JPH01111329A - レジスト硬化装置の制御装置 - Google Patents
レジスト硬化装置の制御装置Info
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- JPH01111329A JPH01111329A JP26806487A JP26806487A JPH01111329A JP H01111329 A JPH01111329 A JP H01111329A JP 26806487 A JP26806487 A JP 26806487A JP 26806487 A JP26806487 A JP 26806487A JP H01111329 A JPH01111329 A JP H01111329A
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- Japan
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- control
- wafer
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- induction heating
- curing device
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Links
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- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 11
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Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
(産業上の利用分野)
本発明は、半導体ウェハ表面のエツチング用フォトレジ
ストを紫外線照射と誘導加熱を並用して効率よく硬化さ
せるレジスト硬化装置の制御装置に関するものである。
ストを紫外線照射と誘導加熱を並用して効率よく硬化さ
せるレジスト硬化装置の制御装置に関するものである。
(従来の技術)
高集積LSIを含む半導体の製造工程で微細な寸法を精
度よくエツチングするためには、レジストの変形やエツ
チングによる消耗が無視できず、このためエツチングに
入る前にレジストを硬化する必要がある。
度よくエツチングするためには、レジストの変形やエツ
チングによる消耗が無視できず、このためエツチングに
入る前にレジストを硬化する必要がある。
この場合、レジスト硬化のスループット、耐エツチング
特性および作業性の向上をはかるために、ウェハの昇温
降温のスピードアップ、温度サイクル中の待ち時間の減
少、温度サイクルの再現性の向上、ウェハ搬送時間の短
縮、UV (紫外線)ランプの調光制御の簡易性、プロ
セス定数の設定の容易性、トラブルへの迅速な対応、ウ
ェハごとのデータ表示、装置のコンパクト化などが要求
される。
特性および作業性の向上をはかるために、ウェハの昇温
降温のスピードアップ、温度サイクル中の待ち時間の減
少、温度サイクルの再現性の向上、ウェハ搬送時間の短
縮、UV (紫外線)ランプの調光制御の簡易性、プロ
セス定数の設定の容易性、トラブルへの迅速な対応、ウ
ェハごとのデータ表示、装置のコンパクト化などが要求
される。
(発明が解決しようとする問題点)
本発明は、高圧水銀灯による強力な照射、誘導加熱によ
る正確な温度制御と急速加熱、2トレー方式による待時
間の低減をはかったレジスト硬化工程をマイコンと制御
ロジックを組合せて工程ごとに分散制御し、これによっ
てスループット、耐エツチング特性および作業性を向上
できるコンパクトなレジスト硬化装置の制御装置を提供
することを目的としている。
る正確な温度制御と急速加熱、2トレー方式による待時
間の低減をはかったレジスト硬化工程をマイコンと制御
ロジックを組合せて工程ごとに分散制御し、これによっ
てスループット、耐エツチング特性および作業性を向上
できるコンパクトなレジスト硬化装置の制御装置を提供
することを目的としている。
(問題点を解決するための手段と作用)本発明は、半導
体ウェハ表面のエツチング用フォトレジストを紫外線照
射および誘導加熱によって硬化させる2トレー方式のレ
ジスト硬化装置の制御装置において、紫外線照射制御、
誘導加熱温度制御、ホットプレートおよびクールプレー
ト制御、ウェハローダ制御、ウェハアンローダ制御、バ
イパスベルト制御などを行うそれぞれのマイコン制御基
板またはシーケンサを設けて各工程ごとに分散制御する
と共に、全体を総括制御するメインマイコンを設けて総
括制御および監視表示を行い、これによって効率的なU
V照射、誘導加熱による急速加熱および正確な温度制御
、2トレー方式による待時間の低減をはかり、コンパク
トな制御装置によってスループットの向上、耐ドライエ
ツチング特性の向上および作業性の向上をはなっている
。
体ウェハ表面のエツチング用フォトレジストを紫外線照
射および誘導加熱によって硬化させる2トレー方式のレ
ジスト硬化装置の制御装置において、紫外線照射制御、
誘導加熱温度制御、ホットプレートおよびクールプレー
ト制御、ウェハローダ制御、ウェハアンローダ制御、バ
イパスベルト制御などを行うそれぞれのマイコン制御基
板またはシーケンサを設けて各工程ごとに分散制御する
と共に、全体を総括制御するメインマイコンを設けて総
括制御および監視表示を行い、これによって効率的なU
V照射、誘導加熱による急速加熱および正確な温度制御
、2トレー方式による待時間の低減をはかり、コンパク
トな制御装置によってスループットの向上、耐ドライエ
ツチング特性の向上および作業性の向上をはなっている
。
(実施例)
本発明の一実施例を第1図および第2図に示す。
第1図はそのシステム構成を示す配置図、第2図はその
電装系を示す系統図である。
電装系を示す系統図である。
第1図において、31は中央にあるウェハ硬化処理室(
チェンバ)、32は2トレー式のホットプレートフレー
ム、33はそれぞれウェハを載せて加熱する2枚のホッ
トプレート、34は左右両側の冷却室にあるホットプレ
ート冷却用のクールプレート、35、39は左右両側に
あるウェハ出入用ゲート、36゜40はウェハの搬送ベ
ルト、37.41はウェハ出入用ムービンクアーム、3
8はウェハローダ、42はウェハアンローダ、43はウ
ェハを両側のゲートから選択してロードまたはアンロー
ドするためのバイパスベルトである。
チェンバ)、32は2トレー式のホットプレートフレー
ム、33はそれぞれウェハを載せて加熱する2枚のホッ
トプレート、34は左右両側の冷却室にあるホットプレ
ート冷却用のクールプレート、35、39は左右両側に
あるウェハ出入用ゲート、36゜40はウェハの搬送ベ
ルト、37.41はウェハ出入用ムービンクアーム、3
8はウェハローダ、42はウェハアンローダ、43はウ
ェハを両側のゲートから選択してロードまたはアンロー
ドするためのバイパスベルトである。
ホットプレートフレーム32は各ウェハの処理ごとに左
右にスライドされ、2つのホットプレート33を交互に
中央の処理室と両側の冷却室との間に移動させる。
右にスライドされ、2つのホットプレート33を交互に
中央の処理室と両側の冷却室との間に移動させる。
ホットプレート33はクリアカーボンで構成されており
、中央の処理室で電磁コイルによって誘導加熱され、こ
れによってウェハを急速加熱する。
、中央の処理室で電磁コイルによって誘導加熱され、こ
れによってウェハを急速加熱する。
また、中央の処理室には図示しない紫外線照射装置があ
り、Uv光の照射によってレジストの表面硬化を行う。
り、Uv光の照射によってレジストの表面硬化を行う。
両側にあるクールプレート34はそれぞれ内部に冷却水
を循環させ、冷却室に移動してきたホットプレート33
を冷却すると共に、ウェハのハンドリングを行う。
を循環させ、冷却室に移動してきたホットプレート33
を冷却すると共に、ウェハのハンドリングを行う。
以上の構成を用いることによって、1つのウェハが一方
のプレート上でレジスト表面硬化のためのUV光照射工
程およびレジスト内部を硬化させる昇温工程が行われる
間に、前のウェハの冷却および次のウェハの挿入が待時
間なく行われ、これによってスループットの向上、耐エ
ツチング特性の向上を効率的に行うことが可能となる。
のプレート上でレジスト表面硬化のためのUV光照射工
程およびレジスト内部を硬化させる昇温工程が行われる
間に、前のウェハの冷却および次のウェハの挿入が待時
間なく行われ、これによってスループットの向上、耐エ
ツチング特性の向上を効率的に行うことが可能となる。
第2図において、lはメインマイコンであり、インタフ
ェース7を介して各マイコン基板、ドライバ基板の動作
を全体的に制御するCPUとして機能し、各基板への指
令および状態チエツクをコマンドの送出と応答により行
い、また直接的にはバイパスベルトドライバ19の制御
を行う。
ェース7を介して各マイコン基板、ドライバ基板の動作
を全体的に制御するCPUとして機能し、各基板への指
令および状態チエツクをコマンドの送出と応答により行
い、また直接的にはバイパスベルトドライバ19の制御
を行う。
2はUVランプ制御マイコン基板であり、Uvランプ1
4の点灯、消灯、全光、調光の制御を行い、またUvラ
ンプ側から異常状態をメインマイコン1に伝送する。
4の点灯、消灯、全光、調光の制御を行い、またUvラ
ンプ側から異常状態をメインマイコン1に伝送する。
・ 3はチェンバ制御マイコン基板であり、ホットプレ
ートのスライド、ゲートの開閉、クールプレートの上、
中、下3段駆動、ホットプレートのバキュムチャック動
作などの制御をメインマイコン1からの指令によって実
行する 4は電磁コイ、小制御マイコン基板であり、電磁誘導コ
イルの加熱制御および2枚のホットプレートの受入温度
、加熱温度、保温温度などの温度監視を行う。
ートのスライド、ゲートの開閉、クールプレートの上、
中、下3段駆動、ホットプレートのバキュムチャック動
作などの制御をメインマイコン1からの指令によって実
行する 4は電磁コイ、小制御マイコン基板であり、電磁誘導コ
イルの加熱制御および2枚のホットプレートの受入温度
、加熱温度、保温温度などの温度監視を行う。
5はウェハローダ制御マイコン基板であり、口−ダ側の
エレベータとムービングアームを制御する。
エレベータとムービングアームを制御する。
6はウェハアンローダ制御マイコン基板であり。
アンローダ側のエレベータとムービングアームを制御す
る。
る。
8は表示ロジック基板であり、入カキ−の解析、処理お
よびデイスプレィ表示データの作成を行う。
よびデイスプレィ表示データの作成を行う。
9はプラズマプレイであり1表示面を3分割して、上か
ら表示画面のタイトル、内容、およびガイドメツセージ
を表示する610はキー操作ロジック基板であり、キー
トップが配置されている。また11は表示用電源バック
アップ用バッテリであり、停電時にバッファツブを行う
。
ら表示画面のタイトル、内容、およびガイドメツセージ
を表示する610はキー操作ロジック基板であり、キー
トップが配置されている。また11は表示用電源バック
アップ用バッテリであり、停電時にバッファツブを行う
。
12はスピーカであり、装置の故障や異常時にガイドメ
ツセージを知らせたり、10ツトの処理完了時にフリッ
ク音を発して知らせるなどの発声を行う。
ツセージを知らせたり、10ツトの処理完了時にフリッ
ク音を発して知らせるなどの発声を行う。
13はシーケンサであり、UVランプの点灯、消灯、全
光、調光のシーケンス制御および異常動作(水、ガス、
エアなどの供給断、ランプ部水漏れ、電源断など)検出
シーケンスを実行する。
光、調光のシーケンス制御および異常動作(水、ガス、
エアなどの供給断、ランプ部水漏れ、電源断など)検出
シーケンスを実行する。
15、16はアームドライバであり、それぞれムービン
グアーム37.41を駆動し、ウェハをエアで吸着して
ホットプレートに挿入したり、取出したりする。
グアーム37.41を駆動し、ウェハをエアで吸着して
ホットプレートに挿入したり、取出したりする。
17はプレートドライバであり、クールプレート34を
エアシリンダで上、中、下3段に駆動したり、ホットプ
レートのスライド、ホットプレート上のウェハのエア吸
引などの動作を行う。
エアシリンダで上、中、下3段に駆動したり、ホットプ
レートのスライド、ホットプレート上のウェハのエア吸
引などの動作を行う。
18はホットプレート温度センサであり、電磁誘°導に
よる加熱およびクールプレートによる冷却によるホット
プレートの温度を検出し、検出温度はプラズマデイスプ
レィ9に表示される。
よる加熱およびクールプレートによる冷却によるホット
プレートの温度を検出し、検出温度はプラズマデイスプ
レィ9に表示される。
19はバイパスベルトドライバであり、ウェハローダお
よびウェハアンローダとチェンバ内ホットプレートの位
置とをクロスしてウェハの出入れを行うためのもので、
搬送はモータ駆動、上下段昇降はエアシリンダによって
行われる。
よびウェハアンローダとチェンバ内ホットプレートの位
置とをクロスしてウェハの出入れを行うためのもので、
搬送はモータ駆動、上下段昇降はエアシリンダによって
行われる。
20は水、エア、ガス制御系であり、レジスト硬化工程
で使用する各種の処理ガスや空気、水(純水を含む)の
供給制御および監視を行う。
で使用する各種の処理ガスや空気、水(純水を含む)の
供給制御および監視を行う。
21はUVランプ電源、22は制御用直流電源である。
このように中央に全体を総括して制御するメインマイコ
ンを設けると共に各部の工程はそれぞれのマイコン基板
を介して分散制御することにより、2トレー方式のレジ
スト硬化装置を能率よく制御できるコンパクトな制御装
置が得られ、これによってスループット、耐エツチング
特性、および作業性の向上を実現することができる。
ンを設けると共に各部の工程はそれぞれのマイコン基板
を介して分散制御することにより、2トレー方式のレジ
スト硬化装置を能率よく制御できるコンパクトな制御装
置が得られ、これによってスループット、耐エツチング
特性、および作業性の向上を実現することができる。
以上説明したように、本発明によれば、2トレー方式の
レジスト硬化装置を中央のメインマイコンと各工程ごと
のマイコンロジックを用いて分散制御しているので、U
V照射の合理的なシーケンス制御、誘導加熱による正確
な温度制御と無接触な急速加熱、2トレー方式による待
時間の低減がコンパクトな電装系を用いて可能となり、
スループ、ットの向上、耐エツチング特性の向上および
作業性の向上を実現できる合理的なレジスト硬化装置の
制御装置が得られる。
レジスト硬化装置を中央のメインマイコンと各工程ごと
のマイコンロジックを用いて分散制御しているので、U
V照射の合理的なシーケンス制御、誘導加熱による正確
な温度制御と無接触な急速加熱、2トレー方式による待
時間の低減がコンパクトな電装系を用いて可能となり、
スループ、ットの向上、耐エツチング特性の向上および
作業性の向上を実現できる合理的なレジスト硬化装置の
制御装置が得られる。
第1図は本発明の一実施例を示すシステム構成図、第2
図は本発明の電装系の一例を示す系統図である。 1・・・メインマイコン 2・・・UVランプ制御マイコン基板 3・・・チェンバ制御マイコン基板 4・・・電磁コイル制御マイコン基板 5・・・ウェハローダ制御マイコン基板6・・・ウェハ
アンローダ制御マイコン基板7・・・インタフェース 8・・・表示ロジック基板 9・・・プラズマデイスプレィ 10・・・キー操作ロジック基板 11・・・バッテリ 12・・・スピーカ 13・・・シーケンサ 14・・・UVランプ 15.16・・・アームドライバ 17・・・プレートドライバ 18・・・ホットプレート温度センサ 19・・・バイパスベルトドライバ 20・・・水、エア、ガス制御系 21・・・UVランプ電源 22・・・制御用直流電源 31・・・チェンバ 32・・・ホットプレートフレーム 33・・・ホットプレート 34・・・クールプレート 35 、39・・・ゲート 36.40・・・ウェハ搬送ベルト 37.41・・・ムービングアーム 38・・・ウェハローダ 42・・・ウェハアンローダ 43・・・バイパスベルト (8733) 代理人 弁理士 猪 股 祥 晃(ほ
か1名)第1図
図は本発明の電装系の一例を示す系統図である。 1・・・メインマイコン 2・・・UVランプ制御マイコン基板 3・・・チェンバ制御マイコン基板 4・・・電磁コイル制御マイコン基板 5・・・ウェハローダ制御マイコン基板6・・・ウェハ
アンローダ制御マイコン基板7・・・インタフェース 8・・・表示ロジック基板 9・・・プラズマデイスプレィ 10・・・キー操作ロジック基板 11・・・バッテリ 12・・・スピーカ 13・・・シーケンサ 14・・・UVランプ 15.16・・・アームドライバ 17・・・プレートドライバ 18・・・ホットプレート温度センサ 19・・・バイパスベルトドライバ 20・・・水、エア、ガス制御系 21・・・UVランプ電源 22・・・制御用直流電源 31・・・チェンバ 32・・・ホットプレートフレーム 33・・・ホットプレート 34・・・クールプレート 35 、39・・・ゲート 36.40・・・ウェハ搬送ベルト 37.41・・・ムービングアーム 38・・・ウェハローダ 42・・・ウェハアンローダ 43・・・バイパスベルト (8733) 代理人 弁理士 猪 股 祥 晃(ほ
か1名)第1図
Claims (1)
- 半導体ウェハ表面のエッチング用フォトレジストを紫
外線照射および誘導加熱によって硬化させる2トレー方
式のレジスト硬化装置の制御装置において、紫外線照射
制御、誘導加熱温度制御、ホットプレートおよびクール
プレート制御、ウェハローダ制御、ウェハアンローダ制
御、バイパスベルト制御などを行うそれぞれのマイコン
制御基板またはシーケンサを設けて各工程びとに分散制
御すると共に、全体を総括制御するメインマイコンを設
けて総括制御および監視表示を行うことを特徴とするレ
ジスト硬化装置の制御装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26806487A JPH01111329A (ja) | 1987-10-26 | 1987-10-26 | レジスト硬化装置の制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26806487A JPH01111329A (ja) | 1987-10-26 | 1987-10-26 | レジスト硬化装置の制御装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01111329A true JPH01111329A (ja) | 1989-04-28 |
Family
ID=17453387
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP26806487A Pending JPH01111329A (ja) | 1987-10-26 | 1987-10-26 | レジスト硬化装置の制御装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01111329A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008187126A (ja) * | 2007-01-31 | 2008-08-14 | Tokyo Electron Ltd | 加熱装置、加熱方法及び記憶媒体 |
-
1987
- 1987-10-26 JP JP26806487A patent/JPH01111329A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008187126A (ja) * | 2007-01-31 | 2008-08-14 | Tokyo Electron Ltd | 加熱装置、加熱方法及び記憶媒体 |
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