TW200822272A - Method and device for picking up chip - Google Patents

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TW200822272A
TW200822272A TW096138800A TW96138800A TW200822272A TW 200822272 A TW200822272 A TW 200822272A TW 096138800 A TW096138800 A TW 096138800A TW 96138800 A TW96138800 A TW 96138800A TW 200822272 A TW200822272 A TW 200822272A
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TW
Taiwan
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wafer
picking
adhesion layer
fixed
semiconductor wafer
Prior art date
Application number
TW096138800A
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English (en)
Inventor
Kenichi Watanabe
Takeshi Segawa
Hironobu Fujimoto
Original Assignee
Lintec Corp
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Description

200822272 •九、發明說明： 【發明所屬之技街領域】 本發明係有關不需將晶片頂起之晶片拾取方法及拾取 裝置’具體而言’係有關能夠無損傷地拾取研磨成極薄且 面積較大的半導體晶片之晶片拾取方法及拾取裝置。 【先前技術】 近年來，ic卡與攜帶型電子產品日益普及，而期望半 導體零件的進—步薄型化。因此，將習知厚度為350 /zm 左右的半導體晶片薄化為厚度5〇至1〇〇#m或者更薄的必 要性便應運而生。 、半導體晶片，係在表面電路形成後，將背面研削至預 定的厚度，絲一電路進行切割（dicing)而形成。此外，關 於其他的方法，亦有湘在表面電路形成後，自電路面形 成超過預定厚度的溝，再從背面研磨至預定的厚度之方法 (預先切割（dicing before grinding))來形成半導體晶片。〆 半導體晶片’係為了不使晶片散亂而以固定於切 (—g s㈣等黏著片上之狀態導入於晶片拾取步驟:而 mu片上的晶片時，為了減少與黏著片接觸的面 積，故有湘細針頂起晶片著n 的晶片則以吸附具從上面吸附，自黏著片剝離並移= 片基板荨的晶片座（die pad)。 、曰曰 然而，由於晶片的極薄化，以細 么 片造成的損傷，而使用有受到損傷的:片 置其。口貝會因文熱歷程而發生封裝龜裂（㈣⑽cra^) 319678 6 200822272 、等性。此外’若所受到的損傷太大，亦有因曰 片的頂起而造成晶片損壞之情形。 百口曰曰 - 因此，為了解決上述的問題，已右^ 究。该些拾取方法係使用有孔素 ））奴 帶，在&取曰g ’、々吸附σ取代黏著膠 :m曰“’停止吸附台的 保持力。然而，在該方法中， 錢對曰曰片的 有空氣漏.，且每拾取晶片，：=嶋被封塞’而 (對未被拾取而留下的晶片之保置便增大。因而， 因τ偏離，晶片拾取具無法抓;::之二見晶片位置 專利文獻1:日本特開__179126公報 【發明内容】 (發明所欲解決之課題） 需將於前述問題而研創者，其目的在於提供不 而將日日片頂起，並且在拾取 个 〔的保持力不會有變動之拾取方法、丁及用以=拾取的晶片 法之拾取裝置。 及用以只現此種拾取方 (%決課題的手段） 本發明的晶片之拾取方法， 具拾取晶片之方氺义、+、 係攸固疋有晶片的固定治 數個突起邻 =固疋治具係由：在一面上具有複 同高度=:::外::具有與前述突起部大致相 述突起部的一 成，於前述治具ΑΑ的且古*土 面接考之密接層所構 一土口 、八大起部的面，藉由前述密接層、 319678 7 200822272 •前述突起部、及前述側壁形成有區隔空間，於前述治具其 台設有貫通外部與前述區隔空間之至少一個貫通孔； ' 片拾取方法包含以下步驟： W曰曰 • 晶片固定步驟，使前述晶片形成固定於前述固定>且 的密接層面之狀態； ~ 一、 密接層變形步驟，通過前㉛貫通孔抽吸前述區隔空 内的空氣而使前述密接層變形；及 二曰 拾取步驟’吸附具從前述晶片的上面側吸取前述曰曰 片’將該晶片從前述密接層完全地拾取。 此外，本發明能夠適用在前述晶片將半導體晶圓進行 個片化（sigulation)而得之半導體晶片。 ..另外，本發明較佳為前述半導體晶片係在切割片 (dicmg sheet)上將半導體晶片切割而個片化而得者；在使 露出半導體晶片的面密接於前述固定治具的密接層後，藉 由剝離切割片而使半導體晶片排列於固定治具的密接芦 面。 山 曰
V 此外，本發明中，前述半導體晶片係將半導體晶圓的 電路面侧進行半切割（half cut)，並以保護片保護電路面， 從背面側以達至半切割的溝之方式進行研磨而個片化而得 者，在使露出半導體晶片的面密接於前述固定治具的密接 層後，藉由剝離保護片而使半導體晶片排列於固定治2的 密接層面亦可。 另外，本發明中，前述半導體晶片係為以雷射光於半 導體晶圓的層内形成脆弱部，且以使該脆弱部的執跡形成 319678 8 200822272 為所期望的輪廓之方式使雷射光對向移動，對半導體曰口 而使該跪弱部的軌跡斷裂而個片化而得者；：: =射先之力，使半導體晶圓密接於固定治具的密接層亦 ί. 本發明的晶片之拾取裝置，係為利用本發明的拾取方 法之拾取裝置，其特徵為：具有用以固定前述固定户且的 =及用以吸取保持晶片的吸附具；前述台開設有用㈣ 疋則述固定治具主體之吸附部、及連接至固定治具的貫通 孔而用以抽吸前述區隔空間之抽吸部，且形成能夠各自 立進行吸附。 在如上述構成的本發明之裝置中，首先，當通過诵 孔對密接有晶片的固定治具進行抽吸時，區隔空間便受到 減壓。在與突起部分開且位於晶片間的間隙之部份，由於 減壓而使密接層被吸向基台底部，藉此，外部的空氣便從 晶片周圍流人密著層與晶片的密接面，而使晶μ 剝離，成為只有突起部上面與晶片錢之狀態ιΐ 2 片變成僅以極小的密接相定於固定治具之狀態，曰 靠吸附具的吸取作用進行拾取。 /、 接下來，即使以簡具—個接著—個地拾取晶片 留在固定治具上的晶片與密接層的密接狀態，不會因★氣 的茂露而變化:因此’不管哪個晶片皆總是以安定的I密 接力固定於固定洽具直到最後一個晶片為止皆不會ς 生偏位0 印又 如上所述，依據本發明的裝置，能多句容易地實施本發 319678 9 200822272 • 明的拾取方法。 此處Y本發明的拾取裝置，前述台係能夠往x方向、 Y方向、方疋轉方向移動，且能夠以使目標晶片與吸附 對之方式進行位置控制。 曰藉此’即可選擇性地自由拾取載置於敎位置之任意 之晶片。 心 (發明的效果） (針頂發明的晶片之拾取方法及拾取裝置，不需以細 ，頂起日日片的背面’能夠僅以吸附具的吸取力來拾取晶 片，因此，不會對晶片造成損傷。 此外，即使持續地拾取晶片，由於尚留在固定治具上 與密接層的密接狀態沒有變化，所以在拾取的後半 又P白並不而要為了不使晶片發生偏位而調整抽吸之作業。 因此’即使是加工成極薄的晶片，仍然能夠拾取了能 夠安全地移送至下一個製程。 另外，依據本發明的晶片之拾取方法及拾取襄置，在 2片固疋於固定治具的密接層面之狀態下，若透過貫通孔 區隔空間内的空氣’該密接層會不均勻地凹凸變形。 糟此’原本晶片係對密接層以面接著方式而接著，而今變 為點接著狀態，而變得易於從密接層剝離。因此，若利用 ，從上面側進行吸附，則即使不從背面側以細針等工 夠容易地將晶月提起。此外，即使以吸附 Γ接著一個地拾取晶片，尚留在固定治具上的晶片虚 被接層的密接狀態不會因空氣的參露而變化。因此，不管 319678 10 200822272 -哪個晶=皆總是以安定的小密接力固定於固定治具以 一直到最後一個晶片為止皆能多^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ 【實施方式】 運仃&取而不發生偏位。 以下 邊針對本發明的實施例進行 邊參照圖示 說明。 <固定治具> 首先，針對本發明所使用的固定治 ^圖的固定治具係組裝在本發明的拾取裝置而使用兄。月弟 如弟i圖所示，本發明所使用的固定治 基台30與密接層31構成。關於户且 糸由心八 舉出略圓形、略惰圓形、略矩形:略;；：的形狀’能例 圓形。治具基*30之—面係如第1及第;疒= 數個突起部36隔著間隔朝上方突出形成。 ％ = 狀並未特別限定，作崖六—兔 起邛36的形 呈古且為圓柱形或圓錐台形。此外，於 具有该犬起部36之面的外周部， ； ;致相同高度的側壁35。此外：垃〃犬起部36大 突起部36之面上。該，接二？、接層31積層於具有該 L/7L ^ 接層31係以侧壁35的上面接基 ^外，犬起部36的上面與密著層31亦可接著，亦，者， 著。於治具基台3〇的具有 '、口不接 壁％、及密接層起社面，由突起部36、側 係全部連通 ㈣些區隔空間37 ，而U面’於治具基台30的不具有突起部之面一、甬 :=Γ:與區隔空間37之貫通孔38係沿治具基G 子又向5又置。貫通孔38係至少於治具基台30設^有 319678 11 200822272 1個便可，亦可設置複數個。此外，亦可沿治具基台3〇的 水:方向設置貫通孔38，並於側壁35設置開口部，以取 代j具基台30之不具有突起部之面的貫通孔38。藉由於 該貫通孔38的開口部連接拆裝自由的真空裝置，便能夠將 區隔^間37内的氣體排出，使密接層31變形為凹凸狀。 力治具機台30的材質，只要是具有優異機械強度者，便 有知·别限疋，可例舉出··聚碳酸酯⑽ate)、聚 丙烯（polypropylene)、聚乙烯（p〇lyethylene)、聚乙烯對苯 二:酸醋（polyethylene terephthalate)樹脂、丙烯酸（似沖〇 ^月曰、聚氯乙烯（P〇lyvinyl chl〇ride)等熱可塑性樹脂，·鋁合 、:鎂δ金不銹鋼專金屬材料；玻璃等無機材料；玻璃 纖維強化壤氧（glass_reinf〇rced ep〇xy)樹月旨等有機無機複 合材=等。治具機台30的彎曲彈性模數較宜為1Gpa以 上。若具有如此的彎曲彈性模數，則不需將治具基台增厚 至必要的厚度以上，便能夠提供剛直性。藉由使用此種材 料，便不會在晶片密接於固定治具後到搭載至拾取裝置的 搬达過程中彎曲，也不會發生晶片的偏位或脫落。 治具基台30的外徑較宜為與半導體晶圓的外徑大致 相同或較半導體晶圓的外徑還大。若治具基台3〇具有能夠 對應半V體晶圓的規格尺寸的最大徑（例如直徑3〇〇mm)之 外徑’便能夠適用於比該尺寸小的所有半導體晶圓。此外， 治具基台30的厚度較宜為〇 5至2 〇mm，〇 5至〇 8mm更 仫若/Π具機台30的厚度在上述範圍内，便能夠在晶圓的 月面研磨後，充份地支撐晶圓，不使晶圓發生彎曲。 319678 12 200822272 大起部3 6及侧壁3 5的含痒® 从a 外，突更佳為0.05至0.5_。此 :卜大起部36的上面的直徑較宜4 〇 〇5幻. ’犬:部的間隔(突起部的中心之間的距離 .2.0mm。若突起部36的大小及突起部的間巧二二 内，便能夠藉由區P * 。α 网在上述乾圍 變形為凹凸狀而rt二 内的除氣使密接層31徹底地 夂开4凹凸狀，而能夠容易 取下。另外，即使在重藉、隹- 片從密接層31 形徭，拉姑处 重進订了好幾次密接層31的凹凸變 r 孙;、、、、此夠持續復原為原本的平坦狀態。 直徑並未特別限定，但較宜為2_以下。 部36 -體成形地製造，°亦可基;^底部、側壁35、與突起 及突起部36而穿得，或去、、平面圓形板上形成側壁35 形成突起部36而\得t亦可於凹型圓板的凹部内表面 舉出：以電禱法 屬析Γ/起部36的形成方法，可例 :版印刷形成突起部之4 =為預定形狀之方法、以網 行曝光、顯影而形成突起部 以韻刻法對金屬製平面圓^方法4。此外，亦能夠利用 突起部形成部分之方夺板的表面進行侵儀去除而留下 圓形板的表面進扞#、或以喷砂法（Sandbiasting)對平面 製造治具基台30 留下突起部形成部分之方法等來 預先形成，亦可於之通孔38可於形成突起部之前 型同時形成。 ^成此外，亦可與治具基台的成 關於配置於治且 /、i 口 30上的密接層31的材質，可例 319678 13 200822272 ’舉出：具有優異的可撓性、柔軟性、耐熱性、彈性、黏著 性等之氨基f酸乙酯（urethane)系、丙烯酸（acry]ic)系、氟 "系或矽系的彈性體（elastomer)。該彈性體係可依需要添加 ·.補強性填充料（finer)或疏水性二氧化矽等各種添加劑。 密$層31較宜為與治具基台3〇大致相同形狀的平 板，且密接層31的外徑較宜與治具基台3〇的外徑大致相 同，且厚度較宜為20至200# m。密接層31的厚度未滿 ^ 20/zm，則會變得對抽吸的重複動作缺乏機械性耐久性。 、而另一方面，若密接層31的厚度超過2〇〇#m，則以抽吸 來進行剝離將會明顯地耗費時間而不適宜。 此外，密接層31的拉伸破裂強度較宜為5Mpa以上，
拉伸破表延伸度較宜為500%以上。若抽伸破裂強度盘 抽伸破裂延伸度在上述範圍内，則即使在重複進行了好幾 次密接層31的變形時，仍不會產生密接層31的破裂與鬆 弛，而能夠使其復原為原本的平坦狀態。 、A (—此外，密接層31的彎曲彈性模數較宜在10至l〇OMPa 的=圍内。當密接層31的彎曲彈性模數未滿刪Pa時， 有密接層31之與突起部36的接點以外的部分因重力而彎 曲’而變仵無法與晶片密接之情形。另一方面，若超過 lOOMPa，則難以藉抽吸產生變形，而變得無法容易地將晶 片剝離。 此外’猞接層31之與半導體晶圓相盛側的面的剪切密 力車乂且為35N以上。本發明的剪切密接力係指在密接層 31與石夕晶圓的鏡面之間測定而得之值，係將密接層31貼 319678 14 200822272 -於具有縱30mmx横30mmx# 3mm大小之公知玻璃板 配置於由石夕形成的鏡面晶圓上’並將9〇〇§的荷重加於破璃 :板與錢層31的整體5秒鐘，與鏡面晶圓平行地施加荷重 .而推壓玻璃板之狀態下，測定發生移動時的荷重。 另外，密接層31的密接力最好為2Ν/25_以下 =值:則密接層31與配置於其上之晶片的密接性便變 付匕大而成為滯礙⑽eking)狀態，有無法利用抽吸 的剝離之虞。還有，本發明中的密接力係指，將密接 曰31貼於晶圓的鏡面，將其剝離時的剝離強产。 上述的密接層係能夠藉由以^延成形法 著二述彈性體形成之薄膜，並將該彈性體薄膜接 红^ 的至少側壁35的上面而形成，藉此，妒 間37。關於接著上述密接層31之方法，可例兴 .，過由丙稀酸樹脂、聚醋㈣州叫樹脂 牛 彈性趙樹脂所形成之接著劑而接著二 為熱封性(heatSealing)時以熱封方式進行接著 於密接層31的表面亦可施以非黏著處理 曰 二 =只與半導體晶片接觸之突起部 在;:：3Γ:非ΐ著處理為佳。若如上述進行處理； 之部分i半、二形則係以松接層表面的未施以非黏著處理 係只二'二片密接，而變形為凹凸狀之密接層31 、〜起部36的上部的表面，亦即只以非黏著性的凸部 1 319678 15 200822272 - 表面與半導體晶月接辟 ^ 從密接層3!取下。^’/以能夠更容易地將半導體晶片 直空裝置吸引者處理方法，可例舉出：利用 …工衣置次力£隔空間π内的办# ::u:::::筒等將凸部前端物理:粗;：:=凹 黏著性塗:橡膠之方法、塗覆非 均粗糙度Ra較宜為1 6者㈣表面粗糙度，其算術平 干乂且馬1·6#ιη以上，更宜 『it以t域圍的表面粗糙度將非黏著部粗糙化，密：層 取劣化’並且能夠容易地將半導體晶片從密接層^ 〈晶片> 本發明所拾取之被處理體係如第3圖所示，經過㈣ (職g)作業而被以切斷線5切割成小方塊狀之 : 圓\藉此，半導體晶圓！便被預先個片化（咖加= 锼數個晶片13。 & ’成 ^晶月U，係於矽半導體晶圓、鎵钟半導體晶圓等形成 η::些晶圓進行個片化而得。此處’雖然係以將 ^體日日圓進行個片化而製成之半導體晶片作為晶片13 订祝明，但作為晶片13者’並非以該等晶片為限，亦 =使用從有機基板、陶莞基板、或玻璃基板等平板狀物 :軎’而個片化之各種晶片。晶圓表面的電路形成係能夠利 蝕刻法、掀離法（lift off)等各種方法進行。 接著，將如上述個片化成複數個晶片13之半導體晶圓 1如第4圖所示配置於固定治具3之上。 曰 319678 16 200822272 還有，將被個片化成複數個晶片13之半導體晶圓 貼於固定治具3的密接層31上之狀態之實現手段並=二1 限定。以結果而言，若能夠實現如第4圖所示之狀態，則 使用任何方式皆可。 ^ 例如，可使用一般的切割片而將半導體晶圓進行切 割’並將其轉移至密接層31，藉此而達成晶片13於 層31上維持晶圓形狀之狀態。此外，亦可將密接層μ作 為切割片使用，以不切斷密接層31之方式而僅將半 圓1進行切割。此外，亦可以利用雷射光線進行切割之^曰 置（雷射切割機）取代使用切割刀片之切割裝置。由於_ 切割機係控制雷射光線的焦點而進行晶圓的分割，所以 於進行不使密接層31被一同切斷之控制。 (Stealth Di關t㈣方式m所謂的㈣式切割法 择禮/叫之周知之方法來進行。由於内隱式切割法 «應力使該軌跡斷裂聚焦部分改質後， 丁人 猎此而進仃個片化之切割法，所以 θ 層31切斷。、因此，此方法特別有效。 半導體it剎法’係於半導體晶圓内部，沿著用來劃分 能：體：”的各電路之切斷預定線形成脆弱部。在該狀 鮮係透過跪弱部而連接，以整體維持著曰圓 部被局部性加二因Γ 由電射光的照射，晶圓内 與週邊的部位㈣^構造的變化等而改質。改質部分 ，、处於應力過大的狀態，具有潛在性 319678 17 200822272 -的脆弱。所以，當施加應力於半導體晶圓時，龜裂係以該 脆弱部為起點，往晶圓的上下方向成長，而能將晶圓按每 -晶片分#卜關於應力，則能夠活用機械性振動或超音波 等，藉此而能夠將固定治具上的晶圓進行分割。 上述的内隱式切割法的詳細内容，係記載於例如日本 「電子材料，雇年9月，17至21頁」、日本 2003-88982 號公報。 Γ、>此外，以如上述的内隱式切割法將貼於切割片的晶圓 進仃個片化時，亦可在拉展（expand)的同時將晶圓個片 在拉展4，使切剎片延伸的張力會傳遞到固定在切割 片上的b曰圓。此時，若於晶圓内部形成有脆弱部，則該脆 弱部無法抵抗張力，而在脆弱部發生斷裂。因此，龜裂係 ，往晶圓的上下方向產生，而能將晶圓按 片刀J如此而形成之晶片能夠藉由如前述從切割 片轉移至固定治具的密接層而將晶片排列於固定治具上。 …·此外，亦可應用所謂的預先切割（dicing bef〇re =—gj亦即’亦可自形成有半導體電路的晶圓表面形 ，入冰，較該晶圓厚度還淺的溝，於該電路面貼著表面 的蒦片藉由進行上述半導體晶圓的背面研磨來薄化晶圓 广厚並且在最後進行各個晶片13的分割，接著，使研 ^面=接於密接層31，藉由將該表面保護片剝離而達到複 口曰曰月13以維持晶圓形狀排列於密接層13上之狀態。 <拾取裝置> “ 弟6圖係顯示本發明一實施例的拾取裝置1〇〇之圖， 319678 18 200822272 -第4圖及帛5圖係、示意性顯示拾取裝置1〇〇進行的拾取 法之圖。 —本實施例的拾取裝置⑽係、配置有用以在其上面搭载 固定治具3之台51。於台51，係形成有複數個用以將構成 固定治具3的下部的治具基台3〇吸附固定之吸附部50， 並且’於中央部形成有用以透過固定治具3的貫通孔％ 抽吸區隔空@37之抽吸部52。設置於抽吸部^的外侧之 厂=數個韻冑5〇係在台51的内部連通，㈣等抽吸部係 '匕過配官通路54 *連接至相同的真空裝置56。另-方面， 形成於與固定治具3之貫通孔38相對應之位 =Γ:Τ2係透過配管通路60而連接至其他的真 二衣置4,且真空裝置為能夠各自獨立控制。 如上述’拾取裝置1〇〇係 夠將載詈;L 竹猎由驅動真空裝置56,而能 刃將戴置於台51上的固定治具3 面，藉由驄叙吉处& @ 成…、去私動。另一方 猎由|£動真空裝置4 ’固定治具 為凹凸妝，品处机从一 山饮々J i便I：：形 狀而月b夠使密接層31上的晶片13嫩奍* 的狀態。 7日日乃13茭化為可拾取 本實施例中的拾取裝置1〇〇， Y方向、及旋轉方向浐動兮+ 1為把夠在X方向、 :基，始依序具有:能夠往又方向移動 於罘1台42的上部且能夠往相對於x ° 方向（相對於第6圖的έ 向主正交的γ 係相對下方部42b往χ方向移；;在上2部:的作動台心 乐σ 44,上部側的 319678 19 200822272 第:係相對下方部4仆往γ方向移動。另外，於該 '上係具備内藏有馬達之旋轉台46，藉由此旋轉 =的驅動’上部的轉台48能夠在水平方向上旋轉至任 :又。亚且，該轉台48上，設置有具備吸附部50、抽 ^實施例的拾取裝置⑽，於台51的上方係配置有吸 、 吸附具係於其下部具有吸附部7Ga，並與未圖示 白曰11s衣置連通，吸附部7Ga的下面形成為能夠吸附保持 曰曰片13。此外，吸附具7〇，其臂部係能夠上升下降及往 平方向移動，藉由朝晶片13下降接近且吸附具70進行吸 附’即能夠從固定治具3拾取晶片丨3。另外，藉 ==往水平方向移動，吸附具7Q便㈣將晶片^ 所期望的地方移送。 裝置1GG_方係有配置未圖示的晶片回收裳 l^： ^-(chip bonding)t£ , 7〇 达的日日片13，以進行預定的處理。 接著，針對使用本實施例的拾取農置100 的方法進行說明。 ^ 13 利用前述手段將半導體晶圓進行個片化，並將晶 排列於固定治具3的密接層31面 ，具3以固定治具的貫通孔38與台51的二： 至之方式搭載於拾取裝置100的台51上。驅動直空 56^吏負壓作用於複數個吸附部5G，藉此m具= 固定於台51無法移動。於此驅動真空褒置4，吸％固定治 319678 20 200822272 。如此， 成為不需 具3的區隔空間37，使密接層31變形成凹凸狀 晶片13便成為僅以點接觸密接於密接層31上 細針的頂起便可拾取之狀態。 接著，以未圖示的攝影機等觀察晶片13的_ / 作第1台42、第2台44及旋轉裝置仂，使台幻往預定: 置移動，使應拾取的晶片與吸附具7〇的交付位置一致。在 確認標的晶片@ X方向、Y方向、及角度已對準於吸附呈 70後，將吸附具70下降。在吸附具7〇以不接觸的程度接 近晶片13的表面後，將負壓加諸於吸附部7〇a，藉此，便 可將晶片13從固定治具3的密接層31拾取。被拾取的晶 片13係以吸附具70移送至未圖示的晶片回收裝置或晶片 接合裝置，進行下一個作業之預定處理。 如上所述，本實施例的拾取裝置1 〇〇，由於不需要以 細針頂起’所以不會對晶片13造成損害。因此，能夠提供 面品質的晶片13給下一個製程。 【圖式簡單說明】 第1圖係實施本發明的拾取方法之拾取裝置所使用的 固定治具的剖面示意圖。 第2圖係第1圖所示之固定治具中用以構成固定治具 之治具基台的平面示意圖。 第3圖係以本發明的拾取裝置進行處理之已個片化的 半導體晶圓的平面示意圖。 第4圖係顯示已個片化的半導體晶圓載置於固定裝置 之狀態的剖面示意圖。 21 319678 200822272 - 第5圖係顯示自第4圖所示之固定裝置吸取空氣時的 作用，具體而言，係顯示晶片固定步驟的剖面示意圖。 第6圖係實施本發明的拾取方法之較佳的拾取裝置的 正面示意圖。 【主要元件符號說明】 1 半導體晶圓 3 固定治具 4 真空裝置 13 晶片 30 治具基台 31 密接層 35、56 侧壁 36 突起部 37 區隔空間 38 貫通孔 42 第1台 42a > 44a 作動台 42b > 44b >下方部 44 第2台 46 旋轉台 48 轉台 49 旋轉裝置 50 吸附部 51 台 52 抽吸部 54 > 60 配管通路 70 吸附具 70a 吸附部 100 拾取裝置 22 319678

Claims (1)

  1. 200822272 .十、申請專利範圍： 1. 一種晶片之拾取方法，係從固定有晶片的固定治具拾取 晶片之方法，前述固定治具係由：在一面上具有複數個 突起部且於該一面的外周部具有與前述突起部大致相 同高度的侧壁之治具基台、與積層於該治具基台的具有 前述突起部的面上且以前述側壁的上面接著之密接層 所構成，於前述治具基台的具有突起部的面，藉由前述 密接層、前述突起部、及前述侧壁形成有區隔空間，於 〔前述治具基台設有貫通外部與前述區隔空間之至少一 個貫通孔；該晶片拾取方法包含以下步驟： 晶片固定步驟^使前述晶片形成為固定於前述固定 治具的密接層面之狀態； 密接層變形步驟，通過前述貫通孔抽吸前述區隔空 間内的空氣而使前述密接層變形；及 拾取步驟，吸附具從前述晶片的上面側吸取前述晶 片，將該晶片從前述密接層完全地拾取。 ( 2. 如申請專利範圍第1項之晶片之拾取方法，其中，前述 晶片係將半導體曰曰曰圓進行個片化（sigulation)而得之半 導體晶片。 3. 如申請專利範圍第2項之晶片之拾取方法，其中，前述 半導體晶片係在切割片（dicing sheet)上將半導體晶圓切 割而個片化而得者；在使露出半導體晶片的面密接於前 述固定治具的密接層後，藉由剝離切割片而使半導體晶 片排列於固定治具的密接層面。 23 319678 200822272 •請專利_第2項之w之拾取方法，其卜 半導體晶片係將半導體曰 八 ^ ⑽f cut)，並以保護 去丁牛十刀副 之方士似此工7又月保濩電路面，以達至半切割的溝 之方式攸月面側進行研磨 導辦曰μ工〜 似乃化而仔者，在使露出半 1體Γ的面讀於前相定治具㈣接層後，藉由制 離保護片而使半導I#曰Η姐万丨从 於ϋ定治具的密接層面。 5.如申❺專利乾圍第2項之晶片之拾取方法 ，前 半導體晶片係為以雷射光於半導體晶圓的層内形成； 且以使該脆弱部的軌跡形成為所期望的輪廊之方 式使⑽射光對向移動，對半㈣ 弱部的軌跡斷裂而個Μ + 拳而使該跪 m碱 而得者，·在照射雷射光之前， 使+¥體晶ϋ密接於固定治具的密接層。 6· -種晶片之拾取裝置，係在申請專利範圍第！至$項中 ^項之ίί方法中所使用之拾取裝置，其特徵為：、具 嘛以固二則述固定治具的台、及用以吸取保持晶片的 σ附具，則述台開設有用以固定前述固定治具主體之吸 1 寸部、及連接至固定治具的貫通孔而用來抽吸前述區隔 二間之抽吸部，且形成能夠各自獨立進行吸附。 7·如申請專利範圍第6項之晶片之拾取裝置，其中，前述 σ係能夠往X方向、γ方向、旋轉方向移動，且以能夠 使目標晶片與吸附具正對之方式進行位置控制。 319678 24
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI381985B (zh) * 2009-03-05 2013-01-11 Shinkawa Kk Pickup device for semiconductor grain and picking method
TWI702673B (zh) * 2017-05-18 2020-08-21 日商捷進科技有限公司 半導體製造裝置及半導體裝置的製造方法

Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4812660B2 (ja) * 2007-03-09 2011-11-09 信越ポリマー株式会社 基板等の取扱装置及び基板等の取扱方法
JP5196838B2 (ja) 2007-04-17 2013-05-15 リンテック株式会社 接着剤付きチップの製造方法
JP5234601B2 (ja) * 2008-06-24 2013-07-10 信越ポリマー株式会社 トレー治具
JP2010036974A (ja) * 2008-08-07 2010-02-18 Shin Etsu Polymer Co Ltd 保持治具
KR101141154B1 (ko) * 2009-09-21 2012-07-13 세메스 주식회사 기판 가열 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치, 그리고 이를 이용한 기판 처리 방법
CN102034732B (zh) * 2009-09-30 2015-01-21 京瓷株式会社 吸附用构件、使用其的吸附装置及带电粒子线装置
US8251422B2 (en) * 2010-03-29 2012-08-28 Asm Assembly Automation Ltd Apparatus for transferring electronic components in stages
JP5477645B2 (ja) * 2010-04-20 2014-04-23 三菱電機株式会社 半導体基板の製造方法および半導体製造装置
CN101976653A (zh) * 2010-08-28 2011-02-16 大连佳峰电子有限公司 一种芯片拾取转运装置及其运转方法
JP5535011B2 (ja) * 2010-09-06 2014-07-02 信越ポリマー株式会社 基板用の保持治具
JP5767052B2 (ja) * 2011-07-29 2015-08-19 リンテック株式会社 転写装置および転写方法
JP2013102126A (ja) * 2011-10-14 2013-05-23 Fuji Electric Co Ltd 半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置
KR20150105957A (ko) * 2013-01-15 2015-09-18 메이코 일렉트로닉스 컴파니 리미티드 흡착장치
JP6000902B2 (ja) * 2013-06-24 2016-10-05 Ｔｏｗａ株式会社 電子部品用の収容治具、その製造方法及び個片化装置
US9195929B2 (en) * 2013-08-05 2015-11-24 A-Men Technology Corporation Chip card assembling structure and method thereof
JP6400938B2 (ja) * 2014-04-30 2018-10-03 ファスフォードテクノロジ株式会社 ダイボンダ及びボンディング方法
CN104476568B (zh) * 2014-12-16 2015-11-18 贵州联合光电股份有限公司 用于取放电子元件的可调式气动装置
JP6380160B2 (ja) * 2015-02-25 2018-08-29 三菱電機株式会社 真空ピンセット及び半導体装置の製造方法
CN107530886B (zh) * 2015-05-26 2020-07-21 株式会社石田 物品吸附用部件
US20160375653A1 (en) * 2015-06-26 2016-12-29 Intel Corporation Integrated circuit die transport apparatus and methods
CN105960106A (zh) * 2016-04-21 2016-09-21 京东方科技集团股份有限公司 假压头及其工作方法
JP2018056159A (ja) * 2016-09-26 2018-04-05 セイコーエプソン株式会社 粘着テープ剥離治具、半導体チップの製造装置、ｍｅｍｓデバイスの製造装置、液体噴射ヘッドの製造装置、および、粘着テープ剥離方法
JP6918537B2 (ja) * 2017-03-24 2021-08-11 東レエンジニアリング株式会社 ピックアップ方法、ピックアップ装置、及び実装装置
JP2019029650A (ja) * 2017-07-26 2019-02-21 芝浦メカトロニクス株式会社 半導体チップのピックアップ装置、半導体チップの実装装置および実装方法
KR102492533B1 (ko) * 2017-09-21 2023-01-30 삼성전자주식회사 지지 기판, 이를 이용한 반도체 패키지의 제조방법 및 이를 이용한 전자 장치의 제조 방법
JP6353969B1 (ja) * 2017-11-29 2018-07-04 株式会社ユー・エム・アイ 搬送具と搬送方法と搬送具ユニット
TW202008558A (zh) * 2018-07-23 2020-02-16 飛傳科技股份有限公司 晶片轉移之方法及其晶片轉移系統
KR102594542B1 (ko) * 2018-10-31 2023-10-26 세메스 주식회사 다이 이젝팅 장치
US10804134B2 (en) * 2019-02-11 2020-10-13 Prilit Optronics, Inc. Vacuum transfer device and a method of forming the same
JP2020181887A (ja) * 2019-04-25 2020-11-05 三菱電機株式会社 半導体装置の製造方法
CN111863690B (zh) * 2019-04-29 2023-10-20 成都辰显光电有限公司 批量转移头及其加工方法
CN110985520A (zh) * 2019-12-24 2020-04-10 扬州海科电子科技有限公司 一种用于芯片自吸附凝胶盘的真空底座
KR102294505B1 (ko) * 2020-01-02 2021-08-30 (주) 예스티 기판 처리 장치
CN112967987B (zh) * 2020-10-30 2022-03-01 重庆康佳光电技术研究院有限公司 芯片转移基板和芯片转移方法
CN113212943B (zh) * 2021-07-07 2021-09-07 杭州硅土科技有限公司 用于精密器件包装的自清洁真空释放吸附盒及自清洁方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4778326A (en) * 1983-05-24 1988-10-18 Vichem Corporation Method and means for handling semiconductor and similar electronic devices
JP3504543B2 (ja) * 1999-03-03 2004-03-08 株式会社日立製作所 半導体素子の分離方法およびその装置並びに半導体素子の搭載方法
JP4266106B2 (ja) 2001-09-27 2009-05-20 株式会社東芝 粘着性テープの剥離装置、粘着性テープの剥離方法、半導体チップのピックアップ装置、半導体チップのピックアップ方法及び半導体装置の製造方法
JP3976541B2 (ja) * 2001-10-23 2007-09-19 富士通株式会社 半導体チップの剥離方法及び装置
JP2003229469A (ja) * 2002-02-04 2003-08-15 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体チップピックアップ装置
JP2003088982A (ja) 2002-03-29 2003-03-25 Hamamatsu Photonics Kk レーザ加工方法
JP4314868B2 (ja) * 2003-04-10 2009-08-19 パナソニック株式会社 半導体チップのピックアップ装置およびピックアップ方法ならびに吸着剥離ツール
SG148993A1 (en) * 2003-12-03 2009-01-29 Nikon Corp Exposure apparatus, exposure method, method for producing device, and optical part
JP4513534B2 (ja) * 2003-12-03 2010-07-28 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法
JP2006054289A (ja) * 2004-08-11 2006-02-23 Nikon Corp 基板保持装置、ステージ装置、露光装置、及びデバイスの製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI381985B (zh) * 2009-03-05 2013-01-11 Shinkawa Kk Pickup device for semiconductor grain and picking method
TWI702673B (zh) * 2017-05-18 2020-08-21 日商捷進科技有限公司 半導體製造裝置及半導體裝置的製造方法

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Publication number Publication date
KR20090080084A (ko) 2009-07-23
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JP2008103493A (ja) 2008-05-01
US20100289283A1 (en) 2010-11-18
EP2080219A1 (en) 2009-07-22
WO2008047731A1 (fr) 2008-04-24
EP2080219A4 (en) 2010-12-29
CN101529575A (zh) 2009-09-09

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