TW200816586A - Semiconductor device, and manufacturing method of the same - Google Patents

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TW200816586A
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Yuji Masui
Takahiro Arakida
Yoshinori Yamauchi
Kayoko Kikuchi
Rintaro Koda
Norihiko Yamaguchi
Tomoyuki Oki
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Sony Corp
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Description

200816586 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 而特性容易變化 本發明係關於一種包含因製造時之誤差 之功能部分的半導體元件及其製造方法。 【先前技術】
面發光型半導體雷射元件係在基板上形成有—對多層膜 反射鏡’在其成對之多層膜反射鏡之間包含成為發光區域 之活性層，，在—方之多層膜反射鏡上，為了提高對 純層之電流注人效率，並降低臨限值電流，而設有包含 縮小電流注人區域之構造的電流狹窄層。此外，在此等半 導體層上形成有支柱（post)型之台面部，並分別在其台面 部之上面側設置上部電極，在基板之背面側設置下ς電 極，上部電極中設有射出雷射光用之開口冑。該雷射元件 係藉由電流狹窄層，使自上部電極及下部電極注入之電流 狹窄後，注入活性層，在此處發光，光以一對多層膜反射 鏡反覆反射，作為雷射光而自開口部射出。 再者，上述之電流狹窄層，通常係藉由自台面部之側面 氧化砷化鋁（AlAs)層而形成者，先前如藉由氧化時間來控 制氧化狹窄徑（非氧化區域之電流注入區域之直徑），或是 如專利文獻1所不’在一片晶圓内形成監視器用之台面 部’藉由反射率依其台面部中包含之砷化鋁層的疊層面内 之氧化面積的變化，控制氧化狹窄徑而形成。 但是’氧化砷化鋁層之速度，除了基板溫度及反應氣體 之供給流量之外，亦主要基於砷化鋁層之厚度及雜質濃度 119342.doc 200816586 等，因此，不但氧化狹窄徑之重現性差，即使在一片晶圓 之面内’氧化狹窄徑亦往往不均一。因而，即使使用上述 之方法si D亥重現性之惡劣程度及面内之不均一造成氧化 狹窄徑之誤差’往往比氧化狹窄徑所要求之精度(如士0.5 μπι以上）大，而導致從一片晶圓獲得之雷射元件數量（收穫 率）降低。 [專利文獻1]日本特開2001_210908號公報 【發明内容】
[發明所欲解決之問題] 因此，如圖4 3所示 考慮藉由在一片晶圓之面内形成台 面徑R101-R103相互不同的數個台面部Μ1〇1〜Μ1〇3，氧化 此等包含之砷化鋁層（圖上未顯示），而形成氧化狹窄徑 a101〜a1〇3相互不同之未氧化區域U5B，在任何丨個台面部 中’形成包含與特定之基準（aG±Ax)—致之氧化狹窄徑的未 氧化區域115B(參照圖4句。另夕卜，圖43中之-點鏈線例示 氧化處理後，《了將晶圓分割小塊形成晶片狀而切割之處 所。 但是’使用該方法時，雖有可能容易形成包含與特定基 準一致之氧化狹窄徑的雷射元件，但是，必然要廢棄包含 與特疋基準不-致之氧化狹窄徑的雷射元件，因此，有台 面徑之種類愈增加，收穫率愈降低的問題。 此外，此種問題在包含因製造時之誤差特性容易變化之 功能部分的半導體元件中亦同樣地發生。 有鑑於該問題，本發明之目的為提供一種可大幅增加收 119342.doc 200816586 穫率之半導體元件的製造 半導體元件。 方法及藉由其製造 方法所製造之 [解決問題之技術手段] 個參數值相互不同之數 本發明之半導體元件具備至少 個功能部分。 由於本發明之半導體 ^ y 件具備至少1個參數值相互不同 之數個功能部分，因此蕤ά I# u此糟由適切調節各個參數值，可在製
4步驟中至少形成1個盥 、 ο特疋基準一致之功能部分。另 上述之特疋基準可為，亦可為數個。 本發明之第-半導體元件的製造方法，係包含以下之 (A)〜(C)步驟者。 (A) 第一形成步驟，豆伤A直 、 哪，、係在基板上形成半導體層後，在半 導體層上，各嚴彳々By二士 曰曰片面積形成至少1個參數值相互不同 之數個功能部分，作為一個群； (B) 計測、評估步驟，坌 /哪其係计測、評估依參數值而變化 者；及 (C)分副步驟’其係基於評估之結果，以不破壞與特定基 準一致之功能部分的方式，將基板分割各單位晶片面積； 另外，上述之特定基準可為丨個，亦可為數個。 由於本發明之第-半導體元件的製造方法，係在半導體 層上，各單位晶片㊆積形成至少1個參數值相互不同之數 個功能部分，因此，藉由適切調節各個參數值，各單位晶 片面積至少可形成1個與特定基準一致之功能部分。 如製造包含因製造時之誤差而特性容易變化之功能部分 H9342.doc 200816586 的半導體元件時，藉由考慮其誤差，使各個功能部分之至 少！個參數值相互不同，各單位晶片面積至少可形成上個與 特疋基：確實一致之功能部分。此外，如設定數個特定基 準時’猎由考慮誤差’使各個功能部分之至少丨個參數值 相互不同’各單位晶片面積至少可形成“固至少與Η固基準 確實一致之功能部分。
另外，各單位晶片面積存在數個與特定基準一致之功能 部分情況下亦可依目的及用途等選擇此等或併用。此 外’與特定基準不一致之功能部分存在情況下，如亦可如 以下實施。如與特定基準不—致之功能部分對與特定基準 一致之功能部Μ致造M U彡響時，仍然㈣與特定基 準不一致之功能部分，而在造成某種不良影響時，以不致 造成不良影響之程度’來破壞或除去與特定基準不一致之 功能部分。 本發明之第二半導體元件的製造方法，係包含以下之 (Α)〜(D)步驟者。 ⑷第-形成步驟，其係在基板上形成半導體層後，各單 位晶片面積分別形成：數個第一功能部分，其在半導體層 中係各參數值相互共用；及數個第二功能部分，其在半導 體層中係各參數值相互共用，並且至少心參數值與第一 功能部分之參數值不同； (Β)第二形成步驟，其係對應於一個第_功能部分與一個 第一功能部分，而形成共用電極； (C)計測、評估步驟’其係計測、評估依參數值而變化 119342.doc 200816586 者；及 ()刀Dj V驟’其係基於評估結果，以切離共用電極中最 接近於與特定基準—致之功能部分的部位，及共用電極中 :接近於與特定基準不一致之功能部分的部位之方式，各 單位晶片面積分割基板。
本發明之第二半導體元件的製造方法，係在半導體層 中，各單位晶片面積分別形成：數個第一功能部分，並： 各參數值相互共用；及數個第二功能部分，其係各參數值 相互共至少i個參數值與第—功能部分之參數值 不同。猎此，藉由適切地調節各個參數值，可在半導體層 上至J形成1個與特定基準一致之功能部分。此外，對應 於-個第-功能部分與一個第二功能部分而形成共用電極 ^ ’係以切離制電極巾最接近於與特定基準-致之功能 部分的部位’及共用電極中最接近於與特定基準不一致之 功能部分的部位之方式來分割基板。藉此，比各功能部分 形成電極時，可減少形成於半導體層上之電極數量。 【實施方式】 [發明之效果] 本發明之半導體元件’由於具備至少^參數值相互不 ^之數個功能部分，因此，在製造步驟中，至少存在i個 與特定基準-致之功能部分。藉此，由於在製造步驟中不 致造成因與特^基準不__致，而廢棄包含其功能部分之晶 片（半導體元件）等的浪費，因此可大幅增加收穫率。 採用本發明之第一半導體元件的製造方法時，由於係各 U9342.doc 200816586
而廢棄包含其功能部分之晶片（半導體元件）等的 不同之數個功能部 個與特定基準一致 此可大幅增加收穫率。
準不'致’ 的浪費，因 |準不一致，而整個廢棄晶圓等的浪費，可大幅增加收穫 率。此外，由於係在對應於一個第一功能部分與一個第二 功能部分而形成共用電極後，以切離共用電極中最接近於 與特定基準一致之功能部分的部位，及共用電極中最接近 於與特定基準不一致之功能部分的部位之方式來分割基 板，因此，比各功能部分形成電極時，可增加從一片晶圓 切出包含與特定基準一致之功能部分的晶片數量，收穫率 提面。 以下，參照圖式詳細說明本發明之實施形態。 [第一種實施形態] 圖1係表示本發明第一種實施形態之面發光型之半導體 雷射1的上面圖者。圖2係表示圖1之半導體雷射itA-A箭 頭方向的剖面結構者，圖3係表示圖1之半導體雷射 箭頭方向的剖面結構或是圖2之半導體雷射1之C-C箭頭方 向的剖面結構者。 119342.doc -11 - 200816586 該半導體雷射1係將台面徑作為參數，而具備台面_ R1〜R4相互不同之4個台面部Μ1〜M4者，此等4個a面部 Ml〜M4形成於與先前之面發光型的半導體雷射同裳曰 』寸I日日片 面積中。 此處之晶片面積，通常係由處理晶片時之作業性來決定 者，如成為一邊長度L·為300 μπι之正方形的面積（3〇〇 μιηχ300 μιη)程度。此外，台面部Ml〜Μ4在晶片内之配 置，可配置於至少台面部M2未被切割而分斷之位置，如 圖1所示’亦可將台面部Ml〜M4配置成一行，或如圖4所 示，亦可將台面部Μ1〜M4配置成交錯狀。因此以下，權宜 上就台面部Μ1〜Μ4配置成一行之情況作說明。 該半導體雷射1係在基板10之一面侧具備半導體層2〇 者。該半導體層20係從基板10侧依序堆疊：下部dBR反射 鏡層11、下部包覆層12、活性層13、上部包覆層14、電流 狹窄層15(功能部分）、上部DBR反射鏡層16及接觸層17而 構成。半導體層20中，在下部DBR反射鏡層11之一部分、 下部包覆層12、活性層13、上部包覆層14、電流狹窄層 15、上部DBR反射鏡層16及接觸層17上，如後述，藉由選 擇性蝕刻從接觸層17側至下部DBR反射鏡層11之一部分， 而分別形成4個台面部Ml〜M4。 基板10如係η型砷化鎵（GaAs)基板。下部DBR反射鏡層 11係將低折射率層（圖上未顯示）及高折射率層（圖上未顯 示）作為1組’並將其數組部分堆疊而構成者。低折射率層 如包含光學厚度為λ/4(λ為振盪波長）之n型AlxlGai_xl 119342.doc -12· 200816586
As(〇<xl<l)，高折射率層如包含光學厚度為人/4之^型 AluGabuAsiiXx〗^)。n型雜質如為矽（si)或硒（Se)等。 下部包覆層12如包含AUGaksAsCiXxSd)。活性層13如 包含砷化鎵系材料，且未氧化區域15B(後述）中，與形成 於台面部M2内之部分相對的區域成為發光區域13A。上部 包覆層14如包含Al^GaiwAsCCKxei)。此等下部包覆層 12、活性層13及上部包覆層14須不含雜質，不過亦可含有 P型或η型雜質。p型雜質如為鋅（Zn)、鎂（Mg)、鈹（Be)等。 電狹乍層15在台面部]VII〜M4之各個外緣區域包含氧化 區域15A，在台面部Ml〜M4之各個中央區域包含未氧化區 域 15B。 未氧化區域15B如包含p型AlxsGausAsCtXxSgl)。此 時’由於在台面部M2之上面，如後述地形成有上部電極 22 ’因此，未氧化區域15B中，形成於台面部m2内之部 分’作為將來自上部電極22之電流注入活性層1 3之電流注 入區域的功能。另外，由於台面部Ml，M3, M4如後述地被 保護膜2 1覆蓋，因此，電流不流入未氧化區域丨5B中形成 於台面部Ml，M3, M4内之部分。 此外，氧化區域15A包含氧化鋁（Al2〇3)而構成，如後 述’係藉由自台面部Ml〜M4之側面側氧化AlGaAs層 15D(前驅氧化狹窄層）中包含之高濃度鋁而獲得者。另 外’ AlGaAs層15D包含在構成半導體層20之各層中最容易 被氧化的材料。因此，氧化區域15 A中形成於台面部M2内 之部分作為使注入活性層丨3之電流狹窄的電流狹窄區域之 119342.doc -13· 200816586 功能，而台面部Μ1，M3，M4中，如上述，由於不流入電 流，因此氧化區域15Α中，形成於台面部ΜΙ，M3，Μ4内之 部分並無電流狹窄功能。亦即，台面部Μ1〜M4中僅台面部 M2作為雷射之功能，而台面部Ml，M3，Μ4不作為雷射之 功能。不過，由於台面部Μ4藉由切割而分斷，因此原本 即不具使雷射振盪之能力。 上部DBR反射鏡層16係將低折射率層（圖上未顯示）及高 折射率層（圖上未顯示）作為1組，並將其數組部分堆疊而構 成者。低折射率層如包含光學厚度為λ/4之ρ型Alx6Gaix6 As(0<x6<l)，高折射率層如包含光學厚度為λ/4之p型 AlxvGaiwAsCCKxTd)。接觸層17如藉由ρ型石申化鎵而構 本貝把形態之面發光型半導體雷射1中，在台面部Μ ^， M3，M4之上面及側面、台面部m2之側面與台面部μ 1〜M4 之周邊區域的表面還形成有保護膜2丨。此外，在台面部 M2之上面（接觸層丨7之表面）的外緣區域形成有環狀之上部 電極22，其中央區域亦即對應於上述氧化區域15入之區域 成為開口部22A。該上部電極22與形成於保護膜21中自台 面部Μ1〜M4離開之部分的表面之電極焊墊23電性連接。此 外’在基板1 〇之背面形成有下部電極24。 保遵膜2 1如係藉由氧化物或氮化物等絕緣材料而形成 者，而將電極焊墊23與下部DBR反射鏡層丨丨及台面部％2之 側面之間相互絕緣。上部電極22及電極焊墊23如係依序堆 豐鈦（τ〇層、鉑（Pt)層及金（Au)層而構成者，並與接觸層 H9342.doc -14 - 200816586 。連接下一電極24如具有自基板1〇側起依序堆疊金 (An)與錄（Ge)之合金層、鎳㈤）層及金㈣層的構造，並 與基板1 0電性連接。 、再者，本實施形態之半導體雷射，纟台面部M1〜M4如形 成圓柱形狀，Λ時之各台面部Ml〜M4的直徑R1〜R4，係考 慮在後述之氧化步驛中，氧化各台面部Mi〜M4mGaAs 層15D4形成未氧化區域15B時，將標準之氧化速度（後 述）乘上氧化時間而獲得之標準之氧化深度，最大產生 誤差士Ay來設定。 通常，氧化狹窄徑係嚴格設定成達到較目的及用途所 要求之雷射特性之值者。氧化狹窄徑中要求之精度亦依其 目的及用途而一些差異，不過，一般而言，比氧化步驟中 產生之氧化狹窄徑的誤差嚴格。因而，本實施形態係將氧 化深度b中最大具有誤差土Δγ作為前提，如圖$所示，係以 各台面部Ml〜Μ4之至少1個氧化狹窄徑與特定之目的及用 途中氧化狹窄徑所要求之允許範圍（ai〇ztAxi()) 一致之方 式’來設定各台面部Ml〜M4之直徑ri〜R4。如&1〇為9·5 μηι，△父⑼為〇·5 μηι程度，Ay為2 μηι程度情況下，台面部 Ml之直徑R1如設定成28 gm( = a10+AXl0+b-Ay)，台面部Μ2 之直徑R2如設定成29 μπι(=ΐα+2Δχ10)，台面部m3之直徑 R3如設定成30 pm(=R2 + 2Ax10=R4-2Ax10)，台面部Μ4 之直 徑R4如設定成31 Km(=a1(rAx1()+b+Ay)。藉此，氧化深度b 為20 μιη 土 Ay以下時，氧化狹窄徑ai〜a4中之至少1個與特定 之基準OlQitAXio)確實一致。 119342.doc •15- 200816586 此外，如設定相互相鄰之數個基準情況下，將氧化深度 b中最大具有誤差士Ay作為前提，如圖6所示，係以各台面 部Ml〜M4之至少1個氧化狹窄徑與特定之目的及用途中氧 化狹乍径所要求之允許範圍（ai〇士Δχι(^ au土ΑΧιι)之任何1 個一致之方式，來設定各台面部Μ1〜Μ4之直徑R1〜R4。藉 此’氧化深度b之誤差為士Ay以下時，氧化狹窄徑&1〜叫中 之至JM個與數個基準（aiG士心⑺及^士△xn)之任何1個破實 一致0 此外’如設定相互不相鄰之數個基準情況下，將氧化深 度b中最大具有誤差土~作為前提，如圖7所示，係以各台 面部Μ1〜M4之至少1個氧化狹窄徑與特定之目的及用途中 氧化狹窄徑所要求之允許範圍（au士Δχΐ2) 一致，並且各台 面部Μ1〜Μ4之至少1個氧化狹窄徑與特定之目的及用途中 氧化狹窄徑所要求之允許範圍（ai3 土 Δχΐ3)一致之方式，來 设疋各台面部Ml〜Μ4之直徑ri〜R4。藉此，氧化深度b之 5吳差為土Ay以下時’氧化狹窄徑ai〜a4中之至少1個與一個 基準（au 士 Δχ!2)確實一致，且氧化狹窄徑&广^中之至少1個 與其他之基準（an±Ax13)確實一致。 另外’本實施形態之半導體雷射1，在計測、評估步驟 中，具有與特定基準一致之氧化狹窄徑的台面部，係選擇 台面部M2，因而係在台面部M2之上面形成上部電極22， 且電極烊墊23與上部電極22電性連接，其詳述於後。 如此構成之半導體雷射i，在上部電極22與下部電極24 之間施加特定之電壓時，通過未氧化區域丨5B中形成於台 119342.doc -16 - 200816586 面部M2之部分，而注入電流於活性層丨3，藉此，因電子 與電洞再結合而產生發光。該光藉由一對下部DBR反射鏡 層11及上部DBR反射鏡層16反射，而以特定之波長產生雷 射振盪，並作為雷射光束而自開口部22A射出於外部。 本實施形態之半導體雷射1，可如以下所述地製造。 圖8〜圖13係按照步驟順序表示其製造方法者。另外，圖
/ 8係表示製造過程之晶圓的一部分剖面結構者，圖9係表示 製造過程之晶圓表面的一部分者，圖1〇係表示圖9之c_c箭 頭方向的剖面結構者。圖11(A)係表示氧化處理圖1〇之晶 圓時的剖面結構者，圖11(B)係表示圖11(A)之晶圓表面的 部分者。圖12係表示在圖ιι(Β)之晶圓上形成上部電極 22打之上面結構者，圖13係表示圖12之〇_〇箭頭方向的剖 面、構者另外，圖12中之一點鏈線，係例示為了將晶圓 分割成小塊形成晶片狀而切割的處所者。 此處，如藉由MOCVD(有機金屬化學氣相生長；Meul Organic Chemical Vap〇r Dep〇siti〇n)法而形成包含砷化鎵 之基板10D上的半導體層2〇D。此時，m_v族化合物半導 體之原料如使用三甲基銘（ΤΜΑ)、三甲基鎵（tmg)、三甲 土銦(TMIn)—氫化砷(AsH3)，施體雜質之原料如使用 H2Se’受體雜質原料如使用二甲基辞（譲幻。另外，基板 之末尾的D係表示形成半導體雷身"之基㈣的中途 者’附加於其他符號之末尾的时表示同樣的意思。 (形成步驟） 下部DBR反射鏡層 首先’在基板10D上依序堆疊 H9342.doc 200816586 11D下#包覆層12D、活性層13〇、上部包覆層、 AlGaAs層15D〇』驅電流狹窄層）、上部dbr反射鏡層16〇 及接觸層17D(圖8)。繼續，選擇性蝕刻下部dbr反射鏡層 11D之邛刀、下部包覆層12D、活性層13D、上部包覆層 14D、AlGaAs層15D、上部DBR反射鏡層16D及接觸層 17D，而各單位晶片面積形成台面徑R1〜R4相互不同之4個 口面。P Ml〜M4(圖9、圖1〇)。藉此，在各台面部M1〜M4i 端面露出AlGaAs層15D。 此處，所明單位晶片面積，係藉由切割而將一片晶圓分 割成小塊形成晶片狀時，丨個晶片所佔之面積。本實施形 悲之單位晶片面積係與先前之面發光型的半導體雷射同等 之面積，如係300 μιηχ30〇 μιη程度之面積。因此，本實施 形態與各單位晶片面積僅形成1個台面部時（參照圖2 5 )比 較’每單位晶片面積之台面部數量達到4倍。 其次，在水蒸氣氣氛中，以高溫進行氧化處理，自各台 面部Ml〜Μ4之側面選擇性氧化AlGaAs層15D之鋁（圖11(A)， (B))。藉此，AlGaAs層15D中，各台面部Ml〜M4之外緣區 域成為包含氧化鋁（AGO3)之氧化區域15A，各台面部 Ml〜M4之中央區域成為未氧化區域15B。如此形成電流狹 窄層15。 此時，如除了基板10D之溫度及反應氣體之供給流量 外，依據從AlGaAs層15D之厚度及雜質濃度等推測之 AlGaAs層15D的標準之氧化速度，來控制氧化時間。藉 此，儘量縮小各台面部Μ1〜M4之未氧化區域15B的直徑（氧 119342.doc -18- 200816586 化狹窄梭）ai〜a4之誤差。 (計測、評估步驟） 其次，如以光學顯微鏡觀察各台面部Ml〜M4之上面，來 計測各台面部M1〜M4之氧化狹窄徑ai〜〜，評估哪個氧化 狹乍住a〗〜a4與特定之基準一致。如此，藉由計測氧化狹窄 徑a^4，並將其計測值與特定之基準對比，可間接地推測 各台面部Μ1〜M4之雷射特性。 而後，評估結果瞭解，如圖5之情況，係台面部Μ2之氧 化狹窄徑h與特定之基準（ai〇 士 Δχι〇) 一致，圖6之情況，係 台面部M2之氧化狹窄徑^與特定之基準（ai〇±Axi〇)一致， 並且台面部M3之氧化狹窄徑as及台面部馗4之氧化狹窄徑 a#與特定之基準〇η±ΔΧι1)一致，圖7之情況，係台面部M2 之氧化狹窄徑a?與特定之基準（au 土 Δχΐ2)一致，並且台面部 M4之氧化狹窄徑與特定之基準（a^iAx〗3)一致。藉此， 为別依目的及用途’圖5之情況可選擇台面部M2，圖6之 情況可選擇台面部M2〜M4，圖7之情況可選擇台面部M2, M4，不過，此處權宜上選擇台面部M2。 其次’在選出之台面部M2的上面形成包含開口之保護 膜21後，在台面部M2之上面形成包含開口部22A之上部電 極22(圖12、圖13)。再者，保護膜21中，自台面部M1〜M4 離開之場所，形成與上部電極22電性連接之電極焊塾23， 並且在基板1 〇之背面側形成下部電極24。 (分割步驟） 最後，至少在不破壞（分斷）台面部M2之位置，如在圖12 119342.doc -19- 200816586 之一點鏈線的位置進行切割，予以晶片化。如此，來製造 本實施形態之面發光型的半導體雷射i。 再者，如上述，由於氧化步驟中產生之氧化狹窄徑的誤 差往往比氧化狹窄徑所要求之精度大，因此，一片晶圓之 各單位晶片面積，形成1個台面徑相互相等之台面部情況 下，可能自一片晶圓連1個包含與特定基準一致之氧化狹 窄徑的晶片都無法取得。
因此，如圖43所示，考慮一片晶圓之各單位晶片面積逐 一形成台面徑Rl〇l〜R103相互不同之數個台面部 M101〜Ml 03，氧化此等中包含之砷化鋁層（圖上未顯示）， 而形成氧化狹窄徑a1()1〜ai(n相互不同之未氧化區域U5B。 此種情況下，確實有可能在數個台面部M1〇1〜M1〇3中的任 何1個台面部中形成包含與特定基準（a〇+Aa)(參照圖44)一 致之氧化狹乍徑的未氧化區域丨丨5B。但是，由於必然捨棄 形成了包含與特定基準不一致之氧化狹窄徑的台面部之晶 片，因此，台面徑之種類愈增加，捨棄晶片之比率愈增 加，而導致收穫率降低。 曰 另外，本實施形態係以各台面侧〜綱之至少（個氧化 狹窄徑確實與特定基準一致之方式，來分別設定各台面部 M1〜M4之直徑R1〜R4。藉此，即使氧化步驟中產生之氧化 狹：徑一的誤差比氧化狹窄徑所要求之精度大時，仍可 各單位晶片面積至少確實形成丨個與特定基準一致之台面 部。結果，不致因與衫基準不—致而廢棄包含其台㈣ 之晶片等的浪費，而可大幅增加收穫率。 H9342.doc -20- 200816586 [第二種實施形態]
本實施形態之面發光型的半導體雷射2，係以各台面部 Ml〜M4之至少1個氧化狹窄徑與特定之基準確實一致的方 式，來分別設定各台面部Ml〜M4之直徑R1〜R4者，這一點 與上述實施形態之半導體雷射1的結構共同。但是，與上 述實施形態之計測、評估方法不同之處為··本實施形態係 在各台面部Ml〜M4中形成至可使雷射振盪之結構後，在各 台面部Ml〜M4中注入電流，計測各台面部μ卜M4之雷射 特性，來評估其計測值是否與特定基準一致。此外，本實 施形態中之基準係就1個或數個雷射特性之允許範圍者， 亦與上述實施幵> 恶中之基準（氧化狹窄徑之允許範圍）不 同。 因此，以下主要說明與上述實施形態不同之處，而適當 地省略與上述實施形態共同之結構、作用、效果的說明。 圖14係表不本實施形態之面發光型的半導體雷射2之上 面結構者。該半導體雷射2係在各台面部Μ1〜Μ4之上面形 成包含開口部22Α之上部電極22，且各台面部μι〜μ4之各 上部電極22個別地形成有電極焊墊幻。此等々個台面部
Ml〜Μ4與上述實施形態相同，係形成於與先前之面發光型 的半導體雷射同等的晶片而接士 幻日片面積中。各台面部Ml〜M4在晶片 内如配置成格柵狀。台面 口 ¢3M2配置於未精由切割而分斷 的位置，如配置於晶片由 月中央。台面部Ml如配置於夾著台 面部M2的一對端面近会 + 方並糟由切割而分斷。台面部M3 如配置於四個角落之近 A方，並糟由切割而分斷。台面部 119342.doc -21- 200816586 M4如配置於與台面部M2不同之一對端面近旁，並藉由切 割而分斷。因此，台面部M1〜M4中，僅台面部M2作為雷 射之功能，而台面部Ml，M3, M4不作為雷射之功能。 圖1 5係表示製造過程中晶圓表面之一部分者。各單位晶 片面積形成有4個台面部Ml〜M4，在各台面部M1〜M4之上 面，包含開口部22A之上部電極22，各台面部M1〜M4之各 上邛電極22個別地形成有電極焊墊23。另外，在基板1〇之 背面側形成有下部電極24，不過圖上並未顯示。亦即，各 台面部Ml〜M4中形成至可使雷射振盪之結構。 (計測、評估步驟） 如此，在各台面部Ml〜M4中形成至可使雷射振盪之結構 後如在各台面部Ml〜M4之上部電極22與下部電極24之間 施加電壓，在各台面部M1〜M4中使雷射振盪，而自各開口 邛22A射出雷射光。此時，計測自各開口部22A射出之雷 射光的特性（如光輸出及NFp)，及計測各台面部mi〜m42 L限值電流等，計測各台面部M1〜M4之雷射特性，來評估 其計測值是否與按照特定目的及用途所設定之特定基準一 致亦即，本實施形態並非如上述實施形態，藉由將氧化 狹乍桎之汁測值與特定基準作對比，而間接地推測各台面 部Ml〜]vu之f射特性，而係直接評估各台面部mi〜m4之 雷射特性。藉此，彳以比上述實施形態中之評估方法高的 ^度，選擇包含適合特定目的及用途之雷射特性的台面 ^另外此時之評估結果，權宜上係選擇台面部M2 者0 119342.doc -22- 200816586 (分割步驟） 最後’在至少不破壞（分斷）選出之台面部M2的位置，如 在圖1 5之一點鏈線的位置進行切割予以晶片化。如此來製 造本實施形態之半導體雷射2。 本實施形態之半導體雷射2與上述實施形態相同，係以 各台面部Ml〜M4之至少1個氧化狹窄徑與特定基準確實一 致之方式，來分別設定各台面部M1〜M4之直徑R1〜R4。藉 此’即使氧化步驟中產生之氧化狹窄徑ai〜a4的誤差比氧化 狹乍徑所要求之精度大時，仍可各單位晶片面積至少確實 形成1個與特定基準一致之台面部。結果，不致因與特定 基準不一致而廢棄包含其台面部之晶片等的浪費，而可大 幅增加收穫率。 [第二種實施形態之變形例] 另外’氧化步驟中產生之氧化狹窄徑的誤差不太大情況 下，無須各單位晶片面積形成許多台 面部Μ1〜Μ 4，亦可如 圖16所不，各單位晶片面積將2個台面部Μ2，Μ3形成一 行’或如圖17所示，各單位晶片面積將2個台面部m2，M3 形成交錯狀，並進行與上述相同之計測、評估。而後，評 估結果，選擇台面部M2情況下，如亦可對應於圖16之一 點鏈線進行切割，而形成圖18所示之半導體雷射，亦可對 應於圖17之一點鏈線進行切割，而形成圖19所示之半導體 雷射。 [第三種實施形態] 本實施形態之面發光型的半導體雷射4，在連接於包含 119342.doc -23 - 200816586 適合特定目的及用途之雷射特性的台面部之電極焊塾25上 存在伴Ik切割之切斷面，而上述第二種實施形態之半導體 雷射2，在連接於包含適合特定目的及用途之雷射特性的 台2部之電極焊墊23上不存在此種切斷面。因此，本實施 形態之半導體雷射4與上述第二種實施形態之半導體雷射2 的結構主要之差異在這一點。 因此，以下主要說明與上述第二種實施形態不同之處， 而適當地省略與上述第二種實施形態共同之結構、作用、 效果及製造步驟的說明。 圖20係表示本實施形態之半導體雷射4的上面結構者。 该半導體雷射4具備·· 4種台面部Ml〜M4及電極焊墊25。 各台面部Mi〜M4如圖20所示，係在不致藉由切割而破壞 而可作為雷射功能的狀態下配置。 電極焊墊25之結構如係在保護膜2丨上依序堆疊：鈦層、 鉑層及金層’ϋ包含：焊墊部25A，及與晶片上之台面部 數量相等數量（4個）的連結腕部25B。 此時，：!:干墊部25 A係連線銲接用之部分，如具有矩形狀 之形狀。各連結腕部25B如具有延伸於特定方向之帶狀的 形狀，各連結腕部25B之一端連結於焊墊部25A。各連結 腕部25B中之i個另一端直接連接於4種台面部％“％‘中之 1個台面部M2的上部電極22。各連結腕部25B中，直接連 接於上部電極22者以外者的另一端藉由切割而切斷，藉由 切斷所形成之面（切斷面25C)露出於晶片之端面。因此， 各連結腕部25B中，直接連接於上部電極22者以外者的另 H9342.doc -24- 200816586 一端未連接於台面部Ml〜M4之上部電極22。
此外，4種台面部Ml〜M4中，未連接上述連結腕部25b 之3個台面部Ml，M3, M4之各上部電極22上，連接電極焊 墊25之一部分（圖20係僅連結腕部25B)。連接於該3個台2 部Ml，M3, M4之各上部電極22的電極焊墊25之一部分（以 下，稱為「微小電極焊墊」）藉由切割而切斷，藉由切斷 所形成之面（各切斷面25D)露出於晶片之端面。因此，連 接微小電極焊墊之台面部M1，M3, M4上的上部電極22，與 未連接微小電極焊塾之台面料2上的±部電極22電性分 離0 此外，連接於台面部M2上 w ----- wv ^ ^ 25 ’具有比連接於台面部Μ1, Μ3, Μ4上之上部電極22的微 小電極焊墊大之面積，而於連線鮮接時具有充分之面積。 因此，本實施形態僅將台面部Μ2作為雷射來驅動。 圖21係表示製造過程中之晶圓表面的—部分者，*種么 面部⑷〜Μ4作為-個群而各單位晶片面積形成，在各群; 之台面部組〜M4的上面形成有包含開口部22A之上部電極 22。另外’在基板U)之背面側形成有下部電極2[不過圖 :並未顯示。亦即，各台面部⑷〜料形成至 盪之結構。 (電極焊墊形成步驟） 如此’各台面部⑷德中形成至可使雷射振蘯之結構 後’自相互鄰接之數個群的各群選擇氧化狹窄徑相互不同 之個台面部。如自相互鄰接之4個群的各群，分別逐_ 119342.doc -25- 200816586 、、氧化狹乍徑相互不同之4種台面部Ml〜M4。其後，形 成才互連接選出之各台面部Ml〜M4的電極焊墊25 (圖22)。 亦即，本實施形態並非各台面部Ml〜M4逐一形成電極焊 、而係對數個台面部共用地形成。此外，該電極焊墊 、並非對氧化狹窄徑之相互相等的數個台面部共用地形 成而係對氧化狹窄徑之相互不同的數個台面部共用地形 成，亚宜對氧化狹窄徑之相互不同的各台面部⑷〜刚共用 地形成。再者，該電極焊墊25並非對一群内之數個台面部 形成而係對屬於相互不同之群的數個台面部形成。 此外，就晶圓上之特定群，各台面部M1〜M4逐一形成電 極¥塾23 ’來取代電極焊塾25(圖上未顯示）。該電極焊塾 係在後述之n评估步驟中，評估各個台面部m i〜綱 之特性時使用之測試用的電極焊墊。另外，對台面部 Ml〜M4 ’而自共用之電極焊墊25供給電流，藉由將各台面 口P Ml〜M4作為雷射來驅動，可評估各台面部以1〜乂4之特 性情況下，則無須形成測試用之電極焊墊23。 (計測、評估步驟） 其次，如在與測試用之電極焊墊23連接的各台面部 Ml〜M4的上部電極22與下部電極24之間施加電壓，在各台 面部Mi〜M4中使雷射振盪，而自各開口部22八射出雷= 光。此時’計測自各開口部22A射出之雷射光的特性（如光 輸出及NFP) ’及§十測各台面部μ丨〜M4之臨限值電流等， 計測各台面部M1〜M4之雷射特性，來評估其計測值Z否與 按照特定目的及用途所設定之特定基準一致。亦即，本實 H9342.doc -26- 200816586 施形態與上述第二種實施形態相同，係直接評估各台面部 Ml〜M4之雷射特性。藉此，可以比上述第一種實施形態中 之評估方法高的精度，選擇包含適合特定目的及用途之雷 射特性的台面部。另外，此時之評估結果，權宜上係選擇 台面部M2者。 (分割步驟）
最後’在切斷選出之台面部M2的上部電極22與未選擇 之台面部Ml，M3, M4的上部電極22之電性連接，並且至少 不破壞（分斷）選出之台面部M2的位置，如在圖22之一點鏈 線的位置進行切割予以晶片化。如此來製造本實施形態之 半導體雷射4。 本實鼽形態之半導體雷射4與上述實施形態相同，係以 各台面部Ml〜M4之至少i個氧化狹窄徑與特定基準確實一 致之方式，來分別設定各台面部Μ 1〜M4之直徑R 1〜R4。藉 此，即使氧化步驟中產生之氧化狹窄徑心〜84的誤差比氧^ 狹窄徑所要求之精度大時，仍可各單位晶片面積至少確實 形成1個與特定基準一致之台面部。結果，不致因與特定 基準不一致而廢棄包含其台面部之晶片等的浪費，而可大 幅增加收穫率。 此外，本實施形態由於係在製造過程中，對數個台面部 形成共用之電極焊塾25，因此，比對各個台面部形成電極 焊塾時’可減少晶圓上之電極焊塾數量。藉此，由於可縮 小母早位晶片之㈣，並增加氧化狹窄徑相互不同之台面 部的種類（水準），因此，收穫率比對各個台面部形成電極 119342.doc -27- 200816586 焊塾時提高。 [第二種實施形態之變形例] 另外’上述第三種實施形態，各台面部Ml〜M4係在不致 藉由切割而破壞而可驅動的狀態下配置，不過，如圖23所 不，亦可為在藉由切割被破壞之狀態下配置有除了各台面 邛Μ1〜M4中選出之台面部M2的3個台面部M i，M3，M4。不 過，此種情況下，由於依切割之位置，有可能被破壞之台 《 ' 面"卩M1，M3，M4的上部電極22與台面部M2之上部電極22 經由電極焊墊25而相互電性連接，因此，為了避免造成此 種h況，需要藉由切割而預先切斷連接於台面部Μ1，M3， Μ4之上部電極22的連結腕部25Β。 [第四種實施形態] 上述第三種實施形態之半導體雷射4係具備數個水準之 口面α卩的面發光型雷射，而本實施形態之半導體雷射$則 係具備數個相同水準之台面部的面發光型雷射。因此，本 i 貝施形悲之半導體雷射5與上述第三種實施形態之結構主 要的差異在這一點。因此，以下主要說明與上述第三種實 軛形怨差異之處，而適當地省略與上述第三種實施形態共 -同之結構、作用、效果及製造步驟的說明。 ‘圖24係表示本實施形態之半導體雷射5的上面結構者。 該半‘體雷射5係具備··同一種類之8個台面部M2，與各 口面邛M2逐一形成之電極焊墊25的8個通道之雷射陣列。 該半導體雷射5中僅設有與特定之基準一致的台面部 M2 ’與特定之基準不一致之台面部如後述，肖由切割而 119342.doc -28- 200816586 除去。 士各電極焊塾25包含：焊塾部25A與2個連結腕部25B。此 =’在各電極焊墊25中’各連結腕部加之—端連結於焊 :部Μ。此外，各電極焊墊25中’-方之連結腕部25B 的另-端直接連接於各個台面部M2之上部電極22，另一 方之連結腕部25B的另一媸拉± … 翊糟由切割而切斷，藉由切斷所 形成之面（切斷面25C)露出於晶片之端面。因此，各電極 焊墊25中，2個連結腕部25B中，直接連接於上部電極22者 以外者的另一端不連接於任何處。 另外，圖24係記载成各台面部M2具有與各電極焊塾Μ 同等大小者’不過’實際上，由於各電極焊墊_有可連 線鲜接之程度的㈣，因此，各電極焊墊25之-邊長度為 台面部M2之直徑的數倍以上，8個電極焊㈣之佔有率遠
比8個台面部]y[2之佔右桌士。+ B 丨 佔有羊大。亦即，δ個電極焊墊25佔了 晶片表面的大部分。 圖25係表示製造過程中之晶圓表面的—部分者。同—種 類之8個台面部M2作為-個群，各單位晶片面積在晶圓上 形成-行’與其不同種類之8個台面部⑷作為—個群，而 各單位晶片面積在晶圓上形成—行。再者，2種台面部⑷， M2在晶圓上，各群在與排列方向正交之方向上交互配 置。 此外，在各台面部Μ1，Μ2之上面形成有包㈣口部Μ 之上部電極22。另外’在基板1()之背面側形成有下部電極 24,不過圖上並未顯示。亦即，各台面部μι，μ”，形成 119342.doc -29- 200816586 至可使雷射振盪之結構。 (電極焊墊形成步驟） ' 如此， 結構後， 在各台面部M1，M2中’形成至可使雷射振盪之 在各台面部M1與各台面部M2之間，各一組之台 面部M1， M2形成相互連接一群中包含之1個台面部⑷之上 部電極22與其他群中包含 電極焊塾25(圖26)。亦即 M2逐一形成電極焊墊25， 之1個台面部M2之上部電極22的 ’本實施形態並非各台面部Μ1， 而係各一組之台面部Ml，M2逐 一共用地形成。 此外，取代電極焊墊25’而在晶圓上之特定場所，各台 面部Ml，M2逐-形成電極焊墊23(圖上未顯示）。該電極焊 墊23係在後述之計測、評估步驟中，評估各個台面㈣ι M2之特性時使用的測試用之電極焊墊。另外，對台面部 Ml，M2自共用之電極焊墊乃供給電流，冑由將各台面部 MU M2作為雷射來驅動，可評估各台面部μι，Μ2之特性 个月况下，則無須形成測試用之電極焊塾U。 (計測、評估步驟） 其次’如在與測試用之電極焊墊23連接的各台面部μι， M2的上部電極22與下部電極24之間施加電壓，在各台面 部，M2中使雷射振i，而自各開口部22α射出雷射光。 此時，計測自各開口部22Α射出之雷射光的特性（如光輸出 及NFP) ’及計測各台面部⑷，⑽之臨限值電流等，計測 各台面部MU M2之雷射特性’來評估其計測值是否與按照 特定目的及用途所設定之特定基準—致。亦即，本實施形 119342.doc -30- 200816586 悲與上述第三種實施形態相同，係直接評估各台面部mi， M2之雷射特性。藉此，可以比上述第一種實施形態中之 评估方法高的精度，選擇包含適合特定目的及用途之雷射 特性的台面部。另外，此時之評估結果，權宜上係選擇台 面部M2者。 (分割步驟） 最後，在切斷選出之台面部M2的上部電極22與未選擇
之台面部Ml的上部電極22之電性連接，並且至少不破壞 (刀斷）選出之台面部M2的位置，如在圖26之一點鏈線的位 置進行切割予以晶片化。亦即，係以切離電極焊墊Μ中最 接近於與特定基準一致之台面部M2的部位，與電極焊墊 25中最接近於與特定基準不一致之台面部M1的部位之方 式進行切割，結果，自形成有選出之台面部M2的晶片除 去未選擇之台面部M1。如此，來製造本實施形態之半導 體雷射5。 本貝施形您之半導體雷射5與上述實施形態相同，係以 各口面。卩Ml，M2之至少1個氧化狹窄徑與特定基準確實一 致之方式，來分別設定各台面部Ml，M2之直徑Rl，R2。藉 此，即使氧化步驟中產生之氧化狹窄徑心2的誤差比氧化 狹乍仏所要求之精度大時，仍可使台面部Ml，M2之至少_ 方與特疋基準—致。結果，不致因與特定基準不-致而整 個廢棄晶片等的浪費，而可大幅增加收穫率。 ，一般而言，由於電極焊墊需要可連線銲接之程度 的面積口此，隨著增加每個晶片的通道數量（光束條 119342.doc -31 - 200816586 數）’不易縮小每單位晶片之面積。因而，製造多通道之 雷射陣列的晶片時，各台面部Ml，M2逐一形成電極焊墊 時’與製造單一通道雷射之晶片時比較，可自一片晶圓切 出包含與特定基準一致之台面部M2的晶片數量減少。 另外’本實施形態係在製造步驟中，各一組之台面部 Ml，M2逐一形成共用之電極焊墊25，而將包含台面部Ml 之一個群與包含台面部M2之其他群的電極焊墊予以共用 化。藉此，比各台面部Ml，M2逐一形成電極焊墊時，可減 少形成於一片晶圓上之電極數量，因此，可增加自一片晶 圓可切出包含與特定基準一致之台面部M2的晶片數量， 收穫率提高。 [上述各種實施形態之變形例] 上述各種實施形態係台面部Ml〜M4成為圓柱形狀，不 過，依特定之目的及用途，如圖27所示，亦可作為角柱形 狀。如此，將台面部Ml〜M4之形狀形成角柱形狀來進行氧 化處理時，可形成與將台面部M1〜M4之形狀形成圓柱形狀 時不同形狀的未氧化區域丨5B。 此外’上述各種實施形態係設有突起狀之台面部 Ml〜M4，不過，如亦可在半導體層上形成環狀之渠道，在 被其渠道包圍之部分設置掘入型之台面部。 此外，上述各種實施形態係將台面徑作為參數，不過， 亦可將因製造時之誤差而特性容易變化之功能部分，如半 導體層2G中對應於電極焊㈣之部分的厚度作為參數。由 於該厚度改變時，電極焊墊23之靜電電容亦改變，因此， 119342.doc -32- 200816586 層20中與台面部m2不同之部分 不同之數個放置區域20Α，進一 電極焊墊23之靜電電容因製造時之誤差而大幅變化，雷射 特性可能自特定基準偏移。此種情況下，#圖28及圖 29(圖28之Α-Α箭頭方向之剖面結構圖)所示，將台面徑相 互相等之台面部M2形成格栅狀，並且選擇性㈣半導體 ，而形成厚度Hl，Η2相互 步在各放置區域20Α上，
ϋ 經由保護膜而個別地形成電極焊墊23。藉此，即使電極 焊墊23之靜電電容因製造時之誤差而大幅變化時，各單位 晶片面積仍可至少確㈣成i域接於㈣雜與特定基 準一致之電極焊墊23的台面部M2。結果，不致因與特定 基準不-致而廢棄包含其電極焊墊23之晶片等的浪費，而 可大幅增加收穫率。 此外’上述各種實施形態，於開口部22a中特別不設置 任何元件，不過，如亦可形成調整開口部Μ内之反射率 用的、'e緣層（®上未顯不此時’由於絕緣層之膜厚改變 :’反射率已改變，因&，因製造時之誤差，反射率大幅 變化可能雷射特性自特定基準偏移。此種情況下，係將 :面徑相互相等之台面部M2形成格柵狀，並且在各台面 、P M2之上面形成膜厚之值相互不同之絕緣層，不過圖上 並，顯示。藉此，即使絕緣層之反射率因製造時之誤差而 大巾田k化時，各單位晶片面積仍可至少確實形成1個包含 雷射特性與特定基準—致之絕緣層的台面部M2。結果， 不致因與特定基準不一致而廢棄包含其絕緣層之晶片等的 浪費，而可大幅增加收穫率。 119342.doc •33· 200816586 上述各種實施形態，係說明對面發光型之半導體雷射適 用本發明的情況，而以下係說明對端面發光型之半導體雷 射適用本發明之情況。 [第五種實施形態] 圖30係表示本發明第五種實施形態之端面發光型之半導 體雷射6的上面結構者。此外’圖川系表示圖％之半導體 雷射6的A-A箭頭方向之剖面結構者。另外，圖％，η係模 式表示者，而與實際之尺寸、形狀不同。 該半導體雷射6係將隆起（ridge)部之高度、寬度及形狀 中至少1個作為參數，而具備隆起部之高度、寬度及形狀 中至少1個參數值相互不同的2個隆起部者，此等2個隆起 部形成於與先前之端面發光型半導體雷射同等之晶片面積 中。另外，以下係說明半導體雷射6將隆起部之寬度（隆起 寬）作為參數，而具備隆起寬相互不同之2個隆起部78a， 786者。 ’ σ亥半V體雷射6係在基板6 0之一面側具備半導體層7 〇 者。該半導體層70係自基板6〇侧起依序堆疊··緩衝層71、 下邻包覆層72、下部導引層73、活性層74、上部導引層 75、上部包覆層76及接觸層77而構成。 此時，基板60如為氮化蘇基板（GaN)。此外，半導體層 7〇藉由III-V族氮化物半導體而構成。另外，所謂111_¥族 氮化物半導體，係包含鎵（Ga)與氮（N)之氮化鎵系（GaN系） 化合物者，如為氮化鎵、氮化鋁鎵（A1GaN)或氮化鋁鎵錮 (AlGalnN)等。 H9342.doc -34- 200816586 緩衝層71如包含n型氮化鎵。下部包覆層72如包含n型氮 化鋁鎵。下部導引層73如包含η型氮化鎵。活性層74如成 為非摻雜之氮化鎵銦多重量子井構造。上部導引層乃如包 -鼠化叙。上部包覆層76如包含氮化銘錁。接觸層77 如包含ρ型氮化鎵。 另外，η型雜質如有石夕（si)、鍺（Ge)、氧（〇)、石西（Se)等工丫 無及vi族元素。此外，ρ型雜質如有鎂（Mg)、辞（Ζη)、碳 (C)等之Π族及1¥族元素。 再者，本實施形態之半導體雷射，係在該半導體層7〇 中，於上部包覆層76之一部分及接觸層77上，設有如後述 地形成至接觸層77後，藉由選擇性蝕刻而延伸於疊層面内 之特定方向之帶狀的2個隆起部（突條部）78Α，78Β。另外， 本實施形態係該2個隆起部78Α，78Β中，與一方之隆起部 78Α對應之部分成為發光區域74Α者。該發光區域74α具有 與相對之隆起部78Α之底部（上部包覆層76之部分）同等大 小的帶寬，且對應於注入藉由隆起部78 Α而變狹窄之電流 的電流注入區域。 各隆起部78A，78B之寬度（隆起寬）Wi，W2係考慮在後述 之餘刻步驟中，選擇性蝕刻上部包覆層76之一部分及接觸 層77而形成隆起形狀時，標準之隆起寬(1最大產生誤差士 — 來設定。 通常’隆起部之高度、寬度及形狀係嚴格地設定成達到 特定之目的及用途所要求之雷射特性之值者。此等所要求 之精度依其目的及用途亦有一些差異，不過，一般而言， H9342.doc •35- 200816586 往往比蝕刻步驟中產生之此等誤差嚴格。因而，本實施形 態係將在隆起寬上有大的誤差，而隆起部之高度及形狀上 無大的誤差作為前提，如以各隆起部78 A，78B之至少1個 隆起寬Wl，W2在特定目的及用途中，與隆起寬所要求之 允許範圍一致之方式，設定後述抗蝕層RS1，RS2的寬度dl， d2。藉此，隆起寬W1，界2中之至少1個與特定之基準確實 一致0
此外’本實施形態之半導體雷射6中，隆起部78八，78β 之兩側面藉由絕緣膜79而覆蓋。在隆起部78A，78b之接觸 層77上形成有上部電極8〇。絕緣膜79中，自隆起部78a之 侧面至隆起部78 A周邊之平坦面設有電極焊墊81。該電極 焊墊81經由接合腕部81A而連接於隆起部78八。另外，在 基板60之背面設有下部電極82。 絕緣膜79如包含氧化矽（Si〇2)或氮化矽（SiN)。上部電極 80及電極焊墊8 !如藉由依序堆疊鈀(pd)層及鉑㈣層而構 成下°卩电極82如具有自基板60之側依序堆疊：金與鍺 (Ge)之合金層、鎳（Ni)層及金（Au)層的構造。 ” 再者’半導體雷射6中’在與隆起部78之延伸方向正交 的-對端面(劈開面)上分別形成有反射鏡膜(圖上未顯 不）。此時，主要射出光之側的反射鏡膜，如藉由氧化銘 ⑷办）而構成，並調整成低反射率。另外，主要反射光之 側的反射鏡臈如交互堆疊氧化銘㈧2〇3)與非晶石夕而構成， 並调整成而反射率。 本只施形您之半導體雷射6在上部電極⑽與下部電極以 119342.doc -36- 200816586 之間施加特定之電壓時，電流藉由隆起部78A變狹窄，在 活性層74之電流注入區域注入電流，藉此，因電子與電洞 再結合而產生發光。該光藉由—對光射出側之端面與_ 之端面而形成的反射鏡膜（圖上未顯示）反射，以特定之波 長產生雷射振盪，作為雷射光束而射出外部。 如此構成之半導體雷射6，如可製造如下。 圖32〜圖35係按照步驟順序表示其製造方法者。另外， 圖32, 33, 34係表示製造過程之晶圓的—部分剖面結構者， 圖35係表示製造過程之晶圓表面的一部分者。另外，圖μ 係表示圖35之A-A箭頭方向之剖面結構者。此外，圖別 之虛線係例示將晶圓劈開成條狀之處所者，一點鍵線係例 示為了將藉由劈開而成條狀的晶圓進一步分割成小塊而形 成晶片狀來切割之處所者。 為了製造半導體雷射元件，如藉由M〇CVD法形成包含 氮化鎵之基板6GD上的包含III-V族氮化物半導體之半導體 層70此時’氮化鎵系化合物半導體之原料，如使用三甲 基銘（TMA)、二甲基蘇（TMG)、三甲基姻（頂⑻、氨 (NH3)，施體雜質之原料如使用硒化氫，受體雜質原 料如使用二甲基鋅_Ζη)。另外，基板咖之末尾的〇係 表丁开y成半導體雷射6之基板⑼的中途者，附加於其他符 號之末尾的D亦表示同樣的意思。 首先在基板60〇上依序堆疊：緩衝層71D、下部包覆 下邛‘引層73D、活性層74D、上部導引層75D、 上邛包覆層76D及接觸層77〇(圖32)。 119342.doc -37- 200816586 其/人，在接觸層77D上形成遮罩層（圖上未顯示），藉由 進行微影處理，而在形成隆起部78八之區域形成寬度“之 帶狀的抗蝕層RS1，及在形成隆起部788之區域形成寬度 d2之帶狀的抗蝕層RS2(圖32)。 其次’將上述抗蝕層RSI，RS2作為遮罩，如藉由反應性 離子飿刻（Reactive Ion Etching; RIE)法，選擇性除去接觸 層77D及上部包覆層76D之一部分。其後，除去遮罩層R1， R2。藉此’延伸於特定之方向並且相互鄰接之一個群的帶 狀之隆起部78A，78B在與延伸方向正交之方向上周期性形 成（圖33) 〇 其次，在表面全體形成絕緣材料膜後，藉由進行微影處 理及蝕刻加工，而在隆起部78A，78B之接觸層77D上形成 包含開口部之絕緣膜79D。繼續，從相互鄰接之數個群的 各群選擇隆起寬相互不同之一個隆起部。如從相互鄰接之 2個群的各群’分別逐一選擇隆起寬相互不同之2種隆起部 78A，78B。其後，藉由進行微影處理、蝕刻加工及剝落加 工’而在各隆起部78 A，78B之延伸方向上，各共振器長地 斷續性形成與在隆起部78A，78B之上部的接觸層77D電性 連接之上部電極80，並且形成相互連接選擇之各隆起部 78A，78B上之上部電極80的電極焊墊81(圖34、圖35)。藉 此’各單位晶片面積逐組地形成隆起部78A上之上部電極 8〇、隆起部78B上之上部電極80及電極焊墊81。 亦即’本實施形態之電極焊塾8 1並非各上部電極8 〇逐一 形成’而係對數個上部電極80共用地形成。此外，該電極 119342.doc -38- 200816586 焊：81並非對隆起寬相互相等之隆起部上的數個上部電極 80共用地形成’而係對隆起寬相互不同之數個隆起部上的 各個上部電極80共用地形成，並宜對隆起寬相互不同之各 隆起部上的各個上部電極8〇共用地形成。再者，該電極焊 墊81並__個群内之數個隆起料 互不同之群的數個隆起部轉成。 f屬於相
β此外’就晶®上之特定群，各上部電極崎—形成電極 ¥塾83 ’來取代電極焊㈣（參照圖…。該電極焊塾μ在 後述之#估步驟中，係用於評估各個隆起部屢， 78Β之特性時的測試用電極焊塾。另夕卜，對隆起部爾上 之上部電極80及隆起部78Β上之上部電極8〇,自共用之電 墊8li、給電流’藉由將各隆起部78α，則作為雷射來 驅動’、而可評估各隆起部78Α，則之特性的情況下，則無 須形成測試用之電極焊墊8 3。 其次’劈開圖35中之虛線部分，具體而言，係劈開形成 於隆起部78Α上之各上部電極8〇之間，及形成於隆起部 78Β上之各上部電極8〇之間，而將晶圓分割成條狀。 (計測、評估步驟） 曰/、人如使用分割成條狀之晶圓中形成有測試用之電極 、曰 者在與測忒用之電極焊墊83連接的各隆起部78Α， 彻的上部電極轉下部電極82之間施加電壓，在各隆起 部⑽，78Β中使雷射振盪，而自兩劈開面射出雷射光。此 寺十測自兩劈開面射出之雷射光的特性（如光輸出及 卿），並計測各隆起部似，則之臨限值電流等，計測各 119342.doc •39· 200816586 隆起部78A，78B之雷射特性，來評估其計測時是否與按照 特定之目的及用途所設定之特定基準一致。亦即，本實施 形態係直接評估各隆起部78A，78B之雷射特性。藉此，可 以比計測各隆起部78A，78B之隆起寬而評估之方法高之精 • 度，選擇具有適合特定目的及用途之雷射特性的隆起部。 另外’此時，評估結果權宜上係選擇隆起部78A者。 其次，對兩劈開面形成反射鏡膜（圖上未顯示）。另外， ,, 在上述評估步驟中，亦可依據計測值修正反射鏡膜之結構 、後’對兩劈開面形成反射鏡膜。 (分割步驟） 最後，在切斷選出之隆起部78A的上部電極8〇與未選擇 之隆起部78B的上部電極80之電性連接’並且至少不破壞 (分斷）選出之隆起部78A的位置，如在圖35之一點鏈線的 位置進行切割予以晶片化。如此來製造本實施形態之半導 體雷射6。 , 本實施形悲之半導體雷射6，係以各隆起部78A，78B之 至少1個隆起寬Wl，W2與特定基準確實一致之方式，來分 別設定抗蝕層RSl，RS2的寬度dl, d2。藉此，即使氧化步 驟中產生之隆起寬的誤差比隆起寬所要求之精度大時，仍 可各單位晶片面積至少確實形成丨個與特定基準一致之隆 起寬。結果，不致因與特定基準不一致而廢棄包含其隆起 部之晶片等的浪費，而可大幅增加收穫率。 此外，本實施形態由於係在製造過程中，對數個上部電 極80形成共用之電極焊墊81，因此，比對各個上部電極8〇 119342.doc -40- 200816586 形成電極焊塾時，可減少晶圓上之電極焊塾數量。藉此， 由於可縮小每單位晶片之面積，並增加隆起部之高度、寬 又及形狀令至> 1個相互不同之隆起部的種類（水準），因 此，收穫率比對各個上部電極80形成電極焊墊時提高。 [第六種實施形態] 上述第五種實施形態之半導體雷射6，係各水準逐一具 備數個水準之隆起部的端面發光型雷射，而本實施形態之 半導體雷射7係各水準各數個具備數個水準之隆起部的端 面’X光里田射因此’本實施形態之半導體雷射7與上述 第五種實施形態之結構主要差異在這一點上。因此，以下 主要說明與上述第五種實施形態差異之處，㈣當地省略 與上述第五種實施形態共同之結構、作用、效果及製造步 驟的說明。 圖36係表示本實施形態之半導體雷射了的上面結構者。 圖37(A)係表示圖36之α·Α箭頭方向的剖面結構者，圖 37(B)係表示圖36之Β-Β箭頭方向的剖面結構者，圖37(c) 係表示圖36之箭頭方向㈣面結構者。該何體雷射7 係具備：同-種類之2個隆起部78A，與隆起部78a不同種 類之2個隆起部78B ’及各隆起部78B逐一形成之電極谭塾 81的2個通道之雷射陣列。亦即’該半導體雷射7中，除了 與特定基準-致之隆起部78A外，亦設有與特定基準不一 致之隆起部78B。 電極焊塾81如在絕緣膜79上依序堆疊：欽^、紐層及金 層而構成，且包含：與通道數等數（2個）的焊墊部MB，及 119342.doc -41- 200816586 與通道數等數(2個)程度之4個連結腕部 夺電極知塾8 1係連線銲接用之部分，如且有 ==狀。各連結腕物如具有延伸於特定方二 的形狀’各電極焊㈣中，各連結腕㈣A之—端連 結於焊墊部8 1B 〇此外，力夂中把u ,1Δ . 在各電極焊墊81中，2個連結腕部
各焊墊部81B設有 81A。 ，一方之另一端直接連接於相互不同之隆起部78A :上部電極8〇。此外’各電極焊墊81中，2個連結腕部81A “直接連接於上部電極8〇者以外者的另一端藉由切割而切 所’藉由切斷所形成之面(切斷面81〇露出於晶片之端 面。因此，各連結腕部81A中，直接連接於上部電極⑽者 以外者的另—端未連接於隆起部取，則之上部電極8〇。 此外，2種隆起部78A，雇中，未連接上述連結腕部μ 者之隆起部78B的各上部電極8〇上，連接電極焊塾“之一 部分（圖36，37(A)〜(C)係僅連結腕部81A之一部分）。連接 於隆起部78B之各上部電極8〇的電極焊墊8丨之一部分（以 下，稱為「微小電極焊墊」）藉由切割而切斷，藉由切斷 所形成之面（各切斷面81D)露出於晶片之端面。因此，連 接微小電極焊墊之隆起部78B上的上部電極8〇，與未連接 微小電極焊墊之隆起部78A上的上部電極8〇電性分離。 此外，連接於隆起部78A上之上部電極80的電極焊墊 81，具有比連接於隆起部78B上之上部電極8〇的微小電極 焊墊大之面積，而於連線銲接時具有充分之面積。因此， 本實施形態僅將2個隆起部78A作為雷射來驅動。 119342.doc -42- 200816586 圖38係表示製造過程中之晶圓表面的一部分者。圖39係 表示圖38中之A-A箭頭方向的剖面結構者。並將同一種類 之2個隆起部78A以及與隆起部78A不同種類之2個隆起部 78B作為一個群，而各單位晶片面積形成。 相互鄰接而形成之同一種類的一對隆起部78A，與相互 連接而形成’並且與隆起部78 A不同種類之一對隆起部 78B’交互地配置於與隆起部78八，78B之延伸方向正交的 方向。此外，在各隆起部78八上，各共振器長地斷續性形 成有上部電極80，同樣地，在各隆起部78B上，各共振器 長地斷續性形成有上部電極80。此外，在一對隆起部78A 與一對隆起部78B之間，各一組之隆起部78A，78B逐一形 成有相互電性連接一對隆起部78A之一方隆起部78A上的 上部電極80 ’與一對隆起部78B之一方隆起部78B上的上 4電極8 0之共用的電極焊墊8丨。此外，在基板丨〇之背面侧 形成有下部電極82。亦即，各隆起部78A，78B中，形成至 可使雷射振盪之結構。 此外’就晶圓上之特定群，各上部電極8〇逐一形成電極 丈干塾83 ’來取代電極焊墊81(參照圖38)。該電極焊墊83在 後述之計測、評估步驟中，係用於評估各個隆起部78A， 78B之特性時的測試用電極焊墊。另外，對隆起部78 A上 之上部電極80及隆起部78b上之上部電極80，自共用之電 極焊塾81供給電流’藉由將各隆起部78A，78B作為雷射來 驅動’而可評估各隆起部78A，78]5之特性的情況下，則無 須形成測試用之電極焊墊83。 H9342.doc -43 - 200816586 其次，劈開圖38中之虛線部分，具體而言，係劈開形成 於隆起部78A上之各上部電極8〇之間，及形成於隆起部 78B上之各上部電極80之間，而將晶圓分割成條狀。 (計測、評估步驟） 其次，如使用分割成條狀之晶圓中形成有測試用之電極 焊墊83者，在與測試用之電極焊塾83連接的各隆起部爾， 78B的上部電極80與下部電極82之間施加電壓，在各隆起 部78A，78B中使雷射振盪，而自兩劈開面射出雷射光。此 時，計測自兩劈開面射出之雷射光的特性（如光輸出及 NFP)，並計測各隆起部78八，78B之臨限值電流等，計測各 隆起部78A，78B之雷射特性，來評估其計測時是否與按照 特疋之目的及用途所設定之特定基準一致。亦即，本實施 形態係直接評估各隆起部78A，78B之雷射特性。藉此，可 以比計測各隆起部78A，78B之隆起寬而評估之方法高之精 度’選擇具有適合特定目的及用途之雷射特性的隆起部。 另外，此時，評估結果權宜上係選擇隆起部78A者。 其次，對兩劈開面形成反射鏡膜（圖上未顯示）。另外， 在上述評估步驟中，亦可依據計測值修正反射鏡膜之結構 後’對兩劈開面形成反射鏡膜。 (分割步驟） 最後，在切斷選出之隆起部78A的上部電極8〇與未選擇 之隆起部78B的上部電極8〇之電性連接，並且至少不破壞 (分斷）選出之隆起部78A的位置，如在圖38、圖39之一點 鏈線的位置進行切割予以晶片化。如此來製造本實施形態 119342.doc -44- 200816586 之半導體雷射7。 本實施形態之半導體雷射7，係以各隆起部78八，78B之 至少1個隆起寬Wi，W2與特定基準確實—致之方式，來分 別設定抗姓層RS1，RS2的寬度dl，d2。藉此，即使氧化= 驟中產生之隆起寬的誤差比隆起寬所要求之精度大時，： 可各單位晶片面積至少確實形成i個與特定基準_致之隆 起寬。結果’不致因與特定基準不—致而廢棄包含其隆起 部之晶片等的浪費，而可大幅增加收穫率。 再者，一般而言，由於電極焊墊需要可連線銲接程度之 面積’因& ’隨著增加每個晶片之通道數量(光束條二， 不易縮小每單位晶片之面積。因巾，製造多通道之雷射陣 列的晶片時，各隆起部78A，78B逐一形成電極焊墊時，與 製造單-通道雷射之晶片時比較’可自一片晶圓切出包含 與特定基準一致之隆起部78A的晶片數量減少。 另外，本實施形態係在製造步驟中，各一組之隆起部 78A，78B逐-形成共用之電極焊墊81，而在—群内將電極 焊墊予以共用化。藉此，比各隆起部78A，78B逐一形成電 極焊墊時，可增加自一片晶圓可切出包含與特定基準一致 之隆起部78A的晶片數量，收穫率提高。 [上述弟五及弟六種實施形態之變形例] 上述第五及第六種實施形態，係藉由選擇性蝕刻半導體 層70D，而形成隆起部78A，78B，但是，亦可藉由其他方 法來形成隆起部。如首先在包含砷化鎵之基板6〇D的（1〇〇) 結晶面上形成抗蝕層RS3, RS4後（圖4〇(A))，將此等抗蝕層 119342.doc -45- 200816586 RS3, RS4作為遮罩，選擇性蝕刻〇 〇〇)結晶面，而形成延伸 於[011]軸方向之帶狀的凸部61，62(圖40(B))。繼續，除去 抗餘層RS3, RS4後，對包含凸部61，62之基板60D的表面， 藉由蠢晶生長而形成：緩衝層71D、下部包覆層72D、活 性層74D、上部包覆層76D、電流區塊層83D、第二上部包 覆層84D及接觸層77D。結果，形成隆起部78C，78D(圖 40(C))。 但是’如此形成隆起部78C，78D情況下，如需要以成為 各隆起部78C，78D(凸部61，62)之至少1個隆起寬（活性層 74, 74D之寬度）W3, W4與特定基準確實一致之方式，來分 別設定抗蝕層RS3, RS4之寬度d3, d4。 以上，列舉實施形態及其變形例來說明本發明，不過， 本發明並不限定於上述之實施形態等，而可作各種變形。 如上述第一至第四種實施形態及其變形例，係以面發光 型之半導體雷射為例來說明本發明，上述第五及第六種實 施形態及其變形例係以端面發光型之半導體雷射為例來說 明本發明，不過，亦可適用於其他半導體元件，如光檢測 元件。如圖41及圖42(圖41之A-A箭頭方向之剖面結構圖） 所示’光檢測元件3在η型基板30上具備包含光吸收層31及 Ρ型接觸層32的半導體層33，在半導體層33中，藉由藉由 自Ρ型接觸層32側選擇性蝕刻，而形成台面部Μ5，Μ6。此 外’在台面部Μ5，Μ6之上面形成有包含開口部35 a之環狀 的上部電極3 5，並在n型基板3 0之背面側形成有下部電極 36。各台面部Μ5，Μ6之大小相互不同，藉此，各台面部 119342.doc -46- 200816586 M5,副之光吸收層31的體積相互不同。亦即，該光檢測元 件3係將光吸收層31之體積作為參數，^備光吸收層31 之體積相以同之2個自面部奶，_者，此等2個台面部 M5, M6形成於與先前之面發光型之半導體雷射同等之晶片 面積中。 該光檢測元件3還以成為各台面部M5, M6之至少丨個光 吸收層31之特性與特定基準確實一致之方式，分別設定各 台面部M5，M6之光吸收層31的體積。藉此，即使因製造時 之誤差，而光吸收層31之特性大幅變化時，各單位晶片面 積仍可至少確實形成1個包含特性與特定基準一致之光吸 收層31的台面部。結果，不致因與特定基準不一致而廢棄 包含其台面部之晶片等的浪費，而可大幅增加收穫率。 此外，上述實施形態係在計測、評估步驟中，僅選擇工 個台面部，不過，各單位晶片面積存在數個與特定基準一 致之台面部情況下，如亦可按照目的及用途等，而選擇數 個（併用）台面部。 此外，上述實施形態係在計測、評估步驟中，照樣保留 與特定基準不一致之台面部，不過，這限定在與特定基準 不一致之台面部對於與特定基準一致之台面部不造成不良 影響的情況。因此，與特定基準不一致之台面部對與特^ 基準一致之台面部造成某種不良影響時，宜將與特定基準 不一致之台面部破壞至不產生不良影響的程度，或是加以 除去。 此外，上述實施形態係以AlGaAs系及氮化鎵系之化人 119342.doc -47· 200816586 物半導體雷射為例來說明本發明，不過，亦可適用於盆他 化合物半導體雷射’如：GaIn”、偏np系、— 系、GalnP系、InP系、GaInN系、咖心系#之化合物 半導體雷射。 σ 【圖式簡單說明】 圖1係本發明第-種實施形態之半導體f射的上面圖。 圖 圖2係表示圖}之半導體雷射之a_a箭頭方向的剖面結構 圖3係表示圖1之半導體雷射 圖 圖 圖 圖 丁守股宙射之Β·Β前頭方向的剖面結構 〇 圖4係表示圖!之半導體雷射的一種變形例之上面圖。 圖5係說明台面徑與氧化狹窄一 回 乍仕 < 種關係用的關係 〇 圖6係說明台面徑與氧化狹窄徑之另—種關係用的關係 0 圖7係說明台面徑與氧化狹窄 仏之另種關係用的關係 〇 圖8係說明^之半導體雷射的製造過程用之刊 圖9係說明繼續圖8之過程用的上面圖。 ° θ 圖10係表示圖9之C_C箭頭方向的剖面結構圖。 圖11(A)、11(B)係說明繼續圖9 過私用_面圖及上面 〇 ’ 圖12係說明繼續圖11之過程用的上面圖。 圖13係表不圖12之D-D箭頭方a从 碩万向的剖面結構圖。 119342.doc •48- 200816586 圖14係本發明第二種實施形態之半導體雷射的上面圖。 圖15係說明圖14之半導體雷射的製造過程用之上面圖。 圖16係說明圖18之半導體雷射的製造過程用之上面圖。 圖17係δ兒明圖19之半導體雷射的製造過程用之上面圖。 固係表示圖14之半導體雷射一種變形例的上面圖。 圖係表示圖14之半導體雷射其他變形例的上面圖。 圖2〇係本發明第二種實施形態之半導體雷射的上面圖。 圖21係說明圖2G之半導體雷射的製造過程用之上面圖。 圖22係說制續圖21之過程用的上面圖。 圖23係表示圖2〇之半導體雷射—種變形例的上面圖。 圖24係本發明第三種實施形態之半導體雷射的上面圖。 圖2 5係祝明圖2 4之本墓+ 44* a也丨l 口 牛V體雷射的製造過程用之剖面圖。 圖26係說明繼續圖25之過㈣的上面圖。 圖27係表㈣1之半導財射的其他變_之上面圖。 圖28係表不圖14之半導體雷射的其他變形例之上面圖。 圖29係表示圖28之Α·Α箭頭方向的剖面結構圖。 圖30係本發明第四種實施形態之半導體雷射的上面圖。 圖1係表不圖3G之半導體雷射的Α_Α箭頭方向之剖面結 之剖面圖 圖32係說㈣3G之半導料射的f造過程用 圖33係說㈣續圖32之過程料剖面圖。 圖34係說明_®33之過㈣的剖面圖。 圖35係圖34之晶圓的上面圖。 圖36係本發明第五種實施形態之半導體雷射的上面 119342.doc -49- 200816586 〇 37(A)-(C)係表示圖％ 薪 牛v體雷射的^八，β_β，c-c 則頭方向的剖面結構圖。 圖係口兄明圖36之半導體雷射的製造過程用之上面圖。 圖39係表不圖38之晶圓的A_A箭頭方向之剖面結構圖。 圖40(A)-(C)係表示圖36之丰導矽 口 <千¥體宙射的一種變形例之上 面圖。 圖41係本發明其他實施形態之光檢測元件的上面圖。 圖42係表示圖41之A-A箭頭方向的剖面結構圖。 圖43係說明先前之半導體雷射的製造過程用之上面圖。 圖44係說明台面徑與氧化狹窄徑之另—種關係用的關係 【主要元件符號說明】 1〜7 半導體雷射 10, 60 基板 11 下部DBR反射鏡層 12 下部包覆層 13, 74 活性層 13A，74A 發光區域 14 上部包覆層 15 電流狹窄層 15A 氧化區域 15B 未氧化區域 15D AlGaAs 層 16 上部DBR反射鏡層 119342.doc -50- 200816586 17, 77 接觸層 20, 70 半導體層 21 保護膜 22, 80 上部電極 22A 開口部 23, 25, 81 電極焊墊 24, 82 下部電極 25A 焊墊部 f 25B 連結腕部 25C，25D 切斷面 71 緩衝層 4 72 下部包覆層 73 下部導引層 75 上部導引層 76 上部包覆層 78A，78B 隆起部 i 79 絕緣膜 ai 〜a4 氧化狹窄徑 b 氧化深度 di 〜d4 抗蝕層之寬度 L 晶片之一邊長度 Ml 〜M4 台面部 R1 〜R4 台面徑 RS1，RS2 抗蝕層 119342.doc -51 -

Claims (1)

  1. 200816586 十、申請專利範圍： 1· 一種半導體元件，其特徵為：含有至少丨個參數值相互 不同之數個功能部分。 2.如請求項丨之半導體元件，其中含有包含數個台面部之 半導體層， 前述台面部包含電流狹窄層，作為前述功能部分， • 前述各電流狹窄層之直徑及形狀中的至少1個參數之 值相互不同。 "3.如請求項1之半導體元件，其中含有包含數個台面部之 半導體層， 前述台面部包含絕緣層，作為前述功能部分， 前述各絕緣層之膜厚（參數）之值相互不同。 4·如請求項i之半導體元件，其中含有： 半導體層，其係包含台面部；及 數個電極焊墊； 月，j述半導體層&含放置前述數個電極焊墊用之放置區 ^ 域，作為前述功能部分， 前述放置區域中，與前述各電極焊墊相對之部分的厚 • 度（參數）之值相互不同。 5·如明求項1之半導體元件，其中含有包含數個台面部之 半導體層， 别述台面部包含光吸收層，作為前述功能部分， 前述各光吸收層之體積（參數）之值相互不同。 6·如凊求項2、請求項3或請求項5之半導體元件，其中含 119342.doc 200816586 有：，垾墊，其係與前述各台面部之至少】個連接，並 且一部分中包含切斷面。 I I;::1之半導體元件’其中含有包含帶狀之數個隆 起邠的半導體層， 月,J述各隆起部之高度、寬度及形狀中至少1個參數之 值相互不同。 ==項7之半導體元件，其中含有電極焊墊，其係與 :1起部之至少1個連接，並且-部分中包含切斷 面。 9. 一種半導體S件之製造方法，其特徵為包含： 第-形成步驟’其係在基板上形成半導體 述半導體層上4單位晶片面積形成至^ ^ 互：同之數個功能部分，作為一個群； :冽、評估步驟，其係計測、評估依前述參數 化者；及 义 定^步驟’其係基於前述評估之結果，^破壞與特 ;，準—致之功能部分的方式，將前述基板分割為各單 位晶片面積。 ’干 = 9之半導體元件之製造方法，其中在前述第一 料之：驟中：形成包含前述半導體層中最容易氧化之材 '藤則艇電流狹窄層的前述半導體層後，在前述半導體 驅電攻她处成十 在⑴述各台面部之端面使前述前 十山机’日露出’進—步氧化前述前驅電流狹窄芦中 路出於前述各台面部之端面的部分，而形成直徑及开 = 119342.doc 200816586 ⑽參數值相互不同的電流狹窄層，作為前述 項9之半二導體元件之製造方法其中在前述形成 數個a ^成雨述半導體層後，於前述半導體層上形成 戮· 1口口面部，i隹一半—、丄、h / ^在别述各口面部之上面形成膜厚（參 之值相互不同的絕緣層，作為前述功能部分。/ 項9之半導體元件之製造方法，其中在前述形成 ’形成前述半導體層後，在前述半導體層上形成 面邛，並且選擇性蝕刻前述半導體層中與前述台 面部不同之部分，而形成厚度（參數）之值相互不同之數 個放置區域，作為前述功能部分，進—步在前述各放置 E1域上個別地形成電極焊墊。 13.如請求項9之半導體元件之製造方法，其中在前述形成 步=中’形成包含光吸收層之前述半導體層後，在前述 半導體層上形成數個台面部，並在前述各台面部上形成 體積（參數）之值相互不同之前述光吸收層，作為 能部分。 14.如請求項10、請求項u或請求項13之半導體元件之製造 方法，其中包含第二形成步驟，其係在前述第一形成步 驟形成前述各功能部分後，自相互鄰接之數個群的各群 選擇參數值相互不同之一個功能部分，而形成相互連接 對應於選出之各功能部分所形成之台面部的共用電極， 於前述分割步驟中，以切斷連接於前述共用電極之數 σ面邻中、對應於與特定基準一致之功能部分所形成 119342.doc 200816586 之台面部’與連接於前述共用電極之數個台面部中、對 應於與特定基準-致之功能部分料之功能部分所形成 之台面部的電性連接之方式，來分割前述基板。 15 16 u 17. •如响求項9之半導體元件之製造方法，其中在前述第一 形成v驟中，形成前述半導體層後，在前述半導體層上 形成高度、寬度及形狀中之至少1個參數值相互；的 數個隆起部，作為前述功能部分。 如請求項15之半導體元件之製造方法，其巾包含第二形 成步驟’其係在前述第一形成步驟形成前述各功能部分 後’自才目互鄰接之數個群的各群選擇參數值相互不同之 一個功能部分，而形成相互連接對應於選出之各功能部 分所形成之隆起部的共用電極， 於前述分割步驟中，以切斷連接於前述共用電極之數 隆起。P中、對應於與特定基準一致之功能部分所形成 之隆起部，與連接於前述共用電極之數個隆起部中、對 應於與特定基準-致之功能部分以外之功能部分所形成 之隆起°卩的電性連接之方式，來分割前述基板。 一種半導體元件之製造方法，其特徵為包含： 第形成步驟，其係在基板上形成半導體層後，各單 位晶片面積分別形成：數個第一功能部分，其在前述半 導體：中係各參數值相互共用；及數個第二功能部分， 其在前述半導體層中係各參數值相互共用，並且至 個=數值與前述第__功能部分之參數值不同； 第二形成步驟，其係對應於一個前述第一功能部分與 119342.doc 200816586 一個前述第二功能部分，而形成共用電極； 計測、評估步驟，其係計測、評估依前述參數值而變 化者；及 分割步驟，其係基於評估結果，以切離前述共用電極 中最接近於與特定基準一致之功能部分的部位，及前述 共用電極中最接近於與特定基準不一致之功能部分的部 位之方式，來分割前述基板。
    119342.doc
TW096120995A 2006-06-20 2007-06-11 Semiconductor device, and manufacturing method of the same TW200816586A (en)

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