JP2010159463A - インライン式プラズマcvd法及びその装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】減圧雰囲気下で基板を予備加熱する際に、予備加熱時間の短縮を可能にして省電力化及び置換ガスの費消の低減ができるインライン式プラズマCVD装置を提供すること。
【解決手段】外部に基板トレー5の搬入部及び搬出部並びに内部に所定容積の空間部を有し密閉された密閉室からなる予備加熱室2及び成膜室3がこの順に連設されて、基板トレー5に基板Wが収容されて、基板トレー5が予備加熱室2及び成膜室3へ連続して搬入及び搬出されて処理されるインライン式プラズマCVD装置1であって、予備加熱室2は、予備加熱室2の床面側に上下動可能に配設された第1の加熱ヒータH1と、予備加熱室2の外側にあって第1の加熱ヒータH1に連結されて加熱ヒータH1を基板トレー5に接触させると共に基板トレー5を昇降させる昇降機構E1と、この昇降機構E1を制御する制御手段Cとを有し、予備加熱室2は減圧装置P1に接続されている。
【選択図】 図2
【解決手段】外部に基板トレー5の搬入部及び搬出部並びに内部に所定容積の空間部を有し密閉された密閉室からなる予備加熱室2及び成膜室3がこの順に連設されて、基板トレー5に基板Wが収容されて、基板トレー5が予備加熱室2及び成膜室3へ連続して搬入及び搬出されて処理されるインライン式プラズマCVD装置1であって、予備加熱室2は、予備加熱室2の床面側に上下動可能に配設された第1の加熱ヒータH1と、予備加熱室2の外側にあって第1の加熱ヒータH1に連結されて加熱ヒータH1を基板トレー5に接触させると共に基板トレー5を昇降させる昇降機構E1と、この昇降機構E1を制御する制御手段Cとを有し、予備加熱室2は減圧装置P1に接続されている。
【選択図】 図2
Description
本発明は、インライン式プラズマCVD法及びその装置に係り、詳しくは所定雰囲気で基板を連続して処理できるインライン式プラズマCVD法において、所定雰囲気で予め基板を所定温度に加熱した後に、この基板上に所定の薄膜を形成するインライン式プラズマCVD法及びその装置に関するものである。
半導体の製造ラインには、基板上に所定の薄膜を形成する成膜装置が設置されている。この成膜装置には、所定雰囲気で基板を連続して処理できるインライン式プラズマCVD装置が知られている(例えば、下記特許文献1、2参照)。
例えば、下記特許文献1に開示されたインライン式プラズマCVD装置は、基板が搬入されて減圧(真空)下の雰囲気で基板に所定の処理をするロード室と、このロード室で処理された基板上に薄膜材料を構成する元素からなる一種または数種の化合物ガスを供給して化学反応によって基板上に所望の薄膜を形成する反応室と、この反応室で成膜された基板を冷却して外部へ取出すアンロード室とを備え、これらのロード室、反応室及びアンロード室を一列に配列して、基板を基板トレーに収容して、これらの室間に搬送して所定の処理をするようになっている。これらのロード室、反応室及びアンロード室のうち、ロード室は、真空ポンプに連結されるとともに、その内部の上下に一対の加熱ヒータが隙間をあけて固定されて、これらの固定された加熱ヒータ間に基板トレーに収容した基板を搬送して加熱処理するようになっている。
また、下記特許文献2に開示されたインライン式プラズマCVD装置は、ロード室で加熱される前に予備加熱して、さらにロード室でも加熱するようにしたものである。具体的には、基板を大気圧下の雰囲気で予備加熱する大気加熱炉と、大気加熱炉から搬送された基板を真空中で所定温度に加熱するロード室と、基板上に薄膜を形成する反応室と、基板を冷却して外部へ取出すアンロード室とを備え、これらの大気加熱炉、ロード室、反応室及びアンロード室を一列に配設して、基板を基板トレーに収容して、これらの炉及び室間を連続搬送して処理するようになっている。
この種のインライン式プラズマCVD装置は、反応室で成膜するときに、基板を高温度、例えば500℃程度に加熱する必要があるので、成膜する基板を予めロード室において高温に加熱するようになっている。この基板の加熱法は、上記特許文献1のプラズマCVD装置では、ロード室内を減圧状態にして、このロード室の上下に固定された加熱ヒータ間に基板を搬送し、この加熱ヒータ間に基板を通過させる過程で基板を加熱している。しかしながら、このプラズマCVD装置のように、固定された一対の加熱ヒータ間に基板を通過させて加熱する方法では、基板と加熱ヒータ間に隙間が空き、加熱ヒータの熱エネルギーがこの隙間空間を介して基板へ伝導されるので、この隙間間で熱エネルギー損失が生じて効率よく加熱することができず、また、減圧(真空)下で基板が加熱されるので、この減圧雰囲気では熱伝達が低くなり、基板の加熱時間が長くなる。
その結果、ロード室での処理時間が長くなり、そのために使用電力が多くなり、続く反応室での処理を含めた全体の処理時間が長くなるので、処理のランニングコストが高騰することになる。一方、この長く掛かる加熱処理時間を短縮しようとすると、ロード室の増設が想定されるが、そうすると増設するロード室及び各ロード室の付属機器などが必須となり、プラズマCVD装置が大型化しその重量も重くなり設置費用も高額化することになる。
また、上記特許文献2のプラズマCVD装置は、ロード室の前に大気加熱炉を配設して、この大気加熱炉で基板を大気圧雰囲気下で所定の温度に予備加熱し、その後、ロード室で所定の高温温度まで加熱している。このプラズマCVD装置によれば、ロード室に搬送する前に基板をある程度まで予備的に加熱することができ、基板の加熱温度が高く、またロード室において短時間で基板を所定温度に加熱することができる。しかしながら、このプラズマCVD装置は、大気加熱炉の設置が必要となるので、新たな設備が必要になり装置が大型化する。また、空気中で加熱すると基板が酸化してしまうので、不活性ガス雰囲気中で加熱している。大気圧下では不活性ガスを常に供給し内圧を陽圧にしなければならないので、不活性ガスの消費量が多くなってしまう欠点がある。
本発明は、このような従来技術の課題を解決するためになされたもので、本発明の目的は、減圧雰囲気下で基板を予備加熱する際に、予備加熱時間の短縮を可能にして省電力化及び置換ガスの費消の低減ができるインライン式プラズマCVD法及びその装置を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、上記目的を備えるとともに、成膜時において加熱温度及び電極間の調節ができるインライン式プラズマCVD法及びその装置を提供することにある。
上記目的を達成するために、本願の請求項1に記載のインライン式プラズマCVD法の発明は、予備加熱工程で基板を所定雰囲気で予備加熱した後に、続く次の薄膜工程で所定の成膜を形成するインライン式プラズマCVD法において、前記予備加熱工程では、減圧雰囲気下で第1の加熱ヒータを前記基板下面に接触させて該基板の一方の第1の面から加熱することを特徴とする。
請求項2の発明は、請求項1に記載のインライン式プラズマCVD法において、前記予備加熱工程は、前記第1の加熱ヒータを前記基板下面に接触させた状態で、該第1の加熱ヒータを第2の加熱ヒータ側へ移動し、その距離間を調節して、該第2の加熱ヒータで該基板の他方の第2の面からも加熱することを特徴とする。
請求項3の発明は、請求項2に記載のインライン式プラズマCVD法において、前記予備加熱工程は、前半と後半とに分けて、前半は前記第1の加熱ヒータに接触された前記基板と第2の加熱ヒータ間の距離を短縮して該基板を加熱し、後半は該距離を離して加熱することを特徴とする。
請求項4の発明は、請求項1に記載のインライン式プラズマCVD法において、前記成膜工程は、第3の加熱ヒータを前記基板に接触させて該基板の一方の第1の面から加熱することを特徴とする。
請求項5の発明は、請求項4に記載のインライン式プラズマCVD法において、前記成膜工程は、前記第3の加熱ヒータを前記基板に接触させた状態で高周波電極側へ移動し、その距離間を調節して成膜することを特徴とする。
請求項6の発明は、請求項1に記載のインライン式プラズマCVD法において、前記基板は、所定形状の基板トレーに収容して、前記予備加熱工程及び前記成膜工程へ搬送して処理することを特徴とする。
本願の請求項7に記載のインライン式プラズマCVD装置の発明は、外部に基板トレーの搬入部及び搬出部並びに内部に所定容積の空間部を有し密閉された密閉室からなる予備加熱室及び成膜室がこの順に連設されて、前記基板トレーに基板が収容されて、該基板トレーが前記予備加熱室及び前記成膜室へ連続して搬入及び搬出されて処理されるインライン式プラズマCVD装置において、前記予備加熱室は、該予備加熱室の床面側に上下動可能に配設された第1の加熱ヒータと、該予備加熱室の外側にあって前記第1の加熱ヒータに連結されて該加熱ヒータを前記基板トレーに接触させると共に該基板トレーを昇降させる昇降機構と、前記昇降機構を制御する制御手段とを有し、該予備加熱室は減圧装置に接続されていることを特徴とする。
請求項8の発明は、請求項7に記載のインライン式プラズマCVD装置において、前記予備加熱室は、天井部に熱照射型ヒータからなる第2の加熱ヒータが設けられていることを特徴とする。
請求項9の発明は、請求項8に記載のインライン式プラズマCVD装置において、前記制御手段は、前記予備加熱室において、該予備加熱処理を前半と後半とに分けて、前半は前記第1の加熱ヒータを前記基板トレーに接触させた状態で前記第2の加熱ヒータ側へ移動してその距離間を短縮し、後半は該距離を離して基板を加熱処理制御することを特徴とする。
請求項10の発明は、請求項7に記載のインライン式プラズマCVD装置において、前記成膜室は、該成膜室の床面側に上下動可能に配設された第3の加熱ヒータ及び該成膜室の外側にあって該第3の加熱ヒータに連結されて該加熱ヒータを前記基板トレーに接触させると共に該基板トレーを昇降させる昇降機構と、天井部に薄膜材料を構成する元素からなる一種または数種の化合物ガスを供給するガス供給口及び高周波電極と、前記昇降機構、前記ガス供給口へのガス供給及び高周波電極への高周波電源の供給を制御する制御手段とを有していることを特徴とする。
請求項11の発明は、請求項10に記載のインライン式プラズマCVD装置において、前記制御手段は、前記成膜室において、前記第3の加熱ヒータを前記基板に接触させた状態で高周波電極側へ移動し、その距離を調節して成膜することを特徴とする。
本発明は、上記構成を備えることにより、以下の優れた効果を奏する。すなわち、この発明のインライン式プラズマCVD法によれば、予備加熱工程及び成膜工程において、加熱ヒータを基板トレーに接触させて加熱するので、この基板トレーに収容された基板を熱損失を招くことなく効率よく加熱処理できる。特に、予備加熱工程では、加熱温度制御が容易になるとともに、置換ガスの使用量を低減できる。また、成膜工程においても、高周波電極との距離を調節して加熱温度の制御が可能になる。
また、この発明のインライン式プラズマCVD装置によれば、予備加熱室及び成膜室において、加熱ヒータを基板トレーに接触させて加熱できるので、基板トレーに収容した基板を熱損失を招くことなく効率よく加熱処理できる装置を提供できる。特に、予備加熱室では、加熱温度制御が容易になるとともに置換ガスの使用量を低減できる。また、成膜室においても、高周波電極との距離を調節して加熱温度の制御が可能になる。
以下、図面を参照して本発明の最良の実施形態を説明する。但し、以下に示す実施形態は、本発明の技術思想を具体化するためのインライン式プラズマCVD法及びその装置を例示するものであって、本発明をこのインライン式プラズマCVD法及びその装置に特定することを意図するものではなく、特許請求の範囲に含まれるその他の実施形態のものも等しく適応し得るものである。
まず、図1を参照して、本発明の実施形態に係るインライン式プラズマCVD法を説明する。なお、図1は本発明の実施形態に係るインライン式プラズマCVD法の概略工程図である。
本発明の実施形態に係るインライン式プラズマCVD法は、基板を所定温度に予め加熱する予備加熱工程Iと、この予備加熱工程Iで加熱された基板をさらに加熱し所定雰囲気で基板上に薄膜を形成する成膜工程IIと、この成膜工程IIで成膜された基板を冷却して外部へ取出す冷却工程IIIとを有し、基板はこれらの工程順に搬送されて所定の成膜がなされる。基板は所定形状の基板トレーに1枚乃至複数枚を収容して、予備加熱工程I及び成膜工程IIへ搬送して処理される。本発明は、これらの工程のうち、加熱処理に特徴を有し、他の成膜処理などは公知の方法となっているので、以下、加熱処理を詳述し、公知の方法はその概要を説明する。
予備加熱工程Iでは、所定大きさのロード室内などに上下動可能な第1の加熱ヒータを収容して、この加熱ヒータを昇降機構などで昇降できるようにして、このロード室へ搬送した基板トレーの下面に加熱ヒータを接触させて、減圧(真空)雰囲気下で基板を直接加熱する。この加熱方法によれば、第1の加熱ヒータを基板トレーに接触させて、基板トレーに収容した基板を裏面から直接加熱するので、加熱ヒータと基板との間に殆ど隙間がなく接触した状態での加熱となり、熱エネルギーの損失がなくなり、効率よく加熱することができる。第1の加熱ヒータは、基板トレーの裏面面積と略同じ大きさの面積を有する抵抗加熱式プレートヒータを用いるのが好ましい。また、昇降機構は、第1の加熱ヒータを基板トレーに接触させるだけでなく、この加熱ヒータを基板トレーに接触させた状態でこの基板トレーをも上方へ持上げるようにするのが好ましい。この持上げにより、後述する第2の加熱ヒータとの距離を調節して基板の加熱温度の制御が可能になる。また、基板トレーと対向する位置に第2の加熱ヒータを配設して、この加熱ヒータで基板の表面を加熱するのが好ましい。この方法によれば、基板を表裏面から同時に加熱することが可能になるので、より効率的に加熱ができて加熱時間を短縮できる。また、この第2の加熱ヒータには赤外線ランプヒータを用い、このランプヒータをロード室内などの天井面に固定するのが好ましい。天井にランプヒータを固定すると、第1の加熱ヒータ及び基板トレーの上下動により、基板トレーと第2のランプヒータとの距離の調節が可能になり基板の加熱温度を制御することができる。
また、予備加熱工程Iでは、制御装置により、その工程を前半と後半とに分けて、前半は第1の加熱ヒータに接触された基板トレーと第2の加熱ヒータ間の距離を短縮して、基板トレーに収容された基板を加熱し、後半はこの距離を離して加熱するのが好ましい。この方法によれば、工程の前半で基板を短時間で効率よく加熱できる。しかしながら、ランプヒータに近い基板と遠い基板とで温度差が生じてしまうので、後半の工程で加熱温度の均一性をはかり基板温度を均一にする。
さらに、この予備加熱工程Iでは、ロード室などで基板を減圧(真空)雰囲気下で処理するので、ロード室を希ガスで置換するときに、そのガスの使用量を低減できる。希ガスは、基板処理の汚染を防止するために使用しN2やHeなどを用いる。
成膜工程IIは、薄膜材料を構成する元素からなる一種または数種の化合物ガスを供給して化学反応によって所望の薄膜を形成する。この成膜工程IIでは、所定大きさの反応室内などの床面側に上下動可能な第3の加熱ヒータを収容するとともに天井側にガス供給口及び高周波電極を固定して、第3の加熱ヒータは、昇降機構などで昇降できるようにして、この反応室へ搬送された基板トレーの下面に加熱ヒータを接触させて基板を直接加熱する。反応室での成膜は、ガス供給口から薄膜材料を構成する元素からなる一種または数種の化合物ガスを反応室などに供給すると共に、高周波電源によって高周波電極を駆動させて、反応室内にグロー放電を起こさせてプラズマを発生させ基板に薄膜を形成する。なお、この反応室での成膜は、公知の方法により行うので、詳細な説明は省略する。また、成膜を積層する場合は、複数の反応室を連設して同様の処理を行って積層する。
この成膜工程によれば、第3の加熱ヒータを基板トレーに接触させて、基板トレーに収容した基板は裏面からの加熱になり、加熱ヒータと基板との間に殆ど隙間がなく直接加熱になるので、熱エネルギーの損失がなくなり、効率よく加熱することができる。昇降機構は、第3の加熱ヒータを基板トレーに接触させるだけでなく、この加熱ヒータを基板トレーに接触させた状態でこの基板トレーをも上方へ持上げるようにするのが好ましい。この持上げにより、高周波電極との距離を調節して、基板上に成膜される薄膜の膜質を制御することが可能になる。
成膜された基板は、次の冷却室へ搬送して、冷却された後に、外部へ搬出される。なお、この冷却室での処理も公知の方法で実施するので説明を省略する。
このインライン式プラズマCVD法によれば、予備加熱工程I及び成膜工程IIにおいて、加熱ヒータを基板トレーに接触させて加熱するので、この基板トレーに収容した基板を熱損失を招くことなく効率よく加熱処理できる。特に、予備加熱工程Iでは、加熱温度制御が容易になるとともに置換ガスの使用量を低減できる。また、成膜工程IIにおいても、高周波電極との距離を調節して、加熱温度の制御が可能になる。
次に、図2を参照して、図1のインライン式プラズマCVD法を採用したインライン式プラズマCVD装置を説明する。なお、図2は本発明の実施形態に係るインライン式プラズマCVD装置の概略図である。
本発明の実施形態に係るインライン式プラズマCVD装置1は、ロード室2と、一つ乃至複数の反応室3と、アンロード室4とを有し、これらの室は一列に配列した構成となっている。基板Wは、基板トレー5に1枚乃至複数枚収容されてロード室2、反応室3及びアンロード室4の順に略水平状態で搬送されて所定の処理がされて基板上に薄膜が形成される。なお、特許請求の範囲では、ロード室は予備加熱室及び反応室は成膜室と表現されている。
ロード室2は、所定大きさの略矩形状の底壁2aと、この底壁の周囲から所定高さ立設された側壁2b〜2eと、各側壁の頂部を覆う天井壁2fとを有し、内部に基板トレー5、搬送機構25及び所定のガスなどが収容される大きさの略直方体形状の密閉された箱状体、いわゆるチェンバーで構成されている。なお、側壁2eは図2の前方に設けられている。このチェンバーの一方の側壁2bには、基板トレー5が搬入される仕切弁21、及び他の側壁2cにも仕切弁22が設けられている。このロード室2は仕切弁22を介して反応室3に連結されている。他の反応室3及びアンロード室4もロード室2と略同じ形状のチェンバーで構成されている。
ロード室2は、内部の底壁2a面側に第1の加熱ヒータH1及び天井壁2f面に第2の加熱ヒータH2が設けられている。第2の加熱ヒータH2は、赤外線ランプヒータからなり、この赤外線ランプヒータは天井壁2fの内壁面に固定されている。また、第1の加熱ヒータH1は、基板トレー5の底面と略同じ大きさの抵抗加熱式プレートヒータからなり、このプレートヒータは、天井壁2fに向かって上下動可能になっている。
底壁2aには、所定大きさの貫通孔23が形成されて、これらの貫通孔23に第1の加熱ヒータH1を上下動させる作動部材24がシールされた状態で移動可能に挿通されるようになっている。使用状態では、チェンバー内を減圧(真空)するので、シールは真空を維持できるシール手段が使用されている。なお、このシール手段は公知のものを使用するので説明を省略する。ロード室2の底壁2aの下方に、昇降装置E1が設けられている。この昇降装置E1は、作動部材24を上下動させるようになっている。昇降装置E1は、制御手段Cによって制御される。
ロード室2は、真空バルブV1を介して真空ポンプP1に連結され、また、チェンバーリークバルブV2を介して大気と連結されるようになっている。また、このロード室2には、置換ガスを供給する装置が付設されているが省略されている。搬送機構25は、搬送ローラで構成されている。この搬送ローラは、基板トレー5がロード室2内に搬入される前は、プレートヒータH1上に位置して、基板トレー5を移動できるようになっている。また、この搬送ローラは、プレートヒータH1が昇降装置E1によって持上げられるときに、例えば、基板トレー5上に基板Wがない基板トレー5の端の部分のみローラ搬送するように、この昇降に支障を来たさないように設置されている。
ロード室2では、制御手段Cにより、加熱ヒータH1を基板トレー5に接触させるとともに、この基板トレー5を持ち上げて、第2の加熱ヒータH2との距離を調節して基板Wの加熱処理をする。この加熱処理により熱損失を招くことなく効率よく基板Wを加熱処理できる。
また、プレートヒータH1が昇降装置E1によって持上げられることを利用して、前半は第2の加熱ヒータH2に近づけて、より速く基板を昇温させる。
しかしながら、第2の加熱ヒータH2は、図2に示すように、とびとびに設置されているので、第2の加熱ヒータH2に近い基板はより早く昇温し、第2の加熱ヒータH2から遠い基板は昇温に時間がかかるような加熱の不均一性が生じてしまう。
そこで、基板の温度を均一にするために、後半は少し昇降装置E1の高さを下げて第2の加熱ヒータH2からの熱を均一に受けられるようにする。これにより、十分に昇温した基板も十分に昇温できなかった基板も均一に熱が与えられ、また、十分に昇温した基板の熱も周りに分散していくので、下部のプレートヒータH1の熱とともに均一に昇温できる。しかも、前半に不均一ながら速く昇温できるので、全体的にも昇温時間の短縮が可能となる。
ロード室2に隣接して反応室3が設けられている。この反応室3は、ロード室2と略同じ形状の箱状体、いわゆるチェンバーで構成されて、内部に第3の加熱ヒータH3、ガス供給口付き電極26及び搬送機構25が収容されている。ガス供給口付き電極26は、天井壁の内壁面に固定されている。このガス供給口付き電極26は、ガスバルブV5を介してガス供給源及び高周波電源27に接続されている。ガス供給源は、薄膜材料を構成する元素からなる一種または数種の化合物ガスとなっている。また、第3の加熱ヒータH3は、基板トレー5の底面と略同じ大きさの抵抗加熱式プレートヒータからなり、このプレートヒータは、昇降装置E2によって天井壁に向かって上下動可能になっている。昇降装置E2、プレートヒータH3及び搬送機構25は、ロード室のものと同じ構成となっている。さらに、この反応室3は、真空バルブV3を介して真空ポンプP2に連結され、また、チェンバーリークバルブV4を介して大気と連結されるようになっている。この反応室3では、予備加熱された基板Wが基板トレー5に収容され、第3の加熱ヒータH3が昇降装置E2で昇降されて、基板トレー5に接触させて加熱されて薄膜が形成される。反応室3での制御は制御手段Cによって行われる。
薄膜が形成されると、基板Wは基板トレー5と共に次のアンロード室4に搬送されて冷却され仕切弁41から搬出される。このアンロード室4には、ロード室2と同様に真空バルブV6を介して真空ポンプP3に連結され、また、チェンバーリークバルブV7を介して大気と連結されている。
このインライン式プラズマCVD装置によれば、装置を大型化することなく、基板を効率よく加熱処理して成膜することができる。特に、ロード室において、第1の加熱ヒータH1を基板トレー5に接触させて、基板トレー5に収容した基板Wを裏面から加熱するので、加熱ヒータと基板との間に殆ど隙間がなく直接加熱となり、熱エネルギーの損失がなくなり、効率よく加熱することができる。また、第2の加熱ヒータH2との距離を調節して基板加熱温度及び加熱の不均一性の制御が可能になる。また、反応室においても高周波電極との距離を調節して膜質の制御が可能になる。
I 予備加熱工程
II 成膜工程
III 冷却工程
1 インライン式プラズマCVD装置
2 ロード室(予備加熱室)
3 反応室(成膜室)
4 アンロード室
5 基板トレー
21、22、31、41 仕切弁
24 作動部材
25 搬送機構
26 ガス供給口付き電極
27 高周波電源
E1、E2 昇降装置
P1、P2、P3 真空ポンプ
H1 第1の加熱ヒータ(プレートヒータ)
H2 第2の加熱ヒータ
H3 第3の加熱ヒータ
II 成膜工程
III 冷却工程
1 インライン式プラズマCVD装置
2 ロード室(予備加熱室)
3 反応室(成膜室)
4 アンロード室
5 基板トレー
21、22、31、41 仕切弁
24 作動部材
25 搬送機構
26 ガス供給口付き電極
27 高周波電源
E1、E2 昇降装置
P1、P2、P3 真空ポンプ
H1 第1の加熱ヒータ(プレートヒータ)
H2 第2の加熱ヒータ
H3 第3の加熱ヒータ
Claims (11)
- 予備加熱工程で基板を所定雰囲気で予備加熱した後に、続く次の薄膜工程で所定の成膜を形成するインライン式プラズマCVD法において、
前記予備加熱工程では、減圧雰囲気下で第1の加熱ヒータを前記基板下面に接触させて該基板の一方の第1の面から加熱することを特徴とするインライン式プラズマCVD法。 - 前記予備加熱工程は、前記第1の加熱ヒータを前記基板下面に接触させた状態で、該第1の加熱ヒータを第2の加熱ヒータ側へ移動し、その距離間を調節して、該第2の加熱ヒータで該基板の他方の第2の面からも加熱することを特徴とする請求項1に記載のインライン式プラズマCVD法。
- 前記予備加熱工程は、前半と後半とに分けて、前半は前記第1の加熱ヒータに接触された前記基板と第2の加熱ヒータ間の距離を短縮して該基板を加熱し、後半は該距離を離して加熱することを特徴とする請求項2に記載のインライン式プラズマCVD法。
- 前記成膜工程は、第3の加熱ヒータを前記基板に接触させて該基板の一方の第1の面から加熱することを特徴とする請求項1に記載のインライン式プラズマCVD法。
- 前記成膜工程は、前記第3の加熱ヒータを前記基板に接触させた状態で高周波電極側へ移動し、その距離間を調節して成膜することを特徴とする請求項4に記載のインライン式プラズマCVD法。
- 前記基板は、所定形状の基板トレーに収容して、前記予備加熱工程及び前記成膜工程へ搬送して処理することを特徴とする請求項1に記載のインライン式プラズマCVD法。
- 外部に基板トレーの搬入部及び搬出部並びに内部に所定容積の空間部を有し密閉された密閉室からなる予備加熱室及び成膜室がこの順に連設されて、前記基板トレーに基板が収容されて、該基板トレーが前記予備加熱室及び前記成膜室へ連続して搬入及び搬出されて処理されるインライン式プラズマCVD装置において、
前記予備加熱室は、該予備加熱室の床面側に上下動可能に配設された第1の加熱ヒータと、該予備加熱室の外側にあって前記第1の加熱ヒータに連結されて該加熱ヒータを前記基板トレーに接触させると共に該基板トレーを昇降させる昇降機構と、前記昇降機構を制御する制御手段とを有し、該予備加熱室は減圧装置に接続されていることを特徴とするインライン式プラズマCVD装置。 - 前記予備加熱室は、天井部に熱照射型ヒータからなる第2の加熱ヒータが設けられていることを特徴とする請求項7に記載のインライン式プラズマCVD装置。
- 前記制御手段は、前記予備加熱室において、該予備加熱処理を前半と後半とに分けて、前半は前記第1の加熱ヒータを前記基板トレーに接触させた状態で前記第2の加熱ヒータ側へ移動してその距離間を短縮し、後半は該距離を離して基板を加熱処理制御することを特徴とする請求項8に記載のインライン式プラズマCVD装置。
- 前記成膜室は、該成膜室の床面側に上下動可能に配設された第3の加熱ヒータ及び該成膜室の外側にあって該第3の加熱ヒータに連結されて該加熱ヒータを前記基板トレーに接触させると共に該基板トレーを昇降させる昇降機構と、天井部に薄膜材料を構成する元素からなる一種または数種の化合物ガスを供給するガス供給口及び高周波電極と、前記昇降機構、前記ガス供給口へのガス供給及び高周波電極への高周波電源の供給を制御する制御手段とを有していることを特徴とする請求項7に記載のインライン式プラズマCVD装置。
- 前記制御手段は、前記成膜室において、前記第3の加熱ヒータを前記基板に接触させた状態で高周波電極側へ移動し、その距離を調節して成膜することを特徴とする請求項10に記載のインライン式プラズマCVD装置。
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