JPH0795165B2 - 微球体、液晶表示素子用球状スペーサー、およびそれを用いた液晶表示素子 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は、液晶表示素子用球状スペーサーおよび導電性
微球体などに使用される微球体に関する。さらに詳細に
は、液晶表示素子用球状スペーサー及びその液晶表示素
子用球状スペーサーを用いた液晶表示素子と、導電性微
球体に関する。

背景技術 従来のスペーサーを用いたTN（ツイステッドネマチッ
ク）モードの液晶表示素子の代表的な例を図７に示す。

この液晶表示素子は、一対の基板37、39と、該一対の基
板37、39のギャップを一定に保持するために一対の基板
37、39の間に配設されたスペーサー38及びネマチック液
晶41と、一対の基板37、39間の周囲に充填されたシール
部材30と、各基板37、39の表面に被覆された偏光シート
42、43とを有している。

上記基板37、39は、ガラスからなる透明基板31、34の片
面にITO（Indium-Tin-Oxide）膜などからなる透明電極3
2、35をパターン形成し、この透明電極32、35および透
明基板31、34の表面にポリイミド膜などからなる配向制
御膜33、36を被覆して構成されている。その配向制御膜
33、36はラビングによって配向制御処理されている。

上記スペーサー38は、酸化アルミ、二酸化硅素などを含
む無機質材料あるいはベンゾグアナミン、ポリスチレン
系ポリマーなどを含む合成樹脂材料から形成されてい
る。無機質材料からなるスペーサーは、例えば、特開昭
63-73225号公報、特開平1-59974号公報などに開示され
ており、合成樹脂材料からなるスペーサーは、特開昭60
-200228号公報、特開平1-293316号公報などに開示され
ている。

上記構成の液晶表示素子は、通常以下のようにして作製
される。

上記一方の基板37の配向制御膜33の上に、スペーサー38
を散布し、基板37の周縁部にシール用の樹脂を印刷で塗
布する。次いで、一対の基板37、39をその配向制御膜3
3、36同志が対向するように重ねて加圧する。次に、シ
ール用樹脂を加熱硬化させることによってシール部材を
形成して一対の基板37、39を相互に固着させる。次に、
シール部材に設けた孔部から一対の基板37、39のギャッ
プに、ネマチック液晶41を充填し、その後孔部を閉塞す
る。そして、透明基板31、34の外側面にそれぞれ偏光シ
ート42、43を積層する。

このような液晶表示素子に使用されるスペーサーとし
て、着色された球状スペーサーが以下の理由でしばしば
使用される。

液晶表示素子において、透明電極間に電圧を印加するこ
とにより、液晶は光学的変化を生じて画像を形成する。
しかし、スペーサーはその電圧印加によって光学的変化
を示さない。従って、画像を表示させた時の画像の暗部
において、無着色のスペーサーは輝点として視認される
ことがあり、その結果、画像の表示のコントラストが低
下する。

無機質材料からなる着色球状スペーサーは、特開昭62−
66228号公報、特開昭63−89408号公報、特開昭63−8989
0号公報などに開示されており、合成樹脂材料からなる
着色球状スペーサーは、特開平１−20227号公報、特開
平１−2007719号公報、特開平２−214781号公報に開示
されている。

さらに、接着性を有しないスペーサーは透明基板に固着
されないので以下に示す欠点を有しており、従って、接
着性球状スペーサーがしばしば使用される。

液晶表示セルを組み立てる工程において、基板上へ
の空気の吹き付けまたは基板上からの空気の吸引が行わ
れる。このとき、基板上に配置されたスペーサーが飛散
して消失し得る。

液晶表示セルに液晶を注入する工程において、、ス
ペーサーが基板上を移動し、基板上のスペーサーの配置
に偏りが生じ得る。

液晶表示セルを駆動させるときに、電気的、流体力
学的な力によりスペーサーが移動し得る。

液晶表示セルに外部からの機械的振動が作用する
と、スペーサーが移動し得る。このような液晶表示セル
の内部におけるスペーサーの移動は、基板間のギャップ
精度を低下させ、表示画像の画質を著しく低下させる。

接着性を有する球状スペーサーは、例えば、実開昭51−
22453号公報、特開昭63−44631号公報、特開昭63−9422
4号公報、特開昭63−200126号公報、特開平１−247154
号公報、特開平１−247155号公報、特開平２−261537号
公報に開示されている。

しかし、液晶表示素子用のスペーサーとして上記した従
来の無機質材料からなるスペーサーあるいは合成樹脂材
料からなるスペーサーを用いた場合には、次に述べるよ
うな欠点があった。

図８に示すように、無機質スペーサー38を用いて液晶表
示素子を作製した場合には、このスペーサー38が硬すぎ
るために両基板37、39が加圧される際に配向制御膜33を
傷つける。配向制御膜33の傷付けられた部分33aでは、
液晶41の分子配列を所望の状態に保つことができなくな
るので、例えば、透過形の液晶表示素子においては、そ
の傷の部分33aが表示欠陥となって出現する。

さらに、無機質スペーサー38は変形するには硬すぎるの
で、スペーサー38は両基板37、39の各々の内面に一点で
接触することになる。その結果、スペーサー38は液晶41
の存在するギャップにおいて重力や微小な振動によって
移動しやすくなる。この問題は、最近急速に普及しつつ
あるラップトップタイプのパーソナルコンピュータやワ
ードプロセッサー、壁掛けテレビなどに用いられる大型
の液晶表示素子においては、その表示面が垂直または斜
め状態で使用されるので、大変顕著に表れる。例えば、
スペーサー38の大部分が液晶表示素子の下側部分へ移動
することにより、液晶層の厚さに不均一を生じさせ、そ
の結果鮮明な画像を得ることが困難になる。また、その
スペーサー38の移動によって配向制御膜33が傷つけられ
るので、上述した画像の表示欠陥を生じさせる。

他方、軟らかすぎるスペーサーを液晶表示素子に用いる
と次のような不都合を招く。

基板37、39の表面にスペーサー38を散布する際に、スペ
ーサー38を完全に均一に散布することは不可能で散布密
度にかなりのバラツキを生じる。すると、一対の基板3
7、39を互いに向い合う方向に加圧する際に、スペーサ
ー38の散布密度の小さい部分ではスペーサー38の一個当
りに受ける圧力が非常に大きくなるので、スペーサー38
は大きく変形する。反対に、スペーサー38の散布密度の
大きい部分ではスペーサー38の一個当りに受ける圧力が
小さいので、スペーサー38はほとんど変形しない。この
ようにして、図９に示すように、スペーサー38の散布密
度のバラツキが、一対の基板37、39間に設けられた液晶
層の厚みのムラを生じさせ、その結果、鮮明な画像が得
られなくなる。

さらに、一対の基板37、39に圧力をかける際に、実際に
は基板37、39全体に均一に圧力をかけることは不可能で
基板37、39は面の異なる位置では異なる圧力を受けるこ
とになる。従って、軟らかすぎるスペーサー38を用いた
場合には、各々のスペーサー38が受ける圧力の差によっ
て、スペーサー38の変形する程度に不均一が生じるため
に、液晶層の厚みにムラが生じる。そのことによって表
示される画像の質が著しく低下する。

ところで、エレクトロニクス実装分野において、一対の
微細電極を接続するために、金、銀、ニッケル等の金属
粒子とバインダー樹脂とを混合して導電性ペーストを調
製し、このペーストを一対の微細電極間に充填すること
により微細電極間を接続させることが行われる。しか
し、このような金属粒子は形状が不均一であり、かつバ
インダー樹脂に比べて比重が大きいために、バインダー
樹脂に均一に分散させることが困難であった。

このような欠点を解決するために、特開昭59−28185号
公報には、粒径が比較的揃ったガラスビーズ、シリカビ
ーズ、グラスファイバー等の粒子の表面に、金属メッキ
層を設けて導電性微球体を形成することが開示されてい
る。しかしながら、上記公報に開示された導電性微球体
は、その基材微球体が硬すぎるために、圧縮変形させる
ことが困難である。そのため、この導電性微球体を使用
して電極間を接続しようとすると、導電性微球体と電極
表面との接触面積が広がらないので、接触抵抗値を低減
させることが困難となる。

特開昭62−185749号公報及び特開平１−225776号公報に
は、基材微球体として、ポリフェニレンスルフィド粒子
やフェノール樹脂粒子等を用いた導電性微球体が開示さ
れている。しかし、このような合成樹脂粒子を基材微球
体として用いた導電性微球体は、圧縮変形後の変形回復
性に乏しい。そのため、該導電性微球体を使用して電極
間の接続を行う際に、両電極に作用する圧縮荷重を取り
除くと、該導電性微球体と電極表面との界面にわずかな
ギャップが形成され、その結果接触不良を起こす。

発明の要約 本発明の微球体は上記の欠点を解消するためになされた
もので、 〔ここに、Ｆ、Ｓはそれぞれ微球体の10％圧縮変形にお
ける荷重値（kgf）、圧縮変位（mm）であり、Ｒは該微
球体の半径（mm）である〕で定義されるＫの値が、20℃
において250kgf/mm²〜700kgf/mm²の範囲であり、且つ圧
縮変形後の回復率が20℃において30％〜80％の範囲であ
る。

好ましい実施態様においては、上記Ｋ値が350kgf/mm²〜
550kgf/mm²である。

好ましい実施態様においては、上記圧縮変形後の回復率
が20℃において40％〜70％の範囲である。

好ましい実施態様においては、上記微球体が、ジビニル
ベンゼン重合体、ジビニルベンゼン−スチレン共重合
体、ジビニルベンゼン−アクリル酸エステル共重合体、
およびジアリルフタレート重合体からなる群から選ばれ
た少なくとも一種の樹脂から形成される。

好ましい実施態様においては、上記微球体が真球状であ
り、その直径は0.1〜100μｍの範囲である。

さらに好ましい実施態様においては、上記微球体の直径
は0.5〜50μｍの範囲である。

さらに好ましい実施態様においては、上記微球体の直径
は1.0〜20μｍの範囲である。

本発明の液晶表示素子用球状スペーサーは、 〔ここに、Ｆ、Ｓはそれぞれ球状スペーサーの10％圧縮
変形における荷重値（kgf）、圧縮変位（mm）であり、
Ｒは該スペーサーの半径（mm）である〕で定義されるＫ
の値が、20℃において250kgf/mm²〜700kgf/mm²の範囲で
あり、且つ圧縮変形後の回復率が20℃において30％〜80
％の範囲である。

本発明の液晶表示素子用着色球状スペーサーは、着色さ
れた基材微球体を含み、かつ 〔ここに、Ｆ、Ｓはそれぞれ着色球状スペーサーの10％
圧縮変形における荷重値（kgf）、圧縮変位（mm）であ
り、Ｒは該スペーサーの半径（mm）である〕で定義され
るＫの値が、20℃において250kgf/mm²〜700kgf/mm²の範
囲であり、且つ圧縮変形後の回復率が20℃において30％
〜80℃の範囲である。

本発明の液晶表示素子用接着性球状スペーサーは、基材
微球体と、該基材微球体の表面に設けられた接着層とを
有し、かつ 〔ここに、Ｆ、Ｓはそれぞれ接着性球状スペーサーの10
％圧縮変形における荷重値（kgf）、圧縮変位（mm）で
あり、Ｒは該スペーサーの半径（mm）である〕で定義さ
れるＫの値が、20℃において250kgf/mm²〜700kgf/mm²の
範囲であり、且つ圧縮変形後の回復率が20℃において30
％〜80％の範囲である。

本発明の液晶表示素子は、上記各球状スペーサーを用い
て作製される。

本発明の導電性微球体は、上記微球体と、該微球体の表
面に設けられた導電層とを有する。

好ましい実施態様においては、その導電層がインジウム
メッキ層である。

そのことにより、ここに記載の本発明は以下の目的を達
成し得る； （１）液晶表示素子の配向制御膜を傷付けて液晶の配向
特性の変調を誘起したり、表示画像の質を低下させるこ
とがない球状スペーサーを提供すること； （２）液晶表示素子の液晶層ギャップの寸法の乱れを生
じさせて表示画像の鮮明度を低下させることのない球状
スペーサーを提供すること； （３）重力や微小な振動によって移動することがない球
状スペーサーとそれを用いた液晶表示素子を提供するこ
と； （４）表示画像の欠陥がなく鮮明な画像が得られる液晶
表示素子を提供すること； （５）適度の圧縮変形性と変形回復性を有する導電性微
球体を提供すること； （６）接続信頼性に優れた導電性微球体を提供するこ
と； 図面の簡単な説明 図１は本発明の液晶表示素子の一実施例の断面図であ
る。

図２は荷重とスペーサーの圧縮変位との関係を示すグラ
フである。

図３はＫ値とスペーサーの圧縮歪みとの関係を示すグラ
フである。

図４はスペーサーの圧縮変形後の回復率の測定方法を説
明する図である。

図５は導電性微球体を用いて得られた素子の要部の断面
図である。

図６は実施例13で作製した試験片の断面図である。

図７は一般的な液晶表示素子を示す断面図である。

図８は硬すぎる球状スペーサーを用いた場合の液晶表示
素子の断面図である。

図９は軟らかすぎるスペーサーを用いた場合の液晶表示
素子の断面図である。

好ましい実施態様の説明 微球体、液晶表示素子用球状スペーサー、液晶表示素子
用着色球状スペーサー、および液晶表示素子用接着性球
状スペーサー 本発明の微球体は、所定範囲のＫ値と、所定範囲の圧縮
変形後の回復率を有しており、これは液晶表示素子用球
状スペーサーとして使用することができる。

また、本発明の液晶表示素子用着色球状スペーサーは、
所定範囲のＫ値と、所定範囲の圧縮変形後の回復率を有
し、かつ着色されたものである。本発明の液晶表示素子
用接着性球状スペーサーは、所定範囲のＫ値と、所定範
囲の圧縮変形後の回復率を有し、かつ加熱によって接着
性を有するものである。

まず、本発明で定義するＫ値について説明する。

ランダウーリフシッツ理論物理学教程「弾性理論」（東
京図書1972年発行）42頁によれば、半径がそれぞれＲ、
Ｒ′の二つの弾性球体が接触した際、ｈは次式により与
えられる。

ｈ＝F^2/3［D²（1/R＋1/R′）］^1/3 …（１） Ｄ＝（3/4）［（１−σ²）/E＋（１−σ′²）/E′］ …
（２） ここに、ｈはＲ＋Ｒ′と両球の中心間の距離の差、Ｆは
圧縮力、Ｅ、Ｅ′は二つの弾性球体の弾性率、σ、σ′
は弾性球のポアッソン比を表す。

一方、球を剛体の板の上に置いて、かつ両側から圧縮す
る場合、Ｒ′→∞、 Ｅ》Ｅ′とすると、近似的に次式が得られる。

Ｆ＝（2^1/2/3）（S^3/2）（Ｅ・R^1/2）（１−σ²） …
（３） ここに、Ｓは圧縮変形量を表す。この式を変形すると容
易に次式が得られる。

Ｋ＝E/（１−σ²） …（４） よって、Ｋ値を表す式： が得られる。

このＫ値は球体の硬さを普遍的かつ定量的に表すもので
ある。このＫ値を用いることにより、微球体またはスペ
ーサー（以下、スペーサー等という）の好適な硬さを定
量的、かつ一義的に表すことが可能となる。

そして、10％圧縮歪におけるＫ値は250kgf/mm²〜700kgf
/mm²の範囲であり、この範囲内にあるスペーサー等を用
いることにより、例えば、液晶表示素子を作製するとき
に、配向制御膜をスペーサー等で傷付けるようなことが
なく、また加圧プレスにより両電極間のギャップ出しを
行う際に、ギャップコントロールを容易に行うことがで
きる。より好ましい10％圧縮歪におけるＫ値は350kgf/m
m²〜550kgf/mm²である。

Ｋ値が700kgf/mm²を超えるスペーサー等を用いると、液
晶表示素子の製造工程において、液晶配向制御膜面に傷
を付ける欠点があり、さらに作製された液晶表示素子に
おいて、温度が低下した際に液晶の収縮に対してスペー
サー等の圧縮変形が生じ難いため液晶セル中に減圧に起
因する気泡が発生する。

Ｋ値が250kgf/mm²未満のスペーサー等を用いた場合、セ
ルのギャップコントロールが困難となる。

ところで、液晶表示素子に用いられるスペーサー等の好
適な硬さを規定するだけでは好適なスペーサー等の材料
力学的な性質を完全に表現することはできない。

もう一つの重要な性質はスペーサー等の弾性を示す値で
ある圧縮変形後の回復率が所定範囲内にあることであ
る。圧縮変形後の回復率を規定することによってスペー
サー等の弾性ないし塑性を定量的に且つ一義的に表すこ
とが可能となるのである。

本発明のスペーサー等において、スペーサー等の圧縮変
形後の回復率は、20℃において30％〜80％の範囲が好ま
しい。特に好ましい圧縮変形後の回復率は40％〜70％の
範囲である。

回復率が80％を超えるスペーサー等を用いると、液晶セ
ル製造工程において、加圧プレスにより両基板間のギャ
ップ出しを行った後除圧した際に、圧縮変形されたスペ
ーサー等が弾性回復し易いために取り出された液晶セル
のギャップが乱れてしまう。

回復率が30％を未満のスペーサー等を用いると、加圧プ
レスにより両基板間のギャップ出しを行う際に、局部的
に圧力が過大に加わった場合、スペーサー等が圧縮変形
されたままの状態であるため、その箇所でギャップが元
に戻らず、そのためにギャップむらを生じる。

次に、Ｋ値ならびに圧縮変形後の回復率の測定法につい
て説明する。

（Ａ）Ｋ値の測定方法及び条件 （ｉ）測定方法 室温において、平滑表面を有する鋼板の上にスペーサー
等を散布し、その中から１個のスペーサー等を選ぶ。次
に、微小圧縮試験機（PCT-200型 島津製作所製）を用
いて、ダイヤモンド製の直径50μｍの円柱の平滑な端面
でスペーサー等を圧縮する。この際、圧縮荷重を電磁力
として電気的に検出し、圧縮変位を作動トランスによる
変位として電気的に検出する。

そして、図２に示すような圧縮変位−荷重の関係が求め
られる。図２から、スペーサー等の10％圧縮変形におけ
る荷重値、圧縮変位がそれぞれ求められ、これらの値と
（５）式とから図３に示すようなＫ値と圧縮歪との関係
が求められる。

但し、圧縮歪は圧縮変位をスペーサー等の粒子径で割っ
た値を％で表したものである。

（ii）圧縮速度 定負荷速度圧縮方式で行った。毎秒の0.27グラム重（gr
f）の割合で荷重が増加した。

（iii）試験荷重 最大10grfとした。

（Ｂ）圧縮変形後の回復率の測定方法及び条件 （ｉ）測定方法 室温において、平滑表面を有する鋼板の上にスペーサー
等を散布し、その中から１個のスペーサー等を選ぶ。次
に、微小圧縮試験機（PCT-200型 島津製作所製）を用
いて、ダイヤモンド製の直径50μｍの円柱の平滑な端面
でスペーサー等を圧縮する。この際、圧縮荷重を電磁力
として電気的に検出し、圧縮変位を作動トランスによる
変位として電気的に検出する。

そして、図４に示すように、スペーサー等を反転荷重値
まで圧縮した後（図４中、曲線（ａ）で示す）、逆に荷
重を減らしていく（図４中、曲線（ｂ）で示す）。この
際、荷重と圧縮変位との関係を測定する。ただし、除荷
重における終点は荷重値ゼロではなく、0.1g以上の原点
荷重値とする。回復率は反転の点までの変位L₁と反転の
点から原点荷重値を取る点までの変位差L₂の比（L₂／
L₁）を％で表した値で定義する。

（ii）測定条件 反転荷重値 1grf 原点荷重値 0.1grf 負荷および除負荷における圧縮速度 0.27grf/sec 測定室温度 20℃ 本発明のスペーサー等は上記Ｋ値及び回復率を満たすも
のであれば、無機質粒子あるいは合成樹脂粒子のいずれ
でも用いることができる。特に、上記Ｋ値及び回復率を
上記範囲内に調整することが容易に行える点で合成樹脂
製の粒子が好ましく用いられる。

スペーサー等を形成するのに適している合成樹脂として
は、以下の各種プラスチック材料を含む。ポリエチレ
ン、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン、ポリ塩化ビ
ニル、ポリテトラフルオロエチレン、ポリスチレン、ポ
リメチルメタクリレート、ポリエチレンテレフタレー
ト、ポリブチレンテレフタレート、ポリアミド、ポリイ
ミド、ポリスルフォン、ポリフェニレンオキサイド、ポ
リアセタール等の線状または架橋高分子；エポキシ樹
脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステ
ル樹脂、ジビニルベンゼン重合体、ジビニルベンゼン−
スチレン共重合体、ジビニルベンゼン−アクリル酸エス
テル共重合体、ジアリルフタレート重合体、トリアリル
イソシアヌレート重合体、ベンゾグアナミン重合体等の
網目構造を有する樹脂。

これらの樹脂のうちで、特に好ましいものは、ジビニル
ベンゼン重合体、ジビニルベンゼン−スチレン共重合
体、ジビニルベンゼン−アクリル酸エステル共重合体、
ジアリルフタレート重合体等の網目構造を有する樹脂で
ある。

無機質としては、特に限定するものではなく従来公知の
ものを使用することができる。

スペーサー等の形状としては、例えば、球状のものが好
ましい。直径は、好ましくは0.1〜100μｍの範囲であ
り、特に好ましい直径は0.5〜50μｍであり、さらに好
ましい直径は１〜20μｍである。

本発明の液晶表示素子用着色球状スペーサーは、着色さ
れたものである。着色方法は、例えば、染料、顔料混
入、染料モノマーの重合、およびスペーサー上に金属薄
膜を形成してこれを酸化する方法等があげられる。着色
方法は、例えば、特開昭57−189117号公報、特開昭63−
89890号公報、特開平１−144021号公報、特開平１−144
429号公報、特開昭63−66228号公報、特開昭63−89408
号公報、特開平１−200227号公報、特開平１−2007719
号公報、特開平２−214781号公報などに開示されてお
り、これらに開示された着色方法を本発明に採用するこ
とができる。

本発明において、液晶表示素子用スペーサーとして、着
色された球状スペーサーを用いることが好ましい理由は
次の通りである。

液晶表示素子において、透明電極間に電圧を印加するこ
とにより、液晶は光学的変化を生じて画像を形成する。
これに対し、スペーサーはその印加によって光学的変化
を示さない。従って、画像を表示させた時の暗部におい
て、無着色のスペーサーは輝点として視認されることが
あり、その結果画像表示のコントラストを低下させるこ
とがあるからである。

本発明の液晶表示素子用接着性球状スペーサーは加熱し
た際に接着性を有している。スペーサーに接着性を付与
する方法には、基材微球体の表面にポリエチレンワック
スの層やホットメルト接着剤層、エポキシ接着剤層を設
ける方法等が含まれる。

接着性を付与する方法は、例えば、実開昭51−22435号
公報、特開昭63−44631号公報、特開昭63−94224号公
報、特開昭63−200126号公報、特開平１−247154号公
報、特開平１−247155号公報、特開平２−261537号公報
に開示されており、これらに開示された方法を本発明に
採用することができる。

液晶表示素子用スペーサーとして、接着性を有する球状
スペーサーを用いることにより、前述のような基板のギ
ャップにおいてスペーサーが移動することを防止でき
る。その結果、配向制御膜を傷つけるといった不都合な
現象を積極的に防止して、表示画像の画質を向上し、か
つ基板間のギャップ精度を向上することができる。

着色された球状スペーサーおよび接着性球状スペーサー
に使われる基材微粒子は、上述のスペーサー等から作製
することができる。

以上のように、本発明のスペーサー等は、所定範囲のＫ
値と、所定範囲の圧縮変形後の回復率を有していること
により、液晶表示素子のスペーサーとして好適な物性を
有している。すなわち、該スペーサーの硬さが適当であ
るので、液晶表示素子の製造工程において、基板が加圧
されるときに配向制御膜を傷つけることがない。

さらに、スペーサーは適度の変形性を有するので、基板
とスペーサーとは広い面積で接触することになる。その
結果、スペーサーは基板の表面上で重力や微小な振動に
よって移動し難くなる。また、そのスペーサーの移動に
よって配向制御膜を傷つけるようなことも防ぎ得る。

スペーサーは適度な硬さを有するので、一対の基板を互
いに向い合う方向に加圧する際に、その加圧力をスペー
サーで支持して、基材間のギャップを一定に保つことが
できる。従って、液晶層の厚みのムラを従来に比べて低
減することができる。

液晶表示素子 次に、本発明の液晶表示素子の一例を図面を参照して説
明する。本発明の液晶表示素子は、上記球状スペーサー
を用いたこと以外は、図７で示したものと同じ構成とす
ることができる。

すなわち、図１に示すように、液晶表示素子Ａは、一対
の基板７、９と、該一対の基板７、９のギャップを一定
に保持するために一対の基板７、９の間に配設されたス
ペーサー８及びネマチック液晶11と、一対の基板７、９
間の周囲に充填されたシール部材10と、各基板７、９の
表面に被覆された偏光シート12、13と、を有している。

上記基板７、９は、ガラスからなる透明基板１、４の片
面にITO（Indium-Tin-Oxide）膜などからなる透明電極
２、５をパターン形成し、この透明電極２、５および透
明基板１、４の表面にポリイミド膜などからなる配向制
御膜３、６を被覆して構成されている。その配向制御膜
３、６はラビングによって配向制御処理されている。

上記スペーサー８は、上記した所定範囲のＫ値と、所定
範囲の圧縮変形後の回復率を有しているものである。こ
のスペーサー８は、着色スペーサーでもよく、および／
または接着性スペーサーでもよい。

よって、本発明によれば、表示画像の欠陥がなく鮮明な
画像が得られる液晶表示素子を得ることができる。

導電性微球体 本発明の導電性微球体は、上記微球体と、該微球体の表
面に設けられた導電層とを有する。この導電性微球体
は、エレクトロニクス実装分野における微細電極間の導
電接続に用いることができる。

この導電性微球体においては、上記したように、10％圧
縮歪におけるＫ値は250kgf/mm²〜700kgf/mm²の範囲であ
り、この範囲内にある導電性微球体を用いることによ
り、例えば、一対の電極が導電性微球体で接続されてい
る素子の製造工程において、対向電極面を導電性微球体
で傷付けるようなことがなく、また加圧プレスにより両
電極間のギャップ出しを行う際に、ギャップコントロー
ルを容易に行うことができる。より好ましい10％圧縮歪
におけるＫ値は350kgf/mm²〜550kgf/mm²である。

Ｋ値が700kgf/mm²を超える場合、この導電性微球体を二
つの電極間に挟んで圧縮荷重を加えても、導電性微球体
は容易に変形せず、その結果導電性微球体と電極表面と
の接触面積が広がらず、接触抵抗値を低減させることが
困難となる。また、導電性微球体を変形させるべく無理
に荷重を加えると、導電性微球体表面の導電層の破れや
剥がれが生じたり、素子の製造工程において、電極面に
傷を付けるおそれがある。

Ｋ値が250kgf/mm²未満の場合、この導電性微球体を二つ
の電極間に挟んで圧縮荷重を加えると、しばしば圧縮変
形が大きくなるため、導電性微球体表面の導電層がこの
変形に追従できなくなり、その結果、導電層の破れや剥
がれが発生するという危険性がある。また、圧縮変形量
が過大となって導電性微球体が偏平になると、電極同志
が直接に接触し、充分な微細接続ができなくなるという
問題も生ずる。

さらに、本発明の導電性微球体において、導電性微球体
の圧縮変形後の回復率の範囲は、20℃において30％〜80
％である。特に好ましい圧縮変形後の回復率の範囲は40
％〜70％である。

この導電性微球体の圧縮変形後のの回復率が80％を超え
る場合、この導電性微球体を分散させた接着剤を二つの
電極間に挟んで加圧接着し、接着剤が硬化後に除圧する
と、圧縮変形した導電性微球体は弾性回復し易いため、
接着剤層が電極表面から引き剥されるおそれがある。

回復率が30％未満の場合、この導電性微球体を分散させ
た接着剤を二つの電極間に充填して加圧接着し、接着剤
が硬化後に除圧するという方法で作製した素子は、冷熱
繰り返しの環境下において接着剤層が収縮と膨張を繰り
返すが、導電性微球体は圧縮変形されたままの状態であ
るため、接着剤層の膨張時に電極表面との間にギャップ
を生じ、接触不良を引き起こす。

本発明の導電性微球体は、上記範囲のＫ値及び回復率を
満たすものであれば、無機質材料から作られたもの、あ
るいは合成樹脂から作られたもののいずれでも用いるこ
とができる。この導電性微球体を形成する微球体として
は、上記スペーサー等と同じものを使用することができ
る。微球体を形成する好ましい樹脂は、ジビニルベンゼ
ン重合体、ジビニルベンゼン−スチレン共重合体、ジビ
ニルベンゼン−アクリル酸エステル共重合体、ジアリル
フタレート重合体等の網目構造を有する樹脂である。

微球体の粒子径の範囲は、0.1〜100μｍが好ましく、特
に好ましい直径は0.5〜50μｍであり、さらに好ましい
直径は１〜20μｍである。

また、導電層の厚みは、0.02〜５μｍの範囲が好まし
い。導電層の厚みが0.02μｍ未満の場合、所望の導電性
が得られ難くなり、５μｍを超えると微球体と導電層と
の熱膨張率との差により導電層が微球体の表面から剥離
し易くなる。

導電層に使用される金属としては、例えば、ニッケル、
金、銀、銅、コバルト錫、インジウム等あるいはこれら
を主成分とする合金があげられる。特にインジウムが好
ましい。

上記微球体の表面に金属層を形成する方法としては、例
えば、無電解メッキ（化学メッキ法ともいう）による方
法；金属微粉を単独あるいはバインダーに混ぜ合わせて
得られるペーストを微球体にコーテイングする方法；真
空蒸着、イオンプレーティング、イオンスパッタリング
等の物理的蒸着方法などが含まれる。

無電解メッキ法による金属層の形成方法を、金置換メッ
キの場合を例に挙げて以下に説明する。

この方法は、以下のエッチング工程、アクチベーション
工程、化学ニッケルメッキ工程及び金置換メッキ工程に
分けられる。

エッチング工程は、微球体の表面に凹凸を形成させるこ
とによりメッキ層を微球体に付着させる工程であり、エ
ッチング液としては、例えば、カセイソーダ水溶液、濃
塩酸、濃硫酸または無水クロム酸が含まれる。

アクチベーション工程は、エッチングされた微球体の表
面に触媒層を形成させると共に、この触媒層を活性化さ
せるための工程である。触媒層の活性化により後述の化
学ニッケルメッキ工程における金属ニッケルの析出が促
進される。微球体の表面のPd²⁺およびSn²⁺を含む触媒層
を濃硫酸または濃塩酸で処理し、Sn²⁺のみを溶解除去し
てPd²⁺の金属化を行う。金属化されたパラジウムは、カ
セイソーダ濃厚溶液等のパラジウム活性剤により活性化
されて増感される。

化学ニッケルメッキ工程は、触媒層が形成された微球体
の表面に、さらに金属ニッケル層を形成させる工程であ
り、例えば、塩化ニッケルを次亜リン酸ナトリウムによ
って還元し、ニッケルを微球体の表面に析出させる。

金置換メッキ工程では、このようにしてニッケルが被覆
された微球体を金シアン化カリウム水溶液に入れ、昇温
させながらニッケルを溶出させ、金を微球体表面に析出
させる。

また、導電層をインジウム−メッキ層から形成される場
合には、その導電層の厚みの範囲は、0.02〜５μｍが特
に好ましい。導電層の厚みが0.02μｍ未満の場合、所望
の導電性が得られ難く、また５μｍを上回ると、導電性
微球体を一対の電極間に挟んで両電極を加圧する際に、
導電性微球体の弾性的な性質が有効に発現されなくな
る。導電層の厚みが５μｍを超えると導電性微球体同志
の凝集が起こり易くなる。

インジウムメッキ層を微球体表面に形成する方法として
は、例えば、以下の方法があげられる。

無電解メッキ法によりインジウムメッキ層を形成す
る方法 予め微球体の表面にインジウムよりイオン化傾向の大き
い別の金属（例えば、銅など）の薄膜を形成させた後、
この金属を次式のようにインジウムに置換するメッキ法
である。

3Cu＋2In⁺⁺⁺→3Cu⁺⁺＋2In↓ 還元メッキ法 インジウム塩の水溶液に還元剤を添加して還元反応によ
りインジウムを微球体の表面に析出させることにより、
インジウムメッキ層を形成させるメッキ法である。

あるいは、予め微球体の表面にニッケルなどの別の金属
の薄膜を形成させた後、この表面にインジウムを還元反
応により析出させ、薄膜を形成させることもできる。

機械的、物理的方法によるインジウムメッキ層の形
成方法 微球体とインジウム微粒子とを混ぜ合わせた後、ハイブ
リダイゼーションまたはメカノヒュージョン法によりイ
ンジウム微粒子を微球体表面に衝突させたり、あるいは
微球体表面にインジウム微粒子を擦り付けることにより
インジウム薄膜を微粒子表面に形成させる。あるいは、
微球体とインジウム微粒子とを混ぜ合わせた後、これを
加熱することにより、インジウムを溶融させて微球体表
面にインジウム薄膜を被覆させてもよい。

このようにして得られた導電性微球体を用いて、素子を
作製することができる。この素子は、例えば、次のよう
にして作製することができる。

すなわち、図５に示すように、絶縁性のバインダー28中
に導電性微球体29を均一に分散したものをスクリーン印
刷またはディスペンサーで一方の電極24上に、塗布す
る。あるいはバインダー28を使用せずに導電性微球体29
のみを電極24上に配置する。後者の場合、導電性微球体
29は電極24の上方から散布してもよく、あるいは導電性
微球体29を荷電させて静電気的に電極24上に付着させて
もよい。

次に、もう一方の電極25を上記電極24の上に重ね合わせ
る。この状態で両電極24、25を加圧する。ここでは、特
に大きな加圧力を必要としない。導電性微球体29と電極
24、25面との接触状態が保たれる程度の圧力でよい。次
に、一対の電極24、25間に導電性微球体29が挟持された
積層体を加熱する。加熱方法としてはプレス加熱が好ま
しい。このようにして、図５に示すような素子Ｂが得ら
れる。

上記素子において使用される電極としては、例えば、ガ
ラス板上にITO薄膜が形成された電極、ガラス板上にア
ルミニウム薄膜が形成された電極、プラスチックフィル
ム上に銅シートを貼付けこれをエッチングして作成され
た電極、およびフィルム上に銀ペースト、カーボンブラ
ックを印刷して作成した電極等が含まれる。このよう
に、導電性微球体を用いることにより、液晶表示素子等
の電極間の所定の箇所を電気的に接続することができ
る。

本発明の導電性微球体は、適度に圧縮変形させることが
可能であるため、導電性微球体を使用して電極間を接続
させる際に、導電性微球体と電極表面との接触面積を拡
大して接触抵抗値を低減させることができる。さらに、
圧縮変形後の変形回復性も適度であるため、導電性微球
体を使用して電極間の接続を行う工程において、両電極
に作用する圧縮荷重を取り除いた際、該導電性微球体と
電極表面との界面にギャップが形成されることもなく、
接触不良を起こすとこともない。

以上のように、本発明の導電性微粒子は、適度の圧縮変
形性と変形回復性を有するので、二つの電極間に挟んで
使用された場合、優れた異方導電性能と接続信頼性能を
発揮することができ、以下に挙げるような用途に好適で
ある。

液晶表示素子における上下基板電極間の電気的接続
のためのトランスファー材料。

液晶表示素子におけるLSIとガラス配線基板とのCOG
（チップオングラス）接続用材料。

液晶表示素子におけるガラス配線基板とフレキシブ
ルプリント回線との電気的接続材料。

板状基板あるいはフィルム状基板とLSIとのCOG（チ
ップオングラス）あるいはCOF（チップオンフィルム）
接続用材料。

実施例 以下に本発明を実施例に基づいて詳細に説明する。

なお、本試験方法は以下の通りである。

（Ａ）粒子径の測定 コールターカウンターZB/C-1000型粒子サイズ測定機
（コールターエレクトロニクス社製）を使用して行っ
た。

（Ｂ）スペーサーの圧縮試験 微小圧縮試験機（島津製作（株）製）を使用して行っ
た。

（Ｃ）液晶セルの上下基板間のギャップの測定 液晶セルギャップ測定装置（オーク製作所製TFM-120AFT
型）を使用して行った。

（Ｄ）液晶表示素子の表示性能 液晶セルに当てた光の反射光の色調がオリーブ色を呈す
るように、液晶セルの上下の両面に偏光シートを貼付け
る。この時、偏光シートの背景色に色ムラを観察した。
さらに、液晶表示素子に電源を接続して点灯させ、その
画像を観察した。

実施例１ テトラメチロールメタンテトラアクリレートを懸濁重合
させた後、分級により平均粒子径7.03μｍ、標準偏差0.
27μｍのスペーサーを得た。

このスペーサーの圧縮試験を行ったところ、圧縮歪10％
におけるＫ値は550kgf/mm²であった。また、反転荷重値
1grfの場合の圧縮変形後の回復率は65％であった。

厚さ0.7mmのガラス板上に低温スパッタ法によって約500
オングストロームの厚さの酸化インジウム−酸化スズ系
の透明導電膜を形成した後、フォトリソグラフィーによ
り所定の電極パターンを形成した。次いで、この上に配
向剤を塗布した後、加熱した配向制御膜を形成した。次
に、このガラス板を5cm×12.5cmの寸法に裁断して液晶
表示素子用のガラス基板を得た。

このガラス基板の周囲にスクリーン印刷によりガラスフ
ァイバースペーサーを混入させたエポキシ接着剤を幅1m
mで印刷した。

ガラス基板を水平に配置した後、上方から該スペーサー
を加圧窒素ガスにより飛散させて均一にガラス基板上に
落下させた。ガラス基板上におけるスペーサーの散布濃
度が約100個／mm²になるように散布時間を調整した。

別のガラス基板をスペーサーが散布された上記ガラス基
板上に重ね合わせた後、プレス機により1kg重／cm²の荷
重をガラス基板全体に均一にかかるように加えた。同時
に、このものを160℃の温度で20分間加熱して周囲のエ
ポキシ接着剤を硬化させた。

このようにして作成したセルの内部を吸引して真空とし
た後、周辺のシール部の一部に設けた孔部から液晶を内
部へ注入した。このようにして作成した液晶セルの上下
基板間のギャップ未満のを測定した結果、ギャップ値は
6.98±0.03μｍの範囲であった。

液晶セルに当てた光の反射光の色調がオリーブ色を呈す
るように、この液晶セルの上下の両面に変更シートを貼
付けた。この時、このオリーブ色は均一で濃度に色ムラ
が認めれなかった。このようにして作成した液晶表示素
子に電源を接続して点灯させた結果、充分な表示性能が
得られた。

実施例２ テトラメチロールメタンテトラアクリレート75重量％及
びジビニルベンゼン25重量％を懸濁重合させた後、分級
により平均粒子径7.05μｍ、標準偏差0.25μｍのスペー
サーを得た。

このスペーサーの圧縮歪10％におけるＫ値は450kgf/mm²
であった。また、スペーサーの圧縮変形後の回復率は54
％であった。

このスペーサーを用いた他は、実施例１と同様にして作
成した液晶セルのギャップ値は6.88±0.03μｍの範囲で
あった。また、実施例１と同様にして液晶セルに偏光シ
ートを貼付けた状態での濃度に色むらは見られず、点灯
状態での表示状態も良好であった。

実施例３ テトラメチロールメタンテトラアクリレート50重量％及
びジビニルベンゼン50重量％を懸濁重合させた後、分級
により平均粒子径7.02μｍ、標準偏差0.26μｍのスペー
サーを得た。

このスペーサーの圧縮歪10％におけるＫ値は390kgf/mm²
であった。また、スペーサーの圧縮変形後の回復率は50
％であった。

このスペーサーを用いた他は、実施例１と同様にして作
成した液晶セルのギャップ値は6.83±0.04μｍの範囲で
あった。また、実施例１と同様にして液晶セルに偏光シ
ートを貼付けた状態での濃度に色むらは見られず、点灯
状態での表示状態も良好であった。

実施例４ テトラメチロールメタンテトラアクリレート25重量％及
びジビニルベンゼン75重量％を懸濁重合させた後、分級
により平均粒子径7.03μｍ、標準偏差0.28μｍのスペー
サーを得た。

このスペーサーの圧縮歪10％におけるＫ値は380kgf/mm²
であった。また、スペーサーの圧縮変形後の回復率は45
％であった。

このスペーサーを用いた他は、実施例１と同様にして作
成した液晶セルのギャップ値は6.80±0.03μｍの範囲で
あった。また、実施例１と同様にして液晶セルに偏光シ
ートを貼付けた状態での濃度に色むらは見られず、点灯
状態での表示状態も良好であった。

実施例５ ジビニルベンゼンを懸濁重合させた後、分級により平均
粒子径7.05μｍ、標準偏差0.29μｍのスペーサーを得
た。

このスペーサーの圧縮歪10％におけるＫ値は280kgf/mm²
であった。また、スペーサーの圧縮変形後の回復率は35
％であった。

このスペーサーを用いた他は、実施例１と同様にして作
成した液晶セルのギャップ値は6.78±0.06μｍの範囲で
あった。また、実施例１と同様にして液晶セルに偏光シ
ートを貼付けた状態で濃度に色むらは見られず、点灯状
態での表示状態も良好であった。

比較例１ ベンゾグアナミン重合体からなる平均粒子径6.98μｍ、
標準偏差0.25μｍのスペーサーを用いた他は、実施例１
と同様にして液晶表示素子を得た。

使用したスペーサーの圧縮歪10％におけるＫ値は600kgf
/mm²であり、またスペーサーの圧縮変形後の回復率は13
％であった。

このスペーサーを用いた他は、実施例１と同様にして作
成した液晶セルのギャップ値は6.92±0.07μｍの範囲で
あった。また、実施例１と同様にして液晶セルに偏光シ
ートを貼付けたところ、濃度に色むらが認められ、点灯
状態での表示状態は不充分であった。

比較例２ トリアリルイソシアヌレート30重量％及びジアリルフタ
レート70重量％を懸濁重合させた後、分級により平均粒
子径7.03μｍ、標準偏差0.26μｍのスペーサーを得た。
このスペーサーの圧縮歪10％におけるＫ値は240kgf/mm²
であった。また、スペーサーの圧縮変形後の回復率は12
％であった。

このスペーサーを用いた他は、実施例１と同様にして作
成した液晶セルのギャップ値は6.89±0.03μｍの範囲で
あった。また、実施例１と同様にして液晶セルに偏光シ
ートを貼付けたところ、濃度に色むらが認められ、点灯
状態での表示状態も不充分であった。

比較例３ ポリスチレンからなる平均粒子径6.98μｍ、標準偏差0.
25μｍのスペーサーを用いた他は、実施例１と同様にし
て球状のスペーサーを得た。

このスペーサーの圧縮歪10％におけるＫ値は105kgf/mm²
であった。またスペーサーの圧縮変形後の回復率は測定
不能であった。

このスペーサーを用いた他は、実施例１と同様にして作
成した液晶セルのギャップ値は6.75±0.07μｍの範囲で
あった。また、実施例１と同様にして液晶セルに偏光シ
ートを貼付けたところ、濃度に色むらが認められ、点灯
状態での表示状態は不充分であった。

比較例４ ベンゾグアナミン重合体からなる平均粒子径7.05μｍ、
標準偏差0.25μｍのスペーサーを用いた他は、実施例１
と同様にして液晶表示素子を得た。

このスペーサーの圧縮歪10％におけるＫ値は620kgf/mm²
であり、スペーサーの圧縮変形後の回復率は13％であっ
た。

このスペーサーを用いた他は、実施例１と同様にして作
成した液晶セルのギャップ値は6.88±0.05μｍの範囲で
あった。また、実施例１と同様にして液晶セルに偏光シ
ートを貼付けたところ、濃度に色むらが認められ、点灯
状態での表示状態は不充分であった。

比較例５ 二酸化ケイ素からなる平均粒子径7.01μｍ、標準偏差0.
19μｍのスペーサーを用いた他は、実施例１と同様にし
て液晶表示素子を得た。

このスペーサーの圧縮歪10％におけるＫ値は5000kgf/mm
²であり、またスペーサーの圧縮変形後の回復率は85％
であった。

このスペーサーを用いた他は、実施例１と同様にして作
成した液晶セルのギャップ値は6.99±0.10μｍの範囲で
あった。また、実施例１と同様にして液晶セルに偏光シ
ートを貼付けたところ、濃度に色むらが認められ、点灯
状態での表示状態は不充分であった。

実施例６ テトラメチロールメタントリアクリレートを懸濁重合さ
せた後、分級により平均粒子径7.03μｍ、標準偏差0.27
μｍの樹脂微粒子を得た。この微粒子10gに濃硫酸100g
を加え、55℃で６時間反応させた。

一方、塩基性染料カチロンブラックSBH（保土ヶ谷化学
（株）製）6gを300mlの水に溶解し、酢酸を加えてpH4に
調製した染浴を得た。これに上記酸処理微粒子を加え、
95℃で６時間染色して黒色の球状スペーサーを得た。こ
の球状スペーサーの平均粒子径は7.38μｍ、標準偏差は
0.29μｍであった。

この着色スペーサーの圧縮歪10％におけるＫ値は520kgf
/mm²であった。また、この着色スペーサーの反転荷重値
1grfの場合の圧縮変形後の回復率は55％であった。

このスペーサーを用いた他は、実施例１と同様にして液
晶表示素子を得た。液晶セルのギャップ値は6.98±0.03
μｍの範囲であった。

また、実施例１と同様にして液晶セルに偏光シートを貼
付けたところ、この黄緑色の濃度には全く濃度に色ムラ
が認めれなかった。このようにして作成した液晶表示素
子に電源を接続して点灯させた結果、充分な表示性能が
得られた。

実施例７ テトラメチロールメタンテトラアクリレート75重量％及
びジビニルベンゼン25重量％を懸濁重合させた後、分級
により平均粒子径7.05μｍ、標準偏差0.25μｍのスペー
サーを得た。

このスペーサーを実施例６と同様に染色して、黒色の球
状スペーサーを得た。この球状スペーサーの平均粒子径
は7.04μｍ、標準偏差は0.27μｍであった。この着色ス
ペーサーの圧縮歪10％におけるＫ値は420kgf/mm²であっ
た。また、圧縮変形後の回復率は51％であった。

このスペーサーを用いた他は、実施例１と同様にして作
成した液晶セルのギャップ値は7.22±0.03μｍの範囲で
あった。また、実施例１と同様にして液晶セルに偏光シ
ートを貼付けた状態での背景色に色むらは全く見られ
ず、点灯状態での表示状態も良好であった。

実施例８ テトラメチロールメタンテトラアクリレート50重量％及
びジビニルベンゼン50重量％を懸濁重合させた後、分級
により平均粒子径7.02μｍ、標準偏差0.26μｍのスペー
サーを得た。このスペーサーを実施例６と同様に染色し
て、黒色の球状スペーサーを得た。この球状スペーサー
の平均粒子径は7.47μｍ、標準偏差は0.28μｍであっ
た。

このスペーサーの圧縮歪10％におけるＫ値は370kgf/mm²
であった。また、スペーサーの圧縮変形後の回復率は47
％であった。

このスペーサーを用いた他は、実施例１と同様にして作
成した液晶セルのギャップ値は6.83±0.04μｍの範囲で
あった。また、実施例１と同様にして液晶セルに偏光シ
ートを貼付けた状態での背景色を色むらは全く見られ
ず、点灯状態での表示状態も良好であった。

実施例９ テトラメチロールメタンテトラアクリレート25重量％及
びジビニルベンゼン75重量％を懸濁重合させた後、分級
により平均粒子径7.03μｍ、標準偏差0.28μｍのスペー
サーを得た。このスペーサーを実施例６と同様に染色し
て、黒色の球状スペーサーを得た。この球状スペーサー
の平均粒子径は7.45μｍ、標準偏差は0.30μｍであっ
た。

このスペーサーの圧縮歪10％におけるＫ値は360kgf/mm²
であった。また、スペーサーの圧縮変形後の回復率は45
％であった。

このスペーサーを用いた他は、実施例１と同様にして作
成した液晶セルのギャップ値は6.80±0.03μｍの範囲で
あった。また、実施例１と同様にして液晶セルに偏光シ
ートを貼付けた状態での背景色に色むらは全く見られ
ず、点灯状態での表示状態も良好であった。

実施例10 ジビニルベンゼンを懸濁重合させた後、分級により平均
粒子径7.05μｍ、標準偏差0.29μｍのスペーサーを得
た。このスペーサーを実施例６と同様に染色して、黒色
の球状スペーサーを得た。この球状スペーサーの平均粒
子径は7.40μｍ、標準偏差は0.30μｍであった。

このスペーサーの圧縮歪10％におけるＫ値は270kgf/mm²
であった。また、スペーサーの圧縮変形後の回復率は40
％であった。

このスペーサーを用いた他は、実施例１と同様にして作
成した液晶セルのギャップ値は7.12±0.05μｍの範囲で
あった。また、実施例１と同様にして液晶セルに偏光シ
ートを貼付けた状態で背景色に色むらは全く見られず、
点灯状態での表示状態も良好であった。

比較例６ ベンゾグアナミン重合体からなる平均粒子径6.98μｍ、
標準偏差0.25μｍのスペーサーを、酸性染料で赤色に染
色して着色スペーサーを得た。この着色スペーサーの平
均粒子径は7.01μｍ、標準偏差0.27μｍであった。

このスペーサーの圧縮歪10％におけるＫ値は580kgf/mm²
であった。また、スペーサーの圧縮変形後の回復率は11
％であった。

このスペーサーを用いた他は、実施例１と同様にして作
成した液晶セルのギャップ値は6.96±0.08μｍの範囲で
あった。また、実施例１と同様にして液晶セルに偏光シ
ートを貼付けたところ、背景色に色むらが認められ、点
灯状態での表示状態は不充分であった。

比較例７ トリアリルイソシアヌレート30重量％及びジアリルフタ
レート70重量％を懸濁重合させた後、分級により平均粒
子径7.03μｍ、標準偏差0.26μｍのスペーサーを得た。
このスペーサーを実施例６と同様に染色して、赤色の球
状スペーサーを得た。この球状スペーサーの平均粒子径
は7.38μｍ、標準偏差は0.27μｍであった。

このスペーサーの圧縮歪10％におけるＫ値は220kgf/mm²
であった。また、スペーサーの圧縮変形後の回復率は12
％であった。

このスペーサーを用いた他は、実施例１と同様にして作
成した液晶セルのギャップ値は7.23±0.04μｍの範囲で
あった。また、実施例１と同様にして液晶セルに偏光シ
ートを貼付けたところ、背景色に色むらが認められ、点
灯状態での表示状態も不充分であった。

比較例８ ポリスチレンからなる平均粒子径6.98μｍ、標準偏差0.
25μｍのスペーサーを用いた他は、実施例６と同様に染
色して黒色の球状スペーサーを得た。この着色スペーサ
ーの平均粒子径は7.47μｍ、標準偏差は0.29μｍであっ
た。この着色スペーサーの圧縮歪10％におけるＫ値は10
0kgf/mm²であった。スペーサーの圧縮変形後の回復率は
測定不能であった。

このスペーサーを用いた他は、実施例１と同様にして作
成した液晶セルのギャップ値は6.75±0.07μｍの範囲で
あった。また、実施例１と同様にして液晶セルに偏光シ
ートを貼付けたところ、背景色に色むらが認められ、点
灯状態での表示状態は不充分であった。

比較例９ ベンゾグアナミン重合体からなる平均粒子径7.05μｍ、
標準偏差0.25μｍのスペーサーを用いた他は、比較例６
と同様に染色して、赤色の球状スペーサーを得た。この
球状スペーサーの平均粒子径は7.08μｍ、標準偏差は0.
27μｍであった。この着色スペーサーの圧縮歪10％にお
けるＫ値は605kgf/mm²であり、着色スペーサーの圧縮変
形後の回復率は11％であった。

このスペーサーを用いた他は、実施例１と同様にして作
成した液晶セルのギャップ値は6.91±0.08μｍの範囲で
あった。また、実施例１と同様にして液晶セルに偏光シ
ートを貼付けたところ、背景色に色むらが認められ、点
灯状態での表示状態は不充分であった。

比較例10 二酸化ケイ素からなる平均粒子径7.01μｍ、標準偏差0.
19μｍのスペーサーを塩基性染料で染色して青色の球状
スペーサーを得た。この着色スペーサーの平均粒子径は
7.04μｍ、標準偏差は0.21μｍであった。この着色スペ
ーサーの圧縮歪10％におけるＫ値は5000kgf/mm²であ
り、またスペーサーの圧縮変形後の回復率は85％であっ
た。

このスペーサーを用いた他は、実施例１と同様にして作
成した液晶セルのギャップ値は7.00±0.10μｍの範囲で
あった。また、実施例１と同様にして液晶セルに偏光シ
ートを貼付けたところ、背景色に色むらが認められ、点
灯状態での表示状態は不充分であった。

実施例11 テトラメチロールメタンテトラアクリレート75重量％及
びジビニルベンゼン25重量％を懸濁重合させた後、分級
により平均粒子径10.00μｍ、標準偏差0.40μｍの微粒
子を得た。

このスペーサー10gに対して、テトラプロポキシチタン
（日本曹達（株）製、商品名Ａ−１）0.15gを15mlのｎ
−ヘキサンに溶解させた溶液を加え、スパチュラにて良
く混合した後、ｎ−ヘキサンを蒸発させた。次いで、こ
の混合物を乳鉢にて十分に練り潰し、塊をなくした。

一方、ホットメルト型接着製樹脂として、ポリエチレン
ワックス（三洋化成工業（株）製、商品名サンワックス
151−Ｐ）2.6gをトルエン中に加え、80℃温浴中で溶解
させた。この溶液に、上記有機チタン化合物で処理した
上記樹脂微粒子を加え、完全に乳状になるまで分散させ
た後、90℃、300mmHg減圧下で加熱乾燥させた。

このようにして樹脂微粒子をホットメルト型接着性樹脂
により被覆したものが塊として得られた。次に、この塊
にグリセリン20mlを加え、乳鉢中で十分に塊を練り潰
し、さらに３本ロールに通して塊を完全に分解した。

次に、この分解された塊を１リットルのエタノールを用
いてガラスフィルタ上で洗浄した後、エタノール／フレ
オン113混合溶液（容積比で２対１）に懸濁させた。次
に、この混合物を15時間静置し、上澄みをデカンテーシ
ョンすることにより、ポリエチレンワックスの微細片を
取り除いた。残った塊を再びガラスフィルターで濾過し
た後、フレオン113にて洗浄した。これを60℃にてギヤ
オーブン中で乾燥させることにより、被覆樹脂微粒子を
得た。

この被覆樹脂微粒子の平均粒子径は10.32μｍ、標準偏
差は0.43μｍであった。この結果より、ポリエチレンワ
ックスは平均0.16μｍの厚みで樹脂微粒子の表面に形成
されていることがわかった。また走査型電子顕微鏡によ
り被覆樹脂微粒子の表面を観察した結果、樹脂微粒子の
表面には隙間なくポリエチレンワックスが均一に被覆さ
れていることがわかった。

この被覆樹脂微粒子の圧縮歪10％におけるＫ値は450kgf
/mm²であり、またこの微粒子の反転荷重値1grfの場合の
圧縮変形後の回復率は63％であった。

この被覆樹脂微粒子をスペーサーとして用いた他は、実
施例１と同様にして液晶表示素子を得た。液晶セルのギ
ャップ値は9.95±0.03μｍの範囲であった。

また、実施例１と同様にして液晶セルに偏光シートを貼
付けたところ、この黄緑色の背景色には全く色ムラが認
めれなかった。このようにして作成した液晶表示素子に
電源を接続して点灯させた結果、良好な表示性能が得ら
れた 実施例12 ジビニルベンゼンを懸濁重合させた後、分級により平均
粒子径9.90μｍ、標準偏差0.36μｍの微粒子を得た。こ
の微粒子10gに対して、テトラプロポキシチタン（日本
曹達（株）製、商品名Ａ−１）0.15gを15mlのｎ−ヘキ
サンに溶解させた溶液を加え、スパチュラにて良く混合
した後、ｎ−ヘキサンを蒸発させた。次いで、この混合
物を乳鉢にて十分に練り潰し、塊をなくした。

一方、エポキシ当量が480、軟化点が68℃の固形エポキ
シ樹脂（油化シェルエポキシ（株）製、商品名エピコー
ト1001）2gをアセトン40ml中に加え溶解させた後、水6m
l、上記微粒子10g、および硬化剤として、２−エチル−
４−メチルイミダゾール2E4MZ 0.4gを添加し十分混合し
た後、攪拌しながらアセトンを蒸発させた。それから、
乾燥物を乳鉢で捻り潰し、塊を完全に分解した。

このようにして得られた被覆樹脂微粒子の平均粒子径は
10.32μｍ、標準偏差は0.46μｍであった。この結果よ
り、接着性エポキシ樹脂層の厚みは0.21μｍと計算され
た。また走査型電子顕微鏡によりこの被覆樹脂微粒子の
表面を観察した結果、樹脂微粒子の表面には隙間なくエ
ポキシ樹脂層が均一に被覆されていることがわかった。

この被覆樹脂微粒子の圧縮歪10％におけるＫ値は420kgf
/mm²であり、また、この微粒子の反転荷重値1grfの場合
の圧縮変形後の回復率は52％であった。

この被覆樹脂微粒子をスペーサーとして用いた他は、実
施例１と同様にして液晶表示素子を得た。液晶セルのギ
ャップ値は9.83±0.03μｍの範囲であった。

また、実施例１と同様にして液晶セルに偏光シートを貼
付けたところ、背景色に色ムラが認められなかった。こ
のようにして作成した液晶表示素子に電源を接続して点
灯させた結果、良好な表示性能が得られた。

比較例11 ケイ酸ガラスからなる平均粒子径7.30μｍ、標準偏差0.
32μｍの無機微粒子を得た。この無機微粒子10gに対し
て、テトラプロポキシチタン（日本曹達（株）製、商品
名Ｂ−１）0.35gを15mlのｎ−ヘキサンに溶解させた溶
液を加え、スパチュラにて良く混合した後、ｎ−ヘキサ
ンを蒸発させた。次いで、このものを乳鉢にて十分に練
り潰し、塊をなくした。

一方、ホットメルト型接着性樹脂として、カルボキシ基
含有エチレン−酢酸ビニル共重合体（武田薬品工業
（株）製、商品名デュラミンＣ−2280）2.9gを用いた。

上記した以外は、実施例11と同様にして被覆無機微粒子
を得た。走査型電子顕微鏡により被覆樹脂微粒子の表面
を観察した結果、被覆無機微粒子上に形成されたホット
メルト型接着材層の厚みは0.43μｍであることがわかっ
た。

この被覆無機微粒子の圧縮歪10％におけるＫ値は5500kg
f/mm²であり、また、この微粒子の反転荷重値1grfの場
合の圧縮変形後の回復率は85％であった。

この被覆樹脂微粒子をスペーサーとして用いた他は、実
施例１と同様にして液晶表示素子を得た。

液晶セルのギャップ値は7.25±0.03μｍの範囲であっ
た。

また、実施例１と同様にして液晶セルに偏光シートを貼
付けたところ、背景色に色むらが認められ、点灯状態で
の表示状態は不充分であった。

比較例12 固体粒子として、ケイ酸ガラスからなる平均粒子径7.30
μｍ、標準偏差0.32μｍの無機微粒子を得た。この無機
微粒子10gに対して、テトラプロポキシチタン（日本曹
達（株）製、商品名Ｂ−１）0.35gを15mlのｎ−ヘキサ
ンに溶解させた溶液を加え、スパチュラにて良く混合し
た後、ｎ−ヘキサンを蒸発させた。次いで、このものを
乳鉢にて十分に練り潰し、塊をなくした。

一方、硬化剤として、ジシアンジアミド（油化シェルエ
ポキシ（株）、商品名DICY−７）0.2g及び２−フェニル
イミダゾール−4,5−ジイルジメタノール（四国化成工
業（株）製、商品名2PHZ）0.2gを用いた。

上記した以外は、実施例12と同様にして被覆無機微粒子
を得た。走査型電子顕微鏡により被覆樹脂微粒子の表面
を観察した結果、被覆無機微粒子上に形成された接着製
エポキシ樹脂層の厚みは0.41μｍであることがわかっ
た。

この被覆無機微粒子の圧縮歪10％におけるＫ値は5300kg
f/mm²であり、また、この微粒子の反転荷重値1grfの場
合の圧縮変形後の回復率は87％であった。

この被覆樹脂微粒子をスペーサーとして用いた他は、実
施例１と同様にして液晶表示素子を得た。液晶セルのギ
ャップ値は7.23±0.03μｍの範囲であった。

また、実施例１と同様にして液晶セルに偏光シートを貼
付けたところ、背景色に色むらが認められ、点灯状態で
の表示状態は不充分であった。

実施例13 テトラメチロールメタンテトラアクリレートを懸濁重合
させた後、分級により平均粒子径6.98μｍ、標準偏差0.
23μｍの微粒子を得た。この微粒子の圧縮歪10％におけ
るＫ値は633kgf/mm²であり、反転荷重値1grfの場合の圧
縮変形後の回復率は63％であった。

この樹脂微粒子に無電解ニッケルメッキを行った後、金
置換反応によりニッケル−金メッキ層が形成された導電
性微粒子を得た。この導電性微粒子を分析したところ、
金含有率は28.0重量％、ニッケル含有率は23.8重量％で
あった。また、平均粒子径は7.24μｍ、標準偏差0.28μ
ｍであった。

この導電性微粒子1g及びガラスファイバー（直径5.5μ
ｍ、平均長さ27.5μｍ）0.5gを、エポキシ樹脂（吉川化
工製、SE−4500）75g及びその硬化剤25gに混ぜ合わせて
ペーストを作成した。次に、図６に示すように、ITO膜
が内面に形成されたガラス電極12上に、上記ペースト13
を所定厚みで塗布した後、別のITO電極14を重ね合わせ
た。次に、この積層体をプレス機に挟み、35kg/cm²の圧
力、160℃の温度で30分間加熱圧着した。

このようにして作製した試験片Ｃを、高温側が90℃、１
時間、低温側が−40℃、１時間で作動する熱衝撃試験器
（タバイエスペック（株）製TSV-40型）にセットして、
240サイクルまで試験した。

また、上記と同様にして作成した別の試験片を、80℃・
90％RHの条件で作動する恒温恒湿器（タバイエスペック
（株）製、PR−3F型）に入れ、500時間試験した。この
冷熱衝撃試験の前後と、耐湿試験前後における該２枚の
電極間の接触抵抗値を、四端子法により測定したとこ
ろ、表１に示す結果が得られた。この結果から、この導
電性微粒子による接続信頼性はきわめて優れていること
がわかった。

実施例14 テトラメチロールメタンテトラアクリレート75重量％及
びジビニルベンゼン25重量％を懸濁重合させた後、分級
により平均粒子径7.05μｍ、標準偏差0.25μｍの微粒子
を得た。この微粒子の圧縮歪10％におけるＫ値は527kgf
/mm²であり、反転荷重値1grfの場合の圧縮変形後の回復
率は55％であった。

この樹脂微粒子に無電解ニッケルメッキを行った後、金
置換反応によりニッケル−金メッキ層が形成された導電
性微粒子を得た。この導電性微粒子を分析したところ、
金含有率は29.1重量％、ニッケル含有率は23.4重量％で
あった。また、平均粒子径は7.29μｍ、標準偏差0.29μ
ｍであった。

この導電性微粒子を用いた以外は、実施例13と同様にし
て試験片を得、この試験片について、信頼性試験を行っ
たところ、表１に示す結果が得られた。この結果から、
この導電性微粒子による接続信頼性はきわめて優れてい
ることがわかった。

実施例15 テトラメチロールメタンテトラアクリレート50重量％及
びジビニルベンゼン50重量％を懸濁重合させた後、分級
により平均粒子径7.01μｍ、標準偏差0.25μｍの微粒子
を得た。この微粒子の圧縮歪10％におけるＫ値は468kgf
/mm²であり、反転荷重値1grfの場合の圧縮変形後の回復
率は52％であった。

この樹脂微粒子に無電解ニッケルメッキを行った後、金
置換反応によりニッケル−金メッキ層が形成された導電
性微粒子を得た。この導電性微粒子を分析したところ、
金含有率は30.5重量％、ニッケル含有率は19.5重量％で
あった。また、平均粒子径は7.25μｍ、標準偏差0.29μ
ｍであった。

この導電性微粒子を用いた以外は、実施例13と同様にし
て試験片を得、この試験片について、信頼性試験を行っ
たところ、表１に示す結果が得られた。この結果から、
この導電性微粒子による接続信頼性はきわめて優れてい
ることがわかった。

実施例16 テトラメチロールメタンテトラアクリレート25重量％及
びジビニルベンゼン75重量％を懸濁重合させた後、分級
により平均粒子径7.03μｍ、標準偏差0.28μｍの微粒子
を得た。この微粒子の圧縮歪10％におけるＫ値は448kgf
/mm²であり、反転荷重値1grfの場合の圧縮変形後の回復
率は52％であった。

この樹脂微粒子に無電解ニッケルメッキを行った後、金
置換反応によりニッケル−金メッキ層が形成された導電
性微粒子を得た。この導電性微粒子を分析したところ、
金含有率は27.6重量％、ニッケル含有率は24.3重量％で
あった。また、平均粒子径は7.27μｍ、標準偏差0.29μ
ｍであった。

この導電性微粒子を用いた以外は、実施例13と同様にし
て試験片を得、この試験片について、信頼性試験を行っ
たところ、表１に示す結果が得られた。この結果から、
この導電性微粒子による接続信頼性はきわめて優れてい
ることがわかった。

実施例17 ジビニルベンゼンを懸濁重合させた後、分級により平均
粒子径7.05μｍ、標準偏差0.29μｍの微粒子を得た。こ
の微粒子の圧縮歪10％におけるＫ値は330kgf/mm²であ
り、反転荷重値1grfの場合の圧縮変形後の回復率は38％
であった。

この樹脂微粒子に無電解ニッケルメッキを行った後、金
置換反応によりニッケル−金メッキ層が形成された導電
性微粒子を得た。この導電性微粒子を分析したところ、
金含有率は25.6重量％、ニッケル含有率は18.3重量％で
あった。また、平均粒子径は7.30μｍ、標準偏差0.32μ
ｍであった。

この導電性微粒子を用いた以外は、実施例13と同様にし
て試験片を得、この試験片について、信頼性試験を行っ
たところ、表１に示す結果が得られた。この結果から、
この導電性微粒子による接続信頼性はきわめて優れてい
ることがわかった。

比較例13 ベンゾグアナミン重合体からなる平均粒子径6.98μｍ、
標準偏差0.25μｍのスペーサーに無電解ニッケルメッキ
を行った後、金置換反応によりニッケル−金メッキ層が
形成された導電性微粒子を得た。この導電性微粒子を分
析したところ、金含有率は30.4重量％、ニッケル含有率
は19.6重量％であった。また、平均粒子径は7.23μｍ、
標準偏差0.27μｍであった。この導電性微粒子の圧縮歪
10％におけるＫ値は690kgf/mm²であり、圧縮変形後の回
復率は12％であった。

この導電性微粒子をスペーサーとして用いた他は、実施
例13と同様にして試験片を得、この試験片について、信
頼性試験を行ったところ、表１に示す結果が得られた。
この結果から、この導電性微粒子による接続信頼性は不
良であることがわかった。

比較例14 トリアリルイソシアヌレート30重量％及びジアリルフタ
レート70重量％を懸濁重合させた後、分級により平均粒
子径7.00μｍ、標準偏差0.28μｍの微粒子を得た。この
微粒子の圧縮歪10％におけるＫ値は245kgf/mm²であり、
また、スペーサーの圧縮変形後の回復率は12％であっ
た。

この微粒子に無電解ニッケルメッキを行った後、金置換
反応によりニッケル−金メッキ層が形成された導電性微
粒子を得た。この導電性微粒子を分析したところ、金含
有率は29.3重量％、ニッケル含有率は20.9重量％であっ
た。また、平均粒子径は7.23μｍ、標準偏差0.30μｍで
あった。

この導電性微粒子をスペーサーとして用いた他は、実施
例13と同様にして試験片を得、この試験片について、信
頼性試験を行ったところ、表１に示す結果が得られた。
この結果から、この導電性微粒子による接続信頼性は不
良であることがわかった。

比較例15 ポリスチレンからなる平均粒子径6.98μｍ、標準偏差0.
27μｍの微粒子に無電解ニッケルメッキを行った後、金
置換反応によりニッケル−金メッキ層が形成された導電
性微粒子を得た。この導電性微粒子を分析したところ、
金含有率は32.2重量％、ニッケル含有率は18.3重量％で
あった。また、平均粒子径は7.23μｍ、標準偏差0.29μ
ｍであった。この導電性微粒子の圧縮歪10％におけるＫ
値は116kgf/mm²であり、圧縮変形後の回復率は測定不能
であった。

この導電性微粒子をスペーサーとして用いた他は、実施
例13と同様にして試験片を得、この試験片について、信
頼性試験を行ったところ、表１に示す結果が得られた。
この結果から、この導電性微粒子による接続信頼性は不
良であることがわかった。

比較例16 二酸化ケイ素からなる平均粒子径7.01μｍ、標準偏差0.
19μｍの微粒子を得た。この微粒子の圧縮歪10％におけ
るＫ値は5100kgf/mm²であり、また、微粒子の圧縮変形
後の回復率は85％であった。

この微粒子に無電解ニッケルメッキを行った後、金置換
反応によりニッケル−金メッキ層が形成された導電性微
粒子を得た。この導電性微粒子を分析したところ、金含
有率は27.4重量％、ニッケル含有率は19.6重量％であっ
た。また、平均粒子径は7.25μｍ、標準偏差0.20μｍで
あった。

この導電性微粒子をスペーサーとして用いた他は、実施
例13と同様にして試験片を得、この試験片について、信
頼性試験を行ったところ、表１に示す結果が得られた。
この結果から、この導電性微粒子による接続信頼性は不
良であることがわかった。

実施例18 テトラメチロールメタンテトラアクリレートを懸濁重合
させた後、分級により平均粒子径6.98μｍ、標準偏差0.
23μｍの微粒子を得た。この微粒子の圧縮歪10％におけ
るＫ値は570kgf/mm²であり、微粒子の反転荷重値1grfの
場合の圧縮変形後の回復率は63％であった。

この樹脂微粒子に無電解銅メッキを行った後、銅メッキ
層を置換反応によりインジウムに置換させた。この導電
性微粒子を分析したところ、インジウムの含有率は23.4
％であった。

この導電性微粒子1g及びガラスファイバー（直径5.5μ
ｍ、平均長さ27.5μｍ）0.5gを、エポキシ樹脂（吉川化
学工業製、SE-4500）75gおよび硬化剤25gに混ぜ合わせ
てペーストを作成した。次に、図６に示したように、IT
O膜が内面に形成されたガラス電極12上に、上記ペース
ト13を所定厚みで塗布した後、別のITO電極14を重ね合
わせた。次に、この積層体をプレス機に挟み、35kg/cm²
の圧力、160℃の温度で30分間加熱圧着した。

このようにして作製した試験片Ｃを、高温側が90℃、１
時間、低温側が−40℃、１時間で作動する熱衝撃試験器
（タバイエスペック（株）製TSV-40型）にセットして、
240サイクルまで試験した。

また、上記と同様にして作成した別の試験片を、80℃・
90％RHの条件で作動する恒温恒湿器（タバイエスペック
（株）、PR−3F型）に入れ、500時間試験した。この冷
熱衝撃試験の前後と、耐湿試験前後における該２枚の電
極間の接触抵抗値を、四端子法により測定したところ、
表２に示す結果が得られた。この結果から、この導電性
微粒子による接続信頼性はきわめて優れていることがわ
かった。

実施例19 テトラメチロールメタンテトラアクリレート75重量％及
びジビニルベンゼン25重量％を懸濁重合させた後、分級
により平均粒子径7.05μｍ、標準偏差0.25μｍの微粒子
を得た。この微粒子の圧縮歪10％におけるＫ値は475kgf
/mm²であり、この微粒子の反転荷重値1grfの場合の圧縮
変形後の回復率は55％であった。

この樹脂微粒子に無電解銅メッキを行った後、銅メッキ
層を置換反応によりインジュウムに置換させた。この樹
脂微粒子を分析したところ、インジュウムの含有率は1
9.8％であった。

この導電性微粒子を用いた以外は、実施例18と同様にし
て試験片を得、この試験片について、信頼性試験を行っ
たところ、表２に示す結果が得られた。この結果から、
この導電性微粒子による接続信頼性はきわめて優れてい
ることがわかった。

実施例20 テトラメチロールメタンテトラアクリレート50重量％及
びジビニルベンゼン50重量％を懸濁重合させた後、分級
により平均粒子径7.01μｍ、標準偏差0.25μｍの微粒子
を得た。この微粒子の圧縮歪10％におけるＫ値は422kgf
/mm²であり、また、この微粒子の反転荷重値1grfの場合
の圧縮変形後の回復率は52％であった。

この樹脂微粒子に無電解銅メッキを行った後、銅メッキ
層を置換反応によりインジュウムに置換させた。この樹
脂微粒子を分析したところ、インジュウムの含有率は2
0.3％であった。

この導電性微粒子を用いた以外は、実施例18と同様にし
て試験片を得、この試験片について、信頼性試験を行っ
たところ、表２に示す結果が得られた。この結果から、
この導電性微粒子による接続信頼性はきわめて優れてい
ることがわかった。

実施例21 テトラメチロールメタントリアクリレートを懸濁重合さ
せた後、分級により平均粒子径7.53μｍ、標準偏差0.28
μｍの微粒子を得た。この微粒子の圧縮歪10％における
Ｋ値は282kgf/mm²であり、また、この微粒子の反転荷重
値1grfの場合の圧縮変形後の回復率は58％であった。

この樹脂微粒子に無電解銅メッキを行った後、銅メッキ
層を置換反応によりインジウムに置換させた。このもの
を分析したところ、インジウムの含有率は、19.6％であ
った。

この導電性微粒子を用いた以外は、実施例18と同様にし
て試験片を得、この試験片について、信頼性試験を行っ
たところ、表２に示す結果が得られた。この結果から、
この導電性微粒子による接続信頼性はきわめて優れてい
ることがわかった。

比較例17 ベンゾグアナミン重合体からなる平均粒子径6.98μｍ、
標準偏差0.25μｍの微粒子を得た。この微粒子の圧縮歪
10％におけるＫ値は620kgf/mm²であり、反転荷重値1grf
の場合の圧縮変形後の回復率は12％であった。この微粒
子に無電解銅メッキを行った後、銅メッキ層を置換反応
によりインジウムに置換させた。この微粒子を分析した
ところ、インジウムの含有率は22.6％であった。

この導電性微粒子を用いた他は、実施例18と同様にして
試験片を得、この試験片について、信頼性試験を行った
ところ、表２に示す結果が得られた。この結果から、こ
の導電性微粒子による接続信頼性は不良であることがわ
かった。

比較例18 二酸化ケイ素からなる平均粒子径7.01μｍ、標準偏差0.
19μｍの微粒子を得た。この微粒子の圧縮歪10％におけ
るＫ値は4590kgf/mm²であった。また、この微粒子の圧
縮変形後の回復率は85％であった。

この微粒子に無電解銅メッキを行った後、銅メッキ層を
置換反応によりインジュウムに置換させた。この微粒子
を分析したところ、インジュウムの含有率は9.8重量％
であった。

この導電性微粒子を用いた他は、実施例18と同様にして
試験片を得、この試験片について、信頼性試験を行った
ところ、表２に示す結果が得られた。この結果から、こ
の導電性微粒子による接続信頼性は不良であることがわ
かった。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (31)優先権主張番号 特願平3 −104299 (32)優先日 平３(1991)５月９日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） 早期審査対象出願

Claims (15)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 〔ここに、Ｆ、Ｓはそれぞれ該微球体の10％圧縮変形に
   おける荷重値（kgf）、圧縮変位（mm）であり、Ｒは該
   微球体の半径（mm）である〕で定義されるＫの値が、20
   ℃において250kgf/mm²〜700kgf/mm²の範囲であり、且つ
   圧縮変形後の回復率が20℃において30％〜80％の範囲で
   ある微球体。
2. 【請求項２】請求項１に記載の微球体であって、 前記Ｋ値が350kgf/mm²〜550kgf/mm²の範囲である。
3. 【請求項３】請求項１に記載の微球体であって、 前記圧縮変形後の回復率が、20℃において40％〜70％の
   範囲である。
4. 【請求項４】請求項１に記載の微球体であって、 前記微球体が、ジビニルベンゼン重合体、ジビニルベン
   ゼン−スチレン共重合体、ジビニルベンゼン−アクリル
   酸エステル共重合体、およびジアリルフタレート重合体
   からなる群から選ばれた少なくとも一種の樹脂から形成
   される。
5. 【請求項５】請求項１に記載の微球体であって、 該微球体が真球状であり、その直径は0.1〜100μｍの範
   囲である。
6. 【請求項６】請求項５に記載の微球体であって、 該微球体の直径は0.5〜50μｍの範囲である。
7. 【請求項７】請求項６に記載の微球体であって、 該微球体の直径は1.0〜20μｍの範囲である。
8. 【請求項８】 〔ここに、Ｆ、Ｓはそれぞれ該球状スペーサーの10％圧
   縮変形における荷重値（kgf）、圧縮変位（mm）であ
   り、Ｒは該スペーサーの半径（mm）である〕で定義され
   るＫの値が、20℃において250kgf/mm²〜700kgf/mm²の範
   囲であり、且つ圧縮変形後の回復率が20℃において30％
   〜80％の範囲である液晶表示素子用球状スペーサー。
9. 【請求項９】着色された基材微球体を含有する液晶表示
   素子用着色球状スペーサーであって、 〔ここに、Ｆ、Ｓはそれぞれ該着色球状スペーサーの10
   ％圧縮変形における荷重値（kgf）、圧縮変位（mm）で
   あり、Ｒは該スペーサーの半径（mm）である〕で定義さ
   れるＫの値が、20℃において250kgf/mm²〜700kgf/mm²の
   範囲であり、且つ圧縮変形後の回復率が20℃において30
   ％〜80％の範囲である液晶表示素子用着色球状スペーサ
   ー。
10. 【請求項１０】基材微球体と、該基材微球体の表面に設
    けられた接着層とを含有する液晶表示素子用接着性球状
    スペーサーであって、 〔ここに、Ｆ、Ｓはそれぞれ該接着性球状スペーサーの
    10％圧縮変形における荷重値（kgf）、圧縮変位（mm）
    であり、Ｒは該スペーサーの半径（mm）である〕で定義
    されるＫの値が、20℃において250kgf/mm²〜700kgf/mm²
    の範囲であり、且つ圧縮変形後の回復率が20℃において
    30％〜80％の範囲である液晶表示素子用接着性球状スペ
    ーサー。
11. 【請求項１１】請求項８に記載の球状スペーサーを用い
    た液晶表示素子。
12. 【請求項１２】請求項９に記載の着色球状スペーサーを
    用いた液晶表示素子。
13. 【請求項１３】請求項10に記載の接着性球状スペーサー
    を用いた液晶表示素子。
14. 【請求項１４】請求項１記載の微球体と、該微球体の表
    面に設けられた導電層とを含有する導電性微球体。
15. 【請求項１５】前記導電層がインジウムメッキ層であ
    る、請求項14記載の導電性微球体。