JP2005166946A - 基板及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 安価で、ＥＭ評価等の４００℃程度の高温に耐え、且つ、基板の大型化を容易に行える基板を実現する。
【解決手段】 ステンレス板からなる測定用基板１の両面に、ガラスからなる電気絶縁層２が形成されると共に、該電気絶縁層２上に配線パターン３が形成され、さらに、前記配線パターン３を覆うようにガラスからなるオーバーコート層４が形成されている。
【選択図】 図２

Description

本発明は、基板及びその製造方法に関し、特に、高温下で使用される基板及びその製造方法に関するものである。

従来から、半導体の評価試験を、半導体ウエハから半導体チップを切り出して、半導体チップ毎に、パッケージングして行う方法があるが、パッケージングを行うための時間及び費用がかかるという問題が生じる。

そこで、特許文献１には、半導体ウエハ自体をチェックする方法、すなわち、被試験体である半導体ウエハの各ダイのパッドに、基板を接触させた状態で、該基板から評価試験用信号を供給することで半導体の評価試験を行う方法が開示されている。

ところで、半導体の評価試験、特に、信頼性評価試験において、半導体の寿命等、信頼性評価の重要な試験項目としてＥＭ（エレクトロマイグレーション）がある。

このＥＭ評価では、半導体素子内に形成した微細配線を流れる電子が配線の金属イオンを陽電位方向に押しやる結果生じた空孔部の電流密度が増大し、断線に至る現象を観ている。なお、このＥＭ評価試験は、時間短縮のため金属イオンが活性化する高温下（２００℃〜４００℃）で半導体素子に流す電流を多くして実施され、配線抵抗の経時変化を計測して評価する。

このように、ＥＭ評価は高温下で実施することから、前記の特許文献１のように、基板を半導体ウエハに直接接続して評価試験用信号を供給する方法では、基板に耐熱性が求められる。そこで、特許文献１においては、基板をセラミックで構成する点が開示されている。
特開２００２−３２９７５９（公開日：平成１４年１１月１５日）

ところで、２００℃を越える耐熱基板材料として、一般的にアルミナ等のセラミックや石英ガラスが知られている。これらは、製造上、直接板状のものが得られず、大きな塊を板状に切断し、表面研磨等の工程を経るため高価で、特に、８インチ（直径２００ｍｍ）や１２インチ（直径３００ｍｍ）のウエハサイズに対応できる大判サイズを得ることが困難であり、仮に、得られたとしても非常に高価なものとなる。

また、セラミックや石英ガラスを板状にしたものは割れ易いという欠点も有している。

そこで、割れ易さを克服するための基板として、ステンレス板等の金属板にセラミックをコーティングしたものが提案されている。この場合、金属板表面にセラミックとの熱膨張差を緩和する素材をコーティングした後、セラミックを溶射等の手段でコーティングする必要があり、さらに、その表面を研磨して平滑化するといった工程が必要であり、得られた基板が非常に高価なものとなる。

本発明は、上記の各問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、安価で、ＥＭ評価等の４００℃程度の高温に耐え、且つ、基板の大型化を容易に行える基板及びその製造方法を実現することにある。

本願発明者等は、４００℃以上の高温に耐え、安価に制作可能な基板を得るために、鋭意検討した結果、平板状加熱器等に利用される金属板表面を、該金属板と熱膨張率が近いガラスコーティングで絶縁し、その上に加熱器配線パターンを印刷する技術に着目し、基板の実用化を行った。

すなわち、本発明に係る基板は、上記の課題を解決するために、鋼板の両面に、ガラスからなる電気絶縁層が形成されると共に、該電気絶縁層上に配線パターンが形成されていることを特徴としている。

前記配線パターンを覆うように、ガラスからなるオーバーコート層が形成されていてもよい。

前記電気絶縁層の熱膨張率は、前記鋼板の熱膨張率と等しいのが好ましい。

本発明に係る基板の製造方法は、上記の課題を解決するために、高温下で使用される基板の製造方法において、焼成後ガラス化するペーストを鋼板の両面全面に塗布し、焼成して電気絶縁層を形成する第１工程と、前記電気絶縁層表面に金属ペーストを用いて配線回路となる配線パターンをスクリーン印刷し、焼成して金属配線回路を形成する第２工程とを含んでいることを特徴としている。

さらに、前記金属配線回路の外部との接続に必要な一部を除き、ほぼ全面に、焼成後ガラス化するペーストを塗布し、焼成してオーバーコート層を形成する第３工程を含んでいてもよい。

前記電気絶縁層の熱膨張率は、前記鋼板の熱膨張率と等しいのが好ましい。

前記配線パターンには、半導体ウエハとワイヤボンディングするためのボンディング用パッドが形成されていてもよい。

前記ボンディング用パッドは、金パッドであるのが好ましい。

前記ボンディング用パッドは、ボンディングワイヤとの接続面積が、該ボンディングワイヤの接続部分の面積の２倍以上の大きさに形成されているのが好ましい。

本発明に係る基板は、以上のように、鋼板の両面に、ガラスからなる電気絶縁層が形成されると共に、該電気絶縁層上に配線パターンが形成されていることで、４００℃以上の高温に耐え、安価に制作可能な基板を得ることができる。

つまり、鋼板は、セラミックの塊に比べて加工がし易く、且つ、板状のセラミックのように割れ易いものではなく非常に割れにくいものである。それゆえ、所望する大きさ、例えば半導体ウエハの直径２００ｍｍや直径３００ｍｍに対応する大判サイズの基板も容易に作成できる。

このように、鋼板は、加工がし易いので、鋼板で作成される基板を安価に提供することが可能となる。

しかも、鋼板の表面に形成される電気絶縁層はガラスからなるので、電気絶縁層の形成直後の表面は滑らかであり、従来のように、鋼板にセラミックを溶射して電気絶縁層を形成する場合のように表面を研磨する工程を省略することが可能となる。これにより、製造費を低減することができるので、基板をさらに安価に提供することが可能となる。

前記配線パターンを覆うように、ガラスからなるオーバーコート層が形成されていることで、配線パターンが保護される。特に、配線パターンが金属からなるときに、高温下において配線パターンが酸化するのを防止できる。

また、前記電気絶縁層の熱膨張率は、前記鋼板の熱膨張率と等しいことで、高温下においても、鋼板とガラスからなる電気絶縁層とが分離する等の不具合を低減することができる。なお、前記電気絶縁層の熱膨張率と前記鋼板の熱膨張率とは等しいのが好ましいが、ほぼ等しければ十分な効果を得ることができる。

このような基板は、半導体試験装置において、半導体ウエハを直接前記基板に装着して評価試験を行うときに有効である。

前記配線パターンに、半導体ウエハとワイヤボンディングするためのボンディング用パッドが形成されていることで、半導体ウエハをワイヤボンディングした状態の基板、すなわち半導体ウエハの評価用の基板として使用することができる。

前記ボンディング用パッドは、金パッドであることで、通常ボンディングワイヤとして使用されるアルミワイヤとの接続を確実に行うことができる。

前記ボンディング用パッドは、ボンディングワイヤとの接続面積が、該ボンディングワイヤの接続部分の面積の２倍以上の大きさに形成されていることで、ワイヤボンディングされた半導体ウエハに対して評価試験を行った後、該半導体ウエハを取り外しても、少なくとも一本分のボンディングワイヤの接続を可能にすることができる。これにより、半導体ウエハの評価試験を一枚の基板において繰り返し行うことが可能となる。例えば、ボンディング用パッドのボンディングワイヤとの接続面積を、該ボンディングワイヤの接続部分の面積の３倍や４倍等にすれば、３枚あるいは４枚の半導体ウエハの評価試験を一枚の基板で行うことができる。

なお、ボンディング用パッドは隣接する他のボンディング用パッドと接触しない程度の大きさにする必要がある。

このように、一枚の基板によって半導体ウエハの評価試験を繰り返し行うことができるので、安価に半導体ウエハの評価試験を行うことができる。

本発明の一実施の形態について説明すれば、以下の通りである。なお、本実施の形態では、本発明の基板を、被試験体である半導体ウエハを評価する際に使用する測定用基板として使用した場合の例について説明する。

まず、図１及び図２を参照しながら、測定用基板１について説明する。図１は、測定用基板１の平面図、図２は、図１に示す測定用基板１のＡ・Ａ線矢視断面図である。

測定用基板１は、図１及び図２に示すように、長方形状の鋼板からなり、両面にガラス質の電気絶縁層２が形成され、一方面側に配線パターン３が形成され、さらに、該配線パターン３の保護のためのオーバーコート層４が形成されている。

前記測定用基板１は、鋼板として、所定の形状に切断加工した厚み１．５ｍｍの金属板（ステンレスＳＵＳ４３０）の両面に、焼成後ガラス化するペーストをスクリーン印刷技術を用いて前記金属板の両面全面に塗布し、約８５０℃で焼成し、厚み３０μｍの電気絶縁層２を形成する（第１工程）。該電気絶縁層２表面（前記焼成時上面側）に金属ペーストを用いて配線回路となる配線パターン３をスクリーン印刷し、前記同様に焼成すると、金属配線回路が形成される（第２工程）。さらに、前記金属配線回路の外部との接続に必要な一部を除き、ほぼ全面に、電気絶縁層２と同じガラス質の厚み３０μｍのオーバーコート（オーバーコート層４）を施して前記金属配線回路を保護したものである（第３工程）。

ここで、前記金属配線回路としての配線パターン３を形成する金属は純銀に近いもので形成するのが好ましい。しかしながら、前記配線パターン３を形成する金属としては、純銀に近いものに限定されるものではなく、例えば、銅等を用いてもよい。

なお、前記において、配線パターン３を形成する金属として銀を採用したのは耐酸化性が強く、４００℃の高温でパターン表面は酸化変色するが、銅のように、経時的に酸化が進行して断線に至ることがなく、長時間使用や繰り返し使用が可能であるためと、安価に形成することができるためである。

また、前記電気絶縁層２は、測定用基板１の鋼板の熱膨張率に近いガラスを使用している。これにより、高温下における測定用基板１から電気絶縁層２が剥がれるといった不具合を無くすことができる。なお、電気絶縁層２と測定用基板１との熱膨張率は同じであるのが好ましいが、近ければ同様の効果を奏する。

本実施の形態では、半導体ウエハの評価試験を行うのに使用される測定用基板として、前記測定用基板１を使用する。

そこで、前記測定用基板１は、図１に示すように、供試体である半導体ウエハ５の設置部分６には、前記半導体ウエハ５のダイレイアウトに合わせてボンディング配線用の孔（貫通孔）７が多数開孔されている。つまり、前記孔７は、半導体ウエハ５の各ダイの評価試験に必要なパッドを露出させるように形成されたものである。

従って、前記配線用の孔７の内側には、図４に示すように、半導体ウエハ５のボンディングパッド８が露出し、前記孔７の周囲にはアルミワイヤ９でボンディング接続するための基板側ボンディングパッド１０が５個設けられる。

前記基板側ボンディングパッド１０は、５個の内４個が半導体ウエハ５に作られた評価素子（図示しない）の微細配線の電気抵抗を正確に測る４線式測定用端子であり、残る１個は前記評価用素子内部の電気リーク測定用端子であり、各端子から計測器（図示せず）と接続する端子１１に前記配線パターン３が引かれている。

ここで、前記基板側ボンディングパッド１０として、金パッドを用いている。これは、配線パターン３が銀で形成された場合に、アルミワイヤ９との接続がし難いため、金パッドを介して接続するようにするためである。

さらに、前記基板側ボンディングパッド１０は、アルミワイヤ９との接続面積が、該アルミワイヤ９の接続部分の面積の２倍以上の大きさに形成されていることで、ワイヤボンディングされた半導体ウエハ５に対して評価試験を行った後、該半導体ウエハ５を取り外しても、少なくとも一本分のアルミワイヤ９の接続を可能にすることができる。これにより、半導体ウエハ５の評価試験を一枚の測定用基板１において繰り返し行うことが可能となる。例えば、基板側ボンディングパッド１０のアルミワイヤ９との接続面積を、該アルミワイヤ９の接続部分の面積の３倍や４倍等にすれば、３枚あるいは４枚の半導体ウエハ５の評価試験を一枚の測定用基板１で行うことができる。

このように、一枚の測定用基板１によって半導体ウエハ５の評価試験を繰り返し行うことができるので、安価に半導体ウエハ５の評価試験を行うことができる。

また、測定用基板１には、半導体ウエハ５の設置部分６の周囲４隅に貫通孔１ａが形成されている。この貫通孔１ａは、後述するウエハホルダ１２及びカバー１５を固定するための孔である。

ここで、前記測定用基板１を使用した半導体試験装置について、図３ないし図７を参照しながら以下に説明する。

前記半導体試験装置は、半導体ウエハを前記測定用基板１に装着した状態で、評価試験用信号を該測定用基板１を介して前記半導体ウエハに印加することで該半導体ウエハの評価試験を行う装置であり、例えば、図３に示すように、測定用基板１に半導体ウエハ５を装着した状態で半導体の各種評価試験を行うものである。

前記半導体試験装置は、図３に示すように、半導体ウエハ５の評価試験において必要な温度になるように、該半導体ウエハ５の温度を設定する高温槽１０１と、半導体ウエハ５に印加する評価試験用信号を供給するための信号供給槽１０２とで構成されている。

前記高温槽１０１は、半導体の評価試験に応じて、半導体ウエハ５を加熱維持する機能を有した槽である。本実施の形態では、半導体ウエハ５を約４００℃まで加熱する必要のあるＥＭ評価を行うことを想定している。

また、前記信号供給槽１０２は、測定用基板１のエッジ部分の端子１１（後述の配線パターン３に接続された端子）が接続されるコネクタ１９が配置されている箇所である。このコネクタ１９には、測定器（図示せず）に接続される端子２１が設けられている。

従って、前記信号供給槽１０２においては、上述のように評価試験用信号を半導体ウエハ５に供給する手段（測定器等）が設けられているので、前記高温槽１０１のように高温にならないようにする必要がある。

そこで、本実施の形態では、図３に示すように、高温槽１０１と信号供給槽１０２との間に断熱壁１６が形成され、前記高温槽１０１からの熱を信号供給槽１０２に伝わり難くしている。これにより、信号供給槽１０２内の温度を前記高温槽１０１よりも低くくすることが可能となっている。

前記断熱壁１６には、測定用基板１が貫通するための貫通孔１７が形成されている。この貫通孔１７の高温槽１０１側の端部と信号供給槽１０２側の端部には、断熱部材となる柔軟材１８が測定用基板１の両面側から密着するように設けられている。この柔軟材１８は、例えば、ガラス繊維等を束状にしたものからなり、断熱壁１６の表面にビス２０によって取り付けられている。

このように、貫通孔１７の開口部分に柔軟材１８を設けることで、測定用基板１を半導体試験装置にセットした際の断熱効果を維持することが可能となる。

このように、高温槽１０１と信号供給槽１０２との間に断熱壁１６を設けることで、高温槽１０１の高温を維持でき、正確な試験を行うことが可能となる。また、前記貫通孔１７の外部である信号供給槽１０２には、計測器（図示せず）と接続するコネクタ１９が配置され、該コネクタ１９と前記端子１１が嵌合して、半導体ウエハ５の評価用素子を計測器に電気的に接続し試験が行われるようになっている。この信号供給槽１０２は高温にならないことが必要であるが、上述のように貫通孔１７の開口部分にそれぞれ柔軟材１８を設けて気密性を高めることで、高温槽１０１の熱が信号供給槽１０２に伝わることを低減している。

さらに、信号供給槽１０２における冷却効果を高めるために、本実施の形態では、前記測定用基板１において、前記高温槽１０１の外に露出している部位、すなわち信号供給槽１０２内に露出している部位に対して、通気手段（図示せず）を用いて通気するよにしている。

なお、加熱が必要なのは、前記高温槽１０１のみであるので、前記信号供給槽１０２を槽として扱う必要はなく、該信号供給槽１０２に対応する部位は開放された状態であってもよい。

つまり、測定用基板１において、半導体ウエハ５の装着部分が高温槽１０１内に、且つ、評価試験用信号を印加するための端子部分が該高温槽１０１外になるようにセットされていればよいので、前記信号供給槽１０２は、槽とする必要はない。

前記ウエハホルダ１２は、図４に示すように、半導体ウエハ５を測定用基板１の所定位置（設置部分６）に設置固定する補助材であり、オス・メススタッドボルト１３で測定用基板１の裏面（配線パターン３のない面側）に締結して用いる。

前記ウエハホルダ１２は、図５（ａ）に示すように、中央部に半導体ウエハ５の外径より少し小さな開孔１４を開設し、該開孔１４と同芯状に前記測定用基板１の裏面に接する面側から、直径が前記半導体ウエハ５に等しく、深さが前記半導体ウエハ５の厚さ相当に段差１２ｂをエッチング加工で設ける。

また、ウエハホルダ１２の開孔１４の周囲４隅には、測定用基板１の貫通孔１ａと同じ位置に貫通孔１２ａが形成されている。

前記ウエハホルダ１２の段差１２ｂ内に半導体ウエハ５を収容して、前記測定用基板１の裏面側と前記半導体ウエハ５の表面（評価用素子が形成された面側）が接するよう、前記オス・メススタッドボルト１３の雄ネジ１３ｂが前記測定用基板１の貫通孔１ａを貫通し、さらに、前記ウエハホルダ１２の貫通孔１２ａを貫通して、該測定用基板１と締結して、半導体ウエハ５を設置部分６に固定する。なお、前記ウエハホルダ１２には、半導体ウエハ５が装着されたときに、設置部分６において回転するのを防止するためのノッチ１２ｃが形成されている。このノッチ１２ｃは、半導体ウエハ５の図示しない切欠き部分と嵌合するようになっている。

また、前記ウエハホルダ１２の４辺は、図５（ｂ）（ｃ）に示すように、補強のため折り曲げておく。

また、後工程のボンディング配線時にワイヤボンダに半導体ウエハ５を固定するため、前記開孔１４から半導体ウエハ５を真空チャックするようになっている。

なお、本実施の形態では、図５（ａ）に示すように、ウエハホルダ１２は外形中心と開孔１４の中心が一致しているが、半導体ウエハ５のダイレイアウトに合わせ開孔１４の位置を変えることで、一種類の測定用基板１がダイレイアウトの異なる複数の種類の半導体ウエハに使用可能にすることができる。

また、図３に示すように、測定用基板１の半導体ウエハ５の装着面とは反対面には、カバー１５が形成されている。

前記カバー１５は、図６（ａ）に示すように、４隅に貫通孔１５ａが形成されており、測定用基板１のウエハ設置部分６全体を覆うよう、前記測定用基板１の表面側（配線パターン３の形成側の面）に配置する際に、前記オス・メススタッドボルト１３の雌ネジ１３ａにネジ締結して固定される。このカバー１５は、ボンディング配線を完了した測定用基板１のハンドリングに際し、ボンディング配線を保護するとともに、ホコリ等の降積を防ぐ目的で用いられている。

なお、前記カバー１５も、前記ウエハホルダ１２と同様に、ステンレス鋼板からできており、図６（ｂ）（ｃ）に示すように、補強のために４隅が折り曲げられている。

ここで、上記構成の半導体試験装置を用いた半導体試験方法について説明すれば、以下の通りである。

すなわち、被試験体である半導体ウエハ５を測定用基板１に装着した状態で、評価試験用信号を該測定用基板１を介して前記半導体ウエハ５に印加することで該半導体ウエハ５の評価試験を行う半導体試験方法であって、以下の工程を実行することで、評価試験を適切に且つ安価に行うことが可能となる。

ここで、測定用基板１は、略水平状態で、高温槽１０１にセットされるものとする。

まず、第１の工程として、測定用基板１の配線パターン３の形成面とは反対側の面に、半導体ウエハ５をウエハホルダ１２を用いて装着する。このとき、ウエハホルダ１２の各貫通孔１２ａと測定用基板１の各貫通孔１ａとが対応するように配置し、オス・メススタッドボルト１３の雄ネジ１３ｂによって締結する。

次に、第２の工程として、測定用基板１の配線パターン３のボンディングパッド１０と、半導体ウエハ５のボンディングパッド８とをアルミワイヤ９でワイヤボンディングする。

続いて、アルミワイヤ９がむき出し状態になっている測定用基板１の配線パターン３側の面をカバー１５によって覆う。このとき、カバー１５の各貫通孔１５ａと測定用基板１の貫通孔１ａに締結されているオス・メススタッドボルト１３の雄ネジ１３ｂとを対応させて、雌ネジ１３ａによって締結する。

その後、第３の工程として、半導体ウエハ５が装着された状態の測定用基板１を、図３に示すように、半導体ウエハ５側が上向きになるようにして、高温槽１０１にセットする。セットされた測定用基板１の端子１１は、コネクタ１９に嵌合して、半導体ウエハ５の評価用素子と計測器に電気的接続が行われる。

最後に、第４の工程として、半導体試験に応じた信号を半導体ウエハ５に印加し、高温槽１０１を試験温度（４００℃）まで上昇させる。

以上の各工程において、試験準備が完了した測定用基板１は、準備段階における測定用基板１の姿勢を天地反転して高温槽１０１に投入されて、高温槽１０１にセットされている。すなわち、測定用基板１の上面側に半導体ウエハ５が位置した姿勢となる。

このように、天地を反転して高温槽１０１に投入する第１の目的は、試験中の高温で炭化したホコリ（導電性）等が測定用基板１や半導体ウエハ５のボンディングパッド部やボンディングワイヤ等の露出部に降積付着して試験結果に影響を与えないようにするためである。

さらに、第２の目的は、半導体ウエハ５の自重により測定用基板１に確実に密着させることができ、この結果、正確な試験を行うことができることである。これは、半導体ウエハ５を支持するウエハホルダ１２の熱による膨張等の変形を考慮したものである。例えば、半導体ウエハ５を測定用基板１の下側にした状態にして高温にした場合、ウエハホルダ１２が変形して、該半導体ウエハ５が測定用基板１からずれる虞がある。このように半導体ウエハ５が測定用基板１からずれた場合、アルミワイヤ９が切断される虞があり、正確な試験を行うことができない虞がある。

以上のように、本実施の形態に係る半導体試験装置によれば、例えば、ＥＭ評価のような半導体ウエハを４００℃程度にまで加熱する必要のある評価方法においても、評価試験用信号を印加する端子部分は、高温槽１０１外にあるので、４００℃のような高温にさらされることがない。

しかも、測定用基板１が、表面が前記評価試験に必要な温度に耐え得る絶縁膜で覆われた略長方形状の鋼板からなるので、従来のように高価なセラミック基板を使用する必要がなくなる。その結果、評価装置、すなわち半導体試験装置を安価に提供することができる。

本実施の形態では、ウエハホルダ１２をエッチング加工して、半導体ウエハ５を載置できるようにしているが、測定用基板１の半導体ウエハ５の載置面をエッチングしてもよい。

なお、本実施の形態では、図３に示すように、半導体ウエハ５を装着した測定用基板１を半導体装置に一つセットした例について説明したが、これに限定されるものではない。例えば、図７に示すように、測定用基板１を多段にセットするようにしてもよい。

このように、前記高温槽１０１内に、複数の前記測定用基板１が多段にセットされていることで、大量の半導体ウエハ５に対して同時に試験を行うことができる。この場合、全ての半導体ウエハ５に対して、同じ評価試験用信号を供給すれば、大量の半導体ウエハ５に対して同時に同一の評価試験を行うことが可能となり、各半導体ウエハ５に対して異なる評価試験用信号を供給するようにすれば、大量の半導体ウエハ５に対して同時に異なる評価試験を行うことが可能となる。

本発明の基板は、高温下で好適に使用され、特に、半導体の評価試験の一つであるＥＭ評価等の高温下で評価試験を行う場合に好適に用いられる。また、基板は、十分に耐熱性を有しているので、高温下で使用される分野であれば、例えばヒータ等の加熱機器の分野においても好適に使用される。

本発明の一実施の形態にかかる基板の概略平面図である。 図１に示す基板のＡ・Ａ線矢視断面図である。 図１に示す基板を半導体ウエハの測定用基板として使用した半導体試験装置の要部を示す概略構成図である。 図１に示す測定用基板に半導体ウエハを装着した状態の要部を示す概略構成図である。 （ａ）はウエハホルダの平面図であり、（ｂ）（ｃ）は（ａ）の側面図である。 （ａ）はカバーの平面図であり、（ｂ）（ｃ）は（ａ）の側面図である。 本発明の他の実施形態を示すものであり、測定用基板を多段にセットした場合の半導体試験装置の要部を示す概略構成図である。

符号の説明

１ 測定用基板
２ 電気絶縁層
３ 配線パターン
４ オーバーコート層
５ 半導体ウエハ
８ ボンディングパッド
７ 孔（貫通孔）
９ アルミワイヤ（ボンディングワイヤ）
１０ 基板側ボンディングパッド（ボンディング用パッド）
１１ 端子
１２ ウエハホルダ（ウエハ支持部材）
１２ａ 貫通孔
１２ｂ 段差
１２ｃ ノッチ
１３ オス・メススタッドボルト
１３ａ 雌ネジ
１３ｂ 雄ネジ
１４ 開孔
１５ カバー（保護用カバー）
１５ａ 貫通孔
１６ 断熱壁
１７ 貫通孔
１８ 柔軟材
１９ コネクタ
１０１ 高温槽
１０２ 信号供給槽

Claims (12)

1. 鋼板の両面に、ガラスからなる電気絶縁層が形成されると共に、該電気絶縁層上に配線パターンが形成されていることを特徴とする基板。
2. 前記配線パターンを覆うように、ガラスからなるオーバーコート層が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の基板。
3. 前記電気絶縁層の熱膨張率は、前記鋼板の熱膨張率と等しいことを特徴とする請求項１または２に記載の基板。
4. 前記配線パターンには、半導体ウエハとワイヤボンディングするためのボンディング用パッドが形成されていることを特徴とする請求項１ないし３の何れか１項に記載の基板。
5. 前記ボンディング用パッドは、金パッドからなることを特徴とする請求項４に記載の基板。
6. 前記ボンディング用パッドは、ボンディングワイヤとの接続面積が、該ボンディングワイヤの接続部分の面積の２倍以上の大きさに形成されていることを特徴とする請求項４または５に記載の基板。
7. 焼成後ガラス化するペーストを鋼板の両面全面に塗布し、焼成して電気絶縁層を形成する第１工程と、
   前記電気絶縁層表面に金属ペーストを用いて配線回路となる配線パターンをスクリーン印刷し、焼成して金属配線回路を形成する第２工程と、
   を含んでいることを特徴とする基板の製造方法。
8. さらに、前記金属配線回路の外部との接続に必要な一部を除き、ほぼ全面に、焼成後ガラス化するペーストを塗布し、焼成してオーバーコート層を形成する第３工程を含んでいることを特徴とする請求項７に記載の基板の製造方法。
9. 前記電気絶縁層の熱膨張率は、前記鋼板の熱膨張率と等しいことを特徴とする請求項７または８に記載の基板の製造方法。
10. 前記配線パターンに、半導体ウエハとワイヤボンディングするためのボンディング用パッドを形成する工程をさらに含んでいることを特徴とする請求項７ないし９の何れか１項に記載の基板の製造方法。
11. 前記ボンディング用パッドは、金パッドからなることを特徴とする請求項１０に記載の基板の製造方法。
12. 前記ボンディング用パッドを、ボンディングワイヤとの接続面積が、該ボンディングワイヤの接続部分の面積の２倍以上の大きさとなるように形成することを特徴とする請求項１０または１１に記載の基板の製造方法。

Images