JP4330717B2 - ホットプレートユニット及びホットプレートユニットの使用方法 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ホットプレートユニット及びホットプレートの使用方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体製造プロセスにおいて、例えば感光性樹脂塗布工程を経たシリコンウェハを加熱乾燥させる場合、通常、ホットプレートと呼ばれる加熱装置が用いられる。
【０００３】
この種の装置の従来例としては、例えば特公平４−１３８７３号公報に開示されたもの等がある。同公報における装置は、電熱部材としての窒化アルミニウム焼結体製のホットプレートと、そのプレートに設けられるホットプレートとしての抵抗体とからなる。抵抗体はホットプレートを構成するセラミック基材間に挟持されている。プレートの側方に突出している抵抗体の両端部は、それぞれ配線を介して電源に接続される。
【０００４】
そして、ホットプレートの上面側に被加熱物であるシリコンウェハを載置し、この状態で抵抗体に通電することにより、シリコンウェハが数百℃に加熱されるようになっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、抵抗体への通電により所定時間の加熱を行なって感光性樹脂を乾燥させた場合には、まずホットプレートをある程度低い温度まで放冷し、その後でシリコンウェハを取り外す必要がある。しかしながら、放冷にはある程度の時間を要するので、このことが生産性の向上を図るうえで障害となっていた。
【０００６】
そこで、例えば特公平８−８２４６号公報では、放熱フィン型の冷却体をホットプレートに取り付ける技術が記載されている。しかし、この冷却体では、ホットプレートを局所的に冷却させることはできるものの、全体を均一に冷却させることができなかった。
【０００７】
本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、ホットプレート全体を短時間で均一に冷却することができるホットプレートユニット及びホットプレートの使用方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するために、請求項１に記載の発明では、半導体製造プロセスにおいて感光性樹脂が塗布されたシリコンウェハを加熱処理するホットプレートユニットであって、開口部を有する有底状をしたケーシングと、金属炭化物セラミックの焼結体で構成された板状基材と、前記板状基材に固着された導電ペーストで形成され、通電により加熱する抵抗パターンと、前記抵抗パターンが形成された側に向けて冷却用流体を吹き付ける流体供給ポートと、前記ケーシング内の前記冷却用流体を外部へ排気する流体排出ポートとを具備し、前記板状基材は、前記抵抗パターンが形成された側が下面側となるように前記開口部に設置され、前記流体供給ポート及び前記流体排出ポートは、前記ケーシングの底部にそれぞれ複数個形成され、前記抵抗パターンは、それぞれ独立して通電できるように複数に分割された発熱領域を有し、前記流体供給ポート及び前記流体排出ポートは、前記各発熱領域に対応して設けられていることを要旨とする。
【０００９】
請求項２に記載の発明では、請求項１に記載のホットプレートユニットにおいて、前記ケーシングの開口部の上縁と前記板状基材の下面外周部との間には、シール構造が設けられていることを要旨とする。
【００１０】
請求項３に記載の発明では、請求項１または請求項２に記載のホットプレートユニットにおいて、前記流体供給ポートの配設総数は、前記抵抗パターンの分割数の７０パーセント以上であることを要旨とする。
【００１１】
請求項４に記載の発明は、請求項１〜３のいずれか１項に記載のホットプレートユニットにおいて、前記導体ペーストは、金、銀、白金、パラジウム、鉛、タングステン、ニッケルから選択される金属粒子と、酸化鉛、酸化亜鉛、シリカ、酸化ホウ素、アルミナ、イットリア、チタニアから選択される金属酸化物とを含むことを要旨とする。
【００１２】
請求項５に記載の発明は、請求項１〜４のいずれか１項に記載のホットプレートユニットの使用方法であって、前記抵抗パターンへの通電を止めた後に、前記流体供給ポートに前記冷却用流体を供給することを要旨とする。
【００１３】
以下、本発明の「作用」について説明する。
請求項１に記載の発明によると、ケーシングにはその内外を連通させる流体供給ポートが形成されている。このため、該ポートからケーシング内に流体を流通させることにより、該流体をホットプレートの全体に均一に吹き付けることができる。このため、ホットプレートを強制的に冷却することが可能となり、放冷に比べて短時間で済むようになる。したがって、ホットプレート全体を短時間で均一に冷却することができる。各発熱領域毎に複数の流体供給ポート及び流体排出ポートを配設する。このようにすれば、各回路のＯＮ・ＯＦＦ動作によって温度制御を行うことができるようになる。また、各発熱領域毎に冷却用のエアを吹き付けて冷却させることができるため、ホットプレートをより均一に冷却することができる。
【００１４】
加えて、流体供給ポートをケーシングの底部に形成することにより、同ポートからケーシング内に流通された流体を、ホットプレート面に対して垂直に吹き付けることができる。このため、比較的短時間にホットプレートを冷却させることができる。
【００１５】
請求項２に記載の発明によると、ケーシングの開口部の上縁とホットプレートの下面外周部との間がシールされることで、ケーシングとホットプレートとの間に密閉した閉空間が形成される。このため、ケーシング内に流通された流体が外部に漏れ出すことを防止することができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を具体化した一実施形態のホットプレートユニット１を図１，図２に基づき詳細に説明する。
【００１８】
図１，図２に示されるホットプレートユニット１は、ケーシング２及びホットプレート３を主要な構成要素として備えている。
ケーシング２は有底状の金属製部材（ここではアルミニウム製部材）であって、断面円形状の開口部４をその上部側に備えている。このケーシング２の底部２ａの中心部における３箇所には、図示しないリフトピンが挿通されるピン挿通スリーブ５が設けられている。これらのリフトピンは、シリコンウェハＷ１を３点で支持した状態で同シリコンウェハＷ１を昇降させる。底部２ａの外周部には、ホットプレート３に電流を供給するリード線６を挿通するためのリード線引出用孔７が形成されている。
【００１９】
本実施形態のホットプレート３は、感光性樹脂が塗布されたシリコンウェハＷ１を２００〜３００℃にて乾燥させるための低温用ホットプレート３である。このホットプレート３は、セラミック焼結体からなる板状基材９に、抵抗体としての抵抗パターン１０を設けることにより構成されている。この板状基材９は、後述するシールリング１４を介して、ケーシング２の開口部４に設置される。これを設置することにより、ケーシング２の内面側とホットプレート３の下面側との間には、略密閉された空間Ｓ１が形成される。
【００２０】
図１に示されるように、ホットプレート３を構成する板状基材９は円形状であって、ケーシング２の外形寸法より若干小径となるように設計されている。抵抗パターン１０は、板状基材９の下面側において同心円状ないし渦巻き状に形成されている。ホットプレート３の中心部には、各リフトピンに対応した３箇所にそれぞれピン挿通孔１１が透設されている。
【００２１】
板状基材９を構成するセラミック焼結体としては、耐熱性に優れかつ熱伝導率が高いという性質を有する窒化物セラミック焼結体を選択することがよい。窒化物セラミックとしては、例えば窒化アルミニウム、窒化ケイ素、窒化ホウ素、窒化チタン等のような金属窒化物セラミックの焼結体が好ましく、なかでも窒化アルミニウム焼結体が望ましい。その理由は、上記の焼結体中で熱伝導率が最も高いからである。なおこれらの他に、炭化ケイ素、炭化ジルコニウム、炭化チタン、炭化タンタル、炭化タングステン等のような金属炭化物セラミックの焼結体を選択してもよい。
【００２２】
本実施形態の抵抗パターン１０は、焼結体である板状基材９に対して導電ペーストを焼き付けることにより形成されたものである。導電ペーストとしては、金属粒子、金属酸化物、樹脂、溶剤などを含むものが一般的に使用される。導電ペーストに使用される好適な金属粒子としては、例えば、金、銀、白金、パラジウム、鉛、タングステン、ニッケル等が挙げられる。これらの金属は高温に晒されても比較的酸化しにくく、通電により発熱させるにあたって充分な抵抗値を有するからである。導電ペーストに使用される好適な金属酸化物としては、例えば、酸化鉛、酸化亜鉛、シリカ、酸化ホウ素、アルミナ、イットリア、チタニア等が挙げられる。
【００２３】
図２に示されるように、抵抗パターン１０の端部には、外部接続端子としてのパッド１０ａが形成されている。これらのパッド１０ａには、導電性材料からなる端子ピン１２の基端部がはんだ付けされている。その結果、各端子ピン１２と抵抗パターン１０との電気的な導通が図られている。一方、各端子ピン１２の先端部には、リード線６の先端部にあるソケット６ａが嵌着されている。従って、リード線６及び端子ピン１２を介して抵抗パターン１０に電流が供給される結果、抵抗パターン１０の温度が上昇し、ホットプレート３全体が加熱される。
【００２４】
図２に示されるように、ケーシング２の開口部４の上縁には、複数のねじ孔１３が等間隔に透設されている。同じく前記開口部４の上縁には、シール構造としてのシールリング１４が配設されている。同シールリング１４は、環状をなしかつ開口部４の大きさとほぼ等しくなっている。シールリング１４の形成用材料としては、例えば樹脂や、ゴム等のような弾性体などが好ましい。シールリング１４において各ねじ孔１３に対応する箇所には、複数のねじ孔１５が透設されている。シールリング１４の内周面には、ホットプレート３の下面側外周部を水平に支持するための支持段部１６がその全周にわたって形成されている。なお、支持段部１６にホットプレート３を支持させたとき、シールリング１４の上端面の高さとホットプレート３の上面の高さとがほぼ同一になる。
【００２５】
そして、本実施形態におけるシールリング１４は、ケーシング２の開口部４の上縁とホットプレート３の下面外周部とがなす隙間をシールすることで、当該隙間を介したエアの流通を防止する役割を担っている。
【００２６】
図１，図２に示されるように、シールリング１４の上面には、係止リング２１がねじ２５により固定されている。この係止リング２１は、環状の本体２２と、複数のねじ孔２３と、複数の係止片２４とを有する。支持段部１６にセットされたホットプレート３は、各係止片２４によって板厚方向から押圧されることにより、シールリング１４に挟持固定される。
【００２７】
図１に示されるように、ケーシング２の底部２ａには、流体供給ポート１７及び流体排出ポート１８がそれぞれボルト等を用いて設置されている。両ポート１７，１８は、それぞれ２個ずつ形成されている。本実施形態において流体供給ポート１７は、底部２ａの略中央に並設されている。また、各流体排出ポート１８は、各流体供給ポート１７を挟んで、同供給ポート１７から離間した位置に配設されている。すなわち、各流体排出ポート１８は、各流体供給ポート１７よりも、底部２ａの両端方向にそれぞれ離間した位置に配設されている。両ポート１７，１８は、内端面及び外端面の両方において開口する流路を備えている。このため、その流路を介してケーシング２の内外が連通されている。
【００２８】
流体供給ポート１７の外端面側の開口部の内周面には雌ねじ溝が形成されていて、当該開口部には図示しない流体供給用の配管の一端が着脱可能となっている。この配管の他端は気体圧送ポンプに接続されているため、同配管を介して冷却用流体としてのエアが供給されるようになっている。一方、流体排出ポート１８の外端面側の開口部の内周面にも雌ねじ溝が形成されていて、当該開口部には図示しない流体排出用の配管の一端が着脱可能となっている。ケーシング２内のエアは、この配管を介して外部に排出される。なお、前記配管の他端は装置からいくぶん離れた箇所にて開放されている。
【００２９】
図２に示されるように、上記のリード線引出用孔７には、シール構造としてのシールパッキング８が装着されている。このシールパッキング８は環状をなしており、ゴム等のような好適な弾性体によって形成されている。各リード線６は、このシールパッキング８の貫通孔に挿通されたうえでケーシング２の外部に引き出されている。即ち、本実施形態におけるシールパッキング８は、各リード線６とリード線引出用孔７とがなす隙間をシールすることで、当該隙間を介したエアの流通を防止する役割を担っている。
【００３０】
さて、次にこのホットプレートユニット１の使用方法について説明する。
感光性樹脂が塗布されたシリコンウェハＷ１をホットプレート３上に載置し、この状態で抵抗パターン１０に通電する。すると、加熱されたホットプレート３との接触によって、シリコンウェハＷ１の温度が次第に上昇する。所定時間のあいだ加熱を行なうことにより感光性樹脂が充分に乾燥したら、抵抗パターン１０への通電を止める。
【００３１】
ここで、気体圧送ポンプを駆動して流体供給ポート１７側に冷却用のエアを供給し、同ポート１７を介してエアを密閉空間Ｓ１内に導入する。流体供給ポート１７を経て吐出されたエアは、密閉空間Ｓ１内にてホットプレート３の下面側に垂直に吹き付けられる。そして、該エアは、ホットプレート３の下面側全体に接触しながら、流体排出ポート１８のほうに向かって流れる。その際、同エアによってホットプレート３の熱が全体的にほぼ均一に奪われる。熱を奪って温度が上昇したエアは、さらに流体排出ポート１８を経て再び空間の外に流出し、汚染の心配のない別の空間にて放出される。なお、一連のエアの流れは、図１における太線矢印により概略的に示されている。そして、ホットプレート３がある程度低い温度まで冷やされたら、シリコンウェハＷ１をホットプレート３から取り外す。
【００３２】
従って、本実施形態によれば以下のような効果を得ることができる。
（１）このホットプレートユニット１では、ケーシング２の底部２ａに２個の流体供給ポート１７が形成されている。このため、同ポート１７からケーシング２内の密閉空間Ｓ１内に冷却用のエアを流通させることができる。そして、今おエアをホットプレート３の下面側全体に接触させることにより、同プレート３を強制的に冷却することができる。このため、ホットプレート３を強制的に冷却することが可能となり、放冷に比べて短時間で済むようになる。したがって、ホットプレート３全体を短時間で均一に冷却することができる。
【００３３】
（２）このホットプレートユニット１では、各流体供給ポート１７がケーシング２の底部２ａに形成されている。このため、同ポート１７からケーシング２内に流通されたエアを、ホットプレート３の下面に対して垂直に吹き付けることができる。このため、比較的短時間にホットプレート３を冷却させることができる。
【００３４】
（３）流体供給ポート１７は２個形成されているため、該エアをホットプレート３全体に均一に接触させることができ、同プレート３を均一に冷却することができる。
【００３５】
（４）このホットプレートユニット１では、上記のごとく略密閉された空間Ｓ１がケーシング２とホットプレート３との間に形成されている。ホットプレート３の下面側には端子ピン１２等の突起物が存在するものの、それらはケーシング２とホットプレート３と間に形成された空間Ｓ１内に配置されている。即ち、前記突起物は装置の外部に非露出となり、いわば保護された状態となる。従って、突起物の存在如何に関係なく、ケーシング２の底面を図示しない支持ステージに対して、困難なく取付ることができる。
【００３６】
（５）また、ケーシング２とホットプレート３との間に形成された空間Ｓ１は、略密閉されていることから、エアを流通可能なものとなっている。このため、空間Ｓ１内へのエアの流通によってホットプレート３を強制的に冷却することが可能となり、放冷に比べて冷却に要する時間が短くて済むようになる。ゆえに、このホットプレートユニット１を用いれば、１回の乾燥処理に要する時間が確実に短縮され、もって生産性の向上を図ることができる。なお、空間Ｓ１は開放状態ではなく略密閉状態であることから、装置の外部にエアが漏れ出しにくく、それによって周囲を汚染する心配もない。
【００３７】
（６）本実施形態では、ケーシング２にその内外を連通させる流体供給ポート１７と流体排出ポート１８とがそれぞれ設けられている。従って、両ポート１７，１８を介して密閉空間Ｓ１内にエアを効率よく循環することにより、ホットプレート３を強制冷却し、比較的短時間のうちに低い温度に戻すことができる。
【００３８】
（７）このホットプレートユニット１では、ケーシング２の開口部４の上縁とホットプレート３の下面外周部との間にシールリング１４を設け、当該部分における隙間のシールを図っている。よって、ケーシング２−ホットプレート３間の隙間を介した装置外部へのエア漏れが防止され、空間Ｓ１により高い密閉性を確保できる。このことはエア排出による周囲の汚染防止の確実化に貢献する。
【００３９】
（８）また、このホットプレートユニット１では、さらに底部２ａの配線引出用孔７にシールパッキング８を設け、その貫通孔にリード線６を挿通させている。従って、配線引出用孔７を介した装置外部へのエア漏れが防止され、空間Ｓ１により高い密閉性を確保できる。このこともエア排出による周囲の汚染防止の確実化に貢献する。
【００４０】
なお、本発明の実施形態は以下のように変更してもよい。
・ 密閉性がある程度確保されるのであれば、シールリング１４を省略するとともに、ケーシング２の開口部４の上面に直かに係止リング２１をねじ止めし、この状態で開口部４にホットプレート３を取り付けてもよい。即ち、ホットプレート３はケーシング２に対して直接取り付けられることができる。
【００４１】
・ 前記実施形態では、ケーシング２とホットプレート３との間の空間が、密閉空間Ｓ１となっている。しかし、この空間は、必ずしも密閉されている必要はない。この場合、各流体供給ポート１７から供給されたエアは、自ずと外部に排出されるため、各流体排出ポート１８を省略することができる。例えば、図３に示すように、各流体排出ポート１８を省略するとともに、底部２ａに開口部３１を設けてもよい。このようにすれば、ホットプレートユニット１の構造を簡単化することができ、製造コストを低減することができる。
【００４２】
・ 前記実施形態では、ケーシング２の底部２ａに、２個の流体供給ポート１７を配設している。しかし、これら各ポート１７を、３個またはそれ以上に増設してもよい。このようにすれば、各ポート１７の数を増やすほど、ホットプレート３をより短時間に冷却できるとともに、ホットプレート３をより均一に冷却することができる。なお、流体排出ポート１８の数についても同様に、３個以上配設してもよい。
【００４３】
・ 例えば、図４（ａ）に示すように、前記抵抗パターン１０として、三分割された各抵抗部３２〜３４を用い、各抵抗部３２〜３４に対して、それぞれ独立した電力供給を行うように変更する。すなわち、抵抗パターン１０を三分割することにより、該抵抗パターン１０を発熱させるための回路を３個に分割する。この場合、図４（ｂ）にそれぞれ斜線で示すように、ホットプレート３には三つの発熱領域Ａ１〜Ａ３ができる。
【００４４】
そして、図４（ｂ）に示すように、各発熱領域Ａ１〜Ａ３毎に複数（本実施形態では３個）の流体供給ポート１７及び流体排出ポート１８を配設する。なお、同図において、同一の領域Ａ１〜Ａ３に配設された各流体供給ポート１７及び各流体排出ポート１８は、それぞれ正三角形の頂点となる位置に配置されている。
【００４５】
このようにすれば、各回路のＯＮ・ＯＦＦ動作によって温度制御を行うことができるようになる。また、各発熱領域Ａ１〜Ａ３毎に冷却用のエアを吹き付けて冷却させることができるため、ホットプレート３をより均一に冷却することができる。
【００４６】
なお、各流体供給ポート１７及び各流体排出ポート１８は、正三角形の頂点となる位置に限らず、任意の位置に配設されてもよい。
また、同一の領域における各ポート１７，１８の配設個数は、３個に限らず、少なくとも１個あればよい。すなわち、各ポート１７，１８は、各発熱領域Ａ１〜Ａ３毎にそれぞれ１個以上配設されていればよい。
【００４７】
さらに、回路の分割個数は、三つに限らず、二つまたは四つ以上であってもよい。そしてこの場合、各流体供給ポート１７の配設総数は、分割された回路の総数の７０パーセント以上であればよく、必ずしも一回路に対して１個以上の流体供給ポート１７を配設する必要はない。すなわち、流体供給ポート１７は、回路数が４個のときには３個以上配設されていればよく、回路数が１０個のときには７個以上配設されていればよい。
【００４８】
・ 配線引き出し部である配線引出用孔７を、ケーシング２の底部２ａ以外の場所、例えばケーシング２の側壁部に配設してもよい。
・ ケーシング２に区画された密閉空間Ｓ１内には、エア（空気）以外の気体、例えば炭酸ガスや窒素等の不活性ガスを冷却用流体として流通することも可能である。また、電気的構成に悪影響を与えないものであれば、液体を冷却用流体として流通させることも許容されうる。
【００４９】
・ 上記のホットプレート３を構成する板状基材９に、必要に応じて熱電対を埋め込んでおいてもよい。熱電対によりホットプレート３の温度を測定し、そのデータをもとに電圧値や電流値を変えることで、温度制御をすることができるからである。この場合、熱電対のリード線も同じくシールパッキング８を介して外部に引き出しておくことがよい。
【００５０】
次に、特許請求の範囲に記載された技術的思想のほかに、前述した実施形態によって把握される技術的思想を以下に列挙する。
（１） 請求項２に記載のホットプレートユニットにおいて、ケーシング−板状基材間に設けられるシール構造は、内周縁にプレート支持段部を有するシールリングであり、前記シールリングは前記ケーシングの開口部上面に対してねじ止めされていること。
【００５１】
（２） 請求項１〜５、技術的思想１のいずれか１項に記載のホットプレートユニットにおいて、前記配線引き出し部に、弾性体からなる環状のシールパッキングを設けたこと。従って、この技術的思想２に記載の発明によれば、シールパッキングに挿通された配線と配線引き出し部との間に隙間ができにくくなり、装置外部への流体の漏れ出しがより確実に防止され、密閉性が向上する。
【００５２】
（３） 請求項１〜５、技術的思想１，２のいずれか１つにおいて、前記流体はエア（空気）であること。従って、この技術的思想３に記載の発明によれば、低反応性であり抵抗体間ショートの心配がなく、かつ低コスト化にも有利である。
【００５４】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明によれば、ホットプレート全体を短時間で均一に冷却することができる。
【００５５】
請求項２に記載の発明によれば、ケーシング内を密閉空間とすることができる。よって、装置外部への流体の漏れ出しが防止され、前記空間により高い密閉性を確保することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施形態のホットプレートユニットを示す概略断面図。
【図２】同じくその部分拡大断面図。
【図３】他の実施形態のホットプレートユニットを示す概略断面図。
【図４】（ａ），（ｂ）は、他の実施形態のホットプレートユニットを示す概略平面図。
【符号の説明】
１…ホットプレートユニット、２…ケーシング、３…ホットプレート、４…開口部、７…配線引き出し部としての配線引出用孔、８…シール構造としてのシールパッキング、１０…抵抗体としての抵抗パターン、１４…シール構造としてのシールリング、１７…流体供給ポート、１８…流体排出ポート、Ｓ１…空間。

Claims (5)

1. 半導体製造プロセスにおいて感光性樹脂が塗布されたシリコンウェハを加熱処理するホットプレートユニットであって、
   開口部を有する有底状をしたケーシングと、
   金属炭化物セラミックの焼結体で構成された板状基材と、
   前記板状基材に固着された導電ペーストで形成され、通電により加熱する抵抗パターンと、
   前記抵抗パターンが形成された側に向けて冷却用流体を吹き付ける流体供給ポートと、
   前記ケーシング内の前記冷却用流体を外部へ排気する流体排出ポートとを具備し、
   前記板状基材は、前記抵抗パターンが形成された側が下面側となるように前記開口部に設置され、
   前記流体供給ポート及び前記流体排出ポートは、前記ケーシングの底部にそれぞれ複数個形成され、
   前記抵抗パターンは、それぞれ独立して通電できるように複数に分割された発熱領域を有し、前記流体供給ポート及び前記流体排出ポートは、前記各発熱領域に対応して設けられていることを特徴とするホットプレートユニット。
2. 前記ケーシングの開口部の上縁と前記板状基材の下面外周部との間には、シール構造が設けられていることを特徴とする請求項１に記載のホットプレートユニット。
3. 前記流体供給ポートの配設総数は、前記抵抗パターンの分割数の７０パーセント以上であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のホットプレートユニット。
4. 前記導体ペーストは、金、銀、白金、パラジウム、鉛、タングステン、ニッケルから選択される金属粒子と、酸化鉛、酸化亜鉛、シリカ、酸化ホウ素、アルミナ、イットリア、チタニアから選択される金属酸化物とを含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のホットプレートユニット。
5. 請求項１〜４のいずれか１項に記載のホットプレートユニットの使用方法であって、
   前記抵抗パターンへの通電を止めた後に、前記流体供給ポートに前記冷却用流体を供給することを特徴とするホットプレートユニットの使用方法。

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