JPH0268921A - レジスト処理装置 - Google Patents
レジスト処理装置Info
- Publication number
- JPH0268921A JPH0268921A JP63220243A JP22024388A JPH0268921A JP H0268921 A JPH0268921 A JP H0268921A JP 63220243 A JP63220243 A JP 63220243A JP 22024388 A JP22024388 A JP 22024388A JP H0268921 A JPH0268921 A JP H0268921A
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- JP
- Japan
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- hot plate
- wafer
- resist
- heat treatment
- treated
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- Pending
Links
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 29
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 15
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 12
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 6
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 1
- 239000013557 residual solvent Substances 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はレジスト処理装置に関する。
［従来の技術及び発明が解決すべき課題］従来、ウェハ
上に半導体集積回路素子のパターンを形成するレジスト
処理工程はウェハ上に形成されたシリコンのＰ形結晶あ
るいはＮ形結晶膜上に感光性を有するレジストを塗布す
る塗布工程と、これに所望のパターンを描いたマスクを
のせ露光する露光工程と、露光により感光したレジスト
を現像液で処理することにより余分なレジストを除去す
る現像工程とから成り、これらの工程を繰り返しながら
Ｐ形結晶、Ｎ形結晶を積石して所望の回路素子を形成し
ている。
上に半導体集積回路素子のパターンを形成するレジスト
処理工程はウェハ上に形成されたシリコンのＰ形結晶あ
るいはＮ形結晶膜上に感光性を有するレジストを塗布す
る塗布工程と、これに所望のパターンを描いたマスクを
のせ露光する露光工程と、露光により感光したレジスト
を現像液で処理することにより余分なレジストを除去す
る現像工程とから成り、これらの工程を繰り返しながら
Ｐ形結晶、Ｎ形結晶を積石して所望の回路素子を形成し
ている。
これらのレジスト処理工程において、レジスト塗布工程
では、レジスト塗布の前処理としてウェハの乾燥のため
のデバイトレージョンベーク、また後処理として塗布膜
中の残留溶剤の蒸発と塗布膜とウェハの密着性強化のた
めにプリベークと称する熱処理を行っている。また、露
光済のウェハの現像工程では、現像処理の前処理として
単一波長光で露光した場合の定在波効果によるレジスト
側壁の変形を軽減するためのポストエクスポージャーベ
ークまた後処理として、レジスト膜中又は表面に残留し
た現像液、リンス液を蒸発除去するためのポストベーク
、あるいはレジスト膜の硬化及びウェハとの密着性強化
を行うハードベーク等、多くのベーキング装置で熱処理
が行われている。
では、レジスト塗布の前処理としてウェハの乾燥のため
のデバイトレージョンベーク、また後処理として塗布膜
中の残留溶剤の蒸発と塗布膜とウェハの密着性強化のた
めにプリベークと称する熱処理を行っている。また、露
光済のウェハの現像工程では、現像処理の前処理として
単一波長光で露光した場合の定在波効果によるレジスト
側壁の変形を軽減するためのポストエクスポージャーベ
ークまた後処理として、レジスト膜中又は表面に残留し
た現像液、リンス液を蒸発除去するためのポストベーク
、あるいはレジスト膜の硬化及びウェハとの密着性強化
を行うハードベーク等、多くのベーキング装置で熱処理
が行われている。
これらのベーキング装置は、抵抗加熱方式、赤外線加熱
方式、マイクロ波加熱方式、熱風加熱方式等があり、抵
抗加熱方式はホットプレート上にウェハを一枚ずつバー
またはワイヤにて搬送し、吸着させて加熱を行うため、
装置として簡単であるため多く採用されている。
方式、マイクロ波加熱方式、熱風加熱方式等があり、抵
抗加熱方式はホットプレート上にウェハを一枚ずつバー
またはワイヤにて搬送し、吸着させて加熱を行うため、
装置として簡単であるため多く採用されている。
しかし、第３図の斜視図に示す塗布装置のように複数の
ホットプレート１，２．３が並列されて、同一の条件の
塗布前処理加熱が行われる場合、ウェハＷは搬送ワイヤ
４で載置され搬送ワイヤ４が上昇してワンステップずつ
搬送されるため、ホットプレート１及び２で加熱処理済
のウェハでもコータ５に搬送される前にホットプレート
２．３に再々載置されながら搬送される。そのため、ウ
ェハＷ１及びＷ２は過剰に加熱されてしまうという欠点
があった。また、塗布あるいは現像工程でウェハによっ
ては前処理のベークが不必要な場合でもホットプレート
上に載置しなければ次工程に搬送できないという欠点が
あった。
ホットプレート１，２．３が並列されて、同一の条件の
塗布前処理加熱が行われる場合、ウェハＷは搬送ワイヤ
４で載置され搬送ワイヤ４が上昇してワンステップずつ
搬送されるため、ホットプレート１及び２で加熱処理済
のウェハでもコータ５に搬送される前にホットプレート
２．３に再々載置されながら搬送される。そのため、ウ
ェハＷ１及びＷ２は過剰に加熱されてしまうという欠点
があった。また、塗布あるいは現像工程でウェハによっ
ては前処理のベークが不必要な場合でもホットプレート
上に載置しなければ次工程に搬送できないという欠点が
あった。
また、搬送ワイヤ４を設けることにより、ホットプレー
ト１．２．３に溝を設けなければならずそのため、ウェ
ハＷに熱分布が生じ均一な加熱ができないという欠点が
あった。
ト１．２．３に溝を設けなければならずそのため、ウェ
ハＷに熱分布が生じ均一な加熱ができないという欠点が
あった。
本発明は上記のような欠点を解消し、熱処理時被処理体
を直接ホットプレート上に載置せずパススルーのウェハ
搬送も可能にし、オーバーベークを防止したレジスト処
理装置を提供することを目的とする。
を直接ホットプレート上に載置せずパススルーのウェハ
搬送も可能にし、オーバーベークを防止したレジスト処
理装置を提供することを目的とする。
［発明の概要］
本発明のレジスト処理装置は、レジスト塗布及び／また
は現像前後工程で熱処理するレジスト処理装置において
、熱処理部へ被処理体ローディング・アンローディング
時ホットプレートを降下させて前記被処理体を前記ホッ
トプレートから浮上させ、熱処理時前記ホットプレート
を上昇させて処理する機構を備えたことを特徴とする。
は現像前後工程で熱処理するレジスト処理装置において
、熱処理部へ被処理体ローディング・アンローディング
時ホットプレートを降下させて前記被処理体を前記ホッ
トプレートから浮上させ、熱処理時前記ホットプレート
を上昇させて処理する機構を備えたことを特徴とする。
［実施例］
本発明のレジスト処理装置の一実施例を図面を参照して
説明する。
説明する。
第１図はホットプレートの断面を示す図であり、搬送ベ
ルト６に載置して移送されたウェハＷはホットプレート
７上方に搬送される。この時ホットプレート７は上下駆
動機構（図示せず）により下方へ移動させ、相対的に複
数のピン８例えば少なくとも３ピンを点線で示す８８の
位置にプレート７面より上昇させることによりウェハＷ
を一時支持し、搬送ベルト６は水平移動機構（図示せず
）により駆動され、左右に移動するようになっている。
ルト６に載置して移送されたウェハＷはホットプレート
７上方に搬送される。この時ホットプレート７は上下駆
動機構（図示せず）により下方へ移動させ、相対的に複
数のピン８例えば少なくとも３ピンを点線で示す８８の
位置にプレート７面より上昇させることによりウェハＷ
を一時支持し、搬送ベルト６は水平移動機構（図示せず
）により駆動され、左右に移動するようになっている。
搬送ベルト６が左右（６′の位置）に移動すると垂直駆
動機構（！！ｌ示せず）を設けた高温のホットプレート
７は７″の位置まで上昇し、ウェハＷの加熱処理を行う
、処理後はホットプレートは垂直駆動機構により７の位
置まで下降し、ピン８′でウェハを支持することにより
熱処理期間を正確に制御できる。そして搬送ベルト６′
が水平移動機構により６の位置にもとリウエハを支持す
るとピン８′は上下駆動機構により８の位置に下降する
。ウェハＷは搬送ベルト６により次工程へと搬送される
機構となっている。
動機構（！！ｌ示せず）を設けた高温のホットプレート
７は７″の位置まで上昇し、ウェハＷの加熱処理を行う
、処理後はホットプレートは垂直駆動機構により７の位
置まで下降し、ピン８′でウェハを支持することにより
熱処理期間を正確に制御できる。そして搬送ベルト６′
が水平移動機構により６の位置にもとリウエハを支持す
るとピン８′は上下駆動機構により８の位置に下降する
。ウェハＷは搬送ベルト６により次工程へと搬送される
機構となっている。
以上のような構成のホットプレートをレジスト装置の塗
布装置に適用した時の作用を第２図の構成図を参照して
説明する。第２図の構成図に図示の塗布装置はキャリア
からウェハを送り出すセンダ９、塗布前処理用ホットプ
レート７−１．冷却装置１０．塗布装置１１、後処理用
ホットプレート３台７−２．７−３．７−４及びウェハ
をキャリアに収納するレシーバ１２を有する。
布装置に適用した時の作用を第２図の構成図を参照して
説明する。第２図の構成図に図示の塗布装置はキャリア
からウェハを送り出すセンダ９、塗布前処理用ホットプ
レート７−１．冷却装置１０．塗布装置１１、後処理用
ホットプレート３台７−２．７−３．７−４及びウェハ
をキャリアに収納するレシーバ１２を有する。
第２図において、未処理のウェハＷを収納したキャリア
Ｃをセンダ９にセットすると、ウェハは一枚ずつ搬送ベ
ルトにより第１図に図示の構造を有するデバイトレージ
ョンベーク用のホットプレート７−１上に搬送される。
Ｃをセンダ９にセットすると、ウェハは一枚ずつ搬送ベ
ルトにより第１図に図示の構造を有するデバイトレージ
ョンベーク用のホットプレート７−１上に搬送される。
ピン８が上昇しウェハＷを支持すると共に搬送ベルト６
はウェハＷの支持を解除して水平移動機構により移動さ
れる。
はウェハＷの支持を解除して水平移動機構により移動さ
れる。
その後、高温例えば２００℃のホットプレート７−１は
垂直駆動機構により７′の位置に上昇し。
垂直駆動機構により７′の位置に上昇し。
ウェハを８０〜９０秒加熱しデバイトレージョンベーク
を行った後、再び下降する。搬送ベルトが６′から６の
位置に水平移動してウェハＷを支持し、ピンが８′から
８の位置に下降すると搬送ベルトにより冷却装置１０に
搬送される。冷却装置１０は第１図に図示のホットプレ
ートと同等の構造を有しており、プレートは加熱されず
常温となっているため、ウェハＷはここに載置されるこ
とにより冷却される。そしてスピンコータ１１に搬送さ
れ、ウェハを高速回転させてレジストを滴下して塗布を
行う。塗布済ウェハはホットプレート７−２．７−３．
７−４のうち１台を使用してプリベーク例えば１００’
Ｃ２分間行う。この時、搬送されたウェハＷを加熱する
ホットプレートのみ上昇して加熱処理を行い、他のホッ
トプレートは上昇せずにパススルーする。一連の処理済
ウェハはレシーバ１２にセットされたキャリアに収納さ
れて塗布工程を終了する。
を行った後、再び下降する。搬送ベルトが６′から６の
位置に水平移動してウェハＷを支持し、ピンが８′から
８の位置に下降すると搬送ベルトにより冷却装置１０に
搬送される。冷却装置１０は第１図に図示のホットプレ
ートと同等の構造を有しており、プレートは加熱されず
常温となっているため、ウェハＷはここに載置されるこ
とにより冷却される。そしてスピンコータ１１に搬送さ
れ、ウェハを高速回転させてレジストを滴下して塗布を
行う。塗布済ウェハはホットプレート７−２．７−３．
７−４のうち１台を使用してプリベーク例えば１００’
Ｃ２分間行う。この時、搬送されたウェハＷを加熱する
ホットプレートのみ上昇して加熱処理を行い、他のホッ
トプレートは上昇せずにパススルーする。一連の処理済
ウェハはレシーバ１２にセットされたキャリアに収納さ
れて塗布工程を終了する。
この装置を用いて他の処理を行う場合、例えば前処理の
デバイトレージョンベークの加熱が不必要であったり、
後処理のプリベークの加熱を温度を変えて何度か行った
りする場合でも、必要なホットプレートのみが上昇して
加熱処理を行い、不必要なホットプレートは下降したま
までウェハを搬送すればよい。
デバイトレージョンベークの加熱が不必要であったり、
後処理のプリベークの加熱を温度を変えて何度か行った
りする場合でも、必要なホットプレートのみが上昇して
加熱処理を行い、不必要なホットプレートは下降したま
までウェハを搬送すればよい。
また、ホットプレートとウェハ間に僅かな間隙を持たせ
て行う非接触で加熱するプロキシミティベークにおいて
も間隙の幅をピン８の上昇量を簡単に変えることにより
自由に選択して行うことができる。
て行う非接触で加熱するプロキシミティベークにおいて
も間隙の幅をピン８の上昇量を簡単に変えることにより
自由に選択して行うことができる。
［発明の効果コ
以上説明のように本発明のレジスト装置によれば、ホッ
トプレートに垂直旺動機構を設けたため。
トプレートに垂直旺動機構を設けたため。
ウェハをオーバーベークすることなく適切な処理を行う
ことができる。また、ホットプレートに搬送ワイヤの溝
を形成することなく複数のピンでウェハを支持するよう
にしたため、熱分布も生じずにウェハ全体の均一な加熱
が可能となるため品質が向上される。また、熱分布を生
じにくいプロキシミティベークも簡単に行うことができ
る。
ことができる。また、ホットプレートに搬送ワイヤの溝
を形成することなく複数のピンでウェハを支持するよう
にしたため、熱分布も生じずにウェハ全体の均一な加熱
が可能となるため品質が向上される。また、熱分布を生
じにくいプロキシミティベークも簡単に行うことができ
る。
第１図は本発明のレジスト装置の一実施例を示す断面図
、第２図は本発明の一実施例を示す構成図、第３図は従
来の装置を示す斜視図である。 ６．６′・・・・・・・搬送ベルト ７．７−１．７−２．７−３．７−４．７′ ・・・・
・・・・・・ホットプレート ８．８′・・・・・・・ピン ９・・・・・・・・・・・・・センダ １０・・・・・・・・・・・冷却装置 １１・・・・・・・・・・・スピンコータ１２・・・・
・・・・・・・レシーバ
、第２図は本発明の一実施例を示す構成図、第３図は従
来の装置を示す斜視図である。 ６．６′・・・・・・・搬送ベルト ７．７−１．７−２．７−３．７−４．７′ ・・・・
・・・・・・ホットプレート ８．８′・・・・・・・ピン ９・・・・・・・・・・・・・センダ １０・・・・・・・・・・・冷却装置 １１・・・・・・・・・・・スピンコータ１２・・・・
・・・・・・・レシーバ
Claims (1)
- レジスト塗布及び／または現像前後工程で熱処理するレ
ジスト処理装置において、熱処理部へ被処理体ローディ
ング・アンローディング時ホットプレートを降下させて
前記被処理体を前記ホットプレートから浮上させ、熱処
理時前記ホットプレートを上昇させて処理する機構を備
えたことを特徴とするレジスト処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63220243A JPH0268921A (ja) | 1988-09-02 | 1988-09-02 | レジスト処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63220243A JPH0268921A (ja) | 1988-09-02 | 1988-09-02 | レジスト処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0268921A true JPH0268921A (ja) | 1990-03-08 |
Family
ID=16748134
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63220243A Pending JPH0268921A (ja) | 1988-09-02 | 1988-09-02 | レジスト処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0268921A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2809532A1 (fr) * | 2000-05-23 | 2001-11-30 | St Microelectronics Sa | Procede de fabrication de circuits semiconducteurs double face |
| JP2007214367A (ja) * | 2006-02-09 | 2007-08-23 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置，熱処理方法及びプログラム |
| JP2008187126A (ja) * | 2007-01-31 | 2008-08-14 | Tokyo Electron Ltd | 加熱装置、加熱方法及び記憶媒体 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58199349A (ja) * | 1982-05-17 | 1983-11-19 | Toshiba Corp | 写真蝕刻のインライン装置 |
| JPS6084819A (ja) * | 1983-10-14 | 1985-05-14 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体製造装置 |
| JPS6331118A (ja) * | 1986-07-25 | 1988-02-09 | Oki Electric Ind Co Ltd | ベ−ク炉 |
| JPS63107138A (ja) * | 1986-10-24 | 1988-05-12 | Hitachi Ltd | ウエハ処理装置 |
-
1988
- 1988-09-02 JP JP63220243A patent/JPH0268921A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58199349A (ja) * | 1982-05-17 | 1983-11-19 | Toshiba Corp | 写真蝕刻のインライン装置 |
| JPS6084819A (ja) * | 1983-10-14 | 1985-05-14 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体製造装置 |
| JPS6331118A (ja) * | 1986-07-25 | 1988-02-09 | Oki Electric Ind Co Ltd | ベ−ク炉 |
| JPS63107138A (ja) * | 1986-10-24 | 1988-05-12 | Hitachi Ltd | ウエハ処理装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2809532A1 (fr) * | 2000-05-23 | 2001-11-30 | St Microelectronics Sa | Procede de fabrication de circuits semiconducteurs double face |
| JP2007214367A (ja) * | 2006-02-09 | 2007-08-23 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置，熱処理方法及びプログラム |
| JP2008187126A (ja) * | 2007-01-31 | 2008-08-14 | Tokyo Electron Ltd | 加熱装置、加熱方法及び記憶媒体 |
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