TW200826120A - Conductive particles and method of preparing the same - Google Patents

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200826120 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於導電性粒子及其製造方法。 【先前技術】 近年來在電氣·電子材料領域中，導電性粒子係應用 於液晶用間隔件（spacer )，微元件組裝用導電黏接劑， 各向異性導電黏接劑’導電連接構造體等之導電材料，而 被實用化。 使用於該等導電材料之導電性粒子，因連接電阻及連 接可罪度爲必要’因此對成爲母體之聚合物粒子之粒徑控 制爲當然，而粒子硬度或彈性特性，壓縮位移後變形回復 率等之控制則極爲重要。 目則爲止所知之導電性粒子方面，可例舉下述之物。 例如，在專利文獻1 (日本特開昭6 2 - 1 8 5 7 4 9號公報 )，專利文獻2 (日本特開平1-225776號公報）有揭示， 作爲基材微球體，係使用到聚伸苯基硫化物粒子或苯酚樹 脂粒子等之導電性微球體。 將此種合成樹脂粒子作爲基材微球體使用之導電性微 球體，在壓縮變形後缺乏變形回復性。因此，使用此導電 性微球體進行與電極間連接之際，若將作用於兩電極之壓 縮荷重予以去除時，在該導電性微球體與電極表面之界面 形成一些些間隙，結果產生接觸不良。 在專利文獻3 (特公平5- 1 924 1號公報）有揭示，以 200826120 苯乙烯爲主成份之軟質低密度交聯體作爲基材粒子，在其 表面有被覆導電性材料之導電性粒子 但是，此種軟質基材之導電性粒子，壓縮變形後之變 形回復率亦小至1 〇°/〇以下，而且隨著時間經過，同時復原 力會降低。因此，即使在使軟質基材之導電性粒子使用於 電極間連接之情形，隨著時間經過，同時連接電阻變大了 ，會有缺乏連接可靠度之問題。 在專利文獻4(日本特公平7-95165號公報），專利 文獻5 (日本特開2000-3 097 1 5號公報）有揭示，用到粒 子直徑位移1 〇%時之壓縮彈性率及壓縮變形回復率被控制 於設定値之基材粒子的導電性粒子。又，在專利文獻6 ( 日本特開2003-313304號公報）有揭示，使二乙嫌苯-乙基 乙烯苯混合物作爲單體之一部份使用之聚合物所成，粒子 直徑位移1 〇%時之壓縮彈性率，壓縮變形回復率及破壞變 形被控制於設定値之導電性粒子。 但是，該等導電性粒子，壓縮位移未達45%，大部分 爲顯示實質破壞點者，要提高高壓縮位移時變形回復率則 有困難，而且，在爲導電性被膜形成步驟之電鍍加工時， 因強酸性·強鹼性介質使得基材粒子易於被腐蝕，結果， 降低了聚合物粒子原來之物性，進而電鍍剝離或龜裂所致 破裂對成爲芯之母粒子的壓縮彈性特性會有不良影響，大 部分均會造成硬度等物性之大幅降低。 又，在樹脂粒子表面形成被覆層，提高與導電材層之 密接力之技術，則揭示於專利文獻 7 (日本特開平 8 - -6- 200826120 193 186號公報），專利文獻8 (日本特開2003 -2 0 8 8 1 3號 公報）。 亦即，在專利文獻7有揭示，將內核，與被覆此內核 之，比內核更柔軟之外層所成絕緣性粒子，進而以導電材 料被覆之異方向性導電黏接劑用導電粒子，而在專利文獻 8 (日本特開2003 -20 8 8 1 3號公報）有揭示，由芯材微粒 子，與在其表面所形成之樹脂被覆層所成樹脂微粒子以金 屬被覆層所被覆之導電性微粒子。 但是，專利文獻7、8之導電性粒子，在芯粒子（聚 合物粒子），本來就缺乏高壓縮位移，所得導電性微粒子 之高壓縮位移量及其變形回復率亦無大的效果，結果是要 提高連接電阻及連接可靠度則爲困難。又，若使外層更厚 時則如專利文獻3，因軟質基材之物性大幅作用了，在耐 熱性或耐溶劑性等導電性粒子於最低限必要的諸物性會產 生不合適。而且，因缺乏高壓縮位移時之變形回復率，故 在外層即使被覆芯粒子與導電性材料層之黏接性提高效果 亦爲不充分。 如以上’即使在形成導電層之情形，壓縮變形特性之 降低亦少，而因高壓縮變形後之變形回復性爲優異，故可 得粒子與電極表面之連接面積提高之導電性粒子則尙未知 曉。 [專利文獻1]日本特開昭62- 1 8 5 749號公報 [專利文獻2]日本特開平〗-22 5 7 76號公報 [專利文獻3]日本特公平5-19241號公報 200826120 [專利文獻4]日本特公平7_95165號公報 [專利文獻5]日本特開2000-309715號公報 [專利文獻6]曰本特開2003-313304號公報 [專利文獻7]日本特開平8-193186號公報 [專利文獻8]日本特開2003-208813號公報 【發明內容】 〔發明欲解決之課題〕 本發明係鑒於此種情事而完成者，其目的爲提供一種 壓縮變形後之變形回復率，尤其是高壓縮位移時之變形回 復率優異的導電性粒子及其製造方法。 又，本發明之其他目的，係提供一種在電鍍加工時所 使用之強酸或強鹼所致聚合物之物性降低可被抑制之導電 性粒子及其製造方法。 〔解決課題之手段〕 本發明人等爲達成上述目的經戮力一再重覆檢討’結 果，首先發現在導電性粒子之粒子直徑之位移爲X%時，1 個導電性粒子之壓縮彈性變形特性Κχ爲依下述式[1 ]定義 時，

Kx = (3/V2)· (Sx〇/2) · (R-1/2) · Fx [Π [式中，Fx爲導電性粒子之X%位移時必要之荷重（N )，Sx爲導電性粒子的X%位移之壓縮變形量（mm ) ’與 R爲導電性粒子之粒子半徑（mm )]。 -8- 200826120 前述導電性粒子之直徑的位移爲5 0 %時之壓縮彈性變 形特性Κ5〇爲，於20°C時爲1〇〇〜5 0000N/mm2的同時， 前述導電性粒子之粒子直徑的位移爲5 0%時之導電性粒子 的粒子直徑的回復率爲，於20 °C下爲30%以上之導電性粒 子可充分維持母粒子之軟質高彈性特性，同時，首先發現 不產生上述各種問題之粒子者，因而完成本發明。 因此，本發明係提供， 1、 一種導電性粒子，其爲具有聚合物母粒子，及包 覆此聚合物母粒子之導電層之導電性粒子，其特徵爲，該 導電性粒子之粒子直徑之位移爲X%時，1個導電性粒子 之壓縮彈性變形特性Kx爲依下述式[1 ]定義時， 前述導電性粒子之直徑的位移爲50%時之壓縮彈性變 形特性Κ5〇爲，於20°C時爲100〜5 0000N/mm2的同時， 前述導電性粒子之粒子直徑的位移爲50%時之導電性粒子 的粒子直徑的回復率爲，於20 °C下爲30%以上； Κχ = (3/V2) · (Sx-3/2) - (R-1/2) · Fx [1] [式中，Fx爲導電性粒子之X%位移時必要之荷重（N )，Sx爲導電性粒子的X%位移之壓縮變形量（mm)，與 R爲導電性粒子之粒子半徑（mm)]。 2、 如第1項之導電性粒子，其於壓縮位移爲5 5 %以 下之範圍中，不具有破壞點或壓縮變形率急據增加之反曲 點（Inflection Points) 〇

3、 如第1或2項之導電性粒子，其於導電性粒子之 壓縮彈性變形特性Kx爲縱軸，壓縮位移爲橫軸時’ 20 °C 200826120 下之壓縮彈性位移特性κχ與壓縮位移之關係圖中， 以前述導電性粒子之粒子直徑爲位移1 0 %時之壓縮彈 性變形特性Κ! 〇爲基準點，拉出通過此基準點，且與前述 縱軸爲直角交叉之直線，於該直線與前述圖型之前述基準 點不同之交叉點爲Κρ點時，該Κρ點之壓縮位移Ρ爲40% 以上。 4、 如第1至3項中任一項之導電性粒子，其中，前 述聚合物母粒子爲由，芯粒子與於該芯粒子表面所形成之 聚合物被覆層所形成。 5、 如第1至4項中任一項之導電性粒子，其中，該 聚合物母粒子之粒子直徑之位移爲X%下，1個聚合物母 粒子之壓縮彈性變形特性ΚΒΧ爲依下述式[2]定義時， 前述聚合物母粒子之直徑的位移爲60%時之壓縮彈性 變形特性KB6G爲，於2(TC下爲100〜5 0000Ν / mm2的同 時，前述聚合物母粒子之粒子直徑的位移爲60%時之聚合 物母粒子的粒子直徑的回復率爲，於20 °C時爲20%以上；

Kbx = (3/V2) · (Sbx'3/2) * (Rb'1/2) · Fbx [2] [式中，fbx爲聚合物母粒子之X%位移時必要之荷重 (N ) ，SBX爲聚合物母粒子的X%位移之壓縮變形量（ mm )，與RB爲聚合物母粒子之粒子半徑（mm )]。 6、 如第4或5項之導電性粒子，又，前述芯粒子之 粒子直徑之位移爲1 〇 %的1個粒子之壓縮彈性變形特性 Kc,〇，與前述聚合物母粒子之粒子直徑之位移爲1 〇°/。的1 個粒子之壓縮彈性變形特性K B 10，爲滿足下述式[3 ]; -10- 200826120

Kc l 〇 > KB 1 〇 [3 ]。 7、 如第4至6項中任一項之導電性粒子，其 述聚合物被覆層爲由疏水性樹脂所形成之層。 8、 如第7項之導電性粒子，其中，前述疏水 爲苯乙嫌系樹脂。 9、 如第4至8項中任一項之導電性粒子，其 述芯粒子爲使用含有35質量％以上之具有2個以上 和雙鍵的單體所得者。 1 〇、如第9項之導電性粒子，其中，前述具有 上之不飽和雙鍵的單體爲含有二乙烯基苯與多官能 )丙烯酸酯系單體所選出之至少1種。 1 1、如第1 0項之導電性粒子，其中，前述多 甲基）丙烯酸酯系單體爲含有二（甲基）丙烯酸酯 所選出之至少1種。 1 2、如第9至1 1項中任一項之導電性粒子， 述具有2個以上之不飽和雙鍵的單體以外，爲使用 %以上之具有親水性官能基或活性氫基之不飽和單 者。 1 3、如第12項之導電性粒子，其中，前述具 性官能基或活性氫基之不飽和單體爲具有羥基、羧 基、醯胺基與環氧烷基所選出之至少1種官能基之 14、如第9至1 3項中任一項之導電性粒子， 前述芯粒子爲使含有3 5質量％以上之含有多官能（ 丙烯酸酯系單體所選出之至少1種的具有2個以上 中，前 性樹脂 中，前 之不飽 2個以 (甲基 官能（ 系單體 又，前 3質量 體所得 有親水 基、胺 單體。 其中， 甲基） 之不飽 -11 - 200826120 和雙鍵的單體之原料單體，於可溶解該原料單體而不會溶 解所生成之粒子的媒體中，經溶液聚合反應而製得。 1 5、一種導電性粒子之製造方法，其特徵爲，使含有 35質量％以上之含有多官能（甲基）丙烯酸酯系單體所選 出之至少1種的具有2個以上之不飽和雙鍵的單體之原料 單體，於可溶解該原料單體而不會溶解所生成之粒子的媒 體中，經溶液聚合反應而製得芯粒子，再於該芯粒子表面 形成聚合物被覆層以製作聚合物母粒子，其次於該聚合物 母粒子之表面上形成導電層。 1 6、一種樹脂組成物，其特徵爲，含有第1至〗4項 中任一項之導電性粒子，與樹脂。 1 7、一種導電性黏著劑，其特徵爲，含有第i至14 項中任一項之導電性粒子，與黏著性樹脂。 〔發明效果〕 本發明之導電性粒子係粒子直徑位移5 0 %時之壓縮彈 性變形特性K5G爲1 00〜5 000 0N/mm2，同時，粒子直徑經 50%位移時粒子直徑之回復率爲30%以上（均爲在20°C測 定之情形）。如此一來，本發明之導電性粒子，不僅壓縮 彈性特性大，而且壓縮位移在50%以上亦爲柔軟且具有良 好的壓縮變形回復率，故可使電阻降低，在電氣·電子材 料領域中作爲導電材料用基材可恰當使用。 又，將構成本發明之導電性粒子的聚合物母粒子，在 成爲芯粒子，與於該芯粒表面所形成之聚合物被覆層所成 -12- 200826120 者，例如，可防止電鍍處理時所使用之強酸性·強鹼性介 質所致芯粒子之腐蝕，結果，可抑制電鍍處理後聚合物母 粒子之物性降低。 進而，本發明之導電性粒子因具有適度的硬度及彈力 性’故在使用過硬之聚合物粒子之際所產生之接觸不良， 損傷，破裂所致弊害，又在使用到過軟之聚合物粒子之際 所見到壓縮變形回復率之降低所致障害等均可予以消除。 本發明之導電性粒子，因具有特別優異之連接電阻及 連接可靠度，故在微元件組裝用導電性黏接劑，各向異性 導電性黏接劑，導電接續構造體等中作爲導電材料爲恰當 〔實施發明之最佳型態〕 以下，就本發明進而予以詳細說明。 本發明之導電性粒子，具有聚合物母粒子，及，包覆 此聚合物母粒子之導電層的導電性粒子中，該導電性粒子 之粒子直徑之位移爲X%時，1個導電性粒子之壓縮彈性 變形特性Kx爲依下述式[1 ]定義時，

Kx = (3/V2) · (Sx-3/2) · (R-1/2) · Fx [1] [式中，Fx爲導電性粒子之X%位移時必要之荷重（N )，Sx爲導電性粒子的X%位移之壓縮變形量（mm)，與 R爲導電性粒子之粒子半徑（mm)]。 前述導電性粒子之直徑的位移爲5 0 %時之壓縮彈性變 形特性K5G爲，於20°C時爲1〇〇〜5 0000N/mm2的同時， -13- 200826120 前述導電性粒子之粒子直徑的位移爲50%時之導電性粒子 的粒子直徑的回復率爲，於20°C下爲30%以上爲其特徵者 〇 本發明中，粒子直徑經X%位移時之壓縮彈性變形特 性κχ (以下，稱爲χ%κ値）係指，使用微小壓縮試驗機 (MCT-W201，島津製作所製），在直徑50μιη之金剛石 製圓柱之平滑端面，於壓縮速度0.22 5 g/秒，測定所得粒 子經壓縮之際之荷重値，壓縮位移等，由下述式所求得之 値。亦即，若爲50 %K値，測定粒子之50 %位移時必要的 荷重及壓縮變形量，若爲60%Κ値時，測定粒子之60 %位 移時必要的荷重及壓縮變形量。 Κχ = (3/V2) · (Sx-3/2) · (R'1/2) · Fx

Fx :粒子之X%位移時必要的荷重（N ) S x :粒子之X %位移中之壓縮變形量（ni m ) R :粒子之半徑（mm ) 此外，Kx値係使粒子硬度以普遍地且定量地表示者 ，而如本發明般之使用Χ%Κ値，可使X%位移之粒子之恰 當硬度以定量的且以一種意義表示。 在本發明之導電性粒子中，50%Κ値（Κ50 )未達 10 0N/mm2，粒子之強度有降低之虞，超過 5000 0N/mm2, 會有粒子柔軟性爲不充分之虞。 在考慮該等時，上述 50%K値（K5 )較佳爲 5 00〜 30000N/mm2，更佳爲 1000 〜15000N/mm2 最佳爲 2000 〜 1 0000N/mm2 -14- 200826120 另一方面，粒子直徑在50%位移之以20°C測定之情形 之回復率（以下，稱爲50%壓縮變形回復率），爲30%以 上，較佳爲35〜80%，更佳爲40〜70%，最佳爲45〜65% 〇 5 0%壓縮變形回復率未滿30%時，所得導電性粒子之 彈力性低，例如，將該導電性粒子使用於電極間連接之情 形之連接可靠度有降低之虞。而就回復率之上限，以回復 100%爲佳，但現實上爲90%以下。 本發明中，X%壓縮變形回復率係指，使用微小壓縮 試驗機[(MCT-W201，公司島津製作所製）直徑50μιη之 金剛石製圓柱之平滑端面]將粒子直徑之X%爲止之粒子予 以壓縮後，相反地進行減輕荷重之際之，荷重値與壓縮位 移之關係予以測定所得値。此値，係將荷重除去之際之終 點以原點荷重値〇.〇2gf ( 〇.196mN )測定，以負荷及除負 荷中之壓縮速度〇·1 45 gf/秒（1.421 mN/秒）來測定，至反 轉之點爲止之位移（L 1 ) ’與自反轉之點取得原點荷重値 之點爲止之位移（L2 )之比（L2/L1 )以％表示之値。 此外，本測定機器上，在切換負荷·除負荷時則設置2 秒之保持時間。 又，亦考慮到更大的壓縮位移於粒子產生者，在此情 形中，若考慮到可維持彈性力時，本發明導電性粒子之壓 縮位移回復率，其粒子直徑在55%位移之回復率爲25 %以 上，較佳爲25〜70%，更佳爲30〜55%爲恰當。進而，其 粒子直徑在60%位移’尤其是在65%位移之回復率爲20% -15- 200826120 以上，較佳爲2 0〜6 0 %，更佳爲2 5〜4 5 %爲最適。 此外，在此情形之Κ値（Κ55，K6G，Κ65 )亦以與 50%位移時相同範圍爲佳。 本發明之導電性粒子因至少粒子直徑在5 0 %位移之回 復率可發揮30%以上之壓縮變形特性，故例如，將該導電 性粒子’使用各向異性導電性黏接材（異方向性導電膜， 異方向性導電薄膜）進行電極間之導電黏接之情形，可防 止電極或基板之變形，或防止對該等之損傷，又，可一邊 維持間隙一邊使導電面積提高，而且因其彈性力（排斥力 )大’故可穩定地使連接電阻値降低，使連接可靠度提高 〇 進而，在可得軟化彈性下，就可使上述般導電性粒子 之連接可靠度更爲提高之觀點而言，以在上述式[丨]中，粒 子直徑位移2 0 %時之壓縮彈性變形特性κ2 〇 (以下，稱爲 2 0 % Κ値）與粒子直徑位移3 0 %時之壓縮彈性變形特性κ3 〇 (以下，稱爲30%Κ値），可滿足K2GgK3()爲佳。在要使 導電性粒子之20%K値與30%K値之關係成爲上述方式下 ’即使以更大的壓縮荷重加諸於粒子，亦難以破壞，且， 可成爲具有壓縮位移及彈性回復性大的軟質高彈性之粒子 〇 又’本發明之導電性粒子，就壓縮位移之觀點而言粒 子直徑之位移爲5 5 %以下之範圍，較佳爲6 〇 %以下之範圍 ’尤其是在6 5 %以下之範圍內，以不具有破壞點，或壓縮 變形率爲急遽增加之反曲點者爲佳。如此一來，在使用導 -16- 200826120 電性粒子之領域的硬度特性，品質，連接可靠度等可更爲 提局。 亦即，本發明之自導電性粒子之彈性位移之回復，並 非破壞後之回復，亦非超過反曲點而經位移後之回復等， 而是在彈性限度之範圍內產生之回復（彈性回復）爲佳。 進而本發明之導電性粒子作爲大的軟質性則具有下述 之特徵。 一般具有包覆聚合物母粒子之導電層的導電性粒子， 壓縮彈性變形特性Κχ爲縱軸，壓縮位移爲橫軸時，壓縮 彈性變形特性（Κ値）-壓縮位移之關係以圖型表示時， 在不具有破壞或壓壞等所發生反曲點的粒子彈性限度之範 圍內，則顯示第1 2圖般之具有最下點的曲線特性。 此係以起因於聚合物母粒子及導電層之物性（含粒徑 )者爲大，尤其是軟質性（低加重所致壓縮性）之越高的 粒子則越受聚合物母粒子之物性所大幅左右，最下點之位 置亦有變動。 本發明之導電性粒子係在上述壓縮彈性變形特性（Κ 値）-壓縮位移之圖型中，在以2 0 °C測定之情形之，粒子 直徑爲位移10%時之壓縮彈性變形特性K1Q ( 10%K値）爲 基準點，拉出通過此點且與壓縮彈性變形特性軸直角交叉 之直線，將此直線與圖型之基準點不同之交叉點定義爲 Κρ點時，壓縮位移Ρ以40%以上爲佳 亦即，此壓縮位移Ρ越大，則軟質性越高’相反地壓 縮位移Ρ越小，則硬質性越高（軟質性低）之意，故壓縮 -17- 200826120 位移P較佳爲40%以上，更佳爲45%以上，進而較佳爲 50%以上，最佳爲55%以上。 如此一來，本發明之導電性粒子在可賦予充分軟質彈 性特性下，可使上述般之導電性粒子之連接可靠度更爲提 高。 此外，無法獲得Kp點之粒子，係如熱塑性樹脂等般 過於柔軟而無法獲得彈性回復力之粒子，或產生上述破壞 或壓壞等之粒子，或爲回復力降低之粒子，並無法獲得充 分的軟質彈性特性。 又，尤其在最近隨著電路基板或電路基材之小型化， 電路連接點距寬亦有微細化之傾向，與此一致該用途所使 用之導電性粒子則一直使用經小徑化之粒子。 此種經小徑化之粒子，例如若爲具有平均粒徑8 μπι以 下之軟質彈性特性的導電性粒子，則粒子1個之壓縮荷重 爲9.8mN ( lgf )時，該粒子之壓縮位移在於20°C下測定 之情形，以45 %以上爲佳，更佳爲50 %以上，進一步更佳 爲5 5 %以上。 在賦予此種軟質彈性下，可使上述般之導電性粒子之 連接可靠度更爲提高。 尤其是在考慮用到經小徑化之導電性粒子的領域中之 硬度特性，品質，連接可靠度等時，至少破壞強度以1個 導電性粒子之壓縮荷重爲 9· 8mN ( lgf )以上，較佳爲 1 2.7mN ( 1 . 3 gf )，更佳爲可顯示15.7mN( 1.6gf)以上之 強度維持者爲佳。 -18- 200826120 一般以聚合物爲主成份之導電性粒子之硬度（破壞強 度等），軟質性（低加重所致壓縮性），彈性（壓縮後之 回復性）等之物性，受到聚合物粒子之物性所大幅左右， 但因非電解質電鍍等之處理使聚合物粒子被覆成爲導電性 粒子之情形，會有因電鍍處理步驟，或使用於被覆之金屬 材料種類，硬度，比重等之物性而有使導電性粒子之物性 大幅降低之情形。 尤其是如鎳般在使用具有硬度之材質的情形，其現象 多有發生，導電性粒子之物性，尤其是破壞強度之降低， 或破壞強度之大的不均勻會發生。因此，於要求高破壞點 之用途，在使用該導電性粒子之情形所要求之，聚合物物 性會有無法充分發揮之情形。 其理由並不明確，在非電解質電鍍等之被覆處理步驟 中，本發明人等人推測此係起因於以下所致聚合物粒子與 電鍍被膜之融合接點產生， (1 )由於脫脂步驟，蝕刻步驟，觸媒步驟，加速步 驟等之複雜步驟使得聚合物粒子表面進行物理性或化學性 粗化（凹凸）進行改質。 (2)在被改質之部分具有定錨（anchor)效果，在 電鍍步驟中使金屬析出·固著於改質部。 亦即吾人推測，在此狀態中因外部負荷使得電鍍被膜 被破壞時伴隨於此之龜裂或衝擊對聚合物粒子造成何等的 不良影響，此亦影響到強度或破壞等物性降低。 爲了有效抑制此種電鍍處理後導電性粒子之物性降低 -19- 200826120 之發生’故在本發明之導電性粒子中，將構成此等之聚合 物母粒子’以成爲芯粒子，與形成於該芯粒表面之聚合物 被覆層（晶種層）所成者爲佳。 亦即，在芯粒子與電鍍處理所形成之導電性被膜層之 間’設置聚合物被覆層’該聚合物被覆層可保護或吸收隨 著外部負荷所致導電性被膜破壞的龜裂或衝擊，而可使聚 合物母粒子原來之物性與導電性粒子之特性予以充分融合 。結果，可抑制破壞強度之降低，或強度之不均勻，可成 爲具有特異的軟質高彈性特性的導電性粒子。 又，本發明中，構成導電性粒子之聚合物母粒子，其 粒子直徑之位移爲X%時聚合物母粒子1個之壓縮彈性變 形特性K B X依下述式[2 ]定義時，

Kbx = (3/V2)· (SBx〇/2) · (Rb"1/2) · Fbx [2] [式中，FBX爲聚合物母粒子之X%位移時必要之荷重 (N ) ，SBX爲聚合物母粒子的X%位移之壓縮變形量（ mm)，與RB爲聚合物母粒子之粒子半徑（mm )]。 前述聚合物母粒子之直徑的位移爲60%時之壓縮彈性 變形特性KB6〇爲，於20°C下爲1〇〇〜5 0000N / mm2的同 時，前述聚合物母粒子之粒子直徑的位移爲6 0 %時之聚合 物母粒子的粒子直徑的回復率爲，於2 0 °C時爲2 0 %以上爲 佳。 此外，此KBX亦與κχ同，係使用微小壓縮試驗機（ MCT-W201，公司島津製作所製）來測定。 本發明中，聚合物母粒子之 60%Κ値（ΚΒ6〇 )未達 •20- 200826120 1 00N/mm2，使用此所得導電性粒子之強度會有降低之虞， 超過5 00 0 ON/mm2，會有相同導電性粒子之柔軟性不充分 之虞。 在考慮該等時，上述60%K値（KB6())較佳爲5 00〜 30000N/mm2 更佳爲 1000 〜15000N/mm2 最佳爲 2000 〜 1 ΟΟΟΟΝ/mm2。 此外，導電性粒子之壓縮位移特性，彈性特性等，因 係大爲仰賴於聚合物母粒子本身之特性，故在上述式[2 ]中 ，粒子直徑位移20 %時之壓縮彈性變形特性KB 2G與粒子 直徑位移 30%時之壓縮彈性變形特性 KB3()。以可滿足 K2〇2K3G爲佳。在使聚合物母粒子之KB2G與KB3G之關係 如上述，於成爲導電性粒子之情形，即使加諸更大的壓縮 荷重於粒子，亦難以破壞，且，可成爲壓縮位移及彈性回 復性大的具有軟質高彈性的粒子。 另一方面，聚合物母粒子之粒子直徑之位移在6 0 %中 於20°C之回復率（以下，稱爲60%壓縮變形回復率），係 在2 0 %以上，較佳爲2 5〜8 0 %，更佳爲3 0〜7 0 %，最佳爲 3 5 〜6 5 % ° 60 %壓縮變形回復率未滿20%時，自此所得導電性粒 子之彈力性低，例如，在將該導電性粒子使用於電極間連 接之情形之連接可靠度有降低之虞。而就回復率之上限， 以回復100%爲佳，而現實上爲90%以下。 此外，此壓縮變形回復率，亦與導電性粒子之該等同 樣，係使用微小壓縮試驗機（MCT-W201，島津製作所製 -21 - 200826120 )來測定。 進而，構成導電性粒子之聚合物母粒子，在由芯粒子 與聚合物被覆層所構成之情形，芯粒子之粒子直徑之位移 在1 0%中1個粒子之壓縮彈性變形特性Kc i。，與聚合物母 粒子之粒子直徑之位移在1 〇%中1個粒子之壓縮彈性變形 特性KB 1()，以可滿足下述式[3]爲佳。

Kcio〉Kbio [3] 在滿足此等下，可成爲抑制電鍍處理後破壞強度等之 物性降低的導電性粒子。 聚合物被覆層之成份，在比芯粒子之成份更爲軟質成 份者爲恰當，尤其是，芯粒子直徑之位移在10%中1個粒 子之壓縮彈性變形特性KC1G，與聚合物被覆層之成份所成 粒子直徑之位移在1 〇%中粒子1個之壓縮彈性變形特性 KS1G (但是，各粒子平均粒徑在±10%之範圍測定），以滿 足下述式[4]爲佳。

Kc 1 o>Ksio [4] 如此一來，在聚合物母粒子中，可維持對其特性有大 幅影響之芯粒子彈性等之物性，再者·在導電性被膜破壞 時伴隨之龜裂或衝擊等所致硬度之急劇物性降低亦可被抑 制。 此外，與芯粒子之成份比較，在聚合物被覆層之成份 爲硬的情形，伴隨導電性被膜破壞時之龜裂或衝擊無法被 吸收，因而龜裂或衝擊之影響有可能達到芯粒子爲止。 進而，爲充分維持上述之芯粒子物性，在聚合物母粒 -22- 200826120 子中芯粒子之半徑（Rc)與聚合物被覆層之厚度（D)， 以可滿足下述式[5] (Rc) > ( D) [5] 之構造爲恰當。較佳爲

(Rc) > ( D) xlO ，更佳爲 (Rc) > ( D) x30 ，最佳爲 (Rc ) > ( D) χ50。 本發明中，聚合物被覆層之厚度以0.005〜1.0 μηι爲 佳，更佳爲0.01〜〇.3μιη，進而較佳爲0.02〜Ο.ίμιη，最佳 爲 0.025 〜0·05μιηο 聚合物被覆層之厚度即使未達0.005亦可顯現被覆效 果，然而會有無法充分維持芯粒子物性之情形。另一方面 ，超過Ι.Ομπι時，雖可獲得維持芯粒子軟質性之效果，但 是在以電鍍處理形成導電層情形，會有在其步驟上產生問 題之情形，或會有對耐熱性，耐溶劑性等粒子物性造成不 良影響之情形。 又，例如，在電鍍處理，在考慮到以使用水系介質之 情形爲多時，聚合物被覆層之材質，以疏水性者爲佳。但 是，在分子鏈一部份具有親水性之官能基亦可。 聚合物被覆層之主成份，以熱塑性樹脂或可實施適度 交聯之具有彈性的樹脂爲佳。如此一來，不僅可防止被覆 層之溶解所致剝離，亦可防止在酸或鹼電鍍浴中對芯粒子 -23- 200826120 之極度腐蝕所致不良影響。 尤其是，使用於電鍍處理之 組成爲恰當，藉此，可有效地防 致不良影響。 聚合物被覆層之主成份爲熱 轉移溫度以-150〜3 00°C爲佳，更 晶性聚合物爲佳。 在聚合物被覆層之主成份樹 樹脂，丙烯酸系樹脂，甲基丙烯 ，聚丙烯系樹脂，乙烯系樹脂， 系樹脂，氟系樹脂，聚酯系樹脂 聚碳化二亞胺系樹脂，該等之共 交聯之樹脂等。 其中以，對酸或鹼爲強，且 故含有聚苯乙烯，苯乙烯成份之 交聯之樹脂等之苯乙烯系樹脂爲 將具有以上特性之聚合物被 導電層之間隔件，可得充分維持 電性粒子。 本發明導電性粒子之平均粒 ，更佳爲 0.2〜30μηι，特佳爲 C 0.1 μηι時，會有粒子易於凝集之 過10 0 μπι之粒子者極少。尤其是 伴隨電路基板或電路基材之小型 對酸或鹼抗性爲強的樹脂 止對芯粒子之極度腐蝕所 塑性樹脂之情形，其玻璃 佳爲 50〜200 °C。尤以非 脂方面，可例舉苯乙烯系 酸系樹脂，聚乙烯系樹脂 乙酸乙烯系樹脂，聚矽氧 ，聚胺甲酸乙酯系樹脂， 聚物，及對該等實施適度 廉價，具有彈性的硬度， 樹脂，及在該等實施適度 恰當。 覆層，設置作爲芯粒子與 聚合物粒子原來物性之導 徑，以 0.1〜100 μηι爲佳 L5〜20μιη。平均粒徑未達 虞。又，使用平均粒徑超 ^若爲20μηι以下之粒徑， 化，而可對應於最近傾向 -24- 200826120 之電路連接點距寬的微細。 又，粒徑（直徑）之Cv値以20%以下爲佳。Cv値超 過20%時，會使導電性粒子之用途性能降低（例如作爲電 極間隔件之控制與連接可靠度等）。粒徑之Cv値較佳爲 1 2 °/〇以下，更佳爲8 °/〇以下，最佳爲5 %以下。 在此’ Cv値係指以下述計算式所求得之値之意。

Cv値（％ )=(粒徑之標準偏差/平均粒徑）χ1〇〇 此外’上述平均粒徑及Cv値（％ )，係使用掃瞄電 子顯微鏡（S-4800，曰立High Technologies公司製，以 下，稱爲S E Μ )，於可測定之倍率（3 0 0〜2 0 0，0 0 0倍）攝 下粒子（η = 3 00 )照片，使粒子以二次元化之狀態經測定 之粒徑平均値及由此計算之粒徑標準偏差爲Cv値（％ ) 〇 構成本發明導電性粒子之聚合物母粒子（芯粒子）之 材質方面，若爲可使聚合性單體聚合所成之高分子化合物 (樹脂）成份則無特別限定，可例舉如苯乙烯系樹脂，丙 烯酸系樹脂’甲基丙烯酸系樹脂，聚乙烯系樹脂，聚丙烯 系樹脂，聚矽氧系樹脂，聚酯系樹脂，聚胺甲酸乙酯系樹 脂，聚醯胺系樹脂，環氧基系樹脂，聚乙烯丁縮醛系樹脂 ’松香系樹脂，萜烯（terpene )系樹脂，苯酚系樹脂，三 聚氰胺系樹脂，鳥糞胺系樹脂，D惡1¾啉系樹脂，碳化二亞 胺系樹脂及使該等交聯反應所得硬化樹脂等。該等可使用 單獨1種，或組合2種以上使用。 聚合物母粒子（芯粒子）之製造方法，若可得上述物 -25- 200826120 性之聚合物粒子之方法則並無特別限定，爲有效地獲得構 成具軟質高彈性之特性之本發明導電性粒子的聚合物母粒 子（芯粒子），使具有2個以上不飽和雙鍵的單體含3 5 質量％以上之原料單體進行溶液聚合之方法爲佳，在該溶 液聚合法中，其介質可溶解該原料單體而不會溶解所生成 之粒子。 在溶液聚合方面，可例舉（1 )在水溶液中進行之乳 化或懸濁聚合，（2 )在非水系有機溶劑中或水與非水系 有機溶劑之混合溶劑中，於分散劑之存在下進行之分散聚 合，（3)上述（1)或（2)與晶種（seed)法組合之方 法等。 尤其是，以粒徑可易於控制，在洗淨等之後步驟處理 可爲容易’在不使用晶種粒子下不僅可獲得所需之微米尺 寸之粒子，亦可容易製造具有親水性官能基等之共聚物， 進而與其他聚合方法比較，因壓縮變形後之變形回復率， 尤其是高壓縮位移時之變形回復率優異之粒子可容易地獲 侍’故以使用分散聚合爲佳。又’如文獻[j〇urnal 〇f Polymer S c i e n c e . P ar t A ： Polymer C hem i s t r y，（美國），3 i , 3 25 7 ( 1 993 )]所記載，準照分散聚合之沈澱聚合法亦可 恰當使用。 本發明中，具有2個以上不飽和雙鍵的單體之原料單 體中之含量，未達3 5質量％時，所得聚合物母粒子（芯粒 子）中高壓縮變形後之變形回復率有降低之虞，由此母粒 子（芯粒子）所得導電性粒子在使用於電極間連接之情形 -26- 200826120 ，隨著時間經過之同時，連接電阻變大，會有缺乏連接可 靠度之情況。就可使彈性回復率更爲提高之點而言’在上 述具有2個以上不飽和鍵之單體的原料單體中之含量，較 佳爲4 0〜9 5質量％，更佳爲4 5〜9 0質量％，最佳爲5 5〜 8 5質量％。 上述具有2個以上之不飽和雙鍵的單最體方面，並無 特別限定，可自周知多官能乙烯單體或多官能（甲基）丙 烯酸酯酸衍生物等之中適宜選擇使用。 具體例方面，有二乙烯苯；二乙烯聯苯基；二乙烯萘 ；(聚）乙二醇二（甲基）丙烯酸酯，（聚）丙二醇二（ 甲基）丙烯酸酯，（聚）四亞甲二醇二（甲基）丙烯酸酯 等之（聚）烷撐二醇系二（甲基）丙烯酸酯；1,6-己烷二 醇二（甲基）丙烯酸酯，1，8-辛烷二醇二（甲基）丙烯酸 酯，1，9-壬二醇二（甲基）丙烯酸酯，l，l〇-癸烷二醇二（ 甲基）丙烯酸酯，1，12-十二烷二醇二（甲基）丙烯酸酯， 3-甲基-1,5-戊烷二醇二（甲基）丙烯酸酯，2，4-二乙基-U 5-戊烷二醇二（甲基）丙烯酸酯，丁基乙基丙烷二醇二 (甲基）丙烯酸酯，3 -甲基-1，7-辛烷二醇二（甲基）丙烯 酸酯，2-甲基-1，8-辛烷二醇二（甲基）丙烯酸酯等之鏈烷 二醇系二（甲基）丙烯酸酯；新戊二醇二（甲基）丙烯酸 酯，三羥甲基丙院三（甲基）丙烯酸酯，四羥甲基甲烷三 (甲基）丙烯酸酯，四羥甲基丙烷四（甲基）丙烯酸酯， 新戊四醇三（甲基）丙烯酸酯，乙氧基化環己烷二甲醇二 (甲基）丙嫌酸醋’乙氧基化雙酌A二（甲基）丙燃酸醋 -27- 200826120 ，三環癸烷二甲醇二（甲基）丙烯酸酯，丙氧基化乙 化雙酚A二（甲基）丙烯酸酯，1，1，1-三個羥基甲基 二（甲基）丙烯酸酯，1，1，1-三個羥基甲基乙烷三（ )丙烯酸酯，1，1，1-三個羥基甲基丙烷三丙烯酸酯， 丙基鄰苯二酸酯及其異構物，三烯丙基三聚異氰酸酯 衍生物等。

此外，製品名方面則有新中村化學工業公司製之 酯[A-TMPT-6P0，A-TMPT-3E0，A · Τ Μ Μ - 3 L MN，A 系歹!J ， A-93 00 ， AD-TMP ， AD-TMP-4CL ， ATM-4E D P H ]等。該等單體可單獨使用，亦可倂用2種以上。 該等中以使用含有二乙烯苯及多官能（甲基）丙 酯系單體所選出之至少1種單體爲佳。在使用該等單 ，可使所得聚合物母粒子之高壓縮變形後之回復率容 提局。 又，爲使所得聚合物母粒子之高壓縮變形後回復 進一步提高，單體以使用含有二（甲基）丙烯酸酯系 者爲佳，尤其是，使用含有c6〜Cl8之鏈烷二醇系二 基）丙烯酸酯者爲恰當，以使用含有c8〜c12之鏈烷 系二（甲基）丙烯酸酯者最適。 進而，就可保持壓縮彈性特性Kx ( KBX )與高壓 形後回復率之調和的觀點而言，以倂用二乙烯苯與多 (甲基）丙烯酸酯系單體之共聚物爲佳。 加上上述具有2個以上不飽和雙鍵的單體，亦可 與其可共聚之聚合性單體。 氧基 乙烷 甲基 二烯 及其 NK GLY ，A - 烯酸 體下 易地 率更 單體 (甲 二醇 縮變 官能 倂用 -28- 200826120 此聚合性單體，在原料單體中可以〇〜6 5質量％之任 意比率配合’而對應於上述具有2個以上不飽和雙鍵的單 體之恰當使用量，以5〜60質量％爲佳，以1〇〜55質量％ 較佳，以15〜45質量％更佳。 此聚合性單體方面’可舉例如（i )苯乙烯，鄰甲基 苯乙烯，間甲基苯乙烯，對甲基苯乙烯，α_甲基苯乙烯， 鄰乙基苯乙烯’間乙基苯乙烯，對乙基苯乙烯，2，4 -二甲 基苯乙烯，對正丁基苯乙烯，對三級丁基苯乙烯，對正己 基苯乙烯，對正辛基苯乙烯，對正壬基苯乙烯，對正癸基 苯乙烯，對正十二基苯乙烯，對甲氧基苯乙烯，對苯基苯 乙烯，對氯苯乙烯，3，4-二氯苯乙烯等之苯乙烯類，（ii )丙烯酸甲酯，丙烯酸乙酯，丙烯酸丙酯，丙烯酸正丁酯 ，丙烯酸異丁酯，丙烯酸己酯，丙烯酸2-乙基己酯，丙烯 酸正辛酯，丙烯酸十二酯，丙烯酸月桂酸酯，丙烯酸硬脂 醯酯，丙烯酸2 -氯乙酯，丙烯酸苯酯，α-氯丙烯酸甲酯， 甲基丙烯酸甲酯，甲基丙烯酸乙酯，甲基丙烯酸丙酯，甲 基丙烯酸正丁酯，甲基丙烯酸異丁酯，甲基丙烯酸己酯， 甲基丙烯酸2 -乙基己酯，甲基丙烯酸正辛酯，甲基丙烯酸 十二酯，甲基丙烯酸月桂酯，甲基丙烯酸硬脂醯基等之（ 甲基）丙烯酸酯類’ （Πί )乙酸乙烯酯，丙酸乙烯酯，苯 甲酸乙烯酯’ 丁酸乙烯酯等之乙烯酯類，（iv)N -乙烯吡 咯，N -乙烯咔唑，N -乙烯吲哚，N -乙烯吡咯啶酮等之N · 乙烯化合物，（v)氟化乙烯，氟化亞乙烯，四氟乙烯， 六氟丙烯，丙烯酸三氟乙酯，丙烯酸四氟丙酯等之含氟化 -29- 200826120 烷基（甲基）丙烯酸酯類，（W ) 丁二烯，異戊二烯等之 共軛二烯類等。該等可單獨使用1種，或組合2種以上使 用。 該等中以使苯乙烯類，（甲基）丙烯酸酯類，乙烯酯 類等作爲聚合性單體使用爲佳，在使用該等下，可獲得具 有上述物性的聚合物母粒子。 尤其是，上述般之聚合性單體之中以具有親水性官能 基或活性氫基之不飽和單體作爲原料單體使用者，就可維 持’調整所得粒子之單分散性且軟質彈性特性之觀點而言 爲所望。 在親水性官能基或活性氫基方面，可例舉胺基，羧基 ，羥基、硫醇基，羰基，醚基，氰基，醯胺基，颯酸基， 磷酸基，第4級銨（鹽）基，環氧烷基等。此外，在不飽 和單體，上述官能基可單獨1種存在，或使2種以上混在 〇 此具有親水性官能基或活性氫基之不飽和單體，在原 料單體中較佳爲以3質量％以上之任意比率配合下而可期 待其效果，但是對應於上述之具有2個以上不飽和雙鍵的 單體或其他可共聚的聚合性單體之恰當使用量，以3〜65 質量％爲佳，以5〜5 0質量％較佳，以1 0〜4 0質量％更佳 〇 此種具有親水性官能基或活性氫基之不飽和單體方面 ，可例舉例如下述之物。以下說明中「C」表示碳原子。 -30- 200826120 (1 )含胺基單體 可例舉丙烯酸胺基乙酯，丙烯酸-N-丙基胺基乙酯，（ 甲基）丙烯酸-N-乙基胺基丙酯，（甲基）丙烯酸_N_苯基 胺基乙酯，（甲基）丙烯酸-N_環己基胺基乙酯等之含胺 基（甲基）丙烯酸烷基酯衍生物，烯丙基胺，N-甲基烯丙 基胺等之烯丙基胺系衍生物，對胺基苯乙烯等之含胺基苯 乙烯衍生物，2 -乙烯-4，6 -二胺基-S -三畊等之三D并衍生物 等。該等中以具有1級或2級胺基之化合物爲佳。此外， 該等化合物，可使用單獨1種，或組合2種以上使用。 (2 )含羧基單體 可例舉丙烯酸，甲基丙烯酸，巴豆酸，桂皮酸，伊康 酸，順丁烯二酸，反丁烯二酸等不飽和羧酸，伊康酸單丁 酯等之伊康酸單C 1〜8烷基酯，順丁烯二酸單丁基等之順 丁烯二酸單C1〜8烷基酯，乙烯苯甲酸等之含乙烯基芳香 族羧酸等各種含羧基單體及該等之鹽等。此外，該等化合 物，可單'獨使用1種，或組合2種以上使用。 (3 )含羥基單體 可例舉2 -羥基乙基（甲基）丙烯酸酯，2 -羥基丙基（ 甲基）丙烯酸酯，3-羥基丙基（甲基）丙烯酸酯，4-羥基 丁基（甲基）丙烯酸酯等之含羥基（甲基）丙烯酸系單體 ’（聚）乙二醇單（甲基）丙烯酸酯，（聚）丙二醇單（ 甲基）丙烯酸酯等之（聚）烷撐二醇（甲基）丙烯酸系單 -31 - 200826120 體，羥基乙基乙烯醚，羥基丁基乙烯醚等之羥基烷基乙烯 醚系單體，烯丙基醇，2-羥基乙基烯丙基醚等之含羥基烯 丙基單體等。此外，該等化合物可單獨使用1種，或組合 2種以上使用。 (4 )含硫醇（氫硫基）基單體 可例舉（甲基）丙烯酸2-氫硫基乙酯，（甲基）丙烯 酸2-氫硫基-1_羧乙酯，N- (2-氫硫基乙基）丙烯醯胺， N- (2-氫硫基-1-羧乙基）丙烯醯胺，N- (2-氫硫基乙基） 甲基丙烯醯胺，N- ( 4-氫硫基苯基）丙烯醯胺，N- ( 7-氫 硫基萘基）丙烯醯胺，順丁烯二酸單2-氫硫基乙基醯胺等 (5 )含羰基單體 可舉乙烯甲基酮，乙烯己基酮、甲基異丙烯基酮等之 乙烯酮類等。 此外，上述各化合物可單獨使用1種，或組合2種以 上使用。 (6 )含醚基單體 可例舉乙烯甲基醚，乙烯乙基醚，乙烯異丁基醚等之 乙烯醚系單體。 (7 )含氰基單體 -32- 200826120 可例舉丙烯腈，甲基丙烯腈，己嫌腈 氰苯乙烯等。 此外，上述各化合物可單獨使用1種 上使用 (8 )含醯胺基單體 可例舉（甲基）丙烯醯胺，α -乙基（ ，Ν-甲基（甲基）丙烯醯胺，Ν-丁氧基甲 醯胺，二丙酮（甲基）丙烯醯胺，Ν,Ν-二 烯醯胺，Ν，Ν-二乙基（甲基）丙烯醯胺， 苯乙烯礪醯胺，Ν，Ν-二甲基胺基乙基（甲 Ν，Ν-二乙基胺基乙基（甲基）丙烯醯胺， 丙基（甲基）丙烯醯胺，Ν，Ν-二乙基胺基 烯醯胺等。此外，該等之化合物可單獨使 2種以上使用。 (9)含楓基單體 可例舉乙烯（ethylene )颯酸，乙烯 (甲基）烯丙基《酸等之鏈烯颯酸，苯乙 苯乙烯礪酸等之芳香族颯酸，C1〜10烷 基磺基琥珀酸酯，磺基丙基（甲基）丙 C2〜6烷基（甲基）丙烯酸酯，甲基乙烯 3-(甲基）丙烯醯氧基丙基颯酸2-(甲 基-2,2-二甲基乙烷颯酸，3·(甲基）丙烯 ，4-戊烯腈，對 ，或組合2種以 甲基）丙烯醯胺 基（甲基）丙烯 甲基（甲基）丙 ’ N，N-二甲基-對 基）丙烯醯胺， N，N-二甲基胺基 丙基（甲基）丙 用1種，或組合 (vinyl )颯酸， 烯颯酸，α _甲基 基（甲基）烯丙 烯酸酯等之磺基 磺酸鹽，2 -羥基-基）丙烯醯基胺 醯基氧乙院δ風酸 -33- 200826120 ，3-(甲基）丙烯醯基氧-2-羥基丙烷礪酸，2-(甲基）丙 烯醯胺-2-甲基丙烷颯酸’ 3-(甲基）丙烯醯胺-2-羥基丙 烷颯酸等之含》酸基不飽和_及該等之鹽等° (1 0 )含磷酸基單體 可例舉2-羥基乙基（甲基）丙烯醯基磷酸酯，苯基-2-丙烯醯氧乙基磷酸酯等之（甲基）丙烯酸羥基烷基磷酸 單酯，乙烯磷酸等之含磷酸基不飽和酯及該等之鹽等。 此外，上述各化合物可單獨使用1種，或組合2種以 上使用。 (1 1 )含第4級銨（鹽）基單體 可例舉藉由C 1〜1 2烷基氯化物，二烷基硫酸、二烷 基碳酸酯，苄基氯化物等之4級化劑使3級胺4級化者。 具體例方面，有氯化2-(甲基）丙烯醯基氧乙基三甲 基銨，溴化2-(甲基）丙烯醯基氧乙基三甲基銨，氯化（ 甲基）丙烯醯基氧乙基三乙基銨，氯化（甲基）丙烯醯基 氧乙基二甲基苄基銨，氯化（甲基）丙烯醯基氧乙基甲基 嗎啉基（mo rp ho lino )銨之烷基（甲基）丙烯酸酯系第4 級銨鹽，氯化（甲基）丙烯醯基胺基乙基三甲基銨，溴化 (甲基）丙烯醯基胺基乙基三甲基銨，氯化（甲基）丙烯 醯基胺基乙基三乙基銨，氯化（甲基）丙烯醯基胺基乙基 二甲基苄基銨等之烷基（甲基）丙烯醯胺系第4級銨鹽， 二甲基二烯丙基銨甲基硫酸鹽，氯化三甲基乙烯苯基銨， -34- 200826120 四丁基銨（甲基）丙烯酸酯，三甲基苄基銨（甲基）丙烯 酸酯，2-(甲基丙烯醯基氧）乙基三甲基銨二甲基磷酸鹽 等。此外，該等化合物，可單獨使用1種，或組合2種以 上使用。 (1 2 )含環氧烷基單體 可例舉（聚）乙二醇單（甲基）丙烯酸酯，（聚）丙 二醇單（甲基）丙烯酸酯等之（聚）烷撐二醇（甲基）丙 烯酸系單體，甲氧基（聚）乙二醇單（甲基）丙烯酸酯， 甲氧基（聚）丙二醇單（甲基）丙烯酸酯等之烷氧基（聚 )烷撐二醇（甲基）丙烯酸系單體等。此外，該等之化合 物可單獨使用1種，或組合2種以上使用。 如以上具有親水性官能基或活性氫基之不飽和單體之 中以具有羥基，羧基，胺基，醯胺基及環氧烷基之任一種 官能基的單體爲佳，尤其是具有羥基，羧基及氧化伸乙基 之任一種官能基的單體更佳。在使用該等官能基下，因溶 液中所得粒子彼此之間之排斥變強，故可提高分散系之穩 定性，使單分散性更進一步提高，同時可獲得耐熱性，耐 藥品性，反應性，溶液分散性及粉體分散性，機械特性等 優異的聚合物母粒子 進而，具有親水性官能基或活性氫基之不飽和單體以 水溶性化合物爲恰當。在使用水溶性單體下，可使上述單 分散性進而提高，又，將所得聚合物母粒子在水或水系介 質可容易地單分散。 -35- 200826120 聚合引發劑方面，並無特別限定，可自周知之自由基 聚合引發劑適宜選擇使用。具體例方面，可例舉過氧化苯 醯基，枯烯氫過氧化物，三級丁基氫過氧化物，過硫酸鈉 ，過硫酸銨等之過氧化物，偶氮雙異丁腈，偶氮雙甲基丁 腈，偶氮雙異戊腈等之偶氮系化合物等。該等可單獨使用 1種，或組合2種以上使用。上述自由基聚合引發劑之配 合量，通常相對於原料單體100質量份則爲0.1〜50質量 份。 在合成用溶劑（介質）方面，若爲可溶解原料單體而 生成之粒子爲不溶解之介質則並無特別限定，一般係自溶 劑之中，因應使用之原料等而可選擇適宜之物。 可使用之溶劑方面，可舉例如水，甲醇，乙醇，1 -丙 醇，2-丙醇，1-丁醇，2-丁醇，異丁基醇，三級丁基醇， 1-戊醇，2-戊醇，3-戊醇，2-甲基-1-丁醇，異戊醇，三級 戊醇，1-己醇，2-甲基-1-戊醇，4-甲基-2-戊醇，2-乙基丁 醇，1-庚醇，2-庚醇，3-庚醇，2-辛醇，2·乙基-1-己醇， 苄基醇’環己醇等之醇類；甲基溶纖劑，乙基溶纖劑，異 丙基溶纖劑，丁基溶纖劑，二乙二醇單乙基醚，二乙二醇 單丁基醚，甲基卡必醇，乙基卡必醇，丁基卡必醇等之醚 醇類；丙酮，甲基乙基酮，甲基異丁基酮，環己酮等之酮 類；乙酸乙酯，乙酸丁酯，丙酸乙酯，（烷基）溶纖劑乙 酸酯，二乙二醇單乙基醚乙酸酯，二乙二醇單丁基醚乙酸 酯等之酯類；戊烷，2-甲基丁烷，正己烷，環己烷，2-甲 基戊烷，2,2-二甲基丁烷，2,3-二甲基丁烷，庚烷，正辛 -36- 200826120 烷，異辛烷，2，2，3 -三甲基戊烷，癸烷，壬烷，環戊烷， 甲基環戊烷，甲基環己烷，乙基環己烷，對薄荷烷，二環 己基，苯，甲苯，二甲苯，乙基苯等之脂肪族或芳香族烴 類；四氯化碳，三氯乙烯，氯苯，四溴代乙烷等之鹵化烴 類；乙基醚，二甲基醚，三噁烷，四氫呋喃等之醚類；甲 縮醛，二乙基縮醛等之縮醛類；甲酸，乙酸，丙酸等之脂 肪酸類；硝基丙烯，硝基苯，二甲基胺，單乙醇胺，吡啶 ，二甲基甲醯胺，二甲基亞楓，乙腈，N-甲基-2-吡咯啶 酮等之含硫或氮有機化合物類等。該等可使用單獨1種， 或組合2種以上使用。 此外，其中以甲基溶纖劑乙酸酯，二乙二醇單乙基醚 ，二乙二醇單丁基醚，二乙二醇單乙基醚乙酸酯，二甲基 甲醯胺，N-甲基-2-吡咯啶酮等之水溶性，且，使用沸點 爲1 05 °C以上之介質經適量添加之混合介質，就粒徑之控 制，分散性之點爲佳。特佳者爲沸點1 40°C以上之介質經 適量添加之混合介質。 在反應溶液中，原料單體之含量，在全反應溶液中成 爲1〜5 0質量％爲佳，更佳爲2〜3 0質量％，進而較佳爲3 〜2 0質量％，最佳爲6〜1 5質量％。 亦即，原料單體之含量超過50質量％時，在將具有上 述物性之聚合物母粒子進行單分散化之狀態下以高收率獲 得則有困難。另一方面，在未達1質量％時，在反應終結 爲止需要長時間，又自工業觀點而言並非實用。 聚合時之反應溫度，因使用之溶劑之種類而改變’並 -37- 200826120 無法一槪而規定，通常爲10〜200 °C左右，較佳爲 30〜 1 3 0 °C，更佳爲 4 0 〜9 0 °C。 又，反應時間若爲用在爲目的之反應大致終結所要之 時間則並無特別限定，受到單體種類及其配合量’溶 '液之 黏度及其濃度，目的之粒徑等所大幅左右，而例如在40〜 90 °C之情形，則爲1〜72小時，較佳爲2〜24小時左右。 此外，所得之粒子，在晶種（seed )聚合下可成爲具 有芯-殻構造之物，或成爲導入其他反應性官能基等之複 合粒子，可因應其用途等而成爲適宜的形態。 進而，在製造聚合物母粒子時，於聚合條件下並不與 原料單體反應，而是在碳原子數5個以上之有機化合物存 在下進行聚合反應爲佳。 此種，在使有機化合物於反應系中共存下，可使所生 成之聚合物母粒子之分散性提高，可控制粒徑更爲均一。 碳原子數5個以上之有機化合物，在常溫爲固體或液 體，若爲在使用之介質混合（含分散）或溶解，對聚合物 母粒子生成並無不良影響的話則並無特別限定，熔點爲 80°C以下，較佳爲60°C以下，更佳爲4(TC以下，進一步更 佳爲3 0 °C以下之有機化合物。若爲熔點8 (TC以下左右之比 較低熔點之有機化合物，在不阻礙本發明效果之範圍可作 爲溶劑（介質）使用。 碳原子數可爲5個以上，在聚合條件下有使之共存之 必要，在考慮到有機化合物之揮發性或沸點等時，以6個 以上爲佳，以8個以上較佳，以1 0個以上最適。 -38- 200826120 又’上述有機化合物之添加量，相對於聚合介質，係 〇·1〜50質量％左右，較佳爲1〜25質量％左右，更佳爲2 〜1 0質量％左右。在此，添加量超過5 〇質量％時，就有機 化合物，會產生反應溶液全體之黏度變高之事態，而會有 使粒徑均一地控制造成困難之情形。另一方面，未達〇. 1 質量％時，會有使粒子單分散化效果無法充分發揮之情形 〇 爲提高粒子之單分散化效果，上述有機化合物以使用 選自烴化合物及矽氧烷化合物之至少1種爲佳。 在此，烴化合物係指飽和烴，不飽和烴等之脂鏈式烴 類，脂環式烴類，芳香族烴類，高級醇，高級脂肪酸，脂 肪，油脂，蠟類，動植物油類，礦物油，石油產物等之油 類等具有烴基之化合物及其衍生物等。 該等烴化合物之中以脂鏈式烴類，脂環式烴類，芳香 族烴類，油類爲恰當。 又，矽氧烷化合物方面，以有機聚矽氧烷（聚矽氧） 爲恰當。 該等烴化合物及矽氧烷化合物，可單獨使用1種，或 組合2種以上使用。 此外，上述所說明之碳原子數5個以上之有機化合物 ，就可使單分散化效率提高之點而言，以疏水性之化合物 爲佳。 本發明中，在製造聚合物母粒子之際，因應聚合方法 可將其他（高分子）分散劑，穩定劑，乳化劑（界面活性 -39- 200826120 劑）等，相對於上述原料單體，以0.01〜50質量％之適宜 量配合。 分散劑及穩定劑方面，可例舉聚羥基苯乙烯，聚苯乙 烯楓酸，乙烯苯酚-(甲基）丙烯酸酯共聚物，苯乙烯-( 甲基）丙烯酸酯共聚物，苯乙烯-乙烯苯酚-(甲基）丙烯 酸酯共聚物等之聚苯乙烯衍生物；聚（甲基）丙烯酸，聚 (甲基）丙烯醯胺，聚丙烯腈，聚乙基（甲基）丙烯酸酯 ，聚丁基（甲基）丙烯酸酯等之聚（甲基）丙烯酸衍生物 ;聚甲基乙烯醚，聚乙基乙烯醚，聚丁基乙烯醚，聚異丁 基乙烯醚等之聚乙烯烷基醚衍生物；纖維素，甲基纖維素 ，乙酸纖維素，硝酸纖維素，羥基甲基纖維素，羥基乙基 纖維素，羥基丙基纖維素，羧甲基纖維素等之纖維素衍生 物；聚乙烯醇，聚乙烯丁縮醛，聚乙烯甲縮醛，聚乙酸乙 烯等之聚乙酸乙烯衍生物；聚乙烯吡啶，聚乙烯吡咯啶酮 ，聚乙烯亞胺，聚-2-甲基-2-噁唑啉等之含氮聚合物衍生 物；聚氯化乙烯，聚氯化亞乙烯等之聚鹵化乙烯衍生物等 各種疏水性或親水性之分散劑，穩定劑。該等可單獨使用 1種，或組合2種以上使用。 乳化劑（界面活性劑）方面，可例舉月桂基硫酸鈉等 之烷基硫酸酯鹽，十二基苯颯酸鈉等之烷基苯颯酸鹽，烷 基萘楓酸鹽，脂肪酸鹽，烷基磷酸鹽，烷基磺基號珀酸鹽 等之陰離子系乳化劑；烷基胺鹽，第4級銨鹽，烷基甜菜 鹹（b e t a i n e )，胺化氧等之陽離子系乳化劑；聚氧乙烯烷 基醚，聚氧乙烯烷基烯丙基醚，聚環氧乙烷烷基苯基醚， -40- 200826120 山梨聚糖脂肪酸酯，甘油脂肪酸酯，聚氧乙烯脂肪酸酯等 之非離子系乳化劑等。該等可單獨使用1種，或組合2種 以上使用。 聚合物母粒子，在由芯粒子，與在此表面所形成之聚 合物被覆層所成粒子之情形，在芯粒子表面形成聚合物被 覆層（晶種層）之方法，可例舉例如噴霧方法，機械方法 ，物理方法，化學方法等，而就控制單分散性，粒徑及晶 種層（厚度）之觀點而言，在下述（1 )〜（3 )例示之溶 液中以形成晶種層之方法爲佳。 (1 )將芯粒子分散於溶劑中，使用聚合性化合物藉 由晶種法獲得晶種層（在有製作之芯粒子母液的情形，可 以該母液爲基礎來進行晶種法）。 (2 )在使聚合物等化合物溶解之介質中使芯粒子分 散，藉由適度的弱溶劑化而可得析出於芯粒子表面的晶種 層。 (3 )預先將芯粒子表面以聚合性官能基修飾，在介 質分散化中在使聚合性化合物接枝化下可獲得晶種層。 其中成爲導電層被破壞時之衝擊難以對芯粒子內部產 生影響之構造的（1 )，（ 2 )之方法特佳。如接枝化方式 若將芯粒子與聚合物被覆層強固地〔化學方式〕鍵結時則 會有無法維持物性之情形。 此外，該等方法可單獨使用，亦可倂用2種以上。又 ，晶種層可爲單層，亦可爲複數層。 本發明之導電性粒子，係在聚合物母粒子（聚合物被 -41 - 200826120 覆層）表面，形成導電材料所成導電層所成之物。 在構成導電層之金屬材料方面，並無特別限定，可採 用銅，鎳，銘，，金，鉑，铑，銀，鋅，鐵，給，錫， 鋁，銦，鉻，銻，鉍，鍺，鎘，矽等。該等金屬材料，可 單獨使用，亦可倂用2種以上。 導電層之膜厚，可爲通常0.01〜10.0 μιη左右，較佳 爲0.01〜Ι.ΟμΓΠ，更佳爲0.05〜0.5μιη，最佳爲〇.〇8〜〇2 。導電層之膜厚未達Ο.ΟΙμιη時，則難以獲得所望之導電 性，超過1 0 μ Π1時，就比重，價格之觀點而言其有用性不 僅少’亦會使本發明導電性粒子之柔軟性難以有效地顯現 ，進而在該步驟中則易於引起導電性粒子彼此間之凝集。 在導電層之形成方法方面，並無特別限定，可例舉例 如非電解質電鍍之方法，以單獨金屬微粉使粒子塗覆之方 法，將金屬粉與黏合劑混合所得糊來塗覆粒子之方法，真 空蒸鍍，離子電鍍，離子濺鍍等之物理蒸鍍方法等。該等 中在考慮所得粒子分散性，導電層膜厚之均一性等時，以 非電解質電鍍處理方法爲佳。 非電解質電鍍處理方法方面，則有例如可藉由周知之 方法及設備在成爲水性漿液狀之聚合物母粒子，添加錯化 劑予以充分分散，接著，添加構成金屬非電解質電鍍液之 藥液以形成金屬被覆之方法。 錯化劑方面，相對於使用之金屬離子，可自有錯化作 用之周知各種化合物適宜選擇使用，可舉例如檸檬酸，羥 基乙酸，酒石酸，蘋果酸，乳酸，葡糖酸或其鹼金屬鹽或 •42- 200826120 者銨鹽等之羧酸（鹽），甘氨酸等之胺基酸，乙烯二胺， 烷基胺等之胺酸，其他之銨，EDTA，焦磷酸（鹽）等。 又，非電解質電鍍液方面，可恰當使用含銅，鎳，銘 ，鈀，金，鈾，铑等之金屬1種以上者，通常，可使用在 該等金屬鹽添加有次磷酸鈉，肼，氫化硼鈉等還原劑及氫 氧化鈉等pH調整劑之各水溶液的溶液。此外，含有銅， 鎳，銀，金等金屬的非電解質電鍍液，則有市售，可廉價 獲得。 在包覆聚合物母粒子之非電解質電鍍層，若含有上述 各金屬之層，則並無特別限定，以鎳或鎳合金之電鍍皮膜 爲佳，可爲使該等皮膜含有至少1層之複層皮膜。鎳或鎳 合金皮膜，係與聚合物母粒子強固地密接而可形成耐剝離 性良好的非電解質電鍍層，再者在其上面於其他金屬層爲 複層形成之情形可確保與上層金屬層之強固結合性，具有 作爲中間層可有效地作用之優點。 鎳合金方面，則有鎳-磷，鎳-硼等，皮膜中磷，硼之 含有率並無特別限制，但各自以1〜1 5質量％，0.5〜3質 量％爲佳。 在複層皮膜之情形，以鎳-金複層皮膜爲恰當。此複 層皮膜，與鎳單層皮膜比較導電性能爲優異。 以下作爲非電解質電鍍處理之一例，就無電解鎳電鍍 法加以說明。〜 首先，在聚合物母粒子表面捕捉鈀離子後，使其還原 進行使鈀載持於母粒子表面之觸媒化處理步驟，其後’在 -43- 200826120 至少含有鎳鹽，還原劑，錯化劑等之非電解質電鍍浴添加 聚合物母粒子之水性漿液進行非電解質電鍍處理步驟獲得 導電性粒子。 就觸媒化處理步驟加以具體說明。 非電解質電鍍處理因係於水系進行，故聚合物母粒子 在非親水性之情形，於觸媒化處理步驟之前，有必要藉由 酸或鹼等使其親水化。酸，鹼之選擇，可依聚合物母粒子 之特性而適宜選擇。接著，可因應需要在聚合物母粒子表 面進行賦予觸媒捕捉能之改質處理。觸媒捕捉能係指，在 觸媒化處理步驟中，於聚合物母粒子表面使鈀離子作爲鉗 合物或鹽予以捕捉而得之作用，一般在表面具有胺基，亞 胺基，醯胺基，醯亞胺基，氰基，羥基，腈基或羧基之1 種或2種以上之粒子具有捕捉作用。 在聚合物母粒子無觸媒捕捉能之情形，而有必要藉由 表面處理賦予捕捉能，此改質化可使用日本特開昭6 1 -648 82號公報記載之方法，亦即，藉由胺基取代有機矽烷 系偶合劑或胺系硬化劑進行硬化之環氧基系樹脂。 觸媒化處理步驟，係將聚合物母粒子在氯化鈀之稀薄 酸性水溶液中予以充分分散而在表面上捕捉鈀離子。此時 ，氯化鈀水溶液之濃度，在0.05〜lg/L之範圍爲充分。接 著，進行再壓（repiilping)洗淨後，將在聚合物母粒子表 面捕捉之鈀離子予以還原處理而在聚合物母粒子之表面捕 捉鈀。此還原處理，係預先使聚合物母粒子成爲漿液狀， 在進行充分分散時以添加還原劑水溶液之方法來進行。 -44- 200826120

所使用之還原劑方面， 氫化硼鉀，二甲基胺硼氫化 。還原劑之添加量，因聚合 大致上相對於漿液以〇. 0 1〜 接著，就非電解質電鍍 首先，將實施觸媒化 5 00g/L，較佳爲 5 〜3 00g/L 製水性漿液。分散操作，通 體硏磨機或均化器般之剪斷 操作，可倂用超音波，進而 分散劑。 接著，在含有鎳鹽，還 之非電解質電鍍浴添加經分 進行非電解質電鍍處理。 在此情形，鎳鹽方面， 鎳等，其電鍍浴中之濃度爲 還原劑方面，可使用次 borane )，氫化硼鈉，氫化 度在0· 1〜50g/L之範圍。 錯化劑方面，有例如檸 果酸，乳酸，葡糖酸或其驗 ，甘氨酸等之胺基酸，乙燒 之銨’ EDTA ，焦磷酸（鹽 作用之化合物，該等可單獨 可例舉次磷酸鈉，氫化硼鈉， 物（borane )，肼，甲醒水等 物母粒子之比表面積而不同， l〇g/L之範圍爲適當。 處理步驟加以說明。 處理之聚合物母粒子在 1〜 之範圍充分地分散於水，來調 常可使用攪拌，高速攪拌或膠 分散裝置。又，加上上述分散 可因應需要添加界面活性劑等 原劑，錯化劑及各種添加劑等 散處理之聚合物母粒子漿液， 係使用氯化鎳，硫酸鎳，乙酸 0.1〜50g/L之範圍。 磷酸鈉，二甲基胺硼氫化物（ 硼鉀，月井等，其電鍍浴中濃 檬酸，羥基乙酸，酒石酸，蘋 金屬鹽或銨鹽等之羧酸（鹽） 二胺，烷基胺等之胺酸，其他 )等，相對於鎳離子具有錯化 使用1種，或組合2種以上使 -45- 200826120 用。其電鍍浴中濃度爲1〜100g/L，較佳爲5〜50g/L之範 圍。 在此階段之非電解質電鍍浴之pH以4〜1 4之範圍爲 恰當。 非電解質電鍍反應，若添加聚合物母粒子漿液時則可 快速開始。在此反應中因發生氫氣，故在該氫氣之發生完 全消失的時間點則爲非電解質電鍍反應之完成。 進而，持續上述步驟，將構成非電解質電鍍液之鎳鹽 、次磷酸鈉及氫氧化鈉之各水溶液之所要量，至少分離成 2液，使各自同時地，或經時間地，較佳爲連續地，以設 定之量比進行分割添加來進行非電解質電鍍亦可。 若添加非電解質電鍍液時可再度使電鍍反應開始，藉 由調整其添加量，可將所形成之鎳皮膜控制於所望之膜厚 。在非電解質電鍍液全量添加完成後，在完全無法確認氫 氣體之發生後，在暫時保持液溫之同時繼續攪拌使反應終 結。 藉由上述步驟在聚合物母粒子上可形成鎳皮膜，進而 在其表面實施其他金屬電鍍處理，而可形成一層導電性能 優異的複層皮膜。 例如，在形成金皮膜之情形，含有EDTA-4Na，檸檬 酸-2Na般之錯化劑及氰化金鉀，將在氫氧化鈉水溶液使 pH經調整於弱酸性區域之非電解質電鍍浴予以加溫，在 其中，一邊攪拌鍍鎳粒子一邊添加成爲分散懸濁液後，個 別添加：氰化金鉀，E D T A - 4 N a及檸檬酸-2 N a之混合水溶 -46- 200826120 液，與氫化硼鉀及氫氧化鈉之混合水溶液，以進行電鍍反 應之操作。其後，藉由常法進行後處理，可獲得形成複層 皮膜之導電性粒子。 以非電解質電鍍處理所形成導電性皮膜之膜厚，以 0.01〜1·0μηι之範圍爲佳，更佳爲 〇.〇5〜0.5μιη，最佳爲 〇· 08〜0.2。電鍍皮膜之膜厚在未達〇.〇1 μπι時則缺乏皮膜 層之均一性，而且會有導電性能劣化之情形，超過1 . 0 μπι 時，在電鍍步驟中粒子彼此之間進行凝集而產生橋接（ bridge)現象，會有損及分散性之情形。 尤其是，在聚合物母粒子爲芯粒子與聚合物被覆層所 成粒子情形，聚合物被覆層之厚度（D )與電鍍皮膜之膜 厚（E )則以調整電鍍量來滿足下述關係爲佳。 0.05x (E) <(D) <1〇χ(Ε) 如此一來，可獲得充分發揮芯粒子特徵，導電性特徵 之可得均衡之導電性粒子。 更佳爲 0.1χ(Ε) <(D) <5χ(Ε)。 本發明之導電性粒子，係如上述，因具有特定之 5 0%Κ値，壓縮變形回復率，故在作爲導電材料使用之情 形，使得用於電極間連接之基板受損，或使其貫通之情事 並不會發生，即使予以高壓縮變形亦可獲得高精度之間隙 保持性或穩定之連接可靠度。 進而，若將聚合物母粒子，成爲芯粒子與聚合物被覆 層所成之物，藉由聚合物被覆層可提高耐酸性或耐鹼性， -47- 200826120 可防止對母粒子之酸或鹼腐蝕，防止伴隨腐蝕所產生電鍍 剝離或破裂，同時在不損及芯粒子之物性下而可維持。在 使用多量含有交聯成份於芯粒子者之情形，此效果可進一 步提升。 以上說明之本發明之導電性粒子，係藉由分散於熱硬 化性樹脂或熱塑性樹脂而可成爲樹脂組成物。 此樹脂組成物，係將其捏合成爲糊狀或薄片狀等，例 如，可使用於微元件組裝用導電性黏接劑，各向異性導電 性黏接劑等之導電性黏接劑，異方向性導電膜或導電連接 構造體等的導電材料，或其成形品，及熱傳導·放熱構件 等，尤其是作爲各向異性導電性黏接劑用之導電性粒子爲 恰當。 在此，各向異性導電性黏接劑係指，將在表面形成配 線圖型之配線基板，於使該配線基板呈對面之狀態進行黏 接，而在對面之配線圖型間可確保電性導通性，同時在相 同基板之配線圖型間則爲維持絕緣狀態用之黏接劑。 此各向異性導電性黏接劑，係在絕緣性黏接成份中使 導電性粒子分散所成者。 各向異性導電性黏接劑，就予以加壓使2片基板黏接 之機能觀之，可謂爲感壓黏接劑之一種，而就黏接劑全體 具有絕緣性，且，藉由加熱加壓黏接而僅在加壓方向具有 電性導通性之方式來配合各成份之點而言，則被要求與一 般感壓黏接劑不同之特性。 亦即，一般感壓黏接劑方面，例如在日本特開平5 - -48- 200826120 17736號公報有揭不聚苯乙嫌系巨分子（macromer)，（ 甲基）丙烯酸烷基酯，聚醇，聚異氰酸酯及賦予黏著性樹 脂所成反應性熱熔型黏接劑，如此之感壓黏接劑，黏接強 度爲最重要的特性，而各向異性導電性黏接劑，於感壓黏 接劑所要求般之黏接強度要高爲當然，再加上，藉由黏接 在所望位置僅一定方向具有通電性，在另一方向則具有絕 緣性，此爲極具特殊特性之要求。 各向異性導電性黏接劑之各向異性導電性，係在2片 配線基板間夾持各向異性導電性黏接劑進行加熱加壓時， 配線圖型所形成部分之絕緣性黏接劑朝向橫方向移動而可 維持在相同基板上之配線圖型間之絕緣性，同時使兩基板 黏接，而且配置於各自基板的配線圖型，在以導電性粒子 而僅於加壓方向進行電性導通，故在使不同基板進行電性 連接下而可顯現。 形成此種各向異性導電性黏接劑之絕緣性黏接劑，在 黏接2片基板之同時，可作爲導電性粒子之分散劑來作用 〇 絕緣性黏接劑成份在爲絕緣性之同時，使基板相互黏 接’而且具有其黏接強度並不隨時間變化而降低之特性者 爲必要，一般而言可使用熱硬化型之黏接劑，例如丙烯酸 系，胺甲酸乙酯系，苯乙烯-丁二烯-苯乙烯系，苯乙烯-乙 烯-丁烯基-苯乙烯系等各種黏接性樹脂。 絕緣性黏接成份，亦可照樣使用，對此可進而配合熱 硬化樹脂先質。 -49- 200826120 熱硬化性樹脂先質係，在配合於上述絕緣性黏接成份 及其他之成份，同時藉由黏接時之加熱，爲可形成苯酚樹 脂，脲樹脂，三聚氰胺樹脂，烯丙基樹脂，呋喃樹脂，熱 硬化性聚酯樹脂，環氧基樹脂，熱硬化性聚矽氧樹脂，熱 硬化性聚醯胺樹脂，聚醯胺-醯亞胺樹脂，聚醯亞胺樹脂 ，聚胺甲酸乙酯樹脂，熱硬化性氟樹脂及熱硬化性聚烯烴 樹脂等熱硬化性樹脂而得之成份。 又，在各向異性導電性黏接劑，可因應需要配合充塡 劑。 充塡劑方面，可例舉氧化鈦，二氧化矽，碳酸鈣，磷 酸鈣，氧化鋁，三氧化銻等之絕緣性無機粒子，該等可單 獨使用，或組合使用。此絕緣性無機粒子之平均粒徑通常 爲 0 · 0 1 〜5 μηι 〇 絕緣性無機粒子之配合量，相對於黏接劑中樹脂成份 100質量份，通常爲1.0〜50.0質量份，較佳爲5.0〜25.0 質量份。將絕緣性無機粒子以此範圍之量配合，而可調整 絕緣性黏接成份之流動性，因此在黏接後進行加熱可使此 絕緣性黏接劑逆流而減少導通性之阻礙。又，在黏接之際 可防止自印刷基板之端部之黏接劑之擠出。 含有本發明導電性粒子之各向異性導電性黏接劑，可 以藉由導電性粒子及上述各黏接劑成份，可因應需要混合 充塡劑來製造。 導電性粒子之配合量，相對於絕緣性黏接成份（樹脂 )100質量份，通常爲0.5〜15質量份，較佳爲2〜8質量 -50- 200826120 份。 所得之各向異性導電性黏接劑，可以薄片狀及糊狀等 各種形態使用。 各向異性導電性黏接劑薄片，係將上述各向異性導電 性黏接劑（組成物），例如以刀塗佈機，切角塗佈機（ comma coater)，逆輥（reverse roll)塗佈機或凹版印刷 (gravure )塗佈機等塗佈，藉由溶劑之除去而可製造出。 各向異性導電性黏接劑薄片之厚度，通常爲1〜1 00 μιη， 較佳爲10〜50μπι。 另一方面，糊狀之各向異性導電性黏接劑，例如，係 使用篩網塗佈機等在基板上塗佈可與上述同樣方式使用。 在作爲各向異性導電性黏接劑之導電性粒子使用之情 形，本發明導電性粒子之表面，進而以有絕緣性樹脂所成 絕緣層形成爲佳。在此情形，絕緣層之厚度，通常爲0.1 〜0 · 5 μιη左右。此外，此絕緣層亦可不必完全被覆導電性 粒子之表面。 此絕緣層，在不施加壓力等之通常狀態（自然狀態） 可被覆成使導電性粒子表面之導電性材料不致暴露之方式 ，而藉由使2片基板黏接之際之加熱·加壓而被破壞，而 形成使導電性層暴露之方式。 在設置此種絕緣層下，不僅使本發明導電性粒子之特 性可發揮之微細電路之連接爲可行，而且因導電性粒子以 絕緣層被覆，故可防止粒子之氧化劣化，可獲得長期連接 可靠度提高之連接構件。 -51 - 200826120 上述絕緣層，相對於有絕緣性黏接成份溶解或分散之 溶劑，及黏接劑成份可由穩定的樹脂等所形成。 此種樹脂方面，可例舉苯酚樹脂，脲樹脂，三聚氰胺 樹脂，烯丙基樹脂，呋喃樹脂，聚酯樹脂，環氧基樹脂， 聚矽氧樹脂，聚醯胺-醯亞胺樹脂，聚醯亞胺樹脂，聚胺 甲酸乙酯樹脂，氟樹脂，碳化二亞胺樹脂，聚烯烴樹脂（ 聚乙烯，聚丙烯，聚丁烯等），聚烷基（甲基）丙烯酸酯 樹脂，聚（甲基）丙烯酸樹脂，聚苯乙烯樹脂，丙烯腈-苯乙烯-丁二烯樹脂，乙烯樹脂，聚醯胺樹脂，聚碳酸酯 樹脂，聚縮醛樹脂，離子鍵聚合物樹脂，聚醚颯樹脂，聚 苯撐氧樹脂，聚礪樹脂，聚氟化亞乙烯樹脂，乙基纖維素 ，乙酸纖維素等。 在導電性層表面形成絕緣層之方法方面，可利用凝聚 法（coacervation )，界面聚合法，現場（in situ )聚合法 及液中硬化被覆法等化學方法，噴灑乾燥法，氣中懸濁被 覆法（in gas suspension coating method)，真空蒸鍍被覆 法’乾掺合法’靜電合體法（electrostatic uniting method )’熔融分散冷卻法及無機質膠囊化法等物理機械方法， 界面沈澱法等物理化學方法。該等中以物理機械方法爲佳 ’進而以乾掺合法（使用混種（h y b r i d a i z a t i ο η )系統的被 覆方法等）特佳。 【實施方式】 以下’ i式舉合成例，實施例及比較例，更具體說明本 -52- 200826120 發明，但本發明並非限定於下述之實施例。 [1 ]聚合物母粒子之製作 [合成例1] 在5 L分離燒瓶將下述A i群所示各化合物總括地裝 入，以氮取代溶存氧後，使用攪拌機，在氮氣流下，於油 浴溫度82。(：，進行約6小時加熱攪拌，獲得DVB-甲基丙 烯酸-二丙烯酸酯之共聚粒子溶液。 所得之粒子溶液係使用周知之吸引過濾設備以四氫呋 喃（以下，稱爲THF)經3〜5次左右，重覆洗淨-過濾後 ’予以真空乾燥獲得芯粒子1。所得粒子之粒徑用SEM觀 察，測定時，平均粒徑爲3.7 8 μιη之球狀粒子。又，C v値 爲 3 · 7 % 〇 〔A1 群〕 DVB(純度96%，新日鐡化學公司製DVB-96〇) 5 5.75 g [含有乙基乙烯苯3%] 甲基丙燃酸 NK-酯 A-DOD(新中村化學工業公司製） 92.92g [l，l〇-癸二醇二丙烯酸酯] 1 728.72g 16.73g 86.44g 84.31g 3 1 .44g 乙腈 偶氮雙異丁腈（以下AIB N ) 正十二烷 二乙二醇單乙基醚乙酸酯 一甲基甲醯胺（以下DMF) -53 200826120 接著在3 00ml燒瓶，將下述B!群所 總括裝入，以超音波分散後，使用攪拌機 在油浴溫度5 0 °C，進行約2小時加熱，攪 之表面形成聚苯乙烯被覆層（聚合物被覆 所得粒子溶液係使用周知之吸引過濾 3〜5次左右，洗淨-過濾後，進行真空乾 粒子1。將所得粒子之粒徑以S EM觀察， 均粒徑3.84 μιη之球狀粒子。又，Cv値爲 物母粒子1之SEM照片如第1圖所示。 [B,群] 芯粒子1 5〇g 水（離子交換水） 1 8.57g 甲醇 65g THF 9.29g 苯乙烯 5g 過硫酸錢 〇.25g [合成例2 ] 除了使用下述A2群所示化合物以外其 同，獲得DVB_甲基丙烯酸·二丙烯酸酯共 2 〇 在用SEM觀察，測定所得粒子粒徑 5·12μπι之球狀粒子。又，Cv値爲4.0%。 示各化合物予以 ，於氮氣流下， 拌，在芯粒子1 罾）° 設備以甲醇重覆 燥獲得聚合物母 測定時，則爲平 3 · 8 %。所得聚合 :他則與合成例1 聚物所成芯粒子 時，平均粒徑爲 -54- 200826120 〔A2 群〕 DVB ( DVB-960 ) 61.3 1 g 甲基丙烯酸 40.88g ΝΚ·酯 A-DOD 102.19g 乙腈 1 8 5 8 · 0 5 g ΑΙΒΝ 18.42g 正十二 烷 85.51g 二乙二 醇單乙基醚乙酸！ i 92.9g DMF 3 1 .59g 接著除了使用下述B2群所示化合物以外其他則與合 成例1同，在芯粒子2之表面形成苯乙烯-甲基丙烯酸甲 基共聚物被覆層（聚合物被覆層）’獲得聚合物母粒子2 〇 用SEM觀察，測定所得之粒子粒徑時’爲平均粒徑 5.18μιη之球狀粒子。又，〇値爲4·1%。 〔B2 群〕 芯粒子2 5〇g 水（離子交換水） 29.17g 甲醇 5〇g THF 4.17g 苯乙嫌 4g 甲基丙烯酸甲酯 lg 過硫酸銨 〇.25g -55- 200826120 [合成例3] 除了使用下述A3群所示化合物以外其他則與合成例1 同，獲得DVB-甲基丙烯酸-二甲基丙烯酸酯共聚物所成芯 粒子3。 以 SEM觀察，測定所得粒子粒徑時，平均粒徑爲 4 · 2 0 μιη之球狀粒子。又，C v値爲3 . 8 °/〇。 〔Α3 群〕 DVB ( DVB-960 ) 5 1 .4 5 g 甲基丙烯酸 51.45g NK-酯DOD-N (新中村化學工業公司製） 68.6g [1，10-癸二醇二甲基丙烯酸酯] 乙腈 1715g AIBN 14.7g 正十二烷 78.4g 二乙二醇單乙基醚乙酸酯 85.75g 接著除了使用下述B3群所示化合物以外其他則與合 成例1同，在芯粒子3之表面形成聚苯乙烯被覆層（聚合 物被覆層），獲得聚合物母粒子3。 以S EM觀察，測定所得粒子之粒徑時，平均粒徑爲 4 · 4 0 μ m之球狀粒子。又，C v値爲3 . 8 %。 〔B3 群〕 5〇g 芯粒子3 -56- 200826120 水（離子交換水） 23,22g 甲醇 69.65 g 苯乙烯 I0g 過硫酸銨 聚乙烯吡咯啶酮（K-30 ) 5g [合成例4] 物予以總括地 氣流下，於油 芯粒子 1之表 聚合物被覆層 在3 00ml燒瓶將下述B4群所示各化名 裝入，以超音波分散後，使用攪拌機，在実 浴溫度50°C，進行約4小時加熱，攪拌，：δ 面形成苯乙烯-甲基丙烯酸共聚物被覆層（ 〔Β4 群〕 芯粒子1 5〇g 水（離子交換水） 35g 甲醇 81.7g 苯乙烯 3.5g 甲基丙烯酸 1.5g 過硫酸銨 0.15g 亞胺樹脂溶液 投入上述粒子 1 2 (TC經3小時 接著將下述參考合成例1所得碳二醯 50.18g與二乙二醇單乙基醚乙酸酯15.05g 溶液，於油浴溫度8 0 °C經4小時，進而於 加熱，以促進反應。 -57- 200826120 冷卻後，將粒子溶液於THF重覆3〜5次左右，之 過濾後，進行真空乾燥獲得聚合物母粒子4。 用SEM觀察，測定所得粒子之粒徑時，平均粒 3·9μιη之球狀粒子。又，Cv値爲3.8。 [參考合成例1]碳化二亞胺樹脂之合成 將2,6_甲苯二異氰酸酯（TDI) 3 00g與聚丙二醇 型（MW400 ) 5 5 1.5 2g於100°C經2小時初期反應後， 苯基異氰酸酯41.01g與碳化二亞胺化觸媒3.45g 1 20°C經2小時反應獲得末端封閉之碳化二亞胺樹脂 均聚合度=3 )。對此緩緩添加四氫呋喃1 304.7g，獲 甲酸乙酯改性之碳化二亞胺樹脂溶液（樹脂濃度40質 )。此外，將此樹脂以傅里葉（Fourier )變換紅外分 度計（島津製作所製 FT-IR8200PC )測定時，在 2 1 5 0 ( 1 /cm )前後經碳化二亞胺基所致吸收峰値與 1 600〜1 750可確認爲來自胺甲酸乙酯鍵之峰値。 [合成例5] 在5L分離燒瓶將合成例1之A!群所示各化合物 合成例1同量予以總括裝入，用氮取代溶存氧後，使 拌機，在氮氣流下，油浴溫度82°C，經約6小時加熱 〇 接著，在此溶液中，裝入THF 1 422.32g予以稀 ，添加苯乙烯14.8 7g於5 進而經1 8小時加熱攪拌 徑爲 二醇 添加 ，於 (平 得胺 、量％ 光光 波長 波長 以與 用攪 攪拌 釋後 ，在 -58- 200826120 DVB-甲基丙烯酸·二丙烯酸酯共聚物所成粒子，進而獲得 被覆聚苯乙烯之共聚物溶液。 所得粒子溶液係使用周知之吸引過濾設備以THF重覆 3〜5次左右，洗淨-過濾後，進行滇空乾燥獲得芯粒子5 〇 以S EM觀察，測定所得之粒子之粒徑時，平均粒徑 爲3·80μηι之球狀粒子，聚苯乙條被覆層之厚度爲Ο.ΟΙμιη 。又，C ν値爲3 · 7 %。 接著除了使用下述Β5群所示化合物以外，其他則與 合成例1同，獲得在芯粒子5之表面形成苯乙烯-甲基丙 烯酸甲基共聚物被覆層（聚合物被覆層），獲得聚合物母 粒子5。 以SEM觀察，測定所得粒子之粒徑時，平均粒徑爲 3·86μπι之球狀粒子。又，Cv値爲3.8%。 〔B5 群〕 芯粒子5 5〇g 水（離子交換水） 27.8 6g 甲醇 8 3.5 7g THF 9.29g 苯乙烯 4.50g 甲基丙烯酸甲酯 0.50g 過硫酸銨 〇.25g [合成例6 ] -59- 200826120 在3 00ml燒瓶將下述B6群所示各化合物予以總括地 裝入，用超音波使之分散後，使用攪拌機，於氮氣流下， 油浴溫度50°C，進行約2小時加熱，攪拌，在芯粒子3之 表面形成苯乙烯-甲基丙烯酸甲酯-DVB共聚物被覆層（聚 合物被覆層），獲得聚合物母粒子6。 以 SEM觀察，測定所得粒子之粒徑時，平均粒徑爲 4·40μπι之球狀粒子。又，Cv値爲3.9%。 〔B6 群〕 芯粒子3 50g 水（離子交換水） 1 8.57g 甲醇 60.3 6g THF 13.93g 苯乙烯 4.65g DVB ( DVB-960 ) O.lg 甲基丙烯酸甲酯 〇.25g 過硫酸錢 0.25g [合成例7] 在3 00ml燒瓶將下述B7群所示各化合物予以總括地 裝入，用超音波使之分散後，使用攪拌機，於氮氣流下， 油浴溫度5 0 °C，進行約4小時加熱，攪拌，在芯粒子1之 表面形成DVB被覆層（聚合物被覆層）。 冷卻後，將粒子溶液於THF重覆3〜5次左右，洗淨-過濾後，進行真空乾燥獲得聚合物母粒子7。 • 60- 200826120 用S EM觀察，測定所得之粒子之粒徑時，平均粒徑 爲3.8 2 μ m，C v値爲3 · 8 %之球狀之粒子。 〔B7 群〕 芯粒子1 20g 水（離子交換水） 5.67g 甲醇 5 6.6 7 g THF 5 1.0g DVB ( DVB-960 ) 1 .5 g 過硫酸銨 （K〇75g [合成例8] 在3 00ml燒瓶將下述B8群所示各化合物予以總括地 裝入，用超音波使之分散後，使用攪拌機，於氮氣流下， 油浴溫度80 °C進行約6小時，進而於150°C進行約2小時 加熱，促進碳化二亞胺基所致交聯反應，在芯粒子1之表 面形成碳化二亞胺樹脂所致表面交聯被覆層。 冷卻後，將粒子溶液以THF重覆3〜5次左右之洗淨-過濾後，進行真空乾燥獲得聚合物母粒子8。 用SEM觀察，測定所得粒子之粒徑時，平均粒徑爲 3·82μηι之球狀粒子。又，Cv値爲3.9%。 此外，將此粒子以傅里葉變換紅外分光光度計（島津 製作所製 FT-IR8200PC )測定時，在波長 2150 ( Ι/cm ) 前後僅有一點點而可確認碳化二亞胺基所致吸收峰値。 〔B8 群〕 -61 - 200826120 12.5g 112.5g 6.25g 0.0625 g 芯粒子1 二乙二醇單乙基醚乙酸酯 2,6-甲伸苯（tolylene)二異氰酸酯（TDI) 碳化二亞胺化觸媒 [合成例9 (比較）] 在 5L分離燒瓶將下述 Α9群 所 示化 合 物 以 下 述 比 率 混 合 所 成 混合物 予以總括地裝 :入， 用 氮取 代 溶 存 氧 後 7 使 用 攪 拌 機 ，於氮 氣流下，油浴 溫度 8〇〇C， 進 :行 約 1 0 小 時 加 熱 攪 拌 ，獲得 聚苯乙烯粒子 溶液 〇 接 著，此 粒子溶液係使 ί用周 知 之吸 引 過 濾 設 備 以 甲 醇 重 覆 3 〜5次 左右之洗淨-過濾後 進行 真 空 乾 燥 獲 得 聚 合 物 母 粒 子9。 以SEM觀察， 測定 所 得粒 子 之 粒 徑 時 平 均 业丄 til 徑 爲 3.8 0 μ r η之球狀粒子 〇又， C V値: 爲 4. 0% 〇 此 外 y 以 THF 洗 淨之情 形則粒子被溶 解。 C a5 丨群 ] 苯 乙 烯 5 16. 〇g 甲 醇 828. 〇g 乙 醇 5 52. 〇g AIBN 39.0g 聚 乙 烯吡咯 啶酮（Κ-30 ) 210. 〇g [合成例1 〇 (比較）] 在2L燒杯將下述AlG群所示化合物以下述比率混合 -62- 200826120 ’使用均化器（IKA WORKS公司製ULTRA TURRAX T18 B a s i c )在室溫攪拌1 〇 〇 〇 〇 r p m χ 3 〇分鐘，獲得懸濁液。 接著’將此懸濁液移至2L分離燒瓶，使用攪拌機， 在氮氣流下’於油浴溫度7 0 °C，進行約6小時加熱攪拌， 獲得苯乙烯-DVB共聚粒子溶液。其後，重覆分級，洗淨_ 過濾進行真空乾燥後，獲得聚合物母粒子1 〇。用s EM觀 察’測定所得粒子之粒徑時，平均粒徑爲3.4 〇 μηι之球狀 粒子。又，C ν値爲4.7 %。 〔Α丨〇群〕 苯乙烯 4(K8g DVB ( DVB-960 ) 1 7.5 g 水 7 6 6 · 9 5 g AIBN l.5g 聚乙烯吡咯啶酮（K-30 ) 12.4g [合成例11(比較）]〔與日本特公平7-95165號公報實施 例對應〕 在2 L燒杯將下述A i !群所示化合物以下述比率混合 後，使用均化器（IKA WORKS公司製ULTRA TURRAX T18 Basic)在室溫進行l〇〇〇〇rpinx30分鐘攪拌，獲得懸 濁液。 接著’將此懸濁液移至2L分離燒瓶，使用攪拌機， 在氮氣流下，油浴溫度7〇°C，進行約6小時加熱攪拌，獲 得四羥甲基甲烷四丙烯酸酯-D V B共聚粒子溶液。其後， -63- 200826120 重覆分級，洗淨-過濾進行真空乾燥後，獲得聚合物母粒 子1 1。用SEM觀察，測定所得粒子之粒徑時，平均粒徑 爲3·95μηι之球狀粒子。又，Cv値爲5.2%。 〔An 群〕 四羥甲基甲烷四丙烯酸酯（25) 31.3g DVB ( DVB-960 ) ( 7 5 ) 93.8g 水 1 1 56.3g 過氧化苯醯基 2.48g 聚乙烯醇 93.8g [合成例12 (比較）]〔與日本特開平ι- 1 44429號公報實 施例對應〕 在2L燒杯將下述A! 2群所示化合物以下述比率混合 後，使用均化器（IKA WORKS公司製ULTRA TURRAX T18 Basic)在室溫進行l〇〇〇〇rpmx3〇分鐘攪拌，獲得懸 濁液。 接著，將此懸濁液移至2L分離燒瓶，使用攪拌機， 在氮氣流下，於油浴溫度80°C，進行約1 0小時加熱攪拌 ，獲得二新戊四醇六丙烯酸酯-DVB共聚粒子溶液。其後 ，重覆分級，洗淨一過濾進行真空乾燥後，獲得聚合物母 粒子1 2。用SEM觀察，測定所得粒子之粒徑時，平均粒 徑爲4·0 5μιη之球狀粒子。又，Cv値爲4.6%。 〔A12 群〕 1 87.5g 二新戊四醇六丙烯酸酯（50) -64- 200826120 DVE ( DVB-960 ) ( 5 0 ) 1 87.5g 聚乙烯醇 37.5g 水 712.5g 過氧化苯醯基 5.64g 上述各母粒子歸納於表1表示。 [表1] 母粒子 粒徑 (μηι) Cv値 (%) 被覆層厚度 (μηι) 被覆層成份 合成例1 1 3.84 3.8 0.03 乙烯 合成例2 2 5.18 4.1 0.03 苯乙烯-甲基丙烯酸樹脂 合成例3 3 4.40 3.8 0.10 聚苯乙烯 合成例4 4 3.90 3.8 0.06 碳化二亞胺系交聯 合成例5 5 3.86 3.8 0.03 苯乙烯-甲基丙烯酸樹月旨 合成例6 6 4.40 3.9 0.10 苯乙烯-DVB-甲基丙烯酸樹月旨 合成例7 7 3.82 3.8 0.02 DVB交聯 合成例8 8 3.82 3.9 0.02 碳化二亞胺系交聯 合成例9 9 3.80 4.0 - 一 合成例1〇 10 3.40 4.7 • • 合成例11 11 3.95 5.2 • • 合成例12 12 4.05 4.6 - - 此外，被覆層之厚度，以SEM之測定結果可知，係 以 [(聚合物母粒子之平均粒徑）-(芯粒子之平均粒徑）]/2 $胃 之値。 [母粒子評價試驗1 ](粒子彈力性評價） 就上述各合成例所得之聚合物母粒子1〜12，使用微 -65- 200826120 小壓縮試驗機（M C T - W 2 0 1，島津製作所製）評價粒子彈 力特性（壓縮率，回復率，K値）（測定溫度2 0。(：）。 又，粒子1個壓縮荷重爲lgf(9.8mN)時，就i.5gf (1 4 · 7 mN )時各粒子之壓縮位移予以測定，對其加以評價 (測定溫度20 °C )。結果如表2〜6所示。 [表2] 母粒子 彈性特性之評價(壓縮位移50%) 壓縮率(％) 回復率(〇/〇) 60%K 値(N/mm2) 合成例1 1 60.6 36.3 5264 合成例2 2 60.1 34.9 3671 合成例3 3 60.3 35.0 4125 合成例4 4 60.3 33.8 4932 合成例5 5 60.1 36.4 5382 合成例6 6 60.5 35.2 3963 合成例7 7 60.0 41.2 6104 合成例8 8 60.2 39.0 5416 合成例9 9 60.1 8.8 780 合成例1〇 10 破壞點發生 - 合成例11 11 破壞點發生 - 讎 合成例12 12 破壞點發生 - - 此外，回復率係使壓縮率超過60%之負荷荷重來測定 -66- 200826120 [表3] 母粒子 彈性特性之評價(壓縮位移65%) 壓縮率(％) 回復率(％) 65%K 値(N/mm2) 合成例1 1 65.0 26.4 6051 合成例2 2 65.2 24.4 4113 合成例3 3 65.4 25.2 5767 合成例4 4 65.2 23.9 6231 合成例5 5 65.1 26.9 6166 合成例6 6 65.2 24.8 4855 合成例7 7 65.0 31.1 7010 合成例8 8 65.0 29.3 6329 合成例9 9 65.1 7.1 850 合成例10 10 破壞點發生 • 合成例11 11 破壞點發生 一 • 合成例12 12 破壞點發生 • • 此外，回復率係使壓縮率超過65 %之負荷荷重來測定 [表4] 母粒子 彈性特性之評價(壓縮位移70%) 壓縮率(％) 回復率(％) 70%K 値(N/mm2) 合成例1 1 70.1 24.3 6725 合成例2 2 70.0 22.6 4259 合成例3 3 70.2 23.0 5877 合成例4 4 70.0 22.1 6506 合成例5 5 70.0 25.0 6912 合成例6 6 70.3 22.8 5019 合成例7 7 破壞點發生 - • 合成例8 8 破壞點發生 • 合成例9 9 70.2 6.9 1024 合成例10 10 破壞點發生 • • 合成例11 11 破壞點發生 • _ 合成例12 12 破壞點發生 - - -67- 200826120 此外，回復率係以壓縮率超過70%之負荷荷重來測定 [表5] 母粒子 壓縮荷重lgf(9.8mN)中之壓縮位移 合成例1 1 56.2 合成例2 2 48.9 合成例3 3 51.2 合成例4 4 54.8 合成例5 5 58.1 合成例6 6 50.6 合成例7 7 51.8 合成例8 8 53.6 合成例9 9 72.6 合成例10 10 21.9 合成例11 11 45.4 合成例12 12 43.6 [表6] 母粒子 壓縮荷重1.5gf(9.8mN)中之壓縮位移 合成例1 1 63.1 合成例2 2 54.6 合成例3 3 58.4 合成例4 4 61.5 合成例5 5 64.9 合成例6 6 57.2 合成例7 7 58.1 合成例8 8 60.4 合成例9 9 76.4 合成例10 10 破壞點發生 合成例η 11 49.8 合成例12 12 47.9 -68- 200826120 [母粒子評價試驗2](軟化彈性評價） 就聚合物母粒子1〜12，使用微小壓縮試驗機（MCT-W201，島津製作所製）來評價壓縮位移於20%，30%之粒 子壓縮彈性變形特性（KB2G，KB3G )(測定溫度20°C )。 結果如表7所示。 [表7] 母粒子 Kb2〇(N/mm2) KB3〇(N/mm2) 評價 合成例1 1 2168 1807 Kb20>Kb3 0 合成例2 2 1880 1670 Kb20>Kb3 0 合成例3 3 1895 1686 Kb20>Kb30 合成例4 4 2179 1906 Kb20>Kb3 0 合成例5 5 2230 1880 Kb20>Kb3 0 合成例6 6 2011 1822 Kb20>Kb3 0 合成例7 7 2856 2760 Kb20>Kb3 0 合成例8 8 2442 2356 Kb20>Kb3 0 合成例9 9 2633 2501 Kb20>Kb3 〇 合成例10 10 6455 7636 Kb20<Kb30 合成例11 11 3330 3691 Kb20<Kb30 合成例12 12 3207 3416 Kb20<Kb3 0 [母粒子評價試驗3 ](母粒子表面物性評價） 就聚合物母粒子1〜1 2與該芯粒子，使用微小壓縮試 驗機（MCT-W201，島津製作所製）測定壓縮位移於1 0% 中壓縮彈性變形特性Kb1g及Kcl〇，結果如表8所示。 -69- 200826120 [表8] 母粒子 芯粒子10%K値 Kc 1 〇(N/mm2) 芯粒子1 0 % K値 Κβιο(Ν/πιπι2) 評價 合成例1 1 3611 3423 K c 1 〇〉K r 1 〇 合成例2 2 2425 2288 K C 1 0〉K B 1 0 合成例3 3 3092 2901 K c 1 〇〉K r 1 〇 合成例4 4 3512 3295 K C 1 0〉K b 1 〇 合成例5 5 3624 3506 V·/ 曩 V/ υ Λ yj K c 1 ο〉K r 1 〇 合成例6 6 3199 3063 K c 1 0〉K b 1 0 合成例7 7 4062 4241 JV Γ 1 0 ^ K R 1 〇 合成例8 8 3784 3902 K C 1 0 < K B 1 0 合成例9 9 - 1751 λ V JL/ 1 \J 無被覆 合成例10 10 - 8326 無被覆 合成例11 11 - 4111 無被覆 合成例12 12 - 4053 無被覆 [2]導電性粒子之製作（鎳-金導電層） [實施例1 ] 以聚合物母粒子1爲芯材，依照日本特開昭6 2 _ 3 〇 8 8 5 號公報記載之方法’將芯材洗淨，經表面改質後，使母粒 子1之表面進行活性化處理來載持鈀，硫酸鎳水溶液，檸 檬酸水溶液，次磷酸蘇打水溶液，pH調整劑係使用氫氧 化鈉水溶液，在聚合物母粒子1之表面形成鎳皮膜。 接著’在形成了鎳皮膜之粒子，使用EDTA-4Na，檸 檬酸-2Na及氰化金鉀所成水溶液與氫氧化鈉水溶液實施鍍 金之被覆，在聚合物母粒子1之表面獲得具有鎳-金之導 電層的導電性粒子1。 以SEM觀察所得導電性粒子1之粒徑，在測定時， -70- 200826120 爲平均粒徑3.90 μηι之球狀粒子。又，Cv値爲3.8%。所得 導電性粒子1之SEM照片如第2圖所示。 [實施例2〜8] 除了使用聚合物母粒子2〜8以外，其他則與實施例1 同，獲得具有鎳-金之導電層的導電性粒子2〜8。 [實施例9] 除了使用芯粒子1以外其他則與實施例1同，獲得具 有鎳-金之導電層的導電性粒子9。 [實施例10] 除了使用芯粒子3以外，其他則與實施例1同，獲得 具有鎳-金之導電層的導電性粒子1 〇。 [比較例1〜4 ] 除了使用聚合物母粒子9〜1 2以外，其他則與實施例 1同，獲得具有鎳-金之導電層的導電性粒子1 1〜1 4。 將實施例1〜1 〇及比較例1〜4歸納如表9所示。 -71 - 200826120 [表9] 導電性粒子 粒徑(μ m ) Cvfg(%) 電鍍層(μηι) Ni 層(μηι) Au 層(μ m ) 實施例1 1 4.04 3.9 0.10 0.05 0.05 實施例2 2 5.58 4.4 0.20 0.10 0.10 實施例3 3 4.60 4.1 0.10 0.05 0.05 實施例4 4 4.10 4.0 0.10 0.05 0.05 實施例5 5 4.06 3.8 0.10 0.05 0.05 實施例6 6 4.60 4.2 0.10 0.05 0.05 實施例7 7 4.02 4.0 0.10 0.05 0.05 實施例8 8 4.02 4.0 0.10 0.05 0.05 實施例9 9 3.98 3.9 0.10 0.05 0.05 實施例10 10 4.40 3.9 0.10 0.05 0.05 比較例1 11 4.00 4.4 0.10 0.05 0.05 比較例2 12 3.60 5.0 0.10 0.05 0.05 比較例3 13 4.15 5.6 0.10 0.05 0.05 比較例4 14 4.25 5.1 0.10 0.05 0.05 此外，電鍍層之厚度，以SEM之測定結果可知，以 〔（導電性粒子之平均粒徑）-(聚合物母粒子之平均粒徑） 〕/2求得之値。 又，Ni層係以 〔（Ni被覆導電性粒子之平均粒徑）-(聚合物母粒子之 平均粒徑）〕/2 A u層係以 〔（Au被覆導電性粒子之平均粒徑）-(Ni被覆導電性粒 子之平均粒徑）〕/2求得之値。 [導電性粒子評價試驗](粒子彈力性評價） 就實施例及比較例之各導電性粒子，使用微小壓縮試 -72- 200826120 驗機（M C Τ - W 2 0 1，島津製作所製）來評價粒子彈力彳寸丨生 (壓縮率，回復率，K値）（測定溫度2 〇 °C )。 又，就粒子1個之壓縮荷重爲1gf(9.8 mN) ，1 *5gf (14.7mN)及1.8gf( 17.6mN)時粒子之壓縮位移亦予測 定，對此予以評價（測定溫度2 0 °C )。結果如表1 0〜1 6 所示。此外，在第3〜1 0圖表示實施例1之粒子之負荷-壓縮位移及負荷-除荷試驗之圖。 [表 1 〇] 彈性特』 丨生之評價（壓縮位移5 0 % ) 壓縮率（％) 回復率（％) 50%K 値（N/mm2) 實施例1 50.1 48.0 3 400 實施例2 50.0 45.4 2979 實施例3 50.2 46.7 3 150 實施例4 50.1 45.2 3 3 8 5 實施例5 50.0 49.3 35 10 實施例6 50.3 45.6 3 299 實施例7 50.1 55.0 47 82 實施例8 50.1 53.5 4413 實施例9 50.1 47.6 3 72 1 實施例1 〇 50.0 46.9 3 63 3 比較例1 50.2 19.8 1793 比較例2 破壞點發生 比較例3 破壞點發生 • 比較例4 破壞點發生 - - 此外，回復率係以壓縮率超過5 0 %之負荷荷重來測定 -73- 200826120 [表η] 彈性特性之評價（壓縮位移5 5 %) 壓縮率（％) 回復率（％) 55%K 値（N/mm2) 實施例 1 55.1 45.1 3 646 實施例 2 55.0 43.6 3619 實施例3 55.3 44.1 3 7 3 4 實施例 4 55.2 43.2 3 640 實施例 5 55.1 45.8 3 72 1 實施例 6 55.2 42.9 4862 實施例7 55.1 50.6 5296 實施例 8 55.1 49.1 43 62 實施例 9 55.0 45.1 3 8 97 實施例 10 55.2 44.4 3 7 84 比較例 1 55.1 15.0 1233 比較例 2 破壞點發生 - - 比較例3 破壞點發生 - 細 比較例 4 破壞點發生 - - 此外，回復率係以壓縮率超過5 5 %之負荷荷重來測定 -74- 200826120 [表 12] 彈性特> 生之評價（壓縮位移60%) 壓縮率（％) 回復率（％) 60ο/〇Κ 値（N/mm2) 實施例 1 60.2 36.3 4 890 實施例 2 60.2 34.9 4420 實施例 3 60.1 35.7 4 865 實施例 4 60.1 34.5 4 872 實施例5 60.2 37.1 49 8 6 實施例 6 60.3 34.2 4 8 5 4 實施例 7 破壞點發生 - - 實施例8 破壞點發生 - 實施例 9 60.2 36.1 4 8 0 1 實施例 10 60.3 34.1 3 967 比較例 1 60.4 10.1 165 5 比較例 2 破壞點發生 - • 比較例3 破壞點發生 一 晒 比較例 4 破壞點發生 - - 此外，回復率係以壓縮率超過60%之負荷荷重來測定 -75- 200826120 [表 13] 彈性特> 丨生之評價（壓縮位移65%) 壓縮率（％) 回復率（％) 65%K 値（N/mm2) 實施例 1 65.2 30.1 5 802 實施例 2 65.0 28.9 5414 實施例3 65.1 29.6 5 82 6 實施例 4 65.0 28.6 5 7 82 實施例5 65.3 30.8 5916 實施例 6 65.1 28.4 5 763 實施例7 破壞點發生 • • 實施例8 破壞點發生 - 實施例 9 破壞點發生 一 - 實施例 10 破壞點發生 賺 - 比較例 1 65.4 8.3 1964 比較例 2 破壞點發生 - 鑛 比較例3 破壞點發生 - - 比較例 4 破壞點發生 - - 此外，回復率係以壓縮率超過65 %之負荷荷重來測定 -76- 200826120 [表 14] 壓縮荷重lgf(9.8mN)中壓縮位移 回復率(％) 實施例1 56.6 38.9 實施例2 49.2 36.2 實施例3 53.1 37.1 實施例4 55.9 37.5 實施例5 57.1 40.4 實施例6 53.2 36.9 實施例7 52.2 52.6 實施例8 53.4 51.8 實施例9 56.3 31.1 實施例10 54.8 30.2 比較例1 73.3 10.4 比較例2 破壞點發生 比較例3 破壞點發生 • 比較例4 破壞點發生 - [表 15] 壓縮荷重1.5gf(14.7mN冲壓縮位移 回復率(％) 實施例1 62.7 32.4 實施例2 54.6 30.2 實施例3 57.2 31 實施例4 61.2 31.3 實施例5 63.3 33.7 實施例6 56.5 30.8 實施例7 57.1 45.3 實施例8 58.6 42.6 實施例9 破壞點發生 實施例10 破壞點發生 • 比較例1 79.4 8.7 比較例2 破壞點發生 _ 比較例3 破壞點發生 比較例4 破壞點發生 - •77- 200826120 [表 16] 壓縮荷重1.8gf(17.6mN沖壓縮位移 回復率(％) 實施例1 65.6 28.5 實施例2 57.2 26.7 實施例3 62.5 27.5 實施例4 65.1 27.6 實施例5 66.3 29.7 實施例6 63.5 27 實施例7 破壞點發生 • 實施例8 破壞點發生 - 實施例9 破壞點發生 - 實施例1〇 破壞點發生 - 比較例1 83.2 7.4 比較例2 破壞點發生 - 比較例3 破壞點發生 - 比較例4 破壞點發生 - [導電性粒子評價試驗2](軟質性評價） 就實施例1〜1 0及比較例1〜4之各粒子，使用微小 壓縮試驗機（MCT-W201，島津製作所製）來評價壓縮位 移爲10%，2 0%，3 0%之粒子壓縮彈性變形特性（K2G，K30 )° 又，將粒子壓縮彈性變形特性-壓縮位移之關係予以 圖型化，以壓縮彈性變形特性K】〇 ( 1 0%κ値）爲基準點 ，拉出通過此基準點且，與壓縮彈性變形特性軸爲直角交 叉之直線，於該直線與圖型之，基準點不同之交叉點（Κρ 點）之壓縮位移Ρ ( % )予以評價。結果如表1 7所示。 此外，第1 1圖表示實施例1粒子之粒子壓縮彈性變 -78- 200826120 形特性-壓縮位移之圖型。 [表 17] __ K,〇(N/mm2) K2〇(N/mm2) K3〇(N/mm2) 評價 壓縮位移Ρ(%) 實施例1 5010 2944 2076 K2〇>K3〇 62.2 實施例2 3327 2089 1793 Κ2〇>Κ3〇 53.9 實施例3 3863 2421 2306 Κ2〇〉Κ3〇 58.1 實施例4 4906 2829 2016 Κ2〇>Κ3〇 61.6 實施例5 5216 2989 2058 Κ2〇>Κ3〇 62.1 實施例6 4858 2793 1983 Κ2〇>Κ3〇 60.1 實施例7 5936 3741 3672 Κ2〇>Κ3〇 57.6 實施例8 5464 3325 3204 Κ2〇>Κ3〇 57.2 實施例9 4850 3672 2852 Κ2〇>Κ3〇 60.3 實施例10 4015 3529 2748 Κ2〇>Κ3〇 60.1 比較例1 3247 1922 566 Κ2〇>Κ3〇 達不到 比較例2 9196 8223 8864 Κ2〇<Κ3〇 32.6 比較例3 6255 4919 5851 Κ2〇<Κ3〇 32.3 比較例4 5697 3751 4336 Κ2〇<Κ3〇 39.8 [導電性粒子評價試驗3](單粒子壓縮導電性試驗） 就實施例1〜1 〇及比較例1〜4之各粒子，使用微小 壓縮試驗機（MCT-W201，島津製作所製）重覆進行負 荷一除荷試驗連續1 〇次，使重覆壓縮位移成爲各50%， 55%，60%，來評價其後之回復性·復原性。（測定溫度 2 0°C ) 結果如表1 8所示。 -79- 200826120 m is] 壓縮位移5 0 % 壓縮位移5 5 % 壓縮位移6 0 % 實 施 例 1 ◎ ◎ ◎ 實 施 例 2 ◎ ◎ ◎ 實 施 例 3 ◎ ◎ ◎ 實 施 例 4 ◎ ◎ ◎ 實 施 例 5 ◎ ◎ ◎ 實 施 例 6 ◎ ◎ ◎ 實 施 例 7 ◎ ◎ X 實 施 例 8 ◎ ◎ X 實 施 例 9 〇 〇 〇 實 施 例 10 〇 〇 〇 比 較 例 1 △ △ Δ 比 較 例 2 X X X 比 較 例 3 X X X 比 較 例 4 X X X ◎:無特別大變化回復性（recovery) ·復原性（restoring)均 良好 〇：回復性·復原性均有降低傾向而有彈性力（最終回復 率20%以上） △:回復性·復原性均大幅降低（最終回復率1 5%以下） X :中途破壞 [實施例1 1 ]各向異性導電性黏接劑 將環氧基樹脂（epitoke 828,日本環氧樹脂公司）與硬 化劑（novacure HX3722，旭化成 Chemicals 公司）以 8 0/20之配合比（質量）溶解於甲基乙基酮，於此相對於 固形成份成爲5質量％之方式，添加實施例1所得之導電 性粒子1，藉由周知之分散機獲得薄膜形成用導電性粒子 -80- 200826120 分散溶液。接著，將此分散溶液以棒塗佈器流鑄（flow casting)，乾燥，獲得約20μπι厚度之各向異性導電性薄 膜黏接劑。 使用此各向異性導電性薄膜黏接劑，進行具有線寬 50μηι，點距ΙΟΟμπι，厚度35μιη之銅電路的軟性（flexible )電路板（FPC )彼此間之電路對準後，藉由170°C-10kgf/cm2-30秒之加熱加壓進行電路連接。在使此1對 FPC間之連接電阻以測定電流1 A測定時爲2.5Ω以下。試 作此種軟性電路板5 0個，同樣地測定連接電阻，並無特 別問題發生可確認爲連接可靠度優異的導電性粒子。 [比較例5] 除了變更爲比較例2所得導電性粒子1 2以外，其他 則與實施例1 1同樣地，獲得各向異性導電性薄膜黏接劑 〇 使用此來製作與實施例1 1相同之軟性電路板，在進 行連接電阻之測定時，於每一軟性電路板在連接電阻散見 偏差’爲缺乏成品率與連接可靠度之導電性粒子。 【圖式簡單說明】 [桌1圖]聚合物母粒子1之SEM照片。 [第2圖]導電性粒子1之Sem照片。 [第3圖]貫施例〗導電性粒子之負荷-除荷試驗（壓縮 位移50% )之結果圖。 -81 - 200826120 [第4圖]實施例1導電性粒子之負荷-除荷試驗（壓縮 位移5 5 % )之結果圖。 [第5圖]實施例1導電性粒子之負荷-除荷試驗（壓縮 位移60% )之結果圖。 [第6圖]實施例1導電性粒子之負荷-除荷試驗（壓縮 位移6 5 % )之結果圖。 [第7圖]實施例1導電性粒子之負荷-除荷試驗[Igf ( 9.8mN)荷重時]之結果圖。 [第8圖]實施例1導電性粒子之負荷-除荷試驗[1.5gf (14.7mN )荷重時]之結果圖。 [第9圖]實施例1導電性粒子之負荷-除荷試驗[1.8gf (17.6mN )荷重時；1之結果圖。 [第10圖]表示實施例1導電性粒子之壓縮負荷-粒子 位移試驗結果圖。 [第1 1圖]表示實施例1導電性粒子之粒子壓縮彈性變 形特性（κ値）·壓縮位移試驗結果圖。 [第1 2圖]表示彈性限度範圍內一般導電性粒子之壓縮 彈性變形特性（K値）-壓縮位移之關係圖。 -82-

Claims (1)

1. 200826120 十、申請專利範圍 1. 一種導電性粒子，其爲具有聚合物母粒子，及包 覆此聚合物母粒子之導電層之導電性粒子，其特徵爲，該 導電性粒子之粒子直徑之位移爲X%時，1個導電性粒子 之壓縮彈性變形特性κχ爲依下述式[1]定義時， 前述導電性粒子之直徑的位移爲5 0%時之壓縮彈性變 形特性Κ5〇爲，於20°C時爲100〜50000N/mm2的同時， 前述導電性粒子之粒子直徑的位移爲50 %時之導電性粒子 的粒子直徑的回復率爲，於20°C下爲30%以上； Kx = (3/V2) · (Sx-3/2) · (R-1/2) · Fx [1] [式中，Fx爲導電性粒子之X%位移時必要之荷重（N )，Sx爲導電性粒子的X%位移之壓縮變形量（mm)，與 R爲導電性粒子之粒子半徑（mm )]。 2 ·如申請專利範圍第1項之導電性粒子，其於壓縮 位移爲55%以下之範圍中，不具有破壞點或壓縮變形率急 據增加之反曲點（Inflection Points)。 3.如申請專利範圍第1或2項之導電性粒子，其於 導電性粒子之壓縮彈性變形特性Kx爲縱軸，壓縮位移爲 橫軸時，20°C下之壓縮彈性位移特性Κχ與壓縮位移之關 係圖中， 以前述導電性粒子之粒子直徑爲位移1 0%時之壓縮彈 性變形特性K i 0爲基準點，拉出通過此基準點，且與前述 縱軸爲直角交叉之直線，於該直線與前述圖型之前述基準 點不同之交叉點爲Kp點時，該Kp點之壓縮位移P爲40% -83- 200826120 以上。 4 ·如申請專利範圍第1至3項中任一項之導電性粒 子，其中，前述聚合物母粒子爲由，芯粒子與於該芯粒子 表面所形成之聚合物被覆層所形成。 5 ·如申請專利範圍第1至4項中任一項之導電性粒 子，其中，該聚合物母粒子之粒子直徑之位移爲X %下，1 個聚合物母粒子之壓縮彈性變形特性KBX爲依下述式[2] 定義時， 前述聚合物母粒子之粒子直徑的位移爲6 0 %時之壓縮 彈性變形特性KB6。爲，於20°C下爲1〇〇〜50000N/mm2 的同時，前述聚合物母粒子之粒子直徑的位移爲60%時之 聚合物母粒子的粒子直徑的回復率爲，於20°C時爲20%以 上； Kbx = (3/V2) · (SBx"3/2) · (Rb 1/2) · Fbx [2] [式中，FBX爲聚合物母粒子之X%位移時必要之荷重 (N ) ，SBX爲聚合物母粒子的X%位移之壓縮變形量（ mm )，與RB爲聚合物母粒子之粒子半徑（mm )]。 6. 如申請專利範圍第4或5項之導電性粒子，又， 前述芯粒子之粒子直徑之位移爲1 0 %的1個粒子之壓縮彈 性變形特性Kc , 〇，與前述聚合物母粒子之粒子直徑之位移 爲1 0%的1個粒子之壓縮彈性變形特性KB ! 〇，爲滿足下述 ^ [3]； Kcio > Kbio [3]〇 7. 如申請專利範圍第4至6項中任一項之導電性粒 -84- 200826120 子，其中，前述聚合物被覆層爲由疏水性樹脂所形成之層 〇 8. 如申請專利範圍第7項之導電性粒子，其中’則 述疏水性樹脂爲苯乙烯系樹脂。 9. 如申請專利範圍第4至8項中任一項之導電性粒 子，其中，前述芯粒子爲使用含有35質量％以上之具有2 個以上之不飽和雙鍵的單體所得者。 10. 如申請專利範圍第9項之導電性粒子’其中’前 述具有2個以上之不飽和雙鍵的單體爲含有二乙烯基苯與 多官能（甲基）丙烯酸酯系單體所選出之至少1種° 11. 如申請專利範圍第1 0項之導電性粒子，其中， 前述多官能（甲基）丙烯酸酯系單體爲含有二（甲基）丙 烯酸酯系單體所選出之至少1種。 1 2 .如申請專利範圍第9至1 1項中任一項之導電性 粒子，又，前述具有2個以上之不飽和雙鍵的單體以外， 爲使用3質量％以上之具有親水性官能基或活性氫基之不 飽和單體所得者。 1 3 ·如申請專利範圍第1 2項之導電性粒子，其中， 前述具有親水性官能基或活性氫基之不飽和單體爲具有羥 基、羧基、胺基、醯胺基與環氧烷基所選出之至少1種官 能基之單體。 1 4 ·如申請專利範圍第9至1 3項中任一項之導電性 粒子’其中，前述芯粒子爲使含有3 5質量％以上之含有多 官能（甲基）丙烯酸酯系單體所選出之至少1種的具有2 -85- 200826120 個以上之不飽和雙鍵的單體之原料單體，於可溶解該原料 單體而不會溶解所生成之粒子的介質中，經溶液聚合反應 而製得。 1 5 · —種導電性粒子之製造方法，其特徵爲，使含有 3 5質量％以上之含有多官能（甲基）丙烯酸酯系單體所選 出之至少1種的具有2個以上之不飽和雙鍵的單體之原料 單體，於可溶解該原料單體而不會溶解所生成之粒子的媒 體中，經溶液聚合反應而製得芯粒子，再於該芯粒子表面 形成聚合物被覆層以製作聚合物母粒子，其次於該聚合物 母粒子之表面上形成導電層。 16. 一種樹脂組成物，其特徵爲，含有申請專利範圍 第1至1 4項中任一項之導電性粒子，與樹脂。 1 7 . —種導電性黏著劑，其特徵爲，含有申請專利範 圍第1至1 4項中任一項之導電性粒子，與黏著性樹脂。 -86·