CN1574374A - 固态成像设备和其制造方法 - Google Patents
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Abstract
一个固态成像设备，包括一个将光转换为图像信号的固态成像芯片，所述固态成像芯片包括在所述固态成像芯片顶表面上的第一端子和在所述固态成像芯片底表面上的第二端子。一个制造固态成像设备的方法包括在将光转换为一个图像信号的固态成像芯片的顶表面上形成第一端子；及在所述固态成像芯片的底表面上形成第二端子。
Description
技术领域
本发明涉及一固态成像设备，并且特别地涉及一将光转换为一个图像信号的固态成像芯片，所述固态成像芯片包括在所述固态成像芯片顶表面的第一端和在所述固态成像芯片底表面的第二端。
本发明要求于2003年6月18目递交韩国知识产权局的申请号为10-2003-0039523的韩国专利申请的优先权，其公开内容在这里作为参考文献。
背景技术
可移动的设备，例如便携终端或移动电话，一般可包括内部照相机模块，该模块中包含一个固态成像芯片和透镜。这样的一个装备在移动电话内的照相机中，由该照相机可以拍照主叫用户的图像并且作为图像数据输入到所述移动电话内。然后所述输入图像数据被传输到一个被叫用户。
随着移动电话或便携个人电脑变得越来越小，增加了对使用在这样的移动设备上的照相机的小型化的要求，半导体组件已经被发展成为可包括一个透镜和一个固态成像芯片，以帮助满足照相机模块的小型化要求。
图11和图12为已有技术的固态成像设备的原理图。参考图11，其中表示一个照相机模块的原理，一个透镜安装部15，在其上可安装一个固态成像透镜20和一个红外线消除滤镜25，可以用一个胶粘剂将该透镜安装部15安装到一板10的顶表面上。一个固态成像芯片40可包括光电转换元件用于将来自所述固态成像透镜20的光转换为一图像信号。所述固态成像芯片40可以布置在所述板10的顶表面的中心并且可以通过接合线(bonding wires)2与所述板10连接。
在图11所示的固态成像设备中，通过所述接合线2，所述固态成像芯片40可以被安装在并且连接在板10上。因此所述接合线2的结合垫可以绕着所述固态成像芯片40并且在所述板10上来布置，这样可能会妨碍半导体组件的小型化。
图12表示另一个常规的照相机模块，其中安装了一个固态成像透镜20和红外线消除滤镜25的一个透镜安装部15可以用一个胶粘剂被安装到板6的顶表面上。所述板6可以具有一个在其一部分上形成的洞或可以由透明材料形成。一个固态成像芯片40可包括光电转换元件用于将来自所述固态成像透镜20的光转换为一个图像信号。所述固态成像芯片40可布置在所述板10的顶表面的中心并且可以通过倒装的压焊点(flip chip bonds)4与所述板10相连接。
在图12所示的上述示例中，通过所述倒装的压焊点4，所述固态成像芯片40可以被连接到板6的底表面上。与图11所示的通过所述接合线2将所述固态成像芯片40安装在并且连接在板10上的情况相比较，可以相对减小所述安装区域。但这种结构有几个限制，包括需要在所述板6上形成一个分开的洞，或用透明材料来形成所述板6。
发明内容
根据本发明的实施例的一个示例，一个固态成像设备包括一个透镜安装部，在该透镜安装部上安装一个固态成像透镜并且在所述固态成像透镜下面安装一个固态成像芯片，用于将来自所述固态成像透镜的光转换为一个图像信号。所述固态成像设备还包括一个导电材料，其被淀积在形成于所述固态成像芯片的划线上的通孔内，所述导电材料用于将在所述固态成像芯片的顶表面上形成的接合垫(bonding pad)与在所述固态成像芯片的底表面上形成的端子电连接。而且，所述固态成像设备包括一个安装到所述透镜安装部的板，并且该板通过在所述固态成像芯片底表面上形成的端子电连接到所述固态成像芯片上。
在本发明的另一个实施例中，一个固态成像设备包括一个透镜安装部，在该透镜安装部上安装一个固态成像透镜并且在所述固态成像透镜下面安装一个固态成像芯片，用于将来自所述固态成像透镜的光转换为一个图像信号。所述固态成像设备还包括一个导电线，其至少形成在所述固态成像芯片的侧面，所述导电线用于将在所述固态成像芯片顶表面上形成的接合垫与在所述固态成像芯片底表面上形成的端子电连接；及一个板，其被安装在所述透镜安装部的底表面上，并且通过形成在所述固态成像芯片底表面的所述导电线与所述固态成像芯片电连接。
在本发明的另一个实施例中，一个固态成像设备包括一个固态成像芯片，其用于将光转换为一个图像信号，所述固态成像芯片包括在所述固态成像芯片顶表面上的第一端子和在固态成像芯片的底表面上的第二端子。
在本发明的另一个实施例中，一个固态成像设备包括一个透镜安装部，在该透镜安装部上安装一个固态成像透镜；及一个固态成像芯片，用于将来自所述固态成像透镜的光转换为一个图像信号，所述固态成像芯片还包括在所述固态成像芯片顶表面上的第一端子和在固态成像芯片的底表面上的第二端子。所述固态成像设备进一步包括一个导电材料，其被淀积在所述固态成像芯片的划线上形成的孔内，所述导电材料用于将至少一部分所述第一端子和至少一部分所述第二端子电连接；以及一个安装到所述透镜安装部的板，该板通过所述第二端子与所述固态成像芯片电连接。
在本发明的另一个实施例中，一个固态成像设备包括一个透镜安装部，在该透镜安装部上安装一个固态成像透镜；及一个固态成像芯片，用于将来自所述固态成像透镜的光转换为一个图像信号，所述固态成像芯片还包括在所述固态成像芯片顶表面上的第一端子和在固态成像芯片的底表面上的第二端子；所述固态成像设备还包括一个导电线，所述导电线用于将至少一部分所述第一端子和至少一部分所述第二端子电连接；以及一个安装到所述透镜安装部底表面的板，该板通过形成在所述固态成像芯片底表面上的导电线与所述固态成像芯片电连接。
在本发明的另一个实施例中，一个制造一个固态成像设备的方法包括在将光转换为一个图像线号的固态成像芯片的顶表面上形成第一端子；及在固态成像芯片的底表面上形成第二端子。
附图说明
下面将结合附图对本发明的其它示例性实施例的其它的特点和优点进行详细的描述。
通过参考附图对本发明的示例性的实施例的描述，这些实施例会更加清楚。
图1A到图10为根据本发明的示例性实施例的固态成像设备的原理图。
图11和12为已有技术的固态成像设备的原理图。
具体实施方式
下面将参考表示本发明示例性实施例的附图对本发明进行描述。但是本发明可以通过许多不同的形式来实施并且并不限于目前所描述示例性的实施例。这些示例性实施例仅仅是为了充分公开本发明而被提供的，且为了向本领域普通技术人员展示本发明的各种可变化的示例性实施例。
下面参考图1A到图1C对本发明的一个示例性实施例进行描述。
如在图1A中所示的一个本发明的示例性实施例，一个透镜安装部15，其可通过一个胶粘剂连接到一个板10的顶表面，在透镜安装部上可安装一个固态成像透镜20和一个红外线消除滤镜25。一个固态成像芯片40可包括光电转换元件用于将来自所述固态成像透镜20的光转换为一个图像信号，并且可通过胶粘剂连接到所述板10的顶表面上。
所述固态成像芯片40可包括一个光电转换单元(即一个传感器单元)，一个驱动电路，一个模数(A/D)转换单元，一个信号处理单元，和/或一个半导体电路。所述光电转换单元可具有布置成一个二维矩阵的光电转换元件，形成一个CMOS图像传感器(CIS)。所述驱动电路可随后驱动所述光电转换元件以获得信号电荷。所述A/D转换单元可将所述信号电荷转换为数字信号。所述数字处理单元处理所述数字信号以输出图像信号。所述半导体电路可具有一个在相同的半导体芯片上形成的曝光控制器；所述曝光控制器可根据所述数字信号的输出水平控制曝光的时间。所述固态成像芯片40可包括一个电荷耦合器件(CCD)。
图1B为一个在图1所示的根据本发明一个示例性实施例的固态成像芯片40的放大的剖面图。
图1C为一个表示在图1所示的根据本发明一个示例性实施例的固态成像芯片40放大部分的分解立体图。
如图1A到1C所示，根据本发明的一个示例性实施例，所述固态成像芯片40可包括一个有源区300和划线305。在所述划线305上可通过刻蚀或激光来形成通孔45。所述通孔45可通过电线310被连接到在固态成像芯片40的顶表面上形成的接合垫/端子320上。在所述固态成像芯片40上形成的接合垫/端子320可通过淀积在所述通孔45内的导电材料被电连接到可在固态成像芯片40的底表面上形成的端子315上。优选地使用铝、银、金或镍作为所述导电材料。但是，也可以使用包括导电材料的混合物的其它的导电材料。所述导电材料可以通过不同的方法被淀积，其中包括喷溅、化学蒸汽淀积(CVD)，电镀，或它们的组合，所述通孔45的底部可通过电连接体330，如焊料球、金属突起或包含在一个各向异性的导电膜内的导电颗粒与所述板10连接。
形成所述通孔45和将所述通孔45与所述板10连接的技术分别在美国专利第6,235,554和韩国专利公开第2003-0023040中被公开。
所述板10和一个柔性电缆30可通过一个线连接体35彼此电连接。
上述的根据图1所示的本发明示例性实施例的固态成像设备的操作如下：通过所述固态成像透镜20和所述红外线消除滤镜25，在安装在所述板10上的固态成像芯片40的一个传感器上形成一个物体的图像，并且可被光电转换并以数字或模拟形式的图像信号输出。
下面将参考图2对本发明的另一个示例性实施例进行描述。图2是根据本发明一个示例性实施例的固态成像设备的结构原理图，其中与图1所示的元件相对应的元件用相同的附图标号表示。
图2所示的固态成像设备与图1所示的固态成像设备的不同之处在于所述固态成像设备还包括一个图像信号处理半导体芯片60，其通过接合线65与所述板10的底表面上的端子(未显示)电连接。所述图像信号处理半导体芯片60处理来自所述固态成像芯片40输出的图像信号。
在图2所示的示例性实施例中，可使用一个绝缘密封树脂70通过传递模塑(transfer molding)来密封所述图像信号处理半导体芯片60。结果，可提高由所述接合线65的接合(bonded)部分的可靠性并且也加强其中的强度。所述绝缘密封树脂70的范例可包括环氧树脂、硅树脂，及类似物。
下面将参考图3对本发明的另一个示例性实施例进行描述。图3是根据本发明一个示例性实施例的固态成像设备的结构原理图，其中与图1所示的元件相对应的元件用相同的附图标号表示。
图3所示的固态成像设备与图1所示的固态成像设备的不同之处在于一个图像信号处理半导体芯片60可通过电连接体165与在所述板10的底表面上形成的线进行电连接。所述电连接体165包括金属突起、焊料球、包含在一个各向异性导电膜(ACF)内的导电颗粒、或其它类似的连接体，或其组合，但是不限于此。通过使用如环氧树脂、硅树脂、或类似物的绝缘密封树脂(未显示)对所述电连接体165的密封，所述电连接体165的可靠性得到保证并且可加强其强度。
在图3所示的根据本发明示例性实施例的固态成像设备中，所述电连接体165，例如金属突起或焊料球，可以取代所述接合线用于连接所述图像信号处理半导体芯片60，因此使所述图像信号处理半导体芯片60更薄。
下面将参考图4对本发明的另一个示例性实施例进行描述。图4是根据本发明一个示例性实施例的固态成像设备的结构原理图，其中与图2所示的元件相对应的元件用相同的附图标号表示。
图4所示的固态成像设备与图2所示的固态成像设备的不同之处在于在所述板110面对所述固态成像透镜20的部分处形成一个洞90，所述固态成像芯片40可形成在所述洞90内，并且所述图像信号处理半导体芯片60可与在所述板110的所述洞90内的所述固态成像芯片40的底表面连接并且可通过接合线65被接合到所述板110的底表面上形成的端子(未显示)上。
在图4所示的根据本发明示例性实施例的固态成像设备中，所述图像信号处理半导体芯片60可布置在所述板110的洞90内并且可用胶粘剂安装到所述固态成像芯片40的底表面上。结果，通过节约了高达板110厚度的空间，所述固态成像半导体组件可制造得更薄。
下面将参考图5对本发明的另一个示例性实施例进行描述。图5是根据本发明一个示例性实施例的固态成像设备的结构原理图，其中与图1A所示的元件相对应的元件用相同的附图标号表示。
图5所示的固态成像设备与图1A所示的固态成像设备的不同之处在于所述板210(例如一个柔性板)在面对所述固态成像透镜20的部分具有一个洞90，并且在所述洞90内形成的所述图像信号处理半导体芯片60可接合到在板210上的导线80(如一个铜导线)上。该接合可使用载带自动接合(tapeautomated bonding)(TAB)。
在图5所示的示例性实施例中，所述图像信号处理半导体芯片60可通过一个绝缘密封树脂170来密封。结果，由载带自动接合(TAB)的连接部分的可靠性得到提高并且其强度也得到加强。所述绝缘密封树脂170可以是液体、热固化的树脂。
下面将参考图6A到图6C对本发明的另一个示例性实施例进行描述。图6A是根据本发明一个示例性实施例的固态成像设备的结构原理图。图6B为一个在图6A所示的根据本发明一个示例性实施例的固态成像芯片40的放大的剖面图。及图6C为一个表示在图6A所示的根据本发明一个示例性实施例的固态成像芯片40放大部分的分解立体图。
如图6A到图6C所示，可通过刻蚀或使用激光在所述固态成像芯片40上的划线上形成通孔，并且在所述通孔内淀积一个导电材料。然后所述通孔可被切割形成导电线145。
在图6A到图6C中，与图1A所示元件相对应的元件用相同的附图标号表示。
图6A所示的固态成像设备与图1A所示的固态成像设备的不同之处在于所述固态成像芯片40和所述板10可通过导电线145彼此电连接，所述导电线145在所述固态成像芯片40的侧面形成。所述导电线145可由包括铝、银、金、镍、类似的材料、或它们的组合的导电金属来制造，使它们为导电的。可以通过喷溅、化学蒸汽淀积(CVD)或电镀来完成所述导电材料的淀积。
可以通过包括激光、刻蚀、研磨、或其它类似办法的切割一个线的方法，在一个晶片的所述划线上形成所述通孔。而且，所述导电线145可通过电线410与在固态成像芯片40表面上形成的接合垫(bonding wire)/端子320电连接。所述导电线145与在固态成像芯片40的下表面形成的接合垫320和端子415电连接。同样，所述导电线145的底部可通过电连接体330与所述板10连接，所述电连接体为例如焊料球、金属突起或包含在一个各向异性(ACF)导电膜内的导电颗粒。
与在图1A所示的示例性实施例中一样，不必使用的接合线2，有助于所述半导体组件的小型化。
形成所述通孔145和将所述通孔145与所述板10的连接的范例技术分别在美国专利6,391,685和韩国专利公开2001-0011159中被公开。
下面将参考图7对本发明的另一个示例性实施例进行描述。图7是根据本发明一个示例性实施例的固态成像设备的结构原理图，其中与图6A所示的元件相对应的元件用相同的附图标号表示。
图7所示的固态成像设备与图6A所示的固态成像设备的不同之处在于所述固态成像设备还包括一个图像信号处理半导体芯片60，其可通过接合线65与所述板10的底表面上电连接，用于处理由固态成像芯片40输出的图像信号。
在图7的所述示例性实施例中，可使用一个绝缘密封树脂70通过模铸、如传递模塑来密封所述图像信号处理半导体芯片60，因此所述接合线65的接合部分的可靠性可被提高和/或其中的强度也可被加强。所述绝缘密封树脂70的范例可包括环氧树脂、硅树脂，及类似物。
在图7所示的固态成像设备中，所述图像信号处理半导体芯片60可包含在所述图像信号处理半导体组件内，并且结果所述图像信号处理半导体组件可被制造得更小和/或更薄。
下面将参考图8对本发明的另一个示例性实施例进行描述。图8是根据本发明一个示例性实施例的固态成像设备的结构原理图，其中与图6A所示的元件相对应的元件用相同的附图标号表示。
图8所示的固态成像设备与图6A所示的固态成像设备的不同之处在于所述固态成像设备还包括一个在所述板10的底表面上的图像信号处理半导体芯片60且所述图像信号处理半导体芯片60可通过电连接体165与在所述板10的底表面上形成的端子电连接。
所述电连接体165的示例可包括金属突起或焊料球，或包含在一个各向异性(ACF)导电膜内的导电颗粒，及类似物。如上述的示例性实施例，可以使用一个密封树脂(未显示)将所述电连接体165密封，这样可以确保电连接部分的可靠性和/或可强化其强度。所述密封树脂(未显示)的范例可包括环氧树脂、硅树脂和类似物。所述图像信号处理半导体芯片60的电连接可以由包括金属突起或焊料球的所述电连接体165，而不是由接合线来完成。金属突起或焊料球的使用可进一步使所述固态成像设备小型化。
下面，将参考图9对本发明的另一个示例性实施例进行描述。图9是根据本发明一个示例性实施例的固态成像设备的结构原理图，其中与图7所示的元件相对应的元件用相同的附图标号表示。
图9所示的固态成像设备与图7所示的固态成像设备的不同之处在于在所述板110面对所述固态成像透镜20的部分处形成一个洞90，所述固态成像芯片40可形成在所述洞90内，并且所述图像信号处理半导体芯片60可与在所述板110的所述洞90内的所述固态成像芯片40的底表面连接并且可通过接合线65被接合到所述板110的底表面上形成的端子上。
在图9所示的根据本发明示例性实施例的固态成像设备中，所述图像信号处理半导体芯片60可布置在所述板110的洞90内并且可用胶粘剂安装到所述固态成像芯片40的底表面上。这样将所述图像信号处理半导体芯片60包含在所述洞90内可使所述图像信号处理半导体组件被制造得更薄。
下面将参考图10对本发明的另一个示例性实施例进行描述。图10是根据本发明一个示例性实施例的固态成像设备的结构原理图，其中与图6A所示的元件相对应的元件用相同的附图标号表示。
图10所示的固态成像设备与图6A所示的固态成像设备的不同之处在于可使用一柔性板210，其中在面对所述固态成像透镜20的部分形成一个洞90，并且布置在所述洞90内的所述图像信号处理半导体芯片60可被接合到在板210上的导线80(如一个铜导线)上。该接合可使用载带自动接合(TAB)。
在图10所示的示例性实施例中，所述图像信号处理半导体芯片60可通过一个绝缘密封树脂170来密封。使用一个接合方法，例如TAB，由载带自动接合(TAB)的连接部分的可靠性得到提高并且其强度也得到加强。所述绝缘密封树脂170可以是液体、热固化的树脂。
如上所述，根据本发明示例性实施例的一个固态成像设备中，一个固态成像芯片和一个板可这样地连接，使所述固态成像设备与已有技术的成像设备相比，可以被制造得更薄且具有相对小的安装区域。
当本发明已经被特别地表示并对示例性实施例进行了描述，本领域普通技术人员将了解到在不背离本发明的精神和范围的条件下在形式上和细节上可做出上述的和其它的变化，但是本发明精神和范围应该仅由后附的权利要求书的范围来限制。因此上述公开的本发明的优选实施例可以使用一般性的和说明性的语句并且不是为了限制它们。
Claims (47)
1.一个固态成像设备，包括：
一透镜安装部，在其上安装一固态成像透镜；
一固态成像芯片，其被安装在所述固态成像透镜下面，用于将来自所述固态成像透镜的光转换为一图像信号；
一导电材料，其被淀积在所述固态成像芯片上的划线上形成的通孔中，所述导电材料用于将在所述固态成像芯片顶表面上形成的接合垫(bondingpad)电连接到在所述固态成像芯片的底表面上形成的端子上；及
一板，其被安装到所述透镜安装部并且通过形成在所述固态成像芯片底表面上的端子与所述固态成像芯片电连接。
2.如权利要求1所述的固态成像设备，其中在固态成像芯片底表面上形成的所述端子通过焊料球或金属突起与在所述板顶表面上形成的金属线连接。
3.如权利要求1所述的固态成像设备，其中进一步包括一与在所述板底表面上形成的端子电连接的图像信号处理半导体芯片。
4.如权利要求3所述的固态成像设备，其中所述图像信号处理半导体芯片通过接合线与在所述板底表面上形成的端子电连接。
5.如权利要求3所述的固态成像设备，其中所述图像信号处理半导体芯片通过焊料球或金属突起与在所述板底表面上形成的端子电连接。
6.如权利要求3所述的固态成像设备，其中所述板具有一形成在所述固态成像透镜下面的洞，并且在所述洞处所述图像信号处理半导体芯片被附着在所述固态成像芯片的底表面上。
7.如权利要求6所述的固态成像设备，其中所述图像信号处理半导体芯片通过接合线与在所述板底表面上形成的端子电连接。
8.如权利要求7所述的固态成像设备，其中在所述固态成像透镜和所述固态成像芯片之间还包括一红外线消除滤镜，因此所述红外线消除滤镜在所述固态成像透镜下面并且在所述固态成像芯片的上面。
9.如权利要求3所述的固态成像设备，其中所述板是一柔性板，其具有形成在所述固态成像透镜下面的一洞，并且在所述洞处所述图像信号处理半导体芯片被附着在所述固态成像芯片的底表面上。
10.如权利要求9所述的固态成像设备，其中所述图像信号处理半导体芯片通过适于载带自动接合(TAB)的引线与在所述板底表面上形成的端子电连接。
11.如权利要求10所述的固态成像设备，其中在所述固态成像透镜和所述固态成像芯片之间还包括一红外线消除滤镜，因此所述红外线消除滤镜在所述固态成像透镜下面并且在所述固态成像芯片的上面。
12.一固态成像设备，包括：
一透镜安装部，在其上安装一固态成像透镜；
一固态成像芯片，其被安装在所述固态成像透镜下面，用于将来自所述固态成像透镜的光转换为一图像信号；
导电线，其形成在至少所述固态成像芯片的侧面，所述导电线用于将在所述固态成像芯片顶表面上形成的接合垫与在所述固态成像芯片底表面上形成的端子电连接；及
一板，其被安装到所述透镜安装部的底表面并且通过形成在所述固态成像芯片底表面上的所述导电线与所述固态成像芯片电连接。
13.如权利要求12所述的固态成像设备，其中在固态成像芯片底表面上形成的所述端子通过焊料球或金属突起与在所述板顶表面上形成的金属线连接。
14.如权利要求13所述的固态成像设备，其中进一步包括一与在所述板底表面上形成的端子电连接的图像信号处理半导体芯片。
15.如权利要求14所述的固态成像设备，其中所述图像信号处理半导体芯片通过接合线与在所述板底表面上形成的端子电连接。
16.如权利要求14所述的固态成像设备，其中所述图像信号处理半导体芯片通过焊料球或金属突起与在所述板底表面上形成的端子电连接。
17.如权利要求14所述的固态成像设备，其中所述板具有一形成在所述固态成像透镜下面的洞，并且在所述洞处所述图像信号处理半导体芯片被附着在所述固态成像芯片的底表面上。
18.如权利要求17所述的固态成像设备，其中所述图像信号处理半导体芯片通过接合线与在所述板底表面上形成的端子电连接。
19.如权利要求18所述的固态成像设备，其中在所述固态成像透镜和所述固态成像芯片之间还包括一红外线消除滤镜，因此所述红外线消除滤镜在所述固态成像透镜下面并且在所述固态成像芯片的上面。
20.如权利要求14所述的固态成像设备，其中所述板是一柔性板，其具有形成在所述固态成像透镜下面的一洞，并且在所述洞处所述图像信号处理半导体芯片被附着在所述固态成像芯片的底表面上。
21.如权利要求20所述的固态成像设备，其中所述图像信号处理半导体芯片通过适于载带自动接合的引线与在所述板底表面上形成的端子电连接。
22.如权利要求21所述的固态成像设备，其中在所述固态成像透镜和所述固态成像芯片之间还包括一红外线消除滤镜，因此所述红外线消除滤镜在所述固态成像透镜下面并且在所述固态成像芯片的上面。
23.一固态成像设备，包括：
一将光转换为一图像信号的固态成像芯片，所述固态成像芯片包括在所述固态成像芯片顶表面上的第一端子及在所述固态成像芯片底表面上的第二端子。
24.如权利要求23所述的固态成像设备，其中所述固态成像芯片包括孔，所述孔用于将至少部分所述第一端子和至少部分所述第二端子电连接的导电材料。
25.如权利要求24所述的固态成像设备，其中还包括：
一板，通过所述第二端子与所述固态成像芯片电连接。
26.如权利要求25所述的固态成像设备，其中还包括：
一与所述板电连接的图像信号处理半导体芯片。
27.如权利要求25所述的固态成像设备，其中所述板在所述固态成像芯片的底表面下面具有一洞。
28.如权利要求27所述的固态成像设备，其中所述图像信号处理半导体芯片在所述洞下面。
29.如权利要求24所述的固态成像设备，其中还包括：
一被附着在所述固态成像芯片的底表面上的图像信号处理半导体芯片。
30.如权利要求29所述的固态成像设备，其中还包括：
一板，在所述固态成像芯片的底表面下面具有一洞。
31.如权利要求30所述的固态成像设备，其中至少所述图像信号处理半导体芯片的一部分在所述洞内。
32.如权利要求23所述的固态成像设备，其中还包括：
在所述固态成像芯片侧面形成的导电材料，其将至少部分所述第一端子和至少部分所述第二端子电连接。
33.如权利要求32所述的固态成像设备，其中还包括：
一板，通过所述第二端子与所述固态成像芯片电连接。
34.如权利要求33所述的固态成像设备，其中还包括：一与所述板电连接的图像信号处理半导体芯片。
35.如权利要求33所述的固态成像设备，其中所述板在所述固态成像芯片的底表面下面具有一洞。
36.如权利要求35所述的固态成像设备，其中所述图像信号处理半导体芯片在所述洞下面。
37.如权利要求32所述的固态成像设备，其中还包括：
一被附着在所述固态成像芯片的底表面上的图像信号处理半导体芯片。
38.如权利要求37所述的固态成像设备，其中还包括：
一板，在所述固态成像芯片的底表面下面具有一洞。
39.如权利要求38所述的固态成像设备，其中至少所述图像信号处理半导体芯片的一部分在所述洞内。
40.一固态成像设备，包括：
一透镜安装部，在其上安装一固态成像透镜；
一将光转换为一图像信号的固态成像芯片，所述固态成像芯片包括在所述固态成像芯片顶表面上的第一端子和在所述固态成像芯片底表面上的第二端子，
一导电材料，其被淀积在所述固态成像芯片的划线上形成的孔中，所述导电材料用于将至少部分所述第一端子和至少部分所述第二端子电连接；及
一板，其被安装到所述透镜安装部并且通过所述第二端子与所述固态成像芯片电连接。
41.一固态成像设备，包括：
一透镜安装部，在其上安装一固态成像透镜；
一将光转换为一图像信号的固态成像芯片，所述固态成像芯片包括在所述固态成像芯片顶表面上的第一端子和在所述固态成像芯片底表面上的第二端子，
一导电线，用于将至少部分所述第一端子和至少部分所述第二端子电连接；及
一板，其被安装到所述透镜安装部的底表面并且通过形成在所述固态成像芯片底表面上的所述导电线与所述固态成像芯片电连接。
42.一种制造一固态成像设备的方法，包括：
在将光转换为一图像信号的固态成像芯片的顶表面上形成第一端子；及
在所述固态成像芯片的底表面上形成第二端子。
43.如权利要求42所述的方法，其中进一步包括：
将导电材料淀积到在所述固态成像芯片上的孔中。
44.如权利要求43所述的方法，其中进一步包括：
使用所述导电材料连接至少部分所述第一端子和至少部分所述第二端子。
45.如权利要求42所述的方法，其中进一步包括：
至少在所述固态成像芯片的侧面形成导电材料。
46.如权利要求45所述的方法，其中进一步包括：
使用所述导电材料连接至少部分所述第一端子和至少部分所述第二端子。
47.一种制造如权利要求23的固态成像设备的方法，包括：
在将光转换为一图像信号的固态成像芯片的顶表面上形成第一端子；及
在所述固态成像芯片的底表面上形成第二端子。
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