TW200819873A - Phase difference film, optical laminate, liquid crystal panel, and liquid crystal display device - Google Patents

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200819873 九、發明說明： t發明所屑技術領域3 發明領域 本發明係關於一種相位差之波長分散特性優良的相位 5差薄膜。 技術背景 液晶顯示裝置（以下有些場合稱為LCD)是利用液晶分 子的電氣光學特性來顯示文字和影像的元件。LCD被廣泛 1〇使用在行動電話、筆記型電腦、液晶電視等。但是，LCD 因為是利用具有光學異方性的液晶分子，故有所謂，即使 在某一方向顯示優良的顯示特性，在其他方向還是有畫面 欠暗，而且變得不鮮明的課題。相位差薄膜就是為了解決 這樣的課題而被廣泛應用在LCD中。 過去，冒經開發出具有以短波長的光測定之相位差值 八^長波長的光測定之相位差值小的特性（亦稱為逆波長 寺1±)之相位差薄膜作為相位差薄膜的一種（專利文獻 2〇 而’上述習知之相位差薄膜因為面内的複折射率比 厚 故為了得到所需要的相位差值薄膜必須形成得比較 :、此外’短波長側和長波長側的相位差值之差比較小， 、、、而針對相位差值的波長分散特性進—步尋求改善。 ,另外已知尚有採用具有芳香族基團作為側鏈之縮醛 al)構k聚合物的相位差薄膜(專利文獻幻。該相位差薄 200819873 膜因為顯示逆波長分散特性故而適用。 然而’使用該專利文獻2中揭示之聚合物時，未必可以 獲得面内複折射率大的相位差薄膜和短波長側與長波長側 之相位差值的差大的相位差薄膜。 5 【專利文獻丨】00/26705號公報 【專利文獻2】日本国特許出願公開第2006-65258號公 報 L 明内】 發明概要 10 本發明之第1目的在於提供面内複折射率大的相位差 薄膜。此外，本發明之第2目的在於提供顯示逆波長分散特 性，而且短波長側之相位差值與長波長側之相位差值的差 大的相位差薄膜。 本發明人等經過重複的銳意研究，發現藉由使用具有 下述側鏈成刀之聚合物的相位差薄膜，可以達成上述目 的，終而完成本發明。 本务月之相位差薄膜的特徵在於，含有至少具有配向 在相對於慢軸方向實質上呈直交的方向之側鏈成分㈧的 熱可塑性聚合物，前述側鏈成分(A)之吸收端波長 (Xcut_off)330nm以上，且波長45〇nm中之面内相位差 (Re[450]) ’比波長65〇·中之面内相位差值(叫6測）小。 、本發明之相位差薄膜顯示出以短波長的光測定之相位 、值、長波長的光測定之相位差值小的光學特性（逆波 長分散特性）’此外，顯示面内之複折射率大的光學特性。 6 200819873 另外，本發明之相位差薄膜顯示短波長側的相位差值和長 波長側的相位差值之差大的光學特性。具有此種光學特性 的相位差薄膜在液晶顯示裝置之顯示特性的改善上極為有 用。 5 圖式簡單說明 【第1圖】第1A圖、第1B圖同為本發明之合適實施態 樣中之光學積層體的概略斷面圖。 【第2圖】本發明之一實施態樣中的液晶面板之概略斷 面圖。 10 【第3圖】本發明之其他實施態樣中之液晶面板的概略 斷面圖。 【第4圖】本發明之合適實施態樣中的液晶顯示裝置之 概略斷面圖。 【第5圖】實施例1之相位差薄膜的吸收端波長之測定 15 結果不意曲線圖。 【第6圖】實施例2之相位差薄膜的吸收端波長之測定 結果示意曲線圖。 【第7圖】比較例1之相位差薄膜的吸收端波長之測定 結果示意曲線圖。 20 【第8圖】比較例2之相位差薄膜的吸收端波長之測定 結果不意曲線圖。 L實施方式3 用以實施發明之最佳態樣 以下將就本發明之相位差薄膜做說明。 7 200819873 本說明書中之用語及記號的定義如下所載。 (1) 吸收端波長(xeut_Qff)是指，聚合物之相當於紫外吸收 譜圖中的長波長側之界限的波長（變成沒有吸收的波長）。吸 收端波長(Xcut-〇ff)是用「JASCO製，UV/Vis spectrophotometer 5 V- 5 6 0」測定相位差薄膜之慢軸方向及快軸方向的紫外可見 光譜，從吸光度為〇·2的波長所求得的值。 (2) 「nx」是相位差薄膜之面内的折射率最大的方向（亦 即，慢軸方向）之折射率，「ny」為在相位差薄膜的面内和 慢軸直交的方向之折射率，「nz」為相位差薄膜之厚度方向 10 的折射率。 (3) 面内的相位差值(Re[X])是指在23°C下，波長λ中之 薄膜的面内的相位差值。當薄膜的厚度設定為d(nm)時， Re[X]是由 Re[X] = (nx — ny)xd 來求得。 (4) 厚度方向的相位差值Rth〇]是指在23°C下，波長λ 15 中之薄膜的厚度方向的相位差值。當薄膜的厚度設定為 d(nm)時，Rth[X]是由Rth[X] = (nx — nz)xd來求得。 < 1·相位差薄膜的概要> 本發明之相位差薄膜是，含有至少具有配向在相對於 慢軸方向實質上呈直交的方向之側鏈成分(A)的熱可塑性 20 聚合物，上述側鏈成分(A)之吸收端波長(λ·^)在330nm以 上’波長450nm中之面内的相位差值（Re[450])，比波長 650nm中之面内的相位差值(Re[650])小的薄膜。 本發明書中，「相位差薄膜」是指在面内及/或厚度方 向有複折射率的光學薄膜。合適者為，上述相位差薄膜在 8 200819873 波長55〇nm中之面内及/或厚度方向的複折射率（Δη[55〇]) 為lxl(T4以上。 本發明人等推測，習知之相位差薄膜未顯示足夠之逆 波長分散特性的原因應該是，側鏈成分的光學特性不良之 5故’亚採用被認為複折射之波長依存性是急峻的側鍵成分 (Α)，從而成功地大幅改善相位差薄膜之逆波長分散特性。 此外，本發明人等發現被認為會顯示急峻的複折射率之波 長依存性的側鏈成分(Α)，會顯示一定值以上的吸收端波長 (kCUt_〇ff)。亦即，藉由使用至少具有如上所述之特定的吸收 10端波長之側鏈成分(A)的熱可塑性聚合物，可以大幅 改善相位差薄膜之逆波長分散特性乙節，係本發明人等所 首先發現的知識，具有不可預期的優異效果。 上述吸收端波長（Xeut_〇ff)以335nm以上為佳，更佳為 340nm以上。上述相位差薄膜為提高透明性，以可見光域的 I5 及收小者為佳’上述Xeut_〇ff以400ηηι以下為佳，更佳為 以下。 上述相位差薄膜以在波長650nm之面内的相位差值 (Re[650])與，在波長450nm之面内的相位差值(Re[45〇])之 差（△ReMOAfReesO] — Re[450])在 10nm以上為佳，更佳為 20 2〇nm以上，特佳為30nm以上。從獲得均勻性良好的相位差 膜的觀點來看，上述△ReMo-MQ以70nm以下為合適，更好的 疋50nm以下。具有大的ακ^65〇_45〇之相位差薄膜，在可見光 的廣範圍中，相位差值和波長的比率（Re/λ)會變成固定 的。因此，該相位差薄膜使用於例如，液晶顯示裝置時， 9 200819873 可以獲得高對比和，優良的色彩再現性。以下將就本發曰月 之相位差薄膜做詳細說明。 <2.熱可塑性聚合物> 本發明中所使用的熱可塑性聚合物是，至少具有配向 5 在相對於慢軸實質上呈直交的方向之側鏈成分(A)，且上述 側鏈成分(A)之吸收端波長^eut_〇ff)為3 3 Onm以上的聚合物。 本說明書中，「熱可塑性」是指會因加熱軟化而顯示塑 性，如果冷卻則會固化的性質。「聚合物」是指聚合度（聚 合物包含複數種構成成單位時，各構成單位之合計的聚合 10 度)在20以上，而且包含重量平均分子量大的高聚物，更包 含聚合度在2以上不滿20,且重量平均分子量為數千左右的 低聚物（亦稱寡聚物）。 「側鏈成分」是指，從構成聚合物之分子構造的骨架 之鍵結鏈（亦即，主鏈)分枝並形成鍵結的成分。側鏈成分(A) 15 的配向狀態（亦即，配向在相對於相位差薄膜之慢軸方向， 實質上呈直交的方向之狀態）相對於聚合物主鏈，嚴格來說 並無必要是90度，只要在和主鏈平行的分極率（αι)與垂直的 分極率（α：2)上有形成差異的程度之偏斜(α2>αι)即可。像這 樣的配向狀態係，例如，測定相位差薄膜之偏光紅外吸收 20譜圖，利用起因於上述側鏈成分(Α)之吸收波峰的2色性來 加以確認。 上述側鏈成分(Α)可以採用適當、適切構造的成分。上 述側鏈成分(Α)合適者為多環式芳香族環或多環式雜環。上 述多環式芳香族環可以舉例如，萘(naphthalene)骨架、蒽 10 200819873

專另卜夕裒式4環可以舉例如，〇弓卜朶(丨以〇16)骨架、喧 琳(quinoHne)骨架、味唾(carbaz〇le)骨架、十定㈣―)骨 木等。上述側鏈成分(A)以含有2個以上的芳香族環為佳， 5更佳為含有萘骨架或料架者。上述側鏈成分(A)之吸收端 波長可透過多環式芳香族環或多環式雜環之環數及 /或取代基的種類等而使之增加乃至於減少。 在-貫施祕巾，上述側鏈成分(A)係以下述―般式⑻ 或(b)表示之取代基（以下有些場合將「以一般式⑻或⑻表 10不之取代基」略記為「側鏈取代基」）。

式(a)及式(b)中，r1〜R15各自獨立，代表氫原子、鹵原 子反數1〜4的直鏈或分枝烧基、碳數1〜4的直鏈或分枝 鹵化烷基、妷數丨〜4的直鏈或分枝烷氧基、碳數丨〜4的直 15鍵或分枝硫燒氧基(thio-alkoxy)、直鏈或分枝烧氧羧基、取 代或未取代之芳基、取代或未取代之乙烯基 、取代或未取 代之乙炔基、醯氧基、胺基、疊氮基、硝基、氰基、羥基 或硫醇基。但，式⑷中，R1不是氫原子。而，式(b)中，R8 11 200819873

Ri：)之至少一取代基不是氫原子。 了控制該等 環或多環式 具體而言，以R1 上述式（a)之R1及，式(b)2R8及/或汉9係為 取代基(R1、R8、R9)所鍵結形成之多環式芳香族 雜環的立體構型（conformation)而使用者。呈 5及R8及/或RV斤表示的取代基被認為是因立體障礙而相對 於熱可塑性聚合物之主鏈的配向方向，使側鍵取代基實質 上呈直交地配向。藉使用此種熱可塑性聚合物，可以獲得 顯示優良的逆波長分散特性之相位差薄膜。 上述側鏈取代基之導入聚合物的方法可以採用任意之 10適當的方法。上述導入方法可以舉例如，⑴使具有上述側 鏈取代基和可取代之反應性部位的聚合物預先進行聚合， 使具有上述側鏈取代基之化合物反應於該聚合物之反應性 部位的方法；（2)使用具有上述側鏈取代基之單體，使之與 其他單體共聚合之方法等。上述導入方法（1)可以採用例 15如，縮醛(acetal)化反應、縮醛交換反應、酯化反應、醚化 反應、醯亞胺化反應等。上述導入方法(2)可以採用一般的 自由基聚合、離子聚合、活性聚合(living polymerization) 等。再者，上述縮醛化反應及縮醛交換反應分別包含縮酮 (ketal)化反應及縮酮交換反應。 2〇 具有上述側鏈取代基之化合物及單體分別為，1-萘衍 生物及芴衍生物，可以適當地選擇適用於導入聚合物的方 法者。該化合物及單體可以舉例如，1-萘甲醛（1-Naphthaldehyde)、蕴萘（naphthone)、芴 3同（fluorenone)、雙 胺基苯基芴 _ (bis-aminophenyl-fluorenone)、雙紛芴 12 200819873 (bisphenolfluorene)及其衍生物等。 10 15 20 上述熱可塑性聚合物只要具有上述侧鏈成分(A)即可 採用適且、適切的構造之聚合物。上述熱可塑性聚合物之 主鏈的鍵結並無特殊限制，可轉例如，祕鍵結、碳原 子互相鍵、、、σ、石反酸自旨（carb〇nate)鍵結、醯胺（細丨扣)鍵結、 氨酯（urethane)鍵結、醚鍵結、矽氧烷(sil〇xane)鍵結等。上 述鍵〜以縮醛鍵結、碳原子互相鍵結、碳酸酯鍵結為佳。 亦P上这熱了塑性聚合物以乙烯醇縮酸(vinylacetal)系聚 合物、烯烴系聚合物，或碳酸酯系聚合物為佳，特別合適 的疋乙烯醇縮醛系系聚合物或烯烴系聚合物。因為如果使 用乙烯醇縮醛系系聚合物或烯烴系聚合物，就可以獲得光 彈性係數之絕龍小的相位差薄膜。再者，上述烯煙系聚 合物中包含鏈狀婦烴，其他亦包含環狀烯烴系聚合物（例 如，降冰片烯(n〇rb〇rnene)和雙環戊二烯(dicycl〇pemadi㈣ 等之開環聚合物，及其氫化物等）。 上述熱可塑性聚合物以，每個重複單位含有a莫耳％〜 4〇莫耳％的側鏈成分(A)為佳，更佳為含有2莫耳％〜观耳 %，特佳為含有5莫耳％〜20莫耳％。藉由將側鍵成分⑷之 含有量設定在上述_，可以獲得具有優良的逆波長分散 特性之相位«膜。尤其，制以上述―般式⑷麵表示 之取代基作為側鏈成分⑷時，因為可喊少側鏈成分⑷ 的含有量，所以比較容易測知相位差，可以獲得具有大的 面内之複折射率(Δη : An=nx —ny)的相位差薄膜。 上述熱可塑性聚合物合適者係至少具有以下述一般式 13 200819873 ⑴表示之重複單彳 鏈成分㈧。上絲 塑性聚合物具有萘骨架作為侧 /¾酮化人4 ’、、、、可塑性聚合物可以使例如’酸化合物及 ° ’乙烯醇(vinyl alcohol)系聚合物進行縮合反 "，于下述—般式⑴中，卜m、n之各基本單位的配列 順序亚無特殊限制，交互、隨機或嵌段之任一者皆可。此 _:塑性聚合物對於泛用溶 劑（例如，丙酮、乙酸乙g旨、 …)的☆解14良好，並且在延伸等之操作性上顯示優異 的玻璃轉移溫度。 【化2】

久合目掏立，表不氫原子、鹵 奴數1〜4的直鏈或分枝烷基、碳數丨〜4的直鏈或分 枝ii化烧基、碳數1〜4的直鏈或分枝烧氧基、碳數卜4的 直鏈或分枝硫烧氧基、直鏈或分枝的烧氧幾基、取代或未 取代之芳基、取代或未取代之乙稀基、取代或未取代之乙 b快基、酿氧基、胺基、疊氮基、峭基、氰基、羥基或硫醇(但， R1不是氫）；A1及A2各自獨立，代表氫原子，碳數丨〜#的直 鏈或分枝烷基，或經取代或未取代之芳基；A3表示氫原子、 碳數1〜4的直鏈或分枝烷基、碳數5〜1〇的取代或未取代之 環烧基、取代或未取代之务基、取代或未取代之萘基，戈 2〇經取代或未取代之雜環基；A4代表氫原子、碳數丨〜4的^ 14 200819873 鏈或分枝烷基、苄基、甲矽烷基(silyl)、磷酸基、烷醯基 (acyl)、苯曱醯基或石黃醯基(suifonyi)。 上述一般式(I)中，基本單位1可藉由例如，乙稀醇系聚 合物與，1-萘甲酸類或1_醯萘類之縮合反應而獲得。上述^ 5萘甲醛類可以舉例如，2-曱氧基-1-萘甲醛、2-乙氧基_1_萘 甲酸、2-丙氧基-1-萘曱酸、2-甲基-1-萘甲駿、2,6_二曱基 奈甲酸、2,4_二甲基_1_萘曱酸、2-經基-1·萘甲酸等。上述 1-醯萘類可以舉例如，2-羥基小乙醯萘（Mydrow] _acetonaphthone)、8，-羥基]，·苯醯萘（8，_hydr〇xy-1，_benz〇_ 10 naphthone)等。其中，1-萘甲醛類以2-甲氧基_丨_萘曱醛為佳 (此情形下’上述一般式(I)中，R1為甲氧基，R2〜R7為氫原 子）〇 上述一般式（I)中，基本單位m可藉由例如，乙烯醇系 聚合物與’任意之酸化合物或酮化合物之縮合反應而獲 15得。酸化合物可以舉例如，甲酸、乙酸、1，1-二乙稀乙烧(縮 备）、丙备、η-丁备、異丁酸、環己基甲酸（CyCi〇hexane carboxyaldehyde)、5_ 降冰片烯 _2_ 甲醛（5_norbornene_2_ carboxyaldehyde)、3-ί衣己細-1-甲盤（3-cyciohexene-l- carboxyaldehyde) 、 二甲基-3-環己烯 甲醛 （dimethyl_3_ 20 cyclohexene-1-carboxyaldehyde)、苯甲駿、2_ 氯苯甲酸 (2-chlorobenzaldehyde)、p-二甲胺基苯甲醛、t_ 丁基苯甲醛、 3,4_一甲氧基本甲盤、2-石肖基苯甲酸：、4_氰基苯甲酸：、4-叛 基苯甲醛、4-苯基苯甲醛、4_氟苯甲醛、;2-(三氟甲基)苯甲 盤、1-秦甲酸、2-萘甲盤、6-甲氧基-2-萘甲酸、3-甲基-2_ 15 200819873 σ塞吩甲酸（3-methyl-2-thiophenecarboxyaldehyde)、2-口比口定甲 盤（2-pyridinecarboxyaldehyde)、σ引口朶-3-甲酸（indole· 3-carboxyaldehyde)等。 _化合物可以舉例如，丙酮、乙甲_ (ethyl methyl 5 ketone)、二甲酮、甲基異丁酉同、二丙 I 同（dipropyl ketone)、 丙烯乙酮（allyl ethyl ketone)、苯乙酮（acetophenone)、p-甲 基苯乙S同、4’-胺基苯乙酮、p-氣苯乙g同、4’-甲氧基苯乙酮、 2’_經基苯乙酮、3’-石肖基苯乙酮' p-(l-旅咬基）苯乙酮(ρ_(ι_ piperidino)acetophenone)、亞苄基苯乙酮（benzaiacet0_ 10 phenone)、苯丙酮（propiophenone)、苯并苯甲酮 (benzphenone)、4-硝基苯并苯甲酮、2-甲基苯并苯甲酮、p_ 漠本并本甲酮、壤己基（苯基）甲酮（CyCl〇hexyl (phenyl) methanone)、2-丁醯萘（2-butyronaphthone)、1-乙酿萘等。 上述一般式(I)中，A4由於是要將殘存羥基（亦稱為end 15 cap處理）加以保護，故為用於將吸水率調整成適切值的保護 基(取代基）。如果使吸水率變小，即可以獲得具有高透明性 而且相位差的安定性優良之相位差薄膜。但，依本發明之 相位差薄膜所應用的用途和目的，該羥基亦可不施以end cap處理（亦即，A4是氫原子）。 20 上述A4可以使用，例如，獲得殘存有羥基的聚合物之 後，可以導入取代基使之與私基反應（亦即，可以進行 cap處理)之任意的適當基團。該適當基團亦稱為保護基。上 述保護基可以舉例如，苄基、4-甲氧苯基甲基 (4_methoxyphenylmethyl)、甲氧甲基、三甲基矽烷基、三 16 200819873 基矽烷基、t-丁基二甲基矽烷基、乙醯基、苯曱醯基、甲磺 醯基（methansulfonyl)、雙-4-硝苯基亞磷酸酯 (bis-4-nitrophenyl phosphite)等。上述A4以三甲基矽烧基、 二乙基矽烷基，或t-丁基二甲基矽烷基為。藉使用這些保護 5基，即使在尚溫多濕的環境下，依然可以獲得具有高透明 性，而且，相位差的安定性優良之相位差薄膜。 上述end cap處理的反應條件可依據使羥基反應之取代 基的氯化物的種類而採用適宜、適切的條件。例如，烷基 化、苄基化、矽烷基化、磷酸化、磺醯基化等的反應，可 10以使殘存有羥基的聚合物和，作為目的之取代基的氯化 物，於4-(N，N-二曱胺基)吡啶等之觸媒的存在下，在25t〜 100°C攪拌1小時〜20小時地進行。 上述-般式（I)中小n^n的比率可依目的設定為適 宜、適切的值。上述基本單位丨的比率以2莫耳％〜4〇莫耳％ Μ為佳’更佳為2莫耳％〜30莫耳％，特別合適的是5莫耳％〜 20莫耳％。上述基本單位_比率㈣莫耳％〜⑽莫耳％為 佳，更佳為30莫耳％〜75莫耳％，特別合適的是4〇莫耳％〜 75莫耳％。上述基本單位η的比率則莫耳％〜⑼莫耳％為 佳’更佳為5莫耳％〜5〇莫耳％，特別合適的是1〇莫耳％〜 45莫耳％，取好的是戦耳％〜4Q莫耳％。但，l+m+n=剛 莫耳％。藉由將各基本單位的比率設在上述範圍，可以獲 得顯示優良的逆波長分散特性，因延伸而造成之相位差的 ^J^liiDiscoveraMHtyMt , ^ ^^(Δη)λ ^ 相位差薄膜。 17 200819873 上述一般式(i)中，基本單位丨及㈤的比率，1/m(莫耳/ 莫耳），以0.05〜0.40為佳，更佳為〇 〇8〜〇 35，特別合適的 是0.10〜0.30。藉將基本單位咳瓜的比率設在上述範圍，可 以獲得顯示優良的逆波長分散特性之相位差薄膜。 5 至少具有以上述一般式⑴表示的重複單位之熱可塑性 聚合物（乙烯醇縮醛系聚合物）可以利用包含，例如，使乙烯 醇系聚合物和，2種類以上之醛合物及/或酮化合物，分散 或溶解於溶劑中，在酸觸媒的存在下使之反應的步驟的方 法來製造。上述醛合物及/或酮化合物也可以讓2種類以上 10同日守反應，也可以一次加1種類使之逐次地反應。該反應是 和乙烯醇系聚合物的縮合反應，當使用了醛化合物時也稱 為為縮醛化(再者，本說明書中，使用酮化合物之縮酮化也 包含在廣義的縮醛化内）。 上述乙烯醇系聚合物可依目的採用適宜、適當的聚合 15物。上述聚合物可以是直鏈狀聚合物，也可以是分枝聚合 物。另外，上述聚合物可以是均聚物，也可以是由2種類以 上的單位單體聚合而成之共聚物。共聚物之一代表例可以 舉例如，乙烯一丙浠醇共聚物。 上述乙烯醇系聚合物可以藉由，例如，使乙烯酯系單 20體聚合，形成乙烯酯系聚合物之後，使其進行酮化，令乙 烯醋單位形成乙烯醇單位而獲得。 上述乙烯醇系聚合物的酮化度通常在7〇莫耳％以上， 以80莫耳％以上為佳，特別合適的是95莫耳％以上。上述酮 化度可依據JISK 6727(1994)求得。ϋ由將酮化度設定在上 18 200819873 述範圍，可以獲得相位差大的乙烯醇縮醛系聚合物。 上述乙烯醇系聚合物可以直接使用市售品。或者可以 對市售的聚合物施以任意之適切的聚合物變性以供使用。 市售的乙烯醇系聚合物可以舉例如，（株)Kuraray製POVAL 5 系列（商品名「PVA· 103、PVA117、PVA613' PVA-220、PVA405 等」），同公司製EXCEVAL系列（商品名「RS-4104、RS-3110、 RS-1717」等），同公司製EVAL系列（商品名「L1(H、F101、 H101、E105、G156等」），曰本合成化學（株）製Gosenol系 列（商品名「NH-18、NH-300、A-300、C-500、GM-14等」）， 10 同公司製Soarnol系列（商品名「D2908、DT2903、DC3203 等」）等。 上述乙烯醇系聚合物的平均聚合度可設定成任意之適 切的數值。上述平均聚合度以400〜5000為佳，更佳為800 〜4000，特別合適的是800〜3000。再者，上述乙烯醇系聚 15 合物之平均聚合度可以準據JIS K 6726(1994)的方法來測 定。 上述溶劑可依目的而選擇適宜、適切者。上述溶劑可 以舉例如，甲醇、乙醇、丙醇、丁醇等之醇類；1,4-二氧六 環等之環式醚類；N，N-二曱基甲酸（N，N-dimethyl 20 formaldehyde)、N-甲基口比 口各烧 _ (N-methylpyrrolidone)、二 曱基亞職(dimethylsufoxide)等之非質子性溶劑等。這些溶 劑可以單獨或混合2種類以上做使用。另外，也可以將水混 合到上述溶劑中以供使用。 上述酸觸媒可依目的選擇適宜適切者。上述酸觸媒可 19 200819873 乂牛例如，鹽酸、硫酸、石舞酸、對甲苯石黃酸(p-toluenesulfinic 等。上述酸觸媒以對甲苯雜為佳。 使上述酸觸媒反應的溫度通常是超過〇。(3，而且未達所 使用之〉谷劑的沸點。具體而 觸媒反應的溫度 5 以10°C〜 以3 0分鐘 1〇〇°C為’更好的是20°C〜80°C。另外，反應時間 〜20小時為宜，更好的是1小時〜10小時。透過採 用上述反應條件’可以高收率獲得具有高縮醛化度之乙烯 醇縮醛系聚合物。 上述乙稀醇縮駿系聚合物之縮醛化度以40莫耳％〜99 1〇莫耳/(>為佳，更好的是5〇莫耳％〜95莫耳％，特別好的是60 莫耳/〇〜90莫耳％。藉由將縮醛化度訂在上述範圍，可獲得 在透明性、耐熱性及成型加工性上更為優異之相位差薄膜。 上述熱可塑性聚合物之重量平均分子量以1，000〜 1，000,000為佳，更好的是3,〇〇〇〜5〇〇 〇〇〇，特別好的是5 〇〇〇 15〜300,000。藉由將重量平均分子量設定在上述範圍，可獲 得機械強度優良之相位差薄膜，再者，上述重量平均分子 量係依據實施例中記載的方法所求得之值。 上述熱可塑性聚合物之玻璃轉移溫度以1〇〇〇c〜19(rc 為佳，更好的疋1〇〇 C〜170 C，特別好的是1°c〜。 20藉由將玻璃轉移溫度設定在上述範圍，可以獲得财熱性優 良的相位差薄膜。另外，利用延伸等的成形加工性優艮。 再者’玻璃轉移溫度可以準據JISK 7121(1987)之DSC法來 求得。 本發明之相位差薄膜可以進-步含有任意之適切的添 20 200819873 加劑。上述添加劑可以舉例如，可塑劑、熱安定劑、光安 定劑、滑劑、抗氧化劑、紫外線吸收劑、難燃劑、帶電防 止劑、相溶化劑、交聯劑及增粘劑等。上述添加劑的使用 量可依目的選擇適宜、適切的值。上述添加劑的使用量相 5對於上述聚合物100重量分，以超過〇且在3〇(重量比）以下為 佳0 上述相位差薄膜的厚度可以目的而設定成適宜、適切 迷厚度以1〇μηι〜2〇〇μηι為佳，更佳為2〇μιη〜 10 15 20 、，— 特巧合適者為30μηι〜80μηι。上述厚度範圍的相位 差; 專膜具有優異的機械強度和厚度均勻性。 述相位差薄膜的吸水率以1%〜8%為佳，更以2〇/ 7%為更佳。這9 _ /G〜 k疋因為吸水率只要大概在該範圍，相位# 膜的密著性就會提高。 4 <3·相位差薄膜之光學特性〉 述相位差薄在波長550nm的透射率以85% 佳，更佳者為9〇%以上。 上為 迷相位差薄膜的光彈性係數 50x10 12。卜、^ m 在，例如Γ 雜德的崎則、的純差薄膜 成之光學2用於液晶顯示裝置時，可以減低因應力所造 上述相位差薄膜在波長550nm中之面内的複 (△n[550])以〇〇〇1以上為佳較佳為〇〇〇16以上 支 〇·0023以上，特佳為0.0025以上，最好的是〇 〇〇3〇以上二另 21 200819873 外，同複折射率以0.0070以下為佳，較佳為0.0060以下，特 佳為0.0055以下，最好的是0.0050以下。習知之相位差薄膜 因為透過延伸而造成之相位差的測知性不佳，在欲得到所 需要之相位差值時，有所謂薄膜增厚的課題。本發明之相 5 位差薄膜具有優良的相位差測知性，An大。因此，可以將 具有所需要的相位差值之相位差薄膜製作得很薄。 上述相位差薄膜在波長550nm之面内的相位差值（Re [550])可依目的選擇適宜、適切的值。上述1^[550]在1〇11111 以上，以50nm〜500nm為佳，更佳為70nm〜4〇〇nm。在一 10實施態樣中，上述相位差薄膜係作為λ/2板使用。作為λ/2 板使用時，上述Re[550]以200nm〜400nm為佳，更佳為 250nm〜350nm。在其他的實施態樣中，上述相位差薄膜係 作為λ/4板使用。作為λ/4板使用時，上述Re[55〇]以i〇〇nm 以上，不滿200nm為佳，更佳為i2〇nm〜i80nm。 15 本發明之相位差薄膜係如上所述，在波長450mn之面 内的相位差值(Re[450])比在波長650nm之面内的相位差值 (1^[650])為小。上述相位差薄膜以滿足尺€[45〇]<尺6[%〇] <Re[650]為佳（亦即，顯示逆波長分散特性）。 上述相位差薄膜之Re[550]和Re[450]的差（δ^5(μ5〇= 20 Re[550]-[450])以5nm#上為佳，更佳為10nm以上，特佳 為20nm以上。從獲得均勻性優良之相位差薄膜的觀點來 看，上述ARe55"%以35nm以下為佳，更佳為25nm以下。 過去，製作ARe55。—4%大的相位差薄膜是困難的，惟若 為本發明之相位差薄膜，則可以大幅地改善這樣的課題。 22 200819873 藉由將ARe^G^o處理成上述範圍，在藍色區域中相位差值 和波長的比率（Re/λ)會變成固定。因此，在例如，將本發 明之相位差薄膜應用於液晶顯示裝置時，可以改善因觀看 角度而產生之漏光現象和，顯示影像帶有藍色調的現象（亦 5 稱為帶藍現象）。 上述相位差薄膜之Re[45〇]和Re[55〇]的比 Re[550])以0.95以下為佳，更佳為〇·7〇〜〇·9〇，特別合適的 是0.75〜0.90，最好的是〇.8〇〜〇·9〇。藉由將Re[45〇]/ Re[550]形成在上述範圍，在例如，將上述相位差薄膜應用 10於液晶顯示裝置時，可以獲得更為優異之顯示特性。 此外，上述相位差薄膜之Re[650]和Re[550]的差 (△^^65〇_55〇=&6[650]-[550])以511111以上為佳，更佳為1〇11111 以上，特佳為llnm以上。從獲得均勻性優良之相位差薄膜 的觀點來看’上述ARe65。·55。以35nm以下為佳，更佳為25nm 15 以下。 過去’製作ARe65〇_55〇大的相位差薄膜是困難的，惟若 疋本發明的相位差薄膜’則可以大幅地改善這樣的課題。 藉由將△Rewowo處理成上述範圍，在紅色區域中相位差值 和波長的比率(Re/λ)會變成固定。因此，在例如，將本發 20 明之相位差薄膜應用於液晶顯示裝置時，可以改善因觀看 角度而產生之漏光現象和，顯示影像帶有紅色調的現象（亦 稱為帶紅現象）。 上述相位差薄膜之Re[650]和Re[550]的比（Re[650]/ Re[550])以1.02以上為佳，更佳為1.03〜1.20，特別合適的 23 200819873 是1·〇4〜1.20，最好的是1.05〜1.20。藉由將Re[650]/ Re[550]形成在上述範圍，在例如，將上述相位差薄膜應用 於液晶顯示裝置時，可以獲得更為優異之顯示特性。 上述相位差薄膜之Rth[550]可依目的選擇適宜、適切 5 的值。上述Rth[550]在10nm以上，以50nm〜500nm為佳， 更佳為70nm〜400nm。在一實施態樣中，上述相位差薄膜 係作為λ/2板使用。此時，上述Rth[550]以200nm〜400nm 為佳，更佳為250nm〜350nm。在其他的實施態樣中，上述 相位差薄膜係作為λ/4板使用。此時，上述Rth [ 550 ]以1 OOnm 10以上，不滿200nm為佳，更佳為12〇nm〜180nm。 <4.相位差薄膜之製造方法> 在一實施態樣中，本發明之相位差薄膜係，將由上述 熱可塑性聚合物所形成的樹脂組成物或包含上述熱可塑聚 合物的樹脂組成物成形為片狀，得到高分子薄膜，再進一 15步藉延伸該高分子薄膜的方式，使上述熱可塑性聚合物中 之主鏈及側鏈配向而製作成。 上述局分子薄膜可以可以透過任意之適切的成形加工 法而獲得。上述成形加工法可以舉例如，壓縮成形法、轉 移成形法(transfer molding)、射出成形法、壓出成形法、吹 2〇塑成形法、粉末成形法、FRP成形法、溶劑澆鑄法(solvent castmg)等。上述成形加工法以溶劑澆鑄法或壓出成形法為 佳上述/容劑澆鑄法係將，例如，使含有構成主成分之熱 可塑性聚合物和添加劑之樹脂組成物溶解於溶劑而形成之 濃厚溶液(枯稠物），脫泡之後，使之流延在循環式不鏽鋼帶 24 200819873 或轉鼓(rotating drum)的表面上，趨 子薄膜的方法。另外，上述=劑蒸發而成形為高分 構成主成分之熱可雜料錢，例如，含有 广1 # /4、加劑竹樹脂組成物加熱 :，再將細觸(τ,，壓㈣鑄造獅a— 3的表面上’再使之冷卻而形成高分子薄膜的方法。透 過採用上述方法，可續得㈣性良好之高分子薄膜。 10 15 延伸上述高分子薄膜的方法可依目的採用任意之適切 的延伸方法。上述延伸方法可以舉例如，縱向單軸延伸法' 橫向單軸延伸法、縱橫同時雙軸延伸法、縱橫逐次雙軸延 伸法等。延伸上述高分子薄膜的農置可以使用，滾筒延伸 機、拉幅延伸機以及雙軸延伸機等任意之適切的延伸機。 這些延伸機以具備溫度控财置為佳。在加熱施行延伸 時’可以讓延伸機的内部溫度呈連續變化，也可以使之呈 階段性的變化。延伸工程可以施行丨次，也可以分割成2次 以上。延伸方向可以是薄膜的長向(MD方向），也可以是寬 度方向(TD方向）。另外，也可以採用日本国特許出願公開 第2003-262721號公報之第丨圖所記制延伸法，在斜向做 延伸(斜向延伸）。 延伸上述尚分子薄膜的溫度（延伸溫度）可依目的而做 2〇適宜的設定。合適者係，在相對於高分子薄膜之玻璃轉移 溫度(Tg)為Tg+l°C〜Tg+3°C的範圍進行延伸操作。藉由選 擇這樣的條件，相位差值容易變得均勻，而且相位差薄膜 不容易發生結晶化（白濁）。具體而言，上述延伸溫度以1㈨ °C〜180°C為佳，更合適的是12(rc〜16(rc。再者，破螭轉 25 200819873 移溫度可以利用準據jIS Κ 7121(1987)的DSC法來求得。 控制上述延伸溫度的裝置可以採用任意之適切的裝 置上述/jnL度控制裝置可以舉例如，熱風或冷風循環的空 氣循環式恆溫爐；利用微波或遠紅外線的加熱器；用於溫 5度調節之經過加熱的滾輪、經過加熱的熱管滾輪(heat pipe roll)、經過加熱的金屬帶等。 延伸上述高分子薄膜的倍率（延伸倍率）可依目的適當 地做選擇。上料伸倍率以超過1但在mix下為佳，更好 的是超過1而在2.5倍以下，特別好的是hl〜2(^。另外， 10延二時的送料速度並無特殊限制，惟依機械精密度、安定 性等，以0.5m/分〜3〇m/分為佳。只要是上述延伸條件， 則不僅可以獲得目的的光學特性而且可以獲得均句性良 好之相位差薄膜。 <5·相位差薄膜的主要用途> 15 本發明之相位差薄膜可以應用在任意之適切的用途。 代表性的：途可以舉例如，液晶顯示裝置之"4板视、 視角擴大相等。其他可以舉例如，液晶顯示裝置、有機 職示器及電製顯示器等之前面板顯示用反射防止薄嫉 等。 本發明之光學積層體包含上述相位差薄膜。在一實施 悲樣中’上述光學積層體除了上述相位差薄駄外，進〆 步包含其_相位差_。衫—實《樣巾，上述光學 積層體除了上述相位差薄膜以外，進—步包含偏光片。 26 200819873 第1圖是本發明之較佳實施態樣的光學 斷面圖。再者，請留意，為了便於理解，第j 件的縱、橫及厚度比例有別於實際情況(另， 〜第4圖中也是同樣的）。 積層體之概略 圖之各構成部 此點在第2圖 5 第Μ圖所示之光學積層體6至少依序備有相位差薄膜 卜黏者層2和其他的相位差薄膜3。_圖所示之光學積層 體6至少依序備有相位差薄膜卜偏光片彳和保護層5。、曰 10 本5兄明書中’「黏著層」是指黏合相鄰光學構件之面與 面，實用上:足夠之黏著力和黏著時間使之-體化的f 形成上述黏著層的材料可以舉例如，黏著劑，銷塗劑 _ing_agent,AC)等。上述黏著層也可以是在被覆體的表面 上形成錫塗層，再將黏著劑層形成於其上之多層構造。另 外也可以疋肉眼無法認知之薄層（亦稱為W胞e)。 15 20 〜形成上述黏著層的材料可依被覆體的種類和目的選擇 適宜、適切_著劑、财劑。黏著劑若㈣狀分類，可 以舉例如^劑形黏著劑、乳劑形黏著劑、感壓性黏著劑、 再濕!·生黏著劑、聚縮合形黏著劑、無溶細彡黏著劑、薄膜 狀黏著劑、熱融形黏著解。《#1若依化學構造分類， 則可以舉例如，合成樹脂黏著劑、橡膠系黏著劑，以及天 ^物黏著者，上述黏著劑包含在常溫下顯示可藉加 [接觸感知之黏著力的枯彈性物質（亦稱枯著劑）。 / 述之八他的相位差薄膜可以舉例如，（1)含有纖維素 系，:物p牛冰片稀系聚合物，或碳酸醋系聚合物的相位 差薄膜’（2)如日本国特許出願公開平7-1464G9號公報中所 27 200819873 載之，含有盤狀液晶化合物之液晶性組成物的固化層或硬 化層，（3)如日本国特許出願公開第細3_187623號公報中所 載之’ 3有配向成平面配列之桿狀㈣ami⑽液晶的液晶性 Ί成物之E1化層或硬化層；（4)如日本国特許出願公開第 2003 287750唬公報中所载之，含有醯胺醯亞胺 系聚合物、喊_系聚合物，或醯亞胺系聚合物之高分子 薄膜等。上述其他的相位差薄膜並不限於上述之例，可以 採用任意之適切的相位差薄膜。 1 “上述偏光片尸、要是可以將自然光或偏光變換成直線偏 光者即可，可以採用適宜、適切者。上述偏光片以含有峨 或二色性染料之乙烯醇系聚合物為主成分的延伸薄膜為 佳。上述偏光片的厚度通常在5μιη〜5〇μιη。上述以含有碘 或一色性染料之乙烯醇系聚合物為主成分的延伸薄膜可以 透過例如，特開2003-240952號公報之實施例丨的方法而製 15得。 上述保護層可以採用任意之適切者。上述保護層係用 以防止偏光片發生收縮或膨脹。另外，上述保護層係為防 止偏光片受到紫外線影響而劣化。上述保護層以含有纖維 素系聚合物或降冰片烯系聚合物的高分子薄膜為佳。上述 2〇高分子薄膜的厚度通常在ΙΟμιη〜200μιη。再者，上述保1 層亦可兼作後述之表面處理層的基膜(base film)。上述保1 層可以直接使用市售的高分子薄膜。或者，也可以對市^ 之高分子薄膜施以後述的表面處理再使用。 <7•液晶面板> 28 200819873 本發明之液晶面板包含上述相位差薄膜或上述光學積 層體。第2圖及第3圖為本發明之較佳實施態樣的液晶面板 之概略斷面圖。 第2圖所示之液晶面板100至少備有，液晶單元1〇、配 5置在該液晶單元1〇之一側的第1偏光片21(視認側偏光片）、 配置在該液晶單元10之另一側的第2偏光片22，和配置在該 液曰曰早元10與该弟1偏光片21之間的相位差薄膜1。再者， 在示於第2圖的例子中，雖然僅示出將本發明之相位差薄膜 1配置在第1偏光片21和液晶單元1 〇之間的情形，惟亦可在 10上述液晶單元1〇之第2偏光片22與液晶單元1〇之間配置1片 上述相位差薄膜1。另外，亦可在第1偏光片21和液晶單元 1〇之間，以及第2偏光片22和液晶單元1〇之間，兩邊各配置 1片本發明之相位差薄膜1。此外，相位差薄膜亦可不限於 配置1片，而分別配置複數片。 15 若參照第2圖，則上述液晶單元1〇具有，一對基板^、 11’和，被夾持在基板11、11，之間之作為顯示媒體的液晶層 12。在一邊的基板η，（主動矩陣基板)上設有控制液晶之電 氣光學特性的開關元件(代表性的是TFT)和，對該主動元件 送出閘信號的掃描線以及送出源信號的信號線（任一者皆 未示出）另一邊的基板11(彩色濾、光片基板)上則設有彩色 渡光片。再者，彩色濾光片亦可設在主動矩陣基板^，上。 再者，在液晶顯示裝置之照明機構中使用到RGB三色光源 的惴形中（色序(Field Sequential)方式等），上述彩色濾光片 可以省略。基板11與基板11，的間隔（液晶盒厚度，cell gap) 29 200819873 是利用間隙子（spacer)(未圖示出）來加以控制。在基板11及 基板11’之與液晶層12相接的側面設有例如，由聚醯亞胺所 形成的配向膜（未圖示出）。 示於第3圖之液晶面板101是在液晶單元1〇的背面側上 5 設有反射層23的例子。其他的構成和以第2圖之液晶面板 100所說明的構成相同。 <8.液晶顯示裝置> 本發明之液晶顯示裝置包含上述液晶面板。第4圖為本 發明之較佳實施態樣的液晶顯示裝置之概略斷面圖。再 10者，請留意，為便於理解，第4圖之各構成構件的縱、橫及 厚度的比率和實際情形有別。 a亥液晶顯示裝置200至少備有液晶面板1 〇〇、配置在夜 晶面板100之一側的背光模組80。再者，在圖示例中雖顯示 採用正下方式作為背光模組80的情形，惟本發明之液晶顯 15示裝置亦可為，例如，側光源方式。 採用正下方式時，上述背光模組8〇以至少具備光源 81、反射薄膜82、擴散板83、稜鏡片84和輝度增高薄膜85 為佳。採用側光方式時，背光模組除了上述構成外，以至 少再配備導光板和光反射片（light ref]ector)為佳。再者，第 20 4圖所例示之光學構件只要能夠獲得本發明之效果，可以= 據液晶顯示裝置之照明方式和液晶單元之驅動模式等，或 省略其一部分，或者，可以用其他的光學構件來取代。 上述液晶顯示裝置可以是從液晶面板的背面照射光線 而看到畫面之透射型，色可以是從液晶面板的視認側照射 30 200819873 光線而看到畫面之反射型。或者，上述液晶顯示裝置也可 以是同時併有透射型和反射型兩種性質之半透射型。 <9·液晶顯示裝置之主要用途> 本發明之液晶顯示裝置可以使用在任意之適切的用 5途。其用途有例如，個人電腦、筆記型電腦、影印機等之 OA機器；行動電話、鐘錶、數位相機、行動資訊端末(PDA)、 手持式電玩(portable game)等之攜帶式機器；攝影機、電視 機、微波爐等之家用電器；倒車影像輔助系統（Back Monitor)、導航系統用螢幕、汽車音響等之車用機器；商業 10店舖用資訊用螢幕等之展示機器；監視用監視器等之警備 機器；介護用監視器、醫療用監視器等之介護·醫療機器 等。 本發明之液晶顯示裝置的用途以電視機為佳。上述電 視機之畫面尺寸以寬17吋型（373mmx224mm)以上為佳，寬 23忖型（499mmx300mm)以上更佳，特別合適的是寬32型 (687mmx412mm)以上。 【實施例】 針對本發明將用以上實施例及比較例進一步做說明。 再者，本發明並不僅限於這些實施例。再者，在實施例中 2〇 所使用的各種分析方法係如下所述。 (1)吸收端波長aeut_Qff)之測定方法： 用 JASCO製之「UV/Vis Spectrophotometer V-560」測 定。針對相位差薄膜，測定其慢軸方向及快軸方向的紫外 可見光譜，求出吸光度為0.2的波長’以之做為吸收端波長。 31 200819873 (2)熱可塑性聚合物之組成的測定方法： 用核磁共振波譜儀[日本電子（株）製，製品名 「LA400」](測定溶劑：氘化DMSO ;頻率：400MHz ;觀 測核：;測定溫度：70°C)求得。 5 (3)玻璃轉移溫度的測定方法： 用示差掃描熱量計（Differential Scanning Calorimetry) [精工（株）製，製品名「DSC-6200」]，利用遵循JIS K 7121(1987)(塑膠的轉移溫度測定方法）的方法求得。具體地 說，是將3mg的粉末樣品在氮氣雰圍氣下（氣體流量：80ml/ 10 分)使之昇溫(加熱速度：10X：/分)並測定2次，採用2次的數 據。熱量計係採用標準物質（銦）來進行溫度補正。 (4)分子量之測定方法： 利用凝膠滲透層析法(G P C )，以聚苯乙烯做為標準試料 算出來。具體地說，是利用以下的裝置、器具以及測定條 15 件加以測定。再者，樣品是將試料溶解於四氫吱喃做成0·1 重量％的溶液，靜置一晚後，使用以0.45μιη的薄膜濾器過 濾、過的濾、液。 •分析裝置：TOSOH製「HLC-1829GPC」 •管柱：TSKgelSupperHM-J/H4000/H3000/H2000 20 •管柱尺寸：各6.0mmI.D.xl50mm

•溶離液：四氫呋喃 •流量：〇.6ml/min •檢測器：RI •管柱温度：40°C 32 200819873 •注入量：20μ1 (5) 厚度之測定方法： 厚度未滿ΙΟμηι時，用薄膜用分光光度計[大塚電子(株) 製，製品名「瞬間分光光度儀MCPD-2000」]測定。厚度 5 在ΙΟμιη以上時，使用數位式測微計（digital micrometer) [Anritsu Corporation製，製品名「KC-351C型」]測定。 (6) 薄膜之平均折射率（n[550])的測定方法： 用 Abbe折射儀(Abbe Refractimeter)[Aatago(株)製，製 品名「DR-M4型」]從利用在23°C之波長589nm的光所測定 10 之折射率來求得。 (7) 相位差值(ReA]、RthU])之測定方法： 用王子計測機器（株）製之製品名「KOBRA21-ADH」， 在23 °C測定。 (8) 光彈性係數之絕對值(C[550])的測定方法： 15 用橢圓測厚儀(Ellipsometer)[日本分光(株)製，製品名 「M-220」]，夾住樣品（尺寸2cmxlGcm)兩端並一邊施加應 力（5〜15N)，測定樣品中央的相位差值（23 〇c /波長 550nm)，從應力和相位差值的函數的斜率算出來。 [製造例1] 2〇 使8.8g之乙細醇糸聚合物[日本合成化學（株)製，商品 名「NH-18」（聚合度1800，鹼化度99.9%)]在iO50C之空氣 循環式乾燥爐中乾燥2小時後，溶解於167 2g的二甲基亞 礙。將2.98g之2-甲氧基-1-萘甲醛（2_咖化⑴^小 naphthaldehyde)及0.80g之對甲苯磺酸· bjc和物加入該溶 33 200819873 液，在40°C擾掉1小時。進一步將的1，1-一乙氧基乙 烷（l，l-Diethoxyethane)(Acetal)加入反應溶液内，在40°C 攪 拌1小時。之後，加入2.13g之三乙胺使反應結束。所獲得 之粗生成物以1公升之甲醇進行再沈澱。將過濾過的聚合物 5 溶解於四氫呋喃，再度以甲醇進行再沈澱。將其過濾、乾 燥後，得到12.7g之白色聚合物。以1H-NMR測定該聚合物， 為具有以下述構造式（II)表示之重複單位的聚乙烯醇縮醛 (h : m! : 1^=12 : 60 : 28)。另外，測定該聚乙烯醇縮酸之 玻璃轉移溫度，為127°C。 10 【化3】

[製造例2] 使8.8g之乙烯醇系聚合物[曰本合成化學(株)製，商品 名「簡_丨8」（聚合度1800，鹼化度99.9%)]在105°C之空氣 循環式乾燥爐中乾燥2小時後，溶解於167.2g的二曱基亞 15石風。將11.8g之2-甲氧基-1-萘甲酸、10.6g之苯甲酸，以及 〇.8〇g之對甲苯磺酸· 1水和物加入該溶液，在4(TC攪拌1小 時。進一步將23.64g的1，1-二乙氧基乙烷(縮醛)加入反應溶 液内’在4(TC攪拌1小時。之後，加入2.13g之三乙胺使反 應結束。所獲得之粗生成物以1公升之甲醇進行再沈澱。將 過濾過的聚合物溶解於四氫呋喃，再度以甲醇進行再沈 34 20 200819873 ▲ °將其過濾、乾燥後，得到11.5g之白色聚合物。以1h_NMR 剛定該聚合物，為具有以下述構造式(III)表示之重複單位的 永乙烯醇縮醛(12 : m2 : n2 ·· 02=11 : 34 : 44 : 11)。另外，測 定該聚乙烯醇縮醛之玻璃轉移溫度，為13TC。 【化4】 [製造例3]

使8.8g之乙烯醇系聚合物[曰本合成化學（株）製，商品 名「NH-18」（聚合度1800，鹼化度99.9%)]在1〇5。(：之空氣 循環式乾燥爐中乾燥2小時後，溶解於167.2g的二曱基亞 10 碾。將3.85g之米酸(mesitaldehyde)及0.80g之對甲苯績酸· 1 水和物加入該溶液，在4〇。(：攪拌1小時。進一步將23.64g之 1，1-一乙氧基乙烧(縮盤）加入反應溶液内，在4〇°c攪拌1小 時。之後，加入2.13g之三乙胺使反應結束。所獲得之粗生 成物以1公升之甲醇進行再沈澱。將過濾過的聚合物溶解於 15四氫呋喃，再度以甲醇進行再沈澱。將其過濾、乾燥後， 得到13.0g之白色聚合物。以iH_NMR測定該聚合物，為具 有以下述構造式（iv)表示之重複單位的聚乙烯醇縮醛(1〆 m3 : n3:18 : 47 : 35)。另外，測定該聚乙烯醇縮酸之玻璃 轉移溫度，為122°C。 35 200819873 【化5】

使8.8g之乙烯醇系聚合物[日本合成化學(株）製，商品 名「NH-18」（聚合度1800，驗化度99·9%)]在1〇5。〇之空氣 5 循環式乾燥爐中乾燥2小時後，溶解於I67.2g的二甲基亞 颯。將3.20g之2,7-二乙炔基_1，1_二甲氧基苟（2,7_ diethynyl-l，l-dimethoxyfluorene)及 〇.78g 之無水對甲苯石黃酸 加入該溶液，在40°C攪拌1小時。進一步將18.9g之ΐ，：ι_二乙 氧基乙烷(縮醛)加入反應溶液内，在4〇°C攪拌1小時。之後， 10加入2.13g之三乙胺使反應結束。所獲得之粗生成物以^々 升之甲醇進行再沈殿。將過濾過的聚合物溶解於四氫吱 喃，再度以甲醇進行再沈澱。將其過濾、乾燥後，得到12 7g 之白色聚合物。以1H-NMR測定該聚合物，為具有以下述構 造式(V)表示之重複單位的聚乙稀醇縮盤(14 : m4 : n4=7 : 68 : 15 25)。另外，測定該聚乙烯醇縮醛之玻璃轉移溫度，為123 V。 上述2,7-一乙炔基-i，i-二甲氧基苟係使用2,7-二乙炔基 知冬酮作為起始原料’依據Carbohydrate Research，（1987)， 170, 124-135中所記載的方法合成。2,7_二乙炔基芴冬酮係 20 依據Journal of Organometallic Chemistry (1988)，556 (1-2)， 219-228中所§己載的方法合成。 36 200819873 【化6】

[製造例5 ] 使8.8g之乙烯醇系聚合物[曰本合成化學（株）製，商品 名「NH-18」（聚合度1800，鹼化度99·9%)]在i〇rc之空氣 5循環式乾燥爐中乾燥2小時後，溶解於167.2g的二甲基亞 石風。將3.62g之1-甲氧基苟（i_meth〇xyfluorene)及〇 78g之無 水對甲苯磺酸加入該溶液，在4〇°c攪拌丨小時。進一步將 18.9g之1，1-一乙氧基乙烧(縮酸)力α入反應溶液内，在攪 拌1小時。之後，加入2.13g之三乙胺使反應結束。所獲得 10之粗生成物以1公升之甲醇進行再沈澱。將過濾過的聚合物 溶解於四氫呋喃，再度以甲醇進行再沈澱。將其過濾、乾 燥後，得到17.8g之白色聚合物。以1H-NMR測定該聚合物， 為具有以下述構造式（VI)表示之重複單位的聚乙烯醇縮醛 (15 : m5 : n5=10 : 65 : 25)。另外，測定該聚乙烯醇縮駿之 15 玻璃轉移溫度，為126°C。 【化7】

[實施例1] 將在製造例1所獲得之熱可塑性聚合物溶解於甲乙 37 200819873 酮，以塗布器塗布於厚度70μηΐ2聚對苯二甲酸乙二，） (polyethylene terephthalate)薄膜（東麗製，商品 =酉曰 口口々 S-27E」）上’以空氣循環式乾燥爐使之乾燥。將已紐^ 的塗布膜從上述聚對苯二甲酸乙二醇醋薄膜剝下來，= 5厚度100叫1之透明的高分子薄膜。將該高分子薄膜用1到 機在135°C的空氣循環式恆溫槽内延伸成15倍，製作相值 差薄膜A。所獲得之相位差薄膜a的特性示於表丨。測定兮 相位差薄膜A之UV/Vis譜圖，可以得知鍵結在主鏈上之^ 甲氧基秦基(2_methoxynaphthalene)配向在和慢軸方向實質 10上呈直交的方向。另外，測量該2-甲氧基萘基之吸收端波 長（人eut>off) ’ 得到352nm(測定結果示於第5圖）。 【表1】 實施例1 實施例2 實施例3 比車交例1 比較例2 相位差薄膜 A B C X Y 吸收端 Xeut_Gff (nm) 352 352 352 287 323 厚度μηι 62 62 65 54 63 Re[450] (nm) 189.1 173.3 210.0 105.4 120.0 Re[550] (nm) 211.8 194.7 238.5 118.5 138.7 Re[650] (nm) 223.5 206.4 252.8 125.6 148.6 Δη[550] (nm) 0.0034 0.0031 0.0037 0.0022 0.0022 △Re650-450 34.4 33.1 42.8 20.2 28.6 Re[450]/Re[550] 0.893 0.890 0.881 0.889 0.865 Re[650]/Re[550] 1.055 1.060 1.060 1.060 1.071 [實施例2] !5 使用在製造例2所獲得之熱可塑性聚合物，以和實施例 1同樣的方法，製作厚度100μιη之透明的高分子薄膜。將該 高分子薄膜用延伸機在140°c的空氣循環式恆溫槽内延伸 38 200819873 一、"&作相仇差薄膜B。所獲得之相位差薄膜B的特性 社；表1〆則心亥相位差薄膜B之UV/Vis譜圖，可以得知鍵 _ 鏈上之2曱氣基萘基配向在和慢軸方向實質上呈直 乂的方向。料’測量該2·甲氧基萘基之吸收端波長 (w〇ff)，得到352nm(測定結果示於第叫。 [實施例3] …使用在製造例4所獲得之熱可塑性聚合物，以和實施例 的方法’製作厚度100陣之透明的高分子薄膜。將該 局分子薄膜用延伸機在1贼的空氣循環式恒溫槽内延伸 一乜衣作相位差薄膜C。所獲得之相位差薄膜C的特性 =於表1。測定該相位差薄膜αυν/νί8譜圖，可以得知鍵 1主鏈上之2,7_乙炔㈣基配向在和慢軸方向實質上呈 、向另外，測量該2,7_乙炔基芴基之吸收端波長 dt-off)，得到 352nm。 15 [比較例1] 20 礴 使用在製造例3所得到之熱可塑性聚合物，以和實施例 的方法，製作厚度⑽陣之透明的高分子薄膜。將該 :分子薄膜用延伸機在145°C的空氣循環式恆溫槽内延伸 一 U倍’製作相位差薄膜X。所獲得之相位差薄膜X的特性 =2表1。測定軸位差賴x之uv/vis譜圖，可以得知鍵 之2’4,6-二甲基本基配向在和慢轴方向實質上 呈直交的方向。另外，測量該相位差薄臈之吸收端沽具 (H_287n,定縣示於第·。 Μ長 [比較例2] 39 200819873 使用在製造例5所得到之熱可塑性聚合物，以和實施例 的方法，製作厚度刚卿之透明的高分子薄膜。將該 南分子薄膜用延伸機在1425〇c的空氣循環式恆溫槽内延伸 成1.5倍，製作相位差薄膜γ。所獲得之相位差薄膜γ的特性 5不於表1。測定該相位差薄膜Y之UV/Vis譜圖，可以得知鍵 結在主鏈上之芴基配向在和慢軸方向實質上呈直交的方 向。另外，測量該祕之吸收端波長(λff)，得到323咖(測 疋結果不於第8圖）。 [評估] 10 貫施例及比較例之相位差薄膜在波長450nm之面内的 相位差值（Re[450])比在波長650nm之面内的相位差值 (Re[650])小（顯示所謂的逆波長分散特性實施例丨〜3的相 位差薄膜為對慢軸方向實質上配向在直交方向之側鏈成分 的吸收端波長(Xeut_〇ff)在330nm以上。這樣的相位差薄膜不 15 僅△以㈣-柳大，而且，面内的Δη[550]也顯示出高數值。亦 即，實施例1〜3的相位差薄膜兼具有優良的逆波長分散特 性和優良的相位差測知性。另一方面，比較例1及2之相位 差薄膜因為側鏈成分的吸收端波長^eut_Qff)未達330nm，故 厚度雖與實施例大致相同，但是ARe65(M5()小，而且，△wmoj 20 數值也低。 【產業上之利用可能性】 如上所述，本發明之相位差薄膜因為顯示優良的逆波 長分散特性，所以在例如，應用於液晶顯示裝置時，對於 提昇顯示特性是有用的。 200819873 t圖式簡單說明3 【第1圖】第1A圖、第1B圖同為本發明之合適實施態 樣中之光學積層體的概略斷面圖。 【第2圖】本發明之一實施態樣中的液晶面板之概略斷 5 面圖。 【第3圖】本發明之其他實施態樣中之液晶面板的概略 斷面圖。 【第4圖】本發明之合適實施態樣中的液晶顯示裝置之 概略斷面圖。 10 【第5圖】實施例1之相位差薄膜的吸收端波長之測定 結果不意曲線圖。 【第6圖】實施例2之相位差薄膜的吸收端波長之測定 結果示意曲線圖。 【第7圖】比較例1之相位差薄膜的吸收端波長之測定 15 結果示意曲線圖。 【第8圖】比較例2之相位差薄膜的吸收端波長之測定 結果不意曲線圖。 【主要元件符號說明】 1…相位差薄膜 10…液晶單元 2…黏著層 11…基板 3…其他相位差薄膜 11’…基板 4…偏光片 12…液晶層 5…保護層 21…第1偏光片 6…光學積層體 22…第2偏光片 41 200819873 23…反射層 80…背光模組 81…光源 82…反射薄膜 83…擴散板 84…棱鏡片 85…輝度增高薄膜 100···液晶面板 101···液晶面板 200···液晶顯示裝置 42

Claims (1)

1. 200819873 十、申請專利範圍： l 一種相位差薄膜，特徵在於，含有至少具有相對於慢軸 方白貝貝上配向成直交方向的侧鍵成分(A)之熱可塑性 聚合物，且前述側鏈成分⑷之吸收端波長（λ·心)在 330nm以上，在波長45〇nm之面内的相位差值(Re [45〇]) 比在波長650nm之面内的相位差值(Re[65〇])小。 2.如申睛專利範圍第1項記載之相位差薄膜，其中前述相 位差薄膜在波長550nm之面内的複折射率（Δη[55〇])在 0.001以上。 3·如申請專利範圍第1項或第2項記載之相位差薄膜，其中 刖述相位差薄膜在波長650nm之面内的相位差值（Re [650])和，在波長450nm之面内的相位差值化蚪45〇])的 差（ARe⑽·彻=Re[ 65〇 ] — Re[45〇 ])在丨〇nm以上。 屯如申請專利範圍第i項記載之相位差薄膜，其中前述側 鏈成分(A)包含2個以上的芳香族環。 5·如申請專利範圍第丨項記載之相位差薄膜，其中前述側 鏈成分(A)包含萘骨架或芴骨架。 6.如申請專利範圍第丨項記叙相位差薄膜，其中前述側 鏈成分㈧為以下述一般式⑻或(b)表示之取代基： 43 200819873

   子、碳數1〜4的直鏈或分枝烧基、碳數1〜4的直鏈或分 枝鹵化烷基、碳數1〜4的直鏈或分枝烷氧基、碳數1〜4 的直鏈或分枝硫烷氧基、直鏈或分枝烷氧羰基、取代或 未取代之芳基、取代或未取代之乙烯基、取代或未取代 之乙炔基、酿氧基、胺基、疊氮基、頌基、氰基、經基 或硫醇基；但，式⑻中，R1不是氫原子；式(b)中，R8 〜R15之至少一取代基不是氫原子。 7. 如申請專利範圍第1項記載之相位差薄膜，其中前述熱 可塑性聚合物為乙烯醇縮醛系聚合物、烯烴系聚合物， 或碳酸S旨系聚合物。 8. 如申請專利範圍第1項記載之相位差薄膜，其中前述熱 可塑性聚合物每個重複單位含有2莫耳％〜40莫耳％之 側鏈成分(A)。 9. 如申請專利範圍第1項記載之相位差薄膜，其中前述熱 可塑性聚合物具有以下述一般式(I)表示之重複單位： 【化2】 44 200819873

   式(1)中，R1〜R7各自獨立，表示氫原子、鹵原 山 〜4的直鏈或分枝烷基、碳數1〜4的直鏈或分枝南化浐 基、碳數1〜4的直鏈或分枝烷氧基、碳數1〜4的直鏈^ 刀枝<垸氧基、直鏈或分枝的烧氧魏基、取代或未取三戈 之芳基、取代或未取代之乙烯基、取代或未取代之乙炔 基、醯氧基、胺基、疊氮基、硝基、氰基、羥基或硫醇 (但，R1不是氫）；A1及A2各自獨立，代表氫原子，碳數i 4的直鍵或分枝烧基，或經取代或未取代之芳美·八3 表示氫原子、碳數1〜4的直鏈或分枝烷基、碳數5〜忉 的取代或未取代之環烷基、取代或未取代之芳基、取代 或未取代之萘基，或經取代或未取代之雜環基；A4代表 氫原子、碳數1〜4的直鏈或分枝烷基、苄基、甲矽烷基、 磷酸基、烷醯基、苯曱醯基或磺醯基；丨為2〜4〇莫耳％， m為2〜80莫耳％，福卜仞莫耳％(但，1+m+n=1〇〇莫耳 %) 〇 10.如申請專利範圍第丨項記載之相位差薄膜，其中前述相 位差薄膜在波長550nm之面内的相位差值(Re[550])為 50nm〜500nm。 11·如申請專利範圍第丨項記載之相位差薄膜，其中前述相 45 200819873 位差薄膜在波長450nm之面内的相位差值（Re[450]) 和，在波長550nm之面内的相位差值（Re[550])的比 (Re[450]/Re[550])在 0.95 以下。 12. 如申請專利範圍第1項記載之相位差薄膜，其中前述相 位差薄膜在波長650nm之面内的相位差值（Re[650]) 和，在波長550nm之面内的相位差值（Re[550])的比 (Re[650]/Re[550])在 1.02 以上。 13. —種光學積層體，其包含申請專利範圍第1項記載之相 位差薄膜。 14. 如申請專利範圍第13項記載之光學積層體，其進一步包 含其他的相位差薄膜。 15. 如申請專利範圍第13項記載之光學積層體，其進一步包 含偏光片。 16. —種液晶面板，其包含申請專利範圍第1項至第12項中 任一項所記載的相位差薄膜。 17. —種液晶顯示裝置，其包含申請專利範圍第16項記載之 液晶面板。 46