한 후 렌즈부착부는 접착제에 의해 회로 기판에 고정부착하기 때문에, 공정진행상 존재하는 불순물 입자(particle)에 의해 고체 촬상용 반도체 칩의 신뢰성을 손상시키는 문제가 발생한다. 또한, 모든 제작 공정이 진행된 후 테스트에 의해서 불순물에 의한 고체 촬상용 반도체 칩의 손상이 있는지를 알 수 있다. 따라서, 종래 기술에 따른 고체 촬상용 반도체 장치를 제작하는 경우, 모든 제작 공정동안 불순물 입자를 제어하기 위하여 많은 비용과 시간이 소비된다.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위해 실시된 것으로 소정의 공정을 제어함으로써 불순물 입자에 의한 고체 촬상용 반도체 칩의 손상을 막고 고체 촬상용 반도체 장치의 제작 공정을 간단히 하는 것을 주된 목적으로 한다.
도 1은 종래 기술에 따른 고체 촬상용 반도체 장치의 개략적 구성도이다.
도 2 내지 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 고체 촬상용 반도체 장치의 개략적 구성도이다.
도 4는 도 2c 및 도 3c의 A부를 확대한 확대도이다.
<도면의 주요 부분에 관한 부호의 설명>
10 : 회로기판 20, 120 : 고체 촬상용 렌즈
30, 130 : 적외선 차단용 필터 40, 140 : 렌즈부착부
50, 150 : 고체 촬상용 반도체 칩 60 : 와이어본딩
70, 170 : 플랙시블 배선 80, 180 : 배선접합부
110 : 투명기판 160 : 제1 전기적 접속수단
210 : 이방성 도전수지 220 : 공간부
230 : 절연성 봉지수지 250 : 화상처리용 반도체 칩
260 : 제2 전기적 접속수단 300 : 프레스 지그
상기한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 일 실시예에 따른 고체 촬상용 반도체 장치는, 고체 촬상용 렌즈가 부착된 렌즈 부착부; 상기 렌즈 부착부의 하부에 고정되고, 가시광선을 투과하는 재질로 형성되며, 상기 고체 촬상용 렌즈를 통과한 빛이 차단되지 않게 하부의 소정 영역에 배선을 갖는 투명기판; 상기 투명기판과 소정의 간격을 두고 대향하면서 상기 투명기판의 배선과 제1 전기적 접속수단에 의해 전기적으로 연결하고, 상기 고체 촬상용 렌즈로부터의 광을 화상 신호로 변환하는 고체 촬상용 반도체 칩을 포함한다.
상기 제1 전기적 접속수단은 상기 투명기판의 배선에 형성된 금속범프인 것이 바람직하다.
상기 제1 전기적 접속수단은 이방성 도전수지로 봉지하는 것이 바람직하다.
상기 고체 촬상용 렌즈와 소정의 간격을 두고 대향하며, 상기 고체 촬상용 렌즈와 상기 투명기판 사이에 위치하고 상기 렌즈 부착부 내에 고정 위치하는 적외선 차단용 필터를 더 포함하는 것이 바람직하다.
상기 고체 촬상용 반도체 칩의 하부와 다이본딩을 하고, 상기 투명기판의 배선과 제2 전기적 접속수단에 의해 전기적으로 연결하는 화상처리용 반도체 칩을 더포함하는 것이 바람직하다.
상기 제2 전기적 접속수단은 와이어본딩에 의한 것이 바람직하다.
또한, 상기한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 투명기판 하부의 소정 영역에 배선을 형성하고 상기 배선 상의 입출력단자에 다수의 전기적 접속수단을 형성하는 제1 단계; 고체 촬상용 반도체 칩의 수광면을 상기 투명기판에 대향시키고, 상기 전기적 접속수단을 통해 상기 고체 촬상용 반도체 칩을 상기 투명기판과 전기적으로 접합하는 제2 단계; 및 상기 고체 촬상용 반도체 칩과 대향하는 고체 촬상용 렌즈가 부착된 렌즈 부착부를 상기 투명기판의 상부에 부착하는 제3 단계를 포함하는 고체 촬상용 반도체 장치의 제조방법을 제공한다.
상기 제1 단계는 금속범프에 의해 상기 전기적 접속수단을 형성하는 것이 바람직하다.
상기 제2 단계는 상기 전기적 접속수단 위에 이방성 도전수지를 코팅한 후, 상기 고체 촬상용 반도체 칩을 상기 투명기판과 전기적으로 접합하는 것이 바람직하다.
상기 제2 단계는 상기 고체 촬상용 반도체 칩을 소정의 열과 압력 하에서 프레스 지그를 이용하여 상기 투명기판과 접합하는 것이 바람직하다.
상기 제2 단계 이후에, 화상처리용 반도체 칩을 상기 고체 촬상용 반도체 칩의 하부에 다이본딩하고 상기 투명기판의 배선과 전기적으로 접합시키는 단계를 더 포함하는 것이 바람직하다.
이하, 본 발명이 속한 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 보다 용이하게 실시할 수 있도록 하기 위하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 소개하기로 한다.
도 2e는 본 발명의 일 실시예에 따른 고체 촬상용 반도체 장치의 구성을 도시하는 개략적 단면도이다. 상기 고체 촬상용 반도체 장치는 투명기판(110), 고체 촬상용 반도체 칩(150), 고체 촬상용 렌즈(120), 적외선 차단용 필터(130), 렌즈부착부(140) 등에 의해 구성된다.
도 2e에 도시된 바와 같이, 고체 촬상용 렌즈(120)와 적외선 차단용 필터(IR cut filter; 130)가 부착되어 있는 렌즈부착부(140)가 회로기판(Printed Circuit Board; PCB, 110)의 상부 일면에 접착제에 의해 고착되어 있다. 고체 촬상용 반도체 칩(150)은 상기 고체 촬상용 렌즈(120)로부터의 광을 화상신호로 변환하는 광전변환소자군으로 이루어진 칩으로서, 상기 투명기판(110)의 상부에 접착제에 의해 고착된다.
여기에서 상기 고체 촬상용 반도체 칩(150)에는 예를 들면 CMOS 이미지 센서(CMOS Image Sensor; CIS)를 구성하는 2차원으로 배열된 광전변환소자군으로 이루어지는 광전변환부(센서부)와, 상기 광전변환소자군을 차례로 구동하여 신호전하를 얻는 구동회로부와, 상기 신호전하를 디지털신호로 변환하는 A/D변환부와, 상기 디지탈신호를 영상신호출력으로 만드는 신호처리부와, 상기 디지탈신호의 출력레벨을 토대로 전기적으로 노광시간을 제어하는 노광제어수단을 동일한 반도체 칩상에 형성한 반도체 회로부 등이 설치되어 있는 것으로 한다. 물론 상기 고체 촬상용 반도체 칩(150)은 CCD(Charged Coupled Device)를 포함한다.
본 발명에 의한 고체 촬상용 반도체 장치는 상기 고체 촬상용 렌즈(120) 및 상기 적외선 차단용 필터(130)를 통하여 상기 투명기판(110)상의 상기 고체 촬상용 반도체 칩(150)에 있어서의 센서부에 피사체상을 결상시켜서 광전변환함으로써 예를 들면 디지털 또는 아날로그의 이미지신호가 출력되도록 동작한다.
도 2a 내지 도 2e는 본 발명의 일 실시예에 따른 고체 촬상용 반도체 장치의 제조 공정 수순을 나타낸 것이다.
도 2a를 참조하면, 적외선 차단용 물질(Infra-Red Filtered Material)이 도포된 투명기판(110) 위의 소정의 영역에 금속배선을 패턴닝(patterning)한다. 상기 금속배선은 도전성 금속, 즉 Al, Cu, Au 등을 스퍼터링(sputtering), 화학기상증착(Chemical vapor deposition) 또는 전기도금(electroplating) 등의 방법으로 형성하고, 주로 포토레지스터(Photoresistor : PR)을 이용한 사진식각공정(photolithography)을 이용하여 패터닝을 한다.
그 후, 상기 투명기판(110) 상에 형성된 배선과 고체 촬상용 반도체 칩(150)을 전기적으로 연결하는 제1 전기적 접속수단(160)을 상기 투명기판(110)의 배선 위의 입출력단자에 형성한다. 상기 제1 전기적 접속수단(160)은 금속범프(Metal Bump) 또는 솔더볼(Solder Ball)을 포함하는 것이 바람직하다.
상기 금속범프를 형성하는 방법으로는 전기도금법, 스터드 범프형성법(Stud Bump) 등이 있다. 전기도금법은 상기 배선을 시드층(seed layer)로 하여 도금하고자 하는 곳에 포토레지스터(PR)를 사진식각한 후 전기도금을 하는 것이다. 스터드 범프는 와이어본드(Wire Bond)의 볼(ball) 부분을 이용하여 범프를 형성하는 것이다.
도 2b에 도시된 바와 같이, 제1 전기적 접속수단(160)이 형성된 면이 위를 향하게 한 상기 투명기판(110)을 프레스 지그(press jig; 300) 사이에 위치시킨다. 그 후, 상기 제1 전기적 접속수단(160)에 이방성 도전수지(Anisotropic Conductive Film; ACF, 210)를 코팅한다. 상기 제1 전기적 접속수단(160)과 전기적으로 접속되는 고체 촬상용 반도체 칩(150)을 상기 제1 전기적 접속수단(160)의 상부에 프레스 지그(300)를 이용하여 정열한다. 이 때, 상기 제1 전기적 접속수단(160)과 상기 고체 촬상용 반도체 칩(150)의 본딩패드(미도시)가 전기적으로 연결되도록 정밀하게 정열한다. 상기 프레스 지그(300)를 이용하여 약 140 ~ 160 ℃에 온도에서 약 5 ~ 15 분 동안, 약 2 ~ 4 ㎏/㎠의 압력을 가하여 상기 제1 전기적 접속수단(160)과 상기 고체 촬상용 반도체 칩(150)을 열압착시킨다. 바람직하게는, 약 150 ℃에 온도에서 약 10분 동안, 약 3 ㎏/㎠의 압력을 가하여 열압착시킨다.
도 2c는 프레스 지그(300)를 이용해 투명기판(110)과 고체 촬상용 반도체 칩(150)을 열압착시킨 상태를 도시한 것이다. 도 4는 도 2c의 A부를 확대한 확대도이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 투명기판(110) 상에 배선(110a)이 형성되어 있고, 상기 배선(110a)과 제1 전기적 접속수단(160)이 연결되어 있다. 고체 촬상용 반도체 칩(150) 상의 소정의 부분에 위치한 본딩패드(150a)와 상기 제1 전기적 접속수단(160)이 접속한다. 이때 상기 제1 전기적 접속수단(160)을 이방성 도전수지(Anisotropic Conductive Film; ACF, 210)로 코팅한 후 상기본딩패드(150a)에 접속시킨다. 상기 이방성 도전수지(210)에 내재된 도전성 입자(210a)에 의해 본딩패드(150a)와 제1 전기적 접속수단(160)이 연결된다.
고체 촬상용 반도체 칩(150)을 투명기판(110)에 접속할 때까지 불순물 입자가 상기 투명기판(110)과 상기 고체 촬상용 반도체 칩(150) 사이에 존재하는 공간부(220)에 들어가는 것을 제어하면, 이 후 진행되는 공정에서는 불순물에 의한 상기 고체 촬상용 반도체 칩(150)이 손상을 받지 않고 고체 촬상용 반도체 장치를 제조할 수 있다.
도 2d에 도시된 바와 같이, 고체 촬상용 반도체 칩(150)을 트랜스퍼몰드 기술에 의한 절연성 봉지수지(230)에 의해 봉지할 수 있다. 이 경우 상기 제1 전기적 접속수단(160)의 접속부의 신뢰성을 향상시킬 수 있고 강도도 보강할 수 있다. 상기 절연성 봉지수지(230)는 예를 들면 에폭시 수지, 실리콘 수지 등이 사용된다.
도 2e에 도시된 바와 같이, 고체 촬상용 렌즈(120)와 적외선 차단용 필터(130)가 부착된 렌즈부착부(140)를 투명기판(110) 상의 소정의 부분에 접착제로 고정한다. 여기서 상기 고체 촬상용 반도체 칩(150)과 렌즈부착부(140)는 투명기판(110)의 서로 다른 면에 위치하도록 한다.
상기 투명기판(110)과 플랙시블 배선(170)은 배선접합부(180)에 의해 전기적으로 접속한다.
도 3e는 본 발명의 다른 실시예에 따른 고체 촬상용 반도체 장치의 구성을 도시하는 개략적 단면도이다. 상기 고체 촬상용 반도체 장치는 투명기판(110), 고체 촬상용 반도체 칩(150), 고체 촬상용 렌즈(120), 적외선 차단용 필터(130), 렌즈부착부(140), 화상처리용 반도체 칩(250) 등에 의해 구성된다.
도 3a 내지 도 3e는 본 발명의 다른 실시예에 따른 고체 촬상용 반도체 장치의 제조 공정 수순을 나타낸 것이다. 도 3에 있어서, 도 2와 동일 또는 해당 부분에는 동일 부호를 붙여 설명을 생략한다.
도 3a에 도시된 바와 같이, 투명기판(110)상에 제1 전기적 접속수단(160)을 형성한다. 도 3b 및 도 3c에 도시된 바와 같이, 상기 제1 전기적 접속수단(160)에 이방성 도전수지(ACF; 210)를 코팅한 후, 투명기판(110) 상에 형성된 배선과 연결된 제1 전기적 접속수단(160)과 고체 촬상용 반도체 칩(150) 상에 형성된 본딩패드를 프레스 지그(300)를 이용하여 열압착한다. 도 4는 도 3c의 A부를 확대한 확대도이다.
도 3d에 도시된 바와 같이, 상기 고체 촬상용 반도체 칩(150)의 하부에 화상처리용 반도체 칩(250)을 다이본딩한 후, 상기 투명기판(110)의 배선 상의 입출력단자와 상기 화상처리용 반도체 칩(250)의 본딩패드(미도시)를 제2 전기적 접속수단(260)에 의해 전기적으로 연결한다. 여기서, 상기 화상처리용 반도체 칩(250)은 상기 고체 촬상용 반도체 칩(150)으로부터의 이미지신호를 처리하는 역할을 한다. 상기 제2 전기적 접속수단(260)은 와이어본딩(Wire Bonding)으로 하는 것이 바람직하다. 그리고, 상기 화상처리용 반도체 칩(250)을 트랜스퍼몰드 기술에 의한 절연성 봉지수지(230)에 의해 봉지할 수 있다. 이 경우 상기 제2 전기적 접속수단(260)의 접속부의 신뢰성을 향상시킬 수 있고 강도도 보강할 수 있다. 상기 절연성 봉지수지(230)는 예를 들면 에폭시 수지, 실리콘 수지 등이 사용된다.
도 3e에 도시된 바와 같이, 투명기판(110) 상에 렌즈부착부(140)를 고정위치시키고, 투명기판(110)과 플랙시블 배선(170)을 배선접합부(180)에 의해 전기적으로 접속한다.
이상, 본 발명을 바람직한 실시예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러 가지 변형이 가능하다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따른 고체 촬상용 반도체 장치 및 그 제조방법에 의하면, 고체 촬상용 반도체 장치의 제작 공정을 간단히 하고 소정의 공정을 제어함으로써 불순물 입자에 의한 고체 촬상용 반도체 칩의 손상을 막는 고체 촬상용 반도체 장치 및 그 제조방법을 제공할 수 있다.
종래 관련기술에 의한 고체 촬상용 반도체 칩의 양품률(yield)를 살펴보면, 예를 들어 8인치 Si 웨이퍼 위에 제작된 고체 촬상용 반도체 칩의 양품률은 약 60% 정도로 그친다. 따라서, 웨이퍼 상에 금속범프와 같은 전기적 접속수단을 형성하는 경우, 약 40% 정도 불량인 고체 촬상용 반도체 칩 상에도 금속범프를 형성하게 되어 많은 비용이 낭비된다. 따라서, 본 발명과 같이 투명기판 상에 금속범프를 형성하면 형성된 금속범프 전체를 사용할 수 있다.
웨이퍼 상에 금속범프를 형성하는 경우 대량 생산을 위해 동시에 작업할 수 있는 양이 웨이퍼 크기에 의해 제약된다. 하지만, 본 발명과 같이 투명기판 상에 금속범프를 형성하는 경우 대량 생산을 위한 동시작업량이 웨이퍼의 크기에 의해제약을 받지 않는다.
Claims (11)
- 고체 촬상용 렌즈가 부착된 렌즈 부착부;상기 렌즈 부착부의 하부에 고정되고, 가시광선을 투과하는 재질로 형성되며, 상기 고체 촬상용 렌즈를 통과한 빛이 차단되지 않게 하부의 소정 영역에 배선을 갖는 투명기판;상기 투명기판과 소정의 간격을 두고 대향하면서 상기 투명기판의 배선과 제1 전기적 접속수단에 의해 전기적으로 연결하고, 상기 고체 촬상용 렌즈로부터의 광을 화상 신호로 변환하는 고체 촬상용 반도체 칩을 포함하는 고체 촬상용 반도체 장치.
- 제 1항에 있어서,상기 제1 전기적 접속수단은 상기 투명기판의 배선에 형성된 금속범프인 것을 특징으로 하는 고체 촬상용 반도체 장치.
- 제 2항에 있어서,상기 제1 전기적 접속수단은 이방성 도전수지로 봉지하는 것을 특징으로 하는 고체 촬상용 반도체 장치.
- 제 1항에 있어서,상기 고체 촬상용 렌즈와 소정의 간격을 두고 대향하며, 상기 고체 촬상용 렌즈와 상기 투명기판 사이에 위치하고 상기 렌즈 부착부 내에 고정 위치하는 적외선 차단용 필터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고체 촬상용 반도체 장치.
- 제 1항에 있어서,상기 고체 촬상용 반도체 칩의 하부와 다이본딩을 하고, 상기 투명기판의 배선과 제2 전기적 접속수단에 의해 전기적으로 연결하는 화상처리용 반도체 칩을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고체 촬상용 반도체 장치.
- 제 5항에 있어서,상기 제2 전기적 접속수단은 와이어본딩에 의한 것을 특징으로 하는 고체 촬상용 반도체 장치.
- 투명기판 하부의 소정 영역에 배선을 형성하고 상기 배선 상의 입출력단자에 다수의 전기적 접속수단을 형성하는 제1 단계;고체 촬상용 반도체 칩의 수광면을 상기 투명기판에 대향시키고, 상기 전기적 접속수단을 통해 상기 고체 촬상용 반도체 칩을 상기 투명기판과 전기적으로 접합하는 제2 단계; 및상기 고체 촬상용 반도체 칩과 대향하는 고체 촬상용 렌즈가 부착된 렌즈 부착부를 상기 투명기판의 상부에 부착하는 제3 단계를 포함하는 고체 촬상용 반도체장치의 제조방법.
- 제 7항에 있어서,상기 제1 단계는 금속범프에 의해 상기 전기적 접속수단을 형성하는 것을 특징으로 하는 고체 촬상용 반도체 장치의 제조방법.
- 제 8항에 있어서,상기 제2 단계는 상기 전기적 접속수단 위에 이방성 도전수지를 코팅한 후, 상기 고체 촬상용 반도체 칩을 상기 투명기판과 전기적으로 접합하는 것을 특징으로 하는 고체 촬상용 반도체 장치의 제조방법.
- 제 7항에 있어서,상기 제2 단계는 상기 고체 촬상용 반도체 칩을 소정의 열과 압력 하에서 프레스 지그를 이용하여 상기 투명기판과 접합하는 것을 특징으로 하는 고체 촬상용 반도체 장치의 제조방법.
- 제 7항에 있어서, 상기 제2 단계 이후에,화상처리용 반도체 칩을 상기 고체 촬상용 반도체 칩의 하부에 다이본딩하고 상기 투명기판의 배선과 전기적으로 접합시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고체 촬상용 반도체 장치의 제조방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020030047964A KR20050008121A (ko) | 2003-07-14 | 2003-07-14 | 고체 촬상용 반도체 장치 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| KR1020030047964A KR20050008121A (ko) | 2003-07-14 | 2003-07-14 | 고체 촬상용 반도체 장치 및 그 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20050008121A true KR20050008121A (ko) | 2005-01-21 |
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ID=37221406
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| KR1020030047964A KR20050008121A (ko) | 2003-07-14 | 2003-07-14 | 고체 촬상용 반도체 장치 및 그 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20050008121A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3244445A1 (en) * | 2016-05-10 | 2017-11-15 | Rosemount Aerospace Inc. | Method to provide die attach stress relief using gold stud bumps |
-
2003
- 2003-07-14 KR KR1020030047964A patent/KR20050008121A/ko not_active Application Discontinuation
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| EP3244445A1 (en) * | 2016-05-10 | 2017-11-15 | Rosemount Aerospace Inc. | Method to provide die attach stress relief using gold stud bumps |
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