JP2001052985A - ホットプレートユニット - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ホットプレート全体を短時間で均一に冷却す
ることができるホットプレートユニットを提供するこ
と。 【解決手段】 このホットプレートユニット１は、有底
状をしたケーシング２の開口部４に、抵抗体１０を有す
るホットプレート３を設置してなる。ケーシング２とホ
ットプレート３との間には、略密閉された空間Ｓ１が形
成されている。ケーシング２の底部２ａには、流体供給
ポート１７及び流体排出ポート１８がそれぞれ２個ずつ
形成されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ホットプレートユ
ニットに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体製造プロセスにおいて、例えば感
光性樹脂塗布工程を経たシリコンウェハを加熱乾燥させ
る場合、通常、ホットプレートと呼ばれる加熱装置が用
いられる。

【０００３】この種の装置の従来例としては、例えば特
公平４−１３８７３号公報に開示されたもの等がある。
同公報における装置は、電熱部材としての窒化アルミニ
ウム焼結体製のホットプレートと、そのプレートに設け
られるホットプレートとしての抵抗体とからなる。抵抗
体はホットプレートを構成するセラミック基材間に挟持
されている。プレートの側方に突出している抵抗体の両
端部は、それぞれ配線を介して電源に接続される。

【０００４】そして、ホットプレートの上面側に被加熱
物であるシリコンウェハを載置し、この状態で抵抗体に
通電することにより、シリコンウェハが数百℃に加熱さ
れるようになっている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、抵抗体への
通電により所定時間の加熱を行なって感光性樹脂を乾燥
させた場合には、まずホットプレートをある程度低い温
度まで放冷し、その後でシリコンウェハを取り外す必要
がある。しかしながら、放冷にはある程度の時間を要す
るので、このことが生産性の向上を図るうえで障害とな
っていた。

【０００６】そこで、例えば特公平８−８２４６号公報
では、放熱フィン型の冷却体をホットプレートに取り付
ける技術が記載されている。しかし、この冷却体では、
ホットプレートを局所的に冷却させることはできるもの
の、全体を均一に冷却させることができなかった。

【０００７】本発明は上記の課題に鑑みてなされたもの
であり、その目的は、ホットプレート全体を短時間で均
一に冷却することができるホットプレートユニットを提
供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、請求項１に記載の発明では、有底状をしたケーシ
ングの開口部に、抵抗体を有するホットプレートを設置
してなるホットプレートユニットであって、前記ケーシ
ングには、その内外を連通させる流体供給ポートが形成
されていることを要旨とする。

【０００９】請求項２に記載の発明では、請求項１に記
載のホットプレートユニットにおいて、前記流体供給ポ
ートは、前記ケーシングの底部に形成されていることを
要旨とする。

【００１０】請求項３に記載の発明では、請求項１また
は請求項２に記載のホットプレートユニットにおいて、
前記流体供給ポートは、複数個形成されていることを要
旨とする。

【００１１】請求項４に記載の発明は、請求項１〜３の
いずれか１項に記載のホットプレートユニットにおい
て、前記ケーシングの開口の上縁と前記ホットプレート
の下面外周部との間には、シール構造が設けられている
ことを要旨とする。

【００１２】請求項５に記載の発明は、請求項１〜４の
いずれか１項に記載のホットプレートユニットにおい
て、前記ケーシングにおける配線引き出し部には、シー
ル構造が設けられていることを要旨とする。

【００１３】以下、本発明の「作用」について説明す
る。請求項１に記載の発明によると、ケーシングにはそ
の内外を連通させる流体供給ポートが形成されている。
このため、該ポートからケーシング内に流体を流通させ
ることにより、該流体をホットプレートの全体に均一に
吹き付けることができる。このため、ホットプレートを
強制的に冷却することが可能となり、放冷に比べて短時
間で済むようになる。したがって、ホットプレート全体
を短時間で均一に冷却することができる。

【００１４】請求項２に記載の発明によると、流体供給
ポートをケーシングの底部に形成することにより、同ポ
ートからケーシング内に流通された流体を、ホットプレ
ート面に対して垂直に吹き付けることができる。このた
め、比較的短時間にホットプレートを冷却させることが
できる。

【００１５】請求項３に記載の発明によると、流体供給
ポートを複数形成することにより、より短時間かつ均一
にホットプレートを冷却させることができる。請求項４
に記載の発明によると、ケーシングの開口部の上縁とホ
ットプレートの下面外周部との間がシールされること
で、ケーシングとホットプレートとの間に密閉した閉空
間が形成される。このため、ケーシング内に流通された
流体が外部に漏れ出すことを防止することができる。

【００１６】請求項５に記載の発明によると、ケーシン
グにおける配線引き出し部がシールされることで、当該
部分を介した装置外部への流体の漏れ出しが防止され
る。よって、ケーシングとホットプレートとの間に形成
された空間により高い密閉性が確保される。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、本発明を具体化した一実施
形態のホットプレートユニット１を図１，図２に基づき
詳細に説明する。

【００１８】図１，図２に示されるホットプレートユニ
ット１は、ケーシング２及びホットプレート３を主要な
構成要素として備えている。ケーシング２は有底状の金
属製部材（ここではアルミニウム製部材）であって、断
面円形状の開口部４をその上部側に備えている。このケ
ーシング２の底部２ａの中心部における３箇所には、図
示しないリフトピンが挿通されるピン挿通スリーブ５が
設けられている。これらのリフトピンは、シリコンウェ
ハＷ１を３点で支持した状態で同シリコンウェハＷ１を
昇降させる。底部２ａの外周部には、ホットプレート３
に電流を供給するリード線６を挿通するためのリード線
引出用孔７が形成されている。

【００１９】本実施形態のホットプレート３は、感光性
樹脂が塗布されたシリコンウェハＷ１を２００〜３００
℃にて乾燥させるための低温用ホットプレート３であ
る。このホットプレート３は、セラミック焼結体からな
る板状基材９に、抵抗体としての抵抗パターン１０を設
けることにより構成されている。この板状基材９は、後
述するシールリング１４を介して、ケーシング２の開口
部４に設置される。これを設置することにより、ケーシ
ング２の内面側とホットプレート３の下面側との間に
は、略密閉された空間Ｓ１が形成される。

【００２０】図１に示されるように、ホットプレート３
を構成する板状基材９は円形状であって、ケーシング２
の外形寸法より若干小径となるように設計されている。
抵抗パターン１０は、板状基材９の下面側において同心
円状ないし渦巻き状に形成されている。ホットプレート
３の中心部には、各リフトピンに対応した３箇所にそれ
ぞれピン挿通孔１１が透設されている。

【００２１】板状基材９を構成するセラミック焼結体と
しては、耐熱性に優れかつ熱伝導率が高いという性質を
有する窒化物セラミック焼結体を選択することがよい。
窒化物セラミックとしては、例えば窒化アルミニウム、
窒化ケイ素、窒化ホウ素、窒化チタン等のような金属窒
化物セラミックの焼結体が好ましく、なかでも窒化アル
ミニウム焼結体が望ましい。その理由は、上記の焼結体
中で熱伝導率が最も高いからである。なおこれらの他
に、炭化ケイ素、炭化ジルコニウム、炭化チタン、炭化
タンタル、炭化タングステン等のような金属炭化物セラ
ミックの焼結体を選択してもよい。

【００２２】本実施形態の抵抗パターン１０は、焼結体
である板状基材９に対して導電ペーストを焼き付けるこ
とにより形成されたものである。導電ペーストとして
は、金属粒子、金属酸化物、樹脂、溶剤などを含むもの
が一般的に使用される。導電ペーストに使用される好適
な金属粒子としては、例えば、金、銀、白金、パラジウ
ム、鉛、タングステン、ニッケル等が挙げられる。これ
らの金属は高温に晒されても比較的酸化しにくく、通電
により発熱させるにあたって充分な抵抗値を有するから
である。導電ペーストに使用される好適な金属酸化物と
しては、例えば、酸化鉛、酸化亜鉛、シリカ、酸化ホウ
素、アルミナ、イットリア、チタニア等が挙げられる。

【００２３】図２に示されるように、抵抗パターン１０
の端部には、外部接続端子としてのパッド１０ａが形成
されている。これらのパッド１０ａには、導電性材料か
らなる端子ピン１２の基端部がはんだ付けされている。
その結果、各端子ピン１２と抵抗パターン１０との電気
的な導通が図られている。一方、各端子ピン１２の先端
部には、リード線６の先端部にあるソケット６ａが嵌着
されている。従って、リード線６及び端子ピン１２を介
して抵抗パターン１０に電流が供給される結果、抵抗パ
ターン１０の温度が上昇し、ホットプレート３全体が加
熱される。

【００２４】図２に示されるように、ケーシング２の開
口部４の上縁には、複数のねじ孔１３が等間隔に透設さ
れている。同じく前記開口部４の上縁には、シール構造
としてのシールリング１４が配設されている。同シール
リング１４は、環状をなしかつ開口部４の大きさとほぼ
等しくなっている。シールリング１４の形成用材料とし
ては、例えば樹脂や、ゴム等のような弾性体などが好ま
しい。シールリング１４において各ねじ孔１３に対応す
る箇所には、複数のねじ孔１５が透設されている。シー
ルリング１４の内周面には、ホットプレート３の下面側
外周部を水平に支持するための支持段部１６がその全周
にわたって形成されている。なお、支持段部１６にホッ
トプレート３を支持させたとき、シールリング１４の上
端面の高さとホットプレート３の上面の高さとがほぼ同
一になる。

【００２５】そして、本実施形態におけるシールリング
１４は、ケーシング２の開口部４の上縁とホットプレー
ト３の下面外周部とがなす隙間をシールすることで、当
該隙間を介したエアの流通を防止する役割を担ってい
る。

【００２６】図１，図２に示されるように、シールリン
グ１４の上面には、係止リング２１がねじ２５により固
定されている。この係止リング２１は、環状の本体２２
と、複数のねじ孔２３と、複数の係止片２４とを有す
る。支持段部１６にセットされたホットプレート３は、
各係止片２４によって板厚方向から押圧されることによ
り、シールリング１４に挟持固定される。

【００２７】図１に示されるように、ケーシング２の底
部２ａには、流体供給ポート１７及び流体排出ポート１
８がそれぞれボルト等を用いて設置されている。両ポー
ト１７，１８は、それぞれ２個ずつ形成されている。本
実施形態において流体供給ポート１７は、底部２ａの略
中央に並設されている。また、各流体排出ポート１８
は、各流体供給ポート１７を挟んで、同供給ポート１７
から離間した位置に配設されている。すなわち、各流体
排出ポート１８は、各流体供給ポート１７よりも、底部
２ａの両端方向にそれぞれ離間した位置に配設されてい
る。両ポート１７，１８は、内端面及び外端面の両方に
おいて開口する流路を備えている。このため、その流路
を介してケーシング２の内外が連通されている。

【００２８】流体供給ポート１７の外端面側の開口部の
内周面には雌ねじ溝が形成されていて、当該開口部には
図示しない流体供給用の配管の一端が着脱可能となって
いる。この配管の他端は気体圧送ポンプに接続されてい
るため、同配管を介して冷却用流体としてのエアが供給
されるようになっている。一方、流体排出ポート１８の
外端面側の開口部の内周面にも雌ねじ溝が形成されてい
て、当該開口部には図示しない流体排出用の配管の一端
が着脱可能となっている。ケーシング２内のエアは、こ
の配管を介して外部に排出される。なお、前記配管の他
端は装置からいくぶん離れた箇所にて開放されている。

【００２９】図２に示されるように、上記のリード線引
出用孔７には、シール構造としてのシールパッキング８
が装着されている。このシールパッキング８は環状をな
しており、ゴム等のような好適な弾性体によって形成さ
れている。各リード線６は、このシールパッキング８の
貫通孔に挿通されたうえでケーシング２の外部に引き出
されている。即ち、本実施形態におけるシールパッキン
グ８は、各リード線６とリード線引出用孔７とがなす隙
間をシールすることで、当該隙間を介したエアの流通を
防止する役割を担っている。

【００３０】さて、次にこのホットプレートユニット１
の使用方法について説明する。感光性樹脂が塗布された
シリコンウェハＷ１をホットプレート３上に載置し、こ
の状態で抵抗パターン１０に通電する。すると、加熱さ
れたホットプレート３との接触によって、シリコンウェ
ハＷ１の温度が次第に上昇する。所定時間のあいだ加熱
を行なうことにより感光性樹脂が充分に乾燥したら、抵
抗パターン１０への通電を止める。

【００３１】ここで、気体圧送ポンプを駆動して流体供
給ポート１７側に冷却用のエアを供給し、同ポート１７
を介してエアを密閉空間Ｓ１内に導入する。流体供給ポ
ート１７を経て吐出されたエアは、密閉空間Ｓ１内にて
ホットプレート３の下面側に垂直に吹き付けられる。そ
して、該エアは、ホットプレート３の下面側全体に接触
しながら、流体排出ポート１８のほうに向かって流れ
る。その際、同エアによってホットプレート３の熱が全
体的にほぼ均一に奪われる。熱を奪って温度が上昇した
エアは、さらに流体排出ポート１８を経て再び空間の外
に流出し、汚染の心配のない別の空間にて放出される。
なお、一連のエアの流れは、図１における太線矢印によ
り概略的に示されている。そして、ホットプレート３が
ある程度低い温度まで冷やされたら、シリコンウェハＷ
１をホットプレート３から取り外す。

【００３２】従って、本実施形態によれば以下のような
効果を得ることができる。 （１）このホットプレートユニット１では、ケーシング
２の底部２ａに２個の流体供給ポート１７が形成されて
いる。このため、同ポート１７からケーシング２内の密
閉空間Ｓ１内に冷却用のエアを流通させることができ
る。そして、今おエアをホットプレート３の下面側全体
に接触させることにより、同プレート３を強制的に冷却
することができる。このため、ホットプレート３を強制
的に冷却することが可能となり、放冷に比べて短時間で
済むようになる。したがって、ホットプレート３全体を
短時間で均一に冷却することができる。

【００３３】（２）このホットプレートユニット１で
は、各流体供給ポート１７がケーシング２の底部２ａに
形成されている。このため、同ポート１７からケーシン
グ２内に流通されたエアを、ホットプレート３の下面に
対して垂直に吹き付けることができる。このため、比較
的短時間にホットプレート３を冷却させることができ
る。

【００３４】（３）流体供給ポート１７は２個形成され
ているため、該エアをホットプレート３全体に均一に接
触させることができ、同プレート３を均一に冷却するこ
とができる。

【００３５】（４）このホットプレートユニット１で
は、上記のごとく略密閉された空間Ｓ１がケーシング２
とホットプレート３との間に形成されている。ホットプ
レート３の下面側には端子ピン１２等の突起物が存在す
るものの、それらはケーシング２とホットプレート３と
間に形成された空間Ｓ１内に配置されている。即ち、前
記突起物は装置の外部に非露出となり、いわば保護され
た状態となる。従って、突起物の存在如何に関係なく、
ケーシング２の底面を図示しない支持ステージに対し
て、困難なく取付ることができる。

【００３６】（５）また、ケーシング２とホットプレー
ト３との間に形成された空間Ｓ１は、略密閉されている
ことから、エアを流通可能なものとなっている。このた
め、空間Ｓ１内へのエアの流通によってホットプレート
３を強制的に冷却することが可能となり、放冷に比べて
冷却に要する時間が短くて済むようになる。ゆえに、こ
のホットプレートユニット１を用いれば、１回の乾燥処
理に要する時間が確実に短縮され、もって生産性の向上
を図ることができる。なお、空間Ｓ１は開放状態ではな
く略密閉状態であることから、装置の外部にエアが漏れ
出しにくく、それによって周囲を汚染する心配もない。

【００３７】（６）本実施形態では、ケーシング２にそ
の内外を連通させる流体供給ポート１７と流体排出ポー
ト１８とがそれぞれ設けられている。従って、両ポート
１７，１８を介して密閉空間Ｓ１内にエアを効率よく循
環することにより、ホットプレート３を強制冷却し、比
較的短時間のうちに低い温度に戻すことができる。

【００３８】（７）このホットプレートユニット１で
は、ケーシング２の開口部４の上縁とホットプレート３
の下面外周部との間にシールリング１４を設け、当該部
分における隙間のシールを図っている。よって、ケーシ
ング２−ホットプレート３間の隙間を介した装置外部へ
のエア漏れが防止され、空間Ｓ１により高い密閉性を確
保できる。このことはエア排出による周囲の汚染防止の
確実化に貢献する。

【００３９】（８）また、このホットプレートユニット
１では、さらに底部２ａの配線引出用孔７にシールパッ
キング８を設け、その貫通孔にリード線７を挿通させて
いる。従って、配線引出用孔７を介した装置外部へのエ
ア漏れが防止され、空間Ｓ１により高い密閉性を確保で
きる。このこともエア排出による周囲の汚染防止の確実
化に貢献する。

【００４０】なお、本発明の実施形態は以下のように変
更してもよい。 ・ 密閉性がある程度確保されるのであれば、シールリ
ング１４を省略するとともに、ケーシング２の開口部４
の上面に直かに係止リング２１をねじ止めし、この状態
で開口部４にホットプレート３を取り付けてもよい。即
ち、ホットプレート３はケーシング２に対して直接取り
付けられることができる。

【００４１】・ 前記実施形態では、ケーシング２とホ
ットプレート３との間の空間が、密閉空間Ｓ１となって
いる。しかし、この空間は、必ずしも密閉されている必
要はない。この場合、各流体供給ポート１７から供給さ
れたエアは、自ずと外部に排出されるため、各流体排出
ポート１８を省略することができる。例えば、図３に示
すように、各流体排出ポート１８を省略するとともに、
底部２ａに開口部３１を設けてもよい。このようにすれ
ば、ホットプレートユニット１の構造を簡単化すること
ができ、製造コストを低減することができる。

【００４２】・ 前記実施形態では、ケーシング２の底
部２ａに、２個の流体供給ポート１７を配設している。
しかし、これら各ポート１７を、３個またはそれ以上に
増設してもよい。このようにすれば、各ポート１７の数
を増やすほど、ホットプレート３をより短時間に冷却で
きるとともに、ホットプレート３をより均一に冷却する
ことができる。なお、流体排出ポート１８の数について
も同様に、３個以上配設してもよい。

【００４３】・ 例えば、図４（ａ）に示すように、前
記抵抗パターン１０として、三分割された各抵抗部３２
〜３４を用い、各抵抗部３２〜３４に対して、それぞれ
独立した電力供給を行うように変更する。すなわち、抵
抗パターン１０を三分割することにより、該抵抗パター
ン１０を発熱させるための回路を３個に分割する。この
場合、図４（ｂ）にそれぞれ斜線で示すように、ホット
プレート３には三つの発熱領域Ａ１〜Ａ３ができる。

【００４４】そして、図４（ｂ）に示すように、各発熱
領域Ａ１〜Ａ３毎に複数（本実施形態では３個）の流体
供給ポート１７及び流体排出ポート１８を配設する。な
お、同図において、同一の領域Ａ１〜Ａ３に配設された
各流体供給ポート１７及び各流体排出ポート１８は、そ
れぞれ正三角形の頂点となる位置に配置されている。

【００４５】このようにすれば、各回路のＯＮ・ＯＦＦ
動作によって温度制御を行うことができるようになる。
また、各発熱領域Ａ１〜Ａ３毎に冷却用のエアを吹き付
けて冷却させることができるため、ホットプレート３を
より均一に冷却することができる。

【００４６】なお、各流体供給ポート１７及び各流体排
出ポート１８は、正三角形の頂点となる位置に限らず、
任意の位置に配設されてもよい。また、同一の領域にお
ける各ポート１７，１８の配設個数は、３個に限らず、
少なくとも１個あればよい。すなわち、各ポート１７，
１８は、各発熱領域Ａ１〜Ａ３毎にそれぞれ１個以上配
設されていればよい。

【００４７】さらに、回路の分割個数は、三つに限ら
ず、二つまたは四つ以上であってもよい。そしてこの場
合、各流体供給ポート１７の配設総数は、分割された回
路の総数の７０パーセント以上であればよく、必ずしも
一回路に対して１個以上の流体供給ポート１７を配設す
る必要はない。すなわち、流体供給ポート１７は、回路
数が４個のときには３個以上配設されていればよく、回
路数が１０個のときには７個以上配設されていればよ
い。

【００４８】・ 配線引き出し部である配線引出用孔７
を、ケーシング２の底部２ａ以外の場所、例えばケーシ
ング２の側壁部に配設してもよい。 ・ ケーシング２に区画された密閉空間Ｓ１内には、エ
ア（空気）以外の気体、例えば炭酸ガスや窒素等の不活
性ガスを冷却用流体として流通することも可能である。
また、電気的構成に悪影響を与えないものであれば、液
体を冷却用流体として流通させることも許容されうる。

【００４９】・ 上記のホットプレート３を構成する板
状基材９に、必要に応じて熱電対を埋め込んでおいても
よい。熱電対によりホットプレート３の温度を測定し、
そのデータをもとに電圧値や電流値を変えることで、温
度制御をすることができるからである。この場合、熱電
対のリード線も同じくシールパッキング８を介して外部
に引き出しておくことがよい。

【００５０】次に、特許請求の範囲に記載された技術的
思想のほかに、前述した実施形態によって把握される技
術的思想を以下に列挙する。 （１） 請求項４または請求項５に記載のホットプレー
トユニットにおいて、ケーシング−ホットプレート間に
設けられるシール構造は、内周縁にプレート支持段部を
有するシールリングであり、前記シールリングは前記ケ
ーシングの開口部上面に対してねじ止めされているこ
と。

【００５１】（２） 請求項５または技術的思想１に記
載のホットプレートユニットにおいて、前記配線引き出
し部に設けられたシール構造は、弾性体からなる環状の
シールパッキングであること。従って、この技術的思想
２に記載の発明によれば、シールパッキングに挿通され
た配線と配線引き出し部との間に隙間ができにくくな
り、装置外部への流体の漏れ出しがより確実に防止さ
れ、密閉性が向上する。

【００５２】（３） 請求項１〜５、技術的思想１，２
のいずれか１つにおいて、前記流体はエア（空気）であ
ること。従って、この技術的思想３に記載の発明によれ
ば、低反応性であり抵抗体間ショートの心配がなく、か
つ低コスト化にも有利である。

【００５３】（４） 請求項１〜５、技術的思想１〜３
のいずれか１項に記載のホットプレートユニットにおい
て、前記ケーシングには、ケーシング内の流体を外部へ
排出する流体排出ポートが形成されていること。従っ
て、この技術的思想４に記載の発明によれば、ケーシン
グ内に供給された流体を流体排出ポートから外部に流出
させることができる。このため、ホットプレートをより
短時間のうちに冷却させることができる。

【００５４】

【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
ホットプレート全体を短時間で均一に冷却することがで
きる。

【００５５】請求項４，５に記載の発明によれば、ケー
シング内を密閉空間とすることができる。よって、装置
外部への流体の漏れ出しが防止され、前記空間により高
い密閉性を確保することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施形態のホットプレートユニットを示す概略
断面図。

【図２】同じくその部分拡大断面図。

【図３】他の実施形態のホットプレートユニットを示す
概略断面図。

【図４】（ａ），（ｂ）は、他の実施形態のホットプレ
ートユニットを示す概略平面図。

【符号の説明】

１…ホットプレートユニット、２…ケーシング、３…ホ
ットプレート、４…開口部、７…配線引き出し部として
の配線引出用孔、８…シール構造としてのシールパッキ
ング、１０…抵抗体としての抵抗パターン、１４…シー
ル構造としてのシールリング、１７…流体供給ポート、
１８…流体排出ポート、Ｓ１…空間。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 3K034 AA02 AA03 AA08 AA10 AA21 AA34 AA37 BB06 BB14 BC12 BC29 CA15 CA26 EA06 EA07 FA03 FA04 FA05 FA26 FA27 GA02 HA01 HA10 5F046 KA04 KA10

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】有底状をしたケーシングの開口部に、抵抗
   体を有するホットプレートを設置してなるホットプレー
   トユニットであって、前記ケーシングには、その内外を
   連通させる流体供給ポートが形成されていることを特徴
   とするホットプレートユニット。
2. 【請求項２】前記流体供給ポートは、前記ケーシングの
   底部に形成されていることを特徴とする請求項１に記載
   のホットプレートユニット。
3. 【請求項３】前記流体供給ポートは、複数個形成されて
   いることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の
   ホットプレートユニット。
4. 【請求項４】前記ケーシングの開口部の上縁と前記ホッ
   トプレートの下面外周部との間には、シール構造が設け
   られていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１
   項に記載のホットプレートユニット。
5. 【請求項５】前記ケーシングにおける配線引き出し部に
   は、シール構造が設けられていることを特徴とする請求
   項１〜４のいずれか１項に記載のホットプレートユニッ
   ト。