JP2008187126A - 加熱装置、加熱方法及び記憶媒体 - Google Patents
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- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims abstract description 270
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 238000003860 storage Methods 0.000 title claims description 11
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 82
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 71
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 47
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 41
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 168
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 32
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 25
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 18
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 13
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 13
- 230000008859 change Effects 0.000 description 12
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 12
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 230000009471 action Effects 0.000 description 6
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 6
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 6
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WNEODWDFDXWOLU-QHCPKHFHSA-N 3-[3-(hydroxymethyl)-4-[1-methyl-5-[[5-[(2s)-2-methyl-4-(oxetan-3-yl)piperazin-1-yl]pyridin-2-yl]amino]-6-oxopyridin-3-yl]pyridin-2-yl]-7,7-dimethyl-1,2,6,8-tetrahydrocyclopenta[3,4]pyrrolo[3,5-b]pyrazin-4-one Chemical compound C([C@@H](N(CC1)C=2C=NC(NC=3C(N(C)C=C(C=3)C=3C(=C(N4C(C5=CC=6CC(C)(C)CC=6N5CC4)=O)N=CC=3)CO)=O)=CC=2)C)N1C1COC1 WNEODWDFDXWOLU-QHCPKHFHSA-N 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 229920006231 aramid fiber Polymers 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000007888 film coating Substances 0.000 description 1
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 1
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000036962 time dependent Effects 0.000 description 1
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
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- F27B17/00—Furnaces of a kind not covered by any preceding group
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Mechanical Engineering (AREA)
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Abstract
【解決手段】加熱処理装置1は側方に開口部を備えた扁平な加熱室3内にほぼ水平に基板Wを搬入してこの基板Wの加熱処理を行う。加熱室3は加熱手段34a、35aを備えた熱板34、35とこの熱板を冷却する冷却手段2とを備えており、制御手段7は基板Wの加熱処理を終えた後、次の基板W搬入される前に熱板34、35を降温させるように冷却手段2を制御し、次の基板を加熱室3内に搬入した後、加熱処理温度まで熱板34、34を昇温するように加熱手段を制御する。
【選択図】図2
Description
この加熱室内に、基板と対向するように設けられた加熱処理用の熱板と、
この熱板を加熱するための加熱手段と、
前記熱板を冷却するための冷却手段と、
前記処理容器内に設けられ、前記加熱室の開口部と隣接する待機位置と、前記熱板に対向する加熱処理位置と、の間で基板を搬送する搬送手段と、
基板の加熱処理を終えた後、次の基板が前記加熱室内に搬入される前に熱板を降温させるように前記冷却手段を制御し、次の基板を前記加熱室内に搬入した後、加熱処理温度まで熱板を昇温するように前記加熱手段を制御する制御手段と、を備えたことを特徴とする。
前記加熱室に設けられた熱板により、前記加熱室に搬入された基板に加熱処理する工程と、
基板の加熱処理を終えた後、次の基板が前記加熱室に搬入される前に熱板を降温させる工程と、
次の基板を前記加熱室内に搬入した後、加熱処理温度まで熱板を昇温する工程と、を含むことを特徴とする。
前記コンピュータプログラムは、上述の何れか一つに記載された加熱方法を実施するようにステップ群が組まれていることを特徴とする。
図1〜図4にて説明したものとほぼ同様の構成の加熱処理装置1を用いてウエハWの加熱処理を行い、ウエハW平均温度及びウエハWの先後端間の温度差の経時変化を確認した。実験1では、熱板34、35が130℃の一定温度に加熱された加熱室3内に、12インチのウエハWを30cm/秒の速さで搬入し、上述の各温度の経時変化を計測した。
実験1と同様の加熱処理装置1を用い、熱板34、35の温度を変化させて搬入直後のウエハWの先後端間の温度差の変化を計測した。この他の条件は実験1と同様である。
(実施例) 熱板34、35の温度を105℃とした。
(比較例1)熱板34、35の温度を115℃とした。
(比較例2)熱板34、35の温度を130℃とした。
1 加熱処理装置
2 冷却機構
3 加熱室
4 冷却プレート
5 搬送手段
7 制御部
10 処理容器
10a 搬入出口
10c シャッタ
11 基台
12 ガス吐出部
12a 吐出口
13 ガス供給源
13a ガス供給管
14 伝熱板
14a ヒートパイプ
21a、21b
冷却室
22a、22b
冷媒供給管
23a、23b
冷媒排気管
24 噴出し口
25 排気口
26 冷媒供給源
31 開口部
32 側壁部
33 隙間部
34、35 熱板
34a、35a
ヒータ
36 ヒータコントローラ
41 溝部
42 昇降機構
43 支持ピン
44 切り欠き部
51A、51B
ワイヤ
52A、52B
ワイヤ支持部
53 移動機構
54 基体
55A、55B
ガイドレール
56 駆動部
57 ビーズ部材
58 遮蔽板
61 排気部
61a 排気口
62 ファン
63 排気管
Claims (9)
- 処理容器内に設けられ、側方側の開口部よりほぼ水平に搬入された基板を加熱処理するための加熱室と、
この加熱室内に、基板と対向するように設けられた加熱処理用の熱板と、
この熱板を加熱するための加熱手段と、
前記熱板を冷却するための冷却手段と、
前記処理容器内に設けられ、前記加熱室の開口部と隣接する待機位置と、前記熱板に対向する加熱処理位置と、の間で基板を搬送する搬送手段と、
基板の加熱処理を終えた後、次の基板が前記加熱室内に搬入される前に熱板を降温させるように前記冷却手段を制御し、次の基板を前記加熱室内に搬入した後、加熱処理温度まで熱板を昇温するように前記加熱手段を制御する制御手段と、を備えたことを特徴とする加熱処理装置。 - 前記制御手段は、基板が前記加熱室内へ搬入された後、前記熱板を加熱処理温度より高い温度まで昇温し、次いで加熱処理温度に維持するように前記加熱手段を制御することを特徴とする請求項1に記載の加熱処理装置。
- 前記熱板は、カーボン製であることを特徴とする請求項1または2に記載の加熱処理装置。
- 前記基板は、前記搬送装置により前記加熱室内に搬入された高さ位置のまま加熱処理されることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一つに記載の加熱処理装置。
- 前記搬送手段は、複数本のワイヤであることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一つに記載の加熱処理装置。
- 処理容器内に設けられた加熱室の側方側の開口部よりほぼ水平に基板を搬入する工程と、
前記加熱室に設けられた熱板により、前記加熱室に搬入された基板に加熱処理する工程と、
基板の加熱処理を終えた後、次の基板が前記加熱室に搬入される前に熱板を降温させる工程と、
次の基板を前記加熱室内に搬入した後、加熱処理温度まで熱板を昇温する工程と、を含むことを特徴とする基板の加熱処理方法。 - 基板を前記加熱室内に搬入する工程の後、この基板を加熱処理する工程の前に、前記熱板を加熱処理温度より高い温度まで昇温し、次いで加熱処理温度に維持する工程を更に含むことを特徴とする請求項6に記載の基板の加熱方法。
- 前記基板を加熱処理する工程は、当該基板を前記加熱室内に搬入した高さ位置のままで行うことを特徴とする請求項6または7に記載の加熱方法。
- 処理容器内に設けられ、側方側から基板を搬入出するための開口部と、この基板を下方側から加熱するように設けられた熱板と、を有する加熱室を備えた加熱装置に用いられるコンピュータプログラムを格納した記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、請求項6ないし8の何れか一つに記載された加熱方法を実施するようにステップ群が組まれていることを特徴とする記憶媒体。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007021355A JP4840168B2 (ja) | 2007-01-31 | 2007-01-31 | 加熱装置、加熱方法及び記憶媒体 |
US12/020,898 US20080182217A1 (en) | 2007-01-31 | 2008-01-28 | Heating device, heating method and storage medium |
KR1020080009606A KR20080071929A (ko) | 2007-01-31 | 2008-01-30 | 가열 장치, 가열 방법 및 기억 매체 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007021355A JP4840168B2 (ja) | 2007-01-31 | 2007-01-31 | 加熱装置、加熱方法及び記憶媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008187126A true JP2008187126A (ja) | 2008-08-14 |
JP4840168B2 JP4840168B2 (ja) | 2011-12-21 |
Family
ID=39668398
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007021355A Expired - Fee Related JP4840168B2 (ja) | 2007-01-31 | 2007-01-31 | 加熱装置、加熱方法及び記憶媒体 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20080182217A1 (ja) |
JP (1) | JP4840168B2 (ja) |
KR (1) | KR20080071929A (ja) |
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- 2007-01-31 JP JP2007021355A patent/JP4840168B2/ja not_active Expired - Fee Related
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2008
- 2008-01-28 US US12/020,898 patent/US20080182217A1/en not_active Abandoned
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Publication number | Publication date |
---|---|
US20080182217A1 (en) | 2008-07-31 |
JP4840168B2 (ja) | 2011-12-21 |
KR20080071929A (ko) | 2008-08-05 |
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