200929370 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 [0001] 本發明係關於將基板載置於加熱板上以加熱處理基板之埶處 理裝置、熱處理方法及記憶有實施此方法之程式之記憶媒體:、 【先前技術】 [0002]
於對基板進行液體處理之系統，例如用以塗布•顯影光阻膜 之塗布.顯影裝置中，組裝有用以將基板載置於加熱板上，在此 加熱板上加熱基板之熱處理裝置。此熱處理裝置中可處理塗布有 各種種類之絲狀基板’故可因應光_之種類選定適當之加 熱溫度或處理時間等加熱處理條件。 [0003] 1 上述熱處理裝置巾例如在某批:欠基板之加熱處理結束 士，後續批次之基板加熱溫度與前一批次之基板加熱溫度不同 ㈤二可變更加熱板溫度’俾使其賴適合此後續批次基板之加熱 ^ °例如適合後續批次基板之加熱溫度高於前—批次基板之加 時’可提高設於加熱板中之加熱器之輸出。另—方面，適 後續批絲板之加熱溫度低於前—批絲板之加熱溫度時，可 令卻加熱板。 [0004] 專利板^方法中已知有一方法，例如專利文獻1及 if獻所5己载，藉由使加熱板背面接觸液體等流體以作為冷 =在此冷職加敏之間進行触換，以冷卻加熱板。如此方 '中’係將冷媒流路加，使冷纖環於加熱板背面區域盘 4二=冷卻機構之間’以避免冷媒繞流到熱板表面側 t〇〇05] 此加熱板係使用強度高之材料例如氮化纟g (AJN)等，因此其 5 200929370 地ΐίίΐΐϊ 3麵。如此材料強度雖強，但反過來說 代之以材料眷亦’、同。在此，最近有人檢討不使用此材料而 ―姑」，或加工費廉價之金屬材例如铭（A1)之可能性。然 發生變形之厚ί氮呂其強度小，故為保持強度需將其增厚至不 卜、f °另—方面’若增厚加_會增加熱容量，導致 換批次時需鱗間冷卻叫減理量。 導致 敎杯人ϊ為即使如上述增厚加熱板，亦可藉由增加對加 ^在上、ϋ之冷媒流量使冷卻時間即使不延長亦可冷卻加熱板， 人·顯影裝置中係設定為冷媒流量盡量少即可，因此 “ιίίΐίΐΐ；1如用城縮冷卻氣體之壓縮機或用以供給 Λ Am I或疋急冷器等冷卻裝置為小型者。因此，若欲择 』卩需變更裝置之設計，亦即需變更冷卻裝置為大‘ 者，因此縮短冷卻時間非常困難。 型 型化ί述界？為了減少為供給冷媒所需之能或是更小 肚I Ρ裝置，在不增加加熱板冷卻時間之情形下減少自上 ^ 7卩裝置所供給之冷媒流量之發明期 [0007] ❹ 且如上述，冷卻加熱板後會馬上加熱處理後續批次，故 =内均等冷卻加熱板。為此需將例如供給冷媒 如 處，且亦需連接此噴嘴之崎，故亦有使用構$ 加而導致裝置大型化或成本提高之課題。 致θ [0008] [專利文獻1]曰本特開平10-284382 ((0012)、圖1) [專利文獻 2]曰本特開 2001-52985 ((0013)、（0031)) 【發明内容】 蹵S·所欲解決之課籲 [0009] 赛於如此情事’本發明之目的在於提供—種技術，當將基板 200929370 載置於加熱板上以加熱處理基板時，例如切換批次等冷 孰 時’即使冷卻氣體流量少亦可迅速冷卻加熱板。 7 ”、、 解決課題之丰辟 [0010] 、土發明之熱處理裝置係用於對基板進行加熱處理，其特徵在 於包含· 、 加熱板’載置基板並設有加熱機構； 氣體喷吐孔，為在該加熱板下表面使冷卻該 體自該加熱板外側朝内側流通，而沿該加熱板=向;氣 ❹ ❹ 成於限制在該加熱板下方之該冷卻氣體之氣流而設置 ί體方接近該加熱板並與其對向’並在中央部形成有 部氣體導入口，於該加熱板之外端部沿周向設置，用於获 與流通而產生之負壓將外部環境氣體導入該加“ [0011] 該熱處理裴置宜包含： 狀；Ϊ狀構件’於該加熱板之下方側沿該加熱板之周向形成為環 路，對該管狀構件供給冷卻氣體； 構t之内周側開設有該氣體喷吐孔。 氣體ΐ又口之^隙g在與該加熱板下表面之間’隔著為該外部 方側該包含複數^冷卻嘴嘴，在該加熱板之下 係形成於該冷ϋ嘴^5周向隔著間隔而設置’該氣體喷吐孔 嘴則端部之氣體噴吐孔。 置。且使該冷卻喷嘴將整流板自下表面_上表關貫通而設 下則t飯與職流板之間之間隔 ’宜在15mm以下，8mm以 7 200929370 面 該氣體喷吐孔宜梅上方，錢冷卻㈣衝擊該加熱板下表 [0012] 包含處理枝，傭絲進行加鱗理，其特徵在於 將，板載置於加熱板上以加熱該基板； 孰板下ΐ面使冷卻該加熱板之冷卻氣體由沿該加 it，藉體嘴吐孔開始自該加熱板外侧朝内侧流 通藉此在該加熱板外端部之下表面侧產生負壓； Ο ?自沿周向設置於該加熱板外緣部之外部氣體導入 ，、βρ魏氣體導入該加熱設之 ^間及以使該環境氣體與該冷卻氣體—齊流通 中央:卜二該環境氣體1形成於該整流板 卻』令冷卻氣體朝斜上方流通，使該冷 [0013] ❿ 可儲存有電齡式，其特徵在於：該電腦 實施上述熱處理方法的步驟。、 [0014] 之側方位置產生負壓，以此諸 =加熟扳外&部 之冷伽體流1少’亦可魏冷卻加熱板。 札所供給 200929370 【實施方式】 复施發明之啬 [0015] 塗布=如f且膜之塗布B:_裝置=處^圓裝」表面上形成 内區=以=靖構成之殼體4包圍，在此殼體4 使曰熱處理晶圓w之上方區域4a，與收納有 ❹ Ο ^ 向）為刖方，即可稱上方區域4a中自前方 么 ^ 1序设置有冷卻臂5、加熱模組6及收納有一部分排顏 卻臂5 此殼體4側壁44之前方側形成有用以在冷 ί H 要輸送機構25之間傳遞晶圓W之開口邻45， 加熱模組6周圍之環境氣體，於此加熱模 1 J工:： 例如4條冷媒上刻之冷媒流 整恤度之冷邠水自设於例如後述之搁板單元U最下声 收納部流通於此冷媒流路4〇内而構成。 9 不 [0016] 冷卻臂5由用以載置晶圓w之板狀支持板52，與於 =下^面之前方侧固持此支持板52之腳部51所構成。藉由腳 5、1順著形成於底面7之導件46沿殼體41之縱長方向滑動 部臂5可移動於係帛口部45側方位置之在與上述主要 7 之間傳遞晶81 W之位置以及在與加熱模組6之間傳遞日' 處理位置之間而構成。且為初步冷卻（初步散熱） W ’於支持板52下表面侧設有用以使例如溫度調節用之g = 媒體例如純水流通之未圖示之溫度調節流路。 咖又5 p [0017] 如圖2所示，為了使冷卻臂5上之晶圓冒昇降，於 4b中上述開口部45之側方位置與處理位置分別設有連接昇= 9 200929370 構49a、49b之支持銷47a、47b，於支持板 鎖47a、4:b貫通之狹縫53。於底面7則形成有供支12 t之孔°M8。又’支持銷杨貝1]透過形成於底面7之後述第/ 氣體排出口 88伸出沒入。 四田傻迷第1 [0018] 所=3熱模組6側方位置之下方區域扑兩侧， ❹ e ：排土管1〇4透過收納室9連接構成例如擱板單皁元〜= 所ΐ用之共用排氣路26,配置成可將此下方區域4b之環Ϊ 氣管m、崩彼此相互對向之面之多數抽‘ P019] 接者説明關於加熱模組6。如上述圖i所 以加熱晶圓w之加轉元61，均斤不加熱模組6由用 61周圍之大致呈杯型之蓋㈣，所構成。藉Ϊ 圓：，置，以及包圍加熱= 氣密式接人以=表面邊緣之未圖示之密封構件與底面7 y式接W㈣式簡晶圓w 之環境氣體之下方位置之 [0020] 蓋體62之頂棚部透過給氣管66連 i=rw:蓋體62，部中央熱單= 於下方位置時或氮鱗。轉蓋體62織内侧，處 之孔邻68 面之位置，形成有例如橫跨全周多數 性物^等^氣。此述空氣或氮氣及自晶圓w產生之揮發 為可t_等，構成 平靠物質尋排乳路7〇之下游侧，透過收納室9 200929370 [0021]未圖7^之心娜機構等’連接有上述制排氣路26。 其次，參照圖4〜圖6説明關於加熱單元 =側依下列.堆疊有支持賴、底板8 構件之降溫娜環83及係祕板 土板82、係官狀 ，廉償且易於加工之金屬所構成板例:而二此鋼*板銅= 〇 支1環80為於中心部形成有直徑為例如⑽咖 上%紅侧延伸而 例mi述ΐ面7垂直延伸至登立壁86之高度位置 2持且ί圖支持軸87支持環8〇由底面7所 幻幾乎同押之第il拼I上述底面7形成有與此第2氣體排出口 之第2氣“出口 8=广之開口，俾使對應此支持⑽ [0022] 分別上例如各單側 =?r 1中央部，形：較持上：=:支=4 如直徑為140mm之第3氣體排出口 89，藉
^开央部^丨^隔延伸之例如3條橋部^ =個S 中邻朝+仫方向恰離開相同距離之位置，分別今右你丨如古庚或 ^細料91。且於此底板81 ;卜緣沿周^間 3處卜綠方延伸之例如嶋25晒之熱板支 [0023] 於上述支持構件91上方設置有上述整流板82。於 82中央部形成有與上述第2氣體排出口 ％幾乎同捏或是繼小徑 11 200929370 之第4氣體排出口 93之開口。 於此整流板82上表面之外周緣 設置成與該整流板82外緣同心/如’將上述管狀降溫吹掃環83 掃環83内部横跨周向形成有中* 圖6所示，於此降溫吹 持環80、底板81及整流板82 = $^路83a。透過形成於支 侧連接自支持環8G下方延伸之3 =鱗溫吹掃環83之下 使連通氣路83a，_卩氣路95之-端侧，俾 卻氣體源100。且於降溫畋旛护Μ、'°路95之另一端側則連接冷 奶橫跨周向形成有降?數人 出口 93 ❹ Ο 上述氣體流路83a。此氣體喷吐孔9==96，俾使連通 氣體喷吐孔％分別—致，且 之間之角度Θ於各 〜35。。又，關於此角度0，多;=方稍微傾斜約例如20。 可分別不-致。 丨數個讀纽孔％巾各角度0亦 [0024] 述面^ 84 由4f4過^如緩衝材等承受構件97支持上 之間隙L· ,設為例如工5m 4 掃衣83上表面之間間隙 一部分。此門階τ认政 ’成為後述外部氣體導入口之 間環83與晶圓W背面之間形成環狀 向均等流人之間隙&可⑪机通&域G之氣流可自該間隙橫跨周 [0025] 區域G高度蚊在例如15_下，81^==_流通 平板，於rm用以載置晶圓w之例如厚度為1〇·之板狀 於导仵99例如6處，俾使將晶圓W載置 空因介在於_w與此面板84之間之 孔而仏向_。如圖5所示，於此面板84下表面呈同心圓狀設 12 200929370 101 ^ ^ ，晶圓w背面溫度之溫度檢維卩度’ a ;p - ^ [0026] 流板7及5降㈣錢板幻、整 鏠嚟山LLη* 由板84自支持環80豎立壁86夕 形成作===1上2端5緣内周側與面板84外緣之間 外部氣體導入口之—部八。又，f mm之間隙’此開口部D成為 4中將該支持環80之；分’門而了持環80内易於觀察，圖 為上端面較下端面稍二 47b ^ 82 80' ^ ❹ 記憶卡等記憶部硬中碟、光碟、磁 其次説明關於上述熱處理裝置2中 ZIZT -A(J)\；：；i r w^ii! Γ ϊ JA持銷47b ’使晶圓W由導件99限制位 、载置於设疋溫度以使晶圓w加熱溫度達到例如12(rCi 13 200929370 上 面尸4昇溫至例如i2〇t，且關於底板81亦 [0029] 板84之導熱將其昇溫至加熱溫度附近。 體使晶K W顺_，以既定流量自氣 境氣f /氣體f如空氣並自孔部68使晶® W周圍環 ϊί 二？f時間内保持此狀態以加熱處理晶圓W。 圓w诚吏^體^ f昇’以與送入晶圓W時為相反之通路，將晶 =^ 转臂5 ’在此冷卻们上崎定 Ο Ο ί=Ϊ^Γ^25Β)將其自殼體41送出。其後，關於既 &片^之例如同-批次之晶圓w亦同樣地進行加熱處理。 接綠ί L以下説明關於對此批次晶圓W之加熱處理結束，接著對 ίΞ ΐ W進行加熱處理之情形。於此後續批次晶圓W之
ίϊΠ 適當之加熱溫度錄布於上述前—批次晶圓W 之表面之光阻液例如低KTC之光阻液。 此時面板84已升，皿至係别一晶圓w之力口熱溫度之例如120 降厂故在對此後續批次晶圓w域處理驗面板84以如下方式 [0031] 先’設定加熱器101之輸出，俾使此面板84之設定溫度成 =續批次晶圓w之加熱溫度H社述冷卻氣舰給路^ ^冷卻氣體源10G以既定流量例如⑶公升/min對降溫吹掃環83 ^給例?空氣或是产氣等冷卻氣體。使此冷卻氣體沿周向迅速在 =溫吹掃環83内氣體流路83a中流通，將其自橫跨周向形成之 ，氣體喷祕96對冷卻氣體流職域G朝降溫吹掃環83中 力吹出。因氣體噴吐孔96朝上側傾斜，因此冷卻氣體會衝擊= 4下表面，受到整流板82限制並同時沿該面板糾下表面自 側朝内周側流動於冷卻氣體流通區域G，自形成於整流板 =第4氣體排出口 93朝下侧流通。又，此冷卻氣體會透過第、 _出口 89、第2氣體排出口 85及第】氣體排出口肫流通至上 14 200929370 iit區域扑’於此下方區域4b透過排氣管104朝共用排氣路 [0032] 成右述’在面板84與降溫吹掃環83之間，以環狀形 間隙τΊ’二家之間/宋L ’故可藉由上述冷卻氣體之流動’以此 二示，齡二ί射?或吸引器般產生龐大之負壓。為此’如圖7 倍以上流7量°之°外部m較上自=卻氣體之流量流量大之例如5 卩兄體，自面板84外端面與支持環80上端 ❹ ❹ 因如【j二部D，透過間隙L流入此冷卻氣體流通區域G。 A白Μ '吏盖體62上昇’故此外部環境氣體係例如圖8所示， 收㈣9之上相料流人，保持於常溫之後述 塗布、員影裝置内之例如潔淨之大氣。 [0033] 、 由，量大氣與上述冷卻氣體—齊流動於冷卻氣體流 # °σ ，面板84及底板81急速冷卻。此時，冷卻氣體及大 氣體，區域G中自外周側朝内周側流通，故面板84 心冷=又’冷卻面板84至例如晶圓w之加熱 :進==接著’如上述，對此後續批次晶圓w [0034] 产83依當ί卻面板84時，在面板84與降溫吹掃 % 83之間§又置間隙L ’並使冷卻氣體自降溫吹掃環83朝内周側 藉此將加熱單^ 61外部之環境氣體 導入該冷部虱體k通q域G。因此，在例如批次之 加熱温度時’即使自此降溫吹掃環83供給之冷卻氣體流量 可迅速冷卻硫84。，可継至面板84降溫為止 間，提昇處理量。 [0035] 換έ之，条·欲自上述冷卻氣體源100供給與上 自外部導入之大氣之流量相同流量之冷卻氣體，即 15 200929370 冷卻氣體源1GG之冷卻裝置例如 氣^之電力亦會增加，而藉由如上ΪΠΪΓί，供給冷卻 可實現簡化設備或減少消耗電力4目外科人大乳’可以說即 [0036] ::孔96供給冷卻氣體，相較於設 :氣體配管等所需要的零件件數，可在dtg ❹ ❹ [0037] 冷卻i==;=:==卻氣體流通區域〇之 外部導入之大氣^衝擊面板冷卻㈣—齊流動之自 [0038] 下表面，故可迅速冷卻此面板84。
道使用熱流體解析軟體，就冷卻氣體流量*自開口邻D 導入冷部氣體流通區域G内之夫口日日'、自開0PD 如圖9所示得知，藉Ϊ如之結果。 卜9^導量冷卻氣體流量例如5倍以上。 孔Η)ί二上齡卻产體流龍域G形成有連通面板84上方之小 ^ ^開口，而連通下侧之第4氣體排出口 93之面積大於此小 之開口面積，故冷卻氣體之幾乎全量會流向下方區域化。 κίίίί並不限定於使降溫吹掃環83形成環狀，即使係如上 Ϊ°ϊΪ 與配管之構成，只要是在冷卻氣體流通區域〇中 =成=外，朝内周之氣流’而於上述間隙L產生負壓之構成即 L塞if明使用強度小而增厚，因此熱容量增大之上述金屬 面冷卻’而藉此獲得大的效果，但亦可應用熱容量 小之材料例如氮化鋁所構成之面板84。 [0041] 16 200929370 方法’亦可為二區域G形，自外側朝内侧之氣流之 溫吹掃環83配置於整漭拓及圓11所示之構成。此構成中，降 例相同而為管狀，但縱二 ^下方。此降溫吹掃環83雖與上述 水平形成開口而為開^⑴狀形，上表面側橫跨周向 82密接於降溫吹掃環幻 遗過未圖不之密封材等將整流板 流板82之周緣部，則 ，俾使此開口部111密閉，於整 此開口部111。如圖有夕數冷部氣體嘴吐孔112，俾使連通 82之内周側傾斜地朝㈣=此t孔Π2係朝整流板 上表面之距離相當於上述間隙L降:皿工端面與整流板82 [0042] 日〗隙L δ又疋為例如3mm。 溫吹掃環^供^過冷卻氣體供給路95對降 &冷卻氣體喷吐孔112對冷7 迅速流通’而自 冷卻氣體私孔m如上述f 供給冷卻氣體。此 負麗而與上述例相同將外。環因二匕道於間隙，中會產生大的 G。以如此構成亦可獲軸 =卩鐘流通區域 =中3]關於與上述例相同構成之構此圖1〇及圖 於前&此實施形態中， 如8個冷卻喷嘴m。對肩° °等8 ^^·立之型態設有複數個例 形成有8㈣通孔122，⑵之錄，整流板82 通孔122突出於整流板82上。該 分f透過對應之貫 流板82之中心側向上傾斜二7 、嘴121之相面123朝整 上方形成角度Θ例如約2(r=^fH124。例如，自水平面朝 開設複數氣體喷吐孔125。 此傾斜面124’於此傾斜面124 [0044] 參 200929370 且如圖15所示，於各冷卻喷嘴121中 之側周面，透過未圖示之接_㈣離合 下方侧部位 氣體供給路之配管126之一端。各配管126^^接有成為冷卻 氣體排出口 89、第2氣體排出口 ％ ° 著曲並通過第3 方延伸’其基端侧連接於冷卻氣體源1〇〇。藉出口 88内朝I 別的8個冷卻噴嘴⑵，解決了因上述降溫間隔設置分 使外部氣體之流入受到妨礙之問題，而;^人^幻之配管部而 過開口部D流入冷卻氣體流通區域g之更夕之外部氣體可透 與上述姻嶋狀齡賦予相同符號^ ^ 14及圖Μ ❹ ❹ 接著簡單説明此實施形態之作用、 源觸分別透過冷卻氣體供給路（配g —旦自該冷卻氣體 供給冷卻氣體，此冷卻氣斷透過冷卻I];卩喷嘴121 上方傾斜流出而流向冷卻氣體流通區域G。此 =土^5 1 處呈放射線狀流人整流板82之巾心A 7卩^體自周向之8 將外部環境氣體導入冷卻氣體流通區域：。ΐΠ f: 氣體之構件，因使用沿整产拓们+ ^文果又，作為流出冷卻 喷嘴⑵，故她於縣“全周^個冷卻 嘴121導人來自外部之氣體者皿少因mi氣3 導入冷卻氣體流通區域G，故獅 ^此更夕之乳體被 之設置數並不祕μ®。且％ 卩躲。冷卻噴嘴 部位於整流板犯上時，自整該冷广喷嘴⑵之前端 導入該整流板82之表面整外周之外侧將冷卻噴嘴⑵ [0046] 圖/二説 述中置2用之f ·顯影裝置。在 200929370 間傳遞晶圓W之傳遞機構23。且g盒載置部S1後方側連接由殼 體24包圍周圍之處理部S2，此處理部S2中自前方側依序交互設 有·將包含上述熱處理裝置2之加熱•冷卻系單元加以多段化之 ，板單元Ul、U2、U3與在包含後述之塗布•顯影單元之各處理 單元之間傳遞晶圓W之主要輸送機構25A、25B。亦即，擱板單 元m、U2、U3及主要輸送機構25A、25B自匣盒載置部S1侧沿 X方向排列成前後一列，於各連接部位分別形成有未圖示之晶圓 輸送用開口部，使晶圓W可在處理部S2内自一端侧之擱板單元 U1自由移動至另一端侧之擱板單元U3。
[0047] 且主要輸送機構25A、25B配置於由配置於兩側之擱板單元 Ul、U2、U3侧之一面部、後述之右侧（γ軸正側）液體處理單 二、U5侧之一面部及殼體24之背面部所包圍之空間内。於液 ϊίϊ早ί U4、U5之兩_ ’設有具備處理液溫度調節裝置或 調節將管等溫濕度調整單元27、28。液體處理單元m、 =在為例如塗布液（光阻液）或顯影液之藥 納部29上堆疊有複數段例如5段塗布單元c〇T、 射卿成單元BARC等之構成。且上述擱板單^ m、u2、 3中堆叠有複數段例如10段用以進行由液體處理單元u4 所^行之處理之前處理及後處理之各種單元。處理部s 疋U3之内侧透過例如第！輸送室31及第 ，$ 。於介面部s3内部二 之：細構33、34外，尚設有掷板 [0048] 自外布·顯影裝置中晶圓移動過程之-例，即首先 圓W之基紐盒C载置於載置台21，盘開閉ΐ 同夺打開基板BC之蓋體以藉由傳遞機構23取出 二 透過為搁板單元Ui之一段之未圖示之傳:曰 、送予主要輸送機構25A，於掷板單元m〜U3刚壬一之曰^板$ 19 200929370 ΪίΪΪίτΙί處理中例域水化處理或冷卻處理等，然後於金 塗布光阻液。又，藉由係擱板單元U1〜U3中住〜 在將其冷卻之後經由•單 自例33透過擱板料U6及傳遞機構34輸送至曝t 機構。曝光後將晶圓w以相反之通路輸送至主要ii 賺回=====〇佩晴。其後使 ❹
G 【圖式簡單說明】 [0049] ^係顯示本發明熱處理裝置一例之立體圖。 f ,顯示上述熱處_置之縱剖面圖。 =係顯示上職處理裝置之俯視圖。 圖5 述祕縣置巾加鮮以雜立體圖。 ^係顯社述加鮮元之。 圔 f Ϊ係顯示上述加熱單元之縱剖面^ 圖冷卻氣體移動過程之示意圖。 圖9係顯示上述熱處理裝過示意圖。 大氣流量之相關係之·^置巾7魏體&讀自外部導入之 加熱單元-例之分解立體圖。 = 述加熱單元之縱剖面圖。 體圖係顯示應用上述熱處理裝置之塗布·顯影裝置-例之立 示上述塗布.顯影裝置之俯視圖。 係顯示上述加熱單元 3 圖15係顯示上述加熱單元之縱=體圖。 【主要元件符號說明】 20 200929370 [0050] BARC〜抗反射膜形成單元 C0〜緩衝匣盒 COT〜塗布單元 C〜基板匣盒 DEV〜顯影單元 D〜開口部 G〜冷卻氣體流通區域 L〜間隙 S1〜匣盒載置部 ❹ S2〜處理部 S3〜介面部 S4〜曝光部 U、Ul、U2、U3、U6〜搁板單元 U4、U5〜液體處理單元 W〜半導體晶圓（·晶圓） Θ〜角度 2〜熱處理裝置 4、24、41〜殼體 ❹ 4a〜上方區域 4b〜下方區域 5〜冷卻臂 6〜加熱模組 7〜底面 9〜收納室 10〜控制部 11〜記憶部 12〜溫度檢測部 13〜測定部 20〜塗布·顯影裝置 21 200929370 f 21〜載置台 22〜開閉部 23、33、34〜傳遞機構 25、25A (25B)〜主要輸送機構 26〜共用排氣路 27、28〜溫濕度調整單元 29〜收納部 31〜第1輸送室 32〜第2輸送室 40〜冷媒流路 ❹ 44〜側壁 45〜開口部 46〜導件 47a、47b〜支持銷 48、68、94〜孔部 49a、49b〜昇降機構 51〜腳部 52〜支持板 53〜狹缝 @ 61〜加熱單元 62〜蓋體 65〜氣體供給源 66〜給氣管 67〜開口部 69〜排氣流路 70〜排氣路 71〜捕集部 80〜支持環 81〜底板 82〜整流板 22 200929370 83〜降溫吹掃環 83a〜氣體流路 84〜面板 85〜第2氣體排出口（氣體排出口） 86〜暨立壁 87〜支持軸 88〜第1氣體排出口（氣體排出口） 89〜第3氣體排出口（氣體排出口） 90〜橋部 91〜支持構件 〇 92〜熱板支持部 93〜第4氣體排出口（氣體排出口） 95〜冷卻氣體供給路（配管） 96〜氣體喷吐孔 97〜承受構件 98〜固定構件 99〜導件 100〜冷卻氣體源 101〜加熱器 ❽ 102〜小孔 103〜抽吸孔 104〜排氣路（排氣管） 111〜開口部 112〜冷卻氣體喷吐孔 121〜冷卻噴嘴 122〜貫通孔 123〜前端面 124〜傾斜面 125〜氣體喷吐孔（喷吐孔） 126〜配管 23