KR20030050321A - 기판 가열 장치 - Google Patents

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KR20030050321A
KR20030050321A KR1020010080734A KR20010080734A KR20030050321A KR 20030050321 A KR20030050321 A KR 20030050321A KR 1020010080734 A KR1020010080734 A KR 1020010080734A KR 20010080734 A KR20010080734 A KR 20010080734A KR 20030050321 A KR20030050321 A KR 20030050321A
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임태형
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Abstract

반도체 장치 제조 공정에 사용되는 기판 가열 장치가 개시되고 있다. 상기 장치는 기판이 놓여지는 플레이트와 기판을 가열하기 위한 열선을 내장하는 히터 블록을 구비한다. 히터 블록의 상부면에는 상기 열선이 내장되는 홈이 형성되어 있고, 플레이트와 히터 블록은 고정용 나사에 의해 결합된다. 히터 블록에는 열선에 전력을 제공하기 위한 전력선이 내장되는 관통공이 상부면으로부터 챔버 외부로 연장되어 형성되어 있고, 플레이트와 히터 블록의 사이에는 개스킷이 구비된다. 따라서, 개스킷은 상기 관통공을 통해 챔버 내부의 진공이 누설되는 것을 방지하며, 개스킷이 노화되는 경우 이를 용이하게 교체할 수 있다.

Description

기판 가열 장치{Apparatus for heating a substrate}
본 발명은 기판 가열 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 반도체 장치를 제조하기 위한 공정에서 반도체 기판이 놓여지고, 상기 반도체 기판을 가열하기 위한 장치에 관한 것이다.
근래에 반도체 장치의 제조 기술은 정보 통신 기술의 비약적인 발전에 따라 집적도, 신뢰도 및 처리 속도 등을 향상시키는 방향으로 발전되고 있다. 상기 반도체 장치는 반도체 기판으로 사용되는 웨이퍼 상에 다층막을 형성하고, 상기 다층막을 전기적 특성을 갖는 패턴으로 형성함으로서 제조된다.
상기 패턴은 증착, 포토리소그래피, 식각, 연마, 세정, 검사 등과 같은 단위 공정들을 반복적으로 수행함으로서 형성된다. 0.15㎛ 이하의 디자인 룰(design rule)을 요구하는 최근의 반도체 장치 제조 공정에서는 미세 패턴을 형성하기 위해 상기 단위 공정들에 적용되는 공정 조건들의 정밀한 제어가 더욱 요구되고 있다.
상기 단위 공정들 중에서 반도체 기판 상에 막을 형성하는 공정, 반도체 기판 상에 도포된 포토레지스트 조성물을 경화시키는 공정 또는 식각 공정을 수행한 후, 마스크로 사용된 포토레지스트 막을 제거하는 공정 등은 반도체 기판을 고온으로 가열한 상태에서 수행된다.
이러한 일 예로서, 미합중국 특허 제5,294,778호(issued to Carman, et al.)에는 나선형 히터, 상기 나선형 히터의 내측과 외측에 구비되는 두 개의 히터를 포함하는 히터 시스템이 개시되어 있다. 그리고, 미합중국 특허 제6,207,932호(issued to Yoo)에는 웨이퍼 안착부를 구비하는 몸체(body member)와 웨이퍼 안착부(wafer support)에 공정 가스를 제공하는 가스 라인과 열선에 전원을 공급하는 전원 공급부 및 온도 제어부를 갖는 히터 블록(heater block)이 개시되어 있다.
도 1은 상기 미합중국 특허 제5,294,778호에 개시된 바와 유사한 나선형 히터를 구비하는 종래의 기판 가열 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 1을 참조하면, 공정이 수행되는 챔버(100) 내부에는 반도체 기판(900)이 놓여지는 플레이트(102)가 구비된다. 플레이트(102)의 하부에는 히터 블록(104, heater block)이 구비되고, 히터 블록(104)의 상부면에는 반도체 기판(900)을 가열하기 위한 열선(106)이 내장되는 홈이 형성되어 있다. 즉, 플레이트(102)의 하부면과 히터 블록(104)의 상부면은 접촉된 상태로 구비되고, 히터 블록(104)은 챔버(100)의 바닥에 설치된다. 이때, 열선(106)에 전력을 제공하는 전력선(108)이 내장되는 제1관통공(110)이 히터 블록(104)의 중앙 부위 상부면으로부터 챔버(100) 외부로 연장되어 형성되어 있다.
한편, 이송 로봇(도시되지 않음)에 의해 챔버(100) 내부로 이송된 반도체 기판(900)을 플레이트(102) 상에 안착시키기 위한 리프트 핀(도시되지 않음)들이 플레이트(102) 및 히터 블록(104)을 관통하여 구비된다. 즉, 플레이트(102) 및 히터 블록(104)에는 상기 리프트 핀들이 설치되는 다수개의 제2관통공(112) 및 제3관통공(114)이 형성되어 있고, 제2관통공(112) 및 제3관통공(114)에 설치되는 상기 리프트 핀들은 공정의 진행에 따라 반도체 기판(900)을 로딩 및 언로딩하기 위해 상하 구동된다.
여기서, 챔버(100)는 반도체 기판(900)을 가열한 상태에서 수행되는 단위 공정들에 사용되는 챔버(100)이다. 일반적으로 반도체 기판(900)을 가공하는 단위 공정에서는 외기와의 접촉 또는 이물질 유입 방지 등을 위해 진공 펌프(도시되지 않음)를 사용하여 챔버(100) 내부를 진공 상태로 형성하게 된다. 이때, 플레이트(102)와 히터 블록(104)은 용접에 의해 결합된다.
상기와 같은 기판 가열 장치를 장시간 사용할 경우, 공정 도중에 사용되는 가스, 열선(106)으로부터 제공되는 고열 등에 의해 플레이트(102)와 히터 블록(104)의 용접 부위 즉, 접촉 부위가 부식 또는 노화되고, 이로 인해 챔버(100) 내부의 진공이 제1관통공(110)을 통해 누설되는 문제점이 발생한다. 상기 진공의 누설은 챔버(100) 내부의 압력 조절을 용이하지 않게 하며, 이는 전체적으로 공정에 사용되는 가스의 유량 조절 및 공정에 사용된 가스 또는 반응 부산물의 배출을 용이하지 않게 하는 요인이 된다.
상기와 같은 문제점은 증착 공정에서는 막의 균일도를 저하시키고, 애싱 공정에서는 제거하고자 하는 막을 완전하게 제거하지 못하는 문제점 등을 발생시킨다. 그리고, 이는 전체적으로 반도체 장치의 신뢰도 및 생산성을 저하시키는 문제점으로 작용한다. 또한, 플레이트 및 히터 블록에 결함이 발생될 경우 이를 정비하는데 많은 시간이 소요되며, 이는 장치의 가동률을 저하시키는 원인이 된다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명은 반도체 장치 제조 공정에서 반도체 기판을 가열하고, 챔버 내부의 진공이 누설되는 것을 방지하는 구조를 갖는 기판 가열 장치를 제공하는데 있다.
도 1은 종래의 기판 가열 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 기판 가열 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 3은 도 2에 도시한 메탈 개스킷과 플레이트 및 히터 블록이 접촉되는 부위를 설명하기 위한 단면도이다.
도 4는 도 2에 도시한 히터 블록을 설명하기 위한 사시도이다.
도 5는 도 4에 도시한 Ⅴ에 대한 상세도이다.
도 6은 본 발명의 제2실시예에 따른 기판 가열 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 7은 도 6에 도시한 Ⅶ에 대한 상세도이다.
도 8은 도 6에 도시한 메탈 개스킷을 설명하기 위한 사시도이다.
도 9는 도 2에 도시한 기판 가열 장치를 적용한 반도체 기판 가공 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
200 : 챔버 202 : 플레이트
204 : 히터 블록 206 : 열선
208 : 전력선 210 : 제1관통공
212 : 제2관통공 214 : 제3관통공
216 : 홈 218 : 고정용 나사
220 : 제1메탈 개스킷 222 : 제2메탈 개스킷
224 : 제4관통공 226 : 제5관통공
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은,
반도체 기판을 가공하는 공정이 수행되는 챔버 내부에 구비되고, 상기 반도체 기판을 가열하기 위한 열을 제공하는 열선과,
상기 챔버의 내측면에 설치되고, 상기 열선이 내장되는 홈이 상부면에 형성되어 있으며, 상기 열선과 연결되는 전력선을 내장하기 위한 제1관통공이 상기 상부면으로부터 상기 챔버 외측으로 연장되어 형성되어 있는 히터 블록과,
상기 히터 블록의 상부면에 구비되고, 상기 반도체 기판이 놓여지는 플레이트, 및
상기 플레이트와 히터 블록 사이에 개재되고, 상기 제1관통공을 통해 상기 챔버 내부에 제공되는 진공이 누설되는 것을 방지하는 밀봉 부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 가열 장치를 제공한다.
일 예로서, 상기 플레이트 및 상기 히터 블록에는 상기 반도체 기판을 상기 플레이트 상에 안착시키기 위해 상하 구동되는 다수개의 리프트 핀이 각각 설치되는 제2관통공 및 제3관통공이 형성되어 있고, 상기 플레이트 및 상기 히터 블록은 고정용 나사에 의해 결합된다. 그리고, 상기 제2관통공 및 제3관통공을 둘러싸도록 다수개의 제1메탈 개스킷이 구비되고, 상기 히터 블록의 상부면 주연 부위에는 제2메탈 개스킷이 구비된다. 또한, 상기 제1, 제2 메탈 개스킷과 상기 플레이트의 하부면 및 상기 히터 블록의 상부면의 접촉 부위에는 밀봉 효과를 상승시키기 위한 돌출부가 형성되어 있다.
따라서, 열선에 전력을 제공하기 위한 전력선이 내장되는 제1관통공을 통한 진공 누설이 방지된다. 또한, 장시간 사용에 의해 노화된 개스킷을 간단히 교체할 수 있으므로, 장치의 수명이 연장된다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세하게 설명하면 다음과 같다.
도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 기판 가열 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다. 그리고, 도 3은 도 2에 도시한 메탈 개스킷과 플레이트 및 히터 블록이 접촉되는 부위를 설명하기 위한 단면도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 공정이 수행되는 챔버(200) 내부에는 반도체 기판(900)이 놓여지는 플레이트(202)가 구비된다. 플레이트(202)의 하부에는 히터 블록(204)이 구비되고, 히터 블록(204)의 상부면에는 반도체 기판(900)을 가열하기 위한 열선(206)이 내장되는 홈(216)이 형성되어 있다. 플레이트(202)와 히터블록(204)은 고정용 나사(218)에 의해 상호 결합되고, 히터 블록(204)은 챔버(200)의 바닥에 설치된다. 그리고, 열선(206)에 전력을 제공하는 전력선(208)이 내장되는 제1관통공(210)이 히터 블록(204)의 중앙 부위 상부면으로부터 챔버(200) 외부로 연장되어 형성되어 있다.
한편, 이송 로봇(도시되지 않음)에 의해 챔버(200) 내부로 이송된 반도체 기판(900)을 플레이트(202) 상에 안착시키기 위한 리프트 핀(도시되지 않음)들이 설치되는 다수개의 제2관통공(212) 및 제3관통공(214)이 형성되어 있고, 제2관통공(212) 및 제3관통공(214)에 설치되는 상기 리프트 핀들은 공정의 진행에 따라 반도체 기판(900)을 로딩 및 언로딩하기 위해 상하 구동된다.
플레이트(202)의 하부면 주연 부위 및 히터 블록(204)의 상부면 주연 부위에는 챔버(200) 내부에 제공되는 진공이 제1관통공(210)을 통해 누설되는 것을 방지하기 위한 제1메탈 개스킷(220)이 구비된다. 그리고, 제2관통공(212) 및 제3관통공(214)이 인접하는 부위에는 제2관통공(212) 및 제3관통공(214)을 통해 제1관통공(210)으로 진공이 누설되는 것을 방지하기 위한 제2메탈 개스킷(222)이 구비된다. 여기서, 제1, 제2메탈 개스킷(220, 222)은 원형의 링 형상을 갖는 플렛 메탈 개스킷이고, 고정용 나사(218)는 제1, 제2메탈 개스킷(220, 222)이 구비된 부위에서 히터 블록(204) 및 제1, 제2메탈 개스킷(220, 222)을 관통하여 플레이트(202)에 체결된다.
한편, 제1, 제2메탈 개스킷(220, 222)과 플레이트(202) 및 히터 블록(204)이 접촉되는 부위에는 밀봉 효과를 상승시키기 위한 돌출부들이 형성되어 있다. 이와같은 구조는 도 3에 상세하게 도시되어 있다. 도 3을 참조하면, 제1메탈 개스킷(220)이 구비되는 플레이트(202)의 하부면 주연 부위에는 제1돌출부(202a)가 플레이트(202)의 주연 부위를 따라 형성되어 있고, 이와 대응되는 히터 블록(204)의 상부면 주연 부위에는 제2돌출부(204a)가 형성되어 있다. 따라서, 제1메탈 개스킷(220)이 제1, 제2돌출부(202a, 204a)와 선접촉됨으로 인해 밀봉 효과가 상승된다. 도시되지는 않았으나, 제2메탈 개스킷(222)이 구비되는 제2, 제3관통공(212, 214)의 둘레에는 각각 제3, 제4돌출부가 형성된다.
본 발명의 실시예에서는 플랫 메탈 개스킷(flat metal gasket)이 사용되고 있으나, 표면에 다수의 돌기가 형성된 메탈 개스킷을 사용하는 경우 제1 내지 제4 돌출부는 형성되지 않아도 무방하다. 이는 본 발명이 개스킷의 종류에 한정되지 않으며, 챔버 내부의 진공 누설 방지를 위한 밀봉 부재로서 사용되는 개스킷 또는 패킹은 다양하게 변형될 수 있다는 것은 당업자라면 용이하게 인지할 수 있을 것이다.
도 4는 도 2에 도시한 히터 블록을 설명하기 위한 사시도이다. 그리고, 도 5는 도 4에 도시한 Ⅴ에 대한 상세도이다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 히터 블록(204)의 상부면에는 열선(도 2 참조)이 내장되는 홈(216)이 나선형으로 형성되어 있다. 히터 블록(204)의 중앙 부위에는 전력선을 내장하기 위한 제1관통공(210)이 형성되어 있고, 리프트 핀(도시되지 않음)이 설치되는 세 개의 제3관통공(214)이 방사상으로 형성되어 있다. 그리고, 주연 부위에는 고정용 나사(218)가 조립되는 다수개의 제4관통공(224)이 형성되어 있고, 도 5에 도시된 바와 같이 제3관통공(214)의 주변에는 제2메탈 개스킷(222)을 고정시키기 위한 제5관통공(226)이 형성되어 있다. 여기서, 도시되지는 않았으나, 히터 블록(204) 상에 구비되는 플레이트(도 2 참조)에는 제4관통공(224)과 대응되는 제1나사공이 형성되어 있고, 제5관통공(226)과 대응되는 제2나사공이 형성되어 있다. 한편, 도 5를 참조하면, 제3관통공(214)의 둘레에는 밀봉 효과를 상승시키기 위한 제4돌출부(204b)가 형성되어 있다.
본 발명의 제1실시예에서는 나선형 열선을 구비하는 히터 블록을 설명하고 있으나, 열선의 형상에 따라 히터 블록의 형상은 다양하게 변경될 수 있다. 최근, 반도체 기판을 균일하게 가열하기 위해 열선의 형상이 다양하게 제시되고 있으며, 열선의 형상 또는 그에 따른 히터 블록의 형상이 본 발명을 한정하지는 않는다.
도 6은 본 발명의 제2실시예에 따른 기판 가열 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이고, 도 7은 도 6에 도시한 Ⅶ에 대한 상세도이고, 도 8은 도 6에 도시한 메탈 개스킷을 설명하기 위한 사시도이다.
도 6, 도 7 및 도 8을 참조하면, 반도체 기판(900)을 가공하기 위한 공정이 수행되는 챔버(300) 내부에는 기판(900)이 놓여지는 플레이트(302)와 히터 블록(304)이 구비되어 있다. 여기서, 도 2에 도시한 제1실시예에 따른 기판 가열 장치와 동일한 부분에 대한 설명은 생략하거나 간략하게 하기로 한다. 플레이트(302)의 외주면에는 히터 블록(304)과 결합하기 위한 제1나사부가 형성되어 있고, 히터 블록(304)의 상부 구조는 외주연부가 상부로 돌출된 구조를 갖고, 상기 돌출된 부위(304b)에 내측면에 제1나사부에 대응하는 제2나사부가 형성되어있다. 즉, 플레이트(302)는 히터 블록(304)의 상부에 나사 결합되는 구성을 갖는다. 이때, 히터 블록(304)의 상부면에는 열선(306)이 내장되는 홈(316)이 형성되어 있고, 상기 홈(316)에 열선(306)이 내장된다. 그리고, 플레이트(302)와 히터 블록(304)의 사이에는 히터 블록(304)의 중앙 부위에 형성되어 있는 제1관통공(310)을 통해 챔버(300) 내부의 진공이 누설되는 것을 방지하기 위한 메탈 개스킷(320)이 설치된다. 메탈 개스킷(320)의 형상은 도 8에 도시되어 있다. 도 8을 참조하면, 메탈 개스킷(320)에는 히터 블록(304)의 제1관통공(310)에 대응하는 제4관통공(322) 및 플레이트(302)와 히터 블록(304)의 제2, 제3관통공(312, 314)에 대응하는 제5관통공(324)이 형성되어 있다. 그리고, 열선(306)이 내장되는 히터 블록(304)의 홈(316)에 대응되고, 제4관통공(322)과 연결되는 장공(326)이 형성되어 있다. 도 7을 참조하면, 플레이트(302)의 하부면 및 히터 블록(304)의 상부면에는 히터 블록(304)에 형성된 홈(316)의 주변을 따라 제1, 제2돌출부(302a, 304a)가 형성되어 있다. 제1, 제2돌출부(302a, 304a)는 제1실시예와 유사하게, 메탈 개스킷(320)의 상,하부면과 접촉함으로서 챔버(300) 내부의 진공이 누설되는 것을 효과적으로 방지한다.
도 9는 도 2에 도시한 기판 가열 장치를 적용한 반도체 기판 가공 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 9를 참조하면, 반도체 기판(900) 상에 형성된 포토레지스트 막을 제거하는 애싱 공정이 수행되는 공정 챔버(400)가 도시되어 있다. 공정 챔버(400)의 내부에는 반도체 기판(900)이 놓여지는 플레이트(202)가 구비되고, 플레이트(202)와 히터 블록(204) 사이에는 반도체 기판(900)을 가열하기 위한 열선(206)이 내장된다.
공정 챔버(400)의 일측에는 반도체 기판(900)이 출입하는 도어(402)가 구비되고, 다른 일측에는 공정 챔버(400)의 내부를 진공 상태로 형성하고, 상기 애싱 공정이 수행되는 도중에 발생하는 반응 부산물을 배출하기 위한 진공 펌프(404)가 연결된다. 이때, 공정 챔버(400)와 진공 펌프(404)를 연결하는 라인에는 각종 밸브(도시되지 않음)가 설치되어 연결라인을 개폐하고, 개폐 정도를 조절함으로서 진공 정도를 조절한다.
그리고, 공정 챔버(400) 내부로 이송되는 반도체 기판(900)의 가장자리를 지지하고, 상하로 운동하는 다수개의 리프트 핀(406)이 플레이트(202)를 관통하여 설치된다. 다수개의 리프트 핀(406)은 히터 블록(204)의 하부에 구비되는 구동부(도시되지 않음)에 연결되어 동시에 상하로 운동하게 된다.
한편, 공정 챔버(400)의 천장은 평평하게 형성된 중앙부로부터 외측으로 경사지도록 형성되고, 상기 중앙부의 상부에는 애싱 공정에 사용되는 플라즈마를 형성하는 플라즈마 발생 챔버(408)가 연결된다. 보다 상세하게 설명하면, 공정 챔버(400)는 상부의 평평한 중앙부를 중심으로 원추 형상으로 형성되고, 상기 중앙부에 플라즈마 발생 챔버(408)가 연결된다.
플라즈마 발생 챔버(408)의 일측에는 애싱 가스 공급부(410)가 연결된다. 공정 챔버(400)와 플라즈마 발생 챔버(408)를 연결하는 부위 즉, 상기 중앙부에는 수많은 홀들이 형성된 플라즈마 전송판(412)이 배치된다. 플라즈마 전송판(412)은 플라즈마 발생 챔버(408)에서 발생된 플라즈마에서 충전 활성종 및 전자 등의 높은에너지를 갖는 충전 입자들을 포획하기 위하여 접지되고, 전기적으로 중성이고 낮은 에너지를 갖는 중성 활성종의 전송을 허용한다. 플라즈마 전송판(412)은 상기 플라즈마가 직접 가해짐으로 인해 반도체 기판(900)의 표면이 높은 에너지를 갖는 충전 입자들에 의하여 손상되는 것을 방지하기 위해 제공된다.
플라즈마 발생 챔버(408)의 상부는 석영 플레이트(414)로 이루어지고, 애싱 가스를 플라즈마로 형성하기 위한 마이크로웨이브를 제공하는 마이크로웨이브 도파관(416)이 석영 플레이트(414)를 통해 연결된다.
상기와 같은 애싱 장치에서 플라즈마 발생과 반도체 기판(900) 상에 형성된 포토레지스트 막의 제거를 간략하게 설명하면 다음과 같다.
반도체 기판(900)이 플레이트(202)에 안착되고, 고온의 플레이트(202)에 의해 적정 온도로 가열되면, 애싱 가스 공급부(410)를 통해 애싱 가스가 플라즈마 발생 챔버(408)로 공급된다. 그리고, 2.45 ±0.1GHz의 마이크로웨이브가 마이크로웨이브 도파관(416)에 가해지면, 상기 마이크로웨이브가 석영 플레이트(414)를 통하여 전송되고, 플라즈마 발생 챔버(408)의 내부에 공급된 애싱 가스가 플라즈마 상태로 형성된다.
상기와 같이 형성된 상기 플라즈마는 플라즈마 전송판(412)을 통하여 공정 챔버(400)로 흐른다. 상기 플라즈마에서 충전 입자들은 플라즈마 전송판(412)에 의하여 포획되고 충전되지 않은 중성 활성종만이 플라즈마 전송판(412)을 통하여 공정 챔버(400)로 유입되어 반도체 기판(900)의 표면으로 공급된다. 상기 중성 활성종이 반도체 기판(900) 상에 형성된 포토레지스트 막과 반응하여 상기 포토레지스트 막을 반도체 기판(900)으로부터 제거한다.
이때, 반도체 기판(900)은 열선(206)에 의해 가열된 플레이트(202) 상에서 250 내지 280℃ 정도로 가열된다. 플레이트(202)는 다수매의 반도체 기판(900)을 처리하는데 있어서, 공정 진행 시간 단축을 위해 항상 일정한 온도로 가열된다. 그리고, 공정 챔버(400) 내부는 진공 펌프(404)에 의해 진공 상태로 형성되고, 플레이트(202)와 히터 블록(404) 사이의 메탈 개스킷(도 2 참조)이 공정 챔버(300) 내부의 진공 상태를 안정적으로 유지한다.
상기와 같이 고온 상태에서 공정이 장시간 계속되는 경우 플레이트(202)와 히터 블록(204) 사이의 개스킷은 고온에 의해 쉽게 노화될 수 있다. 이러한 경우, 플레이트(202)와 히터 블록(204)은 고정용 나사(도 3 참조)의 분리에 의해 쉽게 분해되므로, 용이하게 개스킷을 교체할 수 있다. 즉, 정비에 따른 시간적인 손실이 감소되므로 장치 전체의 가동률이 향상된다.
상기와 같은 본 발명에 따르면, 반도체 기판이 놓여지는 플레이트와 반도체 기판을 가열하기 위한 열선을 내장하는 히터 블록 사이에서 발생되는 진공 누설을 방지하기 위한 메탈 개스킷을 사용함으로서, 챔버 내부에 제공되는 진공을 안정적으로 유지시킬 수 있다. 이에 따라, 반도체 기판을 가공하는 공정을 수행하는 동안 발생되는 결함을 사전에 방지하고, 최종적으로 반도체 장치의 신뢰도 및 생산성이 향상되는 효과가 있다.
또한, 간단하게 분해 결합이 가능하므로 정비에 따른 시간적인 손실이 감소되고, 이는 반도체 기판 가공 장치의 가동률을 향상시키는 효과가 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (5)

  1. 반도체 기판을 가공하는 공정이 수행되는 챔버 내부에 구비되고, 상기 반도체 기판을 가열하기 위한 열을 제공하는 열선;
    상기 챔버의 내측면에 설치되고, 상기 열선이 내장되는 홈이 상부면에 형성되어 있으며, 상기 열선과 연결되는 전력선을 내장하기 위한 제1관통공이 상기 상부면으로부터 상기 챔버 외측으로 연장되어 형성되어 있는 히터 블록;
    상기 히터 블록의 상부면에 구비되고, 상기 반도체 기판이 놓여지는 플레이트; 및
    상기 플레이트와 히터 블록 사이에 개재되고, 상기 제1관통공을 통해 상기 챔버 내부에 제공되는 진공이 누설되는 것을 방지하는 밀봉 부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 가열 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 밀봉 부재는 상기 히터 블록의 상부면 주연 부위에 구비되는 것을 특징으로 하는 기판 가열 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 밀봉 부재는 메탈 개스킷이고, 상기 플레이트와 상기 히터 블록은 고정용 나사에 의해 결합되는 것을 특징으로 하는 기판 가열 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 히터 블록의 상부면 및 상기 플레이트의 하부면에는상기 밀봉 부재와 접촉되는 돌출부가 더 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 가열 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 플레이트 및 상기 히터 블록에는 상기 반도체 기판을 상기 플레이트 상에 안착시키기 위해 상하 구동되는 다수개의 리프트 핀이 각각 설치되는 다수개의 제2관통공 및 제3관통공이 형성되어 있고,
    상기 밀봉 부재는,
    상기 제2관통공 및 제3관통공을 둘러싸도록 구비되는 다수개의 제1메탈 개스킷; 및
    상기 히터 블록의 상부면 주연 부위에 구비되는 제2메탈 개스킷을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 가열 장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100655813B1 (ko) * 2004-04-12 2006-12-13 니뽄 가이시 가부시키가이샤 기판 가열 장치
KR100850440B1 (ko) * 2007-03-12 2008-08-07 (주)머시인앤드시스템인테그레이션코리아 Ｌｃｄ 기판용 히터
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KR101394110B1 (ko) * 2008-02-11 2014-05-14 (주)소슬 배치식 기판 지지 장치 및 이를 구비하는 기판 처리 장치

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