JP4180453B2

JP4180453B2 - ホットプレートユニット

Info

Publication number: JP4180453B2
Application number: JP2003196674A
Authority: JP
Inventors: 正和古川; 康隆伊藤; 譲斉藤
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 1999-02-10
Filing date: 2003-07-14
Publication date: 2008-11-12
Anticipated expiration: 2020-02-10
Also published as: JP2004072095A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ホットプレートユニットに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体製造プロセスにおいて、例えば感光性樹脂塗布工程を経たシリコンウェハを加熱乾燥させる場合、通常、ホットプレートと呼ばれる加熱装置が用いられる。
【０００３】
この種の装置の従来例としては、例えば特許文献１に開示されたもの等がある。同特許文献１における装置は、電熱部材としての窒化アルミニウム焼結体製のホットプレートと、そのプレートに設けられる抵抗体とからなる。抵抗体はホットプレートを構成するセラミック基材間に挟持されている。プレートの側方に突出している抵抗体の両端部は、それぞれ配線を介して電源に接続される。
【０００４】
そして、ホットプレートの上面側に被加熱物であるシリコンウェハを載置し、この状態で抵抗体に通電することにより、シリコンウェハが数百℃に加熱されるようになっている。
【０００５】
【特許文献１】
特公平４−１３８３７号
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、抵抗体への通電により所定時間の加熱を行なって感光性樹脂を乾燥させた場合、まずホットプレートをある程度低い温度まで放冷し、その後でシリコンウェハを取り外す必要がある。しかしながら、放冷にはある程度の時間を要し、このことが生産性の向上を図るうえで障害となっている。
【０００７】
そこで、例えば前記プレートの下面側に冷却用配管を設けてその配管に冷却水を通じることにより、プレートを強制的に冷却して冷却時間を短縮せんとする対策が考えられる。しかし、このような対策では、ユニット全体の構造が複雑になるばかりでなく、嵩張って大型化してしまうおそれがある。
【０００８】
本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、構造の複雑化や大型化を伴うことなく、短時間で冷却しうるホットプレートユニットを提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するために、請求項１に記載の発明では、半導体製造プロセスにおいて感光性樹脂が塗布されたシリコンウェハを加熱処理して感光性樹脂を乾燥させるホットプレートユニットであって、有底状をなし上部側に開口部を有するケーシングと、前記ケーシングの開口部に設置され、セラミック焼結体からなる板状基材と同板状基材に導電ペーストを焼き付けることにより形成された配線抵抗とから構成されるホットプレートと、前記ケーシング内方と前記ホットプレート下方との間に形成される空間と、前記ケーシングに設けられ、その内外を連通させて前記ホットプレートを冷却する流体を供給する流体供給ポートとを備え、前記流体供給ポートから供給される流体を、前記ホットプレートに向けて供給し、前記ホットプレートの下面側に接触させつつ流通させることを特徴とするホットプレートユニットをその要旨とする。
請求項２に記載の発明は、請求項１において、前記ケーシングには、流体供給ポートから供給される流体を前記空間から排出させる排出孔が設けられているとした。
【００１０】
請求項３に記載の発明は、請求項１または２において、前記ケーシングには、流体供給ポートから供給される流体を前記空間から排出させる流体排出ポートが設けられているとした。
【００１１】
請求項４に記載の発明は、請求項１乃至３のいずれか１項において、前記流体供給ポートは、前記ケーシングの側壁部及び／または底部に設けられているとした。
【００１２】
請求項５に記載の発明は、請求項２乃至４のいずれか１項において、前記排出孔または前記流体排出ポートは、前記ケーシングの側壁部及び／または底部に設けられているとした。
【００１３】
請求項６に記載の発明は、請求項３乃至５のいずれか１項において、前記流体供給ポート及び前記流体排出ポートは、前記ケーシングの側壁部及び／または底部に設けられているとした。
【００１４】
請求項７に記載の発明は、請求項１乃至６のいずれか１項において、前記ケーシングは、前記流体供給ポート及び前記流体排出ポートのうちの少なくとも一方を複数個備えるとした。
【００１５】
請求項８に記載の発明は、請求項２乃至７のいずれか１項において、前記ケーシングは、前記流体供給ポート及び前記排出孔のうちの少なくとも一方を複数個備えるとした。
【００１６】
請求項９に記載の発明は、請求項１乃至８のいずれか１項において、前記流体は、空気または不活性ガスであるとした。
【００２１】
請求項１〜９に記載の発明によると、前記空間に流体を流通することによって、ホットプレートを強制的に冷却することが可能となり、放冷に比べて短時間で済むようになる。また、冷却用配管等の設置も不要なため、ユニット全体の構造が複雑化したり、嵩張って大型化してしまう心配もない。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を具体化した一実施形態のホットプレートユニット１を図１，図２に基づき詳細に説明する。
【００２３】
図１，図２に示されるホットプレートユニット１は、ケーシング２及びホットプレート３を主要な構成要素として備えている。
ケーシング２は有底状の金属製部材（ここではアルミニウム製部材）であって、断面円形状の開口部４をその上部側に備えている。このケーシング２の底部２ａの中心部における３箇所には、図示しないリフトピンが挿通されるピン挿通スリーブ５が設けられている。これらのリフトピンは、シリコンウェハＷ１を３点で支持した状態で同シリコンウェハＷ１を昇降させる。底部２ａの外周部には、ホットプレート３に電流を供給するリード線６を挿通するためのリード線引出用孔７が形成されている。
【００２４】
本実施形態のホットプレート３は、感光性樹脂が塗布されたシリコンウェハＷ１を２００〜３００℃にて乾燥させるための低温用ホットプレート３である。このホットプレート３は、セラミック焼結体からなる板状基材９に、抵抗体としての配線抵抗１０を設けることにより構成されている。この板状基材９は、後述するシールリング１４を介して、ケーシング２の開口部４に設置される。これを設置することにより、ケーシング２の内面側とホットプレート３の下面側との間には、略密閉された空間Ｓ１が形成される。
【００２５】
ここで、ユニット１の厚さは５ｍｍ〜１００ｍｍに設定されていることがよく、特には１０ｍｍ〜５０ｍｍに設定されていることがよい。その理由は、ユニット１が厚くなりすぎると、全体が嵩張って大型化してしまうからである。逆に、ユニット１を薄くしようとすると、ホットプレート３やケーシング２を薄く形成しなければならず、製造が困難になるおそれがあるからである。そして、本実施形態では、以上のことに鑑みて厚さを２０ｍｍに設定している。
【００２６】
図１に示されるように、ホットプレート３を構成する板状基材９は円形状であって、ケーシング２の外形寸法より若干小径となるように設計されている。配線抵抗１０は、板状基材９の下面側において同心円状ないし渦巻き状に形成されている。ホットプレート３の中心部には、各リフトピンに対応した３箇所にそれぞれピン挿通孔１１が透設されている。
【００２７】
板状基材９を構成するセラミック焼結体としては、耐熱性に優れかつ熱伝導率が高いという性質を有する窒化物セラミック焼結体を選択することがよい。窒化物セラミックとしては、例えば窒化アルミニウム、窒化ケイ素、窒化ホウ素、窒化チタン等のような金属窒化物セラミックの焼結体が好ましく、なかでも窒化アルミニウム焼結体が望ましい。その理由は、上記の焼結体中で熱伝導率が最も高いからである。なおこれらの他に、炭化ケイ素、炭化ジルコニウム、炭化チタン、炭化タンタル、炭化タングステン等のような金属炭化物セラミックの焼結体を選択してもよい。
【００２８】
本実施形態の配線抵抗１０は、焼結体である板状基材９に対して導電ペーストを焼き付けることにより形成されたものである。導電ペーストとしては、金属粒子、金属酸化物、樹脂、溶剤などを含むものが一般的に使用される。導電ペーストに使用される好適な金属粒子としては、例えば、金、銀、白金、パラジウム、鉛、タングステン、ニッケル等が挙げられる。これらの金属は高温に晒されても比較的酸化しにくく、通電により発熱させるにあたって充分大きな抵抗値を示すからである。導電ペーストに使用される好適な金属酸化物としては、例えば、酸化鉛、酸化亜鉛、シリカ、酸化ホウ素、アルミナ、イットリア、チタニア等が挙げられる。
【００２９】
図２に示されるように、配線抵抗１０の端部には、外部接続端子としてのパッド１０ａが形成されている。これらのパッド１０ａには、導電性材料からなる端子ピン１２の基端部がはんだ付けされている。その結果、各端子ピン１２と配線抵抗１０との電気的な導通が図られている。一方、各端子ピン１２の先端部には、リード線６の先端部にあるソケット６ａが嵌着されている。従って、リード線６及び端子ピン１２を介して配線抵抗１０に電流が供給される結果、配線抵抗１０の温度が上昇し、ホットプレート３全体が加熱される。
【００３０】
図２に示されるように、ケーシング２の開口部４の上縁には、複数のねじ孔１３が等間隔に透設されている。同じく前記開口部４の上縁には、シール構造としてのシールリング１４が配設されている。同シールリング１４は、環状をなしかつ開口部４の大きさとほぼ等しくなっている。シールリング１４の形成用材料としては、例えば樹脂や、ゴム等のような弾性体などが好ましい。シールリング１４において各ねじ孔１３に対応する箇所には、複数のねじ孔１５が透設されている。シールリング１４の内周面には、ホットプレート３の下面側外周部を水平に支持するための支持段部１６がその全周にわたって形成されている。なお、支持段部１６にホットプレート３を支持させたとき、シールリング１４の上端面の高さとホットプレート３の上面の高さとがほぼ同一になる。
【００３１】
そして、本実施形態におけるシールリング１４は、ケーシング２の開口部４の上縁とホットプレート３の下面外周部とがなす隙間をシールすることで、当該隙間を介したエアの流通を防止する役割を担っている。
【００３２】
図１，図２に示されるように、シールリング１４の上面には、係止リング２１がねじ２５により固定されている。この係止リング２１は、環状の本体２２と、複数のねじ孔２３と、複数の係止片２４とを有する。支持段部１６にセットされたホットプレート３は、各係止片２４によって板厚方向から押圧されることにより、シールリング１４に挟持固定される。
【００３３】
図１に示されるように、ケーシング２の底部２ａには、流体供給ポート１７及び流体排出ポート１８がそれぞれボルト等を用いて設置されている。本実施形態において前記両ポート１７，１８は、互いに離間した位置に配設されている。両ポート１７，１８は、内端面及び外端面の両方において開口する流路を備えている。このため、その流路を介してケーシング２の内外が連通されている。
【００３４】
流体供給ポート１７の外端面側の開口部の内周面には雌ねじ溝が形成されていて、当該開口部には図示しない流体供給用の配管の一端が着脱可能となっている。この配管の他端は気体圧送ポンプに接続されているため、同配管を介して冷却用流体としてのエアが供給されるようになっている。一方、流体排出ポート１８の外端面側の開口部の内周面にも雌ねじ溝が形成されていて、当該開口部には図示しない流体排出用の配管の一端が着脱可能となっている。ケーシング２内のエアは、この配管を介して外部に排出される。なお、前記配管の他端は装置からいくぶん離れた箇所にて開放されている。
【００３５】
図２に示されるように、上記のリード線引出用孔７には、シール構造としてのシールパッキング８が装着されている。このシールパッキング８は環状をなしており、ゴム等のような好適な弾性体によって形成されている。各リード線６は、このシールパッキング８の貫通孔に挿通されたうえでケーシング２の外部に引き出されている。即ち、本実施形態におけるシールパッキング８は、各リード線６とリード線引出用孔７とがなす隙間をシールすることで、当該隙間を介したエアの流通を防止する役割を担っている。
【００３６】
さて、次にこのホットプレートユニット１の使用方法について説明する。
感光性樹脂が塗布されたシリコンウェハＷ１をホットプレート３上に載置し、この状態で配線抵抗１０に通電する。すると、加熱されたホットプレート３との接触によって、シリコンウェハＷ１の温度が次第に上昇する。所定時間のあいだ加熱を行なうことにより感光性樹脂が充分に乾燥したら、配線抵抗１０への通電を止める。
【００３７】
ここで、気体圧送ポンプを駆動して流体供給ポート１７側に冷却用のエアを供給し、同ポート１７を介してエアを密閉空間Ｓ１内に導入する。流体供給ポート１７を経て吐出されたエアは、密閉空間Ｓ１内にてホットプレート３の下面側に接触しながら、流体排出ポート１８のほうに向かって流れる。その際、同エアによってホットプレート３の熱が奪われる。熱を奪って温度が上昇したエアは、さらに流体排出ポート１８を経て再び空間の外に流出し、汚染の心配のない別の空間にて放出される。なお、一連のエアの流れは、図１における太線矢印により概略的に示されている。そして、ホットプレート３がある程度低い温度まで冷やされたら、シリコンウェハＷ１をホットプレート３から取り外す。
【００３８】
従って、本実施形態によれば以下のような効果を得ることができる。
（１）このホットプレートユニット１では、上記のごとく略密閉された空間Ｓ１がケーシング２とホットプレート３との間に形成されている。ホットプレート３の下面側には端子ピン１２等の突起物が存在するものの、それらはケーシング２とホットプレート３と間に形成された空間Ｓ１内に配置されている。即ち、前記突起物は装置の外部に非露出となり、いわば保護された状態となる。従って、突起物の存在如何に関係なく、ケーシング２の底面を図示しない支持ステージに対して、困難なく取り付けることができる。
【００３９】
これに対して従来のものにおいては、仮にプレートの下面側に端子を設けてそこから配線を引き出そうとした場合、装置下面側に突起物が存在した状態となり、支持ステージ上への取り付けが困難になる。
【００４０】
（２）また、ケーシング２とホットプレート３との間に形成された空間Ｓ１は、略密閉されていることから、エアを流通可能なものとなっている。このため、空間Ｓ１内へのエアの流通によってホットプレート３を強制的に冷却することが可能となり、放冷に比べて冷却に要する時間が短くて済むようになる。ゆえに、このホットプレートユニット１を用いれば、１回の乾燥処理に要する時間が確実に短縮され、もって生産性の向上を図ることができる。
【００４１】
なお、空間Ｓ１は開放状態ではなく略密閉状態であることから、装置の外部にエアが漏れ出しにくく、それによって周囲を汚染する心配もない。即ち、本実施形態によれば、クリーンなユニット１を実現することができる。これに対し、ホットプレートの下面側にエアを吹き付けることによりプレートを強制的に冷却するという対策では、エアに含まれる水分や塵埃によって装置の周囲が汚染されてしまうおそれがある。
【００４２】
また、本実施形態の構成によれば、冷却用配管等の設置も不要なため、ユニット１全体の構造が複雑化したり、嵩張って大型化してしまう心配もない。
（３）本実施形態では、ケーシング２にその内外を連通させる流体供給ポート１７と流体排出ポート１８とがそれぞれ設けられている。従って、両ポート１７，１８を介して密閉空間Ｓ１内にエアを効率よく循環することにより、ホットプレート３を強制冷却し、比較的短時間のうちに低い温度に戻すことができる。
【００４３】
（４）このホットプレートユニット１では、ケーシング２の開口部４の上縁とホットプレート３の下面外周部との間にシールリング１４を設け、当該部分における隙間のシールを図っている。よって、ケーシング２−ホットプレート３間の隙間を介した装置外部へのエア漏れが防止され、空間Ｓ１により高い密閉性を確保できる。このことはエア排出による周囲の汚染防止の確実化に貢献する。
【００４４】
（５）また、このホットプレートユニット１では、さらに底部２ａの配線引出用孔７にシールパッキング８を設け、その配線引出用孔７にリード線６を挿通させている。従って、配線引出用孔７を介した装置外部へのエア漏れが防止され、空間Ｓ１により高い密閉性を確保できる。このこともエア排出による周囲の汚染防止の確実化に貢献する。
【００４５】
（６）本実施形態では、ユニット１の厚さを１０ｍｍ〜１００ｍｍという好適範囲内に設定しているため、製造の困難化及び大型化を回避することができる。
なお、本発明の実施形態は以下のように変更してもよい。
【００４６】
・密閉性がある程度確保されるのであれば、シールリング１４を省略するとともに、ケーシング２の開口部４の上面に直かに係止リング２１をねじ止めし、この状態で開口部４にホットプレート３を取り付けてもよい。即ち、ホットプレート３はケーシング２に対して直接取り付けられることができる。
【００４７】
・配線引き出し部である配線引出用孔７を、ケーシング２の底部２ａ以外の場所、例えばケーシング２の側壁部に配設してもよい。同様に、ポート１７，１８をケーシング２の側壁部に配設してもよい。なお、配線引出用孔７やポート１７，１８の設置数は、必要に応じて増減することが勿論可能である。
【００４８】
・ケーシング２に区画された密閉空間Ｓ１内には、エア（空気）以外の気体、例えば炭酸ガスや窒素等の不活性ガスを冷却用流体として流通することも可能である。また、電気的構成に悪影響を与えないものであれば、液体を冷却用流体として流通させることも許容されうる。なお、エアや不活性ガスは、低反応性であり抵抗体間ショートの心配がなく、かつ低コスト化にも有利である。
【００４９】
・上記のホットプレート３を構成する板状基材９に、必要に応じて熱電対を埋め込んでおいてもよい。熱電対によりホットプレート３の温度を測定し、そのデータをもとに電圧値や電流値を変えることで、温度制御をすることができるからである。この場合、熱電対のリード線も同じくシールパッキング８を介して外部に引き出しておくことがよい。
【００５０】
・図３に示す別例のホットプレートユニット１のように、ケーシング２から流体排出ポート１８を省略して、単なる排気用孔３１にしてもよい。即ち、ユニット１の内部は、必ずしも実施形態のような略密閉状態の空間になっていなくても（言い換えると開放状態の空間であっても）よい。この構成によれば、部品点数が減り、ユニット１の構造が簡略化される。
【００５１】
・図４に示す別例のホットプレートユニット１のように構成してもよい。即ち、ここでは有底状でないケーシング２Ａを用いている。このような底なしのケーシング２Ａの内側には、開口としての排気用孔３１を有する金属製の中底板４１が設けられている。この別例の中底板４１は、略コ字状の支持金具４２によって支持された状態で、ねじ４３及びナット４４を用いてケーシング２Ａの被固定部４５の上面に固定されている。そして、この別例の構造においても、空間が密閉状態ではなくなっている。エアはケーシング２Ａと中底板４１との隙間からも外部に抜け出すことが可能となっている。前記中底板４１には開口が形成されていてもよい。
【００５２】
ここで、前記図４の別例のホットプレート３の製造工程の一例を説明する。
（１）窒化アルミニウム粉末（トクヤマ社製、平均粒径１．１μｍ）１００重量部、酸化イットリウム（Ｙ_２Ｏ_３：イットリア、平均粒径０．４μｍ）４重量部、アクリル系樹脂バインダ（三井化学製ＳＡ−５４５酸価０．５）１２重量部を混合し、成形型に入れて成形体とした。
【００５３】
（２）成形体を窒素雰囲気中で３５０℃、４時間加熱してアクリル系樹脂バインダを熱分解させた。
（３）成形体を、１８９０℃、圧力１５０ｋｇ／ｃｍ^２の条件で３時間ホットプレスして窒化アルミニウム焼結体を得た。
【００５４】
（４）上記（３）で得た焼結体の底面に、スクリーン印刷にて導電ペーストを印刷した。印刷パターンは、同心円状のパターンとした。導電ペーストとしては、プリント配線板のスルーホール形成に使用されている徳力化学研究製のソルベストＰＳ６０３Ｄを使用した。この導体ペーストは、銀・鉛ペーストであり、銀１００重量部に対して、酸化鉛（５重量％）、酸化亜鉛（５５重量％）、シリカ（１０重量％）、酸化ホウ素（２５重量％）、およびアルミナ（５重量％）からなる金属酸化物を７．５重量部含むものであった。
【００５５】
（５）次に、導電ペーストを印刷した焼結体を７８０℃で加熱、焼成して、導電ペースト中の銀、鉛を焼結させるとともに、焼結体に焼き付け、発熱体を形成した。銀・鉛の発熱体は、厚さが５μｍ、幅が２．４ｍｍ、面積抵抗率が７．７ｍΩ／□であった。
【００５６】
（６）硫酸ニッケル８０ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム２４ｇ／ｌ、酢酸ナトリウム１２ｇ／ｌ、ほう酸８ｇ／ｌ、塩化アンモニウム６ｇ／ｌを含む水溶液からなる無電解ニッケルめっき浴に上記（４）で作成した焼結体を浸漬し、錫・鉛の（９／１）発熱体の表面に厚さ１μｍの金属被覆層（ニッケル層）を析出させて、配線抵抗１０とした。
【００５７】
（７）電源との接続を確保するための端子を取り付ける部分に、スクリーン印刷により、銀・鉛半田ペースト（田中貴金属製）を印刷して半田層を形成した。次いで、半田層の上にコバール製の端子ピン１２を載置して、３００℃で加熱リフローし、端子ピン１２を発熱体接続パッド１０ａの表面に取り付けた。
【００５８】
（８）温度制御のための熱電対を有底穴に挿入し、ポリイミド樹脂を充填し、１９０℃で２時間硬化させ、ホットプレート３を得た。このホットプレート３を図３のユニットに組み込んだ。シールリング１４はフッ素樹脂を使用した。このユニット１について１４０℃まで上昇した後、供給ポートから空気を流し込んで９０℃までの冷却時間を測定したところ、３分であった。更に、比較例として、内部に空気の流路を設けたアルミニウム板に（１）〜（８）で製造したホットプレート３を接触させて、９０℃までの冷却を実施したところ、８分かかった。
【００５９】
【発明の効果】
以上詳述したように、請求項１〜９に記載の発明によれば、構造の複雑化や大型化を伴うことなく、短時間で冷却しうるホットプレートユニットを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施形態のホットプレートユニットを示す概略断面図。
【図２】同じくその部分拡大断面図。
【図３】別例のホットプレートユニットを示す概略断面図。
【図４】別例のホットプレートユニットを示す概略断面図。
【符号の説明】
１…ホットプレートユニット、２，２Ａ…ケーシング、３…ホットプレート、４…開口部、７…配線引き出し部としての配線引出用孔、１７…流体供給ポート、１８…流体排出ポート、３１…排出孔としての排気用孔、４１…中底板、Ｓ１…空間。

Claims

半導体製造プロセスにおいて感光性樹脂が塗布されたシリコンウェハを加熱処理して感光性樹脂を乾燥させるホットプレートユニットであって、
有底状をなし上部側に開口部を有するケーシングと、
前記ケーシングの開口部に設置され、セラミック焼結体からなる板状基材と同板状基材に導電ペーストを焼き付けることにより形成された配線抵抗とから構成されるホットプレートと、
前記ケーシング内方と前記ホットプレート下方との間に形成される空間と、
前記ケーシングに設けられ、その内外を連通させて前記ホットプレートを冷却する流体を供給する流体供給ポートとを備え、
前記流体供給ポートから供給される流体を、前記ホットプレートに向けて供給し、前記ホットプレートの下面側に接触させつつ流通させることを特徴とするホットプレートユニット。
前記ケーシングには、流体供給ポートから供給される流体を前記空間から排出させる排出孔が設けられていることを特徴とする請求項１に記載のホットプレートユニット。
前記ケーシングには、流体供給ポートから供給される流体を前記空間から排出させる流体排出ポートが設けられていることを特徴とする請求項１または２に記載のホットプレートユニット。
前記流体供給ポートは、前記ケーシングの側壁部及び／または底部に設けられていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のホットプレートユニット。
前記排出孔または前記流体排出ポートは、前記ケーシングの側壁部及び／または底部に設けられていることを特徴とする請求項２乃至４のいずれか１項に記載のホットプレートユニット。
前記流体供給ポート及び前記流体排出ポートは、前記ケーシングの側壁部及び／または底部に設けられていることを特徴とする請求項３乃至５のいずれか１項に記載のホットプレートユニット。
前記ケーシングは、前記流体供給ポート及び前記流体排出ポートのうちの少なくとも一方を複数個備えることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載のホットプレートユニット。
前記ケーシングは、前記流体供給ポート及び前記排出孔のうちの少なくとも一方を複数個備えることを特徴とする請求項２乃至７のいずれか１項に記載のホットプレートユニット。
前記流体は、空気または不活性ガスであることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載のホットプレートユニット。