JPS58199349A - 写真蝕刻のインライン装置 - Google Patents
写真蝕刻のインライン装置Info
- Publication number
- JPS58199349A JPS58199349A JP8151782A JP8151782A JPS58199349A JP S58199349 A JPS58199349 A JP S58199349A JP 8151782 A JP8151782 A JP 8151782A JP 8151782 A JP8151782 A JP 8151782A JP S58199349 A JPS58199349 A JP S58199349A
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- JP
- Japan
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- wafer
- unit
- equipment
- exposure
- cooling
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は写真蝕刻のイノライン装置にかかり。
特に半導体ウェハに写真蝕刻を施すインライン装置の改
良に関する。
良に関する。
半導体ウェハに対する写真蝕刻工程に用いられる装置は
前処理装置の例えばスクラ／（、前処理ベークａｔのデ
ハイドレーションベーカー、フォトレジスト塗着装置の
スピンナー、プリベーキング装置のブリベーカー、露光
装置のマスクアライナ−１現律装置のデベロッパー、ポ
ストベーク装置Ｌ１目−ストベーカー、エツチング装置
のエツチャー等がある。最近叙上は連接した写真蝕刻（
以降ＰＥＰと略記）のインラインシステムが用いられて
いる。第１図にインラインシステムにおける各装置ｆ（
ユニット）の配列を示す。図において、（１）はスクラ
バーユニット、 ＋２）Ｇ：！前処理ヘ−／） ：ｘ、
二’７ ）、（３１はスピンナユニット、（４）はプ
レベークユニット。
前処理装置の例えばスクラ／（、前処理ベークａｔのデ
ハイドレーションベーカー、フォトレジスト塗着装置の
スピンナー、プリベーキング装置のブリベーカー、露光
装置のマスクアライナ−１現律装置のデベロッパー、ポ
ストベーク装置Ｌ１目−ストベーカー、エツチング装置
のエツチャー等がある。最近叙上は連接した写真蝕刻（
以降ＰＥＰと略記）のインラインシステムが用いられて
いる。第１図にインラインシステムにおける各装置ｆ（
ユニット）の配列を示す。図において、（１）はスクラ
バーユニット、 ＋２）Ｇ：！前処理ヘ−／） ：ｘ、
二’７ ）、（３１はスピンナユニット、（４）はプ
レベークユニット。
１５）はマスクアライナ−ユニット、（６）はデベロッ
パユニット、 （７１はポストベークユニット、 （８
）はエツチャーユニ゛ノドを夫々示す。この特徴は、従
来の嘆工程、曝能機による処理方法に比べ、工程所要時
間が短縮できると同時に直接には人が工程に介入しない
ので、ミス、むら１個人差等がなく品質や歩留の向上が
はかれる利点がある反面次にあげる問題がある。
パユニット、 （７１はポストベークユニット、 （８
）はエツチャーユニ゛ノドを夫々示す。この特徴は、従
来の嘆工程、曝能機による処理方法に比べ、工程所要時
間が短縮できると同時に直接には人が工程に介入しない
ので、ミス、むら１個人差等がなく品質や歩留の向上が
はかれる利点がある反面次にあげる問題がある。
インライン装置の問題点として、各工程に処理時間差が
あると装置のスループットは最長の処理時間を費やす工
程できめられるので、各工程′Ｊ）処理時間バランスを
合わせるように設定する盛装がある。
あると装置のスループットは最長の処理時間を費やす工
程できめられるので、各工程′Ｊ）処理時間バランスを
合わせるように設定する盛装がある。
一般にレジスト塗着前のウェハの一度は、レジストの種
類にもよるが常温が最適とされている。
類にもよるが常温が最適とされている。
これが８０℃以上の高温での塗着は熱かぶりによるレジ
スト材の架橋の問題が発生する。すなわら、ｌ／シスト
膜厚の不均一と露光感度にむらを生じてパターンの形成
に支障を生ずる。また、露光前にウェハの温度が高いと
常温のマスクに対してピッチずれを生ずるので、要求さ
れる解像度が得られないことと、マスクにレジストが固
着して不良番こなる欠点がある。
スト材の架橋の問題が発生する。すなわら、ｌ／シスト
膜厚の不均一と露光感度にむらを生じてパターンの形成
に支障を生ずる。また、露光前にウェハの温度が高いと
常温のマスクに対してピッチずれを生ずるので、要求さ
れる解像度が得られないことと、マスクにレジストが固
着して不良番こなる欠点がある。
しかし、諸Ｖｃ蓋を直列に連接してイノラインタイプに
すると、ウェハは連続し°Ｃ各装置を流れるので前処理
ベー／／（約２００℃）後に空気中に′Ｃ放冷させると
常温に至るまで第３図に（４）曲線で示すように約１２
０秒以上を要するので、サイクルタイムの目標を約３０
〜５０秒にとると大きな障杏になる。そこでこれを装着
内で吸収させるようにストレージバッフγ等を設けると
ラインバランスが崩れることと、ウェハがストックされ
るので１稲所要時間の短縮、連続処理による品質の向上
等が期待できなくなる。
すると、ウェハは連続し°Ｃ各装置を流れるので前処理
ベー／／（約２００℃）後に空気中に′Ｃ放冷させると
常温に至るまで第３図に（４）曲線で示すように約１２
０秒以上を要するので、サイクルタイムの目標を約３０
〜５０秒にとると大きな障杏になる。そこでこれを装着
内で吸収させるようにストレージバッフγ等を設けると
ラインバランスが崩れることと、ウェハがストックされ
るので１稲所要時間の短縮、連続処理による品質の向上
等が期待できなくなる。
この発明は叙上の背景技術の問題点を改良するためのも
ので、ウェハを連続して処理できる改良されたインライ
ン装置１１を提供する。
ので、ウェハを連続して処理できる改良されたインライ
ン装置１１を提供する。
〔発明の４ａ９り
ウェハのＰＥＰのインライン装置において、前処理ベー
ク装置とフォトレジスト塗着装置間、およびプレベーク
装置と露光装置の間に冷却部を設け。
ク装置とフォトレジスト塗着装置間、およびプレベーク
装置と露光装置の間に冷却部を設け。
盾温にてフォトレジスト塗着と露光とを施すようにした
ことを特徴とする。
ことを特徴とする。
この発明を１５Ｉｉ！ＩＩＩＩＡｆＩｌにつき以下に詳
説する。
説する。
第２図番こ示すように、前処理ベークユニット（２１と
次のレジスト塗着ユニット（３）との間に第１のウェハ
冷却装置（９）、プレベークユニット（４）と露光のた
めのマスクアライナ−ユニット１５）との間に第２のウ
ェハ冷却装置（φを夫々設けてなる。上述のいずれのウ
ェハ冷却ｆｃｆｌ１９＋、＋φともウエトの温度を常温
に下げるため冷却媒体としてはＭ４図に示す平板状のブ
ロックＯＩでよい。これを構成する社員はアルミニウム
のように熱伝導率の大きいものを柑い、その平板状の上
向にウェハを嶺触させて冷却させる。あるいは、上面に
ステンレス板を貼看してもよい。なお、上記ブロックの
容量（体積。
次のレジスト塗着ユニット（３）との間に第１のウェハ
冷却装置（９）、プレベークユニット（４）と露光のた
めのマスクアライナ−ユニット１５）との間に第２のウ
ェハ冷却装置（φを夫々設けてなる。上述のいずれのウ
ェハ冷却ｆｃｆｌ１９＋、＋φともウエトの温度を常温
に下げるため冷却媒体としてはＭ４図に示す平板状のブ
ロックＯＩでよい。これを構成する社員はアルミニウム
のように熱伝導率の大きいものを柑い、その平板状の上
向にウェハを嶺触させて冷却させる。あるいは、上面に
ステンレス板を貼看してもよい。なお、上記ブロックの
容量（体積。
表面積）は装置のサイクルとウェハの熱容量とから装置
サイクル内にブロックに伝導された熱が放熱できる容量
であればよい。
サイクル内にブロックに伝導された熱が放熱できる容量
であればよい。
さらに、ウェハ冷却装置は第５図に示すように、上面が
平面に形成されたフィンＱｌｌでも、さらには第６図に
示すように冷却機能を有する恒温室ｆｉ３の上面を平向
に形成し、この平面上に載置されたつ、 ・エバを所定
の温度、例えば４０℃に管理するようにしでもよい。な
お、この場合にも、上面はアルミニウムでも、ステンレ
スで形成されてもよい。
平面に形成されたフィンＱｌｌでも、さらには第６図に
示すように冷却機能を有する恒温室ｆｉ３の上面を平向
に形成し、この平面上に載置されたつ、 ・エバを所定
の温度、例えば４０℃に管理するようにしでもよい。な
お、この場合にも、上面はアルミニウムでも、ステンレ
スで形成されてもよい。
この発明によれば、第３図に示すようにウェハＪ）ｔＭ
＋＆を常温まで下降させるのに、従来１２０秒を費ｐ
していたものが１９！ｌとして第３図に曲線（８１で示
す２０秒で達成できるので、装置のラインバランスを崩
すことなく最適の状態で次の工程に移すことがｉｉｌ’
能になった。
＋＆を常温まで下降させるのに、従来１２０秒を費ｐ
していたものが１９！ｌとして第３図に曲線（８１で示
す２０秒で達成できるので、装置のラインバランスを崩
すことなく最適の状態で次の工程に移すことがｉｉｌ’
能になった。
この発明により所望の時間、すなわち、装置における１
サイクル時間内でベーキング後のウェハ偏度を常温また
は任意の温度まで下降させることが司−能になったので
、高温によるレジストの熱かぶり、露光時のピッチずれ
、およびマスクにレジ＆トの固着間龜等が解消された。
サイクル時間内でベーキング後のウェハ偏度を常温また
は任意の温度まで下降させることが司−能になったので
、高温によるレジストの熱かぶり、露光時のピッチずれ
、およびマスクにレジ＆トの固着間龜等が解消された。
叙上により継続して高品實のＰｇＰが施せるインライン
装置となり、サイクルタイムの確守１品實、歩留が良好
に得られるようになる顕著な利点がある。
装置となり、サイクルタイムの確守１品實、歩留が良好
に得られるようになる顕著な利点がある。
Ｍ１図は従来のＰｉ！Ｐのインライン装置構成を示すブ
ロック図、第２図はこの発明の１実施例のＰＥＰのイン
ライン装置構成を示すブロック図、第３図はウェハの温
度Ｆ降を示す線図、・ｍ４図１．Ｃいし第６図はいす社
も夫々がウェハの冷却装置を示す斜イに図である。 １ スクラバーユニット（前処畦装置）２
前処理ベークユニット（ｔｊｉｌ処哩ベーク装置
） ３ スピンナユニット（フォトレノスト塗看装
置） ４ ブレベークユニット（７レベーク装＃） ５ マスク了ライナーユニット（露光装置） ６ デベロッパユニット（現１１１ｆｌｋ）７
ホストベークユニ°ノド（ボスｌベーク装置
） ８ エツナヤーユニット（エツチング装置） ９ 第１のウェハ冷却装置 ９′ 第２のウェハ冷却装置 Ｉｎ ブロック（冷却装置）１１
フィン（冷却装置） Ｉ２ 恒温室（冷却装置） 代理人 弁理士 井 十 −２男 第 ４ 図 第 ５ 図 ｍｅ図
ロック図、第２図はこの発明の１実施例のＰＥＰのイン
ライン装置構成を示すブロック図、第３図はウェハの温
度Ｆ降を示す線図、・ｍ４図１．Ｃいし第６図はいす社
も夫々がウェハの冷却装置を示す斜イに図である。 １ スクラバーユニット（前処畦装置）２
前処理ベークユニット（ｔｊｉｌ処哩ベーク装置
） ３ スピンナユニット（フォトレノスト塗看装
置） ４ ブレベークユニット（７レベーク装＃） ５ マスク了ライナーユニット（露光装置） ６ デベロッパユニット（現１１１ｆｌｋ）７
ホストベークユニ°ノド（ボスｌベーク装置
） ８ エツナヤーユニット（エツチング装置） ９ 第１のウェハ冷却装置 ９′ 第２のウェハ冷却装置 Ｉｎ ブロック（冷却装置）１１
フィン（冷却装置） Ｉ２ 恒温室（冷却装置） 代理人 弁理士 井 十 −２男 第 ４ 図 第 ５ 図 ｍｅ図
Claims (1)
- 半導体ウェハに対する前処８１！装置、前処理べ−り装
置、フォトレジスト塗着装置、プレベーク装置、フォト
レジスト膜に対する露光装置、および現師装置、ポスト
ベーク装置、およびエッチノブ装着を直列に連接したイ
ンラインｈｗのＦ１１１記各装置に半導体ウェハを通過
させて写真Ｔｄｉ＠を施ず写真蝕刻のインライン装置に
おいて、前処理ベーク装置とフォトレジスト塗着装置間
、およびプレ・・−り装置と露光装置間に冷却部を備え
たことを特徴とする写真蝕刻のイノライン装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8151782A JPS58199349A (ja) | 1982-05-17 | 1982-05-17 | 写真蝕刻のインライン装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8151782A JPS58199349A (ja) | 1982-05-17 | 1982-05-17 | 写真蝕刻のインライン装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58199349A true JPS58199349A (ja) | 1983-11-19 |
Family
ID=13748531
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8151782A Pending JPS58199349A (ja) | 1982-05-17 | 1982-05-17 | 写真蝕刻のインライン装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58199349A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61147527A (ja) * | 1984-12-21 | 1986-07-05 | Toshiba Corp | レジストパタ−ンの形成方法 |
| JPS6284517A (ja) * | 1985-10-08 | 1987-04-18 | Kuretsuku Syst:Kk | 感光剤塗布処理装置 |
| US4717645A (en) * | 1983-01-19 | 1988-01-05 | Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for forming resist pattern |
| US4840874A (en) * | 1986-09-25 | 1989-06-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of forming resist pattern |
| JPH01238664A (ja) * | 1988-03-18 | 1989-09-22 | Toppan Printing Co Ltd | 現像処理機構を有する処理装置 |
| JPH0268921A (ja) * | 1988-09-02 | 1990-03-08 | Tokyo Electron Ltd | レジスト処理装置 |
| JPH07263654A (ja) * | 1995-03-27 | 1995-10-13 | Hitachi Ltd | 固体撮像装置の製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5227367A (en) * | 1975-08-27 | 1977-03-01 | Hitachi Ltd | Photo resist processing apparatus |
| JPS5352071A (en) * | 1976-10-22 | 1978-05-12 | Hitachi Ltd | Baking unit of plate-shaped object |
| JPS5375863A (en) * | 1976-12-17 | 1978-07-05 | Hitachi Ltd | Sutomatic printing develop and baking devices for photo masks |
-
1982
- 1982-05-17 JP JP8151782A patent/JPS58199349A/ja active Pending
Patent Citations (3)
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| JPH07263654A (ja) * | 1995-03-27 | 1995-10-13 | Hitachi Ltd | 固体撮像装置の製造方法 |
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