KR20050013686A - 반도체소자 제조용 화학기상증착 공정설비 - Google Patents
반도체소자 제조용 화학기상증착 공정설비Info
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Abstract
본 발명은 절연막이나 금속막을 증착하는 반도체소자 제조용 화학기상증착 공정설비에 관한 것으로서, 이에 대한 특징적인 구성은, 하부 중심 부위에 배기라인을 연결한 챔버와; 상기 챔버 내부로 투입된 기판의 저면을 받쳐 지지하는 판 형상으로 내부에 히팅 플레이트를 구비한 히터블록; 및 상기 챔버 바닥을 관통하여 상기 히터블록의 하부를 받쳐 지지하는 관 형상으로 상기 히팅 플레이트의 전선이 상기 챔버 하측으로 연장 돌출되게 안내하는 지지축을 포함한 구성으로 이루어진다.
Description
본 발명은 절연막이나 금속막을 증착하는 반도체소자 제조용 화학기상증착 공정설비에 관한 것이다.
일반적으로 반도체소자를 제조하는데 빈번하게 시행되는 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition: CVD) 공정은, 기판을 가열시키는 상태에서 공급한 기체상태의 원료물질이 가열된 기판의 표면에서 반응하여 소망하는 물질막으로 증착되게 하는 것이다.
이러한 CVD 공정을 수행하는 종래의 기술 구성을 살펴보면, 도 1 또는 도 2에 도시한 바와 같이, 소정 크기로 구획하는 챔버(10)가 있고, 이 챔버(10)의 내부 상측 부위에는 기체상태의 원료물질을 공급하는 샤워헤드(12)가 구비되며, 하부 중심 부위에는 내부에 공급된 원료물질을 유도 배출하기 위한 배기라인(16)이 연통하여 연결된다. 또한, 챔버(10) 내부의 상·하 중심 위치에는 챔버(10) 내부로 투입되는 기판(W)을 받쳐 지지하기 위한 판 형상의 히터블록(20)이 구비되며, 이 히터블록(20)은 챔버(10) 내벽에 고정된 브래킷(14)에 의해 간격 유지되게 지지를 받는다. 그리고, 히터블록(20)의 측부에는 히터블록(20)의 상면에 대하여 기판(W)을 선택적으로 승·하강시키는 리프트부(40)가 구비된다.
상술한 구성에 있어서, 히터블록(20)의 구성을 보다 상세히 살펴보면, 도 1 내지 도 3에 도시한 바와 같이, 챔버(10) 내벽에 설치된 브래킷(14)에 의해 챔버(10)의 내벽으로부터 간격 유지되게 지지를 받는 용기 형상의 몸체(22)가 있고, 이 몸체(22)의 상면 가장자리 부위에는 링 형상의 간격유지체(24)가 얹혀지며, 간격유지체(24)의 상부에는 웨이퍼(W)의 저면을 받쳐 지지하기 위한 그래파이트(graphite) 재질의 플래튼(26)이 놓인다. 이들 몸체(22)와 간격유지체(24) 및 플래튼(26)은 상호 통상의 체결구(26c)에 의해 상호 밀착 결합된다. 또한, 상술한 바와 같이, 몸체(22)와 플래튼(26) 사이에는 몸체(22)의 바닥에 놓이는 석영 재질의 지지체(28)가 있고, 이 지지체(28)의 상면에는 내부에 열선을 구비한 판 형상의 제 1 히팅 플레이트(30)와 링 형상의 제 2 히팅 플레이트(32)가 얹혀진다. 그리고, 상술한 구성에 있어서, 제 1, 2 히팅 플레이트(30, 32)에 대하여 전원을 인가하기 위한 구성은, 제 1, 2 히팅 플레이트(30, 32)에 대응하는각 지지체(28) 상에 제 1 단자소켓(34a)들이 돌출된 형상을 이루고, 이들 제 1 단자소켓(34a)에 대응하는 제 1, 2 히팅 플레이트(30, 32) 상에는 대응하는 제 1 단자소켓(34a)이 삽입되는 것으로 접속이 가능한 형상을 이룬다. 또한, 제 1 단자소켓(34a)은 지지체(28)에 대하여 삽입되어 놓이는 제 1 전극봉(36a)과 전기적인 접속이 이루어지고, 제 1 전극봉(36a)은 챔버(10) 외부에서 전원공급부(도시 안됨)에 연결된 제 2 전극봉(36b)이 챔버(10)의 측벽과 이에 대응하는 몸체(22) 및 지지체(28)를 관통 및 삽입되어 제 2 단자소켓(34b)으로 상호 접속된다.
한편, 히터블록(20) 상에는, 상술한 제 1, 2 히팅 플레이트(30, 32)가 놓이는 공간에 대하여 원료물질의 유입을 방지하도록 그 내부에 퍼지가스를 공급하는 퍼지가스 공급라인(38)이 연결되며, 이러한 퍼지가스 공급라인(38)은 챔버(10)의 외측으로부터 챔버(10)의 측벽과 히터블록(20)의 몸체(22)를 관통하여 연결된다. 또한, 상술한 히터블록(20) 상에는 상술한 제 1, 2 히팅 플레이트(30, 32)에 의한 온도 조건을 확인하기 위한 열전대(39)가 설치되며, 이 열전대(39)는 상술한 퍼즈가스 공급라인(38)과 마찬가지로 챔버(10)의 측벽과 대응하는 플래튼(26)의 중심 부위에 소정 깊이로 삽입되는 구성을 이룬다. 그리고, 상술한 히터블록(20)의 측부에는 플래튼(26) 상에 놓이는 기판(W)을 받쳐 지지하여 승·하강 위치시키는 리프트부(40)가 설치되며, 이러한 리프트부(40)의 구성은 챔버(10)의 바닥으로부터 지지되는 실린더(46)와 이 실린더(46)에 의해 승하강 구동하는 리프트 핀(44) 및 이 리프트 핀(44)의 지지를 받아 플래튼(26) 상에 형성된 자리홈(26a)에 대응하는 형상의 기판 지지대(42)를 포함한 구성을 이룬다.
이러한 CVD 설비에 있어서, 복수의 공정을 수행하는 과정에서 빈번하게 발생하는 고장의 하나는 제 1, 2 히팅 플레이트(30, 32)의 손상으로부터 기인하고, 이러한 제 1, 2 히팅 플레이트(30, 32)의 손상은 공정 회수가 증가할수록 그 발생 빈도가 증가한다. 상술한 문제의 발생 부위는, 각 히팅 플레이트(30, 32)에 대하여 전원을 인가하기 위하여 연결되는 단자소켓(34a, 34b)의 접속 불량으로부터 발생한다. 이러한 문제의 발생은 공정불량을 초래할 뿐 아니라 이러한 공정불량을 방지하기 위하여 고가의 각 히팅 플레이트(30, 32)의 교체를 필요로 하여 설비의 부대비용이 증가하고, 설비의 분해 조립에 따른 어려움과 번거로움이 있으며, 이에 따른 설비의 가동률과 생산성이 저하되는 문제를 갖는다. 또한, 단자소켓(34a, 34b)에 의해 접속되는 부위는, 주기적인 세정 즉, NF3가스를 플라즈마 상태로 변환하여 세정하는 과정에서 F-가스에 의해 단자소켓과 접속하는 부위에 전기적인 저항을 갖는 막이 형성되고, 이 막으로부터 파생한 저항으로 인한 온도 상승으로 단자소켓(34a, 34b)과 이에 접하는 전극봉(36a, 36b) 및 각 히팅 플레이트(30, 32)는 용융되는 결과를 초래한다.
한편, 상술한 플랜트(26)는 그래파이트 재질로 이루어짐에 따라 계속적인 공정을 수행함에 따라 그 표면에 이상 성장에 따른 OE 결함이 발행하고, 이러한 OE 결함은 습식 세정 이후에 점차 그 수가 증가하는 문제를 갖는다. 그리고, 이러한 OE 결함 등의 이상 성장은 기판(W)의 저면을 오염시킬 뿐 아니라 이렇게 오염된 기판(W)은 그 이송과정에서 로봇 척이나 로봇을 구비하는 버퍼구간 또는 기판(W)의로딩 및 언로딩이 이루어지는 로드락부(도면의 단순화를 위하여 생략함)를 오염시키고, 카세트에 탑재하는 과정에서 그 하측의 기판(W)으로 떨어져 파티클로서 작용하는 등의 문제를 갖는다.
한편, 도 4에 도시한 CVD 설비의 종래 기술 구성은, 공정이 이루어지는 챔버(50)가 있고, 이 챔버(50)의 상부에는 원료물질을 공급하기 위한 샤워헤드(12)가 구비되고, 챔버(50)의 측벽 소정 위치에는 샤워헤드(12)를 통해 공급된 원료물질의 배출을 유도하는 배기라인(52)이 연결된다. 또한, 챔버(50) 내부에는 상술한 샤워헤드(12)를 통해 공급되는 기체상태의 원료물질에 대향하여 기판(W)의 저면을 받쳐 지지하며 내부에 구비한 제 1, 2 히팅 플레이트(64, 66)의 선택적인 발열로 기판(W)을 가열시키기 위한 히터블록(54)이 설치된다. 그리고, 히터블록(54)의 구성은, 관 형상으로 챔버(50)의 하부 중심 부위를 관통하여 지지되는 지지축(56)이 일체로 형성된 몸체(56)가 있고, 이 몸체(56) 상부의 가장자리 부위에는 실링부재(58)가 놓이고, 이 실링부재(58)의 상측으로 기판(W)의 저면을 받쳐 지지하는 플래튼(60)이 설치된다. 또한, 몸체(56)와 플래튼(60) 사이에는 몸체(56)의 바닥에 대하여 지지체(62)가 지지되어 놓이고, 이 지지체(62)의 상부에는 판 형상의 제 1 히팅 플레이트(64)와 제 1 히팅 플레이(64)의 외측으로 간격을 유지하는 링 형상의 제 2 히팅 플레이트(66)가 놓이고, 이들 제 1, 2 히팅 플레이트(64, 66)에 대하여 전원을 인가하기 위한 전선은 상술한 서포트(56a)를 통하여 챔버(50) 하측으로 돌출된다.
이러한 구성에 더하여 상술한 서포트(56a)에는, 히터블록(54) 내부로 원료물질의 유입을 방지하기 위한 퍼지가스 공급라인(72)과 각 히팅 플레이트(64, 66)에 의한 발열 온도를 검출하기 열전대(70)가 연결된다. 또한, 히터블록(54)에 대하여 기판(W)을 승·하강 위치시키기 위한 리프트부(74)가 설치되고, 이러한 리프트부(74)는 상술한 히터블록(54)의 각 히팅 플레이트(64, 66)에 간섭되지 않는 범위 내에서 하부로부터 몸체(56)와 지지체(62) 및 플레튼(60)을 관통하여 승·하강하는 적어도 세 개 이상의 리프트핀(76)이 설치되고, 이들 리프트핀(76)은 히터블록(54)의 하부에 설치된 실린더(80)의 선택적인 구동에 의해 상측 단부가 히터블록(54)의 상면으로부터 소정 길이로 돌출됨으로써 기판(W)의 저면을 받쳐 지지한다.
이러한 CVD 설비에 있어서, 각 히팅 플레이트(64, 66)에 대하여 전원을 인가하기 위한 전선은 서포트(56a)를 통하여 챔버(56) 하측으로 연장 연결됨에 따라 그 접속 연결에 대한 손상이 저감될 수 있다. 그러나, 상술한 서포트(56a)가 챔버(50)의 하부 중심을 관통하고, 배기라인(52)은 챔버(50)의 중심으로부터 일측 방향으로 편중되어 연결됨으로써 챔버(50) 내부에 공급되는 원료물질은 배기라인(52)이 연결된 부위로 향하는 기류를 이룬다. 이러한 원료물질의 흐름은 기판(W) 표면에 대하여 증착되는 막질의 두께를 불균일하게 형성하는 공정불량을 유발한다. 따라서, 위의 구성으로부터 원료물질의 편중되는 것을 방지하기 위해서는 배기라인(52)의 연결 부위가 히터블록(54)의 하측으로 충분히 이격된 위치에 있도록 함을 필요로 하고, 이것은 챔버(50)의 크기는 보다 확대할 것과 그에 상응하는 원료물질의 공급량을 증대시키는 결과를 초래함에 따라 생산성이 저하된다.
그리고, 상술한 히터블록(54)의 내부는 퍼지가스 공급라인(72)의 연결에 의해 원료물질의 유입이 어렵다고 볼 수 있으나 리프트핀(76)이 관통하여 승·하강하는 부위를 통해 내부의 퍼지가스가 히터블록(54) 상부로 유출될 위험이 있고, 또 그 부위를 통하여 원료물질이 유입되어 역시 각 히팅 플레이트(64, 66)의 손상 가능성을 갖는다.
본 발명의 목적은, 상술한 종래 기술에 따른 문제를 해결하기 위한 것으로서, 챔버 내부에 공급되는 원료물질이 기판에 대향하여 균인한 하향기류를 이루도록 함과 동시에 히터블록 내의 각 히팅 플레이트에 전원을 인가하기 위한 접속 부위가 챔버 외측에서 그 연결이 이루어지도록 하는 반도체소자 제조용 화학기상증착 공정설비를 제공함에 있다.
도 1은 종래의 화학기상증착 공정설비의 구성을 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 2는 도 1에 도시한 히터유닛을 부분 절취하여 나타낸 분해 사시도이다.
도 3는 도 1의 히터에 대한 전원인가 접속 구조를 확대하여 나타낸 단면도이다.
도 4는 종래의 화학기상증착 공정설비의 다른 구성을 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시에에 따른 화학기상증착 공정설비의 구성을 개략적으로 나타낸 단면도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
10, 50, 100: 챔버 12: 샤워헤드
14: 브래킷 16, 52, 102: 배기라인
20, 54, 104: 히터블록 22, 56, 106: 몸체
24: 간격 유지체 26, 60, 112: 플래튼
28, 62: 지지체 30, 64, 116: 제 1 히팅 플레이트
32, 66, 118: 제 2 히팅 플레이트 34a, 34b: 단자소켓
36a, 36b: 전극봉 38, 72: 퍼지가스 공급라인
39, 70, 120: 열전대 40, 74, 130: 리프트부
42, 132: 기판 지지대 44, 76, 134: 리프트 핀
46, 80, 136: 실린더 58, 110: 실링체
68, 114: 전원선 78: 가이드블록
108: 지지축
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징적인 구성은, 하부 중심 부위에 배기라인을 연결한 챔버와; 상기 챔버 내부로 투입된 기판의 저면을 받쳐 지지하는 판 형상으로 내부에 히팅 플레이트를 구비한 히터블록; 및 상기 챔버 바닥을 관통하여 상기 히터블록의 하부를 받쳐 지지하는 관 형상으로 상기 히팅 플레이트의 전선이 상기 챔버 하측으로 연장 돌출되게 안내하는 지지축을 포함한 구성으로 이루어진다. 또한, 상기 지지축은 상기 배기라인이 연결된 부위의 주연을 따라 적어도 두 개 이상의 개수로 등간격을 이루도록 배치하여 이루어질 수 있다. 그리고, 상기 히팅 플레이트는 상기 히터블록 내의 중심 부위에 설치한 원 판 형상의 제 1 히팅 플레이트와 상기 제 1 히팅 플레이트에 대하여 간격 유지되게 설치한 링 형상의 제 2 히팅 플레이트로 분리 형성하여 이루어질 수 있고, 이들 제 1, 2 히팅 플레이트로부터 연장된 각각의 전선은 상기 복수의 지지축 중 각기 다른 지지축을 통하여 상기 챔버 외측으로 돌출되어 이루어진다.
이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체소자 제조용 화학기상증착 공정설비에 대하여 첨부한 도면을 참조하여 설명하기로 한다.
도 5은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체소자 제조용 화학기상증착 공정설비의 구성을 개략적으로 나타낸 단면도로서, 종래와 동일한 부분에 대하여 동일한 부호를 부여하고, 그에 따른 상세한 설명은 생략하기로 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 반도체소자 제조용 화학기상증착 공정설비는, 도 5에 도시한 바와 같이, 상부에 기체상태의 원료물질을 공급하기 위한 샤워헤드(12)를 갖는 챔버(100)가 있고, 이 챔버(100)의 하부 중심 부위에는 챔버(100) 내부의 공기 및 공급되는 원료물질이 하향기류를 이루며 배출될 수 있도록 하는 배기라인(102)이 연결된다. 또한, 배기라인(102)이 연결된 부위의 주연을 따라 관 형상의 지지축(108)이 적어도 두 개 이상의 개수로 배치되어 대응하는 챔버(100)의 바닥 부위를 관통하여 하측으로 돌출하여 지지된다. 이들 지지축(108)들의 배치는 배기라인(102)이 연결된 부위의 중심을 기준으로 하여 등간격을 이루도록 함이 바람직하다. 그리고, 지지축(108)의 하측 부위는 챔버(100)의 바닥을 관통하여 승·하강 가능하게 삽입되는 형상을 이루고, 상대적으로 상측 부위는 하측 부위가 관통함에 따른 챔버(100)의 바닥에 밀착 지지되게 측부가 보다 확장된 부위를 갖도록 형성될 수 있다. 이러한 형상의 지지축(108)들 상부에는 내부에 히팅 플레이트(116, 118)를 구비한 히터블록(104)이 얹혀진 형상으로 지지되고, 이때 히터블록(104)의 하부와 지지축(108)의 상부는 상호 일체로 이루어져 지지축(108)이 하측으로 연장 돌출한 형상으로 이루어질 수 있다.
한편, 히터블록(104)의 구성을 보다 상세히 살펴보면, 상술한 바와 같이, 챔버(100)의 바닥으로부터 지지축(108)들에 의해 간격 유지되는 판 형상의 몸체(106)가 있고, 이 몸체(106)의 가장자리 부위에는 소정 두께를 갖는 링 형상의 실링부재(110) 또는 간격유지체가 밀착되게 놓인다. 또한, 실링부재(110) 또는 간격유지체의 상부에는 상면이 기판(W)의 저면을 받쳐 지지하는 세라믹 재질의 판 형상으로 가장자리 부위가 몸체(106)의 측벽을 덮는 형상의 플래튼(112)이 밀착되어 얹혀진다. 이들 몸체(106)와 플래튼(112) 및 이들 사이에 있는 실링부재(110) 또는 간격유지체는 통상의 체결구(도시 안됨)에 의해 상호 밀착되어 내부와 외부에 대하여 기밀이 유지되게 결합되고, 몸체(106)와 플래튼(112) 사이의 몸체(106) 바닥 부위에는 소정 굵기를 갖는 석영 재질의 지지체가 놓인다. 그리고, 지지체 상에는 히팅 플레이트(116, 118)가 얹혀진 상태로 놓인다. 이러한 히팅 플레이트(116, 118)는 지지체의 중심 즉, 히터블록(104)의 설정 위치에 놓이는 기판(W)의 중심에 대응하여 중심이 일직선상에 있는 원판 형상의 제 1 히팅플레이트(116, 118)가 놓이고, 이 제 1 히팅플레이트(116, 118)의 측부 외측에는 제 1 히팅 플레이트(116, 118)에 대하여 소정의 간격을 유지하는 링 형상의 제 2 히팅 플레이트(116, 118)가 놓인다. 그리고, 이들 제 1, 2 히팅 플레이트(116, 118)에 대하여 전원을 인가하기 위한 접속 관계는 각 히팅 플레이트(116, 118)에 연결된 전선이 상술한 서포트(56a)를 통해 챔버(100) 하측으로 연장 돌출하여 전원공급부(도시 안됨)와 직접적으로 연결되어 이루어진다. 여기서, 상술한 히팅 플레이트(116, 118)가 적어도 두 개 이상으로 분리되어 이루어질 경우 이들 각각에 접속 연결된 전선은 상술한 지지축(108)들에 대하여 각각 챔버(100) 하측으로 연장 돌출하여 연결되게 구성될 수 있다. 그리고, 상술한 지지축(108) 중 어느 하나에는 히터블록(104)의 내부에 대하여 원료물질의 유입을 방지하도록 퍼지가스를 공급하는 포지가스 공급라인이 연결되어 이루어질 수 있고, 상술한 지지축(108)들 중 어느 하나에는 각 히팅 플레이트(116, 118)의 방열 정도 즉, 상술한 플래튼(112)의 온도 상태를 확인하기 위한 열전대(120)가 삽입 설치되는 구성으로 이루어질 수 있다.
한편, 히터블록(104)의 측부에는 지지되는 기판(W)을 승·하강 위치시키도록 하는 리프트부(130)가 구비되며, 이러한 리프트부(130)의 구성은 도 1 또는 도 2에 도시한 리프트부(40)의 구성과 마찬가지로 챔버(100)의 바닥으로부터 지지되는 실린더(136)와 이 실린더(136)에 의해 승하강 구동하는 리프트 핀(134) 및 이 리프트 핀(134)의 지지를 받아 플래튼(112) 상에 형성된 자리홈에 대응하는 형상의 기판 지지대(132)를 포함한 구성으로 이루어진다.
따라서, 본 발명에 의하면, 히터블록 내의 히팅 플레이트에 대한 전원 접속은 각 히팅 플레이트로부터 연장한 전선이 서포트를 통하여 챔버 외측의 전원공급부와 직접적으로 연결됨으로써 안정적인 접속과 전원인가가 이루어지고, 더불어 각부 구성이 단수한 구조로 결합될 뿐 아니라 챔버의 크기를 보다 협소하게 줄일 수 있으며, 설비의 분해 및 조립이 용이하여 그에 따른 작업에 대한 번거로움의 감소와 히팅 플레이트의 손상 방지에 따른 비용절감이 있는 효과가 있다.
본 발명은 구체적인 실시예에 대해서만 상세히 설명하였지만 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 변형이나 변경할 수 있음은 본 발명이 속하는 분야의 당업자에게는 명백한 것이며, 그러한 변형이나 변경은 본 발명의 특허청구범위에 속한다 할 것이다.
Claims (7)
- 하부 중심 부위에 배기라인을 연결한 챔버와;상기 챔버 내부로 투입된 기판의 저면을 받쳐 지지하는 판 형상으로 내부에 히팅 플레이트를 구비한 히터블록; 및상기 챔버 바닥을 관통하여 상기 히터블록의 하부를 받쳐 지지하는 관 형상으로 상기 히팅 플레이트의 전선이 상기 챔버 하측으로 연장 돌출되게 안내하는 지지축을 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 반도체소자 제조용 화학기상증착 공정설비.
- 제 1 항에 있어서,상기 지지축은 상기 배기라인이 연결된 부위의 주연을 따라 적어도 두 개 이상의 개수로 등간격을 이루도록 배치하여 이루어짐을 특징으로 하는 상기 반도체소자 제조용 화학기상증착 공정설비.
- 제 2 항에 있어서,상기 히팅 플레이트는 상기 히터블록 내의 중심 부위에 설치한 원 판 형상의 제 1 히팅 플레이트와 상기 제 1 히팅 플레이트에 대하여 간격 유지되게 설치한 링형상의 제 2 히팅 플레이트로 분리한 형상의 것으로 구비하고, 상기 제 1, 2 히팅 플레이트로부터 연장된 각각의 전선은 상기 복수의 지지축 중 각기 다른 지지축을 통하여 상기 챔버 외측으로 돌출되어 연결됨을 특징으로 하는 상기 반도체소자 제조용 화학기상증착 공정설비.
- 제 1 항에 있어서,상기 지지축은 하측 부위가 상기 챔버 바닥에 형성된 홀을 통하여 승·하강 가능하게 관통하여 삽입되고, 상측 부위는 상기 홀 주연의 상기 챔버 바닥에 밀착되어 지지를 받도록 확장시킨 형상으로 이루어짐을 특징으로 하는 상기 반도체소자 제조용 화학기상증착 공정설비.
- 제 1 항에 있어서,상기 히터블록은 상기 지지축에 지지되는 몸체와; 상기 몸체의 상면 가장자리에 밀착되어 놓이는 링 형상의 실링부재와; 상기 실링부재의 상부에 얹혀지는 판 형상으로 상면이 기판의 저면에 대향하고, 가장자리 부위가 하측으로 연장 돌출하여 상기 몸체의 측부를 덮는 플래튼을 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 상기 반도체소자 제조용 화학기상증착 공정설비.
- 제 5 항에 있어서,상기 몸체와 상기 지지축은 일체로 형성하여 이루어진 것을 특징으로 하는 상기 반도체소자 제조용 화학기상증착 공정설비.
- 제 1 항에 있어서,상기 히터블록은 세라믹 재질로 이루어짐을 특징으로 하는 상기 반도체소자 제조용 화학기상증착 공정설비.
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